KR101523313B1 - Substrate processing apparatus - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 상세하게는 어닐링, 증착, 식각하는 등 기판에 대하여 소정의 처리공정을 수행하는 기판처리장치에 관한 것이다.
본 발명은 서로 결합되어 처리공간을 형성하는 챔버본체 및 탑리드와; 상기 챔버본체 및 상기 탑리드의 하부 중 적어도 어느 하나에 설치되며, 서로 분리된 복수 개의 히팅블록들이 조합되어 피가열체를 가열하도록 가열면을 형성하는 히팅부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치를 개시한다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus that performs a predetermined processing process on a substrate such as annealing, deposition, or etching.
The present invention relates to a plasma processing apparatus, comprising: a chamber body and a top lead coupled to each other to form a processing space; And a heating unit provided on at least one of the chamber body and the lower portion of the top lead to form a heating surface for heating the heating target by combining a plurality of heating blocks separated from each other, .

Description

기판처리장치 {Substrate processing apparatus}[0001] Substrate processing apparatus [

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 상세하게는 어닐링, 증착, 식각하는 등 기판에 대하여 소정의 처리공정을 수행하는 기판처리장치에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus that performs a predetermined processing process on a substrate such as annealing, deposition, or etching.

기판처리장치는 대기압 또는 진공압상태에서의 예열(preheating), 어닐링, 증착, 식각 등 기판에 대하여 소정의 처리공정을 수행하는 기판처리장치를 말하며, 대표적인 예로서, 로드락챔버(loadlock chamber), 진공처리장치 등이 있다.The substrate processing apparatus refers to a substrate processing apparatus that performs predetermined processing on a substrate such as preheating, annealing, evaporation, and etching in an atmospheric pressure or vacuum pressure state. Typical examples include a load lock chamber, Vacuum processing apparatus, and the like.

진공처리장치는 밀폐된 처리공간에 전원을 인가하여 플라즈마를 형성함으로써 기판지지대 위에 안착된 기판의 표면을 증착, 식각하는 등 진공처리공정을 수행하는 장치를 말한다.A vacuum processing apparatus refers to a device that performs a vacuum processing process such as depositing and etching a surface of a substrate placed on a substrate support by applying power to a closed processing space to form a plasma.

이때 상기 진공처리장치는 서로 결합되어 처리공간을 형성하는 탑리드 및 챔버본체와, 탑리드의 하측에 설치되어 진공처리를 위한 가스를 처리공간으로 분사하는 샤워헤드와, 진공처리를 위한 기판을 지지하는 기판지지대를 포함하여 구성된다. 이때 상기와 같은 진공처리장치는 진공처리공정의 수행을 위하여 기판을 가열하기 위한 히터가 기판지지대에 설치되거나, 샤워헤드의 상측에 결합될 수 있다.The vacuum processing apparatus includes a top lead and a chamber main body coupled to each other to form a processing space, a shower head installed below the top lead to inject gas for vacuum processing into the processing space, And a substrate support. At this time, in the vacuum processing apparatus as described above, a heater for heating the substrate may be installed on the substrate support or on the upper side of the shower head for performing the vacuum processing process.

한편 기판 중 LCD 패널용 유리기판과 같이 기판이 대면적화되거나, 태양전지용 기판 등과 같이 다수개의 기판을 한꺼번에 처리하는 경우에도 처리되는 기판들의 숫자를 늘리기 위하여 기판지지대 및 그에 설치되는 히터 또한 대면적화되고 있다.On the other hand, even when a substrate is made large like a glass substrate for an LCD panel in a substrate, or a plurality of substrates are processed at the same time, such as a solar cell substrate, the substrate support and the heater provided thereon are also enlarged in order to increase the number of processed substrates .

그런데 종래의 진공처리장치에서 히터의 파손이나 오작동이 있는 경우 고가의 부재인 히터 전체를 교환하여야 하므로 유지 및 보수비용이 증가하는 문제점이 있다.However, in the conventional vacuum processing apparatus, if the heater is damaged or malfunctioned, the entire heater, which is an expensive member, must be replaced, which increases maintenance and repair costs.

또한 히터가 대면적화되면서 히터 내에 설치되는 발열부재의 길이가 길어져 히터의 온도제어도 어려워지고, 고온대응이 어려우며 기판지지대 전체의 균일한 온도제어에도 한계가 있는 문제점이 있다.Also, as the heater becomes larger, the length of the heating member installed in the heater becomes longer, so that it becomes difficult to control the temperature of the heater, and it is difficult to cope with high temperature and there is a limit in uniform temperature control of the entire substrate support.

또한 히터를 제작하는데 있어서도 기존 제조설비를 활용하는 경우 제조설비의 크기에 대한 한계로 인하여 제조될 수 있는 히터의 크기에 제한을 받는 문제점이 있다.In addition, when the existing manufacturing facility is utilized in manufacturing the heater, there is a problem that the size of the heater that can be manufactured due to the limitation of the size of the manufacturing facility is limited.

특히 고온대응을 위하여 SUS나 인코넬(INCONELL) 재질을 가지는 히터를 제조하고자 하는 경우 히터를 구성하는 판재들 사이에 브레이징(brazing) 결합이 필요한데 브레이징을 위한 브레이징로의 크기에 한계가 있어서 대면적의 히터를 제조하는 경우 새로운 제조설비를 필요로 하는 문제점이 있다.Especially, when a heater having SUS or INCONELL material is manufactured for high temperature, it is necessary to braze between the plates constituting the heater. Since the size of the brazing for brazing is limited, There is a problem that a new manufacturing facility is required.

본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 서로 분리된 복수 개의 히팅블록들이 조합된 히팅부를 구비함으로써 대형의 기판처리장치에도 활용가능하며, 고온대응이 용이함과 아울러 온도제어가 용이한 기판처리장치를 제공하는 데 있다.It is an object of the present invention to solve the above-described problems, and it is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method, And to provide a processing apparatus.

본 발명의 다른 목적은 히팅영역을 복수 개로 구성함으로써 기판의 위치에 따라서 발열량을 달리하는 등 온도제어가 용이한 기판처리장치를 제공하는 데 있다.It is another object of the present invention to provide a substrate processing apparatus in which temperature control is facilitated by varying a heating value depending on the position of a substrate by constituting a plurality of heating regions.

본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명은 서로 결합되어 처리공간을 형성하는 챔버본체 및 탑리드와; 상기 챔버본체 및 상기 탑리드의 하부 중 적어도 어느 하나에 설치되며, 서로 분리된 복수 개의 히팅블록들이 조합되어 피가열체를 가열하도록 가열면을 형성하는 히팅부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치를 개시한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in order to achieve the above-mentioned object of the present invention, and it is an object of the present invention to provide a process chamber, And a heating unit provided on at least one of the chamber body and the lower portion of the top lead to form a heating surface for heating the heating target by combining a plurality of heating blocks separated from each other, .

상기 히팅부는 상기 챔버본체에 설치되며 피가열체를 지지하는 기판지지대에 설치되거나, 상기 히팅부는 챔버본체에 설치되며 피가열체를 지지하는 기판지지대를 구성할 수 있다.The heating unit may be installed in the chamber main body and the substrate supporting base to support the heating target, or the heating unit may be installed in the chamber main body to configure the substrate supporting base to support the heating target.

상기 히팅블록들 중 적어도 하나는 독립적으로 발열량이 제어되는 복수 개의 발열부재가 설치될 수 있다.At least one of the heating blocks may be provided with a plurality of heating members independently controlling a heating value.

상기 히팅블록들은 발열량이 동일하거나 발열량이 함께 제어되는 영역을 히팅영역이라고 할 때, 서로 조합되어 2개 이상의 히팅영역들을 형성하도록 구성될 수 있다.The heating blocks may be configured to form two or more heating areas in combination with each other when a heating area is the same or a heating area is controlled as a heating area.

상기 가열면은 피가열체의 중앙부분에 대응되는 제1히팅영역과, 상기 제1히팅영역을 둘러싸는 제2히팅영역을 포함하여 구성될 수 있다.The heating surface may include a first heating region corresponding to a center portion of the heating target and a second heating region surrounding the first heating region.

상기 제1히팅영역은 상기 제2히팅영역보다 발열량이 작게 구성될 수 있다.The first heating region may have a smaller calorific value than the second heating region.

상기 히팅영역들 중 적어도 하나는 인접하는 2개 이상의 상기 히팅블록들에 걸쳐서 형성될 수 있다.At least one of the heating regions may be formed over two or more adjacent heating blocks.

상기 히팅블록은 이웃하는 상기 히팅블록과 간격을 두고 설치될 수 있다.The heating block may be spaced apart from the neighboring heating block.

상기 히팅블록은 하부를 이루는 제1플레이트와, 기판을 지지하는 상부를 이루며 상기 제1플레이트와 결합되는 제2플레이트와, 상기 제1플레이트 또는 상기 제2플레이트에 형성된 삽입홈에 설치되어 전원공급에 의하여 발열하는 하나 이상의 발열부재를 포함하여 구성될 수 있다.The heating block may include a first plate forming a lower portion, a second plate forming an upper portion for supporting the substrate and coupled with the first plate, and an insertion groove formed in the first plate or the second plate, And at least one heat generating member for generating heat.

상기 히팅블록들은 램프히터를 포함하여 구성될 수 있다.The heating blocks may include a lamp heater.

상기 피가열체는 트레이에 로딩된 다수개의 기판들로 구성되며, 상기 기판지지대는 상기 트레이를 지지하도록 구성될 수 있다.The object to be heated may comprise a plurality of substrates loaded on a tray, and the substrate support may be configured to support the tray.

한편 상기 기판처리장치는 로드락챔버 또는 진공처리장치로 구성될 수 있다.
Meanwhile, the substrate processing apparatus may be constituted by a load lock chamber or a vacuum processing apparatus.

본 발명에 따른 기판처리장치는 대면적 기판처리장치의 크기에 대응하여 대면적의 단일의 히터를 사용하는 대신 분리된 복수개의 히팅블록들을 사용함으로써, 기판처리장치에 사용되는 히터를 기존 제조설비에 의하여 제작할 수 이점이 있다.The substrate processing apparatus according to the present invention uses a plurality of separate heating blocks instead of using a single large heater corresponding to the size of the large area substrate processing apparatus, There is an advantage in that it can be produced by.

또한 본 발명에 따른 기판처리장치는 대면적의 단일의 히터를 사용하는 대신 분리된 복수개의 히팅블록들을 피가열체를 가열하는 히팅부로 사용함으로써, 다수개의 기판들을 처리하는 대형의 기판처리장치 또는 대면적의 기판을 처리하는 기판처리장치에의 사용이 가능하며, 고온대응이 가능하며, 온도제어가 용이한 이점이 있다.Further, the substrate processing apparatus according to the present invention can be applied to a large-sized substrate processing apparatus or a substrate processing apparatus for processing a plurality of substrates by using a plurality of separated heating blocks as a heating unit for heating a target to be heated, instead of using a single- Can be used in a substrate processing apparatus for processing a substrate having a large area, can cope with a high temperature, and has an advantage in that the temperature can be easily controlled.

또한 본 발명에 따른 기판처리장치는 복수 개의 히팅블록들의 발열량이 함께 제어되거나 발열량이 동일한 히팅영역을 복수 개로 구성함으로써 기판의 위치에 따른 온도편차에 적절하게 대처할 수 있는 이점이 있다.Further, the substrate processing apparatus according to the present invention is advantageous in that it can appropriately cope with a temperature deviation according to the position of the substrate by constituting a plurality of heating regions in which the heating amounts of the plurality of heating blocks are controlled together or have the same heating value.

또한 본 발명에 따른 기판처리장치는 분리된 복수 개의 히팅블록들이 설치됨으로써 히터블록들 중 일부에 파손이나 오작동이 있는 경우 파손 또는 오작동하는 히팅블록만을 교체함으로써 유지 및 보수 비용을 절감할 수 있는 이점이 있다.
Further, in the substrate processing apparatus according to the present invention, since a plurality of separate heating blocks are provided, there is an advantage that maintenance and repair costs can be reduced by replacing only a heating block which is damaged or malfunctions when some of the heater blocks are broken or malfunctioned have.

도 1은 본 발명에 따른 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는 도 1의 기판처리장치에 설치되는 히터를 보여주는 평면도이다.
도 3은 도 2의 히터의 단면 일부를 보여주는 단면도이다.
도 3은 도 1의 기판처리장치에 설치되는 히터의 변형례를 보여주는 평면도이다.1 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus according to the present invention.
2 is a plan view showing a heater installed in the substrate processing apparatus of FIG.
Fig. 3 is a cross-sectional view showing a part of a cross section of the heater of Fig. 2;
3 is a plan view showing a modification of the heater installed in the substrate processing apparatus of FIG.

이하, 본 발명에 따른 기판처리장치에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a substrate processing apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명에 따른 기판처리장치의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to the present invention.

본 발명에 따른 기판처리장치는 대기압 또는 진공압상태에서의 예열, 어닐링, 증착, 식각 등 기판에 대하여 소정의 처리공정을 수행하는 장치로서, 진공상태에서 기판에 대한 진공처리를 수행하는 진공처리장치에 관하여 예를 들어 설명한다.The substrate processing apparatus according to the present invention is a device for performing a predetermined process on a substrate such as preheating, annealing, evaporation, etching, or the like at an atmospheric pressure or a vacuum pressure state. The apparatus includes a vacuum processing apparatus For example.

본 발명에 따른 진공처리장치(100)는 도 1에 도시된 바와 같이, 서로 탈착가능하게 결합되어 처리공간(S)을 형성하는 챔버본체(110) 및 탑리드(120)와, 샤워헤드(200), 기판지지대(500) 등을 포함하여 구성된다.1, a vacuum processing apparatus 100 according to the present invention includes a chamber body 110 and a top lead 120 detachably coupled to each other to form a process space S, a shower head 200 A substrate support 500, and the like.

본 발명에 따른 진공처리장치(100)는 피가열체인 기판(1)의 표면을 증착하는 등 진공처리를 수행하기 위한 장치로서, 반도체소자를 제조하기 위한 웨이퍼, 사각형상 등 각형으로 형성되는 LCD 패널용 유리기판, 태양전지용 기판 등의 표면을 진공상태에서 플라즈마를 형성하여 진공처리를 수행한다.The vacuum processing apparatus 100 according to the present invention is an apparatus for performing a vacuum process such as vapor deposition of a surface of a substrate 1 to be heated, and includes a wafer for manufacturing a semiconductor device, an LCD panel A glass substrate for a solar cell, a substrate for a solar cell, or the like is vacuum-processed by forming a plasma in a vacuum state.

이때 상기 진공처리장치(100)는 하나의 기판(1)에 대하여 진공처리를 수행하거나, 태양전지용 기판과 같이 복수 개의 기판(1)들에 대하여 한번에 진공처리를 수행할 수도 있으며, 특히 복수 개의 기판(1)들에 대하여 진공처리를 수행하는 경우 기판(1)들은 트레이(2)에 로딩된 상태로 이송될 수 있다.In this case, the vacuum processing apparatus 100 may perform a vacuum process on one substrate 1, or may perform a vacuum process on a plurality of substrates 1 at a time like a solar cell substrate. In particular, The substrates 1 can be transported to the tray 2 while being loaded.

상기 진공처리장치(100)는 가스를 처리공간(S)으로 공급하기 위하여 가스공급장치와 연결되는 가스공급관(130) 및 처리공간(S) 내의 배기 및 압력제어를 위하여 진공펌프와 연결되는 배기관(미도시)이 연결될 수 있다.The vacuum processing apparatus 100 includes a gas supply pipe 130 connected to the gas supply device for supplying gas to the process space S and an exhaust pipe connected to the vacuum pump for exhaust and pressure control in the process space S Not shown) can be connected.

또한 상기 진공처리장치(100)는 처리공간(S)에 플라즈마를 형성하도록 전원이 인가되는데 전원인가방식에 따라서 다양한 구성이 가능하다.In addition, the vacuum processing apparatus 100 is supplied with power to form a plasma in the process space S, and various configurations are possible according to a power application method.

예를 들면, 탑리드(120) 및 샤워헤드(200)는 RF전원이 인가되고, 기판지지대(500) 내에 전극부재(미도시)를 설치하고 전극부재가 접지될 수 있다.For example, the top lead 120 and the showerhead 200 are supplied with RF power, and an electrode member (not shown) is provided in the substrate support 500, and the electrode member can be grounded.

또한 그 반대로 탑리드(120) 및 샤워헤드(200)는 접지되고, 전극부재는 RF전원이 인가될 수 있다.Conversely, the top lead 120 and the showerhead 200 may be grounded, and the electrode member may be RF powered.

또한 탑리드(120) 및 샤워헤드(200)는 물론 전극부재 각각에 서로 다른 주파수를 가지는 RF전원이 인가될 수 있다.RF power having different frequencies may be applied to each of the electrode members as well as the top lead 120 and the shower head 200.

상기 챔버본체(110)는 상측에 탑리드(120)와 결합되어 처리공간(S)을 형성하도록 구성되며, 측면에는 기판(1)의 입출을 위한 하나 이상의 게이트(140)가 형성된다. 이때 상기 게이트(140)는 게이트밸브(미도시)에 의하여 개폐될 수 있으며, 기판(1)의 입출방식에 따라서 일측에만 형성되거나, 서로 대향되는 위치에 한 쌍으로 형성될 수 있다.The chamber body 110 is configured to be coupled with the top lead 120 on the upper side to form a process space S and one or more gates 140 are formed on a side surface thereof for entrance and exit of the substrate 1. At this time, the gate 140 may be opened or closed by a gate valve (not shown), or may be formed only on one side of the substrate 1 or on a pair of opposite positions.

상기 탑리드(120)는 다양한 구성이 가능하며, 챔버본체(110)와 탈착가능하게 결합되어 처리공간(S)을 형성하는 구성으로, 샤워헤드(200)와는 열전달 및 통전이 가능하도록 후술하는 샤워헤드(200)가 하부에 결합될 수 있다.The top lead 120 may have a variety of configurations and is configured to be detachably coupled to the chamber body 110 to form a process space S. The shower head 200 may be provided with a shower The head 200 can be coupled to the lower portion.

상기 샤워헤드(200)는 가스공급관(130)을 통하여 공급되는 가스를 처리공간(S)으로 분사하는 구성으로서, 가스의 종류 및 수, 분사방식에 따라서 다양한 구성이 가능하다.The shower head 200 is configured to inject the gas supplied through the gas supply pipe 130 into the process space S, and various configurations are possible depending on the type and number of gases and the spraying method.

상기 기판지지대(500)는 진공처리의 대상인 기판(1)을 지지하기 위한 구성으로서, 챔버본체(110)에 설치되며 전원인가를 위한 전극부재, 기판(1)의 온도제어를 위한 구성 등 다양한 설치물들이 설치될 수 있다.The substrate support 500 is provided for supporting the substrate 1 which is an object of the vacuum process and is installed in the chamber main body 110 and includes various members such as an electrode member for power supply and a structure for controlling the temperature of the substrate 1 Can be installed.

또한 상기 기판지지대(500)는 기판(1)이 직접 안착되거나, 도 1에 도시된 바와 같이, 복수 개의 기판(1)들이 로딩된 트레이(2)가 안착될 수 있다.In addition, the substrate support 500 can directly seat the substrate 1, or the tray 2 on which the plurality of substrates 1 are loaded can be seated as shown in FIG.

한편 상기 진공처리장치(100)는 진공처리를 수행하면서 기판(1)을 일정한 온도로 가열하여 기판(1)의 온도를 제어하거나, 고온을 요하는 공정을 위하여 기판지지대(500)에 서로 조합되어 피가열체를 가열하기 위한 하나의 가열면을 형성하도록 복수 개의 히팅블록(510)들이 분리된 상태로 설치되는 히팅부를 포함한다. Meanwhile, the vacuum processing apparatus 100 may control the temperature of the substrate 1 by heating the substrate 1 to a predetermined temperature while performing a vacuum process, or may be combined with the substrate support 500 for a process requiring a high temperature And a plurality of heating blocks 510 are separately installed to form one heating surface for heating the heating target.

여기서 상기 복수 개의 히팅블록(510)들이 조합되어 구성되는 히팅부는 기판지지대(500) 자체를 구성하거나 기판지지대(500)의 일부를 구성할 수 있다. 또한 상기 복수 개의 히팅블록(510)들은 기판지지대(500)들 이외에도 샤워헤드(200)의 상부 등 가열이 필요한 부분에는 어디든 설치될 수 있다.Here, the heating unit formed by combining the plurality of heating blocks 510 constitutes the substrate support 500 itself or may constitute a part of the substrate support 500. In addition, the plurality of heating blocks 510 may be installed anywhere in the heating part such as the upper part of the shower head 200 in addition to the substrate supporters 500.

상기 히팅블록(510)은 램프히터는 물론, 소정의 온도로 가열할 수 있는 구성이면 어떠한 구조도 가능하며, 도 3에 도시된 바와 같이, 하부를 이루며 전원연결선이 설치될 수 있도록 관통공(미도시)이 형성되는 제1플레이트(511)와, 기판(1)을 지지하는 상부를 이루며 제1플레이트(511)와 결합되는 제2플레이트(512)와, 제1플레이트(511) 또는 제2플레이트(512)에 형성된 삽입홈(513a)에 설치되어 전원연결선과 연결되어 전원공급에 의하여 발열하는 시스히터와 같은 하나 이상의 발열부재(513)를 포함하여 구성될 수 있다.The heating block 510 may be any structure as long as it can be heated to a predetermined temperature as well as the lamp heater. As shown in FIG. 3, the heating block 510 includes a through hole A second plate 512 coupled to the first plate 511 to form an upper portion for supporting the substrate 1 and a second plate 512 coupled to the first plate 511 or the second plate 511. [ And one or more heat generating members 513, such as sheath heaters, which are installed in the insertion groove 513a formed in the heat sink 512 and connected to the power connection line to generate heat by power supply.

상기 제1플레이트(511) 및 제2플레이트(512)는 금속재질, 구체적으로는 니켈기 내열 합금재질을 가질 수 있으며 다양한 형상을 가질 수 있다.The first plate 511 and the second plate 512 may have a metal material, specifically, a nickel-base heat-resistant alloy material, and may have various shapes.

니켈기 내열 합금으로는 인코넬(등록상표), 하스텔로이(등록상표)를 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 사용되는 환경에 따라서 스테인리스강, 알루미늄, 알루미늄 합금, 동, 동 합금, 티탄, 티탄 합금 중 하나를 제1플레이트(2)와 제2플레이트(3)에 사용할 수도 있다.As the nickel-base heat-resistant alloy, Inconel (registered trademark) and Hastelloy (registered trademark) are preferably used. Depending on the used environment, one of stainless steel, aluminum, aluminum alloy, copper, copper alloy, titanium, and titanium alloy may be used for the first plate 2 and the second plate 3.

한편 상기 제1플레이트(511) 및 제2플레이트(512)는 상호 원활한 열전달을 위하여 브레이징에 의하여 결합될 수 있다.Meanwhile, the first plate 511 and the second plate 512 may be coupled by brazing for mutual heat transfer.

상기 히팅블록(510)은 처리되는 LCD 패널용 유리기판 등이 장방형인 점을 고려하여 장방형의 형상을 가질 수 있다.The heating block 510 may have a rectangular shape in consideration of a rectangular glass substrate or the like for the LCD panel to be processed.

한편 상기 복수 개의 히팅블록(510)들은 발열량, 온도제어의 목적 등 다양한 필요성에 따라서 다양한 조합이 가능하다.Meanwhile, the plurality of heating blocks 510 can be variously combined according to various needs such as a heating value and a temperature control purpose.

예를 들면 상기 히터블록(510)들은 가로방향 및 세로방향으로, 또는 일방향으로 배치될 수 있으며, 도 2에 도시된 바와 같이, 4개로 분할된 구성을 가지도록 4개의 히팅블록(510)들로 구성될 수 있다.For example, the heater blocks 510 may be arranged in the horizontal and vertical directions or in one direction. As shown in FIG. 2, the heater blocks 510 may be divided into four heating blocks 510 Lt; / RTI >

또한 상기 히터블록(510)들은 도 4에 도시된 바와 같이, 피가열체를 기준으로 중앙에 설치된 중앙히팅블록(501)과, 중앙히팅블록(501)을 둘러싸는 4개의 외곽히팅블록(502)들로 구성될 수 있다. 여기서 중앙히팅블록(501) 및 외곽히팅블록(502)은 하나의 예시일 뿐 그 형상 및 숫자는 설계에 따라서 다양하게 구성될 수 있다. As shown in FIG. 4, the heater blocks 510 include a central heating block 501 installed centrally with respect to the heating target, four outer heating blocks 502 surrounding the central heating block 501, . ≪ / RTI > Here, the central heating block 501 and the outer heating block 502 are only one example, and their shapes and numbers can be variously configured according to the design.

한편 상기 히팅블록(510)들 중 적어도 하나는 하나 이상의 발열부재(513)들이 설치될 수 있다. 이때 복수 개의 발열부재(513)들이 설치된 경우 각 발열부재(513)들은 개별적으로 제어, 특히 발열량이 독립적으로 제어가능하도록 설치될 수 있으며, 각 발열부재(513)는 그 발열량이 다르게 설정될 수 있다.At least one of the heating blocks 510 may include one or more heat generating members 513. In this case, when the plurality of heating members 513 are installed, the respective heating members 513 can be individually controlled, in particular, so that the heating value can be independently controlled, and the heating value of each heating member 513 can be set differently .

즉, 도 2에 도시된 히팅블록(510)들은 피가열체인 기판(1)을 기준으로 중앙부분에 대응되는 부분에 제1발열부재(513)가 설치되고, 그 외곽부분에 제2발열부재(513)가 설치될 수 있다. 이때 중앙부분에 설치된 제1발열부재(513)는 외곽에 설치된 제2발열부재(513)의 발열양보다 작게 설정될 수 있다. 물론 공정조건에 따라서 반대로 중앙부분에 설치된 제1발열부재(513)는 외곽에 설치된 제2발열부재(513)의 발열양보다 크게 설정될 수 있다. That is, the heating blocks 510 shown in FIG. 2 are provided with a first heating member 513 at a portion corresponding to a central portion with reference to the substrate 1 to be heated, and a second heating member 513 may be installed. At this time, the first heating member 513 installed at the central portion may be set smaller than the heating area of the second heating member 513 installed at the outer periphery. Of course, depending on the process conditions, the first heating member 513 provided at the central portion may be set larger than the heating area of the second heating member 513 installed at the outer periphery.

상기 히팅블록(510)은 도 2 및 도 4에 도시된 바와 같이, 발열시 열팽창을 고려하여 설정온도가 최고일 때, 즉 열팽창이 최고일 때, 이웃하는 히팅블록(510)과 접촉되지 않을 정도로 히팅블록(510)과 간격을 두고 설치될 수 있다.As shown in FIGS. 2 and 4, the heating block 510 may be formed in such a manner that it does not come into contact with the neighboring heating block 510 when the set temperature is the highest, that is, when the thermal expansion is maximum, And may be spaced apart from the heating block 510.

한편 상기 진공처리장치(100)는 기판(1)을 기준으로 중앙부분에서 온도가 높게 형성되고 외곽부분에서 온도가 상대적으로 낮게 형성됨이 일반적이다.On the other hand, the vacuum processing apparatus 100 is generally formed such that the temperature of the vacuum processing apparatus 100 is high at a central portion thereof and relatively low at an outer portion thereof.

따라서 본 발명에 따른 진공처리장치(100)는 상기와 같이 위치에 따라 온도편차가 발생함을 고려하여 도 2 및 도 4에 도시된 바와 같이, 복수 개의 히팅블록(510)들이 기판지지대(500) 상에 복수개의 "발열량이 함께 제어되거나, 발열량이 동일한" 히팅영역(R1, R2)들이 형성하고 각 히팅영역(R1, R2)들에서의 발열량이 독립적으로 제어될 수 있다.2 and 4, when a plurality of heating blocks 510 are mounted on the substrate support 500, a plurality of heating blocks 510 are mounted on the substrate support 500, A plurality of heating regions R1 and R2 having the same heating value or the same heating value can be formed and the heating value in each heating region R1 and R2 can be independently controlled.

상기 복수 개의 히팅영역(R1, R2)들은 2개 이상으로 형성되며, 하나의 히팅블록(510)들 내에서도 형성이 가능하며, 2개 이상, 즉 복수 개의 히팅블록(510)들의 조합에 의하여 형성될 수 있다.The plurality of heating regions R1 and R2 may be formed in two or more than one heating blocks 510 and may be formed by a combination of two or more heating blocks 510 .

예를 들면, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 히팅영역(R1, R2)들은 피가열체인 기판(1)의 중앙부분에 대응되는 제1히팅영역(R1)과, 제1히팅영역(R1)을 둘러싸는 제2히팅영역(R2)로 구성될 수 있다.2, the heating regions R1 and R2 include a first heating region R1 corresponding to a center portion of the substrate 1 to be heated, a first heating region R1, And a second heating area R2 surrounding the second heating area R2.

이때 상기 제1히팅영역(R1) 및 제2히팅영역(R2)은 각각 하나 이상의 히팅블록(510)에 의하여 형성될 수 있다.At this time, the first heating region R1 and the second heating region R2 may be formed by one or more heating blocks 510, respectively.

또한 상기 복수개의 히팅영역(R1, R2)들 중 적어도 하나는 2개 이상의 히팅블록(510)들에 형성될 수 있다. 이때 하나의 히팅영역을 형성하는 히팅블록(510)들 중 적어도 하나는 하나 이상의 히팅영역이 형성될 수 있다.At least one of the plurality of heating regions R1 and R2 may be formed in two or more heating blocks 510. [ At this time, at least one of the heating blocks 510 forming one heating area may be formed with at least one heating area.

한편 분리된 복수 개의 히팅블록들이 진공처리장치에 설치된 예를 들어 설명하였으나, 진공처리장치 이외에도 대기압 또는 진공상태의 로드락챔버 내에서 예열을 하거나, 기타 가열이 필요한 기판처리장치 모두에 적용 가능함은 물론이다.On the other hand, although a plurality of separated heating blocks are provided in the vacuum processing apparatus, the present invention is applicable to all substrate processing apparatuses that require preheating in other than a vacuum processing apparatus, a load lock chamber in an atmospheric pressure or vacuum state, to be.

이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께 하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.
It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention as defined in the appended claims. It is to be understood that both the technical idea and the technical spirit of the invention are included in the scope of the present invention.

100 ; 진공처리장치 200 : 샤워헤드
300 : 기판지지대
510 : 히팅블록
R1, R2 : 히팅영역100; Vacuum processing apparatus 200: Shower head
300: substrate support
510: heating block
R1, R2: Heating area

Claims (11)

삭제delete 기판처리를 위한 처리공간에 설치되며, 서로 분리된 복수 개의 히팅블록들이 조합되어 피가열체를 가열하도록 가열면을 형성하는 히팅부를 포함하며,
상기 복수 개의 히팅블록들은, 피가열체가 안착되어 피가열체를 직접 지지하는 기판지지대의 지지면을 이루는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.And a heating unit which is installed in a processing space for processing the substrate and forms a heating surface for heating the heating target by combining a plurality of heating blocks separated from each other,
Wherein the plurality of heating blocks constitute support surfaces of a substrate support which supports the heating target and which receives the heating target. 청구항 2에 있어서,
상기 히팅블록들 중 적어도 하나는 독립적으로 발열량이 제어되는 복수 개의 발열부재가 설치된 것을 특징으로 기판처리장치.The method of claim 2,
Wherein at least one of the heating blocks is provided with a plurality of heating members whose heating amounts are independently controlled. 청구항 2에 있어서,
상기 히팅블록들은 발열량이 동일하거나 발열량이 함께 제어되는 영역을 히팅영역이라고 할 때, 서로 조합되어 2개 이상의 히팅영역들을 형성하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 2,
Wherein the heating blocks are combined with each other to form two or more heating regions when a heating region has the same heating value or a heating region is controlled as a heating region. 청구항 4에 있어서,
상기 가열면은 피가열체의 중앙부분에 대응되는 제1히팅영역과, 상기 제1히팅영역을 둘러싸는 제2히팅영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 4,
Wherein the heating surface includes a first heating region corresponding to a central portion of the heating target and a second heating region surrounding the first heating region. 청구항 5에 있어서,
상기 제1히팅영역은 상기 제2히팅영역보다 발열량이 작은 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 5,
Wherein the first heating region has a smaller calorific value than the second heating region. 청구항 4에 있어서,
상기 히팅영역들 중 적어도 하나는 인접하는 2개 이상의 상기 히팅블록들에 걸쳐서 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 4,
Wherein at least one of the heating regions is formed across two or more adjacent heating blocks. 청구항 2에 있어서,
상기 히팅블록은 하부를 이루는 제1플레이트와, 기판을 지지하는 상부를 이루며 상기 제1플레이트와 결합되는 제2플레이트와, 상기 제1플레이트 또는 상기 제2플레이트에 형성된 삽입홈에 설치되어 전원공급에 의하여 발열하는 하나 이상의 발열부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 2,
The heating block may include a first plate forming a lower portion, a second plate forming an upper portion for supporting the substrate and coupled with the first plate, and an insertion groove formed in the first plate or the second plate, And at least one heat generating member for generating heat by heating the substrate. 청구항 2에 있어서,
상기 피가열체는 트레이에 로딩된 다수개의 기판들로 구성되며,
상기 기판지지대는 상기 트레이를 지지하도록 구성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 2,
The object to be heated is composed of a plurality of substrates loaded on a tray,
Wherein the substrate support is configured to support the tray. 청구항 2 내지 청구항 9 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 히팅블록은 이웃하는 상기 히팅블록과 간격을 두고 설치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to any one of claims 2 to 9,
Wherein the heating block is spaced apart from the neighboring heating block. 청구항 2 내지 청구항 9 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 기판처리장치는 로드락챔버 또는 진공처리장치인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to any one of claims 2 to 9,
Wherein the substrate processing apparatus is a load lock chamber or a vacuum processing apparatus.
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