KR101547905B1 - 발광다이오드 - Google Patents

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Abstract

발광다이오드가 개시된다. 이러한 발광다이오드는 기판과, 기판 상에 배열 형성된 다수개의 단위셀으로 이루어진 셀어레이를 포함하고, 셀어레이는 평단면 형상에 있어서 하나 이상의 내각이 90도보다 작은 다각형일 수 있다. 또한 다수개의 단위셀로 이루어진 셀어레이는 단위셀들 간에 직렬 연결된 고전압 발광다이오드의 특징을 갖는다. 이와 같이 셀어레이의 형상이 내각이 90도보다 작은 경우에 광방출 특성이 좋아지며, 고전압 발광다이오드로서 동일면적 대비 효율이 높아진다.

Description

발광다이오드{LIGHT EMITTING DIODE}
본 발명은 발광다이오드(LED) 분야에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 다각형 셀어레이를 가지는 발광다이오드에 관한 것이다.
최근에는 LED를 이용하는 조명기구들이 백열등 및 형광등과 같은 전통적인 조명기구를 빠르게 대체하고 있다. 조명기구 외에도 LED는 상대적으로 수명이 길고 소비전력이 낮기 때문에 다양한 분야에서 적용되고 있다.
이러한 LED는 2개의 다른 유형의 반도체층 사이에 활성층을 개재하는 형태를 갖는다. 2개의 반도체층에 바이어스를 인가하면 정공과 전자가 활성층으로 주입된 후 재결합하여 빛이 발생된다.
기존의 일반적인 LED는 한국공개특허 제10-2011-0095772호에서와 같이 칩 및 셀의 평면(또는 평단면) 형상이 사각형이었다. 이러한 사각형 LED는 도 1에서 알 수 있는 바와 같이 내각이 전부 90도로 일정하기 때문에 내부에서 발생한 빛의 대부분이 내부 전반사를 통해 칩 내부에 갇히고 대략 4% 정도만 밖으로 나오게 되는 문제점이 있었다.
그런가 하면, 기존의 저전압 LED의 경우에, 도 2에서 알 수 있는 바와 같이 별도의 컨버터가 있어야 하기 때문에 전체적인 부피가 커지는 단점이 있다.
한국공개특허 제10-2011-0095772호
본 발명은 상술한 종래기술의 문제점을 감안하여 안출된 것으로서, 다수개의 단위셀으로 이루어진 셀어레이의 평단면 형상에 있어서 하나 이상의 내각이 90도보다 작은 발광다이오드를 제공한다.
본 발명은 평단면의 형상에 있어서 각각의 내각이 90도보다 작은 다각형 형상의 셀어레이를 갖는 발광다이오드를 제공한다.
본 발명은 셀어레이의 평단면의 형상에 있어서 각각의 내각이 90도보다 작으며, 셀어레이에 속하는 다수개의 단위셀이 전기적으로 직렬 연결된 발광다이오드를 제공한다.
본 발명은 발광다이오드를 제공하며, 이는: 기판; 및 상기 기판 상에 배열 형성된 다수개의 단위셀로 이루어진 셀어레이;를 포함하고, 상기 셀어레이는 평단면 형상에 있어서 하나 이상의 내각이 90도보다 작은 다각형이다.
상기 셀어레이는 평단면 형상이 삼각형, 마름모, 사다리꼴 또는 , 평행사변형일 수 있다.
다르게는, 상기 셀어레이는 평단면 형상에 있어서 모든 내각이 90도보다 작은 다각형일 수 있다.
상기 다수개의 단위셀 각각은: 상기 기판 상에 순차로 적층 형성된 제1반도체층, 활성층 및 제2반도체층; 및 상기 제2반도체층 상에 형성된 투명 전도층;을 포함한다.
상기 다수개의 단위셀 각각은 상기 제1반도체층을 노출시키는 노출부위에 형성된 제1전극을 갖고, 상기 투명 전도층 상에는 제2전극을 가지며, 어느 단위셀의 제1전극과 인접하는 단위셀의 제2전극을 연결하는 전기적 연결부에 의해 상기 다수개의 단위셀이 직렬로 연결된다.
본 발명은 발광다이오드를 제공하며, 이는: 기판; 및 상기 기판 상에 형성된 다수개의 단위셀로 이루어지며 평단면 형상이 다각형 형상을 가지는 셀어레이;를 포함하고, 상기 다수개의 단위셀 각각은: 상기 기판 상에 순차로 적층 형성된 n형반도체층, 활성층, 및 p형반도체층, 상기 p형반도체층 상에 형성된 투명 전도층, 및 상기 n형반도체층과 연결된 n형전극 및 상기 투명 전도층과 연결된 p형전극을 포함하며, 상기 다수개의 단위셀들은 전기적으로 상기 n형전극이 인접하는 다른 단위셀의 p형전극과 전기적으로 연결됨으로써 전체가 직렬로 연결되며, 상기 셀에레이는 평단면의 형상에 있어서 각각의 내각이 90도보다 작거나 90도보다 크다.
상기 셀어레이는 평단면 형상이 삼각형, 마름모, 사다리꼴, 또는 평행사변형을 가지며, 상기 단위셀들은 평단면 형상이 삼각형을 가질 수 있다.
본 발명에 따르면, 광방출 특성이 개선되어 효율이 높아진 LED가 제공된다. 또한 멀티셀을 직렬로 연결함으로써 별도의 컨버터가 필요하지 않은 고전압 LED 장치가 제공되어 전체의 부피가 작아지는 효과를 거둘 수 있으며, 이는 동일면적의 저전압 LED에 비하여 높은 효율을 가지게 되며 비용절감의 효과도 거둘 수 있다. 또한 다양한 다각형 형상의 LED를 제공하여 광추출 효율을 증가시킬 수 있는 장점도 있다.
도 1은 기존의 일반적인 사각형 셀을 가지는 LED의 광방출 특성을 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 기존의 일반적인 저전압 LED 장치에 대한 회로도이다.
도 3 및 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 LED를 도시한 도면으로서, 도 3은 평면도이고, 도 4는 단면도이다.
도 5 및 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 LED의 평면도로서, 삼각형 셀어레이를 포함하는 예들이다.
도 7 내지 도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 LED의 평면도로서, 다각형 셀어레이를 포함하는 예들이다.
도 11은 본 발명의 LED 제조방법을 설명하기 위해 도시한 공정단면도이다.
도 12는 본 발명의 LED의 광방출 특성을 설명하기 위한 도면이다.
도 13은 본 발명의 LED가 적용되는 고전압 LED 장치의 회로도이다.
이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시예를 설명함에 있어서, 관련된 공지기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
도 3 및 도 4는 본 발명의 제1실시예에 따른 발광다이오드를 도시한 도면으로써, 도 3은 평면도이고, 도 4는 단면도이다. 이해의 편의를 위해, 도 3에서 절연막(29)이 생략되었다. 또한 도 4에서는 일부의 단위셀(20-1, 20-2, 20-3)만을 개략적으로 도시하였다.
도 3 및 4를 참조하여, 본 발명의 하나의 실시예에 따른 LED(1)는 기판(10) 위에 형성된 다각형 셀어레이(20)를 포함한다. 셀어레이(20)는 평면 또는 평단면 형상이 도 3에 도시한 바와 같은 삼각형이다. 또한 본 발명의 다른 예들은 아래에서 후술되는 바와 같이 사각형, 오각형, 육각형, 또는 팔각형을 포함할 수 있다.
도 3 및 도 4에 도시한 실시예에서 셀어레이(20)는 또한 다수개의 단위셀(20-1~20-n)로 이루어진다. 이러한 단위셀(20-1~20-n)들은 다양한 형상을 가질 수 있으며, 도 3 및 도 4에 도시한 실시예에서는 삼각형이다. 이와 같이 단위셀들이 삼각형일 경우에는 내각이 90도 보다 작은 다각형 셀어레이를 구성하는데 유리하다.
셀어레이(20)는 평단면 형상에 있어서 내각이 90도 보다 크거나 작다. 결과적으로, 바람직하게는 셀어레이(20)의 각각의 내각이 90도와 같지 않도록 한다.
도 3 및 도 4에 도시된 실시예에서, 다수개의 단위셀(20-1~20-n) 각각은 기판(10) 상에 순차로 적층된 제1반도체층(21), 활성층(22), 제2반도체층(23), 투명 전도층(24), 제1반도체층(21) 상에 형성된 제1전극(25), 투명 전도층(24) 상에 형성된 제2전극(26)을 포함하고, 제1전극(25)과 제2전극(26)이 전기적 연결부 또는 배선(205)을 통해 직렬로 연결된다.
예를 들어, 제1반도체층(21)은 n형반도체이고, 제2반도체층은 p형반도체일 수 있으며, 제1전극(25)과 제2전극(26)은 각각 n형전극 및 p형전극일 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명의 LED는 셀어레이(20) 내의 다수개의 단위셀(20-1~20-n)이 전기적으로 직렬 연결된다.
이를 위해, 단위셀(20-1~20-n)들은 선단 단위셀(20-1)부터 후단 단위셀(20-n)까지 배선(205) 또는 전기적 연결부들을 통해 제1전극(25)과 인접하는 단위셀의 제2전극(26)이 연결된다.
또한 본 발명의 발광 다이오드는 선단 단위셀(20-1)의 투명 전도층(24)이 그 위에 형성된 패드(31)을 통해 기판(10)에 형성된 제1단자패드(271)(패키지에서의 + 전극)와 와이어(28)로 연결되고, 후단 단위셀(20-n)의 제1반도체층에 형성된 패드(31)을 통해 와이어(28)로 제2단자패드(272)(패키지에서의 - 전극)와 연결된다. 이들 제1 및 제2 단자패드(271, 272)를 통해 외부 전원이 연결된다. 제2단자패드(271)는 p형반도체이고, 제1단자패드(272)는 n형반도체일 수 있다.
도 4에서의 미설명 도면부호 300은 에폭시 보호막이다.
도 5 및 도 6은 삼각형 셀어레이를 가지는 본 발명의 LED(2, 3)의 다른 실시예들이다. 도 5와 6에서는 도 3과 4와 동일하거나 유사한 요소에 대해서는 도면부호를 생략하였다.
도 5는 단위셀(30-1~30-n)들을 연결하는 배선이 다른 형태를 가지는 경우이다. 여기서는 셀어레이(30) 내의 단위셀(30-1~30-n)의 배열이 도 3의 예와는 다른 형태를 가질 수 있다.
도 6에 도시된 발광다이오드(3)는 삼각형 셀어레이(40)를 형성하는 단위셀(40-1~40-n)들 중에 삼각형이 아닌 다각형을 포함하는 예이다. 도면에서 알 수 있는 바와 같이, 단위셀(40-4, 40-5, 40-n)들이 사각형이다. 단위셀들의 형상에는 특별한 제약이 있는 것이 아니다. 또한 도 6에 도시된 예에서도 단위셀(40-1~40-n)을 연결하는 배선(45)이 다른 형태를 가진다.
도 5 및 도 6에서도 같이 배선은 금속을 포함하는 다양한 형태와 소재가 적용될 수 있다.
도 7 내지 도 10은 본 발명의 다른 예에 따른 LED의 평면도로서, 다른 형태의 다각형 셀어레이를 가지는 예들을 보여준다. 도 7 내지 도 10의 경우에도 도 3 및 도 4와 동일하거나 유사한 요소에 대해서는 도면부호를 생략하였다.
이들은 도 7의 사각형 셀어레이(50)를 가지는 LED(5), 도 8의 오각형 셀어레이(60)을 가지는 LED(6), 도 9의 육각형 셀어레이(70)을 가지는 LED(7), 및 도 10의 팔각형 셀어레이(80)를 가지는 LED(8)를 포함한다. 도 7에 도시된 사각형 셀어레이의 경우에도 내각이 90도 보다 작거나 큰 마름모나 사다리꼴 형상을 가진다.
바람직하게는 도 7 내지 도 10에서와 같이 단위셀(50-1~50-n, 60-1~60-n, 70-1~70-n, 및 80-1~80-n)들이 삼각형이지만, 이들의 형상에는 특별한 제약이 없다. 다만, 단위셀들을 삼각형으로 형성할 경우에 셀어레이가 오각형, 육각형, 팔각형 등의 형상을 가지는 LED를 구성하기에 유리하다.
상술한 도 5 내지 도 10의 예들에서도 셀어레이의 내각들이 90도 보다 작다.
이하에서는 도 11을 참조하여 본 발명의 발광다이오드 제조방법을 설명한다. 도 11은 도 4에 도시한 단면도와 동일한 구조로서 동일한 요소들에 대해서는 동일한 부호를 부여하였다.
먼저 기판(10) 상에 제1반도체층, 활성층, 제2반도체층, 및 투명 전도층을 위한 물질층(210, 220, 230, 240)들을 순차로 적층한 적층물을 형성한다(도 11의 (a)).
이어 적층물을 패터닝 및 식각하여 다수개의 단위셀(20-1, 20-2, 20-3)을 포함하는 셀어레이(20)를 형성한다(도 11의 (b)). 여기서 각 단위셀(20-1, 20-2, 20-3)은 식각되어 형성된 제1반도체층(21), 활성층(22), 제2반도체층(23), 및 투명 전도층(24)을 포함하게 된다. 이때 단위셀(20-1, 20-2, 20-3)들로 이루어진 셀어레이의 내각들 각각이 90도 보다 작도록 형성된다.
제1반도체층(21)은 예를 들어 n형반도체층이고, 제2반도체층(23)은 p형반도체층일 수 있다.
셀어레이(20)를 패터닝 및 식각하여 단위셀(20-1, 20-2, 20-3)의 제1반도체층(21) 상면을 부분적으로 노출시켜서 제1반도체층의 노출부를 형성한다(도 11의 (c)).
전면에 절연막을 적층한 후 투명 전도층(24) 상의 절연막 부위와 제1반도체층의 노출부 상의 절연막 부위를 제거하여 투명 전도층(24)의 일부와 제1반도체층의 일부를 드러내는 절연막(29)을 형성한다(도 11의 (d)).
다음에, 제1반도체층의 노출부와 투명 전도층(24)의 노출부에 각각 제1전극(25)와 제2전극(26)을 형성한다.
다음에, 어느 단위셀(20-1)의 제2전극(26)과 인접하는 다른 단위셀(20-2)의 제1전극(25)을 배선(205)을 형성함으로써 다수개의 단위셀(20-1, 20-2, 20-3)을 전기적으로 직렬 연결시킨다. 이는 상술한 바와 같이 배선(205)은 제1반도체층의 노출부 상에 형성되는 제1전극(25)인 n형전극과, 투명 전도층(24) 상에 형성되는 제2전극(26)인 p형전극이 연결되는 것이다(도 11(e)).
이어, 도 11에서는 생략되었지만, 패키지의 제1 및 제2단자패드(271, 272)와 선단 단위셀(20-1)과 후단 단위셀(20-n)에 형성된 패드(31)을 Au 또는 Ag 기반의 와이어(28)로 연결한다(도 3 참조). 상술한 바와 같이 제1 및 제2단자패드(271, 272)는 각각 패키지의 +, - 전극 역할을 수행한다.
이후, 전면에 에폭시 보호막(300)을 형성한다.
이상과 같은 본 발명의 LED는, 도 12에서 알 수 있는 바와 같이, 각각의 내각이 90도보다 작은 셀어레이어레이 내에서는 내부 전반사하는 빛이 외부로 나올 수 있는 임계각의 변화를 일으켜서 더욱 많은 양의 빛이 외부로 나오게 된다.
또한, 도 13에서 알 수 있는 바와 같이, 본 발명의 LED는 단위셀들이 직렬로 연결된 고전압 LED로서 동일면적에서 저전압 LED보다 높은 효율을 나타낸다.이상, 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시예에 관해서 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 자명하다 할 것이다.

Claims (7)

  1. 발광다이오드로서:
    기판; 및
    상기 기판 상에 배열되어 형성된 평단면 형상이 삼각형인 다수개의 단위셀로 구성되어 평단면 형상이 삼각형 형상을 가지는 셀어레이;를 포함하며,
    상기 다수개의 단위셀 각각은:
    상기 기판 상에 순차로 적층 형성된 제1반도체층, 활성층 및 제2반도체층; 및
    상기 제2반도체층 상에 형성된 투명 전도층;을 포함하되,
    상기 제1반도체층을 노출시키는 노출부위에 형성된 제1전극을 갖고, 상기 투명 전도층 상에는 제2전극을 가지며,
    어느 단위셀의 제1전극과 인접한 단위셀의 제2전극을 서로 전기적으로 연결하는 연결부에 의해 상기 다수개의 단위셀이 상기 기판에 형성되어 외부 전원과 연결되는 제1단자패드 및 제2단자패드와 와이어에 의해 직렬로 연결됨을 특징으로 하는 발광다이오드.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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