KR101500546B1 - substrate support apparatus and substrate treatment apparatus including the same - Google Patents

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KR101500546B1
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남원식
연강흠
송대석
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(주)앤피에스
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Abstract

The present invention provides a substrate supporting apparatus and a substrate processing apparatus including the same, and includes: a chamber forming a substrate processing space inside; a substrate seating unit forming at least one protrusion part on a seating surface where the substrate is seated; a supporting body whose one portion is touched and arranged on the surface facing the seating surface and whose at least one portion is coupled to the substrate seating unit with a convex and concave structure; a support shaft extended in a crossing direction of the surface facing the seating surface to be connected to the supporting body; and a heat source unit arranged on at least one side within the chamber, thereby stably supporting the substrate within the chamber when the substrate is processed and increasing the quality of the produced substrate. Namely, the present invention forms a partial section in a configuration of the substrate seating unit and the supporting unit with the convex and concave structure to increase coupling force between them, thereby inhibiting or preventing the substrate seating unit arranged on the supporting unit from falling and being damaged within the chamber such that it may increase stability of the process equipment. Additionally, the present invention forms a plurality of protrusion areas on the substrate seating unit, thereby reducing a contact area between the substrate and the substrate seating unit; such that it adheres the substrate and the substrate seating unit to each other in the substrate processing process under a vacuum atmosphere to inhibit or prevent the substrate from being torn when the substrate is separated and reduces a defective rate of the substrate.

Description

기판 지지 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 {substrate support apparatus and substrate treatment apparatus including the same}[0001] The present invention relates to a substrate supporting apparatus and a substrate processing apparatus including the same,

본 발명은 기판 지지 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기판 처리시, 기판을 챔버 내에 안정적으로 지지하며 생산되는 기판의 품질을 증가시킬 수 있는 기판 지지 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a substrate supporting apparatus and a substrate processing apparatus including the same, and more particularly, to a substrate supporting apparatus capable of stably supporting a substrate in a chamber and increasing the quality of a substrate to be produced, And a substrate processing apparatus.

최근 들어, 기판 등을 열처리하는 방법으로 급속열처리(rapid thermal processing; RTP) 방법이 많이 사용되고 있다. In recent years, a rapid thermal processing (RTP) method has been widely used as a method of heat-treating a substrate or the like.

급속열처리 방법은 텅스텐 램프 등의 열원에서 나오는 방사광(放射光)을 기판에 조사하여 기판을 가열 처리하는 방법이다. 이러한 급속열처리 방법은 퍼니스(furnace)를 이용한 기존의 기판 열처리 방법과 비교하여, 신속하게 기판을 가열하거나 냉각시킬 수 있으며, 압력 조건이나 온도 대역의 조절 제어가 용이하여, 기판의 열처리 품질을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.The rapid thermal processing method is a method of heating a substrate by irradiating the substrate with radiation (emitted light) emitted from a heat source such as a tungsten lamp. Such a rapid thermal annealing method can heat or cool the substrate quickly, and can easily control the pressure condition and the temperature band, thereby improving the heat treatment quality of the substrate, compared with the conventional substrate heat treatment method using a furnace There are advantages to be able to.

이러한, 기판 처리 장치에는 기판을 안치하기 위한 서셉터가 구비되며, 열원유닛으로부터 방출되는 열에 의해 직접적으로 기판을 가열하거나, 열원유닛에 의해 가열된 서셉터가 기판을 가열하여 기판 처리 공정을 진행한다. Such a substrate processing apparatus is provided with a susceptor for placing a substrate, and the substrate is directly heated by the heat emitted from the heat source unit, or the susceptor heated by the heat source unit heats the substrate to perform the substrate processing process .

이와 같은 기판의 열처리 과정을 통해 형성되는 기판 상의 박막의 품질을 증가시키기 위해서는, 박막이 형성되는 기판의 전체 영역에 걸쳐 균일하게 가열되는 것이 요구된다. In order to increase the quality of the thin film on the substrate formed through the heat treatment process of the substrate, it is required to uniformly heat the entire region of the substrate on which the thin film is formed.

이에, 종래의 기판 처리 장치는 공정 중 기판을 가열하기 위한 열원유닛과 기판의 마주보는 측면이 모두 균일하게 가열되도록 서셉터 상에 안치된 기판을 회전하기 위한 지지유닛을 작동시키며 기판의 처리 공정을 진행하였다. Accordingly, in the conventional substrate processing apparatus, the supporting unit for rotating the substrate placed on the susceptor is operated to uniformly heat the opposite side surfaces of the heat source unit and the substrate for heating the substrate during the process, .

그러나, 종래의 기판 지지유닛은 기판을 표면으로 접촉하여 지지하기 때문에 공정이 진행되는 동안 기판과 접촉하는 표면 사이의 흡착 현상이 발생하여 공정의 완료 후 기판을 지지유닛으로부터 분리할 때 찢어지는 문제가 발생한다. However, since the conventional substrate supporting unit supports the substrate in contact with the surface, adsorption phenomenon occurs between the surface contacting with the substrate during the process, and the problem of tearing when the substrate is separated from the supporting unit after completion of the process Occurs.

또한, 기판이 안치되는 서셉터와 서셉터를 회전시키기 위한 부재의 연결이 불안정적일 경우, 공정 중에 지지유닛의 구성 간의 분리현상이 발생되어 공정 설비의 유지보수가 요구된다. In addition, if the connection between the susceptor on which the substrate is placed and the member for rotating the susceptor is unstable, there is a phenomenon of separation between the configurations of the support units during the process, which requires maintenance of the process equipment.

이와 같은 문제는 기판에 형성되는 박막의 품질을 감소시키게 되며, 기판이 찢어지거나 지지유닛 구성 간의 분리가 발생하는 경우 공정설비를 유지보수 하거나 기판을 재배치하고 공정을 수행해야 하기 때문에 공정 설비의 효율성 및 생산성이 감소되는 문제를 야기한다. 그리고, 지지유닛이 공정 설비 내에 안정적으로 배치되어 작동되지 못할 경우 공정 설비 전체의 안정성이 감소된다. Such problems reduce the quality of the thin film formed on the substrate and require maintenance of the process equipment or repositioning and processing of the substrate in case the substrate is torn or separation between the support unit configurations occurs, Thereby causing a problem of reduced productivity. And, if the support unit can not be stably placed and operated in the process facility, the stability of the entire process facility is reduced.

KRKR 2010-01112982010-0111298 A1A1

본 발명은 공정 중 기판과 기판 안치대 사이의 흡착을 억제하거나 방지할 수 있는 기판 지지 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공한다. The present invention provides a substrate supporting apparatus capable of suppressing or preventing adsorption between a substrate and a table, and a substrate processing apparatus including the same.

본 발명은 챔버 내 기판 안치대를 안정적으로 배치할 수 있는 기판 지지 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공한다. The present invention provides a substrate supporting apparatus capable of stably arranging a substrate table in a chamber and a substrate processing apparatus including the same.

본 발명의 설비의 안정성을 증가시켜 유지보수 시간을 감소시키고, 설비의 효율성 및 생산성을 증가시킬 수 있는 기판 지지 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공한다. A substrate supporting apparatus and a substrate processing apparatus including the substrate supporting apparatus can increase the stability of the facility of the present invention to reduce the maintenance time and increase the efficiency and productivity of the facility.

본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 내부에 기판의 처리 공간이 형성되는 챔버와, 상기 챔버 내에서 상기 기판이 안착되는 일면을 형성하는 기판 안치대, 상기 챔버를 관통하여 배치되며, 적어도 일부가 상기 기판 안치대와 요철(凹凸)구조로 결합되는 지지유닛 및 상기 챔버 내부의 적어도 일측에 장착되는 열원유닛을 포함한다. A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a chamber in which a processing space for a substrate is formed, a substrate table for forming a surface on which the substrate is placed in the chamber, And a heat source unit mounted on at least one side of the interior of the chamber.

상기 기판 안치대는 상기 일면의 평면상에서 중심부로부터 방사방향으로 상호 이격되어 형성되는 돌기부가 형성될 수 있다. The substrate rests may be formed with protrusions spaced apart from each other in the radial direction from the central portion on the plane of the one surface.

상기 지지유닛은 상하방향으로 연장 형성되는 지지축 및 상기 지지축의 일단에 연결되고, 상기 기판 안치대의 일면과 나란한 방향으로 연장 형성되어 상기 기판 안치대에 일부가 접촉 배치되는 적어도 하나 이상의 지지체를 포함할 수 있다. The supporting unit includes at least one supporting shaft connected to one end of the supporting shaft and extending in the vertical direction and extending in a direction parallel to the one side of the substrate carrying table and partially in contact with the substrate carrying table .

상기 일면에 대향하는 상기 기판 안치대의 타면에는 상기 지지체가 삽입 고정 가능하게 하는 삽입홈 또는 삽입홀이 형성되며, 상기 지지체는 상기 삽입홈 또는 상기 삽입홀의 형성 높이와 동일한 높이로 돌출 형성되는 고정돌기가 형성되는 외곽부와, 상기 지지축과 연결되며 상기 기판 안치대의 가운데 영역이 안착되는 중앙부, 상기 중앙부로부터 상기 외곽부로 연장 형성되어 상기 중앙부와 상기 외곽부를 상호 연결하기 위한 연결부를 포함할 수 있다. A support protrusion formed on the other surface of the substrate facing plate opposite to the one surface, the support protrusion being formed at the same height as the height of the insertion hole or the insertion hole, And a connecting part connected to the support shaft and extending from the central part to the outer frame part to connect the central part and the outer frame part.

상기 일면에 대향하는 상기 기판 안치대의 타면에는 상기 지지체에 삽입 고정되는 돌출부가 형성되고, 상기 지지체는 상기 돌출부가 삽입 고정 가능하게 하는 오목홈 또는 함몰홀이 형성되는 외곽부와, 상기 지지축과 연결되며 상기 기판 안치대의 가운데 영역이 안착되는 중앙부, 상기 중앙부로부터 상기 외곽부로 연장 형성되어 상기 중앙부와 상기 외곽부를 상호 연결하기 위한 연결부를 포함할 수 있다. And a support body inserted into the support frame, wherein the support body includes an outer frame having a recess or recess for allowing the projection to be inserted and fixed, And a connection part for connecting the central part and the outer frame part to each other, the connection part extending from the central part to the outer frame part and interconnecting the central part and the outer frame part.

상기 지지체는 상기 외곽부로부터 연장 형성되며 상기 기판 안치대에 비접촉 배치되는 고정부를 포함하며, 상기 기판 안치대 및 상기 고정부의 일부를 커버하며 상호 고정시키는 고정부재를 포함할 수 있다. The support may include a fixing unit extending from the outer frame and disposed in a noncontact with the substrate bench, and a fixing member covering and fixing a part of the substrate bench and the fixing unit.

상기 기판 안치대에는 상하부가 관통 형성되는 관통홀이 형성되며, 상기 관통홀을 통해 상기 기판 안치대의 상부로 돌출 이동 가능한 승강핀을 구비하는 승강유닛을 포함할 수 있다. And a lift unit having a through hole through which the upper and lower portions of the substrate holder are formed and having a lift pin that can be protruded to the upper portion of the substrate holder via the through hole.

상기 고정돌기는 투광성을 갖도록 형성되며, 상기 고정돌기가 형성되는 상기 외곽부의 일면에 대향하는 타면에는 상기 타면으로부터 고정돌기까지 연장 형성되는 가이드홈이 형성될 수 있다. The fixing protrusion may have a light transmitting property, and a guide groove extending from the other surface to the fixing protrusion may be formed on the other surface of the outer frame where the fixing protrusion is formed.

상기 지지유닛은 상기 지지축을 회전 가능하게 하는 회전 구동부를 포함하고, 상기 회전 구동부에 의해 상기 기판 안치대가 회전 가능한 경우, 상기 기판 안치대의 정지 위치(원점 위치)를 감지하기 위한 원점 감지기를 포함할 수 있다. The support unit may include a rotation drive unit for rotating the support shaft, and may include an origin detector for detecting a stop position (origin position) of the substrate platform when the substrate platform is rotatable by the rotation drive unit have.

상기 원점 감지기는 상기 기판 안치대의 타면 측으로 광을 조사하는 광 조사부와, 상기 기판 안치대에 반사되어 되돌아 오는 광의 반사량을 측정하는 반사량 측정부 및 상기 측정된 반사량과 기 입력된 반사량을 비교하는 원점 판단부를 포함할 수 있다. The origin detector includes a light irradiating unit for irradiating light to the other face side of the substrate face band, a reflection amount measuring unit for measuring a reflection amount of light reflected back to the substrate face band, and an origin determination unit for comparing the measured reflection amount with a previously input reflection amount Section.

상기 기 입력된 반사량은 상기 광 조사부로부터 조사된 광이 상기 가이드홈 내부로 조사되어 상기 고정돌기 상에 배치된 기판 안치대에 반사되어 되돌아 온 광의 반사량 값일 수 있다. The reflected light amount inputted may be a value of the amount of reflection of the light reflected by the substrate stand placed on the fixing protrusion irradiated with the light irradiated from the light irradiating portion into the guide groove.

상기 열원유닛은 상기 기판 안치대의 상면 및 하면 중 적어도 어느 한 면으로부터 이격되어 배치되는 제1 열원유닛 및 상기 기판 안치대의 측면 중 적어도 어느 한 위치로부터 이격되어 배치되는 제2 열원유닛을 포함할 수 있다. The heat source unit may include a second heat source unit spaced apart from at least one of the first heat source unit and the side surface of the substrate facing band, the first heat source unit being spaced apart from at least one of the upper surface and the lower surface of the substrate facing band .

상기 챔버 내에 적어도 일부가 삽입되어 상기 기판 안치대의 온도를 감지하기 위한 온도감지기 및 상기 온도감지기로부터 측정한 상기 기판 안치대의 온도에 따라 상기 열원유닛을 제어하는 제어기를 포함할 수 있다.
And a controller for controlling the heat source unit according to the temperature of the substrate bench measured by the temperature sensor. The temperature sensor may include a temperature sensor for sensing a temperature of the substrate bench by being inserted at least partially into the chamber.

본 발명의 실시 예에 따른 기판 지지 장치는 기판이 안착되는 안착면을 갖고, 상기 안착면 상에 적어도 하나 이상의 돌기부가 형성되는 기판 안치대와, 상기 안착면에 대향하는 상기 기판 안치대의 타면에 일부가 접촉 배치되며, 적어도 일부가 상기 기판 안치대와 요철(凹凸)구조로 결합되는 지지체 및 상기 타면에 교차하는 방향으로 연장 형성되어 상기 지지체에 연결되는 지지축을 포함한다. A substrate supporting apparatus according to an embodiment of the present invention includes a substrate table having a seating surface on which a substrate is seated and having at least one protrusion formed on the seating surface, And at least a part of which is coupled to the substrate stand by an uneven structure, and a support shaft extending in a direction intersecting the other surface and connected to the support.

상기 돌기부들은 상기 안착면상에서 중심부로부터 방사방향으로 상호 이격되어 형성될 수 있다. The protrusions may be spaced apart from each other in the radial direction from the center portion on the seating surface.

상기 지지체는 상기 기판 안치대에 삽입되는 고정돌기가 형성된 외곽부와, 상기 지지축과 연결되며 상기 기판 안치대의 가운데 영역이 안착되는 중앙부 및 상기 중앙부로부터 상기 외곽부로 연장 형성되어 상기 중앙부와 상기 외곽부를 상호 연결하기 위한 연결부를 포함하며, 상기 고정돌기와 마주보는 상기 기판 안치대의 타면에는, 상기 고정돌기가 삽입 가능한 삽입홈 또는 삽입홀이 형성될 수 있다. Wherein the supporting member includes an outer frame having a fixing protrusion inserted into the substrate bench, a central portion connected to the supporting shaft and having a central region of the substrate bench, and a central portion extending from the central portion to the outer frame, And a connection portion for interconnecting the fixing protrusion, wherein an insertion groove or an insertion hole into which the fixing protrusion can be inserted may be formed on the other surface of the substrate facing plate facing the fixing protrusion.

상기 지지체는 상기 기판 안치대가 삽입되는 오목홈 또는 함몰홀이 형성되는 외곽부와, 상기 지지축과 연결되며 상기 기판 안치대의 가운데 영역이 안착되는 중앙부, 상기 중앙부로부터 상기 외곽부로 연장 형성되어 상기 중앙부와 상기 외곽부를 상호 연결하기 위한 연결부를 포함하며, 상기 오목홈 또는 함몰홀과 마주보는 상기 기판 안치대의 타면에는 상기 오목홈 또는 함몰홀에 삽입 가능한 돌출부가 형성될 수 있다. The supporting member includes an outer frame having a concave groove or a depressed hole into which the substrate holder is inserted, a central portion connected to the supporting shaft and having a central region of the substrate bench mounted thereon, extending from the central portion to the outer frame, And a connecting portion for interconnecting the outer frame portion. The protruding portion, which can be inserted into the concave groove or the dimple hole, may be formed on the other surface of the substrate facing band facing the concave groove or the dimple hole.

상기 지지체는 상기 외곽부로부터 연장 형성되며 상기 기판 안치대에 비접촉 배치되는 고정부를 포함할 수 있다. The support may include a fixing part extending from the outer frame and disposed in non-contact with the substrate bench.

상기 기판안치대 및 상기 지지체를 상호 고정하기 위한 고정부재를 포함하며, 상기 고정부재는 상기 기판 안치대의 상면 및 측면 중 일부와, 상기 고정부의 상면 일부를 커버하며 상호 연결 고정할 수 있다. And a fixing member for fixing the substrate stand and the support to each other, wherein the fixing member covers and connects part of the upper surface and the side surface of the substrate stand, and a part of the upper surface of the fixing portion.

상기 지지축에는 상기 기판 안치대를 회전 가능하게 하는 회전 구동부가 연결될 수 있다. The support shaft may be connected to a rotation driving unit for rotating the substrate platform.

본 발명의 실시 예에 따른 기판 지지 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치에 따르면, 기판이 안치되는 기판 안치대를 챔버 내에 안정적으로 배치할 수 있어 설비의 안정성을 증가시킬 수 있다. According to the substrate supporting apparatus and the substrate processing apparatus including the substrate supporting apparatus according to the embodiments of the present invention, the substrate treating table on which the substrate is placed can be stably placed in the chamber, so that the stability of the equipment can be increased.

즉, 기판이 안착되는 기판 안치대와 지지유닛의 구성의 일부 간을 요철(凹凸) 구조로 형성함으로써 지지유닛 상에 기판 안치대를 안정적으로 지지하여 챔버 내에 배치시킬 수 있다. 이에, 상호 간의 결합력을 증가시켜 챔버 내에서 지지유닛 상에 배치된 기판 안치대가 낙하하여 파손되는 것을 억제하거나 방지할 수 있어 공정 설비의 안정성을 증가시킬 수 있다. That is, by forming the substrate table on which the substrate is placed and a part of the structure of the support unit in a concavo-convex structure, the substrate table can be stably supported on the support unit and placed in the chamber. Accordingly, it is possible to increase or decrease the bonding force between the substrates, thereby preventing or preventing the substrate bench placed on the supporting unit from dropping and being damaged in the chamber, thereby increasing the stability of the processing equipment.

그리고, 기판 안치대 상에 다수개의 돌출 영역을 형성함으로써 기판과 기판 안치대 사이의 접촉 면적을 감소시킬 수 있다. 이는 진공 분위기에서의 기판의 처리 공정시에 기판 안치대와 기판이 서로 합착되어 기판을 분리할 때 찢어지는 현상을 억제하거나 방지하여 기판의 불량률을 감소시킬 수 있다. By forming a plurality of protruding regions on the substrate table, the contact area between the substrate and the table can be reduced. This can prevent or prevent the tearing phenomenon when the substrate stand and the substrate are adhered to each other during the process of processing the substrate in a vacuum atmosphere, thereby reducing the defective rate of the substrate.

따라서, 설비의 구성을 안정적으로 챔버 내에 배치시키고, 기판과 기판 안치대의 흡착 억제로 인해 기판의 불량률을 감소시킬 수 있어, 설비의 유지보수로 인해 소요되는 시간을 감소시킬 수 있으며, 설비의 효율성 및 생산성을 증가시키며 최종적으로 생산되는 기판의 품질을 증가시킬 수 있다. Therefore, it is possible to stably arrange the structure of the facility in the chamber, to reduce the defective rate of the substrate due to the suppression of adhesion between the substrate and the substrate stand, to reduce the time required for maintenance and maintenance of the facility, Thereby increasing the productivity and increasing the quality of the finally produced substrate.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 분리 사시도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 A-A' 단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 지지 장치를 설명하기 위한 투시 사시도이다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 안치대를 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시예 및 변형예에 따른 기판 안치대 및 지지유닛의 고정 영역을 설명하기 위한 단면도이다.
도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 지지유닛을 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 안치대 및 지지유닛의 고정 영역을 설명하기 위한 단면도이다.
도 9는 도 7의 지지체의 구성 영역을 설명하기 위한 평면도이다.
도 10은 본 발명의 실시 예에 따른 원점 감지기를 설명하기 위한 도면이다.
도 11은 본 발명의 실시 예에 따른 열원유닛의 배치위치를 설명하기 위한 도면이다.
도 12 및 13은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 방법 및 원점 판단 방법을 설명하기 위한 순서도이다. 1 is an exploded perspective view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view taken along line AA 'of the substrate processing apparatus of FIG.
3 is a perspective view for explaining a substrate supporting apparatus according to an embodiment of the present invention.
4 and 5 are views for explaining a substrate bench according to an embodiment of the present invention.
6 is a cross-sectional view for explaining a fixing area of a substrate stand and a supporting unit according to an embodiment and a modification of the present invention.
7 is a view for explaining a support unit according to an embodiment of the present invention.
8 is a cross-sectional view for explaining a substrate rest and a fixing area of the supporting unit according to another embodiment of the present invention.
9 is a plan view for explaining a constitutional region of the support of Fig.
10 is a view for explaining an origin detector according to an embodiment of the present invention.
11 is a view for explaining an arrangement position of a heat source unit according to an embodiment of the present invention.
12 and 13 are flowcharts for explaining a substrate processing method and an origin determination method according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 실시 예를 첨부도면에 의거하여 상세하게 설명하기 전에, 다음의 상세한 설명에 기재되거나 도면에 도시된 구성요소들의 구성 및 배열들의 상세로 그 응용이 제한되는 것이 아니라는 것을 알 수 있을 것이다. 본 발명은 다른 실시예들로 구현되고 실시될 수 있으며, 다양한 방법으로 수행될 수 있다. Before describing the embodiments of the present invention in detail with reference to the accompanying drawings, it is to be understood that the invention is not limited to the details of construction and the arrangement of the elements described in the following detailed description or illustrated in the drawings. The invention may be embodied and carried out in other embodiments, and may be carried out in various ways.

여기서, 장치 또는 구성 요소 방향(예를 들어 "전(front)", "후(back)", "위(up)", "아래(down)", "상(top)", "하(bottom)", "좌(left)", "우(right)", "횡(lateral)")등과 같은 용어들에 관하여 본원에 사용된 표현 및 술어는 단지 본 발명의 설명을 단순화하기 위해 사용되고, 관련된 장치 또는 요소가 단순히 특정 방향을 가져야 함을 나타내거나 의미하지 않는다는 것을 알 수 있을 것이다. 또한, "제 1(first)", "제 2(second)"와 같은 용어는 설명을 위해 본원 및 첨부 청구항들에 사용되고 상대적인 중요성 또는 취지를 나타내거나 의미하는 것으로 의도되지 않는다.Herein, it will be appreciated that the device or component orientation (e.g., "front", "back", "up", "down", "top" Quot ;, "left," " right, "" lateral," and the like) used herein are used merely to simplify the description of the present invention, It will be appreciated that the device or element does not indicate or imply that it should simply have a particular orientation. Also, terms such as " first "and" second "are used herein for the purpose of the description and the appended claims, and are not intended to indicate or imply their relative importance or purpose.

그리고, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
In addition, throughout the specification, when an element is referred to as "including " an element, it means that the element may include other elements, not excluding other elements unless specifically stated otherwise.

이하, 도 1 도 13을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 기판 지지 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법을 설명하기로 한다. Hereinafter, a substrate holding apparatus, a substrate processing apparatus including the substrate holding apparatus, and a substrate processing method using the same according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 분리 사시도이다. 도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 A-A' 단면도이다. 도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 지지 장치를 설명하기 위한 투시 사시도이다. 도 4 및 도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 안치대를 설명하기 위한 도면이다. 도 4의 (a)는 기판 안치대의 상부 평면도를 나타내며, (b)는 (a)의 C 영역의 단면도를 나타낸다. 도 5의 (a)는 기판 안치대의 하부 사시도를 나타내는 도면이며, (b)는 (a)의 E 영역의 단면도를 나타낸다. 그리고, 도 6은 본 발명의 실시예 및 변형예에 따른 기판 안치대 및 지지유닛의 고정 영역을 설명하기 위한 단면도이다. 도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 지지유닛을 설명하기 위한 도면이다. 여기서, 도 7의 (a)는 지지축 및 지지체를 나타내는 사시도이며, (b)는 F영역의 투시도를 나타내며, (c)는 지지체의 외곽부를 설명하기 위한 상부 및 하부 평면도이다. 도 8은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 안치대 및 지지유닛의 고정 영역을 설명하기 위한 단면도이다. 도 9는 도 7의 지지체의 평면도이다.
1 is an exploded perspective view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 2 is a cross-sectional view taken along line AA 'of the substrate processing apparatus of FIG. 3 is a perspective view for explaining a substrate supporting apparatus according to an embodiment of the present invention. 4 and 5 are views for explaining a substrate bench according to an embodiment of the present invention. Fig. 4 (a) is a top plan view of the substrate rest room, and Fig. 4 (b) is a sectional view of the C region in Fig. FIG. 5A is a bottom perspective view of the substrate rest room, and FIG. 5B is a sectional view of the E region of FIG. 6 is a cross-sectional view for explaining the fixture area of the substrate stand and the support unit according to the embodiment and modifications of the present invention. 7 is a view for explaining a support unit according to an embodiment of the present invention. 7 (a) is a perspective view showing a supporting shaft and a supporting body, (b) is a perspective view of the F region, and (c) is an upper and lower plan view for explaining the outer frame of the supporting body. 8 is a cross-sectional view for explaining a substrate rest and a fixing area of the supporting unit according to another embodiment of the present invention. Figure 9 is a top view of the support of Figure 7;

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치(1)는 기판(S)의 안정적인 공정 환경을 제공하기 위한 장치로서, 내부에 처리 공간이 형성되는 챔버(100)와, 챔버(100) 내에서 기판(S)이 안착되는 일면(201)을 형성하는 기판 안치대(200), 챔버(100)를 관통하여 배치되며, 적어도 일부가 기판 안치대(200)와 요철(凹凸)구조로 결합되는 지지유닛(300) 및 챔버(100) 내부의 적어도 일측에 장착되는 열원유닛(400)을 포함한다. 1 and 2, a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention is a device for providing a stable process environment of a substrate S, and includes a chamber 100 in which a process space is formed, A substrate table 200 for forming a surface 201 on which the substrate S is to be placed in the chamber 100, a substrate table 200 disposed through the chamber 100, at least a part of the substrate table 200, And a heat source unit 400 mounted on at least one side of the interior of the chamber 100. The heat source unit 400 is installed in the chamber 100,

또한, 기판 처리 장치(1)는 기판 안치대(200)로부터 기판(S)을 안착 및 분리 가능하게 하며, 기판 안치대(200)를 관통하며 기판 안치대(200)의 상부로 돌출 이동 가능한 승강핀(510)이 구비되는 승강유닛(500)을 포함할 수 있다.
The substrate processing apparatus 1 is capable of placing and separating the substrate S from the substrate table 200. The substrate processing apparatus 1 is capable of ascending and descending through the substrate table 200, And a lifting unit 500 having a pin 510.

챔버(100)는 내부에 기판(S)을 수용하여 가열해주기 위한 공간, 즉, 내부공간이 마련된 구성으로서, 진공의 가열공간을 제공한다. 챔버(100)의 대략적인 형상은 도시된 바와 같이 중공의 박스 형상 또는 블록 형상으로 이루어질 수 있다. 그리고, 챔버(100)는 하나의 몸체로 일체 제작될 수도 있으나, 본 발명의 실시예와 같이 제1 블록(120) 및 제2 블록(140)으로 분리되어 연결 또는 결합된 조립 몸체를 지닐 수 있다. 이 경우, 각 부품 간의 연결 부위에는 밀폐(sealing)부재(미도시)가 부가적으로 구비될 수 있다. 이에 따라 기판(S)의 가열 또는 냉각 시 소요되는 에너지를 절감할 수 있다. The chamber 100 has a space for accommodating and heating the substrate S therein, that is, a structure provided with an internal space, and provides a vacuum heating space. The approximate shape of the chamber 100 may be a hollow box shape or a block shape as shown. The chamber 100 may be integrally formed with one body, but may have an assembled body separated or connected to the first block 120 and the second block 140 as in the embodiment of the present invention . In this case, a sealing member (not shown) may additionally be provided at a connection portion between the components. Accordingly, energy required for heating or cooling the substrate S can be reduced.

보다 구체적으로, 챔버(100)는 일측이 개방되고 내부에 처리 공간이 각각 형성되며, 각각의 개방된 일측이 결합 가능하도록 배치되는 제1 블록(120)과 제2 블록(140)으로 구성되어 내부공간을 제공할 수 있다. 이때, 제1 블록(120) 및 제2 블록(140)은 내부공간을 개방하기 위한 도어의 역할을 수행하거나, 제1 블록(120) 및 제2 블록(140)의 측면 중 어느 한 측면에 도어(미도시)가 별도로 구비될 수 있다. 즉, 제1 블록(120) 및 제2 블록(140) 중 적어도 어느 하나가 상하방향으로 이동 가능하게 하는 운반기(미도시)가 설치되어 이동을 용이하게 할 수 있으며, 예컨대, 제1 블록(120)이 고정(●)되어 있고 제2 블록(140)을 이동(↑·↓)시켜 챔버(100)를 형성할 수 있다. 이처럼, 챔버(100)가 제1 블록(120) 및 제2 블록(140)으로 분리되어 내부공간을 용이하게 개방시킴으로써 설비의 유지보수가 용이하다. 즉, 챔버(100)가 중공의 하나의 블록으로 구비되고 블록의 일측면의 일부가 도어로 형성되는 경우, 챔버(100) 내부공간의 유지보수 요구시 블록의 조립을 분해하여 유지보수하기 때문에 소요되는 시간이 증가되며, 조립체 사이의 실링이 틀어질 수 있다. 한편, 본 발명의 실시 예에서는 챔버(100)를 상하방향으로 분리되며 내부공간을 개방시킬 수 있는 제1 블록(120) 및 제2 블록(140)으로 포함하는 것으로 나타나 있으나, 챔버(100)를 형성하기 위한 구성으로는 이에 한정되지 않으며 다양하게 변경 가능하다.More specifically, the chamber 100 includes a first block 120 and a second block 140, which are open at one side and each have a processing space formed therein, Space can be provided. At this time, the first block 120 and the second block 140 may serve as a door for opening the internal space, or may be provided on either side of the first block 120 or the second block 140, (Not shown) may be separately provided. That is, a carrier (not shown) for moving at least one of the first block 120 and the second block 140 in the up and down direction may be provided to facilitate the movement. For example, the first block 120 And the second block 140 is moved (↑ ↓) to form the chamber 100. In this way, the chamber 100 is separated into the first block 120 and the second block 140 to easily open the inner space, thereby facilitating maintenance of the facility. That is, when the chamber 100 is provided as one hollow block and a part of one side of the block is formed as a door, maintenance of the internal space of the chamber 100 is required to disassemble and maintenance And the sealing between the assemblies may be broken. In the embodiment of the present invention, the chamber 100 is shown as a first block 120 and a second block 140 which are separated in the vertical direction and can open the inner space, The present invention is not limited thereto and various modifications are possible.

이러한 구성으로 형성되는 챔버(100)는 기판(S)을 수평방향, 즉 일면이 좌우방향으로 넓게 형성된 기판(S)을 가로방향으로 로딩 및 언로딩 할 수 있도록 게이트(미도시)가 형성될 수 있다. 게이트는 기판(S)을 반입 및 반출할 수 있을 정도의 크기로 형성되고, 후술하는 기판 안치대(200) 상에 기판을 안착시키기 위해 기판을 챔버 내로 이송시킬 수 있는 로봇암(미도시)의 적어도 일부가 챔버(100) 내로 장입될 수 있는 크기로 형성될 수 있다. The chamber 100 formed with such a structure may be formed with a gate (not shown) so that the substrate S can be loaded and unloaded in the horizontal direction, that is, in the lateral direction, have. The gate is formed to a size large enough to carry in and out the substrate S and is provided with a robot arm (not shown) capable of transporting the substrate into the chamber for placing the substrate on the substrate platform 200 At least a portion of which may be sized to be loaded into the chamber 100.

또한, 챔버(100)의 외부에는 챔버(100)의 내부공간으로 공정가스를 공급하는 가스공급부(미도시)가 구비되고, 도면상으로 제1 블록(120)의 측면에는 가스공급부로부터 공급되는 공정가스를 챔버(100) 내부로 주입하기 위한 가스주입구(150)가 형성되며, 가스 주입구(150)에 이격되는 제1 블록(120)의 측면에 챔버(100) 내부의 가스를 배출하기 위한 가스배출구(170)가 형성된다. 이때, 가스배출구(170)를 통해 챔버(100) 내부의 가스를 보다 효과적으로 배출시키기 위해서는 가스배출구(170)와 연결되는 배기라인(미도시) 상에 펌프(미도시)를 장착할 수도 있다. 이와 같은 구성을 통해 챔버(100) 내부에 진공 형성과 같은 압력 제어도 수행할 수 있다. 여기서, 가스주입구(150)와 가스배출구(170)가 형성되는 위치는 이에 한정되지 않으며, 기판(S)이 처리되는 공간으로 공정가스를 용이하게 공급할 수 있는 위치에서 다양하게 변경된 위치에 형성 가능하며, 예컨대, 가스주입구(150)와 가스배출구(170)가 상호 마주보는 챔버(100)의 측면에 연결될 수도 있다. A gas supply part (not shown) for supplying a process gas to the inner space of the chamber 100 is provided outside the chamber 100, and a gas supply part A gas inlet 150 for introducing gas into the chamber 100 is formed and a gas outlet for discharging the gas inside the chamber 100 is formed on the side of the first block 120 spaced apart from the gas inlet 150. [ (170) is formed. At this time, a pump (not shown) may be mounted on an exhaust line (not shown) connected to the gas outlet 170 to discharge the gas inside the chamber 100 more effectively through the gas outlet 170. Through such a configuration, pressure control such as vacuum formation can be performed inside the chamber 100. The position where the gas injection port 150 and the gas discharge port 170 are formed is not limited thereto and may be formed at various positions where the process gas can be easily supplied to the space in which the substrate S is processed For example, the gas inlet 150 and the gas outlet 170 may be connected to the side of the chamber 100 facing each other.

그리고 챔버(100)에는 후술하는 기판 안치대(200) 및 열원유닛(300)을 냉각시키기 위한 냉각 가스가 공급되는 냉각 라인(180)이 형성될 수도 있다. 예컨대, 냉각 라인(180)은 제1 블록(120) 및 제2 블록(140)의 내부에서 분기되어 냉각가스를 챔버(100) 내의 구성에 원활하게 공급 분사되도록 할 수 있다. 이때, 본 발명에서는 냉각 라인(180)이 제1 블록(120)을 관통하며 한 쪽에만 구비되는 것으로 나타나 있으나 냉각 라인(180)은 고온의 구성의 온도를 낮추기 위해 챔버(100)의 여러 방향에 걸쳐 형성함으로써 냉각 효율을 향상시킬 수도 있다. The chamber 100 may be provided with a cooling line 180 to which a cooling gas for cooling the substrate bench 200 and the heat source unit 300 to be described later is supplied. For example, the cooling line 180 may be branched inside the first block 120 and the second block 140 to allow the cooling gas to be smoothly injected into the structure in the chamber 100. Although the cooling line 180 is shown through the first block 120 and is provided only on one side, the cooling line 180 may be formed in various directions of the chamber 100 to lower the temperature of the high- It is possible to improve the cooling efficiency.

또한, 챔버(100)의 내벽에는 라이너(미도시)가 형성될 수도 있다. 라이너는 챔버(100) 내부에서 공정 가스가 도달할 수 있는 모든 곳에 형성되어 공정 중 발생하는 오염물을 흡착시킨다. 이와 같이 라이너를 챔버(100) 내벽에 적용함으로써 장비 전체를 세정하지 않고 라이너만 교체하여 장비의 유지 보수 주기를 연장할 수 있다. 이때, 라이너는 그라파이트(graphite) 또는 탄화규소(SiC)가 코팅된 그라파이트, 탄화규소(Silicon Carbide), 질화규소(Silicon nitride), 알루미나(Al2O3), 질화 알루미늄(Aluminum nitride) 및 석영(Quartz) 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다.
In addition, a liner (not shown) may be formed on the inner wall of the chamber 100. The liner is formed anywhere within the chamber 100 where the process gas can reach to adsorb contaminants that occur during the process. By applying the liner to the inner wall of the chamber 100, the maintenance period of the equipment can be extended by replacing only the liner without cleaning the entire equipment. The liner may be at least one of graphite or silicon carbide (SiC) coated graphite, silicon carbide, silicon nitride, alumina (Al2O3), aluminum nitride, and quartz It can be formed in any one of them.

기판 안치대(200)는 챔버(100) 내부에 위치하여, 금속성 기판(S)이 가열되기 위해 열원유닛(400)에서 방출되는 방사광에 직접적으로 노출되어 빛이 반사되는 현상을 억제하거나 방지하기 위해 열원유닛(400)과 기판(S) 사이에 위치하며 열원유닛(400)과 기판(S) 사이를 차단하는 역할을 한다. 기판 안치대(200)는 기판(S)이 안착되는 일면(안착면; 201)과, 안착면에 대향하는 타면(203) 및 일면(201)과 타면(203)을 연결하는 측면(205)들로 구성되며, 기판(S)이 안착되는 일면(201) 상에는 기판(S)과 기판 안치대(200)의 접촉면적을 감소시키기 위한 복수개의 돌기부(210)가 형성된다. The substrate table 200 is disposed inside the chamber 100 to suppress or prevent the light reflected directly from the radiation emitted from the heat source unit 400 to be heated by the metallic substrate S And is positioned between the heat source unit 400 and the substrate S and blocks the heat source unit 400 and the substrate S. [ The substrate table 200 includes one side (seating surface) 201 on which the substrate S is seated, another side 203 facing the seating surface, and side surfaces 205 connecting the one side 201 and the other side 203 And a plurality of protrusions 210 for reducing a contact area between the substrate S and the substrate stage 200 are formed on one surface 201 on which the substrate S is placed.

도 4를 참조하면, 돌기부(210)는 기판 안치대(200)의 일면(201) 상에서 상부로 소정의 높이를 가지고 돌출 형성되며, 기판 안치대(200)의 일면(201)의 중심으로부터 평면상의 방사방향으로 상호 이격되어 구비될 수 있다. 즉, 일면(201)의 전체 영역을 기준으로 중앙 영역(중심으로부터 소정영역)에서 방사방향(즉, 수평방향에서의 D1 방향, D1 방향에 직교하는 D2 방향 및 대각방향의 D3)으로 복수개가 서로 이격되어 형성될 수 있다. 이처럼 형성되는 돌기부(210)는 도 4의 (b)에 도시된 것처럼, 돌기부(210)가 형성되는 않은 기판 안치대(200)의 높이인 ha보다 상대적으로 높은 ht의 높이 상에 기판(S)을 배치할 수 있으며, 결과적으로 돌출영역과 기판(S)이 접촉하는 부분에 의해서만 기판(S)이 기판 안치대(200) 상에 안착하게 된다. 4, the protrusions 210 protrude upward from the one surface 201 of the substrate platform 200 with a predetermined height, and protrude from the center of one surface 201 of the substrate platform 200, And may be spaced apart from each other in the radial direction. In other words, a plurality of beams are arranged in the radial direction (that is, the D 1 direction in the horizontal direction, the D 2 direction orthogonal to the D1 direction and the diagonal direction D 3) in the central region And can be formed spaced apart. 4 (b), the protrusions 210 formed on the substrate 210 are formed on the substrate at a height h t that is relatively higher than the height h a of the substrate platform 200 on which the protrusions 210 are not formed S can be disposed on the substrate stage 200. As a result, the substrate S is seated on the substrate stage 200 only by the portion where the projecting region and the substrate S are in contact with each other.

이처럼, 돌기부(210)가 형성되지 않은 일면(201) 상에 기판(S)이 안착할 때보다 기판 안치대(200)와 기판(S) 간의 접촉면적을 감소시켜 기판(S)과 기판 안치대(200)의 접촉면의 흡착력을 종래에 비해 감소시킬 수 있으며, 이는 진공 상태에서 진행되는 기판(S)의 공정 처리 도중에 기판(S)과 기판 안치대(200) 의 접촉면에서 발생하는 표면 진공에 의해 기판(S)이 기판 안치대(200)에 흡착되어 기판 안치대(200)로부터 기판(S)을 분리할 때 기판(S)이 찢어지는 문제점을 해결하며, 기판 안치대(200)로부터 기판(S)을 용이하게 분리할 수 있다. The contact area between the substrate stage 200 and the substrate S is reduced as compared with the case where the substrate S is placed on the one surface 201 on which the protrusions 210 are not formed, It is possible to reduce the attraction force of the contact surface of the substrate 200 with respect to that of the conventional art by the surface vacuum generated at the contact surface between the substrate S and the substrate platform 200 during the processing process of the substrate S proceeding in a vacuum state The present invention solves the problem that the substrate S is torn when the substrate S is attracted to the substrate table 200 and the substrate S is separated from the table 200, S can be easily separated.

한편, 돌기부(210)는 기판 안치대(200)의 평면상의 중심부에서 방사방향으로 이격되어 형성되는 것으로 나타나 있으나, 돌기부(210)가 형성되는 위치는 한정되지 않고 기판 안치대(200)의 일면(201) 상에서 다양한 각도 및 이격 거리를 가지며 형성되며, 기판(S)의 안정적인 배치가 가능한 다양한 위치에 형성될 수 있다.The positions of the protrusions 210 are not limited and may be formed on one surface of the substrate bench 200. The protrusions 210 may be formed on the surface of the substrate bench 200, 201 and may be formed at various positions in which stable positioning of the substrate S is possible.

이와 같은 기판 안치대(200)는 기판(S)으로서 니켈(Ni), 구리(Cu), 코발트(Co), 몰리브덴(Mo), 마그네슘(Mg), 백금(Pt), 은(Ag), 크롬(Cr), 망간(Mn), 티타늄(Ti) 및 텅스텐(W) 등의 금속 박판을 이용하는데, 금속 재질의 기판에 방사광을 직접 조사하면 방사광이 반사되어 기판(S)을 공정 온도까지 가열하는데 많은 시간과 전력이 소모될 수 있다. 따라서, 기판 안치대(200)는 기판(S)과 열원유닛(400) 사이에 배치되어 방사광에 의해 가열된 기판 안치대(200)를 통해 기판(S)이 간접적으로 가열될 수 있도록 할 수 있다. 이에, 본 발명에서는 기판 안치대(200)가 제1 블록(120)에 장착된 열원유닛(400) 상에 배치됨으로써, 기판(S)이 기판 안치대(200) 상에 안착될 때 제1 블록(120)에 장착된 열원유닛(400)과 기판(S) 사이를 차단할 수 있다. 이에, 기판 안치대(200)는 기판(S)을 일부 간접 가열할 수 있도록 열전도율 및 열 흡수율이 우수한 그래파이트(graphite) 또는 탄화규소(SiC)가 코팅된 그래파이트, 탄화규소(Silicon Carbide), 질화규소(Silicon nitride), 알루미나(Al2O3), 질화 알루미늄(Aluminum nitride) 및 석영(Quartz) 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. 여기서, 기판 안치대(200)는 제1 블록(120)과 기판(S) 사이에 배치되고 제2 블록(140)의 열원유닛(400)과 기판(S) 사이에는 구비되지 않는 것으로 나타나 있으나, 기판 안치대(200)는 기판(S)의 모든 측면을 둘러싸며 배치될 수도 있다.
The substrate bench 200 may be formed of at least one of nickel (Ni), copper (Cu), cobalt (Co), molybdenum (Mo), magnesium (Mg), platinum (Pt) A thin metal plate such as chromium (Cr), manganese (Mn), titanium (Ti), and tungsten (W) is used. When a substrate made of a metal is directly irradiated with radiation, the radiation is reflected to heat the substrate A lot of time and power can be consumed. The substrate table 200 can be disposed between the substrate S and the heat source unit 400 so that the substrate S can be indirectly heated through the substrate table 200 heated by the radiation . Accordingly, in the present invention, since the substrate bench 200 is disposed on the heat source unit 400 mounted on the first block 120, when the substrate S is placed on the substrate bench 200, It is possible to block the space between the heat source unit 400 mounted on the substrate 120 and the substrate S. The substrate table 200 is made of graphite, silicon carbide (SiC) coated graphite, silicon carbide, silicon nitride (SiC), or the like, which is excellent in thermal conductivity and heat absorption rate so as to partially indirectly heat the substrate S. Silicon nitride, alumina (Al 2 O 3 ), aluminum nitride, and quartz. Although it is shown that the substrate table 200 is disposed between the first block 120 and the substrate S and not between the heat source unit 400 and the substrate S of the second block 140, The substrate table 200 may be disposed to surround all sides of the substrate S.

여기서, 기판 안치대(200)의 타면(203)에는 후술하는 지지유닛(300)과 요철(凹凸)구조로 결합하기 위해, 지지유닛(300)이 삽입되기 위한 삽입홈(230) 또는 삽입홀(240)이 형성될 수 있다. 여기서, 삽입홈(230)과 삽입홀(240)은 기판 안치대(200)의 타면(203)에서 후술하는 외곽부(331)가 배치되는 타면(203)의 외곽 영역에 형성될 수 있다. Here, the other surface 203 of the substrate bench 200 is provided with an insertion groove 230 or an insertion hole (not shown) for inserting the supporting unit 300 to be coupled with the support unit 300, which will be described later, 240 may be formed. The insertion groove 230 and the insertion hole 240 may be formed in an outer area of the other surface 203 on the other surface 203 of the substrate table 200 on which the outer frame 331 is disposed.

삽입홈(230) 및 삽입홀(240)은 후술하는 지지유닛(300)의 지지체(330) 중 적어도 일부가 삽입 고정되기 위한 삽입 공간을 제공하는 것으로서, 기판 안치대(200)의 타면(203)으로부터 상부방향으로 소정의 높이를 갖고 연장 형성될 수 있다. 즉, 도 6의 (a)에 도시된 것처럼, 삽입홈(230)은 기판 안치대(200)의 타면(203)으로부터 기판 안치대(200)의 총 두께보다 작은 높이로 형성되어, 삽입홈(230)에 후술하는 지지체(330)의 고정돌기(331a)를 삽입 고정할 수 있다. The insertion groove 230 and the insertion hole 240 provide an insertion space for inserting and fixing at least a part of the support bodies 330 of the support unit 300 to be described later, So as to extend upwardly at a predetermined height. 6 (a), the insertion groove 230 is formed at a height less than the total thickness of the substrate platform 200 from the other surface 203 of the substrate platform 200, The fixing protrusion 331a of the support body 330 described later can be inserted and fixed.

삽입홀(240)은 삽입홈(230)과 마찬가지로 기판 안치대(200)의 타면(203)으로부터 상부방향으로 소정의 높이를 갖고 형성되어 고정돌기(331a)가 삽입되는 공간을 제공한다. 이때, 삽입홀(240)은 기판 안치대(200)의 두께와 동일한 높이로 형성되어(즉, 기판 안치대(200)의 상하방향을 관통하며 형성되어) 고정돌기(331a)가 삽입될 수 있도록 할 수 있다. The insertion hole 240 has a predetermined height in the upward direction from the other surface 203 of the board bench 200 as in the insertion groove 230 and provides a space into which the fixing protrusion 331a is inserted. At this time, the insertion holes 240 are formed to have the same height as the thickness of the substrate bench 200 (i.e., formed through the vertical direction of the substrate bench 200) so that the fixing protrusions 331a can be inserted can do.

한편, 기판 안치대(200)는 도 8에 도시된 것과 같이 변형되어 지지유닛(300)과 결합할 수도 있다. 즉, 변형 예에 따른 기판 안치대(200b)는 실시 예의 기판 안치대(200)와 반대로 지지유닛(300)이 기판 안치대(200)에 삽입고정되는 것이 아닌 기판 안치대(200b)가 지지유닛(300)에 삽입 고정되도록 형성될 수 있다. On the other hand, the substrate table 200 may be deformed as shown in FIG. 8 to engage with the supporting unit 300. In other words, the substrate holder 200b according to the modified example is configured such that the substrate holder 200b is not inserted and fixed to the substrate holder 200 as opposed to the substrate holder 200 of the embodiment, (Not shown).

보다 구체적으로, 본 발명의 변형 예에 따른 기판 안치대(200b)의 타면(203)에는 후술하는 지지유닛(300)의 지지체(330)에 삽입 고정되기 위한 돌출부(260)가 타면(203)에서 하부로 돌출 형성될 수도 있다. 이때, 돌출부(260)는 지지체(330)에 돌출부(260)가 삽입될 수 있는 높이 만큼 형성되어 지지체(330)에 삽입될 수 있다. 즉, 돌출부(260)는 지지체(330)에 형성되는 오목홈(331b) 또는 함몰홀(331c)에 삽입되어 고정될 수 있는데, 이때, 돌출부(260)의 타면(203)으로부터의 돌출 높이는 오목홈(331b) 또는 함몰홀(331c)의 형성높이와 동일한 높이로 형성될 수 있다. More specifically, on the other surface 203 of the substrate mounting table 200b according to the modified embodiment of the present invention, a protrusion 260 for inserting and fixing into a support body 330 of a support unit 300, which will be described later, Or may be protruded downward. At this time, the protrusion 260 may be formed to have a height at which the protrusion 260 can be inserted into the supporter 330, and may be inserted into the supporter 330. That is, the protruding portion 260 can be inserted and fixed in the concave groove 331b or the concave groove 331c formed in the support 330. At this time, the protruding height of the protruding portion 260 from the other surface 203, And the height of the depression hole 331b or the depression hole 331c.

또한, 기판 안치대(200)에는 후술하는 승강유닛(500)의 승강핀(510)이 기판(S)을 기판 안치대(200) 상에 안착 및 분리할 수 있도록 상하방향으로 돌출 이동 하도록 경로를 제공하기 위한 관통홀(250)이 형성될 수도 있다. The elevation pins 510 of the elevation unit 500 to be described later are provided on the substrate bench 200 so as to be vertically protruded so as to be able to seat and separate the substrate S on the substrate bench 200 A through hole 250 may be formed.

이에, 이하에서는 지지유닛(300)의 설명과 함께 실시 예 및 변형 예에 따른 기판 안치대(200, 200b)의 삽입홈(230), 삽입홀(240), 돌출부(260) 및 관통홀(250)에 관해 자세하게 설명하기로 한다.
Hereinafter, the insertion slot 230, the insertion hole 240, the protrusion 260, and the through hole 250 of the substrate mounting table 200, 200b according to the embodiment and the modification example, as well as the description of the support unit 300 ) Will be described in detail.

도 7 및 도 9를 참조하면, 지지유닛(300)은 적어도 일부가 챔버(100)를 관통하여 챔버(100) 내부에 배치되어 기판안치대(200)를 챔버(100) 내에 안정적으로 배치하기 위해 구비되는 것으로서, 상하방향으로 연장 형성되어 챔버(100) 내에 적어도 일부가 배치되는 지지축(310)과, 챔버(100) 내부에 배치된 지지축(310)의 일단에 연결되고, 기판 안치대(200)에 일부가 접촉 배치되는 하나 이상의 지지체(330)를 포함한다. 7 and 9, at least a part of the support unit 300 is disposed inside the chamber 100 through the chamber 100 to stably arrange the substrate stage 200 in the chamber 100 A supporting shaft 310 extending in the vertical direction and being at least partially disposed in the chamber 100 and connected to one end of a supporting shaft 310 disposed inside the chamber 100, 200) at least partially in contact with one another.

지지축(310)은 소정의 길이를 갖는 바(bar) 형상을 갖고 적어도 일부가 챔버(100) 내부로 관통되어 기판 안치대(200) 측으로 연장될 수 있다. 지지축(310)은 평면상으로 기판 안치대(200)의 타면(203)의 중심영역에 연결될 수 있도록 기판 안치대(200) 측으로 연장 형성되어 배치될 수 있다. 이에, 지지축(310)과 연결된 지지체(330)에 의해 기판 안치대(200)가 지지된 경우, 기판 안치대(200)가 어느 한 방향으로 기울어지지 않고 안정적으로 안착되도록 할 수 있다. 한편, 본 발명의 지지축(310)과 같이 챔버(100)를 관통하며 배치되는 경우, 지지축(310)과 챔버(100)의 접촉 부위(즉, 관통부위)에는 밀폐부재(미도시)가 구비되어 챔버(100) 내부와 외부 사이의 연통을 차단하여 챔버(100)의 기밀성이 유지되도록 할 수 있다. The support shaft 310 may have a bar shape having a predetermined length and at least a portion may extend through the chamber 100 to the substrate bench 200 side. The support shaft 310 may be extended and disposed on the side of the substrate table 200 so as to be connected to the central area of the other surface 203 of the substrate table 200 in a plan view. Thus, when the substrate table 200 is supported by the support 330 connected to the support shaft 310, the substrate table 200 can be stably installed without being tilted in any one direction. A sealing member (not shown) is provided on the contact portion (i.e., the penetrating portion) between the support shaft 310 and the chamber 100 when the support shaft 310 is disposed to penetrate the chamber 100 as in the support shaft 310 of the present invention So that the communication between the inside and the outside of the chamber 100 is blocked to maintain the airtightness of the chamber 100.

지지체(330)는 지지축(310)과 기판 안치대(200) 사이에 배치되며, 기판 안치대(200)의 일면(201)에 대향하는 타면(203)과 나란한 방향으로 연장 형성되어 기판 안치대(200)에 일부가 접촉 및 삽입 배치되는 것으로서, 적어도 하나 이상이 구비되어 각각 지지축(310)에 소정 각도로 이격된 상태로 연결될 수 있다. 즉, 도 8의 (a)에 도시된 것처럼, 지지체(330)는 지지축(310)의 연장방향과 교차하는 방향으로 연장 형성되어 지지축(310)의 일단에 연결되며, 각각의 지지체(330) 간의 동일한 각도로 이격되어 지지축(310)에 연결될 수 있다. 이때, 각각의 지지체(330)들은 지지축(310)에 단일로 연결되거나, 본 발명의 실시예와 같이 일체형으로 제작되어 지지축(310)에 연결될 수 있다. 이와 같은 지지체(330)는 기판 안치대(200)의 타면(203)에 지지체(330)가 삽입 고정되는 삽입홈(230) 또는 삽입홀(240)이 형성된 경우, 삽입홈(230) 또는 삽입홀(240)의 형성 높이와 동일한 높이로 돌출 형성되는 고정돌기(331a)가 형성되며, 기판 안치대(200b)가 지지체(330)에 삽입 고정되기 위해 돌출부(260)가 형성된 경우, 상기 돌출부(260)가 삽입 고정 가능하게 하는 오목홈(331b) 또는 함몰홀(331c)이 형성되는 외곽부(331)와, 지지축(310)과 연결되며 기판 안치대(200)의 가운데 영역이 안착되는 중앙부(333) 및 중앙부(333)로부터 외곽부(331)로 연장 형성되어 중앙부(333)와 외곽부(331)를 상호 연결하기 위한 연결부(335)를 포함한다. 또한, 지지체(330)는 외곽부(331)로부터 연장 형성되며 기판 안치대(200)에 비접촉 배치되는 고정부(337)를 포함할 수도 있다. 즉, 지지체(330)의 외곽부(331)는 기판 안치대(200)와의 결합 구조에 따라, 기판 안치대(200)의 형성방법과 마찬가지로 외곽부(331)로부터 돌출 형성된 구조 및 외곽부(331)에 기판 안치대(200)가 삽입 고정되기 위한 공간을 형성하는 형태를 가질 수 있다. The support body 330 is disposed between the support shaft 310 and the substrate platform 200 and extends in a direction parallel to the other surface 203 facing the one surface 201 of the substrate platform 200, And at least one of them may be connected to the support shaft 310 at a predetermined angle. 8 (a), the support 330 extends in a direction intersecting the extending direction of the support shaft 310 and is connected to one end of the support shaft 310, and each of the supports 330 To the support shaft 310 at the same angle. At this time, the respective supports 330 may be connected to the support shaft 310, or may be integrally formed as in the embodiment of the present invention and connected to the support shaft 310. When the support body 330 is inserted into the insertion hole 230 or the insertion hole 240 is formed on the other surface 203 of the substrate mounting table 200, The fixing protrusion 331a protruding at a height equal to the height of the protrusion 260 is formed in the protrusion 260. When the protrusion 260 is formed to be inserted into the support 330, An outer frame portion 331 in which a recessed hole 331b or a recessed hole 331c is formed for allowing the inner frame portion 200 to be inserted and fixed; 333 and a connecting portion 335 extending from the central portion 333 to the outer frame portion 331 and interconnecting the central portion 333 and the outer frame portion 331. The support body 330 may also include a fixing portion 337 extending from the outer frame portion 331 and disposed in a noncontact manner with respect to the substrate placing table 200. That is, the outer frame 331 of the support 330 has a structure protruding from the outer frame 331 and a structure formed from the outer frame 331 in the same manner as the method of forming the substrate platform 200, And a space for inserting and fixing the substrate bench 200 is formed.

중앙부(333)는 기판 안치대(200)의 중심영역에 배치되어 기판 안치대(200)과 지지축(310)의 일단을 연결하기 위한 영역으로서, 지지축(310)과 마주보는 기판 안치대(200)의 타면(203)의 가운데 영역이 안착될 수 있다. 여기서, 중앙부(333)는 평면상에서 기판 안치대(200)의 중심점으로부터 방사방향으로의 소정거리의 영역일 수 있으며, 지지축(310)의 평균 직경과 동일하거나 작은 직경을 갖고 지지축(310)에 연결되어 기판 안치대(200)에 접촉 배치될 수 있다. The central portion 333 is disposed in the center region of the substrate bench 200 and is a region for connecting one end of the substrate bench 200 and one end of the support shaft 310, 200 may be seated in the center region of the other surface 203. [ The central portion 333 may be a predetermined distance in the radial direction from the central point of the substrate mounting table 200 on a plane and may have a diameter equal to or smaller than the average diameter of the support shaft 310, And can be placed in contact with the substrate bench 200.

외곽부(331)는 중앙부(333)로부터 소정거리 이격된 위치에서 기판 안치대(200)의 외곽영역에 적어도 일부가 접촉되어, 기판 안치대(200, 200b)와 요철(凹凸)구조로 결합하도록 형성된다. 즉, 외곽부(3310)는 기판 안치대(200)에 삽입 배치되거나, 기판 안치대(200b)를 삽입 배치할 수 있도록 형성된다. 이때, 외곽부(331)에는 기판 안치대(200)의 삽입홈(230) 및 삽입홀(240)에 삽입 고정될 수 있는 삽입홀(240)가 형성되거나, 기판 안치대(200b)의 돌출부(260)가 삽입 고정되기 위한 오목홈(331b) 및 함몰홀(331c)이 형성될 수 있다. 여기서 외곽부(331)는 중앙부(333)의 최외곽으로부터 기판 안치대(200)의 최선단의 거리 중 기판 안치대(200)의 최선단인 I2로부터 안측(중심부측)으로 소정의 영역이 이격된 I1까지의 영역에 배치될 수 있다.The outer frame portion 331 is at least partly in contact with the outer peripheral region of the substrate carrying platform 200 at a position spaced from the central portion 333 by a predetermined distance so as to be coupled with the substrate carrying platform 200, . That is, the outer frame portion 3310 is formed to be inserted into the board bench 200 or inserted into the board bench 200b. At this time, an insertion hole 240, which can be inserted and fixed in the insertion groove 230 of the board bench 200 and the insertion hole 240, is formed in the outer frame portion 331, A concave groove 331b and a recessed hole 331c for inserting and fixing the light emitting diode chip 260 may be formed. The outer frame section 331 has a predetermined area from the outermost periphery of the central portion 333 to the inner side (center side) of I 2 , which is the best end of the substrate bench 200, Lt; RTI ID = 0.0 > I 1 < / RTI >

삽입홀(240)는 삽입홈(230) 또는 삽입홀(240)에 삽입 배치되어 기판 안치대(200)와의 접촉 표면적을 증가시킴으로써 기판 안치대(200)와 지지체(330)를 보다 안정적으로 연결하여 결합할 수 있다. 이때, 삽입홀(240)는 삽입홈(230) 및 삽입홀(240)이 형성된 폭 및 두께와 동일한 폭 및 두께를 가지고 형성될 수 있다. 즉, 삽입홀(240)의 폭(Ws2)이 삽입홈(230) 또는 삽입홀(240)의 폭(Ws1)에 대해 상대적으로 너무 작은 경우에는, 삽입홀(240)가 기판 안치대(200)에 삽입되더라도 삽입홈(230) 또는 삽입홀(240)과 삽입홀(240) 간의 이격거리로 인해 기판 안치대(200)가 안정적으로 안착되지 않을 수 있기 때문에 삽입홀(240)는 삽입홈(230) 또는 삽입홀(240)의 폭과 동일하거나 삽입홈(230) 또는 삽입홀(240)에 대해 5% 이내의 오차범위를 갖는 폭을 갖고 형성될 수 있다. 이때, 삽입홀(240)는 기판 안치대(200)에 형성되는 삽입홈(230) 및 삽입홀(240)의 개수에 대응하는 개수로 적어도 하나 이상이 구비되어, 기판 안치대(200)와 지지체(330)와의 결합력을 보다 증가시킬 수 있다. The insertion hole 240 is inserted into the insertion groove 230 or the insertion hole 240 to increase the contact surface area with the substrate table 200 to more stably connect the substrate table 200 and the support 330 Can be combined. The insertion hole 240 may have a width and a thickness equal to the width and thickness of the insertion hole 230 and the insertion hole 240. That is, when the width W s2 of the insertion hole 240 is relatively small relative to the width W s1 of the insertion groove 230 or the insertion hole 240, The insertion hole 240 can not be stably positioned because of the distance between the insertion hole 230 and the insertion hole 240 and the distance between the insertion hole 240 and the insertion hole 240. Therefore, The width of the insertion hole 240 or the width of the insertion hole 240 may be equal to or less than 5% with respect to the insertion hole 230 or the insertion hole 240. At least one or more of the insertion holes 240 may be provided corresponding to the number of the insertion holes 230 and the insertion holes 240 formed in the substrate mounting table 200, It is possible to further increase the bonding force with the second electrode 330.

오목홈(331b) 및 함몰홀(331c)은 기판 안치대(200b)가 지지체(330)에 삽입되기 위해 돌출부(260)를 구비하는 경우, 지지체(330)의 외곽부(331)에 형성되는 것으로서, 돌출부(260)가 삽입 고정 가능한 공간을 제공하기 위해 형성될 수 있다. 즉, 오목홈(331b) 및 함몰홀(331c)는 전술한 기판 안치대(200)의 삽입홈(230) 및 삽입홀(240)과 동일한 역할, 즉, 고정하기 위해 형성된 돌출 부분이 삽입되기 위한 공간을 제공하는 역할을 수행하며, 이는 기판 안치대(200)와 지지체(330) 중 삽입되는 구성 및 삽입되는 공간을 제공하는 구성에 따른 차이일 뿐, 기판 안치대(200)와 지지체(330)가 삽입되어 고정되는 역할은 동일하다. 이때 도 8에 도시된 것처럼, 오목홈(331b) 돌출부(260)가 삽입되어 돌출부(260)의 측면 및 하면이 접촉 배치되도록 외곽부(331)의 상면으로부터 하부로 소정 높이 홈을 형성하며, 함몰홀(331c)은 외곽부(331)에서 돌출부(260)가 삽입되는 영역이 상하부로 관통 형성되어 함몰홀(331c)에 삽입된 돌출부(260)의 하면과 함몰홀(331c)이 형성된 지지체(330)의 하면이 서로 나란한 위치에 배치될 수 있도록 형성될 수 있다. The recessed groove 331b and the recessed hole 331c are formed in the outer frame 331 of the support 330 when the substrate seat 200b is provided with the protrusion 260 for insertion into the support 330 And the projection 260 can be formed to provide a space for insertion and fixation. That is, the concave groove 331b and the concave hole 331c have the same role as the insertion groove 230 and the insertion hole 240 of the above-described substrate bench 200. That is, The substrate holder 200 and the support 330 may be formed of the same material as that of the substrate holder 200 and the support 330, Are inserted and fixed. 8, a protrusion 260 of the concave groove 331b is inserted and a predetermined height groove is formed downward from the upper surface of the outer frame 331 so that the side surface and the lower surface of the protrusion 260 are in contact with each other, The hole 331c is formed in the outer frame 331 in such a manner that a region where the protrusion 260 is inserted is formed in the upper and lower portions to form a lower surface of the protrusion 260 inserted in the depression hole 331c and a support 330 Can be arranged in parallel with each other.

한편, 전술한 외곽부(331)와 기판 안치대(200, 200b)의 결합에서, 요철(凹凸)구조의 형상은 한정하지 않으나, 기판 안치대(200, 200b)와 지지체(330)의 접촉면적을 증가시킬 수 있도록 도 8의 (c)에 도시된 평면 형상으로 삽입홈(230), 삽입홀(240), 고정돌기(331a), 돌출부(260), 오목홈(331b) 및 함몰홀(331c)이 형성될 수 있다. 즉, 삽입홈(230), 삽입홀(240), 고정돌기(331a), 돌출부(260), 오목홈(331b) 및 함몰홀(331c)은 그 평면 모양이 원형, 타원형 및 다각형 중 어느 하나의 형상을 가지도록 형성될 수 있으며, 이 중 육각형 및 팔각형과 같은 다각형의 평면 형상을 갖도록 삽입홈(230), 삽입홀(240), 고정돌기(331a), 돌출부(260), 오목홈(331b) 및 함몰홀(331c)이 형성되는 경우, 상호 결합된 기판 안치대(200)와 지지체(330)는 원형의 평면 형상을 가질 때보다 상호 간에 이탈성이 감소될 수 있다. 즉, 원형의 평면 형상을 가질 경우 지지체(330)와 기판 안치대(200)는 일 방향성을 갖는 결합면을 가지며 결합되나, 다각의 평면 형상을 가질 경우에는 지지체(330)와 기판 안치대(200) 간의 결합면이 증가하게 된다. 즉, 육각형의 경우에는 6개의 결합면을 갖고 상호 결합됨으로써 지지체(330) 상에서 기판 안치대(200)가 회전하며 틀어지는 문제가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
The shape of the concavo-convex structure is not limited, but the contact area between the substrate pedestal 200, 200b and the support body 330 may vary depending on the combination of the outer frame 331 and the substrate pedestal 200, The insertion hole 240, the fixing protrusion 331a, the protrusion 260, the concave groove 331b, and the depression hole 331c (see FIG. 8 (c) May be formed. That is, the insertion groove 230, the insertion hole 240, the fixing protrusion 331a, the protrusion 260, the concave groove 331b, and the depressed hole 331c may be formed in any one of circular, elliptical, The insertion hole 240, the fixing protrusion 331a, the protrusion 260, the concave groove 331b, and the concave groove 331b so as to have a polygonal planar shape such as a hexagonal shape and an octagonal shape, And the depression hole 331c are formed, the mutual coupling between the substrate stand 200 and the support 330 can be reduced more than when they have a circular planar shape. That is, when the support body 330 has a circular planar shape, the support body 330 and the substrate platform 200 are coupled to each other with a coupling surface having a unidirectional shape. However, if the support body 330 and the substrate platform 200 ) Is increased. That is, in the case of a hexagonal shape, it is possible to prevent the problem that the substrate bench 200 rotates on the support 330 due to the mutual coupling with the six coupling surfaces.

연결부(335)는 중앙부(333)와 외곽부(331)를 상호 연결하기 위한 것으로서, 기판 안치대(200)의 중간영역을 지지하기 위해 구비된다. 즉, 연결부(335)는 중앙부(333)의 최외곽으로부터 외곽부(331) 전까지 연장 형성될 수 있으며, 도 7의 (b)에 도시된 것처럼, 중앙부(333)의 최외곽으로부터 I1까지의 영역에 형성될 수 있다. The connection portion 335 is provided for interconnecting the central portion 333 and the outer frame portion 331 and is provided for supporting the intermediate region of the substrate platform 200. That is, the connection portion 335 may extend from the outermost portion of the central portion 333 to before the outer portion 331, and may extend from the outermost portion of the central portion 333 to I 1 as shown in FIG. 7 (b) Lt; / RTI > region.

고정부(337)는 외곽부(331)의 끝단으로부터 소정길이 연장 형성되며, 지지체(330) 상에 기판 안치대(200)가 안착될 때 평면상에서 기판 안치대(200)의 외측으로 돌출 배치되어 기판 안치대(200)와 비접촉 배치될 수 있다. 즉, 고정부(337)는 기판 안치대(200)와 지지체(330)를 보다 안정적으로 고정하기 위해 기판 안치대(200)와 지지체(330)를 고정하기 위한 영역을 제공할 수 있으며, 이는 도 7의 (b)에 도시된 것처럼, 외곽부(331)의 끝단인 I2로부터 소정거리 이격된 위치인 I3까지의 영역을 제공할 수 있다. The fixing portion 337 is extended from the end of the outer frame portion 331 by a predetermined length and protrudes and is disposed outside the substrate mounting table 200 on a plane when the substrate mounting table 200 is mounted on the supporting body 330 It can be placed in non-contact with the substrate bench 200. That is, the fixing portion 337 may provide an area for fixing the substrate holder 200 and the support 330 to more stably fix the substrate holder 200 and the support 330, It is possible to provide an area from I 2 which is the end of the outer frame part 331 to a position I 3 which is a predetermined distance apart as shown in (b) of FIG.

이처럼, 고정부(337)가 형성되는 경우, 기판 안치대(200) 및 고정부(337)의 일부를 커버하며 상호 고정시키는 고정부재(370)가 구비될 수도 있다. 고정부재(370)는 기판 안치대(200)의 일면(201) 및 측면(205) 중 일부와, 고정부(337)의 상면 일부를 커버하여 상호 연결하며, 기판 안치대(200)와 고정부(337)의 일부 측면들을 브라켓(371)이 커버하고 브라켓(371)과 고정부(337)의 고정홀(338)에 볼트(373)를 삽입하여 체결 고정함으로써 기판 안치대(200)가 삽입홀(240)에만 삽입되어 지지되는 것보다 안정적인 고정력을 제공할 수 있다.When the fixing portion 337 is formed as described above, the fixing member 370 may be provided to cover and fix the substrate holder 200 and the fixing portion 337 to each other. The fixing member 370 covers a part of the one surface 201 and the side surface 205 of the substrate table 200 and a part of the upper surface of the fixing portion 337 to interconnect with each other, And the bolt 373 is inserted into the fixing hole 338 of the bracket 371 and the fixing portion 337 so that the board bench 200 is inserted into the insertion hole 338. [ It is possible to provide a fixing force that is more stable than that inserted and supported only on the base 240.

한편, 전술한 바와 같이 구성되는 지지체(330)는 광이 투과 가능한 석영의 재질로 형성될 수 있다. 이는 열원유닛(400)과 기판 안치대(200) 사이에서 기판 안치대(200)의 일부 영역에 배치되는 지지체(330)가 광 투과성을 나타내지 않는 경우, 기판 안치대(200)와 지지체(330)가 접촉되는 영역에는 열원유닛(400)의 열이 전달되는 것이 용이하지 않은 문제를 해결할 수 있다. 따라서, 지지체(330)는 열원유닛(400)으로부터 방출되는 방사광이 지지체(330)를 투과하여 기판 안치대(200)이 용이하게 도달할 수 있는 재질로 형성될 수 있다. On the other hand, the support 330 configured as described above may be formed of a quartz material capable of transmitting light. This is because the substrate holder 200 and the support 330 can be separated from each other when the support 330 disposed in a partial area of the substrate holder 200 between the heat source unit 400 and the substrate holder 200 does not exhibit light transmittance. The heat of the heat source unit 400 is not easily transmitted to the region where the heat source unit 400 is in contact with the heat source unit 400. [ Accordingly, the support 330 may be formed of a material such that the radiation emitted from the heat source unit 400 can easily reach the substrate bench 200 through the support 330.

전술한 지지유닛(300)에는 지지축(310)에 연결되어 지지축(310)을 회전 가능하게 하는 회전 구동부(350)가 구비될 수도 있다. The support unit 300 may include a rotation driving unit 350 connected to the support shaft 310 to rotate the support shaft 310.

회전 구동부(350)는 지지축(310)을 회전시키기 위한 동력을 제공하는 것으로서, 지지축(310)의 회전에 의해 회전력이 제공된 기판 안치대(200) 상의 기판(S)을 챔버(100) 내에서 회전시키기 위해 구비될 수 있다. 즉, 후술하는 열원유닛(400)의 배치 위치로 인해 기판(S)의 측면을 골고루 가열하기 위해 기판(S)의 회전이 요구되는 경우 회전 구동부(350)는 지지축(310)을 회전시킴으로써 챔버(100) 내에서 기판(S)을 회전시킬 수 있다. 이때, 회전 구동부(350)는 회전력을 제공할 수 있는 다양한 종류의 모터가 사용될 수 있으며, 일례로, 회전 구동부(350)로 AC 서보 모터가 사용되는 경우, 입력 펄스 수에 대응하여 일정 각도씩 움직이는 AC 서보 모터의 특성상, 입력 펄스 수와 모터의 회전각도가 정비례하므로 회전 각도를 정확하게 제어할 수 있다.
The rotation driving unit 350 provides the power for rotating the support shaft 310 and is configured to move the substrate S on the substrate table 200 provided with the rotational force by the rotation of the support shaft 310 to the inside of the chamber 100 As shown in FIG. That is, when the rotation of the substrate S is required to uniformly heat the side surface of the substrate S due to the position of the heat source unit 400 to be described later, the rotation driving unit 350 rotates the support shaft 310, The substrate S can be rotated within the substrate 100. For example, when the AC servo motor is used as the rotation driving unit 350, the rotation driving unit 350 may be operated by a predetermined angle corresponding to the number of input pulses Due to the nature of AC servomotors, the number of input pulses and the rotation angle of the motor are directly proportional, so the rotation angle can be accurately controlled.

이하, 도 10을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 열원유닛 및 기판 안치대와 열원유닛 간의 배치 관계를 설명하기로 한다. Hereinafter, the arrangement relationship between the heat source unit and the substrate stand and the heat source unit according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

열원유닛(400)은 챔버(100)에 설치되어 기판(S) 및 기판 안치대(200)를 가열하기 위해 구비되는 것으로서, 방사광을 발생시키는 열원(400a)과, 열원(400a)을 감싸 보호하고 열원(400a)에서 발생되는 방사광을 외부로 투과시키는 윈도우(400b)를 포함한다. 보다 구체적으로, 본 발명의 열원유닛(400)은 기판(S)의 수평방향의 측면 및 수직방향으로의 측면을 고루 가열하기 위해 구비될 수 있으며, 기판 안치대(200)로부터 이격되어 위치하고, 챔버(100)의 상부 및 하부 측면 중 적어도 어느 한 측면에 장착 배치되는 제1 열원유닛(410)과, 제1 열원유닛(410)의 연장 방향과 교차하는 방향으로 연장 형성되며, 제1 열원유닛(410)보다 기판 안치대(200)에 근접 배치되는 제2 열원유닛(430)을 포함한다. 본 실시 예에서는 열원유닛(400) 중 일부 구성이 챔버(100)의 상부 및 하부 측면에 각각 장착되는 예에 대해서 설명하지만, 열원유닛(400)은 챔버(100)의 상부 및 하부 중 어느 한쪽에만 배치될 수도 있다. 이때, 열원유닛(400)의 배치에 따라서 챔버(100)에 연결되는 추가 구성의 구조 및 연결위치에 차이가 있을 수 있으나, 각 실시 예에 대한 구성 및 작용 효과는 동일하다.The heat source unit 400 is installed in the chamber 100 to heat the substrate S and the substrate table 200 and includes a heat source 400a for generating radiation and a heat source 400a for covering And a window 400b for transmitting the radiation emitted from the heat source 400a to the outside. More specifically, the heat source unit 400 of the present invention can be provided to evenly heat the horizontal side surface and the vertical side surface of the substrate S, and is located apart from the substrate table 200, A first heat source unit 410 mounted on at least one of upper and lower sides of the first heat source unit 100 and a second heat source unit 410 extending in a direction crossing the extending direction of the first heat source unit 410, And a second heat source unit 430 disposed closer to the substrate table 200 than the first heat source unit 410. The heat source unit 400 may be mounted on only one of the upper portion and the lower portion of the chamber 100. In this embodiment, . At this time, there may be differences in the structure and connection position of the additional structure connected to the chamber 100 according to the arrangement of the heat source unit 400, but the structure and operation effects are the same for each embodiment.

이하, 제1 열원유닛(410) 및 제2 열원유닛(430)을 설명하기 전에 제1 및 제2 열원유닛(430)을 구성하기 위한 열원(400a)과 윈도우(400b)에 대해 간략하게 설명하기로 한다. Before explaining the first heat source unit 410 and the second heat source unit 430, a heat source 400a and a window 400b for constituting the first and second heat source units 430 will be briefly described .

열원(400a)은 텅스텐 할로겐 램프, 카본 램프 및 루비 램프 중 적어도 어느 한 가지가 사용될 수 있으며, 선형, 벌브(bulb) 형태 등 다양한 형태의 열원(400a)이 사용될 수 있다. 예컨대 선형의 열원을 사용하는 경우, 복수 개의 열원유닛(400)을 일정한 간격으로 나란하게 배열할 수 있다. 이와 같은, 열원(400a)의 표면 일부에는 반사체(미도시)가 형성될 수도 있다. 선형 열원의 경우 방사광이 방사상으로 방출되는데, 가열 대상인 기판 안치대(200) 및 기판(S)은 열원과 대향하도록 배치되기 때문에 열원으로부터 방출되는 방사광의 진행 방향을 제어하여 기판 안치대(200) 및 기판(S)의 가열 효율을 높일 필요가 있다. 따라서 열원의 표면 일부에 방사광을 기판 안치대(200) 및 기판(S) 측으로 반사시키기 위한 반사체(미도시)를 형성할 수도 있다. 반사체는 열원의 중심부로부터 20°내지 300°범위의 외주면에 형성되는 것이 좋다. 이때, 반사체가 상기 제시된 범위보다 넓은 범위에 형성되는 경우 방사광이 투과되는 영역이 매우 좁아져 기판 안치대(200) 및 기판(S)을 균일하게 가열하기 어렵고, 제시된 범위보다 좁은 범위에 형성되는 경우에는 반사체를 통해 방사광의 반사되는 정도가 감소하여 기판 안치대(200) 및 기판(S)을 효과적으로 가열하기 어려운 문제가 있다. 이와 같은 반사체는 방사광을 반사시킬 수 있는 반사율이 우수한 재질로 형성될 수 있으며, 세라믹이나 Ni 또는 Ni/Au 합금 등의 금속재질로 형성될 수 있다. 한편, 반사체는 열원유닛(400)이 제1 및 제2 블록(120, 140)의 내벽 표면에 형성될 수도 있다. 이에, 제1 및 제2 블록(120, 140)의 내부 표면에 반사체를 형성하면 방사광이 제1 및 제2 블록(120, 140)의 내벽으로부터 반사되어 기판 안치대(200) 측으로 조사될 수 있다. 이를 통해 방사광의 집광 효율을 더욱 향상시킬 수 있어 보다 적은 전력을 이용해서 기판 안치대(200)를 효과적으로 가열할 수 있게 된다.At least one of a tungsten halogen lamp, a carbon lamp, and a ruby lamp may be used as the heat source 400a, and various types of heat sources 400a such as a linear type and a bulb type may be used. For example, when a linear heat source is used, a plurality of heat source units 400 may be arranged at regular intervals. A reflector (not shown) may be formed on a part of the surface of the heat source 400a. In the case of the linear heat source, the radiation is emitted radially. Since the substrate stand 200 and the substrate S to be heated are arranged to face the heat source, the direction of the radiation emitted from the heat source is controlled, It is necessary to increase the heating efficiency of the substrate S. Therefore, a reflector (not shown) may be formed on a part of the surface of the heat source for reflecting the radiation to the substrate stand 200 and the substrate S side. The reflector is preferably formed on the outer circumferential surface in the range of 20 to 300 degrees from the center of the heat source. At this time, when the reflector is formed in a wider range than the above-described range, the region through which the radiation is transmitted becomes very narrow, so that it is difficult to uniformly heat the substrate bench 200 and the substrate S, There is a problem that it is difficult to effectively heat the substrate bench 200 and the substrate S by reducing the degree of reflection of the radiation through the reflector. Such a reflector may be formed of a material having a high reflectance capable of reflecting radiation, and may be formed of a metal such as ceramic, Ni, or Ni / Au alloy. Meanwhile, the reflector may be formed on the inner wall surfaces of the first and second blocks 120 and 140. Accordingly, when a reflector is formed on the inner surfaces of the first and second blocks 120 and 140, the emitted light can be reflected from the inner walls of the first and second blocks 120 and 140 and irradiated toward the substrate bench 200 . Accordingly, the condensing efficiency of the synchrotron radiation can be further improved, and the substrate bench 200 can be effectively heated by using less power.

윈도우(400b)는 열원(400a)을 보호하기 위하여 사용되고, 열원(400a)에서 방출되는 방사광을 투과시킬 수 있는 재질로 형성될 수 있다. 따라서, 윈도우(400b)는 투과율이 우수하고 내열성이 우수한 석영, 사파이어 등으로 형성될 수 있다. 윈도우(400b)는 내부에 열원(400a)을 배치할 수 있도록 중공형으로 형성될 수 있으며, 윈도우(400b) 내부에서 열원(400a)의 삽탈을 용이하게 하기 위하여 선형으로 형성되는 것이 좋다. 그 단면 형상은 원형, 타원형 및 다각형 등 다양한 형상으로 형성될 수 있다. 특히, 윈도우(400b)의 단면형상을 원형으로 형성하게 되면, 공정 중 챔버(100) 내부 압력에 의한 영향을 감소시킬 수 있어 교체 주기를 연장하여 유지보수 비용을 절감할 수 있는 이점이 있다.
The window 400b is used to protect the heat source 400a and may be formed of a material capable of transmitting the radiation emitted from the heat source 400a. Accordingly, the window 400b can be formed of quartz, sapphire, or the like with excellent transmittance and excellent heat resistance. The window 400b may be formed in a hollow shape so that the heat source 400a may be disposed therein and may be linearly formed to facilitate insertion and extraction of the heat source 400a within the window 400b. The cross-sectional shape may be formed in various shapes such as a circle, an ellipse, and a polygon. Particularly, when the sectional shape of the window 400b is circular, the influence of the internal pressure of the chamber 100 during the process can be reduced, so that the replacement cycle is extended to reduce the maintenance cost.

제1 열원유닛(410)은 챔버(100)의 측면을 관통하는 고정홈(160)에 설치되어, 챔버(100) 내부에 설치된 기판 안치대(200)의 상부 및 하부로부터 소정거리 이격되어 위치한다. 즉, 제1 열원유닛(410)은 제1 블록(120) 및 제2 블록(140)에서 챔버(100)의 일방향(X축 방향)으로 연장 형성되며, 일방향과 교차하는 방향인 타방향(Y축 방향)으로 이격되어 나열되며 챔버(100)의 일방향에 배치되는 측면들을 관통하며 챔버(100) 내부에 장착 배치될 수 있다. 이때, 제1 열원유닛(410)은 기판(S) 및 기판 안치대(200)의 상부 및 하부로부터 소정거리 이격되어 배치됨으로써 기판(S) 및 기판 안치대(200)의 상부 및 하부를 용이하게 가열할 수 있다. 한편, 본 발명에서와 같이 제1 열원유닛(410)이 제1 블록(120) 및 제2 블록(140)에 각각 형성되는 경우, 제1 블록(120)과 제2 블록(140)에 장착되는 제1 열원유닛(410)들은 평면상으로 볼 때, 열원들이 이격공간 없이 나열되도록 장착될 수 있다. 즉, 제1 블록(120)에 장착된 제1 열원유닛(410)들이 이격되어 나열될 때, 제1 블록(120)에서 제1 열원유닛(410)에 의해 형성된 이격공간의 위치에서 제2 블록(140)에 제1 열원유닛(410)이 장착되도록 할 수 있다. 한편, 상술한 바와 같이 본 발명의 제1 열원유닛(410)은 제1 블록(120) 및 제2 블록(140)에 각각 구비되며, 사이에 기판 안치대(200) 및 기판(S)이 배치되도록 구비될 수 있다. The first heat source unit 410 is installed in the fixing groove 160 passing through the side surface of the chamber 100 and is spaced apart from the upper and lower portions of the substrate table 200 provided inside the chamber 100 . That is, the first heat source unit 410 extends in one direction (X-axis direction) of the chamber 100 in the first block 120 and the second block 140, and extends in the other direction Y Axis direction) and may be mounted and disposed inside the chamber 100 through the side surfaces disposed in one direction of the chamber 100. The first heat source unit 410 is disposed at a predetermined distance from the upper surface and the lower surface of the substrate S and the substrate table 200 to facilitate the upper and lower portions of the substrate S and the table 200 It can be heated. When the first heat source unit 410 is formed in the first block 120 and the second block 140 as in the present invention, the first heat source unit 410 may be mounted on the first block 120 and the second block 140 The first heat source units 410 can be mounted such that, when viewed in plan, heat sources are arranged without a spacing space. That is, when the first heat source units 410 mounted on the first block 120 are arranged in a spaced-apart relation, the first heat source units 410 are arranged at a distance from the first heat source unit 410 in the first block 120, The first heat source unit 410 may be mounted on the first heat source unit 140. As described above, the first heat source unit 410 of the present invention is provided in the first block 120 and the second block 140, and the substrate stage 200 and the substrate S are disposed therebetween Respectively.

제2 열원유닛(430)은 기판 안치대(200) 및 기판(S)의 측면으로 열을 가하기 위해 구비되는 것으로서, 제1 열원유닛(410)의 연장방향(X축 방향)과 교차하는 방향(Y축 방향)으로 연장 형성되며, 기판 안치대(200) 및 기판(S)의 측면과 근접한 높이에 배치되도록 장착된다.
The second heat source unit 430 is provided to apply heat to the side surface of the substrate bench 200 and the substrate S and is disposed in a direction intersecting the extending direction (X axis direction) of the first heat source unit 410 Y axis direction) and is mounted so as to be disposed at a height close to the side of the substrate table 200 and the substrate S.

이와 같이 형성되는 열원유닛(400)과 기판 안치대(200) 간의 위치 관계에 대해 도 10을 참조하여 자세하게 설명하기로 한다. The positional relationship between the heat source unit 400 thus formed and the substrate table 200 will be described in detail with reference to FIG.

열원유닛(400) 중 제2 열원유닛(430)은 제2 열원유닛(430)의 상하방향으로의 직경의 중심(P4)이 기판 안치대(200)의 상하방향으로의 높이(H200) 범위 내에 배치되어야 한다. 즉, 제2 열원유닛(430)은 기판 안치대(200)의 측면을 가열하기 위해 구비되기 때문에 기판 안치대(200)의 측면의 상하방향으로의 높이(H200)의 범위 내에서 제2 열원유닛(430)의 상하방향으로의 직경의 중심(P4)이 배치되도록 함으로써, 제2 열원유닛(430)이 기판 안치대(200)의 측면을 가열할 수 있는 범위 내에 항상 위치할 수 있다. The second heat source unit 430 of the heat source unit 400 is positioned such that the center P4 of the diameter of the second heat source unit 430 in the up and down direction is within the range of the height H200 in the vertical direction of the substrate platform 200 Should be deployed. That is, since the second heat source unit 430 is provided for heating the side surface of the platform 200, the height of the side surface of the substrate platform 200 in the vertical direction H200, The second heat source unit 430 can always be positioned within a range in which the side surface of the substrate table 200 can be heated by arranging the center P4 of the diameter in the vertical direction of the first heat source unit 430.

이때, 제1 열원유닛(410)이 기판 안치대(200)의 상하부로부터 각각 이격되어 구비되는 경우, 기판 안치대(200)의 하부로부터 이격된 제1 열원유닛(410)의 최상단(P1)과 기판 안치대(200)의 상하방향으로의 높이(H200)의 중심(P3)사이의 거리보다, 기판 안치대(200)의 상부로부터 이격된 제1 열원유닛(410)의 최하단(P2)과 기판 안치대(200)의 상하방향으로의 높이(H200)의 중심(P3) 사이의 거리가 클 경우에는, 제2 열원유닛(430)의 상하방향으로의 직경의 중심(P4)은 기판 안치대(200)의 중심(P3)보다 높은 위치에 배치될 수 있다. 이처럼, 제2 열원유닛(430)이 배치될 경우, 제2 열원유닛(430)은 기판 안치대(200)의 측면 및 기판 안치대(200)의 측면과 근접한 상면의 일부를 가열할 수 있다. 이에, 기판 안치대(200)의 상면 중 일부 영역의 온도를 제2 열원유닛(430)이 보상해주는 역할을 할 수 있다. When the first heat source unit 410 is spaced apart from the upper and lower portions of the substrate table 200, the uppermost portion P1 of the first heat source unit 410 spaced from the lower portion of the substrate table 200, The lowest point P2 of the first heat source unit 410 spaced apart from the upper portion of the substrate table 200 and the distance between the center P3 of the height H200 in the vertical direction of the substrate table 200, The center P4 of the diameter of the second heat source unit 430 in the up-and-down direction is larger than the center P4 of the height of the height H200 in the vertical direction of the stand 200, 200 at a position higher than the center P3 thereof. In this way, when the second heat source unit 430 is disposed, the second heat source unit 430 can heat a part of the upper surface, which is close to the side surface of the substrate table 200 and the side surface of the substrate table 200. Accordingly, the second heat source unit 430 can compensate for the temperature of a part of the upper surface of the substrate bench 200.

한편, 기판 안치대(200)의 하부로부터 이격된 제1 열원유닛(410)의 최상단(P1)과 기판 안치대(200)의 상하방향으로의 높이(H200)의 중심(P3) 사이의 거리보다 기판 안치대(200)의 상부로부터 이격된 제1 열원유닛(410)의 최하단(P2)과 기판 안치대(200)의 상하방향으로의 높이(H200)의 중심(P3) 사이의 거리가 작을 경우에는, 제2 열원유닛(430)의 상하방향으로의 직경의 중심(P4)은 기판 안치대(200)의 중심(P3)보다 낮은 위치에 배치될 수 있다. 이처럼 배치되는 제2 열원유닛(430)은 기판 안치대(200)의 측면 및 기판 안치대(200)의 측면과 근접한 하면의 일부를 가열할 수 있다. 이에, 기판 안치대(200)의 하면 중 일부 영역의 온도를 제2 열원유닛(300)이 보상해주는 역할을 할 수 있다. The distance between the uppermost end P1 of the first heat source unit 410 spaced from the lower portion of the substrate table 200 and the center P3 of the height H200 in the vertical direction of the substrate table 200 When the distance between the lowermost end P2 of the first heat source unit 410 separated from the upper portion of the substrate mounting table 200 and the center P3 of the height H200 in the vertical direction of the substrate mounting table 200 is small The center P4 of the diameter of the second heat source unit 430 in the up and down direction can be disposed at a position lower than the center P3 of the substrate table 200. [ The second heat source unit 430 arranged in this manner can heat a part of the lower surface of the side surface of the substrate table 200 and the side surface of the substrate table 200. Thus, the second heat source unit 300 can compensate for the temperature of a part of the lower surface of the table 200.

이처럼, 제2 열원유닛(430)이 기판 안치대(200)의 측면과 동일하거나 유사한 높이에 배치됨으로써 기판 안치대(200)의 측면을 용이하게 가열할 수 있어, 기판(S)의 측면의 가열성을 증가시킬 수 있다. 따라서, 제1 열원유닛(410)만 배치될 경우보다 기판(S)의 전 영역이 균일하게 가열될 수 있는 이점이 있다.
As such, since the second heat source unit 430 is disposed at the same or similar height as the side surface of the substrate table 200, the side surface of the substrate table 200 can be easily heated, It is possible to increase the property. Therefore, there is an advantage that the entire area of the substrate S can be heated more uniformly than when only the first heat source unit 410 is disposed.

승강유닛(500)은 기판(S)을 기판 안치대(200)로부터 분리 및 안착 가능하도록 기판(S)을 상하방향으로 왕복 이동 가능하게 하는 구성으로서, 기판 안치대(200)를 관통하며 왕복 이동하는 승강핀(510)과, 승강핀(510)을 이동 가능하도록 동력을 제공하는 승강 구동부(530)를 포함한다. 이때, 승강유닛(500)이 구비됨으로써 기판 안치대(200)에는 승강핀(510)이 상부로 돌출 삽탈 가능하도록 상하부가 관통되어 형성되는 적어도 하나 이상의 관통홀(250)이 형성될 수 있다. The elevation unit 500 has a structure in which the substrate S is reciprocally movable in the vertical direction so that the substrate S can be separated and seated from the substrate stand 200. The elevation unit 500 includes a substrate stage 200, And a lifting and lowering driving unit 530 for moving the lifting and lowering pin 510 to move. At this time, since the elevating unit 500 is provided, at least one through hole 250 formed through the upper and lower portions so that the elevating pin 510 can be protruded upward can be formed on the substrate bench 200.

관통홀(250)은 기판 안치대(200)의 일면(201) 및 타면(300b)을 관통하며 형성되는 것으로서, 기판 안치대(200)를 상하방향으로 관통하며 형성될 수 있다. 관통홀(150)은 승강핀(510)이 기판 안치대(200)와 기판(S)을 분리시키기 위해 기판 안치대(200)에서 기판(S)이 안착되는 방향으로 돌출되도록 구비될 수 있다. 이에, 공정이 완료되고 기판(S)을 챔버(100) 외부로 언로딩 할 때에, 기판(S)을 이동시키기 위한 로봇암(미도시)이 기판(S)과 기판 안치대(200) 사이의 이격공간을 통해 챔버(100) 내로 장입하여 기판(S)을 실어나가거나 들여올 수 있을 거리로 기판(S)과 기판 안치대(200)를 이격시킬 수 있다. 이때, 관통홀(250)은 승강핀(510)이 용이하게 이동 가능할 정도의 평면 직경을 갖고 형성되고 기판 안치대(200)에 형성되는 개수에 대해서는 한정되지 않으나, 앞서 설명한 것처럼 기판(S)을 챔버(100) 외부로 로딩 및 언로딩 시키기 위해 사용되는 로봇암이 들어올 수 있는 공간을 제공하며 승강핀(510)과 로봇암 사이의 간섭이 발생하지 않을 정도의 개수로 형성될 수 있다.
The through holes 250 are formed through one surface 201 and the other surface 300b of the substrate mounting table 200 and may be formed to penetrate the substrate mounting table 200 in the vertical direction. The through hole 150 may be formed to protrude in a direction in which the substrate S is seated in the substrate table 200 to separate the substrate table 200 and the substrate S from each other. When the process is completed and a substrate S is unloaded from the chamber 100, a robot arm (not shown) for moving the substrate S is provided between the substrate S and the substrate table 200 The substrate S and the substrate stage 200 can be spaced apart from each other by a distance such that the substrate S can be loaded into or introduced into the chamber 100 through the spacing space. The number of the through holes 250 is not limited to the number of the through holes 250 formed on the substrate bench 200 with a plane diameter that allows the up and down pins 510 to be easily moved. A space for allowing the robot arm to be used for loading and unloading the robot 100 out of the chamber 100 is provided and may be formed in such a number as not to cause interference between the lift pin 510 and the robot arm.

한편, 전술한 바와 같이 지지유닛(300)에 회전 구동부(350)가 구비되어 회전 구동부(350)에 의해 기판 안치대(200)가 회전 가능한 경우, 기판 안치대(200)의 챔버(100) 내 정지 위치(원점 위치)를 감지하기 위한 원점 감지기(600)가 구비될 수 있다. 이하, 도 9 및 도 11을 참조하여, 본 발명의 실시 예에 따른 원점 감지기(600) 및 원점 감지기(600)의 원점 판단 방법에 대해 설명하기로 한다. 도 9는 본 발명의 원점감지기를 설명하기 위한 도면이다. 여기서, 도 9의 (a)는 원점 위치에 지지유닛의 정지 상태를 나타내는 도면이며, (b)는 원점 위치가 아닌 지점에서의 지지유닛의 정지 상태를 나타내는 도면이다. 도 11은 본 발명의 실시 예에 따른 원점 판단 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
When the rotation unit 350 is provided in the support unit 300 and the substrate table 200 is rotatable by the rotation driving unit 350 as described above, An origin detector 600 for detecting a stop position (origin position) may be provided. Hereinafter, with reference to FIGS. 9 and 11, a method of determining the origin of the origin detector 600 and the origin detector 600 according to the embodiment of the present invention will be described. 9 is a view for explaining the origin detector of the present invention. 9A is a diagram showing the stopping state of the support unit at the origin position, and FIG. 9B is a diagram showing the stopping state of the support unit at a position other than the origin position. 11 is a flowchart for explaining an origin determination method according to an embodiment of the present invention.

원점 감지기(600)는 지지유닛(300)의 정지 위치를 판단하기 위해 구비되는 것으로서, 기판 안치대(200)의 타면(203) 측으로 광을 조사하는 광 조사부(610)와, 기판 안치대(200)에 반사되어 되돌아 오는 광의 반사량을 측정하는 반사량 측정부(630) 및 측정된 반사량(R2)과 기 입력된 반사량(R1)을 비교하는 원점 판단부(650)를 포함한다. 즉, 원점 감지기(600)는 지지유닛(400)의 지지체(330)가 회전하기 이전의 위치이며, 기존 위치로부터 회전하기 시작한 지지체(330) 중 어느 하나의 정지 위치를 판단할 수 있다. 보다 구체적으로, 원점 위치에서 기판 안치대(200) 상으로 승강핀(510)이 삽입 돌출될 수 있는 위치가 지지유닛(400)의 원점 위치일 수 있으며, 지지유닛(300)이 원점 위치를 벗어난 상태에서 정지하는 경우에는 승강핀(510)이 관통홀(250)을 통해 기판(S)을 기판 안치대(200)로부터 분리하는 것이 용이하지 않다. 따라서, 원점 감지기(600)는 기판 안치대(200)로 광을 조사하여 광의 반사량에 따라 원점 위치에 지지유닛(400)이 정지하였는지 판단할 수 있다. The origin detector 600 is provided for determining the stop position of the support unit 300 and includes a light irradiation unit 610 for irradiating light to the other surface 203 side of the substrate position base 200, And an origin determination unit 650 that compares the measured reflection amount R 2 with the previously input reflection amount R 1. The reflection amount measurement unit 630 measures the reflection amount of the returned light. That is, the origin detector 600 is a position before the support 330 of the support unit 400 rotates, and can determine the stop position of any one of the supports 330 that started rotating from the existing position. More specifically, the position at which the lifting pin 510 can be inserted and projected onto the substrate bench 200 at the home position may be the home position of the supporting unit 400, and the supporting unit 300 may be located outside the home position It is not easy for the lift pin 510 to separate the substrate S from the substrate stage 200 through the through-hole 250. Therefore, the origin detector 600 can determine whether the support unit 400 is stopped at the home position according to the amount of reflection of the light by irradiating light to the substrate bench 200.

이때, 전술한 삽입홀(240)는 기판 안치대(200)를 지지체(330) 상에 안정적으로 배치하기 위한 역할을 할 뿐만 아니라, 후술하는 원점 감지기(600)에서 조사되는 광을 용이하게 기판 안치대(200)로 투과시켜 원점 위치의 감지를 용이하게 하는 역할을 할 수 있다. 이에, 삽입홀(240)는 기판 안치대(200)와 접촉하는 표면이 광 투과성을 갖도록 형성될 수 있다. 또한, 삽입홀(240)가 형성되는 외곽부(331)의 일면에 대향하는 타면에는 외곽부(331)의 타면으로부터 삽입홀(240)까지 연장 형성되는 가이드홈(G)이 형성될 수도 있다. 이때, 가이드홈(G)은 원점 감지기(600)로부터 조사되는 광(L; 예컨대, 레이저)이 용이하게 삽입홀(240)까지 도달하고 삽입홀(240)의 투명 처리된 표면을 통해 기판 안치대(200)로 도달할 수 있도록 가이드하는 역할을 할 수 있다. 즉, 가이드홈(G)이 삽입홀(240)의 투명처리된 표면을 지지체(330)의 내부를 통해 원점 감지기(600)와 연통시키는 역할을 함으로써 광(L)이 조사되어 삽입홀(240)에 도달할 때에 가이드홈(G)이 형성되지 않아 외곽부(331)의 타면에서 분산되어 소실되는 것을 방지하기 위해 구비될 수 있다. 여기서, 가이드홈(G)은 삽입홀(240) 측으로 광(L)을 전달할 수 있도록 광(L)이 이동할 수 있는 크기만큼 형성될 수 있으며, 도 7의 (b)에 도시된 것처럼 외곽부(331)의 하부 평면상에서 봤을 경우, 삽입홀(240)의 일부가 가려진 상태가 되도록 형성될 수 있다.At this time, the above-described insertion hole 240 serves not only to stably arrange the substrate table 200 on the support 330, but also to easily irradiate the light irradiated from the origin detector 600, which will be described later, So that it is possible to facilitate the detection of the origin position. Accordingly, the insertion hole 240 can be formed so that the surface of the insertion hole 240 that is in contact with the table 200 is optically transparent. A guide groove G extending from the other surface of the outer frame portion 331 to the insertion hole 240 may be formed on the other surface of the outer frame portion 331 on which the insertion hole 240 is formed. At this time, the guide groove G allows the light L (for example, laser) emitted from the origin detector 600 to easily reach the insertion hole 240, So that it can be guided to reach the mobile terminal 200. That is, the guide groove G serves to communicate the transparent processed surface of the insertion hole 240 with the origin detector 600 through the inside of the support 330, so that the light L is irradiated to the insertion hole 240, It is possible to prevent the guide groove G from being dispersed and disappearing from the other surface of the outer frame portion 331 because the guide groove G is not formed. Here, the guide groove G may be formed to have a size to allow the light L to move so as to transmit the light L to the insertion hole 240 side. As shown in FIG. 7 (b) 331 may be formed in a state where a part of the insertion hole 240 is in an obscured state.

광 조사부(610)는 기판 안치대(200) 측으로 광(예컨대, 레이저 빔; Laser beam)을 조사(S61)하기 위한 것으로서, 기판 안치대(200) 측으로 일 방향성을 갖도록 광을 조사할 수 있다. The light irradiating unit 610 irradiates light (for example, a laser beam) to the side of the substrate placing table 200 (S61). The light irradiating unit 610 can irradiate light toward the substrate placing table 200 to have one direction.

반사량 측정부(630)는 광 조사부(610)로부터 조사된 광이 기판 안치대(200)에 도달한 뒤 반사되어 다시 돌아온 반사량을 측정(S62)하기 위한 구성으로서, 반사된 광을 흡수하여 그 반사량을 측정할 수 있는 기구가 사용될 수 있다. The reflection amount measuring unit 630 is configured to measure the amount of reflection (S62) after the light irradiated from the light irradiation unit 610 reaches the substrate bench 200 and then reflects back to the substrate 200. The reflection amount measuring unit 630 absorbs the reflected light, Can be used.

원점 판단부(650)는 반사량 측정부(630)로부터 측정된 반사량 값을 기존에 입력된 반사량과 비교(S63)하여 원점을 판단하기 위한 구성으로서, 원점 위치에 지지유닛(300)이 배치될 경우 측정된 반사량 값인 기 입력 반사량 값과, 지지유닛(300)이 회전을 중단하는 시점에 광을 조사하며 측정한 측정 반사량 값을 상호 비교한다. 여기서, 기 입력된 반사량은 광 조사부(610)로부터 조사된 광이 가이드홈(G) 내부로 조사되어 삽입홀(240) 상에 배치된 기판 안치대(200)에 반사되어 되돌아 온 광의 반사량 값을 나타낸다. The origin determining unit 650 compares the reflection amount measured from the reflection amount measuring unit 630 with the previously input reflection amount (S63) to determine the origin. When the support unit 300 is disposed at the origin The measured reflection amount value, which is measured by irradiating light at the time when the support unit 300 stops rotating, is compared with each other. Here, the pre-input reflection amount is a value obtained by dividing the reflection value of the light reflected from the substrate table 200 disposed on the insertion hole 240 by the light irradiated from the light irradiation unit 610 into the guide groove G .

여기서, 반사량 측정부(630)에서 측정한 반사량 값이 기 입력된 반사량 값과 동일하거나 오차범위 내에 있는 경우(S64)에는 지지유닛(300)이 원점의 위치(즉, 승강핀(510)이 기판 안치대(200) 상으로 돌출될 수 있는 위치)에 정지하여 원점 위치에 되돌아와 정지되었다고 판단할 수 있다. 그러나, 도 9의 (b)에 도시된 것처럼 지지체(330)가 원점 위치에서 벗어난 경우에는, 삽입홀(240)가 광 조사부(610)로부터 조사되는 광(L)의 조사방향으로부터 어긋난 위치에 배치됨으로써 광(L)이 곧바로 기판 안치대(200)에서 반사되어 되돌아오기 때문에 원점 위치에 정지한 상태에서 반사되는 반사량보다 큰 반사량 값이 측정된다. 즉, 원점 위치에 정지되지 않은 경우에는 측정된 반사량 값이 기 입력된 반사량 값과 동일하지 않거나 오차범위 이상의 반사량을 나타내는 경우에는 지지유닛(300)이 원점 위치에 정지되었다고 판단하지 않으며, 지지유닛(300)을 소정 각도 및 거리로 회전시킴(S65)과 동시에 다시 광의 반사량을 측정(S62)함으로써 지지유닛(300)의 원점 위치 정지를 판단(S63)할 수 있다. When the reflection value measured by the reflection amount measuring unit 630 is equal to or falls within the error range (S64), the support unit 300 moves the position of the origin (that is, It is possible to stop at the position where it can be projected onto the stand 200 and return to the home position to judge that it is stopped. 9 (b), the insertion hole 240 is disposed at a position shifted from the irradiation direction of the light L irradiated from the light irradiation portion 610 The light L is reflected immediately by the substrate table 200 and returns, and therefore, the reflectance value larger than the reflection amount when the light L is stationary at the origin position is measured. That is, when the measured reflection amount value is not equal to the previously input reflection amount value or when the measured reflection amount value is greater than or equal to the error range, it is not determined that the support unit 300 is stopped at the home position, It is possible to determine the stop of the origin position of the support unit 300 (S63) by rotating the light source 300 at a predetermined angle and distance (S65) and measuring the amount of reflection of light again (S62).

이처럼, 원점 감지기(600)는 지지유닛(300)의 원점의 위치, 즉, 본 발명에서는 지지유닛(300)이 정지하고 승강핀(510)이 상승하여 기판 안치대(200)와 기판(S)을 분리시키고, 기판 안치대(200)와 기판(S) 사이의 이격공간을 통해 로봇암이 챔버(100) 내로 장입하여(S66) 기판(S)을 언로딩 시키거나, 이와 반대되도록 기판(S)을 기판 안치대(200) 상에 로딩시킬 때, 승강핀(510)이 돌출될 수 있도록 하는 위치인 원점 위치에 지지유닛(300)을 정지시킬 수 있으므로, 지지유닛(300)에 제 위치에 정지되지 않음에 따른 승강핀(510)의 동작 불능을 해결할 수 있으며, 이로 인한 설비의 안전성을 증가시킬 수 있다.
In this embodiment, the origin detector 600 detects the position of the origin of the support unit 300, that is, in the present invention, the support unit 300 is stopped and the lift pins 510 are raised, The robot arm is charged into the chamber 100 through the spacing space between the substrate table 200 and the substrate S to unload the substrate S or to move the substrate S The support unit 300 can be stopped at the origin position which is a position where the lift pin 510 can protrude so that the support unit 300 can be stopped at the position The operation failure of the lifting pin 510 due to non-stopping can be solved and the safety of the lifting pin 510 can be increased.

또한, 기판 처리 장치(1)에는 전술한 기판 안치대(200)의 온도를 측정하기 위한 온도 감지부(미도시) 및 온도 감지부(미도시)가 측정한 기판 안치대(200)의 온도에 따라 열원유닛(400)을 제어하는 제어기(미도시)를 포함할 수 있다. The substrate processing apparatus 1 is also provided with a temperature sensor (not shown) for measuring the temperature of the substrate table 200 and a temperature sensor (not shown) And a controller (not shown) for controlling the heat source unit 400.

온도 감지부(미도시)는 기판 안치대(200)의 온도를 측정하기 위해 구비되는 것으로서, 기판 안치대(200)의 타면과 마주보는 챔버(100)의 측면을 관통하며 배치되어 기판 안치대(200)의 온도를 접촉식 또는 비접촉식으로 측정함으로써, 기판 안치대(200)의 온도를 보다 정확하게 원하는 온도로 설정할 수 있다. 즉 발명에서는 온도 감지부(미도시)로 비접촉식 온도 측정 기구, 예컨대, 방사 온도계(pyrometer)를 사용하였으며, 방사 온도계는 기판 안치대(200)로부터 방출된 열의 방사율을 측정하여 기판 안치대(200)의 온도를 측정할 수 있다. The temperature sensing unit (not shown) is provided for measuring the temperature of the substrate table 200 and is disposed to penetrate the side surface of the chamber 100 facing the other surface of the substrate table 200, The temperature of the substrate bench 200 can be more accurately set to a desired temperature by measuring the temperature of the substrate table 200 by contact or noncontact type. That is, in the present invention, a noncontact type temperature measuring instrument such as a pyrometer is used as a temperature sensing part (not shown). The radiation thermometer measures the emissivity of heat emitted from the substrate bench 200, Can be measured.

제어기(미도시)는 온도 감지부(미도시)에 의해 측정된 기판 안치대(200)의 온도에 따라서 열원유닛(400)의 파워를 제어하기 위해 구비될 수 있으며, 기판 안치대(200)의 측정 온도가 기판(S)의 처리시 요구되는 온도보다 낮은 경우 열원유닛(400)의 파워를 증가시켜 기판 안치대(200)의 가열온도를 증가시킬 수 있다. 이와 같이 온도감지부와 제어기(미도시)로 기판 안치대(200)의 온도를 정확하게 측정하고 용이하게 열원유닛(400)의 파워를 제어함으로써 기판(S)을 원하는 온도로 가열하는 것이 용이하다.
The controller (not shown) may be provided to control the power of the heat source unit 400 according to the temperature of the substrate bench 200 measured by a temperature sensing unit (not shown) The heating temperature of the substrate bench 200 can be increased by increasing the power of the heat source unit 400 when the measurement temperature is lower than the temperature required for processing the substrate S. [ It is easy to accurately heat the substrate S to a desired temperature by accurately measuring the temperature of the substrate table 200 and controlling the power of the heat source unit 400 with the temperature sensing unit and the controller (not shown).

이하에서는 도 10을 참조하여, 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 방법에 대해 설명하기로 한다. 도 10은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 설명하기 위한 순서도이다. Hereinafter, a substrate processing method according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 10 is a flowchart for explaining a substrate processing method according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 기판 처리 장치(1)는 기판(S)의 균열성을 증가시키며, 기판(S)에 그래핀(graphene)을 박막 형성할 수 있다. 여기서, 기판(S)은 니켈(Ni), 구리(Cu), 코발트(Co), 몰리브덴(Mo), 마그네슘(Mg), 백금(Pt), 은(Ag), 크롬(Cr), 망간(Mn), 티타늄(Ti) 및 텅스텐(W) 중 적어도 어느 한 가지가 사용될 수 있다. The substrate processing apparatus 1 of the present invention increases the cracking property of the substrate S and can form a thin film of graphene on the substrate S. Here, the substrate S may be at least one selected from the group consisting of Ni, Cu, Co, Mo, Mg, Pt, Ag, Cr, ), Titanium (Ti), and tungsten (W) may be used.

본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 방법은 기판(S)의 열처리 공정 시 기판(S)의 균열성을 증가시키 위한 처리 방법으로서, 챔버(100) 내 기판 안치대(200) 상에 기판(S)을 로딩하는 과정과, 기판(S)을 회전시키며 기판(S)의 수직방향 및 수평방향으로 배치된 열원유닛을 작동하는 과정, 상기 기판(S)의 처리를 완료하는 과정 및 기판 안치대(200) 상에서 기판(S)을 언로딩하는 과정을 포함한다. The substrate processing method according to the embodiment of the present invention is a processing method for increasing the cracking property of the substrate S during the heat treatment process of the substrate S, A process of rotating the substrate S and operating a heat source unit arranged in a vertical direction and a horizontal direction of the substrate S; a process of completing the process of the substrate S; 200). ≪ / RTI >

먼저, 기판(S)을 챔버(100) 내에 장입시키기 위해, 챔버(100)의 외측에서 로봇암(미도시) 상에 기판(S)을 안착시킨 뒤, 챔버(100)의 도어를 통해 기판 안치대(200) 상에 로봇암을 배치한다. 그리고, 기판 안치대(200)의 관통홀(250)을 통해 기판이 안착되는 일면 상으로 돌출되며 왕복 이동하는 승강핀(510)을 상승시켜 승강핀(510)의 적어도 일부 영역이 기판(S)이 안착되는 기판 안치대(200)의 일면 상에 돌출 위치하도록 한다. 그리고 로봇암은 기판(S)과 승강핀(510)이 접촉하는 위치까지 하강하여 승강핀(510) 상에 기판(S)을 안착시킨 후 챔버(100) 외부로 이동하며, 승강핀(510)은 기판 안치대(200) 상에서 돌출되지 않도록 하강함으로써 기판(S)을 기판 안치대(200) 상에 로딩한다(S10).First, a substrate S is placed on a robot arm (not shown) outside the chamber 100 to load the substrate S into the chamber 100, The robot arm is placed on the stand 200. The lift pin 510 protruding on one surface of the substrate mounting table 200 on which the substrate is mounted is lifted by the through hole 250 of the substrate mounting table 200 so that at least a part of the lift pin 510 is moved to the substrate S, So as to protrude on one surface of the substrate table 200 on which the substrate table 200 is placed. The robot arm descends to a position at which the substrate S and the lift pin 510 contact with each other to move the substrate S to the outside of the chamber 100 after the substrate S is mounted on the lift pins 510, (S10) by lowering the substrate S so as not to protrude on the substrate placing table 200, onto the substrate placing table 200.

이어서, 열원유닛(400)을 작동시켜 기판 안치대(200) 기판(S)을 가열하며 기판(S)을 열처리 공정을 시작한다(S20). 즉, 기판(S)의 전체 영역을 균일하게 가열하기 위해서 기판(S)의 상하방향으로의 측면을 가열하기 위한 제1 열원유닛(410)을 작동시키고, 기판(S)의 수평방향으로의 측면을 가열하기 위해 기판(S)의 수평방향으로의 측면 높이의 위치에 배치되는 제2 열원유닛(430)을 동시에 작동시킨다. 이에, 제1 블록(120)에 장착되는 제1 열원유닛(410)은 기판 안치대(200)의 하부에 방사광을 조사하여 기판 안치대(200)를 가열시킴으로써 기판(S)을 가열하며 제2 블록(140)에 장착되는 제1 열원유닛(410)은 기판(S)으로 바로 방사광을 방출시킨다. 또한, 제2 열원유닛(430)은 기판 안치대(200)의 높이 및 기판(S)의 높이와 유사한 높이에 있음으로써, 방출되는 방사광이 기판(S)의 수평방향으로의 측면으로 전달되어 기판(S)을 가열하게 된다. Next, the heat source unit 400 is operated to heat the substrate S on the substrate bench 200, and a heat treatment process is started on the substrate S (S20). That is to say, in order to uniformly heat the entire area of the substrate S, the first heat source unit 410 for heating the side surface in the vertical direction of the substrate S is operated, The second heat source unit 430 disposed at the position of the lateral height of the substrate S in the horizontal direction is heated simultaneously. The first heat source unit 410 mounted on the first block 120 heats the substrate S by irradiating the lower part of the substrate stage 200 with the radiation light to heat the substrate S, The first heat source unit 410 mounted on the block 140 directly emits the radiation to the substrate S. The second heat source unit 430 is located at a height similar to the height of the substrate stage 200 and the height of the substrate S so that the emitted radiation is transmitted to the lateral sides of the substrate S, (S).

열원유닛(400)의 작동에 의해 기판(S)의 처리가 시작되면(S30), 기판(S)이 안착된 기판 안치대(200)를 회전시키기 위한 지지유닛(300)이 작동한다(S40). 즉, 기판(S)의 수평방향으로의 측면으로 방사광을 조사하기 위해 구비되는 제2 열원유닛(430)이 기판(S)의 수평방향의 일방향으로의 양측에 배치되는데, 기판(S)이 고정된 상태에서 가열이 유지되면 제2 열원유닛(430)과 마주보는 기판(S)의 측면영역이 제2 열원유닛(430)과 마주보지 않는 다른 측면에 대해 상대적으로 증가된 온도를 나타내며 국부적으로 발열량이 커짐으로써 기판(S)의 측면간의 온도차가 발생하는 것을 억제하거나 방지할 수 있다. 이처럼 기판(S)이 회전하면서 기판(S)의 처리가 진행됨에 의해 기판(S)의 전체 영역이 균일하게 가열되며 처리가 지속될 수 있다. 본 발명에서는 가스주입구(150)를 통해 공정 가스를 공급하여 기판(S) 상에 그래핀 박막을 형성하는데, 이때, 기판 안치대(200)는 800℃ 내지 1050℃ 정도까지 가열될 수 있으며, 공정가스로는 CH4, C2H6, C2H2, C6H6와 같이 탄소를 함유하는 가스가 사용되어, 기판(S)의 처리 공정이 수행되며, 기판(S) 상에 그래핀 박막이 형성되는 동안 가스주입구(150)를 통해 공정가스가 공급되는 동시에 미반응 가스 및 잔류물 등은 가스 배출구(170)를 통해 배출된다. When the processing of the substrate S is started by the operation of the heat source unit 400 in step S30, the support unit 300 for rotating the substrate stage 200 on which the substrate S is placed is operated (S40) . That is, the second heat source unit 430, which is provided for irradiating the side surface in the horizontal direction of the substrate S, is disposed on one side in the horizontal direction of the substrate S, The side area of the substrate S facing the second heat source unit 430 shows a relatively increased temperature with respect to the other side not facing the second heat source unit 430 and the local heating value The occurrence of a temperature difference between the side surfaces of the substrate S can be suppressed or prevented. As the substrate S rotates and the processing of the substrate S progresses, the entire area of the substrate S is uniformly heated and the processing can be continued. In the present invention, the process gas is supplied through the gas inlet 150 to form a graphene thin film on the substrate S. At this time, the substrate platform 200 can be heated to about 800 ° C. to 1050 ° C., A gas containing carbon such as CH 4 , C 2 H 6 , C 2 H 2 and C 6 H 6 is used as the gas, the process of processing the substrate S is performed, The process gas is supplied through the gas inlet 150 and unreacted gas and residues are discharged through the gas outlet 170.

이처럼 기판이 처리되고, 기판(S)의 처리가 완료되는 과정에서(S50), 기판(S)을 챔버(100) 외부로 반출시키기 위해서 지지유닛(300)이 원점 위치에 정지하는 과정이 요구된다(S60). 즉, 기판(S)을 회전시키는 지지유닛(300)의 지지체(330)가 원점 위치에 배치되는 것을 판단한 뒤 회전 유닛의 회전을 중단하게 된다. 이는 기판 안치대(200)에서 기판(S)을 분리하기 위한 승강핀(510)이 기판 안치대(200)의 관통홀(250)을 통해 돌출될 수 있도록 기판 안치대(200)가 정지하여야 하는 위치를 의미하며 이는 원점 감지기(600)로부터 조사되는 광(610)이 지지체(330)를 투과하여 기판 안치대(200)에 반사되는 광량을 측정하며 판단하게 된다. In the process of processing the substrate S and completing the process of the substrate S, a process of stopping the support unit 300 at the home position is required in order to carry the substrate S out of the chamber 100 (S60). That is, after determining that the support body 330 of the support unit 300 for rotating the substrate S is disposed at the home position, the rotation of the rotation unit is stopped. This is because the substrate table 200 must be stopped so that the lift pins 510 for detaching the substrate S from the substrate table 200 can protrude through the through holes 250 of the table 200 Which is determined by measuring the amount of light reflected from the substrate bench 200 by the light 610 emitted from the origin detector 600 through the support 330.

지지유닛(300)이 원점 위치에 정지되면(S60) 승강핀(510)은 기판(S)을 기판 안치대(200) 상으로 이격시켜 언로딩하여(S70) 챔버(100) 외부로 반출하여 공정을 완료할 수 있다.
When the support unit 300 is stopped at the home position (S60), the lift pin 510 moves the substrate S to the outside of the chamber 100 by unloading the substrate S on the substrate placing table 200 (S70) Can be completed.

본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. The terms and words used in the present specification and claims should not be construed as limited to ordinary or dictionary terms and the inventor may appropriately define the concept of the term in order to best describe its invention It should be construed as meaning and concept consistent with the technical idea of the present invention.

1 : 기판 처리 장치 100 : 챔버
120 : 제1 블록 140 : 제2 블록
200 : 기판 안치대 210 : 돌기부
230 : 삽입홈 240 : 삽입홀
250 : 관통홀 260 : 돌출부
300 : 지지유닛 310 : 지지축
330 : 지지체 331 : 외곽부
331a : 고정돌기 331b : 오목홈
331c : 함몰홀 333 : 중앙부
335 : 연결부 337 : 고정부
400 : 열원유닛 410 : 제1 열원유닛
430 : 제2 열원유닛 500 : 승강유닛
510 : 승강핀 530 : 승강 구동부
600 : 원점 감지기 1: substrate processing apparatus 100: chamber
120: first block 140: second block
200: Substrate bench 210: Projection
230: insertion groove 240: insertion hole
250: through hole 260: protrusion
300: support unit 310: support shaft
330: Support body 331:
331a: Fixing projection 331b: Concave groove
331c: depression hole 333: central portion
335: connection 337:
400: heat source unit 410: first heat source unit
430: second heat source unit 500: elevating unit
510: lift pin 530: lift driving part
600: Origin detector

Claims (20)

내부에 기판의 처리 공간이 형성되는 챔버와;,
상기 챔버 내에서 상기 기판이 안착되는 일면을 형성하는 기판 안치대;
상기 챔버를 관통하여 배치되며, 적어도 일부가 상기 기판 안치대와 요철(凹凸)구조로 결합되고, 상기 기판 안치대의 일면과 나란한 방향으로 연장 형성되어 상기 기판 안치대에 일부가 접촉 배치되는 적어도 하나 이상의 지지체를 포함하는 지지유닛; 및
상기 챔버 내부의 적어도 일측에 장착되는 열원유닛;을 포함하며,
상기 일면에 대향하는 상기 기판 안치대의 타면에는 상기 지지체가 삽입 고정 가능하게 하는 삽입홈 또는 삽입홀이 형성되며,
상기 지지체는 상기 삽입홈 또는 상기 삽입홀의 형성 높이와 동일한 높이로 돌출 형성되는 고정돌기가 형성되는 외곽부와, 상기 기판 안치대의 가운데 영역이 안착되는 중앙부 및 상기 중앙부로부터 상기 외곽부로 연장 형성되어 상기 중앙부와 상기 외곽부를 상호 연결하기 위한 연결부 및 상기 외곽부로부터 연장 형성되며 상기 기판 안치대에 비접촉 배치되는 고정부를 포함하는 기판 처리 장치.A chamber in which a processing space for a substrate is formed;
A substrate table for forming a surface on which the substrate is seated in the chamber;
At least one or more of which is arranged to penetrate through the chamber and at least a part of which is coupled to the substrate platform in a concavo-convex structure and which extends in a direction parallel to one surface of the substrate platform, A support unit comprising a support; And
And a heat source unit mounted on at least one side of the chamber,
An insertion groove or an insertion hole for allowing the support body to be inserted and fixed is formed on the other surface of the substrate facing plate opposite to the one surface,
Wherein the support has an outer frame portion formed with a fixing protrusion protruding at a height equal to the height of the insertion hole or the insertion hole, a central portion in which the central region of the substrate bench is seated, and a central portion extending from the central portion to the outer frame portion, And a fixing unit extending from the outer frame and disposed in a noncontact with the substrate bench. 내부에 기판의 처리 공간이 형성되는 챔버와;,
상기 챔버 내에서 상기 기판이 안착되는 일면을 형성하는 기판 안치대;
상기 챔버를 관통하여 배치되며, 적어도 일부가 상기 기판 안치대와 요철(凹凸)구조로 결합되고, 상기 기판 안치대의 일면과 나란한 방향으로 연장 형성되어 상기 기판 안치대에 일부가 접촉 배치되는 적어도 하나 이상의 지지체를 포함하는 지지유닛; 및
상기 챔버 내부의 적어도 일측에 장착되는 열원유닛;을 포함하며,
상기 일면에 대향하는 상기 기판 안치대의 타면에는 상기 지지체에 삽입 고정되는 돌출부;가 형성되고,
상기 지지체는 상기 돌출부가 삽입 고정 가능하게 하는 오목홈 또는 함몰홀이 형성되는 외곽부와, 상기 기판 안치대의 가운데 영역이 안착되는 중앙부, 상기 중앙부로부터 상기 외곽부로 연장 형성되어 상기 중앙부와 상기 외곽부를 상호 연결하기 위한 연결부 및 상기 외곽부로부터 연장 형성되며 상기 기판 안치대에 비접촉 배치되는 고정부를 포함하는 기판 처리 장치.A chamber in which a processing space for a substrate is formed;
A substrate table for forming a surface on which the substrate is seated in the chamber;
At least one or more of which is arranged to penetrate through the chamber and at least a part of which is coupled to the substrate platform in a concavo-convex structure and which extends in a direction parallel to one surface of the substrate platform, A support unit comprising a support; And
And a heat source unit mounted on at least one side of the chamber,
A protruding portion inserted into and fixed to the support body is formed on the other surface of the substrate facing band opposite to the one surface,
Wherein the support comprises an outer frame having a recess or recess for allowing the projection to be inserted and fixed therein, a central portion on which the central region of the substrate bench is seated, a central portion extending from the central portion to the outer frame, And a fixing unit extending from the outer frame and disposed in non-contact with the substrate bench. 청구항 1 또는 청구항 2 에 있어서,
상기 기판 안치대는 상기 일면의 평면상에서 중심부로부터 방사방향으로 상호 이격되어 형성되는 돌기부;가 형성되는 기판 처리 장치.The method according to claim 1 or 2,
Wherein the protruding portions are spaced apart from each other in a radial direction from a central portion on a plane of the one surface. 청구항 3 에 있어서,
상기 지지유닛은,
상하방향으로 연장 형성되는 지지축을 포함하고, 상기 중앙부는 상기 지지축의 일단에 연결되는 기판 처리 장치. The method of claim 3,
The support unit includes:
A support shaft extending in the vertical direction, and the central portion being connected to one end of the support shaft. 삭제delete 청구항 1 또는 청구항 2 에 있어서,
상기 기판 안치대 및 상기 고정부의 일부를 커버하며 상기 기판 안치대 및 상기 지지체를 상호 고정시키는 고정부재;를 포함하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1 or 2,
And a fixing member for covering the substrate stand and a portion of the fixing portion and fixing the substrate stand and the support to each other. 청구항 4 에 있어서,
상기 기판 안치대에는 상하부가 관통 형성되는 관통홀이 형성되며,
상기 관통홀을 통해 상기 기판 안치대의 상부로 돌출 이동 가능한 승강핀을 구비하는 승강유닛;을 포함하는 기판 처리 장치. The method of claim 4,
The board seat is formed with a through hole through which the upper and lower portions pass,
And a lift pin that is protruded from the upper portion of the substrate bench via the through hole. 청구항 4 에 있어서,
상기 고정돌기는 투광성을 갖도록 형성되며,
상기 고정돌기가 형성되는 상기 외곽부의 일면에 대향하는 타면에는 상기 타면으로부터 고정돌기까지 연장 형성되는 가이드홈;이 형성되는 기판 처리 장치.The method of claim 4,
The fixing protrusion is formed to have a light transmitting property,
And a guide groove extending from the other surface to the fixing protrusion is formed on the other surface opposite to the one surface of the outer frame where the fixing protrusion is formed. 청구항 8 에 있어서,
상기 지지유닛은 상기 지지축을 회전 가능하게 하는 회전 구동부를 포함하고,
상기 회전 구동부에 의해 상기 기판 안치대가 회전 가능한 경우, 상기 기판 안치대의 정지 위치(원점 위치)를 감지하기 위한 원점 감지기;를 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 8,
Wherein the support unit includes a rotation driving unit for rotating the support shaft,
And an origin sensor for detecting a stop position (origin position) of the substrate elevation table when the substrate elevation table is rotatable by the rotation driving unit. 청구항 9 에 있어서,
상기 원점 감지기는,
상기 기판 안치대의 타면 측으로 광을 조사하는 광 조사부와;,
상기 기판 안치대에 반사되어 되돌아 오는 광의 반사량을 측정하는 반사량 측정부; 및
상기 측정된 반사량과 기 입력된 반사량을 비교하는 원점 판단부;를 포함하는 기판 처리 장치. The method of claim 9,
Wherein the origin detector comprises:
A light irradiating unit for irradiating light to the other surface side of the substrate bench,
A reflection measuring unit for measuring a reflection amount of light reflected on the substrate bench; And
And an origin determination unit for comparing the measured reflection amount with a previously input reflection amount. 청구항 10 에 있어서,
상기 기 입력된 반사량은,
상기 광 조사부로부터 조사된 광이 상기 가이드홈 내부로 조사되어 상기 고정돌기 상에 배치된 기판 안치대에 반사되어 되돌아 온 광의 반사량 값인 기판 처리 장치.The method of claim 10,
The reflected light amount,
Wherein the light irradiated from the light irradiating portion is a value of the amount of reflection of light that is irradiated into the guide groove and reflected back to the substrate stand placed on the fixing protrusion. 청구항 1 에 있어서,
상기 열원유닛은,
상기 기판 안치대의 상면 및 하면 중 적어도 어느 한 면으로부터 이격되어 배치되는 제1 열원유닛; 및
상기 기판 안치대의 측면 중 적어도 어느 한 위치로부터 이격되어 배치되는 제2 열원유닛;을 포함하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
The heat source unit includes:
A first heat source unit disposed at a distance from at least one of an upper surface and a lower surface of the substrate bench; And
And a second heat source unit arranged to be spaced apart from at least one of side surfaces of the substrate rest room. 청구항 1 에 있어서,
상기 챔버 내에 적어도 일부가 삽입되어 상기 기판 안치대의 온도를 감지하기 위한 온도감지기; 및
상기 온도감지기로부터 측정한 상기 기판 안치대의 온도에 따라 상기 열원유닛을 제어하는 제어기;를 포함하는 기판 처리 장치. The method according to claim 1,
A temperature sensor for inserting at least a part of the chamber into the chamber to sense the temperature of the substrate platform; And
And a controller for controlling the heat source unit according to the temperature of the substrate bench measured by the temperature sensor. 기판이 안착되는 안착면을 갖고, 상기 안착면 상에 적어도 하나 이상의 돌기부가 형성되는 기판 안치대와;,
상기 안착면에 대향하는 상기 기판 안치대의 타면에 일부가 접촉 배치되며, 적어도 일부가 상기 기판 안치대와 요철(凹凸)구조로 결합되는 지지체; 및
상기 타면에 교차하는 방향으로 연장 형성되어 상기 지지체에 연결되는 지지축;을 포함하며,
상기 지지체는 상기 기판 안치대에 삽입되는 고정돌기가 형성된 외곽부와, 상기 지지축과 연결되며 상기 기판 안치대의 가운데 영역이 안착되는 중앙부 및 상기 중앙부로부터 상기 외곽부로 연장 형성되어 상기 중앙부와 상기 외곽부를 상호 연결하기 위한 연결부 및 상기 외곽부로부터 연장 형성되며 상기 기판 안치대에 비접촉 배치되는 고정부를 포함하며,
상기 고정돌기와 마주보는 상기 기판 안치대의 타면에는 상기 고정돌기가 삽입 가능한 삽입홈 또는 삽입홀이 형성되는 기판 지지 장치. A substrate table having a seating surface on which the substrate is seated and having at least one protrusion formed on the seating surface;
A supporting member, a part of which is in contact with the other surface of the substrate facing band opposing the seating surface, and at least a part of which is coupled with the substrate bench in a concavo-convex structure; And
And a support shaft extending in a direction crossing the other surface and connected to the support,
Wherein the supporting member includes an outer frame having a fixing protrusion inserted into the substrate bench, a central portion connected to the supporting shaft and having a central region of the substrate bench, and a central portion extending from the central portion to the outer frame, And a fixing portion extending from the outer frame portion and disposed in non-contact with the substrate bench,
And an insertion groove or an insertion hole into which the fixing protrusion can be inserted is formed on the other surface of the substrate facing plate facing the fixing protrusion. 기판이 안착되는 안착면을 갖고, 상기 안착면 상에 적어도 하나 이상의 돌기부가 형성되는 기판 안치대와;,
상기 안착면에 대향하는 상기 기판 안치대의 타면에 일부가 접촉 배치되며, 적어도 일부가 상기 기판 안치대와 요철(凹凸)구조로 결합되는 지지체; 및
상기 타면에 교차하는 방향으로 연장 형성되어 상기 지지체에 연결되는 지지축;을 포함하며,
상기 지지체는 상기 기판 안치대가 삽입되는 오목홈 또는 함몰홀이 형성되는 외곽부와, 상기 지지축과 연결되며 상기 기판 안치대의 가운데 영역이 안착되는 중앙부, 상기 중앙부로부터 상기 외곽부로 연장 형성되어 상기 중앙부와 상기 외곽부를 상호 연결하기 위한 연결부 및 상기 외곽부로부터 연장 형성되며 상기 기판 안치대에 비접촉 배치되는 고정부를 포함하며,
상기 오목홈 또는 함몰홀과 마주보는 상기 기판 안치대의 타면에는 상기 오목홈 또는 함몰홀에 삽입 가능한 돌출부가 형성되는 기판 지지 장치.A substrate table having a seating surface on which the substrate is seated and having at least one protrusion formed on the seating surface;
A supporting member, a part of which is in contact with the other surface of the substrate facing band opposing the seating surface, and at least a part of which is coupled with the substrate bench in a concavo-convex structure; And
And a support shaft extending in a direction crossing the other surface and connected to the support,
The supporting member includes an outer frame having a concave groove or a depressed hole into which the substrate holder is inserted, a central portion connected to the supporting shaft and having a central region of the substrate bench mounted thereon, extending from the central portion to the outer frame, And a fixing part extending from the outer frame part and disposed in noncontact with the substrate bench,
And a protrusion which can be inserted into the concave groove or the depression hole is formed on the other surface of the substrate facing plate facing the concave groove or the depression hole. 청구항 14 또는 청구항 15 에 있어서,
상기 돌기부들은 상기 안착면상에서 중심부로부터 방사방향으로 상호 이격되어 형성되는 기판 지지 장치.The method according to claim 14 or 15,
Wherein the protrusions are spaced apart from each other in the radial direction from the central portion on the seating surface. 삭제delete 삭제delete 청구항 14 또는 청구항 15 에 있어서,
상기 기판안치대 및 상기 지지체를 상호 고정하기 위한 고정부재;를 포함하며,
상기 고정부재는 상기 기판 안치대의 상면 및 측면 중 일부와, 상기 고정부의 상면 일부를 커버하며 상호 연결 고정하는 기판 지지 장치. The method according to claim 14 or 15,
And a fixing member for fixing the substrate stand and the support to each other,
Wherein the fixing member covers and connects part of an upper surface and a side surface of the substrate stand, and a part of an upper surface of the fixing portion. 청구항 14 또는 청구항 15 에 있어서,
상기 지지축에는 상기 기판 안치대를 회전 가능하게 하는 회전 구동부;가 연결되는 기판 지지 장치.The method according to claim 14 or 15,
And a rotation driving unit that rotates the substrate platform is connected to the support shaft.
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