KR101490455B1 - Thin Film Solar Cell and the method for fabricating thereof - Google Patents

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Abstract

본 발명은 박막 태양전지에 관한 것으로, 보다 상세하게는 탠덤 및 트리플 구조의 박막 태양전지에서 광전환 효율을 향상시킬 수 있는 박막 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a thin film solar cell, and more particularly, to a thin film solar cell capable of improving light conversion efficiency in a tandem and triple structure thin film solar cell and a method of manufacturing the same.

이를 위한 본 발명에 따른 박막 태양전지는 다수의 단위 셀로 구분된 기판과; 상기 기판의 상부 면에 제 1 폭으로 설계된 다수의 제 1 분리라인에 의해 상기 단위 셀별로 분리된 다수의 전면 투명 도전패턴과; 상기 전면 투명 도전패턴의 상부 면에 구성된 제 1 광흡수층과; 상기 제 1 광흡수층의 상부로 제 2 폭으로 설계된 다수의 제 2 분리라인에 의해 상기 단위 셀별로 분리된 다수의 중간 투명 도전패턴과; 상기 중간 투명 도전패턴의 상부에 구성된 제 2 광흡수층과; 상기 제 2 광흡수층의 상부로 상기 제 2 분리라인의 내부 사이 공간에 대응되며, 제 3 폭으로 설계된 제 3 분리라인에 의해 상기 단위 셀별로 분리된 다수의 반사 전극과; 상기 반사 전극의 상부로 상기 제 3 분리라인에 의해 다수의 전면 투명 도전패턴과 일대일로 접촉되고, 상기 제 2 분리라인에 의해 다수의 중간 투명 도전패턴과는 전기적으로 분리되며, 제 4 폭으로 설계된 다수의 제 4 분리라인에 의해 상기 단위 셀별로 분리된 다수의 후면 전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.A thin film solar cell according to the present invention includes a substrate divided into a plurality of unit cells; A plurality of front transparent conductive patterns separated by the unit cells by a plurality of first dividing lines designed with a first width on an upper surface of the substrate; A first light absorbing layer formed on an upper surface of the front transparent conductive pattern; A plurality of intermediate transparent conductive patterns separated by the unit cells by a plurality of second dividing lines designed to have a second width above the first light absorbing layer; A second light absorbing layer formed on the upper portion of the intermediate transparent conductive pattern; A plurality of reflective electrodes corresponding to a space between the upper portions of the second light absorbing layer and the inner space of the second partitioning lines and separated by the third partitioning line designed for the third width; A plurality of first transparent conductive patterns formed on the first transparent conductive pattern, a plurality of first transparent conductive patterns formed on the first transparent conductive pattern, And a plurality of rear electrodes separated for each unit cell by a plurality of fourth separation lines.

Description

박막 태양전지 및 그 제조방법{Thin Film Solar Cell and the method for fabricating thereof}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a thin film solar cell,

본 발명은 박막 태양전지에 관한 것으로, 보다 상세하게는 탠덤 및 트리플 구조의 박막 태양전지에서 광전환 효율을 향상시킬 수 있는 박막 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a thin film solar cell, and more particularly, to a thin film solar cell capable of improving light conversion efficiency in a tandem and triple structure thin film solar cell and a method of manufacturing the same.

일반적으로, 박막 태양전지는 p-n접합으로 이루어진 다이오드로, 광흡수층으로 사용되는 물질에 따라 다양한 종류로 구분된다. 이러한 광흡수층으로 실리콘을 사용하는 태양전지는 결정질 기판형의 태양전지와, 비정질의 박막 태양전지로 구분된다. 그 밖에, CIS(CuInSe2)나 CdTe를 이용하는 화합물 박막 태양전지, Ⅲ-Ⅴ족 태양전지, 염료감응 태양전지와 유기 태양전지가 대표적인 태양전지라 할 수 있다.In general, a thin film solar cell is a diode formed of a pn junction, and is divided into various types according to a material used as a light absorbing layer. A solar cell using silicon as the light absorbing layer is classified into a crystalline substrate type solar cell and an amorphous thin film solar cell. In addition, compound thin film solar cells using CIS (CuInSe 2 ) or CdTe, III-V solar cells, dye-sensitized solar cells and organic solar cells are typical solar cells.

전술한 다결정 실리콘을 이용하는 벌크형 결정질 태양전지가 주로 사용되고 있으나, 이러한 결정질 태양전지는 고가의 실리콘 원료를 다량으로 사용할 뿐만 아 니라 제조 공정이 복잡한 관계로 생산 단가를 상승시키는 요인으로 작용하고 있다.Although bulk crystalline solar cells using polycrystalline silicon described above are mainly used, such crystalline solar cells are used not only in a large amount of expensive silicon raw materials, but also because they are complicated in manufacturing process.

최근에는 고가의 실리콘 기판 대신 유리, 금속, 플라스틱과 같은 저가의 기판 위에 박막 형태로 태양전지를 제조하는 것을 통해 생산 단가를 줄이려는 연구가 진행되고 있다.In recent years, research is underway to reduce the production cost by manufacturing a thin film solar cell on a low-cost substrate such as glass, metal, and plastic instead of an expensive silicon substrate.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 종래에 따른 박막 태양전지에 대해 설명하도록 한다.Hereinafter, a conventional thin film solar cell will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 종래에 따른 단일접합 구조의 박막 태양전지를 개략적으로 나타낸 단면도로, 보다 상세하게는 비정질 실리콘을 광흡수층으로 이용하는 비정질 실리콘 박막 태양전지에 관한 것이다.FIG. 1 is a cross-sectional view schematically illustrating a conventional thin film solar cell having a single junction structure, and more particularly, to an amorphous silicon thin film solar cell using amorphous silicon as a light absorption layer.

도시한 바와 같이, 종래에 따른 단일접합 구조의 박막 태양전지(5)는 투명한 유리나 플라스틱으로 이루어진 기판과, 상기 기판(10)의 상부 면에 구성된 투명 도전패턴(30)과, 상기 투명 도전패턴(30)의 상부 면에 순차적으로 적층 구성된 p형 실리콘층(40a), i형 실리콘층(40b) 및 n형 실리콘층(40c)을 포함하는 p-i-n 구조의 광흡수층(40)과, 상기 광흡수층(40) 상의 반사 전극(50)과, 상기 반사 전극(50)의 상부에 구성된 후면 전극(60)을 포함한다.As shown in the figure, a conventional thin film solar cell 5 of a single junction structure includes a substrate made of transparent glass or plastic, a transparent conductive pattern 30 formed on the upper surface of the substrate 10, A light absorbing layer 40 of a pin structure including a p-type silicon layer 40a, an i-type silicon layer 40b and an n-type silicon layer 40c sequentially stacked on the upper surface of the light absorbing layer A reflective electrode 50 on the reflective electrode 50 and a rear electrode 60 formed on the reflective electrode 50.

이 때, 상기 반사 전극(50)은 반사율이 우수한 알루미늄(Al)과 은(Ag)을 포함하는 도전성 물질 그룹 중 선택된 하나로 구성되는 바, 광흡수층(40)을 통과하는 빛의 산란 특성을 극대화하는 기능을 한다. 상기 광흡수층(40)의 p형, i형 및 n형 실리콘층(40a, 40b, 40c)은 비정질 실리콘(a-Si:H)이 이용된다.At this time, the reflective electrode 50 is formed of one selected from the group consisting of a conductive material including aluminum (Al) and silver (Ag) having excellent reflectance, so that the scattering characteristic of light passing through the light absorbing layer 40 is maximized Function. Amorphous silicon (a-Si: H) is used for the p-type, i-type and n-type silicon layers 40a, 40b and 40c of the light absorbing layer 40.

전술한 박막 태양전지(5)는 기판(10)을 통과한 빛이 p형 실리콘층(40a)을 투 과하여 i형 실리콘층(40b)에 흡수되고, i형 실리콘층(40b) 내에서 비정질 실리콘(a-Si)의 광학적 밴드갭(band gap) 보다 큰 에너지를 가지는 빛에 의해 전자와 전공을 생성하게 된다. 이러한 i형 실리콘층(40b)에서 발생된 전자와 전공은 내부 전계에 의해 p형 실리콘층(40a)과 n형 실리콘층(40c)으로 수집되고, 외부 전극인 투명 도전패턴(30)과 후면 전극(60)을 통해 외부회로로 공급되는 바, 이를 통해 태양광 에너지를 전기 에너지로 변환할 수 있게 된다.The above-described thin film solar cell 5 transmits light that has passed through the substrate 10 to the p-type silicon layer 40a and is absorbed by the i-type silicon layer 40b. In the i-type silicon layer 40b, electrons and electrons are generated by light having an energy larger than the optical band gap of the (a-Si). The electrons and the holes generated in the i-type silicon layer 40b are collected by the p-type silicon layer 40a and the n-type silicon layer 40c by the internal electric field, and the transparent conductive pattern 30, Is supplied to an external circuit through the photocoupler (60), thereby converting solar energy into electric energy.

전술한 단일접합 구조의 박막 태양전지(5)는 단파장 영역의 빛만을 흡수할 수 있다는 제약이 있어 광전환 효율을 높이는 데 한계가 있기 때문에 최근에는 장파장 영역의 빛을 선택적으로 흡수할 수 있는 멀티접합 구조에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 이러한 멀티접합 구조는 탠덤(tandem) 구조와 트리플(triple) 구조가 상용화되고 있다.Since the thin film solar cell 5 having a single junction structure has a limitation in that it can absorb only light in a short wavelength region and has a limitation in increasing light conversion efficiency, recently, a multi-junction Research on the structure is actively proceeding. In such a multi-junction structure, a tandem structure and a triple structure are being commercialized.

도 2a는 종래에 따른 탠덤 구조의 박막 태양전지를 개략적으로 나타낸 단면도이고, 도 2b는 종래에 따른 트리플 구조의 박막 태양전지를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 이 때, 동일한 명칭에 대해서는 동일한 도면 부호를 사용하고 중복 설명은 생략하도록 한다.FIG. 2A is a cross-sectional view schematically showing a conventional thin film solar cell having a tandem structure, and FIG. 2B is a cross-sectional view schematically illustrating a conventional thin film solar cell having a triple structure. At this time, the same reference numerals are used for the same names, and redundant description is omitted.

우선, 도 2a에 도시한 바와 같이, 종래에 따른 탠덤 구조의 박막 태양전지(5)는 투명한 유리나 플라스틱으로 이루어진 기판(10)과, 상기 기판(10)의 상부 면에 구성된 투명 도전패턴(30)과, 상기 투명 도전패턴(30) 상에 순차적으로 적층 구성된 p형, i형 및 n형 실리콘층(미도시)을 포함하는 p-i-n 구조의 제 1 광흡수층(41)과, 상기 제 1 광흡수층(41) 상에 순차적으로 적층 구성된 p형, i형 및 n형 실리콘층(미도시)을 포함하는 p-i-n 구조의 제 2 광흡수층(42)과, 상기 제 2 광흡수층(42) 상의 반사 전극(50)과, 상기 반사 전극(50)의 상부에 구성된 후면 전극(60)을 포함한다.2A, a conventional tandem thin film solar cell 5 includes a substrate 10 made of transparent glass or plastic, a transparent conductive pattern 30 formed on the upper surface of the substrate 10, A first light absorbing layer 41 having a pin structure including p-type, i-type and n-type silicon layers (not shown) which are sequentially stacked on the transparent conductive pattern 30; A second light absorbing layer 42 of a pin structure including p-type, i-type and n-type silicon layers (not shown) which are sequentially stacked on the first light absorbing layer 42 and the reflective electrode 50 And a rear electrode 60 formed on the reflective electrode 50.

이 때, 상기 제 1 광흡수층(41)의 p형, i형 및 n형 실리콘층은 비정질 실리콘(a-Si:H)으로, 상기 제 2 광흡수층(42)의 p형, i형 및 n형 실리콘층은 비정질 실리콘-게르마늄(a-Si:Ge)이나 마이크로 크리스탈 실리콘(μc-Si) 중 선택된 어느 하나가 이용될 수 있다.At this time, the p-type, i-type, and n-type silicon layers of the first light absorbing layer 41 are formed of amorphous silicon (a-Si: H) Type silicon layer may be selected from amorphous silicon-germanium (a-Si: Ge) or microcrystalline silicon (μc-Si).

또한, 도 2b에 도시한 바와 같이, 종래에 따른 트리플 구조의 박막 태양전지(5)는 투명 도전패턴(30)과 반사 전극(50)의 사이 공간에 제 1, 제 2, 제 3 광흡수층(43, 44, 45)이 차례로 적층 구성된다.2B, a conventional triple thin film solar cell 5 has first, second, and third light absorbing layers (not shown) in a space between the transparent conductive pattern 30 and the reflective electrode 50 43, 44 and 45 are stacked in this order.

상기 트리플 구조의 경우, 제 1 광흡수층(43)은 비정질 실리콘(a-Si)으로 이루어진 p-i-n 구조가, 제 2 광흡수층(44)은 비정질 실리콘-게르마늄(a-Si:Ge)으로 이루어진 p-i-n 구조가, 제 3 광흡수층(45)은 마이크로 크리스탈 실리콘(μc-Si)으로 이루어진 p-i-n 구조가 차례로 적층 구성되거나, 또는 제 1 광흡수층(43)은 비정질 실리콘(a-Si)으로 이루어진 p-i-n 구조가, 제 2 광흡수층(44)은 마이크로 크리스탈 실리콘(μc-Si)으로 이루어진 p-i-n 구조가, 제 3 광흡수층(45)은 비정질 실리콘-게르마늄(a-Si:Ge)으로 이루어진 p-i-n 구조가 차례로 적층 구성될 수 있으며, 각각의 구조 및 위치를 변경하여 다양하게 적용하는 것도 가능하다.In the case of the triple structure, the first light absorbing layer 43 has a pin structure made of amorphous silicon (a-Si) and the second light absorbing layer 44 has a pin structure made of amorphous silicon-germanium (a-Si: Ge) The pin structure of microcrystalline silicon (μc-Si) is stacked in order, or the pin structure of amorphous silicon (a-Si) is composed of the first photoabsorption layer 43, The second light absorbing layer 44 has a pin structure made of microcrystalline silicon (μc-Si), and the third light absorbing layer 45 has a pin structure made of amorphous silicon-germanium (a-Si: Ge) And it is also possible to apply variously by changing the structure and position of each of them.

그러나, 전술한 탠덤 구조나 트리플 구조의 박막 태양전지에서는 각각의 광흡수층, 즉 p형 실리콘층과 n형 실리콘층 간의 접촉특성이 좋지 않아 광전환 효율 을 극대화하는 데 어려움이 따르고 있는 상황이다.However, in the above-described tandem structure or triple structure thin film solar cell, the contact characteristics between the respective light absorbing layers, that is, the p-type silicon layer and the n-type silicon layer are poor and it is difficult to maximize the light conversion efficiency.

최근에는 이러한 문제를 개선하기 위해 각각의 광흡수층의 사이 공간으로 중간 투명 도전패턴을 개재하여 광전환 효율을 극대화하려는 노력이 진행되고 있으나, 이러한 구조에서는 중간 투명 도전패턴과 후면 전극이 전기적으로 접촉되는 내부 쇼트 불량에 의한 광전환 효율의 급격한 저하 문제가 대두되고 있다.In recent years, attempts have been made to maximize light conversion efficiency through an intermediate transparent conductive pattern as a space between respective light absorbing layers in order to solve this problem. However, in this structure, the intermediate transparent conductive pattern and the rear electrode are electrically contacted There has been a problem of drastically lowering the light conversion efficiency due to an internal short failure.

본 발명은 전술한 문제를 해결하기 위해 안출된 것으로, 탠덤 구조와 트리플 구조를 포함하는 멀티접합 구조 박막 태양전지에서 광흡수층들 간의 사이 공간으로 중간 투명 도전패턴을 개재하는 구조에서 내부 쇼트 불량을 방지하여 광전환 효율을 극대화하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been conceived to solve the problems described above, and it is an object of the present invention to provide a multi-junction thin film solar cell including a tandem structure and a triple structure, in which an intermediate transparent conductive pattern is interposed between light absorbing layers, Thereby maximizing the light conversion efficiency.

전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 박막 태양전지는 다수의 단위 셀로 구분된 기판과; 상기 기판의 상부 면에 제 1 폭으로 설계된 다수의 제 1 분리라인에 의해 상기 단위 셀별로 분리된 다수의 전면 투명 도전패턴과; 상기 전면 투명 도전패턴의 상부 면에 구성된 제 1 광흡수층과; 상기 제 1 광흡수층의 상부로 제 2 폭으로 설계된 다수의 제 2 분리라인에 의해 상기 단위 셀별로 분리된 다수의 중간 투명 도전패턴과; 상기 중간 투명 도전패턴의 상부에 구성된 제 2 광흡수층과; 상기 제 2 광흡수층의 상부로 상기 제 2 분리라인의 내부 사이 공간에 대응되며, 제 3 폭으로 설계된 제 3 분리라인에 의해 상기 단위 셀별로 분리된 다수의 반사 전극과; 상기 반사 전극의 상부로 상기 제 3 분리라인에 의해 다수의 전면 투명 도전패턴과 일대일로 접촉되고, 상기 제 2 분리라인에 의해 다수의 중간 투명 도전패턴과는 전기적으로 분리되며, 제 4 폭으로 설계된 다수의 제 4 분리라인에 의해 상기 단위 셀별로 분리된 다수의 후면 전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a thin film solar cell comprising: a substrate divided into a plurality of unit cells; A plurality of front transparent conductive patterns separated by the unit cells by a plurality of first dividing lines designed with a first width on an upper surface of the substrate; A first light absorbing layer formed on an upper surface of the front transparent conductive pattern; A plurality of intermediate transparent conductive patterns separated by the unit cells by a plurality of second dividing lines designed to have a second width above the first light absorbing layer; A second light absorbing layer formed on the upper portion of the intermediate transparent conductive pattern; A plurality of reflective electrodes corresponding to a space between the upper portions of the second light absorbing layer and the inner space of the second partitioning lines and separated by the third partitioning line designed for the third width; A plurality of first transparent conductive patterns formed on the first transparent conductive pattern, a plurality of first transparent conductive patterns formed on the first transparent conductive pattern, And a plurality of rear electrodes separated for each unit cell by a plurality of fourth separation lines.

이 때, 상기 제 2 폭은 100 ~ 150μm의 너비로 형성되고, 상기 제 3 분리라인은 상기 제 2 분리라인의 최외곽 양측 끝단으로부터 20 ~ 30μm의 범위로 각각 이격된 내부에 구성된 것을 특징으로 한다. 상기 다수의 중간 투명 도전패턴은 1 ~ 30nm의 두께로 형성된다.In this case, the second width is formed to have a width of 100 to 150 mu m, and the third separation lines are formed to be spaced apart from the outermost ends of the second separation line by 20 to 30 mu m, respectively . The plurality of intermediate transparent conductive patterns are formed to a thickness of 1 to 30 nm.

상기 제 1 광흡수층은 비정질 실리콘으로 이루어진 p형 실리콘층, i형 실리콘층 및 n형 실리콘층을 포함하며, 상기 p형 실리콘층은 20 ~ 50nm, i형 실리콘층은 200 ~ 600nm, n형 실리콘층은 20 ~ 50nm의 두께로 각각 형성된다.Wherein the first light absorbing layer comprises a p-type silicon layer made of amorphous silicon, an i-type silicon layer and an n-type silicon layer, the p-type silicon layer having a thickness of 20 to 50 nm, the i-type silicon layer having a thickness of 200 to 600 nm, The layers are each formed to a thickness of 20 to 50 nm.

또한, 상기 제 2 광흡수층은 비정질 실리콘-게르마늄이나 마이크로 크리스탈 실리콘 중 선택된 어느 하나로 이루어진 p형 실리콘층, i형 실리콘층 및 n형 실리콘층을 포함하며, 상기 p형 실리콘층은 20 ~ 50nm, i형 실리콘층은 400 ~ 1000nm, n형 실리콘은 20 ~ 50nm의 두께로 각각 형성된다.The second light absorbing layer may include a p-type silicon layer, an i-type silicon layer, and an n-type silicon layer each made of amorphous silicon-germanium or microcrystalline silicon. The p- -Type silicon layer is formed to a thickness of 400 to 1000 nm, and an n-type silicon layer is formed to a thickness of 20 to 50 nm.

상기 제 2 광흡수층과 반사 전극의 사이 공간으로 후면 투명 도전패턴과 제 3 광흡수층이 차례로 적층 구성된다.A rear transparent conductive pattern and a third light absorbing layer are sequentially stacked in a space between the second light absorbing layer and the reflective electrode.

전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 박막 태양전지의 제조방법은 다수의 단위 셀로 구분된 기판의 상부 면에 제 1 폭으로 설계된 다수의 제 1 분리라인에 의해 상기 단위 셀별로 분리된 다수의 전면 투명 도전패턴을 형성하는 단계와; 상기 전면 투명 도전패턴의 상부 면에 제 1 광흡수층을 형성하는 단계와; 상기 제 1 광흡수층의 상부로 제 2 폭으로 설계된 다수의 제 2 분리라인에 의해 상기 단위 셀별로 분리된 다수의 중간 투명 도전패턴을 형성하는 단계와; 상기 중간 투명 도전패턴의 상부에 제 2 광흡수층을 형성하는 단계와; 상기 제 2 광흡수층의 상부 로 상기 제 2 분리라인의 내부 사이 공간에 대응되며, 제 3 폭으로 설계된 제 3 분리라인에 의해 상기 단위 셀별로 분리된 다수의 반사 전극을 형성하는 단계와; 상기 반사 전극의 상부로 상기 제 3 분리라인에 의해 다수의 전면 투명 도전패턴과 일대일로 접촉되고, 상기 제 2 분리라인에 의해 다수의 중간 투명 도전패턴과는 전기적으로 분리되며, 제 4 폭으로 설계된 다수의 제 4 분리라인에 의해 상기 단위 셀별로 분리된 다수의 후면 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a thin film solar cell including a plurality of unit cells divided into a plurality of unit cells, Forming a front transparent conductive pattern; Forming a first light absorbing layer on an upper surface of the front transparent conductive pattern; Forming a plurality of intermediate transparent conductive patterns separated for each unit cell by a plurality of second dividing lines designed with a second width above the first light absorbing layer; Forming a second light absorbing layer on the intermediate transparent conductive pattern; Forming a plurality of reflective electrodes corresponding to a space between the upper portions of the second light absorbing layer and the interior of the second partitioning lines and separated by the third partitioning line designed for the third width; A plurality of first transparent conductive patterns formed on the first transparent conductive pattern, a plurality of first transparent conductive patterns formed on the first transparent conductive pattern, And forming a plurality of rear electrodes separated for each unit cell by a plurality of fourth separation lines.

이 때, 상기 제 2 폭은 100 ~ 150μm의 너비로 형성되고, 상기 제 3 분리라인은 상기 제 2 분리라인의 최외곽 양측 끝단으로부터 20 ~ 30μm의 범위로 각각 이격된 내부에 형성된 것을 특징으로 한다.In this case, the second width is formed to a width of 100 to 150 mu m, and the third separation lines are formed inside the spaced apart 20 to 30 mu m from both outermost ends of the second separation line .

상기 제 1, 제 2, 제 3, 제 4 분리라인은 레이저 가공장치에 의해 형성되며, 상기 다수의 중간 투명 도전패턴은 1 ~ 30nm의 두께로 형성된 것을 특징으로 한다.The first, second, third, and fourth separation lines are formed by a laser processing apparatus, and the plurality of intermediate transparent conductive patterns are formed to a thickness of 1 to 30 nm.

상기 제 1 광흡수층은 비정질 실리콘으로 이루어진 p형 실리콘층, i형 실리콘층 및 n형 실리콘층을 포함하며, 상기 p형 실리콘층은 20 ~ 50nm, i형 실리콘층은 200 ~ 600nm, n 형 실리콘은 20 ~ 50nm의 두께로 각각 형성된다.Wherein the first light absorbing layer comprises a p-type silicon layer made of amorphous silicon, an i-type silicon layer and an n-type silicon layer, the p-type silicon layer having a thickness of 20 to 50 nm, the i-type silicon layer having a thickness of 200 to 600 nm, Are each formed to a thickness of 20 to 50 nm.

또한, 상기 제 2 광흡수층은 비정질 실리콘-게르마늄이나 마이크로 크리스탈 실리콘 중 선택된 어느 하나로 이루어진 p형 실리콘층, i형 실리콘층 및 n형 실리콘층을 포함하며, 상기 p형 실리콘층은 20 ~ 50nm, i형 실리콘층은 400 ~ 1000nm, n형 실리콘은 20 ~ 50nm의 두께로 각각 형성된다.The second light absorbing layer may include a p-type silicon layer, an i-type silicon layer, and an n-type silicon layer each made of amorphous silicon-germanium or microcrystalline silicon. The p- -Type silicon layer is formed to a thickness of 400 to 1000 nm, and an n-type silicon layer is formed to a thickness of 20 to 50 nm.

상기 중간 투명 도전패턴은 인듐-틴-옥사이드, 산화주석 및 산화아연을 포함하는 투명한 도전성 산화물질 그룹 중 선택된 하나로 형성되며, 상기 제 2 광흡수 층과 반사 전극의 사이 공간으로 후면 투명 도전패턴과 제 3 광흡수층이 차례로 적층 형성된다.Wherein the intermediate transparent conductive pattern is formed of a selected one of transparent conductive oxide material groups including indium-tin-oxide, tin oxide, and zinc oxide, and a rear transparent conductive pattern is formed in a space between the second light- Three light absorbing layers are sequentially stacked.

본 발명에서는 광흡수층들 간의 사이 공간으로 중간 투명 도전패턴을 개재하는 것을 통해 광전환 효율을 극대화하면서, 단위 셀별로 위치하는 중간 투명 도전패턴을 전기적으로 분리하는 것을 통해 내부 쇼트 불량을 미연에 방지할 수 있는 효과가 있다.In the present invention, the intermediate transparent conductive pattern is interposed between the light absorbing layers to maximize the light conversion efficiency, and the intermediate transparent conductive pattern positioned per unit cell is electrically isolated to prevent the inner short defects There is an effect that can be.

--- 실시예 ------ Example ---

본 발명에서는 각 셀별로 광흡수층들 간의 사이 공간으로 중간 투명 도전패턴을 개재하는 구조에서 중간 투명 도전패턴과 후면 전극을 전기적으로 분리 구성하는 것을 통해 내부 쇼트 불량을 미연에 방지함과 동시에 광전환 효율이 우수한 박막 태양전지를 제공하는 것을 특징으로 한다.In the present invention, since the intermediate transparent conductive pattern and the rear electrode are electrically separated from each other in the structure in which the intermediate transparent conductive pattern is interposed between the light absorbing layers for each cell, the internal short defects can be prevented in advance, Thereby providing an excellent thin film solar cell.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 박막 태양전지에 대해 설명하도록 한다.Hereinafter, a thin film solar cell according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 3a는 본 발명에 따른 박막 태양전지를 나타낸 단면도로, 탠덤 구조를 일예로 설명하도록 한다.FIG. 3A is a cross-sectional view of a thin film solar cell according to the present invention, illustrating a tandem structure as an example.

도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 탠덤 구조의 박막 태양전지(105)는 다수 의 셀(C1, C2, C3)로 구분되며 유리나 금속으로 이루어진 기판(110)과, 상기 기판(110)의 상부 면에 제 1 폭(W1)으로 설계된 다수의 제 1 분리라인(separating line: SL1)에 의해 단위 셀(C1, C2, C3)별로 분리된 다수의 전면 투명 도전패턴(front transparent conductive pattern: 130a, 130b, 130c)과, 상기 전면 투명 도전패턴(130a, 130b, 130c)의 상부 면에 순차적으로 적층 구성된 p형 실리콘층(141a), i형 실리콘층(141b) 및 n형 실리콘층(141c)을 포함하는 p-i-n 구조의 제 1 광흡수층(141)과, 상기 제 1 광흡수층(141)의 상부로 제 2 폭(W2)으로 설계된 다수의 제 2 분리라인(SL2)에 의해 단위 셀(C1, C2, C3)별로 분리된 다수의 중간 투명 도전패턴(170a, 170b, 170c)과, 상기 중간 투명 도전패턴(170a, 170b, 170c)의 상부로 순차적으로 적층 구성된 p형 실리콘층(142a), i형 실리콘층(142b) 및 n형 실리콘층(142c)을 포함하는 p-i-n 구조의 제 2 광흡수층(142)과, 상기 제 2 광흡수층(142)의 상부로 제 2 분리라인(SL2)의 내부 사이 공간에 대응되며, 제 3 폭(W3)으로 설계된 제 3 분리라인(SL3)에 의해 단위 셀(C1, C3, C3)별로 분리된 다수의 반사 전극(150a, 150b, 150c)과, 상기 반사 전극(150a, 150b, 150c)의 상부로 제 3 분리라인(SL3)에 의해 다수의 전면 투명 도전패턴(130a, 130b, 130c)과 일대일로 접촉되고, 상기 제 2 분리라인(SL2)에 의해 다수의 중간 투명 도전패턴(170a, 170b, 170c)과는 전기적으로 분리되며, 제 4 폭(W4)으로 설계된 다수의 제 4 분리라인(SL4)에 의해 단위 셀(C1, C2, C3)별로 분리된 다수의 후면 전극(160a, 160b, 160c)을 포함한다.As shown in the drawing, the thin film solar cell 105 of a tandem structure according to the present invention includes a substrate 110 divided into a plurality of cells C1, C2, and C3 and made of glass or metal, A plurality of front transparent conductive patterns 130a and 130b separated by the unit cells C1, C2, and C3 by a plurality of first separating lines SL1, each having a first width W1, Type silicon layer 141a, an i-type silicon layer 141b and an n-type silicon layer 141c which are sequentially stacked on the upper surfaces of the front transparent conductive patterns 130a, 130b and 130c The unit cells C1, C2, and C3 are formed by a first light absorbing layer 141 having a pin structure having a pin structure and a plurality of second separation lines SL2 having a second width W2 formed above the first light absorbing layer 141, A plurality of intermediate transparent conductive patterns 170a, 170b and 170c separated by the intermediate transparent conductive patterns 170a, 170b and 170c, a second light absorbing layer 142 having a pin structure including a p-type silicon layer 142a, an i-type silicon layer 142b and an n-type silicon layer 142c; C3 and C3 separated by the third separation line SL3 corresponding to the interspace between the first and second separation lines SL1 and SL2 and the third width W3, 150b and 150c are in contact with a plurality of front transparent conductive patterns 130a, 130b and 130c in a one-to-one manner by a third separation line SL3 above the reflective electrodes 150a, 150b and 150c, The unit cell C1 is electrically separated from the plurality of intermediate transparent conductive patterns 170a, 170b and 170c by the separation line SL2 and by a plurality of fourth separation lines SL4 designed as the fourth width W4. And a plurality of rear electrodes 160a, 160b,

이 때, 상기 반사 전극(150a, 150b, 150c)은 반사율이 우수한 알루미늄(Al) 과 은(Ag)을 포함하는 도전성 물질 그룹 중 선택된 하나로 구성되며, 제 1 및 제 2 광흡수층(141, 142)을 통과하는 빛의 산란 특성을 극대화하는 기능을 한다.The reflective electrodes 150a, 150b and 150c are formed of one selected from the group consisting of conductive materials including aluminum (Al) and silver (Ag) having excellent reflectivity. The first and second light absorbing layers 141 and 142, To maximize the scattering characteristics of the light passing through the light source.

상기 전면 투명 도전패턴(130a, 130b, 130c)과 중간 투명 도전패턴(170a, 170b, 170c)은 인듐-틴-옥사이드(ITO), 산화주석(SnO:F, SnO:B), 산화아연(ZnO:Al)을 포함하는 투명한 도전성 산화물질 그룹 중 선택된 하나로 구성된다.The front transparent conductive patterns 130a, 130b and 130c and the intermediate transparent conductive patterns 170a, 170b and 170c are made of indium tin oxide (ITO), tin oxide (SnO 2), zinc oxide : Al). ≪ / RTI >

이 때, 상기 제 1, 제 2 및 제 4 분리라인(SL1, SL2, SL4)은 서로 이격되도록 구성하며, 상기 제 3 분리라인(SL3)은 제 2 분리라인(SL2)의 내부에서 제 2 폭(W2) 보다 좁은 제 3 폭(W3)으로 설계한 것을 특징으로 한다. 즉, 상기 제 2 분리라인(SL2)에 대응된 제 2 폭(W2)은 100 ~ 150μm의 너비로 설계하고, 상기 제 2 분리라인(SL2)의 최외곽 양측 끝단으로부터 20 ~ 30μm의 범위로 각각 이격된 내부로 제 3 분리라인(SL3)을 구성하는 것이 바람직하다.In this case, the first, second, and fourth separation lines SL1, SL2, and SL4 are spaced apart from each other, and the third separation line SL3 has a second width And a third width W3 that is narrower than the first width W2. That is, the second width W2 corresponding to the second separation line SL2 is designed to have a width of 100 to 150 mu m, and the width W2 of the second separation line SL2 ranges from 20 to 30 mu m from both ends of the outermost periphery of the second separation line SL2 It is preferable to configure the third separation line SL3 as a spaced-apart interior.

이 때, 상기 제 1, 제 2 및 제 4 분리라인(SL1, SL2, SL4) 각각의 폭(W1, W2, W3, W4)은 서로 같거나 다르도록 설계될 수 있다.At this time, the widths W1, W2, W3, and W4 of the first, second, and fourth separation lines SL1, SL2, and SL4 may be designed to be equal to or different from each other.

상기 제 1 광흡수층(141)의 p형, i형 및 n형 실리콘층(141a, 141b, 141c)은 비정질 실리콘(a-Si:H)이 이용되고, 상기 제 2 광흡수층(142)의 p형, i형 및 n형 실리콘층(142a, 142b, 142c)은 비정질 실리콘-게르마늄(a-Si:Ge)이나 마이크로 크리스탈 실리콘(μc-Si) 중 선택된 어느 하나가 이용될 수 있다.Amorphous silicon (a-Si: H) is used for the p-type, i-type and n-type silicon layers 141a, 141b and 141c of the first light absorbing layer 141, Type silicon layer 142a, 142b or 142c may be formed of any one selected from amorphous silicon-germanium (a-Si: Ge) and microcrystalline silicon (μc-Si).

일반적으로, 상기 제 1 광흡수층(141)의 p형 실리콘층(141a)은 20 ~ 50nm, i형 실리콘층(141b)은 200 ~ 600nm, n형 실리콘층(141c)은 20 ~ 50nm로, 상기 제 2 광흡수층(142)의 p형 실리콘층(142a)은 20 ~ 50nm, i형 실리콘층(142b)은 400 ~ 1000nm, n형 실리콘층(142c)은 20 ~ 50nm의 두께로 각각 형성된다. 특히, 상기 제 1 및 제 2 광흡수층(141, 142)의 사이 공간으로 개재되는 중간 투명 도전패턴(170a, 170b, 170c)은 1 ~ 30nm 정도의 매우 얇은 두께로 형성한 것을 특징으로 한다.In general, the p-type silicon layer 141a of the first light absorbing layer 141 is 20 to 50 nm, the i-type silicon layer 141b is 200 to 600 nm, the n-type silicon layer 141c is 20 to 50 nm, The p-type silicon layer 142a of the second light absorbing layer 142 is formed to a thickness of 20 to 50 nm, the i-type silicon layer 142b is formed to have a thickness of 400 to 1000 nm, and the n-type silicon layer 142c has a thickness of 20 to 50 nm. In particular, the intermediate transparent conductive patterns 170a, 170b, and 170c interposed between the first and second light absorbing layers 141 and 142 are formed to have a very thin thickness of about 1 to 30 nm.

전술한 구성은 제 1 및 제 2 광흡수층(141, 142)의 사이 공간으로 1 ~ 30nm 정도의 매우 얇은 두께를 가지는 중간 투명 도전패턴(170a, 170b, 170c)을 개재하는 것을 통해 제 1 광흡수층(141)과 제 2 광흡수층(142) 간 계면에서의 접촉 특성을 향상시킬 수 있는 바, 이를 통해 광전환 효율을 극대화할 수 있게 된다.The above-described structure is achieved by interposing the intermediate transparent conductive patterns 170a, 170b, and 170c having a very thin thickness of about 1 to 30 nm in the space between the first and second light absorbing layers 141 and 142, It is possible to improve the contact characteristics at the interface between the second light absorbing layer 141 and the second light absorbing layer 142, thereby maximizing the light conversion efficiency.

또한, 상기 중간 투명 도전패턴(170a, 170b, 170c)과 후면 전극(160a, 160b, 160c) 간 접합에 의해 야기되는 내부 쇼트현상을 방지할 수 있도록, 각 단위 셀(C1, C2, C3)별로 중간 투명 도전패턴(170a, 170b, 170c)과 제 1 광흡수층(141)을 전기적으로 분리하는 제 2 분리라인(SL2)의 설계로 중간 투명 도전패턴(170a, 170b, 170c)과 후면 전극(160a, 160b, 160c) 간의 내부 쇼트 불량을 미연에 방지할 수 있는 장점이 있다.In order to prevent internal short-circuiting caused by the junction between the intermediate transparent conductive patterns 170a, 170b, and 170c and the rear electrodes 160a, 160b, and 160c, The intermediate transparent conductive patterns 170a, 170b and 170c and the rear electrode 160a are formed by designing the second separation line SL2 for electrically separating the intermediate transparent conductive patterns 170a, 170b and 170c from the first light absorbing layer 141. [ 160b, and 160c can be prevented in advance.

특히, 본 발명에서는 제 2 분리라인(SL2)의 설계로 각 단위 셀(C1, C2, C3)별로 위치하는 다수의 중간 투명 도전패턴(170a, 170b, 170c)을 전기적으로 분리시키고, 상기 제 2 분리라인(SL2)과 이격된 일측에 위치하는 제 3 분리라인(SL3)을 통해 다수의 전면 투명 도전패턴(130a, 130b, 130c)과 각각 접촉하는 다수의 후면 전극(160a, 160b, 160c)을 중간 투명 도전패턴(170a, 170b, 170c)과 전기적으로 분리되도록 설계한 것을 특징으로 한다.Particularly, in the present invention, the plurality of intermediate transparent conductive patterns 170a, 170b, and 170c located in the unit cells C1, C2, and C3 are electrically separated by the design of the second separation line SL2, A plurality of rear electrodes 160a, 160b, and 160c, which are in contact with the plurality of front transparent conductive patterns 130a, 130b, and 130c, respectively, through the separation line SL2 and the third separation line SL3, And is electrically separated from the intermediate transparent conductive patterns 170a, 170b, and 170c.

특히, 상기 제 3 분리라인(SL3)은 제 2 분리라인(SL2)의 내부에 위치하는 제 1 광흡수층(141)을 모두 제거하여 제 1 광흡수층(141) 하부의 전면 투명 도전패턴(130a, 130b, 130c)이 노출되도록 한다.Particularly, the third separation line SL3 removes all of the first light absorption layer 141 located in the second separation line SL2 to form the front transparent conductive patterns 130a, 130b under the first light absorption layer 141, 130b, and 130c are exposed.

이 때, 상기 다수의 중간 투명 도전패턴(170a, 170b, 170c)과 다수의 후면 전극(160a, 160b, 160c)을 전기적으로 분리 구성하는 것은 다수의 후면 전극(160a, 160b, 160c)과 중간 투명 도전패턴(170a, 170b, 170c)이 전기적으로 접촉되는 쇼트 불량이 발생하게 되면, 제 1 및 제 2 광흡수층(141, 142)의 광전환 효율을 급격히 저하시키는 요인으로 작용하기 때문이다. 이 때, 단위 셀(C1, C2, C3)별로 위치하는 다수의 전면 투명 도전패턴(130a, 130b, 130c)과 후면 전극(160a, 160b, 160c) 간의 전기적 접촉에 의해 박막 태양전지의 직렬연결이 가능해진다.The plurality of intermediate transparent conductive patterns 170a, 170b and 170c and the plurality of rear electrodes 160a, 160b and 160c are electrically separated from each other by the plurality of rear electrodes 160a, 160b and 160c, This is because, if a short failure occurs in which the conductive patterns 170a, 170b, and 170c are in electrical contact, the light conversion efficiency of the first and second light absorbing layers 141 and 142 sharply decreases. At this time, the serial connection of the thin-film solar cells is performed by electrical contact between the plurality of front transparent conductive patterns 130a, 130b, and 130c and the rear electrodes 160a, 160b, and 160c located in the unit cells C1, It becomes possible.

도 3b는 본 발명에 따른 박막 태양전지를 나타낸 평면도이다.3B is a plan view of a thin film solar cell according to the present invention.

도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 박막 태양전지(105)는 광투과율을 향상키시기 위한 목적으로 다수의 제 4 분리라인(SL4)으로 다수의 셀(130)을 절단하게 된다.As shown in the figure, the thin film solar cell 105 according to the present invention cuts a plurality of cells 130 with a plurality of fourth separation lines SL4 for the purpose of improving light transmittance.

이 때, 다수의 제 3 분리라인(SL4)에 의해 수평한 방향에 대응하여 직사각형 형태로 직렬 연결된 다수의 셀(130)에 있어서, 제 1 및 제 2 광흡수층과 전면 투명 도전패턴 등이 외부로 노출된다. 상기 다수의 제 4 분리라인(SL4)의 가공 폭(W4)은 300 ~ 500μm의 범위로, 직렬 연결되는 다수의 셀(130)의 폭(W5)은 6 ~ 10mm의 범위로 설계하는 것이 바람직하다.In this case, in the plurality of cells 130 connected in series in a rectangular shape corresponding to the horizontal direction by the plurality of third separation lines SL4, the first and second light absorption layers, the front transparent conductive pattern, Exposed. It is preferable that the processing width W4 of the fourth separation line SL4 is in the range of 300 to 500 mu m and the width W5 of the plurality of cells 130 connected in series is in the range of 6 to 10 mm .

전술한 구성을 가지는 다수의 태양전지 셀은 수평한 방향의 최외곽 끝단으로 제 1 및 제 2 배선(미도시)을 설계하는 것을 통해 다수의 셀(130)을 병렬로 연결할 수 있게 된다.A plurality of cells 130 having the above-described configuration can be connected in parallel by designing the first and second wires (not shown) at the outermost ends in the horizontal direction.

이하, 본 발명에 따른 박막 태양전지의 제조방법을 통해 보다 상세히 설명하도록 한다.Hereinafter, a manufacturing method of the thin film solar cell according to the present invention will be described in more detail.

도 4a 내지 도 4h는 본 발명에 따른 박막 태양전지의 제조과정을 공정 순서에 따라 순차적으로 나타낸 공정 단면도이다.4A to 4H are cross-sectional views sequentially illustrating the manufacturing process of the thin film solar cell according to the present invention in the order of process.

도 4a에 도시한 바와 같이, 다수의 셀(C1, C2, C3)로 구분되며 유리나 금속 재질로 이루어진 기판(110) 상에 인듐-틴-옥사이드(ITO), 산화주석(SnO:F, SnO:B), 산화아연(ZnO:Al)을 포함하는 투명한 도전성 산화물질 그룹 중 선택된 하나로 전면 투명 도전층(130)을 형성한다. 이 때, 상기 전면 투명 도전층(130)은 5000Å 이상의 두께로 형성하는 것이 바람직하다.(ITO), tin oxide (SnO 2: F, SnO 2: SnO 2) on a substrate 110 made of glass or metal and divided into a plurality of cells C 1, B, and zinc oxide (ZnO: Al). In this case, the entire transparent conductive layer 130 is formed of a selected one of the transparent conductive oxide materials. At this time, the front transparent conductive layer 130 is preferably formed to a thickness of 5000 ANGSTROM or more.

상기 전면 투명 도전층(130)은 스퍼터링법이나 화학기상증착법 중 선택된 어느 하나가 이용될 수 있다. 또한, 투명한 도전성 산화물질을 포함하는 졸-겔 용액을 스프레이 방식으로 분사하여 기판(110) 상에 직접 도포 또는 프린팅하는 스프레이법이 이용될 수 있다.The front transparent conductive layer 130 may be formed of any one selected from a sputtering method and a chemical vapor deposition method. In addition, a spray method in which a sol-gel solution containing a transparent conductive oxide material is sprayed and sprayed or printed directly on the substrate 110 may be used.

도 4b에 도시한 바와 같이, 상기 전면 투명 도전층(도 4a의 130)이 형성된 기판(110)과 이격된 상부로 제 1 레이저 가공장치(미도시)를 위치시키고, 상기 제 1 레이저 가공장치를 이용한 제 1 레이저 커팅공정으로 전면 투명 도전층을 패터닝하게 되면, 제 1 폭(W1)으로 설계된 제 1 분리라인(SL1)에 의해 단위 셀(C1, C2, C3)별로 등 간격을 유지하며 이격된 다수의 전면 투명 도전패턴(130a, 130b, 130c) 이 각각 형성된다.4B, a first laser processing apparatus (not shown) is positioned above the substrate 110 on which the front transparent conductive layer 130 (FIG. 4A) is formed, and the first laser processing apparatus When the front transparent electroconductive layer is patterned by the first laser cutting process using the first width W1, the unit cells C1, C2, and C3 are equally spaced apart from each other by the first separation line SL1 designed to have the first width W1, A plurality of front transparent conductive patterns 130a, 130b, and 130c are formed.

이 때, 상기 제 1 레이저 커팅공정에 의해 전면 투명 도전패턴(130a, 130b, 130c) 간의 사이 공간에 위치하는 제 1 분리라인(SL1)에 대응된 부분에 위치하는 기판(110)이 외부로 노출된다.At this time, the substrate 110 positioned at the portion corresponding to the first separation line SL1 located in the space between the front transparent conductive patterns 130a, 130b, and 130c is exposed to the outside by the first laser cutting process do.

도 4c에 도시한 바와 같이, 상기 다수의 전면 투명 도전패턴(130a, 130b, 130c)이 형성된 기판(110) 상에 p형 실리콘층(141a), i형 실리콘층(141b) 및 n형 실리콘층(141c)을 차례로 적층하여 p-i-n 구조의 제 1 광흡수층(141)을 형성한다.4C, a p-type silicon layer 141a, an i-type silicon layer 141b, and an n-type silicon layer 141b are formed on a substrate 110 on which the plurality of front transparent conductive patterns 130a, 130b, and 130c are formed, (141c) are sequentially stacked to form a first light absorbing layer (141) having a pin structure.

이 때, 상기 제 1 광흡수층(141)의 p형, i형 및 n형 실리콘층(141a, 141b, 141c)은 비정질 실리콘(a-Si:H)이 이용된다. 상기 제 1 광흡수층(141)의 p형 실리콘층(141a)은 20 ~ 50nm, i형 실리콘층(141b)은 200 ~ 600nm, n형 실리콘층(141c)은 20 ~ 50nm의 두께로 각각 형성하는 것이 바람직하다.At this time, amorphous silicon (a-Si: H) is used for the p-type, i-type and n-type silicon layers 141a, 141b and 141c of the first light absorbing layer 141. The i-type silicon layer 141b and the n-type silicon layer 141c are formed to a thickness of 20 to 50 nm, 200 to 600 nm, and 20 to 50 nm, respectively, in the first light absorbing layer 141 .

다음으로, 상기 p-i-n 구조의 제 1 광흡수층(141)의 상부로 인듐-틴-옥사이드(ITO), 산화주석(SnO:F, SnO:B), 산화아연(ZnO:Al)을 포함하는 투명한 도전성 산화물질 그룹 중 선택된 하나를 1 ~ 30nm의 두께로 증착하여 중간 투명 도전층(170)을 형성한다. 이러한 중간 투명 도전층(170)은 전면 투명 도전층(도 4a의 130)과 동일한 방식으로 형성될 수 있다.Next, a transparent conductive layer (not shown) including indium tin oxide (ITO), tin oxide (SnO 2: F, SnO 2: B) and zinc oxide The intermediate transparent conductive layer 170 is formed by depositing a selected one of the oxide material groups to a thickness of 1 to 30 nm. The intermediate transparent conductive layer 170 may be formed in the same manner as the front transparent conductive layer 130 (FIG. 4A).

도 4d에 도시한 바와 같이, 상기 중간 투명 도전층(도 4c의 170)이 형성된 기판(110)과 이격된 상부로 제 2 레이저 가공장치(미도시)를 위치시키고, 상기 제 2 레이저 가공장치를 이용한 제 2 레이저 커팅공정으로 중간 투명 도전층과 제 1 광흡수층(141)를 패터닝하게 되면, 제 1 분리라인(SL1)과 이격된 일 측으로 제 2 폭(W2)으로 설계된 제 2 분리라인(SL2)에 의해 단위 셀(C1, C2, C3)별로 등 간격을 유지하며 이격된 다수의 중간 투명 도전패턴(170a, 170b, 170c)이 각각 형성된다.4D, a second laser processing apparatus (not shown) is positioned above the substrate 110 on which the intermediate transparent conductive layer 170 (FIG. 4C) is formed, and the second laser processing apparatus The second separation line SL2 designed as the second width W2 is formed on one side of the first separation line SL1 by patterning the intermediate transparent conductive layer and the first light absorption layer 141 by the second laser- A plurality of intermediate transparent conductive patterns 170a, 170b, and 170c spaced apart from each other by the unit cells C1, C2, and C3 are formed.

이 때, 상기 제 2 분리라인(SL3)에 대응된 제 2 폭(W2)은 100 ~ 150μm의 너비로 설계하는 것이 바람직하다.At this time, it is preferable that the second width W2 corresponding to the second separation line SL3 is designed to have a width of 100 to 150 mu m.

특히, 상기 제 2 레이저 커팅공정시 중간 투명 도전층과 제 1 광흡수층(141)을 모두 제거하는 것을 통해 상기 제 1 광흡수층(141) 하부에 위치하는 다수의 전면 투명 도전패턴(130a, 130b, 130c)이 외부로 노출되도록 한다.Particularly, by removing both the intermediate transparent conductive layer and the first light absorbing layer 141 during the second laser cutting process, a large number of front transparent conductive patterns 130a, 130b, 130c are exposed to the outside.

전술한 구성에서, 상기 제 1 광흡수층(141)의 상부로 중간 투명 도전패턴(170a, 170b, 170c)을 매우 얇은 두께로 형성하고, 중간 투명 도전패턴(170a, 170b, 170c)과 제 1 광흡수층(141)을 단위 셀(C1, C2, C3)별로 전기적으로 분리하는 제 2 분리라인(SL2)을 형성하는 것을 특징으로 하는 바, 이에 대해서는 후술하도록 한다.The intermediate transparent conductive patterns 170a, 170b and 170c are formed to a very thin thickness on the first light absorbing layer 141 and the intermediate transparent conductive patterns 170a, 170b and 170c and the first light A second separation line SL2 for electrically separating the absorption layer 141 for each unit cell C1, C2, and C3 is formed. This will be described later.

도 4e에 도시한 바와 같이, 상기 제 2 분리라인(SL2)에 의해 각각의 단위 셀(C1, C2, C3)별로 분리된 다수의 중간 투명 도전패턴(170a, 170b, 170c)의 상부로 p형 실리콘층(142a), i형 실리콘층(142b) 및 n형 실리콘층(142c)을 차례로 적층하여 p-i-n 구조의 제 2 광흡수층(142)을 형성한다.As shown in FIG. 4E, the upper part of the plurality of intermediate transparent conductive patterns 170a, 170b, and 170c separated by the second separation line SL2 for each unit cell C1, C2, The silicon layer 142a, the i-type silicon layer 142b and the n-type silicon layer 142c are sequentially stacked to form a second light absorbing layer 142 having a pin structure.

상기 제 2 광흡수층(142)의 p형, i형 및 n형 실리콘층(142a, 142b, 142c)은 비정질 실리콘-게르마늄(a-Si:Ge)이나 마이크로 크리스탈 실리콘(μc-Si) 중 선택된 어느 하나가 이용될 수 있다. 이 때, 상기 제 2 광흡수층(142)의 p형 실리콘층(142a)은 20 ~ 50nm, i형 실리콘층(142b)은 400 ~ 1000nm, n형 실리콘층(142c)은 20 ~ 50nm의 두께로 각각 형성된다.The p-type, i-type and n-type silicon layers 142a, 142b and 142c of the second light absorbing layer 142 are formed of amorphous silicon-germanium (a-Si: Ge) or microcrystalline silicon One can be used. At this time, the p-type silicon layer 142a, the i-type silicon layer 142b, and the n-type silicon layer 142c of the second light absorbing layer 142 have a thickness of 20 to 50 nm, 400 to 1000 nm, and 20 to 50 nm, respectively Respectively.

다음으로, 상기 제 2 광흡수층(142)이 형성된 기판(110) 상부로 반사율이 우수한 알루미늄(Al)과 은(Ag)을 포함하는 도전성 물질 그룹 중 선택된 하나로 반사층(150)을 형성한다. 상기 반사층(150)은 제 1 및 제 2 광흡수층(141, 142)을 통과하는 빛의 산란 특성을 극대화하는 기능을 한다.Next, a reflective layer 150 is formed on the substrate 110 on which the second light absorbing layer 142 is formed, using a selected one of a conductive material group including aluminum (Al) and silver (Ag) having excellent reflectivity. The reflective layer 150 functions to maximize scattering characteristics of light passing through the first and second light absorbing layers 141 and 142.

도 4f에 도시한 바와 같이, 상기 제 2 광흡수층(142)과 반사층(도 4e의 150)이 형성된 기판(110)과 이격된 상부로 제 3 레이저 가공장치(미도시)를 위치시키고, 상기 제 3 레이저 가공장치를 이용한 제 3 레이저 커팅공정으로 반사층, 제 2 광흡수층(142), 중간 투명 도전패턴(170a, 170b, 170c) 및 제 1 광흡수층(141)을 일괄적으로 패터닝하게 되면, 제 2 분리라인(SL2)의 내부에서 제 2 분리라인(SL2) 보다 좁은 제 3 폭(W3)으로 설계된 제 3 분리라인(H3)에 의해 단위 셀(C1, C2, C3)별로 등 간격을 유지하며 이격된 반사 전극(150a, 150b, 150c)이 각각 형성된다. 이 때, 상기 제 2 분리라인(SL2)의 내부에 위치하는 제 3 분리라인(SL3)은 제 2 분리라인(SL2)의 최외곽 양측 끝단으로부터 20 ~ 30μm의 범위로 각각 이격되도록 설계하는 것이 바람직하다.A third laser processing apparatus (not shown) is disposed at an upper portion of the substrate 110 separated from the substrate 110 on which the second light absorbing layer 142 and the reflective layer 150 are formed as shown in FIG. 4F, When the reflective layer, the second light absorbing layer 142, the intermediate transparent conductive patterns 170a, 170b, and 170c, and the first light absorbing layer 141 are collectively patterned by the third laser cutting process using the laser processing apparatus 3, C2 and C3 by the third division line H3 designed in the third division line SL2 to have a third width W3 narrower than the second division line SL2 Spaced reflective electrodes 150a, 150b and 150c, respectively. In this case, it is preferable that the third separation line SL3 located inside the second separation line SL2 is designed to be spaced apart from the outermost both ends of the second separation line SL2 by 20 to 30 mu m Do.

이 때, 상기 제 3 레이저 커팅공정에 의해 제 3 분리라인(SL3)에 대응된 부분에 위치하는 다수의 전면 투명 도전패턴(130a, 130b, 130c)이 외부로 노출된다.At this time, a plurality of front transparent conductive patterns 130a, 130b, and 130c located at portions corresponding to the third separation line SL3 are exposed to the outside by the third laser cutting process.

도 4g에 도시한 바와 같이, 상기 다수의 반사 전극(150a, 150b, 150c)이 형성된 기판(110)과 이격된 상부로 니켈(Ni), 금(Au), 은(Ag), 크롬(Cr), 타이타늄(Ti) 및 팔라듐(Pd) 중 선택된 어느 하나로 이루어진 단일층이나, 이들을 차례로 적층 구성한 이중층이나 삼중층에서 선택된 어느 하나로 후면 금속층(180)을 형성한다.(Ni), gold (Au), silver (Ag), and chrome (Cr) are formed on the upper surface of the substrate 110 where the plurality of reflective electrodes 150a, 150b, 150c are formed, , Titanium (Ti), and palladium (Pd), or a double layer or a triple layer in which the layers are sequentially stacked.

도 4h에 도시한 바와 같이, 상기 후면 금속층(도 4g의 180)이 형성된 기판(110)과 이격된 상부로 제 4 레이저 가공장치(미도시)를 위치시키고, 상기 제 4 레이저 가공장치를 이용한 제 4 레이저 커팅공정으로 후면 금속층, 반사 전극(150a, 150b, 150c), 제 2 광흡수층(142), 중간 투명 금속패턴(170a, 170b, 170c) 및 제 1 광흡수층(141)을 일괄적으로 패터닝하게 되면, 제 1, 제 2 및 제 3 분리라인(SL1, SL2, SL3)과 이격된 일 측으로 제 4 폭(W4)으로 설계된 제 4 분리라인(SL4)에 의해 단위 셀(C1, C2, C3)별로 등 간격을 유지하며 이격된 다수의 후면 전극(180a, 180b, 180c)이 각각 형성된다.4H, a fourth laser processing apparatus (not shown) is positioned at an upper portion apart from the substrate 110 on which the rear metal layer 180 (FIG. 4G) is formed, and the fourth laser processing apparatus 4 laser cutting process, the rear metal layer, the reflective electrodes 150a, 150b and 150c, the second light absorbing layer 142, the intermediate transparent metal patterns 170a, 170b and 170c and the first light absorbing layer 141 are collectively patterned The unit cells C1, C2, and C3 are divided by the fourth division line SL4 designed as the fourth width W4 as one side separated from the first, second and third division lines SL1, SL2 and SL3. A plurality of spaced rear electrodes 180a, 180b and 180c are formed.

즉, 본 발명에서는 중간 투명 도전패턴(170a, 170b, 170c)을 각 셀(C1, C2, C3)별로 전기적으로 분리하는 제 2 분리라인(SL2)을 형성하고, 상기 제 2 분리라인(SL2)의 내부로 제 2 폭(W2) 보다 좁은 제 3 폭(W3)으로 설계된 제 3 분리라인(SL3)의 설계로 제 1 광흡수층(141)의 하부에 위치하는 다수의 전면 투명 도전패턴(130a, 130b, 130c)을 노출하는 것을 특징으로 한다.That is, in the present invention, the second separation line SL2 for electrically separating the intermediate transparent conductive patterns 170a, 170b, and 170c for each cell C1, C2, and C3 is formed, A plurality of front transparent conductive patterns 130a, 130b positioned below the first light absorbing layer 141 by designing the third separation line SL3 designed to have a third width W3 narrower than the second width W2, 130b, and 130c.

이 때, 단위 셀(C1, C2, C3)별로 패터닝되는 제 2 분리라인(SL2)을 설계하지 않고, 제 1 광흡수층(141) 상부 전면으로 중간 투명 도전층(도 4c의 170)을 형성하다 보면, 중간 투명 도전층과 후면 전극(180a, 180b, 180c)의 접합에 의한 내부 쇼트 현상으로 인해 어느 한 특성 셀에서 다음 셀로 전류가 인가되지 않는 라인 불량(line defect)이 발생될 수 있다.At this time, the intermediate transparent conductive layer (170 in FIG. 4C) is formed on the entire upper surface of the first light absorbing layer 141 without designing the second separation line SL2 patterned for each unit cell C1, C2, As a result, an internal short circuit due to the junction of the intermediate transparent conductive layer and the rear electrodes 180a, 180b and 180c may cause a line defect in which no current is applied to the next cell from one characteristic cell.

그러나, 본 발명에서와 같이, 각 단위 셀(C1, C2, C3)별로 위치하는 중간 투명 도전패턴(170a, 170b, 170c)과 후면 전극(160a, 160b, 160c) 간의 전기적 접합에 의해 야기되는 내부 쇼트현상이 발생되지 않도록 각 단위 셀(C1, C2, C3)의 중간 투명 도전패턴(170a, 170b, 170c)을 전기적으로 분리하는 제 2 분리라인(SL2)을 설계하는 것을 통해 이러한 문제를 해결할 수 있게 되고, 나아가 고효율의 박막 태양전지를 구현할 수 있는 구조적인 장점이 있다.However, as in the present invention, since the internal transparent conductive patterns 170a, 170b, and 170c positioned in the unit cells C1, C2, and C3 are electrically connected to the back electrodes 160a, 160b, and 160c, This problem can be solved by designing the second separation line SL2 for electrically separating the intermediate transparent conductive patterns 170a, 170b, and 170c of the unit cells C1, C2, and C3 so as to prevent a short phenomenon In addition, there is a structural advantage in that a thin film solar cell with high efficiency can be realized.

이 때, 상기 제 4 레이저 커팅공정에 의해 제 4 폭(W4)으로 설계된 제 4 분리라인(SL4)에 대응된 부분에 위치하는 다수의 전면 투명 도전패턴(130a, 130b, 130c)이 외부로 노출된다.At this time, a plurality of front transparent conductive patterns 130a, 130b, and 130c positioned at a portion corresponding to the fourth separation line SL4 designed to have a fourth width W4 by the fourth laser cutting process are exposed to the outside do.

따라서, 본 발명에서는 제 2 분리라인(SL2)의 설계로 각 단위 셀(C1, C2, C3)별로 위치하는 다수의 중간 투명 도전패턴(170a, 170b, 170c)을 전기적으로 분리시키고, 상기 제 2 분리라인(SL2)과 이격된 일측에 위치하는 제 3 분리라인(SL3)을 통해 다수의 전면 투명 도전패턴(130a, 130b, 130c)과 각각 접촉하는 다수의 후면 전극(160a, 160b, 160c)을 중간 투명 도전패턴(170a, 170b, 170c)과 전기적으로 분리되도록 설계하는 것을 통해 내부 쇼트 불량을 미연에 방지할 수 있는 장점이 있다.Accordingly, in the present invention, the plurality of intermediate transparent conductive patterns 170a, 170b, and 170c located in each unit cell C1, C2, and C3 are electrically separated by the design of the second separation line SL2, A plurality of rear electrodes 160a, 160b, and 160c, which are in contact with the plurality of front transparent conductive patterns 130a, 130b, and 130c, respectively, through the separation line SL2 and the third separation line SL3, It is advantageous to prevent the inner short defects through designing to be electrically separated from the intermediate transparent conductive patterns 170a, 170b, and 170c.

이상으로, 본 발명에 따른 박막 태양전지를 제작할 수 있다.Thus, the thin film solar cell according to the present invention can be manufactured.

지금까지, 본 발명에서는 탠덤 구조에 대해 일관되게 설명하였으나, 이는 일예에 불과한 것으로 트리플 구조에서는 제 2 광흡수층과 반사 전극의 사이 공간으로 후면 투명 도전패턴과 제 3 광흡수층이 더 구성되는 구조 이외에는 탬덤 구조와 의 큰 차이가 없는 바, 이에 대한 설명은 생략하도록 한다.In the triple structure, in addition to the structure in which the rear transparent conductive pattern and the third light absorbing layer are further formed in the space between the second light absorbing layer and the reflective electrode, There is no significant difference from the structure, and a description thereof will be omitted.

따라서, 본 발명은 상기 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 정신 및 사상을 벗어나지 않는 한도 내에서 다양하게 변형 및 변경할 수 있다는 것은 자명한 사실일 것이다.Accordingly, it is to be understood that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and that various changes and modifications can be made without departing from the spirit and scope of the present invention.

도 1은 종래에 따른 단일접합 구조의 박막 태양전지를 개략적으로 나타낸 단면도.1 is a cross-sectional view schematically showing a conventional single-junction thin-film solar cell.

도 2a는 종래에 따른 탠덤 구조의 박막 태양전지를 개략적으로 나타낸 단면도.FIG. 2A is a cross-sectional view schematically showing a conventional thin film solar cell with a tandem structure. FIG.

도 2b는 종래에 따른 트리플 구조의 박막 태양전지를 개략적으로 나타낸 단면도.FIG. 2B is a cross-sectional view schematically illustrating a conventional thin film solar cell having a triple structure. FIG.

도 3a는 본 발명에 따른 박막 태양전지를 나타낸 단면도.3A is a cross-sectional view of a thin film solar cell according to the present invention.

도 3b는 본 발명에 따른 박막 태양전지를 나타낸 평면도.3B is a plan view of a thin film solar cell according to the present invention.

도 4a 내지 도 4h는 본 발명에 따른 박막 태양전지의 제조과정을 공정 순서에 따라 나타낸 공정 단면도.4A to 4H are process sectional views showing a process of manufacturing a thin film solar cell according to the present invention in accordance with a process order.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*Description of the Related Art [0002]

110 : 기판 C1, C2, C3 : 단위 셀110: substrates C1, C2, C3: unit cells

130a, 130b, 130c : 전면 투명 도전패턴130a, 130b, 130c: front transparent conductive pattern

141, 142 : 제 1 및 제 2 광흡수층 150a, 150b, 150c : 반사 전극141, 142: First and second light absorbing layers 150a, 150b, 150c:

160a, 160b, 160c : 후면 전극160a, 160b, and 160c:

170a, 170b, 170c : 중간 투명 도전패턴170a, 170b and 170c: an intermediate transparent conductive pattern

W1, W2, W3, W4 : 제 1, 제 2, 제 3, 제 4 폭W1, W2, W3 and W4: first, second, third and fourth widths

SL1, SL2, SL3, SL4 : 제 1, 제 2, 제 3, 제 4 분리라인SL1, SL2, SL3, SL4: First, second, third, and fourth separation lines

Claims (16)

다수의 단위 셀로 구분된 기판과;A substrate divided into a plurality of unit cells; 상기 기판의 상부 면에 제 1 폭으로 설계된 다수의 제 1 분리라인에 의해 상기 단위 셀별로 분리된 다수의 전면 투명 도전패턴과;A plurality of front transparent conductive patterns separated by the unit cells by a plurality of first dividing lines designed with a first width on an upper surface of the substrate; 상기 전면 투명 도전패턴의 상부 면에 구성된 제 1 광흡수층과;A first light absorbing layer formed on an upper surface of the front transparent conductive pattern; 상기 제 1 광흡수층의 상부로 제 2 폭으로 설계된 다수의 제 2 분리라인에 의해 상기 단위 셀별로 분리된 다수의 중간 투명 도전패턴과;A plurality of intermediate transparent conductive patterns separated by the unit cells by a plurality of second dividing lines designed to have a second width above the first light absorbing layer; 상기 중간 투명 도전패턴의 상부에 구성된 제 2 광흡수층과;A second light absorbing layer formed on the upper portion of the intermediate transparent conductive pattern; 상기 제 2 광흡수층의 상부에 위치하고, 상기 제 2 분리라인의 내부 사이 공간에 대응되며 상기 제 2 폭보다 작은 제 3 폭으로 설계된 제 3 분리라인에 의해 상기 단위 셀별로 분리된 다수의 반사 전극과;A plurality of reflective electrodes disposed on the second light absorbing layer and separated from each other by the third dividing line corresponding to a space between the inner sides of the second dividing lines and designed to have a third width smaller than the second width, ; 상기 반사 전극의 상부로 상기 제 3 분리라인에 의해 상기 다수의 전면 투명 도전패턴과 일대일로 접촉되고, 상기 제 2 분리라인에 의해 상기 다수의 중간 투명 도전패턴과는 전기적으로 분리되며, 제 4 폭으로 설계된 다수의 제 4 분리라인에 의해 상기 단위 셀별로 분리된 다수의 후면 전극Wherein the plurality of intermediate transparent conductive patterns are electrically separated from the plurality of intermediate transparent conductive patterns by the second separation line in one-to-one contact with the plurality of front transparent conductive patterns by the third separation line, And a plurality of fourth rear-side electrodes 을 포함하는 박막 태양전지.And a thin film solar cell. 제 1 항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 제 2 폭은 100 ~ 150μm의 너비로 형성된 것을 특징으로 하는 박막 태양전지.And the second width is in a range of 100 to 150 mu m. 제 1 항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 제 3 분리라인은 상기 제 2 분리라인의 최외곽 양측 끝단으로부터 20 ~ 30μm의 범위로 각각 이격된 내부에 구성된 것을 특징으로 하는 박막 태양전지.And the third separation lines are disposed inside the first isolation lines in a range of 20 to 30 mu m from both ends of the outermost ends of the second isolation lines. 청구항 4은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.Claim 4 has been abandoned due to the setting registration fee. 제 1 항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 다수의 중간 투명 도전패턴은 1 ~ 30nm의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 박막 태양전지.Wherein the plurality of intermediate transparent conductive patterns are formed to a thickness of 1 to 30 nm. 삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 제 2 광흡수층과 상기 반사 전극의 사이 공간으로 후면 투명 도전패턴과 제 3 광흡수층이 차례로 적층 구성된 것을 특징으로 하는 박막 태양전지.Wherein a rear transparent conductive pattern and a third light absorbing layer are sequentially stacked in a space between the second light absorbing layer and the reflective electrode. 다수의 단위 셀로 구분된 기판의 상부 면에 제 1 폭으로 설계된 다수의 제 1 분리라인에 의해 상기 단위 셀별로 분리된 다수의 전면 투명 도전패턴을 형성하는 단계와;Forming a plurality of front transparent conductive patterns separated by the unit cells by a plurality of first dividing lines designed with a first width on the upper surface of the substrate divided into a plurality of unit cells; 상기 전면 투명 도전패턴의 상부 면에 제 1 광흡수층을 형성하는 단계와;Forming a first light absorbing layer on an upper surface of the front transparent conductive pattern; 상기 제 1 광흡수층의 상부로 제 2 폭으로 설계된 다수의 제 2 분리라인에 의해 상기 단위 셀별로 분리된 다수의 중간 투명 도전패턴을 형성하는 단계와;Forming a plurality of intermediate transparent conductive patterns separated for each unit cell by a plurality of second dividing lines designed with a second width above the first light absorbing layer; 상기 중간 투명 도전패턴의 상부에 제 2 광흡수층을 형성하는 단계와;Forming a second light absorbing layer on the intermediate transparent conductive pattern; 상기 제 2 광흡수층의 상부에, 상기 제 2 분리라인의 내부 사이 공간에 대응되며 상기 제 2 폭보다 작은 제 3 폭으로 설계된 제 3 분리라인에 의해 상기 단위 셀별로 분리된 다수의 반사 전극을 형성하는 단계와;A plurality of reflection electrodes separated by the unit cells are formed on the second light absorbing layer by a third separation line corresponding to a space between the inner sides of the second separation lines and designed to have a third width smaller than the second width ; 상기 반사 전극의 상부로 상기 제 3 분리라인에 의해 상기 다수의 전면 투명 도전패턴과 일대일로 접촉되고, 상기 제 2 분리라인에 의해 상기 다수의 중간 투명 도전패턴과는 전기적으로 분리되며, 제 4 폭으로 설계된 다수의 제 4 분리라인에 의해 상기 단위 셀별로 분리된 다수의 후면 전극을 형성하는 단계Wherein the plurality of intermediate transparent conductive patterns are electrically separated from the plurality of intermediate transparent conductive patterns by the second separation line in one-to-one contact with the plurality of front transparent conductive patterns by the third separation line, Forming a plurality of rear electrodes separated for each unit cell by a plurality of fourth separation lines 를 포함하는 박막 태양전지의 제조방법.Wherein the thin film solar cell comprises a plurality of thin film solar cells. 제 8 항에 있어서,9. The method of claim 8, 상기 제 2 폭은 100 ~ 150μm의 너비로 형성된 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 제조방법.Wherein the second width is in a range of 100 to 150 占 퐉. 제 8 항에 있어서,9. The method of claim 8, 상기 제 3 분리라인은 상기 제 2 분리라인의 최외곽 양측 끝단으로부터 20 ~ 30μm의 범위로 각각 이격된 내부에 형성된 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 제조방법.Wherein the third separation lines are formed inside the first isolation lines, the second isolation lines being spaced apart from the outermost ends of the second isolation lines by 20 to 30 탆. 제 8 항에 있어서,9. The method of claim 8, 상기 제 1, 제 2, 제 3, 제 4 분리라인은 레이저 가공장치에 의해 형성된 것을 특징으로 박막 태양전지의 제조방법.Wherein the first, second, third, and fourth separation lines are formed by a laser processing apparatus. 청구항 12은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.Claim 12 is abandoned in setting registration fee. 제 8 항에 있어서,9. The method of claim 8, 상기 다수의 중간 투명 도전패턴은 1 ~ 30nm의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 제조방법.Wherein the plurality of intermediate transparent conductive patterns are formed to a thickness of 1 to 30 nm. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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