KR101538271B1 - Method for preparing plate-shaped material with hollowness and plate-shaped material with hollowness - Google Patents
Method for preparing plate-shaped material with hollowness and plate-shaped material with hollowness Download PDFInfo
- Publication number
- KR101538271B1 KR101538271B1 KR1020140085887A KR20140085887A KR101538271B1 KR 101538271 B1 KR101538271 B1 KR 101538271B1 KR 1020140085887 A KR1020140085887 A KR 1020140085887A KR 20140085887 A KR20140085887 A KR 20140085887A KR 101538271 B1 KR101538271 B1 KR 101538271B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- plate
- metal oxide
- hollow
- base material
- oxide layer
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C26/00—Coating not provided for in groups C23C2/00 - C23C24/00
- C23C26/02—Coating not provided for in groups C23C2/00 - C23C24/00 applying molten material to the substrate
Abstract
Description
본 발명은 중공 판상 물질의 제조방법 및 중공 판상 물질에 관한 것으로, 보다 상세하게는 적외선 반사 특성 및 단열 특성이 우수한 중공 판상 물질의 제조방법 및 중공 판상 물질에 관한 것이다.The present invention relates to a method for producing a hollow plate-like material and a hollow plate-like material, and more particularly to a method for manufacturing a hollow plate-like material excellent in infrared ray reflection and heat insulating properties and a hollow plate-like material.
최근 에너지 문제로 인해 에너지 수급 조절 및 지속적인 가격 인상으로 인하여 그 영향력이 전세계적으로 미치고 있다. 에너지 절감을 위하여 건축물의 옥상, 지붕, 외벽을 단열 도료를 사용함으로써 도심 내의 열섬 현상 대책의 한 수단으로 주목되면서 단열의 효과가 있는 단열재의 개발이 요구되고 있다. Due to recent energy problems, the supply and demand of energy has been controlled and the price has been continuously increasing. The use of thermal insulation paint on roofs, roofs and outer walls of buildings for energy saving has attracted attention as a means of countermeasures against heat island phenomenon in the inner city.
단열재의 기능은 열의 흐름을 억제하는 것이며, 일상에서 인위적으로 제어가 가능하고 복사에 의한 열의 이동을 통제할 수 있어야 한다. The function of the insulation is to suppress the flow of heat, and it must be possible to control the movement of heat by radiation, which is artificially controllable in daily life.
단열 원리는 크게 나누어 저항형과 반사형 단열로 나눌 수 있으며, 저항형 단열은 내부에 미세한 다공질로 공기포를 형성시켜 열의 전도를 억제하는 효과를 가지고 있으며, 반사형 단열은 물체의 표면에 도달된 태양광을 반사시켜 열에너지로의 전환을 억제시키는 효과를 가지고 있다. The insulation principle can be roughly divided into resistance type and reflection type insulation. Resistance type insulation has an effect of suppressing heat conduction by forming an air bubble with fine porous inside, and reflection type insulation has an effect And has an effect of reflecting sunlight to suppress the conversion to heat energy.
반사형 단열을 위한 단열재로 사용되는 물질은 크게 무기계 물질과 유기계 물질로 나눌 수 있다.Materials used as insulation materials for reflection type insulation can be broadly classified into inorganic materials and organic materials.
한편 기존 유기계 및 유기/무기계 병용 기술로는 자외선 흡수제로서 무기 산화물 나노졸과 유기계인 벤조트리아졸계 및 타마린계를 동시에 사용하는 병용계인 것을 특징으로 하는 기술이 있으나, 유기계 자외선 도료는 태양광에 대한 장기 안정성이 없으므로 반영구적으로 사용할 수 없는 단점이 있다.On the other hand, existing technologies for organic and organic / inorganic combined use include a combination system using an inorganic oxide nano-sol as an ultraviolet absorber and a benzotriazole based system and a tamarin based organic system simultaneously. Organic ultraviolet ray coatings There is a disadvantage that it can not be used semi-permanently because there is no stability.
또한, 일반적으로 자외선을 차단하기 위하여 창호 등에 무기계 물질을 표면에 코팅시키게 되는데 가시광 파장대역에 근접한 자외선/근적외선 차단 기능은 주로 도료 코팅막 내에 함유되어 있는 기능성 나노 분말에 의해 이루어지는데 자외선의 경우 TiO2, WO3, ZnO, CeO가 사용되며, 근적외선의 경우 ATO, Sb2O3-ZnO, ITO 나노분말이 주로 사용된다. 이처럼 적외선 차단 기능을 가지는 무기계 산화물의 특징은 유기계 차단제보다 열적으로 안정하여 내구성이 높다는 장점을 지닌다.Generally, in order to shield ultraviolet rays, an inorganic material is coated on the surface of a window, and ultraviolet / near-infrared ray blocking function close to the visible light wavelength band is mainly performed by functional nano powder contained in the coating film. In case of ultraviolet ray, TiO 2 , WO 3 , ZnO and CeO are used. In the case of near infrared rays, ATO, Sb 2 O 3 -ZnO and ITO nano powder are mainly used. The characteristics of the inorganic oxide having the infrared ray blocking function are more thermally stable than the organic blocker and have a high durability.
이러한 물질을 응용하여, 저항형 단열과 반사형 단열을 동시에 구현할 수 있는 물질 및 이의 제조방법에 대한 연구가 필요하다.Materials that can simultaneously implement both resistive and reflective adiabatic materials by applying these materials and research methods for their preparation are needed.
따라서, 적외선 반사 효과를 가지면서 단열 효과 기능이 우수한 무기 소재를 제조할 수 있는 중공 판상 물질의 제조방법을 제공하는데 목적이 있다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a method for producing a hollow plate-like material capable of producing an inorganic material having an infrared ray reflecting effect and excellent heat insulating function.
또한, 적외선 반사율을 향상시키는 동시에 단열 효과을 개선시킬 수 있는 무기 소재의 형태를 구현할 수 있는 중공 판상 물질을 제공하는데 목적이 있다.It is another object of the present invention to provide a hollow plate-like material capable of realizing an inorganic material form capable of improving the infrared reflectance and improving the heat insulation effect.
상기 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 중공 판상 물질의 제조방법은 판상 기재에 금속 산화물을 코팅하여 금속 산화물층을 형성하는 금속 산화물층 형성단계; 및 상기 금속 산화물층이 형성된 판상 기재를 산(acid) 또는 염기(base) 처리하여 상기 판상 기재를 제거하는 판상 기재 제거단계를 포함할 수 있다. According to an aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a hollow plate-shaped material, the method comprising: forming a metal oxide layer by coating a metal oxide on a substrate; And a plate-like substrate removing step of treating the plate-like substrate having the metal oxide layer formed thereon with an acid or a base to remove the plate-like substrate.
상기 판상 기재는 운모(mica), 클레이(clay), 층상이중수산화물(layered double hydroxides), 디칼코겐화물(di-chalcogenides), 인산지르코늄(zirconium phosphate), 유리 플레이크(glass flake), 실리카 플레이크(silica flake) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.The plate substrate may be selected from the group consisting of mica, clay, layered double hydroxides, di-chalcogenides, zirconium phosphate, glass flake, silica flake flake), and combinations thereof.
상기 클레이는 카올린, 몬모릴로나이트, 헥토라이트, 필로실레케이트, 마가다이트, 라포나이트, 카네마이트 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.The clay may be selected from the group consisting of kaolin, montmorillonite, hectorite, phyllosilicate, magadiite, laponite, carneite, and combinations thereof.
상기 판상 기재는 입경이 1 내지 250㎛이고, 두께가 0.1 내지 10㎛이면서, 두께와 입경의 길이비가 1:1 내지 1:300일 수 있다.The plate-like base material may have a particle diameter of 1 to 250 탆, a thickness of 0.1 to 10 탆, and a thickness-to-particle length ratio of 1: 1 to 1: 300.
상기 금속 산화물 또는 이의 염은 평균 입경이 1 내지 200nm의 적외선 반사 물질을 포함할 수 있다.The metal oxide or a salt thereof may include an infrared ray reflective material having an average particle diameter of 1 to 200 nm.
상기 금속 산화물은 산화티타늄, 산화알루미늄, 산화지르코늄, 산화주석 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.The metal oxide may be selected from the group consisting of titanium oxide, aluminum oxide, zirconium oxide, tin oxide, and combinations thereof.
상기 금속 산화물층은 0.05 내지 5㎛일 수 있다.The metal oxide layer may be 0.05 to 5 占 퐉.
상기 산 또는 염기는 질량 퍼센트농도가 5 내지 30%일 수 있다.The acid or base may have a mass percentage concentration of 5 to 30%.
상기 판상 기재 제거단계는 상기 금속 산화물층이 형성된 판상 기재를 상기 산 또는 염기에 5 내지 48시간 동안 담지하여 수행될 수 있다.The step of removing the plate-like substrate may be carried out by supporting the plate-like substrate having the metal oxide layer formed thereon for 5 to 48 hours in the acid or base.
본 발명의 다른 실시예에 의한 중공 판상 물질의 제조방법은 판상 기재에 제1 금속 산화물을 코팅하여 제1 금속 산화물층을 형성하는 제1 금속 산화물층 형성단계; 상기 제1 금속 산화물이 형성된 판상 기재에 운모, 클레이, 층상이중수산화물, 디칼코겐화물, 인산지르코늄, 실리카 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 물질을 코팅하여 전-중공층을 형성하는 전-중공층 형성단계; 상기 전-중공층이 형성된 판상기재에 제2 금속 산화물을 코팅하여 제2 금속 산화물층을 형성하는 제2 금속 산화물층 형성단계; 및 상기 판상 기재를 산(acid) 또는 염기(base) 처리하여 상기 판상 기재 및 상기 전-중공층을 제거하는 판상 기재 및 전-중공층 제거단계를 포함할 수 있다. According to another embodiment of the present invention, there is provided a method of manufacturing a hollow plate-shaped material, comprising: forming a first metal oxide layer by coating a first metal oxide on a plate-shaped substrate to form a first metal oxide layer; The plate-shaped substrate on which the first metal oxide is formed is coated with a material selected from the group consisting of mica, clay, layered double hydroxides, dicalcogenides, zirconium phosphate, silica, and combinations thereof to form a pre- A layer forming step; A second metal oxide layer forming step of forming a second metal oxide layer by coating a second metal oxide on the plate-shaped substrate on which the pre-hollow layer is formed; And a plate-like base material and a pre-hollow layer removing step of removing the plate-like base material and the pre-hollow layer by treating the plate-like base material with an acid or a base.
상기 전-중공층 형성단계 및 상기 제2 금속 산화물층 형성단계를 복수 회 실시할 수 있다.The pre-hollow layer forming step and the second metal oxide layer forming step may be performed a plurality of times.
본 발명의 일 실시예에 의한 중공 판상 물질은 중공부; 및 상기 중공부의 일부 또는 전부에 형성되고, 적외선 반사 물질을 포함하는 쉘부를 포함하고, 상기 쉘부의 두께는 0.05 내지 5㎛이고, 상기 중공 판상 물질의 입경은 1 내지 260㎛이고, 두께는 0.1 내지 10㎛일 수 있다.The hollow plate-shaped material according to an embodiment of the present invention includes a hollow portion; And a shell portion formed on a part or the whole of the hollow portion and including an infrared ray reflecting material, wherein the thickness of the shell portion is 0.05 to 5 mu m, the diameter of the hollow plate material is 1 to 260 mu m, Lt; / RTI >
상기 쉘부의 일부 또는 전부에 이격되어 형성되고, 적외선 반사 물질을 포함하는 적어도 하나의 쉘부를 더 포함할 수 있다.And at least one shell portion formed to be separated from a part or all of the shell portion and including an infrared reflective material.
상기 적외선 반사 물질은 산화티타늄, 산화알루미늄, 산화지르코늄, 산화주석 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.The infrared reflective material may be selected from the group consisting of titanium oxide, aluminum oxide, zirconium oxide, tin oxide, and combinations thereof.
상기 중공 판상 물질은, 일사 반사율이 82 내지 99%이고, 열전도도가 25 내지 200mW/m·K일 수 있다.The hollow plate-shaped material may have a solar radiation reflectance of 82 to 99% and a thermal conductivity of 25 to 200 mW / mK.
본 발명에 따른 중공 판상 물질의 제조방법은 입경, 두께, 두께 대비 입경의 범위를 최적화한 판상형의 기재를 사용하여 적외선 반사 물질을 코팅하고 판상 기재판상 기재를 제거하는 방법으로 중공을 형성함으로써, 적외선 반사 효과 및 단열 효과가 우수한 중공 판상 물질을 구현할 수 있다.The method for producing a hollow plate-like material according to the present invention is a method for manufacturing a hollow plate-like material by coating an infrared ray reflecting material with a plate-shaped base material having an optimized range of particle diameters in relation to particle diameter, thickness and thickness, and removing the plate- It is possible to realize a hollow plate material excellent in reflection effect and adiabatic effect.
또한, 산 처리하여 판상 기재판상 기재를 제거하여 중공을 형성함으로써 마이크론 단위의 중공을 형성하는 공정이 단순하고 경제적이다.In addition, the step of forming the hollow of micron unit by the acid treatment and removing the plate-shaped substrate-like substrate to form the hollow is simple and economical.
중공 판상 물질의 쉘부 및 중공부의 각각의 두께, 입경을 구체적으로 한정함으로써, 적외선 반사 효과 및 단열 효과를 극대화할 수 있다.By specifically limiting the thickness and particle diameter of each of the shell portion and the hollow portion of the hollow plate-like material, it is possible to maximize the infrared reflection effect and the heat insulating effect.
본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the effects mentioned above, and other effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the description of the claims.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 중공 판상 물질을 제조하는 방법을 순차적으로 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 중공 판상 물질을 제조하는 방법을 순차적으로 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시예 1에 의해 제조된 중공 판상 물질을 FIB(Focused Ion Beam)/FE-SEM으로 입자의 단면을 분석한 결과를 도시한 입자 단면 사진이다.
도 4는 본 발명의 실시예 2에 의해 제조된 이중층 중공 판상 물질을 FIB(Focused Ion Beam)/FE-SEM으로 입자의 단면을 분석한 결과를 도시한 입자 단면 사진이다.
도 5는 본 발명의 실시예 1에 의해 제조된 중공 판상 물질의 표면을 FE-SEM으로 분석한 결과를 도시한 입자 사진이다.
도 6은 본 발명의 실시예 1에 의한 중공 판상 물질을 제조하기 전에 판상 기재를 제거하기 전의 입자 물질을 FIB(Focused Ion Beam)/FE-SEM으로 입자의 단면을 분석한 결과를 도시한 입자 단면 사진이다.FIG. 1 is a view sequentially illustrating a method of manufacturing a hollow plate-shaped material according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a view sequentially illustrating a method of manufacturing a hollow plate-shaped material according to another embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a cross-sectional photograph showing the result of analyzing the cross-section of a particle by means of FIB (Focused Ion Beam) / FE-SEM of the hollow plate-like material produced in Example 1 of the present invention.
4 is a cross-sectional photograph showing the result of analyzing the cross-section of particles of a double-layer hollow plate-like material produced by Example 2 of the present invention by FIB (Focused Ion Beam) / FE-SEM.
FIG. 5 is a photograph of a particle image showing the result of FE-SEM analysis of the surface of the hollow plate-like material produced in Example 1 of the present invention.
6 is a graph showing the results of analysis of the particle cross-section by FIB (Focused Ion Beam) / FE-SEM before the plate-like substrate material was removed before the hollow plate-shaped material according to Example 1 of the present invention was produced. It is a photograph.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention and the manner of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described in detail below with reference to the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. To fully disclose the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않은 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms (including technical and scientific terms) used herein may be used in a sense commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Also, commonly used predefined terms are not ideally or excessively interpreted unless explicitly defined otherwise.
본 명세서에서, "일사 반사율(total solar reflectance, TSR)"은 280 내지 2,500nm 파장 영역의 태양광을 포함하는 일사 반사율을 말한다.In this specification, "total solar reflectance (TSR)" refers to the solar radiation reflectance including sunlight in the wavelength range of 280 to 2,500 nm.
이하, 본 발명의 중공 판상 물질의 제조방법 및 중공 판상 물질에 대하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the method for producing a hollow plate-like material and the hollow plate-like material of the present invention will be described in detail.
본 발명의 일 실시예에 의한 중공 판상 물질은 도 1과 같이, 금속 산화물층 형성단계(S11) 및 판상 기재 제거단계(S12)를 포함하는 공정으로 제조될 수 있다.The hollow plate-like material according to an embodiment of the present invention may be manufactured by a process including a metal oxide layer forming step (S11) and a plate substrate removing step (S12) as shown in FIG.
금속 산화물층 형성단계(S11)는 판상 기재에 금속 산화물을 코팅하여 금속 산화물층을 형성하는 단계이다.The metal oxide layer forming step (S11) is a step of forming a metal oxide layer by coating a metal oxide on the substrate.
판상 기재과 금속 산화물 또는 상기 금속 산화물의 염을 혼합함으로써 금속 산화물을 판상 기재 상에 코팅할 수 있다. The metal oxide can be coated on the plate-shaped substrate by mixing the plate-shaped substrate with the metal oxide or the salt of the metal oxide.
판상 기재 상에 금속 산화물을 코팅하는 방법은 금속 산화물을 코팅하는 공지의 방법들을 사용할 수 있으며, 구체적으로는 아래와 같고 이에 한정되는 것은 아니다.As a method of coating the metal oxide on the substrate, known methods of coating a metal oxide may be used, and the method is not limited thereto.
먼저, 판상 기재를 용매에 첨가하고 교반 및 분산하여 현탁액을 제조한다.First, a plate-like base material is added to a solvent and stirred and dispersed to prepare a suspension.
상기 판상 기재는 판상의 형태을 가지며 산(acid) 또는 염기(base)에 용해되기 쉬운 물질을 사용할 수 있으며, 바람직하게는 운모(mica), 클레이(clay), 층상이중수산화물(layered double hydroxides), 디칼코겐화물(di-chalcogenides), 인산지르코늄(zirconium phosphate), 유리 플레이크(glass flake) 또는 실리카 플레이크(silica flake)일 수 있으며, 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 상기 운모는 합성 운모 또는 천연 운모 무관하게 사용할 수 있다. 상기 클레이는 카올린, 몬모릴로나이트, 헥토라이트, 필로실레케이트, 마가다이트, 라포나이트 또는 카네마이트 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.The plate-like substrate may have a plate-like shape and may be easily dissolved in an acid or a base. Preferably, the plate-like substrate is made of mica, clay, layered double hydroxides, Di-chalcogenides, zirconium phosphate, glass flake or silica flake may be used. A mixture of two or more of them may be used. The mica may be used independently of synthetic mica or natural mica. The clay may be selected from the group consisting of kaolin, montmorillonite, hectorite, phyllosilicate, magadiite, laponite or carneite, and combinations thereof.
상기 판상 기재는 분쇄 및 분금된 분말을 이용하거나, 통상의 공정을 통해 상기한 조건으로 분말을 제조한 후 분쇄 및 분급하여 사용할 수 있다.The plate-like base material can be used by using pulverized and pulverized powders or by pulverizing and classifying pulverized powders under the above-mentioned conditions through ordinary processes.
상기 판상 기재는 입경이 1 내지 250㎛이고, 두께가 0.1 내지 10㎛이면서, 두께와 입경의 길이비가 1:1 내지 1:300일 수 있다. 여기서 입경은 판상의 가로 길이 또는 세로 길이를 말하며, 두께는 판상 측면의 높이를 말한다. 판상입자의 입경 및 두께는 전자주사현미경으로 측정할 수 있다. 상기 범위의 입경, 두께 및 두께 대비 입경 비율을 가지는 경우 판상의 형상이 유지될 수 있으며, 상기 범위를 벗어나는 경우 단열 효과가 우수한 효과가 있는 중공 형상을 구현하기 어렵다.The plate-like base material may have a particle diameter of 1 to 250 탆, a thickness of 0.1 to 10 탆, and a thickness-to-particle length ratio of 1: 1 to 1: 300. Here, the particle diameter refers to the width or length of the plate, and the thickness refers to the height of the plate-like side surface. The particle size and the thickness of the platelet-shaped particles can be measured by an electron-scanning microscope. If the particle size ratio of the particle diameter to the thickness and thickness is within the above range, the shape of the plate can be maintained, and if the particle diameter is out of the above range, it is difficult to realize a hollow shape having an excellent heat insulating effect.
상기 용매는 후술할 금속 산화물의 특성에 따라 적절하게 사용할 수 있으며, 금속 산화물이 친수성이면 탈이온수(DI water)를 사용할 수 있으며, 소수성이면 알코올계 용매, 일례로 에탄올(C2H5OH) 또는 메탄올(CH3OH)을 사용할 수 있고, 경우에 따라 2종 이상은 혼합하여 사용할 수도 있다.If the metal oxide is hydrophilic, deionized water (DI water) can be used. If the metal oxide is hydrophobic, an alcohol solvent such as ethanol (C 2 H 5 OH) or Methanol (CH 3 OH) may be used, and two or more kinds of them may be mixed and used in some cases.
상기 분산은 10 내지 30℃ 온도에서 수행될 수 있으며, 별도의 가열 공정이나 냉각공정이 필요하지 않아 공정 단계가 줄어들어 경제적인 효과가 있다. 또한, 상기 분산은 200 내지 400rpm의 속도로 5 내지 30분동안 수행할 수 있으며, 교반 속도가 200rpm 미만이거나 교반 시간이 5분 미만일 경우, 교반이 불충분할 수 있고, 반면에 교반 속도가 400rpm을 초과하거나 교반 시간이 30분을 초과할 경우 더 이상의 분산 효과 없이 공정 시간이 길어져 비경제적일 수 있다.The dispersion can be carried out at a temperature of 10 to 30 占 폚, and there is no need for a separate heating step or cooling step, thereby reducing the number of processing steps, which is economical. In addition, the dispersion can be performed at a speed of 200 to 400 rpm for 5 to 30 minutes, and when the stirring speed is less than 200 rpm or the stirring time is less than 5 minutes, the stirring may be insufficient, while the stirring speed exceeds 400 rpm Or if the agitation time exceeds 30 minutes, the process time may become longer without any further dispersion effect, which may be uneconomical.
상기 판상 기재를 용매에 분산시켜 현탁액을 제조한 후, 산 또는 염기를 첨가하여 pH를 1 내지 9로 조절할 수 있다. 현탁액의 pH 범위를 일정하게 유지함으로써 판상 기재 표면에 금속 산화물의 효율적인 코팅이 용이하도록 할 수 있다.After the slurry is dispersed in a solvent to prepare a suspension, the pH can be adjusted to 1 to 9 by adding an acid or a base. By maintaining the pH range of the suspension constant, efficient coating of the metal oxide on the surface of the substrate can be facilitated.
여기서 사용되는 산 또는 염기는 염화수소(HCl) 또는 수산화나트륨(NaOH, 가성소다) 희석액일 수 있으며, 상기 희석액을 사용하여 현탁액의 pH를 1 내지 9 범위로 조절하여 적정할 수 있다. The acid or base used herein may be hydrogen chloride (HCl) or sodium hydroxide (NaOH, caustic soda) diluent, and the pH of the suspension may be adjusted to a range of 1 to 9 by using the diluent.
pH 값이 1 미만이면 금속 산화물 입자가 판상 기재에 피복되기가 어렵고, pH 값이 9를 초과하면 금속 산화물의 과도한 응집으로 인해 판상 기재 표면의 피복층이 균일하지 않고 불규칙한 크기와 형태를 갖게 되어 코팅 상태가 저하될 수 있다.If the pH value is less than 1, it is difficult for the metal oxide particles to be coated on the substrate. If the pH value exceeds 9, the coating layer on the surface of the substrate is uneven and irregular in size and shape due to excessive aggregation of the metal oxide, Can be lowered.
이어서, pH가 상기 범위로 조절된 현탁액에 금속염을 첨가할 수 있다. 상기 금속염으로는 주석(Sn), 칼슘(Ca), 알루미늄(Al), 아연(Zn), 바륨(Ba) 또는 마그네슘(Mg)일 수 있으며, 경우에 따라 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.Subsequently, a metal salt may be added to the suspension whose pH is adjusted to the above range. The metal salt may be tin (Sn), calcium (Ca), aluminum (Al), zinc (Zn), barium (Ba), or magnesium (Mg).
상기 금속염은 상기 현탁액에 분산된 판상 기재 100중량부에 대하여 0.1 내지 5중량부 첨가할 수 있으며, 바람직하게 0.1 내지 2중량부를 첨가할 수 있다. 상기 금속염이 0.1중량부 미만인 경우에는 판상 기재 표면에 금속 산화물의 코팅 효율이 떨어지며, 2중량부를 초과하는 경우에는 코팅 특성 향상 효과가 미미하다.The metal salt may be added in an amount of 0.1 to 5 parts by weight, preferably 0.1 to 2 parts by weight, based on 100 parts by weight of the plate-like base material dispersed in the suspension. When the amount of the metal salt is less than 0.1 part by weight, the coating efficiency of the metal oxide is lowered on the surface of the substrate. If the amount exceeds 2 parts by weight, the effect of improving the coating properties is insignificant.
상기 금속염을 현탁액에 첨가하는 경우에 첨가 속도는 2 내지 20ml/min일 수 있으며, 바람직하게는 2 내지 10ml/min으로 조절할 수 있다. 첨가 속도가 2ml/min 미만인 경우에는 공정 시간이 길어져 경제성 및 생산성 저하를 초래할 수 있고, 20ml/min을 초과하는 경우에는 판상 기재 입자의 분산이 떨어져 금속 산화물이 판상 기재 표면에 고르게 코팅되지 않을 수 있다.When the metal salt is added to the suspension, the addition rate may be 2 to 20 ml / min, preferably 2 to 10 ml / min. If the addition rate is less than 2 ml / min, the process time may become long, which may lead to economical efficiency and productivity deterioration. If the addition rate exceeds 20 ml / min, the dispersion of the plate-like base particles may fall and the metal oxide may not be uniformly coated on the surface of the plate- .
이후, 상기 현탁액에 금속 산화물 또의 상기 금속 산화물의 염을 첨가함으로써 상기 판상 기재 상에 금속 산화물을 코팅시켜 금속 산화물층을 형성할 수 있다.Thereafter, a metal oxide or a salt of the metal oxide may be added to the suspension to form a metal oxide layer on the substrate.
상기 금속 산화물은 평균 입경이 1 내지 200nm의 적외선 반사 물질일 수 있으며, 바람직하게는 평균 입경이 10 내지 100nm의 적외선 반사 물질일 수 있다. 금속 산화물의 평균 입경이 1nm 미만인 경우에는 코팅하기 매우 어려우며, 200nm를 초과하는 경우에는 광산란으로 인한 일사반사율(total solar reflectance, TSR)의 효율 향상에 주는 영향이 미미하다. 여기서 평균 입경은 레이저광 회절법 등에 의한 입도 분포 측정 장치 등을 이용하여 측정된 누적 중량 평균값 D50을 의미한다.The metal oxide may be an infrared reflective material having an average particle diameter of 1 to 200 nm, and preferably an infrared reflective material having an average particle diameter of 10 to 100 nm. If the average particle diameter of the metal oxide is less than 1 nm, coating is very difficult. If the average particle diameter exceeds 200 nm, the effect of improving the total solar reflectance (TSR) due to light scattering is insignificant. Here, the average particle diameter means a cumulative weighted average value D50 measured using a particle size distribution measuring apparatus or the like by laser light diffractometry or the like.
상기 금속 산화물의 구체적인 예로, 바람직하게 산화티타늄, 산화알루미늄, 산화지르코늄 또는 산화주석을 사용할 수 있으며, 바람직하게는 산화티타늄을 사용할 수 있다. 경우에 따라 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.As a specific example of the metal oxide, titanium oxide, aluminum oxide, zirconium oxide or tin oxide can be preferably used, and titanium oxide can be preferably used. In some cases, two or more of them may be used in combination.
상기 금속 산화물의 염은 금속 산화물의 염화염, 탄산염, 황산염, 아황산염, 인산염, 질산염, 아질산염 또는 수산화물일 수 있다.The salt of the metal oxide may be a salt, a carbonate, a sulfate, a sulfite, a phosphate, a nitrate, a nitrite, or a hydroxide of a metal oxide.
상기 금속 산화물층은 0.05 내지 5㎛일 수 있으며, 상기 금속 산화물층의 두께가 상기 범위를 벗어나는 경우 적외선 반사 효과가 미미하거나 비경제적일 수 있다. The metal oxide layer may have a thickness of 0.05 to 5 占 퐉. When the thickness of the metal oxide layer is out of the above range, the infrared ray reflection effect may be insignificant or uneconomical.
상기의 단계들을 통하여 제조된 금속 산화물이 코팅된 판상 기재에 대하여 세척 및 건조단계 및 여과단계를 추가적으로 수행할 수 있다.The washing step, the drying step and the filtration step may be additionally performed on the metal oxide-coated plate-like substrate produced through the above steps.
상기 세척 및 건조단계는 구체적으로, 중공 판상 물질을 함유한 현탁액을 탈수시키고 탈이온수 또는 알코올계 용매를 이용하여 수세한 후, 약 80 내지 150℃의 온도에서 4 내지 8시간 동안 건조하여 건조된 분말을 수득할 수 있다.Specifically, the suspension containing the hollow plate-like material is dewatered, washed with deionized water or an alcohol-based solvent, dried at a temperature of about 80 to 150 ° C for 4 to 8 hours, Can be obtained.
이때, 건조 온도가 80℃ 미만일 경우 건조 시간이 길어져 경제성 및 생산성이 저하될 수 있고, 150℃를 초과하는 경우 분말 입자간 응집이 증가하는 현상이 발생할 수 있다.If the drying temperature is lower than 80 ° C, the drying time may be prolonged, leading to deterioration of economy and productivity. If the drying temperature exceeds 150 ° C, agglomeration between powder particles may increase.
여과단계는 상기 세척 및 건조단계를 통하여 제조된 건조된 중공 판상 물질을 여과 필터를 이용하여 여과하는 단계이다.The filtration step is a step of filtering the dried hollow plate material prepared through the washing and drying step using a filter.
상기 여과단계는 구체적으로, 건조된 분말의 입자 크기에 맞는 메쉬(mesh)망을 사용하여 스크린 처리하여 이물질을 제거하여 응집된 입자를 풀어줄 수 있다.Specifically, the filtration step may be screened by using a mesh net corresponding to the particle size of the dried powder to remove foreign matter to release the aggregated particles.
판상 기재 제거단계(S12)는 상기 금속 산화물층이 형성된 판상 기재를 산(acid) 또는 염기(base)로 처리하여 상기 판상 기재를 제거하는 단계로, 금속 산화물의 코팅 기재 역할을 하는 판상 기재를 제거함으로써 내부가 빈(중공(中空)) 형태인 판상 물질을 제조할 수 있다. 이 때, 중공 형태는 전부 밀폐된 형상이거나 일부 개방된 형태일 수 있다.The step of removing the plate-shaped substrate (S12) is a step of removing the plate-like substrate by treating the plate-like substrate having the metal oxide layer formed thereon with an acid or a base, and removing the plate- Thereby producing a plate-like material whose interior is hollow (hollow). At this time, the hollow shape may be a completely closed shape or a partially opened shape.
상기 판상 기재를 제거하기 위해 사용되는 산은 강산일 수 있으며, 구체적으로 염화수소(HCl), 질산(HNO3) 또는 불화수소(HF)를 사용할 수 있다. 또한, 상기 염기는 강염기일 수 있으며, 구체적으로 수산화나트륨(NaOH) 또는 수산화칼륨(KOH)을 사용할 수 있다.The acid used for removing the plate substrate may be a strong acid, and specifically hydrogen chloride (HCl), nitric acid (HNO 3 ), or hydrogen fluoride (HF) may be used. In addition, the base may be a strong base, and specifically, sodium hydroxide (NaOH) or potassium hydroxide (KOH) may be used.
상기 산 또는 염기는 질량 퍼센트농도가 5 내지 30%일 수 있으며, 바람직하게는 12 내지 18%인 것이 효과적이다. 산 또는 염기의 질량 퍼센트농도가 5% 미만이면 금속 산화물층이 코팅된 판상 기재에서 판상 기재 부분의 용해가 잘 되지 않아 중공 형태가 형성되지 어려울 수 있으며, 30%를 초과하면 과도한 농도로 인해 판상 기재뿐만 아니라 피복된 금속 산화물층이 용해될 수 있다.The acid or base may have a mass percentage concentration of 5 to 30%, preferably 12 to 18%. If the mass percentage concentration of the acid or base is less than 5%, it may be difficult to form a hollow shape due to insufficient dissolution of the plate-like substrate portion in the plate-shaped substrate coated with the metal oxide layer, and if it exceeds 30% In addition, the coated metal oxide layer can be dissolved.
상기 판상 기재 제거단계(S12)는 금속 산화물층이 형성된 판상 기재를 산에 5 내지 48시간 동안 담지하여 수행될 수 있으며, 바람직하게는 12 내지 36시간 동안 담지할 수 있다. 담지하는 시간이 5시간 미만이면 판상 기재의 용해가 충분히 이루어지지 않아 중공 형태가 형성되지 않을 수 있으며, 48시간을 초과하면 피복된 금속 산화물층이 용해될 수 있다.The plate-like substrate removing step (S12) may be carried out by carrying the plate-like substrate having the metal oxide layer formed thereon to the acid for 5 to 48 hours, preferably 12 to 36 hours. If the supporting time is less than 5 hours, the plate-shaped base material is not sufficiently dissolved and a hollow shape may not be formed, and if it exceeds 48 hours, the coated metal oxide layer may be dissolved.
따라서, 판상 기재를 제거하기 위해서는 산의 농도 및 담지 시간의 제어가 중요한 요소이다.Therefore, control of the concentration of the acid and the holding time is an important factor for removing the plate-shaped substrate.
이 때, 상기 판상 기재의 제거는 100℃ 이상의 수열에서 이루어지는 경우, 판상 기재를 더욱 용이하게 제거할 수 있다.At this time, in the case where the removal of the plate-like base material is carried out by hydrothermal treatment at 100 ° C or more, the plate-like base material can be more easily removed.
상기의 단계들을 통하여 제조된 중공 판상 물질을 분말 형태로 얻기 위하여, 세척 및 건조단계 및 여과단계를 추가적으로 수행할 수 있다. 세척 및 건조단계 및 여과단계의 구체적인 내용은 상술한 바와 동일하게 수행할 수 있다.In order to obtain the hollow plate-like material produced through the above steps in the form of powder, washing, drying and filtration steps may be additionally performed. The details of the washing and drying step and the filtration step can be carried out in the same manner as described above.
본 발명의 다른 실시예에 의한 중공 판상 물질의 제조방법은, 도 2에 도시된 바와 같이 제1 금속 산화물층 형성단계(S21), 전-중공층 형성단계(S22), 제2 금속 산화물층 형성단계(S23) 및 판상 기재 및 전-중공층 제거단계(S24)를 포함할 수 있다.As shown in FIG. 2, the method for manufacturing a hollow plate-shaped material according to another embodiment of the present invention includes forming a first metal oxide layer (S21), a pre-hollow layer forming step (S22), forming a second metal oxide layer Step S23 and a plate-like substrate and pre-hollow layer removal step S24.
상기 제1 금속 산화물층 형성단계(S21)는 상술한 금속 산화물층 형성단계(S11)와 동일한 방법으로 수행될 수 있다.The first metal oxide layer forming step (S21) may be performed in the same manner as the metal oxide layer forming step (S11).
상기 전-중공층 형성단계(S22)는 제1 금속 산화물층 상에 전-중공층을 형성하는 단계이다. 여기서, "전-중공층"의 용어는 추후 공정에 의해 중공층을 형성하게되는 부분으로, 중공층이 형성되기 전단계 상태의 층을 의미한다.The pre-hollow layer forming step (S22) is a step of forming a pre-hollow layer on the first metal oxide layer. Here, the term "pre-hollow layer" means a portion where a hollow layer is to be formed by a later process, and means a layer before the hollow layer is formed.
상기 전-중공층을 형성하는 물질은 판상 기재을 형성하는 물질을 사용할 수 있으며, 산 또는 염기에 용해되는 물질이 바람직하고, 구체적으로 운모, 클레이, 층상이중수산화물, 디칼코겐화물, 인산지르코늄, 실리카 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 물질일 수 있다.The material forming the pre-hollow layer may be a material that forms a plate-like substrate, and is preferably a material soluble in an acid or a base, and specifically includes mica, a clay, a layered double hydroxide, a dicarcogenide, zirconium phosphate, Or a combination thereof.
상기 전-중공층은 이후에 수행되는 판상 기재 및 전-중공층 제거단계(S24)에서 제거되는 부분으로, 전-중공층이 빈 형태를 가지는 이중층의 중공형태를 제조할 수 있다.The pre-hollow layer is a portion removed in the subsequent step of removing the plate-like base material and pre-hollow layer (S24), and a double-layer hollow form having a pre-hollow layer may be produced.
상기 제2 금속 산화물층 형성단계(S23)는 상술한 금속 산화물층 형성단계(S11)와 동일한 방법으로 수행될 수 있다.The second metal oxide layer forming step (S23) may be performed in the same manner as the metal oxide layer forming step (S11).
이 때, 상기 전-중공층 형성단계(S22)와 상기 제2 금속 산화물층 형성단계(S23)를 복수 회 실시하여 삼중층 이상의 중공형태를 가지는 중공 판상 물질을 제조할 수 있다.At this time, the pre-hollow layer forming step (S22) and the second metal oxide layer forming step (S23) may be repeated a plurality of times to produce a hollow plate material having a triple or more hollow form.
상기 판상 기재 및 전-중공층 제거단계(S24)는 상기 판상 기재를 산(acid) 또는 염기(base) 처리하여 상기 판상 기재 및 상기 전-중공층을 제거하는 단계이며, 상술한 판상 기재 제거단계(S12)와 동일한 방법으로 수행될 수 있다.The step of removing the plate-like base material and the pre-hollow layer (S24) is a step of removing the plate-like base material and the pre-hollow layer by treating the plate-like base material with an acid or a base, (S12).
상기 판상 기재 및 전-중공층 제거단계(S24)를 통하여, 판상 기재 및 1층 이상 이상 코팅된 전-중공층을 제거함으로써, 이중층 또는 삼중층 이상의 중공형태를 가지는 중공 판상 물질의 구현이 가능하다.By removing the plate-like base material and the pre-hollow layer coated by one or more layers through the step of removing the plate-like base material and the pre-hollow layer (S24), it is possible to realize a hollow plate material having a double- .
본 발명의 일 실시예에 의한 중공 판상 물질은 중공부 및 상기 중공부의 일부 또는 전부에 형성되고, 적외선 반사 물질을 포함하는 쉘부를 포함할 수 있다. The hollow plate-like material according to an embodiment of the present invention may include a hollow portion and a shell portion formed on part or all of the hollow portion and including an infrared reflective material.
상기 쉘부의 두께는 0.05 내지 5㎛이고, 상기 중공 판상 물질의 입경은 1 내지 260㎛이고, 두께는 0.1 내지 100㎛일 수 있다.The thickness of the shell portion may be 0.05 to 5 탆, the diameter of the hollow plate material may be 1 to 260 탆, and the thickness may be 0.1 to 100 탆.
상기 쉘부는 단일층일 수 있고, 상기 쉘부의 일부 또는 전부에 이격되어 형성되는 적어도 하나의 쉘부를 더 포함할 수 있다.The shell portion may be a single layer, and may further include at least one shell portion spaced apart from a part or all of the shell portion.
상기 중공부와 복수 층의 쉘부가 있는 경우 각 쉘부 사이의 이격된 공간은 상술한 제조방법에 판상 기재 및 전-중공층이 용해된 자리일 수 있다.In the case where the hollow portion and a plurality of shell portions are provided, the spaced-apart space between the shell portions may be a place where the plate-shaped substrate and the pre-hollow layer are dissolved in the above-described manufacturing method.
본 발명의 일 실시예에 의한 방법으로 제조된 중공 판상 물질은 적외선 반사 물질을 포함하는 쉘부에 의해 280 내지 2,500nm의 파장 영역의 태양광 중에서 적외선을 포함하는 일사 반사율이 82 내지 99%로 적외선 차폐 기능을 가질 수 있다. The hollow plate-shaped material manufactured by the method according to an embodiment of the present invention is characterized in that a shell portion including an infrared ray reflecting material has a solar radiation reflectance of 82 to 99% including infrared rays among solar rays in a wavelength range of 280 to 2,500 nm, Function.
동시에 내부의 단일층 또는 다층의 중공부를 가지고 있어 단열 효과가 뛰어나며, 구체적으로 열전도도가 25 내지 200mW/m·K일 수 있다.
At the same time, it has an inner single layer or a multilayered hollow portion, so that the heat insulating effect is excellent. Specifically, the thermal conductivity can be 25 to 200 mW / mK.
[실시예][Example]
이하에서는, 본 발명의 적외선 반사 효과를 가지면서 단열 효과 기능이 우수한 무기 소재를 제조할 수 있는 중공 판상 물질의 우수한 효과를 입증하기 위한 실험을 실시한 결과를 나타낸다.Hereinafter, the results of experiments conducted to demonstrate the excellent effects of the hollow plate material capable of producing an inorganic material having an infrared ray reflecting effect of the present invention and having an excellent heat insulating effect function are shown.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 상세하게 설명하지만, 이는 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
Hereinafter, the present invention will be described in detail by way of examples, but the present invention is not limited thereto.
실시예Example 1 One
1L 비커에 입경이 6∼41㎛인 판상 유리 플레이크 10g을 탈이온수 100ml에 분산시킨 후 25℃에서 교반기를 사용하여 200rpm으로 교반을 실시하여 현탁액을 제조하였다. 이어서, 현탁액을 85℃까지 가열한 후, 85℃에 도달하였을 때 0.1mol/L 염화수소(HCl) 희석액을 첨가하여 현탁액의 pH를 1~2로 조정하였다. 다음으로, 현탁액을 200rpm으로 교반하면서 SnCl4 2.36중량%의 양(판상 유리 플레이크 100중량% 기준)으로 전자 펌프(electric pump)를 사용하여 적정한 후 30분 동안 교반을 실시하였다. 다음으로, TiOCl2 20중량%(판상 유리 플레이크 100중량% 기준)를 2시간에 걸쳐 일정한 속도로 적정하면서 2mol/L 수산화나트륨(NaOH) 희석액으로 pH를 일정하게 유지시켰다. 반응이 끝난 후 현탁액을 여과하여 탈수시키고 수세한 후, 100℃에서 8시간 동안 건조를 실시하여 소성하고 메쉬로 스크린 공정을 실시하여 판상 유리에 TiO2가 단일층으로 코팅된 물질을 합성하였다. 다음으로 20% 불화수소(HF) 희석액에 TiO2가 코팅된 판상 기재를 24시간 동안 담지하여 판상 기재를 용해한 용액을 여과하여 탈수시키고, 수세한 후 100℃에서 8시간 동안 건조시켜 중공 판상 물질을 제조하였다.
10 g of flaky glass flake having a particle diameter of 6 to 41 탆 was dispersed in 100 ml of deionized water in a 1 L beaker and stirred at 200 rpm using a stirrer at 25 캜 to prepare a suspension. Subsequently, the suspension was heated to 85 캜, and when the temperature reached 85 캜, the pH of the suspension was adjusted to 1 to 2 by adding a 0.1 mol / L hydrogen chloride (HCl) dilution. Next, the suspension was with stirring at 200rpm SnCl 4 2.36% by weight of the amount were performed after stirring for 30 minutes using a suitable electronic pump (electric pump) to (plate-
실시예Example 2 2
1L 비커에 입경이 6∼41㎛인 판상 유리 플레이크 10g을 탈이온수 100ml에 분산시킨 후 25℃에서 교반기를 사용하여 200rpm으로 교반을 실시하여 현탁액을 제조하였다. 이어서, 현탁액을 85℃까지 가열한 후, 85℃에 도달하였을 때 0.1mol/L 염화수소(HCl) 희석액을 첨가하여 현탁액의 pH를 1~2로 조정하였다. 다음으로, 현탁액을 200rpm으로 교반하면서 SnCl4 2.36중량%(판상 유리 플레이크 100중량% 기준)의 양으로 전자 펌프(electric pump)를 사용하여 적정한 후 30분 동안 교반을 실시하였다. 다음으로, TiOCl2 20중량%(판상 유리 플레이크 100중량% 기준)를 2시간에 걸쳐 일정한 속도로 적정하면서 2mol/L 수산화나트륨(NaOH) 희석액으로 pH를 일정하게 유지시켰다. 반응이 끝난 후 현탁액을 여과하여 탈수시키고 수세한 후, 100℃에서 8시간 동안 건조를 실시하여 소성하고 메쉬로 스크린 공정을 실시하여 판상 유리에 TiO2가 단일층으로 코팅된 물질을 합성하였다. TiO2가 단일층으로 코팅된 물질 분말 10g을 탈이온수 100ml와 에탄올 500ml의 혼합용액에 분산시킨 후 25℃에서 교반기를 사용하여 500rpm으로 1시간에 걸쳐 교반을 실시하였다. 이어서, 0.7mol/L 암모니아수(NH3?H2O) 희석액을 첨가하여 혼합 후 300rpm으로 교반을 실시하였다. 45℃까지 가열한 후, 45℃ 온도에 도달했을 때, TEOS(Tetraethyl orthosilicate)을 TiO2가 코팅된 합성안료 대비 20중량%의 양으로 첨가하여 500rpm으로 6시간 동안 교반을 실시하였다. 반응이 끝난 후 용액을 여과하여 탈수시키고, 수세한 후 100℃에서 8시간 동안 건조를 실시하여 메쉬(mesh)로 스크린 작업을 실시하여 TiO2가 코팅된 소재 표면에 SiO2가 코팅된 소재를 합성하였다. 이어서, 동일한 방법으로 TiO2를 코팅하여, TiO2가 이중층으로 코팅된 물질을 합성하였다. 다음으로 20% 불화수소(HF) 희석액에 TiO2가 코팅된 판상 기재를 24시간 동안 담지하여 판상 기재를 용해한 용액을 여과하여 탈수시키고, 수세한 후 100℃에서 8시간 동안 건조시켜 중공 판상 물질을 제조하였다.
10 g of flaky glass flake having a particle diameter of 6 to 41 탆 was dispersed in 100 ml of deionized water in a 1 L beaker and stirred at 200 rpm using a stirrer at 25 캜 to prepare a suspension. Subsequently, the suspension was heated to 85 캜, and when the temperature reached 85 캜, the pH of the suspension was adjusted to 1 to 2 by adding a 0.1 mol / L hydrogen chloride (HCl) dilution. Next, the suspension was titrated with an electric pump in an amount of 2.36% by weight (based on 100% by weight of flaky glass flakes) of SnCl 4 while stirring at 200 rpm, and then stirred for 30 minutes. Next, 20% by weight of TiOCl 2 (based on 100% by weight of the flaky glass flake) was titrated at a constant rate over 2 hours while the pH was kept constant with 2 mol / L sodium hydroxide (NaOH) diluent. After the reaction was completed, the suspension was filtered, dewatered and washed with water, dried at 100 ° C for 8 hours, and sintered and screened with a mesh to synthesize a material coated with a single layer of TiO 2 on the glass plate. 10 g of the material powder coated with TiO 2 as a single layer was dispersed in a mixed solution of 100 ml of deionized water and 500 ml of ethanol and stirred at 25 ° C for 1 hour at 500 rpm using a stirrer. Subsequently, 0.7 mol / L ammonia water (NH 3 - H 2 O) dilution was added, and the mixture was stirred at 300 rpm. When the temperature reached 45 ° C, TEOS (tetraethyl orthosilicate) was added in an amount of 20% by weight based on the TiO 2 -coated synthetic pigment, and the mixture was stirred at 500 rpm for 6 hours. After the reaction was completed, the solution was filtered, dehydrated, and then washed and dried at 100 ° C for 8 hours. The screen was screened with a mesh to synthesize SiO 2 -coated material on the TiO 2 -coated surface Respectively. Subsequently, TiO 2 was coated by the same method to synthesize a material in which TiO 2 was coated with a double layer. Next, a plate-shaped substrate coated with TiO 2 on a 20% hydrogen fluoride (HF) diluent was loaded for 24 hours to remove the plate-like base material. The resulting solution was filtered and dewatered. The plate was washed with water and dried at 100 ° C. for 8 hours to obtain a hollow plate- .
실시예Example 3 3
실시예 1에서 20% 불화수소(HF) 희석액 대신 15% 염화수소(HCl) 희석액을 사용하고, TiO2가 코팅된 판상 기재를 150℃에서 24시간 동안 담지한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 조건으로 중공 판상 물질을 제조하였다.
The procedure of Example 1 was repeated except that a 15% hydrogen chloride (HCl) dilution was used in place of the 20% hydrogen fluoride (HF) diluent and the TiO 2 -coated plate substrate was loaded at 150 ° C. for 24 hours To prepare a hollow plate-like material.
실시예Example 4 4
실시예 1에서 20% 불화수소(HF) 희석액 대신 15% 수산화나트륨(NaOH) 희석액을 사용하고, TiO2가 코팅된 판상 기재를 150℃에서 24시간 동안 담지한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 조건으로 중공 판상 물질을 제조하였다.
The same procedure as in Example 1 was carried out except that a 15% sodium hydroxide (NaOH) dilution was used instead of the 20% hydrogen fluoride (HF) diluent in Example 1 and the TiO 2 coated plate- A hollow plate material was prepared.
실시예Example 5 5
실시예 1에서 입경이 6∼41㎛인 판상 유리 플레이크 대신 입경이 9∼45㎛인 판상 운모를 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 조건으로 중공 판상 물질을 제조하였다.
A hollow platelet material was prepared in the same manner as in Example 1, except that plate-like mica having a particle size of 9 to 45 占 퐉 was used instead of the plate-shaped glass flake having a particle size of 6 to 41 占 퐉.
실시예Example 6 6
실시예 5에서 20% 불화수소(HF) 희석액 대신 15% 염화수소(HCl) 희석액을 사용하고, TiO2가 코팅된 판상 기재를 150℃에서 24시간 동안 담지한 것을 제외하고, 실시예 5와 동일한 조건으로 중공 판상 물질을 제조하였다.
The procedure of Example 5 was repeated except that 15% hydrochloric acid (HCl) diluent was used instead of 20% hydrogen fluoride (HF) diluent and TiO 2 -coated plate substrate was loaded at 150 ° C. for 24 hours To prepare a hollow plate-like material.
비교예Comparative Example 1 One
시판 3M 유리 중공구(soda lime borosilicate glass) 조성으로, 평균입경이 45㎛의 크기를 갖는 중공구 비드를 사용하였다.
A commercially available hollow sphere bead having a size of 45 탆 in average particle size was used as a composition of soda lime borosilicate glass.
비교예Comparative Example 2 2
평균 입경이 10×40nm크기를 갖는 니들형 TiO2(Nano amor社)를 사용하였다.
Needle-type TiO 2 (Nano amor) having an average particle size of 10 x 40 nm was used.
비교예Comparative Example 3 3
입경이 6∼41㎛이고, 두께가 1,000nm인 유리 플레이크를 사용하였다.
A glass flake having a particle size of 6 to 41 mu m and a thickness of 1,000 nm was used.
비교예Comparative Example 4 4
입경이 6∼41㎛이고, 두께가 1,000nm인 유리 플레이크 기재 표면에 TiO2의 두께가 65nm로 코팅된 분말을 사용하였다.
A powder coated with a TiO 2 thickness of 65 nm was used on the surface of a glass flake substrate having a particle diameter of 6 to 41 μm and a thickness of 1,000 nm.
실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 4의 물질에 대해 밀도, 적외선 일사 반사율 및 열전도도를 평가하였다. 각 평가 항목의 평가 방법은 아래와 같으며, 평가 결과는 하기 표 1에 기재하였다.
The materials of Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 4 were evaluated for density, IR reflectance and thermal conductivity. The evaluation methods of the evaluation items are as follows, and the evaluation results are shown in Table 1 below.
가스식 밀도Gas-type density
분말 시료의 밀도 측정은 Micromeritics社의 피크노미터(Pycnometer, AccuPyc 1330) 제품을 이용하여 실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 4의 물질 분말의 무게를 측정 한후 3.5cc 용기에 시료를 넣고 He 가스를 주입하여 시료가 차지하고 있는 부피(True density)를 알아내어 비중을 측정하였다. The density of the powder samples was measured by using a Pycnometer (AccuPyc 1330) product of Micromeritics, and the weight of the powders of Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 4 was measured. A sample was placed in a 3.5 cc container, and a He gas And the specific gravity of the sample was measured.
일사 반사율(Solar reflectance ( totaltotal solarsolar reflectancereflectance , , TSRTSR ) 평가) evaluation
일사 반사율은 JASCO社의 V-570제품을 이용하여 전체 파장영역 280~2500㎚의 베이스라인(baseline)을 잡은 후, 실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 4의 물질에 대하여 280~2,500㎚에서의 적외선을 포함한 일사 반사율 값을 하기 [식 1]을 통해 연산하여 얻었다.
The solar radiation reflectance was measured at 280 to 2,500 nm for the materials of Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 4 after taking a baseline of 280 to 2500 nm in the entire wavelength range using a V-570 product of JASCO Corporation Was obtained by calculating the reflectance value of the solar radiation including the infrared rays through the following equation (1).
[식 1][Formula 1]
(상기 식 1에서, Rλ는 물체에 반사하는 파장, Iλ는 물체에 입사하는 파장으로 정의된다.)
(In the above formula (1), R ? Is a wavelength reflected on an object, and I ? Is defined as a wavelength incident on an object.)
열전도도 평가Thermal conductivity evaluation
열전도도는 레이저 플래쉬 분석(laser flash analysis, LFA) 장비로 측정하였으며, 알루미늄으로 된 작은 원판형 디스크 모양의 유체 셀에 실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 4의 물질을 채운 후, 물질의 한쪽 면에 레이저를 투사하여 가열하고, 반대편에 열이 전달되는 시간을 적외선 센서로 측정하였다.
The thermal conductivity was measured with a laser flash analysis (LFA) instrument and the material of Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 4 was filled in a small disk-shaped disk-shaped fluid cell made of aluminum, The laser was projected on the surface and heated. The time when the heat was transferred to the opposite side was measured with an infrared sensor.
(g/ml)density
(g / ml)
(%)Solar reflectance
(%)
(mW/m·K)Thermal conductivity
(mW / mK)
상기 표 1에 의하면 실시예 1 내지 6에 의해 제조된 중공 판상 물질은 일사 반사율이 높고 열전도도가 낮아, 적외선 반사 효과 및 단열 효과가 우수함을 알 수 있었다. 또한, 밀도가 작게 측정되어 중공 형태가 잘 형성된 것을 예상할 수 있으며, 중공 형태는 도 3 내지 도 6에 의해 더 명확히 알 수 있다.According to Table 1, the hollow plate-like materials prepared in Examples 1 to 6 have a high solar radiation reflectance and a low thermal conductivity, and are excellent in infrared reflection effect and heat insulation effect. In addition, it can be expected that the density is measured to be small and the hollow shape is formed well, and the hollow shape can be more clearly understood from FIG. 3 to FIG.
TiO2가 이중층으로 코팅된 중공 판상 물질(실시예 2)은 TiO2가 단일층으로 코팅된 중공 판상 물질(실시예 1)에 비하여 일사 반사율이 높고, 열전도도가 낮아 중공 구조가 이중으로 형성되는 경우 적외선 반사 효과 및 단열 효과가 더욱 우수함을 알 수 있었다.The hollow plate material in which TiO 2 is coated with a double layer (Example 2) has a higher solar radiation reflectance and lower thermal conductivity than a hollow plate material (Example 1) in which TiO 2 is coated with a single layer, It is found that the infrared ray reflection effect and the heat insulation effect are more excellent.
유리 중공구 비드를 사용한 비교예 1은 중공 형태이더라도 금속 산화물이 아닌 재료로 이루어진 것이어서, 일사 반사율이 낮고 열전도도가 높게 측정되었다.Comparative Example 1 using glass hollow spherical beads was made of a material which is not a metal oxide even in a hollow form, so that the reflectance of the solar radiation was low and the thermal conductivity was high.
또한, 비교예 2의 경우 금속 산화물로 이루어진 물질을 사용하였으나 일사 반사율과 열전도도가 모두 작게 측정되었다.Also, in the case of Comparative Example 2, a material consisting of a metal oxide was used, but both the reflectance and the thermal conductivity were measured to be small.
또한, 비교예 3은 판상과 유사한 형태의 유리 플레이크를 사용하였으나 일사 반사율이 매우 낮게 측정되어 적외선 반사 효과가 미미하며, 열전도도가 높아 단열 효과도 떨어짐을 알 수 있었다.In addition, in Comparative Example 3, glass flakes similar to those of a plate-like form were used, but the reflectance of the infrared ray was measured to be very low, so that the infrared ray reflection effect was insignificant and the thermal conductivity was low.
또한, 유리 플레이크 기재 표면에 TiO2를 코팅한 물질을 사용한 경우 금속 산화물층을 형성하더라도 실시예들에 비하여 일사 반사율이 낮을 뿐만 아니라, 열전도도가 매우 높게 측정되어 단열 효과를 구현하기 어려웠다.In addition, when a material coated with TiO 2 is used on the surface of the glass flake substrate, the solar radiation reflectance is low as compared with the embodiments, and thermal conductivity is measured to be very high even when a metal oxide layer is formed.
이에 따라, 중공 판상 형태를 가지면서 금속 산화물로 이루어진 물질이 적외선 반사 및 단열 효과에 주요한 요소가 됨을 알 수 있으며, 본 발명에 의한 중공 판상 물질을 사용함으로써 단열재에 용이하게 적용할 수 있음을 예상할 수 있다.Accordingly, it can be seen that a material composed of a metal oxide having a hollow plate shape is a major factor in the infrared ray reflection and heat insulating effect, and it is expected that the hollow plate material according to the present invention can be easily applied to a heat insulating material .
본 발명의 권리범위는 상술한 실시예에 한정되는 것이 아니라 첨부된 특허청구범위 내에서 다양한 형태의 실시예로 구현될 수 있다. 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가지는 자라면 누구든지 변형 가능한 다양한 범위까지 본 발명의 청구범위 기재의 범위 내에 있는 것으로 본다.The scope of the present invention is not limited to the above-described embodiments, but may be embodied in various forms of embodiments within the scope of the appended claims. It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the present invention as defined by the appended claims.
Claims (15)
상기 금속 산화물층이 형성된 판상 기재를 산(acid) 또는 염기(base) 처리하여 상기 판상 기재를 제거하는 판상 기재 제거단계를 포함하는 중공 판상 물질의 제조방법.
A metal oxide layer forming step of forming a metal oxide layer by coating a metal oxide on a plate-like base material having a particle diameter of 1 to 260 mu m and a thickness of 0.1 to 10 mu m; And
And removing the plate-like base material by subjecting the plate-like base material having the metal oxide layer formed thereon to an acid or base treatment to remove the plate-like base material.
상기 판상 기재는 운모(mica), 클레이(clay), 층상이중수산화물(layered double hydroxides), 디칼코겐화물(di-chalcogenides), 인산지르코늄(zirconium phosphate), 유리 플레이크(glass flake), 실리카 플레이크(silica flake) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 중공 판상 물질의 제조방법.
The method according to claim 1,
The plate substrate may be selected from the group consisting of mica, clay, layered double hydroxides, di-chalcogenides, zirconium phosphate, glass flake, silica flake flake), and combinations thereof.
상기 클레이는 카올린, 몬모릴로나이트, 헥토라이트, 필로실레케이트, 마가다이트, 라포나이트, 카네마이트 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 중공 판상 물질의 제조방법.
3. The method of claim 2,
Wherein the clay is selected from the group consisting of kaolin, montmorillonite, hectorite, phyllosilicate, magadiite, laponite, carneite, and combinations thereof.
상기 판상 기재는 두께와 입경의 길이비가 1:1 내지 1:300인 중공 판상 물질의 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the plate-like base material has a thickness-to-diameter length ratio of 1: 1 to 1: 300.
상기 금속 산화물은 평균 입경이 1 내지 200nm의 적외선 반사 물질을 포함하는 중공 판상 물질의 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the metal oxide comprises an infrared reflective material having an average particle diameter of 1 to 200 nm.
상기 금속 산화물은 산화티타늄, 산화알루미늄, 산화지르코늄, 산화주석 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 중공 판상 물질의 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the metal oxide is selected from the group consisting of titanium oxide, aluminum oxide, zirconium oxide, tin oxide, and combinations thereof.
상기 금속 산화물층은 두께가 0.05 내지 5㎛인 중공 판상 물질의 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the metal oxide layer has a thickness of 0.05 to 5 占 퐉.
상기 산 또는 염기는 질량 퍼센트농도가 5 내지 30%인 중공 판상 물질의 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the acid or base has a mass percentage concentration of 5 to 30%.
상기 판상 기재 제거단계는 상기 금속 산화물층이 형성된 판상 기재를 상기 산 또는 염기에 5 내지 48시간 동안 담지하여 수행되는 중공 판상 물질의 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the step of removing the plate-like base material is carried out by supporting the plate-like base material on which the metal oxide layer is formed on the acid or base for 5 to 48 hours.
상기 제1 금속 산화물이 형성된 판상 기재에 운모, 클레이, 층상이중수산화물, 디칼코겐화물, 인산지르코늄, 실리카 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 물질을 코팅하여 전-중공층을 형성하는 전-중공층 형성단계;
상기 전-중공층이 형성된 판상기재에 제2 금속 산화물을 코팅하여 제2 금속 산화물층을 형성하는 제2 금속 산화물층 형성단계; 및
상기 판상 기재를 산(acid) 또는 염기(base) 처리하여 상기 판상 기재 및 상기 전-중공층을 제거하는, 판상 기재 및 전-중공층 제거단계를 포함하는 중공 판상 물질의 제조방법.
A first metal oxide layer forming step of forming a first metal oxide layer by coating a first metal oxide on a plate-shaped substrate having a particle diameter of 1 to 260 탆 and a thickness of 0.1 to 10 탆;
The plate-shaped substrate on which the first metal oxide is formed is coated with a material selected from the group consisting of mica, clay, layered double hydroxides, dicalcogenides, zirconium phosphate, silica, and combinations thereof to form a pre- A layer forming step;
A second metal oxide layer forming step of forming a second metal oxide layer by coating a second metal oxide on the plate-shaped substrate on which the pre-hollow layer is formed; And
And removing the plate-like base material and the pre-hollow layer by treating the plate-like base material with an acid or a base to remove the plate-like base material and the pre-hollow layer.
상기 전-중공층 형성단계 및 상기 제2 금속 산화물층 형성단계를 복수 회 실시하는 것인 중공 판상 물질의 제조방법.
11. The method of claim 10,
Wherein the pre-hollow layer forming step and the second metal oxide layer forming step are performed a plurality of times.
중공; 및
상기 중공의 일부 또는 전부에 형성되고, 산화티타늄, 산화알루미늄, 산화지르코늄, 산화주석 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 적외선 반사 물질을 포함하는 쉘부를 포함하고,
상기 쉘부의 두께는 0.05 내지 5㎛이고,
상기 중공 판상 물질의 입경은 1 내지 260㎛이고, 두께는 0.1 내지 10㎛인 중공 판상 물질.
As the hollow plate material,
Hollow; And
And a shell portion formed on part or all of the hollow and including an infrared reflective material selected from the group consisting of titanium oxide, aluminum oxide, zirconium oxide, tin oxide, and combinations thereof,
The thickness of the shell portion is 0.05 to 5 탆,
The hollow plate-shaped material has a particle diameter of 1 to 260 탆 and a thickness of 0.1 to 10 탆.
상기 쉘부의 일부 또는 전부에 이격되어 형성되고, 상기 적외선 반사 물질을 포함하는 적어도 하나의 쉘부를 더 포함하는 중공 판상 물질.
13. The method of claim 12,
And at least one shell portion spaced apart from or at least part of the shell portion and including the infrared reflective material.
상기 중공 판상 물질은 일사 반사율이 82내지 99%이고, 열전도도가 25 내지 200mW/m·K인 중공 판상 물질.13. The method of claim 12,
The hollow plate-like material has a solar radiation reflectance of 82 to 99% and a thermal conductivity of 25 to 200 mW / m · K.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020140085887A KR101538271B1 (en) | 2014-07-09 | 2014-07-09 | Method for preparing plate-shaped material with hollowness and plate-shaped material with hollowness |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020140085887A KR101538271B1 (en) | 2014-07-09 | 2014-07-09 | Method for preparing plate-shaped material with hollowness and plate-shaped material with hollowness |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR101538271B1 true KR101538271B1 (en) | 2015-07-23 |
Family
ID=53875527
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020140085887A KR101538271B1 (en) | 2014-07-09 | 2014-07-09 | Method for preparing plate-shaped material with hollowness and plate-shaped material with hollowness |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101538271B1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017135569A1 (en) * | 2016-02-02 | 2017-08-10 | 씨큐브 주식회사 | Cosmetics with excellent ultraviolet screening effect and manufacturing method thereof |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20100108632A (en) * | 2009-03-30 | 2010-10-08 | 한국표준과학연구원 | Preparation method of porous hollow capsules |
| KR101180040B1 (en) * | 2012-03-30 | 2012-09-07 | 백산철강(주) | Hollow Composites with Enhanced Anti-Hygroscopicity and Light Penetration, Fabrication Process the Composite, Insulation Material Containing the Composite and Application Thereof |
-
2014
- 2014-07-09 KR KR1020140085887A patent/KR101538271B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20100108632A (en) * | 2009-03-30 | 2010-10-08 | 한국표준과학연구원 | Preparation method of porous hollow capsules |
| KR101180040B1 (en) * | 2012-03-30 | 2012-09-07 | 백산철강(주) | Hollow Composites with Enhanced Anti-Hygroscopicity and Light Penetration, Fabrication Process the Composite, Insulation Material Containing the Composite and Application Thereof |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017135569A1 (en) * | 2016-02-02 | 2017-08-10 | 씨큐브 주식회사 | Cosmetics with excellent ultraviolet screening effect and manufacturing method thereof |
| KR101854855B1 (en) * | 2016-02-02 | 2018-05-08 | 씨큐브 주식회사 | Method of manufacturing cosmetics with excellent protection effect for ultraviolet light |
| US10646423B2 (en) | 2016-02-02 | 2020-05-12 | Cqv Co., Ltd. | Cosmetic product having excellent UV-blocking effect and manufacturing method thereof |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Bao et al. | Hierarchical flower-like hollow SiO2@ TiO2 spheres with enhanced thermal insulation and ultraviolet resistance performances for building coating | |
| Zhu et al. | Recent advances in nanotechnology-based functional coatings for the built environment | |
| Ren et al. | Facile synthesis, photoluminescence properties and microwave absorption enhancement of porous and hollow ZnO spheres | |
| Modwi et al. | Lowering energy band gap and enhancing photocatalytic properties of Cu/ZnO composite decorated by transition metals | |
| Guo et al. | Simple route to (NH 4) x WO 3 nanorods for near infrared absorption | |
| JP4184958B2 (en) | Substrate coated with composite film, manufacturing method and use | |
| Karthik et al. | High performance broad band antireflective coatings using a facile synthesis of ink-bottle mesoporous MgF2 nanoparticles for solar applications | |
| Soumya et al. | Enhanced near-infrared reflectance and functional characteristics of Al-doped ZnO nano-pigments embedded PMMA coatings | |
| WO2012096171A1 (en) | Flake-like mesoporous particles and manufacturing method therefor | |
| EP3786237A1 (en) | Self-cleaning coating, self-cleaning fiber, self-cleaning carpet and uses thereof | |
| Yao et al. | Fabrication of mechanically robust, self-cleaning and optically high-performance hybrid thin films by SiO 2 &TiO 2 double-shelled hollow nanospheres | |
| KR101751803B1 (en) | Vanidium based hollow particle | |
| Liu et al. | Controllable synthesis of small size Cs x WO 3 nanorods as transparent heat insulation film additives | |
| TWI510434B (en) | A chain-like silica-based hollow fine particles and a method for producing the same, a coating liquid for forming a transparent film containing the fine particles, and a substrate coated with a transparent film | |
| Li et al. | Synthesis of hollow TiO2@ SiO2 spheres via a recycling template method for solar heat protection coating | |
| JP5973912B2 (en) | Method for making an anti-reflective coating | |
| Eshaghi et al. | Preparation and characterization of TiO 2 sol–gel modified nanocomposite films | |
| Miljević et al. | Molybdenum doped TiO2 nanocomposite coatings: visible light driven photocatalytic self-cleaning of mineral substrates | |
| Blanchart | Extraction, properties and applications of titania | |
| JP4477052B2 (en) | Method for producing metal nanoparticle inorganic composite and metal nanoparticle inorganic composite | |
| KR101538271B1 (en) | Method for preparing plate-shaped material with hollowness and plate-shaped material with hollowness | |
| Silva et al. | Titanium dioxide (TiO2) and silver/titanium dioxide (Ag/TiO2) thin films with self-cleaning properties | |
| Wu et al. | Hollow core-shell nanocoatings with gradient refractive index structure for enhanced photovoltaic performance | |
| Vukajlovic et al. | Diamond-doped silica aerogel for solar geoengineering | |
| JP6146715B2 (en) | Method for producing zinc oxide particles using ozone |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |