KR101543821B1 - 광반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용한 광반도체 장치 - Google Patents

광반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용한 광반도체 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 하기 성분 (A), (B) 및 (C)를 포함하는 광반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물이며, 상기 성분 (B) 중의 성분 (b1)의 히드록실기 수와 성분 (b2)의 산 무수물기 수의 비율이 b1/b2로 99.99/0.01 내지 50/50인 광반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물에 관한 것이다.
(A) 에폭시 수지;
(B) 하기 화학식 1로 나타내어지는 페놀 수지(b1) 및 산 무수물(b2)을 포함하는 경화제; 및
(C) 경화 촉진제.
<화학식 1>
Figure 112015051879156-pat00008

식 중, R은 -페닐- 또는 -비페닐-을 나타내고, n은 0 또는 양의 정수이다.

Description

광반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용한 광반도체 장치{EPOXY RESIN COMPOSITION FOR OPTICAL-SEMICONDUCTOR ELEMENT ENCAPSULATION AND OPTICAL-SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME}
본 발명은 광반도체 소자의 밀봉에 사용되는 광반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물에 관한 것이며, 상기 에폭시 수지 조성물을 사용하여 수지 밀봉된 광반도체 소자를 포함하는 광반도체 장치에 관한 것이다.
수광 센서, 발광 다이오드(LED) 또는 전하 결합 소자(CCD) 등의 광반도체 소자를 밀봉하는 데 사용되는 밀봉 재료에는, 상기 밀봉 재료의 경화물이 투명성을 가질 것이 종래부터 요구되고 있다. 일반적으로, 상기 투명성 재료로서는 에폭시 수지와 산 무수물형 경화제를 사용하여 얻어지는 산 무수물형 에폭시 수지 조성물이 범용된다.
그러나, 최근 광반도체 장치에는 패키지의 소형화가 진행되면서, 기판에의 표면 실장 형태가 증가하고 있다. 즉, IR 리플로우에서의 실장이 사용되게 된 사실로부터, 광반도체 소자의 밀봉 재료가 되는 에폭시 수지 조성물로서, 종래의 특성보다도 높은 내열성 등을 갖는 투명 밀봉 재료가 요구된다.
예를 들어, 상기 광반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물에 있어서, 온도 사이클 시험 등의 열 응력 시험에 있어서의 신뢰성 및 밀착성을 향상시키는 방법으로서, 비페닐형 에폭시 수지와 페놀 아르알킬 수지를 미리 용융 혼합하는 것이 행해진다. 상기 예비 혼합물과 경화 촉진제를 사용하여 에폭시 수지 조성물을 제조하고, 얻어진 에폭시 수지 조성물을 광반도체 소자의 밀봉 재료로서 사용하는 것이 제안되어 있다(특허문헌 1 참조).
일본 특허 공개 제2000-281868호 공보
상기에 기재한 에폭시 수지 조성물을 사용하더라도, 어느 정도까지 내열성 등을 향상시키는 것은 가능하다. 그러나, 땜납 리플로우시의 신뢰성이 되는 내납땜성은 아직 충분하지 않다. 최근, 보다 가혹한 조건, 특히 고온 조건 하에서 흡습된 밀봉 재료(에폭시 수지 조성물)에 대한 내납땜성에 관하여, 상기 재료는 보다 우수한 내납땜성이 요구되며, 동시에 상기 재료는 우수한 경화성을 가질 것이 요구된다.
본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 양호한 투명성 뿐만 아니라, 우수한 내납땜성 및 경화성을 갖는 광반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용한 광반도체 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
즉, 본 발명은 하기 항목 (1) 및 (2)에 관한 것이다.
(1) 하기 성분 (A), (B) 및 (C)를 포함하는 광반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물이며, 상기 성분 (B) 중의 성분 (b1)의 히드록실기 수와 성분 (b2)의 산 무수물기 수의 비율이 b1/b2로 99.99/0.01 내지 50/50인 광반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
(A) 에폭시 수지;
(B) 하기 화학식 1로 나타내어지는 페놀 수지(b1) 및 산 무수물(b2)을 포함하는 경화제; 및
(C) 경화 촉진제.
Figure 112011034106437-pat00001
식 중, R은 -페닐- 또는 -비페닐-을 나타내고, n은 0 또는 양의 정수이다.
(2) (1)에 있어서, 상기 페놀 수지(b1)가 페놀 비페닐렌 수지인 광반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
(3) (1) 또는 (2)에 따른 광반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물로 수지 밀봉된 광반도체 소자를 포함하는 광반도체 장치.
본 발명자들은 양호한 투명성과 함께, 보다 가혹한 조건 하에서 우수한 내납땜성을 갖는 광반도체 소자 밀봉 재료를 얻기 위해, 예의 연구하였다. 그 결과, 에폭시 수지의 경화제로서 상기 화학식 1로 나타내어지는 페놀 수지(성분 b1)와 산 무수물(성분 b2)의 특정 조합을 착상하였다. 상기 착상에 대하여 더욱 연구한 결과, 상기 성분 b1 및 성분 b2와 함께 경화 촉진제(성분 C)를 사용하고, 상기 성분 b1 및 성분 b2를 특정 배합 비율로 사용할 경우, 예를 들어 고온 영역에서의 탄성률의 감소로 나타나는, 경화물 특성의 향상이 실현되고, 땜납 리플로우시에 보다 우수한 내납땜성이 발현되는 것을 발견하고, 본 발명에 도달하였다.
이와 같이, 본 발명은 에폭시 수지(성분 A)와, 상기 화학식 1로 나타내어지는 페놀 수지(성분 b1) 및 산 무수물(성분 b2)을 필수 성분으로 포함하는 경화제(성분 B), 및 경화 촉진제(성분 C)를 포함하는 광반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물이며, 상기 성분 b1과 성분 b2가 특정 배합 비율로 사용되는 광반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물에 관한 것이다. 그 결과, 상기 에폭시 수지 조성물은 사용 파장 영역에서 양호한 광투과성 뿐만 아니라, 우수한 내납땜성 및 경화성을 갖는다. 따라서, 상기 광반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물로 광반도체 소자를 수지 밀봉함으로써, 신뢰성이 높은 광반도체 장치가 얻어진다.
본 발명의 광반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물(이하, 간단히 "에폭시 수지 조성물"이라고 칭함)은 에폭시 수지(성분 A), 특정 페놀 수지(성분 b1) 및 특정 산 무수물(성분 b2)을 필수 성분으로 포함하는 경화제(성분 B), 및 경화 촉진제(성분 C)를 사용하여 얻어지며, 일반적으로 액체 상태, 분말 상태, 또는 상기 분말을 타정하여 얻어진 타블렛의 형태로 공급된다.
에폭시 수지(성분 A)의 예로는, 비스페놀 A 에폭시 수지, 비스페놀 F 에폭시 수지, 페놀-노볼락 에폭시 수지, 크레졸-노볼락 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 트리글리시딜 이소시아누레이트 및 히단토인 에폭시 수지 등의 질소환 함유 에폭시 수지, 수소 첨가 비스페놀 A 에폭시 수지, 저흡수 경화물형의 주류인 비페닐 에폭시 수지, 디시클릭 에폭시 수지 및 나프탈렌 에폭시 수지를 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 이들의 2종 이상의 혼합물로서 사용할 수 있다. 일반적으로, 에폭시 당량이 100 내지 1,000이고, 연화점이 120℃ 이하인 에폭시 수지가 바람직하게 사용된다. 상기 각종 에폭시 수지 중에서, 광반도체 소자 밀봉 후 에폭시 수지 조성물의 경화물이 변색되기 어렵다는 관점에서, 비스페놀 A 에폭시 수지, 비스페놀 F 에폭시 수지, 트리글리시딜 이소시아누레이트, 수소 첨가 비스페놀 A 에폭시 수지 및 지방족 에폭시 수지가 바람직하게 사용된다.
성분 A와 함께 사용되는 경화제(성분 B)는 특정 페놀 수지(성분 b1) 및 산 무수물(성분 b2)을 필수 성분으로 포함한다. 즉, 본 발명에 따른 경화제는 특정 페놀 수지(성분 b1) 및 산 무수물(성분 b2)의 필수 성분으로 이루어질 수 있고, 특정 페놀 수지(성분 b1) 및 산 무수물(성분 b2)의 필수 성분, 및 다른 페놀 수지를 포함할 수 있다.
특정 페놀 수지(성분 b1)는 하기 화학식 1로 나타내어지는 페놀 수지를 의미한다.
<화학식 1>
Figure 112011034106437-pat00002
식 중, R은 -페닐- 또는 -비페닐-을 나타내고, n은 0 또는 양의 정수이다.
화학식 1에 있어서, 반복수 n은 0 또는 양의 정수이며, 바람직하게는 0 내지 3이다. 특정 페놀 수지로는, 히드록실 당량이 145 내지 567의 범위인 것이 바람직하게 사용된다. 이들 중에서, 페놀 비페닐렌 수지가 바람직하게 사용된다.
바람직하게 병용되는 산 무수물(성분 b2)은 분자량이 약 140 내지 200이다. 산 무수물(성분 b2)의 예로는, 프탈산 무수물, 말레산 무수물, 트리멜리트산 무수물, 피로멜리트산 무수물, 헥사히드로프탈산 무수물, 테트라히드로프탈산 무수물, 메틸나드산 무수물, 나드산 무수물, 글루타르산 무수물, 메틸헥사히드로프탈산 무수물, 메틸테트라히드로프탈산 무수물 등의 무색 또는 담황색 산 무수물을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 이들의 2종 이상의 혼합물로서 사용된다. 상기 산 무수물 경화제 중에서, 각각 단파장 영역에서의 흡수가 보다 낮은 헥사히드로프탈산 무수물 및 메틸헥사히드로프탈산 무수물이 바람직하게 사용된다.
특정 페놀 수지(성분 b1)의 히드록실기 수와 산 무수물(성분 b2)의 산 무수물기 수의 비율은 b1/b2로 99.99/0.01 내지 50/50의 범위이며, 바람직하게는 b1/b2로 99.95/0.05 내지 55/45의 범위이다. 즉, 상기 성분들의 배합 비율이 상기 범위를 벗어나는, 예를 들어 특정 페놀 수지(성분 b1)의 비율이 99.99를 초과하고, 산 무수물(성분 b2)의 비율이 0.01 미만인 경우, 경화성이 열화된다. 한편, 특정 페놀 수지(성분 b1)의 비율이 50 미만이고, 산 무수물(성분 b2)의 비율이 50을 초과하는 경우, 내납땜성이 열화된다. 본 발명에 있어서 히드록실기 수, 산 무수물기 수는 성분 b1 또는 성분 b2의 함유량을 각각의 히드록실 당량, 산 무수물 당량으로 나누어 얻어지며, 히드록실 당량, 산 무수물 당량이란, 각 성분의 분자량을 그 분자 중의 히드록실기 수, 산 무수물기 수로 나누어 얻어지는 값을 의미한다.
본 발명은 경화제(성분 B)의 필수 성분으로서 특정 페놀 수지 및 산 무수물을 사용한다. 그러나, 상술한 바와 같이, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위이면, 다른 페놀 수지를 첨가할 수 있다. 상기 다른 페놀 수지로서는, 에폭시 수지와 반응할 수 있는 관능기인 페놀성 히드록실기를 1분자 중에 2개 이상 갖는 화합물을 언급할 수 있으며, 그 예로는 페놀-노볼락 수지를 들 수 있다.
에폭시 수지(성분 A)와, 특정 페놀 수지 및 산 무수물을 필수 성분으로 포함하는 경화제(성분 B)의 함유량 비율은, 에폭시 수지(성분 A) 중의 에폭시기 1당량에 대하여, 경화제(성분 B) 중의 히드록실 당량이 바람직하게는 0.5 내지 1.5당량, 특히 바람직하게는 0.7 내지 1.2당량이 되게 설정한다. 즉, 상기 비율에 있어서, 히드록실 당량이 상기 하한 미만인 경우, 얻어지는 에폭시 수지 조성물의 경화 후의 색상이 열화되는 경향이 있다. 한편, 히드록실 당량이 상기 상한을 초과하는 경우, 내습성이 저하되는 경향이 있다.
성분 A 및 성분 B와 함께 사용되는 경화 촉진제(성분 C)의 예로는, 3급 아민, 이미다졸, 4급 암모늄염, 유기 금속염 및 인 화합물을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 이들의 2종 이상의 혼합물로서 사용된다. 상기 경화 촉진제(성분 C) 중에서, 인 화합물 및 이미다졸이 바람직하게 사용되며, 더욱 바람직하게는 이미다졸이 사용된다.
경화 촉진제(성분 C)의 함유량은 에폭시 수지(성분 A) 100중량부(이하, 간단히 "부"라고 칭함) 당 0.05 내지 7.0부, 보다 바람직하게는 0.2 내지 3.0부의 범위이다. 경화 촉진제의 함유량이 상기 하한 미만인 경우, 충분한 경화 촉진 효과가 달성되지 않는 경향이 있다. 한편, 그 함유량이 상기 상한을 초과하는 경우, 에폭시 수지 조성물의 경화물에 변색이 나타나는 경향이 있다.
본 발명의 에폭시 수지 조성물은, 에폭시 수지 조성물의 광투과성 등의 각종 특성을 손상시키지 않는 범위에서, 상기에 기재된 성분 A 내지 C 이외에, 필요에 따라 열화 방지제, 변성제, 이형제, 염료, 안료 등의 통상의 각종 첨가제를 적절히 함유할 수 있다.
열화 방지제의 예로는, 힌더드 페놀 화합물, 아민 화합물 및 유기 황 화합물을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 이들의 2종 이상의 혼합물로서 사용할 수 있다. 각 화합물은 복수의 종류를 사용할 수 있다.
변성제의 예로는, 글리콜, 실리콘 및 알코올을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 이들의 2종 이상의 혼합물로서 사용할 수 있다.
이형제의 예로는, 스테아르산, 베헨산, 몬탄산 및 그의 금속염, 폴리에틸렌계 왁스, 폴리에틸렌-폴리옥시에틸렌계 왁스 및 카르나우바 왁스를 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 이들의 2종 이상의 혼합물로서 사용할 수 있다. 상기 이형제 중에서, 폴리에틸렌-폴리옥시에틸렌계 왁스가, 에폭시 수지 조성물의 경화물의 투명성이 양호해지는 관점에서 바람직하게 사용된다.
광분산성이 요구되는 경우, 에폭시 수지는 상기 성분에 더하여, 충전제를 추가로 함유할 수 있다. 충전제의 예로는, 석영 유리 분말, 탈크, 실리카 분말, 알루미나 분말, 탄산칼슘 등의 무기 충전제를 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 이들의 2종 이상의 혼합물로서 사용할 수 있다.
본 발명의 에폭시 수지 조성물은 예를 들어 하기와 같이 제조되고, 제조된 형태는 액체 상태, 분말 상태, 또는 상기 분말을 타정하여 얻어진 타블렛이다. 구체적으로, 액상 에폭시 수지 조성물을 얻기 위해서는, 성분 A 내지 C, 및 필요에 따라 열화 방지제, 변성제, 이형제, 염료, 안료, 충전제 등의 통상의 각종 첨가제를 소정의 비율로 배합한다. 분말 상태, 또는 상기 분말을 타정하여 얻어진 타블렛 상태의 에폭시 수지 조성물을 얻기 위해서는, 상기 성분을 적절히 배합한 후, 예비 혼합한다. 얻어진 혼합물을 드라이 블렌드법 또는 용융 블렌드법 등의 방법을 적절히 이용하여 혼합 및 혼련한다. 혼련된 혼합물을 실온으로 냉각하고, 숙성 공정을 거쳐, 분쇄하고, 필요에 따라 타정에 제공한다.
이렇게 얻어진 본 발명의 에폭시 수지 조성물은 수광 센서, 발광 다이오드(LED), 전하 결합 소자(CCD) 등의 광반도체 소자의 밀봉 재료로서 사용된다. 구체적으로, 본 발명의 에폭시 수지 조성물을 사용하여 광반도체 소자를 밀봉하기 위해서는, 트랜스퍼 성형 또는 캐스트 성형 등의 성형 방법에 의해 밀봉을 행할 수 있다. 본 발명의 에폭시 수지 조성물이 액체 상태일 경우에는, 액상 에폭시 수지 조성물은 일반적으로, 적어도 에폭시 수지 성분과 경화제 성분을 별개로 보관하고, 사용하기 직전에 혼합하는, 소위 2액형의 형태로 사용된다. 본 발명의 에폭시 수지 조성물이 소정의 숙성 공정을 거친 분말 상태 또는 타블렛 상태일 경우에는, 일반적으로, 상기 성분을 용융 혼합할 때에, B 스테이지(반경화 상태)로 유지한 후, 사용시에 가열 용융하는 것이 바람직하다.
본 발명의 에폭시 수지 조성물에서, 사용되는 그의 경화물은 광반도체 밀봉이라는 용도의 관점에서, 분광 광도계(제품명: V-670, 자스코사(JASCO Corporation)제)에 의한 측정에 의해, 실온에서 두께 1mm, 파장 650nm에서의 광투과율이 75 내지 99％이다. 광투과율이 90％ 이상인 경화물이 바람직하게 사용된다. 그러나, 상기에 기재된 충전제, 염료 또는 안료를 사용한 경우의 광투과율은 상기에 한정되지 않는다. 본 발명에서, "실온"이란 용어는 25℃±5℃를 의미한다.
본 발명의 에폭시 수지 조성물은 밀봉 재료로서 적합한 경화물의 특성 중 하나로서, 유리 전이 온도(Tg)가 100 내지 150℃이다. 또한, 본 발명의 에폭시 수지 조성물은 상기 유리 전이 온도보다 50℃ 높은 온도에서의 저장 탄성률이 2 내지 15MPa이다. 상기 특성으로 인해, 본 발명의 에폭시 수지 조성물은 내납땜성이 우수하다.
<실시예>
실시예를 비교예와 함께 설명한다. 그러나, 본 발명은 하기 실시예에 한정되는 것으로 간주되어서는 안 된다.
우선, 에폭시 수지 조성물의 제조에 앞서, 하기에 나타내는 성분을 준비하였다.
에폭시 수지(성분 A)
비스페놀 A 에폭시 수지(에폭시 당량: 185)
경화제 (i)(성분 b1)
하기 화학식 2로 나타내어지는 페놀 수지:
Figure 112011034106437-pat00003
식 중, n은 1; 페놀 비페닐렌 수지, 히드록실 당량: 203.
경화제 (ii)(성분 b1)
하기 화학식 3으로 나타내어지는 페놀 수지:
Figure 112011034106437-pat00004
식 중, n은 1; 페놀/p-크실렌 글리콜 디메틸 에테르 중축합물, 히드록실 당량: 172.
경화제 (iii)(성분 b2)
헥사히드로프탈산 무수물(분자량: 154, 히드록실 당량: 154)
경화 촉진제(성분 C)
2-에틸-4-메틸 이미다졸
실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 4
하기 표 1에 나타낸 성분을 표 1에 나타낸 각 제형에 따라 함께 배합하고, 믹싱 롤러로 용융 혼련하였다(50 내지 150℃). 각 혼합물을 숙성하고, 이어서 실온(25℃)으로 냉각하고, 분쇄하였다. 이렇게 하여, 목적하는 미분말 에폭시 수지 조성물을 제조하였다.
Figure 112015051879156-pat00009
이렇게 얻어진 실시예 및 비교예의 에폭시 수지 조성물에 대해, 하기 방법에 의해 각종 특성을 평가하였다. 결과를 하기 표 2에 나타낸다.
유리 전이 온도(Tg)
상기에서 제조된 각 에폭시 수지 조성물을 전용 금형으로 성형하여(경화 조건: 150℃×4분), 경화물의 시험편(크기: 직경 50mm, 두께 1mm)을 제조하였다. 시험편을 150℃에서 3시간 동안 가열하여 경화를 완전하게 종료시켰다. 경화를 완전하게 종료시킨 시험편을 시차 주사 열량계(DSC: DSC-6220, 세이코 인스트루먼츠사(Seiko Instruments Inc.)제)로 측정하고, 유리 전이 온도의 전후로 나타나는 2개의 굴곡점의 중간점을 유리 전이 온도(℃)로 사용하였다.
저장 탄성률
레오메트릭 사이언티픽사(RHEOMETRIC SCIENTIFIC)제 RSA-II를 사용하고, 1Hz, 및 30 내지 270℃의 온도 범위에서 10℃/분의 측정 조건 하에서, 상기 유리 전이 온도 시험과 동일한 경화 조건(150℃×4분)에 의해 제조된 폭 5mm, 두께 1mm, 길이 35mm의 경화물의 시험편을 측정하고, 상기 측정에 의해 얻어진 유리 전이 온도보다 50℃ 높은 온도에서의 저장 탄성률을 구하였다.
내납땜성
상기 각 에폭시 수지 조성물을 사용하고, 광반도체 소자(SiN 포토다이오드: 1.8mm×2.3mm×두께 0.25mm)를 트랜스퍼 성형(150℃에서 4분 동안 성형, 및 150℃에서 3시간 동안 후경화)에 의해 성형하여, 표면 실장형 광반도체 장치를 제조하였다. 상기 표면 실장형 광반도체 장치는 8핀의 스몰 아웃라인 패키지(SOP-8: 4.9mm×3.9mm×두께 1.5mm, 리드 프레임: 42 얼로이 재료의 전체 표면에 은 도금층(두께 0.5㎛))이다.
상기 SOP-8 패키지를 사용하고, (1) 흡습시키지 않음(비흡습 조건), (2) 30℃/60RH％×96시간의 흡습 조건, 및 (3) 30℃/60RH％×192시간의 흡습 조건의 3종류의 흡습 조건을 거친 패키지(각 10 샘플)를, 각각 적외선(IR) 리플로우에 제공하고, 패키지 자체에 박리 및 균열이 발생한 비율을 개별로 측정하고 평가하였다. 패키지 박리 및 균열의 발생 확률이 0 내지 34％ 미만인 경우를 "양호"로 표시하고, 패키지 박리 및 균열의 발생 확률이 34 내지 67％ 미만인 경우를 "적당"으로 표시하고, 패키지 박리 및 균열의 발생 확률이 67 내지 100％인 경우를 "불량"으로 표시하였다.
Figure 112011034106437-pat00006
상기 표 2의 결과로부터, 실시예 1 내지 4의 제품은 내납땜성의 모든 조건 하에서 박리 및 균열이 실질적으로 발생하지 않고, 양호한 결과가 얻어졌다. 실시예 5 및 6의 제품에 관해서는, 고온 및 고습 조건 하에서 박리 및 균열이 약간 발생했지만, 상기 제품은 실사용을 견디어낼 수 있었다. 따라서, 실시예의 에폭시 수지 조성물을 사용하여 얻어진 광반도체 장치는 내납땜성 및 신뢰성이 우수한 것을 알 수 있다.
이에 반해, 비교예 1 및 2의 제품은 박리 및 균열의 발생률이 매우 높고, 실사용을 견디어낼 수 없었다. 한편, 비교예 3 및 4의 제품에 관해서는, 성형시에 수지의 경화가 늦고, 수지의 점도가 낮기 때문에, 특성을 평가하기 위한 패키지를 얻을 수 없었다.
실시예 및 비교예의 경화물은 모두 광투과율이 90％ 이상이었다.
본 발명을 구체적인 실시형태를 참고로 상세히 설명하였지만, 그의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양한 변경 및 변형이 이루어질 수 있음은 당업자에게 명백할 것이다.
또한, 본 출원은 2010년 5월 10일자로 출원된 일본 특허 출원 제2010-108352호에 기초하며, 그 내용은 본원에 참고로 도입된다.
본원에 인용된 모든 참고문헌은 그 전문이 본원에 참고로 도입된다.
또한, 본원에 인용된 모든 참고문헌은 전체로서 도입된다.
본 발명의 에폭시 수지 조성물은 수광 센서, 발광 다이오드(LED) 또는 전하 결합 소자(CCD) 등의 광반도체 소자를 밀봉하는 데 사용되는 밀봉 재료로서 유용하다.

Claims (4)

  1. 하기 성분 (A)와 함께, 하기 성분 (B) 및 성분 (C)를 함유하고, 성분 (B) 중의 하기 성분 (b1)의 히드록실기 수와 성분 (b2)의 산 무수물기 수의 비율이 b1/b2=99.99/0.01 내지 50/50인 것을 특징으로 하는 광반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
    (A) 비스페놀 A 에폭시 수지, 비스페놀 F 에폭시 수지, 트리글리시딜 이소시아누레이트, 수소 첨가 비스페놀 A 에폭시 수지 및 지방족 에폭시 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 에폭시 수지;
    (B) 하기 화학식 1로 나타내어지는 페놀 수지(b1), 및 프탈산 무수물, 헥사히드로프탈산 무수물, 테트라히드로프탈산 무수물, 메틸헥사히드로프탈산 무수물, 메틸테트라히드로프탈산 무수물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 산 무수물(b2)을 필수 성분으로 하는 경화제; 및
    (C) 경화 촉진제.
    <화학식 1>
    Figure 112015051879156-pat00007

    식 중, R은 -비페닐-을 나타내고, n은 0 또는 양수이다.
  2. 제1항에 있어서, 상기 산 무수물(b2)가 헥사히드로프탈산 무수물 및 메틸헥사히드로프탈산 무수물 중 적어도 한쪽인 광반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
  3. 제1항 또는 제2항에 따른 광반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 사용하여 광반도체 소자를 수지 밀봉하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 광반도체 장치.
  4. 삭제
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