KR101486595B1 - 도전막 형성용 감광 재료 및 도전성 재료 - Google Patents

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Abstract

과제
높은 도전성과 투광성을 동시에 갖는 도전막을 저비용으로 제조하기 위한 도전막 형성용 감광 재료를 제공한다.
해결 수단
지지체 위에 은염 함유 유제층을 갖는 도전막 형성용 감광 재료로서, 상기 은염 함유 유제층 또는 은염 함유 유제층측 중 어느 층에 도전성 미립자 및 바인더를 함유하고, 상기 도전성 미립자 및 바인더의 질량비 (도전성 미립자/바인더) 가 1/33 ∼ 1.5/1 인 도전막 형성용 감광 재료.
Figure R1020090056292
은염 함유 유제층, 도전성 미립자, 바인더

Description

도전막 형성용 감광 재료 및 도전성 재료{CONDUCTIVE-FILM-FORMING PHOTOSENSITIVE MATERIAL AND CONDUCTIVE MATERIAL}
본 발명은 도전막 형성용 감광 재료 및 도전성 재료에 관한 것이다. 더욱 상세하게 말하면, 본 발명은 어느 층에 도전성 미립자와 바인더를 함유시킨 도전성막 형성용 감광 재료에 관한 것이다.
최근, 여러가지 제조 방법에 의한 도전성 필름이 검토되고 있다 (예를 들어, 특허문헌 1 ∼ 5 참조). 이 중에서 할로겐화은 유제(乳劑)를 도포하고, 도전성을 위한 은의 도전부와, 투명성 확보를 위한 개구부로 이루어지도록 패턴 노광하여 도전성 필름으로서 제조되는 은염 방식 도전성 필름이 있다 (예를 들어, 특허문헌 6 ∼ 8 참조). 이 도전성 필름은 여러 가지의 용도가 검토되어 있고, 본 발명자는 무기 EL 등의 면전극으로서의 이용에 주목하여 연구해 왔다.
특허문헌 1 : 일본 공개특허공보 제2000-13088호
특허문헌 2 : 일본 공개특허공보 평10-340629호
특허문헌 3 : 일본 공개특허공보 평10-41682호
특허문헌 4 : 일본 공고특허공보 소42-23746호
특허문헌 5 : 일본 공개특허공보 제2006-228649호
특허문헌 6 : 일본 공개특허공보 제2004-221564호
특허문헌 7 : 일본 공개특허공보 제2004-221565호
특허문헌 8 : 일본 공개특허공보 제2007-95408호
본 발명의 목적은, 높은 도전성을 갖는 도전성 재료 및 그것을 제조하기 위한 도전막 형성용 감광 재료를 제공하는 것에 있다.
본 발명자는 예의 검토를 실시한 결과, 은염 함유 유제층 또는 은염 함유 유제층측 중 어느 층에 도전성 미립자 및 바인더를 함유시키고, 도전성 미립자 및 바인더의 질량비 (도전성 미립자/바인더) 를 소정 비율로 설정하는 것, 또는 도전성 미립자를 소정량 함유시킴으로써, 얻어지는 도전성 재료의 도전성을 높일 수 있어, 면전극 등으로서 유용한 것을 알아냈다.
요컨대, 도전성 미립자와 바인더를 감광 재료 중 어느 층에 함유시키고, 이것을 노광, 현상 처리하여 도전성 재료를 제조함으로써, 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 알아냈다.
즉, 이하의 발명에 의해 상기 과제를 해결할 수 있다.
(1) 지지체 위에 은염 함유 유제층을 갖는 도전막 형성용 감광 재료로서,
상기 은염 함유 유제층 또는 은염 함유 유제층측 중 어느 층에 도전성 미립자 및 바인더를 함유하고,
상기 도전성 미립자 및 바인더의 질량비 (도전성 미립자/바인더) 가 1/33 ∼ 1.5/1 인 것을 특징으로 하는 도전막 형성용 감광 재료.
(2) 상기 도전성 미립자 및 바인더의 질량비 (도전성 미립자/바인더) 가 1/3 ∼ 1.5/1 인 것을 특징으로 하는 (1) 항에 기재된 도전막 형성용 감광 재료.
(3) 상기 도전성 미립자 및 바인더를 함유한 층이, 상기 은염 함유 유제층에 인접하는 층인 것을 특징으로 하는 (1) 또는 (2) 항에 기재된 도전막 형성용 감광 재료.
(4) 상기 도전성 미립자의 도포량이 0.05 ∼ 0.9g/㎡ 인 것을 특징으로 하는 (1) ∼ (3) 중 어느 1 항에 기재된 도전막 형성용 감광 재료.
(5) 상기 도전성 미립자의 도포량이 0.2 ∼ 0.4g/㎡ 인 것을 특징으로 하는 (4) 항에 기재된 도전막 형성용 감광 재료.
(6) 상기 도전성 미립자가 SnO2, ZnO, TiO2, A12O3, In2O3, MgO, BaO, 및 MoO3 으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 금속 산화물, 이들 복합 금속 산화물, 또는, 이들 금속 산화물에 이종(異種) 원자를 함유하는 금속 산화물인 것을 특징으로 하는 (1) ∼ (5) 중 어느 1 항에 기재된 도전막 형성용 감광 재료.
(7) 상기 도전성 미립자가 안티몬이 도핑된 SnO2 인 것을 특징으로 하는 (6) 에 기재된 도전막 형성용 감광 재료.
(8) 상기 도전성 미립자가 구 형상일 때에는 평균 입자경이 0.085 ∼ 0.12㎛ 이고, 침 형상일 때에는 평균 축길이가 장축 0.2 ∼ 20㎛, 단축 0.01 ∼ 0.02㎛ 인 것을 특징으로 하는 (1) ∼ (7) 중 어느 1 항에 기재된 도전막 형성용 감광 재료.
(9) 상기 은염 함유 유제층측에, 상기 은염 함유 유제층에 인접하는 보호층을 갖고, 상기 보호층에 도전성 미립자 및 바인더를 함유하는 것을 특징으로 하는 (1) ∼ (8) 중 어느 1 항에 기재된 도전막 형성용 감광 재료.
(10) 지지체 위에 은염 함유 유제층을 갖는 도전막 형성용 감광 재료로서,
상기 은염 함유 유제층 또는 은염 함유 유제층측 중 어느 층에 도전성 미립자 및 바인더를 함유하고,
상기 도전성 미립자의 함유량이 0.05 ∼ 0.9g/㎡ 인 것을 특징으로 하는 도전막 형성용 감광 재료.
(11) (1) ∼ (10) 중 어느 1 항에 기재된 도전막 형성용 감광 재료를 패턴 노광하고, 현상 처리하여 얻은 도전성 재료.
(12) 지지체 위에 도전층을 갖는 도전성 재료로서,
상기 도전층 또는 도전층측 중 어느 층에 도전성 미립자 및 바인더를 함유하고,
상기 도전성 미립자 및 바인더의 질량비 (도전성 미립자/바인더) 가 1/33 ∼ 1.5/1 인 것을 특징으로 하는 도전성 재료.
(13) 상기 도전성 미립자 및 바인더의 질량비 (도전성 미립자/바인더) 가 1/3 ∼ 1.5/1 인 것을 특징으로 하는 (12) 에 기재된 도전성 재료.
(14) 상기 도전성 미립자의 도포량이 0.05 ∼ 0.9g/㎡ 인 것을 특징으로 하는 (12) 또는 (13) 에 기재된 도전성 재료.
(15) 상기 도전층의 표면 저항이 0.01Ω/□ 이상인 것을 특징으로 하는 (12) ∼ (14) 중 어느 1 항에 기재된 도전성 재료.
또한, 본 발명에 있어서의 「은염 함유 유제층측」이란, 지지체의 백 (back) 면측의 반대측으로서 은염 함유 유제층 등이 도포되어 있는 측을 말한다. 또, 이 유제층측의 「상층」이란, 지지체로부터 보다 떨어진 표면층에 가까운 측의 층 (혹은 표면층) 을 말하고, 「하층」이란 지지체에 보다 가까운 측의 층을 말한다.
도전층은 메시 패턴 형상의 도전부인 것이 바람직하다.
본 발명의 도전막 형성용 감광 재료를 이용하면, 그것을 패턴 노광 후, 현상 처리함으로써 높은 도전성을 갖는 도전막을 도금 처리를 실시하지 않고 저비용으로 제조할 수 있다. 특히, 높은 도전성과 투명성을 갖는 도전성 재료를 저비용으로 제조할 수 있다. 특히, 현상 처리 후에 오버코트로 도전성 미립자를 도포하지 않고, 일괄 처리, 예를 들어 도전성 미립자를 동시 중층 도포할 수 있는 것이 큰 이점이다.
본 발명의 감광 재료를 이용하여 얻어지는 도전성 재료는, 예를 들어 도전막으로서는, 액정 텔레비전, 플라즈마 텔레비전, 유기 EL, 무기 EL, 태양전지, 터치 패널, 프린트 회선 기판 등에 널리 응용할 수 있다. 정밀도가 요구되는 펜 입력의 터치 패널에도, 본 발명은 대응할 수 있고, 문자 등의 입력 정보가 끊기지 않아 직선성이 우수하다. 또, 본 발명의 도전막 형성용 감광 재료를 이용하여 제조된 도전막은 저저항성으로, 전자파 시일드재 등에 사용할 수 있다. 또 투광성 도전막은, 투광성 전자파 차폐 필름이나 투명 발열 필름 등으로서 유용하다.
본 발명의 제 1 양태의 도전막 형성용 감광 재료는, 지지체 위에 은염 함유 유제층을 갖는 도전막 형성용 감광 재료로서, 은염 함유 유제층 또는 은염 함유 유제층측 중 어느 층에 도전성 미립자 및 바인더를 함유하고, 도전성 미립자 및 바인더의 질량비 (도전성 미립자/바인더) 가 1/33 ∼ 1.5/1 이다. 상기 도전성 미립자 및 바인더의 질량비 (도전성 미립자/바인더) 는 1/3 ∼ 1.5/1 이 바람직하다. 상기 도전성 미립자 및 바인더의 질량비가 상기 상한값을 초과하면, 투명성이 실용적으로 충분하지 못하게 되어, 투명 도전 필름으로서 부적합해진다.
또 상기 하한값 미만이면, 면 내의 전기 특성이 불충분해지고, 예를 들어, EL 소자에 사용한 경우에는 휘도가 실용적으로 불충분해진다.
본 발명의 제 2 양태의 도전막 형성용 감광 재료는, 지지체 위에 은염 함유 유제층을 갖는 도전막 형성용 감광 재료로서, 은염 함유 유제층 또는 은염 함유 유제층측 중 어느 층에 도전성 미립자 및 바인더를 함유하고, 상기 도전성 미립자의 함유량이 0.05 ∼ 0.9g/㎡ 이다. 상기 도전성 미립자의 함유량은 0.1 ∼ 0.6g/㎡ 인 것이 보다 바람직하고, 0.1 ∼ 0.5g/㎡ 인 것이 더욱 바람직하다. 도전성 미립자의 함유량이 상기 상한값을 초과하면, 투명성이 실용적으로 불충분해져, 투명 도전성 필름으로서 부적합해진다. 또한, 도전성 미립자의 함유량이 상기 상한값을 초과하면, 도전성 미립자의 도포 공정에서 균일하게 분포시키는 것이 어려워 제조 불량이 증가된다. 또 상기 하한값 미만이면, 면 내의 전기 특성이 불충분해지고, 예를 들어, EL 소자에 사용한 경우에는 휘도가 실용적으로 불충분해진다.
도전성 미립자를 함유시키는 층이 은염 함유 유제층측 중 어느 층인 경우, 그 층은 도전성 재료를 제조 후, 그 도전층과 전기 전도성을 가지면 그 위치는 특별히 제한되지 않는다. 은염 함유 유제층측 중 어느 층으로서는 은염 함유 유제층에 인접하는 층이 바람직하다. 인접하는 층으로도 유제층의 상층 (예를 들어, 보호층) 또는 하층 (예를 들어, 지지체측의 하인층(下引層)) 이 있는데, 도전성 미립자는 상층 (예를 들어, 후술하는 보호층) 에 함유시키는 편이 전극 등으로서 사용하면 도전성이 유리해져, 무기 EL 소자에 편입했을 때의 휘도 향상 효과가 커진다.
본 발명의 도전막 형성용 감광 재료의 각 층의 구성에 대해, 이하에 상세하게 설명한다.
[지지체]
본 발명의 도전막 형성용 감광 재료에 이용되는 지지체로서는, 플라스틱 필름, 플라스틱판, 및 유리판 등을 들 수 있다.
지지체로서는, 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) (융점 : 258℃), 폴리에틸렌나프탈레이트 (PEN) (융점 : 269℃), 폴리에틸렌 (PE) (융점 : 135℃), 폴리프로필렌 (PP) (융점 : 163℃), 폴리스티렌 (융점 : 230℃), 폴리염화비닐 (융점 : 180℃), 폴리염화비닐리덴 (융점 : 212℃) 이나 트리아세틸셀룰로오스 (TAC) (융점 : 290℃) 등의 융점이 약 290℃ 이하인 플라스틱 필름, 또는 플라스틱판이 바람직하고, 특히 투광성 전자파 차폐막용으로는 광투과성이나 가공성 등의 관점에서 PET 가 바람직하다. 투명 도전성 필름은 투명성이 요구되기 때문에, 지지체의 투명성은 높은 것이 바람직하다.
상기 지지체의 전체 가시광 투과율은 70% 이상이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 85% 이상이며, 특히 바람직하게는 90% 이상이다. 또, 본 발명에서는, 지지체로서 본 발명의 목적을 방해하지 않을 정도로 착색한 것을 사용할 수도 있다.
[은염 함유 유제층]
본 발명의 도전막 형성용 감광 재료는, 지지체 위에 광센서로서 은염 유제를 함유하는 유제층 (은염 함유 감광층) 을 갖는다. 은염 함유 감광층은, 은염과 바인더 외에 용매와 염료 등의 첨가제를 함유할 수 있다. 유제층의 두께는 바람직하게는 0.1 ∼ 10㎛, 보다 바람직하게는 0.1 ∼ 5㎛ 이다.
감광 재료에 있어서, 은염 함유 유제층은 실질적으로 최상층에 배치되어 있다. 여기에서, 「은염 함유 유제층이 실질적으로 최상층이다」란, 은염 함유 유제층이 실제로 최상층에 배치되어 있는 경우뿐만 아니라, 은염 함유 유제층 상에 형성된 층의 총 막두께가 0.5㎛ 이하인 것을 의미한다. 은염 함유 유제층 상에 형성된 층의 총 막두께는 바람직하게는 0.2㎛ 이하이다.
본 발명에 사용되는 은염으로서는, 할로겐화은 등의 무기 은염 및 아세트산 은 등의 유기 은염을 들 수 있다. 본 발명에 있어서는, 광센서로서의 특성이 우수한 할로겐화은을 사용하는 것이 바람직하다. 은염 함유 유제층의 은염의 도포량은, 특별히 제한되지 않는데, 은으로 환산하여 0.5 ∼ 10g/㎡ 가 바람직하고, 0.5 ∼ 8g/㎡ 가 특히 바람직하다. 은량이 너무 적으면 충분한 도전성이 얻어지지 않는 경우가 있다.
본 발명에 사용되는 할로겐화은 유제는, VIII 족, VIIB 족에 속하는 금속을 함유해도 된다. 특히, 고(高)콘트라스트 및 저(低)흐림을 달성하기 위해, 로듐 화합물, 이리듐 화합물, 루테늄 화합물, 철 화합물, 오스뮴 화합물 등을 함유하는 것이 바람직하다. 이들 화합물은 각종의 배위자를 갖는 화합물이어도 된다.
또, 고감도화를 위해서는 K4[Fe(CN)6] 이나 K4[Ru(CN)6], K3[Cr(CN)6] 과 같은 6 시아노화 금속 착물의 도프가 유리하게 실시된다.
상기 로듐 화합물로서는 수용성 로듐 화합물을 사용할 수 있다. 수용성 로듐 화합물로서는, 예를 들어, 할로겐화 로듐 (Ⅲ) 화합물, 헥사클로로로듐 (Ⅲ) 착염, 펜타클로로아코로듐 착염, 테트라클로로디아코로듐 착염, 헥사브로모로듐 (Ⅲ) 착염, 헥사아민로듐 (Ⅲ) 착염, 트리자라트로듐 (Ⅲ) 착염, K3[Rh2Br9] 등을 들 수 있다.
상기 이리듐 화합물로서는, K2[IrCl6], K3[IrCl6] 등의 헥사클로로이리듐 착염, 헥사브로모이리듐 착염, 헥사안민이리듐 착염, 펜타클로로니트로실이리듐 착염 등을 들 수 있다.
유제층에 함유되는 바인더의 함유량은, 특별히 한정되지 않아, 분산성과 밀착성을 발휘할 수 있는 범위에서 적절하게 결정할 수 있다. 유제층의 은 및 바인더의 함유량은, Ag/바인더 체적비로 1/10 이상이 바람직하고, 1/4 이상이 보다 바람직하고, 1/2 이상이 더욱 바람직하고, 1/1 이상이 특히 바람직하다. 또, 은 및 바인더의 함유량은 Ag/바인더 체적비로 10/1 이하인 것이 바람직하고, 5/1 이하인 것이 더욱 바람직하다. 여기에서 바인더량이 많은 경우에는, 도전성이 저하되는 요인이 되므로 바인더량은 적은 편이 바람직하다. 또한, Ag/바인더 체적비는, 원료의 할로겐화은량/바인더량 (질량비) 을 은량/바인더량 (질량비) 으로 변환시키고, 또한 은량/바인더량 (질량비) 을 은량/바인더량 (체적비) 으로 변환시킴으로써 구할 수 있다.
유제층은 은염 함유량이 동일 또는 상이한 2 층 이상으로 구성되어도 된다.
<도전성 미립자와 바인더>
본 발명에서 사용되는 도전성 미립자는 SnO2, ZnO, TiO2, A12O3, In2O3, MgO, BaO, 및 MoO3 등의 금속 산화물 그리고 이들의 복합 산화물, 그리고 이들 금속 산화물에 추가로 이종 원자를 함유하는 금속 산화물의 입자를 들 수 있다. 이종 원자로서는, 안티몬을 들 수 있다. 금속 산화물로서는 SnO2, ZnO, TiO2, Al2O3, In2O3, MgO 가 바람직하고, SnO2 가 특히 바람직하다. SnO2 로서는, 안티몬이 도핑된 SnO2 가 바람직하고, 특히 안티몬이 0.2 ∼ 2.0 몰% 도핑된 SnO2 가 바람직하다. 본 발명에 사용하는 도전성 미립자의 형상에 대해서는 특별히 제한은 없고, 입자 형상, 침 형상 등을 들 수 있다. 도전성 미립자의 입자경은 0.085 ∼ 0.12㎛ 가 바람직하다. 입자경의 하한값은 0.09㎛ 가 보다 바람직하고, 0.1㎛ 가 더욱 바람직하다. 상기 입자경의 조건을 만족함으로써, 투명성이 우수하고 도전성이 면 내 방향으로 균일한 도전층을 형성할 수 있다.
도전성 미립자의 분체 저항 (9.8MPa 압분체) 의 하한값은 0.8Ω㎝ 가 바람직 하고, 1Ω㎝ 가 보다 바람직하고, 4Ω㎝ 가 더욱 바람직하다. 도전성 미립자의 분체 저항 (9.8MPa 압분체) 의 상한값은 35Ω㎝ 가 바람직하고, 20Ω㎝ 가 보다 바람직하고, 10Ω㎝ 가 더욱 바람직하다. 상기 분체 저항의 조건을 만족함으로써 도전성이 면 내 방향으로 균일한 도전층을 형성할 수 있다.
비표면적 (간이 BET 법) 은 60 ∼ 120㎡/g 이 바람직하고, 70 ∼ 100㎡/g 이 보다 바람직하다.
이들 중에서도, 상기 바람직한 조건 모두를 만족하는 것이 특히 바람직하다.
또, 도전성 미립자가 구형의 입자인 경우, 평균 입자경은 0.085 ∼ 0.12㎛ 가 바람직하다 (1 차 입자경). 그 분체 저항은 0.8 ∼ 7Ω㎝ 가 바람직하고, 1 ∼ 5Ω㎝ 가 보다 바람직하다.
침 형상의 경우에는 평균 축길이가, 장축 0.2 ∼ 20㎛, 단축 0.01 ∼ 0.02㎛ 가 바람직하다. 그 분체 저항은 3 ∼ 35Ω㎝ 가 바람직하고, 5 ∼ 30Ω㎝ 가 보다 바람직하다.
상기 특성을 갖는 도전성 미립자로서는, 예를 들어, 이시하라 산업사 제조의 SN 시리즈 (상품명) 나 미츠비시 마테리알 전자 화성사에서 출시되고 있는 도전성 재료를 사용할 수 있다.
본 발명에서의 도전성 미립자에는, 카본 나노 튜브나 금속 나노 와이어는 포함하지 않는다.
은염 함유 유제층에 도전성 미립자와 바인더를 함유시키는 경우, 도전성 미립자의 도포량이 0.05 ∼ 0.9g/㎡ 인 것이 바람직하고, 0.1 ∼ 0.6g/㎡ 인 것이 보 다 바람직하고, 0.1 ∼ 0.5g/㎡ 인 것이 더욱 바람직하고, 0.2 ∼ 0.4g/㎡ 인 것이 특히 바람직하다.
도전성 미립자와 바인더를 함유시키는 층이, 은염 함유 유제층보다 상층 (예를 들어, 보호층) 일때에는, 도전성 미립자의 도포량이 0.1 ∼ 0.6g/㎡ 인 것이 바람직하고, 0.1 ∼ 0.5g/㎡ 인 것이 보다 바람직하고, 0.2 ∼ 0.4g/㎡ 인 것이 더욱 바람직하다.
도전성 미립자와 바인더를 함유시키는 층이 은염 함유 유제층보다 하층 (예를 들어, 하인층) 일 때에는, 도전성 미립자의 도포량이 0.1 ∼ 0.6g/㎡ 인 것이 바람직하고, 0.1 ∼ 0.5g/㎡ 인 것이 보다 바람직하고, 0.16 ∼ 0.4g/㎡ 인 것이 더욱 바람직하다.
도전성 미립자의 도포량이 상기 상한값을 초과하면, 투명성이 실용적으로 불충분해져, 투명 도전성 필름으로서 적합하지 않게 되는 경향이 있다. 또한, 도전성 미립자의 도포량이 상기 상한값을 초과하면, 도전성 미립자의 도포 공정에서 균일하게 분산시키는 것이 어려워, 제조 불량이 증가되는 경향이 있다. 또 상기 하한값 미만이면, 면 내의 전기 특성이 불충분해지고, 예를 들어, EL 소자에 사용한 경우에는 휘도가 실용적으로 불충분해지는 경향이 있다.
도전성 미립자와 바인더를 함유시키는 층은, 유제층측의 상층, 예를 들어 보호층인 것이 바람직하다. 보호층에 도전성 미립자를 함유시키는 것이, 전극 등으로서 사용하면 도전성이 유리해져, 무기 EL 소자에 편입했을 때의 휘도 향상 효과가 커진다.
도전성 미립자와 바인더를 함유시키는 층이 보호층인 경우, 도전성 미립자의 도포량은 상기 적합한 범위와 동일한데, 바인더의 도포량은 0.5g/㎡ 이하인 것이 바람직하고, 0.3g/㎡ 이하인 것이 보다 바람직하고, 0.1g/㎡ 이하인 것이 더욱 바람직하다. 바인더의 도포량의 하한값은 0.001g/㎡ 인 것이 바람직하다. 바인더의 도포량이 적을수록 도전성이 향상되어 바람직하다. 또한 바인더의 도포량이 많은 경우에는, 바인더 도포량의 잔류 용제량이 많아지므로, 그것이 다른 기능층에 악영향을 주는 경우가 있다. 따라서, 바인더는 보호층에 함유시키지 않아도 된다. 또한, 바인더 도포량을 적게 하는 경우, 점도를 30cp 이상으로 함으로써 도전성 미립자의 도포 불균일을 제어할 수 있다. 점도는 증점제의 첨가량에 따라 적절히 조정할 수 있다.
증점제로서는, 예를 들어, 메틸셀룰로오스, 히드록시메틸셀룰로오스, 히드록시프로필메틸셀룰로오스, 카르복시메틸셀룰로오스 등의 개질 셀룰로오스, 아라비아 검, 폴리비닐피롤리돈, 폴리비닐메틸에테르, 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜, 비닐메틸에테르/무수 말레인산 공중합체, 아세트산비닐/무수 말레인산 공중합체 등의 고분자 화합물, 비닐아릴술폰산 (예를 들어, 비닐벤젠술폰산염) 을 들 수 있다.
도전성 미립자 함유층에는, 도전성 미립자를 지지체에 밀착시키는 목적으로 바인더가 부가적으로 사용된다. 이러한 바인더로서는, 수용성 폴리머를 사용하는 것이 바람직하다.
상기 바인더로서는, 예를 들어, 젤라틴, 카라기난, 폴리비닐알코올 (PVA), 폴리비닐피롤리돈 (PVP), 전분 등의 다당류, 셀룰로오스 및 그 유도체, 폴리에틸렌옥사이드, 폴리사카라이드, 폴리비닐아민, 키토산, 폴리리진, 폴리아크릴산, 폴리알긴산, 폴리히알루론산, 카르복시셀룰로오스, 아라비아고무, 알긴산나트륨 등을 들 수 있다. 이들은, 관능기의 이온성에 의해 중성, 음이온성, 양이온성의 성질을 갖는다.
또한, 은염 함유 유제층에는, 도전성 미립자를 함유시키지 않아도, 은염 입자를 균일하게 분산시키고, 또한 유제층과 지지체의 밀착을 보조하는 목적으로 상기와 동일한 바인더를 사용한다. 본 발명에 있어서의 질량비 (도전성 미립자/바인더) 는, 도전성 미립자를 함유하는 층에 있어서의 바인더에 대한 도전성 미립자의 질량비이다.
<용매>
상기 유제층의 형성에 사용되는 용매는, 특별히 한정되는 것은 아닌데, 예를 들어, 물, 유기 용매 (예를 들어, 메탄올 등 알코올류, 아세톤 등 케톤류, 포름아미드 등의 아미드류, 디메틸술폭시드 등의 술폭시드류, 아세트산에틸 등의 에스테르류, 에테르류 등), 이온성 액체, 및 이들 혼합 용매를 들 수 있다.
본 발명의 유제층에 사용되는 용매의 함유량은, 상기 유제층에 함유되는 은 염, 바인더 등의 합계의 질량에 대해 30 ∼ 90 질량% 의 범위이고, 50 ∼ 80 질량% 의 범위인 것이 바람직하다.
<그 밖의 첨가제>
본 발명에 사용되는 각종 첨가제에 관해서는, 특별히 제한은 없고, 공지된 것을 바람직하게 사용할 수 있다. 예를 들어, 증점제, 산화 방지제, 매트제, 활제, 대전 방지제, 조핵 (造核) 촉진제, 분광 증감 색소, 계면 활성제, 흐림 방지제, 경막제, 흑점 방지제 등을 들 수 있다. 또 유전율이 높은 물질을 첨가하거나, 표면을 소수성으로 하기 위해 바인더에 소수성기의 도입·소수성 화합물을 첨가제로서 첨가하거나 해도 된다.
[그 밖의 층구성]
상기 서술한 바와 같이 유제층 상에 보호층을 형성해도 된다. 본 발명에 있어서 「보호층」이란, 젤라틴이나 고분자 폴리머와 같은 바인더로 이루어지는 층을 의미하고, 스크래치 방지나 역학 특성을 개량하는 효과를 발현시키기 위해 감광성을 갖는 유제층 상에 형성된다. 그 두께는 0.2㎛ 이하가 바람직하고, 0.05 ∼ 0.1㎛ 가 보다 바람직하다. 보호층의 도포 방법 및 형성 방법은 특별히 한정되지 않아, 공지된 도포 방법 및 형성 방법을 적절히 선택할 수 있다. 또, 은염 함유 유제층보다 아래에, 예를 들어 하인층을 형성할 수도 있다.
본 발명에 있어서는, 도전성 미립자와 바인더를, 은염 함유 유제층 이외의 층을 형성하여 함유시킬 수도 있고, 은염 함유 유제층보다 상층이어도 되고 하층이어도 된다. 또, 은염 함유 유제층과 인접하는 층에 도전성 미립자와 바인더를 함유시키는 것도 바람직하다.
도전성 미립자 함유층을 보호층이나 하인층과는 별도로 독립적으로 형성한 경우의 본 발명에 있어서의 감광 재료의 층구성으로서는, 지지체측에서부터 (1) 하인층/유제층/도전성 미립자 함유층/보호층 또는 실리카를 함유하는 밀착성 부여층, (2) 하인층/유제층/도전성 미립자 함유층, (3) 도전성 미립자 함유층/유제층/보호층, (4) 하인층/제 1 유제층/제 2 유제층/도전성 미립자 함유층/보호층 (유제층의 은염 함유량이 상이하다) 등을 들 수 있다. 또한, (2) 와 같이, 보호층이 없고 도전성 미립자 함유층이 최상층이 되는 형태여도 된다.
상기 감광 재료는, 지지체 위에 유제층 형성용 도포액, 도전성 미립자 함유층 형성용 도포액 등의 각 층을 형성할 수 있는 도포액을 동시 중층 도포함으로써 형성할 수 있다. 이와 같이 중층 도포하여 후술하는 노광 현상 처리를 실시함으로써 도전막을 제조할 수 있고, 이로써 제조 공정을 간략화하여 수율을 향상시킬 수도 있다. 또한, 메시 형상의 도전막에 도전성 미립자 함유층 형성용 도포액을 도포하는 경우에는, 도전성 미립자가 균일하게 분산되지 않아, 메시 상에 응집되는 등의 문제가 생기는 경우가 있는데, 동시 중층 도포에 의하면, 그와 같은 문제가 생기지 않아, 도전성 미립자의 분산성이 높은 도전막을 얻을 수 있다.
〔도전막 (도전성 재료)〕
본 발명의 도전막은 지지체 위에 도전층을 갖는 도전막으로서, 도전층 또는 도전층측 중 어느 층에 도전성 미립자 및 바인더를 함유하고, 상기 도전성 미립자 및 바인더의 질량비 (도전성 미립자/바인더) 가 1/33 ∼ 1.5/1 이다. 상기 도전성 미립자 및 바인더의 질량비 (도전성 미립자/바인더) 가 1/3 ∼ 1.5/1 이 바람직하다.
본 발명의 도전성 재료는, 상기 도전막 형성용 감광 재료를 패턴 노광하고, 현상 처리하여 얻어지는 것이 바람직한데, 이것에 한정되는 것은 아니다. 즉, 본 발명의 도전막은, 도전층 (제 1 도전층) 또는 도전층 (제 1 도전층) 측 중 어느 층에 도전성 미립자 및 바인더를 함유하고, 상기 도전성 미립자 및 바인더의 질량비 (도전성 미립자/바인더) 가 1/33 ∼ 1.5/1 인 제 2 도전층 (도전성 미립자 및 바인더를 함유하는 도전층측 중 어느 층, 예를 들어 상기 서술한 보호층이나 하인층) 을 갖는 것이면 된다. 제 1 도전층으로서는, 동박 메시 패턴을 갖는 층, 인쇄 방식에 의해 형성된 메시 패턴을 갖는 층, 도전성 폴리머를 함유하는 층, 제 2 도전층에 함유되는 도전성 미립자와 상이한 도전성 미립자를 함유하는 층, ITO 로 이루어지는 층을 들 수 있다.
본 발명의 도전막에서는, 전체 광선 투과율은 81% 이상이 바람직하고, 82% 이상이 보다 바람직하고, 83% 이상이 더욱 바람직하고, 84% 이상이 보다 더욱 바람직하고, 85% 이상이 특히 바람직하고, 90% 이상이 가장 바람직하다. 본 발명의 도전막에서는, 메시 패턴을 함유하지 않은 개구부의 투과율은 81% 이상이 바람직하고, 82% 이상이 보다 바람직하고, 83% 이상이 더욱 바람직하고, 84% 이상이 보다 더욱 바람직하고, 85% 이상이 특히 바람직하고, 90% 이상이 가장 바람직하다.
도전성 미립자로서 은 입자나 구리 입자 등의 금속 입자를 사용한 경우에는 개구부의 투과율이 저하되므로 투명성이 실용적으로 불충분해지는 경우가 있다. 본 발명의 도전막에서는 투명성의 관점에서 상기 서술한 금속 산화물 및 이들 복합 산화물의 도전성 미립자를 사용하는 것이 바람직하다.
본 발명의 도전성 재료의 제 2 도전층은, 상기 본 발명의 도전막 형성용 감광 재료에 있어서의 것과 동일한 구성을 취할 수 있다.
본 발명의 도전성 재료의 제 1 도전층과 제 2 도전층은, 이하의 관계를 만족하는 것이 바람직하다. 이와 같은 관계를 만족함으로써 도전성 재료의 면 내의 전기 특성이 보다 균일해져, 무기 EL 소자로 했을 때에 면 내 전체에서 충분한 휘도가 얻어진다.
(1) 제 1 도전층과 제 2 도전층은 제 1 도전층의 표면 저항 (surface resistivity) 이 작다.
(2) 제 1 도전층의 표면 저항은 200Ω/sq 이하 (0.01Ω/sq 이상) 이고, 제 2 도전층의 표면 저항은 1×103Ω/sq 이상 (1×1014Ω/sq 이하) 이다.
상기 제 1 도전층의 표면 저항의 상한값은 150Ω/sq 인 것이 더욱 바람직하다. 또 상기 제 1 도전층의 표면 저항의 하한값은 0.1Ω/sq 인 것이 더욱 바람직하고, 1Ω/sq 인 것이 특히 바람직하다.
상기 제 2 도전층 (도전성 미립자 함유층) 의 표면 저항의 상한값은 1×1O13Ω/sq 인 것이 더욱 바람직하고, 또 상기 제 2 도전층의 표면 저항의 하한값은 1×105Ω/sq 인 것이 더욱 바람직하고, 1×106Ω/sq 인 것이 특히 바람직하다.
본 발명에 있어서 표면 저항은, 저저항률계 로레스타-GP (상품명, 미츠비시 화학사 제조), NON-CONTACT CONDUCTANCE MONITOR MODEL 717B (상품명, DELCOM 사 제조) 나 디지털 초고 저항/미소 전류계 8340A (상품명, 주식회사 에이디시사 제조) 에 의해 측정할 수 있다.
또, 제 1 도전층의 표면 저항에 의해, 제 2 도전층의 도전성 미립자의 함유 량을 조정하는 것이 바람직하다.
제 1 도전층의 표면 저항이 0.01 ∼ 50Ω/sq 인 경우 (예를 들어, 현상 은 메시 패턴), 상기 도전성 미립자 및 바인더의 질량비 (도전성 미립자/바인더) 가 1/3 ∼ 1.5/1 이 바람직하다.
제 1 도전층의 표면 저항이 70 ∼ 200Ω/sq 인 경우 (예를 들어, ITO), 상기 도전성 미립자 및 바인더의 질량비 (도전성 미립자/바인더) 가 1/33 ∼ 1/1 이 바람직하다.
이하, 상기 본 발명의 도전막 형성용 감광 재료를 패턴 노광하고, 현상 처리하여 얻어지는 도전막의 실시형태에 대해 상세히 서술한다.
본 발명에 있어서, 패턴 노광·현상 처리에 의해 형성하는 형상은, 메시 형상으로, 직선이 직교되어 있는 격자 형상, 교차부 사이가 적어도 1 개의 만곡을 갖는 파선 형상 등이 있는데, 예를 들어 격자 형상 메시에서는, 라인/스페이스가 20 ∼ 1000㎛ 인 것이 바람직하고, 20 ∼ 300㎛ 가 더욱 바람직하다. 이 때 피치는 200 ∼ 1000㎛ 가 바람직하고, 200 ∼ 600㎛ 가 더욱 바람직하다.
또한, 본 발명에서는, 도전성이 확보되는 범위 내에서 도전성 폴리머를 도포함으로써, 추가로 도전층을 형성해도 된다.
[노광]
은염 함유 유제층을 패턴 형상으로 노광하는 방법은, 포토마스크를 이용한 면노광으로 실시해도 되고, 레이저빔에 의한 주사 노광으로 실시해도 된다. 이 때, 렌즈를 사용한 굴절식 노광이어도 되고 반사경을 사용한 반사식 노광이어도 되 고, 컨택트 노광, 프록시미티 노광, 축소 투영 노광, 반사 투영 노광 등의 노광 방식을 사용할 수 있다.
[현상 처리]
본 발명의 감광 재료의 현상 처리는 은염 함유층을 노광시킨 후, 그리고 현상 처리가 실시된다. 상기 현상 처리는 은염 사진 필름이나 인화지, 인쇄 제판용 필름, 포토마스크용 에멀전 마스크 등에 사용되는 통상적인 현상 처리의 기술을 사용할 수 있다.
본 발명에서는, 상기의 노광 및 현상 처리를 실시함으로써 노광부에 패턴 형상의 금속 은부가 형성됨과 함께, 미노광부에 후술하는 광투과성부가 형성된다.
본 발명의 감광 재료의 현상 처리는, 미노광 부분의 은염을 제거하여 안정화시키는 목적으로 실시되는 정착 처리를 포함할 수 있다. 본 발명의 감광 재료에 대한 정착 처리는, 은염 사진 필름이나 인화지, 인쇄 제판용 필름, 포토마스크용 에멀전 마스크 등에 사용되는 정착 처리의 기술을 사용할 수 있다.
이와 같이 하여 얻어진 본 발명의 도전성 재료는, 은염 함유 유제층에 도전성 미립자가 들어 있는 경우에는, 은염을 뺀 광투과부에 도전성 미립자가 분산되어, 금속 은부보다 고저항의 도전층이 형성된다. 은염 함유 유제층 이외의 층에 도전성 미립자가 들어 있는 경우에도, 동일하게 광투과부에 도전성 미립자가 분산된 도전층이 형성된다.
이상, 상기 서술한 본 발명의 감광 재료 및 도전성 재료에서는, 이하에 열거하는 공지 문헌을 적절하게 조합하여 사용할 수 있다.
일본 공개특허공보 제2004-221564호, 일본 공개특허공보 제2004-221565호, 일본 공개특허공보 제2007-200922호, 일본 공개특허공보 제2006-352073호, W02006/001461A1호 팜플렛, 일본 공개특허공보 제2007-129205호, 일본 공개특허공보 제2007-235115호, 일본 공개특허공보 제2007-207987호, 일본 공개특허공보 제2006-012935호, 일본 공개특허공보 제2006-010795호, 일본 공개특허공보 제2006-228469호, 일본 공개특허공보 제2006-332459호, 일본 공개특허공보 제2007-207987호, 일본 공개특허공보 제2007-226215호, W02006/088059A1호 팜플렛, 일본 공개특허공보 제2006-261315호, 일본 공개특허공보 제2007-072171호, 일본 공개특허공보 제2007-102200호, 일본 공개특허공보 제2006-228473호, 일본 공개특허공보 제2006-269795호, 일본 공개특허공보 제2006-267635호, 일본 공개특허공보 제2006-267627호, W02006/098333호 팜플렛, 일본 공개특허공보 제2006-324203호, 일본 공개특허공보 제2006-228478호, 일본 공개특허공보 제2006-228836, 일본 공개특허공보 제2006-228480호, W02006/098336A1호 팜플렛, W02006/098338A1호 팜플렛, 일본 공개특허공보 제2007-009326호, 일본 공개특허공보 제2006-336057호, 일본 공개특허공보 제2006-339287호, 일본 공개특허공보 제2006-336090호, 일본 공개특허공보 제2006-336099호, 일본 공개특허공보 제2007-039738호, 일본 공개특허공보 제2007-039739호, 일본 공개특허공보 제2007-039740호, 일본 공개특허공보 제2007-002296호, 일본 공개특허공보 제2007-084886호, 일본 공개특허공보 제2007-092146호, 일본 공개특허공보 제2007-162118호, 일본 공개특허공보 제2007-200872호, 일본 공개특허공보 제2007-197809호, 일본 공개특허공보 제2007-270353호, 일본 공개특허공 보 제2007-308761호, 일본 공개특허공보 제2006-286410호, 일본 공개특허공보 제2006-283133호, 일본 공개특허공보 제2006-283137호, 일본 공개특허공보 제2006-348351호, 일본 공개특허공보 제2007-270321호, 일본 공개특허공보 제2007-270322호, WO2006/098335A1호팜플렛, 일본 공개특허공보 제2007-088218호, 일본 공개특허공보 제2007-201378호, 일본 공개특허공보 제2007-335729호, W02006/098334A1호 팜플렛, 일본 공개특허공보 제2007-134439호, 일본 공개특허공보 제2007-149760호, 일본 공개특허공보 제2007-208133호, 일본 공개특허공보 제2007-178915호, 일본 공개특허공보 제2007-334325호, 일본 공개특허공보 제2007-310091호, 일본 공개특허공보 제2007-311646호, 일본 공개특허공보 제2007-013130호, 일본 공개특허공보 제2006-339526호, 일본 공개특허공보 제2007-116137호, 일본 공개특허공보 제2007-088219호, 일본 공개특허공보 제2007-207883호, 일본 공개특허공보 제2007-207893호, 일본 공개특허공보 제2007-207910호, 일본 공개특허공보 제2007-013130호, W02007/001008호 팜플렛, 일본 공개특허공보 제2005-302508호, 일본 공개특허공보 제2005-197234호.
본 발명의 도전성 재료는, EL 소자의 투명 전극으로서 적합하다. 분산형 일렉트로루미네선스 소자는 교류로 구동된다. 전형적으로는 100V 로 50Hz ∼ 400Hz 의 교류 전원을 이용하여 구동된다. 휘도는 면적이 작은 경우에는 인가 전압 및 주파수에 거의 비례하여 증가한다. 그러나, 0.25㎡ 이상의 대면적 소자인 경우, 소자의 용량 성분이 증대되고, 소자와 전원의 임피던스 매칭이 어긋나거나, 소자로의 축전하에 필요한 시정수가 커지거나 하므로, 고전압화나 특히 고주 파화되어도 전력 공급이 충분히 실행되지 않는 상태가 되기 쉽다. 특히, 0.25㎡ 이상의 소자에서는 500Hz 이상의 교류 구동에 대해서는, 구동 주파수의 증대에 대해 인가 전압의 저하가 자주 발생되어, 저휘도화가 일어나는 것이 자주 일어난다.
이것에 대해, 본 발명의 도전성 재료를 전극으로서 사용한 일렉트로루미네선스 소자는, 0.25㎡ 이상의 큰사이즈에서도 높은 주파수의 구동이 가능하여 고휘도화할 수 있다. 이 경우, 500Hz 이상 5kHz 이하에서의 구동이 바람직하고, 800Hz 이상 3kHz 이하의 구동이 보다 바람직하다.
실시예
이하에 본 발명을 실시예에 기초하여 상세하게 설명하는데, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.
[실시예 1]
(유제 A 의 조제)
·1 액 :
물 750㎖
젤라틴 (프탈화 처리 젤라틴) 8g
염화나트륨 3g
1,3-디메틸이미다졸리딘-2-티온 20㎎
벤젠티오술폰산나트륨 10㎎
시트르산 0.7g
·2 액
물 300㎖
질산은 150g
·3 액
물 300㎖
염화나트륨 38g
브롬화칼륨 32g
헥사클로로이리듐(Ⅲ)산칼륨
(0.005% KCl 20% 수용액) 5㎖
헥사클로로로듐산암모늄
(0.001% NaCl 20% 수용액) 7㎖
3 액에 사용하는 헥사클로로이리듐(Ⅲ)산칼륨 (0.005% KCl 20% 수용액) 및 헥사클로로로듐산암모늄 (0.001% NaCl 20% 수용액) 은, 각각의 착체 분말을 각각 KCl 20% 수용액, NaCl 20% 수용액에 용해시키고, 40℃ 에서 120 분간 가열하여 조제하였다.
38℃, pH 4.5 로 유지된 1 액에, 2 액과 3 액의 각각 90% 에 상당하는 양을 교반시키면서 동시에 20 분간에 걸쳐 첨가하여, 0.16㎛ 의 핵입자를 형성하였다. 계속해서 하기 4 액, 5 액을 8 분간에 걸쳐 첨가하고, 다시 2 액과 3 액의 나머지 10% 의 양을 2 분간에 걸쳐 첨가하여 0.21㎛ 까지 성장시켰다. 또한, 요오드화칼륨 0.15g 을 첨가하고 5 분간 숙성시켜 입자 형성을 종료하였다.
·4액
물 100㎖
질산은 50g
·5 액
물 100㎖
염화나트륨 13g
브롬화칼륨 11g
황혈염 5㎎
그 후, 통상적인 방법에 따라 프로큐레이션법에 의해 수세하였다. 구체적으로는, 온도를 35℃ 로 낮추고, 황산을 이용하여 할로겐화은이 침강될 때까지 pH 를 낮췄다 (pH 3.6±0.2 의 범위였다).
다음으로, 상징액을 약 3 리터 제거하였다 (제 1 수세). 그리고 3 리터의 증류수를 첨가하고 나서, 할로겐화은이 침강될 때까지 황산을 첨가하였다. 다시, 상징액을 3 리터 제거하였다 (제 2 수세). 제 2 수세와 동일한 조작을 추가로 1 회 반복하고 (제 3 수세), 수세·탈염 행정을 종료하였다.
수세·탈염 후의 유제를 pH 6.4, pAg 7.5 로 조정하고, 벤젠티오술폰산나트륨 10㎎, 벤젠티오술핀산나트륨 3㎎, 티오황산나트륨 15㎎ 과 염화금산 10㎎ 을 첨가하고 55℃ 에서 최적 감도를 얻도록 화학 증감을 실시하여, 안정제로서 1,3,3a,7-테트라아자인덴 100㎎, 방부제로서 프록셀 (상품명, ICI Co.,Ltd. 제조) 100㎎ 을 첨가하였다. 최종적으로 염화은을 70 몰%, 요오드화은을 0.08 몰% 함 유하는 평균 입자경 0.22㎛, 변동 계수 9% 의 요오드염브롬화은 정육면체 입자 유제를 얻었다. 최종적으로 유제로서, pH=6.4, pAg=7.5, 전도도=40μS/m, 밀도=1.2×1O3kg/㎥, 점도=60mPa·s 가 되었다.
(도포액의 조제)
상기 유제 A 에 증감 색소 (SD-1) 5.7×10-4몰/몰 Ag 를 첨가하고 분광 증감을 실시하였다. 또한, KBr 3.4×10-4몰/몰 Ag, 화합물 (Cpd-3) 8.0×10-4몰/몰 Ag 를 첨가하여 잘 혼합하였다.
이어서 1,3,3a,7-테트라아자인덴 1.2×10-4몰/몰 Ag, 하이드로퀴논 1.2×10-2몰/몰 Ag, 시트르산 3.0×10-4몰/몰 Ag, 2,4-디클로로-6-히드록시-1,3,5-트리아진나트륨염을 90㎎/㎡, 젤라틴에 대해 15wt% 의 입경 10㎛ 의 콜로이달 실리카, 수성 라텍스 (aqL-6) 를 50㎎/㎡, 폴리에틸아크릴레이트라텍스를 100㎎/㎡, 메틸아크릴레이트와 2-아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산나트륨염과 2-아세톡시에틸메타크릴레이트의 라텍스 공중합체 (질량비 88:5:7) 를 100㎎/㎡, 코어쉘형 라텍스 코어 : 스티렌/부타디엔 공중합체 질량비 37/63), 쉘 : 스티렌/2-아세톡시에틸아크릴레이트 (질량비 84/16, 코어/쉘비=50/50) 를 100㎎/㎡, 젤라틴에 대해 4wt% 의 화합물 (Cpd-7) 을 첨가하고, 시트르산을 이용하여 도포액 pH 를 5.6 으로 조정하였다.
(하인층)
하기와 같이 하여 지지체 위에 하인층을 형성하였다 (지지체로서는, 폴리에 틸렌테레프탈레이트 (PET) (두께 100㎛) 를 사용하였다. PET 에는 미리 표면 친수화 처리한 것을 사용하였다).
하기의 설명에 의해 형성되는 유제 A 층의 하인층으로서, 유제 A 의 1 액의 젤라틴을 20g 으로 하고, 유제층의 Ag/바인더 체적 비율 (은/GEL 비 (vol)) 이 1.0/0.9, Ag 1.0g/㎡ , 젤라틴 0.11g/㎡ 가 되도록 층을 형성하였다.
(할로겐화은 유제층)
유제 A 를 이용하여, 상기와 같이 조제한 유제층 도포액을 상기 하인층 상에 Ag 4.5g/㎡, 젤라틴 0.25g/㎡ 이 되도록 도포하였다.
(보호층)
하기와 같이 하여 상기 할로겐화은 유제층 상부에 하기 1 액을 20㎖/㎡ 도포하여 보호층을 형성하였다.
·1 액 :
물 943㎖
젤라틴 33g
Sb 도프 산화 주석 (이시하라 산업사 제조, 상품명 SN10OP) 20g
그 밖에 적절하게, 계면 활성제, 방부제, ph 조절제를 첨가하였다.
이와 같이 하여 얻어진 도포품을 건조 후 시료 A 로 한다.
시료 A 는 보호층에 도전성 미립자가 0.4g/㎡ 이고, 도전성 미립자/바인더비는 0.6/1 (질량비) 로 도전성 미립자를 도포하고 있다. 또한, 도전성 미립자 단독의 저항 (도전막 저항) 을 조사하기 위해, 이 도포 시료 A 를 노광·현상 처리 하지 않고, 정착 처리만 실시하여 할로겐화은을 빼내어 표면 저항을 측정한 결과, 107Ω/□ 이었다. 표면 저항 (Ω/□) 은, 디지털 초고 저항/미소 전류계 8340A (상품명, 주식회사 에이디시사 제조) 에 의해 측정하였다.
보호층의 Sb 도프 산화 주석의 양을 바꾼 것 이외에는 도포 시료 A 와 동일하게 하여 도포 시료 B 를 얻었다. 시료 B 는 도전성 미립자가 0.22g/㎡ 이고, 도전성 미립자/바인더비 (질량비) 는 1.2/1 이었다. 또한, 이 도포막을 현상 처리하지 않고, 정착 처리만 실시하여 할로겐화은을 빼내어 표면 저항을 측정한 결과, 109Ω/□ 이었다.
또, 보호층의 Sb 도프 산화 주석을 빼내고, 하인층의 유제에 Sb 도프 산화 주석을 0.3g/㎡ 가 되도록 첨가하고 건조시켜 시료 C 를 얻었다. 하인층의 도전성 미립자/바인더비는 1.48/1 이었다. 또한, 이 도포막을 현상 처리하지 않고, 정착 처리만 실시하여 할로겐화은을 빼내어 표면 저항을 측정한 결과, 1012Ω/□ 이었다.
[화학식 1]
Figure 112009038183310-pat00001
(노광·현상 처리)
이어서, 상기에서 조제한 시료 A ∼ C 에 라인/스페이스=5㎛/295㎛ 의 현상은 이미지를 부여할 수 있는 격자 형상의 포토마스크 라인/스페이스=295㎛/5㎛ (피치 300㎛) 의, 스페이스가 격자 형상인 포토마스크를 통하여 고압 수은 램프를 광원으로 한 평행광을 이용하여 노광하고, 하기의 현상액으로 현상하고, 그리고 정착액 (상품명 : CN16X 용 N3X-R : 후지 필름사 제조) 을 이용하여 현상 처리를 실시한 후, 순수로 린스하여 샘플 A ∼ C 를 얻었다.
[현상액의 조성]
현상액 1 리터 중에, 이하의 화합물이 함유된다.
하이드로퀴논 0.037㏖/ℓ
N-메틸아미노페놀 0.016㏖/ℓ
메타붕산나트륨 0.140㏖/ℓ
수산화나트륨 0.360㏖/ℓ
브롬화나트륨 0.031㏖/ℓ
메타중아황산칼륨 0.187㏖/ℓ
(캘린더 처리)
상기와 같이 현상 처리한 샘플을 캘린더 처리하였다. 캘린더 롤은 금속 롤 (철심 + 하드 크롬 도금, 롤 직경 250㎜) 로 이루어지고, 선압력 400kgf/㎝ 를 가하고 롤러 사이에 샘플을 통과시켜 표면 저항률 (옴/sq, Ω/□) 을 측정하였다.
샘플 A, B, C 는 캘린더 처리 400kgf/㎝ 를 실시하고, 샘플 A, B, C 에 캘린더 처리하지 않은 샘플을 각각, 샘플 D, E, F 로 하였다.
(비교예)
비교예로서, 할로겐화은 유제 도포품 (후지 필름사 제조) 에서 라인/스페이스=10㎛/295㎛ 가 되도록 현상 처리하여, 표면 저항이 30Ω/□ 인 샘플과, 그것에 추가로 도금 처리하여 표면 저항이 0.4Ω/□ 로 한 샘플에 대해, TA Chemical Co. 의 도전성 폴리머 Baytron PEDOT (상품명, 폴리에틸렌디옥시티오펜) 를 메시 상에 도포한 샘플 G, H 를 제조하였다. 도전성 폴리머 단독의 저항은 PET 베이스에 도포하여 저항 측정하면 106Ω/□ 이었다.
또, 시료 H 와 마찬가지로 현상, 도금 처리한 후, 아무것도 도포하지 않은 시료를 샘플 I 로서 제조하였다.
종래 사용되었던 것 중에서, 가장 도전성이 높고, 또한, 광투과성이 높은 기술과 비교하기 위해, ITO 필름을 사용하여 라인/스페이스=10㎛/295㎛ 가 되도록 메시 패턴을 형성하여 샘플을 제조하고, 비교예의 샘플 J, K 로 하였다. 여기에서 샘플 J 와 샘플 K 는 저항값만이 상이한 시료로, 각각 20Ω/□, 80Ω/□ 이다.
(일렉트로루미네선스 소자의 제조)
상기와 같이 제조된 샘플 A ∼ K 를 분산형 무기 EL (일렉트로루미네선스) 소자에 편입하여, 발광 테스트를 실시하였다.
평균 입자 사이즈가 0.03㎛ 인 안료를 함유하는 반사 절연층과 형광체 입자가 50 ∼ 60㎛ 인 발광층을 배면 전극이 되는 알루미늄 시트 상에 도포하고, 온풍 건조기를 이용하여 110℃ 에서 1 시간 건조시켰다.
그 후, 샘플 A ∼ K 를 형광체층, 배면 전극의 유전체층면 상에 중첩시키고, 열압착하여 EL 소자를 형성하였다. 소자를 2 장의 나일론 6 으로 이루어지는 흡수성 시트와 2 장의 방습 필름 사이에 끼워 열압착시켰다. EL 소자의 사이즈는 3㎝×5㎝ 였다.
(평가)
발광 휘도를 측정시키기 위해 사용한 전원은, 정주파 정전압 전원 CVFT-D 시 리즈 (도쿄 정전 주식회사 제조, 상품명) 를 사용하였다. 또, 휘도의 측정에는, 휘도계 BM-9 (주식회사 토프콘테크노하우스 제조, 상품명) 를 사용하였다.
(결과)
무기 EL 소자에 피크 전압 100V, 주파수 1000Hz, 2000Hz 로 구동시켜 휘도를 측정하였다. 그 결과를 표 1 에 나타낸다.
Figure 112009038183310-pat00002
(주) "×" : 도전층이 형성되지 않았기 때문에 측정불가
또, 표 2 에 각 샘플의 구성을 정리하여 나타낸다.
Figure 112009038183310-pat00003
본 발명예인 샘플 A ∼ F 에서는 메시 개구부의 도전막의 표면 저항이 107Ω/□ 이상인 고저항임에도 불구하고, 휘도 저하 없이 개구부도 빛났다. 또, 할로겐화은으로 제조한 메시 저항이 8Ω/□ 와 16Ω/□ 여도 휘도에 영향은 거의 없었다. 그것에 대해, 비교예의 샘플 G, H 는 전면 발광하고, 투과율이 동등한 샘플 A 와 샘플 G 를 비교해도 거의 변함없는 휘도인데, 샘플 G 는 메시 형성 후에 폴리머를 부여하고 있는 경우도 있어, 공정수가 증가되는 문제가 있다. 또한, 샘플 B, C 에서는 메시 개구부의 도전막의 표면 저항이 높음에도 불구하고 휘도가 높은 결과로 되어 있어, 본 발명의 우위성을 확인하였다.
도전성막을 부여하지 않은 샘플 I 에서는, 메시 근방만 빛났다.
또, 비교예의 샘플 J 는 휘도가 낮은 결과로 되어 있고, 샘플 K 에서는 휘도가 높지만, 실시예 2 에서 서술하는 바와 같이 장척 샘플이 되면 휘도가 저하되는 문제가 생긴다.
본 발명의 샘플은 실용적으로 충분한 투명성이고, 도전성 미립자의 도포 공정에서 균일하게 분산시킬 수 있어 제조 불량이 거의 없었다. 한편, 도전성 미립자의 도포량을 본 발명의 범위 외, 예를 들어, 3g/㎡ 로 한 경우에는 도포액 제조시에 분산에 시간이 걸리고, 또한 도포 공정에서의 제조 불량이 증가되었다.
[실시예 2]
다음으로, 실시예 1 에서 제조한 샘플과 동일하게 하여, 할로겐화은 유제의 메시 표면 저항이 30, 16, 8Ω/□ 인 시료를 샘플 A2, B2, C2 로 하고, 보호층에 도전성 미립자를 부여하여, 개구부의 도전성 미립자 (산화 주석) 의 도전막 단독의 표면 저항이 109Ω/□ 인 샘플을 제조하였다.
비교예로서, 표면 저항이 30Ω/□ 인 은 메시를 할로겐화은 유제 도포품으로 제조하고, 그 후, 개구부에 도전성 폴리머 Pedot 를 부여시켜, 단독막 저항이 106Ω/□ 가 되도록 시료 D2 를 제조하였다. 또, 종래 사용되었던 것 중에서, 가장 도전성이 높고, 또한, 광투과성이 높은 기술과 비교하기 위해, ITO 필름을 사용하여 샘플을 제조하여, 비교예의 샘플 E2, F2 로 하였다. 여기에서 E2, F2 는 저항값만 상이한 시료이고, 각각 20Ω/□, 80Ω/□ 이다.
상기 서술한 바와 같이 하여 제조한 샘플 중, 폭 14㎝, 길이 85㎝ 의 샘플을 제조하여, 피크 전압 100V, 주파수 1.4kHz 로 구동하고, Ag 페이스트에 의한 버스바에 취출 전극을 형성하고, 취출 전극으로부터의 거리를 변화시켜 휘도의 측정을 실시하였다. 측정점은 버스바로부터 5㎜, 100㎜, 200㎜, 300㎜, 400㎜, 500㎜, 600㎜, 700㎜, 800㎜ 로 하였다.
측정 결과를 도 1 에 나타낸다.
이 결과로부터 비교예의 샘플 E2, F2 의 ITO 를 사용한 시료에서는, 전극으로부터의 거리가 멀어지면 휘도가 저하되는 것을 알 수 있다. 그것에 대해, 본 발명예의 C2 는 전극으로부터의 거리가 멀어져도 휘도 저하 없이 발광되고 있는 것을 알 수 있다. 메시 저항이 16Ω/□ 인 시료 B2 는 ITO 표면 저항 20Ω/□ 의 샘플 E 와 거의 동일한 휘도인데, 표면 저항 20Ω/□ 의 ITO 는 고가이고 또한 고갈될 우려가 있는 소재이기 때문에, 본 발명예인 것이 바람직하다.
또, 메시를 형성 후, 도전막을 부여한 샘플 D2 는 샘플 A 와 동일한 휘도인데, 실시예 1 에서 서술한 바와 같이, 메시 형성 후에 도전막을 부여하는 점에서 공수(工數)가 증가되기 때문에, 본 발명의 우위성을 확인할 수 있었다.
[실시예 3]
실시예 1 의 샘플 A 의 현상 은 메시로 이루어지는 도전층을 ITO 로 이루어지는 도전층으로 변경하고, 보호층에 함유되는 도전성 미립자의 함유량, 도전성 미립자/바인더 질량비를 표 3 과 같이 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 샘플 3-1 ∼ 3-3 을 얻었다. 샘플 3-1 ∼ 3-3 은 라인/스페이스=5㎛/295㎛ 의 격자 형상 패턴이었다. 얻어진 샘플을 실시예 1 의 샘플 A 와 동일하게 하여 분산형 무기 EL 소자에 편입하고, 발광 테스트를 실시하여 평가하였다. 얻어진 결과를 표 4 에 나타낸다. 또, 샘플 3-1 ∼ 3-3 에 대해, 실시예 2 와 동일하게 하여 전극으로부터의 거리에 대한 휘도를 측정한 결과, 전극으로부터의 거리가 20㎝, 30㎝, 40㎝ 여도 실용적으로 충분한 휘도를 갖는 것을 알 수 있었다.
Figure 112009038183310-pat00004
Figure 112009038183310-pat00005
[실시예 4]
실시예 1 의 샘플 A 의 보호층에 함유되는 도전성 미립자의 함유량, 도전성 미립자/바인더 질량비를 표 5 와 같이 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 샘플 4-1 ∼ 4-4 를 얻었다. 샘플 4-1 ∼ 4-4 는 라인/스페이스=5㎛ /295㎛ 의 격자 형상 패턴이었다. 얻어진 샘플을 실시예 1 의 샘플 A 와 동일하게 하여 분산형 무기 EL 소자에 편입하고, 발광 테스트를 실시하여 평가한 결과, 실시예 1 과 마찬가지로 충분한 휘도를 갖는 것을 알 수 있었다. 또, 터치 패널의 투명 도전막으로서 사용한 경우, 펜 입력으로 문자 등의 입력 정보가 끊기지 않고 직선성이 우수한 것을 알 수 있었다.
Figure 112009038183310-pat00006
[실시예 5]
실시예 1 의 샘플 A 의 보호층에 함유되는 도전성 미립자의 함유량, 도전성 미립자/바인더 질량비를 표 6 과 같이 변경 (도포량이나 바인더량 등을 변경하여 조정) 한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 표 6 의 샘플 5-1 ∼ 5-20 을 얻었다. 또한, 이 실시예에서는, 보호층에 추가로 증점제 (비닐벤젠술폰산나트륨) 을 첨가하고, 점도를 30cp 이상으로 조정하였다.
표 6 의 샘플은 라인/스페이스=5㎛/295㎛ 의 격자 형상 패턴이었다. 얻어진 샘플을 실시예 1 의 샘플 A 와 동일하게 하여 분산형 무기 EL 소자에 편입하고, 발광 테스트를 실시하여 평가한 결과, 실시예 1 과 마찬가지로 충분한 휘도를 갖는 것을 알 수 있었다. 단, 도전성 미립자 함유량이 적은 경우에는, 발광 휘도가 저하되는 것이 확인되었다 (샘플 5-18). 또, 터치 패널의 투명 도전막으로서 사용한 경우, 펜 입력으로 문자 등의 입력 정보가 끊기지 않고 직선성이 우수한 것을 알 수 있었다. 또한, 펜 입력의 평가는 10×10㎝ 의 도전막을 제조하고, 그것에 5V 의 전압을 가해 리니어리티를 평가하였다. 이 평가는, 샘플 5-1 ∼ 5-7, 샘플 5-12 ∼ 5-16 에 대해 실시하였다. 여기에서 리니어리티의 측정 원리를 설명한다. 예를 들어, 수직인 X, Y 전극의 리니어리티를 측정하는 경우, X 전극에 전압 E 를 인가하면,
리니어리티 (%)=ΔE/E×100……(1)
로 나타낼 수 있다.
여기에서는, 리니어리티에 관한 평가를 다음과 같은 순서로 실시하였다. 먼저, X 축 및 Y 축을 각각 등간격으로 10 분할하였다. X 축 방향 및 Y 축 방향으로 흐르는 전류값을 일정하게 하고, 각 측정점의 전압을 측정하였다. 또한, (X1, Y1), (X10, Y10) 을 직선으로 연결하여, 이 직선으로부터의 각 측정점의 어긋남 ΔE 를 측정하고, (1) 식으로부터 리니어리티를 평가하였다. 이 평가 방법에서 작성한 각 샘플의 도전막의 출력을 측정한 리니어리티의 X 축, Y 축 각각의 평균값은 1% 였다.
Figure 112009038183310-pat00007
[실시예 6]
실시예 1 의 샘플 A 의 할로겐화은 유제층의 은/바인더 체적비를 1/4, 1/3, 1/2, 2/1, 3/1, 5/1 로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 각 샘플을 얻었다. 각 샘플은 라인/스페이스=5㎛/295㎛ 의 격자 형상 패턴이었다. 얻어진 샘플을 실시예 1 의 샘플 A 와 동일하게 하여 분산형 무기 EL 소자에 편입하고, 발광 테스트를 실시하여 평가한 결과, 실시예 1 과 마찬가지로 충분한 휘도를 갖는 것을 알 수 있었다. 또, 터치 패널의 투명 도전막으로서 사용한 경우, 펜 입력으로 문자 등의 입력 정보가 끊기지 않고 직선성이 우수한 것을 알 수 있었다.
도 1 은 실시예 2 에 있어서, 각 샘플의 전극으로부터의 거리에 대한 휘도를 측정한 결과를 나타내는 그래프.

Claims (20)

  1. 지지체 위에 은염 함유 유제층을 갖는 (단, 바인더 중에 강자성체 미립자의 분산물을 함유하는 투명 자기 기록층을 포함하는 경우는 없다) 도전막 형성용 감광 재료로서,
    상기 은염 함유 유제층 또는 은염 함유 유제층측 중 어느 층에 도전성 미립자 및 바인더를 함유하고,
    상기 도전성 미립자 및 바인더의 질량비 (도전성 미립자/바인더) 가 1/33 ∼ 1.5/1 인 것을 특징으로 하는 도전막 형성용 감광 재료.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 도전성 미립자 및 바인더의 질량비 (도전성 미립자/바인더) 가 1/3 ∼ 1.5/1 인 것을 특징으로 하는 도전막 형성용 감광 재료.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 도전성 미립자 및 바인더를 함유시킨 층이, 상기 은염 함유 유제층에 인접하는 층인 것을 특징으로 하는 도전막 형성용 감광 재료.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 도전성 미립자의 도포량이 0.05 ∼ 0.9 g/㎡ 인 것을 특징으로 하는 도전막 형성용 감광 재료.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 도전성 미립자의 도포량이 0.2 ∼ 0.4 g/㎡ 인 것을 특징으로 하는 도전막 형성용 감광 재료.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 도전성 미립자가 SnO2, ZnO, TiO2, Al2O3, In2O3, MgO, BaO, 및 MoO3 으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 금속 산화물, 이들의 복합 금속 산화물, 또는, 이들 금속 산화물에 이종 원자를 함유하는 금속 산화물인 것을 특징으로 하는 도전막 형성용 감광 재료.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 도전성 미립자가 안티몬이 도프된 SnO2 인 것을 특징으로 하는 도전막 형성용 감광 재료.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 도전성 미립자가 구 형상일 때에는 평균 입자경이 0.085 ∼ 0.12 ㎛ 이고, 침 형상일 때에는 평균 축길이가 장축 0.2 ∼ 20 ㎛, 단축 0.01 ∼ 0.02 ㎛ 인 것을 특징으로 하는 도전막 형성용 감광 재료.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 은염 함유 유제층측에, 상기 은염 함유 유제층에 인접하는 보호층을 갖고, 상기 보호층에 도전성 미립자 및 바인더를 함유하는 것을 특징으로 하는 도전막 형성용 감광 재료.
  10. 지지체 위에 은염 함유 유제층을 갖는 (단, 바인더 중에 강자성체 미립자의 분산물을 함유하는 투명 자기 기록층을 포함하는 경우는 없다) 도전막 형성용 감광 재료로서,
    상기 은염 함유 유제층 또는 은염 함유 유제층측 중 어느 층에 도전성 미립자 및 바인더를 함유하고,
    상기 도전성 미립자의 함유량이 0.05 ∼ 0.9 g/㎡ 인 것을 특징으로 하는 도전막 형성용 감광 재료.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 도전막 형성용 감광 재료에 있어서, 지지체 위에 갖는 층이, 상기 은염 함유 유제층, 보호층, 하인층에서 선택되는 층으로 구성되어 이루어지고, 이들 층 중 어느 층에 상기 도전성 미립자 및 바인더를 함유하는 것을 특징으로 하는 도전막 형성용 감광 재료.
  12. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 은염 함유 유제층의 은염의 도포량이, 은 환산으로 0.5 ∼ 10 g/㎡ 인 것을 특징으로 하는 도전막 형성용 감광 재료.
  13. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 은염 함유 유제층의 은 및 바인더의 함유량이, Ag/바인더 체적비로, 1/10 이상인 것을 특징으로 하는 도전막 형성용 감광 재료.
  14. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 기재된 도전막 형성용 감광 재료를 패턴 노광하고, 현상 처리하여 얻어져 이루어지는, 도전성 재료.
  15. 지지체 위에 도전층을 갖는 (단, 바인더 중에 강자성체 미립자의 분산물을 함유하는 투명 자기 기록층을 포함하는 경우는 없다) 도전성 재료로서,
    상기 도전층 또는 도전층측 중 어느 층에 도전성 미립자 및 바인더를 함유하고,
    상기 도전성 미립자 및 바인더의 질량비 (도전성 미립자/바인더) 가 1/33 ∼ 1.5/1 이고, 또한
    상기 도전성 미립자의 도포량이 0.05 ∼ 0.9 g/㎡ 인 것을 특징으로 하는 도전성 재료.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 도전성 재료에 있어서, 지지체 위에 갖는 층이, 은 함유층, 보호층, 하인층에서 선택되는 층으로 구성되어 이루어지고, 이들 층 중 어느 층에 상기 도전성 미립자 및 바인더를 함유하는 것을 특징으로 하는 도전성 재료.
  17. 제 15 항에 있어서,
    상기 도전성 미립자 및 바인더의 질량비 (도전성 미립자/바인더) 가 1/3 ∼ 1.5/1 인 것을 특징으로 하는 도전성 재료.
  18. 제 15 항에 있어서,
    상기 도전층의 표면 저항이 0.01 Ω/□ 이상인 것을 특징으로 하는 도전성 재료.
  19. 제 15 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 기재된 도전성 재료를 갖는 것을 특징으로 하는 일렉트로 루미네선스 소자.
  20. 제 15 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 기재된 도전성 재료를 전극으로서 갖는 것을 특징으로 하는 일렉트로 루미네선스 소자.
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011065944A (ja) * 2009-09-18 2011-03-31 Fujifilm Corp 導電膜形成用感光材料、導電性材料、表示素子及び太陽電池
KR20120123431A (ko) * 2010-01-20 2012-11-08 후지필름 가부시키가이샤 도전성 요소, 도전성 요소 형성용 감광 재료 및 전극
WO2012092301A2 (en) * 2010-12-29 2012-07-05 Intevac, Inc. Method and apparatus for masking substrates for deposition
CN102902425B (zh) * 2011-07-28 2016-06-08 宸鸿科技(厦门)有限公司 电容式触控面板结构及制造方法
JP5529820B2 (ja) 2011-09-22 2014-06-25 富士フイルム株式会社 暖房便座
US20130193136A1 (en) * 2012-01-31 2013-08-01 Donald R. Preuss Photonic heating of silver grids
JP5990493B2 (ja) * 2012-11-12 2016-09-14 富士フイルム株式会社 導電シートの製造方法、導電シート
US9247640B2 (en) 2014-01-29 2016-01-26 Eastman Kodak Company Silver halide conductive element precursor and devices
US9304395B2 (en) 2014-04-30 2016-04-05 Eastman Kodak Company Conductive element precursor and conductive pattern formation
US10087145B2 (en) 2014-05-02 2018-10-02 Samsung Display Co., Ltd. Condensed cyclic compound and organic light-emitting device comprising the same
US9261787B1 (en) 2014-08-26 2016-02-16 Eastman Kodak Company Conductive element precursor and conductive pattern formation
CN104934094B (zh) * 2015-05-27 2018-10-16 复旦大学 一种金属纳米线复合透明导电薄膜、其制备方法及应用
WO2017020925A1 (en) * 2015-07-31 2017-02-09 Hewlett-Packard Indigo B.V. Print substrate surface modification
KR102058865B1 (ko) * 2018-04-12 2019-12-24 (주)아이엠 초가속 열소재를 이용한 발열 디바이스 및 이의 제조방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10142737A (ja) * 1996-11-12 1998-05-29 Eastman Kodak Co 画像形成要素
JP2003128959A (ja) 2001-10-26 2003-05-08 Morimura Chemicals Ltd 透明導電塗膜及び透明導電塗膜形成用塗料
JP2008158515A (ja) 1999-07-08 2008-07-10 Konica Minolta Holdings Inc 光学フィルムの製造方法

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57118242A (en) * 1981-01-14 1982-07-23 Fuji Photo Film Co Ltd Photographic sensitive material
JP2704453B2 (ja) * 1989-10-13 1998-01-26 富士写真フイルム株式会社 ハロゲン化銀感光材料
JPH06222496A (ja) * 1993-01-22 1994-08-12 Fuji Photo Film Co Ltd ハロゲン化銀写真乳剤の保存方法、ハロゲン化銀写真乳剤及びハロゲン化銀感光材料
JP3388682B2 (ja) 1996-05-23 2003-03-24 日立化成工業株式会社 電磁波シールド性と透明性を有するディスプレイ用フィルムの製造法
US5719016A (en) * 1996-11-12 1998-02-17 Eastman Kodak Company Imaging elements comprising an electrically conductive layer containing acicular metal-containing particles
ATE219842T1 (de) * 1997-04-02 2002-07-15 Fuji Photo Film Co Ltd Wärmeentwickelbare photographische materialien
JP3464590B2 (ja) 1997-06-06 2003-11-10 住友大阪セメント株式会社 透明導電膜付き基板およびその製造方法
JP2000013088A (ja) 1998-06-26 2000-01-14 Hitachi Chem Co Ltd 電磁波シールドフィルムの製造方法および該電磁波シールドフィルムを用いた電磁波遮蔽体、ディスプレイ
US6171769B1 (en) * 1999-05-06 2001-01-09 Eastman Kodak Company Antistatic backing for photographic paper
JP2001067938A (ja) * 1999-08-31 2001-03-16 Konica Corp 導電性薄膜及び導電性記録材料
JP3646287B2 (ja) * 1999-12-09 2005-05-11 コニカミノルタホールディングス株式会社 ハロゲン化銀写真感光材料及びその処理方法
US20030134212A1 (en) * 2001-12-26 2003-07-17 Eastman Kodak Company Element with antistat layer
JP2003316062A (ja) * 2002-04-19 2003-11-06 Canon Inc 電子写真感光体、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジ及び電子写真装置
JP4641719B2 (ja) 2002-12-27 2011-03-02 富士フイルム株式会社 透光性電磁波シールド膜の製造方法及び透光性電磁波シールド膜
JP4807934B2 (ja) 2002-12-27 2011-11-02 富士フイルム株式会社 透光性電磁波シールド膜およびその製造方法
EP2101556B1 (en) * 2002-12-27 2013-02-13 FUJIFILM Corporation Light transmitting electromagnetic wave shielding film and plasma display panel using the shielding film
JP2006098688A (ja) * 2004-09-29 2006-04-13 Fuji Photo Film Co Ltd ハロゲン化銀カラー写真感光材料
JP2006228469A (ja) 2005-02-15 2006-08-31 Fuji Photo Film Co Ltd 導電性膜形成用感光材料、導電性膜、透光性電磁波シールド膜、及びそれらの製造方法
JP2006228649A (ja) 2005-02-21 2006-08-31 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ装置の製造方法、蒸着ボート
JP2006332459A (ja) * 2005-05-27 2006-12-07 Fujifilm Holdings Corp 導電性金属膜形成用感光材料、導電性金属膜の製造方法、導電性金属膜、及びプラズマディスプレイパネル用透光性電磁波シールド膜
JP4584100B2 (ja) * 2005-09-28 2010-11-17 三菱製紙株式会社 導電性材料およびその製造方法
CN101909420A (zh) * 2005-09-30 2010-12-08 富士胶片株式会社 导电薄膜的生产方法和用于导电薄膜生产的感光材料
KR101039543B1 (ko) * 2006-09-28 2011-06-09 후지필름 가부시키가이샤 자발광 표시 장치, 자발광 표시 장치의 제조 방법, 투명 도전성 필름, 전계 발광 소자, 태양 전지용 투명 전극 및 전자 페이퍼용 투명 전극

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10142737A (ja) * 1996-11-12 1998-05-29 Eastman Kodak Co 画像形成要素
JP2008158515A (ja) 1999-07-08 2008-07-10 Konica Minolta Holdings Inc 光学フィルムの製造方法
JP2003128959A (ja) 2001-10-26 2003-05-08 Morimura Chemicals Ltd 透明導電塗膜及び透明導電塗膜形成用塗料

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Publication number Publication date
CN101614949B (zh) 2014-04-30
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