KR101530254B1 - Wire Guide and Ingot Slicing Apparatus Including The Same - Google Patents

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KR101530254B1
KR101530254B1 KR1020140000214A KR20140000214A KR101530254B1 KR 101530254 B1 KR101530254 B1 KR 101530254B1 KR 1020140000214 A KR1020140000214 A KR 1020140000214A KR 20140000214 A KR20140000214 A KR 20140000214A KR 101530254 B1 KR101530254 B1 KR 101530254B1
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Abstract

According to an embodiment, an ingot cutting device having a wire saw to cut a silicon ingot comprises: a wire guide on which a wire saw is wound; and a mounting block supporting a silicon ingot moving the silicon ingot to the wire saw. The wire guide comprises: a spindle to rotate the wire guide; a pair of semi-circular plates surrounding the spindle; and a pair of semi-circular pad parts attached to an upper surface of the plates. The plates and the pad parts are attached to the spindle while being separated from each other. An inclined surface is formed on an end of each semi-circular pad part. Therefore, the present invention prevents deformation caused when the end of the pad parts are in contact to each other by the thermal expansion of the wire guide, and improves a deflection of a wafer or a nanoquality by minimizing a phase change of the cut surface of the ingot.

Description

와이어 가이드 및 이를 포함한 잉곳 절단 장치{Wire Guide and Ingot Slicing Apparatus Including The Same}Technical Field [0001] The present invention relates to a wire guide and an ingot cutting apparatus including the wire guide.

본 발명은 와이어 가이드 장치에 대한 것으로서, 보다 상세하게는 잉곳 절단면의 평탄도를 균일하게 할 수 있는 잉곳 절단용 와이어 가이드 및 이를 포함한 잉곳 절단 장치에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wire guide apparatus, and more particularly, to a wire guide for cutting an ingot and a ingot cutting apparatus including the same, which can make the flatness of the ingot cut surface uniform.

실리콘 웨이퍼는 단결정 실리콘 잉곳을 얇은 두께로 절단하여 제조한다. 이러한 슬라이싱 방법에는 여러가지가 있으며, 고장력의 와이어쏘(Wire Saw)를 이용하여 테이블에 장착된 잉곳을 이동하면서 슬러리를 공급하여 웨이퍼 형태로 절단하는 와이어쏘 방식이 여러개의 웨이퍼를 동시에 제조할 수 있어 널리 사용되고 있다. Silicon wafers are produced by cutting a single-crystal silicon ingot to a thin thickness. There are various slicing methods, and a wire saw method in which a slurry is supplied to a wafer shape by moving a ingot mounted on a table by using a high-tension wire saw (wire saw) can simultaneously manufacture a plurality of wafers, .

도 1은 종래 와이어 쏘 장치를 나타낸 도면이다. 1 is a view showing a conventional wire saw apparatus.

종래의 와이어 쏘 장치는 빔(140)을 이용하여 잉곳(115)을 부착하여 지지하는 마운팅 블록(110)과, 잉곳(115)의 하부에 위치하며 일정 간격으로 와이어(150)가 권취된 와이어 가이드(120)와, 와이어(150) 상으로 슬러리를 공급하는 슬러리 공급 노즐(130)을 포함한다.The conventional wire saw apparatus includes a mounting block 110 for attaching and supporting an ingot 115 by using a beam 140 and a wire guide 150 which is positioned at a lower portion of the ingot 115, A wire 120, and a slurry supply nozzle 130 for supplying the slurry onto the wire 150.

에폭시와 같은 유기물 본드를 이용하여 빔(140)의 일면을 마운팅 블록(110) 에 부착하고, 또 다른 유기물 본드를 이용하여 잉곳(115)을 상기 빔(140)의 다른 일면에 부착한다. 위의 유기물 본드를 경화시키면 마운팅 블록(110)과 빔(140), 그리고 잉곳(115)이 서로 부착되어 고정된다.One side of the beam 140 is attached to the mounting block 110 using an organic bond such as epoxy and the ingot 115 is attached to the other side of the beam 140 using another organic bond. When the organic material bond is cured, the mounting block 110, the beam 140, and the ingot 115 are attached and fixed to each other.

이렇게 잉곳(115)이 고정된 마운팅 블록(110)을 와이어 쏘 장치에 로딩한 후 잉곳(115)을 절단함으로써 슬라이싱 공정이 진행된다. 와이어 가이드(120)는 잉곳(115)의 하부에 위치하며, 외주면에 일정 간격(pitch)으로 와이어(150)가 권취되어 있다. 권취된 와이어(150)의 간격에 의해 슬라이싱되는 웨이퍼의 개수 및 두께가 결정될 수 있다.The slicing process proceeds by cutting the ingot 115 after loading the mounting block 110 in which the ingot 115 is fixed to the wire saw apparatus. The wire guide 120 is located below the ingot 115, and the wire 150 is wound on the outer circumferential surface at a predetermined pitch. The number and thickness of wafers sliced by the spacing of the wound wires 150 can be determined.

상기 와이어(150)의 상부에는 슬러리를 공급하는 슬러리 공급 노즐(130)이 위치하며, 상기 슬러리에는 연마 그레인이 포함되어 있어, 마운팅 블록(110)에 장착된 잉곳(115)이 와이어(150)를 향해 이동하여 가압될 때 와이어(150)에 묻어 있던 연마 그레인에 의해 잉곳(115)이 절단된다.A slurry supply nozzle 130 for supplying a slurry is disposed on the wire 150 and abrasive grains are included in the slurry so that the ingot 115 mounted on the mounting block 110 contacts the wire 150 The ingot 115 is cut by the abrasive grains on the wire 150.

도 2는 일반적인 와이어 가이드의 내부를 나타낸 사시도이다. 도 2를 참조하면, 와이어 가이드(120)는 중심부에 와이어(150)를 회전시키기 위한 스핀들(121)이 배치되고, 스핀들(121)을 둘러싸는 한쌍의 반원형 플레이트(124)와 플레이트(124)와 대응되는 면에 부착된 우레탄 등의 패드(125)로 이루어져 있다. 2 is a perspective view showing the inside of a general wire guide. 2, the wire guide 120 includes a pair of semicircular plates 124 and a plate 124 surrounding the spindle 121, a spindle 121 for rotating the wire 150, And a pad 125 made of urethane or the like attached to the corresponding surface.

잉곳 절단 공정을 반복하게 되면, 와이어 가이드 내부에서 회전하는 스핀들의 잦은 고장이 발생되며 스핀들의 용이한 교체를 위해 플레이트(124)는 한쌍의 반원형으로 이루어지고 단부가 소정의 간격만큼 이격되어 형성된다. If the ingot cutting process is repeated, frequent breakdown of the spindle rotating in the wire guide occurs. For easy replacement of the spindle, the plate 124 is formed of a pair of semicircles and the ends are spaced apart by a predetermined distance.

도 3은 도2 와이어 가이드의 단면을 나타낸 도면이다. 도 3을 참조하면, 보다 얇은 웨이퍼를 제조하기 위해 와이어 가이드에 권취되는 와이어가 증가하게 되고, 와이어 가이드에 압력이 가해지면 상기 플레이트의 열팽창에 의해 반원형 플레이트(125a, 125b)에 부착되어 있는 패드(124a, 124b) 사이의 유격이 감소하게 된다. 상기 패드(124a, 124b) 사이의 유격이 감소되면 패드의 단부가 서로 겹치게 되고, 와이어 가이드에 권취된 와이어의 피치가 달라져 절단되는 웨이퍼의 평탄도 품질에 악영향을 미치는 문제점이 발생한다.
FIG. 3 is a cross-sectional view of the wire guide of FIG. 2; FIG. Referring to FIG. 3, the number of wires wound on the wire guide increases to produce a thinner wafer. When pressure is applied to the wire guide, the thermal expansion of the plate causes the pads (125a, 125b) 124a, 124b is reduced. If the clearance between the pads 124a and 124b is reduced, the ends of the pads are overlapped with each other, and the pitch of the wires wound around the wire guide is varied, adversely affecting the flatness quality of the cut wafer.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 와이어 가이드의 외주면에 부착된 패드부의 단부에 경사면을 형성함으로써, 와이어 가이드의 팽창에 의한 잉곳 절단면의 위상 변화를 최소화할 수 있는 와이어 가이드 및 이를 포함한 잉곳 절단 장치를 제공하는데에 목적이 있다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in order to solve the above-described problems, and it is an object of the present invention to provide a wire guide capable of minimizing the phase change of the ingot cut surface due to the expansion of the wire guide by forming an inclined surface at the end portion of the pad portion attached to the outer circumferential surface of the wire guide, And a cutting device.

실시예는 실리콘 잉곳을 절단하기 위한 와이어쏘가 구비되는 잉곳 절단 장치로서, 상기 와이어쏘가 권취되는 와이어 가이드; 및 상기 실리콘 잉곳이 지지되며, 상기 와이어 쏘로 상기 실리콘 잉곳을 이동시키는 마운팅 블록;을 포함하고, 상기 와이어 가이드는, 상기 와이어 가이드를 회전시키는 스핀들과, 상기 스핀들을 둘러싸는 한쌍의 반원형 플레이트와, 상기 플레이트 상면에 부착되는 한쌍의 반원형 패드부로 이루어지고, 상기 플레이트와 패드부는 소정의 간격으로 이격되어 상기 스핀들에 부착되며, 상기 각각의 반원형 패드부의 단부에는 소정의 각도로 경사면이 형성된다.An embodiment is an ingot cutting apparatus comprising a wire saw for cutting a silicon ingot, the wire saw having the wire saw wound thereon; And a mounting block for supporting the silicon ingot and moving the silicon ingot with the wire saw, wherein the wire guide includes a spindle for rotating the wire guide, a pair of semicircular plates surrounding the spindle, And a pair of semicircular pad portions attached to an upper surface of the plate, wherein the plate and the pad portions are spaced apart from each other by a predetermined distance and attached to the spindle, and an inclined surface is formed at an end of each of the semicircular pad portions at a predetermined angle.

상기 경사면은 상기 플레이트의 단부의 수직방향 연장선을 기준으로 1~5도만큼 경사진 것을 특징으로 한다. And the inclined surface is inclined at an angle of 1 to 5 degrees with respect to a line extending in the vertical direction of the end portion of the plate.

서로 마주보는 패드부의 단부에 형성된 경사면의 최상부 지점간의 거리는 300㎛~400㎛ 만큼 이격될 수 있다. The distance between the uppermost points of the inclined surfaces formed at the ends of the pad portions facing each other can be spaced apart by 300 to 400 占 퐉.

본 발명의 실시예에 따르면, 와이어 가이드에 부착된 한쌍의 패드부 단부에 경사면이 형성되어 소정의 간격으로 이격됨으로써, 와이어 가이드의 열팽창에 의해 상기 패드부의 단부가 서로 접촉하여 변형이 일어나는 현상을 방지할 수 있다. 따라서, 잉곳 절단면의 위상 변화가 최소화되어 웨이퍼의 휨이나 나노 품질을 개선할 수 있다. According to the embodiment of the present invention, since the end portions of the pair of pads attached to the wire guide are formed with the inclined surfaces and are spaced apart at a predetermined interval, the end portions of the pads do not contact each other due to the thermal expansion of the wire guide, can do. Therefore, the phase change of the ingot cut surface is minimized, and warping and nano quality of the wafer can be improved.

도 1은 종래의 와이어 쏘 장치를 나타낸 도면
도 2는 일반적인 와이어 가이드의 내부를 나타낸 사시도
도 3은 도2 와이어 가이드의 단면을 나타낸 도면
도 4는 본 발명의 와이어 가이드의 단면을 나타낸 도면
도 5는 종래의 와이어 가이드를 사용한 경우 웨이퍼의 평탄도 품질을 나타낸 그래프
도 6은 종래의 와이어 가이드를 사용한 경우 웨이퍼의 평탄도 품질을 나타낸 그래프1 is a view showing a conventional wire saw apparatus;
2 is a perspective view showing the inside of a general wire guide.
Fig. 3 is a cross-sectional view of the wire guide of Fig. 2
4 is a cross-sectional view of the wire guide of the present invention
5 is a graph showing the flatness quality of a wafer when a conventional wire guide is used
6 is a graph showing the flatness quality of a wafer when a conventional wire guide is used

이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세하게 설명하지만, 본 발명의 실시예에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 본 발명을 설명함에 있어서, 공지된 기능 혹은 구성에 대해 구체적인 설명은 본 발명의 요지를 명료하게 하기 위해 생략될 수 있다.The embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited to these embodiments. In describing the present invention, a detailed description of well-known functions or constructions may be omitted for the sake of clarity of the present invention.

도 4는 실시예에 따른 와이어 가이드의 단면을 나타낸 도면이다. 4 is a cross-sectional view of the wire guide according to the embodiment.

실시예에 따른 잉곳 절단용 와이어 가이드(220)는 와이어 가이드(220)를 회전시키는 스핀들(221), 스핀들(221) 외주면에는 한쌍의 반원형 플레이트(224a, 224b)가 소정의 간격만큼 이격되어 결합되고, 상기 반원형 플레이트(224a, 224b) 상면에는 다수개의 와이어가 권취되기 위한 폴리 우레탄과 같은 재질의 한쌍의 반원형 패드부(225a, 225b)가 부착된다. The wire guide 220 for cutting an ingot according to an embodiment includes a spindle 221 for rotating the wire guide 220 and a pair of semicircular plates 224a and 224b spaced apart from each other by a predetermined distance on the outer circumferential surface of the spindle 221 And a pair of semicircular pad portions 225a and 225b made of polyurethane material for winding a plurality of wires are attached to the upper surface of the semicircular plates 224a and 224b.

상기 패드부(225a, 225b)는 상기 플레이트(224a, 224b)와 대응되는 면에 부착되어 소정의 간격만큼 이격되어 형성된다. 잉곳 절단 공정을 수차례 수행함에 따라, 절단 공정 중 계속해서 회전하는 스핀들(221)은 주기적인 교체가 필요하며, 교체를 용이하게 하기 위해 상기 패드부(225a, 225b)와 상기 플레이트(224a, 224b)는 탈부착이 용이하도록 한쌍의 반원형 형상으로 제조되어 결합된다. The pad portions 225a and 225b are attached to the surfaces corresponding to the plates 224a and 224b and are spaced apart from each other by a predetermined distance. As the ingot cutting process is repeated several times, the spindle 221, which continuously rotates during the cutting process, needs to be periodically replaced and the pads 225a and 225b and the plates 224a and 224b Are manufactured and coupled in a pair of semicircular shapes to facilitate detachment and attachment.

표 1과 같이, 제조되는 웨이퍼의 두께가 얇아짐에 따라 와이어 가이드에 권취되는 와이어 사이의 피치가 세선화된다. 즉, 와이어 가이드에 권취되는 와이어가 증가하게 되고, 이는 와이어 가이드의 하중을 증가시킴으로써 와이어 가이드의 회전에 따른 압력의 크기를 증가시킨다. As shown in Table 1, as the thickness of the wafer to be manufactured becomes thinner, the pitch between the wires wound around the wire guide is thinned. That is, the number of wires wound on the wire guide increases, which increases the load of the wire guide, thereby increasing the magnitude of the pressure due to the rotation of the wire guide.

구분division 와이어 권취량Wire winding volume 와이어 장력Wire tension 하중weight 종래Conventional 417417 30N30N 25000N25000N 세선화Thin line 439439 30N30N 26340N26340N

따라서, 본 발명은 와이어의 세선화에 따라 와이어 가이드에 가해지는 압력이 증가하여도 와이어가 권취되는 패드부(225a, 225b)간의 접촉이 발생하지 않는 와이어 가이드(220)를 제안한다. Accordingly, the present invention proposes a wire guide 220 that does not cause contact between the pads 225a and 225b to which the wire is wound even if the pressure applied to the wire guide increases according to the thinning of the wire.

구체적으로, 와이어 가이드(220)의 패드부(225a, 225b)가 서로 소정의 간격으로 이격된 점선 부분에서 접촉이 발생한다. 실시예는 점선 부분에 해당하는 패드부의 단부에 특징이 있는 것이며 이 부분을 확대한 도면을 참조하여 설명한다. Specifically, contact occurs at the dotted line portions where the pad portions 225a and 225b of the wire guide 220 are spaced apart from each other by a predetermined distance. The embodiment is characterized by the end portion of the pad portion corresponding to the dotted line portion, and this portion will be described with reference to an enlarged view.

각각의 반원형 패드부(225a, 225b)가 소정의 거리만큼 이격된 단부, 즉 각각의 패드부(225a, 225b)가 서로 마주보는 면은 소정의 각도(θ)만큼 파여진 경사면이 형성된다. 다시 말하면, 플레이트(224a, 224b) 단부 각각의 수직 연장선을 기준으로, 그 상면에 형성되는 패드부(225a, 225b)에는 상기 수직 연장선의 내부로 소정의 각도(θ)만큼 경사진 경사면(226, 227)이 형성된다. An end face of each of the semicircular pad portions 225a and 225b spaced apart by a predetermined distance, that is, a face where the respective pad portions 225a and 225b face each other, is formed with a sloped surface wiped by a predetermined angle?. In other words, the pad portions 225a and 225b formed on the upper surface of each of the plates 224a and 224b are provided with inclined surfaces 226 and 226 inclined by a predetermined angle? 227 are formed.

이 때, 상기 경사면(226, 227)은 플레이트(224a, 224b) 단부의 수직 연장선을 기준으로 1~10도만큼 경사지도록 형성될 수 있으며, 플레이트(224a, 224b)의 수평면을 기준으로 80~89도의 기울기를 갖는 경사면(226, 227)일 수 있으나, 보다 바람직하게 상기 경사면(226, 227)은 플레이트(224a, 224b) 단부의 수직 연장선을 기준으로 1~10도만큼 경사지도록 형성될 수 있다. The inclined surfaces 226 and 227 may be inclined by 1 to 10 degrees with respect to the vertical extension of the ends of the plates 224a and 224b. The inclined surfaces 226 and 227 may be inclined by 1 to 10 degrees with respect to the vertical extension of the ends of the plates 224a and 224b.

그리고, 상기 경사면(226, 227)에 의해 각 패드부(225a, 225b)가 이격된 거리(d), 즉 경사면(226, 227)의 최상부 지점간의 거리(d)는 300㎛~500㎛만큼 이격되도록 형성될 수 있으며, 바람직하게 각 경사면(226, 227)의 최상부 지점간의 거리(d)는 300㎛~400㎛만큼 이격되도록 형성될 수 있다. The distance d between the pad portions 225a and 225b spaced by the inclined surfaces 226 and 227, that is, the distance d between the uppermost points of the inclined surfaces 226 and 227 is 300 占 퐉 to 500 占 퐉 And preferably the distance d between the uppermost points of the respective inclined surfaces 226 and 227 may be formed to be spaced apart by 300 占 퐉 to 400 占 퐉.

이는 300㎜의 직경을 갖는 와이어 가이드 장치에 적용될 수 있는 경사면의 각도 및 경사면의 최상부 지점간의 거리의 바람직한 실시예를 설명한 것이며, 와이어 가이드의 직경에 따라 상기 경사면은 더 크거나 작은 각도로 형성될 수 있고, 경사면의 최상부 지점간의 거리 또한 더 크거나 작도록 형성될 수 있다. This describes a preferred embodiment of the angle of the slope and the distance between the highest point of the slope which can be applied to a wire guide device having a diameter of 300 mm and the slope may be formed at a larger or smaller angle depending on the diameter of the wire guide And the distance between the uppermost points of the slopes may also be formed larger or smaller.

상기와 같은 경사면(226, 227)이 형성된 본 발명의 패드부(225a, 225b)는 와이어 가이드(220)의 회전에 따른 압력이 증가할 경우에도, 각 패드부(225a, 225b)의 단부끼리 서로 접촉하는 것을 방지할 수 있다. The pad portions 225a and 225b of the present invention in which the inclined surfaces 226 and 227 are formed are formed such that the end portions of the pad portions 225a and 225b are spaced apart from each other It is possible to prevent contact.

즉, 와이어 가이드(220)의 열팽창에 의해 반원형 패드부(225a, 225b)의 단부가 서로 접촉하여 변형이 일어나는 현상을 방지할 수 있으며, 상기 패드부(225a, 225b)에 권취된 와이어의 피치(pitch)가 달라지는 것을 방지할 수 있다. In other words, it is possible to prevent the end portions of the semicircular pad portions 225a and 225b from being in contact with each other due to thermal expansion of the wire guide 220, and the pitch of the wires wound on the pad portions 225a and 225b pitch can be prevented from varying.

따라서, 실시예의 와이어 가이드(220)가 구비된 잉곳 절단 장치를 사용하여 잉곳에 대한 와이어 쏘 공정을 수행하면 잉곳 절단면의 위상 변화가 최소화되어 웨이퍼의 휨이나 나노 품질을 개선할 수 있다. Therefore, when the wire sawing process is performed on the ingot using the ingot cutting device equipped with the wire guide 220 of the embodiment, the phase change of the ingot cut surface is minimized, and the warpage and nano quality of the wafer can be improved.

도 5는 종래의 와이어 쏘 장치에 의해 절단된 잉곳의 절단면 프로파일을 나타낸 도면이며, 도 6은 실시예에 따른 와이어 가이드가 포함된 와이어 쏘 장치에 의해 절단된 잉곳의 절단면 프로파일을 나타낸 도면이다.FIG. 5 is a view showing a cut surface profile of an ingot cut by a conventional wire saw apparatus, and FIG. 6 is a view showing a cut surface profile of an ingot cut by a wire saw apparatus including a wire guide according to an embodiment.

도 5를 참조하면, 종래의 와이어 쏘 장치를 이용하여 잉곳을 절단하면, 열에 의한 와이어 가이드의 팽창과 와이어의 하중에 의한 압력에 의해 패드부의 변형이 일어나 잉곳 절단면에 휨이 크게 발생하는 것을 확인할 수 있다. (a)와 (b)는 잉곳 절단면의 여러 방향에 대한 프로파일을 나타낸 것이며, 절단면의 프로파일이 서로 상이하게 나타남으로써 웨이퍼의 평탄도 품질을 확보할 수 없음을 알 수 있다. 5, when the ingot is cut using a conventional wire saw apparatus, the pad portion is deformed due to the expansion of the wire guide due to heat and the pressure due to the load of the wire, have. (a) and (b) show the profile of the ingot cut surface in various directions, and the profiles of the cut surfaces are different from each other, so that the flatness quality of the wafer can not be ensured.

그러나, 실시예에 따른 도 6을 참조하면, 와이어 가이드가 팽창하거나 압력이 가해져 반원형 패드부 간의 압착이 발생하여도, 패드부 간의 경사면이 형성되어 서로 접촉하지 않기 때문에 패드부의 변형이 일어나지 않아 잉곳 절단면의 휨 현상이 크게 개선되어 종래에 비해 고른 절단면 프로파일을 나타내는 것을 확인할 수 있다. However, referring to FIG. 6 according to the embodiment, even if the wire guide expands or pressure is applied and the pressing between the semicircular pad portions occurs, the pad portions are not deformed because the inclined surfaces are formed between the pad portions, It is possible to confirm that the curved surface profile is more uniform than the conventional one.

이상에서 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It will be understood that various modifications and applications other than those described above are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments of the present invention can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

220: 와이어 가이드
221: 스핀들
224a, 224b: 플레이트
225a, 225b: 패드부
226, 227: 경사면220: Wire guide
221: spindle
224a, 224b: plate
225a and 225b:
226, 227:

Claims (6)

실리콘 잉곳을 절단하기 위한 와이어쏘가 구비되는 잉곳 절단 장치로서,
상기 와이어쏘가 권취되는 와이어 가이드; 및
상기 실리콘 잉곳이 지지되며, 상기 와이어 쏘로 상기 실리콘 잉곳을 이동시키는 마운팅 블록;을 포함하고,
상기 와이어 가이드는,
상기 와이어 가이드를 회전시키는 스핀들과,
상기 스핀들을 둘러싸며 상기 스핀들의 회전축 방향으로 절단된 한쌍의 반원형 플레이트와,
상기 플레이트와 동일한 형상으로 상기 플레이트의 상면에 부착되는 한쌍의 반원형 패드부로 이루어지고,
상기 스핀들 상에서 서로 마주보도록 부착되는 상기 플레이트의 양단은 서로 소정의 간격만큼 이격된 공간이 마련되도록 상기 스핀들에 부착되며,
상기 이격된 공간에서 각각의 패드부가 서로 마주보는 단부에는 소정의 각도로 경사면이 형성되는 잉곳 절단 장치. An ingot cutting apparatus comprising a wire saw for cutting a silicon ingot,
A wire guide on which the wire saw is wound; And
And a mounting block for supporting the silicon ingot and moving the silicon ingot with the wire saw,
The wire guide
A spindle for rotating the wire guide,
A pair of semicircular plates surrounding the spindle and cut in the direction of the axis of rotation of the spindle,
And a pair of semicircular pad portions attached to the upper surface of the plate in the same shape as the plate,
Wherein both ends of the plate, which are attached to face each other on the spindle, are attached to the spindle such that a space spaced apart from each other by a predetermined distance is provided,
And an inclined surface is formed at an end of each of the pad portions facing each other at a predetermined angle in the spaced space. 제 1항에 있어서,
상기 경사면은 상기 플레이트의 단부의 수직방향 연장선을 기준으로 1~5도만큼 경사진 것을 특징으로 하는 잉곳 절단 장치. The method according to claim 1,
Wherein the inclined surface is inclined at an angle of 1 to 5 degrees with respect to a line extending in the vertical direction of the end portion of the plate. 제 1항에 있어서,
서로 마주보는 패드부의 단부에 형성된 경사면의 최상부 지점간의 거리는 300㎛~400㎛ 만큼 이격되는 잉곳 절단 장치. The method according to claim 1,
And the distance between the uppermost points of the inclined surfaces formed at the end portions of the pad portions facing each other is spaced by 300 탆 to 400 탆. 외주면에 와이어가 권취된 와이어 가이드에 있어서,
상기 와이어 가이드는 상기 와이어 가이드를 회전시키는 스핀들과,
상기 스핀들을 둘러싸며 상기 스핀들의 회전축 방향으로 절단된 한쌍의 반원형 플레이트와,
상기 플레이트와 동일한 형상으로 상기 플레이트의 상면에 부착되는 한쌍의 반원형 패드부로 이루어지고,
상기 스핀들 상에서 서로 마주보도록 부착되는 상기 플레이트의 양단은 서로 소정의 간격만큼 이격된 공간이 마련되도록 상기 스핀들에 부착되며,
상기 이격된 공간에서 각각의 패드부가 서로 마주보는 단부에는 소정의 각도로 경사면이 형성되는 잉곳 절단용 와이어 가이드. In a wire guide in which a wire is wound around an outer peripheral surface,
The wire guide includes a spindle for rotating the wire guide,
A pair of semicircular plates surrounding the spindle and cut in the direction of the axis of rotation of the spindle,
And a pair of semicircular pad portions attached to the upper surface of the plate in the same shape as the plate,
Wherein both ends of the plate, which are attached to face each other on the spindle, are attached to the spindle such that a space spaced apart from each other by a predetermined distance is provided,
And an inclined surface is formed at an end of each of the pad portions facing each other in the spaced apart space at a predetermined angle. 제 4항에 있어서,
상기 경사면은 상기 플레이트의 단부의 수직방향 연장선을 기준으로 1~5도만큼 경사진 것을 특징으로 하는 잉곳 절단용 와이어 가이드. 5. The method of claim 4,
Wherein the inclined surface is inclined at an angle of 1 to 5 degrees with respect to a line extending in the vertical direction of the end portion of the plate. 제 4항에 있어서,
서로 마주보는 패드부의 단부에 형성된 경사면의 최상부 지점간의 거리는 300㎛~400㎛ 만큼 이격되는 잉곳 절단용 와이어 가이드. 5. The method of claim 4,
And the distance between the uppermost points of the inclined surfaces formed on the end portions of the pad portions facing each other is 300 [mu] m to 400 [mu] m apart.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2013086261A (en) * 2011-10-22 2013-05-13 Applied Materials Switzerland Sarl Clamp assembly for wire guide of wire-saw
KR101340199B1 (en) * 2012-08-14 2013-12-10 주식회사 엘지실트론 Wire guide apparatus

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