KR101478996B1 - Bidirectional Transceiver device - Google Patents

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Abstract

본 발명은 양방향 송수신소자에 관한 것으로, 표면방출레이저와 광검출기를 집적하여 송신 및 수신 신호의 전송이 가능한 소자로, 표면방출레이저와 광검출기를 수직으로 집적하여 하나의 광섬유에 송신과 수신 신호를 동시에 보내고 받을 수 있도록 한 것인바, 상부에 송신을 위한 표면방출레이저와 하부에 수신을 위한 광검출기를 집적한 양방향 송수신소자는, 상부의 송신부인 표면방출레이저에서 방출하는 파장이 짧은 빛은 상부 방향으로 방출하여 송신 신호를 보내고, 하부의 수신부인 광검출기는 입사하는 파장이 긴 빛이 표면방출레이저를 투과하여 하부 방향으로 내려오는 수신 신호를 받도록 구성되어 있으며, 특히 수신 신호가 송신부를 투과하기 위하여 송신부는 수신 파장에 대하여 흡수가 없는 에너지갭을 갖도록 하고, 수신 신호 파장에 대하여 공기와의 계면에 반사가 없도록 무반사층과, 송신부의 방출 파장이 수신부에 입사하는 것을 방지하기 위한 흡수층으로 구성되고, 수신부는 수신 신호의 파장을 흡수할 수 있는 에너지갭을 갖으며, 계면에서의 수신 신호 반사가 없도록 무반사층으로 구성되어, 송신부와 수신부가 광 방출 및 흡수창이 일직선상에 놓이도록 접합되어 집적된다.The present invention relates to a bidirectional transceiving element, which is a device capable of transmitting and receiving a signal by integrating a surface emitting laser and a photodetector, vertically integrating a surface emitting laser and a photodetector, A bidirectional transceiver integrated with a surface emitting laser for transmission on the upper side and a photodetector for reception on the lower side can transmit and receive light having a shorter wavelength emitted from the surface emitting laser as the upper transmitting part, And a photodetector as a lower receiving unit is configured such that light having a longer wavelength of incident light is transmitted through the surface emitting laser to receive a receiving signal descending downward. In particular, in order for the receiving signal to pass through the transmitting unit The transmission section has an energy gap that is not absorbed with respect to the reception wavelength, And an absorption layer for preventing the emission wavelength of the transmission section from entering the reception section. The reception section has an energy gap capable of absorbing the wavelength of the reception signal, Reflection layer so that there is no reflection of the received signal of the light emission and absorption window, and the transmission part and the reception part are bonded and integrated so that the light emission and absorption window are placed on a straight line.

Description

양방향 송수신 소자 {Bidirectional Transceiver device}[0001] The present invention relates to a bidirectional transceiver device,

본 발명은 양방향 송수신 소자에 관한 것으로, 표면방출레이저와 광검출기를 집적(集積)하여 송신 및 수신 신호의 전송이 가능한 소자로, 표면방출레이저와 광검출기를 수직으로 집적하여 하나의 광섬유에 송신과 수신 신호를 동시에 보내고 받을 수 있도록 하는 소자이다.
The present invention relates to a bidirectional transceiver, which is a device capable of transmitting and receiving signals by integrating a surface emitting laser and a photodetector, vertically integrating a surface emitting laser and a photodetector, It is a device that can send and receive signals at the same time.

양방향 광송수신 모듈은 단일 광섬유로 송신 신호와 수신 신호를 동시에 주고 받기 위한 모듈로, 대용량의 신호를 광섬유의 사용을 반으로 줄여서 전송할 수 있어서 광통신 및 데이터 통신에 많이 활용되고 있다. 특히, 대용량의 전송에 있어서 집적도를 높이기 위하여 송수신 기능이 집적된 양방향 송수신 모듈이 다양한 분야에서 활용되고 있다. 최근에 와서는 광연결(optical interconnection) 및 데이터 통신에 있어서 어레이나, 다채널 모듈의 활용이 증가함에 따라서 콤팩트(compact)하여 집적도가 높고, 광섬유 사용을 줄인 양방향 송수신 모듈의 활용성이 증가하고 있다. The bidirectional optical transceiver module is a module for transmitting and receiving a transmission signal and a receiving signal at the same time with a single optical fiber, and can transmit a large amount of signals with a reduced use of optical fiber in half, thereby being widely used in optical communication and data communication. In particular, a bidirectional transmission / reception module in which transmission / reception functions are integrated is used in various fields in order to increase the degree of integration in a large capacity transmission. Recently, as utilization of array or multi-channel modules in optical interconnection and data communication has increased, compactness and high degree of integration have increased the usability of a bidirectional transmission / reception module that reduces the use of optical fibers .

종래의 양방향 송수신 모듈은 주로 필터를 사용하여 송신 신호와 수신 신호를 분리하여 송신 신호는 송신 소자에서 나온 빛을 필터를 통하여 광섬유에 송신하고, 수신 신호는 광섬유에서 나온 빛을 필터에서 경로를 바꾸어 주어 수신 소자로 빛을 넣어주어 검출하는 방법이다. A conventional bidirectional transmission / reception module mainly uses a filter to separate a transmission signal and a reception signal, and a transmission signal transmits light from a transmission element to an optical fiber through a filter, and a reception signal changes a path of light emitted from the optical fiber in a filter This is a method of detecting light by injecting light into a receiving element.

TO(transistor outline) 형태의 송신 소자와 수신 소자를 집적하여 양방향 송수신 모듈을 제작하는 방법이 미국특허 제6,493,121호에 알려져 있다. 이것은 TO 형태의 송신 소자와 TO 형태의 수신 소자를 서로 수직으로 정렬하고 가운데에 필터를 45°각도 정도로 삽입하여 송신 신호는 TO형 송신 소자에서 방출한 빛이 필터를 통하여 광섬유에 입사하도록 하고, 광섬유에서 입사된 빛은 필터에서 반사하여 수직 방향의 TO형 수신 소자에서 입사하도록 한 구조이다. 이와 같이 제작된 양방향 광모듈은 양 방향의 빛을 필터를 통하여 분배하므로 송신 소자와 수신 소자가 서로 분리되어 있어 소자 간의 크로스톡(crosstalk)을 최소화하고 각각에 대하여 광섬유와의 커플링을 최적화할 수 있는 장점이 있다. 그러나 제작시 송신 소자와 수신 소자 각각에 대하여 독립적인 능동 정렬을 하여야 하므로 제작 비용이 비싸지고, 각각의 TO형 송신 및 수신 소자를 사용하므로 크기가 커지는 단점이 있다.U.S. Patent No. 6,493,121 discloses a method of fabricating a bidirectional transmission / reception module by integrating a transmission element and a receiving element in a transistor outline (TO) format. In this case, a TO-type transmitting element and a TO-type receiving element are vertically aligned with each other, and a filter is inserted at an angle of about 45 degrees in the center, so that light emitted from a TO- Is reflected by the filter and is incident on the TO-type receiving element in the vertical direction. Since the bidirectional optical module thus produced distributes the light in both directions through the filter, the transmitting and receiving elements are separated from each other, minimizing the crosstalk between the elements and optimizing the coupling with the optical fiber There is an advantage. However, since independent active alignment must be performed for each of the transmitting element and the receiving element at the time of fabrication, the fabrication cost is increased and the size of the transmitter is increased due to the use of the respective TO type transmitting and receiving elements.

파장 다중의 양방향 송수신 모듈의 구조로는 미국특허 제8,303,195호에 알려져 있는데, 이는 송신 소자와 수신 소자를 같은 면 위에 놓고, 파장 다중 필터를 사용하여 송신 소자의 송신 신호는 필터를 통하여 광섬유에 입사하고, 광섬유에서 나온 수신 신호는 필터에서의 최소 2회 이상의 반사와 1번 이상의 투과를 통하여 경로를 수신 소자에 도달하도록 하는 방법이다. 이와 같은 방법은 TO형태의 독립된 송신 소자 및 수신 소자를 사용하지 않고 같은 면 위에 송신 및 수신 소자의 정렬이 가능하고, 필터를 통하여 송신 신호와 수신 신호의 경로를 분리하므로 상대적으로 콤팩트한 크기의 제작이 가능한 장점이 있다. 그러나 수신 신호의 경로를 바꾸기 위하여 필터 내에서 최소 2번 이상의 반사와 1번 이상의 투과가 되므로 미세한 정렬 오차에서도 수신 신호와 송신 신호가 각각의 광섬유와 수신 소자 및 송신 소자의 결합 효율이 급격히 나빠지는 단점이 있다. 따라서 미세 정렬을 위한 비용 증가의 단점도 보이고 있다.U.S. Patent No. 8,303,195 discloses a structure of a bidirectional transmission / reception module with multiple wavelengths, in which a transmitting element and a receiving element are placed on the same plane, a transmission signal of a transmitting element is incident on an optical fiber through a filter using a wavelength multiplexing filter , And the received signal from the optical fiber is a method of allowing the path to reach the receiving element through at least two reflections and one or more transmissions in the filter. In this method, the transmitting and receiving elements can be aligned on the same surface without using the TO-type independent transmitting and receiving elements, and the path of the transmitting signal and the receiving signal is separated through the filter. Therefore, a relatively compact This has the advantage. However, in order to change the path of the received signal, at least two reflections and one or more transmissions occur in the filter, so that the coupling efficiency between the optical fiber, the receiving element and the transmitting element of the receiving signal and the transmitting signal sharply deteriorates even with a small alignment error . Therefore, there is a disadvantage of cost increase for micro-alignment.

그 외에도 송신 및 수신 신호의 경로 변경을 위하여 일정한 경사를 통한 파장 다중 필터를 사용하는 방법(미국특허 제7,616,845호) 등이 제안되고 있으나 정렬의 어려움 등의 유사한 단점을 보이고 있다.
In addition, a method of using a wavelength multiplex filter with a certain gradient to change the path of transmission and reception signals (U.S. Patent No. 7,616,845) has been proposed, but similar disadvantages such as difficulty in alignment have been shown.

본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 콤팩트한 크기로 한 번의 능동 정렬로 제작이 가능하여 저가의 양방향 광송수신 모듈의 제작이 가능한 양방향 송수신 소자를 제공하는 데 있다. SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a bi-directional transceiving device capable of manufacturing a bidirectional optical transceiver module with a compact size and being capable of being manufactured with a single active alignment. .

본 발명의 상부에 송신을 위한 표면방출레이저와 하부에 수신을 위한 광검출기를 수직으로 집적한 양방향 송수신소자는, 상부의 송신부인 표면방출레이저에서 방출하는 파장이 짧은 빛은 상부 방향으로 방출하여 송신 신호를 보내고, 하부의 수신부인 광검출기는 입사하는 파장이 긴 빛을 표면방출레이저를 투과하여 하부 방향으로 내려오는 수신 신호를 받도록 구성되어 한 번의 능동 정렬로 광섬유와의 양방향 송신 및 수신 신호의 결합이 가능하여 콤팩트하고 저가의 광모듈을 제공한다. In the bidirectional transceiving device in which the surface emitting laser for transmission and the photodetecting device for receiving are vertically integrated on the upper part of the present invention, light having a shorter wavelength emitted from the surface emitting laser, which is the upper transmitting part, And a photodetector as a receiving part of the lower part is configured to receive a receiving signal of a downwardly directed light transmitted through a surface emitting laser with a long wavelength of incident light so that a bidirectional transmission with a fiber and a combination Thereby providing a compact and inexpensive optical module.

수직으로 집적하여 이상과 같은 기능을 제공하기 위하여 수신 신호가 송신부를 투과하기 위하여 송신부는 수신 파장에 대하여 흡수가 없는 에너지갭을 갖도록 하고, 수신 신호 파장에 대하여 공기와의 계면에 반사가 없도록 무반사층과, 송신부의 방출 파장이 수신부에 입사하는 것을 방지하기 위한 흡수층으로 구성되고, 수신부는 수신 신호의 파장을 흡수할 수 있는 에너지갭을 가지며, 계면에서의 수신 신호 반사가 없도록 무반사층으로 구성되어, 송신부와 수신부가 광 방출 및 흡수창이 일직선상에 놓이도록 접합되어 집적되는 것을 특징으로 하여 송수신 신호를 동시에 보내고 받을 수 있는 양방향 송수신 소자에 관한 것이다.
In order to transmit the received signal through the transmitting unit in order to vertically integrate and provide the above function, the transmitting unit has an energy gap that is not absorbed with respect to the receiving wavelength, And an absorption layer for preventing the emission wavelength of the transmission section from being incident on the reception section. The reception section has an energy gap capable of absorbing the wavelength of the reception signal, and is constituted by an anti-reflection layer so as not to reflect the reception signal at the interface, And a transmitter and a receiver coupled to each other such that light emission and absorption windows are placed on a straight line, and integrated. The present invention relates to a bidirectional transmission and reception device capable of simultaneously transmitting and receiving transmission and reception signals.

상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시 예에 의한 양방향 송수신 소자는, 송신 신호의 파장이 수신 신호의 파장에 비하여 짧은 경우 상부에 표면방출 레이저로 이루어진 송신부와 하부에 광검출기로 이루어진 수신부를 수직으로 집적하고; 수직으로 집적시 상부의 표면방출 레이저의 빛이 방출되는 부분과 하부의 광검출기의 흡수 영역을 일직선에 놓이도록 한다. 집적 방법으로는 상부 표면방출 레이저의 아래층과 하부 광검출기의 상부에 금속 패드를 형성하고 플립칩 방법과 같은 금속 범프를 사용하여 본딩시 자동 정렬이 되도록 구성된다.According to an aspect of the present invention, there is provided a bidirectional transceiver according to an embodiment of the present invention includes a transmitter including a top emission laser and a receiver including a photodetector at a lower portion of the transmission signal when a wavelength of a transmission signal is shorter than a wavelength of a reception signal. Vertically stacked; When vertically stacked, a portion of the upper surface emitting laser emitting light and an absorbing region of the lower portion of the photodetector are aligned. As an integration method, metal pads are formed on the lower layer of the upper surface emitting laser and on the upper part of the lower photodetector and are configured to be automatically aligned when bonding using metal bumps such as a flip chip method.

본 발명은 또, 송신 신호의 파장이 수신 신호의 파장에 비하여 긴 경우에는 상부에 광검출기로 이루어진 수신부와 하부에 표면방출 레이저로 이루어진 송신부를 수직으로 집적하고; 수직으로 집적시 상부의 광검출기의 흡수 영역과 하부의 표면방출 레이저의 빛이 방출하는 부분을 일직선상에 놓이도록 한다. 집적 방법으로는 상부 광출기의 아래층과 하부 표면방출 레이저의 상부에 금속 패드를 형성하고 플립칩 방법과 같은 금속 범프를 사용하여 본딩시 자동 정렬이 되도록 구성된다.If the wavelength of the transmission signal is longer than the wavelength of the reception signal, the present invention may vertically integrate a reception section composed of a photodetector and a transmission section composed of a surface emission laser at a lower part thereof, The vertical absorption causes the absorption region of the upper photodetector and the portion of the lower surface emission laser to emit light in a straight line. As an integration method, metal pads are formed on the lower layer of the upper light emitting device and on the upper surface of the lower surface emitting laser, and are automatically aligned when bonding by using metal bumps such as flip chip method.

본 발명에서는 송신부와 수신부를 수직으로 정렬하여 송신 신호의 파장이 수신 신호에 비하여 짧은 경우 상부의 송신부인 표면방출 레이저에서 방출된 송신 신호는 수직으로 방출되고, 수직으로 입사된 수신 신호는 상부의 송신부를 통과하여 하부의 수신부인 광검출기에 흡수되어 수신 신호를 받게 된다. 송신 신호와 수신 신호가 같은 축 상에 있으므로 광섬유 등에 광 결합시 한 번의 능동 정렬로 송신 및 수신 신호의 결합이 동시에 이루어져 콤팩트한 구조로 저가의 양방향의 송수신 모듈의 제작이 가능한 특징이 있다.In the present invention, when the wavelength of the transmission signal is shorter than that of the reception signal by vertically aligning the transmission unit and the reception unit, the transmission signal emitted from the surface emitting laser, which is the upper transmission unit, is emitted vertically, And is absorbed by the photodetector as the lower receiving part to receive the receiving signal. Since the transmission signal and the reception signal are on the same axis, the transmission and reception signals can be combined at one time during optical coupling to the optical fiber, so that a bidirectional transmission / reception module having a compact structure can be manufactured.

또한, 송신 신호의 파장이 수신 신호에 비하여 긴 경우 상부의 수신부인 광검출기에서 수신된 수신 신호를 흡수하게 되고, 하부의 송신부인 표면방출 레이저에서 방출된 빛은 상부의 수신부를 통과하여 송신 신호를 수직으로 방출하게 된다. 수신 신호와 송신 신호가 같은 축 상에 있으므로 광섬유 등에 광 결합시 한 번의 능동 정렬로 수신 및 송신 신호의 결합이 동시에 이루어져 콤팩트한 구조로 저가의 양방향의 송수신 모듈의 제작이 가능한 특징이 있다.
When the wavelength of the transmitted signal is longer than the received signal, the received signal is absorbed by the photodetector, which is the upper receiving part. Light emitted from the surface emitting laser, which is the lower transmitting part, passes through the upper receiving part, And is discharged vertically. Since the received signal and the transmitted signal are on the same axis, reception and transmission signals can be combined at once by optical alignment in optical coupling to an optical fiber, so that a bidirectional transmission / reception module with a compact structure can be manufactured.

본 발명의 양방향 송수신 소자는 송신부의 빛이 방출되는 영역과 수신부의 광흡수 영역이 동일한 축 상에 놓이게 되어 한 번의 정렬로 송신 및 수신 신호의 광섬유 결합이 가능하여 콤팩트한 구조로 저가의 양방향 송수신 모듈을 제공하여 대용량 양방향 송수신 모듈로 광연결(parallel optical interconnecton) 및 능동 광케이블(active optical cable)용 광원 소자로 활용될 수 있다.
The bidirectional transceiver of the present invention is able to combine the transmission and reception signals with the optical fiber in a single alignment because the light emitting area of the transmitter and the light absorbing area of the receiver are on the same axis, A large capacity bidirectional transmission / reception module can be utilized as a light source device for a parallel optical interconnector and an active optical cable.

도 1은 본 발명의 송신 신호의 파장이 수신 신호에 비하여 짧은 파장인 경우의 양방향 송수신 소자를 도시한 측 단면도,
도 2는 본 발명의 송신 신호의 파장이 수신 신호에 비하여 긴 파장인 경우의 양방향 송수신 소자를 도시한 측 단면도,
도 3은 본 발명의 송신 신호의 파장이 수신 신호에 비하여 짧은 파장인 경우의 양방향 송수신 소자의 실시 예를 도시한 측 단면도,
도 4는 본 발명의 송신 신호의 파장이 수신 신호에 비하여 긴 파장인 경우의 양방향 송수신 소자의 실시 예를 도시한 측 단면도,
도 5는 본 발명의 송신 신호의 파장이 수신 신호에 비하여 짧은 파장인 경우의 양방향 송수신 소자를 이용한 광 결합 구조의 실시 예를 도시한 단면도,
도 6은 본 발명의 송신 신호의 파장이 수신 신호에 비하여 긴 파장인 경우의 양방향 송수신 소자를 이용한 광 결합 구조의 실시 예를 도시한 단면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a side sectional view showing a bidirectional transceiving element in a case where the wavelength of a transmission signal of the present invention is shorter than a wavelength of a received signal; Fig.
Fig. 2 is a side sectional view showing a bidirectional transceiving element when the wavelength of the transmission signal of the present invention is longer than the wavelength of the reception signal,
3 is a side cross-sectional view showing an embodiment of a bidirectional transceiving device in which the wavelength of the transmission signal of the present invention is shorter than the wavelength of the received signal,
4 is a side cross-sectional view showing an embodiment of a bidirectional transceiving device in which the wavelength of the transmission signal of the present invention is longer than the wavelength of the received signal,
5 is a cross-sectional view showing an embodiment of the optical coupling structure using the bidirectional transceiving device when the wavelength of the transmission signal of the present invention is shorter than the wavelength of the received signal,
6 is a cross-sectional view showing an embodiment of the optical coupling structure using the bidirectional transceiving element when the wavelength of the transmitting signal of the present invention is longer than the wavelength of the receiving signal.

이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 바람직한 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, so that those skilled in the art can easily carry out the technical idea of the present invention. .

도 1은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 송신 신호의 파장이 수신 신호에 비하여 짧은 파장인 경우의 양방향 송수신 소자를 도시한 측단면도로, 부호 10은 송신부이다. 이의 구성에 대하여 설명하면 부호 11은 표면방출 레이저, 12는 송신부의 상면에 형성된 송신부 상부 무반사층, 13은 송신부의 저면에 형성된 송신부 하부 무반사층, 14는 송신부 상부 무반사층(12)을 일부 제거하고 송신부의 상부에 형성된 송신부 제1전극, 15는 송신부 하부 무반사층(13)을 일부 제거하고 송신부의 하부에 형성된 송신부 제2전극으로 이루어져 있다.1 is a side cross-sectional view showing a bidirectional transceiving device when a wavelength of a transmission signal according to a preferred embodiment of the present invention is shorter than a wavelength of a received signal. Reference numeral 11 denotes a surface emitting laser, reference numeral 12 denotes a transmitting section upper non-reflecting layer formed on the upper surface of the transmitting section, reference numeral 13 denotes a transmitting section lower non-reflecting layer formed on the lower surface of the transmitting section, reference numeral 14 partially removes the transmitting section upper non- A first electrode 15 is formed on the upper part of the transmission part, and a second electrode 15 is formed on the lower part of the transmission part to partially remove the lower part of the transmission part 13.

부호 20은 수신부이다. 이의 구성에 대하여 설명하면, 부호 21은 광검출기, 22는 수신부의 상면에 형성된 수신부 무반사층, 23은 수신부 무반사층(22) 일부를 제거하고 형성된 수신부의 제1전극, 24는 수신부의 하부에 형성된 수신부 제2전극, 25는 송신부 제2전극(15)과의 접합을 위한 수신부 무반사층(22) 상부에 형성된 접합 전극으로 이루어져 있으며, 부호 26은 송신부와 수신부의 접합을 위한 접합 범프, 16은 송신부인 표면방출 레이저에서 빔이 방출하는 방향 및 파장 λT, 17은 표면방출 레이저의 빔이 방출하는 영역, 27은 수신부인 광검출기에서 빔을 받는 방향 및 파장 λR, 28은 광검출기에서 빔이 흡수되는 영역을 나타낸다.Reference numeral 20 denotes a receiver. Reference numeral 21 denotes a photodetector. Reference numeral 22 denotes a receiving portion non-reflecting layer formed on the upper surface of the receiving portion. Reference numeral 23 denotes a first electrode of the receiving portion formed by removing a part of the receiving portion non- Reference numeral 26 denotes a bonding bump for bonding between the transmitting part and the receiving part, reference numeral 16 denotes a bonding part for bonding the transmitting part to the receiving part, in area, 27 is a receiving unit which receives the direction and wavelength of the beam from the light detector λ R, 28 of the beam emitting direction and the wavelength λ T, of 17 emits a beam of a surface emitting laser in the surface-emitting laser, the beam from the photo-detector Indicates the area to be absorbed.

본 실시 예는 송신부(10)에서 방출하는 빔의 파장 λT은 수신부(20)에서 수광하는 빔의 파장 λR 보다 짧은 파장을 갖도록 한 양방향 송수신 소자이다. In this embodiment, the wavelength? T of the beam emitted from the transmission section 10 is a bidirectional transmission / reception element having a wavelength shorter than the wavelength? R of the beam received by the reception section 20. [

송신부 무반사층(12,13)은 송신부의 계면에서 수신 빔의 파장 λR에 대하여 반사를 방지하기 위한 층이고, 수신부 무반사층(22)은 수신부의 계면에서 수신 빔의 파장 λR에 대하여 반사를 방지하기 위한 층이다. 송신부의 빔이 방출하는 영역인 16과 수신부의 빔을 수광하는 영역인 27이 같은 축 상에 위치하여 한 번의 정렬로 송신 및 수신의 양방향 신호의 정렬이 이루어진다. 송신부(10)의 표면방출 레이저는 수신 파장 λR보다 높은 에너지 갭으로 구성되어 수신 파장에 의한 흡수가 일어나지 않도록 구성되어 있다.
Reflection layer 12 and 13 is a layer for preventing reflection with respect to the wavelength λ R of the reception beam at the interface of the transmission section and the reflection section 22 of the reception section reflects the wavelength λ R of the reception beam at the interface of the reception section . The area 16 where the beam of the transmission part emits and the area 27 which receives the beam of the reception part are located on the same axis, and the bidirectional signals of the transmission and reception are aligned in one alignment. The surface emitting laser of the transmitting section 10 is configured to have an energy gap higher than the receiving wavelength? R , so that absorption by the receiving wavelength does not occur.

도 2는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 송신 신호의 파장이 수신 신호에 비하여 긴 파장인 경우의 양방향 송수신 소자를 도시한 측 단면도로, 부호 30은 송신부이다. 이의 구성에 대하여 설명하면, 부호 31은 표면방출 레이저, 32는 송신부의 상부에 형성된 송신부 제1전극, 33은 송신부의 하부에 형성된 송신부 제2전극, 34는 수신부(40)와의 접합을 위한 접합 전극으로 이루어져 있으며, 부호 40은 수신부이다. 수신부(40)의 구성에 대하여 설명하면, 부호 41은 광검출기, 42는 수신부의 상면에 형성된 수신부 상부 무반사층, 43은 수신부의 저면에 형성된 수신부 하부 무반사층, 44는 수신부 상부 무반사층(42)의 일부를 제거하고 형성된 수신부 제1전극, 45는 수신부의 하부에 수신부 하부 무반사층(43) 일부를 제거하고 형성된 수신부 제2전극으로 이루어져 있고, 부호 35는 송신부(30)의 송신부 접합 전극(34)과 수신부(40)의 수신부 제2전극(45)간의 접합을 위한 접합 범프, 36은 송신부인 표면방출 레이저에서 빔이 방출하는 방향 및 파장 λT, 37은 표면방출 레이저의 빔이 방출하는 영역, 46은 수신부인 광검출기에서 빔을 받는 방향 및 파장 λR, 47은 광검출기에서 빔이 흡수되는 영역을 나타낸다. 2 is a side cross-sectional view showing a bidirectional transceiving element when a wavelength of a transmission signal according to a preferred embodiment of the present invention is longer than that of a reception signal, and 30 is a transmitter. Reference numeral 31 denotes a surface emitting laser, 32 denotes a first electrode of a transmitting part formed on the upper part of the transmitting part, 33 denotes a second electrode of a transmitting part formed on the lower part of the transmitting part, 34 denotes a bonding electrode for bonding to the receiving part 40 And 40 is a receiver. Reference numeral 41 denotes a photodetector. Reference numeral 42 denotes a receiving section upper non-reflecting layer formed on the upper surface of the receiving section. Reference numeral 43 denotes a receiving section lower non-reflecting layer formed on the lower surface of the receiving section. And 45 is a receiving electrode second electrode formed by removing a part of the lower non-return layer 43 from the lower part of the receiving unit. Numeral 35 is a connecting electrode of the transmitting unit 30 36 denotes a direction in which the beam is emitted from the surface emitting laser serving as a transmitting section and a wavelength λ T and 37 denotes a region in which the beam of the surface emitting laser emits , 46 denotes a direction in which the beam is received by the photodetector as a receiver, and a wavelength? R , 47 denotes a region where the beam is absorbed by the photodetector.

본 실시 예는 송신부(30)에서 방출하는 빔의 파장 λT이 수신부(40)에서 수광하는 빔의 파장 λR 보다 긴 파장을 갖도록 한 양방향 송수신 소자이다. The present embodiment is a bidirectional transceiving element in which the wavelength? T of the beam emitted from the transmitting section 30 has a wavelength longer than the wavelength? R of the beam received by the receiving section 40.

부호 42의 수신부 상부 무반사층은 수신부의 계면에서 수신 빔의 파장 λR과 송신 빔의 파장 λT에 대하여 반사를 방지하기 위한 층이고, 43의 수신부 하부 무반사층은 수신부의 계면에서 송신 빔의 파장 λT에 대하여 반사를 방지하기 위한 층이다. 송신부의 빔이 방출하는 영역인 36과 수신부의 빔을 수광하는 영역인 47이 같은 축 상에 위치하여 한 번의 정렬로 송신 및 수신의 양방향 신호의 정렬이 이루어진다. 수신부(30)의 광검출기(41)는 송신 파장 λT보다 높은 에너지 갭으로 구성되어 송신 파장에 의한 흡수가 일어나지 않도록 구성되어 있다.
The upper non-reflecting layer 42 is a layer for preventing reflection with respect to the wavelength? R of the reception beam and the wavelength? T of the transmission beam at the interface of the reception part, and the lower reflection layer 43 at the reception part has a wavelength and is a layer for preventing reflection against? T. The area 36 where the beam of the transmission part emits and the area 47 which receives the beam of the reception part are located on the same axis and the bi-directional signal of the transmission and reception is aligned by one alignment. The photodetector 41 of the receiving section 30 is configured to have an energy gap higher than the transmission wavelength? T so that absorption by the transmission wavelength does not occur.

도 3은 송신 신호의 파장이 수신 신호에 비하여 짧은 파장인 경우의 양방향 송수신 소자의 실시 예를 도시한 측 단면도이다. 본 실시 예의 송신 신호의 파장이 수신 신호에 비하여 짧은 파장인 경우의 양방향 송수신 소자의 바람직한 실시 예를 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.3 is a side cross-sectional view showing an embodiment of a bidirectional transceiving element when the wavelength of the transmitting signal is shorter than the wavelength of the receiving signal. A preferred embodiment of the bidirectional transceiver in the case where the wavelength of the transmission signal of this embodiment is shorter than the wavelength of the reception signal will be described in more detail as follows.

송신부(160)는 (001)의 결정방향을 갖는 n형 도핑된 송신부 반도체 기판(111) 위에 송신부(160)에서 방출한 빔을 흡수하기 위한 n형의 반도체로 이루어진 흡수층(112)이 형성되어 있고, 그 위의 하부거울층(113)은 n형 도핑된 반도체 DBR층으로 형성되어 있고, 그 위에 레이저 이득을 위한 다중양자우물로 구성된 활성층(114)이 형성되어 있고, 그 위에 전류 제한을 위한 전류제한층(115)이 형성되어 있고, 그 위의 상부거울층(116)은 p형 도핑된 반도체 DBR층으로 형성되어 있고, 그 위에 계면에서의 반사를 막기 위한 송신부 상부 무반사층(117)이 형성되어 있다.The transmission unit 160 is formed with an absorption layer 112 made of an n-type semiconductor for absorbing a beam emitted from the transmission unit 160 on an n-type doped transmission semiconductor substrate 111 having a crystal orientation of (001) And a lower mirror layer 113 thereon is formed of an n-type doped semiconductor DBR layer. An active layer 114 composed of multiple quantum wells for laser gain is formed thereon, and a current for current limitation The upper mirror layer 116 is formed of a p-type doped semiconductor DBR layer, and a transmission upper non-reflection layer 117 for preventing reflection at the interface is formed thereon .

그리고 상기 전류제한층(115)의 일부에 전류흐름을 막기 위한 절연층(118)을 형성하여 전류가 흐르는 영역을 제한하고, 송신부 상부 무반사층(117)을 일부 제거하고 상부거울층(116)의 상부에 Ti/Pt/Au 등의 금속으로 송신부 제1전극(119)을 형성하고, 송신부 반도체 기판(111)의 아래에 계면에서의 반사를 막기 위한 송신부 하부 무반사층(120)이 형성되어 있고, 송신부 하부 무반사층(120)을 일부 제거하고 송신부 반도체 기판(111)의 하부에 AuGe/Ni/Au, Cr/Au 등의 금속으로 된 송신부 제2전극(121)이 형성되어 있다.An insulating layer 118 for preventing current flow is formed in a part of the current confining layer 115 to restrict a current flowing region and to remove a part of the upper portion anti-reflection layer 117, A transmission part first electrode 119 is formed of a metal such as Ti / Pt / Au on the upper part and a transmission lower reflection layer 120 is formed below the transmission part semiconductor substrate 111 to prevent reflection at the interface, A second electrode 121 made of a metal such as AuGe / Ni / Au or Cr / Au is formed on the lower part of the semiconductor substrate 111 of the transmission unit.

수신부(170)는 (001)의 결정방향을 갖는 n형 도핑된 수신부 반도체 기판(131) 위에 광흡수를 위한 활성층(132)이 형성되어 있고, 그 위에 상부 클래드층(133)이 형성되어 있고, 그 위에 계면에서의 반사를 막기 위한 수신부 무반사층(134)이 형성되어 있다.The receiver 170 includes an active layer 132 formed on an n-type doped semiconductor substrate 131 having a crystal orientation of (001) for absorbing light, an upper clad layer 133 formed on the active layer 132, And a receiving portion non-reflecting layer 134 for preventing reflection at the interface is formed thereon.

그리고 상기 수신부 무반사층(134)을 일부 제거하고 상부 클래드층(133)의 상부에 Ti/Pt/Au 등의 금속으로 수신부 제1전극(135)을 형성하고, 수신부 반도체 기판(131)의 아래에 AuGe/Ni/Au, Cr/Au 등의 금속으로 된 수신부 제2전극(136)을 형성한다. The receiver first reflection layer 134 is partially removed and a first electrode 135 is formed of a metal such as Ti / Pt / Au on the upper clad layer 133. The first electrode 135 is formed under the reception semiconductor substrate 131 The second electrode 136 made of AuGe / Ni / Au, Cr / Au or the like is formed.

그리고 상기 수신부 무반사층(134)의 위에 Ti/Pt/Au 등의 금속으로 송신부와의 접합을 위한 접합 전극(137)을 형성하고, 송신부의 제2전극(121)과 수신부의 접합 전극(137)을 접합하기 위하여 접합 범프(150)를 형성하고, 송신부(160)의 빔 방출 영역과 수신부(170)의 광흡수 영역이 일직선상에 놓이도록 접합한다.A bonding electrode 137 for bonding with a transmitting portion is formed of a metal such as Ti / Pt / Au on the receiving portion non-reflecting layer 134, and a bonding electrode 137 of the transmitting portion and a bonding electrode 137 of the receiving portion are formed. A bonding bump 150 is formed so as to bond the light emitting region of the transmitting section 160 and the light receiving region of the receiving section 170 so that the beam emitting region of the transmitting section 160 is positioned on a straight line.

본 실시 예는 송신부(160)에서 방출하는 빔의 파장 λT은 수신부(170)에서 수광하는 빔의 파장 λR 보다 짧은 파장을 갖도록 한 양방향 송수신 소자이다. In the present embodiment, the wavelength? T of the beam emitted from the transmission unit 160 is a bidirectional transmission / reception element having a wavelength shorter than the wavelength? R of the beam received by the reception unit 170. [

송신부 무반사층(117,120)은 송신부의 계면에서 수신 빔의 파장 λR에 대하여 반사를 방지하기 위하여 SiOx나 TiOx, SiNx 등의 유전체를 증착하여 형성하고, 수신부 무반사층(134)도 수신 빔의 파장 λR에 대하여 반사를 방지하기 위하여 SiOx나 TiOx, SiNx 등의 유전체를 증착하여 형성하며, 송신부의 빔이 방출하는 영역과 수신부의 빔을 수광하는 영역이 같은 축 상에 위치하도록 송신부의 제2전극(121)과 수신부의 접합 전극(137)이 접합 범프(150)로 접합시 자동으로 정렬이 되도록 송신부의 제2전극(121)과 수신부의 접합 전극(137)을 형성한다, 송신부(160)의 표면방출 레이저는 수신 파장 λR보다 높은 에너지 갭으로 구성되어 흡수 손실이 없도록 하고, 하부거울층(113)과 상부거울층(116) 및 송신부(160) 내부에서 수신 파장 λR에서 반사가 최소화되도록 구성하며, 송신부의 제1전극(119)은 수신 빔을 막지 않도록 수신 빔의 직경에 비하여 충분히 큰 직경을 갖도록 형성한다.Transmissive reflection layers 117 and 120 are formed by vapor-depositing a dielectric material such as SiOx, TiOx, or SiNx to prevent reflection of the reception beam at a wavelength λ R at the interface of the transmission part, and the reception part anti- R is formed by depositing a dielectric material such as SiOx, TiOx, or SiNx so as to prevent reflection on the second electrode (R) of the transmitter so that the region of the transmission portion emitting the beam and the region receiving the beam of the reception portion are located on the same axis The second electrode 121 of the transmitting part and the bonding electrode 137 of the receiving part are formed so that the bonding electrode 137 of the receiving part is automatically aligned when the bonding electrode 137 of the receiving part is aligned with the bonding bump 150. [ The emission laser is configured to have an energy gap higher than the reception wavelength? R so that absorption loss does not occur and the reflection is minimized at the reception wavelength? R within the lower mirror layer 113 and the upper mirror layer 116 and the transmission section 160 Transmission The first negative electrode 119 is formed to have a diameter sufficiently larger than the diameter of the reception beam so as not to block the reception beam.

여기서 송신부(160)의 표면방출 레이저의 하부거울층(113)을 구성하는 반도체 DBR층은 n형 도핑된 굴절률이 다른 반도체 박막층을 교대로 성장하여 제작하는데, 한 주기의 두께가 광학길이(물질의 두께×발진파장에서의 굴절률)로 송신 파장λT의 반이 되도록 구성한다. 상부거울층(116)은 p형 도핑된 굴절률이 다른 반도체 박막층을 교대로 성장하여 제작하는데, 한 주기의 두께가 광학길이로 송신 파장λT의 반이 되도록 구성하고 하부거울층(113)에 비하여 반사율이 낮도록 구성한다. Here, the semiconductor DBR layer constituting the lower mirror layer 113 of the surface emitting laser of the transmission unit 160 is fabricated by alternately growing n-type semiconductor thin film layers having different refractive indexes. Thickness x refractive index at the oscillation wavelength), which is half the transmission wavelength? T. The upper mirror layer 116 is fabricated by alternately growing p-type doped semiconductor thin film layers having different refractive indexes. The upper mirror layer 116 is formed such that the thickness of one period is half the transmission wavelength? T with the optical length, So that the reflectance is low.

그리고 활성층(114)은 전체 두께가 광학 길이로 발진 파장 반의 정수 배가 되도록 구성한다. 흡수층(112)은 송신부에서 방출하는 미세한 빛을 흡수하기 위하여 송신 파장λT에 비하여 낮은 에너지갭을 갖고, 수신 파장λR에 비하여 높은 에너지갭을 갖는 n형의 도핑된 반도체로 구성한다.
The active layer 114 is configured such that the total thickness is an integral multiple of the oscillation wavelength half with the optical length. The absorption layer 112 is composed of an n-type doped semiconductor having a lower energy gap than the transmission wavelength? T and having a higher energy gap than the reception wavelength? R in order to absorb the minute light emitted from the transmission section.

도 4는 송신 신호의 파장이 수신 신호에 비하여 긴 파장인 경우의 양방향 송수신 소자의 실시 예를 도시한 측 단면도이다. 본 실시 예의 송신 신호의 파장이 수신 신호에 비하여 긴 파장인 경우의 양방향 송수신 소자의 바람직한 실시 예를 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.4 is a side cross-sectional view showing an embodiment of a bidirectional transceiving element in a case where a wavelength of a transmitting signal is longer than a wavelength of a receiving signal. A preferred embodiment of the bidirectional transceiver in the case where the wavelength of the transmission signal of the present embodiment is longer than the wavelength of the reception signal will be described in more detail as follows.

송신부(260)는 (001)의 결정방향을 갖는 n형 도핑된 송신부 반도체 기판(211) 위에 하부거울층(212)이 n형 도핑된 반도체 DBR층으로 형성되어 있고, 그 위에 레이저 이득을 위한 다중양자우물로 구성된 활성층(213)이 형성되어 있고, 그 위에 전류 제한을 위한 전류제한층(214)이 형성되어 있고, 그 위의 상부거울층(215)은 p형 도핑된 반도체 DBR층으로 형성되어 있고, 그 위에 절연을 위한 절연막층(216)이 형성되어 있다.The transmission unit 260 includes a lower mirror layer 212 formed of an n-type doped semiconductor DBR layer on an n-type doped transmission semiconductor substrate 211 having a crystal orientation of (001), and a multi- An active layer 213 composed of a quantum well is formed and a current confining layer 214 for limiting current is formed thereon and the upper mirror layer 215 thereon is formed of a p-type doped semiconductor DBR layer And an insulating film layer 216 for insulation is formed thereon.

상기 전류제한층(214)의 일부에 전류흐름을 막기 위한 절연층(217)을 형성하여 전류가 흐르는 영역을 제한하고, 상기 절연막층(216)을 일부 제거하고 상부거울층(215)의 상부에 Ti/Pt/Au 등의 금속으로 송신부 제1전극(218)을 형성하고, 절연막층(216)의 위에 Ti/Pt/Au 등의 금속으로 수신부(270)와의 접합을 위한 접합 전극(219)을 형성하고, 반도체 기판(211)의 아래에는 AuGe/Ni/Au, Cr/Au 등의 금속으로 된 송신부 제2전극(220)을 형성한다.An insulating layer 217 for preventing current flow is formed in a part of the current confining layer 214 to restrict a current flowing region and to remove a part of the insulating film layer 216 and to cover the upper part of the upper mirror layer 215 A first electrode 218 is formed of a metal such as Ti / Pt / Au and a bonding electrode 219 for bonding to the receiving portion 270 with a metal such as Ti / Pt / Au is formed on the insulating film layer 216 And a transmitting second electrode 220 made of a metal such as AuGe / Ni / Au or Cr / Au is formed under the semiconductor substrate 211.

수신부(270)는 (001)의 결정방향을 갖는 n형 도핑된 수신부 반도체 기판(231) 위에 광흡수를 위한 활성층(232)이 형성되어 있고, 그 위에 상부 클래드층(233)이 형성되어 있고, 그 위에 계면에서의 반사를 막기 위한 수신부 상부 무반사층(234)이 형성되어 있고, 수신부 반도체 기판(231)의 아래에 계면에서의 반사를 막기 위한 수신부 하부 무반사층(235)이 형성되어 있고, 수신부 상부 무반사층(234)을 일부 제거하고 상부 클래드층(233)의 상부에 Ti/Pt/Au 등의 금속으로 수신부 제1전극(236)을 형성하고, 수신부 하부 무반사층(235)을 일부 제거하고 반도체 기판(231)의 아래에 AuGe/Ni/Au, Cr/Au 등의 금속으로 된 수신부 제2전극(237)을 형성한다.The receiving unit 270 includes an active layer 232 for absorbing light on an n-type doped semiconductor substrate 231 having a (001) crystal orientation, an upper cladding layer 233 formed on the active layer 232, And a receiver upper non-reflective layer 234 for preventing reflection at the interface is formed thereon. Below the receiver semiconductor substrate 231, a receiver lower non-reflective layer 235 for preventing reflection at the interface is formed. A first receiving electrode 236 is formed of a metal such as Ti / Pt / Au on the upper clad layer 233 and a part of the lower receiving layer 235 is removed A receiving second electrode 237 made of a metal such as AuGe / Ni / Au or Cr / Au is formed under the semiconductor substrate 231.

또, 송신부의 접합 전극(219)과 수신부의 제2전극(237)을 접합하기 위하여 접합 범프(250)를 형성하고, 송신부(260)의 빔 방출 영역과 수신부(270)의 광흡수 영역이 일직선상에 놓이도록 접합한다. A bonding bump 250 is formed to bond the bonding electrode 219 of the transmitting section and the second electrode 237 of the receiving section so that the beam emitting region of the transmitting section 260 and the light absorbing region of the receiving section 270 are aligned with each other. As shown in Fig.

본 실시 예는 송신부에서 방출하는 빔의 파장 λT은 수신부에서 수광하는 빔의 파장 λR 보다 긴 파장을 갖도록 한 양방향 송수신 소자이다. In this embodiment, the wavelength? T of the beam emitted from the transmitting section is a bidirectional transmitting / receiving element having a wavelength longer than the wavelength? R of the beam received by the receiving section.

수신부의 상부 무반사층(234)은 수신부의 계면에서 송신 빔의 파장 λT와 수신 빔의 파장 λR 모두에 대하여 반사를 방지하기 위하여 SiOx나 TiOx, SiNx 등의 유전체를 증착하여 형성하고, 수신부의 하부 무반사층(235)은 수신부의 계면에서 송신 빔의 파장 λT에 대하여 반사를 방지하기 위하여 SiOx나 TiOx, SiNx 등의 유전체를 증착하여 형성하며, 송신부의 빔이 방출하는 영역과 수신부의 빔을 수광하는 영역이 같은 축 상에 위치하도록 수신부의 제2전극(237)과 송신부의 접합 전극(217)을 접합 범프(250)로 접합시 자동으로 정렬이 되도록 수신부의 제2전극(237)과 송신부의 접합 전극(216)을 형성한다, 수신부(270)의 광검출기는 송신 파장 λT보다 높은 에너지 갭으로 구성되어 흡수 손실이 없도록 하고, 수신부(270) 내부에서 송신 파장 λT에서 반사가 되지 않도록 구성하며, 수신부의 제1전극(236)은 송신 빔을 막지 않도록 송신 빔의 직경에 비하여 충분히 큰 직경을 갖도록 형성한다.The upper non-reflecting layer 234 of the receiving part is formed by depositing a dielectric material such as SiOx, TiOx, or SiNx to prevent reflection on both the wavelength? T of the transmission beam and the wavelength? R of the reception beam at the interface of the reception part, The lower anti-reflective layer 235 is formed by vapor-depositing a dielectric material such as SiOx, TiOx, or SiNx to prevent reflection of the transmission beam at a wavelength? T at the interface of the reception part. The second electrode 237 of the receiving part and the transmitting part 217 of the transmitting part are arranged so that they are automatically aligned when the bonding electrode 217 of the transmitting part is bonded to the bonding bump 250, The photodetector of the receiving section 270 is formed to have an energy gap higher than the transmitting wavelength? T so that no absorption loss is caused and the receiving section 270 is formed so as not to be reflected at the transmitting wavelength? T inside the receiving section 270 phrase And the first electrode 236 of the reception unit is formed to have a sufficiently large diameter as compared with the diameter of the transmission beam so as not to block the transmission beam.

여기서 송신부(260)의 표면방출 레이저의 하부거울층(212)을 구성하는 반도체 DBR층은 n형 도핑된 굴절률이 다른 반도체 박막층을 교대로 성장하여 제작하는데, 한 주기의 두께가 광학길이(물질의 두께×발진파장에서의 굴절률)로 송신 파장λT의 반이 되도록 구성한다. 상부거울층(215)은 p형 도핑된 굴절률이 다른 반도체 박막층을 교대로 성장하여 제작하는데, 한 주기의 두께가 광학길이로 송신 파장λT의 반이 되도록 구성하고 하부거울층(212)에 비하여 반사율이 낮도록 구성한다.Here, the semiconductor DBR layer constituting the lower mirror layer 212 of the surface emitting laser of the transmission unit 260 is fabricated by alternately growing n-type semiconductor thin film layers having different refractive indexes. Thickness x refractive index at the oscillation wavelength), which is half the transmission wavelength? T. The upper mirror layer 215 is formed by alternately growing semiconductor thin film layers doped with p-type impurities with different refractive indexes. The upper mirror layer 215 is formed such that the thickness of one period is half the transmission wavelength? T with the optical length, So that the reflectance is low.

그리고 활성층(213)은 전체 두께가 광학길이로 발진 파장 반의 정수 배가 되도록 구성한다.
The active layer 213 is configured such that the total thickness is an integral multiple of the oscillation wavelength half with the optical length.

본 발명은 도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이 송신 파장λT이 수신파장λR에 비하여 짧은 경우와 긴 경우에 있어서 한 번의 정렬로 광섬유와의 정렬이 가능하고, 콤팩트한 크기를 갖도록 저가의 대용량 양방향 송수신 모듈을 제공할 수 있다.
As shown in FIGS. 1 to 4, in the case where the transmission wavelength? T is shorter or longer than the reception wavelength? R , the present invention can be aligned with the optical fiber in one alignment, A large capacity bidirectional transmission / reception module can be provided.

도 5는 본 발명의 송신 파장이 수신 파장에 비하여 짧은 경우의 양방향 송수신 소자를 이용한 양방향 송수신 모듈 제작의 실시 예를 보여준다. 양방향 송수신 모듈은 송신부(310), 수신부(320), 광결합 렌즈(321), 광섬유(322)로 구성되어 있으며, 부호 323, 324는 각각 송신 빔과 수신 빔을 의미한다.FIG. 5 shows an embodiment of a bidirectional transmission / reception module using bidirectional transmission / reception devices when the transmission wavelength of the present invention is shorter than the reception wavelength. The bidirectional transmission / reception module is composed of a transmission unit 310, a reception unit 320, an optical coupling lens 321, and an optical fiber 322. Reference numerals 323 and 324 denote a transmission beam and a reception beam, respectively.

도 5에 도시된 바와 같이 하나의 광결합 렌즈(321)를 이용하여 한 번의 정렬을 통하여 광섬유와 결합된 양방향 송수신 모듈의 제작이 가능하여 제작 공정이 간단하며, 수율이 높고, 콤팩트한 모듈을 제공할 수 있다.
As shown in FIG. 5, it is possible to fabricate a bidirectional transmission / reception module combined with an optical fiber through one alignment using one optical coupling lens 321, so that the manufacturing process is simple, the yield is high, and a compact module is provided can do.

도 6은 본 발명의 송신 파장이 수신 파장에 비하여 긴 경우의 양방향 송수신 소자를 이용한 양방향 송수신 모듈 제작의 실시 예를 보여준다. 양방향 송수신 모듈은 송신부(330), 수신부(340), 광결합 렌즈(341), 광섬유(342)로 구성되어 있으며, 부호 343, 344는 각각 송신 빔과 수신 빔을 의미한다. FIG. 6 shows an embodiment of a bidirectional transmission / reception module using bidirectional transmission / reception devices when the transmission wavelength of the present invention is longer than the reception wavelength. The bidirectional transmission / reception module is composed of a transmission unit 330, a reception unit 340, an optical coupling lens 341, and an optical fiber 342, and reference numerals 343 and 344 denote a transmission beam and a reception beam, respectively.

도 6에 도시된 바와 같이 하나의 광결합 렌즈(341)를 이용하여 한 번의 정렬을 통하여 광섬유와 결합된 양방향 송수신 모듈의 제작이 가능하여 제작 공정이 간단하며, 수율이 높고, 콤팩트한 모듈을 제공한다.
As shown in FIG. 6, it is possible to manufacture a bidirectional transmission / reception module combined with an optical fiber through one alignment using one optical coupling lens 341, thereby simplifying the manufacturing process, providing a high yield, and providing a compact module do.

본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시 예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시 예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시 예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. In addition, it will be understood by those of ordinary skill in the art that various embodiments are possible within the scope of the technical idea of the present invention.

10 : 송신부 11 : 표면방출 레이저
12 : 송신부 상부 무반사층 13 : 송신부 하부 무반사층
14 : 송신부 제1전극 15 : 송신부 제2전극
16 : 송신부의 빔이 방출하는 방향과 파장 λT
17 : 송신부의 빔의 방출 영역
20 : 수신부 21 : 광검출기
22 : 수신부 무반사층 23 : 수신부 제1전극
24 : 수신부 제2전극 25 : 접합 전극
26 : 접합범프 27 : 수신부의 빔을 받는 방향과 파장 λR
28 : 수신부의 빔의 흡수 영역
30 : 송신부 31 : 표면방출 레이저
32 : 송신부 제1전극 33 : 송신부 제2전극
34 : 접합 전극 35 : 접합 범프
36 : 송신부의 빔이 방출하는 방향과 파장 λT
37 : 송신부의 빔의 방출 영역
40 : 수신부 41 : 광검출기
42 : 수신부 상부 무반사층 43 : 수신부 하부 무반사층
44 : 수신부 제1전극 45 : 수신부 제2전극
46 : 수신부의 빔을 받는 방향과 파장 λR
47 : 수신부의 빔의 흡수 영역
160 : 송신부 111 : 송신부 반도체 기판
112 : 흡수층 113 : 하부거울층
114 : 활성층 115 : 전류제한층
116 : 상부거울층 117 : 송신부 상부 무반사층
118 : 절연층 119 : 송신부 제1전극
120 : 송신부 하부 무반사층 121 : 송신부 제2전극
170 : 수신부 131 : 수신부 반도체 기판
132 : 활성층 133 : 상부 클래드층
134 : 수신부 무반사층 135 : 수신부 제1전극
136 : 수신부 제2전극 137 : 접합전극
150 : 접합범프 260 : 송신부
211 : 송신부 반도체 기판 212 : 하부거울층
213 : 활성층 214 : 전류제한층
215 : 상부거울층 216 : 절연막층
217 : 절연층 218 : 송신부 제1전극
219 : 접합 전극 220 : 송신부 제2전극
270 : 수신부 231 : 수신부 반도체 기판
232 : 활성층 233 : 상부 클래드층
234 : 수신부 상부 무반사층 235 : 수신부 하부무반사층
236 : 수신부 제1전극 237 : 수신부 제2전극
250 : 접합 범프 310 : 송신부
320 : 수신부 321 : 광결합 렌즈
322 : 광섬유 323 : 송신 빔
324 : 수신 빔 330 : 송신부
340 : 수신부 341 : 광결합 렌즈
342 : 광섬유 343 : 송신 빔
344 : 수신 빔10: Transmitter 11: Surface emitting laser
12: Transmission section upper anti-reflection layer 13: Transmission section lower anti-reflection layer
14: transmitting part first electrode 15: transmitting part second electrode
16: direction of emission of the beam of the transmitter and wavelength λ T
17: emission area of the beam of the transmitter
20: Receiver 21: Photodetector
22: receiving part non-reflecting layer 23: receiving part first electrode
24: receiving part second electrode 25: bonding electrode
26: bonding bump 27: direction of receiving the beam of the receiving part and wavelength? R
28: Absorption area of the beam of the receiver
30: transmitter 31: surface emitting laser
32: Transmitter first electrode 33: Transmitter second electrode
34: bonding electrode 35: bonding bump
36: the direction in which the beam of the transmitting part is emitted and the wavelength λ T
37: emission area of the beam of the transmitter
40: Receiving unit 41: Photodetector
42: Receiver upper anti-reflection layer 43: Receiver lower anti-reflection layer
44: receiving part first electrode 45: receiving part second electrode
46: the direction of receiving the beam from the receiver and the wavelength λ R
47: Absorption area of the beam of the receiver
160: Transmitting section 111: Transmitting section Semiconductor substrate
112: absorption layer 113: lower mirror layer
114: active layer 115: current confined layer
116: upper mirror layer 117: transmission upper anti-reflection layer
118: insulating layer 119:
120: transmission part lower anti-reflection layer 121: transmission part second electrode
170: receiving section 131: receiving section semiconductor substrate
132: active layer 133: upper cladding layer
134: Non-reflection layer of the reception part 135: First electrode of the reception part
136: receiving part second electrode 137: bonding electrode
150: joint bump 260:
211: Transmitting Semiconductor Substrate 212: Lower Mirror Layer
213: active layer 214: current confined layer
215: upper mirror layer 216: insulating film layer
217: Insulating layer 218: Transmitter first electrode
219: bonding electrode 220: transmitting part second electrode
270: receiving section 231: receiving section semiconductor substrate
232: active layer 233: upper clad layer
234: Receiver upper anti-reflection layer 235: Receiver lower anti-reflection layer
236: receiving part first electrode 237: receiving part second electrode
250: bonding bump 310: transmitting part
320: Receiving unit 321: Optical coupling lens
322: optical fiber 323: transmission beam
324: Receive beam 330: Transmitter
340: Receiver 341: Optical coupling lens
342: optical fiber 343: transmission beam
344: Receiving beam

Claims (15)

송신 신호의 파장이 수신 신호에 비하여 짧은 파장인 경우의 양방향 송수신 소자로,
표면방출 레이저; 상기 표면방출 레이저 상에 형성된 송신부 상부 무반사층; 상기의 송신부 상부 무반사층을 일부 제거하고 표면방출 레이저의 상부에 형성된 송신부 제1전극; 상기의 표면방출 레이저 하부에 형성된 송신부 하부 무반사층; 상기의 송신부 하부 무반사층을 일부 제거하고 상기의 표면방출 레이저 하부에 형성된 송신부 제2전극; 을 포함하는 송신부와,
광검출기; 상기의 광검출기의 위 면에 형성된 수신부 무반사층; 상기의 수신부 무반사층 일부를 제거하고 광검출기의 상부에 형성된 수신부 제1전극; 상기의 광검출기 하부에 형성된 수신부 제2전극; 상기의 수신부 무반사층의 상부에 형성된 접합 전극; 을 포함하는 수신부와,
상기 수신부를 하부에 두고 송신부를 상부에 두어 상기 송신부 제2전극과 상기 접합 전극을 접합한 접합 범프; 를 포함하여 이루어지며,
상기 표면방출 레이저는 수신 파장보다 높은 에너지 갭으로 구성되고; 상기 송신부의 빔이 방출하는 영역과 수신부의 빔을 수광하는 영역이 같은 축 상에 위치하여 한 번의 정렬로 송신 및 수신의 양방향 신호의 정렬을 하는 것을 특징으로 하는 양방향 송수신 소자.
A bidirectional transceiving element when the wavelength of the transmission signal is shorter than the wavelength of the reception signal,
Surface emitting laser; A transmission upper anti-reflection layer formed on the surface emitting laser; A transmitting electrode first electrode formed on the upper surface of the surface emitting laser to partially remove the upper anti-reflection layer; A transmission lower electromagnetic reflective layer formed below the surface emitting laser; A transmission second electrode formed on the lower surface of the transmission cavity and partially removing the lower reflection layer; And a transmitting unit,
A photodetector; An anti-reflection layer formed on the upper surface of the photodetector; A receiver first electrode formed on an upper portion of the photodetector to remove a part of the anti-reflection layer of the receiver; A second electrode formed on a lower portion of the photodetector; A bonding electrode formed on an upper portion of the receiver anti-reflection layer; A receiving unit including a receiving unit,
A junction bump in which the transmission unit second electrode and the junction electrode are bonded to each other with the transmission unit placed on the lower part; And,
Wherein the surface emitting laser is configured with an energy gap higher than the receive wavelength; Wherein the transmitting and receiving bi-directional signals are aligned in a single alignment by locating the area of the beam emitted by the transmitting part and the area of receiving beam of the receiving part on the same axis.
청구항 1에 있어서,
상기 표면방출 레이저 상에 형성된 송신부 상부 무반사층과 표면방출 레이저 하부에 형성된 송신부 하부 무반사층 및 상기의 광검출기의 상면에 형성된 수신부 무반사층은 수신 신호의 파장에 대하여 반사를 방지하는 층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 양방향 송수신 소자.
The method according to claim 1,
A transmitting lower electromagnetic reflective layer formed on the surface emitting laser, a transmitting lower electromagnetic reflecting layer formed on the lower surface of the surface emitting laser, and a receiving part non-reflecting layer formed on the upper surface of the surface emitting laser, Wherein the bi-directional transceiver is characterized by:
송신 신호의 파장이 수신 신호에 비하여 긴 파장인 경우의 양방향 송수신 소자로,
표면방출 레이저; 상기 표면방출 레이저 상에 형성된 송신부 제1전극; 상기 표면방출 레이저 상에 형성된 접합 전극; 상기 표면방출 레이저 하부에 형성된 송신부 제2전극; 을 포함하는 송신부와,
광검출기; 상기 광검출기의 상면에 형성된 수신부 상부 무반사층; 상기 수신부 상부 무반사층 일부를 제거하고 형성된 수신부 제1전극; 상기 광검출기 하부에 형성된 수신부 하부 무반사층; 상기 광검출기 하부에 형성된 수신부 하부 무반사층의 일부를 제거하고 광검출기의 하부에 형성된 수신부 제2전극; 을 포함하는 수신부와,
상기 송신부를 하부에 두고 수신부를 상부에 두어 상기의 수신부 제2전극과 상기의 접합 전극을 접합한 접합 범프; 를 포함하여 이루어지며,
상기 광검출기는 송신 파장보다 높은 에너지 갭으로 구성되고; 상기 송신부의 빔이 방출하는 영역과 수신부의 빔을 수광하는 영역이 같은 축 상에 위치하여 한 번의 정렬로 송신 및 수신의 양방향 신호의 정렬을 하는 것을 특징으로 하는 양방향 송수신 소자.
A bidirectional transceiving element in a case where a wavelength of a transmission signal is longer than a wavelength of a reception signal,
Surface emitting laser; A transmitting first electrode formed on the surface emitting laser; A bonding electrode formed on the surface emitting laser; A transmission second electrode formed below the surface emitting laser; And a transmitting unit,
A photodetector; A receiver upper anti-reflection layer formed on an upper surface of the photodetector; A first electrode formed on the receiving part to remove a part of the upper non-reflecting layer; A receiver lower anti-reflection layer formed under the photodetector; A receiver second electrode formed on a lower portion of the photodetector, the second detector removing a portion of the lower portion of the lower anti-reflection layer formed on the lower portion of the photodetector; A receiving unit including a receiving unit,
A junction bump in which the transmission section is located at the bottom and the reception section is disposed at the top, and the second electrode of the reception section is bonded to the junction electrode; And,
The photodetector being configured with an energy gap higher than the transmission wavelength; Wherein the transmitting and receiving bi-directional signals are aligned in a single alignment with a region of the beam emitted by the transmitting portion and a beam receiving region of the receiving portion located on the same axis.
청구항 3에 있어서,
상기 광검출기의 상면에 형성된 수신부 상부 무반사층은 수신 파장과 송신 파장에 대하여 반사를 방지하는 층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 양방향 송수신 소자.
The method of claim 3,
Wherein the receiver upper anti-reflection layer formed on the upper surface of the photodetector is formed of a layer for preventing reflection with respect to a reception wavelength and a transmission wavelength.
청구항 3에 있어서,
상기 광검출기 하부에 형성된 수신부 하부 무반사층은 송신 파장에 대하여 반사를 방지하는 층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 양방향 송수신 소자.
The method of claim 3,
Wherein the lower portion non-reflective layer formed on the lower portion of the photodetector is composed of a layer for preventing reflection with respect to a transmission wavelength.
송신 신호의 파장이 수신 신호에 비하여 짧은 파장인 경우의 양방향 송수신 소자로,
(001)의 결정방향을 갖는 n형 도핑된 송신부 반도체 기판; 상기 반도체 기판상에 형성된 n형의 반도체로 이루어진 흡수층; 상기 흡수층 상에 n형 도핑된 반도체 DBR층으로 이루어진 하부거울층; 상기 하부거울층 상에 다중양자우물로 구성된 활성층; 상기 활성층 상에 형성되는 전류제한층; 상기 전류제한층 상에 p형 도핑된 반도체 DBR층으로 이루어진 상부거울층; 상기 상부거울층 상에 형성되는 송신부 상부 무반사층; 상기 송신부 상부 무반사층을 일부 제거하고 상기 상부거울층 상에 형성된 송신부 제1전극; 상기 전류제한층의 일부에 형성된 절연층; 상기 송신부 반도체 기판의 아래에 형성된 송신부 하부 무반사층; 상기 송신부 하부 무반사층을 일부 제거하고 상기 송신부 반도체 기판 아래에 형성된 송신부 제2전극; 을 포함하는 송신부와,
(001)의 결정방향을 갖는 n형 도핑된 수신부 반도체 기판; 상기 반도체 기판상에 형성되는 활성층; 상기 활성층 상에 형성되는 상부클래드층; 상기 상부클래드층 상에 형성되는 수신부 무반사층; 상기 수신부 무반사층의 일부를 제거하고 상부클래드층 상에 형성된 수신부 제1전극; 상기 수신부 무반사층 상에 형성된 접합 전극; 상기 수신부 반도체 기판의 아래에 형성된 수신부 제2전극; 을 포함하는 수신부와,
상기 수신부를 하부에 두고 송신부를 상부에 두어 상기 송신부 제2전극과 상기 접합 전극을 접합한 접합 범프; 를 포함하여 이루어지며,
상기 송신부는 수신 파장보다 높은 에너지 갭으로 구성되고; 상기 송신부의 빔이 방출하는 영역과 수신부의 빔을 수광하는 영역이 같은 축 상에 위치하여 한 번의 정렬로 송신 및 수신의 양방향 신호의 정렬을 하는 것을 특징으로 하는 양방향 송수신 소자.
A bidirectional transceiving element when the wavelength of the transmission signal is shorter than the wavelength of the reception signal,
An n-type doped transmission semiconductor substrate having a crystal orientation of (001); An absorption layer made of an n-type semiconductor formed on the semiconductor substrate; A lower mirror layer made of an n-type doped semiconductor DBR layer on the absorber layer; An active layer composed of multiple quantum wells on the lower mirror layer; A current confinement layer formed on the active layer; An upper mirror layer made of a p-type doped semiconductor DBR layer on the current confined layer; A transmission upper anti-reflection layer formed on the upper mirror layer; A transmission first electrode formed on the upper mirror layer to partially remove the transmission upper reflection layer; An insulating layer formed on a part of the current confining layer; A transmission lower electromagnetic reflection layer formed under the transmission semiconductor substrate; A transmission second electrode formed on the lower semiconductor reflection layer to partially remove the transmission lower reflection layer; And a transmitting unit,
An n-type doped receiver semiconductor substrate having a crystal orientation of (001); An active layer formed on the semiconductor substrate; An upper clad layer formed on the active layer; A receiver anti-reflection layer formed on the upper clad layer; A receiver first electrode formed on the upper clad layer to remove a part of the receiver anti-reflection layer; A bonding electrode formed on the receiver non-reflective layer; A receiving second electrode formed below the receiving semiconductor substrate; A receiving unit including a receiving unit,
A junction bump in which the transmission unit second electrode and the junction electrode are bonded to each other with the transmission unit placed on the lower part; And,
Wherein the transmitter is configured with an energy gap higher than the receive wavelength; Wherein the transmitting and receiving bi-directional signals are aligned in a single alignment with a region of the beam emitted by the transmitting portion and a beam receiving region of the receiving portion located on the same axis.
청구항 6에 있어서,
상기 상부거울층 상에 형성된 송신부 상부 무반사층과 상기 송신부 반도체 기판의 아래에 형성된 송신부 하부 무반사층 및 상기 상부클래드층 상의 수신부 무반사층은 SiOx나 TiOx, SiNx를 포함하는 유전체를 증착하여 형성하고 수신 신호의 파장에 대하여 반사를 방지하는 층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 양방향 송수신 소자.
The method of claim 6,
The upper and lower reflection layers formed on the upper mirror layer and the lower semiconductor reflection layer and the upper and lower reflection layers on the upper and lower semiconductor layers are formed by depositing a dielectric material including SiOx, TiOx and SiNx, And a layer for preventing reflection with respect to the wavelength of the light.
청구항 6에 있어서,
상기 상부거울층과 하부거울층은 수신 파장에서 반사를 방지하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 양방향 송수신 소자.
The method of claim 6,
Wherein the upper and lower mirror layers are configured to prevent reflection at a receive wavelength.
청구항 6에 있어서,
상기 송신부 제2전극과 수신부 접합 전극은 접합 범프에 의해 접합시 송신부의 빔 방출 영역과 수신부의 광 흡수 영역이 동일한 축으로 자동으로 정렬되는 것을 특징으로 하는 양방향 송수신 소자.
The method of claim 6,
Wherein the second electrode of the transmitting part and the connecting part of the receiving part are automatically aligned in the same axis with the beam emitting area of the transmitting part and the light absorbing area of the receiving part when they are bonded by the bonding bumps.
청구항 6에 있어서,
상기 흡수층은 송신 파장λT에 비하여 낮은 에너지갭을 갖고, 수신 파장λR에 비하여 높은 에너지갭을 갖는 n형의 도핑된 반도체로 형성되는 것을 특징으로 하는 양방향 송수신 소자.
The method of claim 6,
Wherein the absorption layer has a lower energy gap than the transmission wavelength? T and is formed of an n-type doped semiconductor having a higher energy gap than the reception wavelength? R.
송신 신호의 파장이 수신 신호에 비하여 긴 파장인 경우의 양방향 송수신 소자로,
(001)의 결정방향을 갖는 n형 도핑된 송신부 반도체 기판; 상기 반도체 기판상에 n형 도핑된 반도체 DBR층으로 이루어진 하부거울층; 상기 하부거울층 상에 다중양자우물로 구성된 활성층; 상기 활성층 상에 형성되는 전류제한층; 상기 전류제한층 상에 p형 도핑된 반도체 DBR층으로 이루어진 상부거울층; 상기 상부거울층 상에 형성되는 절연막층; 상기 절연막층을 일부 제거하고 상기 상부거울층 상에 형성되는 송신부 제1전극; 상기 전류제한층의 일부에 형성되는 절연층; 상기 절연막층 상에 형성된 접합 전극; 상기 반도체 기판 아래에 형성된 송신부 제2전극; 을 포함하는 송신부와,
(001)의 결정방향을 갖는 n형 도핑된 수신부 반도체 기판; 상기 반도체 기판상의 활성층; 상기 활성층 상에 형성되는 상부클래드층; 상기 상부클래드층 상에 형성되는 수신부 상부 무반사층; 상기 수신부 상부 무반사층의 일부를 제거하고 상부클래드층 상에 형성되는 수신부 제1전극; 상기 수신부 반도체 기판 아래에 형성되는 수신부 하부 무반사층; 상기 수신부 하부 무반사층을 일부 제거하고 상기 수신부 반도체 기판 아래에 형성되는 수신부 제2전극; 을 포함하는 수신부와,
상기 송신부를 하부에 두고 수신부를 상부에 두어 상기 수신부 제2전극과 상기의 접합 전극을 접합하는 접합 범프; 를 포함하여 이루어지며,
상기 수신부는 송신 파장보다 높은 에너지 갭으로 구성되고; 상기 송신부의 빔이 방출하는 영역과 수신부의 빔을 수광하는 영역이 같은 축 상에 위치하여 한 번의 정렬로 송신 및 수신의 양방향 신호의 정렬을 하는 것을 특징으로 하는 양방향 송수신 소자.
A bidirectional transceiving element in a case where a wavelength of a transmission signal is longer than a wavelength of a reception signal,
An n-type doped transmission semiconductor substrate having a crystal orientation of (001); A lower mirror layer made of an n-type doped semiconductor DBR layer on the semiconductor substrate; An active layer composed of multiple quantum wells on the lower mirror layer; A current confinement layer formed on the active layer; An upper mirror layer made of a p-type doped semiconductor DBR layer on the current confined layer; An insulating film layer formed on the upper mirror layer; A first electrode formed on the upper mirror layer to partially remove the insulating layer; An insulating layer formed on a part of the current confining layer; A junction electrode formed on the insulating film layer; A transmission second electrode formed below the semiconductor substrate; And a transmitting unit,
An n-type doped receiver semiconductor substrate having a crystal orientation of (001); An active layer on the semiconductor substrate; An upper clad layer formed on the active layer; A receiver upper anti-reflection layer formed on the upper clad layer; A receiver first electrode formed on the upper clad layer to remove a part of the receiver upper anti-reflection layer; A receiver lower anti-reflection layer formed under the receiver semiconductor substrate; A receiving second electrode formed at a lower portion of the receiving part semiconductor substrate and partially removing the lower non-reflecting layer; A receiving unit including a receiving unit,
A bonding bump for bonding the second electrode of the receiving part and the bonding electrode by placing the transmitting part on the lower side and the receiving part on the upper side; And,
Wherein the receiving unit is configured with an energy gap higher than a transmission wavelength; Wherein the transmitting and receiving bi-directional signals are aligned in a single alignment with a region of the beam emitted by the transmitting portion and a beam receiving region of the receiving portion located on the same axis.
청구항 11에 있어서,
상기 상부클래드층 상에 형성된 수신부 상부 무반사층은 수신 파장과 송신 파장에 대하여 반사를 방지하는 층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 양방향 송수신 소자.
The method of claim 11,
Wherein the upper upper non-reflective layer formed on the upper clad layer is composed of a layer for preventing reflection with respect to a reception wavelength and a transmission wavelength.
청구항 11에 있어서,
상기 수신부 반도체 기판 아래에 형성된 수신부 하부 무반사층은 송신 파장에 대하여 반사를 방지하는 층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 양방향 송수신 소자.
The method of claim 11,
Wherein the receiver lower-layer non-reflective layer formed below the receiver semiconductor substrate is composed of a layer for preventing reflection with respect to a transmission wavelength.
청구항 11에 있어서,
상기 수신부 반도체 기판과 활성층 및 상부클래드층은 송신 파장에서 반사를 방지하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 양방향 송수신 소자.
The method of claim 11,
Wherein the receiving semiconductor substrate, the active layer, and the upper cladding layer are configured to prevent reflection at a transmission wavelength.
청구항 11에 있어서,
상기 수신부 제2전극과 송신부 접합 전극은 접합 범프에 의해 접합시 송신부의 빔 방출 영역과 수신부의 광 흡수 영역이 동일한 축으로 자동으로 정렬되는 것을 특징으로 하는 양방향 송수신 소자.The method of claim 11,
Wherein the second electrode of the receiving part and the connecting part of the transmitting part are automatically aligned on the same axis by the bonding bump when the beam emitting area of the transmitting part and the light absorbing area of the receiving part are aligned.
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