KR101552716B1 - 서모셋 모노머 가교제, 이를 포함하는 인쇄회로기판 형성용조성물 및 이를 이용한 인쇄회로기판 - Google Patents

서모셋 모노머 가교제, 이를 포함하는 인쇄회로기판 형성용조성물 및 이를 이용한 인쇄회로기판 Download PDF

Info

Publication number
KR101552716B1
KR101552716B1 KR1020080056003A KR20080056003A KR101552716B1 KR 101552716 B1 KR101552716 B1 KR 101552716B1 KR 1020080056003 A KR1020080056003 A KR 1020080056003A KR 20080056003 A KR20080056003 A KR 20080056003A KR 101552716 B1 KR101552716 B1 KR 101552716B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
liquid crystal
printed circuit
circuit board
composition
thermoset
Prior art date
Application number
KR1020080056003A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20090129874A (ko
Inventor
조중근
정명섭
김만종
배진영
박정원
Original Assignee
삼성전기주식회사
성균관대학교산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전기주식회사, 성균관대학교산학협력단 filed Critical 삼성전기주식회사
Priority to KR1020080056003A priority Critical patent/KR101552716B1/ko
Priority to US12/332,931 priority patent/US8440313B2/en
Publication of KR20090129874A publication Critical patent/KR20090129874A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101552716B1 publication Critical patent/KR101552716B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K19/00—Liquid crystal materials
    • C09K19/04—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
    • C09K19/06—Non-steroidal liquid crystal compounds
    • C09K19/08—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings
    • C09K19/10—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings containing at least two benzene rings
    • C09K19/22—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings containing at least two benzene rings linked by a chain containing carbon and nitrogen atoms as chain links, e.g. Schiff bases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C233/00—Carboxylic acid amides
    • C07C233/64—Carboxylic acid amides having carbon atoms of carboxamide groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings
    • C07C233/65—Carboxylic acid amides having carbon atoms of carboxamide groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings having the nitrogen atoms of the carboxamide groups bound to hydrogen atoms or to carbon atoms of unsubstituted hydrocarbon radicals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K19/00—Liquid crystal materials
    • C09K19/04—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
    • C09K19/38—Polymers
    • C09K19/3833—Polymers with mesogenic groups in the side chain
    • C09K19/3842—Polyvinyl derivatives
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0313—Organic insulating material
    • H05K1/0353—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01—Dielectrics
    • H05K2201/0137—Materials
    • H05K2201/0141—Liquid crystal polymer [LCP]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31678—Of metal
    • Y10T428/31681—Next to polyester, polyamide or polyimide [e.g., alkyd, glue, or nylon, etc.]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31678—Of metal
    • Y10T428/31692—Next to addition polymer from unsaturated monomers

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Polyamides (AREA)
  • Reinforced Plastic Materials (AREA)

Abstract

본 발명은 주쇄의 양말단에 아세틸렌 가교반응기가 도입된 서모셋 모노머 가교제, 이를 포함하는 인쇄회로기판 형성용 조성물 및 이를 이용한 인쇄회로기판에 관한 것으로, 본 발명의 인쇄회로기판 형성용 조성물은 기계적 물성 및 열특성이 우수하여 경박단소화되는 차세대 기판의 소재로 유리하게 응용될 수 있다.
서모셋 모노머 가교제, 아세틸렌 가교반응기, 인쇄회로기판

Description

서모셋 모노머 가교제, 이를 포함하는 인쇄회로기판 형성용 조성물 및 이를 이용한 인쇄회로기판{Thermoset Monomer cross-linking agent and Composition for forming Printed Circuit Board and Printed Circuit Board using the same}
본 발명은 서모셋 모노머 가교제, 이를 포함하는 인쇄회로기판 형성용 조성물 및 이를 이용한 인쇄회로기판에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 주쇄의 양말단에 아세틸렌 가교반응기가 도입된 서모셋 모노머 가교제, 이를 포함하는 인쇄회로기판 형성용 조성물 및 이를 이용한 인쇄회로기판에 관한 것이다.
정보 통신 기술의 발달로 고도의 통신 정보화 사회가 되고 있다. 또한 휴대전화, 개인용 컴퓨터 등의 전자기기는 소형화, 고성능화 됨에 따라 이들에 기본적으로 사용되는 인쇄회로기판은 다층화, 기판두께의 감소, 통과홀(through-hole) 직경의 소형화 및 홀 간격의 감소 등에 의한 고밀도화가 진행되면서 더욱 높은 성능의 기판 소재가 요구되고 있다.
한편, 근래 컴퓨터 등의 전자 정보기기에서는 대량의 정보를 단시간에 처 리하기 때문에 동작 주파수가 높아짐에 따라 전송손실이 높아지고, 신호지연이 길어지는 문제가 발생하고 있다. 인쇄회로기판에서의 신호지연은 배선주위의 절연물의 비유전율의 제곱근에 비례하여 증가하기 때문에, 높은 전송 속도를 요구하는 기판에서는 유전율이 낮은 기판 재료가 요구된다.
액정 폴리에스터 수지는 3.0 정도의 낮은 유전상수, 고내열성, 낮은 흡습율 등 특성이 우수한 기판 소재이다. 그러나 대부분의 액정 고분자가 용액에 녹지 않거나 또는 용해도가 낮아 이러한 액정 폴리에스터 수지를 이용하는 기판은 사출성형 등의 용융공정에 의존하여 제조되고 있다. 인쇄회로기판을 사출이나 압출공정을 사용하여 제조할 경우 고분자 사슬의 배향에 의한 이방성이 커져 회로설계에 어려움이 있으며 기계적 물성이 취약해진다.
현재 기판 소재로는 주로 비스말레이미드 트리아진(Bismaleimide-Triazine (BT)과 글라스 에폭시계(예컨대, FR-4) 재료가 사용되고 있는데, 이러한 재료는 향후 패키징 기술에서 요구되는 우수한 기계적 물성, 저유전, 고내열성, 저열팽창, 저흡습 특성을 만족시키기 어려우므로, 차세대 기판에 대해서 요구되는 특성을 구비한 새로운 기판 소재의 개발이 요구되고 있다.　　
본 발명에서 해결하고자 하는 하나의 기술적 과제는 가교 특성이 우수한 서모셋 (Thermoset) 모노머 가교제를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 기술적 과제는 본 발명의 서모셋 모노머 가교제를 포함하여 기판의 소재로 사용시 기계적 물성 및 열특성을 향상시킬수 있는 인쇄회로기판 형성용 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 기술적 과제는 본 발명의 서모셋 모노머 가교제를 이용하는 내열성이 우수하고 기계적 물성이 뛰어나며 취급특성이 개선된 인쇄회로기판을 제공하는 것이다.
본 발명의 하나의 양상은 주쇄의 양말단에 아세틸렌 가교반응기가 도입된 하기 화학식 1의 구조를 갖는 서모셋 모노머 가교제에 관한 것이다.
Figure 112008042512770-pat00001
상기 식에서, Ar1 및 Ar2는 2가의 방향족 유기기로서 하기 화학식 2로 표시되는 군에서 선택되는 하나 이상의 구조 단위를 포함한다.
Figure 112008042512770-pat00002
본 발명의 다른 양상은 본 발명의 서모셋 모노머 가교제를 포함하는 인쇄회로기판 형성용 조성물에 관한 것이다.
본 발명의 또 다른 양상은 본 발명의 인쇄회로기판 형성용 조성물을 이용하는 인쇄회로기판에 관한 것이다.
이하에서 첨부 도면을 참고하여 본 발명에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.
본 발명의 일구현예의 서모셋 모노머 가교제는 하기 화학식 1로 표시되는 구조를 가지며, 주쇄의 양말단에 아세틸렌 가교반응기를 포함하는 것을 특징으로 한다.
[화학식 1]
Figure 112008042512770-pat00003
상기 식에서, Ar1 및 Ar2는 2가의 방향족 유기기로서 하기 화학식 2로 표시되는 군에서 선택되는 하나 이상의 구조 단위를 포함한다.
[화학식 2]
Figure 112008042512770-pat00004
본 발명의 서모셋 모노머 가교제는 아마이드 관능기를 포함하고 있어 용매에 대한 용해도가 매우 우수하며, 비교적 낮은 온도에서 경화된다. 또한 방향족 구조, 특히 비페닐 또는 나프탈렌 구조는 액정을 형성하는 데 바람직하다.
서모셋 모노머 가교제의 합성방법을 예를 들어 설명하면, 먼저 적가 깔대기(Dropping funnel)를 장착한 3-네크 둥근 바닥 플라스크(3-neck round bottomed flask)를 화염 건조(flame dry)시켜 플라스크 내의 수분을 제거한 후 4-에티닐아닐 린(4-ethynylaniline)을 N-메틸-2-피롤리디온(N-methyl-2-pyrrolidinone)에 용해시킨다. 이어서 트리에틸아민을 첨가하고 상온에서 10분간 교반시킨다. 한편, 테레프탈오일 디클로라이드(Terephthaloyl dichloride)를 N-메틸-2-피롤리디온에 용해시킨 후 적가 깔대기를 이용하여 상기 4-에티닐아닐린 용액에 10분에 걸쳐 적가한 후 30분간 교반시킨다. 반응 종료 후 HCl수용액을 반응용액에 첨가하여 미반응된 4-에티닐아닐린과 염을 제거하고, 필터지를 이용하여 생성물을 여과시킨다. 여과된 생성물을 NaHCO3 수용액으로 닦아 미반응된 테레프탈오일 디클로라이드를 제거하고 탈이온수로 수세한 후 건조시켜 서모셋 모노머 가교제를 수득할 수 있다.
본 발명의 서모셋 모노머 가교제는 하기 화학식 3 내지 5로 표시되는 화합물일 수 있으나 반드시 이에 제한되는 것은 아니다.
Figure 112008042512770-pat00005
Figure 112008042512770-pat00006
Figure 112008042512770-pat00007
본 발명의 다른 양상은 본 발명에 의한 서모셋 모노머 가교제 이외에 가용성 액정 고분자(Liquid Crystal Polymer:LCP) 또는 가용성 액정 서모셋 올리고머를 추가로 포함하는 인쇄회로기판 형성용 조성물에 관한 것이다. 상기 서모셋 모노머 가교제는 하기 화학식 1로 표시되는 구조를 가지며, 주쇄의 양말단에 아세틸렌 가교반응기를 포함하는 것을 특징으로 한다.
[화학식 1]
Figure 112008042512770-pat00008
상기 식에서, Ar1 및 Ar2는 2가의 방향족 유기기로서 하기 화학식 2로 표시되는 군에서 선택되는 하나 이상의 구조 단위를 포함한다.
[화학식 2]
Figure 112008042512770-pat00009
본 발명의 인쇄회로기판 형성용 조성물은 점도가 높아 용매 내에 일정량 이상 용해시키기 어려운 기판용 액정 고분자 또는 액정 서모셋 올리고머를 용매 내에 용해시킬 때 고형분의 함량 증가를 실현하기 위해서 말단에 아세틸렌 가교반응기를 도입한 서모셋 모노머 가교제를 블렌드한 것으로, 이러한 조성물을 박막화한 후 경화시키면 고형분 함량을 증가시킬 수 있어 공정 비용을 감소시킬 수 있을 뿐만 아니라 고내열성의 필름특성을 구현할 수 있다. 본 발명의 인쇄회로기판 형성용 조성물을 이용하는 기판은 유리전이온도가 사라지거나 300도 이상이며 열팽창계수(CTE)가 10 ppm 이하의 물성을 제공하므로 경박단소(輕薄短小)화된 패키징 기술에 필요한 기판 소재로 사용될 수 있다.
본 발명의 조성물에서 상기 서모셋 모노머 가교제 대 가용성 액정 고분자 또는 가용성 액정 서모셋 올리고머의 중량비는 5:95 내지 70:30인 것이 바람직하다. 서모셋 모노머 가교제의 함량이 5wt%미만인 경우에는 가교효과가 미약하고 70wt%를 초과하면 브리틀하여 사용하기 어렵다.
본 발명에서 사용가능한 서모셋 모노머 가교제의 구체예로는 화학식 3 내지 5로 표시될 수 있으나 반드시 이에 제한되는 것은 아니다.
[화학식 3]
Figure 112008042512770-pat00010
[화학식 4]
Figure 112008042512770-pat00011
[화학식 5]
Figure 112008042512770-pat00012
본 발명의 조성물에 포함되는 가용성 액정 고분자는 하기 식 (1), (2), (3) 및 (4)로 표시되는 하나 이상의 구조 단위를 포함한다: 　
(1) -O-Ar1-CO-
(2) -CO-Ar2-CO-
(3) -X-Ar3-Y-
(4) -NH-Ar4-CO-
상기 식에서, Ar1은 1,4-페닐렌(phenylene), 2,6-나프틸렌(naphthylene) 또는 4,4-바이페닐렌(biphenylene)이고, Ar2는 1,4-페닐렌(phenylene), 1,3-페닐렌(phenylene) 또는 2,6-나프틸렌(naphthylene)이며, Ar3 및 Ar4는 1,4-페닐렌(phenylene) 또는 1,3-페닐렌(phenylene)이고, X는 NH, Y는 O 또는 NH이다.
상기에서 설명된 바와 같이, 본 발명에서 사용되는 액정 고분자는 상기 식 (1), (2), (3) 및 (4)에 의해 의해서 표시되는 구조 단위들을 가질 수 있지만, 반드시 이들로 제한되는 것은 아니다.
상기 구조 단위 (1), (2), (3) 및 (4)는 액정 고분자 합성을 위한 원료로서, 상기 식 (1)의 구조 단위는 방향족 히드록시카르복실산으로부터 유도되는 구조 단위이고, 상기 식 (2)의 구조 단위는 방향족 디카르복실산으로부터 유도되는 구조 단위이며, 상기 식 (3)의 구조 단위는 방향족 디아민 또는 히드록실기를 갖는 방향족 아민으로부터 유도되는 구조 단위이며, 상기 식 (4)의 구조 단위는 카르복실기를 갖는 방향족 아민으로부터 유도되는 구조 단위이다.
상기 구조단위 (1)의 예들은 p-히드록시벤조산, 2-히드록시-6-나프토산 및 4-히드록시-4'-비페닐카르복실산으로부터 유도되는 구조 단위들을 포함하며, 이러한 구조 단위들 중 2 종류 이상이 액정 고분자 내에 포함될 수 있다.
구조단위(2)의 예들은 테레프탈산, 이소프탈산, 2,6-나프탈렌디카르복실산 및 디페닐에테르-4,4'-디카르복실산으로부터 유도되는 구조 단위들을 포함하며, 이러한 구조 단위들 중 2 종류 이상이 액정 고분자 내에 포함될 수 있다.
구조 단위 (3)의 예들은 3-아미노페놀, 4-아미노페놀, 1,4-페닐렌디아민 및 1,3-페닐렌디아민으로부터 유도되는 구조 단위들을 포함하며, 이러한 구조 단위들 중 2 종류 이상이 액정 고분자 내에 포함될 수 있다.
구조 단위 (4)의 예들은 3-아미노벤조산, 4-아미노벤조산, 6-아미노-2-나프토익산으로부터 유도되는 구조 단위들을 포함하며, 이러한 구조 단위들 중 2 종류 이상이 액정 고분자 내에 포함될 수 있다.
본 발명에서 상기 액정 고분자의 제조방법은 특별히 제한되지 않는다. 예를 들어, 상기 구조 단위(1)을 위한 방향족 히드록시카르복실산, 구조 단위(3)을 위한 히드록실기를 갖는 방향족 아민 및 방향족 디아민의 페놀계 히드록실기 또는 아미노기가 과량의 지방산 무수물로 아실화되어 이들에 상응하는 아실 화합물을 얻고 나서 얻어진 아실 화합물 및 구조 단위(2)를 위한 방향족 디카르복실산의 용융-중축합 중의 에스테르교환반응(중축합)이 행하는 방법을 포함한다.
본 발명에서 상기 액정 고분자의 분자량은 특별히 제한되지 않으나, 바람직하게는 5000 내지 500000의 범위 내인 것이 좋다.
본 발명의 조성물에 포함되는 가용성 액정 서모셋 올리고머는 액정 올리고머 주쇄와 말단 가교반응기로 구성되며, 액정 올리고머 주쇄는 하기 화학식 6으로 표시되는 하나 이상의 구조 단위를 포함할 수 있다.
Figure 112008042512770-pat00013
상기 식에서 Ar은 하기 화학식 7로 구성되는 군에서 선택된다.
Figure 112008042512770-pat00014
상기 액정 서모셋 올리고머는 양 말단에 서로 동일하거나 상이한 가교반응기가 도입될 수 있다. 이러한 가교반응기는 아세틸렌기, 말레이미드기, 나디미드기, 시아네이트기, 치환된 아세틸렌기, 치환된 말레이미드기, 치환된 나디미드기 또는 치환된 시아네이트기를 포함할 수 있다.
본 발명의 인쇄회로기판 형성용 조성물은 액정의 이방성에 의한 기계적 물 성 약화를 방지하기 위한 용매 캐스팅(solvent casting)을 위해서 비프로톤성 용매를 포함할 수 있다.
본 발명에서 사용가능한 비프로톤성 용매의 종류는 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈(NMP), N-메틸카프로락탐, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디에틸포름아미드, N,N-디에틸아세트아미드, N-메틸 프로피온아미드, 디메틸술폭시드, γ-부틸 락톤, 디메틸이미다졸리디논, 테트라메틸포스포릭 아미드 및 에틸셀로솔브 아세테이트로 구성되는 군에서 선택되는 것을 사용할 수 있으며, 선택적으로 이들 중 2 종류 이상의 혼합 용매를 사용할 수도 있다.
본 발명의 인쇄회로기판 형성용 조성물은 주쇄의 양말단에 아세틸렌 가교반응기가 도입된 서모셋 모노머 가교제, 가용성 액정 고분자 및 비프로톤성 용매로 구성되거나, 또는 주쇄의 양말단에 아세틸렌 가교반응기가 도입된 서모셋 모노머 가교제, 가용성 액정 서모셋 올리고머 및 비프로톤성 용매를 포함할 수 있다.
본 발명의 인쇄회로기판 형성용 조성물은 필요에 따라서 본 발명의 목적을 달성할 수 있는 범위 내에서, 충전제, 연화제, 가소제, 윤활제, 정전기방지제, 착색제, 산화방지제, 열안정제, 광안정제 및 UV 흡수제와 같은 하나 이상의 첨가제를 추가로 포함할 수 있다. 충진제의 예는 에폭시 수지 분말, 멜라민 수지 분말, 요소 수지 분말, 벤조구아나민 수지 분말 및 스티렌 수지와 같은 유기 충진제; 및 실리카, 알루미나, 산화티타늄, 지르코니아, 카올린, 탄산칼슘 및 인산칼슘과 같은 무기 충진제를 포함한다.
본 발명의 인쇄회로기판 형성용 조성물은 고내열성 및 저열팽창 특성을 필요로 하는 차세대 패키징 재료로 사용될 수 있다. 본 발명의 인쇄회로기판 형성용 조성물은 기판으로 성형되거나 함침 또는 코팅용 바니시를 형성할 수 있다. 본 발명의 조성물은 적층물, 인쇄 보드, 다중층 기판의 각층, 수지가 있는 구리 호일, 구리를 씌운 적층물, 폴리이미드 필름, TAB 용 필름 및 프리프레그로서 사용가능하지만, 본 발명의 인쇄회로기판 형성용 조성물의 용도는 여기에 한정되지 않는다.
본 발명의 조성물을 기판 등의 재료로 사용하기 위해서는 서모셋 모노머 가교제, 가용성 액정 고분자 또는 가용성 액정 서모셋 올리고머와 비프로톤성 용매를 포함하는 조성물을 기판 위에 캐스팅하여 박막을 형성한 후 고온경화시켜 제조할 수 있다. 본 발명의 인쇄회로기판 형성용 조성물은 가용성 액정 고분자 또는 가용성 액정 서모셋 올리고머에 말단에 아세틸렌 가교 관능기를 가진 서모셋 모노머 가교제를 혼합한 것으로, 용해도가 우수한 서모셋 모노머 가교제로 인해 조성물 내에서 고형분의 함량을 증가시킬 수 있다.
더욱이 경화시 고밀도 가교구조를 형성할 수 있는 서모셋 모노머 가교제를 도입함으로써 서모셋 모노머 가교제, 가용성 액정 고분자 및 용매를 포함하는 조성물을 이용하여 기판을 제작하는 경우에 기계적 물성 및 열특성을 획기적으로 개선할 수 있다. 도 1은 서모셋 모노머 가교제, 가용성 액정 고분자 및 용매를 포함하는 조성물을 기판 위에 도포하여 경화시킨 후의 구조를 나타내는 개략도이다. 도 1을 참고하면, 액정 고분자와 서모셋 모노머 가교제가 경화 공정을 거치면 서모셋 모노머 가교제는 3차원의 망상 구조를 형성하며, 이 사이에 액정 고분자가 분포하여 전체적으로 상호침투-망상(interpenetrating-network) 구조를 형성한다.
한편 액정 서모셋 올리고머는 말단에 반응작용기를 포함하여 서모셋 모노머 가교제와 상호 반응하므로 액정 고분자 대신 액정 서모셋 올리고머를 사용한 조성물을 도포한 후 경화시키면 상호침투 망상 구조와는 다른 양상의 구조를 얻을 수 있다. 도 2는 서모셋 모노머 가교제, 가용성 액정 서모셋 올리고머 및 용매를 포함하는 조성물을 기판위에 도포하여 경화시킨 후의 구조를 나타내는 개략도이다. 도 2를 참고하면, 액정 서모셋 올리고머와 서모셋 모노머 가교제가 경화 공정을 거치면 서모셋 모노머 가교제는 3차원의 망상 구조를 형성하며, 이 사이에 액정 서모셋 올리고머가 교차로 분포하여 전체적으로 교차결합(crosslink) 구조를 형성한다.
인쇄회로기판용 프리프레그는 유리섬유에 에폭시와 같은 열경화성 수지를 함침시켜 제조하고, 이러한 프리프레그에 동박을 라미네이션한다. 기존의 가용성 액정고분자 수지를 이용하여 프리프레그를 제조하는 경우, 일차적으로 액정고분자 수지를 적정 용매에 용해시켜 유리섬유 함침을 위한 고농도의 바니쉬(varnish)를 제조하는데, 높은 분자량으로 인하여 적정 점도에서 바니쉬의 고형분 함량을 높이기 어렵기 때문에 유리섬유에 함침시 수지 함침률을 높이기 어렵다.
본 발명에서와 같이 주쇄의 양말단에 아세틸렌 가교반응기가 도입된 서모셋 모노머 가교제를 포함한 조성물을 사용한 프리프레그의 경우 기존의 액정 고분자를 사용한 프리프레그에 비해 고형분 함량이 높은 바니쉬 제작이 가능하여 유리 섬유에 함침 공정이 간단하며, 경화반응에 의한 열적 안정성 및 낮은 열팽창계수 면에서 유리한 장점이 있다.
본 발명의 프리프레그 제조방법으로서는 인쇄회로기판 형성용 조성물을 유리섬유에 함침하고, 비프로톤 용매를 제거하는 방법을 들 수 있다. 유리섬유에 인쇄회로기판 형성용 조성물을 함침하는 방법으로서는 딥 코팅, 롤 코팅법 등이 있으며, 그 밖의 통상적인 함침방법을 사용할 수 있다.
본 발명의 인쇄회로기판 형성용 조성물은 용매 100중량부에 대하여 고형분의 함량이 10 중량부 내지 70중량부일 수 있다. 고형분의 함량이 10 중량부보다 낮으면 유리섬유에 적당량의 수지를 함침시키기 어렵고, 70 중량부를 초과하면 조성물의 점도가 높아 유리섬유에 함침시키기 어렵다.
한편, 구리를 씌운 적층물 형태로 제조하는 경우에는 본 발명의 인쇄회로기판 형성용 조성물이 구리 포일 상에 도포되거나 구리 포일 상에 주조되고, 용매가 제거되고나서 열처리가 행해지는 방법에 의해 제조될 수 있다. 용매 제거는 바람직하게는, 용매를 증발시킴으로써 행해진다. 용매를 증발시키는 예는 감압 하 가열, 환기 등을 포함한다.
인쇄회로기판 형성용 조성물을 도포하는 방법의 예는 롤러 코팅법, 딥코팅법, 스프레이 코팅법, 스피너 코팅법, 커튼 코팅법, 슬롯 코팅법 및 스크린 프린팅법을 포함하나, 반드시 이들로 제한되는 것은 아니다. 본 발명의 인쇄회로기판 형성용 조성물은 필터 등을 이용하여 여과를 행하여, 구리 포일 상에 도포되거나 주조되기 전에, 용액 중에 함유된 미세한 외부 물질들을 제거하는 것이 바람직하다.
이하에서 실시예를 들어 본 발명에 대해서 더욱 상세하게 설명할 것이다. 그러나 하기의 실시예는 본 발명의 바람직한 실시예일 뿐, 본 발명이 하기 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
합성예 1 : 서모셋 모노머 가교제(LCT-1)의 합성
[반응식 1]
Figure 112008042512770-pat00015
상기 반응식 1의 반응스킴에 따라서4-에티닐아닐린(4-ethynylaniline)과 테레프탈오일 디클로라이드(Terephthaloyl dichloride)로부터 N,N’- 비스(4-에티닐페닐)테레프탈아미드(N,N’-Bis(4-ethynylphenyl)terephthalamide)(분자량 364g/mol)를 합성하였다.
적가 깔대기(Dropping funnel)를 장착한 3-네크 둥근 바닥 플라스크(3-neck round bottomed flask) 를 화염 건조(flame dry)시켜 플라스크 내의 수분을 제거한 후 4-에티닐아닐린(4-ethynylaniline) 8.66 g을 N-메틸-2-피롤리디온(N-methyl-2-pyrrolidinone) 8.66 ml에 용해시켰다. 이어서 트리에틸아민 5.06 ml을 첨가하고 상온에서 10분간 교반시켰다. 테레프탈오일 디클로라이드(Terephthaloyl dichloride) 5g을 N-메틸-2-피롤리디온 5 ml에 용해시킨 후 적가 깔대기를 이용하여 4-에티닐아닐린 용액에 10분에 걸쳐 적가한 후 30분간 교반시켰다. 반응 종료 후 HCl수용액을 반응용액에 첨가하여 미반응된 4-에티닐아닐린과 염을 제거하고, 필터지를 이용하여 생성물을 여과시켰다. 여과된 생성물을 NaHCO3 수용액으로 닦아 미반응된 테레프탈오일 디클로라이드를 제거하고 탈이온수로 수세한 후 건조시켜 하기 화학식 3의 엷은 노란색 분말인 N,N’- 비스(4-에티닐페닐)테레프탈아미드를 수득하였다(수율 >　90%). 반응의 진행 정도 및 생성물의 순도를 254 nm 인디케이터(indicator)가 첨가된 0.25mm 두께의 실리카 겔이 입혀진 TLC 플레이트(머크사)를 사용하여 확인하였다.
[화학식 3]
Figure 112008042512770-pat00016
Varian Unity Inova Spectrometer(500-MHz, d6-DMSO)를 이용하여 찍은 합성된 N,N’- 비스(4-에티닐페닐)테레프탈아미드의 1H-NMR 스펙트럼을 도 3에 도시하였다. 도 3을 참고하면, 아마이드의 수소 원자에 해당하는 피크가 δ 10.54에서 관찰되며 이를 통해 4-에티닐아닐린과 테레프탈오일 디클로라이드로부터 N,N’- 비스(4-에티닐페닐)테레프탈아미드가 합성되었음을 알 수 있다.
합성예 2 : 서모셋 모노머 가교제(LCT-2)의 합성
[반응식 2]
Figure 112008042512770-pat00017
상기 반응식 2의 반응스킴에 따라서, 테레프탈오일 디클로라이드(Terephthaloyl dichloride) 대신 이소프탈오일 디클로라이드(Isophthaloyl dichloride)를 5g 을 사용한 것을 제외하고 합성예 1과 동일한 방법으로 합성하여 하기 화학식 4의 N,N’- 비스(4-에티닐페닐)이소프탈아미드(N,N’-Bis(4-ethynylphenyl)isophthalamide) (분자량 363g/mol)를 합성하였다(수율 >　90%).
[화학식 4]
Figure 112008042512770-pat00018
합성된 N,N’- 비스(4-에티닐페닐)이소프탈아미드의 1H-NMR 스펙트럼을 도 4에 도시하였다. 도 4를 참고하면, 아마이드의 수소 원자에 해당하는 피크가 δ 10.56에서 관찰되며 이를 통해 4-에티닐아닐린과 이소프탈오일 디클로라이드로부터 N,N’- 비스(4-에티닐페닐)이소프탈아미드가 합성되었음을 알 수 있다.
합성예 3 : 서모셋 모노머 가교제(LCT-3)의 합성
[반응식 3]
Figure 112008042512770-pat00019
상기 반응식 3의 반응스킴에 따라서, 4-에티닐아닐린(4-ethynylaniline)을 6.3 g사용하고 테레프탈오일 디클로라이드(Terephthaloyl dichloride) 대신 바이페닐-4,4'-디카보닐 클로라이드 (biphenyl-4,4'-dicarbonyl dichloride) 5g 을 사용한 것을 제외하고 합성예 1과 동일한 방법으로 합성하여 하기 화학식 5의 N,N’- 비스(4-에티닐페닐)바이페닐-4,4'-디카르복시아마이드(N,N’-Bis(4-ethynylphenyl) biphenyl-4,4'-dicarboxyamide) (분자량 440g/mol)를 합성하였다(수율 >　90%).
[화학식 5]
Figure 112008042512770-pat00020
합성된 N,N’- 비스(4-에티닐페닐) 바이페닐-4,4'-디카르복시 아마이드의 NMR 스펙트럼을 도 5에 도시하였다. 도 5를 참고하면, 아마이드의 수소 원자에 해 당하는 피크가 δ 10.43에서 관찰되며 이를 통해 4-에티닐아닐린과 바이페닐-4,4'-디카보닐 클로라이드로부터 N,N’- 비스(4-에티닐페닐) 바이페닐-4,4'-디카르복시 아마이드가 합성되었음을 알 수 있다.
합성된 LCT-1, LCT-2 및 LCT-3의 열특성을 질소 분위기 하에서 시차주사열량계(DSC: differential scanning calorimetry, TA Instruments DSC 2010)를 이용하여 분석하고 도 6에 DSC 곡선을 도시하였다. 도 6을 참조하면, LCT-1, LCT-2, LCT-3은 각각 275℃, 223℃, 253℃에서 열경화에 해당하는 발열 피크가 관찰되었고, 이를 통해 본 발명에 의한 LCT-1, LCT-2, LCT-3은 모두 인쇄회로기판용 조성물의 열처리 온도 조건에 적합함을 알 수 있다.
합성예 4 : 액정 고분자의 합성
컨덴서, 스터러(mechanical stirrer)를 장착한 500ml 플라스크에 이소프탈산 8.3g (0.05 mol), 6-히드록시-2-나프토산 18.8g (0.1 mol), 4-아미노페놀 5.5g (0.05 mol), 아세트산 무수물 32.7g (0.32 mol)을 넣고, 질소 분위기 하에서 150℃까지 서서히 온도를 증가시킨 후, 온도를 유지하며 4시간 동안 반응시켜 아세틸화 반응을 완결하였다. 이어서 아세트산과 미반응 아세트산 무수물을 제거하면서, 300℃까지 온도를 높인 후 1시간 동안 반응시켜 가용성 액정 고분자를 제조하였다.
실시예 1
합성예 4에서 수득한 액정 고분자(poly amide-ester)와 합성예 1에서 수득한 LCT-1을 액정 고분자: LCT-1의 중량비가 각각 90:10, 80:20, 70:30이 되도록 혼합한 후 각 혼합물의 열특성을 질소 분위기 하에서 시차주사열량계(DSC: differential scanning calorimetry, TA Instruments DSC 2010)를 이용하여 분석하고 도 7에 DSC 곡선을 도시하였다.
비교예 1
합성예 4에서 수득한 액정 고분자(poly amide-ester) 단독의 열특성을 질소 분위기 하에서 시차주사열량계(DSC: differential scanning calorimetry, TA Instruments DSC 2010)를 이용하여 분석하고 도 7에 DSC 곡선을 도시하였다.
도 7을 통해 확인되는 바와 같이, 비교예 1의 가용성 액정 고분자의 유리전이온도(Tg)는 142℃에서 관찰되었으며, 가용성 액정 고분자와 LCT-1의 혼합물은 300℃ 이하에서는 유리전이온도를 관찰할 수 없었다. 이는 LCT-1 모노머가 열경화되어 가용성 액정 고분자 사슬 사이에 삽입됨으로써 300℃ 이상의 높은 유리전이온도를 가지거나 유리전이온도가 없기 때문인 것으로 생각된다.
실시예 2
합성예 4에서 수득한 액정 고분자(poly amide-ester)와 합성예 2에서 합성된 LCT-2를 가용성 액정 고분자: LCT-2의 중량비가 각각 90:10, 80:20, 70:30이 되 도록 혼합한 후 각 혼합물의 열특성을 질소 분위기 하에서 시차주사열량계(DSC: differential scanning calorimetry, TA Instruments DSC 2010)를 이용하여 분석하고 도 8에 DSC 곡선을 도시하였다.
실시예 3
합성예 4에서 수득한 액정 고분자(poly amide-ester)와 합성예 3에서 합성된 LCT-3을 가용성 액정 고분자: LCT-3의 중량비가 각각 90:10, 80:20, 70:30이 되도록 혼합한 후 각 혼합물의 열특성을 질소 분위기 하에서 시차주사열량계(DSC: differential scanning calorimetry, TA Instruments DSC 2010)를 이용하여 분석하고 도 9에 DSC 곡선을 도시하였다.
실시예 1과 마찬가지로 실시예 2 및 실시예 3에 의한 혼합물 역시 300℃ 이하에서 명확한 유리전이온도(Tg)가 관찰되지 않았다. 이는 LCT-1 모노머 또는 LCT-2 모노머가 열경화되어 가용성 액정 고분자 사슬 사이에 삽입됨으로써 300℃ 이상의 높은 유리전이온도를 가지거나 유리전이온도가 없기 때문인 것으로 생각된다.
실시예 4
합성예 4에서 수득한 액정 고분자(poly amide-ester)와 합성예 1에서 합성된 LCT-1을 가용성 액정 고분자: LCT-1 의 중량비가 각각 90:10, 80:20, 70:30이 되도록 혼합한 후 열중량분석기(TGA: Thermogravimetric Analyzer, TA Instruments, TGA 2050)를 이용하여 각 혼합물의 무게손실률(%)를 측정하여 도 10에 TGA 곡선을 도시하였다. 비교를 위하여 합성예 4에서 수득한 액정고분자 단독의 무게손실률을 측정하여 도 10에 함께 나타내었다.
도 10을 통해 확인되는 바와 같이, 가용성 액정 고분자의 초기 열분해 온도는 352℃이고, 가용성 액정 고분자: LCT-1의 중량비가 90:10인 혼합물의 열분해 온도는 변화가 없었지만, 가용성 액정 고분자: LCT-1의 중량비가 각각 80:20, 70:30인 경우에는 약 21℃ 증가한 373℃에서 열분해 되는 것을 알 수 있다. 이는 합성된 서모셋 모노머들이 열경화되어 가용성 액정 고분자의 열특성을 향상시켰기 때문인 것으로 생각된다. 또한 서모셋 모노머들의 중량비가 증가함에 따라 열분해 중량 감소율이 낮아지고 열안정성은 증가함을 알 수 있다.
실시예 5
합성예 4에서 수득한 액정 고분자(poly amide-ester)와 합성예 2에서 합성된 LCT-2를 가용성 액정 고분자: LCT-2의 중량비가 각각 90:10, 80:20, 70:30이 되도록 혼합한 후 열중량분석기(TGA: Thermogravimetric Analyzer, TA Instruments, TGA 2050)를 이용하여 각 혼합물의 무게손실률(%)를 측정하여 도 11에 TGA 곡선을 도시하였다. 비교를 위하여 합성예 4에서 수득한 액정고분자 단독의 무게손실률을 측정하여 도 11에 함께 나타내었다.
실시예 6
합성예 4에서 수득한 액정 고분자(poly amide-ester)와 합성예 3에서 합성된 LCT-3을 가용성 액정 고분자: LCT-3의 중량비가 각각 90:10, 80:20, 70:30이 되도록 혼합한 후 열중량분석기(TGA: Thermogravimetric Analyzer, TA Instruments, TGA 2050)를 이용하여 각 혼합물의 무게손실률(%)를 측정하여 도 12에 TGA 곡선을 도시하였다. 비교를 위하여 합성예 4에서 수득한 액정고분자 단독의 무게손실률을 측정하여 도 12에 함께 나타내었다.
도 11 및 도 12를 참조하면, LCT-2 및 LCT-3을 가용성 액정 고분자와 혼합한 혼합물의 경우에도 열분해 개시 온도는 거의 변화가 없었지만 열분해 중량 감소율이 낮아짐을 확인할 수 있다. 따라서 본 발명에 의한 서모셋 모노머가 열경화되어 혼합물의 물성을 강화시키고 열안정성을 증가시킴을 알 수 있다.
실시예 7
800℃의 온도에서 가용성 액정 고분자, 가용성 액정 고분자와 LCT-1, LCT-2, LCT-3 각각을 30%씩 블렌딩한 혼합물의 잔탄량을 측정하여 하기 표 1에 나타내었다. 표 1을 통해 확인되는 바와 같이, 가용성 액정 고분자는 잔탄이 20% 남아있는데 비해 가용성 액정 고분자와 LCT-1, LCT-2, LCT-3 각각을 70:30 중량비로 혼합한 혼합물의 잔탄은 각각 46%, 46%, 41%로 많은 양의 잔탄이 남아 있음을 알 수 있다. 즉, 가용성 액정 고분자에 서모셋 모노머 가교제를 블렌딩하면 혼합물의 열분해 온도는 높아지고 고온에서의 잔탄량이 더 많으며, 이를 통해 본 발명의 서모셋 모노머 가교제에 의해 혼합물의 기계적 강도 및 열안정성이 향상되었음을 알 수 있다.
Figure 112008042512770-pat00021
실시예 8: 프리스탠딩 필름의 제조
전해동박을 가로 1cm, 세로 3cm로 절단하고 사면에 폴리이미드 테이프를 5겹씩 붙여서 가운데에 가로 세로 각각 4mm, 20mm인 홈을 가진 몰드를 제작하였다.
6.5ml의 NMP에 가용성 액정 고분자: LCT-1 = 70:30(wt%)인 혼합물 3.5g을 녹인후 110 ℃에서 가열한 용액을 상기 몰드 상에 프린팅하고 진공 오븐(80℃)에서 한 시간 동안 감압, 건조시켜 NMP를 모두 제거한 후 280 ℃에서 2시간 동안 열처리 하였다. 이어서 전해동박의 폴리이미드 테이프를 제거하고 30%의 질산 수용액에 담가 에칭하여 프리스탠딩 필름(가로 4mm, 세로 20mm) 을 제조하였다.
실시예 9: 프리스탠딩 필름의 제조
가용성 액정 고분자: LCT-1 = 70:30(wt%)인 혼합물 대신에 가용성 액정 고분자: LCT-2 = 70:30(wt%)인 혼합물 3.5g을 사용한 것을 제외하고 상기 실시예 8과 동일한 방법으로 프리스탠딩 필름을 제조하였다.
비교예 2: 프리스탠딩 필름의 제조
가용성 액정 고분자: LCT-1 = 70:30(wt%)인 혼합물 대신에 가용성 액정 고분자 3.5g을 사용한 것을 제외하고 상기 실시예 8과 동일한 방법으로 프리스탠딩 필름을 제조하였다.
비교예 3: 프리스탠딩 필름의 제조
가용성 액정 고분자: LCT-1 = 70:30(wt%)인 혼합물 대신에 가용성 액정 고분자: LCT-1 = 90:10(wt%)인 혼합물 3.5g을 사용한 것을 제외하고 상기 실시예 8과 동일한 방법으로 프리스탠딩 필름을 제조하였다.
상기 실시예 8, 9 및 비교예 2, 3에 의한 프리스탠딩 필름의 형성 여부 및 실시예 8 및 실시예 9에 의한 프리스탠딩 필름에 대해서 열분석기(TMA: Thermomehcanical Analyzer, TA Instruments, TMA 2940)를 이용하여 열팽창계수(CTE)를 산출하여 하기 표 2에 나타내었다. 표 2를 참조하면, 실시예 8 및 실시예 9에 의하면 필름이 형성되나 비교예2 및 비교예 3에 의하면 필름이 형성되지 않음을 알 수 있다. 이를 통해 서모셋 모노머의 종류와 구조에 따라 필름의 형성 여부가 결정되며, 혼합되는 서모셋 모노머의 중량비가 기계적 강도와 물성에 영향을 주는 것을 알 수 있다. 또한 가용성 액정 고분자 사슬 사이에 서모셋 모노머 가교제가 모노머 상태로 블렌딩되어 열경화되면 액정 고분자의 강직성을 향상시킴을 알 수 있다.
Figure 112008042512770-pat00022
실시예 8 및 실시예 9에 의한 프리스탠딩 필름의 TMA(Thermomechanical Analysis) 곡선을 도 13에 도시하였다. 도 13을 참조하면, 실시예 8에 의한 필름은 232℃부터 300℃까지 열에 의한 팽창이 진행되는 것을 알 수 있고, 실시예 9에 의한 필름은 228℃부터 열에 의한 팽창이 시작되어 250℃에서 끊어짐을 알 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 구현예를 들어 본 발명에 대해서 상세하게 설명하였으나, 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명이 다양하게 변경 또는 변형될 수 있음은 당업자에게 자명하므로, 이러한 모든 변경 및 변형예들도 본 발명의 보호범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
도 1은 서모셋 모노머 가교제, 가용성 액정 고분자 및 용매를 포함하는 조성물을 기판 위에 도포하여 경화시킨 후의 구조 변화를 나타내는 개략도,
도 2는 서모셋 모노머 가교제, 가용성 액정 서모셋 올리고머 및 용매를 포함하는 조성물을 기판위에 도포하여 경화시킨 후의 구조 변화를 나타내는 개략도,
도 3은 합성예 1에 의한 서모셋 모노머 가교제의 1H-NMR 스펙트럼,
도 4는 합성예 2에 의한 서모셋 모노머 가교제의 1H-NMR 스펙트럼,
도 5는 합성예 3에 의한 서모셋 모노머 가교제의 1H-NMR 스펙트럼,
도 6은 합성예 1, 2 및 3에 의한 서모셋 모노머 가교제의 DSC(Differential Scanning Calorymeter) 그래프,
도 7은 실시예 1 및 비교예 1에 의한 조성물의 DSC(Differential Scanning Calorymeter) 그래프,
도 8은 실시예 2에 의한 조성물의 DSC(Differential Scanning Calorymeter) 그래프,
도 9는 실시예 3에 의한 조성물의 DSC(Differential Scanning Calorymeter) 그래프,
도 10은 실시예 4에 의한 조성물의 TGA(Thermogravimetric Analysis) 그래프,
도 11은 실시예 5에 의한 조성물의 TGA(Thermogravimetric Analysis) 그래 프,
도 12는 실시예 6에 의한 조성물의 TGA(Thermogravimetric Analysis) 그래프, 및
도 13은 실시예 8 및 실시예 9에 의한 프리스탠딩 필름의 TMA(Thermomechanical Analysis) 그래프이다.

Claims (12)

  1. 주쇄의 양말단에 아세틸렌기가 도입된 하기 화학식 1의 구조를 갖는 서모셋 모노머 가교제.
    [화학식 1]
    Figure 112008042512770-pat00023
    상기 식에서, Ar1 및 Ar2는 2가의 방향족 유기기로서 하기 화학식 2로 표시되는 군에서 선택되는 하나 이상의 구조 단위를 포함한다.
    [화학식 2]
    Figure 112008042512770-pat00024
  2. 제 1항에 있어서, 상기 서모셋 모노머 가교제는 하기 화학식 3 내지 5 중 어느 하나에 의해서 표시되는 것을 특징으로 하는 서모셋 모노머 가교제.
    [화학식 3]
    Figure 112008042512770-pat00025
    [화학식 4]
    Figure 112008042512770-pat00026
    [화학식 5]
    Figure 112008042512770-pat00027
  3. 주쇄의 양말단에 아세틸렌기가 도입된 하기 화학식 1의 구조를 갖는 서모셋 모노머 가교제: 및
    가용성 액정 고분자 또는 가용성 액정 서모셋 올리고머를 포함하는 인쇄회로기판 형성용 조성물.
    [화학식 1]
    Figure 112008042512770-pat00028
    상기 식에서, Ar1 및 Ar2는 2가의 방향족 유기기로서 하기 화학식 2로 표시되는 군에서 선택되는 하나 이상의 구조 단위를 포함한다.
    [화학식 2]
    Figure 112008042512770-pat00029
  4. 제 3항에 있어서, 상기 서모셋 모노머 가교제 대 가용성 액정 고분자 또는 가용성 액정 서모셋 올리고머의 중량비는 5:95 내지 70:30인 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판 형성용 조성물.
  5. 제 3항에 있어서, 상기 서모셋 모노머 가교제는 하기 화학식 3 내지 5 중 어느 하나에 의해서 표시되는 것임을 특징으로 하는 인쇄회로기판 형성용 조성물.
    [화학식 3]
    Figure 112008042512770-pat00030
    [화학식 4]
    Figure 112008042512770-pat00031
    [화학식 5]
    Figure 112008042512770-pat00032
  6. 제 3항에 있어서, 상기 가용성 액정 고분자는 하기 식 (1), (2), (3) 및 (4)로 표시되는 구조 단위를 적어도 1종 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판 형성용 조성물.
    (1) -O-Ar1-CO-
    (2) -CO-Ar2-CO-
    (3) -X-Ar3-Y-
    (4) -NH-Ar4-CO-
    상기 식에서, Ar1은 1,4-페닐렌(phenylene), 2,6-나프틸렌(naphthylene) 또는 4,4-바이페닐렌(biphenylene)이고, Ar2는 1,4-페닐렌(phenylene), 1,3-페닐렌(phenylene) 또는 2,6-나프틸렌(naphthylene)이며, Ar3 및 Ar4는 1,4-페닐 렌(phenylene), 1,3-페닐렌(phenylene), 2,6-나프틸렌(naphthylene) 또는 4,4-바이페닐렌(biphenylene)이고, X는 NH, Y는 O 또는 NH이다.
  7. 제 3항에 있어서, 상기 가용성 액정 서모셋 올리고머는 하기 화학식 6으로 표시되는 군에서 선택되는 하나 이상의 구조 단위를 포함하는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판 형성용 조성물.
    [화학식 6]
    Figure 112008042512770-pat00033
    여기서 상기 Ar은 하기 화학식 7로 구성되는 군에서 선택된다.
    [화학식 7]
    Figure 112008042512770-pat00034
  8. 제 3항에 있어서, 상기 가용성 액정 서모셋 올리고머는 말단에 서로 동일하거나 상이한 가교반응기가 도입되고, 이러한 가교반응기는 아세틸렌기, 말레이미드기, 나디미드기, 시아네이트기, 치환된 아세틸렌기, 치환된 말레이미드기, 치환된 나디미드기 또는 치환된 시아네이트기인 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판 형성용 조성물.
  9. 제 3항에 있어서, 상기 조성물이 비프로톤성 용매를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판 형성용 조성물.
  10. 제 9항에 있어서, 상기 인쇄회로기판 형성용 조성물은 비프로톤성 용매 100중량부에 대하여 상기 서모셋 모노머 가교제와 상기 가용성 액정 고분자 또는 가용성 액정 서모셋 올리고머의 함량이 10 중량부 내지 70 중량부인 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판 형성용 조성물.
  11. 제 3항 내지 제 8항 중 어느 하나의 항에 의한 인쇄회로기판 형성용 조성물을 포함하는 기판.
  12. 제 11항에 있어서, 상기 기판이 인쇄 보드, 구리 호일, 구리 피복 적층물, 또는 프리프레그(prepreg)인 것을 특징으로 하는 기판.
KR1020080056003A 2008-06-13 2008-06-13 서모셋 모노머 가교제, 이를 포함하는 인쇄회로기판 형성용조성물 및 이를 이용한 인쇄회로기판 KR101552716B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080056003A KR101552716B1 (ko) 2008-06-13 2008-06-13 서모셋 모노머 가교제, 이를 포함하는 인쇄회로기판 형성용조성물 및 이를 이용한 인쇄회로기판
US12/332,931 US8440313B2 (en) 2008-06-13 2008-12-11 Crosslinkable thermoset monomer, composition for producing printed circuit board comprising the thermoset monomer and printed circuit board using the composition

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080056003A KR101552716B1 (ko) 2008-06-13 2008-06-13 서모셋 모노머 가교제, 이를 포함하는 인쇄회로기판 형성용조성물 및 이를 이용한 인쇄회로기판

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090129874A KR20090129874A (ko) 2009-12-17
KR101552716B1 true KR101552716B1 (ko) 2015-09-11

Family

ID=41413727

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080056003A KR101552716B1 (ko) 2008-06-13 2008-06-13 서모셋 모노머 가교제, 이를 포함하는 인쇄회로기판 형성용조성물 및 이를 이용한 인쇄회로기판

Country Status (2)

Country Link
US (1) US8440313B2 (ko)
KR (1) KR101552716B1 (ko)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8765012B2 (en) * 2008-11-18 2014-07-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Thermosetting composition and printed circuit board using the same
KR101077303B1 (ko) * 2009-05-06 2011-10-26 삼성전기주식회사 기판 형성용 조성물, 및 이를 이용한 프리프레그 및 기판
KR101148384B1 (ko) * 2009-11-26 2012-05-21 삼성전기주식회사 기판 형성용 조성물, 및 이를 이용한 프리프레그 및 기판
WO2013032981A1 (en) * 2011-08-29 2013-03-07 Ticona Llc High flow liquid crystalline polymer composition
US9045685B2 (en) * 2011-08-29 2015-06-02 Ticona Llc Cast molded parts formed from a liquid crystalline polymer
TW201319223A (zh) 2011-08-29 2013-05-16 Ticona Llc 高流量液晶聚合物組合物
US8822628B2 (en) 2012-09-24 2014-09-02 Ticona Llc Crosslinkable liquid crystalline polymer
WO2014047015A1 (en) 2012-09-24 2014-03-27 Ticona Llc Crosslinkable aromatic polyester
US8853342B2 (en) 2012-09-24 2014-10-07 Ticona Llc Crosslinkable liquid crystalline polymer
WO2014130275A2 (en) * 2013-02-22 2014-08-28 Ticona Llc High performance polymer composition with improved flow properties
WO2014171822A1 (en) * 2013-04-16 2014-10-23 Technische Universiteit Delft Molecular composites based on high-performance polymers and an interpenetrating liquid crystal thermoset
US11044802B2 (en) * 2017-02-16 2021-06-22 Azotek Co., Ltd. Circuit board
CN110876230B (zh) * 2018-09-03 2020-09-15 昆山雅森电子材料科技有限公司 复合式叠构lcp基板及制备方法
CN109518459B (zh) * 2018-11-28 2020-01-21 四川大学 一种高性能有机纤维的改性方法及改性高性能有机纤维
CN115322135A (zh) * 2019-08-28 2022-11-11 东华大学 一种芳香族热固性液晶纤维及其制备方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020132933A1 (en) 2000-09-13 2002-09-19 Dingemans Theodorous J. Liquid crystalline thermosets from ester, ester-imide, and ester-amide oligomers

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6461087A (en) * 1987-09-01 1989-03-08 Sumitomo Chemical Co Resin composition for printed wiring board
JP5269288B2 (ja) 2005-10-28 2013-08-21 住友化学株式会社 液晶ポリエステル樹脂組成物及び該樹脂組成物から得られるフィルム

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020132933A1 (en) 2000-09-13 2002-09-19 Dingemans Theodorous J. Liquid crystalline thermosets from ester, ester-imide, and ester-amide oligomers

Also Published As

Publication number Publication date
US20090308643A1 (en) 2009-12-17
US8440313B2 (en) 2013-05-14
KR20090129874A (ko) 2009-12-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101552716B1 (ko) 서모셋 모노머 가교제, 이를 포함하는 인쇄회로기판 형성용조성물 및 이를 이용한 인쇄회로기판
KR101492597B1 (ko) 액정 서모셋 모노머 또는 올리고머, 이를 포함하는 열경화성 액정 고분자 조성물 및 이를 이용한 인쇄회로기판
US7887887B2 (en) Liquid crystal polyester resin composition and printed circuit board using the same
US8765012B2 (en) Thermosetting composition and printed circuit board using the same
JP5055951B2 (ja) 樹脂含浸基材およびその製造方法
JP5068286B2 (ja) 基板形成用組成物とこれを用いたプリプレグおよび基板
KR101148384B1 (ko) 기판 형성용 조성물, 및 이를 이용한 프리프레그 및 기판
JP5814503B2 (ja) 熱硬化性組成物およびそれを用いたプリント配線板
KR101505199B1 (ko) 열경화성 올리고머 또는 폴리머, 이를 포함한 열경화성 수지 조성물, 및 이를 이용한 인쇄회로기판
KR101670087B1 (ko) 열경화성 수지, 이를 포함한 수지 조성물, 및 이를 이용하여 제조된 인쇄회로기판
US7211528B2 (en) Resin-impregnated substrate
JP5945320B2 (ja) 全芳香族ポリエステルアミド共重合体樹脂、該全芳香族ポリエステルアミド共重合体樹脂を含む高分子フィルム、該高分子フィルムを含む軟性金属箔積層板、及び該軟性金属箔積層板を具備する軟性印刷回路基板
US20130101824A1 (en) Method for producing laminate, and laminate
JP5231174B2 (ja) 基板形成用組成物、プリプレグ、基板および熱硬化性芳香族オリゴマー
KR101485185B1 (ko) 인쇄회로기판 형성용 조성물 및 그를 이용하는 인쇄회로기판
KR101539770B1 (ko) 기판 형성용 조성물 및 그를 이용하는 인쇄회로기판
JP5721570B2 (ja) 熱硬化性樹脂製造用の組成物及びその硬化物、該硬化物を含むプリプレグ及びプリプレグ積層体、並びに該プリプレグまたはプリプレグ積層体を採用した金属箔積層板及びプリント配線板
JP2014508206A (ja) 全芳香族ポリエステルアミド共重合体樹脂、該樹脂を含むフィルム、該フィルムを含む軟性金属張積層板、及び該軟性金属張積層板を具備する軟性印刷回路基板
KR101595121B1 (ko) 방향족 폴리에스테르 아미드 공중합체, 상기 방향족 폴리에스테르 아미드 공중합체를 채용한 프리프레그와 프리프레그 적층체, 및 상기 프리프레그 또는 프리프레그 적층체를 채용한 금속박 적층판과 프린트 배선판
KR101767682B1 (ko) 전방향족 폴리에스테르 아미드 공중합체 수지, 및 이를 포함하는 고분자 필름, 연성 금속박 적층판 및 인쇄 회로기판

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180702

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190701

Year of fee payment: 5