KR101495940B1 - 단일 평면 안테나를 갖는 유도성 커플링된 듀얼 구역 프로세싱 챔버 - Google Patents

단일 평면 안테나를 갖는 유도성 커플링된 듀얼 구역 프로세싱 챔버 Download PDF

Info

Publication number
KR101495940B1
KR101495940B1 KR1020107002086A KR20107002086A KR101495940B1 KR 101495940 B1 KR101495940 B1 KR 101495940B1 KR 1020107002086 A KR1020107002086 A KR 1020107002086A KR 20107002086 A KR20107002086 A KR 20107002086A KR 101495940 B1 KR101495940 B1 KR 101495940B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
support
zone
dielectric window
processing chamber
Prior art date
Application number
KR1020107002086A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20100047237A (ko
Inventor
산케트 피 산트
Original Assignee
램 리써치 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 램 리써치 코포레이션 filed Critical 램 리써치 코포레이션
Publication of KR20100047237A publication Critical patent/KR20100047237A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101495940B1 publication Critical patent/KR101495940B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

듀얼 구역 플라즈마 프로세싱 챔버가 제공된다. 그 플라즈마 프로세싱 챔버는, 프로세싱 챔버내에서 제 1 기판을 지지하도록 구성되는 제 1 지지면을 갖는 제 1 기판 지지부, 및 프로세싱 챔버내에서 제 2 기판을 지지하도록 구성되는 제 2 지지면을 갖는 제 2 기판 지지부를 포함한다. 하나 이상의 가스 분배 부재들과 유체 연통하는 하나 이상의 가스 소스들은, 제 1 기판 지지부에 근접한 제 1 구역, 및 제 2 기판 지지부에 근접한 제 2 구역에 프로세스 가스를 공급한다. 프로세싱 챔버의 내부로 RF 에너지를 유도성 커플링시키고, 제 1 및 제 2 구역들에서 플라즈마 상태로 프로세스 가스를 에너자이징하도록 구성된 무선-주파수 (RF) 안테나가 제공된다. 그 안테나는 제 1 기판 지지부와 제 2 기판 지지부 사이에 위치된다.

Description

단일 평면 안테나를 갖는 유도성 커플링된 듀얼 구역 프로세싱 챔버{INDUCTIVELY COUPLED DUAL ZONE PROCESSING CHAMBER WITH SINGLE PLANAR ANTENNA}
플라즈마 프로세싱 장치들은, 에칭, 물리 기상 증착 (PVD), 화학 기상 증착 (CVD), 이온 주입, 및 레지스트 제거를 포함하는 기술들에 의해 기판을 프로세싱하기 위해 사용된다. 플라즈마 프로세싱에서 사용되는 플라즈마 프로세싱 장치의 일 타입은 외부 유도 안테나를 포함한다. 전자기장은, 반응 챔버에서 기판을 프로세싱하기 위해 프로세스 가스를 플라즈마 상태로 여기시키도록, 그 안테나 하부의 챔버에서 생성된다.
듀얼 구역 플라즈마 프로세싱 챔버가 제공된다. 그 플라즈마 프로세싱 챔버는, 프로세싱 챔버내에서 제 1 기판을 지지하도록 구성된 제 1 지지면을 갖는 제 1 기판 지지부, 및 프로세싱 챔버내에서 제 2 기판을 지지하도록 구성된 제 2 지지면을 갖는 제 2 기판 지지부를 포함한다. 하나 이상의 가스 분배 부재들과 유체 연통하는 하나 이상의 가스 소스들은, 제 1 기판 지지부에 근접한 제 1 구역 및 제 2 기판 지지부에 근접한 제 2 구역에 프로세스 가스를 공급한다. 무선-주파수 (RF) 안테나는, 프로세싱 챔버의 내부로 RF 에너지를 유도성 커플링시키고, 제 1 및 제 2 구역에서 프로세스 가스를 플라즈마 상태로 에너자이징 (energize) 하도록 구성된다. 그 안테나는, 제 1 기판 지지부와 제 2 기판 지지부 사이에 위치된다.
플라즈마 프로세싱 챔버에서 제 1 및 제 2 반도체 기판을 동시에 프로세싱하는 방법이 제공된다. 듀얼 구역 플라즈마 프로세싱 챔버에서, 제 1 기판은 제 1 지지부 상에 위치되고, 제 2 기판은 제 2 기판 지지부 상에 위치된다. 하나 이상의 가스 소스들로부터의 프로세스 가스들은, 안테나와 제 1 기판 사이의 제 1 구역, 및 안테나와 제 2 구역 사이의 제 2 구역으로 배출된다. 제 1 플라즈마는, 제 1 구역에서 제 1 프로세스 가스로부터 생성된다. 제 2 플라즈마는, 제 2 구역에서 제 2 프로세스 가스로부터 생성된다. 제 1 기판은 제 1 플라즈마로 프로세싱되고, 제 2 기판은 제 2 플라즈마로 프로세싱된다.
도 1은 단일 기판을 프로세싱하기 위한 유도성 커플링된 플라즈마 프로세싱 장치의 단면도이다.
도 2는, 동일한 프로세싱 조건들하의 수평 구성에서 2개의 수직으로 이격된 기판들을 프로세싱하기 위한 유도성 커플링된 듀얼 구역 플라즈마 프로세싱 장치의 단면도이다.
도 3은, 동일한 프로세싱 조건들하의 수직 구성에서 2개의 수평으로 이격된 기판들을 프로세싱하기 위한 유도성 커플링된 플라즈마 프로세싱 장치의 단면도이다.
도 4는, 상이한 프로세싱 조건들하의 수평 구성에서 2개의 수직으로 이격된 기판들을 프로세싱하기 위한 유도성 커플링된 플라즈마 프로세싱 장치의 단면도이다.
일반적으로, 유도성 커플링된 플라즈마 프로세싱 챔버들은, 낮은 압력 (즉, 50 mTorr 미만) 으로 진공 챔버에 프로세스 가스를 공급하고, 무선-주파수 (RF) 에너지를 그 프로세스 가스에 적용함으로써, 기판상의 재료들의 증착 (예를 들어, 플라즈마 인헨스드 화학 기상 증착 또는 PECVD) 및 플라즈마 에칭을 위해 사용된다. 기판들은, 기계식 클램프 및 정전식 클램프 (ESC) 를 포함하는 기판 홀더에 의해, 프로세싱 동안 진공 챔버내의 적소에 보유될 수 있다. 유도성 커플링된 플라즈마 (ICP) 시스템에 있어서, RF 안테나는 프로세스 챔버 외부에 위치되며, RF 에너지는 유전 윈도우를 통해 그 챔버에 유도성 커플링된다. 그러한 프로세싱 시스템들은, 에칭, 증착, 또는 레지스트 스트리핑 (stripping) 과 같은 다양한 반도체 프로세싱 애플리케이션들에 대해 사용될 수 있다.
도 1은, ICP 플라즈마 프로세싱 챔버 (10) 의 일 실시형태의 단면도이다. ICP 플라즈마 프로세싱 챔버의 예는, 캘리포니아 프레몬트 소재의 Lam Research 사에 의해 제조된 TCP
Figure 112010006195387-pct00001
에칭 또는 증착 시스템이다. 또한, ICP 플라즈마 프로세싱 챔버는, 예를 들어, 그 전체가 참조로서 포함된 공동-소유의 US 특허 제 4,948,458 호에 설명되어 있다. 프로세싱 챔버 (10) 는 기판 표면 (14) 을 갖는 기판 지지부 (12) 를 포함한다. 기판 표면 (14) 은 기판 (16) 을 지지하도록 구성된다. 진공 펌프 (18) 는, (예를 들어, 약 1 mTorr 내지 약 50 mTorr 사이의) 낮은 압력으로 프로세싱 챔버 (10) 의 내부를 유지하기 위해 펌프 포트 (20) 에 부착된다. 가스 소스 (22) 는, 가스 분배 플레이트, 샤워헤드 배열, 주입기 또는 다른 적절한 배열을 통해, 프로세싱 챔버 (10) 의 내부에 프로세스 가스들을 공급한다. 프로세스 가스들은 가스 분배 부재 (24) 에 의해 기판 (16) 에 근접한 구역으로 도입될 수 있다.
일단 프로세스 가스들이 프로세싱 챔버 (10) 의 내부로 도입되면, 그 프로세스 가스들은, 프로세싱 챔버 (10) 의 내부로 에너지를 공급하는 에너지 소스에 의해 플라즈마 상태로 에너자이징된다. 에너지 소스는, RF 에너지를 프로세싱 챔버 (10) 에 유도성 커플링시키기 위해 RF 소스 (28) 및 RF 임피던스 매칭 회로 (30) 에 의하여 전력 공급된 외부 평면 안테나 (26) 인 것이 바람직하다. RF 전력의 평면 안테나 (26) 로의 적용에 의해 생성된 전자기장은, 기판 (16) 위에 고-밀도 플라즈마 (30; 예를 들어, 1011 ~ 1012 이온/cm3) 를 형성하기 위해 프로세스 가스를 에너자이징한다.
유전 윈도우 (32) 는 평면 안테나 (26) 아래에 위치되고, 플라즈마 프로세싱 챔버 (10) 의 상단벽을 형성한다. 가스 분배 부재 (24) 는 유전 윈도우 (32) 아래에 위치된다. 고-밀도 플라즈마 (30) 는, 기판의 증착 또는 에칭 중 어느 하나를 위해, 가스 분배 부재 (24) 와 기판 (16) 사이의 구역에서 생성된다.
전력 요건들을 최소화하면서 생산 효율도를 증가시키기 위해, 단일 평면 안테나의 대향측 상에서 2개의 기판들을 동시에 프로세싱할 수 있는 신규한 듀얼 구역 플라즈마 프로세싱 챔버가 여기에 설명된다. 평면 안테나 (18) 에 의해 생성된 대칭적인 전자기장을 최대화하기 위한 일 접근법은, 도 2의 실시형태의 듀얼-구역 구성이다. 도 2는, 구역들 (110, 210) 을 포함하는 듀얼-구역 ICP 플라즈마 프로세싱 챔버 (100) 의 일 실시형태의 단면도이다. 프로세싱 챔버 (100) 의 구역들 (110, 210) 은, 각각, 유전 윈도우들 (132, 232) 과 수평 지지면들 (114, 214) 을 갖는 기판 지지부들 (112, 212) 사이의 공간들을 포함한다. 지지면들 (114, 214) 은, 수평 위치로 기판들 (116, 216) 을 지지하도록 구성된다. 기판 지지부들 (112, 212) 은, 챔버 벽들로부터 연장하는 암 (arm) 들을 지지함으로써 캔틸레버 (cantilever) 방식으로 지지될 수 있으며, 프로세싱 챔버 (110) 에서 서로 직경 방향으로 대향한다.
진공 펌프들 (118, 218) 은, (예를 들어, 약 1 mTorr 내지 약 50 mTorr 사이의) 낮은 압력으로 프로세싱 챔버 (100) 의 내부를 유지하기 위해, 펌프 포트들 (120, 220) 에 부착된다. 펌프 포트들 (120, 220) 은 기판 지지부 (120, 220) 에 인접하며, 프로세싱 챔버 (110) 에서 서로 직경 방향으로 대향할 수 있다.
공통 가스 소스 (122) 는 프로세싱 챔버 (100) 의 내부, 즉, 구역들 (110, 210) 에 프로세스 가스들을 공급한다. 프로세스 가스들은, 각각, 임의의 적절한 가스 분배 배열, 예를 들어, 기판들 (116, 216) 에 근접한 듀얼-엔디드 (dual-ended) 가스 주입기 또는 분배 부재 (124) 로 도입될 수 있다. 공통 가스 소스 (122) 및 가스 분배 부재들 (124) 의 사용은, 동일한 가스 조성물들의 구역들 (110 및 210) 로의 전달을 보장한다. 가스 분배 배열은, 유전 윈도우들 (132, 232) 의 개구부를 통해 연장하는, 서로 유체 연통하고 공통 통로 (125) 에 의해 접속된 2개의 가스 분배 부재들 (예를 들어, 가스 분배 링들, 가스 분배 플레이트들 또는 가스 주입 노즐들) 을 포함할 수 있다. 또한, 그러한 가스 분배 부재들은, 그 전체가 참조로서 포함되는 공동-소유의 US 특허 제 6,184,158 호 및 6,230,651 호에 설명되어 있다. 챔버 (100) 의 대향 말단들에서의 펌프 포트들 (120, 220) 및 진공 펌프들 (118, 218) 의 위치는, 기판들 (116, 216) 의 표면에 걸친 프로세스 가스의 균일한 분배를 용이하게 한다.
기판들 (116, 216) 은 기판 지지부들 (112, 212) 상의 적소에 보유된다. 기판 지지부들은, 정전척 (ESC), 기계식 클램프, 또는 다른 클램핑 메커니즘을 포함할 수 있다. 또한, 그러한 기판 지지부들은, 예를 들어, 그 전체가 참조로서 포함된 공동-소유의 US 특허 제 5,262,029 호 및 5,838,529 호에 설명되어 있다. 또한, 기판 지지부들 (112, 212) 은 RF 바이어싱 전극 (미도시) 을 포함할 수 있다. 기판들 (116, 216) 의 온도 제어에 있어서, 기판들 (116, 216) 은 기판 아래에서 헬륨 가스를 유동시킴으로써 냉각될 수 있으며, 기판 지지부들 (112, 212) 은 유체 냉각될 수 있다 (미도시). 그러한 온도 제어는, 그 전체가 참조로서 포함된 공동 소유의 US 특허 제 6,140,612 호에 설명되어 있다.
일단 프로세스 가스들이 프로세싱 구역들 (110, 120) 의 내부로 도입되면, 그 프로세스 가스들은, 프로세싱 챔버 (100) 의 내부의 구역들 (110, 120) 로 RF 에너지를 반대 방향으로 공급하는 단일 외부 평면 안테나 (126) 에 의해 플라즈마 상태로 에너자이징된다. 외부 평면 안테나 (126) 는, RF 에너지를 프로세싱 챔버 (100) 에 유도성 커플링시키기 위해, 단일 RF 소스 (128) 및 RF 임피던스 매칭 회로 (130) 에 의해 전력 공급된다. RF 에너지의 적용에 의한 평면 안테나 (126) 의 상부 및 하부에서 생성된 대칭적인 전자기장은, 기판들 (116, 216) 에 수직으로 인접한 구역들에서 고-밀도 플라즈마들 (130, 230; 예를 들어, 1011 ~ 1012 이온/cm3) 을 형성하도록 프로세스 가스들을 에너자이징한다. 프로세싱 챔버 (100) 의 구성은, 2개의 프로세싱 챔버들을 구동시키는데 요구되는 부가적인 RF 에너지의 소비없이, 단일 기판 프로세싱에 사용되는 챔버의 풋프린트내에서 기판 프로세싱 스루풋을 2배로 하는 포텐셜을 갖는다.
단일 외부 평면 안테나 (126) 는, 하나 이상의 평면 나선 코일들, 또는 일련의 동심 링과 같은 다른 구성들을 포함할 수 있다. 평면 코일은, 안테나 직경을 증가시키기 위해 더 긴 도전성 엘리먼트를 이용함으로써 스케일-업 (scale-up) 될 수 있으며, 따라서, 300mm 웨이퍼와 같은 더 긴 기판들을 수용하거나, 평면 어레이에 배열된 다수의 코일들이, 예를 들어, 평면 디스플레이 프로세싱에 대해 광범위한 영역에 걸쳐 균일한 플라즈마를 생성하도록 사용될 수 있다.
외부 평면 안테나 (126) 는 주변 압력 (즉, 대기압) 에 있는 공간 (134) 에 위치된다. 공간 (134) 는, 유전 윈도우 (132) 와 유전 윈도우 (232) 사이에 존재한다. 유전 윈도우들 (132, 232) 은, 석영과 같은, RF 에너지에 대해 투명한 임의의 유전 재료로 구성될 수 있다. 유전 윈도우 (132) 는 평면 안테나 (126) 아래에 존재하고, 구역 (110) 에 대해 상부벽을 형성한다. 유사하게, 유전 윈도우 (232) 는 평면 안테나 (126) 위에 존재하고, 구역 (210) 에 대해 하부벽을 형성한다. 일 실시형태에서, 공간 (134) 은, 유전 윈도우들 (132, 232) 을 지지하는 금속성 컴파트먼트 (compartment) 에 그 컴파트먼트의 벽들로서 둘러싸여 있다.
기판들 (116, 216) 이 프로세싱 챔버 (100) 에서 프로세싱될 경우, RF 소스 (128) 는, 바람직하게는 약 100kHz ~ 27MHz 의 범위, 더 바람직하게는 13.56MHz 에서 RF 전류를 안테나 (126) 에 공급한다.
도 3은, 구역들 (310, 410) 을 포함하는 듀얼-구역 ICP 플라즈마 프로세싱 챔버 (300) 의 또 다른 실시형태의 단면도이다. 프로세싱 챔버 (100) 의 배향을 제외하고, 플라즈마 프로세싱 챔버 (300) 의 구성은 도 2의 플라즈마 프로세싱 챔버 (100) 와 유사하다. 프로세싱 챔버 (300) 의 구역들 (310, 410) 은, 각각, 유전 윈도우들 (332, 432) 과 수직 지지면들 (314, 414) 을 갖는 기판 지지부들 (312, 412) 사이의 공간들을 포함한다. 지지면들 (314, 414) 은 수직 위치로 기판들 (316, 416) 을 지지하도록 구성된다. 기판 지지부들 (312, 412) 은 프로세싱 챔버 (300) 에서 서로 직경 방향으로 대향하는 것이 바람직하다. 진공 펌프들 (318, 418) 은, (예를 들어, 약 1 mTorr 내지 약 50 mTorr 사이의) 낮은 압력으로 프로세싱 챔버 (300) 의 내부를 유지하기 위해, 펌프 포트들 (320, 420) 에 부착된다. 펌프 포트들 (320, 420) 은 기판 지지부 (312, 412) 에 근접하게 존재하며, 프로세싱 챔버 (300) 에서 서로 직경 방향으로 대향하는 것이 바람직하다.
공통 가스 소스 (322) 는 프로세싱 챔버 (300) 의 내부에 프로세스 가스들을 공급한다. 프로세스 가스들은, 각각, 임의의 적절한 가스 분배 배열, 예를 들어, 기판들 (316, 416) 에 근접한 듀얼-엔디드 가스 주입기 또는 분배 부재 (324) 로 도입될 수 있다. 가스 분배 배열은, 서로 유체 연통하고, 유전 윈도우들 (332, 432) 의 개구부를 통해 연장하는 공통 통로 (325) 에 의해 접속된 2개의 가스 분배 부재들 (예를 들어, 가스 분배 링들, 가스 분배 플레이트들 또는 가스 주입 노즐들) 을 포함할 수 있다.
기판들 (316, 416) 은 기판 지지부들 (312, 412) 상의 적소에 보유된다. 기판 지지부들은, 정전척 (ESC), 기계식 클램프, 또는 다른 클램핑 메커니즘을 포함할 수 있다. 또한, 기판 지지부들 (312, 412) 은 RF 바이어싱 전극 (미도시) 을 포함할 수 있다. 기판들 (316, 416) 의 온도 제어에 있어서, 기판들 (316, 416) 은 그 기판들 아래에서 헬륨 가스를 유동시킴으로써 냉각될 수 있으며, 기판 지지부들 (316, 416) 은 유체 냉각될 수 있다 (미도시).
일단 프로세스 가스들이 프로세싱 구역들 (310, 410) 의 내부로 배출되면, 그 프로세스 가스들은, 프로세싱 챔버 (300) 의 내부로 에너지를 공급하는 단일 안테나 배열에 의해 플라즈마 상태로 에너자이징된다. 바람직하게, 에너지 소스는, 프로세싱 챔버 (300) 로 RF 에너지를 유도성 커플링시키기 위해, RF 소스 (328) 및 RF 임피던스 매칭 회로 (330) 에 의해 전력 공급된 외부 평면 안테나 (326) 이다. RF 전력의 적용을 통해 평면 안테나 (326) 에 의하여 생성된 대칭적인 전자기장은, 기판들 (316, 416) 에 측면으로 근접하게 고-밀도 플라즈마들 (330, 430; 예를 들어, 1011 ~ 1012 이온/cm3) 을 형성하도록 프로세스 가스들을 에너자이징한다. 도 2의 프로세싱 챔버 (100) 와 유사하게, 프로세싱 챔버 (300) 의 구성은, 부가적인 RF 에너지의 소비없이 기판 프로세싱 스루풋을 2배로 하는 포텐셜을 갖는다.
외부 평면 안테나 (326) 는, 유전 윈도우 (332) 와 유전 윈도우 (432) 사이에서 주변 압력에 있는 공간 (334) 에서 지지된다. 유전 윈도우들 (332, 432) 은, 석영과 같은, RF 에너지에 대해 투명한 임의의 유전 재료로 구성될 수 있다. 유전 윈도우 (332) 는 평면 안테나 (326) 에 측면으로 근접하게 존재하고, 구역 (310) 에 대해 측벽을 형성한다. 유사하게, 평면 안테나 (326) 에 또한 측면으로 근접한 유전 윈도우 (432) 는 구역 (410) 에 대해 측벽을 형성한다. 일 실시형태에서, 공간 (334) 은, 유전 윈도우들 (332, 432) 을 지지하는 금속성 컴파트먼트에 그 컴파트먼트의 벽들로서 둘러싸여 있다.
도 4는, 상이한 프로세싱 조건들 하에서 2개의 기판들을 동시에 프로세싱하기 위해, 구역들 (510, 610) 을 포함하는 서브-챔버들 (500, 600) 을 갖는 듀얼-구역 ICP 플라즈마 프로세싱 챔버의 또 다른 실시형태의 단면도이다. 도 2의 실시형태와 유사하게, 프로세싱 서브-챔버들 (500, 600) 은 수평 지지면들 (514, 614) 을 포함한다.
서브-챔버들 (500, 600) 의 구역들 (510, 610) 은, 각각, 유전 윈도우들 (532, 632) 과 수평 지지면들 (514, 614) 을 갖는 기판 지지부들 (512, 612) 사이의 공간들을 포함한다. 지지면들 (514, 614) 은 수평 위치로 기판들 (516, 616) 을 지지하도록 구성된다. 기판 지지부들 (512, 612) 은 서로 직경 방향으로 대향할 수 있다. 진공 펌프들은, (예를 들어, 약 1 mTorr 내지 약 50 mTorr 사이의) 낮은 압력으로 프로세싱 챔버 (300) 의 내부를 유지하기 위해 펌프 포트 (520, 620) 에 부착된다. 펌프 포트들 (520, 620) 은 기판 지지부들 (512, 612) 에 근접하게 존재하고, 서로 직경 방향으로 대향할 수 있다.
가스 소스들 (522, 622) 은 프로세싱 챔버 (300) 의 내부에 프로세스 가스들을 공급한다. 프로세스 가스들은, 기판들 (516, 616) 에 근접한 가스 분배 부재들 (524, 624) 로 도입될 수 있다. 기판들 (516, 616) 이 상이한 플라즈마 프로세싱 조건들에 영향을 받으면, 가스 소스들 (522, 622) 은 상이한 가스 레시피들을 공급할 수 있다. 예를 들어, 기판 (516) 은 에칭 프로세스를 경험할 수 있지만, 기판 (616) 은 화학 기상 층착 프로세스를 경험하며, 그의 반대의 경우도 가능하다. 에칭 프로세스들의 예들은, 도전체 에칭, 유전체 에칭 또는 포토레지스트 스트리핑을 포함한다. 증착 프로세스들의 예들은, 유전성 또는 도전성 막들의 화학 기상 증착을 포함한다. 가스 분배 부재 (524, 624) 는, 가스 분배 링들, 가스 분배 플레이트들 또는 가스 주입 노즐들을 포함할 수 있다. 구역들 (510, 610) 에서의 프로세스 가스들은, RF 에너지를 평면 안테나 (526) 에 공급하고, 기판들 (516, 616) 의 플라즈마 프로세싱을 위해 플라즈마들 (530, 630) 을 형성할 시에 에너자이징된다.
가스 소스들 (522, 622) 로부터의 상이한 프로세스 가스들이 플라즈마들 (530, 630) 을 생성하기 위해 사용되면, 프로세싱 서브-챔버들 (500, 600) 을 파티션 (536) 으로 격리할 필요가 있다. 파티션 (536) 의 부재시에, 상이한 가스 케미스트리 (chemistry) 가 플라즈마들 (530, 630) 을 생성하기 위해 사용되고, 상이한 부산물들을 생성하기 때문에, 가스 분배 부재들 (524, 624) 로부터 릴리즈된 상이한 프로세스 가스들 및 그 프로세싱의 부산물들은, 기판들 (516, 616) 의 표면에 걸쳐 균일하기 보다는, 프로세싱 챔버들 (500, 600) 의 의도되지 않은 영역들을 향해 확산될 수도 있다.
기판들 (516, 616) 은 기판 지지부들 (512, 612) 상의 적소에 보유된다. 기판 지지부들은, 정전척 (ESC), 기계식 클램프, 또는 다른 클램핑 메커니즘을 포함할 수 있다. 또한, 기판 지지부들 (512, 612) 은 RF 바이어싱 전극 (미도시) 을 포함할 수 있다. 기판들 (516, 616) 의 온도 제어에 있어서, 기판들 (516, 616) 은 그 기판들 아래에서 헬륨 가스를 유동시킴으로써 냉각될 수 있으며, 기판 지지부들 (516, 616) 은 유체 냉각될 수 있다 (미도시).
일단 프로세스 가스들이 프로세싱 구역들 (510, 610) 의 내부로 배출되면, 그 프로세스 가스들은, 프로세싱 챔버들 (500, 600) 의 내부로 에너지를 공급하는 단일 안테나 배열에 의해 플라즈마 상태로 에너자이징된다. 바람직하게, 에너지 소스는, 프로세싱 챔버들 (500, 600) 로 RF 에너지를 유도성 커플링시키기 위해, RF 소스 (528) 및 RF 임피던스 매칭 회로 (530) 에 의하여 전력 공급된 외부 평면 안테나 (526) 이다. RF 에너지의 적용을 통해 평면 안테나 (526) 에 의하여 생성된 대칭적인 전자기장은, 기판들 (516, 616) 에 측면으로 인접하여 고밀도 플라즈마들 (530, 630; 예를 들어, 1011 ~ 1012 이온/cm3) 을 형성하도록 프로세스 가스를 에너자이징한다. 도 2 및 도 3의 프로세싱 챔버들 (200, 300) 과 유사하게, 프로세싱 챔버들 (500, 600) 의 구성은, 부가적인 RF 에너지의 소비없이 기판 프로세싱 스루풋을 2배로 하는 포텐셜을 갖는다.
외부 평면 안테나 (526) 는, 유전 윈도우 (532) 와 유전 윈도우 (532) 사이에서 주변 압력에 있는 공간 (534) 에서 지지된다. 유전 윈도우들 (532, 632) 은, 석영과 같은, RF 에너지에 대해 투명한 임의의 유전 재료로 구성될 수 있다. 유전 윈도우 (532) 는 평면 안테나 (526) 에 측면으로 근접하게 존재하고, 구역 (510) 에 대해 상부벽을 형성한다. 유사하게, 평면 안테나 (526) 에 또한 측면으로 근접한 유전 윈도우 (632) 는 구역 (610) 에 대해 하부벽을 형성한다. 일 실시형태에서, 공간 (534) 은, 유전 윈도우들 (532, 632) 을 지지하는 금속성 컴파트먼트에 그 컴파트먼트의 벽들로서 둘러싸여 있다.
상이한 프로세싱 조건들 하에서 2개의 기판들을 동시에 프로세싱하기 위한 또 다른 실시형태에서, 프로세싱 서브-챔버들의 구성은, 도 3의 실시형태와 유사하게 수직 지지면들을 포함할 수 있다.
본 발명이 그의 특정한 실시형태들을 참조하여 상세히 설명되었지만, 첨부된 청구항의 범위를 벗어나지 않고도 다양한 변경 및 변형이 행해질 수 있고 등가물이 이용될 수 있다는 것은 당업자에게는 명백할 것이다.

Claims (20)

  1. 듀얼 구역 플라즈마 프로세싱 챔버내에서 제 1 기판을 지지하도록 구성된 제 1 지지면을 갖는 제 1 기판 지지부;
    상기 프로세싱 챔버내에서 제 2 기판을 지지하도록 구성된 제 2 지지면을 갖는 제 2 기판 지지부;
    상기 제 1 기판 지지부에 근접한 제 1 구역, 및 상기 제 2 기판 지지부에 근접한 제 2 구역에 프로세스 가스를 공급하는 하나 이상의 가스 분배 부재들과 유체 연통하는 하나 이상의 가스 소스들; 및
    상기 듀얼 구역 플라즈마 프로세싱 챔버의 내부로 RF 에너지를 유도성 커플링시키고, 상기 제 1 구역 및 상기 제 2 구역에서 상기 프로세스 가스를 플라즈마 상태로 에너자이징하도록 구성되며, 상기 제 1 기판 지지부와 상기 제 2 기판 지지부 사이에 위치되는 무선-주파수 (RF) 안테나를 포함하며,
    상기 무선-주파수 안테나는 코일이고,
    상기 제 1 기판 지지부와 상기 코일 사이에 제 1 유전 윈도우가 배치되며, 상기 제 2 기판 지지부와 상기 코일 사이에 제 2 유전 윈도우가 배치되고,
    상기 제 1 유전 윈도우는 상기 제 1 유전 윈도우를 통과하여 연장하는 제 1 개구를 가지며, 상기 제 2 유전 윈도우는 상기 제 2 유전 윈도우를 통과하여 연장하는 제 2 개구를 가지고, 상기 제 1 개구 및 상기 제 2 개구 각각을 통해 상기 프로세싱 챔버 내로 프로세스 가스가 공급되는, 듀얼 구역 플라즈마 프로세싱 챔버.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 무선-주파수 안테나는 주변 압력에서의 컴파트먼트 (compartment) 내의 평면 코일인, 듀얼 구역 플라즈마 프로세싱 챔버.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 컴파트먼트는 상기 제 1 유전 윈도우와 상기 제 2 유전 윈도우 사이에 존재하며,
    상기 제 1 유전 윈도우는 상기 평면 코일과 상기 제 1 지지면 사이에 위치되고, 상기 제 2 유전 윈도우는 상기 평면 코일과 상기 제 2 지지면 사이에 위치되는, 듀얼 구역 플라즈마 프로세싱 챔버.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 평면 코일은,
    상기 제 1 유전 윈도우와 상기 제 1 지지면 사이의 상기 제 1 구역에서 제 1 플라즈마를 형성하기 위해, 상기 제 1 유전 윈도우를 통해 RF 전력을 유도성 커플링시키며,
    상기 제 1 유전 윈도우와 상기 제 1 지지면 사이의 상기 제 2 구역에서 제 2 플라즈마를 형성하기 위해, 상기 제 2 유전 윈도우를 통해 RF 전력을 유도성 커플링시키는, 듀얼 구역 플라즈마 프로세싱 챔버.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 유전 윈도우 및 상기 제 2 유전 윈도우는 RF 에너지에 대해 투명한, 듀얼 구역 플라즈마 프로세싱 챔버.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 가스 분배 부재들은 제 1 가스 분배 부재 및 제 2 가스 분배 부재를 포함하며, 상기 하나 이상의 가스 소스들은, 상기 제 1 개구를 통해 상기 제 1 가스 분배 부재로 프로세스 가스를 공급하고, 상기 제 2 개구를 통해 상기 제 2 가스 분배 부재로 프로세스 가스를 공급하는, 듀얼 구역 플라즈마 프로세싱 챔버.
  7. 제 3 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 가스 분배 부재들은, 상기 제 1 유전 윈도우에 근접한 제 1 가스 분배 부재, 및 상기 제 2 유전 윈도우에 근접한 제 2 가스 분배 부재를 포함하며,
    상기 하나 이상의 가스 소스들은, 제 1 프로세스 가스를 상기 제 1 가스 분배 부재에 공급하는 제 1 가스 소스, 및 제 2 프로세스 가스를 상기 제 2 가스 분배 부재에 공급하는 제 2 가스 소스를 포함하는, 듀얼 구역 플라즈마 프로세싱 챔버.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 1 가스 분배 부재 및 상기 제 2 가스 분배 부재는, 가스 분배 링들, 가스 분배 플레이트들 또는 가스 주입 노즐들인, 듀얼 구역 플라즈마 프로세싱 챔버.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 듀얼 구역 플라즈마 프로세싱 챔버는 별개의 서브-챔버들을 포함하며,
    상기 제 1 기판 지지부 및 상기 제 2 기판 지지부는 상기 별개의 서브-챔버들에 위치되는, 듀얼 구역 플라즈마 프로세싱 챔버.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 지지면은 상기 제 2 지지면에 평행인, 듀얼 구역 플라즈마 프로세싱 챔버.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 무선-주파수 안테나는 상기 제 1 기판 지지부와 상기 제 2 기판 지지부 사이의 중간 지점에 위치되는, 듀얼 구역 플라즈마 프로세싱 챔버.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 지지면, 및 상기 제 2 지지면은 수직으로 이격되어 있는, 듀얼 구역 플라즈마 프로세싱 챔버.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 지지면 및 상기 제 2 지지면은 수평으로 이격되어 있는, 듀얼 구역 플라즈마 프로세싱 챔버.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 지지면 및 상기 제 2 지지면은 정전척 또는 기계식 클램프를 포함하는, 듀얼 구역 플라즈마 프로세싱 챔버.
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 기판 지지부에 근접한 제 1 펌프 포트, 및 상기 제 2 기판 지지부에 근접한 제 2 펌프 포트를 더 포함하며,
    상기 제 1 펌프 포트는 상기 제 2 펌프 포트에 직경 방향으로 대향하는, 듀얼 구역 플라즈마 프로세싱 챔버.
  16. 플라즈마 프로세싱 챔버에서 제 1 반도체 기판 및 제 2 반도체 기판을 동시에 프로세싱하는 방법으로서,
    듀얼 구역 플라즈마 프로세싱 챔버에서, 제 1 기판 지지부상에 제 1 기판 및 제 2 기판 지지부상에 제 2 기판을 위치시키는 단계;
    상기 제 1 기판과 무선-주파수 (RF) 안테나 사이의 제 1 구역 및 상기 제 2 기판과 상기 무선-주파수 안테나 사이의 제 2 구역으로 하나 이상의 가스 소스들로부터의 프로세스 가스들을 배출하는 단계;
    상기 제 1 구역에서 상기 프로세스 가스로부터 제 1 플라즈마를 생성하고, 상기 제 2 구역에서 상기 프로세스 가스로부터 제 2 플라즈마를 생성하는 단계; 및
    상기 제 1 플라즈마로 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 플라즈마로 상기 제 2 기판을 동시에 프로세싱하는 단계를 포함하며,
    상기 듀얼 구역 플라즈마 프로세싱 챔버는,
    상기 듀얼 구역 플라즈마 프로세싱 챔버 내에서, 상기 제 1 기판을 지지하도록 구성된 제 1 지지면을 갖는, 상기 제 1 기판 지지부;
    상기 듀얼 구역 프로세싱 챔버 내에서, 상기 제 2 기판을 지지하도록 구성된 제 2 지지면을 갖는, 상기 제 2 기판 지지부;
    상기 제 1 기판 지지부에 근접한 상기 제 1 구역, 및 상기 제 2 기판 지지부에 근접한 상기 제 2 구역에 프로세스 가스를 공급하는 하나 이상의 가스 분배 부재들과 유체 연통하는, 상기 하나 이상의 가스 소스들; 및
    상기 듀얼 구역 플라즈마 프로세싱 챔버의 내부로 RF 에너지를 유도성 커플링시키고, 상기 제 1 구역 및 상기 제 2 구역에서 상기 프로세스 가스를 플라즈마 상태로 에너자이징하도록 구성되며, 상기 제 1 기판 지지부와 상기 제 2 기판 지지부 사이에 위치되는, 상기 무선-주파수 (RF) 안테나를 포함하며,
    상기 무선-주파수 안테나는 코일이고,
    상기 제 1 기판 지지부와 상기 코일 사이에 제 1 유전 윈도우가 배치되며, 상기 제 2 기판 지지부와 상기 코일 사이에 제 2 유전 윈도우가 배치되고,
    상기 제 1 유전 윈도우는 상기 제 1 유전 윈도우를 통과하여 연장하는 제 1 개구를 가지며, 상기 제 2 유전 윈도우는 상기 제 2 유전 윈도우를 통과하여 연장하는 제 2 개구를 가지고, 상기 제 1 개구 및 상기 제 2 개구 각각을 통해 상기 프로세싱 챔버 내로 프로세스 가스가 공급되는, 프로세싱 방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 제 1 구역 및 상기 제 2 구역으로 동일한 프로세스 가스가 배출되는, 프로세싱 방법.
  18. 제 16 항에 있어서,
    상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판을 동시에 프로세싱하는 단계는, 도전성 또는 유전성 재료의 증착을 포함하는, 프로세싱 방법.
  19. 제 16 항에 있어서,
    상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판을 동시에 프로세싱하는 단계는, 금속들, 유전체들의 고밀도 플라즈마 에칭 또는 포토레지스트 스트리핑을 포함하는, 프로세싱 방법.
  20. 제 16 항에 있어서,
    상기 제 1 구역으로 제 1 프로세스 가스가 배출되고, 상기 제 2 구역으로 제 2 프로세스 가스가 배출되며, 상기 제 1 기판은 플라즈마 에칭되고, 상기 제 2 기판은 플라즈마 인헨스드 화학 기상 증착되는, 프로세싱 방법.
KR1020107002086A 2007-06-29 2008-06-24 단일 평면 안테나를 갖는 유도성 커플링된 듀얼 구역 프로세싱 챔버 KR101495940B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/819,898 2007-06-29
US11/819,898 US7972471B2 (en) 2007-06-29 2007-06-29 Inductively coupled dual zone processing chamber with single planar antenna
PCT/US2008/007821 WO2009005624A2 (en) 2007-06-29 2008-06-24 Inductively coupled dual zone processing chamber with single planar antenna

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100047237A KR20100047237A (ko) 2010-05-07
KR101495940B1 true KR101495940B1 (ko) 2015-02-25

Family

ID=40161116

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020107002086A KR101495940B1 (ko) 2007-06-29 2008-06-24 단일 평면 안테나를 갖는 유도성 커플링된 듀얼 구역 프로세싱 챔버

Country Status (6)

Country Link
US (2) US7972471B2 (ko)
JP (1) JP5519498B2 (ko)
KR (1) KR101495940B1 (ko)
CN (1) CN101720500B (ko)
TW (1) TWI416623B (ko)
WO (1) WO2009005624A2 (ko)

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9188086B2 (en) 2008-01-07 2015-11-17 Mcalister Technologies, Llc Coupled thermochemical reactors and engines, and associated systems and methods
US8318131B2 (en) 2008-01-07 2012-11-27 Mcalister Technologies, Llc Chemical processes and reactors for efficiently producing hydrogen fuels and structural materials, and associated systems and methods
US8318269B2 (en) * 2009-02-17 2012-11-27 Mcalister Technologies, Llc Induction for thermochemical processes, and associated systems and methods
US8441361B2 (en) 2010-02-13 2013-05-14 Mcallister Technologies, Llc Methods and apparatuses for detection of properties of fluid conveyance systems
US20110203776A1 (en) * 2009-02-17 2011-08-25 Mcalister Technologies, Llc Thermal transfer device and associated systems and methods
CN102763198B (zh) * 2009-09-25 2015-05-06 应用材料公司 感应耦合等离子体反应器中的高效气体离解的方法和设备
US20110097518A1 (en) * 2009-10-28 2011-04-28 Applied Materials, Inc. Vertically integrated processing chamber
WO2011085064A2 (en) 2010-01-08 2011-07-14 Applied Materials, Inc. N-channel flow ratio controller calibration
EP2534095A2 (en) 2010-02-13 2012-12-19 McAlister Technologies, LLC Reactor vessels with transmissive surfaces for producing hydrogen-based fuels and structural elements, and associated systems and methods
JP5726912B2 (ja) * 2010-02-13 2015-06-03 マクアリスター テクノロジーズ エルエルシー 再放射面を有する化学反応器ならびにその関連システムおよび方法
KR101796656B1 (ko) * 2010-04-30 2017-11-13 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 수직 인라인 화학기상증착 시스템
KR101205242B1 (ko) * 2010-04-30 2012-11-27 주식회사 테라세미콘 플라즈마 처리 장치
DE102011013467A1 (de) * 2011-03-09 2012-09-13 Manz Ag Vorrichtung und Verfahren zum plasmaunterstützten Behandeln zumindest zweier Substrate
US20120279943A1 (en) * 2011-05-03 2012-11-08 Applied Materials, Inc. Processing chamber with cooled gas delivery line
WO2013025659A1 (en) 2011-08-12 2013-02-21 Mcalister Technologies, Llc Reducing and/or harvesting drag energy from transport vehicles, includings for chemical reactors, and associated systems and methods
WO2013025655A2 (en) 2011-08-12 2013-02-21 Mcalister Technologies, Llc Systems and methods for providing supplemental aqueous thermal energy
US8911703B2 (en) 2011-08-12 2014-12-16 Mcalister Technologies, Llc Reducing and/or harvesting drag energy from transport vehicles, including for chemical reactors, and associated systems and methods
EP2742207A4 (en) 2011-08-12 2016-06-29 Mcalister Technologies Llc SYSTEMS AND METHODS FOR EXTRACTING AND PROCESSING GASES FROM SUBMERGED SOURCES
WO2013025650A1 (en) 2011-08-12 2013-02-21 Mcalister Technologies, Llc Mobile transport platforms for producing hydrogen and structural materials and associated systems and methods
US8734546B2 (en) 2011-08-12 2014-05-27 Mcalister Technologies, Llc Geothermal energization of a non-combustion chemical reactor and associated systems and methods
KR200485369Y1 (ko) * 2012-01-24 2017-12-28 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 기판 구동 시스템을 위한 알루미늄 코팅된 부품들 또는 세라믹 부품들
CN104080947B (zh) * 2012-01-27 2016-08-24 应用材料公司 分段式天线组件
US20130206068A1 (en) * 2012-02-13 2013-08-15 Jozef Kudela Linear pecvd apparatus
US9437400B2 (en) 2012-05-02 2016-09-06 Lam Research Corporation Insulated dielectric window assembly of an inductively coupled plasma processing apparatus
KR101209298B1 (ko) * 2012-07-13 2012-12-06 주식회사한국큐텍 반도체 엘이디 제조용 엣칭 챔버
US8669538B1 (en) 2013-03-12 2014-03-11 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Method of improving ion beam quality in an implant system
WO2014160301A1 (en) 2013-03-14 2014-10-02 Mcalister Technologies, Llc Method and apparatus for generating hydrogen from metal
CN104752140B (zh) * 2013-12-31 2017-06-06 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种反应腔室及等离子体加工设备
US20180230624A1 (en) * 2017-02-10 2018-08-16 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for low temperature selective epitaxy in a deep trench

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5811022A (en) * 1994-11-15 1998-09-22 Mattson Technology, Inc. Inductive plasma reactor
JP2000353690A (ja) * 1999-06-11 2000-12-19 Sharp Corp プラズマリアクタ装置
US6893907B2 (en) 2002-06-05 2005-05-17 Applied Materials, Inc. Fabrication of silicon-on-insulator structure using plasma immersion ion implantation
KR20070057148A (ko) * 2004-09-30 2007-06-04 동경 엘렉트론 주식회사 기판을 처리하기 위한 플라즈마 프로세싱 시스템

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5262029A (en) * 1988-05-23 1993-11-16 Lam Research Method and system for clamping semiconductor wafers
US4948458A (en) * 1989-08-14 1990-08-14 Lam Research Corporation Method and apparatus for producing magnetically-coupled planar plasma
JPH04362091A (ja) * 1991-06-05 1992-12-15 Mitsubishi Heavy Ind Ltd プラズマ化学気相成長装置
JPH05326452A (ja) * 1991-06-10 1993-12-10 Kawasaki Steel Corp プラズマ処理装置及び方法
US6518195B1 (en) * 1991-06-27 2003-02-11 Applied Materials, Inc. Plasma reactor using inductive RF coupling, and processes
US5330615A (en) * 1991-11-04 1994-07-19 Cheng Chu Symmetric double water plasma etching system
US5309063A (en) * 1993-03-04 1994-05-03 David Sarnoff Research Center, Inc. Inductive coil for inductively coupled plasma production apparatus
US5430355A (en) * 1993-07-30 1995-07-04 Texas Instruments Incorporated RF induction plasma source for plasma processing
KR100276736B1 (ko) * 1993-10-20 2001-03-02 히가시 데쓰로 플라즈마 처리장치
JPH07161493A (ja) * 1993-12-08 1995-06-23 Fujitsu Ltd プラズマ発生装置及び方法
US5556521A (en) * 1995-03-24 1996-09-17 Sony Corporation Sputter etching apparatus with plasma source having a dielectric pocket and contoured plasma source
US6140612A (en) * 1995-06-07 2000-10-31 Lam Research Corporation Controlling the temperature of a wafer by varying the pressure of gas between the underside of the wafer and the chuck
JPH0950992A (ja) * 1995-08-04 1997-02-18 Sharp Corp 成膜装置
US6253704B1 (en) * 1995-10-13 2001-07-03 Mattson Technology, Inc. Apparatus and method for pulsed plasma processing of a semiconductor substrate
US5838529A (en) * 1995-12-22 1998-11-17 Lam Research Corporation Low voltage electrostatic clamp for substrates such as dielectric substrates
US5820723A (en) * 1996-06-05 1998-10-13 Lam Research Corporation Universal vacuum chamber including equipment modules such as a plasma generating source, vacuum pumping arrangement and/or cantilevered substrate support
US5863376A (en) * 1996-06-05 1999-01-26 Lam Research Corporation Temperature controlling method and apparatus for a plasma processing chamber
US6013155A (en) * 1996-06-28 2000-01-11 Lam Research Corporation Gas injection system for plasma processing
US5993594A (en) * 1996-09-30 1999-11-30 Lam Research Corporation Particle controlling method and apparatus for a plasma processing chamber
US6184158B1 (en) * 1996-12-23 2001-02-06 Lam Research Corporation Inductively coupled plasma CVD
US6132517A (en) * 1997-02-21 2000-10-17 Applied Materials, Inc. Multiple substrate processing apparatus for enhanced throughput
US6083344A (en) * 1997-05-29 2000-07-04 Applied Materials, Inc. Multi-zone RF inductively coupled source configuration
US6379576B2 (en) * 1997-11-17 2002-04-30 Mattson Technology, Inc. Systems and methods for variable mode plasma enhanced processing of semiconductor wafers
US6230651B1 (en) * 1998-12-30 2001-05-15 Lam Research Corporation Gas injection system for plasma processing
JP2000299306A (ja) * 1999-04-13 2000-10-24 Nec Corp 誘導結合型プラズマエッチング装置
US7037813B2 (en) * 2000-08-11 2006-05-02 Applied Materials, Inc. Plasma immersion ion implantation process using a capacitively coupled plasma source having low dissociation and low minimum plasma voltage
US6706142B2 (en) * 2000-11-30 2004-03-16 Mattson Technology, Inc. Systems and methods for enhancing plasma processing of a semiconductor substrate
US6830622B2 (en) * 2001-03-30 2004-12-14 Lam Research Corporation Cerium oxide containing ceramic components and coatings in semiconductor processing equipment and methods of manufacture thereof
US6962644B2 (en) * 2002-03-18 2005-11-08 Applied Materials, Inc. Tandem etch chamber plasma processing system
JP3820188B2 (ja) * 2002-06-19 2006-09-13 三菱重工業株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP2007150012A (ja) * 2005-11-29 2007-06-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理装置および方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5811022A (en) * 1994-11-15 1998-09-22 Mattson Technology, Inc. Inductive plasma reactor
JP2000353690A (ja) * 1999-06-11 2000-12-19 Sharp Corp プラズマリアクタ装置
US6893907B2 (en) 2002-06-05 2005-05-17 Applied Materials, Inc. Fabrication of silicon-on-insulator structure using plasma immersion ion implantation
KR20070057148A (ko) * 2004-09-30 2007-06-04 동경 엘렉트론 주식회사 기판을 처리하기 위한 플라즈마 프로세싱 시스템

Also Published As

Publication number Publication date
JP5519498B2 (ja) 2014-06-11
US7972471B2 (en) 2011-07-05
WO2009005624A2 (en) 2009-01-08
CN101720500B (zh) 2011-09-21
US8119532B2 (en) 2012-02-21
US20090004874A1 (en) 2009-01-01
US20110230040A1 (en) 2011-09-22
JP2010532565A (ja) 2010-10-07
CN101720500A (zh) 2010-06-02
KR20100047237A (ko) 2010-05-07
WO2009005624A3 (en) 2009-02-19
TWI416623B (zh) 2013-11-21
TW200917362A (en) 2009-04-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101495940B1 (ko) 단일 평면 안테나를 갖는 유도성 커플링된 듀얼 구역 프로세싱 챔버
US7846293B2 (en) Plasma processing apparatus and method
TWI440405B (zh) 電容式耦合電漿反應器
KR100535827B1 (ko) 플라즈마 공정 챔버 내부 표면 상의 부착물 생성을 제어하는 방법 및 그 장치
US20020121345A1 (en) Multi-chamber system for semiconductor process
CN101194338A (zh) 具有多个异相电极的高频等离子体源
US8181597B2 (en) Plasma generating apparatus having antenna with impedance controller
US10083820B2 (en) Dual-frequency surface wave plasma source
US20050224344A1 (en) Plasma processing apparatus and method
KR101666933B1 (ko) 유도 결합 플라즈마 처리 장치의 안테나
KR101507390B1 (ko) 용량 결합 플라즈마 반응기
KR101585891B1 (ko) 혼합형 플라즈마 반응기
KR100621419B1 (ko) 대면적용 다중전극 배열을 갖는 플라즈마 처리장치
KR101173643B1 (ko) 다중 플라즈마 발생 영역을 갖는 플라즈마 반응기
KR100785404B1 (ko) 유도 결합형 플라즈마 안테나 및 이를 이용한 기판 처리장치와 방법
WO2021055095A1 (en) Plasma processing apparatuses including multiple electron sources
KR20090043864A (ko) 플라즈마 기판 처리 장치
KR20080060834A (ko) 플라즈마 처리 장치
KR101533711B1 (ko) 다분할 전극을 구비한 마이크로웨이브 플라즈마 처리 챔버
KR100581858B1 (ko) 유도결합형 플라즈마 처리장치
KR20120076988A (ko) 유도 결합형 플라즈마 안테나 및 이를 갖는 유도 결합형 플라즈마 처리 장치
KR101002260B1 (ko) 혼합형 플라즈마 반응기
KR101093601B1 (ko) 다중 용량 플라즈마 처리장치 및 방법
TW201426897A (zh) 用於電漿增強基板處理之沉積遮罩
US20150197852A1 (en) Plasma processing apparatus and plasma-uniformity control method

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180206

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190201

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200212

Year of fee payment: 6