KR101500050B1 - Method and apparatus for cooling subject to be processed, and computer-readable storage medium - Google Patents

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KR101500050B1 KR1020127007962A KR20127007962A KR101500050B1 KR 101500050 B1 KR101500050 B1 KR 101500050B1 KR 1020127007962 A KR1020127007962 A KR 1020127007962A KR 20127007962 A KR20127007962 A KR 20127007962A KR 101500050 B1 KR101500050 B1 KR 101500050B1
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Abstract

피처리체 이면에 대한 흠집의 발생을 억제할 수 있는 피처리체의 냉각 방법을 개시한다. 이 냉각 방법은, 가열된 피처리체 W를, 이 피처리체 W를 지지하는 피처리체 지지 핀(50) 상에 진공 처리의 압력 하에서 적재하고, 피처리체 W를 냉각 부재로부터 이격시킨 상태에서, 피처리체를 냉각하는 냉각 가스를 제1 유량으로 공급하여, 피처리체의 주위의 압력을 상기 진공 처리의 압력보다도 높은 제1 압력으로 올려서 피처리체를 제1 시간, 냉각하는 공정과, 피처리체 지지 핀을 하강시켜, 피처리체를 냉각 부재 상에 적재 또는 근접시킨 상태에서, 냉각 가스를 제1 유량보다도 많은 제2 유량으로 공급하여, 피처리체의 주위의 압력을 제1 압력보다도 높은 제2 압력으로 올려서 피처리체를 제2 시간, 더 냉각하는 공정을 구비한다.A method of cooling an object to be processed capable of suppressing the generation of scratches on the back surface of the object is disclosed. In this cooling method, the heated workpiece W is loaded on the workpiece support pin 50 supporting the workpiece W under the pressure of the vacuum process, and the workpiece W is separated from the cooling member, A step of supplying a cooling gas for cooling the object to be processed at a first flow rate to raise the pressure around the object to a first pressure higher than the vacuum processing pressure to cool the object for a first time, A cooling gas is supplied at a second flow rate greater than the first flow rate while the object to be processed is placed on or close to the cooling member so that the pressure around the object to be processed is raised to a second pressure higher than the first pressure, For a second period of time.

Description

피처리체의 냉각 방법, 냉각 장치 및 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체{METHOD AND APPARATUS FOR COOLING SUBJECT TO BE PROCESSED, AND COMPUTER-READABLE STORAGE MEDIUM}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a method for cooling an object to be processed, a cooling apparatus, and a computer readable storage medium.

본 발명은, 피처리체의 냉각 방법, 냉각 장치 및 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체에 관한 것이다.The present invention relates to a method of cooling an object to be processed, a cooling device, and a computer-readable storage medium.

반도체 디바이스의 제조 공정에서는, 피처리체인 반도체 웨이퍼(이하, 간단히 웨이퍼라고 기재함)에 대하여, 성막 처리나 에칭 처리 등의 처리가 진공의 압력 하에서 행하여진다. 이러한 진공 처리를 행하는 성막 장치나 에칭 장치에서는, 대기 중에 놓여 있는 웨이퍼 카세트로부터 웨이퍼를 진공 중으로 반송하기 위해서, 대기압과 진공 처리의 압력 사이에서 압력 변환을 행하지 않으면 안된다. 현상에서는, 이 압력 변환을, 웨이퍼 카세트와 성막 장치나 에칭 장치 사이에 로드 로크실을 설치하고, 압력 변환을 로드 로크실에서 행하고 있다.In a manufacturing process of a semiconductor device, processes such as a film forming process and an etching process are performed under a vacuum pressure on a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as a wafer) to be processed. In the film forming apparatus or the etching apparatus for performing such vacuum processing, pressure conversion must be performed between the atmospheric pressure and the vacuum processing pressure in order to transfer the wafer from the wafer cassette placed in the air to the vacuum. In the present development, this pressure conversion is performed by providing a load lock chamber between the wafer cassette and the film forming apparatus or the etching apparatus, and performing pressure conversion in the load lock chamber.

그런데, 성막 처리나 에칭 처리 등은, 진공 처리의 압력, 또한, 높은 온도를 수반하는 처리이다. 성막 장치나 에칭 장치로부터 반출된 웨이퍼는, 예를 들어 500℃ 정도의 고온 상태로 되어 있다. 고온 상태의 웨이퍼를 대기에 폭로하면 웨이퍼가 산화되거나, 고온 상태의 웨이퍼를 웨이퍼 카세트로 복귀시키면, 수지제인 웨이퍼 카세트가 녹는 등의 문제가 발생한다.Incidentally, the film forming process, the etching process, and the like are processes accompanied by a pressure of a vacuum process and a high temperature. The wafer taken out from the film forming apparatus or the etching apparatus is at a high temperature of, for example, about 500 캜. When the wafer in a high temperature state is exposed to the atmosphere, the wafer is oxidized, and when the wafer in a high temperature state is returned to the wafer cassette, problems such as melting of the wafer cassette as a resin occur.

이러한 문제를 회피하기 위해서는, 웨이퍼를, 문제가 발생하지 않는 온도로 내려갈 때까지 기다리면 된다. 그러나, 웨이퍼의 온도가 내려가는 것을 기다리고 있으면, 스루풋이 저하된다. 이로 인해, 일본 특허 공개 제2009-182235호 공보에 기재된 바와 같이, 로드 로크실에, 웨이퍼를 냉각하는 냉각 기구를 갖는 쿨링 플레이트를 설치하고, 진공 처리의 압력으로부터 대기압으로 복귀시키는 동안에, 웨이퍼를 냉각하는 것이 행하여지고 있다.To avoid this problem, wait for the wafer to cool down to a temperature at which no problem occurs. However, if the temperature of the wafer is waiting to be lowered, the throughput is lowered. As a result, as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-182235, a cooling plate having a cooling mechanism for cooling the wafer is provided in the load lock chamber, and while the wafer is returned from the vacuum processing pressure to the atmospheric pressure, Is performed.

그러나, 웨이퍼를 급격하게 냉각하면, 웨이퍼의 표리의 열팽창 차에 기인하여 웨이퍼가 휘어, 웨이퍼의 중심부, 또는 에지부가 쿨링 플레이트로부터 이격하게 된다. 이로 인해, 냉각 효율이 저하되고, 결과적으로 냉각 시간이 길어지게 되거나, 웨이퍼가 고온의 부분을 남긴 채 대기에 폭로되게 된다.However, when the wafer is suddenly cooled, the wafer is warped due to the difference in thermal expansion of the front and back surfaces of the wafer, and the center portion or the edge portion of the wafer is separated from the cooling plate. As a result, the cooling efficiency is lowered and consequently the cooling time becomes longer, or the wafer is exposed to the atmosphere while leaving the high temperature portion.

이러한 웨이퍼의 휨이 발생하지 않도록 하기 위해서, 로드 로크실을 대기압으로 복귀시킬 때의 압력의 상승 속도나, 웨이퍼와 쿨링 플레이트의 거리, 즉, 웨이퍼의 높이 위치를 관리하고 있어, 이들의 적절한 조합을 규정한 퍼지 레시피를 웨이퍼의 온도마다 작성하고 있다. 그러나, 웨이퍼의 변형의 정도는, 웨이퍼에 형성되어 있는 막 종류에 따라서도 상이하다. 게다가, 막 종류는 유저마다 방대한 수가 있어, 막 종류마다 최적의 퍼지 레시피를 작성하는 것은 극히 곤란한 상황이다.In order to prevent such wafers from being warped, the rising speed of the pressure when returning the load lock chamber to atmospheric pressure and the distance between the wafer and the cooling plate, i.e., the height position of the wafer are managed. The prescribed fuzzy recipes are prepared for each temperature of the wafer. However, the degree of deformation of the wafer also varies depending on the kind of film formed on the wafer. In addition, the number of film types is enormous for each user, and it is extremely difficult to prepare an optimal fuzzy recipe for each film type.

이러한 곤란을 해소하기 위해서, 일본 특허 공개 제2009-182235호 공보에서는, 냉각 중의 웨이퍼의 변형을 검출하는 변위 센서를 설치하고, 냉각 중의 웨이퍼의 휨 상태를 감시하면서, 압력이나 웨이퍼의 높이 위치를 조절하도록 하고 있다.In order to solve such a difficulty, Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2009-182235 proposes a displacement sensor for detecting the deformation of the wafer during cooling, adjusts the pressure and height position of the wafer while monitoring the bending state of the wafer during cooling .

현재, 냉각 기술은, 일본 특허 공개 제2009-182235호 공보에 기재된 바와 같이, 냉각 중의 웨이퍼의 휨을 억제할 수 있는 데까지 진전하였다. 그러나, 냉각 중의 웨이퍼의 휨을 억제할 수 있다고 하더라고 냉각 중의 웨이퍼는 수축된다. 이로 인해, 수축되어 있을 때에, 웨이퍼의 이면이 쿨링 플레이트나 웨이퍼 지지 핀과 마찰되어, 웨이퍼의 이면에 마이크로 스크래치와 같은 미소한 흠집을 발생시킨다.At present, the cooling technique has progressed so far as to suppress the warping of the wafer during cooling as described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-182235. However, even if the warpage of the wafer during cooling can be suppressed, the wafer under cooling shrinks. As a result, when the wafer is retracted, the back surface of the wafer is rubbed against the cooling plate or the wafer support pin, and micro scratches such as micro-scratches are generated on the back surface of the wafer.

오늘날까지, 웨이퍼의 이면에 발생된 미소한 흠집은 문제될 일은 없었다. 그러나, 반도체 디바이스는 미세화에 따라, 노광 공정에서, 웨이퍼의 이면에 발생된 미소한 흠집에 기인한 디포커스가 발생하여, 수율이 저하되는 사정이 밝혀졌다. 웨이퍼의 이면에 발생된 미소한 흠집은, 웨이퍼의 이면에 미소한 요철을 발생시킨다. 웨이퍼에 대하여 성막 공정을 반복하면 이면에도 성막 가스가 유입되어 성막이 실시되기 때문에, 볼록 부분에도 박막이 점차 퇴적되어 볼록 부분이 커진다. 커진 볼록 부분은, 노광 스테이지 상에 적재된 웨이퍼의 표면의 평탄성을 악화시킨다.Until today, the minute scratches on the backside of the wafer have not been a problem. However, it has been found that defects caused by minute scratches on the back surface of the wafer occur in the exposure process due to miniaturization of the semiconductor device, and the yield is lowered. The minute scratches generated on the back surface of the wafer cause micro irregularities on the back surface of the wafer. Repeatedly performing the film forming process on the wafer, the film forming gas is introduced into the back surface of the wafer, so that the thin film gradually accumulates on the convex portion, and the convex portion becomes large. The enlarged convex portion deteriorates the flatness of the surface of the wafer placed on the exposure stage.

이면에 발생된 미소한 흠집은, 웨이퍼의 이면 연마를 행하면 없앨 수 있다. 또한, 볼록 부분의 성장은, 웨이퍼의 이면 세정을 행하면 억제할 수 있다. 그러나, 이면 연마나 이면 세정을 행하지 않거나, 또는 프로세스 상, 이면 연마나 이면 세정을 도저히 넣을 수 없는 경우에는, 웨이퍼는, 그 이면에 미소한 흠집을 남기고, 또한, 성장한 볼록부를 가진 채, 성막 공정이나 노광 공정으로 진행하게 된다.The minute scratches generated on the back surface can be removed by polishing the back surface of the wafer. Growing of the convex portion can be suppressed by backside cleaning of the wafer. However, in the case where the backside polishing or the backside cleaning is not performed, or the backside polishing or the backside cleaning can not be carried out in the process, the wafer is subjected to a film forming process Or the exposure process.

본 발명은 상기 사정을 감안해서 이루어진 것으로, 피처리체 이면에 대한 흠집의 발생을 억제할 수 있는 피처리체의 냉각 방법, 냉각 장치 및 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체를 제공한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a cooling method, a cooling apparatus, and a computer readable storage medium that can suppress the occurrence of scratches on the back surface of an object to be processed.

본 발명의 제1 형태에 따른 피처리체의 냉각 방법은, 가열된 피처리체를, 냉각 기구를 갖는 냉각 부재를 사용해서 냉각하는 피처리체의 냉각 방법이며, (1) 상기 가열된 피처리체를, 이 피처리체를 지지하는 피처리체 지지 핀 상에 진공 처리의 압력 하에서 적재하고, 상기 피처리체를 상기 냉각 부재로부터 이격시킨 상태에서, 상기 피처리체를 냉각하는 냉각 가스를 제1 유량으로 공급하여, 상기 피처리체의 주위의 압력을 상기 진공 처리의 압력보다도 높은 제1 압력으로 올려서 상기 피처리체를 제1 시간, 냉각하는 공정과, (2) 상기 피처리체 지지 핀을 하강시켜, 상기 피처리체를 상기 냉각 부재 상에 적재 또는 근접시킨 상태에서, 상기 냉각 가스를 상기 제1 유량보다도 많은 제2 유량으로 공급하여, 상기 피처리체의 주위의 압력을 상기 제1 압력보다도 높은 제2 압력으로 올려서 상기 피처리체를 제2 시간, 더 냉각하는 공정을 구비한다.A method for cooling an object to be processed according to a first aspect of the present invention is a method for cooling an object to be processed in which a heated object is cooled by using a cooling member having a cooling mechanism, the method comprising: (1) A cooling gas for cooling the object to be processed is supplied at a first flow rate in a state in which the object to be processed is placed on the object supporting pin supporting the object under the pressure of the vacuum process and the object to be processed is separated from the cooling member, A step of raising the pressure of the periphery of the object to a first pressure higher than the pressure of the vacuum processing to cool the object for a first time; and (2) lowering the object to be processed, The cooling gas is supplied at a second flow rate greater than the first flow rate so that the pressure around the subject is lower than the first pressure And a step of raising the pressure to a second high pressure to further cool the object to be processed for a second time.

본 발명의 제2 형태에 따른 냉각 장치는, 내부의 압력을, 진공 처리의 압력과 대기압 사이에서 변동 가능하게 구성된 용기와, 상기 용기 내에 냉각 가스를 공급하는 냉각 가스 공급 기구와, 상기 용기 내를 배기하는 배기 기구와, 상기 용기 내에 설치되어, 피처리체를 적재 또는 근접시켜서 상기 피처리체를 냉각하는 냉각 기구를 갖는 냉각 부재와, 상기 냉각 부재에 대하여 돌출 함몰 가능하게 설치되어, 상기 피처리체를, 상기 냉각 부재로부터 돌출한 상태에서 수취하고, 상기 피처리체를 수취한 상태로 하강함으로써 상기 피처리체를 상기 냉각 부재에 적재 또는 근접시키는 피처리체 지지 핀과, 상기 피처리체를, 상기 제1 형태에 따른 피처리체의 냉각 방법에 따라서 냉각하도록, 상기 냉각 가스 공급 기구, 상기 냉각 기구 및 상기 피처리체 지지 핀을 제어하는 제어 장치를 구비한다.A cooling device according to a second aspect of the present invention is a cooling device according to the second aspect of the present invention that includes a container configured to be capable of fluctuating an internal pressure between a vacuum processing pressure and an atmospheric pressure, a cooling gas supply mechanism for supplying a cooling gas into the container, A cooling member provided in the container and having a cooling mechanism that cools the object to be processed by placing or closing the object to be processed; and a cooling member provided so as to protrude and retreat from the cooling member, A workpiece support pin for receiving the workpiece in a protruding state from the cooling member and lowering the workpiece in a state of receiving the workpiece to load or bring the workpiece to be loaded or brought into proximity to the cooling member; Wherein the cooling gas supply mechanism, the cooling mechanism, and the object supporting member are provided so as to be cooled according to a cooling method of the object to be processed And a control unit for controlling the control unit.

본 발명의 제3 형태에 따른 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체는, 컴퓨터 상에서 동작하고, 냉각 장치를 제어하는 제어 프로그램이 기억된 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체이며, 상기 제어 프로그램은, 실행 시에, 상기 제1 형태에 따른 피처리체의 냉각 방법이 행하여지도록, 상기 냉각 장치를 제어한다.A computer readable storage medium according to a third aspect of the present invention is a computer readable storage medium storing a control program for controlling a cooling apparatus, the computer program being operable on a computer, To control the cooling device so as to perform the cooling method of the object to be processed in accordance with the control signal.

도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 피처리체의 냉각 방법을 적용하는 것이 가능한 반도체 제조 시스템의 일례를 개략적으로 도시하는 평면도.
도 2는 로드 로크 유닛의 일례를 도시하는 단면도.
도 3a는 일 실시 형태에 따른 피처리체의 냉각 방법의 일례를 도시하는 단면도.
도 3b는 일 실시 형태에 따른 피처리체의 냉각 방법의 일례를 도시하는 단면도.
도 3c는 일 실시 형태에 따른 피처리체의 냉각 방법의 일례를 도시하는 단면도.
도 4는 일 실시 형태에 따른 피처리체의 냉각 방법의 일례에 따른 타임 차트.
도 5a는 반도체 웨이퍼를 쿨링 플레이트의 적재면 상에 근접시킨 상태를 도시하는 단면도.
도 5b는 반도체 웨이퍼를 쿨링 플레이트의 적재면 상에 근접시킨 상태를 도시하는 단면도.
도 6은 접촉부의 선단부를 확대해서 도시하는 단면도.
도 7은 일 실시 형태에 따른 피처리체의 냉각 방법에 따라서 냉각된 실리콘 웨이퍼의, 냉각 종료 후의 이면의 상태를 나타내는 도면 대용 사진.
도 8은 비교예에 따른 냉각 방법에 따른 타임 차트.
도 9는 비교예에 따른 냉각 방법에 따라서 냉각된 실리콘 웨이퍼의, 냉각 종료 후의 이면의 상태를 나타내는 도면 대용 사진.1 is a plan view schematically showing an example of a semiconductor manufacturing system to which a method of cooling an object to be processed according to an embodiment of the present invention can be applied.
2 is a sectional view showing an example of a load lock unit;
FIG. 3A is a sectional view showing an example of a method of cooling an object to be processed according to an embodiment; FIG.
3B is a cross-sectional view showing an example of a method of cooling an object to be processed according to an embodiment.
3C is a cross-sectional view showing an example of a method of cooling an object to be processed according to an embodiment;
4 is a time chart according to an example of a method of cooling an object to be processed according to an embodiment;
5A is a cross-sectional view showing a state in which a semiconductor wafer is brought close to a mounting surface of a cooling plate.
5B is a cross-sectional view showing a state in which the semiconductor wafer is brought close to the mounting surface of the cooling plate.
6 is an enlarged cross-sectional view showing a distal end portion of the contact portion;
7 is a view showing the state of a back surface of a silicon wafer cooled according to a method of cooling an object to be processed according to an embodiment after completion of cooling.
8 is a time chart according to a cooling method according to a comparative example.
9 is a view showing the state of a back surface of a silicon wafer cooled according to a cooling method according to a comparative example after completion of cooling.

이하, 본 발명의 실시 형태를, 도면을 참조하여 설명한다. 또한, 도면 전체에 걸쳐서, 공통인 부분에는 공통인 참조 부호를 붙인다.DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the drawings, common reference numerals are assigned to common parts throughout the drawings.

도 1은, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 피처리체의 냉각 방법을 적용하는 것이 가능한 반도체 제조 시스템의 일례를 개략적으로 도시하는 평면도이다. 도 1에서는, 로드 로크실을 갖는 로드 로크 유닛을 구비한 멀티 챔버 타입의 반도체 제조 시스템을 도시하고 있다.1 is a plan view schematically showing an example of a semiconductor manufacturing system to which a method of cooling an object to be processed according to an embodiment of the present invention can be applied. 1 shows a multi-chamber type semiconductor manufacturing system including a load lock unit having a load lock chamber.

도 1에 도시하는 바와 같이, 반도체 제조 시스템은, 예를 들어 성막 처리와 같은 고온 처리를 행하는 4개의 진공 처리 유닛(1, 2, 3, 4)을 구비하고 있고, 이들 각 진공 처리 유닛(1 내지 4)은 육각형을 이루는 반송실(5)의 4개의 변에 각각 대응해서 설치되어 있다. 또한, 반송실(5)의 다른 2개의 변에는 각각 로드 로크 유닛(6, 7)이 설치되어 있다. 이들 로드 로크 유닛(6, 7)의 반송실(5)과 반대측에는 반출입실(8)이 설치되어 있고, 반출입실(8)의 로드 로크 유닛(6, 7)과 반대측에는 피처리체로서의 반도체 웨이퍼 W를 수용 가능한 3개의 후프(FOUP; Front Opening Unified Pod)를 설치하는 포트(9, 10, 11)가 설치되어 있다. 진공 처리 유닛(1, 2, 3, 4)은, 그 중에서 처리 플레이트 상에 피처리체를 적재한 상태에서 소정의 진공 처리, 예를 들어 성막 처리나 에칭 처리를 행하도록 되어 있다.1, the semiconductor manufacturing system includes four vacuum processing units 1, 2, 3 and 4 for performing high temperature processing such as film forming processing, and each of these vacuum processing units 1 4 are provided corresponding to the four sides of the hexagonal transport chamber 5, respectively. Load lock units 6 and 7 are provided on the other two sides of the transport chamber 5, respectively. A loading / unloading chamber 8 is provided on the side opposite to the transfer chamber 5 of these load lock units 6 and 7 and a semiconductor wafer 1 as an object to be processed is provided on the side opposite to the load lock units 6 and 7 of the loading / Ports 9, 10, and 11 for installing three FOUPs (Front Opening Unified Pods) capable of accommodating W are provided. The vacuum processing units 1, 2, 3 and 4 are subjected to a predetermined vacuum process, for example, a film forming process or an etching process, with the object to be processed placed on the process plate.

진공 처리 유닛(1 내지 4)은, 반송실(5)의 각 변에 게이트 밸브 G를 개재해서 접속되고, 이들은 대응하는 게이트 밸브 G를 개방함으로써 반송실(5)과 연통되고, 대응하는 게이트 밸브 G를 폐쇄함으로써 반송실(5)로부터 차단된다. 또한, 로드 로크 유닛(6, 7)은, 반송실(5)의 나머지의 변의 각각에, 제1 게이트 밸브 G1을 개재해서 접속되고, 또한, 반출입실(8)에 제2 게이트 밸브 G2를 개재해서 접속되어 있다. 그리고, 로드 로크실(6, 7)은, 제1 게이트 밸브 G1을 개방함으로써 반송실(5)에 연통되고, 제1 게이트 밸브 G1을 폐쇄함으로써 반송실로부터 차단된다. 또한, 제2 게이트 밸브 G2를 개방함으로써 반출입실(8)에 연통되고, 제2 게이트 밸브 G2를 폐쇄함으로써 반출입실(8)로부터 차단된다.The vacuum processing units 1 to 4 are connected to the respective sides of the transfer chamber 5 via gate valves G and communicate with the transfer chamber 5 by opening corresponding gate valves G, G is closed so as to be disconnected from the transport chamber 5. The load lock units 6 and 7 are connected to the remaining sides of the transfer chamber 5 via the first gate valve G1 and the second gate valve G2 is connected to the load / . The load lock chambers 6 and 7 communicate with the transfer chamber 5 by opening the first gate valve G1 and shut off from the transfer chamber by closing the first gate valve G1. Further, the second gate valve G2 is opened to communicate with the loading / unloading chamber 8, and the second gate valve G2 is closed to shut off the loading / unloading chamber 8.

반송실(5) 내에는, 진공 처리 유닛(1 내지 4), 로드 로크 유닛(6, 7)에 대하여, 반도체 웨이퍼 W의 반출입을 행하는 반송 장치(12)가 설치되어 있다. 이 반송 장치(12)는, 반송실(5)의 대략 중앙에 배치되어 있고, 회전 및 신축 가능한 회전·신축부(13)의 선단부에 반도체 웨이퍼 W를 지지하는 2개의 지지 아암(14a, 14b)을 갖고 있으며, 이들 2개의 지지 아암(14a, 14b)은 서로 반대 방향을 향하도록 회전·신축부(13)에 설치되어 있다. 이 반송실(5) 내는 소정의 진공도로 유지되도록 되어 있다.In the transfer chamber 5, a transfer device 12 for transferring the semiconductor wafers W into and from the vacuum processing units 1 to 4 and the load lock units 6 and 7 is provided. The transfer device 12 includes two support arms 14a and 14b which are disposed substantially at the center of the transfer chamber 5 and which support the semiconductor wafer W at the tip of the rotation and expansion and contraction portion 13, And these two support arms 14a and 14b are provided on the rotation / extension portion 13 so as to face opposite directions. The inside of the transport chamber 5 is maintained at a predetermined degree of vacuum.

반출입실(8)의 웨이퍼 수납 용기인 후프 F 설치용의 3개의 포트(9, 10, 11)에는 각각 도시하지 않은 셔터가 설치되어 있고, 이들 포트(9, 10, 11)에 웨이퍼 W를 수용한, 또는 빈 후프 F가 직접 설치되어, 설치되었을 때에 셔터가 분리되어 외기의 침입을 방지하면서 반출입실(8)과 연통하도록 되어 있다. 또한, 반출입실(8)의 측면에는 얼라인먼트 챔버(15)가 설치되어 있고, 거기에서 반도체 웨이퍼 W의 얼라인먼트가 행하여진다.A shutter (not shown) is provided in each of the three ports 9, 10 and 11 for installing the FOUP F, which is a wafer storage container of the loading / unloading chamber 8, and the wafers W are accommodated in these ports 9, 10 and 11 , Or the empty hoop F is directly installed, and when installed, the shutter is separated so as to communicate with the loading / unloading chamber 8 while preventing intrusion of outside air. Further, an alignment chamber 15 is provided on the side surface of the carry-in / out chamber 8, and alignment of the semiconductor wafer W is performed there.

반출입실(8) 내에는, 후프 F에 대한 반도체 웨이퍼 W의 반출입 및 로드 로크 유닛(6, 7)에 대한 반도체 웨이퍼 W의 반출입을 행하는 반송 장치(16)가 설치되어 있다. 이 반송 장치(16)는, 다관절 아암 구조를 갖고 있으며, 후프 F의 배열 방향을 따라서 레일(18) 상을 주행 가능하게 되어 있어, 그 선단부의 핸드(17) 상에 반도체 웨이퍼 W를 실어서 그 반송을 행한다.A transfer device 16 is provided in the loading / unloading chamber 8 for loading / unloading the semiconductor wafers W to / from the FOUP F and loading / unloading the semiconductor wafers W to / from the load lock units 6 and 7. The transfer device 16 has a multi-jointed arm structure and is capable of traveling on the rail 18 along the arrangement direction of the FOUP F, and the semiconductor wafer W is mounted on the hand 17 at the tip end thereof And the transfer is performed.

이 진공 처리 시스템은, 각 구성부를 제어하는 마이크로 프로세서(컴퓨터)로 이루어지는 프로세스 컨트롤러(20)를 갖고 있으며, 각 구성부가 이 프로세스 컨트롤러(20)에 접속되어서 제어되는 구성으로 되어 있다. 또한, 프로세스 컨트롤러(20)에는, 오퍼레이터가 진공 처리 시스템을 관리하기 위해서 커맨드의 입력 조작 등을 행하는 키보드나, 플라즈마 처리 장치의 가동 상황을 가시화해서 표시하는 디스플레이 등으로 이루어지는 유저 인터페이스(21)가 접속되어 있다.This vacuum processing system has a process controller 20 composed of a microprocessor (computer) for controlling each component, and each component is connected to the process controller 20 and controlled. The process controller 20 is also provided with a user interface 21 composed of a keyboard for the operator to input a command or the like for managing the vacuum processing system or a display for visualizing and displaying the operating status of the plasma processing apparatus, .

또한, 프로세스 컨트롤러(20)에는, 진공 처리 시스템에서 실행되는 각종 처리를 프로세스 컨트롤러(20)의 제어로 실현하기 위한 제어 프로그램이나, 처리 조건에 따라서 진공 처리 시스템의 각 구성부에 처리를 실행시키기 위한 프로그램, 예를 들어 성막 처리에 관한 성막 레시피, 웨이퍼의 반송에 관한 반송 레시피, 로드 로크실의 내부의 압력 조정 등에 관한 퍼지 레시피 등이 저장된 기억부(22)가 접속되어 있다. 이러한 각종 레시피는 기억부(22) 중의 기억 매체에 기억되어 있다. 기억 매체는, 하드 디스크와 같은 고정적인 것이어도 좋고, CD-ROM, DVD, 플래시 메모리 등의 휴대용의 것이어도 좋다. 또한, 다른 장치로부터, 예를 들어 전용 회선을 통해서 레시피를 적절히 전송시키도록 해도 좋다.The process controller 20 is also provided with a control program for realizing various processes to be executed in the vacuum processing system under the control of the process controller 20 and a control program for executing various processes in the respective components of the vacuum processing system A storage section 22 storing a program, for example, a film-forming recipe relating to a film-forming process, a transport recipe relating to transfer of wafers, a purge recipe concerning pressure adjustment inside the load lock chamber, and the like are connected. These various recipes are stored in the storage medium in the storage unit 22. [ The storage medium may be a fixed one such as a hard disk, or a portable one such as a CD-ROM, a DVD, and a flash memory. Further, the recipe may be appropriately transmitted from another apparatus, for example, through a dedicated line.

그리고, 필요에 따라서, 유저 인터페이스(21)로부터의 지시 등에 의해 임의의 레시피를 기억부(22)로부터 호출해서 프로세스 컨트롤러(20)에게 실행시킴으로써, 프로세스 컨트롤러(20)의 제어 하에서, 진공 처리 시스템에서의 원하는 처리가 행하여진다. 또한, 프로세스 컨트롤러(20)는, 로드 로크 유닛(6, 7)에서, 표준적인 퍼지 레시피에 기초하여 처리를 행하고 있는 과정에서, 웨이퍼의 변형을 억제하도록, 압력이나 웨이퍼 W의 높이를 제어 가능하게 되어 있다.If necessary, an arbitrary recipe is called from the storage unit 22 by the instruction from the user interface 21 to be executed by the process controller 20, so that under the control of the process controller 20, Is performed. The process controller 20 controls the pressure and the height of the wafer W so as to control the deformation of the wafer in the process of performing the processing based on the standard fuzzy recipe in the load lock units 6 and 7 .

도 2는, 로드 로크 유닛(6)(7)의 일례를 도시하는 단면도이다.Fig. 2 is a sectional view showing an example of the load lock units 6 and 7. Fig.

도 2에 도시하는 바와 같이, 로드 로크 유닛(6)(7)은, 내부의 압력을, 진공 처리의 압력과 대기압 사이에서 변동 가능하게 구성된 용기(31)를 가지며, 용기(31) 내에는 반도체 웨이퍼 W를 적재 또는 근접시켜서 반도체 웨이퍼 W를 냉각하는 냉각 기구를 가진 냉각 부재가 설치되어 있다. 본 예에서는 냉각 부재를 쿨링 플레이트(32)로 하고, 이 쿨링 플레이트(32)를, 다리부(33)에 지지한 상태로 용기(31) 내에 설치하도록 하고 있다.As shown in Fig. 2, the load lock units 6 and 7 have a container 31 configured to be able to fluctuate the internal pressure between a vacuum processing pressure and an atmospheric pressure, There is provided a cooling member having a cooling mechanism for cooling the semiconductor wafer W by loading or bringing the wafer W close thereto. In this embodiment, the cooling member is a cooling plate 32, and the cooling plate 32 is installed in the container 31 while being supported by the leg portion 33.

용기(31)의 한쪽의 측벽에는 진공으로 유지된 반송실(5)과 연통 가능한 개구부(34)가 형성되어 있고, 이와 대향하는 측벽에는 대기압으로 유지된 반출입실(8)과 연통 가능한 개구부(35)가 형성되어 있다. 그리고, 개구부(34)는 제1 게이트 밸브 G1에 의해 개폐 가능하게 되어 있고, 개구부(35)는 제2 게이트 밸브 G2에 의해 개폐 가능하게 되어 있다.One side wall of the container 31 is provided with an opening 34 communicable with the conveying chamber 5 held in vacuum and an opening 35 communicating with the carry- Is formed. The opening 34 can be opened and closed by the first gate valve G1, and the opening 35 can be opened and closed by the second gate valve G2.

용기(31)의 바닥부에는, 용기(31) 내를 진공 배기하기 위한 배기구(36)와 용기(31) 내에 냉각 가스를 도입하기 위한 냉각 가스 도입구(37)가 설치되어 있다. 배기구(36)에는 배기관(41)이 접속되어 있고, 이 배기관(41)에는, 개폐 밸브(42), 배기 속도 조정 밸브(43) 및 진공 펌프(44)가 설치되어 있다. 또한, 냉각 가스 도입구(37)에는, 용기(31) 내에 냉각 가스를 도입하는 냉각 가스 도입 배관(45)이 접속되어 있고, 이 냉각 가스 도입 배관(45)은 냉각 가스원(48)으로부터 연장되어 있으며, 그 도중에는 개폐 밸브(46) 및 유량 조절 밸브(47)가 설치되어 있다.An exhaust port 36 for evacuating the inside of the container 31 and a cooling gas inlet port 37 for introducing the cooling gas into the container 31 are provided at the bottom of the container 31. An exhaust pipe 41 is connected to the exhaust port 36 and the exhaust pipe 41 is provided with an on-off valve 42, an exhaust speed control valve 43 and a vacuum pump 44. A cooling gas introduction pipe 45 for introducing a cooling gas into the container 31 is connected to the cooling gas introduction port 37. The cooling gas introduction pipe 45 extends from the cooling gas source 48 And an on-off valve 46 and a flow rate control valve 47 are provided in the middle of the operation.

진공 측의 반송실(5)과의 사이에서 웨이퍼 W의 반송을 행하는 경우에는, 개폐 밸브(46)를 폐쇄하고, 개폐 밸브(42)를 개방한 상태로 한다. 이 상태에서, 배기 속도 조정 밸브(43)를 조절해서 소정의 속도로 진공 펌프(44)에 의해 배기관(36)을 통해서 용기(31) 내를 배기하여, 용기(31) 내의 압력을 반송실(5) 내의 압력에 대응하는 압력으로 한다. 용기(31) 내의 압력이 반송실(5) 내의 압력에 대응하는 압력으로 되면, 제1 게이트 밸브 G1을 개방해서 용기(31)와 반송실(5) 사이를 연통한다. 또한, 대기 측의 반출입실(8)과의 사이에서 웨이퍼 W의 반송을 행하는 경우에는, 개폐 밸브(42)를 폐쇄하고, 개폐 밸브(46)를 개방한 상태로 한다. 이 상태에서, 유량 조절 밸브(47)를 조절해서 냉각 가스를, 냉각 가스원(48)으로부터 냉각 가스 도입 배관(45)을 통해서 용기(31) 내에 도입한다. 또한, 냉각 가스의 도입 방법의 일례에 대해서는 후술한다. 용기(31) 내의 압력이 대기압, 또는 대기압 근방에 대응하는 압력으로 되면, 제2 게이트 밸브 G2를 개방해서 용기(31)와 반출입실(8) 사이를 연통한다.Closing valve 46 is closed and the open / close valve 42 is opened when carrying the wafer W to / from the transfer chamber 5 on the vacuum side. In this state, the exhaust speed control valve 43 is adjusted to exhaust the inside of the container 31 through the exhaust pipe 36 by the vacuum pump 44 at a predetermined speed, 5). When the pressure in the container 31 becomes a pressure corresponding to the pressure in the transport chamber 5, the first gate valve G1 is opened to communicate between the container 31 and the transport chamber 5. [ When carrying the wafer W to / from the atmosphere-side carry-in / out chamber 8, the open / close valve 42 is closed and the open / close valve 46 is opened. In this state, the flow control valve 47 is adjusted to introduce the cooling gas from the cooling gas source 48 into the vessel 31 through the cooling gas introduction pipe 45. An example of a method of introducing the cooling gas will be described later. The second gate valve G2 is opened to communicate between the container 31 and the loading / unloading chamber 8 when the pressure in the container 31 becomes the atmospheric pressure or the pressure corresponding to the vicinity of the atmospheric pressure.

개폐 밸브(42), 배기 속도 조정 밸브(43), 유량 조절 밸브(47) 및 개폐 밸브(46)는, 밸브 제어 기구(49)에 의해 제어된다. 이들 밸브를 제어함으로써, 용기(31) 내를 대기압과 진공 사이에서 변화시키도록 되어 있다. 또한, 밸브 제어 기구(49)는 프로세스 컨트롤러(20)로부터의 명령에 기초해서 제어된다.The opening / closing valve 42, the exhaust speed adjusting valve 43, the flow regulating valve 47 and the opening / closing valve 46 are controlled by a valve control mechanism 49. By controlling these valves, the inside of the container 31 is changed between the atmospheric pressure and the vacuum. Further, the valve control mechanism 49 is controlled based on an instruction from the process controller 20. [

쿨링 플레이트(32)에는, 웨이퍼 반송용의 복수개, 예를 들어 9개(2개만 도시)의 웨이퍼 지지 핀(50)이 쿨링 플레이트(32)의 표면에 대하여 돌출 함몰 가능하게 설치되고, 이들 웨이퍼 지지 핀(50)은 지지판(51)에 고정되어 있다. 그리고, 웨이퍼 지지 핀(50)은, 상승 위치의 조절이 가능한 모터 등의 구동 기구(53)에 의해 로드(52)를 승강시킴으로써, 지지판(51)을 통해서 승강된다. 또한, 참조 부호 54는 벨로즈이다.A plurality of, for example, nine (only two shown) wafer support pins 50 for transferring the wafer are provided on the cooling plate 32 so as to protrude and retract from the surface of the cooling plate 32, The pin (50) is fixed to the support plate (51). The wafer support pin 50 is lifted and lowered through the support plate 51 by lifting the rod 52 by a drive mechanism 53 such as a motor capable of adjusting the raised position. In addition, reference numeral 54 denotes bellows.

쿨링 플레이트(32)에는, 냉각 기구로서 냉각 매체 유로(55)가 형성되어 있고, 이 냉각 매체 유로(55)에는 냉각 매체 도입 배관(56) 및 냉각 매체 배출 배관(57)이 접속되어 있어, 도시하지 않은 냉각 매체 공급부로부터 냉각수 등의 냉각 매체가 통류되어서 적재된 웨이퍼 W를 냉각 가능하게 되어 있다.A cooling medium flow path 55 is formed as a cooling mechanism in the cooling plate 32. A cooling medium introduction piping 56 and a cooling medium discharge piping 57 are connected to the cooling medium flow path 55, A cooling medium such as cooling water flows from a cooling medium supply unit which is not provided, so that the loaded wafer W can be cooled.

프로세스 컨트롤러(20)는, 로드 로크 유닛(6)(7)도 제어하고 있고, 밸브 제어 기구(49)나 구동 기구(53)를 프로세스 레시피에 따라서 제어하여, 용기(31) 내의 압력이나 웨이퍼 W의 높이 위치를 제어하도록 되어 있다.The process controller 20 also controls the load lock units 6 and 7 and controls the valve control mechanism 49 and the drive mechanism 53 in accordance with the process recipe to control the pressure in the vessel 31 and the pressure in the wafer W As shown in FIG.

이어서, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 피처리체의 냉각 방법을 설명한다.Next, a method of cooling an object to be processed according to an embodiment of the present invention will be described.

도 3a 내지 도 3c는, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 피처리체의 냉각 방법의 일례를 도시하는 단면도, 도 4는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 피처리체의 냉각 방법의 일례에 따른 타임 차트이다. 또한, 도 3a 내지 도 3c에서는, 용기(31), 게이트 밸브 G1, G2 등에 대해서는, 도시를 생략한다.FIG. 3 is a cross-sectional view showing an example of a method of cooling an object to be processed according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a time chart according to an example of a method of cooling an object according to an embodiment of the present invention . 3A to 3C, the container 31, the gate valves G1, G2, and the like are not shown.

우선, 도 3a 및 도 4에 도시하는 바와 같이, 용기(31) 내의 압력을 반송실(5) 내의 압력에 대응하는 압력으로 한다. 본 예에서는, 진공 처리 유닛(1 내지 4)에서 처리될 때에 사용되는 압력은 프로세스에 따라서 상이하지만, 반송실(5) 내의 압력은 거의 일정, 예를 들어 수Torr이며, 이것을 본 명세서에서는 진공 처리의 압력이라고 칭한다. 또한, 웨이퍼 지지 핀(50)은 상승시켜서, 쿨링 플레이트(32)의 적재면(32a)으로부터 돌출시켜 둔다.First, as shown in Figs. 3A and 4, the pressure in the container 31 is set to a pressure corresponding to the pressure in the transport chamber 5. Fig. In this example, although the pressure used when processing in the vacuum processing units 1 to 4 is different depending on the process, the pressure in the transport chamber 5 is almost constant, for example, several Torr, . Further, the wafer support pins 50 are raised so as to protrude from the mounting surface 32a of the cooling plate 32.

이어서, 도 3b 및 도 4에 도시하는 바와 같이, 게이트 밸브 G1을 개방하여, 반송실(5)로부터, 진공 처리 유닛(1 내지 4)의 어느 하나에서 처리되며, 예를 들어 300℃ 내지 500℃ 정도로 가열된 반도체 웨이퍼 W를, 용기(31) 내에 반입시켜, 웨이퍼 지지 핀(50) 상에 적재한다. 이어서, 게이트 밸브 G1을 폐쇄하고, 반도체 웨이퍼 W를 쿨링 플레이트(32)의 적재면(32a)으로부터 이격시킨 상태에서, 냉각 가스를 용기(31) 내에, 예를 들어 3000sccm의 유량으로 천천히 약 5초간 공급하여, 용기(31) 내의 압력, 즉 반도체 웨이퍼 W의 주위의 압력을, 진공 처리의 압력을 초과하여, 50Torr(6650Pa) 이하의 압력으로 약간 상승시킨다[도 4 중의 슬로우 퍼지(1)]. 또한, 본 예에서는, 반도체 웨이퍼 W를 적재면(32a)으로부터 이격시켜, 웨이퍼 지지 핀(50)을 하강시키지 않는 상태를, 웨이퍼 지지 핀(50)이 반도체 웨이퍼 W를 수취한 상태라고 하였다. 또한, 이 상태에서의 반도체 웨이퍼 W와 적재면(32a) 사이의 거리 L1은, 본 예에서는, 예를 들어 약 20mm이다.Subsequently, as shown in Figs. 3B and 4, the gate valve G1 is opened to be processed in any one of the vacuum processing units 1 to 4 from the transfer chamber 5, for example, at a temperature of 300 ° C to 500 ° C Of the semiconductor wafer W is carried into the container 31, and is loaded on the wafer support pin 50. Subsequently, the gate valve G1 is closed and the cooling gas is slowly supplied to the container 31 at a flow rate of, for example, 3000 sccm for about 5 seconds while the semiconductor wafer W is separated from the mounting surface 32a of the cooling plate 32 So that the pressure in the container 31, that is, the pressure around the semiconductor wafer W, is slightly raised to a pressure of 50 Torr (6650 Pa) or more, exceeding the vacuum processing pressure (slow purge 1 in FIG. In this example, the state in which the semiconductor wafer W is spaced apart from the mounting surface 32a and the wafer support pins 50 are not lowered is referred to as a state in which the wafer support pins 50 receive the semiconductor wafer W. The distance L1 between the semiconductor wafer W and the mounting surface 32a in this state is, for example, about 20 mm in this example.

또한, 본 예에서는, 웨이퍼 지지 핀(50)이 반도체 웨이퍼 W를 수취한 상태 그대로, 냉각 가스의 공급을 멈춘다[도 4 중의 밸브(46) 클로즈]. 이 상태로, 약 5초간 유지한다. 또한, 이 약 5초간 유지하는 대기 공정은, 예를 들어 반도체 웨이퍼 W의 크기 및 반도체 웨이퍼 W가 가열되어 있었던 온도 등에 따라서, 생략하는 것이 가능하다.In this example, the supply of the cooling gas is stopped (the valve 46 in Fig. 4 is closed) while the wafer support pin 50 receives the semiconductor wafer W. In this state, it is held for about 5 seconds. The waiting process for holding the wafer for about 5 seconds can be omitted depending on, for example, the size of the semiconductor wafer W and the temperature at which the semiconductor wafer W is heated.

도 3b에 도시하는 공정에서는, 반도체 웨이퍼 W를 적재면(32a)으로부터 이격시킨 상태에서, 미량의 냉각 가스를 천천히 공급한다. 이에 의해, 냉각 개시로부터 몇 초간, 반도체 웨이퍼 W와 냉각 가스 사이에서 느린 열교환을 발생시킨다. 느린 열교환에 의해, 가열되어 있었던 반도체 웨이퍼 W는 천천히 냉각된다.In the step shown in Fig. 3B, a small amount of cooling gas is slowly supplied while the semiconductor wafer W is separated from the mounting surface 32a. This causes slow heat exchange between the semiconductor wafer W and the cooling gas for several seconds after the start of cooling. By the slow heat exchange, the heated semiconductor wafer W is slowly cooled.

반도체 웨이퍼 W는, 냉각이 개시됨으로써 수축된다. 본 예에서는, 냉각 개시 시(도 4 중의 시각 T1)에서는 미량의 냉각 가스를 천천히 공급한다. 이에 의해, 냉각 개시 시에서의 반도체 웨이퍼 W의 수축 개시 속도를, 한없이 제로에 근접시킬 수 있다. 수축 개시 속도를 한없이 제로에 근접시킴으로써, 반도체 웨이퍼 W가 수축을 개시하기 시작했을 때의 반도체 웨이퍼 W의 이면과 웨이퍼 지지 핀(50)의 접촉부(50a)의 「마찰」을 완화시킬 수 있다.The semiconductor wafer W is contracted by the start of cooling. In this example, a small amount of cooling gas is slowly supplied at the start of cooling (time T1 in FIG. 4). As a result, the shrinkage start speed of the semiconductor wafer W at the start of cooling can be made as close to zero as possible. The "friction" between the back surface of the semiconductor wafer W and the contact portion 50a of the wafer support pin 50 when the semiconductor wafer W starts to shrink can be relieved.

또한, 냉각 개시로부터 몇 초간은, 웨이퍼 지지 핀(50)을 하강시키지 않고, 반도체 웨이퍼 W를 움직이지 않는다. 냉각 개시로부터 몇 초간은, 반도체 웨이퍼 W의 온도는, 아직 고온이다. 고온의 반도체 웨이퍼 W는, 저온의 반도체 웨이퍼 W보다도 흠집이 생기기 쉽다고 생각된다. 이로 인해, 냉각 개시로부터 몇 초간은, 웨이퍼 지지 핀(50)을 하강시키지 않고, 반도체 웨이퍼 W에 기계적 진동을 부여하지 않도록 한다. 또한 용기(31) 내의 압력 상승 스피드가 너무 빠르면 웨이퍼 지지 핀(50) 상에 보유 지지되어 있는 반도체 웨이퍼 W가 어긋날 가능성이 있으므로, 이 압력 상승 스피드는 진공 처리의 압력(예를 들어 수Torr)과 동일한 정도가 바람직하며, 예를 들어 2 내지 9Torr/sec이고, 보다 바람직하게는 3 내지 5Torr/sec이다. 이에 의해, 냉각 개시로부터 몇 초간에 있어서, 반도체 웨이퍼 W의 이면과 접촉부(50a)의 불필요한 「마찰」을 억제할 수 있다.Further, the semiconductor wafer W is not moved without lowering the wafer support pins 50 for several seconds after the start of cooling. The temperature of the semiconductor wafer W is still high for several seconds from the start of cooling. It is considered that the high temperature semiconductor wafer W tends to be scratched more than the low temperature semiconductor wafer W. [ Therefore, mechanical vibration is not applied to the semiconductor wafer W without lowering the wafer support pins 50 for several seconds after the start of cooling. Further, if the pressure rising speed in the vessel 31 is too high, there is a possibility that the semiconductor wafer W held on the wafer support pin 50 may be displaced. Therefore, the pressure rising speed may be set to a pressure (for example, several Torr) The same degree is preferable, for example, 2 to 9 Torr / sec, and more preferably 3 to 5 Torr / sec. Thus, unnecessary " friction " of the back surface of the semiconductor wafer W and the contact portion 50a can be suppressed within several seconds from the start of cooling.

이어서, 도 3c 및 도 4에 도시하는 바와 같이, 반도체 웨이퍼 W의 온도가 어느 정도까지 내려가면, 웨이퍼 지지 핀(50)을 하강시켜, 반도체 웨이퍼 W를 쿨링 플레이트(32)의 적재면(32a) 상에 적재 또는 근접시킨 상태로 한다.Next, as shown in FIG. 3C and FIG. 4, when the temperature of the semiconductor wafer W is lowered to some extent, the wafer support pins 50 are lowered to move the semiconductor wafer W to the mounting surface 32a of the cooling plate 32, Or placed on the floor.

또한, 근접시킨 상태란, 반도체 웨이퍼 W가, 도 3b에 도시한 상태보다도 적재면(32a)에 가까운 상태(도 5a 참조), 또는 적재면(32a) 상에, 적재면(32a)으로부터 돌출되고, 또한, 고정된 지지 핀(32b)을 설치하여, 반도체 웨이퍼 W를 적재면(32a)으로부터 약간 뜨게 한 상태(도 5b 참조)를 말한다. 지지 핀(32b)을 사용해서 반도체 웨이퍼 W를 약간 뜨게 한 경우의, 반도체 웨이퍼 W와 적재면(32a) 사이의 거리 L2는, 예를 들어 약 0.5mm이다. 이어서, 반도체 웨이퍼 W를 쿨링 플레이트(32)의 적재면(32a) 상에 적재 또는 근접시킨 상태에서, 냉각 가스를 용기(31) 내에, 예를 들어 상기 슬로우 퍼지(1)와 동일한 유량, 3000sccm의 유량으로 약 15초간 천천히 공급하여, 용기(31) 내의 압력을 100Torr(13330Pa)이하의 압력으로 상승시킨다[도 4 중의 슬로우 퍼지(2)]. 이어서, 냉각 가스의 유량을, 예를 들어 30000sccm의 유량으로 올려서 약 20초간 공급한다(도 4 중의 메인 퍼지). 이에 의해, 용기(31) 내의 압력, 즉 반도체 웨이퍼 W의 주위의 압력을 대기압 또는 대기압 근방의 압력까지 상승시킨다. 또한, 대기압 근방의 압력이란, 예를 들어 대기압에 대하여 ±5％의 범위의 압력이다. 이에 의해, 반도체 웨이퍼 W는, 쿨링 플레이트(32) 및 냉각 가스에 의해, 반도체 웨이퍼 W에 산화가 발생될 일이 없는 온도, 또는 반도체 웨이퍼가 수지제의 웨이퍼 카세트를 녹이지 않는 온도, 또는 실온까지 냉각된다.The state in which the semiconductor wafer W is brought into close proximity is a state in which the semiconductor wafer W protrudes from the mounting surface 32a in a state (see Fig. 5A) closer to the mounting surface 32a than the state shown in Fig. 3B or on the mounting surface 32a , And a state in which the fixed support pin 32b is provided to slightly lift the semiconductor wafer W from the mounting surface 32a (refer to FIG. 5B). The distance L2 between the semiconductor wafer W and the mounting surface 32a when the semiconductor wafer W is slightly raised by using the support pin 32b is, for example, about 0.5 mm. The cooling gas is supplied into the container 31 at a flow rate equal to that of the slow purge 1 and at a flow rate of 3000 sccm, for example, in a state where the semiconductor wafer W is loaded or placed on the mounting surface 32a of the cooling plate 32. [ And the pressure in the container 31 is raised to a pressure of 100 Torr (13330 Pa) or less (slow purge (2) in FIG. 4). Subsequently, the flow rate of the cooling gas is raised at a flow rate of, for example, 30000 sccm and supplied for about 20 seconds (main purge in Fig. 4). Thereby, the pressure in the container 31, that is, the pressure around the semiconductor wafer W, is raised to the atmospheric pressure or the pressure near the atmospheric pressure. The pressure in the vicinity of the atmospheric pressure is, for example, a pressure in the range of ± 5% with respect to the atmospheric pressure. Thus, the semiconductor wafer W can be held at a temperature at which no oxidation is generated in the semiconductor wafer W by the cooling plate 32 and the cooling gas, or at a temperature at which the semiconductor wafer does not melt the wafer cassette made of resin, And cooled.

또한, 일 실시 형태에 따른 피처리체의 냉각 방법의 일례에서는, 웨이퍼 지지 핀(50)에도 고안을 실시하고 있다. 도 3b를 참조하여 설명한 바와 같이, 반도체 웨이퍼 W의 냉각이 개시되면, 반도체 웨이퍼 W는 수축된다. 수축에 의해, 반도체 웨이퍼 W의 이면은, 웨이퍼 지지 핀(50)의 접촉부(50a)와 마찰된다.Further, in an example of the cooling method of the object according to the embodiment, the wafer support pin 50 is also devised. As described with reference to Fig. 3B, when the cooling of the semiconductor wafer W is started, the semiconductor wafer W is contracted. By the contraction, the back surface of the semiconductor wafer W rubs against the contact portion 50a of the wafer support pin 50.

이에, 본 예에서는, 웨이퍼 지지 핀(50)의, 적어도 피처리체, 본 예에서는 반도체 웨이퍼 W와 접촉하는 접촉부(50a)의 비커스 경도를, 반도체 웨이퍼 W의 이면의 비커스 경도 이하로 하였다. 구체적으로는, 피처리체가 실리콘 웨이퍼이며, 이면이 실리콘일 때에는, 웨이퍼 지지 핀(50)의 적어도 접촉부(50a)의 재질을 석영으로 한다.Thus, in this example, the Vickers hardness of the contact portion 50a of the wafer support pin 50 which is in contact with at least the workpiece, in this example, the semiconductor wafer W is made to be not more than the Vickers hardness of the back surface of the semiconductor wafer W. Specifically, when the object to be processed is a silicon wafer and the back surface is silicon, at least the contact portion 50a of the wafer support pin 50 is made of quartz.

이와 같이, 적어도 접촉부(50a)의 재질을 석영으로 함으로써, 접촉부(50a)의 비커스 경도를, 실리콘 웨이퍼의 이면의 비커스 경도와 동등, 혹은 그 이하로 할 수 있다. 이에 의해, 실리콘 웨이퍼의 이면과 접촉부(50a)의 마찰에 기인한 흠집의 발생을, 더 억제할 수 있다.In this way, by making the material of the contact portion 50a at least quartz, the Vickers hardness of the contact portion 50a can be made equal to or less than the Vickers hardness of the back surface of the silicon wafer. This makes it possible to further suppress occurrence of scratches due to friction between the back surface of the silicon wafer and the contact portion 50a.

또한, 본 예에서는, 접촉부(50a)의 선단부의 형상에도 고안을 실시하였다. 도 6은 접촉부(50a)의 선단부를 확대해서 도시하는 단면도이다.In this example, the shape of the tip of the contact portion 50a is also designed. Fig. 6 is an enlarged cross-sectional view showing the distal end portion of the contact portion 50a.

도 6에 도시하는 바와 같이, 본 예에서는, 접촉부(50a)의 선단부의 형상을 구면(球面)으로 하였다. 접촉부(50a)의 선단부의 형상을 구면으로 함으로써, 접촉부(50a)의 선단부의 형상이 평면인 경우에 비하여, 반도체 웨이퍼 W의 이면에 흠집이 생기기 어렵게 할 수 있다.As shown in Fig. 6, in this example, the shape of the tip of the contact portion 50a is a spherical surface. By making the tip of the contact portion 50a have a spherical shape, scratches on the back surface of the semiconductor wafer W can be made less likely to occur as compared with the case where the tip portion of the contact portion 50a is flat.

또한, 구면의 굴곡 상태가 심하면 접촉부(50a)의 선단부가 예각이 되어, 반도체 웨이퍼 W의 이면에 흠집이 생기기 쉬워진다. 이에, 본 예에서는, 구면의 곡률 반경에 대해서는 5mm로 설정하였다. 이에 의해, 구면의 곡률 반경이, 예를 들어, 2mm의 경우에 비하여, 반도체 웨이퍼 W의 이면에 대한 흠집의 발생을 보다 억제할 수 있다.In addition, if the spherical surface is severely curved, the front end of the contact portion 50a becomes acute, and the back surface of the semiconductor wafer W is easily scratched. Thus, in this example, the radius of curvature of the spherical surface is set to 5 mm. This makes it possible to further suppress the occurrence of scratches on the back surface of the semiconductor wafer W, as compared with the case where the radius of curvature of the spherical surface is, for example, 2 mm.

또한, 구면의 굴곡 상태가 완만하면, 접촉부(50a)의 선단부는 평면에 가까워지게 되기 때문에, 반도체 웨이퍼 W의 이면에 흠집이 나기 쉬워지게 된다. 이 관점에서는, 구면의 곡률 반경의 상한은, 10mm 정도가 좋을 것이다.In addition, if the spherical bending state is gentle, the front end of the contact portion 50a becomes close to the plane, so that the back surface of the semiconductor wafer W is liable to be scratched. From this point of view, the upper limit of the radius of curvature of the spherical surface is preferably about 10 mm.

정리하면, 접촉부(50a)의 선단부의 구면의 곡률 반경은, 5mm 이상 10mm 이하가 바람직하다.In short, the radius of curvature of the spherical surface of the distal end portion of the contact portion 50a is preferably 5 mm or more and 10 mm or less.

상기 일 실시 형태에 따른 피처리체의 냉각 방법에 따라서 냉각된 실리콘 웨이퍼의, 냉각 종료 후의 이면의 상태를 도 7에 나타낸다.Fig. 7 shows the state of the back surface of the silicon wafer cooled according to the cooling method of the object according to the above-described embodiment after completion of cooling.

도 7에 나타내는 바와 같이, 실리콘 웨이퍼의 이면의 상태는, 접촉 자국이 보이는 정도이며, 마이크로 스크래치와 같은 미소한 흠집은 보이지 않는다.As shown in Fig. 7, the state of the back surface of the silicon wafer is such that a contact mark is visible, and a minute scratch such as a micro-scratch is not seen.

또한, 비교예로서, 도 8에 나타내는 타임 차트에 따라서 냉각되고, 또한, 웨이퍼 지지 핀의 접촉부의 재질을 알루미나(실리콘 웨이퍼 이면의 비커스 경도보다도 단단함)로 하고, 접촉부의 선단부의 형상을 평면으로 한 경우의, 냉각 종료 후의 이면의 상태를 도 9에 나타낸다.As a comparative example, the contact portion of the wafer support pin was cooled according to the time chart shown in Fig. 8, and the material of the contact portion of the wafer support pin was alumina (harder than the Vickers hardness of the back surface of the silicon wafer) Fig. 9 shows the state of the back surface after cooling is completed.

도 9에 나타내는 바와 같이, 비교예인 실리콘 웨이퍼의 이면의 상태는, 마이크로 스크래치와 같은 미소한 흠집이 보인다.As shown in Fig. 9, the state of the back surface of the silicon wafer as the comparative example shows a minute scratch like a micro scratch.

이와 같이, 상기 일 실시 형태에 따른 피처리체의 냉각 방법에 의하면, 가열된 반도체 웨이퍼 W를 웨이퍼 지지 핀(50) 상에 진공 처리의 압력 하에서 적재하고, 반도체 웨이퍼 W를 쿨링 플레이트(32)로부터 이격시킨 상태에서 천천히 냉각 가스를 공급함으로써, 냉각 개시로부터 몇 초간, 반도체 웨이퍼 W를 천천히 냉각한다. 이에 의해, 반도체 웨이퍼 W의 냉각 개시 시에서의 반도체 웨이퍼 W의 급격한 수축을 억제할 수 있어, 반도체 웨이퍼 W의 이면에 대한 흠집의 발생을 억제할 수 있다.As described above, according to the method of cooling an object to be processed according to the above embodiment, the heated semiconductor wafer W is loaded on the wafer support pin 50 under a vacuum processing pressure, and the semiconductor wafer W is separated from the cooling plate 32 The semiconductor wafer W is slowly cooled for several seconds from the start of cooling. Thereby, abrupt contraction of the semiconductor wafer W at the start of cooling of the semiconductor wafer W can be suppressed, and occurrence of scratches on the back surface of the semiconductor wafer W can be suppressed.

또한, 상기 냉각 개시로부터 몇 초간의 공정 동안, 웨이퍼 지지 핀(50)을 움직이지 않는다. 이 구성을 더 구비함으로써, 반도체 웨이퍼 W가 아직 고온인 냉각 개시로부터 몇 초간 동안, 반도체 웨이퍼 W에 기계적 진동을 부여하지 않도록 할 수 있다. 이에 의해, 흠집이 생기기 쉽다고 생각되는 반도체 웨이퍼 W가 고온인 기간에서, 반도체 웨이퍼 W의 이면에 대한 흠집의 발생을 억제할 수 있다.Further, during the process for several seconds from the start of cooling, the wafer support pins 50 are not moved. By further including this configuration, it is possible to prevent the semiconductor wafer W from applying mechanical vibration to the semiconductor wafer W for several seconds after the start of cooling, which is still high temperature. This makes it possible to suppress the generation of scratches on the back surface of the semiconductor wafer W in a period in which the semiconductor wafer W likely to be scratched is at a high temperature.

또한, 웨이퍼 지지 핀(50)의 접촉부(50a)의 재질을, 반도체 웨이퍼 W의 이면의 비커스 경도 이하의 것으로 한다. 이 구성을 더 가짐으로써, 반도체 웨이퍼 W의 이면에 대한 흠집의 발생을, 보다 억제할 수 있다.It is also assumed that the material of the contact portion 50a of the wafer support pin 50 is equal to or less than the Vickers hardness of the back surface of the semiconductor wafer W. [ By further having this configuration, occurrence of scratches on the back surface of the semiconductor wafer W can be further suppressed.

또한, 접촉부(50a)의 선단부의 형상을, 구면으로 한다. 이 구성을 더 가짐으로써, 반도체 웨이퍼 W의 이면에 대한 흠집의 발생을, 더 잘 억제할 수 있다.The shape of the tip of the contact portion 50a is a spherical surface. By further having this configuration, occurrence of scratches on the back surface of the semiconductor wafer W can be more restrained.

이상, 본 발명의 일 실시 형태에 의하면, 피처리체 이면에 대한 흠집의 발생을 억제할 수 있는 피처리체의 냉각 방법, 이 냉각 방법을 실시하는 것이 가능한 냉각 장치 및 상기 냉각 방법에 따라서 냉각 장치를 제어하는 것이 가능한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체를 제공할 수 있다.As described above, according to one embodiment of the present invention, there can be provided a cooling method of an object to be processed which can suppress the generation of scratches on the back surface of the object to be processed, a cooling device capable of implementing the cooling method, It is possible to provide a computer-readable storage medium capable of performing the above-described operations.

또한, 본 발명은 상기 일 실시 형태에 한정되지 않고, 다양한 변형이 가능하다. 또한, 본 발명의 실시 형태는, 상기 일 실시 형태가 유일한 것도 아니다.The present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications are possible. In addition, the embodiment of the present invention is not the only one of the above embodiments.

예를 들어, 상기 일 실시 형태에서는, 진공 처리 유닛을 4개, 로드 로크 유닛을 2개 설치한 멀티 챔버 타입의 진공 처리 시스템을 예로 들어서 설명했지만, 이들의 수에 한정되는 것은 아니고, 반송실을 갖지 않고, 진공 처리 유닛에 로드 로크 유닛가 설치되어도 좋다.For example, in the above-described embodiment, a multi-chamber type vacuum processing system in which four vacuum processing units and two load lock units are provided has been described as an example. However, the number is not limited to this number, And the load lock unit may be provided in the vacuum processing unit.

또한, 상기 일 실시 형태는, 도 4에 나타내는 바와 같이, 처리 시간을 규정하고 있지만, 처리 시간에 대해서도, 도 4에 나타낸 시간에 한정되는 것은 아니다. 하기의 (1), (2)의 공정을 구비하고 있으면, 처리 시간은, 피처리체의 크기, 가열 온도에 따라서, 적절히 변경해서 설정할 수 있다.In the above embodiment, the processing time is specified as shown in Fig. 4. The processing time is not limited to the time shown in Fig. If the following steps (1) and (2) are provided, the treatment time can be appropriately changed and set according to the size of the object to be treated and the heating temperature.

(1) 가열된 피처리체를, 이 피처리체를 지지하는 피처리체 지지 핀 상에 진공 처리의 압력 하에서 적재하고, 피처리체를 냉각 부재로부터 이격시킨 상태에서, 피처리체를 냉각하는 냉각 가스를 제1 유량으로 공급하여, 피처리체의 주위의 압력을 진공 처리의 압력보다도 높은 제1 압력으로 올려서 피처리체를 제1 시간, 냉각하는 공정(1) The heated object to be processed is placed on a workpiece support pin supporting the workpiece under a vacuum processing pressure, and a cooling gas for cooling the workpiece in a state where the workpiece is separated from the cooling member A step of cooling the object to be processed for a first time by raising the pressure around the object to be processed to a first pressure higher than the vacuum processing pressure

(2) 피처리체 지지 핀을 하강시켜, 피처리체를 냉각 부재 상에 적재 또는 근접시킨 상태에서, 냉각 가스를 제1 유량보다도 많은 제2 유량으로 공급하여, 피처리체의 주위의 압력을 제1 압력보다도 높은 제2 압력으로 올려서 피처리체를 제2 시간, 더 냉각하는 공정(2) The workpiece support pin is lowered to supply the cooling gas at a second flow rate larger than the first flow rate while the workpiece is being mounted on or close to the cooling member, so that the pressure around the workpiece is reduced to the first pressure A second step of cooling the object to be processed for a second time,

그 외, 본 발명은 그 취지를 일탈하지 않는 범위에서 적절히 변형할 수 있다.In addition, the present invention can be suitably modified within the scope not deviating from the spirit of the present invention.

Claims (12)

가열된 피처리체를, 냉각 기구를 갖는 냉각 부재를 사용해서 냉각하는 피처리체의 냉각 방법이며,
(1) 상기 가열된 피처리체를, 이 피처리체를 지지하는 피처리체 지지 핀 상에 진공 처리의 압력 하에서 적재하고, 상기 피처리체를 상기 냉각 부재로부터 이격시킨 상태에서, 상기 피처리체를 냉각하는 냉각 가스를 제1 유량으로 공급하여, 상기 피처리체의 주위의 압력을 상기 진공 처리의 압력보다도 높은 제1 압력으로 올려서 상기 피처리체를 제1 시간, 냉각하는 공정과,
(2) 상기 피처리체를 상기 피처리체 지지 핀 상에 적재하여 상기 냉각 부재로부터 이격시킨 상태 그대로, 냉각 가스의 공급을 멈추고 대기하는 공정과,
(3) 상기 피처리체 지지 핀을 하강시켜, 상기 피처리체를 상기 냉각 부재 상에 적재 또는 근접시킨 상태에서, 상기 냉각 가스를 상기 제1 유량보다도 많은 제2 유량으로 공급하여, 상기 피처리체의 주위의 압력을 상기 제1 압력보다도 높은 제2 압력으로 올려서 상기 피처리체를 제2 시간, 더 냉각하는 공정을 구비하고,
상기 (1) 및 (2)의 공정의 동안, 상기 피처리체 지지 핀을 움직이지 않는, 피처리체의 냉각 방법.A method for cooling an object to be processed in which a heated object is cooled by using a cooling member having a cooling mechanism,
(1) cooling the object to be processed by cooling the object to be processed in a state where the heated object is loaded on the object supporting pin supporting the object to be processed under a vacuum processing pressure and the object to be processed is separated from the cooling member A step of supplying the gas at a first flow rate to raise the pressure around the subject to a first pressure higher than the pressure of the vacuum treatment to cool the subject for a first time;
(2) a step of stopping the supply of the cooling gas while waiting for the object to be processed to be placed on the object supporting member and spaced from the cooling member,
(3) the processing-object supporting pin is lowered to supply the cooling gas at a second flow rate that is larger than the first flow rate, while the object to be processed is placed on or close to the cooling member, And further cooling the object to be processed for a second time by raising the pressure of the object to a second pressure higher than the first pressure,
The method of cooling an object to be treated, wherein the object supporting pin is not moved during the steps (1) and (2). 삭제delete 제1항에 있어서, 상기 제1 압력을, 상기 진공 처리의 압력을 초과해서 50Torr 이하, 상기 제2 압력을 대기압 또는 대기압 근방의 압력으로 하는, 피처리체의 냉각 방법.The method according to claim 1, wherein the first pressure is set to a pressure of not more than 50 Torr exceeding the pressure of the vacuum processing, and the second pressure is set to a pressure near atmospheric pressure or atmospheric pressure. 제1항에 있어서, 상기 (1)의 공정에서, 상기 피처리체를 상기 냉각 부재로부터 이격시킨 상태를, 상기 피처리체 지지 핀이 상기 피처리체를 수취한 상태로 하는, 피처리체의 냉각 방법.The method according to claim 1, wherein in the step (1), the object to be processed is separated from the cooling member, and the object supporting pin receives the object to be processed. 제1항에 있어서, 상기 피처리체 지지 핀의, 적어도 상기 피처리체와의 접촉부의 비커스 경도를, 상기 피처리체의 이면의 비커스 경도 이하로 하는, 피처리체의 냉각 방법.The method according to claim 1, wherein the Vickers hardness of the contact portion of the object supporting member with at least the object to be processed is made to be Vickers hardness of the back surface of the object. 제5항에 있어서, 상기 피처리체가 실리콘 웨이퍼일 때, 상기 피처리체 지지 핀의, 적어도 상기 피처리체와의 접촉부의 재질을, 석영으로 하는, 피처리체의 냉각 방법.The method according to claim 5, wherein, when the object to be processed is a silicon wafer, quartz is used as a material of at least a portion of the object supporting pin that contacts the object to be processed. 제1항에 있어서, 상기 피처리체 지지 핀의, 상기 피처리체와의 접촉부의 선단부의 형상을 구면으로 하고, 상기 구면의 곡률 반경을 5mm 이상 10mm 이하로 하는, 피처리체의 냉각 방법.The method according to claim 1, wherein the shape of the distal end portion of the contact portion of the object supporting member with the object to be treated is a spherical surface, and the radius of curvature of the spherical surface is 5 mm or more and 10 mm or less. 내부의 압력을, 진공 처리의 압력과 대기압 사이에서 변동 가능하게 구성된 용기와,
상기 용기 내에 냉각 가스를 공급하는 냉각 가스 공급 기구와,
상기 용기 내를 배기하는 배기 기구와,
상기 용기 내에 설치되어, 피처리체를 적재 또는 근접시켜서 상기 피처리체를 냉각하는 냉각 기구를 갖는 냉각 부재와,
상기 냉각 부재에 대하여 돌출 함몰 가능하게 설치되어, 상기 피처리체를, 상기 냉각 부재로부터 돌출한 상태에서 수취하고, 상기 피처리체를 수취한 상태로 하강함으로써 상기 피처리체를 상기 냉각 부재에 적재 또는 근접시키는 피처리체 지지 핀과,
상기 피처리체를, 제1항에 기재된 피처리체의 냉각 방법에 따라서 냉각하도록, 상기 냉각 가스 공급 기구, 상기 냉각 기구 및 상기 피처리체 지지 핀을 제어하는 제어 장치를, 구비하는 냉각 장치.A vessel in which the pressure inside the vessel is configured to be variable between the pressure of the vacuum processing and the atmospheric pressure,
A cooling gas supply mechanism for supplying a cooling gas into the vessel,
An exhaust mechanism for exhausting the inside of the container,
A cooling member provided in the container and having a cooling mechanism for cooling the object to be processed by placing or closing the object to be processed,
And a cooling member which is provided so as to protrude and retract with respect to the cooling member, receives the object to be processed in a state protruding from the cooling member, and lowering the object in a state of receiving the object to be processed, A workpiece support pin,
And a control device for controlling the cooling gas supply mechanism, the cooling mechanism, and the object supporting member so as to cool the object to be processed according to the cooling method of the object to be processed set forth in claim 1. 제8항에 있어서, 상기 피처리체 지지 핀의, 적어도 상기 피처리체와의 접촉부의 비커스 경도가, 상기 피처리체의 비커스 경도 이하인, 냉각 장치.9. The cooling device according to claim 8, wherein a Vickers hardness of at least a contact portion of the object supporting member with the object to be processed is not higher than Vickers hardness of the object to be processed. 제9항에 있어서, 상기 피처리체가 실리콘 웨이퍼일 때, 상기 피처리체 지지 핀의, 적어도 상기 피처리체와의 접촉부의 재질이 석영인, 냉각 장치.10. The cooling device according to claim 9, wherein when the object to be processed is a silicon wafer, the material of the contact portion of the object supporting member with at least the object to be processed is quartz. 제8항에 있어서, 상기 피처리체 지지 핀의, 상기 피처리체와의 접촉부의 형상이 구면인, 냉각 장치.9. The cooling device according to claim 8, wherein the shape of the contact portion of the object supporting member with the object to be processed is a spherical surface. 컴퓨터 상에서 동작하고, 냉각 장치를 제어하는 제어 프로그램이 기억된 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체이며,
상기 제어 프로그램은, 실행 시에, 제1항에 기재된 피처리체의 냉각 방법이 행하여지도록, 상기 냉각 장치를 제어하는 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체.A computer-readable storage medium storing a control program that operates on a computer and controls a cooling apparatus,
The control program controls the cooling device such that the cooling method of the object according to claim 1 is performed at the time of execution.
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