KR101517977B1 - Illuminating apparatur using light emitting elements - Google Patents

Illuminating apparatur using light emitting elements Download PDF

Info

Publication number
KR101517977B1
KR101517977B1 KR1020130026246A KR20130026246A KR101517977B1 KR 101517977 B1 KR101517977 B1 KR 101517977B1 KR 1020130026246 A KR1020130026246 A KR 1020130026246A KR 20130026246 A KR20130026246 A KR 20130026246A KR 101517977 B1 KR101517977 B1 KR 101517977B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
led chip
light emitting
chip group
group
channel
Prior art date
Application number
KR1020130026246A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20140112637A (en
Inventor
김용기
조승현
Original Assignee
우리조명 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 우리조명 주식회사 filed Critical 우리조명 주식회사
Priority to KR1020130026246A priority Critical patent/KR101517977B1/en
Publication of KR20140112637A publication Critical patent/KR20140112637A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101517977B1 publication Critical patent/KR101517977B1/en

Links

Images

Classifications

    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/20—Light sources comprising attachment means
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V23/00—Arrangement of electric circuit elements in or on lighting devices
    • F21V23/003—Arrangement of electric circuit elements in or on lighting devices the elements being electronics drivers or controllers for operating the light source, e.g. for a LED array
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Circuit Arrangement For Electric Light Sources In General (AREA)

Abstract

본 개시는, 반도체 발광소자 조명장치에 있어서, 제1 발광 영역 및 제1 발광 영역 둘레의 제2 발광 영역을 구비하는 기판; 제1 발광 영역에 배치되는 제1 LED 칩 그룹; 제2 발광 영역에 배치되는 제2 LED 칩 그룹; 제1 색온도의 제1 형광체를 포함하며 제1 발광 영역에 디스펜싱되어 제1 LED 칩 그룹을 덮는 제1 봉지부; 제1 색온도보다 높은 제2 색온도의 제2 형광체를 포함하며 제2 발광 영역에 디스펜싱되어 제2 LED 칩 그룹을 덮는 제2 봉지부; 조도를 조절하는 조광기; 및 조광기의 입력에 따라 최대출력과 최소출력 사이의 설정출력을 기준으로 제1 LED 칩 그룹 및 제2 LED 칩 그룹으로의 전원 공급을 제어하되, 설정출력 이하의 출력의 적어도 일부 구간에서는 제2 LED 칩 그룹에 공급되는 전류를 차단한 상태에서 제1 LED 칩 그룹에 공급되는 전류를 증감시키고, 설정출력 이상의 출력의 적어도 일부 구간에서는 제1 LED 칩 그룹에 공급되는 전류를 최대로 유지하고 제2 LED 칩 그룹에 공급되는 전류를 증감시키는 구동회로;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치에 관한 것이다. The present disclosure relates to a semiconductor light emitting device illumination device, comprising: a substrate having a first light emitting region and a second light emitting region around the first light emitting region; A first LED chip group disposed in the first light emitting region; A second LED chip group disposed in a second light emitting region; A first encapsulant including a first phosphor of a first color temperature and being dispensed in a first luminescent region to cover the first LED chip group; A second encapsulant including a second phosphor having a second color temperature higher than the first color temperature and being dispensed in the second emission region to cover the second LED chip group; A dimmer to adjust the illumination; And controlling the supply of power to the first LED chip group and the second LED chip group based on a set output between a maximum output and a minimum output in accordance with the input of the dimmer, The current supplied to the first LED chip group is increased or decreased in a state where the current supplied to the chip group is cut off, And a driving circuit for increasing or decreasing a current supplied to the chip group.

Description

반도체 발광소자 조명장치{ILLUMINATING APPARATUR USING LIGHT EMITTING ELEMENTS}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a semiconductor light-

본 발명은 반도체 발광소자 조명장치에 관한 것으로, 특히 조도 조절시 색온도를 동시에 조절할 수 있는 반도체 발광소자 조명장치에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor light emitting device lighting apparatus, and more particularly, to a semiconductor light emitting device lighting apparatus capable of simultaneously controlling a color temperature during illumination control.

여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art). Herein, the background art relating to the present disclosure is provided, and these are not necessarily meant to be known arts.

도 1은 종래의 교류 전원을 이용한 반도체 발광소자 조명장치의 일 예를 나타내는 도면으로서, 교류 전원(100), 교류 전원(100)의 전압을 조절하는 저항(110), 그리고 극성을 반대로 하여 병렬연결된 LED(120) 및 LED(130)가 도시되어 있다. 양의 전류가 흐를 때 LED(120)가 발광하며, 음의 전류가 흐를 때 LED(130)가 발광한다.1 is a diagram showing an example of a conventional semiconductor light emitting device lighting apparatus using an AC power source, which includes an AC power source 100, a resistor 110 for adjusting the voltage of the AC power source 100, LED 120 and LED 130 are shown. The LED 120 emits light when a positive current flows, and the LED 130 emits light when a negative current flows.

도 2는 종래의 교류 전원을 이용한 반도체 발광소자 조명장치의 다른 예를 나타내는 도면으로서, 발광장치(200)는 정류 회로(210; Rectifier), 평활 회로(220; Regulator), 발광부(230)를 포함한다. 교류는 정류 회로(210)를 통해 맥류로 전환되며, 평활 회로(220)를 통해 직류의 형태로 전환되어 발광부(230)에 공급된다.2 is a diagram showing another example of a conventional semiconductor light emitting device illumination device using an AC power source. The light emitting device 200 includes a rectifier circuit 210, a smoothing circuit 220, and a light emitting portion 230 . The alternating current is converted into a pulsating current through the rectifying circuit 210, converted into a direct current through the smoothing circuit 220, and supplied to the light emitting unit 230.

도 3은 종래의 교류 전원을 이용한 반도체 발광소자 조명장치의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 정류 회로(310), 트랜스를 포함하는 스위칭 모드 파워 스플라이(320; SMPS), 복수 발광소자가 직렬연결된 LED 어레이(330)가 구비된 발광부(340)가 도시되어 있다. 그러나 SMPS(320)를 사용하는 경우에, EMI(Electromanetic Interference) 필터(350)가 추가로 구비되어야 한다.3 is a view showing still another example of a conventional semiconductor light emitting device lighting apparatus using an alternating current power supply, which includes a rectifying circuit 310, a switching mode power splitter 320 (SMPS) including a transformer, a plurality of light emitting devices connected in series A light emitting portion 340 having an LED array 330 is illustrated. However, when the SMPS 320 is used, an EMI (Electro-Magnetic Interference) filter 350 must be additionally provided.

도 4 및 도 5는 종래의 교류 전원을 이용한 반도체 발광소자 조명장치의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 발광소자(400)는 정류 회로(410)와 전압에 맞추어 직렬연결된 복수의 LED(420)를 구비한다. 정류 회로(410)를 거친 전압은 도 5에 도시된 것과 같은 형태의 파형을 가진다. 복수의 LED(420)는 이들 모두가 도통될 수 있을 만큼 이르렀을 때(Ton)에야 발광되며, 또한 그 이하로 전압이 떨어질 때(Toff)에 소광된다. 따라서 회로부의 구성을 간단히 할 수 있는 반면에, 교류 전원 전체 주기에서 사용하지 못하는 문제점이 있다.4 and 5 show another example of a conventional semiconductor light emitting device illumination device using an AC power source. The light emitting device 400 includes a rectifier circuit 410 and a plurality of LEDs 420 connected in series in accordance with a voltage Respectively. The voltage across the rectifying circuit 410 has a waveform of the type shown in Fig. The plurality of LEDs 420 emit light only when all of them become conductive (T on ), and are also extinguished when the voltage drops below that (T off ). Therefore, the configuration of the circuit part can be simplified, but the AC power supply can not be used in the entire cycle.

도 6 및 도 7은 미국공개특허공보 제2010-0194298호에 제시된 교류 전원을 이용한 반도체 발광소자 조명장치의 일 예를 나타내는 도면으로서, 상기한 문제점을 해소하기 위하여, 발광소자(600)는 정류 회로(610), 직렬연결된 LED를 복수의 그룹(631,632,633,634,635)으로 나누어 제어하는 제어부(620)를 구비한다. 제어부(620)는 각각의 그룹(631,632,633,634,635)을 발광하도록 제어하는 스위치(Q1,Q2,Q3,Q4,Q5,Q6)를 가진다. 정류된 전류의 전압이 LED 그룹(631)을 On할 수 있는 시간(T1) 및 전압(20V)에 이르면, 스위치(Q1)가 On 상태로 유지시켜, LED 그룹(631)을 거친 전류가 스위치(Q1)를 통해 도통함으로써, 20V부터 40V 사이의 전압에서 LED 그룹(631)을 발광시킨다. LED 그룹(631)과 LED 그룹(632)을 On할 수 있는 시간(T2) 및 전압(40V)에 이르면, 스위치(Q1)를 Off 시키고 스위치(Q2)를 On 상태에 유지시켜, LED 그룹(631) 및 LED 그룹(632)를 거친 전류가 스위치(Q2)를 통해 도통함으로써, 40V부터 60V 사이의 전압에서 LED 그룹(631) 및 LED 그룹(632)을 발광시킨다. 동일한 방식으로 LED 그룹(635)까지를 발광시키고, 전압이 감소하면 반대로 스위치를 On/Off 함으로써 순차로 발광을 감소시킨다. 이러한 발광소자에 의하면, 정류된 전류 전체를 발광소자의 발광에 이용할 수 있는 이점을 가지지만, LED 그룹(631)을 한 주기 전체에 걸쳐 발광을 하게 되며, LED 그룹(635)은 가장 높은 전압의 구간에서만 발광을 하게 되므로, 시간이 지남에 따라 LED 특성이 변할 수 있는 문제점을 가진다.6 and 7 are views showing an example of a semiconductor light emitting device lighting apparatus using an AC power source disclosed in U.S. Patent Application Publication No. US2004 / (610), and a controller (620) for controlling the LEDs connected in series by dividing them into a plurality of groups (631, 632, 633, 634, 635). The control unit 620 has switches Q1, Q2, Q3, Q4, Q5, and Q6 for controlling the respective groups 631, 632, 633, 634, 635 to emit light. When the voltage of the rectified current reaches the time (T 1 ) and voltage (20V) at which the LED group 631 can be turned on, the switch Q1 is kept in the ON state, (Q1), thereby causing the LED group 631 to emit light at a voltage between 20V and 40V. The switch Q1 is turned off and the switch Q2 is kept on so that the LED group 631 and the LED group 632 can be turned on by the time T 2 and the voltage 40V, 631 and the LED group 632 conducts through the switch Q2 so that the LED group 631 and the LED group 632 emit light at a voltage between 40V and 60V. The LED group 635 is lighted in the same manner, and when the voltage is decreased, the light is sequentially decreased by turning the switch on / off. The LED group 635 emits light over a whole period of the LED group 631 while the rectified current has the advantage of being able to use the whole of the rectified current for the light emission of the light emitting element, The LED characteristics can be changed over time.

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Implementation of the Invention.

여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).SUMMARY OF THE INVENTION Herein, a general summary of the present disclosure is provided, which should not be construed as limiting the scope of the present disclosure. of its features).

이를 위하여, 본 개시는, 반도체 발광소자 조명장치에 있어서, 제1 발광 영역 및 제1 발광 영역 둘레의 제2 발광 영역을 구비하는 기판; 제1 발광 영역에 배치되는 제1 LED 칩 그룹; 제2 발광 영역에 배치되는 제2 LED 칩 그룹; 제1 색온도의 제1 형광체를 포함하며 제1 발광 영역에 디스펜싱되어 제1 LED 칩 그룹을 덮는 제1 봉지부; 제1 색온도보다 높은 제2 색온도의 제2 형광체를 포함하며 제2 발광 영역에 디스펜싱되어 제2 LED 칩 그룹을 덮는 제2 봉지부; 조도를 조절하는 조광기; 및 조광기의 입력에 따라 최대출력과 최소출력 사이의 설정출력을 기준으로 제1 LED 칩 그룹 및 제2 LED 칩 그룹으로의 전원 공급을 제어하되, 설정출력 이하의 출력의 적어도 일부 구간에서는 제2 LED 칩 그룹에 공급되는 전류를 차단한 상태에서 제1 LED 칩 그룹에 공급되는 전류를 증감시키고, 설정출력 이상의 출력의 적어도 일부 구간에서는 제1 LED 칩 그룹에 공급되는 전류를 최대로 유지하고 제2 LED 칩 그룹에 공급되는 전류를 증감시키는 구동회로;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치를 제공한다. To this end, the disclosure provides a semiconductor light emitting device illumination apparatus comprising: a substrate having a first light emitting region and a second light emitting region around the first light emitting region; A first LED chip group disposed in the first light emitting region; A second LED chip group disposed in a second light emitting region; A first encapsulant including a first phosphor of a first color temperature and being dispensed in a first luminescent region to cover the first LED chip group; A second encapsulant including a second phosphor having a second color temperature higher than the first color temperature and being dispensed in the second emission region to cover the second LED chip group; A dimmer to adjust the illumination; And controlling the supply of power to the first LED chip group and the second LED chip group based on a set output between a maximum output and a minimum output in accordance with the input of the dimmer, The current supplied to the first LED chip group is increased or decreased in a state where the current supplied to the chip group is cut off, And a driving circuit for increasing or decreasing a current supplied to the chip group.

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Implementation of the Invention.

도 1은 종래의 교류 전원을 이용한 반도체 발광소자 조명장치의 일 예를 나타내는 도면,
도 2는 종래의 교류 전원을 이용한 반도체 발광소자 조명장치의 다른 예를 나타내는 도면,
도 3은 종래의 교류 전원을 이용한 반도체 발광소자 조명장치의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 4 및 도 5는 종래의 교류 전원을 이용한 반도체 발광소자 조명장치의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 6 및 도 7은 미국공개특허공보 제2010-0194298호에 제시된 교류 전원을 이용한 반도체 발광소자 조명장치의 일 예를 나타내는 도면,
도 8은 본 개시에 따른 반도체 발광소자 조명장치의 일 예를 나타내는 도면,
도 9는 도 8의 A-A선 단면도,
도 10은 도 8의 반도체 발광소자 조명장치를 구동하는 구동회로의 일 예를 나타내는 회로도,
도 11은 본 개시에 따른 반도체 발광소자 조명장치의 다른 일 예를 나타내는 도면,
도 12는 도 11의 B-B선 단면도,
도 13은 도 11의 반도체 발광소자 조명장치를 부분적으로 나타내는 회로도,
도 14는 본 개시에 따른 반도체 발광소자 조명장치의 입력 전압에 따른 점등 상태를 구간별로 나타내는 그래프. 1 is a view showing an example of a conventional semiconductor light emitting device illumination device using an AC power source,
2 is a view showing another example of a conventional semiconductor light emitting device illumination device using an AC power source,
3 is a view showing still another example of a conventional semiconductor light emitting device illumination device using an AC power source,
FIGS. 4 and 5 are views showing still another example of a conventional semiconductor light emitting device lighting device using an AC power source,
FIGS. 6 and 7 are views showing an example of a semiconductor light emitting device lighting device using an AC power source as disclosed in U.S. Patent Publication No. 2010-0194298,
8 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device illumination apparatus according to the present disclosure,
9 is a sectional view taken along the line AA in Fig. 8,
FIG. 10 is a circuit diagram showing an example of a driving circuit for driving the semiconductor light-emitting device illumination device of FIG. 8;
11 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device illumination device according to the present disclosure,
12 is a sectional view taken along line BB of Fig. 11,
FIG. 13 is a circuit diagram partially showing the semiconductor light emitting device illumination device of FIG. 11,
FIG. 14 is a graph showing a lighting state according to an input voltage of the semiconductor light emitting device lighting apparatus according to the present disclosure, by intervals. FIG.

이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)).The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 8은 본 개시에 따른 반도체 발광소자 조명장치의 일 예를 나타내는 도면이고, 도 9는 도 8의 A-A선 단면도, 도 10은 도 8의 반도체 발광소자 조명장치를 구동하는 구동회로의 일 예를 나타내는 회로도이다. 8 is a cross-sectional view taken along the line AA in Fig. 8, and Fig. 10 is an example of a driving circuit for driving the semiconductor light-emitting device illumination device of Fig. 8 FIG.

반도체 발광소자 조명장치(100)는 조도를 조절하는 조광기(110), 칩 온 보드(이하, COB: Chip On Board) 타입의 발광 모듈(130) 및 구동회로(150)를 포함한다. The semiconductor light emitting device illumination apparatus 100 includes a dimmer 110 for adjusting the illuminance, a chip on board (COB) type light emitting module 130, and a driving circuit 150.

발광 모듈(130)은, 중앙의 제1 발광 영역(111) 및 제1 발광 영역(111) 둘레의 제2 발광 영역(113)을 구비하는 기판(115), 제1 발광 영역(111)에 배치되는 제1 LED 칩 그룹(G1), 제2 발광 영역(113)에 배치되는 제2 LED 칩 그룹(G2), 제1 발광 영역(111)에 디스펜싱되어 제1 LED 칩 그룹(G1)을 덮는 제1 봉지부(125), 및 제2 발광 영역(113)에 디스펜싱되어 제2 LED 칩 그룹(G2)을 덮는 제2 봉지부(135)를 포함한다. The light emitting module 130 includes a substrate 115 having a central first light emitting region 111 and a second light emitting region 113 around the first light emitting region 111, A second LED chip group G2 disposed in the second light emitting region 113 and a second LED chip group G2 disposed in the first light emitting region 111 to cover the first LED chip group G1 And a second sealing part 135 which is dispensed in the second light emitting area 113 to cover the second LED chip group G2.

기판(115)은 또한 제1 발광 영역(111)과 전기적으로 연결되는 제1 입력단자(116) 및 제1 출력단자(117)를 구비하고, 제2 발광 영역(113)과 전기적으로 연결되는 제2 입력단자(118) 및 제2 출력단자(119)를 구비한다. The substrate 115 is further provided with a first input terminal 116 and a first output terminal 117 electrically connected to the first light emitting region 111 and a second input terminal 116 electrically connected to the second light emitting region 113 2 input terminal 118 and a second output terminal 119. [

제1 LED 칩 그룹(G1)은 다수의 LED 칩(121)으로 이루어질 수 있으며 제1 발광 영역(111)에 장착된다. LED 칩(121)은 예를 들어 청색 LED 칩이 사용될 수 있다. 제1 LED 칩 그룹(G1)은 제1 입력단자(116) 및 제1 출력단자(117)와 전기적으로 연결되며, 제1 입력단자(116) 및 제1 출력단자(117)를 통해 구동회로(150)에 연결된다. 제2 LED 칩 그룹(G2) 역시 다수의 LED 칩(131)으로 이루어질 수 있으며 제2 발광 영역(113)에 장착된다. 제2 LED 칩 그룹(G2)을 이루는 LED 칩(131) 역시 제1 LED 칩 그룹(G1)을 이루는 LED 칩(121)과 마찬가지로 청색 LED 칩이 사용될 수 있다. 제2 LED 칩 그룹(G2)은 제2 입력단자(118) 및 제2 출력단자(119)와 전기적으로 연결되며, 제2 입력단자(118) 및 제2 출력단자(119)를 통해 구동회로(150)에 연결된다. 따라서, 제1 LED 칩 그룹(G1) 및 제2 LED 칩 그룹(G2)은 독립적으로 전원을 공급받아 독립적으로 제어될 수 있다. The first LED chip group G1 may include a plurality of LED chips 121 and may be mounted on the first light emitting region 111. [ The LED chip 121 may be a blue LED chip, for example. The first LED chip group G1 is electrically connected to the first input terminal 116 and the first output terminal 117 and is electrically connected to the driving circuit through the first input terminal 116 and the first output terminal 117. [ 150). The second LED chip group G2 may also include a plurality of LED chips 131 and may be mounted on the second light emitting area 113. [ The LED chip 131 constituting the second LED chip group G2 may also be a blue LED chip as in the LED chip 121 constituting the first LED chip group G1. The second LED chip group G2 is electrically connected to the second input terminal 118 and the second output terminal 119 and is electrically connected to the driving circuit through the second input terminal 118 and the second output terminal 119. [ 150). Accordingly, the first LED chip group G1 and the second LED chip group G2 can be independently controlled by being independently supplied with power.

제1 봉지부(125) 및 제2 봉지부(135)는 실리콘 등과 같은 투명재질의 수지 및 형광체를 혼합한 액상의 봉지제를 제1 발광 영역(111) 및 제2 발광영역(113) 각각에 디스펜싱한 다음 경화시키는 방식으로 형성될 수 있다. 제1 봉지부(125)는 예를 들어 투명재질의 실리콘 수지 및 1800K 정도의 색온도를 갖는 웜(warm)계열의 주황색 형광체를 포함할 수 있다. 제2 봉지부(135)는 예를 들어 투명재질의 실리콘 수지 및 제1 봉지부(125)에 포함되는 주황색 형광체보다 색온도가 높은 4000K 정도의 색온도를 갖는 쿨(cool)계열의 황색 형광체를 포함할 수 있다. 물론, 제1 봉지부(125)에 포함되는 형광체와 제2 봉지부(135)에 포함되는 형광체의 종류는 변경될 수 있으며, 형광체의 종류 변경을 통해 색온도를 변화시킬 수 있다. The first encapsulation part 125 and the second encapsulation part 135 are formed by laminating a liquid encapsulant obtained by mixing a transparent resin such as silicon or the like and a fluorescent material in the first luminescent area 111 and the second luminescent area 113 Followed by dispensing and then curing. The first sealing part 125 may include, for example, a transparent silicone resin and a warm orange phosphor having a color temperature of about 1800K. The second encapsulant 135 may include, for example, a silicone resin of a transparent material, and a cool-type yellow phosphor having a color temperature of about 4000K, which is higher in color temperature than the orange phosphor included in the first encapsulant 125 . Of course, the types of the phosphors included in the first encapsulation part 125 and the second encapsulation part 135 can be changed, and the color temperature can be changed by changing the type of the fluorescent material.

기판(115) 위의 제1 발광 영역(111)과 제2 발광 영역(113)의 경계를 따라 경계턱(160)이 형성될 수 있다. 경계턱(160)은 제1 봉지부(125)의 외곽을 한정하며, 따라서 제1 봉지부(125)와 제2 봉지부(135)가 형성되는 영역을 명확하게 구분함으로써, 제1 봉지부(125)를 이루는 봉지제와 제2 봉지부(135)를 이루는 봉지제가 디스펜싱을 통한 형성과정에서 섞이는 것을 방지할 수 있다. 경계턱(160)은 또한 제1 LED 칩 그룹(G1)에서 발생한 빛이 제2 LED 칩 그룹(G2) 쪽으로 방출되는 것을 차단하고, 제2 LED 칩 그룹(G2)에서 발생한 빛이 제1 LED 칩 그룹(G1) 쪽으로 방출되는 것을 차단하여, 제1 LED 칩 그룹(G1) 및 제2 LED 칩 그룹(G2)에서 발생한 빛이 제1 봉지부(125) 및 제2 봉지부(135) 밖으로 방출되기 이전에 혼합되는 것을 방지할 수 있다. 더불어, 기판(115) 위의 제2 발광 영역(113)의 둘레를 따라 외곽 경계턱(170)을 포함할 수 있다. 외곽 경계턱(170)은 제2 봉지부(135)의 외곽을 한정하며, 따라서 제2 봉지부(135)의 형성과정에서 봉지제가 제2 발광 영역(113) 밖으로 퍼지는 것을 차단하여 외관이 불량해지는 것을 방지할 수 있다. A boundary trench 160 may be formed along the boundary between the first light emitting region 111 and the second light emitting region 113 on the substrate 115. The boundary jaw 160 defines the outer periphery of the first encapsulation part 125 and thus clearly divides the area where the first encapsulation part 125 and the second encapsulation part 135 are formed, 125 and the second encapsulant 135 can be prevented from being mixed in the process of forming through the dispensing process. The boundary jaw 160 also prevents the light emitted from the first LED chip group G1 from being emitted toward the second LED chip group G2, The light emitted from the first LED chip group G1 and the second LED chip group G2 is emitted to the outside of the first encapsulation unit 125 and the second encapsulation unit 135 It is possible to prevent mixing beforehand. In addition, the substrate 110 may include a perimeter threshold 170 along the periphery of the second emission region 113 on the substrate 115. The outer boundary step 170 defines the outer periphery of the second encapsulation part 135 and thus prevents the encapsulation agent from spreading out of the second encapsulation part 113 during the formation of the second encapsulation part 135, Can be prevented.

구동회로(150)는 조광기(110)와 전기적으로 연결되며, 조광기(110)의 입력에 대응하여 제1 LED 칩 그룹(G1) 및 제2 LED 칩 그룹(G2)으로의 전원 공급을 제어한다. 구동회로(150)는, 조광기(110)의 입력에 대응하여, 직류 전류를 최대출력과 최소출력 사이에서 제어하도록 구성될 수 있다. 구동회로(150)는, 최대출력과 최소출력 사이에서의 출력 전류 제어 및 최대출력과 최소출력 사이에서 결정되는 설정출력에서 제2 LED 칩 그룹(G2)의 On/Off 제어를 수행하는, 전류제어 IC 소자(155)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 최대출력은 160mA, 설정출력은 60mA, 그리고 최소출력은 0mA로 결정된다고 가정했을 때, 전류제어 IC 소자(155)는 160mA의 최대출력과 60mA의 설정출력 사이에서 제1 LED 칩 그룹(G1)에 공급되는 최대로 유지하고 제2 LED 칩 그룹(G2)에 공급되는 전류를 증감시키는 방식으로 출력 전류를 제어하며, 60mA의 설정출력과 0mA의 최소전류 사이에서 제2 LED 칩 그룹(G2)에 공급되는 전류를 차단한 상태에서 제1 LED 칩 그룹(G1)에 공급되는 전류를 증감시키는 방식으로 출력 전류를 제어한다. 구동회로(150)는, 예를 들어 도 10에 도시한 바와 같이, 정류회로(151), 촙핑 회로(152: chopping circuit), 플라이백 컨버터(153: flyback converter) 및 전류제어 IC 소자(155)를 포함한 구성으로 이루어질 수 있다. The driving circuit 150 is electrically connected to the dimmer 110 and controls power supply to the first LED chip group G1 and the second LED chip group G2 in response to the input of the dimmer 110. [ The driving circuit 150 can be configured to control the direct current between the maximum output and the minimum output in response to the input of the dimmer 110. [ The driving circuit 150 performs on / off control of the second LED chip group G2 in the output current control between the maximum output and the minimum output and in the setting output determined between the maximum output and the minimum output, IC < / RTI > Assuming, for example, that the maximum output is determined to be 160 mA, the set output to be 60 mA, and the minimum output to be 0 mA, the current control IC element 155 will have a maximum output of 160 mA and a set output of 60 mA, And controls the output current in such a manner as to increase or decrease the current supplied to the second LED chip group G2 while maintaining the maximum supplied to the first LED chip group G1 and between the set output of 60mA and the minimum current of 0mA, The current supplied to the first LED chip group G1 is increased or decreased while the current supplied to the first LED chip group G2 is cut off. The driving circuit 150 includes a rectifying circuit 151, a chopping circuit 152, a flyback converter 153 and a current control IC element 155, as shown in Fig. 10, for example. As shown in FIG.

따라서, 조광기(110)를 사용한 조도 조절시, 160mA의 최대출력에서 제1 LED 칩 그룹(G1) 및 제2 LED 칩 그룹(G2)이 모두 최대 밝기로 발광하며, 조광기(110)의 조절에 의해 출력 전류가 감소하게 되면 제1 LED 칩 그룹(G1)은 최대 밝기를 유지한 상태에서 제2 LED 칩 그룹(G2)만 점진적으로 어두워지고, 60mA의 설정출력에 도달하면 제2 LED 칩 그룹(G2)은 전류 공급 차단과 함께 소등되며, 출력 전류가 60mA 이하로 더 감소하게 되면 제2 LED 칩 그룹(G2)은 소등된 상태에서 제1 LED 칩 그룹(G1)만 점진적으로 어두워지는 방식으로 조도 조절이 이루어지게 된다. Therefore, when the illuminance is adjusted using the dimmer 110, the first LED chip group G1 and the second LED chip group G2 emit light with the maximum brightness at a maximum output of 160 mA, and by the adjustment of the dimmer 110 When the output current decreases, only the second LED chip group G2 is gradually darkened while maintaining the maximum brightness of the first LED chip group G1, and when the set output of 60 mA is reached, the second LED chip group G2 The second LED chip group G2 is turned off in a state in which only the first LED chip group G1 is gradually darkened when the output current is further reduced to 60 mA or less, .

이와 같은 방식으로 반도체 발광소자 조명장치(100)의 조도가 조절되는 과정에서, 색온도 또한 동시에 조절된다. 구체적으로, 제1 LED 칩 그룹(G1)은 주황색 형광체를 포함하는 제1 봉지부(125)에 덮이게 됨에 따라 1800K 정도의 색온도를 갖는 빛을 발하고, 제2 LED 칩 그룹(G2)은 황색 형광체를 포함하는 제2 봉지부(135)에 덮이게 됨에 따라 4000K 정도의 색온도를 갖는 빛을 발하게 되며, 최대출력에서 제1 LED 칩 그룹(G1)에서 방출된 빛과 제2 LED 칩 그룹(G2)에서 방출된 빛이 혼합되어 조명장치(100)에서 발하는 빛은 전체적으로 대략 3000K 정도의 색온도를 갖게 되어 상대적으로 차가운 느낌을 제공할 수 있게 된다. 조도 조절로 출력 전류가 감소하게 되면 제2 LED 칩 그룹(G2)이 점진적으로 어두워지고, 이 과정에서 조명장치(100)의 전체 밝기가 감소함과 더불어 색온도 또한 점진적으로 감소하게 되면서따듯한 느낌을 제공할 수 있게 된다. 나아가, 출력 전류가 설정출력 아래로 감소하게 되면 제1 LED 칩 그룹(G1)만 빛을 방출하게 되므로, 조명장치(100)에서 발하는 빛은 1800K 정도의 색온도 갖게 된다. 즉, 조광기(110)를 사용한 조도 조절시, 최대출력과 최소출력 사이에서 조도를 조절하는 과정에서, 3000K 내지 1800K 범위 내에서 색온도 또한 조절할 수 있다. 물론, 제1 봉지부(125) 및 제2 봉지부(135)에 포함되는 형광체의 종류를 변경함으로써, 색온도의 조절 범위가 변경될 수 있을 것이다. In the process of adjusting the illuminance of the semiconductor light emitting device illumination device 100 in this manner, the color temperature is also adjusted simultaneously. Specifically, the first LED chip group G1 emits light having a color temperature of about 1800K as it covers the first encapsulant 125 including orange phosphors, and the second LED chip group G2 emits light having a color temperature of about 1800K, The light emitted from the first LED chip group G1 at the maximum output and the light emitted from the second LED chip group G2 at the maximum output will emit light having a color temperature of about 4000K as being covered by the second encapsulant 135 including the phosphor, The light emitted from the illumination device 100 has a color temperature of about 3000K as a whole, so that a relatively cool feeling can be provided. The second LED chip group G2 gradually darkens as the output current is reduced by adjusting the illuminance. In this process, the overall brightness of the illumination device 100 is reduced, and the color temperature gradually decreases to provide a warm feeling . Further, when the output current decreases below the set output, only the first LED chip group G1 emits light, so that the light emitted from the lighting apparatus 100 has a color temperature of about 1800K. That is, the color temperature can be adjusted within the range of 3000K to 1800K in the process of adjusting the illuminance between the maximum output and the minimum output when adjusting the illuminance using the dimmer 110. [ Of course, by changing the kinds of phosphors included in the first encapsulation part 125 and the second encapsulation part 135, the adjustment range of the color temperature can be changed.

다른 예로서, 별도로 도시하진 않지만, 제2 LED 칩 그룹(G2) 둘레에 추가적인 LED 칩 그룹이 구비될 수 있다. 추가적인 LED 칩 그룹은 제2 LED 칩 그룹(G2)을 덮는 제2 봉지부(135)에 포함되는 형광체와 다른 종류의 형광체를 포함하는 봉지부에 의해 덮이도록 형성될 수 있다. 이러한 방식으로, 색온도 조절의 범위를 확대할 수 있다. As another example, although not separately shown, an additional group of LED chips may be provided around the second LED chip group G2. The additional LED chip group may be formed so as to be covered by the encapsulant including the phosphor included in the second encapsulant 135 covering the second LED chip group G2 and a different kind of fluorescent material. In this way, the range of color temperature control can be extended.

도 11은 본 개시에 따른 반도체 발광소자 조명장치의 다른 일 예를 나타내는 도면이고, 도 12는 도 11의 B-B선 단면도이며, 도 13은 도 10의 반도체 발광소자 조명장치를 부분적으로 나타내는 회로도이며, 도 14는 본 개시에 따른 반도체 발광소자 조명장치의 입력 전압에 따른 점등 상태를 구간별로 나타내는 그래프이다. FIG. 11 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device illumination device according to the present disclosure, FIG. 12 is a sectional view taken along line BB of FIG. 11, and FIG. 13 is a circuit diagram partially showing the semiconductor light emitting device illumination device of FIG. FIG. 14 is a graph showing a lighting state according to an input voltage of the semiconductor light emitting device lighting apparatus according to the present disclosure, by intervals.

반도체 발광소자 조명장치(200)는 조도를 조절하는 조광기(210), 칩 온 보드(이하, COB: Chip On Board) 타입의 발광 모듈(230) 및 구동회로(250)를 포함한다. The semiconductor light emitting device illumination apparatus 200 includes a dimmer 210 for adjusting the illuminance, a chip on board (COB) type light emitting module 230, and a driving circuit 250.

조광기(210)는 예를 들어 트라이악(triac)을 이용하여 도통시간을 제어하는 방식으로 제공될 수 있고, 펄스 폭 변조방식으로 제공될 수도 있다. The dimmer 210 may be provided in a manner of controlling the conduction time using, for example, triac, or may be provided in a pulse width modulation manner.

구동회로(250)는 하나 이상의 바이패스 스위치(S1,S2,S3)를 구비하며, 조광기(210)의 입력에 대응하여 발광 모듈(230)에 공급되는 전원을 제어한다. The driving circuit 250 includes at least one bypass switch S1, S2 and S3 and controls power supplied to the light emitting module 230 in response to the input of the dimmer 210. [

발광 모듈(230)은, 중앙의 제1 발광 영역(211) 및 제1 발광 영역(211) 둘레의 제2 발광 영역(213)을 구비하는 기판(215), 제1 발광 영역(211)에 배치되는 제1 LED 칩 그룹(G1), 제2 발광 영역(213)에 배치되는 제2 LED 칩 그룹(G2), 제1 발광 영역(211)에 디스펜싱되어 제1 LED 칩 그룹(G1)을 덮는 제1 봉지부(225), 및 제2 발광 영역(213)에 디스펜싱되어 제2 LED 칩 그룹(G2)을 덮는 제2 봉지부(235)를 포함한다. The light emitting module 230 includes a substrate 215 having a central first light emitting region 211 and a second light emitting region 213 around the first light emitting region 211, A second LED chip group G2 disposed in the second light emitting region 213 and a second LED chip group G2 disposed in the first light emitting region 211 to cover the first LED chip group G1 And a second sealing part 235 which is dispensed on the second light emitting area 213 to cover the second LED chip group G2.

제1 봉지부(225) 및 제2 봉지부(235)는 실리콘 등과 같은 투명재질의 수지 및 형광체를 혼합한 액상의 봉지제를 제1 발광 영역(211) 및 제2 발광영역(213) 각각에 디스펜싱한 다음 경화시키는 방식으로 형성될 수 있다. 제1 봉지부(225)는 예를 들어 투명재질의 실리콘 수지 및 1800K 정도의 색온도를 갖는 웜(warm)계열의 주황색 형광체를 포함할 수 있다. 제2 봉지부(235)는 예를 들어 투명재질의 실리콘 수지 및 제1 봉지부(225)에 포함되는 주황색 형광체보다 색온도가 높은 4000K 정도의 색온도를 갖는 쿨(cool)계열의 황색 형광체를 포함할 수 있다. 물론, 제1 봉지부(225)에 포함되는 형광체와 제2 봉지부(235)에 포함되는 형광체의 종류는 변경될 수 있으며, 형광체의 종류 변경을 통해 색온도를 변화시킬 수 있다. The first encapsulation part 225 and the second encapsulation part 235 are formed by laminating a liquid encapsulant obtained by mixing a transparent resin such as silicone or the like and a fluorescent material into the first luminescent area 211 and the second luminescent area 213 respectively Followed by dispensing and then curing. The first sealing part 225 may include, for example, a transparent silicone resin and a warm orange phosphor having a color temperature of about 1800K. The second encapsulant 235 may include, for example, a silicone resin of a transparent material and a cool phosphor of a yellow color having a color temperature of about 4000K, which is higher in color temperature than the orange phosphor included in the first encapsulant 225 . Of course, the types of the phosphors included in the first encapsulation part 225 and the second encapsulation part 235 can be changed, and the color temperature can be changed by changing the type of the fluorescent material.

제1 LED 칩 그룹(G1) 및 제2 제2 LED 칩 그룹(G2)은, 제1 LED 칩 그룹(G1)을 이루는 하나 이상의 LED 칩 채널(C1) 및 제2 LED 칩 그룹(G2)을 이루는 하나 이상의 LED 칩 채널(C2,C3,C4)을 포함하는 것으로서, 각각 교류 전압의 반주기 내에서 발광할 수 있는 직렬로 연결된 복수개의 LED 칩 채널(C1,C2,C3,C4)로 구성된다. 예를 들어, 도 11에 나타낸 것과 같이, 제1 LED 칩 그룹(G1)은 1개의 LED 칩 채널(C1)로 이루어지고, 제2 LED 칩 그룹(G2)은 3개의 LED 칩 채널(C2,C3,C4)로 이루어질 수 있다. The first LED chip group G1 and the second second LED chip group G2 are constituted by at least one LED chip channel C1 and a second LED chip group G2 constituting the first LED chip group G1 And a plurality of LED chip channels (C1, C2, C3, C4) connected in series, each LED chip channel including at least one LED chip channel (C2, C3, C4) and capable of emitting light within a half cycle of an AC voltage. 11, the first LED chip group G1 includes one LED chip channel C1 and the second LED chip group G2 includes three LED chip channels C2 and C3 , C4).

각 LED 칩 채널(C1,C2,C3,C4)은 교류 전압의 반주기 내에서 발광할 수 있으며, 직렬로 연결된다. LED 칩 채널(C1,C2,C3,C4)은 각각 하나 이상의 LED 칩(221)으로 이루어지고, LED 칩들(221)도 각 LED 칩 채널(C1,C2,C3,C4) 내에서 직렬로 연결된다. Each LED chip channel (C1, C2, C3, C4) can emit light within a half of an AC voltage and is connected in series. The LED chip channels C1, C2, C3 and C4 each comprise one or more LED chips 221 and the LED chips 221 are also connected in series within the LED chip channels C1, C2, C3 and C4 .

LED 칩 채널의 수는 변화될 수 있으며, 구동회로(250)를 구성하는 바이패스 스위치(S1,S2,S3)의 수 또한 LED 칩 채널(C1,C2,C3,C4)의 수에 따라 변화될 수 있다. 바이패스 스위치(S1,S2,S3)의 수는 LED 칩 채널(C1,C2,C3,C4)의 수보다 1개 적은 수로 구비되는 것이 바람직하다. The number of LED chip channels can be changed and the number of bypass switches S1, S2 and S3 constituting the driving circuit 250 is also changed in accordance with the number of LED chip channels C1, C2, C3 and C4 . It is preferable that the number of the bypass switches S1, S2, and S3 is one less than the number of the LED chip channels C1, C2, C3, and C4.

바이패스 스위치(S1,S2,S3)는, 예를 들어 LED 칩 채널(C1,C2,C3,C4)의 수가 4개인 경우, 전류 흐름 상에서 첫 번째 LED 칩 채널(C1)과 2번째 LED 칩 채널(C2) 사이, 2번째 LED 칩 채널(C2)과 3번째 LED 칩 채널(C3) 사이 및 3번째 LED 칩 채널(C3)과 4번째 LED 칩 채널(C4) 사이에 각각 위치하여, 각각의 LED 칩 채널(C1,C2,C3,C4)을 상기 반주기 내의 일부 구간에서 발광시킨다. The bypass switches S1, S2 and S3 are arranged such that when the number of LED chip channels C1, C2, C3 and C4 is four, the first LED chip channel C1 and the second LED chip channel C1, Between the second LED chip channel C2 and the third LED chip channel C3 and between the third LED chip channel C3 and the fourth LED chip channel C4, The chip channels C1, C2, C3 and C4 are caused to emit light in a certain section of the half period.

반도체 발광소자 조명장치(200)를 구성하는 LED 칩의 총 수는 전체 동작전압과 각 LED 칩이 가지는 고유의 동작전압을 고려하여 결정된다. 예를 들어, 대략 2.9V 정도의 고유 동작전압을 가지는 청색 LED 사용하여 120V의 전체 동작전압을 가지는 반도체 발광소자 조명장치를 구성하기 위해, 42개의 LED 칩이 사용될 수 있다. 42개의 LED 칩은 예를 들어 4개의 LED 칩 채널(C1,C2,C3,C4)로 구분될 수 있다. The total number of LED chips constituting the semiconductor light emitting device illumination device 200 is determined in consideration of the total operating voltage and the inherent operating voltage of each LED chip. For example, 42 LED chips can be used to configure a semiconductor light emitting device illumination device having a total operating voltage of 120 V by using a blue LED having an intrinsic operating voltage of about 2.9 V. The 42 LED chips can be divided into four LED chip channels (C1, C2, C3, C4), for example.

전류 흐름 상에서 첫 번째 LED 칩 채널(C1)은 제1 LED 칩 그룹(G1)에 포함되어 제1 발광 영역(211) 위에 배치되며, 2번째 내지 4번째 LED 칩 채널(C2,C3,C4)은 제2 LED 칩 그룹(G2)에 포함되어 제2 발광 영역(213) 위에 배치된다. 첫 번째 LED 칩 채널(C1)을 포함하는 제1 LED 칩 그룹(G1)은 제1 봉지부(225)에 의해 덮이게 되고, 2번째 내지 4번째 LED 칩 채널(C2,C3,C4)을 포함하는 제2 LED 칩 그룹(G2)은 제2 봉지부에 의해 덮이게 된다. 제1 봉지부(225)는 방출되는 빛이 1800K 정도의 낮은 색온도를 갖도록 하는 주황색 형광체를 포함하며, 제2 봉지부(235)는 방출되는 빛이 4000K 정도의 상대적으로 높은 색온도를 갖도록 하는 황색 형광체를 포함한다. 따라서, 제1 LED 칩 그룹(G1)에 포함되는 첫 번째 LED 칩 채널(C1)이 발광할 때 낮은 색온도의 빛을 발하게 되고, 제2 LED 칩 그룹(G1)에 포함되는 2번째 내지 4번째 LED 칩 채널(C2,C3,C4)이 발광할 때 높은 색온도의 빛을 발하게 된다. 그리고, 4개의 LED 칩 채널(C1,C2,C3,C4)이 모두 발광할 때 가장 높은 색온도의 빛을 발하게 되고, 발광되는 LED 칩 채널의 수가 감소함에 따라 방출되는 빛의 색온도가 낮아지다가, 제1 LED 칩 그룹(G1)에 속하는 첫 번째 LED 칩 채널(C1)만이 발광할 때 가장 낮은 색온도의 빛을 발하게 된다. The first LED chip channel C1 in the current flow is included in the first LED chip group G1 and disposed on the first light emitting region 211 and the second to fourth LED chip channels C2, Is included in the second LED chip group (G2) and disposed on the second light emitting region (213). The first LED chip group G1 including the first LED chip channel C1 is covered by the first encapsulation unit 225 and includes the second to fourth LED chip channels C2, The second LED chip group G2 is covered by the second sealing portion. The first encapsulant 225 includes an orange phosphor that emits light having a low color temperature of about 1800K. The second encapsulant 235 includes a yellow fluorescent material that allows emitted light to have a relatively high color temperature of about 4000K. . Accordingly, when the first LED chip channel (C1) included in the first LED chip group (G1) emits light of low color temperature and the second to fourth LEDs (G1) included in the second LED chip group The chip channels C2, C3 and C4 emit light of a high color temperature when they emit light. When all of the four LED chip channels C1, C2, C3, and C4 emit light, the light of the highest color temperature is emitted. As the number of LED chip channels to emit light decreases, the color temperature of emitted light decreases, Only the first LED chip channel (C1) belonging to one LED chip group (G1) emits light of the lowest color temperature when emitting light.

물론, 제1 봉지부(225) 및 제2 봉지부(235) 각각에 포함되는 형광체의 종류는 변경될 수 있으며, 형광체의 종류 변경으로 구현할 수 있는 색온도의 범위가 변결될 수 있다. 또한, 제1 LED 칩 그룹(G1)이 2개의 LED 칩 채널(C1,C2)을 포함하고 제2 LED 칩 그룹(G2)이 2개의 LED 칩 채널(C3,C4)을 포함하는 것과 같은 변경도 가능하다. Of course, the types of the phosphors included in the first encapsulation part 225 and the second encapsulation part 235 can be changed, and the range of the color temperature that can be realized by changing the type of the fluorescent material can be changed. It is also possible that the first LED chip group G1 includes two LED chip channels C1 and C2 and the second LED chip group G2 includes two LED chip channels C3 and C4 It is possible.

이와 같이 전류 흐름 상에서 상류 측에 위치하는 첫 번째 LED 칩 채널(C1)이 낮은 색온도를 구현하는 주황색 형광체를 포함하는 제1 봉지부(225)에 의해 덮이는 제1 LED 칩 그룹(G1)에 포함되고, 2번째 내지 4번째 LED 칩 채널(C2,C3,C4)이 높은 색온도를 구현하는 황색 형광체를 포함하는 제2 봉지부(235)에 의해 덮이는 제2 LED 칩 그룹(G1)에 포함됨에 따라, 조광기(210)를 입력에 대응하여 마지막의 4번째 LED 칩 채널(C4)부터 역순으로 광량이 낮아지다가 소등되며, 이 과정에서 반도체 발광소자 조명장치(200)의 전체 색온도가 점진적으로 낮아지게 된다. 따라서, 최대밝기 상태에서 상대적으로 차가운 느낌을 제공할 수 있게 되고, 밝기가 낮아짐에 따라 색온도가 저하되면서 따듯한 느낌을 제공할 수 있게 된다. 즉, 반도체 발광소자 조명장치(200)에서, 조광기(210)를 사용한 밝기조절과 동시에 색온도의 변화를 구현할 수 있다. As described above, the first LED chip channel C1 located on the upstream side in the current flow is divided into the first LED chip group G1 covered by the first encapsulant 225 including the orange phosphor which realizes low color temperature And the second to fourth LED chip channels C2, C3 and C4 are covered by the second encapsulant 235 including the yellow phosphor which realizes a high color temperature, The dimmer 210 is turned off in a reverse order from the last fourth LED chip channel C4 corresponding to the input. In this process, the entire color temperature of the semiconductor light emitting device illuminator 200 gradually increases . Accordingly, it is possible to provide a relatively cool feeling in the maximum brightness state, and as the brightness decreases, the color temperature decreases and a warm feeling can be provided. That is, in the semiconductor light emitting device illumination apparatus 200, the brightness of the dimmer 210 can be adjusted and the color temperature can be changed at the same time.

복수의 LED 칩 채널(C1,C2,C3,C4)은 제1 동작전압을 가지는 LED 칩 채널과 제1 동작전압 높은 제2 동작전압을 가지는 LED 칩 채널로 구분될 수 있다. 그리고, 제2 동작전압을 가지는 하나의 LED 칩 채널과 제1 동작전압을 가지는 나머지 LED 칩 채널들로 구분될 수 있다. 전류 흐름 상에서 첫 번째 LED 칩 채널(C1)은 제1 동작전압을 가지는 것이 바람직하다. 물론, 제1 LED 칩 그룹(G1)과 제2 LED 칩 그룹(G2)이 각각 하나의 LED 칩 채널로 이루어져 총 2개의 LED 칩 채널(C1,C2)로 구성되는 경우에는, 전류 흐름 상에서 2번째 LED 칩 채널(C2)이 마지막 LED 칩 채널이 될 수밖에 없어 불가피하지만, 3개 이상의 LED 칩 채널로 구분되는 경우에는, 제2 동작전압을 가지는 LED 칩 채널은 첫 번째 LED 칩 채널(C1)과 마지막 LED 칩 채널(C4)을 제외한 나머지 LED 칩 채널 중 어느 하나를 이루는 것이 바람직하다. 나아가, 2번째 LED 칩 채널(C2)이 다른 LED 칩 채널들보다 높은 제2 동작전압을 가지는 것이 바람직하다. 한편, 제2 동작전압은 제1 동작전압의 2배 내지 3배의 범위 이내인 것이 바람직하다. The plurality of LED chip channels C1, C2, C3, and C4 may be divided into an LED chip channel having a first operating voltage and an LED chip channel having a second operating voltage having a first operating voltage. The LED chip channel may be divided into one LED chip channel having a second operating voltage and remaining LED chip channels having a first operating voltage. On the current flow, the first LED chip channel (C1) preferably has a first operating voltage. Of course, when the first LED chip group G1 and the second LED chip group G2 are formed by one LED chip channel and two LED chip channels C1 and C2 in total, The LED chip channel having the second operating voltage is divided into the first LED chip channel C1 and the last LED chip channel C2, It is preferable to form any one of the LED chip channels except for the LED chip channel C4. Furthermore, it is preferable that the second LED chip channel (C2) has a second operating voltage higher than the other LED chip channels. On the other hand, the second operating voltage is preferably within a range of two times to three times the first operating voltage.

예를 들어, 도 11에 나타낸 것과 같이, 총 42개의 LED가 4개의 LED 칩 채널(C1,C2,C3,C4)로 구분되는 경우, 첫 번째 LED 칩 채널(C1), 3번째 LED 칩 채널(C3) 및 4번째 LED 칩 채널(C3)은 각각 8개의 LED 칩으로 이루어져 대략 23V의 제1 동작전압을 가지고, 2번째 LED 칩 채널(C2)은 18개의 LED 칩으로 이루어져 대략 52V의 제2 동작전압을 가지도록 구성될 수 있다. 각 LED 칩 채널(C1,C2,C3,C4)을 구성하는 LED 칩의 수는 상기한 전제들을 만족하는 범위 이내에서 변화될 수 있다. 제1 동작전압을 가지는 LED 칩 채널들(C1,C3,C4)을 이루는 LED 칩의 수가 반드시 동일해야 하는 것은 아니며, 첫 번째 LED 칩 채널(C1)의 동작전압보다 높지 않은 한도 내에서 소폭 변화될 수 있을 것이다. For example, as shown in FIG. 11, when a total of 42 LEDs are divided into four LED chip channels C1, C2, C3 and C4, the first LED chip channel C1, the third LED chip channel C3 and the fourth LED chip channel C3 are each composed of eight LED chips and have a first operation voltage of about 23 V. The second LED chip channel C2 is composed of eighteen LED chips, Voltage. ≪ / RTI > The number of LED chips constituting each LED chip channel (C1, C2, C3, C4) can be changed within a range satisfying the above-mentioned premises. The number of the LED chips constituting the LED chip channels C1, C3 and C4 having the first operating voltage is not necessarily the same and the number of the LED chips constituting the LED chip channels C1, It will be possible.

도 14에 도시된 것과 같이, 정류회로를 통해 반파 정류된 정현파 형태의 교류 입력 전압이 인가되면, 4개의 LED 칩 채널(C1,C2,C3,C4)은 전류 흐름을 기준으로, 상류에 위치하는 첫 번째 LED 칩 채널(C1)으로부터 하류에 위치하는 4번째 LED 칩 채널의 순으로 순차적으로 발광이 일어난다. 교류 전압의 반주기 내에서, 첫 번째 LED 칩 채널(C1)의 동작전압인 23V에 도달하면, 바이패스 스위치(S1)가 On 상태로 유지되고, 첫 번째 LED 칩 채널(C1) 만이 발광된다. 첫 번째 LED 칩 채널(C1)이 낮은 23V의 낮은 동작전압을 가짐에 따라, 반도체 발광소자 조명장치가 낮은 전압에서 점등이 시작된다. 교류 전압이 첫 번째 LED 칩 채널(C1)과 2번째 LED 칩 채널(C2)의 동작전압을 합한 값인 75V에 도달하면 바이패스 스위치(S1)가 off 됨과 동시에 바이패스 스위치(S2)가 On 상태로 유지되고, 첫 번째 LED 칩 채널(C1)과 2번째 LED 칩 채널(C2)이 발광된다. 교류 전압이 첫 번째 LED 칩 채널(C1) 내지 3번째 LED 칩 채널(C3)의 동작전압을 합한 값인 98V에 도달하면 바이패스 스위치(S2)가 off 됨과 동시에 바이패스 스위치(S3)가 On 상태로 유지되고, 첫 번째 LED 칩 채널(C1), 2번째 LED 칩 채널(C2) 및 3번째 LED 칩 채널(C3)이 발광된다. 이어서, 교류 전압이 첫 번째 LED 칩 채널(C1) 내지 4번째 LED 칩 채널(C4)의 동작전압을 모두 합한 값인 120V에 도달하면 바이패스 스위치(S3)가 off 되면서 첫 번째 LED 칩 채널(C1), 2번째 LED 칩 채널(C2), 3번째 LED 칩 채널(C3) 및 4번째 LED 칩 채널(C4)이 모두 발광된다. As shown in FIG. 14, when a sine wave-shaped AC input voltage is applied through a rectifying circuit, the four LED chip channels C1, C2, C3, and C4 are positioned upstream The fourth LED chip channel located downstream from the first LED chip channel C1 sequentially emits light in this order. When the operating voltage of 23 V, which is the operating voltage of the first LED chip channel C1, is reached within the half period of the AC voltage, the bypass switch S1 is kept ON and only the first LED chip channel C1 is emitted. As the first LED chip channel (C1) has a low operating voltage of low 23V, the lighting of the semiconductor light emitting device illuminator starts at a low voltage. When the AC voltage reaches 75V which is the sum of the operating voltages of the first LED chip channel C1 and the second LED chip channel C2, the bypass switch S1 is turned off and the bypass switch S2 is turned on And the first LED chip channel C1 and the second LED chip channel C2 emit light. When the AC voltage reaches 98 V which is the sum of the operating voltages of the first LED chip channel C1 to the third LED chip channel C3, the bypass switch S2 is turned off and the bypass switch S3 is turned on And the first LED chip channel C1, the second LED chip channel C2, and the third LED chip channel C3 emit light. Subsequently, when the alternating voltage reaches 120 V, which is the sum of the operating voltages of the first LED chip channel C1 to the fourth LED chip channel C4, the bypass switch S3 is turned off and the first LED chip channel C1 is turned off, The second LED chip channel C2, the third LED chip channel C3, and the fourth LED chip channel C4 are all emitted.

상기한 바와 같이, 첫 번째 LED 칩 채널(C1)이 낮은 동작전압을 가짐에 따라, 조광기를 사용한 조도 조절시 점등 시작 전압이 낮게 형성되므로, 넓은 조광범위를 실현할 수 있다. 이로 인해 현저한 전기 효율 및 역률 개선을 달성할 수 있다. As described above, since the first LED chip channel C1 has a low operating voltage, the lighting start voltage is low when adjusting the illuminance using the dimmer, so that a wide bright range can be realized. This makes it possible to achieve remarkable electric efficiency and power factor improvement.

도 11에 나타낸 것과 같이, 제1 LED 칩 그룹(G1)은 기판의 중심 측에 배치되고 제2 LED 칩 그룹(G2)은 제1 LED 칩 그룹(G1) 둘레를 둘러싸는 구조로 배치되며, 구체적으로 제1 LED 칩 그룹(G1)을 이루는 LED 칩 채널(C1)이 중심 측에 배치되고, 제2 LED 칩 그룹(G2)을 이루는 LED 칩 채널들(C1,C2,C3)은 기판(215) 위에서 중심 측으로부터 가장자리 측으로 가면서 겹겹이 둘러싸는 구조로 배치되는 것이 바람직하다. 즉, 전류 흐름 상에서 첫 번째 LED 칩 채널(C1)부터 순차적으로 기판(215)의 중심 측에서 시작하여 가장자리 측으로 가면서 배치되는 것이 바람직하다. 이와 같이 배치함으로써, 교류전압의 반주기 내에서, 전류 흐름 상의 상류에 위치하는 첫 번째 LED 칩 채널(C1)로부터 하류에 위치하는 4번째 LED 칩 채널(C4)의 순으로 발광이 일어나게 된다. 따라서 기판(215)의 중심 측에서부터 가장자리 측으로 가면서 점진적으로 점등이 진행되고, 가장자리 측에서부터 중심 측으로 가면서 점진적으로 소등이 진행되어 전체적으로 빛의 밝기를 균일하게 구현할 수 있다. 또한, 점진적인 점등과 더불어 발생되는 빛의 색온도 또한 점진적으로 높아지고, 점진적인 소등과 더불어 발생되는 빛의 색온도 또한 점진적으로 낮아지게 구현할 수 있다. As shown in Fig. 11, the first LED chip group G1 is disposed on the center side of the substrate and the second LED chip group G2 is disposed in a structure surrounding the first LED chip group G1, The LED chip channels C1 constituting the first LED chip group G1 are arranged on the central side and the LED chip channels C1, C2 and C3 constituting the second LED chip group G2 are arranged on the substrate 215, It is preferable to arrange it in a structure in which the layers are surrounded from the center side to the edge side. That is, it is preferable that the first LED chip channel C1 is sequentially arranged on the current flow starting from the center side of the substrate 215 to the edge side. By arranging in this manner, light emission occurs in the order of the first LED chip channel C1 located upstream in the current flow, and the fourth LED chip channel C4 located in the downstream from the current flow in the half cycle of the AC voltage. Accordingly, the light gradually progresses from the center side of the substrate 215 to the edge side, and gradually goes off from the edge side toward the center side, so that the brightness of light as a whole can be uniformly realized. In addition, the color temperature of the light generated with the gradual lighting also gradually increases, and the color temperature of the light generated along with the gradual lighting can also be gradually lowered.

상기한 바와 같이, 본 개시에 따른 반도체 발광소자 조명장치에서, 각각 하나 이상의 LED 칩을 포함하는 복수의 LED 칩 채널(C1,C2,C3,C4)은 직렬로 연결되는 가운데 기판(215) 위에 균형적인 배치구조로 배열되고, 나아가 LED 칩 채널과 LED 칩 채널 사이사이에 위치하는 바이패스 스위치(S1,S2,S3)에 의해 채널 단위로 순차적으로 점등될 수 있도록 제어됨에 따라, 교류전압의 반주기 중 어떤 구간에도 전체적으로 빛의 밝기를 균일하게 구현할 수 있다. 또한, 조광기(210)를 사용한 조도 조절시에도 중심 측에서부터 가장자리 측으로 가면서 점진적인 조도 조절이 가능하여, 암역이 발생하지 않는 가운데 전체적으로 빛의 밝기를 균일하게 구현할 수 있다. 더불어, 조광기(210)를 사용한 조도 조절시 밝기조절과 동시에 색온도 또한 조절할 수 있다.
As described above, in the semiconductor light emitting device lighting apparatus according to the present disclosure, a plurality of LED chip channels (C1, C2, C3, C4) each including one or more LED chips are connected in series, And is further controlled to be sequentially turned on in units of channels by the bypass switches S1, S2, and S3 located between the LED chip channels and the LED chip channels, It is possible to uniformly realize the brightness of light as a whole in any section. Further, even when the illuminance is adjusted using the dimmer 210, it is possible to gradually adjust the illuminance from the center side to the edge side, so that the brightness of the entire light can be uniformly realized without generating the dark areas. In addition, when adjusting the illuminance using the dimmer 210, the brightness and the color temperature can be adjusted simultaneously.

이하, 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.Hereinafter, various embodiments of the present disclosure will be described.

(1) 제1 발광 영역과 제2 발광 영역의 경계를 따라 형성되어 제1 봉지부와 제2 봉지부를 구분하는 경계턱;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.(1) a boundary trench formed along the boundary between the first luminescent region and the second luminescent region to divide the first encapsulation portion and the second encapsulation portion.

(2) 제2 발광 영역의 둘레를 따라 형성되어 제2 봉지부의 외곽을 한정하는 외곽 경계턱;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.(2) an outer boundary trench formed along the periphery of the second light emitting region to define an outer periphery of the second encapsulation portion.

(3) 구동회로는 최대출력과 최소출력 사이에서 결정되는 설정출력에서 제2 LED 칩 그룹의 On/Off 제어를 수행하는 전류제어 IC 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.(3) The semiconductor light-emitting device illuminating device according to any one of (1) to (3), wherein the driving circuit includes a current control IC element for performing on / off control of the second LED chip group at a setting output determined between a maximum output and a minimum output.

(4) 전류제어 IC 소자는, 최대출력과 설정출력 사이에서 제1 LED 칩 그룹에 공급되는 최대로 유지하고 제2 LED 칩 그룹에 공급되는 전류를 증감시키며, 설정출력과 최소전류 사이에서 제2 LED 칩 그룹에 공급되는 전류를 차단한 상태에서 제1 LED 칩 그룹에 공급되는 전류를 증감시키는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.(4) The current control IC element maintains the maximum supplied to the first LED chip group between the maximum output and the set output, increases or decreases the current supplied to the second LED chip group, Wherein the current supplied to the first LED chip group is increased or decreased while the current supplied to the LED chip group is cut off.

(5) 조광기는 교류 전압을 조절하여 조도를 조절하며, 제1 LED 칩 그룹 및 제2 LED 칩 그룹은, 제1 LED 칩 그룹을 이루는 하나 이상의 LED 칩 채널 및 제2 LED 칩 그룹을 이루는 하나 이상의 LED 칩 채널을 포함하여, 각각 교류 전압의 반주기 내에서 발광할 수 있는 직렬로 연결된 n개의 LED 칩 채널(n≥2)(하나의 반주기는 (2n+1)개의 구간으로 나누어지며, 2번째 구간에서 1개의 LED 칩 채널이 발광할 수 있으며, (k+1)번째 구간(1<k≤n)에서 k개의 LED 칩 채널이 발광할 수 있고, (n+1)번째 구간에서 n개의 LED 칩 채널이 발광할 수 있고, (n+m)번째 구간(1<m≤n)에서 (n+1-m)개의 LED 칩 채널이 발광할 수 있음)로 이루어지고, 전류 흐름 상에서 첫 번째 LED 칩 채널은 제1 LED 칩 그룹에 포함되며, 구동회로는, 전류 흐름 상에서 p번째 LED 칩 채널(1≤p<n) 후방과 (p+1)번째 LED 칩 채널 사이에 위치하여 On 되었을 때 (p+1)번째 LED 칩 채널에 도달하기 이전에 전류 흐름을 바이패스하는 하나 이상의 바이패스 스위치를 이용하여, 각각의 LED 칩 채널을 상기 반주기 내의 일부 구간에서 발광시키는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.(5) The dimmer adjusts the illuminance by controlling the AC voltage. The first LED chip group and the second LED chip group include one or more LED chip channels constituting the first LED chip group and one or more LED chip channels constituting the second LED chip group (N &gt; = 2) (one half-period is divided into (2n + 1) periods, each of which is capable of emitting within a half of an AC voltage, including LED chip channels, K LED chip channels can emit light in the (k + 1) -th section (1 < k? N), and n LED chips The channel can emit light and (n + 1-m) LED chip channels can emit light in the (n + m) Channel is included in the first LED chip group, and the driving circuit is arranged in the current flow between the back of the p-th LED chip channel (1? P <n) and the And each LED chip channel is caused to emit light in a certain section of the half-cycle by using one or more bypass switches for bypassing the current flow before reaching the (p + 1) Wherein the semiconductor light emitting device is a semiconductor light emitting device.

(6) n개의 LED 칩 채널 중 첫 번째 LED 칩 채널을 포함하는 (n-1)개의 LED 칩 채널은 제1 동작전압을 가지고, 나머지 한 개의 LED 칩 채널은 제1 동작전압보다 높은 제2 동작전압을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.(6) The (n-1) LED chip channels including the first LED chip channel among the n LED chip channels have a first operation voltage, and the other LED chip channel has a second operation And a voltage is applied to the semiconductor light emitting device.

(7) 제2 동작전압은 제1 동작전압의 2배 내지 3배의 범위 이내인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.(7) The semiconductor light-emitting device illuminating device according to any one of (1) to (3), wherein the second operating voltage is within a range of 2 to 3 times the first operating voltage.

(8) 2번째 LED 칩 채널은 제2 동작전압을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.(8) The second LED chip channel has a second operating voltage.

(9) n이 3이상이며, 제2 동작전압을 가지는 LED 칩 채널은 첫 번째 LED 칩 채널 및 n번째 LED 칩 채널을 제외한 나머지 LED 칩 채널 중 어느 하나를 이루는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.(9) The semiconductor light emitting device according to any one of the preceding claims, wherein n is 3 or more, and the LED chip channel having the second operating voltage comprises any one of LED chip channels other than the first LED chip channel and the nth LED chip channel. .

(10) 상기 반주기 내에서, 전류 흐름 상의 상류에 위치하는 첫 번째 LED 칩 채널로부터 하류에 위치하는 n번째 LED 칩 채널의 순으로 발광이 일어나는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.(10) The semiconductor light emitting device according to any of the preceding claims, wherein light is emitted in the order of an n-th LED chip channel located downstream from a first LED chip channel located upstream of the current flow in the half period.

(11) n개의 LED 칩 채널은 제1 발광 영역의 중심 측에서부터 제2 발광 영역의 가장자리 측으로 가면서 겹겹이 둘러싸는 구조로 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.(11) The semiconductor light emitting device illuminating device according to (11), wherein the n LED chip channels are arranged so as to be surrounded by a layer from the center side of the first emitting region to the edge side of the second emitting region.

본 개시는 밝기 조절과 더불어 색온도를 조절할 수 있는 반도체 발광소자 조명장치를 제공하기 위한 것이다. The present disclosure is intended to provide a semiconductor light emitting device illumination device capable of adjusting the color temperature in addition to the brightness control.

본 개시에 따른 하나의 반도체 발광소자 조명장치에 의하면, 제1 LED 칩 그룹이 낮은 색온도의 빛을 발하고 제2 LED 칩 그룹이 높은 색온도의 빛을 발하며, 조광기를 사용한 조도 조절시 제1 LED 칩 그룹 및 제2 LED 칩 그룹이 순차적으로 점/소등되는 과정에서 밝기 조절과 동시에 색온도 조절 또한 구현할 수 있다. According to one semiconductor light emitting device lighting apparatus according to the present disclosure, the first LED chip group emits light of low color temperature, the second LED chip group emits light of high color temperature, and the first LED chip Group and the second LED chip group are sequentially turned on / off, the brightness and the color temperature can be adjusted simultaneously.

본 개시에 따른 다른 하나의 반도체 발광소자 조명장치에 의하면, 첫 번째 LED 칩 채널이 낮은 동작전압을 가짐에 따라, 조광기를 사용한 조도 조절시 점등 시작 전압이 낮게 형성되므로 넓은 조광범위를 실현할 수 있다. According to another semiconductor light emitting device lighting apparatus according to the present disclosure, since the first LED chip channel has a low operating voltage, the lighting starting voltage is low when adjusting the illuminance using the dimmer, so that a wide bright range can be realized.

본 개시에 따른 또 다른 하나의 반도체 발광소자 조명장치에 의하면, 전기 효율 및 역률의 개선을 달성할 수 있다. According to another semiconductor light emitting device lighting apparatus according to the present disclosure, improvement of electric efficiency and power factor can be achieved.

본 개시에 따른 또 다른 하나의 반도체 발광소자 조명장치에 의하면, 교류전압의 반주기 중 어떤 구간에도 전체적으로 빛의 밝기를 균일하게 구현할 수 있다.According to another semiconductor light emitting device lighting apparatus according to the present disclosure, brightness of light can be uniformly realized throughout any one half period of an AC voltage.

본 개시에 따른 또 다른 하나의 반도체 발광소자 조명장치에 의하면, 조광기를 사용한 조도 조절시 중심 측에서부터 가장자리 측으로 가면서 점진적인 조도 조절이 가능하여, 암역이 발생하지 않는 가운데 전체적으로 빛의 밝기를 균일하게 구현할 수 있다. According to another semiconductor light emitting device illuminating apparatus according to the present disclosure, it is possible to gradually adjust the illuminance from the center side to the edge side in adjusting the illuminance using the dimmer, so that the brightness of the entire light can be uniformly realized have.

110, 210: 조광기 111, 211: 제1 발광 영역
113, 213: 제2 발광 영역 115, 215: 기판
121, 131, 221: LED 칩 125, 225: 제1 봉지부
130, 230: 발광 모듈 135, 235: 제2 봉지부
150, 250: 구동회로 155: 전류제어 IC 소자
160, 260: 경계턱 170, 270: 외곽 경계턱
C1, C2, C3, C4: LED 칩 채널 G1: 제1 LED 칩 그룹
G2: 제2 LED 칩 그룹 S1, S2, S3: 바이패스 스위치110, 210: dimmer 111, 211: first light emitting region
113, 213: second light emitting region 115, 215:
121, 131, 221: LED chip 125, 225: first encapsulation part
130, 230: light emitting module 135, 235:
150, 250: drive circuit 155: current control IC element
160, 260: boundary chin 170, 270: outer boundary chin
C1, C2, C3, C4: LED chip channel G1: first LED chip group
G2: second LED chip group S1, S2, S3: bypass switch

Claims (12)

반도체 발광소자 조명장치에 있어서,
제1 발광 영역 및 제1 발광 영역 둘레의 제2 발광 영역을 구비하는 기판;
제1 발광 영역에 배치되는 제1 LED 칩 그룹;
제2 발광 영역에 배치되는 제2 LED 칩 그룹;
제1 색온도의 제1 형광체를 포함하며 제1 발광 영역에 디스펜싱되어 제1 LED 칩 그룹을 덮는 제1 봉지부;
제1 색온도보다 높은 제2 색온도의 제2 형광체를 포함하며 제2 발광 영역에 디스펜싱되어 제2 LED 칩 그룹을 덮는 제2 봉지부;
조도를 조절하는 조광기; 및
조광기의 입력에 따라 최대출력과 최소출력 사이의 설정출력을 기준으로 제1 LED 칩 그룹 및 제2 LED 칩 그룹으로의 전원 공급을 제어하되, 설정출력 이하의 출력의 적어도 일부 구간에서는 제2 LED 칩 그룹에 공급되는 전류를 차단한 상태에서 제1 LED 칩 그룹에 공급되는 전류를 증감시키고, 설정출력 이상의 출력의 적어도 일부 구간에서는 제1 LED 칩 그룹에 공급되는 전류를 최대로 유지하고 제2 LED 칩 그룹에 공급되는 전류를 증감시키는 구동회로;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.In a semiconductor light emitting device illumination device,
A substrate having a first light emitting region and a second light emitting region around the first light emitting region;
A first LED chip group disposed in the first light emitting region;
A second LED chip group disposed in a second light emitting region;
A first encapsulant including a first phosphor of a first color temperature and being dispensed in a first luminescent region to cover the first LED chip group;
A second encapsulant including a second phosphor having a second color temperature higher than the first color temperature and being dispensed in the second emission region to cover the second LED chip group;
A dimmer to adjust the illumination; And
The second LED chip group and the second LED chip group are controlled based on the setting output between the maximum output and the minimum output in accordance with the input of the dimmer, The current supplied to the first LED chip group is increased or decreased while the current supplied to the first LED chip group is cut off, And a driving circuit for increasing or decreasing a current supplied to the group. 청구항 1에 있어서,
제1 발광 영역과 제2 발광 영역의 경계를 따라 형성되어 제1 봉지부와 제2 봉지부를 구분하는 경계턱;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.The method according to claim 1,
And a boundary trench formed along the boundary between the first luminescent region and the second luminescent region to divide the first encapsulation portion and the second encapsulation portion. 청구항 2에 있어서,
제2 발광 영역의 둘레를 따라 형성되어 제2 봉지부의 외곽을 한정하는 외곽 경계턱;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.The method of claim 2,
And a peripheral boundary step formed along the periphery of the second light emitting area to define an outer periphery of the second encapsulation part. 청구항 1에 있어서,
구동회로는 최대출력과 최소출력 사이에서 결정되는 설정출력에서 제2 LED 칩 그룹의 On/Off 제어를 수행하는 전류제어 IC 소자를 포함하며,
전류제어 IC 소자는, 최대출력과 설정출력 사이에서 제1 LED 칩 그룹에 공급되는 전류를 최대로 유지하고 제2 LED 칩 그룹에 공급되는 전류를 증감시키며,
설정출력과 최소전류 사이에서 제2 LED 칩 그룹에 공급되는 전류를 차단한 상태에서 제1 LED 칩 그룹에 공급되는 전류를 증감시키는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.The method according to claim 1,
The driving circuit includes a current control IC element for performing on / off control of the second LED chip group at a setting output determined between a maximum output and a minimum output,
The current control IC element maintains a maximum current supplied to the first LED chip group between the maximum output and the set output and increases or decreases the current supplied to the second LED chip group,
Wherein the current supplied to the first LED chip group is increased or decreased while the current supplied to the second LED chip group is cut off between the set output and the minimum current. 청구항 1에 있어서,
구동회로는 조광기의 입력에 대응하여, 직류를 최대출력과 최소출력 사이에서 제어하며, 최대출력과 최소출력 사이에서 변경가능하게 설정출력을 설정하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.The method according to claim 1,
Wherein the driving circuit controls the direct current between the maximum output and the minimum output in response to the input of the dimmer, and sets the setting output so as to be changeable between the maximum output and the minimum output. 청구항 1에 있어서,
조광기는 교류 전압을 조절하여 조도를 조절하며,
제1 LED 칩 그룹 및 제2 LED 칩 그룹은, 제1 LED 칩 그룹을 이루는 하나 이상의 LED 칩 채널 및 제2 LED 칩 그룹을 이루는 하나 이상의 LED 칩 채널을 포함하여, 각각 교류 전압의 반주기 내에서 발광할 수 있는 직렬로 연결된 n개의 LED 칩 채널(n≥2)(하나의 반주기는 (2n+1)개의 구간으로 나누어지며, 2번째 구간에서 1개의 LED 칩 채널이 발광할 수 있으며, (k+1)번째 구간(1<k≤n)에서 k개의 LED 칩 채널이 발광할 수 있고, (n+1)번째 구간에서 n개의 LED 칩 채널이 발광할 수 있고, (n+m)번째 구간(1<m≤n)에서 (n+1-m)개의 LED 칩 채널이 발광할 수 있음)로 이루어지고,
전류 흐름 상에서 첫 번째 LED 칩 채널은 제1 LED 칩 그룹에 포함되며,
구동회로는, 전류 흐름 상에서 p번째 LED 칩 채널(1≤p<n) 후방과 (p+1)번째 LED 칩 채널 사이에 위치하여 On 되었을 때 (p+1)번째 LED 칩 채널에 도달하기 이전에 전류 흐름을 바이패스하는 하나 이상의 바이패스 스위치를 이용하여, 각각의 LED 칩 채널을 상기 반주기 내의 일부 구간에서 발광시키는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.The method according to claim 1,
The dimmer adjusts the illuminance by controlling the AC voltage,
The first LED chip group and the second LED chip group include one or more LED chip channels constituting the first LED chip group and one or more LED chip channels constituting the second LED chip group, (One half period is divided into (2n + 1) periods, one LED chip channel can emit light in the second period, and (k + (N + 1) th period (1 < k < n), k LED chip channels can emit light, n LED chip channels can emit light in the (N + 1-m) LED chip channels can emit light in 1 < m? N)
The first LED chip channel on the current flow is included in the first LED chip group,
The driving circuit is located between the back of the p-th LED chip channel (1? P <n) and the (p + 1) th LED chip channel in the current flow and is turned on before reaching the (p + Wherein each of the LED chip channels emits light in a certain section of the half-cycle by using at least one bypass switch for bypassing current flow to the semiconductor chip. 청구항 1에 있어서,
n개의 LED 칩 채널 중 첫 번째 LED 칩 채널을 포함하는 (n-1)개의 LED 칩 채널은 제1 동작전압을 가지고, 나머지 한 개의 LED 칩 채널은 제1 동작전압보다 높은 제2 동작전압을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.The method according to claim 1,
(n-1) LED chip channels including the first LED chip channel among the n LED chip channels have a first operation voltage, and the other LED chip channel has a second operation voltage higher than the first operation voltage Wherein the semiconductor light emitting device is a semiconductor light emitting device. 청구항 7에 있어서,
제2 동작전압은 제1 동작전압의 2배 내지 3배의 범위 이내인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.The method of claim 7,
Wherein the second operating voltage is within a range of 2 to 3 times the first operating voltage. 청구항 7에 있어서,
2번째 LED 칩 채널은 제2 동작전압을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.The method of claim 7,
And the second LED chip channel has a second operating voltage. 청구항 7에 있어서,
n이 3이상이며,
제2 동작전압을 가지는 LED 칩 채널은 첫 번째 LED 칩 채널 및 n번째 LED 칩 채널을 제외한 나머지 LED 칩 채널 중 어느 하나를 이루는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.The method of claim 7,
n is 3 or more,
Wherein the LED chip channel having the second operating voltage comprises any one of LED chips other than the first LED chip channel and the nth LED chip channel. 청구항 6에 있어서,
상기 반주기 내에서, 전류 흐름 상의 상류에 위치하는 첫 번째 LED 칩 채널로부터 하류에 위치하는 n번째 LED 칩 채널의 순으로 발광이 일어나는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.The method of claim 6,
Wherein light emission occurs in the order of the n-th LED chip channel located downstream from the first LED chip channel located upstream in the current flow in the half period. 청구항 6에 있어서,
n개의 LED 칩 채널은 제1 발광 영역의 중심 측에서부터 제2 발광 영역의 가장자리 측으로 가면서 겹겹이 둘러싸는 구조로 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.The method of claim 6,
and the n LED chip channels are arranged so as to surround the layers from the center side of the first light emitting region to the edge side of the second light emitting region.
KR1020130026246A 2013-03-12 2013-03-12 Illuminating apparatur using light emitting elements KR101517977B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130026246A KR101517977B1 (en) 2013-03-12 2013-03-12 Illuminating apparatur using light emitting elements

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130026246A KR101517977B1 (en) 2013-03-12 2013-03-12 Illuminating apparatur using light emitting elements

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140112637A KR20140112637A (en) 2014-09-24
KR101517977B1 true KR101517977B1 (en) 2015-05-07

Family

ID=51757426

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130026246A KR101517977B1 (en) 2013-03-12 2013-03-12 Illuminating apparatur using light emitting elements

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101517977B1 (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160106402A (en) 2015-03-02 2016-09-12 주식회사 엘엠에이치코리아 Lighting fixture having color temperature controller
KR102508840B1 (en) * 2018-01-26 2023-03-10 주식회사 루멘스 Color temperature variable chip on board module, lighting apparatus and manufacturing method thereof
KR102670997B1 (en) * 2018-04-13 2024-05-31 삼성전자주식회사 LED lighting module and lighting apparatus comprising the same

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012142429A (en) * 2010-12-28 2012-07-26 Nichia Chem Ind Ltd Light-emitting device and method of manufacturing light-emitting device

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012142429A (en) * 2010-12-28 2012-07-26 Nichia Chem Ind Ltd Light-emitting device and method of manufacturing light-emitting device

Also Published As

Publication number Publication date
KR20140112637A (en) 2014-09-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101495756B1 (en) Illuminating apparatur using light emitting elements
US12028947B2 (en) Color temperature controlled and low THD LED lighting devices and systems and methods of driving the same
CN109076663B (en) Method for controlling lighting device, lighting control circuit and lighting system
US20180042082A1 (en) Led lighting module having tunable correlated color temperature and control method thereof
CA2869210C (en) Analog circuit for color change dimming
US20110109244A1 (en) Architecture for high power factor and low harmonic distortion led lighting
US10136489B1 (en) Illumination system including tunable light engine
EP2791973B1 (en) Lighting devices including current shunting responsive to led nodes and related methods
JP2011258517A (en) Led power supply and led illumination fixture
EP3311632B1 (en) Led arrangement and led driving method
KR101517977B1 (en) Illuminating apparatur using light emitting elements
KR102221047B1 (en) Smart lighting system
KR20170058097A (en) Circuit for integrated controlling Light-emmiting color temperature
KR102165446B1 (en) Apparatus for driving light emitting diode
KR101970818B1 (en) Driving apparatus for multi-channel light emitting diodes
KR20160041290A (en) Lighting apparatus having function of controlling color temperature
DE102012018760A1 (en) Device for operating e.g. organic LED in lighting system for lighting room, has supply unit supplying power to LED, where amount of supplied power in mode is differentiated from amount of supplied power in other mode with reference input
US11013077B2 (en) LED driver dimming
KR101453489B1 (en) Illuminating apparatus using light emitting elements
KR101454818B1 (en) Illuminating apparatur using light emitting elements
KR20150071357A (en) Apparatus for driving light emitting diode
KR20150066267A (en) An lighting device
JP2014187028A (en) Light source lighting device and illuminating fixture

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee