KR101486755B1 - Apparatus for supporting a substrate and apparatus for processing a substrate having the same - Google Patents
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Abstract
정전기력 생성을 위한 전원의 안정적 공급이 가능한 기판 지지 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치가 개시된다. 기판 지지 장치는 유전 물질로 이루어지고, 그 상부에 기판이 놓여지는 유전 플레이트와, 유전 플레이트 내에 매설되고, 유전 플레이트 상에 놓여지는 기판으로 정전기력을 제공하는 전극부와, 유전 플레이트를 지지하고, 내부를 관통하는 제1 홀을 갖는 바디 플레이트와, 바디 플레이트의 제1 홀 내에 체결되고, 내부를 관통하는 제2 홀을 갖는 절연부와, 절연부의 제2 홀 하단부에 체결되고, 외부로부터 전원을 제공받는 단자부, 그리고 절연부의 제2 홀을 통하여 단자부와 전극부 사이를 연결하고, 정전기력을 생성하기 위하여 전극부로 전원을 제공하는 연결 배선을 포함한다. 이에, 단자부가 안정적으로 결합됨에 의해 정전기력 생성을 위한 직류 전압의 안정적 공급이 가능하게 된다.
A substrate holding apparatus capable of stably supplying power for generating electrostatic force and a substrate processing apparatus including the same are provided. The substrate support apparatus comprises a dielectric plate on which a substrate is placed, the substrate support being comprised of a dielectric material, an electrode portion embedded in the dielectric plate and providing electrostatic force to the substrate placed on the dielectric plate, An insulating portion having a first hole penetrating through the first hole and a second hole connected to the first hole of the body plate and penetrating the inside of the body plate; And a connection wiring that connects the terminal portion and the electrode portion through the second hole of the insulation portion and provides power to the electrode portion to generate an electrostatic force. Thus, the stable connection of the terminal portions enables stable supply of the DC voltage for generating the electrostatic force.
Description
본 발명은 반도체 제조 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 프로세스 챔버 내부에 위치되어 실리콘웨이퍼와 같은 반도체 기판을 지지하기 위한 기판 지지 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus, and more particularly, to a substrate supporting apparatus for supporting a semiconductor substrate such as a silicon wafer, which is positioned inside a process chamber and a substrate processing apparatus including the same.
일반적으로 반도체 장치는 반도체 기판으로 사용되는 실리콘웨이퍼 상에 전기적인 회로를 형성하는 다양한 단위 공정의 반복적인 수행을 통해서 제조된다.Generally, a semiconductor device is manufactured through repetitive execution of various unit processes for forming an electrical circuit on a silicon wafer used as a semiconductor substrate.
반도체 장치를 제조하기 위한 단위 공정은 반도체 기판을 가공하기 위한 공간을 제공하는 프로세스 챔버 내부에서 이루어지고, 상기 프로세스 챔버 내부에는 기판에 대한 가공 공정이 수행되는 동안 기판을 지지하기 위한 기판 지지 장치가 필수적으로 배치된다.A unit process for manufacturing a semiconductor device is performed inside a process chamber which provides a space for machining a semiconductor substrate and a substrate holding device for supporting the substrate during the machining process for the substrate is essential in the process chamber .
상기 기판 지지 장치 중에는 정전기력을 이용하여 기판을 고정, 지지하는 장치가 있다.The substrate supporting apparatus includes an apparatus for fixing and supporting a substrate by using an electrostatic force.
도 1은 종래의 정전기력을 이용한 기판 지지 장치를 나타내는 개략적인 도면이다.1 is a schematic view showing a conventional substrate supporting apparatus using an electrostatic force.
도 1을 참조하면, 종래 정전기력을 이용한 기판 지지 장치(10)는 정전기력을 생성하기 위한 전극(12)과, 상기 전극(12)이 매설되는 유전 플레이트(11)와, 상기 유전 플레이트(11)를 지지하는 바디 플레이트(13)를 포함한다.Referring to FIG. 1, a conventional
또한, 상기 바디 플레이트(13)에 설치되어 상기 전극(12)으로 정전기력 생성을 위한 전원을 공급하기 위한 구성을 포함한다. 즉, 상기 전극(12)으로 직류 전압을 공급하기 위한 구성은 바디 플레이트(13)를 관통하는 절연부(14)와, 상기 절연부(14)의 하부에 삽입되어 외부로부터 전원(직류 전압)을 공급받는 단자부(15), 그리고 상기 단자부(15)로부터 전극(12)으로 전원을 공급하기 위한 연결 배선(16)을 포함한다.Also, a structure for supplying power for generating an electrostatic force to the
이 때, 상기 절연부(14)는 접합제를 이용하여 바디 플레이트(13)에 결합되고, 상기 단자부(15) 역시 접합제를 이용하여 절연부(14)에 결합된다. 상기 연결 배선(16)은 상기 단자부(15)에 형성된 홀을 관통하여 홀의 하부에서 솔더링 되어 상기 단자부(15)와 전기적으로 연결된다.At this time, the
하지만, 언급한 바와 같은 구성은 몇 가지 문제점을 갖게 된다. 즉, 상기 연결 배선(16)을 단자부(15)에 전기적으로 연결하는 솔더링 부위(16a)가 노출됨에 따라 상기 솔더링 부위(16a)의 손상에 의해 단선 될 수 있는 문제점을 갖는다. 또한, 상기 절연부(14) 및 단자부(15)의 결합이 접합제를 통해 이루어짐에 따라 접합력 부족으로 이탈되는 문제점을 갖는다. 또한, 상기 접합제로 에폭시 등이 주로 사용됨에 따라 단자부(15)와 바디 플레이트(13)의 단차가 발생하여 외부 전원과의 접촉이 원활하지 못하게 되는 문제점을 갖는다.However, the configuration as mentioned has some problems. That is, when the soldering
이처럼, 종래의 기판 지지 장치(10)는 외부로부터 전원을 공급받기 위한 구성이 안정적이지 못하여 전원 공급의 신뢰성이 저하되는 문제점을 갖는다.As described above, the conventional
본 발명의 바람직한 실시예를 통해 해결하고자 하는 일 과제는 전극부로 정전기력 생성을 위한 전원의 안정적 공급이 가능한 기판 지지 장치를 제공하는 것이다.A preferred embodiment of the present invention provides a substrate supporting apparatus capable of stably supplying power for generating an electrostatic force to an electrode unit.
본 발명의 바람직한 실시예를 통해 해결하고자 하는 다른 과제는 언급한 기판 지지 장치를 부재로 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus including the above-mentioned substrate supporting apparatus as a member.
상기 본 발명의 일 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 기판 지지 장치는 유전 플레이트, 전극부, 바디 플레이트, 절연부, 단자부 및 연결 배선을 포함한다. 상기 유전 플레이트는 유전 물질로 이루어지고, 그 상부에 기판이 놓여진다. 상기 전극부는 상기 유전 플레이트 내에 매설되고, 상기 유전 플레이트 상에 놓여지는 기판으로 정전기력을 제공한다. 상기 바디 플레이트는 상기 유전 플레이트 하부에 배치되어 상기 유전 플레이트를 지지하고, 내부를 관통하는 제1 홀을 갖는다. 상기 절연부는 상기 바디 플레이트의 제1 홀 내에 체결되고, 내부를 관통하는 제2 홀을 갖는다. 상기 단자부는 상기 절연부의 제2 홀 하단부에 체결되고, 외부로부터 전원을 제공받는다. 상기 연결 배선은 상기 절연부의 제2 홀을 통하여 상기 단자부와 상기 전극부 사이를 연결하고, 상기 정전기력을 생성하기 위하여 상기 전극부로 전원을 제공한다.According to an aspect of the present invention, a substrate supporting apparatus includes a dielectric plate, an electrode unit, a body plate, an insulating unit, a terminal unit, and a connection wiring. The dielectric plate is made of a dielectric material, on which the substrate is placed. The electrode portion is buried in the dielectric plate and provides electrostatic force to the substrate placed on the dielectric plate. The body plate is disposed below the dielectric plate, supports the dielectric plate, and has a first hole penetrating the dielectric plate. The insulating portion has a second hole which is fastened in the first hole of the body plate and penetrates the inside. The terminal portion is fastened to the lower end of the second hole of the insulation portion and is supplied with power from the outside. The connection wiring connects the terminal portion and the electrode portion through a second hole of the insulation portion and provides power to the electrode portion to generate the electrostatic force.
일 실시예에 따르면, 상기 절연부는 나사 결합으로 상기 바디 플레이트의 제 1 홀 내에 체결되고, 상기 단자부는 나사 결합으로 상기 절연부의 제2 홀 하단부에 체결될 수 있다.According to one embodiment, the insulating portion is fastened in the first hole of the body plate by a screw connection, and the terminal portion can be fastened to the lower hole of the second hole of the insulating portion by screwing.
일 실시예에 따르면, 상기 단자부는 제1 단자부 및 제2 단자부를 포함한다. 상기 제1 단자부는 상기 절연부의 제2 홀 하단부에 체결됨에 의해 상기 제2 홀 내에 수용되고, 그 내부를 관통하는 제3 홀을 가지며, 상기 연결 배선이 상기 제3 홀의 상단부 내부까지 연장하여 전기적으로 연결도니다. 상기 제2 단자부는 상기 제1 단자부의 제3 홀 하단부에 체결되고, 상기 제3 홀 하단부에 체결됨에 의해 상기 제1 단자부의 하부를 커버하며, 상기 제1 단자부와 전기적으로 연결된 상태에서 외부로부터 전원을 공급받는다.According to an embodiment, the terminal portion includes a first terminal portion and a second terminal portion. Wherein the first terminal portion is accommodated in the second hole by being fastened to the second hole lower end portion of the insulating portion and has a third hole penetrating the inside thereof and the connection wiring extends to the inside of the upper end portion of the third hole, It also connects. The second terminal portion is coupled to the third hole lower end portion of the first terminal portion and covers the lower portion of the first terminal portion by being fastened to the lower end portion of the third hole. When the second terminal portion is electrically connected to the first terminal portion, .
일 실시예에 따르면, 상기 제1 단자부는 하단부의 외경이 상단부의 외경보다 큰 구조를 갖고, 하단부의 외주면에 상기 제2 홀과의 체결을 위한 체결수단이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.According to one embodiment, the first terminal portion has a structure in which the outer diameter of the lower end portion is larger than the outer diameter of the upper end portion, and fastening means for fastening the second terminal portion to the second hole is formed on the outer peripheral surface of the lower end portion.
일 실시예에 따르면, 상기 제1 단자부의 제3 홀은 하단부의 내경이 상단부의 내경보다 큰 구조를 갖고, 하단부의 내측면에는 상기 제2 단자부와의 체결을 위한 체결수단이 구비되며, 상기 제2 단자부는 하단부의 외경이 상단부의 외경보다 큰 구조를 갖고, 상단부의 외경은 상기 제3 홀 하단부의 내경에 대응하면서 그 외주면에 상기 제3 홀과의 체결을 위한 체결수단이 구비될 수 있다.According to one embodiment, the third hole of the first terminal portion has a structure in which the inner diameter of the lower end portion is larger than the inner diameter of the upper end portion, and the inner side surface of the lower end portion is provided with fastening means for fastening with the second terminal portion, The second terminal portion has a structure in which the outer diameter of the lower end portion is larger than the outer diameter of the upper end portion, and the outer diameter of the upper end portion corresponds to the inner diameter of the lower end portion of the third hole, and fastening means for fastening the third hole to the outer peripheral surface thereof may be provided.
일 실시예에 따르면, 상기 제2 단자부는 나사 결합으로 상기 제1 단자부의 제3 홀 하단부에 체결될 수 있다.According to an embodiment, the second terminal portion may be fastened to the lower end of the third hole of the first terminal portion by screwing.
일 실시예에 따르면, 상기 절연부의 제2 홀 내부에는 절연 물질이 충진될 수 있다.According to one embodiment, the insulating material may be filled in the second hole of the insulating portion.
일 실시예에 따르면, 상기 절연부는 하단부의 외경이 상단부의 외경보다 큰 구조를 갖고, 그 하단부의 외주면에 상기 제1 홀과의 체결을 위한 체결수단이 구비되며, 상기 절연부의 제2 홀은 하단부의 내경이 상단부의 내경보다 큰 구조를 갖고, 그 하단부의 내측면에 상기 단자부와의 체결을 위한 체결수단이 구비될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the insulating portion has a structure in which the outer diameter of the lower end portion is larger than the outer diameter of the upper end portion, the outer peripheral surface of the lower end portion thereof is provided with fastening means for fastening the first hole, And a fastening means for fastening the terminal portion to the inner side surface of the lower end portion may be provided.
일 실시예에 따르면, 상기 바디 플레이트의 제1 홀은 하단부의 내경이 상단부의 내경보다 큰 구조를 갖고, 그 하단부의 내측면에 상기 절연부와의 체결을 위한 체결수단이 구비될 수 있다.According to one embodiment, the first hole of the body plate has a structure in which the inner diameter of the lower end portion is larger than the inner diameter of the upper end portion, and a fastening means for fastening the insulating portion to the inner surface of the lower end portion thereof.
일 실시예에 따르면, 상기 절연부는 상기 단자부 또는 상기 연결 배선이 상기 바디 플레이트와 단락되는 것을 방지하기 위하여 상기 바디 플레이트의 제1 홀 내측면 전면을 커버할 수 있도록 상기 제1 홀에 대응하는 길이를 가질 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the insulating portion may have a length corresponding to the first hole so as to cover a side surface in the first hole of the body plate in order to prevent the terminal portion or the connection wiring from being short- Lt; / RTI >
상기 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 프로세스 챔버와, 상기 프로세스 챔버 내부에 배치되고, 기판이 놓여져 지지되는 기판 지지부, 그리고 상기 프로세스 챔버 내부로 공정 가스를 공급하기 위한 가스 공급부를 포함한다. 여기서, 상기 기판 지지부는 유전 플레이트, 전극부, 바디 플레이트, 절연부, 단자부 및 연결 배선을 포함한다. 상기 유전 플레이트는 유전 물질로 이루어지고, 그 상부에 기판이 놓여진다. 상기 전극부는 상기 유전 플레이트 내에 매설되고, 상기 유전 플레이트 상에 놓여지는 기판으로 정전기력을 제공한다. 상기 바디 플레이트는 상기 유전 플레이트 하부에 배치되어 상기 유전 플레이 트를 지지하고, 내부를 관통하는 제1 홀을 갖는다. 상기 절연부는 상기 바디 플레이트의 제1 홀 내에 체결되고, 내부를 관통하는 제2 홀을 갖는다. 상기 단자부는 상기 절연부의 제2 홀 하단부에 체결되고, 외부로부터 전원을 제공받는다. 상기 연결 배선은 상기 절연부의 제2 홀을 통하여 상기 단자부와 상기 전극부 사이를 연결하고, 상기 정전기력을 생성하기 위하여 상기 전극부로 전원을 제공한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus including a process chamber, a substrate support disposed inside the process chamber, on which a substrate is supported and supported, And a gas supply unit. Here, the substrate supporting portion includes a dielectric plate, an electrode portion, a body plate, an insulating portion, a terminal portion, and a connection wiring. The dielectric plate is made of a dielectric material, on which the substrate is placed. The electrode portion is buried in the dielectric plate and provides electrostatic force to the substrate placed on the dielectric plate. The body plate is disposed under the dielectric plate to support the dielectric plate and has a first hole penetrating the dielectric plate. The insulating portion has a second hole which is fastened in the first hole of the body plate and penetrates the inside. The terminal portion is fastened to the lower end of the second hole of the insulation portion and is supplied with power from the outside. The connection wiring connects the terminal portion and the electrode portion through a second hole of the insulation portion and provides power to the electrode portion to generate the electrostatic force.
일 실시예에 따르면, 상기 기판 처리 장치는 상기 기판 지지부로 정전기력 형성을 위한 직류 전압을 인가하기 위한 전원 공급부를 더 포함할 수 있다.According to one embodiment, the substrate processing apparatus may further include a power supply unit for applying a direct current voltage for forming an electrostatic force to the substrate supporting unit.
이와 같이 구성된 본 발명에 따른 기판 지지 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치는 절연부 및 단자부의 결합이 나사 결합을 통해 이루어지므로 접합력 부족으로 인한 이탈을 방지할 수 있으며, 단자부와 단자부가 배치되는 바디 플레이트의 단차 발생을 개선할 수 있게 된다. 또한, 전원 공급을 위한 배선의 솔더링 부위가 노출되지 않고 커버됨에 따라서 배선의 단선 위험성을 감소시킬 수 있다. 따라서, 전극부에 정전기력 생성을 위한 전원의 안정적인 공급이 가능하게 된다.In the substrate supporting apparatus and the substrate processing apparatus having the above-described structure according to the present invention, since the coupling of the insulation portion and the terminal portion is performed through the screw connection, it is possible to prevent the deviation due to the lack of bonding force, It is possible to improve the occurrence of the stepped portion. Further, since the soldering portion of the wiring for power supply is covered without being exposed, the risk of disconnection of the wiring can be reduced. Therefore, it is possible to stably supply power for generating an electrostatic force to the electrode portion.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 기판 지지 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치에 에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 발명의 명확성을 기하기 위해 실제보다 확대하거나, 개략적인 구성을 설명하기 위하여 실제보다 축소하여 도시한 것이다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.Hereinafter, a substrate holding apparatus and a substrate processing apparatus including the same according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The present invention is capable of various modifications and various forms, and specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the text. It should be understood, however, that the invention is not intended to be limited to the particular forms disclosed, but includes all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention. Like reference numerals are used for like elements in describing each drawing. In the accompanying drawings, the dimensions of the structures are enlarged to illustrate the invention, and are actually shown in a smaller scale than the actual dimensions in order to explain the schematic configuration. The terms first, second, etc. may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as a second component, and similarly, the second component may also be referred to as a first component.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used in this application is used only to describe a specific embodiment and is not intended to limit the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In this application, the terms "comprises", "having", and the like are used to specify that a feature, a number, a step, an operation, an element, a part or a combination thereof is described in the specification, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.
한편, 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미 와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.On the other hand, unless otherwise defined, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries are to be interpreted as having a meaning consistent with the contextual meaning of the related art and are to be interpreted as either ideal or overly formal in the sense of the present application Do not.
기판 지지 장치Substrate support device
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지 장치를 나타내는 개략적인 도면이고, 도 3은 도 2의 기판 지지 장치를 나타내는 분해도이며, 도 4는 도 2의 A 부분을 확대한 도면이며, 도 5는 도 2의 기판 지지 장치에 포함된 전극부의 일 실시예를 나타내는 개략적인 도면이다.FIG. 2 is a schematic view showing a substrate holding apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 3 is an exploded view showing the substrate holding apparatus of FIG. 2, FIG. 4 is an enlarged view of a portion A of FIG. 5 is a schematic view showing one embodiment of the electrode unit included in the substrate supporting apparatus of FIG.
도 2 내지 도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지 장치(100)는 실리콘웨이퍼와 같은 반도체 기판을 가공하기 위한 공간을 제공하는 프로세스 챔버 내부에 배치되어, 상기 반도체 기판에 대한 가공 공정을 수행하는 동안 프로세스 챔버 내부에 상기 반도체 기판을 고정 및 지지하기 위하여 사용될 수 있다.2 to 5, a
상기 기판 지지 장치(100)는 정전기력을 이용하여 반도체 기판(W)을 지지하여 고정하기 위한 장치이다. 상기 기판 지지 장치(100)는 유전 물질로 이루어진 유전 플레이트(110), 상기 유전 플레이트(110) 내에 매설되는 전극부(120), 상기 유전 플레이트(110)를 지지하는 바디 플레이트(130), 상기 바디 플레이트(130)를 관통하는 절연 공간을 형성하는 절연부(140), 외부로부터 전원을 공급받는 단자부(150) 및 상기 단자부(150)와 전극부(120)를 전기적으로 연결하는 연결 배선(160)을 포함한다.The
상기 유전 플레이트(110)는 그 상부에 놓여지는 부재와 유사한 형상을 갖는 것으로써, 그 상부에 놓여지는 반도체 기판(W)이 원형에 가깝기 때문에 상기 유전 플레이트(110)는 주로 원형의 구조를 갖는다. 아울러, 상기 유전 플레이트(110)는 상기 바디 플레이트(130) 상에 배치되는데, 유전 플레이트(110)는 상기 바디 플레이트(130)보다는 작은 직경을 갖는다. 유전 플레이트(110)는 유전 특성을 갖는 물질 즉, 비교적 체적 저항이 낮은 유전 물질로 이루어질 수 있다. 예컨대, 유전 플레이트(110)는 세라믹으로 이루어지는 것이 바람직하다. 상기 세라믹으로는 질화 알루미늄(AlN), 알루미나(Al2O3), 산화 이트륨(Y2O3) 등을 예로 들 수 있다. 이 경우, 유전 플레이트(110)에는 마그네슘(Mg), 티타늄(Ti), 아연(Zn) 등의 불순물이 더 포함될 수도 있다.The
한편, 도시하진 않았지만 상기 유전 플레이트(110)에는 기판(W)의 하면에 직접 접촉하여 기판(W)을 지지하는 수단으로서, 유전 플레이트(120)의 상면으로부터 돌출 형성되는 다수의 지지 부재(미도시)들이 구비될 수 있다. 상기 지지 부재(미도시)들은 다양한 형상을 가질 수 있으며, 유전 플레이트(110) 상에 다수개 형성될 때 다수의 동심원들을 따라 형성될 수 있다.A plurality of support members protruding from the upper surface of the dielectric plate 120 (not shown) are provided on the
언급한 바와 같은, 상기 유전 플레이트(110) 내에는 전극부(120)가 매설된다.As described above, the
상기 전극부(120)는 정전기장(electrostatic field)을 생성하기 위한 장치로서, 도전성 금속으로 이루어진다. 예를 들어, 전극부(120)는 비저항이 비교적 적은 몰리브덴(Mo)이나 텅스텐(Tungsten:W)으로 이루어질 수 있다. 상기 전극부(120)는 메쉬 형상을 가질 수 있으며, 상기 유전 플레이트(110) 상에 기판(W)이 놓여질 때 상기 기판(W)에 대응하는 영역에 대하여 고르게 분포하도록 배치된다. 이와 달리, 상기 전극부(120)는 원판 형상이나, 기타 다양한 형상을 가질 수도 있다.The
상기 전극부(120)는 정전기장을 형성함에 의해 정전기력을 기판(W)으로 제공하기 위하여 외부의 공급원으로부터 전원(예컨대 직류 전압)을 제공받는다. 결과적으로, 상기 전극부(120)는 정전기력을 형성함에 의해 유전 플레이트(110) 상에 놓여지는 기판(W)을 가공 공정이 수행되는 동안 고정시키는 역할을 한다.The
상기 바디 플레이트(130)는 전극부(120)가 매설된 유전 플레이트(110)의 하부에 배치되어, 유전 플레이트(110)를 지지한다. 바디 플레이트(130)는 전체적으로 기판(W) 및 유전 플레이트(110)보다 큰 직경을 가지며, 유전 플레이트(110)와 마찬가지로 원형 구조를 가질 수 있다. 이러한, 바디 플레이트(130)는 알루미늄(Al), 구리(Cu) 등과 같은 도전성 금속으로 이루어질 수 있다.The
상기 바디 플레이트(130) 내에는 외부의 전압 공급원으로부터 제공되는 전원(예컨대 직류 전압)을 유전 플레이트(110)에 매설된 전극부(120)로 공급하기 위한 부재들로서, 상기 절연부(140), 단자부(150) 및 연결 배선(160)이 위치한다.The
이를 위해, 상기 바디 플레이트(130)는 제1 홀(132)을 갖는다. 상기 제1 홀(132)은 바디 플레이트(130) 내부를 상하 방향으로 관통한다. 즉, 제1 홀(132)의 상단부는 상기 유전 플레이트(110) 방향에 위치하고, 제1 홀(132)의 하단부는 상기 유전 플레이트(110)와 마주하는 방향에 위치하게 된다. 제1 홀(132) 내에는 상기 절연부(140)가 체결되는데, 상기 체결은 기계적 결합에 의해 이루어진다. 예를 들 어, 제1 홀(132) 내에 절연부(140)가 나사 결합으로 체결될 수 있다. 이에 제1 홀(132)의 내측면 일부에 상기 절연부(140)와 체결을 위한 체결수단이 구비된다. 예컨대, 상기 체결수단으로써 나사 결합을 위한 나사산이 구비될 수 있다. 상기 제1 홀(132)은 하단부의 내경이 상단부의 내경보다 큰 구조를 가질 수 있다. 이 경우, 상기 절연부(140)와 체결을 위해 제1 홀(132)의 내측면 일부에 구비되는 체결수단은 상대적으로 내경이 큰 하단부의 내측면에 구비될 수 있다. 이와 달리, 제1 홀(132)의 내측면 전면에 체결수단이 구비될 수도 있다. 또한, 제1 홀(132)은 상단부 및 하단부의 내경이 상호 동일한 구조를 가질 수도 있다.For this, the
상기 절연부(140)는 바디 플레이트(130)의 제1 홀(132) 내에 위치하도록 제1 홀(132)에 체결되고, 그 내부를 상하 방향으로 관통하는 제2 홀(142)을 갖는다. 절연부(140)는 상기 제1 홀(132)에 기계적 결합에 의해 체결되는데, 예를 들어 나사 결합에 의해 제1 홀(132)에 체결될 수 있다.The
상기 절연부(140)는 제1 홀(132) 내에 배치되는 단자부(150) 및 연결 배선(160)이 바디 플레이트(130)와 단락 되는 것을 방지하는 절연 기능을 수행한다. 상기 절연부(140)는 절연 기능을 위해 절연 물질로 이루어진다. 예를 들어, 절연부(140)는 테프론, 세라믹 등으로 이루어질 수 있다. 절연부(140)는 제1 홀(132)에 체결됨에 의해 상기 제1 홀(132) 내에 바디 플레이트(130)와 절연시킨 공간으로 제2 홀(142)을 제공한다. 이 때, 절연부(140)는 제1 홀(132)의 내측면이 노출되는 경우 단자부(150) 및 연결 배선(160)이 단락 될 가능성을 가짐에 따라 제1 홀(132)의 내측면을 모두 커버할 수 있도록 제1 홀(132)에 대응하는 길이(깊이)를 갖도록 형 성한다. 따라서, 제2 홀(132)은 제1 홀(132)과 마찬가지고 그 상단부가 상기 유전 플레이트(110) 방향에 위치하고, 그 하단부는 상기 유전 플레이트(110)와 마주하는 방향에 위치하게 된다.The
이러한, 절연부(140)는 바디 플레이트(130)의 제1 홀(132)에 체결됨에 의해 제1 홀(132) 내에 고정 배치된다. 이에, 절연부(140)의 외경은 제1 홀(132)에 대응하는 형상을 갖도록 형성되며, 절연부(140)의 외주면에는 제1 홀(132)에 체결을 위한 체결수단으로써, 예를 들어 나사 결합을 위한 나사산이 구비된다. 즉, 제1 홀(132)이 하단부의 내경이 상단부의 내경보다 큰 구조를 가지므로, 이에 대응하여 절연부(140)는 하단부의 외경이 상단부의 외경보다 큰 구조를 갖는다.The insulating
결과적으로, 절연부(140)는 하단부의 외경이 상단부의 외경보다 큰 구조를 가짐에 따라 제1 홀(132)에 체결될 때 상대적으로 외경이 큰 하부 부위에 대응하는 깊이까지만 끼워지게 된다. 이에, 절연부(140)의 결합 높이 설정(조절)이 용이한 장점을 갖는다.As a result, since the outer diameter of the lower end portion is larger than the outer diameter of the upper end portion, the insulating
상기 절연부(140)의 외주면 일부에는 제1 홀(132)과의 체결을 위한 체결수단으로써, 나사 결합을 위한 나사산이 구비될 수 있다. 절연부(140)의 외주면에 구비되는 나사산은 제1 홀(132)에 구비되는 나사산의 형성 위치에 대응하도록 형성된다. 예를 들어, 절연부(140)의 하부 외경이 상부 외경보다 큰 구조를 갖는 경우 상기 나사산은 상대적으로 외경이 큰 하부 부위에 구비될 수 있다. 이와 달리, 절연부(140)의 외주면 전면에 대하여 나사산이 구비될 수도 있다. 하지만, 나사산이 절연부(140)의 외주면 전면에 구비되는 경우 체결력은 증가될 수 있지만, 체결이 용 이하지 않고 체결 시간이 증가하는 단점을 갖게 된다. 이에, 체결력을 떨어뜨리지 않는 한도 내에서 외주면 일부에 나사산을 형성하는 것이 바람직할 것이다.A thread for screw connection may be provided on a part of the outer circumferential surface of the
한편, 상기 절연부(140)는 제1 홀(132)에 체결할 때, 체결력의 증가를 위하여 접합제를 병행하여 사용할 수도 있다. 또한, 절연부(140)의 하면에는 절연부(140)를 제1 홀(132)에 나사 결합할 때 절연부(140)를 회전시킬 기구의 체결을 위한 제1 기구부(140a)가 형성될 수 있다. 상기 제1 기구부(144)는 예를 들면 홈일 수 있다.Meanwhile, when the insulating
상기 절연부(140)의 제2 홀(142)은 하단부의 내경이 상단부의 내경보다 큰 구조를 가질 수 있다. 또한, 상기 제2 홀(142)은 내측면 일부에 체결을 위한 체결수단을 가지며, 상기 체결수단으로써 나사 결합을 위한 나사산을 가질 수 있다. 예를 들어, 상대적으로 내경이 큰 상기 제2 홀(142)의 하단부 부위에 상기 단자부(150)의 체결을 위한 체결수단(예컨대 나사산)이 구비될 수 있다.The
상기 단자부(150)는 상기 절연부(140)의 제2 홀(142) 하단부에 기계적 결합으로 체결된다. 단자부(150)는 상기 바디 플레이트(130)와의 절연을 위하여 상기 절연부(140)의 제2 홀(142) 내에 수용되도록 체결된다.The
상기 단자부(150)는 전극부(120)로 공급하기 위하여 외부로부터 정전기력 생성을 위한 전원(예컨대 직류 전압)을 공급받는 역할을 한다. 상기 단자부(150)는 외부의 전원 공급원(미도시)의 단자와 직접 접촉하게 된다.The
상기 단자부(150)는 상기 전극부(120)와 전기적으로 연결되는 제1 단자부(152)와 상기 제1 단자부(152)를 커버하기 위한 제2 단자부(154)를 포함한다.The
상기 제1 단자부(152)는 그 내부를 상하 방향으로 관통하는 제3 홀(153)을 가지며, 절연부(140)의 제2 홀(142) 하단부에 기계적 결합을 통해 체결된다. 이 때, 제1 단자부(152)는 제2 홀(142) 내에 완전하게 수용되도록 체결된다. 한편, 제1 단자부(152)를 제1 홀(142)에 체결할 때 체결력 증가를 위해 접합제가 추가적으로 사용될 수도 있다.The first
상기 제1 단자부(152)는 그 외주면 일부에 제2 홀(142)에 체결하기 위한 체결수단이 구비된다. 제1 단자부(152)는 제2 홀(142)에 대응하는 형상을 갖는다. 즉, 제1 단자부(152)는 하단부의 외경이 상단부의 외경보다 큰 구조를 가지며, 하단부의 외경은 제2 홀(142)의 하단부 내경에 대응하고, 상단부의 외경은 제2 홀(142)의 상단부 내경에 대응된다. 제1 단자부(152)는 제2 홀(142)의 길이보다 작은 길이를 갖는다. 이에, 제1 단자부(152)는 제2 홀(142)에 체결됨에 의해 제2 홀(142)의 내경이 단차를 갖는 부위에 위치할 수 있다.The first
상기 제1 단자부(152)의 외주면 일부에는 제2 홀(142)에 체결하기 위한 체결수단으로써 나사 결합을 위한 나사산이 구비된다. 예를 들어, 제1 단자부(152)가 하단부 외경이 상단부 외경보다 큰 구조를 가질 경우 상대적으로 외경이 큰 하단부 부위의 외주면에 체결수단(예컨대 나사산)이 구비될 수 있다. 이와 달리, 상기 제1 단자부(152)의 외주면 전면에 체결수단(예컨대 나사산)이 구비될 수 있으나, 원활한 체결을 위하여 상기 제1 단자부(152)의 하단부 영역에만 구비될 수 있다.A thread for screw connection is provided in a part of the outer circumferential surface of the first
상기 제1 단자부(152)의 제3 홀(153)은 전극부(120)와의 전기적 연결을 위한 연결 배선(160)을 연결함과 아울러, 제2 단자부(154)가 체결되는 역할을 한다.The
예를 들어, 제3 홀(153)은 하단부의 내경이 상단부의 내경보다 큰 구조를 갖는다. 제3 홀(153)의 상단부 부위에는 상기 연결 배선(160)이 관통하여 그 내부에서 전기적으로 연결된다. 제1 단자부(152)와 연결 배선(160)의 전기적 연결은 예를 들어, 솔더링에 의해 수득될 수 있다. 즉, 연결 배선(160)이 제3 홀(153)을 관통하여 제3 홀(153)의 단차 부위에서 솔더링 된다. 이에, 제3 홀(153)의 단차 부위에는 연결 배선(160)이 솔더링 될 때, 솔더를 수용할 수 있도록 내경이 다소 확장된 부위를 가질 수 있다. 이러한, 제3 홀(153)의 하단부 내측면에는 제2 단자부(154)와 체결을 위한 체결수단이 구비되며, 상기 체결수단으로써 나사 결합을 위한 나사산이 구비될 수 있다.For example, the
또한, 제1 단자부(152)의 하단면에는 제2 홀(142)에 나사 결합하기 위해 제1 단자부(152)를 회전시킬 기구의 체결을 위한 제2 기구부(152a)가 형성될 수 있다. 상기 제2 기구부(152a)는 예를 들면 홈일 수 있다.A
한편, 상기 절연부(140)의 제2 홀(142)은 제1 단자부(152)의 체결에 의해 밀폐되고, 이렇게 밀폐되는 제2 홀(142)의 내측 공간에 절연 물질이 충진될 수 있다. 상기 절연 물질의 충진은 상기 연결 배선(160)을 고정시켜 손상을 방지하기 위한 일환일 수 있다. 이와 달리, 상기 절연부(140)의 제2 홀(142) 내측 공간은 빈 상태일 수도 있다.The
상기 제2 단자부(154)는 제1 단자부(152)의 제3 홀(153) 하단부에 기계적 결합으로 체결된다. 예를 들어, 제2 단자부(154)는 나사 결합으로 상기 제1 단자부(152)의 제3 홀(153) 하단부에 체결될 수 있다. 이 때, 제2 단자부(154)는 바디 플레이트(130)와의 절연을 위하여 절연부(140)의 제2 홀(142) 내에 수용되도록 설치된다.The second
상기 제2 단자부(154)는 제1 단자부(152)의 제3 홀(153) 하부에 체결되어 제1 단자부(152)를 커버하는 역할을 한다. 예를 들어, 제2 단자부(154)는 하단부의 외경이 상단부의 외경보다 큰 구조를 갖는다. 이 경우, 제2 단자부(154)의 하단부 외경은 절연부(140)의 제2 홀(142) 하단부 내경에 대응하고, 제2 단자부(154)의 상단부 외경은 제1 단자부(152) 제3 홀(153)의 하단부 내경에 대응된다. 또한, 제2 단자부(154)의 상단부 외주면에는 제3 홀(153)과 체결을 위한 체결수단(예컨대 나사산)이 구비된다.The second
결과적으로, 제2 단자부(154)가 제1 단자부(152)의 제3 홀(153)에 체결됨에 의해 제1 단자부(152)의 솔더링 부위는 제2 단자부(154)에 의해 커버되어 보호받게 된다.As a result, since the second
상기 제2 단자부(154)는 제3 홀(153)에 체결됨에 의해 상호 접촉하여 자연스럽게 제1 단자부(152)와 전기적으로 연결되게 된다. 이 때, 상기 제3 홀(153)에 체결된 제2 단자부(154)의 하면은 바디 플레이트(130)의 하면에 대응하는 높이를 갖게 된다. 이를 통해, 바디 플레이트(130)가 놓여지는 평면상에 형성되어 외부로부터의 전원을 공급하는 단자와 용이하게 접촉할 수 있게 된다.The second
상기 연결 배선(160)은 상기 제1 단자부(152)와 전극부(120)를 전기적으로 연결한다. 이를 위해, 상기 연결 배선(160)은 일단이 전극부(120)에 솔더링되어 전극부(120)와 전기적으로 연결되고, 타단이 상기 제1 단자부(152)에 솔더링되어 제1 단자부(152)에 전기적으로 연결된다. 상기 연결 배선(160)은 상기 전극부(120)와 제1 단자부(152) 사이에서 연장한다. 연결 배선(160)은 예를 들어 도전성 물질로 이루어진 전기 배선일 수 있다. 한편, 상기 유전 플레이트(110)는 전극부(120)와 연결 배선(160)의 전기적 연결을 위해 전극부(120)의 일부를 노출하는 홈을 가질 수 있다. 이에, 연결 배선(160)의 일단은 상기 홈을 통해 전극부(120)에 솔더링 됨으로써, 전기적으로 연결될 수 있다.The
이와 같이, 본 발명에 따른 기판 지지 장치(100)는 절연부(140) 및 단자부(150)의 결합이 기게적 결합, 예를 들어 나사 결합에 의해 이루어지므로, 종래에 접합제를 이용한 결합에서 발생하는 접합력 저하에 따른 이탈을 방지할 수 있다. 또한, 탄성을 갖는 접합제를 사용하지 않음에 따라 단자부(150)를 설치할 때 단차 조절의 어려움 없이 용이하게 단자부(150)를 바디 플레이트(130)의 하면 높이에 대응하도록 결합할 수 있게 된다.As described above, in the
또한, 연결 배선(160)이 전기적으로 연결되는 단자부(150)가 제1 단자부(152) 및 제2 단자부(154)로 구성되어, 연결 배선(160)의 연결 부위인 솔더링 부위가 노출되지 않고 커버됨으로써, 솔더링 부위의 파손에 의해 연결 배선(160)이 단선되는 것을 원천적으로 예방할 수 있게 된다. 아울러, 솔더링 부위가 커버됨에 의해 외형적인 장점도 갖게 된다.The
한편, 도시하지는 않았지만 상기 기판 지지 장치(100)에는 기판(W)의 가열을 위한 발열체가 매설될 수 있다. 이때, 상기 발열체에 의해 기판의 가열이 수행되는 경우 상기 전극부(120)로 공급되는 전원(예컨대 직류 전압)을 차단하여 정전기력에 의한 기판(W)의 고정은 이용되지 않을 수 있다. On the other hand, although not shown, a heating element for heating the substrate W may be embedded in the
기판 처리 장치Substrate processing apparatus
이하, 언급한 바와 같은 기판 지지 장치를 포함하는 기판 처리 장치에 대하여 설명하기로 한다.Hereinafter, a substrate processing apparatus including the above-mentioned substrate holding apparatus will be described.
도 6은 도 2의 기판 지지 장치를 부재로 갖는 기판 처리 장치를 나타내는 개략적인 도면이다.Fig. 6 is a schematic view showing a substrate processing apparatus having the substrate holding apparatus of Fig. 2 as a member.
여기서, 도 6에 도시된 기판 처리 장치(200)에 포함된 기판 지지부(100)는 앞서 도 2를 참조하여 설명한 기판 지지 장치(100)와 유사하므로 동일 부재에 대해서는 동일한 부호를 사용하고, 중복되는 부분은 그 상세한 설명을 생략하기로 한다.Here, the
도 6을 참조하면, 기판 처리 장치(200)는 기판(W)에 대한 공정 공간을 제공하는 프로세스 챔버(210), 공정이 수행될 기판(W)을 지지하는 기판 지지부(100) 및 프로세스 챔버(210) 내부로 공정 가스를 공급하는 가스 공급부(220)를 포함한다.6, a
상기 프로세스 챔버(210)는 실리콘 웨이퍼와 같은 반도체 기판(W)의 처리 공정을 수행하기 위한 장치로서, 기판(W)의 처리 공정을 위한 공간을 제공한다. 예를 들어, 프로세스 챔버(210)는 플라즈마(plasma)를 이용한 기판(W) 처리 공정을 수행하기 위한 장치일 수 있다.The
상기 프로세스 챔버(210)는 공정 가스가 주입되는 가스 주입부(212)를 포함할 수 있으며, 내부에는 기판(W)을 지지하기 위한 기판 지지부(100)가 배치된다.The
상기 기판 지지부(100)는 공정이 수행될 기판(W)을 지지하면서, 정전기력을 이용하여 기판(W)을 고정한다. 이에, 기판 지지부(100)는 정전기력 생성을 위한 전원(예컨대 직류 전압)을 공급하는 외부의 전원 공급부(230)가 연결된다.The
상기 기판 지지부(100)는 기판(W)이 직접적으로 놓여지는 유전 플레이트(110)와, 유전 플레이트(110) 내에 매설되고, 정전기력을 생성하기 위한 전극부(120)와, 유전 플레이트(110)를 지지하는 바디 플레이트(130)와, 바디 플레이트(130)를 관통하는 절연 공간을 제공하는 절연부(140)와, 외부로부터 전원을 공급받는 단자부(150), 그리고 단자부(150)와 전극부(120)를 연결하여 외부로부터의 전원을 전극부(120)로 전달하는 연결 배선(160)을 포함한다.The
여기서, 상기 절연부(140)는 바디 플레이트(130)의 제1 홀(132) 내에 기계적 결합(예컨대 나사 결합)으로 체결되고, 단자부(150)는 절연부(140)의 제2 홀(142)에 기계적 결합(예컨대 나사 결합)으로 체결된다. 또한, 단자부(150)는 연결 배선(160)과 연결되는 제1 단자부(152) 및 제1 단자부(152)를 커버하기 위한 제2 단자부(154)를 포함한다. 제2 단자부(154)는 제1 단자부(152)에 기계적 결합(예컨대 나사 결합)으로 체결된다. 이와 달리, 제2 단자부(154)는 절연부(140)에 직접 체결될 수도 있다.The insulating
상기 가스 공급부(220)는 프로세스 챔버(210) 내부로 적어도 하나의 공정 가스를 공급한다. 상기 공정 가스들은 독립된 라인을 통하여 공급될 수 있다. 반도체 기판(W)을 가공하기 위한 공정 가스의 종류는 매우 다양하여 이를 다 언급하는 것을 어려우나 당업자라 하면 용이하게 이를 이해할 수 있을 것이다.The
상기 가스 공급부(220)는 공정 가스를 공급하기 위한 수단으로써, 프로세스 챔버(210)의 상부 부위에 배치되고, 그 상부에 가스 주입부(212)가 연결된다. 가스 공급부(220)의 하부에는 다수의 토출 구멍이 형성되어 있다. 즉, 가스 공급부(220)는 샤워 헤드 구조를 가질 수 있다. 이러한, 가스 공급부(220)는 가스 주입부(212)를 통해 주입되는 공정 가스를 프로세스 챔버(210) 내부로 공급한다. 이를 위해, 가스 주입부(212)는 소정의 공정 가스를 공급하기 위한 외부의 가스 공급원(미도시)과 연결된다.The
한편, 상기 기판 처리 장치(200)는 기판(W)을 가공하는 도중에 발생된 미반응 가스 및 반응 부산물을 프로세스 챔버(210)로부터 배출시키기 위한 가스 배출부(240)와 기판 지지부(110)의 전극부(120)로 정전기력 생성을 위한 전원을 공급하는 전원 공급부(230)를 포함한다.The
상기 가스 배출부(240)는 미반응 가스 및 반응 부산물의 배출을 위해 프로세스 챔버(210)의 일측에 형성된 배출구(214)에 설치된다. 가스 배출부(240)는 배출구(214)를 개폐 동작시키기 위한 배출 밸브(242)와, 미반응 가스 및 반응 부산물이 프로세스 챔버(210)로부터 배출되도록 배출구(214)에 진공력을 부여하는 진공 펌프(244)를 포함할 수 있다.The
상기 전원 공급부(230)는 정전기력 생성을 위한 전원(예컨대 직류 전압)을 공급한다. 즉, 전원 공급부(230)는 단자부(150)와 연결 배선(160)을 통해서 전극부(120)에 직류 전압을 인가하여 유전 플레이트(110) 상에 정전기장을 생성하고, 상기 정전기장에 의하여 기판(W)을 기판 지지부(100)에 고정시키게 된다.The
여기서, 언급한 바와 같은 기판 처리 장치(200)가 플라즈마를 이용한 장치일 경우, 공정 가스로부터 플라즈마를 생성하기 위하여 기판 지지부(100)의 바디 플레이트(130)와 가스 공급부(220)는 상호 대향된 전극으로 기능한다.When the
예를 들어, 바디 플레이트(130)는 공정 가스로부터 플라즈마를 생성하기 위하여 고주파 전압을 공급받는다. 이를 위해, 바디 플레이트(130)에는 외부의 고주파 발생기(250)가 연결될 수 있다. 또한, 가스 공급부(220)는 언급한 바디 플레이트(130)에 대향하는 전극으로 기능하며, 공정 가스로부터 플라즈마를 생성하기 위하여 접지 된다.For example, the
이처럼, 고주파 발생기(250)로부터 바디 플레이트(120)에 고주파 전압이 공급되면, 프로세스 챔버(210) 내에는 고 전위차의 자계가 조성된다. 이와 함께, 접지 상태의 가스 공급부(220)를 통하여 프로세스 챔버(210) 내부로 공급된 공정 가스들은 상기 자계에 노출되어 플라스마 상태로 여기 되고, 플라스마 내의 이온들이 기판 지지부(100)로 유도되어 기판(W)의 처리 공정이 수행된다.When a high frequency voltage is supplied to the
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판 지지 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치는 정전기력 생성을 위한 전원을 유전 플레이트 내에 매설된 전극부로 공급하기 위하여 바디 플레이트에 설치되는 절연부 및 단자부가 나사 결합 방식과 같은 기계적 결합으로 체결되므로, 안정적인 구조로 결합이 가능해진다.As described above, in the substrate supporting apparatus and the substrate processing apparatus including the same according to the preferred embodiment of the present invention, in order to supply the power for generating the electrostatic force to the electrode unit buried in the dielectric plate, And is fastened by a mechanical coupling such as a screw coupling method, so that the coupling can be performed with a stable structure.
또한, 단자부의 나사 결합을 통해 단자부와 바디 플레이트의 단차 조절이 용이해짐에 따라 종래에 접합제 사용으로 인한 단차 발생을 개선한다. 이에, 단자부 로의 안정적인 전원 공급을 가능하여 전원 공급의 신뢰성을 개선할 수 있다.Further, since the adjustment of the step between the terminal portion and the body plate is facilitated through the screwing of the terminal portion, the occurrence of the step due to the use of the bonding agent is improved in the related art. Thus, stable power supply to the terminal portion can be performed, and the reliability of the power supply can be improved.
또한, 외부로부터의 전원을 공급받는 단자부가 연결 배선과 솔더링 되어 전기적으로 연결되는 제1 단자부와 상기 제1 단자부의 솔더링 부위를 커버하는 제2 단자부로 이루어짐으로써, 상기 솔더링 부위의 노출에 따른 연결 배선의 단선 위험성을 감소시킬 있다. 이에 따라, 유지 관리비용을 절감할 수 있게 된다.In addition, since the terminal portion supplied with power from the outside is composed of a first terminal portion that is soldered to the connection wiring and is electrically connected to the connection wiring, and a second terminal portion that covers the soldering portion of the first terminal portion, To reduce the risk of disconnection. As a result, the maintenance cost can be reduced.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the present invention as defined by the following claims. It can be understood that it is possible.
도 1은 종래의 정전기력을 이용한 기판 지지 장치를 나타내는 개략적인 도면이다.1 is a schematic view showing a conventional substrate supporting apparatus using an electrostatic force.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지 장치를 나타내는 개략적인 도면이다.2 is a schematic view showing a substrate holding apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 3은 도 2의 기판 지지 장치를 나타내는 분해도이다.Fig. 3 is an exploded view showing the substrate holding apparatus of Fig. 2;
도 4는 도 2의 A 부분을 확대한 도면이다.4 is an enlarged view of a portion A in Fig.
도 5는 도 2의 기판 지지 장치에 포함된 전극부의 일 실시예를 나타내는 개략적인 도면이다.FIG. 5 is a schematic view showing an embodiment of the electrode unit included in the substrate holding apparatus of FIG. 2. FIG.
도 6은 도 1의 기판 지지 장치를 부재로 갖는 기판 처리 장치를 나타내는 개략적인 도면이다.6 is a schematic view showing a substrate processing apparatus having the substrate holding apparatus of Fig. 1 as a member.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Description of the Related Art [0002]
100: 기판 지지 장치 110: 유전 플레이트100: substrate holding device 110: dielectric plate
120: 전극부 130: 바디 플레이트120: electrode part 130: body plate
132: 제1 홀 140: 절연부132: first hole 140: insulating portion
140a: 제1 기구부 142: 제2 홀140a: first mechanism part 142: second hole
150: 단자부 152: 제1 단자부150: terminal part 152: first terminal part
152a: 제2 기구부 153: 제3 홀152a: second mechanism part 153: third hole
154: 제2 단자부 154a: 제3 기구부154: second
160: 연결 배선 200: 기판 처리 장치160: connection wiring 200: substrate processing apparatus
210: 프로세서 챔버 212: 가스 주입부210: Processor chamber 212:
214: 배출구 220: 가스 공급부214: outlet 220: gas supply
230: 전원 공급부 240: 가스 배출부230: power supply part 240: gas discharge part
242: 배출 밸브 244: 진공 펌프242: discharge valve 244: vacuum pump
250: 고주파 발생기250: High frequency generator
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