KR101552667B1 - A baffle assembly and an apparatus for treating a substrate with the baffle - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 더 상세하게는 플라스마 또는 가스를 이용하여 기판을 처리하는 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to an apparatus for processing a substrate using plasma or gas.
반도체 소자의 제조를 위해서는 웨이퍼와 같은 반도체 기판 상에 증착, 사진, 식각, 애싱, 세정, 연마 등 다양한 공정이 요구된다. 이들 중 증착, 식각, 그리고 애싱 공정과 같이 많은 공정은 챔버 내에서 플라스마 또는 가스를 이용하여 웨이퍼와 같은 반도체 기판을 처리한다.Various processes such as deposition, photo, etching, ashing, cleaning, and polishing are required on a semiconductor substrate such as a wafer in order to manufacture semiconductor devices. Many of these processes, such as deposition, etching, and ashing processes, process a semiconductor substrate, such as a wafer, using a plasma or gas within the chamber.
도 1은 일반적인 플라스마를 이용한 기판 처리 장치를 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus using a general plasma.
도 1을 참조하면, 일반적인 기판 처리 장치는 가스 공급 유닛(11)을 통해 탑 리드(Top lid)(12) 내부로 주입된 가스가 플라스마 소스(13)에 의해 플라스마로 변환된다. 플라스마 소스에 의해 생성된 플라스마는 탑 리드(12) 내의 배플(14)을 통해 기판(15) 상부로 공급된다.Referring to FIG. 1, a general substrate processing apparatus is configured such that a gas injected into a
기판 처리 장치에서 플라스마의 균일도를 향상시키기 위해 배플(14)에는 복수 개의 홀들이 형성된다. 그러나 기판 처리 장치의 챔버(16) 내의 구조와 플라스마의 흐름 등에 의해 기판(15)에 대한 플라스마 처리 공정률의 균일도가 떨어지는 문제점이 야기된다.In the substrate processing apparatus, a plurality of holes are formed in the
배플(14)은 분사홀의 위치와 개수 등의 변화에 따라 공정의 균일도를 제어할 수 있다. 그러나 하나의 장비에서 최적의 조건을 찾기 위해서는 일반적으로 분사홀의 위치와 개수 등이 상이한 다수의 배플을 교체하여 사용하여야 하므로 그만큼의 시간과 비용이 추가된다.The
또한, 동일한 장비, 또는 동일한 플라스마 발생장치에서 다양한 공정 가스 사용시 플라스마 프로파일(Plasma profile)이 변화하게 된다. 이 경우, 일반적인 배플을 사용하는 경우, 공정 균일도에 영향을 준다.In addition, the plasma profile changes when various process gases are used in the same equipment or in the same plasma generator. In this case, the use of a general baffle affects process uniformity.
본 발명은 하나의 배플 어셈블리를 이용하여 하나의 장비에서 최적의 플라스마 또는 가스의 분사 균일도를 조절할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하고자 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is directed to a substrate processing apparatus capable of adjusting an optimal plasma or gas spray uniformity in a single apparatus using one baffle assembly.
또한 본 발명은 한개의 형태의 배플 어셈블리를 이용하여 다양한 기판 처리 장치에서 최적의 플라스마 또는 가스의 분사 균일도를 제어할 수 있는 배플 어셈블리를 제공하고자 한다.The present invention also provides a baffle assembly capable of controlling the optimal plasma or gas spray uniformity in various substrate processing apparatuses using one type of baffle assembly.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved by the present invention are not limited thereto, and other matters not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.
본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 일 실시예에 의하면, 기판 처리 장치는 공정 챔버와 상기 공정 챔버 내에서 기판을 지지하도록 제공된 기판 지지 유닛과 상기 공정 챔버내의 상기 기판 지지 유닛의 상부에 위치되고, 서로 상하로 적층된 제 1 분사판과 제 2 분사판 및 상기 제 2 분사판을 그 중심을 축으로 회전시키는 구동유닛을 가지는 배플 어셈블리와 상기 제 1 분사판 및 상기 제 2 분사판의 상부로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛을 구비하되, 상기 배플 어셈블리는, 상기 제 2 분사판의 회전 각도에 따라 상기 기판의 중앙영역 또는 가장자리 영역 중 어느 하나의 영역으로 공급되는 가스의 양을 조절할 수 있도록 제공된다.The present invention provides a substrate processing apparatus. According to one embodiment, a substrate processing apparatus includes a process chamber, a substrate support unit provided to support the substrate within the process chamber, and a first ejection plate positioned above the substrate support unit in the process chamber, A baffle assembly having a second injection plate and a drive unit for rotating the second injection plate about its center axis, and a gas supply unit for supplying gas to the upper part of the first injection plate and the second injection plate, The baffle assembly is provided to adjust the amount of gas supplied to any one of the central region and the edge region of the substrate according to the rotation angle of the second ejection plate.
상기 제 1 분사판의 중앙 영역에는 상하 방향으로 관통하는 제 1 고정홀들이 형성되고, 상기 제 1 분사판의 가장자리 영역에는 상하 방향으로 관통하는 제 2 고정홀들이 형성되며, 상기 제 2 분사판에는, 상기 제 2 분사판의 중앙 영역에 배치되고, 상하 방향으로 관통하며, 그 직경이 상기 제 1 분사판의 중앙 영역에 대응되도록 제공되는 제 1 개구 및 상기 제 2 분사판의 가장 자리 영역에 배치되고, 상하 방향으로 관통된 복수개의 가변홀들이 형성되되, 상기 제 2 분사판의 중앙 영역은 상기 제 1 분사판의 중앙 영역에 대향되고, 상기 제 2 분사판의 가장자리 영역은 상기 제 1 분사판의 가장자리 영역에 대향되며, 상기 제 2 분사판이 제 1 위치에 위치하는 경우와 상기 제 1 위치와 상이한 제 2 위치에 위치하는 경우에 상기 제 2 고정홀의 전체 개방율이 상이하도록 제공된다.The first injection plate has first fixing holes passing through the central region in the up and down direction, second fixing holes passing through the edge area of the first injection plate in the up and down direction, A first opening disposed in a central region of the second ejection plate and penetrating in a vertical direction and having a diameter corresponding to a central region of the first ejection plate and a first opening disposed in an edge region of the second ejection plate Wherein a central area of the second ejection plate is opposed to a central area of the first ejection plate and an edge area of the second ejection plate is opposed to a center area of the first ejection plate, Wherein when the second ejection plate is positioned at the first position and at a second position different from the first position, the total opening ratio of the second fixing hole is different from the first opening position It is provided to.
또는, 상기 제 2 분사판은, 내측 직경이 상기 제 1 분사판의 중앙영역의 직경과 대응되고, 외측 직경은 상기 제 1 분사판의 직경과 대응되는 링형상으로 제공되고, 상하 방향으로 관통된 복수개의 가변홀들이 형성되되, 상기 제 2 분사판이 제 1 위치에 위치하는 경우와 상기 제 1 위치와 상이한 제 2 위치에 위치하는 경우에 상기 제 2 고정홀의 전체 개방율이 상이하도록 제공될 수 있다.Alternatively, the second ejection plate has an inner diameter corresponding to the diameter of the central region of the first ejection plate, an outer diameter of the second ejection plate provided in a ring shape corresponding to the diameter of the first ejection plate, A plurality of variable holes may be formed so that the total opening ratio of the second fixing hole is different when the second ejection plate is located at the first position and at the second position different from the first position .
또는, 상기 제 2 분사판에는, 상기 제 1 분사판의 가장자리 영역에 대향되도록 상기 제 2 분사판의 가장자리 영역에 배치되고, 상하 방향으로 관통하며, 호 형상을 가지는 복수개의 제 2 개구 및 상기 제 2 분사판의 중앙 영역에 상하 방향으로 관통된 복수개의 가변홀들이 형성되되, 상기 제 2 분사판의 중앙 영역은, 상기 제 1 분사판의 중앙 영역에 대향되고, 상기 제 2 분사판의 가장자리 영역은, 상기 제 1 분사판의 가장자리 영역에 대향되며, 상기 제 2 분사판이 제 3 위치에 위치하는 경우 와 상기 제 3 위치와 상이한 제 4 위치에 위치하는 경우의 제 1 고정홀의 전체 개방율이 상이하도록 제공될 수 있다.Alternatively, the second ejection plate may have a plurality of second openings arranged in the edge region of the second ejection plate so as to face the edge region of the first ejection plate, penetrating in the up and down direction, Wherein a center area of the second ejection plate is opposed to a central area of the first ejection plate and a center area of the edge area of the second ejection plate is opposed to a center area of the second ejection plate, Is opposite to the edge area of the first ejection plate and the total opening ratio of the first fixing hole when the second ejection plate is located at the third position and at the fourth position different from the third position is different .
또한, 상기 가변홀들은 그 길이 방향이 상기 제 2 분사판의 반경 방향인 슬릿 형상으로 제공될 수 있다.In addition, the variable holes may be provided in a slit shape whose longitudinal direction is the radial direction of the second ejection plate.
본 발명은 배플 어셈블리를 제공한다. 일 실시예에 의하면, 배플 어셈블리는 서로 상하로 적층된 제 1 분사판 및 제 2 분사판과 상기 제 2 분사판을 그 중심을 축으로 회전시키는 구동 유닛을 가지되, 상기 제 2 분사판의 회전 각도에 따라 기판의 중앙영역 또는 가장자리 영역 중 어느 하나의 영역으로 공급되는 가스의 양을 조절할 수 있도록 제공된다.The present invention provides a baffle assembly. According to one embodiment, the baffle assembly has a first injection plate and a second injection plate stacked on top of each other and a drive unit that rotates the center of the second injection plate about its axis, and the rotation of the second injection plate And is capable of adjusting the amount of gas supplied to either the central region or the edge region of the substrate depending on the angle.
상기 제 1 분사판의 중앙 영역에는 상하 방향으로 관통하는 제 1 고정홀들이 형성되고, 상기 제 1 분사판의 가장자리 영역에는 상하 방향으로 관통하는 제 2 고정홀들이 형성되며, 상기 제 2 분사판에는, 상기 제 2 분사판의 중앙 영역에 배치되고, 상하 방향으로 관통하며, 그 직경이 상기 제 1 분사판의 중앙 영역에 대응되도록 제공되는 제 1 개구 및 상기 제 2 분사판의 가장 자리 영역에 배치되고, 상하 방향으로 관통된 복수개의 가변홀들이 형성되되,상기 제 2 분사판의 중앙 영역은 상기 제 1 분사판의 중앙 영역에 대향되고, 상기 제 2 분사판의 가장자리 영역은 상기 제 1 분사판의 가장자리 영역에 대향되며, 상기 제 2 분사판이 제 1 위치에 위치하는 경우와 상기 제 1 위치와 상이한 제 2 위치에 위치하는 경우에 상기 제 2 고정홀의 전체 개방율이 상이하도록 제공된다. The first injection plate has first fixing holes passing through the central region in the up and down direction, second fixing holes passing through the edge area of the first injection plate in the up and down direction, A first opening disposed in a central region of the second ejection plate and penetrating in a vertical direction and having a diameter corresponding to a central region of the first ejection plate and a first opening disposed in an edge region of the second ejection plate Wherein a central area of the second ejection plate is opposed to a central area of the first ejection plate and an edge area of the second ejection plate is opposed to a center area of the first ejection plate, Wherein the second fixing hole is opposed to an edge area of the second fixing plate and is located at a second position different from the first position when the second ejection plate is located at the first position, .
또는, 상기 제 2 분사판은, 내측 직경이 상기 제 1 분사판의 중앙영역의 직경과 대응되고, 외측 직경은 상기 제 1 분사판의 직경과 대응되는 링형상으로 제공되고, 상하 방향으로 관통된 복수개의 가변홀들이 형성되되, 상기 제 2 분사판이 제 1 위치에 위치하는 경우와 상기 제 1 위치와 상이한 제 2 위치에 위치하는 경우에 상기 제 2 고정홀의 전체 개방율이 상이하도록 제공된다.Alternatively, the second ejection plate has an inner diameter corresponding to the diameter of the central region of the first ejection plate, an outer diameter of the second ejection plate provided in a ring shape corresponding to the diameter of the first ejection plate, A plurality of variable holes are formed so that the total opening ratio of the second fixing hole is different when the second ejection plate is located at the first position and at the second position different from the first position.
또는, 상기 제 2 분사판에는, 상기 제 1 분사판의 가장자리 영역에 대향되도록 상기 제 2 분사판의 가장자리 영역에 배치되고, 상하 방향으로 관통하며, 호 형상을 가지는 복수개의 제 2 개구 및 상기 제 2 분사판의 중앙 영역에 상하 방향으로 관통된 복수개의 가변홀들이 형성되되, 상기 제 2 분사판의 중앙 영역은, 상기 제 1 분사판의 중앙 영역에 대향되고, 상기 제 2 분사판의 가장자리 영역은, 상기 제 1 분사판의 가장자리 영역에 대향되며, 상기 제 2 분사판이 제 3 위치에 위치하는 경우와 상기 제 3 위치와 상이한 제 4 위치에 위치하는 경우의 제 1 고정홀의 전체 개방율이 상이하도록 제공된다.Alternatively, the second ejection plate may have a plurality of second openings arranged in the edge region of the second ejection plate so as to face the edge region of the first ejection plate, penetrating in the up and down direction, Wherein a center area of the second ejection plate is opposed to a central area of the first ejection plate and a center area of the edge area of the second ejection plate is opposed to a center area of the second ejection plate, Is opposite to the edge area of the first ejection plate and the total opening ratio of the first fixing hole when the second ejection plate is located at the third position and at the fourth position different from the third position is different Lt; / RTI >
또한, 상기 가변홀들은 슬릿 형상으로 제공될 수 있다.Further, the variable holes may be provided in a slit shape.
본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치 및 배플 어셈블리는 기판 처리 공정시 가스 분사판의 영역별 가스 또는 플라스마 분사량을 조절할 수 있다.The substrate processing apparatus and the baffle assembly according to the embodiment of the present invention can control the amount of gas or plasma injection by the region of the gas injection plate during the substrate processing process.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치 및 배플 어셈블리는 기판 처리 공정시 가스 분사판 전체 영역의 가스 또는 플라스마 분사량을 조절할 수 있다.Further, the substrate processing apparatus and the baffle assembly according to the embodiment of the present invention can control the gas or plasma injection amount in the entire area of the gas injection plate during the substrate processing process.
도 1은 일반적인 기판 처리 장치를 보여주는 단면도 이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 단면도이다.
도 3은 도 2의 구동 유닛 및 제 2 분사판 일부를 나타낸 사시도이다.
도 4는 도 2의 제 1 분사판을 나타내는 평면도이다.
도 5는 도 2의 제 2 분사판을 나타내는 평면도이다.
도 6 및 도 7은 도 5의 제 2 분사판의 회전에 따른 제 2 고정홀이 개폐되는 모습을 나타내는 평면도이다.
도 8은 도 2의 제 2 분사판의 다른 실시예를 나타내는 평면도이다.
도 9는 제 1 분사판 및 제 2 분사판의 다른 실시예를 나타내는 단면도이다.
도 10 및 도 11은 도 8의 제 2 분사판의 회전에 따른 제 1 고정홀이 개폐되는 모습을 나타내는 평면도이다.
도 12는 도 2의 제 2 분사판의 또다른 실시예를 나타내는 평면도이다.
도 13 및 도 14는 도 12의 제 2 분사판의 회전에 따른 제 2 고정홀이 개폐되는 모습을 나타내는 평면도이다.
도 15는 내지 도 17은 도 2의 배플 어셈블리의 다른 실시예들을 나타내는 도면들이다.
도 18은 제 2 분사판이 제 1 분사판의 하단에 결합된 기판 처리 장치를 나타낸 단면도이다.1 is a sectional view showing a general substrate processing apparatus.
2 is a cross-sectional view illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a perspective view showing the drive unit and a part of the second ejection plate of FIG. 2;
Fig. 4 is a plan view showing the first ejection plate of Fig. 2; Fig.
Fig. 5 is a plan view showing the second ejection plate of Fig. 2. Fig.
6 and 7 are plan views showing a state in which the second fixing hole according to the rotation of the second ejection plate of FIG. 5 is opened and closed.
FIG. 8 is a plan view showing another embodiment of the second ejection plate of FIG. 2. FIG.
9 is a cross-sectional view showing another embodiment of the first ejection plate and the second ejection plate.
10 and 11 are plan views showing a state in which the first fixing hole according to the rotation of the second ejection plate of FIG. 8 is opened and closed.
FIG. 12 is a plan view showing still another embodiment of the second ejection plate of FIG. 2; FIG.
13 and 14 are plan views showing a state in which the second fixing hole according to the rotation of the second ejection plate of FIG. 12 is opened and closed.
Figures 15 through 17 are views showing other embodiments of the baffle assembly of Figure 2;
18 is a sectional view showing the substrate processing apparatus in which the second ejection plate is coupled to the lower end of the first ejection plate.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.
본 발명의 실시 예에서 기판(10)은 반도체 웨이퍼일 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않고, 기판(10)은 유리 기판 등과 같이 다른 종류의 기판일 수 있다.In an embodiment of the present invention, the
또한, 본 발명의 실시 예에서 기판 처리 장치는 플라스마 또는 가스를 이용하여 애싱, 증착 또는 식각 등의 공정을 수행하는 장치일 수 있다.In addition, in the embodiment of the present invention, the substrate processing apparatus may be an apparatus that performs a process such as ashing, deposition, or etching using plasma or gas.
이하에서는 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 장치(1)에 관하여 설명한다.Hereinafter, a
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(1)를 나타낸 단면도이다. 도 2를 참고하면, 기판 처리 장치(1)는 공정 챔버(100), 기판 지지 유닛(200), 가스 공급 유닛(300), 플라스마 소스(400) 및 배플 어셈블리(500)를 가진다.2 is a cross-sectional view showing a
공정 챔버(100)는 처리실(120)과 플라스마 발생실(140)을 가진다. 처리실(120)은 플라스마에 의해 기판(10)이 처리되는 공간을 제공한다. 플라스마 발생실(140)은 공정 가스로부터 플라스마가 발생되는 공간을 제공한다.The
처리실(120)은 내부에 상부가 개방된 공간을 가진다. 처리실(120)은 대체로 원통 형상으로 제공될 수 있다. 처리실(120)의 측벽에는 기판 유입구(미도시)가 형성된다. 기판(10)은 기판 유입구를 통하여 처리실(120) 내부로 출입힌다. 기판 유입구(미도시)는 도어(미도시)와 같은 개폐 부재에 의해 개폐될 수 있다. 처리실(120)의 바닥면에는 배기 홀(122)이 형성된다. 배기 홀(122)에는 배기 라인(124)이 연결된다. 배기 라인(124)에는 펌프(126)가 설치된다. 펌프(126)는 처리실(120) 내 압력을 공정 압력으로 조절한다. 처리실(120) 내 잔류 가스 및 반응 부산물은 배기 라인(124)을 통해 처리실(120) 외부로 배출된다. The
플라스마 발생실(140)은 처리실(120)의 외부에 위치한다. 일 예에 의하면, 플라스마 발생실(140)은 처리실(120)의 상부에 위치되며 처리실(120)에 결합된다. 플라스마 발생실(140)은 방전실(142)과 확산실(144)을 가진다. 방전실(142)과 확산실(144)은 상하 방향으로 순차적으로 제공된다. 방전실(142)은 중공의 원통 형상을 가진다. 상부에서 바라볼 때 방전실(142) 내 공간은 처리실(120) 내 공간 보다 좁게 제공된다. 방전실(142) 내에서 가스로부터 플라스마가 발생된다. 확산실(144) 내 공간은 아래로 갈수록 점진적으로 넓어지는 부분을 가진다. 확산실(144)의 하단은 처리실(120)의 상단과 결합되며, 이들 사이에는 외부와의 밀폐를 위해 실링 부재(미도시)가 제공된다.The
공정 챔버(100)는 도전성 재질로 제공된다. 공정 챔버(100)는 접지라인(123)을 통해 접지될 수 있다.The
기판 지지 유닛(200)은 기판(10)을 지지한다. 기판 지지 유닛(200)은 지지판(220)과 지지축(240)을 가진다. The
지지판(220)은 처리실(120)내에 위치되며 원판 형상으로 제공된다. 지지판(220)은 지지축(240)에 의해 지지된다. 기판(10)은 지지판(220)의 상면에 놓인다. 지지판(220)의 내부에는 전극(미도시)이 제공되고, 기판(10)은 정전기력 또는 기구적 클램프에 의해 지지판(220)에 지지될 수 있다.The
가스 공급 유닛(300)은 방전실(142)의 상부에 제공될 수 있다. 가스 공급 유닛(300)은 하나 또는 복수개가 제공될 수 있다. 가스 공급 유닛(300)은 가스 공급라인(320), 가스 저장부(340) 그리고 가스 포트(360)를 가진다. The
가스 공급라인(320)은 가스 포트(360)에 연결된다. 가스 포트(360)는 방전실(142)의 상부에 결합된다. 가스 포트(360)를 통해 공급된 가스는 방전실(142)로 유입되고, 방전실(142)에서 플라스마로 여기된다. The
플라스마 소스(400)는 방전실(142)에서 가스 공급 유닛(300)에 의해 공급된 가스로부터 플라스마를 발생시킨다. 일 예에 의하면, 플라스마 소스(400)는 유도 결합형 플라스마 소스일 수 있다. 플라스마 소스(400)는 안테나(420)와 전원(440)을 가진다.The
안테나(420)는 방전실(142)의 외부에 제공되며 방전실(142)의 측면을 복수 회 감싸도록 제공된다. 안테나(420)의 일단은 전원(440)에 연결되고, 타단은 접지된다. The
전원(440)은 안테나(420)에 전력을 인가한다. 일 예에 의하면, 전원(440)은 안테나(420)에 고주파 전력을 인가할 수 있다. The
배플 어셈블리(500)는 제 1 분사판(520), 제 2 분사판(540) 및 구동 유닛(560)을 가진다. 배플 어셈블리(500)는 처리실(120)의 상단에 제공될 수 있다. 제 1 분사판(520)은 그 저면이 기판 지지 유닛(200)에 제공된 기판(10)에 대향되도록 배치된다. 가스 공급 유닛(300)으로부터 공급된 가스 또는 플라스마 소스(400)에 의해 발생된 플라스마는 배플 어셈블리(500)에 의해 기판 지지 유닛(200)의 상부로 분사된다. 배플 어셈블리(500)는 기판의 영역별 가스 또는 플라스마 공급량을 조절할 수 있다. 예컨대, 배플 어셈블리(500)는 기판의 중앙 영역과 가장자리 영역으로 공급되는 플라스마의 상대적 공급량을 조절할 수 있다. 배플 어셈블리(500)는 접지될 수 있다. 배플 어셈블리(500)는 공정 챔버(100)에 접촉되도록 제공되어, 공정 챔버(100)를 통해 접지될 수 있다. 제 2 분사판(540) 및 제 1 분사판(520)은 상하 방향으로 적층되게 제공된다. 예컨대, 제 2 분사판(540)은 제 1 분사판(520)의 상부에 제공될 수 있다.The
구동 유닛(560)은 제 2 분사판(540)을 그 중심을 축으로 회전시키도록 제공된다. 구동 유닛(560)은 확산실(144) 상면의 가장자리 영역에 확산실(144)의 상면을 관통하도록 제공될 수 있다. 구동 유닛(560)은 구동 기어(562), 연결 부재(564) 및 모터(566)를 가진다.The
구동 기어(562)는 연결부재(564)에 의해 전달된 구동력을 제 2 분사판(540)에 전달한다. 도 3은 도 2의 구동 기어(562)를 설명하기 위한 구동 기어(562) 및 제 2 분사판(540)의 일부를 나타낸 사시도이다. 도 3을 참고하면, 구동 기어(562)는 제 2 분사판(540)의 측면에 제공된 기어에 맞물리도록 제공된다. 구동 기어(562)는 그 측면에 기어가 형성된 원판 형태로 제공된다. 구동기어(562)의 상면의 중심에는 연결부재(564)가 연결된다.The
연결부재(564)는 모터(566)에 의해 발생된 구동력을 구동 기어(562)로 전달한다. 다시 도 2를 참고하면, 연결 부재(564)는 확산실(144)의 상면을 관통하도록 제공된다. 연결 부재(564)의 상단에는 모터(566)가 연결된다.The connecting
모터(566)는 제 2 분사판(540)을 회전시키기 위한 구동력을 발생시킨다. 모터(566)는 확산실(144) 상면의 가장자리 부분에 제공될 수 있다. The
구동 유닛(560)은 상술한 형태와 상이한 형태로 제공될 수 있다.The
일 실시예에 따르면, 제 1 분사판(520)은 처리실(120)의 상단에 고정되도록 제공된다. 제 1 분사판(520)은 처리실(120) 상단의 내측 직경보다 큰 직경으로 제공된다.According to one embodiment, the
도 4는 제 1 분사판(520)을 상부에서 바라본 도면이다. 도 4를 참고하면, 제 1 분사판(520)은 원판 형상으로 제공된다. 제 1 분사판(520)에는 제 1 고정홀(522), 및 제 2 고정홀(524)이 형성된다. 제 1 고정홀(522) 및 제 2 고정홀(524)은 각각 제 1 분사판(520)을 상하 방향으로 관통하도록 형성된다. 제 1 고정홀(522) 및 제 2 고정홀(524)은, 상부에서 바라볼 때 대체로 원형의 형상을 가지고, 서로 동일한 크기로 형성될 수 있다. 제 1 고정홀(522) 및 제 2 고정홀(524)은, 각각 복수개로 제공된다.4 is a top view of the
제 1 고정홀(522)은 제 1 분사판(520)의 중앙 영역(s11)에 형성된다. 제 2 고정홀(524)은 제 1 분사판(520)의 가장자리 영역(s12)에 형성된다. 제 1 고정홀(522)들 중 일부와 제 2 고정홀(524)들 중 일부는, 제 1 분사판(520)의 반경 방향으로 일렬로 제공될 수 있다. The
제 1 고정홀(522)들 중 일부 및 제 2 고정홀(524)들 중 일부가 배열된 열(528)은 복수개가 제공된다. 각각의 열(528)들은 제 1 분사판(520)의 중심을 기준으로 서로 일정한 각도로 배열될 수 있다.A plurality of
도 5는 제 2 분사판(540)을 상부에서 바라본 도면이다. 도 5를 참고하면, 제 2 분사판(540)은 원판 형상으로 제공되고, 그 중앙 영역(S21)에는 상하 방향으로 관통되도록 제 1 개구(544)가 형성된다. 즉, 제 2 분사판(540)은 링 형상으로 제공된다. 제 2 분사판(540)의 측면에는 기어가 제공될 수 있다. 제 1 개구(544)는 제 1 분사판(520)의 중앙영역(S11)에 대응되는 직경을 가진다.5 is a top view of the
제 2 분사판(540)의 가장자리 영역(S22)에는 복수개의 가변홀(542)들이 형성된다. 가변홀(542)은 제 2 분사판(540)을 상하 방향으로 관통하도록 형성된다. 가변홀(542)은 상부에서 바라볼 때 슬릿 형상을 가진다. 가변홀(542)은 그 길이 방향이 제 2 분사판(540)의 반경방향으로 제공된다. 각각의 가변홀(542)들은 중앙 영역(S21)을 둘러싸도록 링 형상으로 배열될 수 있다.A plurality of
도 2, 도 4 및 도 5를 참고하면, 제 2 분사판(540)은 제 1 분사판(520)의 하면과 제 2 분사판(540)의 상면이 대향되고 인접되도록 제공된다. 제 2 분사판(540)은 그 중심을 축으로 회전될 수 있도록 제공된다. 제 1 개구(544)는 제 1 분사판(520)의 중앙영역(s11)에 대향된다. 따라서 제 1 고정홀(522)들은 제 2 분사판(540)의 회전에 영향을 받지 않고 항상 전체가 개방된다.2, 4, and 5, the
제 1 분사판(520)과 제 2 분사판(540) 중 어느 하나에는 그 가장자리 영역에 링 형상의 가이드(552)가 제공되며, 다른 하나에는 그 가장자리 영역에 가이드(552)와 맞물리도록 제 1 가이드 홀(554)이 제공된다. 가이드(552) 및 제 1 가이드 홀(554)은 제 1 분사판(520) 및 제 2 분사판(540)에 형성된 개구 및 분사홀들을 둘러싸도록 제공된다. 가이드(552) 및 제 1 가이드 홀(554)은 제 2 분사판(540)의 회전시 제 2 분사판이 정위치를 유지하도록 가이드 한다.One of the
이하 도 5의 제 2 분사판(540)의 회전에 따라 제 1 분사판(520)의 분사홀들이 개폐되는 모습을 설명한다.Hereinafter, the manner in which the ejection holes of the
도 6 및 도 7은 제 1 분사판(520) 및 도 5의 제 2 분사판(540)이 상하 방향으로 순차적으로 결합된 모습을 상부에서 바라본 도면들이다. 도 6 및 도 7을 참고하면, 제 2 분사판(540)의 중앙 영역(S21)은 제 1 분사판(520)의 중앙 영역(S11)에 대향되고, 제 2 분사판(540)의 가장자리 영역(S22)은 제 1 분사판(520)의 가장자리 영역(S12)에 대향된다.FIGS. 6 and 7 are views showing a state in which the
도 6은 제 2 분사판(540)이 제 1 위치에 위치하는 경우, 제 1 분사판(520)의 분사홀들이 개폐되는 모습을 나타낸 도면이다. 도 6을 참고하면, 제 2 분사판(540)이 제 1 위치에 위치하는 경우, 제 2 고정홀(524)들은 각홀들의 면적 전체가 가변홀(542)들에 대향되도록 위치된다. 따라서 제 2 고정홀(524)들은 그 면적 전체가 개방된다.6 is a view showing a state where the injection holes of the
도 7은 제 2 분사판(540)이 제 2 위치에 위치하는 경우, 제 1 분사판(520)의 분사홀들이 개폐되는 모습을 나타낸 도면이다. 도 7을 참고하면, 제 2 위치는 제 2 분사판(540)을 제 1 위치를 기준으로 소정의 각도를 회전시킨 위치일 수 있다. 제 2 분사판(540)이 제 2 위치에 위치하는 경우, 제 2 고정홀(524)들은 그 면적 중 일부가 가변홀(542)들에 대향되도록 위치된다. 따라서 제 2 고정홀(524)들은 그 면적의 일부가 개방된다. 7 is a view showing a state where the injection holes of the
제 2 분사판(540)이 제 1 및 제 2 위치와 상이한 위치에 위치하는 경우, 제 2 고정홀(524)들은 그 전체가 가변홀(542)들에 대향되지 않도록 제공될 수 있다. 이 경우 제 2 고정홀(524)들은 그 면적의 전체가 제 2 분사판(540)에 의해 폐쇄된다.When the
도 8은 도 2의 제 2 분사판(540)의 다른 실시예를 나타낸 도면이다. 도 8을 참고하면, 제 2 분사판(540)은 그 가장자리 영역(S22)에 상하 방향으로 관통되도록 복수개의 제 2 개구(544)가 형성된다. 제 2 개구(544)들은 호 형상으로 제공된다. 제 2 개구(544)들은 중앙 영역(S22)을 둘러싸도록 링 형상으로 배열된다. 제 2 개구(544)들은 제 1 분사판(520)의 상면과 제 2 분사판(540)의 하면이 대향되도록 제공되는 경우, 제 1 고정홀들(522) 전체가 개방될 수 있는 넓이를 가진다. FIG. 8 is a view showing another embodiment of the
제 2 분사판(540)에는 복수개의 가변홀(542)들이 형성된다. 가변홀(542)들은 제 2 분사판(540)을 상하 방향으로 관통하도록 형성된다. 가변홀(542)들은 상부에서 바라볼 때 슬릿 형상을 가진다. 가변홀(542)들은 그 길이 방향이 제 2 분사판(540)의 반경방향으로 제공된다. 각각의 가변홀(542)들은 제 2 분사판(540)의 중심을 둘러싸도록 링 형상으로 배열될 수 있다.A plurality of
도 9는 제 1 분사판(520)의 상면과 도 8의 제 2 분사판(540)의 하면이 대향되도록 제공된 경우의 단면도이다. 도 9를 참고하면, 상술한 링 형상의 가이드 외에, 제 1 분사판(520)과 도 8의 제 2 분사판(540) 중 어느 하나에는 그 중앙 영역에 돌출부(556)가 제공되며, 다른 하나에는 그 중앙 영역에 돌출부(556)과 맞물리도록 제 2 가이드 홀(558)이 제공될 수 있다. 돌출부(556) 및 제 2 가이드 홀(558)의 기능은 상술한 가이드 및 제 1 가이드 홀과 동일하다. 9 is a sectional view when the upper surface of the
이하 도 8의 제 2 분사판(540)의 회전에 따라 제 1 분사판(520)의 분사홀들이 개폐되는 모습을 설명한다.Hereinafter, the manner in which the ejection holes of the
도 10 및 도 11은 제 1 분사판(520) 및 도 8의 제 2 분사판(540)이 상하 방향으로 순차적으로 결합된 모습을 상부에서 바라본 도면들이다. 도 10 및 도 11을 참고하면, 제 2 분사판(540)의 중앙 영역(S21)은 제 1 분사판(520)의 중앙 영역(S11)에 대향되고, 제 2 분사판(540)의 가장자리 영역(S22)은 제 1 분사판(520)의 가장자리 영역(S12)에 대향된다. 이 경우, 제 2 개구(546)는 제 1 분사판(520)의 가장자리 영역(s12)에 대향된다. 따라서, 제 2 고정홀(522)들은 제 2 분사판(540)의 회전에 영향을 받지 않고 항상 전체가 개방된다.10 and 11 are views showing a state in which the
도 10은 제 2 분사판(540)이 제 1 위치에 위치하는 경우, 제 1 분사판(520)의 분사홀들이 개폐되는 모습을 나타낸 도면이다. 도 10을 참고하면, 제 2 분사판(540)이 제 1 위치에 위치하는 경우, 제 1 고정홀(524)들은 각홀들의 면적 전체가 가변홀(542)들에 대향되도록 위치된다. 따라서 제 1 고정홀(524)들은 그 면적 전체가 개방된다.10 is a view showing a state where the injection holes of the
도 11은 제 2 분사판(540)이 제 2 위치에 위치하는 경우, 제 1 분사판(520)의 분사홀들이 개폐되는 모습을 나타낸 도면이다. 도 11을 참고하면, 제 2 위치는 제 2 분사판(540)을 제 1 위치를 기준으로 소정의 각도를 회전시킨 위치일 수 있다. 제 2 분사판(540)이 제 2 위치에 위치하는 경우, 제 1 고정홀(524)들은 그 면적 중 일부가 가변홀(542)들에 대향되도록 위치된다. 따라서 제 2 고정홀(524)들은 그 면적의 일부가 개방된다. 11 is a view showing a state in which the ejection holes of the
제 2 분사판(540)이 제 1 및 제 2 위치와 상이한 위치에 위치하는 경우, 제 1 고정홀(524)들은 그 전체가 가변홀(542)들에 대향되지 않도록 제공될 수 있다. 이 경우 제 2 고정홀(524)들은 그 면적의 전체가 제 2 분사판(540)에 의해 폐쇄된다.When the
상술한 바와 같이, 배플 어셈블리(500)는 제 2 분사판(540)의 회전 각도에 따라 기판의 가장자리 영역으로 공급되는 가스 또는 플라스마의 양을 조절할 수 있도록 제공된다.As described above, the
도 12는 제 2 분사판(540)의 또 다른 실시예를 나타낸 도면이다. 도 12를 참고하면, 가변홀(542)들은 제 1 가변홀(542a)들 및 제 2 가변홀(542b)들을 포함한다. 가변홀(542)들은 대체로 원형 형상으로 제공된다. 제 1 가변홀(542a)들은 제 2 가변홀(542b)들에 비해 큰 직경으로 제공된다. 제 1 가변홀(542a)들 중 일부와 제 2 가변홀(542b)들 중 일부는 각각 제 2 분사판(540)의 반경 방향으로 일렬로 제공된다. 12 is a view showing another embodiment of the
도 13 및 도 14는 도 12의 제 2 분사판(540)이 회전에 따라 각각 상이한 위치인 제 1 또는 제 2 위치에 위치한 경우 1 분사판(520)의 분사홀들이 개폐되는 모습을 나타낸다. 13 and 14 show the state in which the ejection holes of the
도 13을 참고하면, 제 2 분사판(540)이 제 1 위치에 위치하는 경우, 제 1 가변홀(542a)들은 제 2 고정홀(544)들과 대향되도록 제공된다. 따라서 제 2 고정홀(544)들은 개방된다.Referring to FIG. 13, when the
도 14를 참고하면, 제 2 분사판(540)이 제 2 위치에 위치하는 경우, 제 2 가변홀(542b)들은 제 2 고정홀(544)들과 대향되도록 제공된다. 이경우, 제 2 가변홀(542b)들의 직경은 제 1 가변홀(542a)보다 작게 제공되므로, 제 2 분사판(540)이 제 1 위치에 위치하는 경우에 비해 제 2 고정홀(544)의 분사율은 작아진다.Referring to FIG. 14, when the
도 13 및 도 14의 경우와는 달리 제 2 분사판(540)이 제 1 및 제 2 위치와 상이한 위치에 위치하는 경우, 가변홀(542)들은 제 2 고정홀(544)의 고정홀들과 그 면적의 일부만 대향되어, 그 분사량이 조절될 수 있다.13 and 14, when the
도 15 내지 도 17은 도 2의 배플 어셈블리(500)의 또다른 실시예를 나타낸 도면이다. 도 15를 참고하면, 상술한 실시예들과 달리 구동 유닛(560)은 자력을 이용하여 제 2 분사판(540)을 그 중심을 축으로 회전시킨다.FIGS. 15-17 illustrate another embodiment of the
배플 어셈블리(500)는 구동판(562a) 및 제 2 분사판(540)을 제외하고, 도 3의 배플 어셈블리(500)와 그 구조 및 기능 등이 유사하다.The
제 2 분사판(540)은 그 측부에 복수개의 자석들이 제공된다. 자석은 영구 자석일 수 있다. 각각의 자석들은 직접 밀착된 자석들과 서로 상이한 극이 제 2 분사판(540)의 반경 방향을 향하도록 제공된다. 각각의 자석들은 제 2 분사판(540)의 중심을 기준으로 일정한 각도로 배열된다.The
구동판(562a)은 도 3의 구동 기어(562)가 배치되는 위치에 제공된다. 구동판(562a)는 원판형으로 제공된다. 구동판(562a)는 그 측부에 영구자석들이 제공된다. 각각의 자석들은 직접 밀착된 자석들과 서로 상이한 극이 제 2 분사판(540)의 반경 방향을 향하도록 제공된다. 각각의 자석들은 구동판(562a)의 중심을 기준으로 일정한 각도로 배열된다. The
구동판(562a)은 구동축(564)에 의해 전달된 구동력에 의해 그 중심을 축으로 회전된다. 제 2 분사판(540)은 자력에 의해 구동판(562a)의 회전에 따라 일정한 각도로 회전된다.The driving
도 16을 참고하면, 구동유닛은 제 2 분사판(540)의 측면에 손잡이(549)로 제공될 수 있다. 이경우, 제 2 분사판(540)은 사람의 힘에 의해 일정한 각도로 회전된다.16, the drive unit may be provided as a
구동 유닛(560)은 공정 챔버(100)의 내측 또는 외측에 제공될 수 있다.The
구동 유닛은 상술한 도 3, 도 15 및 도 16의 구동 유닛(560) 외 다양한 형태로 제공될 수 있다.The drive unit may be provided in various forms besides the
도 17을 참고하면, 제 2 분사판(540)은 제 1 분사판(520)의 내부에 제공된다. Referring to FIG. 17, a
제 1 분사판(520)은 중공의 원판형으로 제공된다. 제 1 분사판(520)은 상면(520a), 하면(520b) 및 상면(520a)과 하면(520b)을 연결하는 측면(520c)을 가진다. 상면(520a) 및 하면(520b)에는 제 1 고정홀(522) 및 제 2 고정홀(524)이 형성된다. 제 1 고정홀(522) 및 제 2 고정홀(524)은 도 4의 제 1 고정홀(522) 및 제 2 고정홀(524)과 동일한 형태로 배치 및 형성된다. 제 1 분사판(520)의 측면(520c)에는 개구(520d)가 형성된다. 제 2 분사판(540)은 그 측면의 기어가 개구(520d)를 통하여 구동기어(562)와 맞물리도록 제공된다.The
제 2 분사판(540)은 그 형태 및 기능 등이 상술한 실시예들과 동일하도록 제공된다.The
도 18은 제 2 분사판(540)이 제 1 분사판(520)의 하부에 결합된 기판 처리 장치(2)를 나타낸 도면이다. 도 18을 참고하면, 배플 어셈블리(500)을 제외하고 도 2의 기판처리장치(1)와 구성, 기능 및 형태 등이 대체로 유사하다.18 is a view showing the
제 2 분사판(540)이 제 1 분사판(520)의 하부에 결합되는 경우, 배플 어셈블리(500)는 확산실(144)의 하단에 제공될 수 있다. 배플 어셈블리(500)의 구성은 도 2의 배플 어셈블리(500)와 동일하다. 다만, 제 1 분사판(520)은 확산실(144)의 하단에 고정되도록 제공된다. 제 1 분사판(520) 및 제 2 분사판(540)은 상하 방향으로 순차로 제공된다.When the
상술한 바와 같이 본 발명에 따른 기판 처리 장치들(1, 2)은 공정 가스의 종류, 공정 스텝 또는 기타 다른 공정 조건에 따라 배플 어셈블리(500) 하부의 각 영역별 분사율을 조절함으로써, 기판의 표면에 가스 또는 플라즈마를 균일하게 분사할 수 있다.As described above, the
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the foregoing is intended to illustrate and explain the preferred embodiments of the present invention, and the present invention may be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, it is possible to make changes or modifications within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, within the scope of the disclosure, and / or within the skill and knowledge of the art. The embodiments described herein are intended to illustrate the best mode for implementing the technical idea of the present invention and various modifications required for specific applications and uses of the present invention are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. It is also to be understood that the appended claims are intended to cover such other embodiments.
1, 2: 기판 처리 장치
10: 기판
100: 공정 챔버
200: 기판 지지 유닛
300: 가스 공급 유닛
400: 플라스마 소스
500: 배플 어셈블리
520: 제 1 분사판
540: 제 2 분사판1, 2: substrate processing apparatus
10: substrate
100: Process chamber
200: substrate holding unit
300: gas supply unit
400: plasma source
500: baffle assembly
520: first jet plate
540: second jet plate
Claims (18)
상기 공정 챔버 내에서 기판을 지지하도록 제공된 기판 지지 유닛과;
상기 공정 챔버내의 상기 기판 지지 유닛의 상부에 위치되고, 서로 상하로 적층된 제 1 분사판과 제 2 분사판 및 상기 제 2 분사판을 그 중심을 축으로 회전시키는 구동유닛을 가지는 배플 어셈블리와;
상기 제 1 분사판 및 상기 제 2 분사판의 상부로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛을 구비하되,
상기 배플 어셈블리는,
상기 제 2 분사판의 회전 각도에 따라 상기 기판의 중앙영역 또는 가장자리 영역 중 어느 하나의 영역으로 공급되는 가스의 양을 조절할 수 있도록 제공되고,
상기 제 1 분사판의 중앙 영역에는 상하 방향으로 관통하는 제 1 고정홀들이 형성되고, 상기 제 1 분사판의 가장자리 영역에는 상하 방향으로 관통하는 제 2 고정홀들;이 형성되며,
상기 제 2 분사판에는, 상기 제 2 분사판의 중앙 영역에 배치되고, 상하 방향으로 관통하며, 그 직경이 상기 제 1 분사판의 중앙 영역에 대응되도록 제공되는 제 1 개구; 및 상기 제 2 분사판의 가장 자리 영역에 배치되고, 상하 방향으로 관통된 복수개의 가변홀들;이 형성되되,
상기 제 2 분사판의 중앙 영역은 상기 제 1 분사판의 중앙 영역에 대향되고,
상기 제 2 분사판의 가장자리 영역은 상기 제 1 분사판의 가장자리 영역에 대향되며,
상기 제 2 분사판이 제 1 위치에 위치하는 경우와 상기 제 1 위치와 상이한 제 2 위치에 위치하는 경우에 상기 제 2 고정홀의 전체 개방율이 상이하도록 제공되는 기판 처리 장치.A process chamber;
A substrate support unit provided to support the substrate in the process chamber;
A baffle assembly having a first ejection plate and a second ejection plate located on top of the substrate supporting unit in the process chamber and having a first ejection plate and a second ejection plate laminated on top of each other and a drive unit for rotating the second ejection plate about its center axis;
And a gas supply unit for supplying a gas to an upper portion of the first ejection plate and the second ejection plate,
The baffle assembly includes:
Wherein the control unit controls the amount of gas supplied to one of the center region and the edge region of the substrate according to the rotation angle of the second ejection plate,
Wherein a first fixing hole is formed in a central region of the first ejection plate in a vertical direction and second fixing holes are formed in an edge region of the first ejection plate in a vertical direction,
A first opening disposed in the central region of the second ejection plate and penetrating in the up and down direction and having a diameter corresponding to the central region of the first ejection plate; And a plurality of variable holes disposed in an edge region of the second ejection plate and penetrating in a vertical direction,
A central region of the second ejection plate is opposed to a central region of the first ejection plate,
An edge area of the second ejection plate is opposed to an edge area of the first ejection plate,
Wherein the second fixing hole is provided so that the total opening ratio of the second fixing hole is different when the second ejection plate is located at the first position and at the second position different from the first position.
상기 공정 챔버 내에서 기판을 지지하도록 제공된 기판 지지 유닛과;
상기 공정 챔버내의 상기 기판 지지 유닛의 상부에 위치되고, 서로 상하로 적층된 제 1 분사판과 제 2 분사판 및 상기 제 2 분사판을 그 중심을 축으로 회전시키는 구동유닛을 가지는 배플 어셈블리와;
상기 제 1 분사판 및 상기 제 2 분사판의 상부로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛을 구비하되,
상기 배플 어셈블리는,
상기 제 2 분사판의 회전 각도에 따라 상기 기판의 중앙영역 또는 가장자리 영역 중 어느 하나의 영역으로 공급되는 가스의 양을 조절할 수 있도록 제공되고,
상기 제 1 분사판의 중앙 영역에는 상하 방향으로 관통하는 제 1 고정홀들이 형성되고, 상기 제 1 분사판의 가장자리 영역에는 상하 방향으로 관통하는 제 2 고정홀들이 형성되며,
상기 제 2 분사판은, 내측 직경이 상기 제 1 분사판의 중앙영역의 직경과 대응되고, 외측 직경은 상기 제 1 분사판의 직경과 대응되는 링형상으로 제공되고,
상하 방향으로 관통된 복수개의 가변홀들이 형성되되,
상기 제 2 분사판이 제 1 위치에 위치하는 경우 와 상기 제 1 위치와 상이한 제 2 위치에 위치하는 경우에 상기 제 2 고정홀의 전체 개방율이 상이하도록 제공되는 기판 처리 장치.A process chamber;
A substrate support unit provided to support the substrate in the process chamber;
A baffle assembly having a first ejection plate and a second ejection plate located on top of the substrate supporting unit in the process chamber and having a first ejection plate and a second ejection plate laminated on top of each other and a drive unit for rotating the second ejection plate about its center axis;
And a gas supply unit for supplying a gas to an upper portion of the first ejection plate and the second ejection plate,
The baffle assembly includes:
Wherein the control unit controls the amount of gas supplied to one of the center region and the edge region of the substrate according to the rotation angle of the second ejection plate,
Wherein a first fixing hole is formed in a central region of the first ejection plate in a vertical direction and second fixing holes are formed in an edge region of the first ejection plate in a vertical direction,
The inner diameter of the second ejection plate corresponds to the diameter of the central region of the first ejection plate and the outer diameter of the second ejection plate corresponds to the diameter of the first ejection plate,
A plurality of variable holes penetrating in the vertical direction are formed,
Wherein the second fixing hole is provided so that the total opening ratio of the second fixing hole is different when the second ejection plate is located at the first position and at the second position different from the first position.
상기 공정 챔버 내에서 기판을 지지하도록 제공된 기판 지지 유닛과;
상기 공정 챔버내의 상기 기판 지지 유닛의 상부에 위치되고, 서로 상하로 적층된 제 1 분사판과 제 2 분사판 및 상기 제 2 분사판을 그 중심을 축으로 회전시키는 구동유닛을 가지는 배플 어셈블리와;
상기 제 1 분사판 및 상기 제 2 분사판의 상부로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛을 구비하되,
상기 배플 어셈블리는,
상기 제 2 분사판의 회전 각도에 따라 상기 기판의 중앙영역 또는 가장자리 영역 중 어느 하나의 영역으로 공급되는 가스의 양을 조절할 수 있도록 제공되고,
상기 제 1 분사판의 중앙 영역에는 상하 방향으로 관통하는 제 1 고정홀들이 형성되고, 상기 제 1 분사판의 가장자리 영역에는 상하 방향으로 관통하는 제 2 고정홀들이 형성되며,
상기 제 2 분사판에는, 상기 제 1 분사판의 가장자리 영역에 대향되도록 상기 제 2 분사판의 가장자리 영역에 배치되고, 상하 방향으로 관통하며, 호 형상을 가지는 복수개의 제 2 개구; 및 상기 제 2 분사판의 중앙 영역에 상하 방향으로 관통된 복수개의 가변홀들이 형성되되,
상기 제 2 분사판의 중앙 영역은, 상기 제 1 분사판의 중앙 영역에 대향되고,
상기 제 2 분사판의 가장자리 영역은, 상기 제 1 분사판의 가장자리 영역에 대향되며,
상기 제 2 분사판이 제 3 위치에 위치하는 경우 와 상기 제 3 위치와 상이한 제 4 위치에 위치하는 경우의 제 1 고정홀의 전체 개방율이 상이하도록 제공되는 기판 처리 장치.A process chamber;
A substrate support unit provided to support the substrate in the process chamber;
A baffle assembly having a first ejection plate and a second ejection plate located on top of the substrate supporting unit in the process chamber and having a first ejection plate and a second ejection plate laminated on top of each other and a drive unit for rotating the second ejection plate about its center axis;
And a gas supply unit for supplying a gas to an upper portion of the first ejection plate and the second ejection plate,
The baffle assembly includes:
Wherein the control unit controls the amount of gas supplied to one of the center region and the edge region of the substrate according to the rotation angle of the second ejection plate,
Wherein a first fixing hole is formed in a central region of the first ejection plate in a vertical direction and second fixing holes are formed in an edge region of the first ejection plate in a vertical direction,
The second ejection plate includes a plurality of second openings arranged in an edge region of the second ejection plate so as to face the edge region of the first ejection plate and penetrating in the vertical direction and having a arc shape; And a plurality of variable holes penetrating in a vertical direction in a central region of the second ejection plate,
The central region of the second ejection plate is opposed to the central region of the first ejection plate,
An edge region of the second ejection plate is opposed to an edge region of the first ejection plate,
Wherein the first ejection plate is provided so that the total opening ratio of the first fixing hole when the second ejection plate is located at the third position and the fourth position when the second ejection plate is located at the fourth position different from the third position are different.
상기 가변홀들은 슬릿 형상으로 제공되는 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 2 to 5,
Wherein the variable holes are provided in a slit shape.
상기 가변홀들은 그 길이 방향이 상기 제 2 분사판의 반경 방향으로 제공되는 기판 처리 장치.6. The method of claim 5,
Wherein the variable holes are provided in a radial direction of the second ejection plate in a longitudinal direction thereof.
상기 고정홀은 원형으로 제공되는 기판 처리 장치.The method according to claim 6,
Wherein the fixing holes are provided in a circular shape.
상기 제 1 분사판과 상기 제 2 분사판 중 어느 하나에는 그 가장자리 영역에 링 형상의 가이드;가 제공되고, 다른 하나에는 그 가장자리 영역에 상기 가이드와 맞물리도록 제공된 제 1 가이드 홀이 제공되는 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 2 to 5,
Wherein one of the first ejection plate and the second ejection plate is provided with a ring-shaped guide in an edge region thereof and the other is provided with a first guide hole provided in an edge region thereof so as to be engaged with the guide, Device.
상기 제 1 분사판과 상기 제 2 분사판 중 어느 하나에는 그 중앙 영역에 돌출부;가 형성되고, 다른 하나에는 그 중앙 영역에 상기 돌출부와 맞물리도록 제공된 제 2 가이드 홀이 제공되는 기판 처리 장치.5. The method of claim 4,
Wherein at least one of the first ejection plate and the second ejection plate is provided with a protrusion at a center region thereof and the other of the second ejection plate and the second ejection plate is provided with a second guide hole provided at a central region thereof to be engaged with the protrusion.
상기 제 2 분사판은, 그 측단부에 기어가 제공되고,
상기 구동 유닛은,
상기 기어와 맞물리도록 제공되는 구동 기어;와
상기 제 2 분사판을 회전시키기 위한 구동력을 발생시키는 모터;와
상기 모터에서 발생된 구동력을 상기 구동 기어로 전달시키는 연결 부재를 가지는 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 2 to 4,
The second ejection plate is provided with a gear at its side end,
The driving unit includes:
A driving gear provided to be engaged with the gear;
A motor generating a driving force for rotating the second ejection plate;
And a connecting member for transmitting the driving force generated by the motor to the driving gear.
상기 구동 유닛은,
자력을 이용하여 상기 제 2 분사판을 그 중심을 축으로 회전시키도록 제공되는 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 2 to 4,
The driving unit includes:
And is provided to rotate the center of the second ejection plate about its axis by using a magnetic force.
상기 구동 유닛은, 상기 제 2 분사판의 측단부에 제공된 손잡이(Knob)인 기판 처리 장치.5. The method according to any one of claims 2 to 4,
Wherein the drive unit is a knob provided at a side end portion of the second ejection plate.
상기 제 2 분사판은, 상기 제 1 분사판의 상부에 제공되는 기판 처리 장치.5. The method according to any one of claims 2 to 4,
Wherein the second ejection plate is provided on an upper portion of the first ejection plate.
상기 제 2 분사판을 그 중심을 축으로 회전시키는 구동 유닛을 가지되,
상기 제 2 분사판의 회전 각도에 따라 기판의 중앙영역 또는 가장자리 영역 중 어느 하나의 영역으로 공급되는 가스의 양을 조절할 수 있도록 제공되고,
상기 제 1 분사판의 중앙 영역에는 상하 방향으로 관통하는 제 1 고정홀들이 형성되고, 상기 제 1 분사판의 가장자리 영역에는 상하 방향으로 관통하는 제 2 고정홀들이 형성되며,
상기 제 2 분사판에는, 상기 제 2 분사판의 중앙 영역에 배치되고, 상하 방향으로 관통하며, 그 직경이 상기 제 1 분사판의 중앙 영역에 대응되도록 제공되는 제 1 개구; 및 상기 제 2 분사판의 가장 자리 영역에 배치되고, 상하 방향으로 관통된 복수개의 가변홀들이 형성되되,
상기 제 2 분사판의 중앙 영역은 상기 제 1 분사판의 중앙 영역에 대향되고,
상기 제 2 분사판의 가장자리 영역은 상기 제 1 분사판의 가장자리 영역에 대향되며,
상기 제 2 분사판이 제 1 위치에 위치하는 경우와 상기 제 1 위치와 상이한 제 2 위치에 위치하는 경우에 상기 제 2 고정홀의 전체 개방율이 상이하도록 제공되는 배플 어셈블리.A first injection plate and a second injection plate stacked one above the other;
And a drive unit for rotating the second ejection plate about its center,
Wherein the second ejection plate is provided to adjust the amount of gas supplied to one of the central region and the edge region of the substrate according to the rotation angle of the second ejection plate,
Wherein a first fixing hole is formed in a central region of the first ejection plate in a vertical direction and second fixing holes are formed in an edge region of the first ejection plate in a vertical direction,
A first opening disposed in the central region of the second ejection plate and penetrating in the up and down direction and having a diameter corresponding to the central region of the first ejection plate; And a plurality of variable holes arranged in the edge region of the second ejection plate and penetrating in the vertical direction,
A central region of the second ejection plate is opposed to a central region of the first ejection plate,
An edge area of the second ejection plate is opposed to an edge area of the first ejection plate,
Wherein a total opening ratio of the second fixing hole is different when the second ejection plate is located at a first position and at a second position different from the first position.
상기 제 2 분사판을 그 중심을 축으로 회전시키는 구동 유닛을 가지되,
상기 제 2 분사판의 회전 각도에 따라 기판의 중앙영역 또는 가장자리 영역 중 어느 하나의 영역으로 공급되는 가스의 양을 조절할 수 있도록 제공되고,
상기 제 1 분사판의 중앙 영역에는 상하 방향으로 관통하는 제 1 고정홀들이 형성되고, 상기 제 1 분사판의 가장자리 영역에는 상하 방향으로 관통하는 제 2 고정홀들이 형성되며,
상기 제 2 분사판은, 내측 직경이 상기 제 1 분사판의 중앙영역의 직경과 대응되고, 외측 직경은 상기 제 1 분사판의 직경과 대응되는 링형상으로 제공되고,
상하 방향으로 관통된 복수개의 가변홀들이 형성되되,
상기 제 2 분사판이 제 1 위치에 위치하는 경우 와 상기 제 1 위치와 상이한 제 2 위치에 위치하는 경우에 상기 제 2 고정홀의 전체 개방율이 상이하도록 제공되는 배플 어셈블리.A first injection plate and a second injection plate stacked one above the other;
And a drive unit for rotating the second ejection plate about its center,
Wherein the second ejection plate is provided to adjust the amount of gas supplied to one of the central region and the edge region of the substrate according to the rotation angle of the second ejection plate,
Wherein a first fixing hole is formed in a central region of the first ejection plate in a vertical direction and second fixing holes are formed in an edge region of the first ejection plate in a vertical direction,
The inner diameter of the second ejection plate corresponds to the diameter of the central region of the first ejection plate and the outer diameter of the second ejection plate corresponds to the diameter of the first ejection plate,
A plurality of variable holes penetrating in the vertical direction are formed,
Wherein a total opening ratio of the second fixing hole is different when the second ejection plate is located at a first position and at a second position different from the first position.
상기 제 2 분사판을 그 중심을 축으로 회전시키는 구동 유닛을 가지되,
상기 제 2 분사판의 회전 각도에 따라 기판의 중앙영역 또는 가장자리 영역 중 어느 하나의 영역으로 공급되는 가스의 양을 조절할 수 있도록 제공되고,
상기 제 1 분사판의 중앙 영역에는 상하 방향으로 관통하는 제 1 고정홀들이 형성되고, 상기 제 1 분사판의 가장자리 영역에는 상하 방향으로 관통하는 제 2 고정홀들이 형성되며,
상기 제 2 분사판에는, 상기 제 1 분사판의 가장자리 영역에 대향되도록 상기 제 2 분사판의 가장자리 영역에 배치되고, 상하 방향으로 관통하며, 호 형상을 가지는 복수개의 제 2 개구; 및 상기 제 2 분사판의 중앙 영역에 상하 방향으로 관통된 복수개의 가변홀들이 형성되되,
상기 제 2 분사판의 중앙 영역은, 상기 제 1 분사판의 중앙 영역에 대향되고,
상기 제 2 분사판의 가장자리 영역은, 상기 제 1 분사판의 가장자리 영역에 대향되며,
상기 제 2 분사판이 제 3 위치에 위치하는 경우 와 상기 제 3 위치와 상이한 제 4 위치에 위치하는 경우의 제 1 고정홀의 전체 개방율이 상이하도록 제공되는 배플 어셈블리.A first injection plate and a second injection plate stacked one above the other;
And a drive unit for rotating the second ejection plate about its center,
Wherein the second ejection plate is provided to adjust the amount of gas supplied to one of the central region and the edge region of the substrate according to the rotation angle of the second ejection plate,
Wherein a first fixing hole is formed in a central region of the first ejection plate in a vertical direction and second fixing holes are formed in an edge region of the first ejection plate in a vertical direction,
The second ejection plate includes a plurality of second openings arranged in an edge region of the second ejection plate so as to face the edge region of the first ejection plate and penetrating in the vertical direction and having a arc shape; And a plurality of variable holes penetrating in a vertical direction in a central region of the second ejection plate,
The central region of the second ejection plate is opposed to the central region of the first ejection plate,
An edge region of the second ejection plate is opposed to an edge region of the first ejection plate,
Wherein a total opening ratio of the first fixing hole when the second ejection plate is located at the third position and a fourth position different from the third position are provided to be different from each other.
상기 가변홀들은 슬릿 형상으로 제공되는 배플 어셈블리.18. The method according to any one of claims 15 to 17,
Wherein the variable holes are provided in a slit shape.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1020140029666A KR101552667B1 (en) | 2014-03-13 | 2014-03-13 | A baffle assembly and an apparatus for treating a substrate with the baffle |
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KR1020140029666A KR101552667B1 (en) | 2014-03-13 | 2014-03-13 | A baffle assembly and an apparatus for treating a substrate with the baffle |
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KR1020140029666A KR101552667B1 (en) | 2014-03-13 | 2014-03-13 | A baffle assembly and an apparatus for treating a substrate with the baffle |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101966897B1 (en) | 2018-11-14 | 2019-04-08 | 국방과학연구소 | Mixed gas generator |
KR20200022277A (en) * | 2018-08-22 | 2020-03-03 | 세메스 주식회사 | Method and Apparatus for treating substrate |
US11977332B2 (en) | 2019-09-11 | 2024-05-07 | Semes Co., Ltd. | Substrate treating apparatus and substrate treating method |
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JP2013207277A (en) * | 2012-03-29 | 2013-10-07 | Nuflare Technology Inc | Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing method |
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2014
- 2014-03-13 KR KR1020140029666A patent/KR101552667B1/en active IP Right Grant
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2013207277A (en) * | 2012-03-29 | 2013-10-07 | Nuflare Technology Inc | Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing method |
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KR102151629B1 (en) | 2018-08-22 | 2020-09-03 | 세메스 주식회사 | Method and Apparatus for treating substrate |
KR101966897B1 (en) | 2018-11-14 | 2019-04-08 | 국방과학연구소 | Mixed gas generator |
US11977332B2 (en) | 2019-09-11 | 2024-05-07 | Semes Co., Ltd. | Substrate treating apparatus and substrate treating method |
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