KR101528060B1 - Anti-deposition View port and ingot growing apparatus having the same - Google Patents

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Abstract

According to the present invention, provided is an anti-deposition view port which observes the inside of the closed chamber that supplies a space where a growing process of an ingot is performed. The anti-deposition view port comprises a body portion installed in an upper part of the chamber, and having a hole connected to the inside of the chamber; a window portion disposed at the hole of the body portion to close the chamber, and penetrating internal light; and a view port heater disposed at one side of the window portion, and heating the window portion. The disclosed invention has advantages of previously preventing a glass of the view port from being contaminated and maintaining a closed state of the chamber, also precisely observing the ingot growing in the chamber through the view port, and precisely measuring process data such as the diameter of the grew ingot and the like, thereby controlling process conditions through the precisely measured process data to produce a high qualified ingot.

Description

안티 디포지션 뷰 포트 및 이를 포함하는 잉곳성장장치 {Anti-deposition View port and ingot growing apparatus having the same} An anti-deposition view port and an ingot growing apparatus including the anti-deposition view port,

본 발명은 잉곳 성장을 관찰하기 위한 뷰포트와, 이를 포함하는 잉곳성장장치에 관한 것이다.The present invention relates to a viewport for observing ingot growth and an ingot growing apparatus including the same.

일반적으로 웨이퍼의 재료가 되는 실리콘 단결정 잉곳은 초크랄스키법(CZ법)으로 제조된다. In general, a silicon single crystal ingot which is a material of a wafer is manufactured by the Czochralski method (CZ method).

CZ법이란, 석영도가니에 실리콘을 넣고 석영도가니를 가열하여 실리콘을 용융시킨 후, 종자 결정(seed crystal)을 실리콘 융액에 접촉시킨 상태에서 회전하면서 서서히 끌어올리면서 종자 단결정 표면에서 융액을 고체로 응고시킴에 따라 소정의 직경을 갖는 잉곳을 성장시키는 방법이다.The CZ method is a method in which silicon is placed in a quartz crucible, the quartz crucible is heated to melt the silicon, the seed crystal is brought into contact with the silicon melt while being slowly rotated, and the melt is solidified on the surface of the seed crystal Thereby growing an ingot having a predetermined diameter in accordance with the heat treatment.

이러한 잉곳을 성장시키는 장치는 챔버 내부에 구성되며, 상기 챔버는 반도체 등의 전자 부품 소재로 사용되는 웨이퍼용 잉곳을 성장시키기 위한 소정의 공정들이 수행되는 공간을 제공한다. The apparatus for growing such an ingot is configured inside the chamber, and the chamber provides a space in which predetermined processes for growing the ingot for a wafer used as an electronic component material such as a semiconductor are performed.

그리고, 상기 챔버는 오염물질 유입 방지 및 내부 분위기를 유지하기 위하여 밀폐되어 있기 때문에, 챔버 내부에서 성장하는 잉곳을 관찰하기 위하여 챔버의 일 측에는 별도로 뷰 포트(view port)가 설치된다. Since the chamber is sealed to prevent contaminants from entering the inside of the chamber and to keep the inside atmosphere, a view port is separately installed on one side of the chamber to observe the ingot growing inside the chamber.

이러한 뷰 포트를 통해 잉곳의 성장을 육안으로 관찰할 수 있을 뿐만 아니라, 직경 측정 센서나 멜트 갭(M/G) 측정 센서 등은 뷰 포트를 통해 성장하는 잉곳의 직경과 멜트 갭과 같은 공정 데이터를 측정할 수 있다. In addition to observing the growth of the ingot through the view port, diameter measurement sensors and melt gap (M / G) measurement sensors can be used to measure process data such as diameter and melt gap of the ingot growing through the view port Can be measured.

이후, 위와 같이 측정된 실시간 공정 데이터를 고려하여 잉곳 인상속도나 히터 파워 등 잉곳성장의 공정조건이 결정되기 때문에, 챔버 내부의 공정 데이터를 정확하게 측정하는 것이 중요하다. Since the process conditions of the ingot growth such as the ingot pulling speed and the heater power are determined in consideration of the real-time process data measured as described above, it is important to accurately measure the process data in the chamber.

그런데, 상기 챔버 내부의 석영 도가니에서 발생하는 기화된 산화물(oxide)이나 도펀트에 의하여, 뷰 포트의 글라스가 오염되는 문제점이 발생한다. However, there is a problem that the glass of the view port is contaminated by the vaporized oxide or dopant generated in the quartz crucible inside the chamber.

특히, 공정의 후반부로 넘어갈수록 글라스의 오염은 더욱 심화되어 챔버 내부를 거의 관찰할 수 없을 정도로 오염되며, 뷰 포트를 통해 측정된 직경 등의 공정 데이터에 오차도 증가하게 된다. Particularly, as the process progresses to the latter part of the process, the contamination of the glass becomes deeper, so that the inside of the chamber becomes almost invisible, and errors in the process data such as the diameter measured through the view port are also increased.

결국에는 이러한 잘못된 공정 데이터에 의해 공정 조건이 결정되어, 성장된 잉곳의 품질이 저하되는 문제점이 발생하였다. Eventually, the process conditions are determined by such erroneous process data, and the quality of the grown ingot deteriorates.

이러한 오차를 방지하기 위하여, 측정 센서의 이동속도, 감도, 감도 조절 등을 실시하는 방안들이 제시되었지만 오차개선효과는 미비하였다.In order to prevent such an error, measures for controlling the moving speed, sensitivity, and sensitivity of the measuring sensor have been proposed, but the error improvement effect is insufficient.

본 발명은 위와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 글라스의 오염을 원천적으로 방지하여 잉곳의 성장을 정확하게 관찰할 수 있도록 하는 안티 디포지션 뷰 포트(Anti-deposition view-port)와 이를 포함하는 잉곳성장장치를 제안하고자 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide an anti-deposition view-port capable of precisely observing growth of an ingot by fundamentally preventing glass contamination, .

본 실시예의 안티 디포지션 뷰 포트는 잉곳의 성장공정이 수행되는 공간을 제공하는 밀폐된 챔버 내부를 관찰하기 위한 뷰 포트로서, 상기 챔버의 상부에 설치되며, 상기 챔버 내부와 연결된 홀을 가지는 바디부; 상기 바디부의 상측에 배치되어 상기 챔버를 밀폐하며, 내부의 빛을 투과하는 윈도우부; 및 상기 윈도우부의 일측에 배치되어, 상기 윈도우부를 가열하는 뷰 포트 히터; 를 포함하는 것을 특징으로 한다. The anti-deposition view port of the present embodiment is a view port for observing the inside of a closed chamber that provides a space in which an ingot growth process is performed. The anti-deposition view port includes a body portion having a hole connected to the inside of the chamber, ; A window disposed on the upper side of the body to seal the chamber and to transmit light therein; And a view port heater disposed at one side of the window portion to heat the window portion; And a control unit.

또한, 본 실시예의 잉곳성장장치는 잉곳의 성장공정이 수행되는 공간을 제공하고 밀폐된 챔버; 상기 챔버의 내부에 배치되어, 실리콘 멜트를 수용하는 석영도가니; 상기 실리콘 멜트에 시드를 침지하고 회전 및 인상하여 상기 잉곳을 성장시키는 인상수단; 상기 챔버의 일측에 설치되어 상기 챔버 내부의 공정상황을 관찰할 수 있도록 내부의 빛을 투과하는 뷰 포트; 를 포함하고, 상기 뷰 포트는 상기 챔버의 상부에 설치되며, 상기 챔버 내부와 연결된 홀을 가지는 바디부와, 상기 바디부의 상측에 배치되어 상기 챔버를 밀폐하며 내부의 빛을 투과하는 이중 글라스 구조의 윈도우부와, 및 상기 윈도우부의 일측에 배치되어 상기 윈도우부를 가열하는 뷰 포트 히터를 포함하는 것을 특징으로 한다. In addition, the ingot growing apparatus of this embodiment provides a space in which the growing process of the ingot is performed, A quartz crucible disposed within the chamber to receive the silicon melt; A pulling means for immersing the seed in the silicon melt and rotating and pulling the seed to grow the ingot; A viewport that is installed at one side of the chamber and transmits light through the inside of the chamber so as to observe a process situation inside the chamber; Wherein the viewport comprises: a body portion having a hole connected to the inside of the chamber, the viewport being disposed on an upper portion of the chamber; a double-glass structure disposed above the body portion to seal the chamber, And a view port heater disposed at one side of the window portion and heating the window portion.

제안되는 본 발명에 의하여 뷰 포트의 글라스 오염을 사전에 차단하면서, 챔버의 밀폐상태는 유지할 수 있는 장점이 있다. According to the present invention, it is possible to maintain the sealed state of the chamber while blocking the glass contamination of the view port in advance.

그리고, 이러한 뷰 포트를 통해 챔버 내부에서 성장하는 잉곳을 정확히 관찰할 수 있고, 성장되는 잉곳의 직경 등의 공정 데이터를 정밀하게 측정할 수 있는 장점이 있다.The ingot growing inside the chamber can be accurately observed through the view port, and the process data such as the diameter of the ingot to be grown can be accurately measured.

따라서, 정밀하게 측정된 공정 데이터를 통해 공정조건을 제어하여, 고품질의 잉곳을 생산할 수 있는 장점이 있다.Therefore, there is an advantage that a high-quality ingot can be produced by controlling process conditions through precisely measured process data.

도 1은 일반적인 잉곳성장장치의 개략적인 모습을 나타낸다.
도 2는 온도에 따라서 윈도우부에 증착한 오염물질의 두께를 나타내는 그래프이다.
도 3은 공정의 진행에 따라서 잉곳의 직경을 측정 값과 실제 잉곳의 직경을 비교하여 나타내는 그래프이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른, 이중 글라스 구조의 윈도우부의 단면을 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른, 이중 글라스 구조의 윈도우부에 히터 컨트롤러가 설치된 모습을 도면이다.
도 6은 일반적인 뷰 포트 글라스(a)와 본 실시예의 뷰 포트 글라스(b)를 비교하여 나타낸다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른, 공정 중의 챔버의 단면에 온도 분포를 나타낸다. 1 shows a schematic view of a general ingot growing apparatus.
2 is a graph showing the thickness of the contaminants deposited on the window portion according to the temperature.
3 is a graph showing the diameter of the ingot by comparing the measured value and the diameter of the actual ingot according to the progress of the process.
4 is a cross-sectional view of a window portion of a double glass structure according to an embodiment of the present invention.
5 is a view illustrating a heater controller installed in a window portion of a double glass structure according to an embodiment of the present invention.
Fig. 6 shows a comparison between a general view port glass (a) and a view port glass (b) of this embodiment.
Figure 7 shows the temperature distribution on the cross section of a chamber during a process, according to an embodiment of the present invention.

이하에서는, 본 실시예에 대하여 첨부되는 도면을 참조하여 상세하게 살펴보도록 한다. 다만, 본 실시예가 개시하는 사항으로부터 본 실시예가 갖는 발명의 사상의 범위가 정해질 수 있을 것이며, 본 실시예가 갖는 발명의 사상은 제안되는 실시예에 대하여 구성요소의 추가, 삭제, 변경 등의 실시변형을 포함한다고 할 것이다.
Hereinafter, the present embodiment will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It should be understood, however, that the scope of the inventive concept of the present embodiment can be determined from the matters disclosed in the present embodiment, and the spirit of the present invention possessed by the present embodiment is not limited to the embodiments in which addition, Variations.

도 1은 일반적인 잉곳성장장치의 개략적인 모습을 나타낸다. 1 shows a schematic view of a general ingot growing apparatus.

도 1을 참조하면, 본 실시예의 잉곳성장장치는 챔버(10)와, 실리콘 융액(S)을 담는 석영도가니(20)와, 상기 석영도가니(20)를 가열하기 위한 히터(30)와, 상기 실리콘 멜트에서 접하여 잉곳을 인상하는 시드(seed)를 고정하기 위한 시드 척(70)(seed chuck)과, 상기 시드 척(70)을 승강 및 회전시키는 인상수단과, 상기 석영도가니(20) 상측에서 실리콘 멜트와 멜트 갭(M/G)을 형성하는 열차폐체(40)를 포함한다. 1, the ingot growing apparatus of the present embodiment includes a chamber 10, a quartz crucible 20 for containing a silicon melt S, a heater 30 for heating the quartz crucible 20, A seed chuck 70 for holding a seed for attracting the ingot in contact with the silicon melt, a lifting means for lifting and rotating the seed chuck 70 and a lifting means for lifting the seed chuck 70 above the quartz crucible 20 And a heat shield 40 that forms a melt gap (M / G) with the silicon melt.

그리고, 본 실시예의 잉곳성장장치는 상기 챔버(10) 내부를 관찰하기 위한 뷰 포트(100)를 더 포함하며, 상기 챔버(10) 외부에는 뷰 포트(100)를 통해 잉곳의 직경을 측정하고 측정된 데이터로 인상속도의 제어하는 직경 센서부(200)(ADC)를 마련된다.The ingot growing apparatus of the present embodiment further includes a view port 100 for observing the inside of the chamber 10 and a diameter of the ingot is measured outside the chamber 10 through the view port 100, And a diameter sensor unit 200 (ADC) for controlling the pulling rate with the data.

좀더 상세히, 본 실시예의 잉곳성장장치는 구성들은 챔버(10) 내부에 배치되며, 상기 챔버(10)는 밀폐(sealing)되어 있기 때문에 챔버(10) 내부에서 성장되는 잉곳(IG)을 관찰하기 위해서는 별도의 뷰 포트 (100)(view port)가 설치되어야 한다. More specifically, in the ingot growing apparatus of this embodiment, the structures are disposed inside the chamber 10, and since the chamber 10 is sealed, the ingot IG grown in the chamber 10 A separate view port 100 should be installed.

상기 뷰 포트(100)는 챔버(10)의 일측에 설치되고, 챔버(10)의 밀폐상태(sealing)를 유지하면서 빛을 투과할 수 있도록 상부에는 윈도우부(110)가 구성된다. The view port 100 is installed on one side of the chamber 10 and a window part 110 is formed on the upper part so that light can be transmitted while maintaining the sealing of the chamber 10.

이러한 윈도우부(110)를 통해, 육안으로 잉곳의 성장공정을 관찰할 수 있고, 외부에 마련된 직경 센서부(200)와 같은 광학 센서들은 윈도우부(110)를 통해 내부 공정상황을 측정하여 공정 데이터(raw data)로 출력한다.The optical sensor such as the diameter sensor unit 200 provided outside can measure the internal process status through the window unit 110 and can output the process data (raw data).

상기 뷰 포트(100) 통해 측정하는 공정 데이터들로는 직경 센서부(200)에 의해 측정되는 잉곳의 직경뿐만 아니라 멜트 갭(M/G) 등도 해당될 수 있다. 즉, 뷰 포트를 통해 멜트 갭을 측정하는 멜트 갭 센서부(200)가 마련되어, 상기 멜트 갭 센서부(200)는 측정된 데이터로 상기 도가니 하부에 장착된 도가니 승강수단을 제어하여, 상기 멜트 갭을 적절한 값으로 유지할 수 있다. The process data measured through the view port 100 may include not only the diameter of the ingot measured by the diameter sensor unit 200 but also the melt gap (M / G). That is, a melt gap sensor unit 200 for measuring the melt gap through the view port is provided, and the melt gap sensor unit 200 controls the crucible elevation means mounted on the lower portion of the crucible with the measured data, Can be maintained at an appropriate value.

다만, 이하에서는 설명의 편의를 위하여, 뷰 포트(100)를 통해 측정되는 데이터는 잉곳의 직경으로 대표하여 설명하기로 한다. Hereinafter, for convenience of explanation, data measured through the view port 100 will be described in terms of the diameter of the ingot.

이러한 잉곳의 직경을 측정하여 로데이터(raw data)로 출력하는 직경 센서부(200)로는 적외선 센서(IR sensor), CCD 카메라 또는 고온계(pyrometer) 다양한 센서가 사용될 수 있다. As the diameter sensor unit 200 for measuring the diameter of the ingot and outputting it as raw data, various sensors such as an IR sensor, a CCD camera, or a pyrometer may be used.

본 실시예에서는 직경 센서부(200)로 성장되는 잉곳의 메니스커스(meniscus)의 밝기를 측정하여 실제 ADC 값(actual ADC)으로 산출한 후, 실제 ADC 값에 따라서 인상속도를 조절함으로써, 잉곳의 직경을 제어하는 ADC 센서부(200)(Automatic Diameter Control)를 사용하기로 한다. In this embodiment, the brightness of the meniscus of the ingot grown by the diameter sensor unit 200 is measured and calculated as an actual ADC value, and then the pulling speed is adjusted in accordance with the actual ADC value, (Automatic Diameter Control) is used to control the diameter of the sensor.

특히, 직경이 균일한지 여부는 잉곳의 품질을 결정하는 중요한 요소이므로, 상기 ADC 센서부(200)는 상기 윈도우부(110)를 통해 성장되는 잉곳의 직경을 실시간으로 정밀하게 측정하여 인상속도(pulling speed)을 제어해야 한다. Particularly, whether or not the diameter is uniform is an important factor for determining the quality of the ingot. Therefore, the ADC sensor unit 200 accurately measures the diameter of the ingot grown through the window part 110 in real time, speed.

그런데, 잉곳 성장공정 진행 중에 발생한 다량의 기화(Evaporation)된 산화물(Oxide) 또는 기화된 도펀트가 윈도우부(110)의 하면에 흡착될 수 있다. A large amount of evaporated oxide or vaporized dopant generated during the process of growing the ingot may be adsorbed on the lower surface of the window part 110. [

특히, 고휘발성 도펀트의 도핑 공정이 포함된 잉곳 성장공정에서는 휘발된 도펀트가 윈도우부(110)를 챔버(10) 내부를 관찰할 수 없을 정도로 불투명하게 오염시키는 문제가 발생한다. Particularly, in the ingot growth process including the doping process of the high-volatility dopant, there arises a problem that the volatilized dopant causes the window portion 110 to be opaque to such an extent that the inside of the chamber 10 can not be observed.

그리고, 이러한 오염된 윈도우부(110)를 통해 측정된 실제 ADC 값은 실제 잉곳의 직경과 큰 오차를 가지게 되며, 이러한 오차에 따라서 성장한 잉곳의 직경의 편차는 증가하게 된다.
The actual ADC value measured through the contaminated window part 110 has a large error with the diameter of the actual ingot, and the deviation of the diameter of the ingot grown according to the error increases.

도 2는 온도에 따라서 윈도우부에 증착한 오염물질의 두께를 나타내는 그래프이고, 도 3은 공정의 진행에 따라서 잉곳의 직경을 측정 값과 실제 잉곳의 직경을 비교하여 나타내는 그래프이다. FIG. 2 is a graph showing the thickness of contaminants deposited on the window portion according to temperature, and FIG. 3 is a graph showing the diameter of the ingot according to the progress of the process and comparing the measured value and the diameter of the actual ingot.

도 2와 도 3을 참조하여 윈도우부(110)에 오염물질이 흡착하는 원리에 대해 설명한다. The principle of adsorbing contaminants to the window portion 110 will be described with reference to FIGS. 2 and 3. FIG.

상기 기화된 산화물이나 도펀트(이하 '불순물')들은 에너지 측면에서 안정적인 상태로 돌아가기 위하여, 온도가 낮은 물체에서 고화(lithification)되어 증착한다. The vaporized oxide or dopant (hereinafter referred to as " impurities ") is lithiated and deposited in a low-temperature object in order to return to a stable state in terms of energy.

그런데, 상기 잉곳성장장치에서 수냉관(60)은 잉곳을 냉각시키기 위한 장치로 주변의 온도를 낮추는 역할을 하므로, 수냉관(60) 주변에 위치한 구성들에 온도가 낮아져서 불순물의 증착량이 많아질 수 있다. In the ingot growing apparatus, since the water cooling tube 60 serves to lower the temperature of the surrounding by the apparatus for cooling the ingot, the temperature of the structures located around the water cooling tube 60 may be lowered, have.

특히, 상기 뷰 포트(100)는 이러한 수냉관(60) 근처에 설치되어 수냉관(60)에 의해 냉각될 뿐만 아니라, 챔버(10)의 외부로 돌출되도록 구성되기 때문에 외부 대기에 의해서도 냉각되어, 주변구성들에 비해 낮은 온도상태를 유지하게 된다. Particularly, the view port 100 is installed in the vicinity of the water-cooling tube 60 and is cooled not only by the water-cooling tube 60 but also by the outside atmosphere because it is configured to protrude out of the chamber 10, And maintains a lower temperature state than the surrounding structures.

즉, 상기 뷰 포트(100)는 위와 같은 원인에 의하여 다른 구성들에 비해 낮은 온도를 유지하고 있으므로, 상기 불순물들은 상대적으로 열 에너지가 낮은 뷰 포트(100)에 집중적으로 고화(lithification)되어 증착되는 경우가 발생한다. That is, since the view port 100 maintains a lower temperature than other structures due to the above-described causes, the impurities are intensively lithiated and deposited on the view port 100 having a relatively low thermal energy A case occurs.

또한, 앞서 설명한 바와 같이, 공정이 진행될수록 불순물의 증착량이 점차 증가하여, 공정 후반부에는 뷰 포트(100)를 통해 잉곳을 거의 관찰할 수 없을 정도로 뷰 포트(100)가 오염될 수 있다.Further, as described above, the amount of impurities deposited increases gradually as the process proceeds, and the view port 100 may be contaminated to a degree that the ingot can hardly be observed through the view port 100 in the latter half of the process.

한편, 상기 뷰 포트(100)의 위치는 챔버(10) 내부의 불활성 기체가 흐르는 경로에 위치하는 것도, 오염이 심화되는 원인에 해당한다. On the other hand, the position of the view port 100 is located in a path through which an inert gas flows in the chamber 10, which is a cause of increased contamination.

도 3을 참조하면, 공정 진행 중에 측정된 잉곳의 직경 데이터(Actual ADC)는 점점 작아지나, 실제 잉곳의 직경(Dia)가 공정 후반부로 갈수록 점점 커지는 것을 확인할 수 있다. Referring to FIG. 3, the diameter (Actual ADC) of the ingot measured during the process progressively becomes smaller, and the diameter (Dia) of the actual ingot gradually increases toward the latter half of the process.

이는, 실제 ADC 값이 작아지는 이유는 상기 ADC 센서(200)가 상기 뷰 포트(100)의 오염으로 인하여 직경이 작아지고 있다고 오측(誤測) 한 것이다. 그리고, 상기 오측된 실제 ADC 값으로 인상속도를 제어하여, 실제 성장된 잉곳의 직경의 편차가 발생한 것이다. The reason that the actual ADC value is reduced is that the ADC sensor 200 misjudges that the diameter is getting smaller due to contamination of the view port 100. Then, the pull-up speed is controlled by the erroneous actual ADC value, and the deviation of the diameter of the actually grown ingot is generated.

좀더 상세히, 상기 ADC 센서(200)는 뷰 포트(100)가 오염되어 이를 통해 방출되는 빛의 밝기가 어두워짐에 따라서 실제 ADC값을 작게 출력한 것이고, 이에 따라서 잉곳의 직경을 증가시키기 위하여 인상속도를 느리게 제어하여, 잉곳의 직경이 증가하게 된 것이다. More specifically, the ADC sensor 200 outputs a smaller actual ADC value as the brightness of light emitted through the contaminated view port 100 becomes darker. Accordingly, in order to increase the diameter of the ingot, So that the diameter of the ingot is increased.

위와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 실시예의 뷰 포트(100)는 윈도우부(110)의 오염을 사전에 차단하여, 정확한 직경 데이터를 얻을 수 있는 장치 및 방법을 제안하고자 한다.
In order to solve the above problems, the view port 100 of the present embodiment proposes an apparatus and method for obtaining accurate diameter data by previously preventing contamination of the window portion 110.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른, 이중 글라스 구조의 윈도우부의 단면을 나타내는 도면이다. 4 is a cross-sectional view of a window portion of a double glass structure according to an embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 본 실시예의 뷰 포트(110)는 사전에 오염을 방지하기 위하여, 이중 글라스(112, 133)으로 구성되고 양 글라스의 사이는 가열되어 높은 온도를 유지하여, 불순물에 흡착을 억제할 수 있다.Referring to FIG. 4, the view port 110 of the present embodiment is composed of double glasses 112 and 133 in order to prevent contamination in advance, and the space between both glasses is heated to maintain a high temperature, .

좀더 상세히, 상기 뷰 포트(110)는 챔버(10)에 연결되어 챔버(10) 내부를 관찰하기 위한 바디 홀을 구비한 바디부(120)와, 상기 바디부(120)의 상측에 배치되고 챔버(10)의 밀폐상태를 유지하며 빛을 투과하는 윈도우부(110)를 포함하도록 구성된다. More specifically, the view port 110 includes a body part 120 connected to the chamber 10 and having a body hole for observing the inside of the chamber 10, And a window portion 110 for transmitting light while maintaining the closed state of the display portion 10.

그리고, 상기 윈도우부(110)는, 상기 바디부(120)의 상측에 결합되어 상기 바디 홀에 연장되도록 형성된 윈도우 홀을 구비한 상하부 윈도우 바디(113, 131)와, 상부 윈도우 바디(113)의 홀에 개재되어 빛을 투과하는 상부 글라스(112)와, 하부 윈도우 바디(131)의 홀에 개재되어 빛을 투과하는 하부 글라스(131)로 구성될 수 있다. The window part 110 includes upper and lower window bodies 113 and 131 having window holes formed on the upper side of the body part 120 and extending to the body hole, An upper glass 112 which is interposed in the holes and transmits light and a lower glass 131 which is interposed in the holes of the lower window body 131 and transmits light.

예를 들어, 상기 바디부(120)는 원통형 관으로 구성되어 챔버(10)의 외측로 돌출되도록 구성될 수 있으며, 상기 상하부 윈도우 바디(113, 131)는 내압이 높은 챔버(10)의 밀폐상태를 유지하면서 상기 바디부(120)에 결합되기 위해 플랜지(flange)로 구성될 수 있다. 즉, 도면에는 도시되지 않았지만, 상기 바디부(120)와 상하부 윈도우바디(113, 131)에는 수직방향으로 볼트 구멍이 형성되고, 상기 구멍에 볼트가 체결되어 일거에 결합될 수 있다. 한편, 본 실시예에서는 바디부와 상하부로 윈도우 바디(113, 131)를 구분하였지만, 일체로 구성되어도 무방할 것이다. The upper and lower window bodies 113 and 131 may be formed in a closed state of the chamber 10 having a high internal pressure, for example, And a flange to be coupled to the body part 120 while maintaining the same. Although not shown in the drawing, bolts are formed in the body 120 and the upper and lower window bodies 113 and 131 in the vertical direction, and the bolts may be fastened to the holes to be united. In this embodiment, the window bodies 113 and 131 are divided into the body part and the upper and lower parts, but they may be integrally formed.

그리고, 상기 상하부 글라스(112, 131)는 상기 상하부 윈도우 바디(113, 131)의 홀에 소정의 거리를 두고 배치되며, 빛을 투과하는 투명한 재질로 형성되며, 유리뿐만 아니라 빛을 투과할 수 있는 다양한 재질로 구성될 수 있다. 예를 들어, 열에 강하고 잉곳을 오염시키지 않는 석영 유리로 구성될 수 있다. The upper and lower glasses 112 and 131 are disposed at predetermined distances from the holes of the upper and lower window bodies 113 and 131 and are formed of a transparent material transmitting light, It can be composed of various materials. For example, it may be composed of quartz glass which is heat-resistant and does not contaminate the ingot.

그리고, 상부 글라스(112)와 상부 윈도우 바디(113) 사이에는 밀폐상태를 유지하며 결합되기 위하여, 오 링(111)(O-ring)과 같은 가스 켓(gasket)이 삽입될 수 있다. A gasket such as an O-ring may be inserted between the upper glass 112 and the upper window body 113 in order to maintain a sealed state.

한편, 앞서 설명한 바와 같이, 하부 윈도우 바디(131)의 홀에도 하부 글라스(133)가 배치되어, 상기 상부 글라스(112)와 하부 글라스(133) 사이에 빈 공간(heating place)이 형성된다. As described above, the lower glass 133 is also disposed in the hole of the lower window body 131, so that a heating space is formed between the upper glass 112 and the lower glass 133.

그리고, 상기 하부 글라스(133)의 일 측에는 소정의 거리를 두고 이격되어 뷰 포트 히터(134)가 배치되어, 상기 하부 글라스(133)에 열을 전달하여 빈 공간을 가열할 수 있다.The view port heater 134 is disposed at a predetermined distance from one side of the lower glass 133 to heat the empty space by transmitting heat to the lower glass 133.

이때, 상기 하부 글라스(133)는 뷰 포트 히터(134)로부터 많은 양의 열 에너지를 전달받기 위한 형상으로 구성될 수 있다. 예를 들어, 상기 하부 글라스(133)는 상기 뷰 포트 히터(134)에 대한 면적이 늘어나도록 하기 위해, 상기 뷰 포트 히터(134)를 따라서 연장될 수 있다. At this time, the lower glass 133 may be configured to receive a large amount of heat energy from the view port heater 134. For example, the lower glass 133 may extend along the view port heater 134 so that the area for the view port heater 134 is increased.

예를 들어, 상기 홀 직경에 수평으로 개재된 타원형의 하부 글라스(133)의 원주를 따라서 상기 뷰 포트 히터(134)가 둘러싸도록 배치되고, 상기 하부 글라스(133)의 외주연은 수직방향으로 굽어져서 상기 뷰 포트 히터(134)를 따라 연장될 수 있다. For example, the view port heater 134 is disposed so as to surround the circumference of an elliptical lower glass 133 horizontally interposed in the hole diameter, and the outer periphery of the lower glass 133 is bent in a vertical direction And may extend along the view port heater 134.

그리고, 상기 뷰 포트 히터(134)와 빈 공간에 단열을 위하여, 상기 하부 윈도우 바디(131)에는 단열부(132)가 구성될 수 있다. In order to insulate the view port heater 134 and the empty space, the lower window body 131 may be provided with a heat insulating portion 132.

좀더 상세히, 상기 단열부(132)는 잉곳의 오염을 방지하기 위하여 카본 펠트(carbon felt) 재질로 구성될 수 있으며, 상기 윈도우 바디(131) 내벽에 배치되어 상기 뷰 포트 히터(134)와 하부 글라스(133)를 둘러싸도록 형성될 수 있다. The heat insulating part 132 may be made of carbon felt to prevent contamination of the ingot. The heat insulating part 132 may be disposed on the inner wall of the window body 131, (Not shown).

즉, 상기 뷰 포트 히터(134)를 단열부(132) 또는 하부 윈도우 바디(131)에 둘러싸서, 뷰 포트 히터(134)로 인하여 글라스에서 빛의 산란이 일어나는 것을 억제할 수 있다. That is, the view port heater 134 may be surrounded by the heat insulating portion 132 or the lower window body 131 to prevent scattering of light in the glass due to the view port heater 134.

다시 정리하면, 상기 하부 윈도우 바디(131)는 플랜지로 구성되어 상부 윈도우(113)과 바디부(120)와 결합되며, 내부에는 단열재(insulator)로 채워져 단열부(132)가 구성되고, 상기 단열부(132)의 홀에는 하부 글라스(133)가 개재되며, 단열부(132)의 내부 공간에는 뷰 포트 히터(134)와 하부 글라스(133)의 연장부가 배치되도록 구성될 수 있다. The lower window body 131 is formed of a flange and is coupled to the upper window 113 and the body part 120. The lower window body 131 is filled with an insulator to form a heat insulating part 132, The lower glass 133 may be interposed in the hole of the heat sink 132 and the viewport heater 134 and the extension of the lower glass 133 may be disposed in the inner space of the heat insulating portion 132.

그리고, 상기 뷰 포트 히터(134)는 상부 글라스(112)와 하부 글라스(133) 사이의 단열 공간을 주변의 구성요소들보다 높은 온도를 유지하도록 가열할 수 있다. 예를 들어, 공정시 챔버(10) 내 온도는 약 400~500도 사이로 유지된다면, 상기 뷰 포트 히터(133)는 하부 글라스(133)를 위 보다 높은 온도인 약 800도 정도로 가열할 수 있다. The view port heater 134 may heat the heat insulating space between the upper glass 112 and the lower glass 133 to maintain a higher temperature than surrounding components. For example, if the temperature in the chamber 10 during processing is maintained between about 400 and 500 degrees, the view port heater 133 may heat the lower glass 133 to about 800 degrees above the upper temperature.

이를 통해, 기화되어 부유하는 불순물들은 열 에너지가 낮은 물체에 고화되어 흡착되므로, 그 전에 미리 하부 글라스(133)를 달궈 높은 열 에너지를 유지하게 하여 불순물에 흡착을 미리 차단할 수 있다. Accordingly, the vaporized and floating impurities are solidified and adsorbed on the object having low thermal energy, so that the lower glass 133 is preliminarily heated to maintain high heat energy, so that the adsorption to the impurities can be blocked in advance.

즉, 상기 뷰 포트 히터(134)는 하부 글라스(133)의 온도를 챔버(10) 내부온도보다 높게 유지하여, 윈도우부(110)의 오염을 방지할 수 있다. That is, the view port heater 134 can keep the temperature of the lower glass 133 higher than the internal temperature of the chamber 10, thereby preventing contamination of the window part 110.

다만, 상기 상부 글라스(112)를 직접 가열하여 불순물에 오염을 방지할 수도 있으나, 상기 상부 글라스(112)의 주위에 배치된 오 링(111)에 손상 위험이 있어서 챔버(10)의 밀폐상태를 유지하기 어려울 수 있고, 더불어, 상부 글라스(112)는 외부 대기에 노출되므로 고온으로 가열된 상부 글라스(112)가 산화될 위험성이 있기 때문에, 상기 윈도우부(110)는 이중 글라스 구조로 형성되는 것이 바람직하다. However, the upper glass 112 may be directly heated to prevent contamination of impurities. However, since there is a risk of damaging the O-ring 111 disposed around the upper glass 112, the sealed state of the chamber 10 Since the upper glass 112 is exposed to the outside atmosphere and the upper glass 112 heated to a high temperature is likely to be oxidized, the window portion 110 is formed in a double glass structure desirable.

즉, 본 실시예는 뷰 포트(100)를 이중 글라스의 비접촉/ 국부적 히팅구조로 설계하여, 안전하게 하부 글라스(133)를 가열하면서 뷰 포트(100)의 밀폐상태를 유지할 수 있는 장점이 있다.
That is, this embodiment is advantageous in that the view port 100 can be designed as a non-contact / local heating structure of a double glass, and the sealed state of the view port 100 can be maintained while safely heating the lower glass 133.

도 5는 본 발명의 실시예에 따른, 이중 글라스 구조의 윈도우부에 히터 컨트롤러가 설치된 모습을 도면이다.5 is a view illustrating a heater controller installed in a window portion of a double glass structure according to an embodiment of the present invention.

만약, 상기 뷰 포트 히터(134)가 상기 단열 공간을 과도하게 가열하게 된다면 불순물 오염은 막을 수 있을지 모르나, 뷰 포트(100) 내부 구성들이 손상될 수 있다. If the view port heater 134 heats the heat insulating space excessively, impurity contamination may be prevented, but the view port 100 internal structures may be damaged.

특히, 초기 실리콘 멜팅 공정과 같이 챔버(10) 내부의 온도가 낮을 때나, 후반부의 실리콘 멜팅 공정시기와 같이 챔버(10) 내부의 온도가 높을 때에 따라서, 각기 다른 히터파워로 단열 공간의 온도를 제어하는 것이 효율적으로 오염을 방지할 수 있다. Particularly, when the temperature inside the chamber 10 is low as in the initial silicon melting process or when the temperature inside the chamber 10 is high, such as during the silicon melting process in the latter half, the temperature of the heat insulating space is controlled with different heater power It is possible to effectively prevent contamination.

또한, 도핑 공정이 있는 경우와 같이, 뷰 포트(100)의 오염이 심화될 수 있는 공정시기에는 특별히 뷰 포트(100)의 온도를 높게 유지하여 불순물에 증착을 더 억제하는 것이 바람직하다. Also, as in the case of the doping process, it is preferable to keep the temperature of the view port 100 at a high level particularly during the process in which the contamination of the view port 100 can be intensified, thereby further suppressing the deposition on the impurities.

그러므로, 상기 뷰 포트 히터(134)는 상황에 따라 적절한 온도로 단열 공간을 가열할 필요성이 있기 때문에, 상기 뷰 포트(100)에는 상기 단열 공간 내에서 주위의 온도를 측정하는 온도 센서(140)와, 상기 온도 센서(140) 및 뷰 포트 히터(134)에 연결되어 히터파워를 조절하는 히터 제어부(150)(heat controller)가 더 포함될 수 있다. Therefore, since the view port heater 134 needs to heat the heat insulating space to an appropriate temperature depending on the situation, the view port 100 is provided with a temperature sensor 140 for measuring the ambient temperature in the heat insulating space, And a heater controller 150 connected to the temperature sensor 140 and the view port heater 134 to adjust the heater power.

좀더 상세히, 상기 히터 제어부(150)는 상기 온도 센서(140)로부터 실시간으로 측정되어 전송되는 온도 정보와 챔버(10) 내부의 온도 정보에 따라서, 상기 뷰 포트 히터(134)를 제어할 수 있다. More specifically, the heater control unit 150 can control the view port heater 134 according to temperature information measured and transmitted in real time from the temperature sensor 140 and temperature information in the chamber 10. [

예를 들어, 상기 챔버(10) 내부의 온도보다 단열공간에 온도가 100~400도 정도로 높은 온도를 가지도록 상기 뷰 포트 히터(134)의 히터파워를 제어할 수 있다. For example, the heater power of the view port heater 134 may be controlled so that the temperature of the heat insulating space is higher than the temperature of the inside of the chamber 10 by about 100 to 400 degrees.

즉, 상기 뷰 포트(100)에 히터 제어부(134)를 설치하여, 정밀하게 히터 파워를 조절함으로써, 뷰 포트(100)의 구성요소들을 안전하게 보호하고, 효율적으로 글라스의 오염을 막을 수 있는 장점이 있다. That is, by providing the heater control unit 134 in the view port 100 and precisely controlling the heater power, it is possible to safely protect the components of the view port 100 and effectively prevent contamination of the glass have.

도 6은 일반적인 뷰 포트 글라스(a)와 본 실시예의 뷰 포트 글라스(b)를 비교하여 나타낸 것이고, 도 7은 본 발명의 실시예에 따른, 공정 중의 챔버의 단면에 온도 분포를 나타낸다. Fig. 6 shows a comparison between a general view port glass (a) and a view port glass (b) of the present embodiment, and Fig. 7 shows a temperature distribution on a cross section of a chamber in the process according to an embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 도 6(a)는 일반적인 뷰 포트의 글라스는 낮은 온도이기 때문에 주위에 부유하는 불순물들이 글라스에 증착되어 오염될 수 있음을 형상화한 것이고, 도 6(b)는 고온으로 가열된 본 실시예의 글라스에는 부유되는 불순물이 증착되지 않을 뿐만 아니라 증착된 불순물도 열 에너지를 전달받아 다시 기화되도록 하여 제거되는 모습을 형상화한 것이다.  Referring to FIG. 6, FIG. 6 (a) shows that a glass of a general view port has a low temperature, so that impurities floating around can be deposited on the glass and contaminated. FIG. 6 (b) In the glass of the present embodiment, not only floating impurities are deposited, but also evaporated impurities are removed by being vaporized again by receiving thermal energy.

이를 통해, 본 실시예의 뷰 포트(100)는 불순물 오염을 사전에 차단할 수 있을 뿐만 아니라, 증착된 불순물을 기화시켜 글라스를 자체적으로 세정할 수 있는 기능까지 가짐을 알 수 있다.
Accordingly, it can be seen that the view port 100 of the present embodiment not only can prevent impurity contamination in advance, but also functions to vaporize deposited impurities to clean the glass itself.

또한, 도 7을 참조하면, 주변의 구성요소들은 낮은 온도로 유지됨에 비해, 상기 뷰 포트(100)만 높은 온도를 갖는 것을 명확히 알 수 있다. Also, referring to FIG. 7, it can be clearly seen that only the view port 100 has a high temperature, while surrounding components are maintained at a low temperature.

즉, 상기 히터 제어부(150)는 주변 챔버(10)의 온도보다 뷰 포트를 높은 온도로 유지하기 위해, 뷰 포트 히터(134)를 적절하게 제어하는 경우에, 챔버(10) 단면의 온도 분포를 측정해 보면, 뷰 포트(100)의 온도가 주변 구성보다 100~500도 정도 높은 것을 알 수 있다. That is, when the view port heater 134 is appropriately controlled to maintain the view port at a higher temperature than the temperature of the peripheral chamber 10, the heater control unit 150 controls the temperature distribution of the cross- From the measurement, it can be seen that the temperature of the view port 100 is about 100 to 500 degrees higher than the surrounding configuration.

이를 통해, 뷰 포트(100)의 윈도우부(110)는 항상 불순물이 증착되지 않은 상태를 유지할 수 있으며, 일정하게 챔버(10) 내부의 빛을 투과할 수 있어서, 챔버 (10) 내부를 정밀하게 측정할 수 있게 된다. Accordingly, the window portion 110 of the view port 100 can always maintain a state in which no impurities are deposited, and can transmit light in the chamber 10 constantly, so that the inside of the chamber 10 can be precisely It becomes possible to measure.

즉, 본 실시예는 ADC 센서(200)가 측정한 직경 데이터에 오차가 생기지 않아서, 적절한 ADC 값으로 잉곳의 인상속도를 제어함에 따라, 균일한 직경을 가지는 고품질의 잉곳을 생산할 수 있다.
That is, in this embodiment, there is no error in the diameter data measured by the ADC sensor 200, and the ingot speed of the ingot is controlled with an appropriate ADC value, so that a high-quality ingot having a uniform diameter can be produced.

10: 챔버
20: 석영도가니
30: 히터부
40: 열차폐체
60: 수냉관
70: 시드 척
100: 뷰 포트
110: 윈도우부
200: 직경 센서부10: chamber
20: Quartz crucible
30:
40: heat shield
60: Water cooling tube
70: Sid Chuck
100: Viewport
110: window portion
200: Diameter sensor part

Claims (12)

잉곳의 성장공정이 수행되는 공간을 제공하는 밀폐된 챔버 내부를 관찰하기 위한 뷰 포트로서,
상기 챔버의 상부에 설치되며, 상기 챔버 내부와 연결된 홀을 가지는 바디부;
상기 바디부의 상측 배치되어 상기 챔버를 밀폐하며, 상기 챔버 내부의 빛을 투과하는 윈도우부; 및
상기 윈도우부의 일측에 배치되어, 상기 윈도우부를 가열하는 뷰 포트 히터; 를 포함하고,
상기 윈도우부는 이중 글라스 구조로 형성되고, 상기 글라스들 사이에는 소정의 빈 공간인 히팅 플레이스(heating place)가 마련되는 안티 디포지션 뷰 포트.A view port for observing the inside of the closed chamber that provides a space in which the growth process of the ingot is performed,
A body installed at an upper portion of the chamber and having a hole connected to the inside of the chamber;
A window portion disposed above the body portion to seal the chamber and to transmit light inside the chamber; And
A view port heater disposed at one side of the window section for heating the window section; Lt; / RTI >
Wherein the window part is formed in a double glass structure, and a heating place, which is a predetermined empty space, is provided between the glass parts. 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 윈도우부는 상기 바디부의 홀과 이어지는 윈도우 홀을 구비한 플랜지로 형성되어 상기 바디부와 결합되며, 상기 윈도우 홀에는 소정의 간격으로 이격된 상부 글라스와 하부 글라스가 개재되어 상기 이중 글라스 구조를 형성하는 안티 디포지션 뷰 포트.The method according to claim 1,
The window part is formed as a flange having a window hole that is continuous with the hole of the body part and is coupled to the body part. An upper glass and a lower glass are spaced apart from each other at a predetermined interval in the window hole to form the double glass structure Anti-di position view port. 제 3 항에 있어서,
상기 플랜지 내부에는 상기 히팅 플레이스와 뷰 포트 히터를 외부로부터 단열하는 단열부가 마련되는 안티 디포지션 뷰 포트.The method of claim 3,
Wherein the flange is provided with a heat insulating portion that insulates the heating pot and the view port heater from the outside. 제 4 항에 있어서,
상기 단열부에는 내부 공간이 마련되어, 상기 하부 글라스 및 뷰 포트 히터가 배치되는 안티 디포지션 뷰 포트.5. The method of claim 4,
Wherein the heat insulating portion is provided with an inner space, and the lower glass and the view port heater are disposed. 제 5 항에 있어서,
상기 히팅 플레이스에는 주위의 온도를 측정하는 온도 센서가 더 마련되는 안티 디포지션 뷰 포트.6. The method of claim 5,
Wherein the heating place further comprises a temperature sensor for measuring the ambient temperature. 제 6 항에 있어서,
상기 온도 센서와 뷰 포트 히터에 연결되며, 상기 온도 센서에서 전송된 상기 히팅 플레이스의 온도 정보에 따라서 상기 뷰 포트 히터의 히터파워를 제어하는 히터 제어부를 더 포함하는 안티 디포지션 뷰 포트.The method according to claim 6,
Further comprising a heater controller connected to the temperature sensor and the view port heater for controlling the heater power of the view port heater according to temperature information of the heating place transmitted from the temperature sensor. 잉곳의 성장공정이 수행되는 공간을 제공하고 밀폐된 챔버;
상기 챔버의 내부에 배치되어, 실리콘 멜트를 수용하는 석영도가니;
상기 실리콘 멜트에 시드를 침지하고 회전 및 인상하여 상기 잉곳을 성장시키는 인상수단;
상기 챔버의 일측에 설치되어 상기 챔버 내부의 공정상황을 관찰할 수 있도록 내부의 빛을 투과하는 뷰 포트; 를 포함하고,
상기 뷰 포트는 상기 챔버의 상부에 설치되며 상기 챔버 내부와 연결된 홀을 가지는 바디부와, 상기 바디부의 상측에 배치되어 상기 챔버를 밀폐하며 내부의 빛을 투과하는 이중 글라스 구조의 윈도우부와, 및 상기 윈도우부의 일측에 배치되어 상기 윈도우부를 가열하는 뷰 포트 히터를 포함하며,
상기 글라스들 사이에는 소정의 빈 공간인 히팅 플레이스(heating place)가 마련되는 잉곳성장장치. Providing a space in which the growing process of the ingot is carried out and having an enclosed chamber;
A quartz crucible disposed within the chamber to receive the silicon melt;
A pulling means for immersing the seed in the silicon melt and rotating and pulling the seed to grow the ingot;
A viewport that is installed at one side of the chamber and transmits light through the inside of the chamber so as to observe a process situation inside the chamber; Lt; / RTI >
The viewport includes a body part having a hole connected to the inside of the chamber, the window part being disposed on the upper part of the chamber, a window part of a double glass structure disposed above the body part to seal the chamber, And a view port heater disposed at one side of the window portion to heat the window portion,
And a heating place, which is a predetermined empty space, is provided between the glasses. 제 8 항에 있어서,
상기 뷰 포트를 통과한 빛을 센싱하여 상기 챔버 내부의 공정상황을 측정하여 공정 데이터로 출력하는 이미지 센서를 더 포함하는 잉곳성장장치.9. The method of claim 8,
And an image sensor for sensing light passing through the view port to measure process conditions inside the chamber and outputting the process data as process data. 제 9 항에 있어서,
상기 이미지 센서는 성장되는 잉곳의 직경을 측정하여 직경 데이터로 산출하고, 상기 산출된 직경 데이터에 따라서 잉곳의 인상속도를 제어하는 직경 센서부인 잉곳성장장치.10. The method of claim 9,
Wherein the image sensor is a diameter sensor unit that measures the diameter of the ingot to be grown and calculates the diameter of the ingot as diameter data and controls the pulling speed of the ingot in accordance with the calculated diameter data. 제 10 항에 있어서,
상기 직경 센서부는 성장되는 잉곳의 메니스커스의 밝기를 측정하여 잉곳의 직경을 실제 ADC(automatic diameter control) 값으로 나타내고, 상기 실제 ADC 값으로 상기 잉곳의 인상속도를 제어하는 ADC 센서인 잉곳성장장치.11. The method of claim 10,
The diameter sensor unit measures the brightness of the meniscus of the ingot to be grown to indicate the diameter of the ingot as an actual ADC value and controls the pulling speed of the ingot to the actual ADC value. . 제 9 항에 있어서,
상기 이미지 센서는 멜트 갭을 측정하여 멜트 갭 데이터로 산출하고, 상기 산출된 멜트 갭에 따라서 상기 석영도가니의 승강속도를 제어하는 멜트 갭 센서부인 잉곳성장장치.
10. The method of claim 9,
Wherein the image sensor is a melt gap sensor that measures a melt gap to calculate melt gap data and controls a lift speed of the quartz crucible in accordance with the calculated melt gap.
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