KR101555551B1 - Method for fabricating flexible display device - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 플렉시블 표시장치 제조방법에 관한 것으로서, 그 구성은 캐리어기판을 제공하는 단계; 상기 캐리어기판상에 용해폴리머재료를 이용하여 용해코팅막을 형성하는 단계; 상기 용해코팅막상에 표시소자층을 형성하는 단계; 및 상기 캐리어기판을 제거하는 단계;를 포함하여 구성되는 것으로, 플라스틱 기판과 같은 플렉시블기판을 반송하는 방법으로 용해기판 캐리어(soluble substrate carrier) 반송기술을 적용하므로써 기존의 점착공정 등의 제조공정을 줄일 수 있어 플렉시블 제품의 양산성을 확보할 수 있다.A method of manufacturing a flexible display device according to the present invention includes the steps of: providing a carrier substrate; Forming a dissolution coating film on the carrier substrate using a soluble polymer material; Forming a display element layer on the dissolution coating film; And removing the carrier substrate. By applying a soluble substrate carrier transporting technology to a flexible substrate such as a plastic substrate, the manufacturing process of a conventional adhesive process can be reduced And the mass productivity of the flexible product can be ensured.

플렉시블, 폴리머재료, 용해코팅막(soluble), 캐리어(carrier) A flexible material, a polymer material, a soluble coating, a carrier,

Description

플렉시블 표시장치 제조방법{Method for fabricating flexible display device}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a method for fabricating flexible display devices,

본 발명은 플렉시블 표시장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플라스틱 기판과 같은 플렉시블기판을 반송하는 방법으로 용해기판 캐리어(soluble substrate carrier)반송기술을 적용하여 플렉시블 제품의 양산성을 확보할 수 있는 플렉시블 표시장치 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a flexible display device, and more particularly, to a flexible display device capable of ensuring the mass productivity of a flexible product by applying a soluble substrate carrier transporting technique, And a method of manufacturing the device.

일반적인 표시장치는 전압이 인가되는 한쌍의 전극을 콜로이드 용액에 담그면 콜로이드 입자가 어느 한쪽의 극성으로 이동하는 현상을 이용한 화상표시장치로서, 백라이트를 사용하지 않으며, 넓은 시야각, 높은 반사율, 읽기 쉬움 및 저소비전력 등의 특성을 갖는 바, 전기종이(electric paper)로서 각광받을 것으로 기대된다.A general display device is an image display device using a phenomenon in which a pair of electrodes to which a voltage is applied is immersed in a colloid solution to move the colloid particles to either one of the polarities. The backlight is not used and a wide viewing angle, a high reflectance, Electric power, etc., and it is expected that all kinds of electric paper will be spotlighted as electric paper.

이와 같은 전기종이와 같은 표시장치는 2개의 전극사이에 전기 영동체가 개재된 구조를 가지며, 2개의 전극중 하나 이상은 투명하여야 이미지를 표시할 수 있다. 이들 전극에 걸쳐 전위를 인가할 경우, 전기 영동체내의 대전입자가 한 전극 또는 다른 하나의 전극으로 이동하는데, 이것에 의해 뷰잉 시트(biewing sheet) 또 는 대향전극을 통하여 이미지를 볼 수 있다.A display device such as an electric paper has a structure in which an electrophoretic medium is interposed between two electrodes, and at least one of the two electrodes must be transparent to display an image. When a potential is applied across these electrodes, the charged particles in the electrophoretic medium migrate to one electrode or another electrode, whereby an image can be seen through a biewing sheet or counter electrode.

더우기, 위와 같은 전기종이와 같은 표시장치는 플렉시블flexible)해야 되는데, 이러한 플렉시블(flexible) 표시장치를 구현하기 위해서는 플라스틱(plastic) 기판 또는 얇은 금속 포일(metal foil)과 같은 유연한 기판을 사용해야 한다.Furthermore, a display device such as the above-mentioned electric paper must be flexible. In order to implement such a flexible display device, a flexible substrate such as a plastic substrate or a thin metal foil must be used.

기존에는 플렉시블 표시장치를 구현하기 위해, 플렉시블기판을 유리기판에 점착하여 사용하는 기술이 제안되었다.In the prior art, a technique of using a flexible substrate adhered to a glass substrate to implement a flexible display device has been proposed.

이렇게 플렉시블기판을 유리기판에 점착하여 사용한 종래기술에 따른 플렉시블 표시장치 제조방법에 대해 도 1a 내지 도 1d를 참조하여 설명하면 다음과 같다.A method of manufacturing a flexible display device according to a conventional technique in which a flexible substrate is adhered to a glass substrate will be described with reference to FIGS. 1A to 1D.

도 1a 내지 도 1d는 종래기술에 따른 플렉시블 표시장치 제조방법을 설명하기 위한 공정 단면도이다.1A to 1D are process cross-sectional views for explaining a conventional method of manufacturing a flexible display device.

도 1a에 도시된 바와 같이, 플렉시블(flexible)한 플라스틱(plastic)기판(11)을 준비하고, 이 플라스틱기판(11)상에 소자 제조공정을 진행하기 전에, 이 플라스틱기판(11)은 얇은 두께로 구성되어 있으면서 휘기 쉬운 특성을 갖고 있어 제조공정을 수행하기 위해 테이블상에 플라스틱기판(11)을 안착시키게 되면 휘어지는 상태가 된다. 이때, 플라스틱(11)의 휜 상태로 놓여지게 되면 제조공정 수행이 어렵게 된다. 또한, 상기 플라스틱기판(11)은 롤타입(roll type)으로 공급되며, 약 100 μm 이상 두께를 갖는다.1A, before preparing a flexible plastic substrate 11 and proceeding with the device manufacturing process on the plastic substrate 11, the plastic substrate 11 has a thin thickness And the plastic substrate 11 is placed on the table in order to perform a manufacturing process. At this time, if the plastic 11 is put in a warped state, it becomes difficult to perform the manufacturing process. Also, the plastic substrate 11 is supplied in a roll type and has a thickness of about 100 μm or more.

따라서, 도 1b에 도시된 바와 같이, 이러한 문제점을 방지하기 위해, 캐리어기판으로 유리와 같은 재질로 이루어진 고정기판(rigid substrate)(10)을 준비한후 상기 고정기판(10)상에 상기 플라스틱기판(11)을 점착제(31)를 사용하여 점착시킨 다. Therefore, as shown in FIG. 1B, in order to prevent such a problem, a rigid substrate 10 made of a material such as glass is prepared as a carrier substrate, and the plastic substrate 10 11 are adhered to each other by using the adhesive 31.

그다음, 상기 플라스틱기판(11)이 점착된 고정기판(10)을 기판반송시스템(미도시)을 통해 제조공정챔버로 로딩시켜 플라스틱기판(11)상에 소자 제조공정을 수행하게 된다.Next, the fixed substrate 10 to which the plastic substrate 11 is adhered is loaded into the manufacturing process chamber through a substrate transfer system (not shown) to perform the device manufacturing process on the plastic substrate 11.

이때, 상기 플라스틱기판(11)상에 수행되는 소자 제조공정에 대해 도 1c를 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a device manufacturing process performed on the plastic substrate 11 will be described with reference to FIG. 1C.

도 1c에 도시된 바와 같이, 고정기판(10)상에 점착된 플라스틱기판(11)상에 금속물질을 증착한후 이를 마스크공정에 의해 선택적으로 패터닝하여 게이트전극 (13)을 형성한다. 1C, a metal material is deposited on a plastic substrate 11 adhered on a fixed substrate 10, and then a gate electrode 13 is formed by selectively patterning the metal material by a mask process.

그다음, 상기 게이트전극(13)을 포함한 하부기판(11)상에 질화규소(SiNx) 등으로 이루어진 게이트절연막(15)을 형성한다.Next, a gate insulating film 15 made of silicon nitride (SiNx) or the like is formed on the lower substrate 11 including the gate electrode 13.

이어서, 상기 게이트절연막(15)상부에는 수소화 비정질실리콘층(hydroge-nated amorphous silicon) 등으로 이루어진 반도체층(17)과, 상기 반도체층(17)표면에 n+ 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 실리콘층(19)을 형성한다. 이때, 상기 n+ 실리콘층(19)은 박막트랜지스터의 오믹콘택층으로 사용한다.A semiconductor layer 17 made of a hydrogenated amorphous silicon or the like is formed on the gate insulating layer 15 and an n + silicon layer 17 having a high concentration of n + impurities on the surface of the semiconductor layer 17. (19). At this time, the n + silicon layer 19 is used as an ohmic contact layer of the thin film transistor.

이어서, 상기 n+ 실리콘층(19)과 반도체층(17)을 마스크공정에 의해 선택적으로 패터닝한다. Then, the n + silicon layer 19 and the semiconductor layer 17 are selectively patterned by a mask process.

그다음, 상기 선택적으로 패터닝된 상기 n+ 실리콘층(19) 및 반도체층(17)을 포함한 상기 게이트절연막(15)상에 금속물질을 증착한후 이를 마스크공정에 의해 선택적으로 패터닝하여 소스전극(21)과, 이 소스전극(21)과 채널길이만큼 이격된 드레인전극(23)을 각각 형성한다. 이때, 상기 소스전극(21)과 드레인전극(23)사이에 위치하는 상기 n+실리콘층(19) 부분이 외부로 노출된다.A metal material is selectively deposited on the gate insulating layer 15 including the selectively patterned n + silicon layer 19 and the semiconductor layer 17 and selectively patterned by a mask process to form the source electrode 21, And a drain electrode 23 spaced apart from the source electrode 21 by a channel length. At this time, the portion of the n + silicon layer 19 located between the source electrode 21 and the drain electrode 23 is exposed to the outside.

이렇게 하여, 상기 소스전극(21)과 드레인전극(23)은 그 아래의 반도체층(17), 게이트전극(13)과 함께 스위칭소자인 박막트랜지스터를 구성한다. Thus, the source electrode 21 and the drain electrode 23 together with the semiconductor layer 17 and the gate electrode 13 underlying the thin film transistor constitute a thin film transistor which is a switching element.

또한, 상기 박막트랜지스터의 채널은 상기 소스전극(21)과 드레인전극(23)사이의 반도체층(17)내에 형성된다. Also, the channel of the thin film transistor is formed in the semiconductor layer 17 between the source electrode 21 and the drain electrode 23.

이어서, 상기 소스전극(21)과 드레인전극(23)을 차단막으로 하여 상기 노출된 n+실리콘층(19)부분을 건식 식각공정을 진행하여 제거한다. Subsequently, the exposed n + silicon layer 19 is removed by dry etching using the source electrode 21 and the drain electrode 23 as a blocking layer.

그다음, 상기 소스전극(21)과 드레인전극(23)을 포함한 하부기판(11)상에 평탄화 특성이 우수하며 감광성을 가지는 유기물질, 또는 저유전율 특성을 가지는 절연물질, 또는 무기물질인 질화 규소 등으로 이루어진 보호막(25)을 형성한다.Then, on the lower substrate 11 including the source electrode 21 and the drain electrode 23, an organic material having an excellent planarization characteristic and a photosensitive property, an insulating material having a low dielectric constant characteristic, or an inorganic material such as silicon nitride The protective film 25 is formed.

이어서, 상기 보호막(25)을 마스크공정에 의해 선택적으로 패터닝하여 상기 보호막(25)내에 상기 드레인전극(23)의 일부를 노출시키는 콘택홀(미도시)을 형성한다.The protective film 25 is selectively patterned by a mask process to form a contact hole (not shown) exposing a part of the drain electrode 23 in the protective film 25.

그다음, 상기 콘택홀(미도시)을 포함한 보호막(25)상에 ITO 또는 IZO 등의 투명한 도전물질으로 이루어진 금속물질층(미도시)을 증착한후 이를 마스크공정에 의해 선택적으로 제거하여 화소전극(29)을 형성한다. Then, a metal material layer (not shown) made of a transparent conductive material such as ITO or IZO is deposited on the protective film 25 including the contact hole (not shown) and selectively removed by a mask process to form a pixel electrode 29 are formed.

이렇게 하여, 상기 플라스틱기판(11)상에 박막트랜지스터 어레이를 제조하는 공정을 완료하게 된다.Thus, the process of manufacturing the thin film transistor array on the plastic substrate 11 is completed.

이어서, 도 1d에 도시된 바와 같이, 이렇게 박막트랜지스터 어레이를 제조하 는 공정을 완료한후 상기 플라스틱기판(11)이 점착된 고정기판(10)을 기판반송시스템에 의해 언로딩한후 상기 플라스틱기판(11)과 기판기판(10)사이에 점착된 점착제(31)를 떼어 내므로써 고정기판(10)의 탈착공정을 완료하게 된다.1D, after the process of manufacturing the thin film transistor array is completed, the fixed substrate 10 to which the plastic substrate 11 is adhered is unloaded by the substrate transport system, The adhesive 31 adhered between the substrate 11 and the substrate 10 is removed to complete the process of attaching and detaching the fixed substrate 10.

이렇게 하여 플렉시블한 플라스틱기판(11)상에 박막트랜지스터 어레이 제조공정을 완료한다.In this way, the manufacturing process of the thin film transistor array is completed on the flexible plastic substrate 11.

그러나, 상기 종래기술에 따른 플렉시블 표시장치 그 제조방법에 의하면 다음과 같은 문제점이 있다.However, the method of manufacturing the flexible display device according to the prior art has the following problems.

종래기술에 따른 플렉시블 표시장치 제조방법은 유리기판에 플라스틱 기판을 점착시키는 공정과 함께, 박막트랜지스터 어레이 제조공정을 수행한후 플라스틱기판으로 부터 고정기판을 떼어내는 탈착공정이 필요하므로 제조공정이 많아지고 그에 따른 제품의 양산성이 떨어지게 된다.The flexible display device manufacturing method according to the related art requires a step of adhering a plastic substrate to a glass substrate and a desorption process of removing the fixed substrate from the plastic substrate after performing the manufacturing process of the thin film transistor array, The mass productivity of the product is deteriorated.

또한, 유리재질로 구성된 고정기판에 플라스틱기판을 점착시키는 공정에서 점착제를 사용하게 되는데, 이 점착제는 약 150℃ 온도 이상에서 점착 기능이 떨어지기 때문에, 박막트랜지스터 어레이 제조공정중에 고온 공정이 어렵게 되어 저온 공정을 진행해야 하므로써 제품의 신뢰성이 저하된다.In addition, a pressure sensitive adhesive is used in the process of adhering a plastic substrate to a fixed substrate made of a glass material. Since the pressure sensitive adhesive deteriorates the adhesive function at a temperature of about 150 ° C or higher, the high temperature process becomes difficult during the manufacturing process of the thin film transistor array, The reliability of the product is deteriorated due to the necessity of the process.

그리고, 플라스틱기판과 고정기판을 점착제에 의해 점착한후, 안정적으로 제조공정을 진행한 다음, 플라스틱기판과 유리기판을 서로 탈착해야 하기 때문에 적정한 점착력을 유지할 수 있는 신규 점착제의 개발이 필요하고, 단가도 기존 점착제 대비 고가이다.In addition, since the plastic substrate and the glass substrate need to be desorbed from each other after the plastic substrate and the fixed substrate are fixed by the adhesive, and then the manufacturing process is stably performed, it is necessary to develop a new adhesive capable of maintaining proper adhesion, Is higher than that of existing adhesives.

이에 본 발명은 상기 종래기술의 제반 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로서, 본 발명의 목적은 플라스틱 기판과 같은 플렉시블기판을 반송하는 방법으로 용해기판 캐리어(soluble substrate carrier)반송기술을 적용하므로써 기존의 점착공정 등의 제조공정을 줄일 수 있어 플렉시블 제품의 양산성을 확보할 수 있는 플렉시블 표시장치 제조방법을 제공함에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in order to solve the problems of the prior art described above, and it is an object of the present invention to provide a method of transporting a flexible substrate such as a plastic substrate by applying a soluble substrate carrier transport technology, And a manufacturing method of a flexible display device which can secure the mass productivity of a flexible product.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 플렉시블 표시장치 제조방법은, 캐리어기판을 제공하는 단계; 상기 캐리어기판상에 용해폴리머재료를 이용하여 용해코팅막을 형성하는 단계; 상기 용해코팅막상에 표시소자층을 형성하는 단계; 및 상기 캐리어기판을 제거하는 단계;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a flexible display device including: providing a carrier substrate; Forming a dissolution coating film on the carrier substrate using a soluble polymer material; Forming a display element layer on the dissolution coating film; And a step of removing the carrier substrate.

본 발명에 따른 플렉시블 표시장치 제조방법에 의하면 다음과 같은 효과가 있다.The method for manufacturing a flexible display device according to the present invention has the following effects.

본 발명에 따른 플렉시블 표시장치 제조방법은 캐리어기판상에 용해코팅막을 형성하여 플라스틱기판으로 사용하기 때문에, 기존의 점착제를 이용한 유리기판과 플라스틱기판의 점착 또는 접착 공정 및 캐리어기판의 탈착 공정이 필요없게 되므로써 제조공정이 단축되어 제조비용을 줄일 수 있다.Since the method of manufacturing flexible display devices according to the present invention uses a melted coating film on a carrier substrate to be used as a plastic substrate, it is unnecessary to perform a process of adhesion or adhesion between a glass substrate and a plastic substrate using a conventional pressure- The manufacturing process can be shortened and the manufacturing cost can be reduced.

또한, 본 발명은 박막트랜지스터 어레이 제조공정이 완료된후 캐리어기판을 식각공정을 통해 제거할 수 있어 제품의 생산성 및 수율을 향상시킬 수 있다.Further, the present invention can remove the carrier substrate through the etching process after the manufacturing process of the thin film transistor array is completed, thereby improving the productivity and yield of the product.

그리고, 본 발명은 기존과 같이 저온공정에서만 점착 특성이 있는 점착제를 사용하지 않기 때문에, 유리기판상에 제조하는 기존의 표준 공정과 동일한 공정으로 제조공정을 수행하므로 고온 공정으로도 제품의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.Since the present invention does not use a pressure-sensitive adhesive having a sticking characteristic only in a low-temperature process, the present invention can improve the reliability of the product even in a high-temperature process because the process is performed in the same process as a conventional standard process on a glass substrate .

더우기, 본 발명에서 사용하는 캐리어금속기판은 동일 사이즈, 동일 두께의 유리 대비 금속기판이 저렴하므로 기존 공정대비 저비용 확보가 가능하다.In addition, since the metal substrate used in the present invention is less expensive than the glass substrate of the same size and thickness, it is possible to secure a low cost compared to the conventional process.

그리고, 본 발명은 직접 코팅방식을 통해 용해코팅막을 형성하므로 약 100μm 이하로 두께 형성이 가능하고, 원하는 형태의 두께 조절이 가능하다.In addition, since the present invention forms a dissolving coating film through a direct coating method, it can be formed to a thickness of about 100 탆 or less, and the thickness of a desired shape can be controlled.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플렉시블 표시장치 제조방법에 대해 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing a flexible display device according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉시블 표시장치 제조방법을 설명하기 위한 공정 단면도이다.FIGS. 2A to 2D are process cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a flexible display device according to an embodiment of the present invention.

도 2a에 도시된 바와 같이, 먼저 캐리어 기판(carrier substrate)(100)으로 기존의 고정기판(rigid substrate)을 준비한다. 이때, 상기 고정기판은 기존의 유리 또는 유리와 동등한 특성의 저비용의 캐리어 금속(carrier metal) 기판을 사용한다. As shown in FIG. 2A, a conventional rigid substrate is first prepared using a carrier substrate 100. At this time, the fixed substrate uses a low-cost carrier metal substrate having the same characteristics as those of glass or glass.

여기서, 사용가능한 저비용의 캐리어 금속기판은 순철을 많이 사용한 금속기판일수록 가격이 저렴하고, 나중에 식각이 용이하므로, 순철을 많이 함유한 금속이 유리하다. 또한, 상기 캐리어금속기판은 기존 장비를 활용할 수 있도록, 기존 유리 기판과 동등한 벤딩(bending) 특성을 갖는 기판을 사용하는 것이 바람직하다.Here, the low-cost carrier metal substrate that can be used is a metal substrate containing a lot of pure iron because the price is low and the etching is easy later. In addition, it is preferable that the carrier metal substrate has a bending property equivalent to that of a conventional glass substrate so as to utilize existing equipment.

그리고, 상기 캐리어금속기판은 동일 사이즈, 동일 두께의 유리 대비 금속기판이 저렴하므로 저비용으로도 가능하다.In addition, since the metal substrate is cheaper than the glass having the same size and thickness, the carrier metal substrate can be used at low cost.

그다음, 도 2b에 도시된 바와 같이, 상기 캐리어기판(100)상에 용해 폴리머(soluble polymer) 재료를 직접 코팅(direct coating)하여 용해코팅막(101)을 형성한다. 이때, 상기 용해 폴리머 재료로는 폴리이미드(polyimide), 실리카 레진(silica resin), 아크릴(acryl) 등과 같이 고온 내열성 특성을 가진 재료를 사용한다. 그리고, 상기 용해코팅막(101)은 플렉시블(flexible)한 특성을 지닌 플라스틱기판으로 사용한다.Next, as shown in FIG. 2B, a soluble polymer material is directly coated on the carrier substrate 100 to form a dissolution coating film 101. At this time, as the soluble polymer material, a material having a high temperature resistance property such as polyimide, silica resin, or acryl is used. The dissolution coating film 101 is used as a plastic substrate having a flexible property.

또한, 코팅 방법으로는 스핀 코팅(spin coating) 또는, 슬릿코팅(slit coating) 등의 코팅방법을 통해 캐리어기판(100) 전면에 용해 폴리머 재료를 코팅한후 이를 경화처리하여 용해코팅막(101)을 형성한다. 이때, 상기 용해코팅막(101)은 기판 용도로 사용해야 하므로, 최소 약 5 μm 이상의 막 두께를 형성한다.As a coating method, the dissolvable polymer material is coated on the entire surface of the carrier substrate 100 by a coating method such as spin coating or slit coating and then the coating is cured to form the dissolution coating film 101 . At this time, since the dissolution coating film 101 should be used for a substrate, a film thickness of at least about 5 μm is formed.

그다음, 상기 용해코팅막(101)이 형성된 캐리어기판(100)을 기판반송시스템(미도시)을 통해 제조공정챔버(미도시)로 로딩시킨 다음, 상기 용해코팅막(101)상에 소자 제조공정을 수행하게 된다. 이때, 상기 소자 제조공정으로는 표시소자층을 제조하는 것을 의미하는데, 여기서는 박막트랜지스터 제조공정에 대해 설명하지만, 칼라필터층을 제조하는 공정도 포함될 수 있으며, 또는 이들 박막트랜지스터 및 칼라필터층을 제조하는 공정을 포함할 수도 있다. Next, the carrier substrate 100 on which the dissolution coating film 101 is formed is loaded into a manufacturing process chamber (not shown) through a substrate transport system (not shown), and an element manufacturing process is performed on the dissolution coating film 101 . In this case, the device manufacturing step refers to manufacturing a display element layer. Here, the manufacturing process of the thin film transistor is described, but the manufacturing process of the color filter layer may be included, or the manufacturing process of the thin film transistor and the color filter layer .

이때, 상기 용해코팅막(101)상에 수행되는 소자 제조공정에 대해 도 2c를 참 조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a device manufacturing process performed on the dissolution coating film 101 will be described with reference to FIG. 2C.

도 2c에 도시된 바와 같이, 상기 용해코팅막(101)상에 금속물질을 증착한후 이를 마스크공정에 의해 선택적으로 패터닝하여 게이트전극(103)을 형성한다. As shown in FIG. 2C, a metal material is deposited on the dissolution coating layer 101 and then patterned by a mask process to form a gate electrode 103.

이때, 상기 금속물질로는 Al과 Al합금등의 Al 계열 금속, Ag과 Ag합금 등의 Ag 계열금속, Mo과 Mo 합금 등의 Mo 계열금속, Cr, Ti, Ta 등을 사용한다. As the metal material, Al-based metals such as Al and Al alloys, Ag-based metals such as Ag and Ag alloys, Mo-based metals such as Mo and Mo alloys, Cr, Ti, Ta and the like are used.

또한, 이들은 물질적 성질이 다른 두개의 막, 즉 하부막과 그 위의 상부막을 포함할 수 있다. 상부막은 게이트라인의 신호지연이나 전압강하를 줄일 수 있도록 낮은 비저항(resistivity)의 금속, 예를들면 Al 계열금속 또는 Ag 계열 금속으로 이루어진다.In addition, they may comprise two membranes of different material properties, namely a bottom membrane and a top membrane thereon. The upper film is made of a metal having a low resistivity, for example, an Al-based metal or an Ag-based metal so as to reduce signal delay or voltage drop of the gate line.

이와는 달리, 하부막은 다른 물질, 특히 ITO(indium tin oxide)나 IZO (indium zinc oxide)와의 물리적, 화학적, 전기적 접촉 특성이 우수한 물질, 예를들어 Ti, Ta, Cr, Mo 계열 금속 등으로 이루어지거나, 또는 하부막과 상부막의 조합의 예로는 Cr/Al-Nd 합금을 들 수 있다.Alternatively, the lower layer may be made of a material having excellent physical, chemical and electrical contact properties with other materials, particularly indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), such as Ti, Ta, Cr, , Or an example of a combination of the lower film and the upper film is Cr / Al-Nd alloy.

그다음, 상기 게이트전극(103)을 포함한 용해코팅막(101)상에 질화규소(SiNx) 등으로 이루어진 게이트절연막(105)을 형성한다.Next, a gate insulating film 105 made of silicon nitride (SiNx) or the like is formed on the dissolution coating film 101 including the gate electrode 103.

이어서, 상기 게이트절연막(105)상부에는 PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition)방법을 이용하여 수소화 비정질실리콘층(hydroge-nated amorphous silicon) 등으로 이루어진 반도체층(107)과 n+ 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 실리콘층(109)을 연속해서 형성한다. 이때, 상기 n+ 실리콘층(109)은 박막트랜지스터의 오믹콘택층으로 사용한다.A semiconductor layer 107 made of a hydrogenated amorphous silicon or the like and an n + impurity are heavily doped on the gate insulating layer 105 using a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method the n + silicon layer 109 is formed continuously. At this time, the n + silicon layer 109 is used as an ohmic contact layer of the thin film transistor.

이어서, 상기 n+ 실리콘층(109)과 반도체층(107)을 마스크공정에 의해 선택적으로 패터닝한다.Then, the n + silicon layer 109 and the semiconductor layer 107 are selectively patterned by a mask process.

그다음, 상기 선택적으로 패터닝된 상기 n+ 실리콘층(109)을 포함한 상기 게이트절연막(105)상에 금속물질을 증착한후 이를 마스크공정에 의해 선택적으로 패터닝하여 소스전극(111)과, 이 소스전극(111)과 채널길이만큼 이격된 드레인전극(113)을 각각 형성한다. 이때, 상기 소스전극(111)과 드레인전극(113)사이에 위치하는 지역, 즉 채널지역에 위치하는 n+ 실리콘층(109) 부분이 외부로 노출된다. 이렇게 하여, 상기 소스전극(111)과 드레인전극(113)은 그 아래의 반도체층(107), 게이트전극(103)과 함께 스위칭소자인 박막트랜지스터를 구성한다. Then, a metal material is selectively deposited on the gate insulating layer 105 including the selectively patterned n + silicon layer 109 and patterned by a mask process to form a source electrode 111 and a source electrode 111 and the drain electrode 113 spaced apart from each other by a channel length. At this time, the portion of the n + silicon layer 109 located between the source electrode 111 and the drain electrode 113, that is, the channel region, is exposed to the outside. The source electrode 111 and the drain electrode 113 constitute a thin film transistor which is a switching element together with the semiconductor layer 107 and the gate electrode 103 under the source electrode 111 and the drain electrode 113. [

또한, 상기 박막트랜지스터의 채널은 상기 소스전극(111)과 드레인전극(113)사이의 반도체층(107)내에 형성된다.In addition, a channel of the thin film transistor is formed in the semiconductor layer 107 between the source electrode 111 and the drain electrode 113.

그리고, 상기 소스전극(111)과 드레인전극(113)을 형성하기 위한 금속물질로는 Al 계열 금속, Ag 계열 금속, Mo 계열 금속, Cr, Ti, Ta 등의 물질을 사용하며, 다중층으로 형성할 수도 있다.As the metal material for forming the source electrode 111 and the drain electrode 113, an Al-based metal, an Ag-based metal, a Mo-based metal, Cr, Ti, Ta or the like is used. You may.

이어서, 상기 소스전극(111)과 드레인전극(113)을 포함한 용해코팅막(101)상에 평탄화 특성이 우수하며 감광성을 가지는 유기물질, 또는 저유전율 특성을 가지는 절연물질, 또는 무기물질인 질화 규소 등으로 이루어진 보호막(115)을 형성한다.Subsequently, on the dissolution coating film 101 including the source electrode 111 and the drain electrode 113, an organic material having an excellent planarization property and a photosensitive property, an insulating material having a low dielectric constant property, or an inorganic material such as silicon nitride The protective film 115 is formed.

이어서, 상기 보호막(115)을 마스크공정에 의해 선택적으로 패터닝하여 상기 보호막(115)내에 상기 드레인전극(113)의 일부를 노출시키는 콘택홀(미도시)을 형 성한다.Then, the protective layer 115 is selectively patterned by a mask process to form a contact hole (not shown) exposing a part of the drain electrode 113 in the protective layer 115.

그다음, 상기 콘택홀(미도시)을 포함한 보호막(115)상에 ITO 또는 IZO 등의 투명한 도전물질으로 이루어진 금속물질층(미도시)을 증착한후 이를 마스크공정에 의해 선택적으로 제거하여 화소전극(119)을 형성한다. Next, a metal material layer (not shown) made of a transparent conductive material such as ITO or IZO is deposited on the passivation layer 115 including the contact hole (not shown) and selectively removed by a mask process to form a pixel electrode 119 are formed.

이렇게 하여, 용해코팅막(101)상에 표시장치용 박막트랜지스터 어레이를 제조하는 공정을 완료하게 된다.Thus, the process of manufacturing the thin film transistor array for a display device on the dissolved coating film 101 is completed.

이어서, 도 2d에 도시된 바와 같이, 상기 캐리어기판(100)을 전면식각공정에 의해 완전히 제거하므로써, 캐리어기판(100)과 용해코팅막, 즉 플라스틱기판(101)을 분리한다. 이때, 상기 캐리어기판(100)이 금속인 경우에, 염화철(FeCl2)을 이용한 스프레이(spray)방식 또는, 디핑방식으로 식각가능하며, 상기 캐리어기판(100)이 유리(glass)인 경우에는 불산을 이용한 디핑(dipping)방식 또는 스프레이방식으로도 식각이 가능하다. Then, as shown in FIG. 2D, the carrier substrate 100 is completely removed by a front etching process, thereby separating the carrier substrate 100 from the dissolution coating film, that is, the plastic substrate 101. In this case, when the carrier substrate 100 is made of metal, it can be etched by a spraying method using iron chloride (FeCl 2 ) or a dipping method. When the carrier substrate 100 is made of glass, Or by a dipping method or a spray method using an etching solution.

본 발명의 플렉시블 기판상에 박막트랜지스터를 형성하는 공정에 대해서만 기재하였지만, 컬러필터층을 형성하는 공정시에도 적용가능함을 밝혀 둔다.Only the step of forming the thin film transistor on the flexible substrate of the present invention is described, but it is also applicable to the step of forming the color filter layer.

한편, 본 발명의 다른 실시예에 따른 플렉시블 표시장치 제조방법에 대해 도 3a 내지 도 3d를 참조하여 설명하면 다음과 같다.A method of manufacturing a flexible display device according to another embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 3A to 3D.

도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 다른 실시예에 따른 플렉시블 표시장치 제조방법을 설명하기 위한 공정 단면도이다.3A to 3D are process cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a flexible display device according to another embodiment of the present invention.

도 3a에 도시된 바와 같이, 먼저 캐리어 기판(carrier substrate)(200)으로 기존의 고정기판(rigid substrate)을 준비한다. 이때, 상기 고정기판은 기존의 유리 또는 유리와 동등한 특성의 저비용의 캐리어 금속(carrier metal) 기판을 사용한다. As shown in FIG. 3A, a conventional rigid substrate is first prepared using a carrier substrate 200. At this time, the fixed substrate uses a low-cost carrier metal substrate having the same characteristics as those of glass or glass.

여기서, 사용가능한 저비용의 캐리어 금속기판은 순철을 많이 사용한 금속기판일수록 가격이 저렴하고, 나중에 식각이 용이하므로, 순철을 많이 함유한 금속이 유리하다. 또한, 상기 캐리어금속기판은 기존 장비를 활용할 수 있도록, 기존 유리기판과 동등한 벤딩(bending) 특성을 갖는 기판을 사용하는 것이 바람직하다.Here, the low-cost carrier metal substrate that can be used is a metal substrate containing a lot of pure iron because the price is low and the etching is easy later. In addition, it is preferable that the carrier metal substrate has a bending property equivalent to that of a conventional glass substrate so as to utilize existing equipment.

그리고, 상기 캐리어금속기판은 동일 사이즈, 동일 두께의 유리 대비 금속기판이 저렴하므로 저비용으로도 가능하다.In addition, since the metal substrate is cheaper than the glass having the same size and thickness, the carrier metal substrate can be used at low cost.

그다음, 도 3b에 도시된 바와 같이, 상기 캐리어기판(200)상에 용해 폴리머(soluble polymer) 재료를 직접 코팅(direct coating)하여 용해코팅막(201)을 형성한다. 이때, 상기 용해 폴리머 재료로는 폴리이미드(polyimide), 실리카 레진(silica resin), 아크릴(acryl) 등과 같이 고온 내열성 특성을 가진 재료를 사용한다. 그리고, 상기 용해코팅막(201)은 플렉시블(flexible)한 특성을 지닌 플라스틱기판으로 사용한다.Then, as shown in FIG. 3B, a soluble polymer material is directly coated on the carrier substrate 200 to form a dissolution coating film 201. At this time, as the soluble polymer material, a material having a high temperature resistance property such as polyimide, silica resin, or acryl is used. In addition, the dissolution coating film 201 is used as a plastic substrate having a flexible property.

또한, 코팅 방법으로는 스핀 코팅(spin coating) 또는, 슬릿코팅(slit coating) 또는 이들 스핀 코팅(spin coating)과, 슬릿코팅(slit coating)을 혼합한 방법등의 코팅방법을 통해 캐리어기판(200) 전면에 용해 폴리머 재료를 코팅한후 이를 경화처리하여 용해코팅막(201)을 형성한다. 이때, 상기 용해코팅막(201)은 기판 용도로 사용해야 하므로, 최소 약 5 μm 이상의 막 두께를 형성한다.As a coating method, a coating method such as spin coating, slit coating, spin coating, or slit coating is applied to the carrier substrate 200 ) Is coated on the entire surface, and then a curing treatment is performed to form the dissolution coating film 201. [ At this time, since the dissolution coating film 201 should be used for a substrate, a film thickness of at least about 5 μm is formed.

그다음, 상기 용해코팅막(201)이 형성된 캐리어기판(200)을 기판반송시스템(미도시)을 통해 제조공정챔버(미도시)로 로딩시킨 다음, 상기 용해코팅막(201)상에 소자 제조공정을 수행하게 된다. 이때, 상기 소자 제조공정으로는 표시소자층을 제조하는 것을 의미하는데, 여기서는 박막트랜지스터 제조공정에 대해 설명하지만, 칼라필터층을 제조하는 공정도 포함될 수 있으며, 또는 이들 박막트랜지스터 및 칼라필터층을 제조하는 공정을 포함할 수도 있다. Next, the carrier substrate 200 on which the dissolution coating film 201 is formed is loaded into a manufacturing process chamber (not shown) through a substrate transport system (not shown), and then an element manufacturing process is performed on the dissolution coating film 201 . In this case, the device manufacturing step refers to manufacturing a display element layer. Here, the manufacturing process of the thin film transistor is described, but the manufacturing process of the color filter layer may be included, or the manufacturing process of the thin film transistor and the color filter layer .

이때, 상기 용해코팅막(201)상에 수행되는 소자 제조공정에 대해 도 3c를 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a device manufacturing process performed on the dissolution coating film 201 will be described with reference to FIG. 3C.

도 3c에 도시된 바와 같이, 상기 용해코팅막(201)상에 금속물질을 증착한후 이를 마스크공정에 의해 선택적으로 패터닝하여 게이트전극(203)을 형성한다. As shown in FIG. 3C, a metal material is deposited on the dissolution coating film 201 and is selectively patterned by a mask process to form a gate electrode 203.

이때, 상기 금속물질로는 Al과 Al합금등의 Al 계열 금속, Ag과 Ag합금 등의 Ag 계열금속, Mo과 Mo 합금 등의 Mo 계열금속, Cr, Ti, Ta 등을 사용한다. As the metal material, Al-based metals such as Al and Al alloys, Ag-based metals such as Ag and Ag alloys, Mo-based metals such as Mo and Mo alloys, Cr, Ti, Ta and the like are used.

또한, 이들은 물질적 성질이 다른 두개의 막, 즉 하부막과 그 위의 상부막을 포함할 수 있다. 상부막은 게이트라인의 신호지연이나 전압강하를 줄일 수 있도록 낮은 비저항(resistivity)의 금속, 예를들면 Al 계열금속 또는 Ag 계열 금속으로 이루어진다.In addition, they may comprise two membranes of different material properties, namely a bottom membrane and a top membrane thereon. The upper film is made of a metal having a low resistivity, for example, an Al-based metal or an Ag-based metal so as to reduce signal delay or voltage drop of the gate line.

이와는 달리, 하부막은 다른 물질, 특히 ITO(indium tin oxide)나 IZO (indium zinc oxide)와의 물리적, 화학적, 전기적 접촉 특성이 우수한 물질, 예를들어 Ti, Ta, Cr, Mo 계열 금속 등으로 이루어지거나, 또는 하부막과 상부막의 조합의 예로는 Cr/Al-Nd 합금을 들 수 있다.Alternatively, the lower layer may be made of a material having excellent physical, chemical and electrical contact properties with other materials, particularly indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), such as Ti, Ta, Cr, , Or an example of a combination of the lower film and the upper film is Cr / Al-Nd alloy.

그다음, 상기 게이트전극(203)을 포함한 용해코팅막(201)상에 질화규소 (SiNx) 등으로 이루어진 게이트절연막(205)을 형성한다.Next, a gate insulating film 205 made of silicon nitride (SiNx) or the like is formed on the dissolution coating film 201 including the gate electrode 203.

이어서, 상기 게이트절연막(205)상부에는 PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition)방법을 이용하여 수소화 비정질실리콘층(hydroge-nated amorphous silicon) 등으로 이루어진 반도체층(207)과 n+ 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 실리콘층(209)을 연속해서 형성한다. 이때, 상기 n+ 실리콘층(209)은 박막트랜지스터의 오믹콘택층으로 사용한다.A semiconductor layer 207 made of a hydrogenated amorphous silicon layer or the like and an n + impurity are heavily doped on the gate insulating layer 205 using a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method an n + silicon layer 209 is formed continuously. At this time, the n + silicon layer 209 is used as an ohmic contact layer of the thin film transistor.

이어서, 상기 n+ 실리콘층(209) 및 반도체층(207)을 마스크공정에 의해 선택적으로 패터닝한다.Then, the n + silicon layer 209 and the semiconductor layer 207 are selectively patterned by a mask process.

그다음, 상기 선택적으로 패터닝된 상기 n+ 실리콘층(209)을 포함한 상기 게이트절연막(205)상에 금속물질을 증착한후 이를 마스크공정에 의해 선택적으로 패터닝하여 소스전극(211)과, 이 소스전극(211)과 채널길이만큼 이격된 드레인전극(213)을 각각 형성한다. 이때, 상기 소스전극(211)과 드레인전극(213)사이에 위치하는 지역, 즉 채널지역에 위치하는 n+ 실리콘층(209) 부분이 외부로 노출된다. 이렇게 하여, 상기 소스전극(211)과 드레인전극(213)은 그 아래의 반도체층(207), 게이트전극(203)과 함께 스위칭소자인 박막트랜지스터를 구성한다. Next, a metal material is deposited on the gate insulating layer 205 including the selectively patterned n + silicon layer 209 and selectively patterned by a mask process to form a source electrode 211 and a source electrode 211 and the drain electrode 213 spaced apart from each other by a channel length. At this time, the portion of the n + silicon layer 209 located between the source electrode 211 and the drain electrode 213, that is, the channel region, is exposed to the outside. The source electrode 211 and the drain electrode 213 constitute a thin film transistor which is a switching element together with the semiconductor layer 207 and the gate electrode 203 under the source electrode 211 and the drain electrode 213.

또한, 상기 박막트랜지스터의 채널은 상기 소스전극(211)과 드레인전극(213)사이의 반도체층(207)내에 형성된다.In addition, a channel of the thin film transistor is formed in the semiconductor layer 207 between the source electrode 211 and the drain electrode 213.

그리고, 상기 소스전극(211)과 드레인전극(213)을 형성하기 위한 금속물질로는 Al 계열 금속, Ag 계열 금속, Mo 계열 금속, Cr, Ti, Ta 등의 물질을 사용하며, 다중층으로 형성할 수도 있다.As the metal material for forming the source electrode 211 and the drain electrode 213, an Al-based metal, an Ag-based metal, a Mo-based metal, Cr, Ti, Ta, You may.

이어서, 상기 소스전극(211)과 드레인전극(213)을 포함한 용해코팅막(201)상에 평탄화 특성이 우수하며 감광성을 가지는 유기물질, 또는 저유전율 특성을 가지는 절연물질, 또는 무기물질인 질화 규소 등으로 이루어진 보호막(215)을 형성한다.Subsequently, on the dissolution coating film 201 including the source electrode 211 and the drain electrode 213, an organic material having an excellent planarization characteristic and a photosensitive property, an insulating material having a low dielectric constant characteristic, or an inorganic material such as silicon nitride The protective film 215 is formed.

이어서, 상기 보호막(215)을 마스크공정에 의해 선택적으로 패터닝하여 상기 보호막(215)내에 상기 드레인전극(213)의 일부를 노출시키는 콘택홀(미도시)을 형성한다.Then, the passivation layer 215 is selectively patterned by a mask process to form a contact hole (not shown) exposing a part of the drain electrode 213 in the passivation layer 215.

그다음, 상기 콘택홀(미도시)을 포함한 보호막(215)상에 ITO 또는 IZO 등의 투명한 도전물질으로 이루어진 금속물질층(미도시)을 증착한후 이를 마스크공정에 의해 선택적으로 제거하여 화소전극(219)을 형성한다. Next, a metal material layer (not shown) made of a transparent conductive material such as ITO or IZO is deposited on the passivation layer 215 including the contact hole (not shown) and selectively removed by a mask process to form a pixel electrode 219).

이렇게 하여, 용해코팅막(201)상에 표시장치용 박막트랜지스터 어레이를 제조하는 공정을 완료하게 된다.Thus, the process of manufacturing the thin film transistor array for a display device on the dissolvable coating film 201 is completed.

이후, 도 3d에 도시된 바와 같이, 상기 캐리어기판(200)을 제거해야 되는데, 액티브 매트릭스 유기발광소자(AMOLED; active matrix organic light emitted diode device)에 용해코팅막을 적용하는 경우, 흡습 등의 용해플라스틱막의 문제점이 발생할 수 있기 때문에, 이러한 문제점을 방지하기 위해, 상기 캐리어기판(200)을 완전히 제거하지 않고, 약 10μm 이내의 적정두께, 즉 도 3d에서와 같이, 캐리어기판(200a)만큼만 남도록 식각하여 이 잔존 부분을 베리어(barrier) 용도로 사용한다. 이때, 상기 잔존하는 캐리어기판(200a)은 상기 베리어 역할뿐만 아니라 보호 시트(protect sheet) 역할을 하여 플라스틱 기판 흡습, 외부 스크래치(scratch)를 방지한다. 또한, 기존에 진행하였던 별도의 베리어(barrier) 형성공정을 생략할 수 있어 제조공정을 단순화시킬 수 있다.3D, the carrier substrate 200 must be removed. In the case of applying a dissolution coating film to an active matrix organic light emitting diode (AMOLED) device, The carrier substrate 200 is not completely removed and the carrier substrate 200a is etched so as to have an appropriate thickness within about 10 占 퐉, i.e., as shown in Fig. 3d, This remaining portion is used as a barrier. At this time, the remaining carrier substrate 200a serves not only as a barrier but also as a protective sheet, thereby preventing moisture absorption and scratching of the plastic substrate. In addition, it is possible to omit the existing barrier forming process, thereby simplifying the manufacturing process.

또한, 상기 캐리어기판(200) 일부를 식각공정에 의해 제거할때, 상기 캐리어기판(200)이 금속인 경우에, 염화철(FeCl2)을 이용한 스프레이(spray)방식 또는, 디핑방식으로 식각가능하며, 상기 캐리어기판(200)이 유리(glass)인 경우에는 불산을 이용한 디핑(dipping)방식 또는 스프레이방식으로도 식각이 가능하다. When the carrier substrate 200 is made of metal, it can be etched by a spray method using iron chloride (FeCl 2 ) or a dipping method when a part of the carrier substrate 200 is removed by an etching process If the carrier substrate 200 is made of glass, it can be etched by a dipping method using a hydrofluoric acid or a spray method.

본 발명의 플렉시블 기판상에 박막트랜지스터를 형성하는 공정에 대해서만 기재하였지만, 컬러필터층을 형성하는 공정시에도 적용가능함을 밝혀 둔다.Only the step of forming the thin film transistor on the flexible substrate of the present invention is described, but it is also applicable to the step of forming the color filter layer.

한편, 본 발명에 따른 플렉시블 표시장치 제조방법은 전기영동표시장치, 유기전계발광소자(OLED), 액정표시장치 또는 기타 표시장치에도 적용 가능함을 밝혀 두기로 한다.It should be noted that the method of manufacturing a flexible display device according to the present invention is also applicable to an electrophoretic display device, an organic electroluminescent device (OLED), a liquid crystal display device, or other display device.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the present invention as defined by the following claims It can be understood that

도 1a 내지 도 1d는 종래기술에 따른 플렉시블 표시장치 제조방법을 설명하기 위한 공정 단면도이다.1A to 1D are process cross-sectional views for explaining a conventional method of manufacturing a flexible display device.

도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 일실시예에 따른 플렉시블 표시장치 제조방법을 설명하기 위한 공정 단면도이다.FIGS. 2A to 2D are process cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a flexible display device according to an embodiment of the present invention.

도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 다른 실시예에 따른 플렉시블 표시장치 제조방법을 설명하기 위한 공정 단면도이다.3A to 3D are process cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a flexible display device according to another embodiment of the present invention.

*** 도면의 주요부분에 대한 설명 ****** Description of major parts of drawing ***

100 : 캐리어기판 101 : 용해코팅막100: Carrier substrate 101: Dissolve coating film

103 : 게이트전극 105 : 게이트절연막103: gate electrode 105: gate insulating film

107 : 반도체층 109 : n+실리콘층107: semiconductor layer 109: n + silicon layer

111 : 소스전극 113 : 드레인전극111: source electrode 113: drain electrode

115 : 보호막 119 : 화소전극115: protective film 119: pixel electrode

Claims (10)

캐리어기판을 제공하는 단계; Providing a carrier substrate; 상기 캐리어기판상에 용해폴리머재료를 이용하여 용해코팅막을 형성하는 단계;Forming a dissolution coating film on the carrier substrate using a soluble polymer material; 상기 용해코팅막상에 표시소자층을 형성하는 단계; 및Forming a display element layer on the dissolution coating film; And 상기 캐리어기판을 일부만 잔존하도록 식각하여 제거하는 단계;를 포함하여 구성되는 플렉시블 표시장치 제조방법.And etching and removing the carrier substrate so that only a part of the carrier substrate remains. 제1항에 있어서, 상기 용해코팅막은 스핀코팅(spin coating) 또는 슬릿코팅(slit coating) 또는, 스핀코팅(spin coating)과 슬릿코팅(slit coating)을 혼합한 방식으로 형성하는 플렉시블 표시장치 제조방법.The flexible display device manufacturing method according to claim 1, wherein the dissolution coating layer is formed by a method of mixing spin coating, slit coating, or spin coating and slit coating . 제1항에 있어서, 상기 용해폴리머재료로는 폴리이미드, 실리카 레진, 또는 아크릴같은 고온 내열성 특성을 가진 재료를 사용하는 플렉시블 표시장치 제조방법.The manufacturing method of a flexible display device according to claim 1, wherein the soluble polymer material is a material having high temperature heat resistance characteristics such as polyimide, silica resin, or acrylic. 제1항에 있어서, 상기 용해코팅막을 형성한후 경화처리하는 단계를 더 포함하는 플렉시블 표시장치 제조방법.The manufacturing method of a flexible display device according to claim 1, further comprising a step of curing after forming the dissolution coating film. 제1항에 있어서, 상기 캐리어기판은 유리 또는 금속인 플렉시블 표시장치 제조방법.The manufacturing method of a flexible display device according to claim 1, wherein the carrier substrate is glass or metal. 제5항에 있어서, 상기 표시소자층은 박막트랜지스터, 컬러필터층 또는 박막트랜지스터 및 컬러필터층을 포함하는 플렉시블 표시장치 제조방법.6. The method of claim 5, wherein the display element layer comprises a thin film transistor, a color filter layer or a thin film transistor, and a color filter layer. 제5항에 있어서, 상기 캐리어기판이 금속인 경우 염화철(FeCl2)을 이용한 스프레이(spray) 방식 또는 디핑 방식으로 상기 캐리어기판을 식각하고, 또는 상기 캐리어기판이 유리인 경우 불산을 이용한 디핑 방식 또는 스프레이 방식으로 상기 캐리어기판을 식각하는 플렉시블 표시장치 제조방법.The method of claim 5, wherein when the carrier substrate is made of metal, the carrier substrate is etched by spraying or dipping using iron chloride (FeCl 2 ), or dipping method using hydrofluoric acid if the carrier substrate is glass And the carrier substrate is etched by a spraying method. 삭제delete 제1항에 있어서, 잔존하는 상기 캐리어기판의 일부는 배리어(barrier) 용도로 사용하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 표시장치 제조방법.The method for manufacturing a flexible display device according to claim 1, wherein a part of the remaining carrier substrate is used for a barrier. 삭제delete
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