KR101463416B1 - Luminescence composite, hardened member and optical sheet including the same and optical member, backlight unit and display apparatus including the optical sheet - Google Patents
Luminescence composite, hardened member and optical sheet including the same and optical member, backlight unit and display apparatus including the optical sheet Download PDFInfo
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- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims abstract description 130
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 158
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 title description 4
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims abstract description 176
- 229920000554 ionomer Polymers 0.000 claims abstract description 141
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 77
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 77
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 104
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 104
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 84
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 74
- -1 mercury ions Chemical class 0.000 claims description 64
- 239000011324 bead Substances 0.000 claims description 24
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 21
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 17
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 12
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 9
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims description 8
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 8
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 8
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 8
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 8
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 claims description 7
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 claims description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 6
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 claims description 4
- BQPIGGFYSBELGY-UHFFFAOYSA-N mercury(2+) Chemical compound [Hg+2] BQPIGGFYSBELGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 claims description 4
- BHPQYMZQTOCNFJ-UHFFFAOYSA-N Calcium cation Chemical compound [Ca+2] BHPQYMZQTOCNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- JLVVSXFLKOJNIY-UHFFFAOYSA-N Magnesium ion Chemical compound [Mg+2] JLVVSXFLKOJNIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- NPYPAHLBTDXSSS-UHFFFAOYSA-N Potassium ion Chemical compound [K+] NPYPAHLBTDXSSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N Silver ion Chemical compound [Ag+] FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- FKNQFGJONOIPTF-UHFFFAOYSA-N Sodium cation Chemical compound [Na+] FKNQFGJONOIPTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001422 barium ion Inorganic materials 0.000 claims description 3
- WLZRMCYVCSSEQC-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+) Chemical compound [Cd+2] WLZRMCYVCSSEQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001424 calcium ion Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001430 chromium ion Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001429 cobalt ion Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XLJKHNWPARRRJB-UHFFFAOYSA-N cobalt(2+) Chemical compound [Co+2] XLJKHNWPARRRJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004088 foaming agent Substances 0.000 claims description 3
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 3
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001425 magnesium ion Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001414 potassium ion Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001427 strontium ion Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001460 tantalum ion Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001432 tin ion Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 3
- 229910001456 vanadium ion Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011800 void material Substances 0.000 claims 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract description 18
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 349
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 51
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 42
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 36
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 33
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 31
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 19
- 239000000047 product Substances 0.000 description 18
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 16
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 16
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 description 15
- 239000007771 core particle Substances 0.000 description 13
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 13
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 12
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 11
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 11
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 10
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 10
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 10
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 9
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 9
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 8
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 8
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 8
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 8
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- AQCDIIAORKRFCD-UHFFFAOYSA-N cadmium selenide Chemical compound [Cd]=[Se] AQCDIIAORKRFCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 7
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 7
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 7
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 7
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 7
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 6
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 6
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 6
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 229920002126 Acrylic acid copolymer Polymers 0.000 description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 5
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 5
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 5
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004713 Cyclic olefin copolymer Substances 0.000 description 4
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 4
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 4
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 3
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000002296 dynamic light scattering Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N telluride(2-) Chemical compound [Te-2] XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 3
- SKJCKYVIQGBWTN-UHFFFAOYSA-N (4-hydroxyphenyl) methanesulfonate Chemical compound CS(=O)(=O)OC1=CC=C(O)C=C1 SKJCKYVIQGBWTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IHGSAQHSAGRWNI-UHFFFAOYSA-N 1-(4-bromophenyl)-2,2,2-trifluoroethanone Chemical compound FC(F)(F)C(=O)C1=CC=C(Br)C=C1 IHGSAQHSAGRWNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZGEGCLOFRBLKSE-UHFFFAOYSA-N 1-Heptene Chemical compound CCCCCC=C ZGEGCLOFRBLKSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LIKMAJRDDDTEIG-UHFFFAOYSA-N 1-hexene Chemical compound CCCCC=C LIKMAJRDDDTEIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RAHZWNYVWXNFOC-UHFFFAOYSA-N Sulphur dioxide Chemical compound O=S=O RAHZWNYVWXNFOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LCKIEQZJEYYRIY-UHFFFAOYSA-N Titanium ion Chemical compound [Ti+4] LCKIEQZJEYYRIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N acetic acid;zinc Chemical compound [Zn].CC(O)=O.CC(O)=O ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 2
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- JGIATAMCQXIDNZ-UHFFFAOYSA-N calcium sulfide Chemical compound [Ca]=S JGIATAMCQXIDNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 2
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 2
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 239000001046 green dye Substances 0.000 description 2
- 239000001056 green pigment Substances 0.000 description 2
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 2
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 2
- 238000001748 luminescence spectrum Methods 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005395 methacrylic acid group Chemical group 0.000 description 2
- 239000000113 methacrylic resin Substances 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- YWAKXRMUMFPDSH-UHFFFAOYSA-N pentene Chemical compound CCCC=C YWAKXRMUMFPDSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 2
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N strontium oxide Chemical compound [O-2].[Sr+2] IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 2
- 238000004448 titration Methods 0.000 description 2
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 2
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004246 zinc acetate Substances 0.000 description 2
- GBNDTYKAOXLLID-UHFFFAOYSA-N zirconium(4+) ion Chemical compound [Zr+4] GBNDTYKAOXLLID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N (fluoren-9-ylideneamino) n-naphthalen-1-ylcarbamate Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=NOC(=O)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODIGIKRIUKFKHP-UHFFFAOYSA-N (n-propan-2-yloxycarbonylanilino) acetate Chemical compound CC(C)OC(=O)N(OC(C)=O)C1=CC=CC=C1 ODIGIKRIUKFKHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QNRATNLHPGXHMA-XZHTYLCXSA-N (r)-(6-ethoxyquinolin-4-yl)-[(2s,4s,5r)-5-ethyl-1-azabicyclo[2.2.2]octan-2-yl]methanol;hydrochloride Chemical compound Cl.C([C@H]([C@H](C1)CC)C2)CN1[C@@H]2[C@H](O)C1=CC=NC2=CC=C(OCC)C=C21 QNRATNLHPGXHMA-XZHTYLCXSA-N 0.000 description 1
- FJLUATLTXUNBOT-UHFFFAOYSA-N 1-Hexadecylamine Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCN FJLUATLTXUNBOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 2-(3-fluorophenyl)-1h-imidazole Chemical compound FC1=CC=CC(C=2NC=CN=2)=C1 JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WROUWQQRXUBECT-UHFFFAOYSA-N 2-ethylacrylic acid Chemical compound CCC(=C)C(O)=O WROUWQQRXUBECT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YHQXBTXEYZIYOV-UHFFFAOYSA-N 3-methylbut-1-ene Chemical compound CC(C)C=C YHQXBTXEYZIYOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IGPFOKFDBICQMC-UHFFFAOYSA-N 3-phenylmethoxyaniline Chemical compound NC1=CC=CC(OCC=2C=CC=CC=2)=C1 IGPFOKFDBICQMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004604 Blowing Agent Substances 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 108010043121 Green Fluorescent Proteins Proteins 0.000 description 1
- 229910004262 HgTe Inorganic materials 0.000 description 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002665 PbTe Inorganic materials 0.000 description 1
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Natural products P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005642 SnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N ac1mqpva Chemical compound CC12C(=O)OC(=O)C1(C)C1(C)C2(C)C(=O)OC1=O GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004931 aggregating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005250 alkyl acrylate group Chemical group 0.000 description 1
- 229920005603 alternating copolymer Polymers 0.000 description 1
- CAVCGVPGBKGDTG-UHFFFAOYSA-N alumanylidynemethyl(alumanylidynemethylalumanylidenemethylidene)alumane Chemical compound [Al]#C[Al]=C=[Al]C#[Al] CAVCGVPGBKGDTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVQULNGDVIKLPK-UHFFFAOYSA-N aluminium antimonide Chemical compound [Sb]#[Al] LVQULNGDVIKLPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N aluminium arsenide Chemical compound [As]#[Al] MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CYRGZAAAWQRSMF-UHFFFAOYSA-N aluminium selenide Chemical compound [Al+3].[Al+3].[Se-2].[Se-2].[Se-2] CYRGZAAAWQRSMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- COOGPNLGKIHLSK-UHFFFAOYSA-N aluminium sulfide Chemical compound [Al+3].[Al+3].[S-2].[S-2].[S-2] COOGPNLGKIHLSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N azanylidyneindigane Chemical compound [In]#N NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 1
- FFBGYFUYJVKRNV-UHFFFAOYSA-N boranylidynephosphane Chemical compound P#B FFBGYFUYJVKRNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002775 capsule Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004581 coalescence Methods 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N diglycidyl ether Chemical class C1OC1COCC1CO1 GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVSHTEBQPBBCFT-UHFFFAOYSA-N gallium(iii) sulfide Chemical compound [S-2].[S-2].[S-2].[Ga+3].[Ga+3] BVSHTEBQPBBCFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N glycidyl methacrylate Chemical class CC(=C)C(=O)OCC1CO1 VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000578 graft copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- RVPVRDXYQKGNMQ-UHFFFAOYSA-N lead(2+) Chemical compound [Pb+2] RVPVRDXYQKGNMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052943 magnesium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019341 magnesium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZUPEYZKABXNLR-UHFFFAOYSA-N magnesium;selenium(2-) Chemical compound [Mg+2].[Se-2] AZUPEYZKABXNLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M methacrylate group Chemical group C(C(=C)C)(=O)[O-] CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N methylenebutanedioic acid Natural products OC(=O)CC(=C)C(O)=O LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002763 monocarboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- SFMJNHNUOVADRW-UHFFFAOYSA-N n-[5-[9-[4-(methanesulfonamido)phenyl]-2-oxobenzo[h][1,6]naphthyridin-1-yl]-2-methylphenyl]prop-2-enamide Chemical compound C1=C(NC(=O)C=C)C(C)=CC=C1N1C(=O)C=CC2=C1C1=CC(C=3C=CC(NS(C)(=O)=O)=CC=3)=CC=C1N=C2 SFMJNHNUOVADRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 229910001453 nickel ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IOQPZZOEVPZRBK-UHFFFAOYSA-N octan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCN IOQPZZOEVPZRBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPQRDASANLAFCM-UHFFFAOYSA-N oxiran-2-ylmethyl prop-2-enoate Chemical class C=CC(=O)OCC1CO1 RPQRDASANLAFCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AUONHKJOIZSQGR-UHFFFAOYSA-N oxophosphane Chemical compound P=O AUONHKJOIZSQGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007649 pad printing Methods 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- KJFMBFZCATUALV-UHFFFAOYSA-N phenolphthalein Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C1(C=2C=CC(O)=CC=2)C2=CC=CC=C2C(=O)O1 KJFMBFZCATUALV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HOKBIQDJCNTWST-UHFFFAOYSA-N phosphanylidenezinc;zinc Chemical compound [Zn].[Zn]=P.[Zn]=P HOKBIQDJCNTWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001692 polycarbonate urethane Polymers 0.000 description 1
- 229920013716 polyethylene resin Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- KAVSMINTEBGDTI-UHFFFAOYSA-N pyridine;thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1.C1=CC=NC=C1 KAVSMINTEBGDTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229920005604 random copolymer Polymers 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- AHMCFSORHHSTSB-UHFFFAOYSA-N selanylidenecalcium Chemical compound [Se]=[Ca] AHMCFSORHHSTSB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003346 selenoethers Chemical class 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005573 silicon-containing polymer Polymers 0.000 description 1
- 125000005373 siloxane group Chemical group [SiH2](O*)* 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229920006301 statistical copolymer Polymers 0.000 description 1
- PWYYWQHXAPXYMF-UHFFFAOYSA-N strontium(2+) Chemical compound [Sr+2] PWYYWQHXAPXYMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMDQFHZIWNYSMR-UHFFFAOYSA-N sulfanylidenemagnesium Chemical compound S=[Mg] SMDQFHZIWNYSMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QXKXDIKCIPXUPL-UHFFFAOYSA-N sulfanylidenemercury Chemical compound [Hg]=S QXKXDIKCIPXUPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 1
- UFTQLBVSSQWOKD-UHFFFAOYSA-N tellanylidenecalcium Chemical compound [Te]=[Ca] UFTQLBVSSQWOKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZTBJFXYWWZPTFM-UHFFFAOYSA-N tellanylidenemagnesium Chemical compound [Te]=[Mg] ZTBJFXYWWZPTFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMFBHLUXSAEGHH-UHFFFAOYSA-N tellanylidenestrontium Chemical compound [Te]=[Sr] AMFBHLUXSAEGHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZGNPLWZYVAFUNZ-UHFFFAOYSA-N tert-butylphosphane Chemical compound CC(C)(C)P ZGNPLWZYVAFUNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N trioctylphosphane Chemical compound CCCCCCCCP(CCCCCCCC)CCCCCCCC RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZMBHCYHQLYEYDV-UHFFFAOYSA-N trioctylphosphine oxide Chemical compound CCCCCCCCP(=O)(CCCCCCCC)CCCCCCCC ZMBHCYHQLYEYDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- AKJVMGQSGCSQBU-UHFFFAOYSA-N zinc azanidylidenezinc Chemical compound [Zn++].[N-]=[Zn].[N-]=[Zn] AKJVMGQSGCSQBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
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- C08L23/0869—Acids or derivatives thereof
- C08L23/0876—Neutralised polymers, i.e. ionomers
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- C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
- C09K11/025—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor non-luminescent particle coatings or suspension media
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- C09K11/88—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing selenium, tellurium or unspecified chalcogen elements
- C09K11/881—Chalcogenides
- C09K11/883—Chalcogenides with zinc or cadmium
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- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B2207/00—Coding scheme for general features or characteristics of optical elements and systems of subclass G02B, but not including elements and systems which would be classified in G02B6/00 and subgroups
- G02B2207/101—Nanooptics
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- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/02—Diffusing elements; Afocal elements
- G02B5/0205—Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties
- G02B5/0236—Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties the diffusion taking place within the volume of the element
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/015—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction
- G02F1/017—Structures with periodic or quasi periodic potential variation, e.g. superlattices, quantum wells
- G02F1/01791—Quantum boxes or quantum dots
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/1336—Illuminating devices
- G02F1/133614—Illuminating devices using photoluminescence, e.g. phosphors illuminated by UV or blue light
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
Description
본 발명은 발광 복합체, 이를 포함하는 조성물, 경화물, 광학시트, 백라이트유닛 및 디스플레이 장치에 관한 것으로, 분산성 및 발광 특성이 향상된 발광 복합체, 이를 포함하는 조성물, 경화물, 광학시트, 백라이트유닛 및 디스플레이 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light emitting composite, a composition including the light emitting composite, a cured product, an optical sheet, a backlight unit, and a display device, the light emitting composite having improved dispersibility and light emitting properties, And a display device.
양자점은 수 내지 수십 나노미터 크기의 결정 구조를 가진 물질로, 수백에서 수천 개 정도의 원자로 구성된다. 양자점은 크기가 매우 작기 때문에 양자 구속(quantum confinement) 효과가 나타난다. 상기 양자 구속 효과는 물체가 나노 크기 이하로 작아지는 경우 그 물체의 밴드 갭(band gap)이 커지는 현상을 말한다. 이에 따라, 양자점의 밴드 갭보다 큰 에너지를 갖는 파장의 광이 양자점에 입사되는 경우, 양자점은 그 광을 흡수하여 들뜬 상태로 되고, 특정 파장의 광을 방출하면서 바닥 상태로 떨어진다. 방출된 광의 파장은 상기 밴드 갭에 해당되는 값을 갖는다. 양자점은 크기와 조성 등에 따라 양자 구속 효과에 의한 발광 특성이 달라지므로 이를 조절하여 각종 발광 소자 및 전자 장치에 다양하게 이용되고 있다.A quantum dot is a material having a crystal structure of several to several tens of nanometers in size, and it is composed of several hundred to several thousands of atoms. Since quantum dots are very small, quantum confinement effects appear. The quantum confinement effect refers to a phenomenon in which the band gap of an object becomes larger when the size of the object becomes smaller than the nano-size. Accordingly, when light having a wavelength larger than the bandgap of the quantum dots is incident on the quantum dots, the quantum dots absorb the light and become excited and emit light of a specific wavelength and fall to the ground state. The wavelength of the emitted light has a value corresponding to the band gap. Quantum dots vary in their luminescent properties due to the quantum confinement effect depending on their size and composition, and thus they have been widely used in various light emitting devices and electronic devices.
일반적으로, 다수의 양자점들을 용매나 수지에 분산시키는 경우, 양자점들이 서로 쉽게 응집되어 양자효율이 저하될 수 있다. 또한, 금속으로 이루어진 양자점은 수분에 매우 취약하여, 공기 중의 수분에 의해 쉽게 산화됨으로써 양자효율이 저하될 수 있다. 이와 같이, 양자점은 용매나 수지에 대한 분산성이 낮고 수분, 열 또는 광에 대한 안정성이 낮아 보관하기 어려운 문제점을 갖고 있다.Generally, when a plurality of quantum dots are dispersed in a solvent or a resin, the quantum dots may easily aggregate with each other, and the quantum efficiency may be lowered. Further, the quantum dots made of metal are very vulnerable to moisture, and can easily be oxidized by moisture in the air, so that the quantum efficiency can be lowered. As described above, the quantum dot has a problem that the dispersibility to a solvent or a resin is low, and stability against moisture, heat, or light is low and it is difficult to store.
또한, 디스플레이 장치의 색재현성을 향상시키기 위해서 양자점을 이용하여 광학 시트를 제조하더라도, 양자점 자체의 수분, 열 또는 광에 대한 안정성이 낮기 때문에 광학 시트의 사용 시간이 증가할수록 양자점이 쉽게 손상될 수 있다. 그 결과 디스플레이 장치의 수명이 짧아지는 문제점이 있다.
Further, even if an optical sheet is manufactured using quantum dots in order to improve the color reproducibility of a display device, since the stability of the quantum dots with respect to moisture, heat or light is low, the quantum dots can be easily damaged as the use time of the optical sheet increases . As a result, the life of the display device is shortened.
본 발명의 일 목적은 분산성과 열, 광 및 수분에 대한 안정성뿐만 아니라 양자효율도 향상된 발광 복합체를 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a light emitting composite having improved dispersibility and stability as well as stability against heat, light, and moisture as well as quantum efficiency.
본 발명의 다른 목적은 상기 발광 복합체를 포함하는 조성물 및 경화물을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a composition comprising the light emitting complex and a cured product.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 조성물로 제조된 광학 시트 및 상기 조성물로 제조된 광학 시트를 포함하는 백라이트 유닛 및 디스플레이 장치를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a backlight unit and a display device including the optical sheet made of the composition and the optical sheet made of the composition.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광 복합체는 적어도 1개의 양자점; 및 상기 양자점을 커버하며 하기 화학식 1의 구조로 나타내는 이오노머를 포함한다. The light emitting composite according to an embodiment of the present invention includes at least one quantum dot; And an ionomer which covers the quantum dot and has a structure represented by the following formula (1).
[화학식 1][Chemical Formula 1]
상기 화학식 1에서 x는 20 내지 100이고, y는 1 내지 10이고, M+은 금속 양이온이며, R1, R2, R3, R4, R5, R6 및 R7은 서로 독립적으로 수소(H) 또는 탄소수 6 이하의 알킬기를 나타낸다.And in Formula 1, x is from 20 to 100, y is 1 to 10, M + is a metal cation, R 1, R 2, R 3, R 4, R 5, R 6 and R 7 independently represent hydrogen, (H) or an alkyl group having 6 or less carbon atoms.
일 실시예로, x는 25 내지 80이고 y는 1 내지 4일 수 있고, x는 30 내지 60이고 y는 1.5 내지 2.0일 수 있다.In one embodiment, x can be from 25 to 80 and y can be from 1 to 4, x can be from 30 to 60, and y can be from 1.5 to 2.0.
일 실시예로, 상기 금속 양이온은, 나트륨 이온, 칼륨 이온, 리튬 이온, 은 이온 및 수은 이온으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 1가 금속 이온; 마그네슘 이온, 칼슘 이온, 스트론튬 이온, 바륨 이온, 구리 이온, 카드뮴 이온, 수은 이온, 주석 이온, 납 이온, 철 이온, 코발트 이온, 니켈 이온 및 아연 이온으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 2가 금속 이온; 알루미늄 이온, 스칸듐 이온, 철 이온 및 이트륨 이온으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 3가 금속 이온; 또는 티타늄 이온, 지르코늄 이온, 하프늄 이온, 바나듐 이온, 탄탈륨 이온, 텅스텐 이온, 크롬 이온, 세륨 이온 및 철 이온으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 4가 이상 금속 이온을 포함할 수 있다.In one embodiment, the metal cation is at least one monovalent metal ion selected from the group consisting of sodium ion, potassium ion, lithium ion, silver ion and mercury ion; At least one divalent metal ion selected from the group consisting of magnesium ions, calcium ions, strontium ions, barium ions, copper ions, cadmium ions, mercury ions, tin ions, lead ions, iron ions, cobalt ions, ; At least one trivalent metal ion selected from the group consisting of aluminum ion, scandium ion, iron ion and yttrium ion; Or at least one tetravalent metal ion selected from the group consisting of titanium ion, zirconium ion, hafnium ion, vanadium ion, tantalum ion, tungsten ion, chromium ion, cerium ion and iron ion.
일 실시예로, 상기 이오노머는 극성기의 20 내지 100%가 상기 금속 양이온에 의해 중화된 것일 수 있다.In one embodiment, the ionomer may be such that 20 to 100% of the polar groups are neutralized by the metal cation.
일 실시예로, 상기 이오노머의 분자량은 1,000 이상 20,000 이하일 수 있다.In one embodiment, the molecular weight of the ionomer may range from 1,000 to 20,000.
일 실시예로, 상기 이오노머의 녹는점(melting point)은 50℃ 이상 150℃ 이하일 수 있다.In one embodiment, the melting point of the ionomer may be between 50 ° C and 150 ° C.
일 실시예로, 상기 이오노머의 밀도는 0.85 g/cm3 이상 1.05 g/cm3 이하 일 수 있다.In one embodiment, the density of the ionomer may range from 0.85 g / cm 3 to 1.05 g / cm 3 .
일 실시예로, 상기 이오노머는 상기 적어도 1개의 양자점을 캡슐화할 수 있으며, 상기 이오노머가 형성하는 응집체의 내부에 2개 이상의 양자점들이 서로 이격되어 배치될 수 있다. In one embodiment, the ionomer may encapsulate the at least one quantum dot, and two or more quantum dots may be disposed apart from each other in the aggregate formed by the ionomer.
본 발명의 일 실시예에 따른 조성물은 중합 가능한 관능기를 갖는 액상 상태의 수지(resin); 및 상기 수지 내에 분산된 발광 복합체를 포함하며, 상기 발광 복합체는 적어도 1개의 양자점 및 상기 양자점을 커버하며 상기 화학식 1의 구조로 나타내는 이오노머를 포함한다.A composition according to an embodiment of the present invention includes a resin in a liquid state having a polymerizable functional group; And a light emitting complex dispersed in the resin, wherein the light emitting complex includes at least one quantum dot and an ionomer covering the quantum dot and represented by the structure of the formula (1).
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 경화물은 경화된 수지(resin); 및 상기 경화된 수지 내에 분산된 발광 복합체를 포함하며, 상기 발광 복합체는 적어도 1개의 양자점 및 상기 양자점을 커버하며 상기 화학식 1의 구조로 나타내는 이오노머를 포함한다.According to another embodiment of the present invention, there is provided a cured product comprising a cured resin; And a light emitting composite dispersed in the cured resin, wherein the light emitting composite includes at least one quantum dot and an ionomer which covers the quantum dot and is represented by the structure of the formula (1).
일 실시예로, 상기 수지는 실리콘계 수지, 에폭시계 수지 및 아크릴계 수지로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 수지는 열 경화성 수지 또는 광 경화성 수지일 수 있다.In one embodiment, the resin may include at least one selected from the group consisting of a silicone resin, an epoxy resin, and an acrylic resin. In this case, the resin may be a thermosetting resin or a photocurable resin.
일 실시예로, 상기 조성물은 광확산 비드를 더 포함할 수 있고, 상기 조성물은 발포제를 더 포함할 수도 있다.In one embodiment, the composition may further comprise light diffusing beads, and the composition may further comprise a blowing agent.
본 발명의 일 실시예에 따른 광학 시트는 적어도 1개의 양자점 및 상기 양자점을 커버하며 상기 화학식 1의 구조로 나타내는 이오노머를 포함하는 발광 복합체가 내부에 분산된 광변환층을 포함한다.An optical sheet according to an embodiment of the present invention includes at least one quantum dot and a light conversion layer in which the light emitting composite including the ionomer that covers the quantum dot and has the structure of Formula 1 is dispersed therein.
일 실시예로, 상기 광변환층은 실리콘계 수지, 에폭시계 수지 및 아크릴계 수지로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 경화물을 포함할 수 있다. 이 경우 상기 수지는 열 경화성 수지 또는 광 경화성 수지일 수 있다.In one embodiment, the light conversion layer may include at least one cured product selected from the group consisting of a silicone resin, an epoxy resin, and an acrylic resin. In this case, the resin may be a thermosetting resin or a photocurable resin.
일 실시예로, 상기 광변환층은 광확산 비드 또는 공극을 더 포함할 수 있다.In one embodiment, the light conversion layer may further comprise light diffusion beads or voids.
일 실시예로, 상기 광학시트는 상기 광변환층의 일면 상에 배치된 배리어층을 더 포함할 수 있다. 상기 배리어층 상에는 제1 투명필름이 배치될 수 있다. 상기 광변환층과 상기 배리어층 사이에는 제2 투명필름이 배치될 수 있다.In one embodiment, the optical sheet may further comprise a barrier layer disposed on one side of the light conversion layer. A first transparent film may be disposed on the barrier layer. A second transparent film may be disposed between the light conversion layer and the barrier layer.
일 실시예로, 상기 광학시트는 상기 배리어층 상에 형성된 광확산층을 더 포함할 수 있다.In one embodiment, the optical sheet may further include a light diffusion layer formed on the barrier layer.
일 실시예로, 상기 광학시트는 상기 제1 투명필름 상에 형성된 광확산층을 더 포함할 수 있다.In one embodiment, the optical sheet may further include a light diffusion layer formed on the first transparent film.
일 실시예로, 상기 광확산층의 표면에는 광확산 패턴이 형성될 수 있다.In one embodiment, a light diffusion pattern may be formed on the surface of the light diffusion layer.
일 실시예로, 상기 광확산층은 광확산 비드를 포함할 수 있고, 공극을 포함할 수도 있다.In one embodiment, the light-diffusing layer may comprise light diffusing beads and may include voids.
일 실시예로, 상기 광학시트는 상기 광변환층의 상면 상에 배치된 제1 배리어층 및 상기 광변환층의 하면 상에 배치된 제2 배리어층을 더 포함할 수 있다. 이때, 상기 제1 배리어층 상에 배치된 제1 투명필름 및 상기 제2 배리어층 상에 배치된 제2 투명필름을 더 포함될 수도 있다.In one embodiment, the optical sheet may further include a first barrier layer disposed on an upper surface of the light conversion layer and a second barrier layer disposed on a lower surface of the light conversion layer. Here, the first transparent film disposed on the first barrier layer and the second transparent film disposed on the second barrier layer may be further included.
일 실시예로, 상기 광변환층과 상기 제1 배리어층 사이에 배치된 제3 투명필름 및 상기 광변환층과 상기 제2 배리어층 사이에 배치된 제4 투명필름을 더 포함될 수 있다.In one embodiment, a third transparent film disposed between the light conversion layer and the first barrier layer, and a fourth transparent film disposed between the light conversion layer and the second barrier layer may be further included.
일 실시예로, 상기 제1 및 제2 배리어층 중 적어도 하나의 배리어층 상에는 광확산층이 형성될 수 있다.In one embodiment, a light diffusion layer may be formed on the barrier layer of at least one of the first and second barrier layers.
일 실시예로, 상기 제1 및 제2 투명필름 중 적어도 하나의 투명필름 상에는 광학산층이 형성될 수 있다.In one embodiment, an optical acid layer may be formed on at least one transparent film of the first and second transparent films.
일 실시예로, 상기 광확산층의 표면에는 광확산 패턴이 형성될 수 있다.In one embodiment, a light diffusion pattern may be formed on the surface of the light diffusion layer.
일 실시예로, 상기 광변환층의 상면 및 하면 중 적어도 하나의 면 상에는 광확산층이 형성될 수 있으며, 이 경우 상기 광확산층의 표면에는 광확산 패턴이 형성될 수 있으며, 상기 광확산층은 광확산 비드 또는 공극을 포함할 수 있다.In one embodiment, a light diffusion layer may be formed on at least one of the upper surface and the lower surface of the light conversion layer. In this case, a light diffusion pattern may be formed on the surface of the light diffusion layer, Beads or voids.
일 실시예로, 상기 광변환층의 일면 상에는 집광패턴이 형성될 수 있다.In one embodiment, a light condensing pattern may be formed on one surface of the light conversion layer.
본 발명의 일 실시예에 따른 백라이트 유닛 및 디스플레이 장치는 발광 소자; 상기 발광 소자가 생성하는 광을 제공받는 도광판; 및 상기 도광판 상에 배치된 광학 시트를 포함하고, 상기 광학 시트는 적어도 1개의 양자점 및 상기 양자점을 커버하는 이오노머를 포함하는 발광 복합체를 포함한다.A backlight unit and a display device according to an embodiment of the present invention includes a light emitting element; A light guide plate receiving light generated by the light emitting device; And an optical sheet disposed on the light guide plate, wherein the optical sheet includes at least one quantum dot and an ionomer covering the quantum dot.
일 실시예로 상기 발광 소자는 청색광 발광 소자이고, 상기 발광 복합체는 적색 양자점만을 포함하는 적색 발광 복합체, 녹색 양자점만을 포함하는 녹색 발광 복합체 및 상기 적색 양자점과 상기 녹색 양자점을 모두 포함하는 다색 발광 복합체로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상을 포함할 수 있다.
In one embodiment, the light emitting device is a blue light emitting device, and the light emitting composite includes a red light emitting composite including only a red quantum dot, a green light emitting composite including only a green quantum dot, and a multicolor light emitting composite including both the red quantum dot and the green quantum dot ≪ / RTI >
본 발명에 따르면, 이오노머에 의해 커버된 양자점을 포함하는 다수의 발광 복합체들을 용매나 수지에 분산시키더라도, 상기 발광 복합체들이 서로 응집되지 않고 용매나 수지 내에서 균일하게 분산될 수 있다. 또한, 상기 발광 복합체는 장기간 동안 균일한 분산 상태로 유지될 수 있다. According to the present invention, even if a plurality of light emitting complexes containing quantum dots covered by ionomers are dispersed in a solvent or a resin, the light emitting complexes can be uniformly dispersed in a solvent or a resin without aggregating with each other. In addition, the light emitting complex can be maintained in a uniformly dispersed state for a long period of time.
또한, 이오노머가 양자점을 보호함으로써 수분, 광, 열 등에 의해 양자점이 손상되는 것을 방지하여, 온도, 습도, 자외선 등의 주변 환경에 대한 발광 복합체의 안정성을 향상시킬 수 있다.In addition, the ionomer can prevent the quantum dots from being damaged by moisture, light, heat or the like by protecting the quantum dots, thereby improving the stability of the light emitting complex to the surrounding environment such as temperature, humidity and ultraviolet rays.
나아가, 이오노머에 의해 양자점들이 서로 응집되지는 않으면서도 각각이 캡슐화될 수 있도록 하나의 발광 복합체를 구성할 수 있다. Furthermore, one luminescent complex can be constituted so that the quantum dots can be encapsulated without being agglomerated by the ionomer.
이에 따라, 각각의 양자점들보다 양자효율이 향상된 발광 복합체를 제조하여 다양한 분야에 이용할 수 있다. 특히, 디스플레이 장치에 본 발명에 따른 발광 복합체들을 적용하면 색재현성을 향상시키면서도 수명이 저하되는 것을 방지할 수 있다.Accordingly, a light emitting composite having improved quantum efficiency than each quantum dot can be manufactured and used in various fields. Particularly, when the light emitting composites according to the present invention are applied to a display device, the color reproducibility can be improved and the lifetime can be prevented from being lowered.
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 복합체를 설명하기 위한 개념도들이고, 도 1b는 도 1a에 도시된 양자점을 설명하기 위한 도면이며, 도 1c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 복합체를 설명하기 위한 개념도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 발광 복합체를 제조하는 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 광학시트를 설명하기 위한 단면도이다.
도 4a 내지 도 4c는 도 3에 도시된 광변환층의 실시예들을 설명하기 위한 부분 확대 단면도이다.
도 5a 및 도 5b는 도 3에 도시된 제1 배리어층의 실시예들을 설명하기 위한 부분 확대 단면도이다.
도 6 내지 도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 광학 시트를 설명하기 위한 단면도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 백라이트 유닛을 설명하기 위한 단면도이다.
도 12는 도 11에 도시된 확산 시트의 일 실시예를 설명하기 위한 단면도이다.
도 13a 내지 도 13c는 도 12의 광학층 표면에 형성된 광확산 패턴의 예를 설명하기 위한 사진이다.
도 13d 및 도 13e는 도 13c에 도시된 분할영역들을 설명하기 위한 평면도들이다.
도 14 내지 도 16은 도 11에 도시된 확산 시트의 실시예를 설명하기 위한 단면도이다.
도 17은 본 발명의 다른 실시예에 따른 백라이트 유닛을 설명하기 위한 단면도이다.
도 18 내지 도 20은 도 17에 도시된 제1 집광 시트의 실시예를 설명하기 위한 단면도이다.
도 21은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 백라이트 유닛을 설명하기 위한 단면도이다.
도 22 내지 도 23은 도 21에 도시된 역프리즘 시트의 실시예를 설명하기 위한 단면도이다.
도 24는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 백라이트 유닛을 설명하기 위한 단면도이다. FIG. 1A is a conceptual diagram illustrating a light emitting complex according to an embodiment of the present invention, FIG. 1B is a view for explaining a quantum dot shown in FIG. 1A, FIG. 1C is a schematic view of a light emitting complex according to another embodiment of the present invention FIG.
2 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a light emitting complex according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view illustrating an optical sheet according to an embodiment of the present invention.
4A to 4C are partially enlarged cross-sectional views illustrating embodiments of the light conversion layer shown in FIG.
5A and 5B are partially enlarged sectional views for explaining embodiments of the first barrier layer shown in FIG.
6 to 10 are cross-sectional views illustrating an optical sheet according to another embodiment of the present invention.
11 is a cross-sectional view illustrating a backlight unit according to an embodiment of the present invention.
12 is a cross-sectional view for explaining an embodiment of the diffusion sheet shown in FIG.
13A to 13C are photographs for explaining examples of light diffusion patterns formed on the surface of the optical layer of FIG.
13D and 13E are plan views for explaining the divided regions shown in FIG. 13C.
Figs. 14 to 16 are sectional views for explaining an embodiment of the diffusion sheet shown in Fig.
17 is a cross-sectional view illustrating a backlight unit according to another embodiment of the present invention.
Figs. 18 to 20 are sectional views for explaining an embodiment of the first light-condensing sheet shown in Fig.
21 is a cross-sectional view illustrating a backlight unit according to another embodiment of the present invention.
22 to 23 are sectional views for explaining an embodiment of the reverse prism sheet shown in Fig.
24 is a cross-sectional view illustrating a backlight unit according to another embodiment of the present invention.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 본문에서 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. While the invention is susceptible to various modifications and alternative forms, specific embodiments thereof are shown by way of example in the drawings and are herein described in detail. It is to be understood, however, that the invention is not intended to be limited to the particular forms disclosed, but on the contrary, is intended to cover all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention. Like reference numerals are used for like elements in describing each drawing. In the accompanying drawings, the dimensions of the structures are enlarged to illustrate the present invention in order to clarify the present invention.
"제1, 제2" 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. The terms "first, second," and the like can be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as a second component, and similarly, the second component may also be referred to as a first component.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로서 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In the present application, the term "comprises" or "having ", etc. is intended to specify that there is a feature, step, operation, element, part or combination thereof described in the specification, , &Quot; an ", " an ", " an "
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries are to be interpreted as having a meaning consistent with the contextual meaning of the related art and are to be interpreted as either ideal or overly formal in the sense of the present application Do not.
본 발명에 있어서, "이오노머(ionomer)"란 전기적으로 중성인 단위체와 이온성 단위체의 공중합체로서, 전기적으로 중성인 반복단위를 주쇄로 갖고 이온화된 그룹이 곁사슬로서 일부 주쇄에 공유결합으로 연결된 중합체를 의미한다.In the present invention, the term "ionomer" refers to a copolymer of an electrically neutral monomer unit and an ionic monomer unit, in which a group ionically charged with an electrically neutral repeating unit as a main chain is covalently bonded to a main chain .
본 발명에 있어서, "공중합체"라 함은 2종 이상의 서로 다른 단위체(monomer) 사이의 중합 반응에 의해 형성된 중합체 화합물로서, 통계 공중합체, 임의 공중합체, 교호 공중합체, 블록 공중합체, 그래프트 공중합체를 포함하는 개념이다.In the present invention, the term "copolymer" is a polymer compound formed by polymerization reaction between two or more different monomers, and includes statistical copolymers, random copolymers, alternating copolymers, block copolymers, graft copolymers It is a concept that includes merging.
또한, 본 발명에 있어서, "발광 복합체"는 양자점과 함께 이오노머를 포함하는 복합체를 의미한다. 그리고 "적색 발광 복합체"는 양자점으로 적색 양자점만을 포함하는 발광 복합체를 의미하고, "녹색 발광 복합체"는 양자점으로 녹색 양자점만을 포함하는 발광 복합체를 의미하며, "다색 발광 복합체"는 양자점으로 적색 양자점 및 녹색 양자점을 포함하는 발광 복합체를 의미한다. 여기서, "적색 양자점"은 약 600 nm 내지 약 660 nm의 적색 파장대에서 발광 피크를 갖는 양자점을 총칭하고, "녹색 양자점"은 약 520 nm 내지 약 560 nm의 녹색 파장대에서 발광 피크를 갖는 양자점을 총칭한다. Further, in the present invention, "light emitting complex" means a complex containing an ionomer together with a quantum dot. Quot; green light emitting complex "means a light emitting complex containing only a green quantum dot as a quantum dot," multicolor light emitting composite "means a quantum dot, a red quantum dot, Green quantum dot. Here, the "red quantum dot" is a generic term for quantum dots having an emission peak at a red wavelength band of about 600 nm to about 660 nm, and "green quantum dots " is generically termed quantum dots having an emission peak at a green wavelength band of about 520 nm to about 560 nm do.
한편, 발광 스펙트럼에서의 피크 파장이 상기 적색 파장대에 속하는 광을 "적색광"이라고 하고, 상기 녹색 파장대에 속하는 광을 "녹색광"이라고 지칭하여 설명한다. 또한, 발광 스펙트럼에서의 피크 파장이 약 430 nm 내지 약 470 nm의 파장대에 속하는 광을 "청색광"이라고 지칭하여 설명한다.
On the other hand, the light whose peak wavelength in the luminescence spectrum belongs to the above-mentioned red wavelength band is referred to as "red light ", and the light belonging to the above green wavelength band is referred to as" green light ". Further, light whose peak wavelength in the luminescence spectrum belongs to a wavelength range of about 430 nm to about 470 nm will be referred to as "blue light ".
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 복합체를 설명하기 위한 개념도들이고, 도 1b는 도 1a에 도시된 양자점을 설명하기 위한 도면이다.FIG. 1A is a conceptual diagram for explaining a light emitting complex according to an embodiment of the present invention, and FIG. 1B is a view for explaining a quantum dot shown in FIG. 1A.
도 1a 및 도 1b를 참조하면, 발광 복합체(10a)는 양자점(11) 및 이오노머(13)을 포함한다. Referring to FIGS. 1A and 1B, the light emitting composite 10a includes a
도 1a 및 도 1b에서 서로 인접한 양자점(11)의 관계를 설명하기 위해서 2개의 양자점(11)을 도시하였으나, 2개의 양자점(11)은 실질적으로 동일한 구조를 가지므로 하나의 양자점에 대해서 설명하고, 중복되는 설명은 생략한다.1A and 1B, two
상기 양자점(11)은 수 내지 수십 나노미터 크기의 결정 구조를 가진 입자로서, 수백에서 수천 개의 원자들로 구성된다. 상기 양자점(11)의 크기는 나노 사이즈이므로, 상기 양자점(11)에는 양자 구속 효과(quantum confinement effect)가 나타난다. 양자 구속 효과란, 입자의 크기가 수십 나노미터 이하인 경우에 그 입자의 밴드갭(band gap)이 불연속적으로 양자화되는 현상을 말하고, 입자의 크기가 작아질수록 밴드갭이 커진다. 따라서, 상기 양자점(11)에 상기 밴드갭보다 큰 에너지를 가진 광이 입사되는 경우, 상기 양자점(11)은 입사된 광을 흡수하여 여기 상태(excited state)로 되고, 여기 상태에 있는 양자점은 기저 상태(ground state)로 떨어지면서 상기 밴드갭에 해당하는 특정 파장의 광을 방출한다. 상기 양자점(11)의 밴드갭은 상기 양자점(11) 자체의 크기, 조성 등을 통하여 조절할 수 있다. The
일 예로, 상기 양자점(11)은 중심 입자(1) 및 상기 중심 입자(1)의 표면에 결합된 리간드(2)를 포함할 수 있다. As an example, the
상기 중심 입자(1)는 II-VI족 화합물, II-V족 화합물, III-V족 화합물, III-IV족 화합물, III-VI족 화합물, IV-VI족 화합물 또는 이들의 혼합물로 이루어질 수 있다. 상기 "혼합물"은 상기 화합물들의 단순 혼합물 (mixture)뿐만 아니라, 삼성분계 화합물, 사성분계 화합물, 이들 혼합물에 도펀트가 도핑된 경우도 모두 포함한다.The core particle 1 may be composed of a group II-VI compound, a group II-V compound, a group III-V compound, a group III-IV compound, a group III-VI compound, a group IV-VI compound, or a mixture thereof . The "mixture" includes not only a simple mixture of the above compounds but also dopants doped in ternary compounds, quaternary compounds, and mixtures thereof.
상기 II-VI족 화합물의 예로는, 황화마그네슘(MgS), 셀렌화마그네슘(MgSe), 텔루르화마그네슘(MgTe), 황화칼슘(CaS), 셀렌화칼슘(CaSe), 텔루르화칼슘(CaTe), 황화스트론튬(SrS), 셀렌화스트론튬(SrSe), 텔루르화스트론튬(SrTe), 황화카드뮴(CdS), 셀렌화카드뮴(CdSe), 텔루르카드뮴(CdTe), 황화아연(ZnS), 셀렌화아연(ZnSe), 텔루르화아연(ZnTe), 황화수은(HgS), 셀렌화수은(HgSe) 또는 텔루르화수은(HgTe) 등을 들 수 있다.Examples of the Group II-VI compound include magnesium sulfide (MgS), magnesium selenide (MgSe), magnesium telluride (MgTe), calcium sulfide (CaS), calcium selenide (CaSe), calcium telluride (SrSe), strontium telluride (SrTe), cadmium sulfide (CdS), cadmium selenide (CdSe), tellurium cadmium (CdTe), zinc sulfide (ZnS), zinc selenide ), Zinc telluride (ZnTe), mercury sulphide (HgS), mercury (HgSe) or mercury (HgTe).
상기 II-V족 화합물의 예로는, 인화아연(Zn3P2), 비소화아연(Zn3As2), 인화카드뮴(Cd3P2), 비소화카드뮴(Cd3As2), 질화카드뮴(Cd3N2) 또는 질화아연(Zn3N2) 등을 들 수 있다.Examples of the Group II-V compound include zinc phosphide (Zn 3 P 2 ), zinc diglyceride (Zn 3 As 2 ), cadmium phosphide (Cd 3 P 2 ), cadmium dianhydride (Cd 3 As 2 ) (Cd 3 N 2 ) or zinc nitride (Zn 3 N 2 ).
상기 III-V족 화합물의 예로는, 인화붕소(BP), 인화알루미늄(AlP), 비소화알루미늄(AlAs), 안티모니화알루미늄(AlSb), 질화갈륨(GaN), 인화갈륨(GaP), 비소화갈륨(GaAs), 안티모니화갈륨(GaSb), 질화인듐(InN), 인화인듐(InP), 비소화인듐(InAs), 안티모니화인듐(InSb), 질화알루미늄(AlN) 또는 질화붕소(BN) 등을 들 수 있다.Examples of the Group III-V compound include boron phosphide (BP), aluminum phosphide (AlP), aluminum arsenide (AlAs), aluminum antimonide (AlSb), gallium nitride (GaN), gallium phosphide (GaAs), gallium arsenide (GaSb), indium nitride (InN), indium phosphide (InP), indium arsenide (InAs), indiummonium indium (InSb), aluminum nitride BN).
상기 III-IV족 화합물의 예로는, 탄화붕소(B4C), 탄화알루미늄(Al4C3), 탄화갈륨(Ga4C) 등을 들 수 있다. Examples of the group III-IV compound include boron carbide (B 4 C), aluminum carbide (Al 4 C 3 ), gallium carbide (Ga 4 C) and the like.
상기 III-VI족 화합물의 예로는, 황화알루미늄(Al2S3), 셀렌화알루미늄(Al2Se3), 텔루르화알루미늄(Al2Te3), 황화갈륨(Ga2S3), 셀렌화갈륨(Ga2Se3), 황화인듐(In2S3), 셀렌화인듐(In2Se3), 텔루르화갈륨(Ga2Te3), 텔루르화인듐(In2Te3) 등을 들 수 있다.Examples of the group III-VI compound include aluminum sulfide (Al 2 S 3 ), aluminum selenide (Al 2 Se 3 ), aluminum telluride (Al 2 Te 3 ), gallium sulfide (Ga 2 S 3 ) gallium (Ga 2 Se 3), sulfide, indium (in 2 s 3), selenide, indium (in 2 Se 3), telluride gallium (Ga 2 Te 3), telluride indium (in 2 Te 3), and the like have.
상기 IV-VI족 화합물의 예로는, 황화납(PbS), 셀렌화납(PbSe), 텔루르화납(PbTe), 황화주석(SnS), 셀렌화주석(SnSe), 텔루르화주석(SnTe) 등을 들 수 있다.Examples of the Group IV-VI compound include compounds represented by the following general formula (III): PbS, PbSe, PbTe, SnS, SnSe, SnTe, .
일 예로, 상기 중심 입자(1)는 코어/쉘(core/shell) 구조를 가질 수 있다. 상기 중심 입자(1)의 코어 및 쉘 각각은 상기 예시한 화합물들로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 상기 예시한 화합물들은 각각 단독으로 또는 2 이상을 조합하여 상기 코어(core)나 쉘(shell)을 구성할 수 있다. 상기 코어를 구성하는 화합물의 밴드갭이 상기 쉘을 구성하는 화합물의 밴드갭보다 좁을 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 상기 중심 입자(1)가 코어/쉘 구조를 갖는 경우, 상기 쉘을 구성하는 화합물은 상기 코어를 구성하는 화합물과 다를 수 있다. 예를 들어, 상기 중심 입자(1)는 CdSe를 포함하는 코어 및 ZnS를 포함하는 쉘을 갖는 CdSe/ZnS(코어/쉘) 구조나, InP를 포함하는 코어 및 ZnS를 포함하는 쉘을 갖는 InP/ZnS(코어/쉘) 구조를 가질 수 있다. For example, the core particle 1 may have a core / shell structure. Each of the core and the shell of the core particle (1) may be composed of the above-exemplified compounds. For example, the above-exemplified compounds may constitute the core or the shell, respectively, alone or in combination of two or more. The band gap of the compound constituting the core may be narrower than the band gap of the compound constituting the shell, but is not limited thereto. When the core particle (1) has a core / shell structure, the compound constituting the shell may be different from the compound constituting the core. For example, the core particle 1 may be a CdSe / ZnS (core / shell) structure having a core containing CdSe and a shell containing ZnS, a core containing InP and a shell containing ZnS. ZnS (core / shell) structure.
다른 예로서, 상기 중심 입자(1)는 적어도 2층 이상의 쉘을 갖는 코어/다중쉘 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 중심 입자(1)는 CdSe를 포함하는 코어, 상기 코어의 표면을 감싸고 ZnSe를 포함하는 제1 쉘 및 상기 제1 쉘의 표면을 감싸며 ZnS를 포함하는 제2 쉘을 갖는 CdSe/ZnSe/ZnS(코어/제1 쉘/제2 쉘) 구조를 가질 수 있다. 이와 달리, 상기 중심 입자(1)는 InP를 포함하는 코어, 제1 쉘로서 ZnSe을 포함하고, 제2 쉘로서 ZnS를 포함하는 InP/ZnSe/ZnS(코어/제1 쉘/제2 쉘) 구조를 가질 수 있다.As another example, the core particle 1 may have a core / multishell structure having at least two or more shells. For example, the core particle 1 may include a core comprising CdSe, a first shell surrounding the surface of the core and containing ZnSe, and a second shell surrounding the surface of the first shell and containing ZnS, ZnSe / ZnS (core / first shell / second shell) structure. Alternatively, the core particle 1 may comprise InP / ZnSe / ZnS (core / first shell / second shell) structure comprising ZnSe as the first shell and ZnS as the second shell Lt; / RTI >
또 다른 예로서, 상기 중심 입자(1)는 코어/쉘 구조가 아닌 단일 구조로서, II-VI족 화합물로만 이루어지거나, III-V족 화합물로만 이루어질 수 있다.As another example, the core particle (1) is a single structure that is not a core / shell structure, and may be composed of only a group II-VI compound or only a group III-V compound.
도면으로 도시하지 않았으나, 상기 중심 입자(1)는 시드(seed)로서 클러스터 분자(cluster molecule)를 더 포함할 수 있다. 상기 클러스터 분자는 상기 중심 입자(1)를 제조하는 공정 중에서 시드 역할을 하는 화합물로서, 전구체들로부터 상기 중심 입자(1)를 구성하는 화합물이 상기 클러스터 분자 상에서 성장함으로써 상기 중심 입자(1)가 형성될 수 있다. 이때, 상기 클러스터 분자의 예로서는, 한국 공개 공보 제2007-0064554호에 개시되어 있는 다양한 화합물들을 들 수 있고, 이들에 제한되지 않는다.Although not shown in the drawing, the core particle 1 may further include a cluster molecule as a seed. Wherein the cluster molecule is a compound acting as a seed in the process of producing the core particle (1), wherein a compound constituting the core particle (1) from precursors is grown on the cluster molecule to form the core particle . At this time, examples of the cluster molecules include various compounds disclosed in Korean Patent Publication No. 2007-0064554, but are not limited thereto.
상기 리간드(2)는 서로 인접한 중심 입자(1)가 서로 응집되어 소광(quenching)되는 것을 방지할 수 있다. 상기 리간드(2)는 상기 중심 입자(1)와 결합하며 소수성(hydrophobic) 성질을 가질 수 있다. The ligands 2 can prevent the adjacent central particles 1 from being cohered to quench each other. The ligand (2) binds with the central particle (1) and may have a hydrophobic property.
상기 리간드(2)의 예로는, 탄소수 6 내지 30의 알킬기를 갖는 아민계 화합물, 카르복시산 화합물 등을 들 수 있다. 알킬기를 갖는 아민계 화합물의 예로는, 헥사데실아민(hexadecylamine), 옥틸아민(octylamine) 등을 들 수 있다. 상기 리간드(2)의 다른 하나의 예로는, 탄소수 6 내지 30의 알케닐기를 갖는 아민계 화합물, 카르복시산 화합물 등을 들 수 있다. 이와 달리, 상기 리간드(2)의 또 다른 예로는, 트리옥틸포스핀(trioctylphosphine), 트리페놀포스핀(triphenolphosphine), t-부틸포스핀(t-butylphosphine) 등을 포함하는 포스핀 화합물(phosphine compound); 트라이옥틸포스핀 산화물(trioctylphosphine oxide) 등의 포스핀 산화물(phosphine oxide); 피리딘(pyridine); 싸이오펜 (thiophene) 등을 들 수 있다. Examples of the ligand (2) include an amine compound having an alkyl group having 6 to 30 carbon atoms, a carboxylic acid compound, and the like. Examples of the amine compound having an alkyl group include hexadecylamine, octylamine, and the like. Another example of the ligand (2) includes an amine compound having an alkenyl group having 6 to 30 carbon atoms, a carboxylic acid compound, and the like. Alternatively, another example of the ligand (2) is a phosphine compound including trioctylphosphine, triphenolphosphine, t-butylphosphine and the like. ); Phosphine oxide such as trioctylphosphine oxide; Pyridine; Thiophene, and the like.
이와 달리, 상기 리간드(2)는 비닐기, 아릴기, 아크릴기, 아민기, 메타크릴레이트기, 에폭시기 등으로부터 선택된 하나 이상의 작용기를 갖는 실란계 화합물을 포함할 수 있다.Alternatively, the ligand (2) may include a silane-based compound having at least one functional group selected from a vinyl group, an aryl group, an acrylic group, an amine group, a methacrylate group and an epoxy group.
상기 리간드(2)의 종류는 상기에서 예시한 것에 한정되지 않을 뿐만 아니라, 상기 양자점(11)은 상기 리간드(2) 없이 상기 중심 입자(1)만으로 구성될 수도 있다.The kind of the ligand 2 is not limited to that exemplified above and the
상기 이오노머(13)는 상기 양자점(11) 주위를 커버한다. 상기 이오노머(13)는 상기 양자점(11)의 표면을 전체적으로 커버하여 상기 양자점(11)을 캡슐화할 수 있다. 이때, 상기 이오노머(13)는 상기 양자점(11)의 표면에 소정 두께를 갖는 캡슐층을 형성할 수 있다. 상기 이오노머(13)가 상기 양자점(11)을 커버함으로써, 상기 양자점(11)이 외부 환경에 의한 수분, 열, 광 등에 의해 손상되는 것을 방지할 수 있다. The ionomer (13) covers the periphery of the quantum dot (11). The
상기 이오노머(13)의 분자량(Molecular Weight, MW)은 약 1,000 이상 20,000 이하일 수 있다. 일 예로, 상기 이오노머(13)의 분자량은 1,000 이상 10,000 이하일 수 있고, 보다 바람직하게는 1,000 이상 6,000 이하일 수 있다. 상기 분자량은, 폴리스티렌으로 환산한 수평균 분자량이다. 예를 들어, 상기 이오노머(13)의 분자량이 약 1,000 미만인 경우에는 상온에서 이오노머(13)가 고체인 상태로 존재할 수 없어서 상기 이오노머(13)가 상기 양자점(11)을 캡슐화하기 어렵다. 또한, 상기 이오노머(13)의 분자량이 약 20,000을 초과하는 경우에는, 상기 이오노머(13)의 고체 입자 크기(평균 지름)가 수백 μm 이상이 되어 이를 이용하여 복합체를 제조하더라도 용매나 수지에 분산시키기 어려운 문제가 있다. 뿐만 아니라, 일 예로, 상기 이오노머(13)는 전기적 중성 단위체와 이온성 단위체의 공중합체일 수 있다. The molecular weight (MW) of the ionomer (13) may be about 1,000 to about 20,000. For example, the molecular weight of the ionomer (13) may be 1,000 or more and 10,000 or less, and more preferably 1,000 or more and 6,000 or less. The molecular weight is a number average molecular weight in terms of polystyrene. For example, when the molecular weight of the
상기 전기적 중성 단위체의 예로는 에틸렌, 프로필렌, 1-부텐, 1-펜텐, 1-헥센, 1-헵텐, 3 메틸-1-부텐, 4-메틸-1-펜텐 등을 들 수 있고, 이들은 각각 단독으로 또는 2 이상이 조합되어 사용될 수 있다. 일 예로, 상기 중성 단위체로는 에틸렌이 사용될 수 있다. 상기 중성 단위체는 상기 이오노머(13) 전체 중량을 기준으로 약 50 중량% 초과 또는 약 60 중량% 이상 포함될 수 있다.Examples of the electrically neutral unit include ethylene, propylene, 1-butene, 1-pentene, 1-hexene, 1-heptene, 3-methyl-1-butene and 4-methyl- Or two or more of them may be used in combination. For example, ethylene may be used as the neutral monomer. The neutral monomer may comprise more than about 50% by weight or more than about 60% by weight based on the total weight of the ionomer (13).
상기 이온성 단위체의 예로는 아크릴산 또는 알킬 아크릴산 등을 들 수 있고, 이들은 각각 단독으로 또는 2 이상이 조합된 상태로 사용될 수 있다. 상기 알킬 아크릴산의 알킬기는 탄소수 20 이하의 작용기로서 메틸, 에틸, 부틸, 이소부틸, 펜틸, 헥실 등을 포함할 수 있고, 이들은 각각 단독으로 또는 2 이상이 조합되어 포함될 수 있다. 상기 이온성 단위체의 구체예로는 아크릴산, 메타크릴산, 에타크릴산 등을 들 수 있고, 이들은 각각 단독으로 또는 2 이상이 조합되어 사용될 수 있다. 상기 이온성 단위체는 이오노머(13) 전체 중량을 기준으로 약 5 내지 50 중량%, 약 10 내지 19 중량% 또는 약 12 내지 15 중량% 포함될 수 있다.Examples of the ionic monomer include acrylic acid and alkyl acrylic acid, and they may be used singly or in combination of two or more. The alkyl group of the alkyl acrylate may include methyl, ethyl, butyl, isobutyl, pentyl, hexyl and the like as the functional group having 20 or less carbon atoms, and these may be contained singly or in combination of two or more. Specific examples of the ionic monomer include acrylic acid, methacrylic acid, and ethacrylic acid, and these may be used alone or in combination of two or more. The ionic monomer may comprise about 5 to 50 wt%, about 10 to 19 wt%, or about 12 to 15 wt%, based on the total weight of the ionomer (13).
상기 이오노머(13)는 상기 중성 단위체와 상기 이온성 단위체 외에 선택적 공단위체를 더 포함할 수 있다. The ionomer (13) may further include an optional co-monomer unit in addition to the neutral monomer unit and the ionic monomer unit.
상기 선택적 공단위체의 예로는, 일산화탄소, 이산화황, 아크릴로니트릴, 말레산 무수물, 말레산 디에스테르, (메트)아크릴산, 말레산, 말레산 모노에스테르, 이타콘산, 푸마르산, 푸마르산 모노에스테르, 이러한 산들의 염, 글리시딜 아크릴레이트, 글리시딜 메타크릴레이트, 및 글리시딜 에테르 등을 들 수 있고, 이들은 각각 단독으로 또는 2 이상이 조합되어 사용될 수 있다. 상기 선택적 공단위체는 상기 이오노머(13) 전체 중량을 기준으로 약 35 중량% 이하로 포함될 수 있다.Examples of the optional bidentate unit include monocarboxylic acids such as carbon monoxide, sulfur dioxide, acrylonitrile, maleic anhydride, maleic acid diester, (meth) acrylic acid, maleic acid, maleic acid monoester, itaconic acid, fumaric acid, fumaric acid monoester, Salts, glycidyl acrylates, glycidyl methacrylates, and glycidyl ethers, and these may be used singly or in combination of two or more. The optional bidenton units may include up to about 35 weight percent based on the total weight of the ionomer (13).
상기 이오노머(13)의 극성기는 금속 이온으로 중화될 수 있다. 상기 금속 이온으로는 1가 금속 이온, 2가 금속 이온, 3가 금속 이온, 다가 금속 이온 등이 사용될 수 있고, 이들은 각각 단독으로 또는 2 이상이 조합되어 사용될 수 있다. 상기 1가 금속 이온의 예로는 나트륨 이온, 칼륨 이온, 리튬 이온, 은 이온, 수은 이온 등을 들 수 있고, 이들은 각각 단독으로 또는 2 이상이 조합되어 사용될 수 있다. 상기 2가 금속 이온의 예로는 마그네슘 이온, 칼슘 이온, 스트론튬 이온, 바륨 이온, 구리 이온, 카드뮴 이온, 수은 이온, 주석 이온, 납 이온, 철 이온, 코발트 이온, 니켈 이온, 아연 이온 등을 들 수 있고, 이들은 각각 단독으로 또는 2 이상이 조합되어 사용될 수 있다. 상기 3가 금속 이온의 예로는 알루미늄 이온, 스칸듐 이온, 철 이온, 이트륨 이온 등을 들 수 있고, 이들은 각각 단독으로 또는 2 이상이 조합되어 사용될 수 있다. 상기 다가 금속 이온의 예로는 티타늄 이온, 지르코늄 이온, 하프늄 이온, 바나듐 이온, 탄탈륨 이온, 텅스텐 이온, 크롬 이온, 세륨 이온, 철 이온 등을 들 수 있고, 이들은 각각 단독으로 또는 2 이상이 조합되어 사용될 수 있다. 상기 이오노머(13)는 극성기의 약 20 내지 100% 중화될 수 있다. The polar group of the
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 이오노머(13)는 하기 화학식 1의 구조로 나타내는 에틸렌-(메타)아크릴산 공중합체일 수 있다. In one embodiment of the present invention, the ionomer (13) may be an ethylene- (meth) acrylic acid copolymer represented by the following formula (1).
[화학식 1][Chemical Formula 1]
상기 화학식 1에서, x는 20 내지 100, y는 1 내지 10일 수 있다. 일 예로, x는 25 내지 80, y는 1 내지 4일 수 있다. 보다 바람직하게는 x는 30 내지 60, y는 약 1.5 내지 2.0일 수 있다. 그리고 M+는 앞에서 설명한 1가 금속 이온, 2가 금속 이온, 3가 금속 이온 및 다가 금속 이온 중 선택된 하나 이상을 나타내고, R1, R2, R3, R4, R5, R6 및 R7은 서로 독립적으로 수소(H) 또는 탄소수 6 이하의 알킬기를 나타낸다. 상기 탄소수 6이하의 알킬기는 직선형 알킬기 또는 브랜치형 알킬기일 수 있고, 예를 들면, 에틸기(*-C2H5), 프로필기(*-C3H7), 메틸기(*-CH3) 등을 포함한다. In Formula 1, x may be 20 to 100, and y may be 1 to 10. In one example, x may be from 25 to 80 and y may be from 1 to 4. More preferably, x may be from 30 to 60 and y may be from about 1.5 to 2.0. And M + is the one described earlier, a metal ion, a divalent metal ion, trivalent, denotes at least one selected from a metal ion and polyvalent metal ion, R 1, R 2, R 3, R 4, R 5, R 6, and R 7 independently represent hydrogen (H) or an alkyl group having 6 or less carbon atoms. Alkyl group of the carbon number of 6 or less may be a linear alkyl group or branched alkyl group, for example, ethyl (* -C 2 H 5), propyl (* -C 3 H 7), methyl group (* -CH 3), etc. .
상기 에틸렌-(메타)아크릴산 공중합체는 중화되지 않은 극성 카르복시기를 포함할 수 있고 이러한 극성 카르복시기는 상기 양자점(11)을 구성하는 금속과의 상호작용(interaction)이 강하므로, 상기 에틸렌-(메타)아크릴산 공중합체는 상기 양자점(11)을 안정적으로 캡슐화시킬 수 있다.Since the ethylene- (meth) acrylic acid copolymer may contain a non-neutral polar carboxyl group and the polar carboxyl group has strong interaction with the metal constituting the
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 이오노머(13)는 약 200 mg KOH/g 이하의 산가(acid value)를 가질 수 있다. In one embodiment of the present invention, the
본 발명에서, 상기 이오노머(13)의 "산가"는 상기 이오노머(13) 1g을 중화하는데 필요한 수산화칼륨(KOH)의 mg 수를 말한다. 상기 이오노머(13)의 산가가 큰 값을 가질수록 상기 이오노머(13)에 포함된 극성 카르복시기가 많음을 나타낸다. 상기 이오노머(13)의 산가가 약 200 mg KOH/g를 초과하는 경우, 카르복시기에 의해서 오히려 리간드(2)가 변질되어 상기 양자점(11)의 표면이 산화될 수 있다. 상기 양자점(11) 표면이 산화될 경우 상기 양자점(11)이 캡슐화되더라도 양자효율이 저하되는 문제점이 발생될 수 있다. In the present invention, the "acid value" of the ionomer (13) refers to the number of mg of potassium hydroxide (KOH) required to neutralize 1 g of the ionomer (13). A larger value of the acid value of the ionomer (13) indicates that the polar carboxyl group contained in the ionomer (13) is abundant. When the acid value of the ionomer (13) is more than about 200 mg KOH / g, the ligand (2) may be modified by the carboxyl group to oxidize the surface of the quantum dot (11). When the surface of the
상기 이오노머(13)의 산가는 ASTM 1386 기준에 따라 측정될 수 있다. 예를 들어, 상기 이오노머(13)를 시료로서 약 2g을 정량한 후 삼각플라스크에 넣고 크실렌(xylene) 40ml를 넣어 승온시키다가 시료가 완전히 무색 투명한 용액이 될 때 페놀프탈레인 용액 2~3방울을 첨가하여 약 0.1N의 KOH 용액으로 적정하여 용액의 색이 약 10초간 유지될 때를 최종점으로 하여 산가를 산출할 수 있다. 산가는 하기 식 1로 산출될 수 있다.The acid value of the ionomer (13) can be measured according to the ASTM 1386 standard. For example, about 2 g of the ionomer (13) as a sample is quantitatively charged into an Erlenmeyer flask, and 40 ml of xylene is added thereto. When the sample becomes completely colorless transparent solution, 2 to 3 drops of phenolphthalein solution are added The acid value can be calculated from the final point when the color of the solution is maintained for about 10 seconds by titration with a KOH solution of about 0.1N. The acid value can be calculated by the following equation (1).
[식 1][Formula 1]
산가=(A×N×56.1)/BAcid value = (A x N x 56.1) / B
상기 식 1에서, "A"는 시료 적정에 이용된 KOH의 양(단위: ml)을 나타내고, "N"은 KOH의 노르말 농도(단위: N)를 나타내며, "B"는 시료의 양(단위: g)을 나타낸다."N" represents the normal concentration (unit: N) of KOH, "B" represents the amount (unit: unit) of KOH used in the sample titration : g).
한편, 상기 이오노머(13)는 약 0.85 g/cm3 이상 약 1.05 g/cm3 이하의 밀도를 가질 수 있다. 일 예로, 상기 이오노머(13)의 밀도는 약 0.85 g/cm3 이상 약 1.0 g/cm3 이하일 수 있고, 보다 바람직하게는 약 0.9 g/cm3 이상 약 1.0 g/cm3 이하일 수 있다. On the other hand, the
상기 이오노머(13)는 약 50℃ 이상 약 150℃ 이하의 녹는점을 가질 수 있다. 상기 이오노머(13)의 녹는점이 높은 경우 상기 이오노머(13)를 액상화하여 상기 양자점(11)을 캡슐화하는 공정에서 상기 양자점(11)이 손상될 수 있다. 일 예로, 상기 이오노머(13)의 녹는점은 약 60℃ 이상 약 140℃ 이하일 수 있고, 보다 바람직하게는 약 70℃ 이상 약 120℃ 이하일 수 있다. The ionomer (13) may have a melting point of about 50 ° C or more and about 150 ° C or less. The
상기 발광 복합체(10a)의 직경(d1)은 약 10nm 내지 약 50μm일 수 있다. 상기 발광 복합체(10a)의 직경(d1)은, 확산 계수에 관한 스토크스-아인슈타인 방정식(Stokes-Einstein equation)으로 산출하는 동적 광산란법(Dynamic Light Scattering method, DLS법)에 의해 측정된 값(hydrodynamic diameter)으로 정의될 수 있다.The diameter d1 of the light emitting composite 10a may be about 10 nm to about 50 m. The diameter d1 of the light emitting composite 10a is a value measured by a Dynamic Light Scattering method (DLS method) calculated by a Stokes-Einstein equation with respect to a diffusion coefficient diameter.
도 1c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 복합체를 설명하기 위한 개념도이다.1C is a conceptual diagram illustrating a light emitting complex according to another embodiment of the present invention.
도 1c를 참조하면, 발광 복합체(10b)는 적어도 2개 이상의 양자점들(11a, 11b) 및 이오노머(13)를 포함한다.Referring to FIG. 1C, the light emitting complex 10b includes at least two
상기 발광 복합체(10b)에 포함되는 양자점들(11a, 11b)은 편의상, 참조 번호 "11a"를 "제1 양자점"으로 지칭하고, 참조 번호 "11b"를 "제2 양자점"으로 지칭하여 설명한다. 상기 제1 및 제2 양자점들(11a, 11b) 각각은 도 1a 및 도 1b에서 설명한 양자점(11)과 실질적으로 동일하므로 중복되는 상세한 설명은 생략한다.The
상기 이오노머(13)는 상기 제1 및 제2 양자점들(11a, 11b)을 커버함으로써, 상기 제1 및 제2 양자점들(11a, 11b)이 서로 응집되는 것을 방지할 수 있다. 즉, 상기 이오노머(13)는 상기 제1 및 제2 양자점들(11a, 11b)이 서로 응집되지는 않으면서도 각각이 캡슐화될 수 있도록 하나의 집합체를 만들 수 있다. 상기 집합체가 하나의 "발광 복합체(10b)"로 정의될 수 있다. 상기 발광 복합체(10b)에서, 상기 제1 및 제2 양자점들(11a, 11b)은 상기 이오노머(13)가 형성하는 하나의 응집체 내부에 배치된다. 상기 하나의 응집체 내부에 배치되는 양자점의 개수는 2 이상일 수 있다. 예를 들면, 상기 하나의 응집체 내부에 배치되는 양자점의 개수는 수십 내지 수천만개일 수 있다.The
상기 발광 복합체(10b)의 직경(d2)은 약 5 nm 내지 약 50 μm일 수 있고, 이하에서 설명할 수지(resin)에 대한 분산성을 고려할 때 상기 발광 복합체(10b)의 직경(d2)은 약 0.5 μm 내지 약 10 μm일 수 있다. 상기 발광 복합체(10b)의 직경(d2)은 상기 발광 복합체(10b)를 제조하는 공정에서 냉각 속도에 따라서 달라질 수 있다.The diameter d2 of the light emitting composite 10b may be about 5 nm to about 50 占 퐉 and the diameter d2 of the light emitting composite 10b may be about From about 0.5 [mu] m to about 10 [mu] m. The diameter d2 of the light emitting composite 10b may vary depending on the cooling rate in the process of manufacturing the light emitting composite 10b.
상기 이오노머(13)는 도 1a 및 도 1b에서 설명한 이오노머와 실질적으로 동일하므로 중복되는 상세한 설명은 생략한다.The
상기 이오노머(13)로 양자점(11, 11a, 11b)을 캡슐화하는 공정 동안, 도 1a 및 도 1b에서 설명한 발광 복합체(10a)가 형성되거나, 도 1c에서 설명한 발광 복합체(10b)가 형성될 수 있다. 상기 공정 중에서, 도 1a 및 도 1b에서 설명한 발광 복합체(10a) 및 상기 도 1c에서 설명한 발광 복합체(10b)가 동시에 제조될 수도 있다.
During the process of encapsulating the
이하에서는, 도 2를 참조하여 본 발명에 따른 발광 복합체(10a, 10b)의 제조 방법 및 상기 발광 복합체(10a, 10b)를 포함하는 조성물과 경화물에 대해서 상세하게 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing the light emitting composite 10a, 10b according to the present invention and a composition including the light emitting composite 10a, 10b and a cured product will be described in detail with reference to FIG.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 발광 복합체를 제조하는 방법을 설명하기 위한 순서도이다. 2 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a light emitting complex according to an embodiment of the present invention.
도 2를 참조하면, 유기 용매에 이오노머 분말을 첨가한다(단계 S210). Referring to FIG. 2, an ionomer powder is added to an organic solvent (step S210).
상기 유기 용매는 톨루엔(Toluene)을 포함할 수 있다. 다만, 이오노머의 특성에 따라서 적절한 유기 용매를 선택적으로 사용할 수 있다.The organic solvent may include toluene. However, an appropriate organic solvent may be selectively used depending on the characteristics of the ionomer.
상기 이오노머 분말은 이오노머로 이루어진 고체로서, 상기 이오노머 분말을 구성하는 이오노머는 도 1a 내지 도 1c에서 설명한 것과 실질적으로 동일하므로 중복되는 상세한 설명은 생략한다. The ionomer powder is a solid made of an ionomer, and the ionomer constituting the ionomer powder is substantially the same as that described with reference to FIGS. 1A to 1C, and a detailed description thereof will be omitted.
이어서, 상기 이오노머 분말을 용해시킨다(단계 S220). Then, the ionomer powder is dissolved (step S220).
상기 이오노머 분말은 상기 유기 용매를 가열함으로써 용해시킬 수 있다. 상기 유기 용매를 상기 이오노머 분말의 녹는점 이상의 온도로 가열한다. 예를 들면, 상기 유기 용매는 약 50℃ 내지 170℃로 가열될 수 있다. 이에 따라, 상기 이오노머 분말이 상기 유기 용매 내에서 용해된 이오노머 용액을 제조할 수 있다.The ionomer powder may be dissolved by heating the organic solvent. The organic solvent is heated to a temperature above the melting point of the ionomer powder. For example, the organic solvent may be heated to about 50 < 0 > C to 170 < 0 > C. Thus, an ionomer solution in which the ionomer powder is dissolved in the organic solvent can be prepared.
이어서, 상기 이오노머 용액에 양자점들을 혼합한다(단계 S230). Subsequently, quantum dots are mixed with the ionomer solution (step S230).
상기 이오노머 용액에 상기 양자점들을 혼합하면, 상기 양자점들은 상기 이오노머 용액에 분산된다. 이때, 상기 양자점들의 리간드에 의해서 상기 양자점들은 서로 응집되지 않으면서 상기 이오노머 용액에 용이하게 분산될 수 있다. 상기 양자점은 도 1a 내지 도 1c에서 설명한 양자점과 실질적으로 동일하므로 중복되는 상세한 설명은 생략한다. When the quantum dots are mixed with the ionomer solution, the quantum dots are dispersed in the ionomer solution. At this time, due to the ligands of the quantum dots, the quantum dots can be easily dispersed in the ionomer solution without coalescence. Since the quantum dots are substantially the same as the quantum dots described in Figs. 1A to 1C, detailed description will be omitted.
이어서, 양자점들이 분산된 상기 이오노머 용액을 냉각시킨다(단계 S240).Subsequently, the ionomer solution in which the quantum dots are dispersed is cooled (step S240).
상기 양자점들이 분산된 상기 이오노머 용액의 온도를 상온(room temperature)까지 냉각시켜 용해된 이오노머를 고체화 시킬 수 있다. 상기 양자점들이 분산된 상기 이오노머 용액은 상온까지 서서히 온도를 낮추어 냉각시키거나 급랭시킬 수 있다. 이때, 상기 이오노머 용액의 온도를 급격히 낮추는 경우, 이오노머가 형성하는 응집체의 크기가 작아질 수 있다. 반대로, 상기 이오노머 용액의 온도를 서서히 낮추는 경우, 상기 이오노머가 형성하는 응집체의 크기가 커질 수 있다. 본 발명에서는 상기 응집체의 직경이 약 5 nm 내지 약 50 μm가 되도록 상기 이오노머 용액의 냉각 속도를 조절할 수 있다. The dissolved ionomer can be solidified by cooling the temperature of the ionomer solution in which the quantum dots are dispersed to room temperature. The ionomer solution in which the quantum dots are dispersed may be cooled or quenched by gradually lowering the temperature to room temperature. At this time, when the temperature of the ionomer solution is sharply lowered, the size of the aggregate formed by the ionomer may be reduced. Conversely, when the temperature of the ionomer solution is gradually lowered, the size of aggregates formed by the ionomer may be increased. In the present invention, the cooling rate of the ionomer solution may be controlled such that the aggregate has a diameter of about 5 nm to about 50 μm.
상기 이오노머 응집체는 도 1a 및 도 1b에서 설명한 것과 같이 하나의 양자점을 캡슐화하여 발광 복합체(10a)를 형성할 수도 있고, 도 1c에서 설명한 것과 같이 복수의 양자점들을 캡슐화하여 발광 복합체(10b)를 형성할 수도 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 발광 복합체(10a, 10b)가 제조될 수 있다.The ionomer aggregate may encapsulate one quantum dot as described in FIGS. 1A and 1B to form the light emitting composite 10a, or encapsulate a plurality of quantum dots as described in FIG. 1C to form the light emitting composite 10b It is possible. Accordingly, the
상기에서 설명한 본 발명에 따른 발광 복합체(10a, 10b)는 상기 유기 용매를 제거하여 파우더 형태로 보관 및 이용될 수 있다. 이와 달리, 상기 발광 복합체(10a, 10b)는 상기 유기 용매에 분산된 상태로 보관 및 이용될 수 있다. 상기 발광 복합체(10a, 10b)에서는 상기 양자점(11, 11a, 11b)이 상기 이오노머(13)에 의해서 파우더 형태로 캡슐화되어 있으므로, 수분에 거의 영향을 받지 않고 안정적으로 보관 및 이용될 수 있을 뿐만 아니라, 상기 유기 용매 내에서도 서로 응집됨이 없이 균일하게 분산될 수 있다.The
다른 실시예에서, 상기 발광 복합체(10a, 10b)를 포함하는 조성물은 수지(resin)를 포함할 수 있다. 상기 수지는 중합 가능한 관능기를 갖는 액상 상태일 수 있다. 상기 중합 가능한 관능기는 비닐기, 에폭시기 또는 실록산기일 수 있다.In another embodiment, the composition comprising the
이와 달리, 상기 수지는 그 자체가 고상이더라도 용매에 용해될 수 있고, 이때에는 상기 수지 및 용매를 포함하는 용액에 상기 발광 복합체(10a, 10b)가 분산될 수 있다. Alternatively, the resin may be dissolved in a solvent even if it is solid, and at this time, the
상기 수지를 포함하는 조성물에는, 도 1a 및 도 1b에 도시된 발광 복합체(10a) 및 도 1c에 도시된 발광 복합체(10b) 중 적어도 어느 하나가 포함될 수 있다. 상기 수지로는 실리콘계 수지, 에폭시계 수지, 아크릴계 수지 등이 사용될 수 있으며, 상기 수지는 열 경화성 수지일 수 있고, 광 경화성 수지일 수도 있다. 상기 실리콘계 수지의 예로는 비닐 실록산계 수지, 에폭시 실록산 수지, PDMS(polydimethylsiloxane), TPSiV(thermoplastic silicone vulcanizate), TSPCU(thermoplastic silicone polycarbonate-urethane) 등을 들 수 있다. 상기 조성물은 상기 수지와 함께 가교제, 촉매, 개시제 등을 더 포함할 수 있다. The composition comprising the resin may include at least one of the light emitting composite 10a shown in Figs. 1A and 1B and the light emitting composite 10b shown in Fig. 1C. As the resin, a silicone resin, an epoxy resin, an acrylic resin, or the like may be used, and the resin may be a thermosetting resin or a photocurable resin. Examples of the silicone resin include vinylsiloxane resin, epoxy siloxane resin, polydimethylsiloxane (PDMS), thermoplastic silicone vulcanizate (TPSiV), and thermoplastic silicone polycarbonate-urethane (TSPCU). The composition may further comprise a crosslinking agent, a catalyst, an initiator and the like together with the resin.
일 예로, 상기 조성물은, 수지로서 비닐 실록산계 화합물 100 중량부에 대하여 상기 발광 복합체(10a, 10b) 약 0.001 중량부 내지 10 중량부, 상기 가교제로서 하이드라이드 실록산 약 5 중량부 내지 약 60 중량부, 백금 촉매 약 0.01 중량부 내지 약 0.5 중량부를 포함할 수 있다.For example, the composition may include about 0.001 to 10 parts by weight of the light emitting composite (10a, 10b) per 100 parts by weight of the vinylsiloxane compound as the resin, about 5 to about 60 parts by weight of the hydride siloxane From about 0.01 to about 0.5 parts by weight of a platinum catalyst.
이와 달리, 상기 발광 복합체(10a, 10b)를 포함하는 조성물은 적어도 1종 이상의 단량체(monomer) 및 개시제를 포함할 수 있다. 상기 단량체는 아크릴계 화합물, 에폭시계 화합물, 실록산계 화합물 등을 포함할 수 있다. 이들은 각각 단독으로 또는 2 이상이 조합되어 이용될 수 있다. 상기 조성물에는, 도 1a 및 도 1b에 도시된 발광 복합체(10a) 및 도 1c에 도시된 발광 복합체(10b) 중 적어도 어느 하나가 포함될 수 있다. 상기 조성물이 단량체를 포함하는 경우, 상기 단량체들이 중합되어 경화물을 형성하고, 상기 경화물 내에 상기 발광 복합체(10a, 10b)가 분산될 수 있다.Alternatively, the composition comprising the
한편, 상기 조성물은 상기 발광 복합체(10a, 10b) 외에 확산 비드를 더 포함하거나, 발포제를 더 포함할 수 있다. 본 발명은 상기 조성물을 경화시켜 형성한 경화물을 제공한다. 상기 경화물은 예를 들면, 코팅층 또는 필름 등을 포함한다. 상기 경화물은 상기 조성물의 수지를 가교시키거나, 상기 조성물을 건조시킴으로써 형성할 수 있다. 예를 들어, 상기 조성물을 광 또는 열을 이용하여 경화시킬 수 있고, 광을 이용하여 경화시키는 경우 자외선을 이용할 수 있다. 이와 달리, 상기 경화물은 상기 조성물의 단량체를 중합시킴으로써 형성할 수 있다. 상기 경화물을 형성하는 방법은 특별히 제한되지 않는다. 상기 경화물은 상기 수지가 형성하는 매트릭스 구조 내에 상기 발광 복합체(10a, 10b)가 분산된 형태일 수 있다.The composition may further include diffusion beads in addition to the
한편, 확산 비드를 더 포함하는 조성물로 형성된 경화물은 상기 수지가 형성하는 매트릭스 구조 내에 상기 발광 복합체(10a, 10b)와 함께 확산 비드들이 분산된 형태일 수 있고, 발포제를 더 포함하는 조성물로 형성된 경화물은 상기 수지가 형성하는 매트릭스 구조 내에 상기 발광 복합체(10a, 10b)가 분산될 뿐만 아니라 상기 매트릭스 구조 내에 공극이 형성된 형태일 수 있다. On the other hand, the cured product formed from the composition further including the diffusion beads may be in the form of dispersed diffusion beads together with the
또한, 본 발명은 상기 경화물을 포함하는 장치를 제공한다. 상기 장치의 범위는 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어 조명 장치 또는 디스플레이 장치일 수 있다.The present invention also provides an apparatus comprising the cured product. The range of the apparatus is not particularly limited, and may be, for example, a lighting apparatus or a display apparatus.
이상에서 설명한 본 발명에 따르면, 상기 이오노머(13)가 양자점(11, 11a, 11b)을 커버하도록 하여 발광 복합체(10a, 10b)를 형성하게 되므로, 양자점 자체를 용매나 수지에 분산시킬 경우 발생되는 양자점간의 응집 및 그로 인해 용매나 수지 내에서 분산성이 저하되는 문제를 해결할 수 있다. According to the present invention described above, the
또한, 상기 이오노머(13)가 상기 양자점(11, 11a, 11b)을 보호함으로써 수분, 광, 열 등에 의해 양자점이 손상되는 것을 방지하여, 주변 환경에 대한 상기 발광 복합체(10a, 10b)의 안정성을 향상시킬 수 있다.The
나아가, 상기 이오노머(13)는 다수개의 양자점들(11a, 11b)이 서로 응집되지는 않으면서도 각각이 캡슐화될 수 있도록 하나의 발광 복합체(10b)를 구성할 수 있다. 이에 따라, 각각의 양자점들보다 양자효율이 향상된 발광 복합체를 제조하여 다양한 분야에 이용할 수 있다.Further, the
이하에서는 도 3, 도 4a 내지 도 4c, 도 5a와 도 5b 및 도 6 내지 도 10을 참조하여 본 발명에 실시예에 따른 광학 시트들을 상세하게 설명한다. 다만, 본 발명의 범위가 이에 제한되는 것은 아니다. Hereinafter, optical sheets according to embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 3, 4A to 4C, 5A, 5B, and 6 to 10. FIG. However, the scope of the present invention is not limited thereto.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 시트를 설명하기 위한 단면도이고, 도 4a 내지 도 4c는 도 3에 도시된 광변환층의 실시예들을 설명하기 위한 부분 확대 단면도들이며, 도 5a 및 도 5b는 도 3에 도시된 제1 배리어층의 실시예들을 설명하기 위한 부분 확대 단면도들이다. FIG. 3 is a cross-sectional view for explaining an optical sheet according to an embodiment of the present invention, FIGS. 4A to 4C are enlarged sectional views for explaining embodiments of the light conversion layer shown in FIG. 3, 5B are partially enlarged sectional views for explaining the embodiments of the first barrier layer shown in FIG.
도 3을 참조하면, 광학 시트(100)는 광변환층(110), 제1 배리어층(120a), 제2 배리어층(120b), 제1 투명 필름(130a) 및 제2 투명 필름(130b)을 포함한다. 3, the
상기 광변환층(110)은 투광성 수지 및 상기 투광성 수지 내부에 분산된 발광 복합체를 포함한다. 상기 발광 복합체로는 도 1a 및 도 1b를 참조하여 설명한 발광 복합체(10a) 또는 도 1c를 참조하여 설명한 발광 복합체(10b)가 사용될 수 있으므로, 이에 대한 중복된 상세한 설명은 생략한다. The
상기 투광성 수지는 광을 투과시키는 투명한 물질로서, 광 및/또는 열에 의해 경화되어 상기 발광 복합체를 분산시키는 기재가 된다. 예를 들어, 상기 투광성 수지는 아크릴계 수지, 실리콘계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지 등을 포함할 수 있다.The light-transmitting resin is a transparent material that transmits light, and becomes a base material that is cured by light and / or heat to disperse the light-emitting composite. For example, the light transmitting resin may include an acrylic resin, a silicone resin, an epoxy resin, a urethane resin, or the like.
한편, 상기 광변환층(110)은 상기 발광 복합체 외에 확산 비드들을 더 포함할 수 있다. 상기 확산 비드들은 상기 광학 시트(100)로 입사되는 광을 균일하게 확산시킬 수 있다. 상기 확산 비드들은 폴리카보네이트(polycarbonate, PC), 폴리에틸렌(polyethylene, PE), 폴리프로필렌(polypropylene, PP), 메타크릴 수지(metacrylic resin), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephtalate, PET) 등으로 형성될 수 있다. 이들은 각각 단독으로 또는 2 이상이 조합되어 이용될 수 있다. 상기 확산 비드들 각각의 직경은 약 3 ㎛ 내지 약 30 ㎛일 수 있다. 상기 확산 비드들 각각의 직경은 확산 계수에 관한 스토크스-아인슈타인 방정식(Stokes-Einstein equation)으로 산출하는 동적 광산란법(Dynamic Light Scattering method, DLS법)에 의해 측정된 직경을 의미한다. The
한편, 상기 광변환층(110)은 발광 복합체 외에 내부에 형성된 공극을 더 포함할 수 있다. 상기 공극은 상기 광학 시트(100)로 입사되는 광을 균일하게 확산시킬 수 있다. 상기 공극들 각각의 직경은 약 3 ㎛ 내지 약 30 ㎛일 수 있으며, 주사전자현미경(SEM)을 이용하여 측정할 수 있다.Meanwhile, the
상기 광변환층(110)은 도 4a 내지 도 4c에 도시된 바와 같이 다양한 구조를 가질 수 있다. The
도 3과 함께 도 4a를 참조하면, 상기 광변환층(110)은 단일층 구조를 가질 수 있다. 단일층 구조의 상기 광변환층(110) 내에는 적색 발광 복합체, 녹색 발광 복합체 및 적색 양자점과 녹색 양자점을 포함하는 다색 발광 복합체 중 선택된 하나 이상이 분산될 수 있다. 일 예로, 상기 단일층 구조의 광변환층(110) 내에는 적색 발광 복합체 및 녹색 발광 복합체가 분산될 수 있다. 다른 예로, 상기 단일층 구조의 광변환층(110) 내에는 상기 다색 발광 복합체가 분산될 수 있다. Referring to FIG. 4A together with FIG. 3, the
도 3과 함께 도 4b를 참조하면, 상기 광변환층(110)은 상기 제1 배리어층(120a) 상에 배치된 제1 광변환층(111) 및 상기 제1 광변환층(111)과 상기 제2 배리어층(120b) 사이에 배치된 제2 광변환층(112)을 포함할 수 있다. 상기 제1 광변환층(111) 및 상기 제2 광변환층(112) 각각에는 적색 발광 복합체, 녹색 발광 복합체 및 상기 다색 발광 복합체 중 하나 이상이 분산될 수 있다. Referring to FIG. 4B together with FIG. 4B, the photo-
일 예로, 상기 제1 광변환층(111)에는 녹색 발광 복합체가 분산되고, 상기 제2 광변환층(112)에는 적색 발광 복합체가 분산될 수 있다. 이 경우, 상기 제1 광변환층(111)에 분산된 녹색 발광 복합체에 의해 생성된 녹색광은 상기 제2 광변환층(112)에 분산된 적색 발광 복합체를 여기시킬 수 있으므로, 충분한 적색광을 생성할 수 있다. 또한, 상기 제1 광변환층(111)에 분산된 녹색 발광 복합체는 발광 소자로부터 1차적으로 광을 제공받으므로 상기 제2 광변환층(112) 에 분산된 발광 복합체보다 상대적으로 높은 에너지를 전달받을 수 있고, 그 결과 상기 제1 광변환층(111)에 분산된 상기 녹색 발광 복합체에 의해 생성되는 광의 파워 밀도를 극대화시킬 수 있다. 이 경우, 상기 제1 광변환층(111)과 상기 제2 광변환층(112) 중 하나 이상에는 상기 다색 발광 복합체가 더 분산될 수 있다.For example, the green light emitting composite may be dispersed in the first
다른 예로, 상기 제1 광변환층(111)에는 상기 녹색 발광 복합체가 분산되고, 상기 제2 광변환층(112)에는 상기 다색 발광 복합체가 분산될 수 있다.As another example, the green light emitting composite may be dispersed in the first
또 다른 예로, 상기 제1 광변환층(111)에는 상기 다색 발광 복합체가 분산되고, 상기 제2 광변환층(112)에는 상기 적색 발광 복합체가 분산될 수 있다.As another example, the multi-color light emitting complex may be dispersed in the first
또 다른 예로, 상기 제1 광변환층(111)에는 상기 적색 발광 복합체 및 상기 다색 발광 복합체 중 하나 이상이 분산될 수 있고, 상기 제2 광변환층(112)에는 상기 녹색 발광 복합체가 분산될 수 있다. As another example, one or more of the red light emitting composite and the multicolor light emitting complex may be dispersed in the first
도 3과 함께 도 4c를 참조하면, 상기 광변환층(110)은 상기 제1 배리어층(120a) 상에 배치된 제1 광변환층(111), 상기 제1 광변환층(111)과 상기 제2 배리어층(120b) 사이에 배치된 제2 광변환층(112) 및 상기 제1 광변환층(111)과 상기 제2 광변환층(112) 사이에 게재된 접착층(113)을 포함할 수 있다. 상기 제1 광변환층(111) 및 상기 제2 광변환층(112)은 도 4b를 참조하여 설명한 제1 광변환층(111) 및 제2 광변환층(112)과 실질적으로 동일하므로, 중복된 상세한 설명은 생략한다. Referring to FIG. 4C, the
상기 접착층(113)은 상기 제1 광변환층(111)과 상기 제2 광변환층(112)을 접착시키는 역할을 한다. 상기 접착층(113)은 접착성 화합물로 형성될 수 있고, 이러한 접착성 화합물이 경화되면서 상기 제1 광변환층(111)과 상기 제2 광변환층(112)을 접착시킬 수 있다. 상기 접착층(113)의 재료는 특별히 한정되지 않고, 광을 투과하며 접착성을 갖는 수지이면 통상적으로 알려진 것이 제한 없이 사용될 수 있다.The adhesive layer 113 serves to bond the first and second light conversion layers 111 and 112 to each other. The adhesive layer 113 may be formed of an adhesive compound, and the first and second photo-
상기 접착층(113)은 흡습제를 포함할 수 있다. 상기 흡습제는 상기 제1 광변환층(111) 및 상기 제2 광변환층(112) 각각으로 유입된 수분을 흡수하여 제거할 수 있다. 상기 흡습제의 예로는, 산화칼슘(calcium oxide), 산화바륨(barium oxide), 산화스트론튬(strontium oxide), 산화마그네슘(magnesium oxide), 탄산칼슘(calcium carbonate), 황산마그네슘(magnesium sulfate) 등의 금속 산화물, 산화알루미늄 아실레이트(aluminium oxide acylate), 산화알루미늄 알콕사이드(aluminum oxide alkoxide), 산화알루미늄 알킬레이트(aluminum oxide alylate) 등의 유기금속화합물이나 제올라이트(zeolite) 등을 들 수 있고, 이들은 각각 단독으로 또는 2 이상이 혼합되어 이용될 수 있다.The adhesive layer 113 may include a moisture absorbent. The moisture absorbent may absorb and remove moisture introduced into the first and second light conversion layers 111 and 112, respectively. Examples of the moisture absorbent include metal oxides such as calcium oxide, barium oxide, strontium oxide, magnesium oxide, calcium carbonate, magnesium sulfate, An organic metal compound such as an oxide, an aluminum oxide acylate, an aluminum oxide alkoxide or an aluminum oxide alylate, or a zeolite. Or two or more may be mixed and used.
한편, 도 4c에서는, 상기 접착층(113)이 상기 제1 광변환층(111)과 상기 제2 광변환층(112) 사이에 배치된 것으로 도시되어 있으나, 상기 접착층(113)은 상기 제1 배리어층(120a)과 상기 제1 광변환층(111) 사이에 배치되거나, 상기 제2 배리어층(120b)과 상기 제2 광변환층(112) 사이에 배치될 수 있다. 또는, 상기 광변환층(110)은 상기 제1 광변환층(111)과 상기 제2 광변환층(112) 사이에 배치된 접착층(113) 외에 추가적으로 상기 제1 배리어층(120a)과 상기 제1 광변환층(111) 사이에 배치된 접착층 및 상기 제2 배리어층(120b)과 상기 제2 광변환층(112) 사이에 배치된 접착층 중 하나 이상을 더 포함할 수 있다.4C, the adhesive layer 113 is shown as being disposed between the first and second photo-
다시 도 3을 참조하면, 상기 제1 배리어층(120a)은 상기 광변환층(110) 하부에 배치된다. 상기 제1 배리어층(120a)은 상기 광변환층(110)에 분산된 상기 발광 복합체를 열, 광, 수분 등으로부터 보호할 수 있다. 특히, 상기 제1 배리어층(120a)은 외부 환경에 의한 수분이 상기 광변환층(110)으로 침투하는 것을 방지할 수 있다. 상기 제1 배리어층(120a)은 약 5 nm 내지 약 40 ㎛의 두께를 가질 수 있다.Referring again to FIG. 3, the
상기 제1 배리어층(120a)은 도 5a 및 도 5b에 도시된 바와 같이 다양한 구조를 가질 수 있다. 다만, 상기 제1 배리어층(120a)의 구조는 도 5a 및 도 5b에 한정되지 않고 다양한 구조를 가질 수 있다.The
도 3과 함께 도 5a 및 도 5b를 참조하면, 상기 제1 배리어층(120a)은 단일막 구조를 가지거나 복수의 층이 적층된 적층 구조를 가질 수 있다. Referring to FIGS. 5A and 5B together with FIG. 3, the
상기 제1 배리어층(120a)은 무기물로 이루어진 무기막을 포함할 수 있다. 상기 무기막을 구성하는 무기물의 예로는, 실리콘 산화물(silicon oxide), 실리콘 질화물(silicon nitride), 실리콘 산화질화물(silicon oxynitride), 실리콘 산화탄화물(silicon oxycarbide), 금속 산화물(metal oxide), 금속 질화물(metal nitride), 금속 산화질화물(metal oxynitride), 금속 산화탄화물(metal oxycarbide) 등을 들 수 있다. 이들은 각각 단독으로 또는 2 이상이 조합되어 이용될 수 있다. 이때, 금속 산화물, 금속 질화물, 금속 산화질화물 또는 금속 산화탄화물에서의 금속은, 알루미늄, 티타늄, 인듐, 주석, 탄탈륨, 지르코늄, 니오븀 등을 포함할 수 있고, 이들 금속은 각각 단독으로 또는 2 이상이 조합되어 이용될 수 있다.The
상기 무기막은 스퍼터링법(sputtering deposition), 열증착법(thermal evaporation), 전자빔 증착법(electron beam evaporation) 등의 물리적 증착법이나, 플라즈마 화학 증착법(plasma-enhanced chemical vapor deposition, PECVD), 원자층 증착법(atomic layer deposition, ALD) 등의 화학적 증착법을 이용하여 형성할 수 있다.The inorganic film may be formed by a physical vapor deposition method such as a sputtering deposition method, a thermal evaporation method or an electron beam evaporation method, a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method, an atomic layer deposition, ALD), or the like.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 배리어층(120a)은 도 5a에 도시된 바와 같이 하나의 무기막으로 이루어진 단일층 구조를 가질 수 있다. 이 경우, 상기 제1 배리어층(120a)은 약 5 nm 내지 약 10 ㎛의 두께를 가질 수 있다.In one embodiment, the
다른 실시예에 있어서, 상기 제1 배리어층(120a)은 도 5b에 도시된 바와 같이 둘 이상의 무기막이 적층된 구조를 갖거나, 무기막과 유기물로 이루어진 유기막이 적층된 구조를 가질 수 있다. In another embodiment, the
예를 들어, 상기 제1 배리어층(120a)은 제1 층(121a) 및 제2 층(122a)을 포함할 수 있다. 상기 제1 층(121a)은 상기 제1 투명 필름(130a) 상에 형성되고, 상기 제2 층(122a)은 상기 제1 층(121a)과 상기 광변환층(110) 사이에 형성될 수 있다. For example, the
일 예로, 상기 제1 층(121a) 및 제2 층(122a) 각각은 서로 다른 무기물로 형성된 무기막일 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 층(121a)은 실리콘 질화물로 형성된 무기막이고, 상기 제2 층(122a)은 실리콘 산화물로 형성된 무기막일 수 있다. 이와 달리, 상기 제1 층(121a)은 실리콘 산화물로 형성된 무기막이고, 상기 제2 층(122a)은 실리콘 질화물로 형성된 무기막일 수 있다. 한편, 상기 제1 배리어층(120a)은 상기 제2 층(122a)과 상기 광변환층(110) 사이에 배치되고, 상기 제2 층(122a)을 형성하는 무기물과 다른 종류의 무기물로 형성된 제3 층(미도시)을 더 포함할 수 있다. 이때, 상기 제3 층은 상기 제1 층(121a)과 실질적으로 동일한 무기물로 형성되거나, 상기 제1 층(121a)과 다른 무기물로 형성될 수 있다.For example, each of the
다른 예로, 상기 제1 층(121a)은 무기막이고, 상기 제2 층(122a)은 유기물로 형성된 유기막일 수 있다. 이 경우, 상기 제1 배리어층(120a)의 두께는 약 5 nm 내지 약 40 ㎛일 수 있다. 유기막인 상기 제2 층(122a)이 상기 광변환층(110)과 접착된 경우, 상기 제2 층(122a)에 의해서 상기 제1 배리어층(120a)과 상기 광변환층(110) 사이의 접착력이 향상될 수 있다. 유기막인 상기 제2 층(122a)은 상기 제1 배리어층(120a)의 배리어 기능을 보조하기 위해 약 0.5 ㎛ 내지 약 30 ㎛의 두께로 형성될 수 있다. 이와 달리, 유기막인 상기 제2 층(122a)은 단순히 상기 제1 층(121a)과 상기 광변환층(110) 사이의 접착력을 증가시키기 위해서 약 0.5 ㎛ 이하의 두께로 형성될 수도 있다.As another example, the
상기 유기막을 구성하는 유기물의 예로는, 아크릴계 고분자 수지, 에폭시계 고분자 수지, 실리콘계 고분자 수지, 우레탄계 고분자 수지, 파릴렌(parylene), 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate, PET), 폴리메틸메타크릴레이트 (polymethylmethacrylate, PMMA), 폴리에테르설폰(polyethersulfone, PES), 폴리카보네이트(polycarbonate, PC), 폴리에틸렌나프탈레이트(polyethylenenaphthalate, PEN), 폴리이미드(polyimide, PI), 폴리아릴레이트(polyarylate), 사이클릭 올레핀 폴리머(cyclic olefin polymer, COP), 사이클릭 올레핀 코폴리머(cyclic olefic copolymer, COC), 폴리에틸렌(polyethylene, PE), 폴리프로필렌(polypropylene, PP), 메타크릴(methacrylic) 등을 들 수 있다.Examples of the organic substance constituting the organic film include acrylic polymer resin, epoxy polymer resin, silicone polymer resin, urethane polymer resin, parylene, polyethylene terephthalate (PET), polymethylmethacrylate, (PMMA), polyethersulfone (PES), polycarbonate (PC), polyethylenenaphthalate (PEN), polyimide (PI), polyarylate, cyclic olefin polymer olefin polymer (COP), cyclic olefin copolymer (COC), polyethylene (PE), polypropylene (PP), methacrylic and the like.
상기 유기막은 경화성 수지를 인쇄 공정 또는 코팅 공정을 통하여 기재에 도포하고, 이를 열 및/또는 광을 이용하여 경화시킴으로서 형성될 수 있다. 상기 경화성 수지는 경화성 모노머나 폴리머(코폴리머)와 함께 광경화제 또는 촉매를 포함할 수 있다. 이때, 상기 경화성 수지는 잉크젯팅(ink-jetting), 패드 프린팅(pad printing), 스크린 프린팅(screen printing) 등의 인쇄 공정이나, 스핀 코팅(spin-coating), 테이프 캐스팅, 슬롯다이(slot-die) 코팅, 그라비아 코팅, 오프셋 코팅, 스프레이 코팅 등의 코팅 공정을 통해서 기재에 도포될 수 있다. 이와 달리, 상기 유기막은 PECVD 또는 PVD 방식으로 기재에 도포하고 이를 경화시킴으로써 형성될 수 있다. 또는, 상기 유기막은 투명 필름의 형태로 상기 무기막 상에 부착되어 형성될 수 있다.The organic film can be formed by applying a curable resin to a substrate through a printing process or a coating process, and curing it using heat and / or light. The curable resin may contain a photo-curing agent or a catalyst together with a curable monomer or polymer (copolymer). The curable resin may be a printing process such as ink-jet printing, pad printing, or screen printing, or may be a spin-coating process, a tape casting process, a slot die process ) Coating, gravure coating, offset coating, spray coating, and the like. Alternatively, the organic film can be formed by applying it to a substrate by PECVD or PVD and curing it. Alternatively, the organic film may be formed by adhering on the inorganic film in the form of a transparent film.
상기 제1 층(121a)이 무기막이고 상기 제2 층(122a)이 유기막인 경우, 상기 제1 배리어층(120a)은 상기 제2 층(122a)과 상기 광변환층(110) 사이에 배치되고 무기물로 형성된 제3 층(미도시)을 더 포함할 수 있다. 상기 제3 층은 상기 제1 층(121a)과 실질적으로 동일한 무기물로 형성되거나, 다른 무기물로 형성될 수 있다.When the
또 다른 예로, 상기 제1 층(121a)은 유기막이고, 상기 제2 층(122a)은 무기막일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 층(121a)은 아크릴 고분자 수지를 포함하고, 상기 제2 층(122a)은 알루미늄 산화물, 예를 들면, 알루미나를 포함할 수 있다. 이와 달리, 상기 제1 층(121a)은 헥사메틸디실록산(hexamethyldisiloxane) 또는 파릴렌을 포함하고, 상기 제2 층(122a)은 알루미늄 산화물을 포함할 수 있다. As another example, the
상기 제1 층(121a)이 유기막이고 상기 제2 층(122a)이 무기막인 경우, 상기 제1 배리어층(120a)은 상기 제2 층(122a)과 상기 광변환층(110) 사이에 배치되고 유기물로 형성된 제3 층(미도시)을 더 포함할 수 있다. 상기 제3 층은 상기 제1 층(121a)과 실질적으로 동일한 유기물로 형성되거나, 다른 종류의 유기물로 형성될 수 있다.When the
또 다른 예로, 상기 제1 배리어층(120a)은 앞에서 설명한 상기 제1 층(121a)과 상기 제2 층(122a)의 조합을 단위체로하여 이들 단위체가 반복 적층된 구조를 가질 수 있다. 이 경우, 상기 제1 배리어층(120a)은 상기 반복 적층 구조와 상기 광변환층(110) 사이에 배치되고 앞에서 설명한 상기 제1 및 제2 층들(121a, 122a)의 조합에 대응하는 제3 층을 더 포함할 수 있다. As another example, the
다시 도 3을 참조하면, 상기 제2 배리어층(120b)은 상기 광변환층(110) 상부에 배치된다. 즉, 상기 광변환층(110)은 상기 제1 배리어층(120a)과 상기 제2 배리어층(120b) 사이에 배치된다. 상기 제2 배리어층(120b)은 앞에서 설명한 상기 제1 배리어층(120a)의 구조 중 하나와 동일할 수 있으므로, 중복된 상세한 설명은 생략한다. 다만, 상기 제2 배리어층(120b)은 상기 제1 배리어층(120a)과 동일한 구조를 가질 수도 있고, 서로 다른 구조를 가질 수도 있다. Referring again to FIG. 3, the
상기 제1 투명 필름(130a)은 상기 제1 배리어층(120a) 하부에 배치되고, 투명한 재질로 형성된다. 상기 제1 투명 필름(130a)은 가시광 영역의 광에 대해 약 60% 이상의 투과도를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 투명 필름(130a)은 가시광 영역의 광에 대해 약 90% 이상의 투과도를 가질 수 있다. 구체적으로 430 nm 내지 470 nm의 청색광에 대해 80% 이상의 평균투과도를 갖는 것이 바람직하다. 또한 450 nm의 광에 대해 90% 이상의 투과도를 갖는 것이 바람직하다. 또한 상기 제1 투명 필름(130a)은 0.01 g/m2ㆍday 이하의 수분투과율을 갖는 것이 바람직하다. 수분투과율은 1 m2의 면적을 갖는 시료에 대해 24시간 동안 투과한 수분의 양을 g으로 나타낸 것으로서 값이 작을수록 수분을 잘 차단하는 것을 의미한다.The first
상기 제1 투명 필름(130a)은 유연성을 갖는 유기 재료로 형성될 수 있다. 상기 제1 투명 필름(130a)을 형성하는 유기 재료의 예로는, 폴리메틸메타크릴레이트 (polymethylmethacrylate, PMMA), 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate, PET), 폴리에테르설폰(polyethersulfone, PES), 폴리카보네이트(polycarbonate, PC), 폴리에틸렌나프탈레이트(polyethylenenaphthalate, PEN), 폴리이미드(polyimide, PI), 폴리아릴레이트(polyarylate), 사이클릭 올레핀 폴리머(cyclic olefin polymer, COP), 사이클릭 올레핀 코폴리머(cyclic olefic copolymer, COC), 폴리에틸렌(polyethylene, PE), 폴리프로필렌(polypropylene, PP), 메타크릴(methacrylic), 폴리우레탄(ployurethane) 등을 들 수 있다. 한편, 상기 제1 투명 필름(130a)은 에폭시계 수지로 형성될 수 있다.The first
상기 제2 투명 필름(130b)은 상기 제2 배리어층(120b) 상부에 배치되고, 투명한 재질로 형성될 수 있다. 상기 제2 투명 필름(130b)은 상기 제1 투명 필름(130a)과 실질적으로 동일한 광학적 특성을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 투명 필름(130a)과 실질적으로 동일한 재질로 형성될 수 있다. 따라서 상기 제2 투명 필름(130b)에 대한 중복된 상세한 설명은 생략한다. The second
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 광학 시트를 설명하기 위한 단면도이다. 6 is a cross-sectional view illustrating an optical sheet according to another embodiment of the present invention.
도 6을 참조하면, 광학 시트(200)는 광변환층(210), 제1 투명 필름(230a), 제2 투명 필름(230b), 제1 배리어층(220a) 및 제2 배리어층(220b)을 포함한다. 6, the
상기 광변환층(210)은 도 3 및 도 4a 내지 도 4c를 참조하여 설명한 광변환층(110)과 실질적으로 동일하므로, 중복된 상세한 설명은 생략한다. The light-converting
상기 제1 투명 필름(230a)은 상기 광변환층(210) 하부에 배치되고, 상기 제2 투명 필름(230b)은 상기 광변환층(210) 상부에 배치된다. 그리고, 상기 제1 배리어층(220a)은 상기 제1 투명 필름(230a) 하부에 배치되고, 상기 제2 배리어층(220b)은 상기 제2 투명 필름(230b) 상부에 배치된다. 즉, 본 실시예에 있어서는 상기 제1 및 제2 투명 필름(230a, 230b)이 상기 제1 배리어층(220a)과 상기 제2 배리어층(220b) 사이에 배치되고, 상기 광변환층(210)이 상기 제1 투명 필름(230a)과 상기 제2 투명 필름(230b) 사이에 배치된다. The first
이와 같은 위치 관계를 제외하고는 상기 제1 투명 필름(230a), 상기 제2 투명 필름(230b), 상기 제1 배리어층(220a) 및 상기 제2 배리어층(220b)은 도 3, 도 5a 및 도 5b를 참조하여 설명한 제1 투명 필름(130a), 제2 투명 필름(130b), 제1 배리어층(120a) 및 제2 배리어층(120b)와 실질적으로 동일하므로, 중복된 상세한 설명은 생략한다. 3, 5A and 5B, the first
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광학 시트를 설명하기 위한 단면도이다. 7 is a cross-sectional view illustrating an optical sheet according to another embodiment of the present invention.
도 7을 참조하면, 광학 시트(300)는 광변환층(310), 제1 투명 필름(330a), 제2 투명 필름(330b), 제1 배리어층(320a), 제2 배리어층(320b), 제3 투명 필름(340a) 및 제4 투명 필름(340b)을 포함한다. 7, the
본 실시예에 따른 광학 시트(300)는 상기 제3 투명 필름(340a) 및 상기 제4 투명 필름(340b)를 더 포함한다는 것을 제외하고는 도 6을 참조하여 설명한 광학 시트(200)와 실질적으로 동일하므로, 중복된 상세한 설명은 생략한다. The
상기 제3 투명 필름(340a)은 상기 제1 배리어층 하부에 배치되고, 상기 제4 투명 필름(340b)는 상기 제2 배리어층(320b) 상부에 배치된다. 즉, 상기 제1 배리어층(320a)은 상기 제1 투명 필름(330a)과 상기 제3 투명 필름(340a) 사이에 배치되고, 상기 제2 배리어층(320b)은 상기 제2 투명 필름(330b)과 상기 제4 투명 필름(340b) 사이에 배치된다. The third
상기 제3 투명 필름(340a) 및 상기 제4 투명 필름(340b)은 상기 제1 투명 필름(330a) 또는 상기 제2 투명 필름(330b)과 실질적으로 동일한 재질로 형성되므로, 중복된 상세한 설명은 생략한다. Since the third
상기 제3 투명 필름(340a)은 상기 제1 배리어층(320a) 및 상기 제1 투명 필름(330a)과 함께 상기 광학 시트(300)의 하측으로부터 침투하는 수분을 차단할 수 있고, 상기 제4 투명 필름(340b)은 상기 제2 배리어층(320b) 및 상기 제2 투명 필름(340b)과 함께 상기 광학 시트(300)의 상측으로부터 침투하는 수분을 차단할 수 있다. The third
도 8, 도 9 및 도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광학 시트들을 설명하기 위한 단면도들이다. 8, 9 and 10 are sectional views for explaining optical sheets according to another embodiment of the present invention.
도 8을 참조하면, 광학 시트(400)는 투명 필름(430), 제1 광변환층(410a) 및 제2 광변환층(410b)을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 8, the
상기 투명 필름(430)은 도 3에 도시된 제1 투명 필름(130a)과 실질적으로 동일한 재질로 형성될 수 있다. 따라서 중복된 상세한 설명은 생략한다. The
상기 제1 광변환층(410a)은 상기 투명 필름(430) 하부에 배치되고, 상기 제2 광변환층(410b)은 상기 투명 필름(430) 상부에 배치된다. 상기 제1 광변환층(410a) 및 상기 제2 광변환층(410b) 각각은 투광성 수지 및 상기 투광성 수지 내부에 분산된 발광 복합체를 포함할 수 있다. 상기 제1 광변환층(410a) 및 상기 제2 광변환층(410b)은 배치 위치를 제외하고는 도 4b 및 도 4c에 도시된 제1 광변환층(111) 및 제2 광변환층(112)과 실질적으로 동일하므로 중복된 상세한 설명은 생략한다. The first
도 9를 참조하면, 광학 시트(500)는 투명 필름(530) 및 상기 투명 필름(530) 하부에 배치되고 투광성 수지 및 상기 투광성 수지 내부에 분산된 발광 복합체를 포함하는 광변환층(510)을 구비한다. 상기 투명 필름(530)은 도 8에 도시된 투명 필름(430)과 실질적으로 동일하므로, 중복된 상세한 설명은 생략한다. 9, the
일 예로, 상기 광변환층(510)은 단일층 구조를 가질 수 있다. 이 경우, 상기 광변환층(510)은 도 4a에 도시된 광변환층(110)과 실질적으로 동일하므로, 중복된 상세한 설명은 생략한다. As an example, the
다른 예로, 상기 광변환층(510)은 2개의 층이 적층된 구조를 가질 수 있다. 이 경우, 상기 광변환층(510)은 도 4b에 도시된 광변환층(110)과 실질적으로 동일하므로, 중복된 상세한 설명은 생략한다. As another example, the
도 10을 참조하면, 광학 시트(600)는 투명 필름(630) 및 상기 투명 필름(630) 상부에 배치되고 투광성 수지 및 상기 투광성 수지 내부에 분산된 발광 복합체를 포함하는 광변환층(610)을 구비한다. 본 실시예에 따른 광학 시트(600)는 광변환층(610)이 투명 필름(630) 상부에 배치된 것을 제외하고는 도 9에 도시된 광학 시트(500)와 실질적으로 동일하므로 중복된 상세한 설명은 생략한다.
10, the
이하에서는, 도 11 내지 도 23을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 백라이트 유닛을 상세하게 설명한다. 다만, 본 발명의 범위가 이로 제한되는 것은 아니다.Hereinafter, a backlight unit according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 11 to 23. FIG. However, the scope of the present invention is not limited thereto.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 백라이트 유닛을 설명하기 위한 단면도이다. 11 is a cross-sectional view illustrating a backlight unit according to an embodiment of the present invention.
도 11을 참조하면, 백라이트 유닛(1000)은 발광 소자(1100), 도광판(1200), 반사판(1300), 확산 시트(1400), 제1 집광 시트(1500) 및 제2 집광 시트(1600)를 포함한다.11, the
상기 발광 소자(1100)는 광을 생성하여 상기 도광판(1200) 방향으로 방출한다. The
일 예로서, 상기 발광 소자(1100)는 백색광을 방출하는 백색 발광 소자일 수 있다. 상기 백색 발광 소자는 청색광을 생성하는 청색 발광칩과, 상기 청색 발광칩을 커버하는 광전환층을 포함할 수 있다. 상기 광전환층은 상기 청색 발광칩이 생성하는 청색광의 일부를 흡수한 후 이를 적색광 및 녹색광으로 변환시킴으로써 상기 백색 발광 소자는 최종적으로는 백색광을 방출한다. 상기 광전환층은 YAG(Yttrium aluminum garnet) 등을 포함하는 형광체를 포함할 수 있다. 이와 달리, 상기 광전환층은 양자점 등을 포함할 수 있다.For example, the
다른 예로서, 상기 발광 소자(1100)는 청색광을 방출하는 청색 발광 소자일 수 있다. 상기 청색 발광 소자는 청색광을 생성하는 청색 발광칩을 포함하고, 상기 청색 발광칩에서 생성된 청색광이 상기 발광 소자(1100) 외부로 방출됨으로써 상기 도광판(1200)에 청색광을 제공할 수 있다.As another example, the
상기 발광 소자(1100)의 청색 발광칩은 청색광을 생성하는 발광 다이오드를 포함한다. 상기 발광 다이오드는 질화물계 화합물을 포함할 수 있다. 상기 질화물계 화합물은 인듐(In), 갈륨(Ga) 및 알루미늄(Al) 중에서 선택된 적어도 하나의 질화물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 질화물계 화합물은 "IniGajAlkN"로 나타낼 수 있고, 이때, 0≤i이고, 0≤j이고, 0≤k이며, i+j+k=1이다.The blue light emitting chip of the
일 예로, 상기 발광 다이오드는 각각이 상기 질화물계 화합물을 포함하는 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층의 적층 구조를 가질 수 있다. 이때, 상기 n형 반도체층은 n형 불순물이 도핑되고, p형 반도체층은 p형 불순물이 도핑되며, 활성층은 비도핑층일 수 있다. 구체적인 예로서, 상기 발광 다이오드는 n형 불순물이 도핑된 GaN/AlGaN의 이중층 구조의 n형 반도체층, InGaN으로 구성된 활성층 및 p형 불순물이 도핑된 GaN/AlGaN의 이중층 구조의 p형 반도체층이 순차적으로 적층된 구조를 가질 수 있다.For example, each of the light emitting diodes may have a stacked structure of an n-type semiconductor layer including the nitride compound, an active layer, and a p-type semiconductor layer. At this time, the n-type semiconductor layer may be doped with an n-type impurity, the p-type semiconductor layer may be doped with a p-type impurity, and the active layer may be a non-doped layer. As a specific example, the light emitting diode may include a p-type semiconductor layer of an n-type semiconductor layer of a double layer structure of GaN / AlGaN doped with an n-type impurity, an active layer of InGaN and a double layer structure of GaN / AlGaN doped with a p- As shown in FIG.
상기 발광 다이오드가 생성하는 청색광의 발광 스펙트럼은 약 50 nm 이하의 반치폭(FWHM)을 가질 수 있다. 바람직하게는, 청색광의 발광 스펙트럼은 약 30 nm 이하의 반치폭을 가질 수 있다.The emission spectrum of the blue light generated by the light emitting diode may have a half width (FWHM) of about 50 nm or less. Preferably, the emission spectrum of blue light may have a half width of about 30 nm or less.
또 다른 예로서, 상기 발광 소자(1100)는 상기 청색 발광칩과 상기 청색 발광칩의 상부를 커버하는 녹색 발광층을 포함할 수 있다. 상기 녹색 발광층은 상기 청색 발광칩으로부터 제공받은 청색광을 흡수하여 녹색광을 방출하는 녹색 입자, 녹색 염료 또는 안료 등을 포함할 수 있다. 상기 녹색 입자는 녹색 양자점, 녹색 발광 복합체, 녹색 형광체 및 녹색 형광 복합체 중 선택된 하나 이상을 포함할 수 있다. 상기 녹색 염료 또는 안료로는 통상적으로 알려진 화합물이 사용될 수 있다. 상기 녹색 양자점 및 상기 녹색 발광 복합체로는 도 1a 내지 도 1c를 참조하여 설명한 양자점(11)을 포함하는 발광 복합체(10a, 10b), 공지의 양자점 또는 이를 포함하는 복합체가 제한 없이 사용될 수 있고, 상기 녹색 형광체 및 상기 녹색 형광 복합체로는 공지의 형광체 또는 이를 포함하는 복합체가 제한 없이 사용될 수 있으므로 이들에 대한 상세한 설명은 생략한다. As another example, the
상기 도광판(1200)은 상기 발광 소자(1100)에 인접하게 배치된다. 상기 발광 소자(1100)에서 생성된 광은 상기 도광판(1200)으로 입사되고, 상기 도광판(1200)에서 출사된 광은 확산 시트(1400)로 입사될 수 있다.The
상기 반사판(1300)은 상기 도광판(1200) 하부에 배치된다. 상기 반사판(1300)은 상기 도광판(1200)의 하부로 누설되는 광을 상기 도광판(1200) 측으로 다시 반사시킴으로써 광의 이용 효율을 증가시킬 수 있다.The
상기 확산 시트(1400)는 상기 도광판(1200)의 상부에 배치되고, 상기 도광판(1200)에서 출사된 광을 확산시킬 수 있다. 상기 확산 시트(1400)에 대해서는 도 12 내지 도 16을 참조하여 상세하게 후술하기로 한다.The
상기 제1 집광 시트(1500)는 상기 확산 시트(1400) 상부에 배치되고, 상기 제1 집광 시트(1500)의 표면에는 복수의 돌출부들을 포함하는 제1 집광 패턴이 형성된다. 상기 제1 집광 패턴은 상기 제2 집광 시트(1600)와 마주한다. 상기 제2 집광 시트(1600)는 상기 제1 집광 시트(1500) 상부에 배치되며, 상기 제2 집광 시트(1600)의 표면에는 상기 제1 집광 시트(1500)에 형성된 돌출부와 실질적으로 동일한 형상을 갖는 복수의 돌출부들을 포함하는 제2 집광 패턴이 형성된다. 상기 제2 집광 패턴은 상기 백라이트 유닛(1000) 상에 배치되는 표시 패널과 마주한다. 상기 제1 집광 패턴의 돌출부의 길이 방향과 상기 제2 집광 패턴의 돌출부의 길이 방향은 교차될 수 있다. 이 경우 상기 돌출부들의 길이 방향이 교차되는 각도는 약 90ㅀ일 수 있다.The first
이하 도 12 내지 도 16을 참조하여 도 11에서 설명한 상기 확산 시트(1400)에 대해 상세하게 설명한다. Hereinafter, the
도 12는 도 11에 도시된 확산 시트(1400)의 일 실시예를 설명하기 위한 단면도이다. 도 13a는 도 12의 광학층 표면에 형성된 광확산 패턴의 일 예인 미세 돌기 형태의 광확산 패턴을 설명하기 위한 사진이고, 도 13b는 도 12의 광학층 표면에 형성된 광확산 패턴의 일 예인 미세 홈 형태의 광확산 패턴을 설명하기 위한 사진이다. 도 13c는 도 12의 광학층 표면에 형성된 광확산 패턴의 일 예인 볼록한 분할영역 형태의 광확산 패턴을 설명하기 위한 사진이고, 도 13d 및 도 13e는 도 13c에 도시된 분할영역들을 설명하기 위한 평면도들이다. 12 is a cross-sectional view illustrating one embodiment of the
도 11과 함께 도 12를 참조하면, 확산 시트(1400A)는 베이스 시트(1400a') 및 광학층(1450a)을 포함한다. Referring to Fig. 12 together with Fig. 11, the
상기 베이스 시트(1400a')은 도 3 내지 도 10을 참조하여 설명한 광학 시트들(100, 200, 300, 400, 500, 600) 중 선택된 하나와 동일한 구조를 갖는다. 따라서 중복된 상세한 설명은 생략한다. The
상기 광학층(1450a)은 상기 베이스 시트(1400a')의 일면 상에 위치하고, 표면에 형성된 광확산 패턴(1451a)을 포함한다. 이 경우 상기 광학층(1450a)은 비평탄 표면을 가짐으로써 두께가 랜덤한 단면 형상을 가질 수 있다. 상기 광학층(1450a)의 평균 두께는 약 1 ㎛ 내지 15 ㎛일 수 있다.The
일 예로, 상기 광학층(1450a)의 표면에는 평면 투영 형상이 도 13a에 도시된 바와 같은 복수의 미세 돌기 형태의 광확산 패턴이 형성될 수 있다. 상기 미세 돌기의 돌출 높이는 약 1 ㎛ 내지 20 ㎛일 수 있다. 상기 미세 돌기의 돌출 높이는 상기 미세 돌기가 형성되지 않은 영역과 상기 미세 돌기의 정점 사이의 높이차로 정의될 수 있다. 또한, 상기 미세 돌기의 크기는 약 1 ㎛ 내지 40 ㎛일 수 있다. 상기 미세 돌기의 크기는 상기 미세 돌기의 평면 투영 형상에 있어서, 테두리 상의 두 지점간의 거리 중 최대값으로 정의될 수 있다.For example, a plurality of micro-projection-shaped light diffusion patterns may be formed on the surface of the
다른 예로, 상기 광학층(1450a)의 표면에는 평면 투영 형상이 도 13b에 도시된 바와 같은 복수의 미세 홈 형태의 광확산 패턴이 형성될 수 있다. 상기 미세 홈의 깊이는 약 1 ㎛ 내지 20 ㎛일 수 있다. 상기 미세 홈의 깊이는 상기 미세 홈이 형성되지 않은 영역과 상기 미세 홈의 최저점 사이의 높이차로 정의될 수 있다. 또한, 상기 미세 홈의 크기는 약 1 ㎛ 내지 40 ㎛일 수 있다. 상기 미세 홈의 크기는 상기 미세 홈의 평면 투영 형상에 있어서, 테두리 상의 두 지점간의 거리 중 최대값으로 정의될 수 있다.As another example, a plurality of fine groove-shaped light diffusion patterns may be formed on the surface of the
상기 미세 돌기와 상기 미세 홈의 평면 투영 형상은 원형, 타원형, 다각형, 부정형 등의 다양한 형상을 가질 수 있으며, 상기 미세 돌기들 각각 또는 상기 미세 홈들 각각은 각각 서로 다른 형상 및 크기를 가질 수 있다. 상기 미세 돌기들 및 상기 미세 홈들 간의 간격은 불규칙할 수 있고, 일부 미세 돌기나 홈들은 서로 이어지도록 형성될 수도 있다. The projected shape of the fine protrusions and the fine grooves may have various shapes such as circular, elliptical, polygonal, and irregular shapes, and each of the fine protrusions or each of the fine grooves may have a different shape and size. The distance between the fine protrusions and the fine grooves may be irregular, and some of the fine protrusions or grooves may be formed to be connected to each other.
또 다른 예로, 상기 광학층(1450a)의 표면에 형성된 광확산 패턴(1451a)은 상기 미세 돌기 및 상기 미세 홈을 모두 포함할 수 있다.As another example, the
또 다른 예로, 상기 광학층(1450a)의 표면은 주기적이고 연속적인 웨이브 형상을 갖도록 형성되거나 도 13c에 도시된 바와 같이 복수의 볼록한 분할영역을 갖도록 형성될 수 있다. 상기 광학층(1450a)의 표면을 웨이브 형상으로 형성할 경우, 상기 웨이브 형상의 피치(pitch)는 약 10 ㎛ 내지 150 ㎛일 수 있다. 예를 들어, 상기 웨이브 형상의 진폭은 약 1 ㎛ 내지 20 ㎛일 수 있다. 상기 광학층(1450a)의 표면을 볼록한 분할영역을 갖도록 형성할 경우, 상기 분할영역의 폭은 약 10 ㎛ 내지 100 ㎛일 수 있고, 그 높이는 약 0.5 ㎛ 내지 5 ㎛일 수 있다. 상기 분할영역들 각각은 외부를 향해 돌출되어 볼록 형상을 가지며, 상기 볼록 형상에 의해서 상기 분할영역들 사이의 경계는 상대적으로 오목 형상을 가진다. 상기 웨이브 형상의 피치는 규칙적으로 반복되는 웨이브 형상에서 볼록한 부분의 정점간의 거리 또는 오목한 부분의 골간의 거리로 정의될 수 있고, 상기 웨이브 형상의 진폭은 상기 웨이브 형상이 형성된 표면에서의 최고점과 최저점간의 높이차로 정의될 수 있다. 상기 분할영역의 폭은 평면 투영시 각 분할영역의 테두리상의 두 지점간의 거리들 중 최대값으로 정의될 수 있으며, 높이는 상기 분할영역이 형성된 표면에서의 최고점과 최저점간의 높이차로 정의될 수 있다.As another example, the surface of the
상기 분할영역은 도 13d 및 도 13e에 도시된 바와 같이 다양한 형상으로 형성될 수 있다. 구체적으로, 각 분할영역의 평면 투영 형상은 원형, 타원형, 마름모, 다각형, 부정형 등의 다양한 형상을 가질 수 있고, 분할영역들 각각의 폭 및 높이는 서로 다를 수 있으며, 인접하는 분할영역의 경계는 직선 또는 곡선일 수 있다. 또한 이러한 분할영역은 그 크기나 형상이 제한되지 않는다.The divided regions may be formed in various shapes as shown in Figs. 13D and 13E. Specifically, the planar projection shape of each divided region may have various shapes such as circular, elliptical, rhombic, polygonal, and amorphous, and the width and height of each of the divided regions may be different from each other. Or curve. Also, the size and shape of such a partition are not limited.
상기 광학층(1450a)에 형성되는 미세 돌기의 높이, 미세 홈의 깊이, 웨이브 형상의 진폭과 피치, 분할영역의 폭과 높이, 미세 돌기와 홈의 밀도 등은 요구되는 광 확산의 정도에 따라 적절히 조절될 수 있다.The height of the fine protrusions formed in the
또 다른 예로, 도면에 도시되진 않았지만, 상기 광확산 패턴(1451a)은 복수의 오목부들이 연속으로 이어진 형태를 갖는 연속 패턴일 수 있다. 상기 오목부들 각각은 상기 확산 시트(1400A)의 표면으로부터 상기 확산 시트(1400A)의 내부를 향하는 방향으로 함입된다. 상기 오목부들의 깊이 또는 폭은 필요에 따라 적절히 조절될 수 있고 오목부들 각각의 깊이 또는 폭은 불규칙한 값을 가질 수 있다. 이와 달리, 상기 광확산 패턴(1451a)은 오목부와 볼록부가 연속적으로 조합된 형태를 가질 수도 있고, 엠보싱 패턴일 수도 있다.As another example, although not shown in the drawing, the
또 다른 예로서, 도면에 도시되진 않았지만, 상기 광확산 패턴(1451a)은 불연속 패턴일 수 있다. 상기 불연속 패턴에서는 볼록부들이 서로 이격되어 배치된 형태를 가지거나, 오목부들이 서로 이격되어 배치된 형태를 가질 수 있다. 상기 불연속 패턴을 구성하는 볼록부나 오목부는 평면에서 볼 때, 도트 형상을 가질 수 있다. 상기 각각의 볼록부나 오목부의 높이나 깊이, 폭은 서로 상이한 불규칙적인 값을 가질 수 있다.As another example, although not shown in the figure, the
한편, 도면에 도시되진 않았지만, 상기 광학층(1450a)의 표면은 평탄면(planarized surface)일 수 있다. 이 경우, 상기 광학층(1450a)은 내부에 분산된 광확산비드들 또는 내부에 형성되어 광을 확산할 수 있는 공극들을 포함할 수 있다. 상기 확산비드들은 폴리카보네이트(polycarbonate, PC) 수지, 폴리에틸렌(polyethylene, PE) 수지, 폴리프로필렌(polypropylene, PP) 수지, 메타크릴 (metacrylic) 수지, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephtalate, PET) 수지 등으로 형성될 수 있고, 이들은 각각 단독으로 또는 2 이상이 조합되어 사용될 수 있다. 상기 확산비드들 각각의 직경은 약 3 ㎛ 내지 약 30 ㎛일 수 있다. 상기 확산비드들 각각의 직경은 동적 광산란법(Dynamic Light Scattering method, DLS법)에 의해 측정된 값으로 정의될 수 있다. 상기 공극들 각각의 직경은 약 3 ㎛ 내지 약 30 ㎛일 수 있으며, 주사전자현미경(SEM)을 이용하여 측정할 수 있다.On the other hand, although not shown in the drawing, the surface of the
상기 확산 시트(1400A)는 상기 광학층(1450a)이 상기 제1 집광 시트(1500)를 향하도록 상기 도광판(1200)의 상부에 배치될 수 있다. 반대로, 상기 확산시트(1400A)는 상기 광학층(1450a)이 상기 도광판(1200)을 향하도록 배치될 수 있다. 도 14는 도 11에 도시된 확산 시트의 다른 실시예를 설명하기 위한 단면도이다.The
도 11과 함께 도 14를 참조하면, 확산 시트(1400B)는 베이스 시트(1400b'), 제1 광학층(1450b) 및 제2 광학층(1460b)을 포함한다. Referring to Fig. 14 together with Fig. 11, the
상기 베이스 시트(1400b')은 도 3 내지 도 10을 참조하여 설명한 광학 시트들(100, 200, 300, 400, 500, 600) 중 선택된 하나와 동일한 구조를 갖는다. 따라서 중복된 상세한 설명은 생략한다. The
상기 제1 광학층(1450b)은 상기 베이스 시트(1400b')의 하부면 상에 위치하고, 표면에 형성된 광확산 패턴(1451b)을 포함한다. 상기 제2 광학층(1460b)은 상기 베이스 시트(1400b')의 상부면 상에 위치하고, 표면에 형성된 광확산 패턴(1461b)을 포함한다. 상기 제1 광학층(1450b) 및 상기 제2 광학층(1460b) 각각은 도 12에 도시된 광학층(1450a)과 실질적으로 동일한 구조를 가지므로, 중복된 상세한 설명은 생략한다. 다만, 상기 제1 광학층(1450b)의 표면에 형성된 광확산 패턴(1451b)은 상기 제2 광학층(1460b)의 표면에 형성된 광확산 패턴(1461b)과 동일할 수도 있고, 서로 다를 수도 있다. 도 15는 도 11에 도시된 확산 시트의 또 다른 실시예를 설명하기 위한 단면도이다.The first
도 11과 함께 도 15를 참조하면, 확산 시트(1400C)는 투명 필름(1430c), 제1 광학층(1450c) 및 제2 광학층(1460c)을 포함한다. Referring to Fig. 15 together with Fig. 11, the
상기 투명 필름(1430c)은 도 3에 도시된 제1 투명 필름(130a)과 실질적으로 동일하므로 중복된 상세한 설명은 생략한다. Since the
상기 제1 광학층(1450c)은 상기 투명 필름(1430c)의 하부면 상에 위치하고, 표면에 형성된 광확산 패턴(1451c)을 포함하며, 내부에 분산된 발광 복합체(10)를 포함한다. 상기 제2 광학층(1460c)은 상기 투명 필름(1430c)의 상부면 상에 위치하고, 표면에 형성된 광확산 패턴(1461c)을 포함하며, 내부에 분산된 발광 복합체(10)를 포함한다. 상기 제1 광학층(1450c)과 상기 제2 광학층(1460c)은 내부에 분산된 발광 복합체(10)를 포함한다는 것을 제외하고는 도 14에 도시된 제1 광학층(1450b) 및 제2 광학층(1460b)과 실질적으로 동일하므로, 중복된 상세한 설명은 생략한다. The first
상기 제1 광학층(1450c) 및 상기 제2 광학층(1460c) 내부에는 적색 발광 복합체, 녹색 발광 복합체 및 적색 양자점과 녹색 양자점을 포함하는 다색 발광 복합체 중 선택된 하나 이상이 분산될 수 있다. 상기 적색 발광 복합체, 상기 녹색 발광 복합체 및 상기 다색 발광 복합체는 도 1a 내지 도 1c에서 설명된 발광 복합체(10a, 10b)와 동일한 구조를 가지므로 중복된 상세한 설명은 생략한다. In the first
일 예로, 상기 제1 광학층(1450c)에는 녹색 발광 복합체가 분산되고, 상기 제2 광학층(1460c)에는 적색 발광 복합체가 분산될 수 있다. 이 경우, 상기 제1 광학층(1450c)에 분산된 녹색 발광 복합체에 의해 생성된 녹색광은 상기 제2 광학층(1460c)에 분산된 적색 발광 복합체를 여기시킬 수 있으므로, 충분한 적색광을 생성할 수 있다. 또한, 상기 제1 광학층(1450c)에 분산된 녹색 발광 복합체는 발광 소자(1100)로부터 1차적으로 광을 제공받으므로 상기 제2 광학층(1460c)에 분산된 발광 복합체보다 상대적으로 높은 에너지를 전달받을 수 있고, 그 결과 상기 제1 광학층(1450c)에 분산된 상기 녹색 발광 복합체에 의해 생성되는 광의 파워 밀도를 극대화시킬 수 있다. 이 경우, 상기 제1 광학층(1450c)과 상기 제2 광학층(1460c) 중 하나 이상에는 상기 다색 발광 복합체가 더 분산될 수 있다.For example, the green light emitting complex may be dispersed in the first
다른 예로, 상기 제1 광학층(1450c)에는 상기 녹색 발광 복합체가 분산되고, 상기 제2 광학층(1460c)에는 상기 다색 발광 복합체가 분산될 수 있다.As another example, the green light emitting composite may be dispersed in the first
또 다른 예로, 상기 제1 광학층(1450c)에는 상기 다색 발광 복합체가 분산되고, 상기 제2 광학층(1460c)에는 상기 적색 발광 복합체가 분산될 수 있다.As another example, the multi-color light emitting complex may be dispersed in the first
또 다른 예로, 상기 제1 광학층(1450c)에는 상기 적색 발광 복합체 및 상기 다색 발광 복합체 중 하나 이상이 분산될 수 있고, 상기 제2 광학층(1460c)에는 상기 녹색 발광 복합체가 분산될 수 있다. 도 16은 도 11에 도시된 확산 시트(1400)의 또 다른 실시예를 설명하기 위한 단면도이다.As another example, one or more of the red light emitting complex and the multicolor light emitting complex may be dispersed in the first
도 11과 함께 도 16을 참조하면, 확산 시트(1400D)는 투명 필름(1430d) 및 광학층(1460d)을 포함한다. 상기 투명 필름(1430d)은 도 15에 도시된 투명 필름(1430c)과 실질적으로 동일하므로 중복된 상세한 설명은 생략한다. 상기 광학층(1460d)은 내부에 분산된 발광 복합체(10)를 포함한다는 것을 제외하고는 도 12에 도시된 광학층(1450a)과 실질적으로 동일하므로, 중복된 상세한 설명은 생략한다. Referring to Fig. 16 together with Fig. 11, the
상기 광학층(1460d) 내에는 적색 발광 복합체, 녹색 발광 복합체 및 적색 양자점과 녹색 양자점을 포함하는 다색 발광 복합체 중 선택된 하나 이상이 분산될 수 있다. 일 예로, 상기 광학층(1460d) 내에는 적색 발광 복합체 및 녹색 발광 복합체가 분산될 수 있다. 다른 예로, 상기 광학층(1460d) 내에는 상기 다색 발광 복합체가 분산될 수 있다. In the
상기에서 설명한 백라이트 유닛은 상기 광변환층을 포함하는 확산 시트를 이용함으로써 표시 장치의 색재현 영역을 넓히고 표시 장치가 표시하는 컬러의 색순도 및 색재현성을 향상시킬 수 있다. The backlight unit described above can improve the color purity and color reproducibility of the color displayed by the display device by using the diffusion sheet including the light conversion layer to widen the color reproduction area of the display device.
도 17은 본 발명의 다른 실시예에 따른 백라이트 유닛을 설명하기 위한 단면도이다. 17 is a cross-sectional view illustrating a backlight unit according to another embodiment of the present invention.
도 17을 참조하면, 백라이트 유닛(2000)은 발광 소자(2100), 도광판(2200), 반사판(2300), 확산 시트(2400), 제1 집광 시트(2500) 및 제2 집광 시트(2600)를 포함한다. 상기 확산 시트(2400) 및 상기 제1 집광 시트(2500)를 제외하고는 도 11에 도시된 백라이트 유닛(1000)과 실질적으로 동일하므로 중복된 상세한 설명은 생략한다. 17, the
상기 확산 시트(2400)는 투명 필름 및 광확산층을 포함하고, 양자점을 포함하지 않는 통상의 확산 시트이다. 상기 광확산층은 상기 투명 필름의 일 면에 형성되거나, 양면에 각각 형성될 수 있다. 상기 광확산층은 그 표면에 형성된 광확산 패턴을 포함하고, 상기 광확산 패턴은 도 12 및 도 13a 내지 도 13e에서 설명한 광학층(1450a)의 광확산 패턴(1451a)과 실질적으로 동일할 수 있다. 이와 달리, 상기 광확산층은 확산 비드들 또는 공극들을 포함할 수 있다. 상기 광확산층이 상기 확산 비드들 또는 상기 공극들을 포함하는 경우, 상기 광확산층의 표면은 평탄면(planarized surface)일 수 있다.The
상기 제1 집광 시트(2500)는 상기 확산 시트(2400) 상부에 배치된다. 이하 도 18을 참조하여 상기 제1 집광 시트(2500)에 대해 상술한다. The
도 18은 도 17에 도시된 제1 집광 시트(2500)의 일 실시예를 설명하기 위한 단면도이다. 18 is a cross-sectional view for explaining an embodiment of the first
도 17과 함께 도 18을 참조하면, 상기 제1 집광 시트(2500A)는 베이스 시트(2500a') 및 광학층(2560a)을 포함한다. Referring to FIG. 18 together with FIG. 17, the first
상기 베이스 시트(2500a')는 도 3 내지 도 10을 참조하여 설명한 광학 시트들(100, 200, 300, 400, 500, 600) 중 선택된 하나와 동일한 구조를 갖는다. 따라서 중복된 상세한 설명은 생략한다. The
상기 광학층(2560a)은 상기 베이스 시트(2500a')의 상부면 상에 위치하고, 표면에 형성된 집광 패턴(2561)을 포함한다. 상기 집광 패턴(2561)은 도 11을 참조하여 설명한 제1 집광 시트(1500)의 표면에 형성된 집광 패턴과 실질적으로 동일하므로 이에 대한 중복된 상세한 설명은 생략한다. The
도 19는 도 17에 도시된 제1 집광 시트(2500)의 다른 실시예를 설명하기 위한 단면도이다. 19 is a cross-sectional view for explaining another embodiment of the first
도 17과 함께 도 19를 참조하면, 상기 제1 집광 시트(2500B)는 베이스 시트(2500b'), 제1 광학층(2550b) 및 제2 광학층(2560b)을 포함한다. Referring to FIG. 19 together with FIG. 17, the first
상기 베이스 시트(2500b')는 도 3 내지 도 10을 참조하여 설명한 광학 시트들(100, 200, 300, 400, 500, 600) 중 선택된 하나와 동일한 구조를 갖는다. 따라서 중복된 상세한 설명은 생략한다. The
상기 제1 광학층(2550b)은 상기 베이스 시트(2500b')의 하부면 상에 위치하고, 표면에 형성된 광확산 패턴(2551b)을 포함한다. 상기 제1 광학층(2550b)은 도 14를 참조하여 설명한 제1 광학층(1450b)과 실질적으로 동일하므로 중복된 상세한 설명은 생략한다. The first
상기 제2 광학층(2560b)은 상기 베이스 시트(2500b')의 상부면 상에 위치하고, 표면에 형성된 집광 패턴(2561b)을 포함한다. 상기 제2 광학층(2560b)은 도 18을 참조하여 설명한 광학층(2560a)과 실질적으로 동일하므로 중복된 상세한 설명은 생략한다. The second
도 20은 도 17에 도시된 제1 집광 시트(2500)의 또 다른 실시예를 설명하기 위한 단면도이다. 20 is a cross-sectional view for explaining another embodiment of the first
도 17과 함께 도 20을 참조하면, 상기 제1 집광 시트(2500C)는 투명 필름(2530c), 제1 광학층(2550c) 및 제2 광학층(2560c)을 포함한다. Referring to FIG. 20 together with FIG. 17, the first
상기 제1 광학층(2550c)은 상기 투명 필름(2530c)의 하부면 상에 위치하고, 표면에 형성된 광확산 패턴(2551c)을 포함하며, 내부에 발광 복합체(10)가 분산된다. 상기 제2 광학층(2560c)은 상기 투명 필름(2530c)의 상부면 상에 위치하고, 표면에 형성된 집광 패턴(2561c)을 포함한다. 상기 투명 필름(2530c) 및 상기 제1 광학층(2550c)은 도 15에 도시된 투명 필름(1430c) 및 제1 광학층(1450c)과 실질적으로 동일하고, 상기 제2 광학층(2560c)은 도 19에 도시된 제2 광학층(2560b)과 실질적으로 동일하므로, 중복된 상세한 설명은 생략한다. The first
이상에서는 도 17에 도시된 제1 집광 시트(2500)가 도 18 내지 도 20의 경우와 같이 발광 복합체(10) 또는 발광 복합체를 갖는 광변환층을 포함하는 예들을 설명하였으나, 상기 제1 집광 시트(2500)로 통상의 집광 시트, 즉 발광 복합체 또는 발광 복합체를 포함하는 광변환층을 포함하지 않는 집광 시트를 이용하고, 상기 제2 집광 시트(2600)를 도 18 내지 도 20에서 설명된 구조로 형성하여 백라이트 유닛을 구성할 수도 있다.In the above description, the first light-collecting
도 21은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 백라이트 유닛을 설명하기 위한 단면도이다. 21 is a cross-sectional view illustrating a backlight unit according to another embodiment of the present invention.
도 21을 참조하면, 백라이트 유닛(3000)은 발광 소자(3100), 도광판(3200), 반사판(3300) 및 역프리즘 시트(3500)을 포함한다. 상기 발광 소자(3100), 도광판(3200) 및 반사판(3300)은 도 11에 도시된 백라이트 유닛(1000)의 발광 소자(1100), 도광판(1200), 및 반사판(1300)과 실질적으로 동일하므로 중복된 상세한 설명은 생략한다.21, the
상기 역프리즘 시트(3500)는 상기 도광판(3200) 상에 배치된다. 이하 도 22를 참조하여 상기 역프리즘 시트(3500)에 대해 상술한다. The
도 22는 도 21에 도시된 역프리즘 시트(3500)의 일 실시예를 설명하기 위한 단면도이다. FIG. 22 is a cross-sectional view for explaining an embodiment of the
도 21과 함께 도 22를 참조하면, 역프리즘 시트(3500A)는 베이스 시트(3500a'), 제1 광학층(3550a) 및 제2 광학층(3560a)을 포함한다. Referring to Fig. 22 together with Fig. 21, the
상기 베이스 시트(3500a')은 도 3 내지 도 10을 참조하여 설명한 광학 시트들(100, 200, 300, 400, 500, 600) 중 선택된 하나와 동일한 구조를 갖는다. 따라서 중복된 상세한 설명은 생략한다. The
상기 제1 광학층(3550a)은 상기 베이스 시트(3500a')의 하부면 상에 위치하고, 표면에 형성된 집광 패턴(3551a)을 포함한다. 즉, 상기 제1 광학층(3550a)은 상기 도광판(3200)과 마주보도록 상기 베이스 시트(3500a')의 하부면 상에 배치된다. 상기 제1 광학층(3550a)의 표면에 형성된 집광 패턴(3551a)은 도 20에 도시된 제2 광학층(2560c)의 표면에 형성된 집광 패턴(2561c)과 실질적으로 동일하므로 중복된 상세한 설명은 생략한다. The first
상기 제2 광학층(3560a)은 상기 베이스 시트(3500a')의 상부면 상에 위치하고, 표면에 형성된 광확산 패턴(3561a)을 포함한다. 상기 제2 광학층(3560a)은 도 14에 도시된 제2 광학층(1460b)과 실질적으로 동일하므로 중복된 상세한 설명은 생략한다. The second
도 23은 도 21에 도시된 역프리즘 시트(3500)의 다른 실시예를 설명하기 위한 단면도이다. FIG. 23 is a cross-sectional view for explaining another embodiment of the
도 21과 함께 도 23을 참조하면, 역프리즘 시트(3500B)는 베이스 시트(3500b') 및 광학층(3550b)을 포함한다. Referring to Fig. 23 together with Fig. 21, the
상기 베이스 시트(3500b')는 도 3 내지 도 10을 참조하여 설명한 광학 시트들(100, 200, 300, 400, 500, 600) 중 선택된 하나와 동일한 구조를 갖는다. 따라서 중복된 상세한 설명은 생략한다. The
상기 광학층(3550b)은 상기 베이스 시트(3500b')의 하부면 상에 위치하고, 표면에 형성된 집광 패턴을 포함한다. 즉, 상기 역프리즘 시트(3500B)는 상기 광학층(3550b)이 상기 도광판(3200)을 향하도록 상기 도광판(3200) 상에 배치된다. 상기 광학층(3550b)은 도 22에 도시된 제1 광학층(3550a)과 실질적으로 동일하므로 중복된 상세한 설명은 생략한다. The
도 22 및 도 23에서 설명한 역프리즘 시트를 이용함으로써, 백라이트 유닛의 구성에 필요한 광학 시트의 수를 최소화시키면서도 휘도를 최대화할 수 있다. 동시에, 상기 역프리즘 시트에 발광 복합체를 적용시킴으로써 상기 백라이트 유닛이 제공하는 광이 상기 표시 패널의 컬러필터를 통과하여 나타내는 컬러의 색순도를 향상시킬 수 있다.
By using the inverse prism sheet described with reference to Figs. 22 and 23, the brightness can be maximized while minimizing the number of optical sheets necessary for the construction of the backlight unit. At the same time, by applying the light emitting composite to the reverse prism sheet, the color purity of the color that the light provided by the backlight unit passes through the color filter of the display panel can be improved.
도 24는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 백라이트 유닛을 설명하기 위한 단면도이다. 24 is a cross-sectional view illustrating a backlight unit according to another embodiment of the present invention.
도 24를 참조하면, 백라이트 유닛(4000)은 발광 소자(4100), 도광판(4200), 반사판(4300), 역프리즘 시트(4500) 및 보호 시트(4600)를 포함한다. 상기 역프리즘 시트(4500) 및 상기 보호 시트(4600)를 제외하고는 도 21에 도시된 백라이트 유닛(3000)과 실질적으로 동일하므로 중복된 상세한 설명은 생략한다. 24, the
상기 역프리즘 시트(4500)는 상기 도광판(4200) 상부에 배치되고, 상기 도광판(4200) 방향으로 돌출된 집광 패턴을 포함한다. The
상기 보호시트(4600)는 상기 도광판(4200)과 상기 역프리즘 시트(4500) 사이에 배치되어, 상기 역프리즘 시트(4500)의 표면에 형성된 집광 패턴의 손상을 방지하면서 상기 도광판(4200)에서 출사된 광을 균일하게 확산시켜 상기 역프리즘 시트(4500)로 전달한다. 상기 보호시트(4600)는 베이스 시트(4600'), 제1 광학층(4650) 및 제2 광학층(4660)을 포함한다. The
상기 베이스 시트(4600')는 도 3 내지 도 10을 참조하여 설명한 광학 시트들(100, 200, 300, 400, 500, 600) 중 선택된 하나와 동일한 구조를 갖는다. 따라서 중복된 상세한 설명은 생략한다. The base sheet 4600 'has the same structure as the selected one of the
상기 제1 광학층(4650)은 상기 베이스 시트(4600')의 하부면 상에 위치하고, 상기 제2 광학층(4660)은 상기 베이스 시트(4600')의 상부면 상에 위치한다. 상기 제1 및 제2 광학층들(4650, 4660) 각각의 표면에는 광확산 패턴(4651, 4661)이 형성될 수 있다. 상기 제1 및 제2 광학층들(4650, 4660) 각각은 약 1 ㎛ 내지 15 ㎛의 평균 두께를 갖도록 형성될 수 있다.The first
한편, 도 24에는 상기 보호시트(4600)가 상기 제1 및 제2 광학층들(4650, 4660)을 모두 포함하는 것으로 도시되어 있으나, 상기 역프리즘 시트(4500)의 집광 패턴을 보호하고, 상기 역프리즘 시트(4500)에 형성된 집광 패턴의 정점과 상기 보호 시트(4600)의 접촉면적을 줄여 ?-아웃(Wet-Out)과 같은 광학적 결함을 감소시키기 위해, 상기 보호시트(4600)는 상기 제2 광학층(4660)만을 포함할 수 있다.
24, the
발광 복합체의 제조Preparation of Light Emitting Composites
[실시예 1][Example 1]
톨루엔 1 ml에 이오노머 20 mg을 혼합한 후, 약 110℃로 온도를 상승시킴으로써 상기 이오노머를 용해시켜 이오노머 용액을 제조하였다. 상기 이오노머 용액에, 톨루엔 1ml에 약 20 mg의 CdSe계의 적색 양자점인 Nanodot-HE-615(상품명, QD solution사, 한국)이 분산된 용액을 혼합한 후, 상온으로 냉각시켰다. 이후, 증발기(Evaporator)를 이용하여 톨루엔을 제거한 후, 파우더 상태의 본 발명의 실시예 1에 따른 발광 복합체를 제조하였다.20 mg of ionomer was mixed with 1 ml of toluene and the temperature was raised to about 110 ° C to dissolve the ionomer to prepare an ionomer solution. To the ionomer solution, a solution in which about 20 mg of CdSe-based red quantum dots, Nanodot-HE-615 (trade name, QD solution, Korea) was dispersed in 1 ml of toluene was mixed and then cooled to room temperature. Thereafter, toluene was removed using an evaporator, and a light emitting composite according to Example 1 of the present invention in a powder state was prepared.
상기 이오노머로는 에틸렌과 아크릴산의 공중합체를 Ca2+ 이온으로 부분 치환한 것으로 녹는점(melting point)이 약 102℃인 Aclyn 201A (상품명, Honeywell사, 미국)를 사용하였다.
As the ionomer, Aclyn 201A (trade name, Honeywell, USA) having a melting point of about 102 ° C obtained by partially replacing a copolymer of ethylene and acrylic acid with Ca 2+ ion was used.
[실시예 2][Example 2]
이오노머의 종류 및 이오노머 용액을 제조하기 위한 용해 온도를 제외하고는, 실시예 1에서 발광 복합체를 제조한 방법과 실질적으로 동일한 방법으로 본 발명의 실시예 2에 따른 발광 복합체를 제조하였다. 실시예 2에 따른 발광 복합체의 제조에는, Na+ 이온으로 부분 치환된 이오노머로 녹는점(melting point)이 약 82℃인 Aclyn 285A (상품명, Honeywell사, 미국)를 약 90℃에서 용해시켜 사용하였다
The light emitting complex according to Example 2 of the present invention was prepared in substantially the same manner as in the method of preparing the light emitting complex in Example 1, except for the kind of the ionomer and the dissolving temperature for preparing the ionomer solution. The light emitting complex according to Example 2 was prepared by dissolving Aclyn 285A (trade name, Honeywell, USA) having a melting point of about 82 ° C in an ionomer partially substituted with Na + ions at about 90 ° C
[실시예 3][Example 3]
이오노머의 종류 및 이오노머 용액을 제조하기 위한 용해 온도를 제외하고는, 실시예 1에서 발광 복합체를 제조한 방법과 실질적으로 동일한 방법으로 본 발명의 실시예 3에 따른 발광 복합체를 제조하였다. 실시예 3에 따른 발광 복합체의 제조에는, Zn2+ 이온으로 부분 치환된 이오노머로 녹는점(melting point)이 약 99℃인 Aclyn 295A (상품명, Honeywell사, 미국)를 약 110℃에서 용해시켜 사용하였다.
The light emitting complex according to Example 3 of the present invention was prepared in substantially the same manner as in the method of preparing the light emitting complex in Example 1, except for the kind of the ionomer and the dissolving temperature for preparing the ionomer solution. In preparing the light emitting composite according to Example 3, Aclyn 295A (trade name, Honeywell, USA) having a melting point of about 99 ° C was dissolved at about 110 ° C in an ionomer partially substituted with Zn 2+ ions Respectively.
[실시예 4][Example 4]
이오노머의 종류 및 이오노머 용액을 제조하기 위한 용해 온도를 제외하고는, 실시예 1에서 발광 복합체를 제조한 방법과 실질적으로 동일한 방법으로 본 발명의 실시예 4에 따른 발광 복합체를 제조하였다. 실시예 4에 따른 발광 복합체의 제조에는, Mg2+ 이온으로 부분 치환된 이오노머로 녹는점(melting point)이 약 95℃인 Aclyn 246A (상품명, Honeywell사, 미국)를 약 105℃에서 용해시켜 사용하였다.
The light emitting complex according to Example 4 of the present invention was prepared in substantially the same manner as in the method of preparing the light emitting complex in Example 1, except for the kind of the ionomer and the dissolving temperature for preparing the ionomer solution. The light emitting complex according to Example 4 was prepared by dissolving Aclyn 246A (trade name, Honeywell, USA) having a melting point of about 95 ° C at about 105 ° C in an ionomer partially substituted with Mg 2+ ions Respectively.
[실시예 5][Example 5]
(1) 이오노머의 제조 (제조예 1)(1) Preparation of ionomer (Preparation Example 1)
질소 분위기 하에서 녹는점이 약 70℃인 폴리에틸렌-아크릴산 공중합체 고분자 2.0g을 10ml의 톨루엔과 혼합한 후 약 70℃에서 1시간 동안 교반시켜 고분자 용액을 제조하였다. 이후 제조된 고분자 용액에 아세트산 아연(Zn(Et)2)이 0.3M 농도로 톨루엔에 용해된 용액 100ml를 첨가하고 1시간 동안 반응시켜서 Zn2+ 이온으로 부분 치환된 이오노머를 수득하였다. 제조된 이오노머의 녹는점(melting point)은 약 52℃ 이다.2.0 g of a polyethylene-acrylic acid copolymer polymer having a melting point of about 70 캜 in a nitrogen atmosphere was mixed with 10 ml of toluene and stirred at about 70 캜 for 1 hour to prepare a polymer solution. Subsequently, 100 ml of a solution of zinc acetate (Zn (Et) 2 ) dissolved in toluene at a concentration of 0.3 M was added to the prepared polymer solution, and the mixture was reacted for 1 hour to obtain an ionomer partially substituted with Zn 2+ ions. The melting point of the prepared ionomer is about 52 캜.
(2) 발광복합체의 제조(2) Preparation of a light emitting complex
이오노머의 종류 및 이오노머 용액을 제조하기 위한 용해 온도를 제외하고는, 실시예 1에서 발광 복합체를 제조한 방법과 실질적으로 동일한 방법으로 본 발명의 실시예 5에 따른 발광 복합체를 제조하였다. 실시예 5에 따른 발광 복합체의 제조에는, 제조예 1에서 제작된 녹는점이 약 52℃이며, Zn2+ 이온으로 부분 치환된 이오노머를 약 60℃에서 용해시켜 사용하였다.
The light emitting complex according to Example 5 of the present invention was prepared in substantially the same manner as in the method of preparing the light emitting complex in Example 1 except for the kind of the ionomer and the dissolving temperature for preparing the ionomer solution. In the preparation of the light emitting composite according to Example 5, the ionomer prepared in Preparation Example 1 having a melting point of about 52 ° C and partially substituted with Zn 2+ ions was dissolved at about 60 ° C.
[실시예 6] [Example 6]
(1) 이오노머의 제조 (제조예 2)(1) Preparation of ionomer (Production Example 2)
질소 분위기 하에서 녹는점이 160℃인 폴리에틸렌-아크릴산 공중합체 고분자 2.0g을 10ml의 톨루엔과 혼합한 후 70℃에서 1시간 동안 교반시켜 고분자 용액을 제조하였다. 이후 제조된 고분자 용액에 아세트산 아연(Zn(Et)2)이 0.3M 농도로 톨루엔에 용해된 용액 100ml를 첨가하고 1시간 동안 반응시켜서 Zn2+ 이온으로 부분 치환된 이오노머를 수득하였다. 제조된 이오노머의 녹는점(melting point)은 약 148℃ 이다.2.0 g of a polyethylene-acrylic acid copolymer polymer having a melting point of 160 캜 in a nitrogen atmosphere was mixed with 10 ml of toluene and stirred at 70 캜 for 1 hour to prepare a polymer solution. Subsequently, 100 ml of a solution of zinc acetate (Zn (Et) 2 ) dissolved in toluene at a concentration of 0.3 M was added to the prepared polymer solution, and the mixture was reacted for 1 hour to obtain an ionomer partially substituted with Zn 2+ ions. The melting point of the prepared ionomer is about 148 ° C.
(2) 발광 복합체의 제조(2) Preparation of a light emitting complex
디메틸포름아미드(dimethylformamide) 1 ml에 상기 제조예 2의 이오노머 20 mg을 혼합한 후, 약 160℃로 온도를 상승시킴으로써 상기 제조예 2의 이오노머를 용해시켜 이오노머 용액을 제조하였다. 상기 이오노머 용액에, 톨루엔 1ml에 약 20 mg의 CdSe계의 적색 양자점인 Nanodot-HE-615(상품명, QD solution사, 한국)이 분산된 용액을 혼합한 후, 상온으로 냉각시켰다. 이후, 증발기(Evaporator)를 이용하여 디메틸포름아미드 및 톨루엔을 제거하여 파우더 상태의 본 발명의 실시예 1에 따른 발광 복합체를 제조하였다.
20 mg of the ionomer of Preparation Example 2 was mixed with 1 ml of dimethylformamide and the temperature was raised to about 160 ° C to dissolve the ionomer of Preparation Example 2 to prepare an ionomer solution. To the ionomer solution, a solution in which about 20 mg of CdSe-based red quantum dots, Nanodot-HE-615 (trade name, QD solution, Korea) was dispersed in 1 ml of toluene was mixed and then cooled to room temperature. Thereafter, dimethylformamide and toluene were removed using an evaporator to prepare a light emitting complex according to Example 1 of the present invention in a powder state.
[비교예 1][Comparative Example 1]
CdSe계 적색 양자점인 Nanodot-HE-615(상품명, QD solution사, 한국)을 준비하였다.
CdSe-based red quantum dots, Nanodot-HE-615 (trade name, QD solution, Korea) were prepared.
발광 복합체의 특성 평가Characterization of luminescent complexes
[실험예 1] - 양자효율 평가 (1)[Experimental Example 1] Quantum efficiency evaluation (1)
본 발명의 실시예 1 내지 6에 따른 발광 복합체들 각각과 톨루엔을 혼합하여 측정 샘플 1 내지 6을 제조하였다. 한편, 비교예 1에 따른 양자점을 톨루엔에 혼합하여 비교 샘플 1을 제조하였다.Measurement samples 1 to 6 were prepared by mixing toluene with each of the light emitting composites according to Examples 1 to 6 of the present invention. On the other hand, Comparative Sample 1 was prepared by mixing the quantum dots according to Comparative Example 1 with toluene.
상기 측정 샘플 1을 이용하여 본 발명의 실시예 1에 따른 발광 복합체의 양자효율(Quantum Yield, QY) 및 발광 파장을 측정하였다. 측정은 절대양자효율측정기인 C11347-11(상품명, HAMAMATSU사, 일본)를 이용하여 진행하였다.Quantum efficiency (QY) and emission wavelength of the light emitting composite according to Example 1 of the present invention were measured using the measurement sample 1 described above. The measurement was carried out using an absolute quantum efficiency meter C11347-11 (trade name, HAMAMATSU, Japan).
동일한 방법으로, 상기 측정 샘플 2 내지 6을 이용하여 본 발명의 실시예 2 내지 6에 따른 발광 복합체의 양자효율 및 발광 파장을 측정하였다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.In the same manner, the quantum efficiency and the emission wavelength of the light emitting composite according to Examples 2 to 6 of the present invention were measured using the measurement samples 2 to 6 described above. The results are shown in Table 1.
또한, 비교 샘플 1을 이용하여 비교예 1에 따른 양자점의 양자효율 및 발광 파장을 측정하였다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.The quantum efficiency and the emission wavelength of the quantum dot according to Comparative Example 1 were measured using the comparative sample 1. The results are shown in Table 1.
(in toluene)division
(in toluene)
(QY, %)Quantum efficiency
(QY,%)
(nm)Emission wavelength
(nm)
표 1의 측정 결과를 참조하면, 본 발명의 실시예 1 내지 5의 발광 복합체가 톨루엔에 분산된 경우의 양자효율은 각각 93.9%, 93.5%, 94.5%, 93.9% 및 90.1%임을 알 수 있다. 한편, 비교예 1에 따른 양자점이 톨루엔에 분산된 경우의 양자효율은 90.3%임을 알 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예 1 내지 5에 따른 발광 복합체의 경우가 비교예 1에 따른 양자점의 경우보다 양자효율이 높거나 적어도 유사한 것을 알 수 있다.Referring to the measurement results of Table 1, it can be seen that quantum efficiencies in the case where the light emitting complexes of Examples 1 to 5 of the present invention are dispersed in toluene are 93.9%, 93.5%, 94.5%, 93.9% and 90.1%, respectively. On the other hand, the quantum efficiency in the case where the quantum dot according to Comparative Example 1 is dispersed in toluene is found to be 90.3%. Therefore, it can be seen that the quantum efficiency of the light emitting composite according to Examples 1 to 5 of the present invention is higher or at least similar to that of the quantum dot of Comparative Example 1.
반면, 본 발명의 실시예 6에 따른 발광 복합체가 톨루엔에 분산된 경우에는 양자효율이 85.7%로서 비교예 1에 따른 양자점의 경우보다 양자효율이 낮은 것을 알 수 있다.On the other hand, when the light emitting complex according to Example 6 of the present invention is dispersed in toluene, the quantum efficiency is 85.7%, which is lower than that of the quantum dot according to Comparative Example 1.
본 발명의 실시예 1 내지 5의 발광 복합체가 톨루엔에 분산된 경우의 발광 파장은 각각 615.2 nm, 614.6 nm, 614.4 nm, 614.4 nm 및 614.9 nm이고, 비교예 1에 따른 양자점의 발광 파장은 614.2 nm임을 알 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예 1 내지 5와 같이 녹는점이 약 140℃ 이하인 이오노머에 의해서 캡슐화된 발광 복합체의 발광 파장과 비교예 1에 따른 양자점의 발광 파장의 차이는 약 1 nm 미만으로서 발광 파장이 실질적으로 동일하다고 볼 수 있다. The emission wavelengths when the light emitting complexes of Examples 1 to 5 of the present invention were dispersed in toluene were 615.2 nm, 614.6 nm, 614.4 nm, 614.4 nm and 614.9 nm, respectively, and the emission wavelength of the quantum dot according to Comparative Example 1 was 614.2 nm . Therefore, as in Examples 1 to 5 of the present invention, the difference between the luminescence wavelength of the luminescent complex encapsulated by the ionomer having a melting point of about 140 캜 or less and the luminescence wavelength of the quantum dot of Comparative Example 1 is less than about 1 nm, As shown in Fig.
반면, 본 발명의 실시예 6에 따른 발광 복합체의 발광 파장은 619.2 nm로서, 비교예 1에 따른 양자점의 발광파장과는 5nm의 차이를 보이며 본 발명의 실시예 1 내지 5에 따른 발광 복합체의 경우와도 4 nm 내지 4.8 nm의 차이를 보이는 것을 알 수 있다. On the other hand, the emission wavelength of the light emitting composite according to Example 6 of the present invention is 619.2 nm, which is different from the emission wavelength of the quantum dot according to Comparative Example 1 by 5 nm. In the case of the light emitting composite according to Examples 1 to 5 of the present invention Lt; RTI ID = 0.0 > nm < / RTI > to 4.8 nm.
상기에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 실시예 6에 따른 발광 복합체는 실시예 1 내지 5에 따른 발광 복합체 및 비교예 1에 따른 양자점의 경우에 비하여 양자효율이 저하되고 발광 파장 또한 크게 변화되는 것을 알 수 있다. 즉, 실시예 6과 같이 녹는점이 약 140℃를 초과하는 이오노머를 이용하여 발광 복합체를 제조할 경우, 이오노머를 용해시키기 위해서 가해지는 높은 온도에 의하여 양자점이 손상되어 발광 복합체의 양자효율이 저하되고 발광 파장이 변화되는 것을 알 수 있다.As described above, the luminescent complex according to Example 6 of the present invention shows that the quantum efficiency is lowered and the luminescence wavelength is also largely changed as compared with the luminescent complex according to Examples 1 to 5 and the quantum dot according to Comparative Example 1, . That is, when the light emitting complex is prepared using an ionomer having a melting point higher than about 140 ° C as in Example 6, the quantum dots are damaged due to the high temperature applied to dissolve the ionomer, It can be seen that the wavelength is changed.
[실험예 2] - 양자효율 평가 (2)[Experimental Example 2] Quantum efficiency evaluation (2)
본 발명의 실시예 1 내지 6에 따른 발광 복합체들 각각을 실록산 수지인 OE-6630 A/B kit(상품명, 다우코닝 실리콘사, 미국) 중 B kit와 광학 밀도(optical density, OD) 값이 0.1인 농도로 혼합하여 측정 샘플 7 내지 12를 제조하였다.Each of the light emitting composites according to Examples 1 to 6 of the present invention was irradiated with a B kit in an OE-6630 A / B kit (trade name, Dow Corning Silicone Co., USA) as a siloxane resin and an optical density Phosphorus concentration to prepare measurement samples 7 to 12.
또한, 비교예 1에 따른 양자점을 OE-6630와, OD값이 0.1인 농도로 혼합하여 비교 샘플 2를 제조하였다.In addition, Comparative Sample 2 was prepared by mixing the quantum dots according to Comparative Example 1 with OE-6630 at a density of 0.1.
상기 측정 샘플 7 내지 12 및 상기 비교 샘플 2 각각에 대하여, 절대양자효율측정기인 C11347-11(상품명, HAMAMATSU사, 일본)를 이용하여 양자효율 및 발광 파장을 측정하였다. 그 결과를 표 2에 나타낸다.Quantum efficiencies and emission wavelengths of the measurement samples 7 to 12 and the comparison sample 2 were measured using an absolute quantum efficiency meter C11347-11 (trade name, HAMAMATSU, Japan). The results are shown in Table 2.
(in OE-6630)division
(in OE-6630)
표 2의 측정결과를 참조하면, 측정 샘플 7 내지 12에서와 같이 실록산 수지에 분산된 경우, 본 발명의 실시예 1 내지 4에 따른 발광 복합체의 양자효율은 각각 93.7%, 93.2%, 94.1%, 및 93.6%임에 반하여, 실시예 5 및 6 에 따른 발광 복합체 양자효율은 각각 80.9% 및 76.3%로서 실시예 5는 실시예 1내지 4의 경우에 비하여 양자효율이 12.3% 이상 감소되고, 실시예 6은 16.9% 이상 감소되는 것을 알 수 있다.Referring to the measurement results in Table 2, when the quantum efficiency of the light emitting composites according to Examples 1 to 4 of the present invention was 93.7%, 93.2%, 94.1%, respectively, when dispersed in the siloxane resin as in the measurement samples 7 to 12, And 93.6%, respectively, the quantum efficiencies of the light emitting complexes according to Examples 5 and 6 were 80.9% and 76.3%, respectively, and the quantum efficiency of Example 5 was reduced by 12.3% or more as compared with the cases of Examples 1 to 4, 6 is decreased by 16.9% or more.
한편, 비교 샘플 2에서와 같이 양자점을 실록산 수지에 분산한 경우의 양자효율은 81.0%임을 알 수 있다. 따라서, 양자점을 이오노머로 캡슐화하여 발광 복합체를 제조하는 과정에서 상기 실시예 5와 같이 녹는점이 약 60℃ 미만인 이오노머가 사용되거나 상기 실시예 6과 같이 녹는점이 약 140℃를 초과하는 이오노머가 사용되는 경우에는 발광 복합체를 실록산 수지에 분산시킬 경우 양자점만을 분산시킨 경우와 유사한 수준으로 양자효율이 감소되는 것을 알 수 있다. 이 경우, 실시예 6의 경우가 실시예 5의 경우에 비하여 양자효율의 감소가 더욱 큰 것을 알 수 있다.On the other hand, it can be seen that the quantum efficiency when the quantum dots are dispersed in the siloxane resin is 81.0% as in Comparative Sample 2. Therefore, when an ionomer having a melting point of less than about 60 캜 is used as in the case of Example 5 or an ionomer having a melting point exceeding about 140 캜 is used as in the case of Example 6, in the course of preparing a light emitting composite by encapsulating the quantum dot with an ionomer It can be seen that the quantum efficiency is reduced to a level similar to the case where only the quantum dot is dispersed when the light emitting complex is dispersed in the siloxane resin. In this case, it can be seen that the decrease in the quantum efficiency is greater in the case of the sixth embodiment than in the case of the fifth embodiment.
발광 파장의 경우, 본 발명의 실시예 1 내지 4에 따른 발광 복합체가 실록산 수지에 분산된 경우인 측정 샘플 7 내지 10의 발광 파장은 621.4 nm, 622.1 nm, 620.9 nm 및 621.6 nm으로서 유사한 발광 파장을 보이는 것을 알 수 있다. In the case of the emission wavelength, the emission wavelengths of the measurement samples 7 to 10, in which the emission complex according to Examples 1 to 4 of the present invention were dispersed in the siloxane resin, were 621.4 nm, 622.1 nm, 620.9 nm and 621.6 nm, You can see what you see.
반면, 본 발명의 실시예 5 및 6 에 따른 발광 복합체가 실록산 수지에 분산된 경우인 측정 샘플 11 및 12의 발광 파장은 각각 626.9 nm 및 630.6 nm임을 알 수 있다. 따라서, 실록산 수지에 분산되는 경우 상기 실시예 5의 발광 복합체는 상기 실시예 1 내지 4의 발광 복합체에 비하여 4.8 nm 이상 발광 파장이 변화되었다. 상기 실시예 6의 발광 복합체는 상기 실시예 1 내지 4의 경우에 비하여 8.5 nm 이상 발광 파장이 변화된 것을 알 수 있다. 발광 파장의 변화폭은 상대적으로 실시예 6의 경우가 더 큰 것을 알 수 있다.On the other hand, it can be seen that the emission wavelengths of
한편, 실록산 수지에 비교예 1에 따른 양자점이 분산된 경우의 발광 파장은 627.1 nm로서, 상기 실시예 5 및 실시예 6의 발광 파장 변화폭 사이의 수준으로 발광 파장이 변화된 것을 알 수 있다. On the other hand, the emission wavelength when the quantum dot according to Comparative Example 1 was dispersed in the siloxane resin was 627.1 nm, and the emission wavelength was changed to the level between the emission wavelength change widths of Examples 5 and 6. [
상기에서 살펴본 바와 같이, 실시예 5 및 실시예 6은 실시예 1 내지 실시예 4의 경우에 비하여 양자효율의 감소 및 발광 파장의 변화가 급격히 발생되었다. As described above, in Examples 5 and 6, the quantum efficiency was decreased and the emission wavelength was rapidly changed as compared with the cases of Examples 1 to 4.
실시예 5에서는 녹는점이 60℃ 미만인 이오노머를 용해시키기 위해서 온도를 약 60℃까지 상승시켰다. 따라서 다른 실시예의 경우보다 이오노머를 용해시키기 위한 용해 온도가 낮으며, 상온으로 냉각되는데 소요되는 시간이 상대적으로 짧은 특징이 있다. 그 결과 양자점이 이오노머에 의해서 충분히 캡슐화 되지 못하여 실록산 수지에 분산될 경우 양자효율이 저하되며 발광 파장 또한 변화되는 것을 알 수 있다.In Example 5, the temperature was raised to about 60 ° C to dissolve the ionomer having a melting point of less than 60 ° C. Therefore, the dissolution temperature for dissolving the ionomer is lower than that of the other embodiments, and the time required for cooling to room temperature is relatively short. As a result, the quantum dots are not sufficiently encapsulated by the ionomer, and when dispersed in the siloxane resin, the quantum efficiency is lowered and the emission wavelength is also changed.
실시예 6에서는 녹는점이 140℃를 초과하는 이오노머를 용해시키기 위해 온도를 약 160℃까지 상승시켰는데 이 과정에서 양자점이 손상되어 양자효율 및 발광 파장의 변화가 상대적으로 가장 크게 발생된 것을 알 수 있다.In Example 6, in order to dissolve the ionomer having a melting point exceeding 140 캜, the temperature was raised to about 160 캜. In this process, the quantum dots were damaged and the quantum efficiency and the change in the emission wavelength were relatively greatest .
[실험예 3] - 분산 안정성의 평가[Experimental Example 3] - Evaluation of dispersion stability
상기 측정 샘플 7 내지 12 및 상기 비교 샘플 2에 대하여, 투과도 측정장치인 Cary-4000(상품명, Agilent사, 미국)을 이용하여 샘플들을 제조한 직후의 투과도(분산 직후의 투과도)를 각각 측정하였다. 이후 1개월이 경과한 후에 이들의 투과도(1개월 후의 투과도)를 다시 측정하여 분산 안정성을 산출하였다. 그 결과를 표 3에 나타낸다.Transmittance (transmittance immediately after dispersion) of each of the measurement samples 7 to 12 and the comparative sample 2 immediately after the preparation of the samples was measured using a Cary-4000 (trade name, Agilent, USA) as a permeability measurement device. After one month, their permeability (permeability after 1 month) was measured again to calculate the dispersion stability. The results are shown in Table 3.
(in OE-6630)division
(in OE-6630)
상기 "분산 직후의 투과도"는 상기 측정 샘플들 또는 비교 샘플을 제조한 직후에 투과도로서 가시광 영역인 약 400nm 내지 약 700nm 범위 내의 투과도에 대해 산술 평균을 취한 값(단위:%)이다. 또한, "1개월 후의 투과도"는 상기 "분산 직후의 투과도"를 측정한 샘플들을 상온에서 방치한 상태에서 1개월이 경과된 시점에 동일한 방식으로 투과도를 측정하여 산술 평균을 취한 값이다(단위:%). The "transmittance immediately after dispersion" is a value (unit:%) obtained by taking an arithmetic average for the transmittance within a visible light range of about 400 nm to about 700 nm immediately after preparing the measurement samples or the comparative sample. The "transmittance after one month" is a value obtained by measuring the transmittance in the same manner at the time when one month has elapsed from the measurement of the above-mentioned "transmittance after dispersion" %).
표 3의 분산 안정성(%)은 "분산 직후의 투과도"와 "1개월 후의 투과도"의 차이값을 의미한다. 분산 안정성이 좋지 못한 샘플일수록 시간이 경과됨에 따라 침전이 많이 발생되므로 가시광의 투과도가 증가하게 되며, 그 결과 "분산 직후의 투과도"와 "1개월 후의 투과도"의 차이는 커지게 된다. 따라서, 분산 안정성(%)은 샘플의 분산 안정성이 좋지 못할수록 큰 값을 갖게 된다.The dispersion stability (%) in Table 3 means the difference between the "permeability immediately after dispersion" and the "permeability after 1 month". As the sample with poor dispersion stability has a tendency to precipitate as time passes, the transparency of visible light increases, and as a result, the difference between the "transmittance immediately after dispersion" and the "transmittance after 1 month" becomes large. Therefore, the dispersion stability (%) becomes larger as the dispersion stability of the sample is poor.
표 3을 참조하면, 측정 샘플 7 내지 12의 분산 안정성은 각각 2%, 3%, 2%, 3%, 8% 및 7%임을 알 수 있다. 반면, 비교 샘플 2의 분산 안정성은 15%임을 알 수 있다. 즉, 본 발명의 실시예들에 따른 발광 복합체의 분산 안정성이 비교 샘플 2에 비해서 월등히 우수한 것을 알 수 있다. 이는 시간이 경과하더라도 침전이 생기지 않고 실록산 수지 내에서 안정적으로 분산된 상태가 유지됨을 알 수 있다. 다만, 측정 샘플 11 및 12 는, 비교 샘플 2에 비해서는 분산 안정성이 좋지만, 측정 샘플 7 내지 10에 비해서는 분산 안정성이 좋지 않은 것을 알 수 있다.Referring to Table 3, it can be seen that the dispersion stability of the measurement samples 7 to 12 is 2%, 3%, 2%, 3%, 8% and 7%, respectively. On the other hand, the dispersion stability of Comparative Sample 2 is found to be 15%. That is, it can be seen that the dispersion stability of the light emitting composite according to the embodiments of the present invention is far superior to Comparative Sample 2. It can be seen that even after the elapse of time, the precipitate does not occur and the dispersed state is stably maintained in the siloxane resin. However, the
[실험예 4] - 자외선 안정성 및 열/수분 안정성의 평가 -1[Experimental Example 4] Evaluation of ultraviolet stability and heat / moisture stability -1
파우더 상태의 실시예 1에 따른 발광 복합체를 준비하고 이에 대한 제1 양자효율(QYT1, 단위:%)을 절대양자효율측정기인 C11347-11(상품명, HAMAMATSU사, 일본)를 이용하여 측정하였다. 이어서, 파장이 365nm인 자외선(UV)을 약 1 mW/cm2의 복사 강도로 150시간 동안, 즉 약 540 J/cm2의 가혹 조건으로 조사한 후, 제2 양자효율(QYT2, 단위:%)을 측정하였다. 상기 제1 양자효율 및 상기 제2 양자효율의 차이(△QY1=QYT1-QYT2, 단위:%)를 산출하여 실시예 1에 따른 발광 복합체에 대한 자외선 안정성을 평가하였다. 그 결과를 표 4에 나타낸다.The light emitting complex according to Example 1 of the powder state was prepared and the first quantum efficiency (QYT1, unit:%) was measured using an absolute quantum efficiency meter C11347-11 (trade name, HAMAMATSU, Japan). Then, for 150 hours to ultraviolet (UV) having a wavelength of 365nm to the radiation intensity of about 1 mW / cm 2, i.e. after irradiating the harsh conditions of about 540 J / cm 2, a second quantum efficiency (QYT2, Unit:%) Were measured. A difference (ΔQY1 = QYT1-QYT2, unit:%) between the first quantum efficiency and the second quantum efficiency was calculated to evaluate the ultraviolet stability of the light emitting complex according to Example 1. The results are shown in Table 4.
파우더 상태의 실시예 2 내지 실시예 6에 따른 발광 복합체들과 비교예 1에 따른 양자점을 준비하고, 각각에 대해 파우더 상태의 실시예 1에 따른 발광 복합체에 대한 실험 방법과 실질적으로 동일한 방법으로 파우더 상태의 실시예 2 내지 6에 따른 발광 복합체들과 비교예 1에 따른 양자점 각각에 대한 자외선 안정성을 평가하였다. 그 결과를 표 4에 나타낸다.The light emitting composites according to Examples 2 to 6 of the powder state and the quantum dots according to Comparative Example 1 were prepared and were each prepared by a method substantially the same as the experimental method for the light emitting composite according to Example 1 of the powder state, The UV stability of each of the luminescent complexes according to Examples 2 to 6 and the quantum dot according to Comparative Example 1 was evaluated. The results are shown in Table 4.
또한, 파우더 상태의 실시예 1 내지 6에 따른 발광 복합체들과 비교예 1에 따른 양자점에 대하여, 제1 양자효율(QYT1, 단위:%)을 측정한 후 항온항습기에서 온도 85℃ 및 상대습도 85%의 가혹조건에 240시간 동안 방치하였다. 이어서, 실시예 1 내지 6에 따른 발광 복합체들과 비교예 1에 따른 양자점에 대하여 제3 양자효율(QYT3, 단위:%)을 측정하였다. 상기 제1 양자효율 및 상기 제3 양자효율의 차이(△QY2=QYT1-QYT3, 단위:%)를 산출하여 실시예 1 내지 6에 따른 발광 복합체들과 비교예 1에 따른 양자점에 대한 열/수분 안정성을 평가하였다. 그 결과를 표 4에 나타낸다.The first quantum efficiency (QYT1, unit:%) was measured for the light emitting composites according to Examples 1 to 6 of the powder state and the quantum dots according to Comparative Example 1, and then the temperature was measured at a temperature of 85 ° C and a relative humidity of 85 % ≪ / RTI > for 240 hours. Next, the third quantum efficiency (QYT3, unit:%) was measured for the quantum dots according to the luminescent complexes of Examples 1 to 6 and Comparative Example 1. The difference between the first quantum efficiency and the third quantum efficiency (ΔQY2 = QYT1-QYT3, unit:%) was calculated and the heat / moisture for the quantum dots according to Comparative Example 1 and the light emitting complexes according to Examples 1 to 6 Stability was evaluated. The results are shown in Table 4.
(△QY1, %)Ultraviolet stability
(? QY1,%)
(△QY2, %)Heat / moisture stability
(? QY2,%)
표 4를 참조하면, 실시예 1 내지 6에 따른 발광 복합체의 자외선 안정성은 각각 14%, 17%, 20%, 18%, 34% 및 22%인 반면, 비교예 1에 따른 양자점의 자외선 안정성은 49%임을 알 수 있다. 자외선에 대한 안정성이 좋을수록, 자외선의 가혹 조건(조사량 약 540 J/cm2)에서의 양자효율의 변화가 작으므로 자외선 안정성은 작은 값을 갖는다. 즉, 본 발명의 실시예 1 내지 6에 따른 발광 복합체의 자외선 안정성이, 비교예 1에 따른 양자점에 비하여 우수함을 알 수 있다. 실시예 1 내지 6에 따른 발광 복합체 중에서도, 실시예 1 내지 4에 따른 발광 복합체의 자외선 안정성이 실시예 5 및 6에 따른 발광 복합체의 자외선 안정성보다 우수함을 알 수 있다.Referring to Table 4, the ultraviolet stability of the quantum dot according to Comparative Example 1, while the ultraviolet stability of the light emitting composites according to Examples 1 to 6 were 14%, 17%, 20%, 18%, 34% 49%. The better the stability against ultraviolet rays, the smaller the change in the quantum efficiency in the severe condition of ultraviolet rays (the irradiation dose is about 540 J / cm 2 ), so that the ultraviolet stability has a small value. That is, it can be seen that the ultraviolet stability of the light emitting composites according to Examples 1 to 6 of the present invention is superior to the quantum dots according to Comparative Example 1. Among the light emitting composites according to Examples 1 to 6, the ultraviolet stability of the light emitting composites according to Examples 1 to 4 is superior to the ultraviolet light stability of the light emitting composites according to Examples 5 and 6.
또한, 실시예 1 내지 6에 따른 발광 복합체의 열/수분 안정성은 각각 17%, 20%, 22%, 23%, 45% 및 32%인 반면, 비교예 1에 따른 양자점의 열/수분 안정성은 57%임을 알 수 있다. 온도 및 습도에 대한 안정성이 클수록, 고온고습(온도 85℃ 및 상대습도 85%)의 가혹 조건에서 양자효율의 변화가 작으므로 열/수분 안정성은 작은 값을 갖는다. 즉, 본 발명의 실시예 1 내지 6에 따른 발광 복합체의 열/수분 안정성이, 비교예 1에 따른 양자점에 비해 우수함을 알 수 있다. 실시예 1 내지 6에 따른 발광 복합체 중에서도, 실시예 1 내지 4에 따른 발광 복합체의 열/수분 안정성이 실시예 5 및 6에 따른 발광 복합체의 열/수분 안정성보다 우수함을 알 수 있다.In addition, the heat / moisture stability of the quantum dot according to Comparative Example 1, while the heat / moisture stability of the light emitting composites according to Examples 1 to 6 were 17%, 20%, 22%, 23%, 45% 57%. The greater the stability against temperature and humidity, the smaller the change in quantum efficiency under severe conditions of high temperature and high humidity (temperature 85 ° C and relative humidity 85%), so that the thermal / moisture stability has a small value. That is, it can be seen that the heat / moisture stability of the light emitting composites according to Examples 1 to 6 of the present invention is superior to the quantum dots according to Comparative Example 1. Among the light emitting composites according to Examples 1 to 6, the heat / moisture stability of the light emitting composites according to Examples 1 to 4 is superior to the heat / moisture stability of the light emitting composites according to Examples 5 and 6.
[실험예 5] - 자외선 안정성 및 열/수분 안정성의 평가 -2 [Experimental Example 5] Evaluation of ultraviolet stability and heat / water stability -2
OE-6630 A/B kit(상품명, 다우코닝 실리콘사, 미국) 중에서, OE-6630 B kit에 실시예 1에 따른 발광 복합체를 분산시키고 OE-6630 A kit와 1:4(A kit:B kit)의 질량비(mass ratio)로 혼합하여, 약 150℃의 오븐에서 약 2시간 동안 열처리하여 두께가 약 200㎛인 제1 필름 샘플을 제조하였다.The light emitting complex according to Example 1 was dispersed in an OE-6630 B kit (product name: Dow Corning Silicone Co., USA) in an OE-6630 A / B kit and an OE-6630 A kit and a 1: 4 ), And heat-treated in an oven at about 150 캜 for about 2 hours to prepare a first film sample having a thickness of about 200 탆.
실시예 2 내지 6에 따른 발광 복합체를 이용하여 상기 제1 필름 샘플을 제조하는 공정과 실질적으로 동일한 공정을 통해 제2 내지 제6 필름 샘플을 제조하였다. 또한, 비교예 1에 따른 양자점을 이용하여 상기 제1 필름 샘플을 제조하는 공정과 실질적으로 동일한 공정을 통해 제1 비교 필름 샘플을 제조하였다.The second to sixth film samples were produced through substantially the same process as the process for producing the first film sample using the light emitting composite according to Examples 2 to 6. Also, a first comparative film sample was prepared through substantially the same process as the process for producing the first film sample using the quantum dot according to Comparative Example 1.
상기 제1 내지 제6 필름 샘플 및 제1 비교 필름 샘플 각각에 대해서 실험예 4의 평가 방법과 실질적으로 동일한 방법으로 자외선 안정성 및 열/수분 안정성을 평가하였다. 그 결과를 표 5에 나타낸다.The ultraviolet stability and heat / water stability of the first to sixth film samples and the first comparative film samples were evaluated in substantially the same manner as in the evaluation method of Experimental Example 4. The results are shown in Table 5.
(△QY1, %)Ultraviolet stability
(? QY1,%)
(△QY2, %)Heat / moisture stability
(? QY2,%)
표 5를 참조하면, 본 발명의 실시예 1 내지 6에 따른 발광 복합체를 포함하는 필름 샘플들의 자외선 안정성이 양자점을 포함하는 제1 비교 필름 샘플에 비해 우수한 것을 알 수 있다.Referring to Table 5, it can be seen that the ultraviolet stability of the film samples comprising the light emitting composite according to Examples 1 to 6 of the present invention is superior to the first comparative film sample including the quantum dot.
제1 내지 제6 필름 샘플들 중에서는, 제5 및 제6 필름 샘플들의 자외선 안정성이 제1 내지 제4 필름 샘플들에 비해서는 좋지 않은 것을 알 수 있다. 즉, 제1 내지 제 4 필름 샘플들의 자외선 안정성은 약 5% 이하의 수준으로 매우 우수한 것을 알 수 있다.Among the first to sixth film samples, it can be seen that the ultraviolet stability of the fifth and sixth film samples is not better than that of the first to fourth film samples. That is, the ultraviolet stability of the first to fourth film samples is about 5% or less.
또한, 제1 내지 제6 필름 샘플들의 열/수분 안정성을 제1 비교 필름 샘플의 열/수분 안정성과 비교하면, 본 발명의 실시예 1 내지 6에 따른 발광 복합체를 포함하는 필름 샘플들의 열/수분 안정성이 제1 비교 필름 샘플에 비해 우수한 것을 알 수 있다. Further, when the heat / water stability of the first to sixth film samples was compared with the heat / water stability of the first comparative film sample, the heat / moisture of the film samples including the light emitting composite according to Examples 1 to 6 of the present invention The stability is superior to that of the first comparative film sample.
제1 내지 제6 필름 샘플들 중에서도, 제5 및 제6 필름 샘플들의 열/수분 안정성은 제1 비교 필름 샘플에 비해서는 우수한 편이지만 제1 내지 제4 필름 샘플들에 비해서는 좋지 않은 것을 알 수 있다. 즉, 제1 내지 제 4 필름 샘플들의 열/수분 안정성이 약 7% 이하의 수준으로 매우 우수한 것을 알 수 있다.Among the first to sixth film samples, the heat / moisture stability of the fifth and sixth film samples is superior to that of the first comparative film sample, but is not better than that of the first to fourth film samples have. That is, it can be seen that the heat / water stability of the first to fourth film samples is excellent at a level of about 7% or less.
상기에서 설명한 바에 따르면, 실록산계 수지를 이용하여 경화물을 제조하더라도, 본 발명에 따른 발광 복합체의 자외선 안정성 및 열/수분 안정성은 양자점을 그대로 이용하는 경우에 비해서 우수한 것을 알 수 있다.As described above, even when a cured product is prepared using a siloxane-based resin, the UV stability and heat / water stability of the light emitting composite according to the present invention are superior to those obtained when the quantum dot is used as it is.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the present invention as defined by the following claims. It can be understood that it is possible.
10a, 10b: 발광 복합체 11, 11a, 11b: 양자점
13: 이오노머
100, 200, 300, 400: 광학 시트
1000, 2000, 3000, 4000: 백라이트 유닛
1100, 2100, 3100, 4100: 광원
1200, 2200, 3200, 4200: 도광판
1300, 2300, 3300, 4300: 반사판
1400, 2400: 확산 시트10a, 10b:
13: ionomer
100, 200, 300, 400: optical sheet
1000, 2000, 3000, 4000: Backlight unit
1100, 2100, 3100, 4100: Light source
1200, 2200, 3200, 4200: light guide plate
1300, 2300, 3300, 4300: reflector
1400, 2400: diffusion sheet
Claims (49)
상기 양자점을 커버하며 하기 화학식 1의 구조로 나타내는 이오노머를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 복합체:
[화학식 1]
상기 화학식 1에서 x는 20 내지 100이고, y는 1 내지 10이고, M+은 금속 양이온이며, R1, R2, R3, R4, R5, R6 및 R7은 서로 독립적으로 수소(H) 또는 탄소수 6 이하의 알킬기를 나타내고,
상기 이오노머는 코어/쉘 구조를 갖는 양자점을 감싸는 것을 특징으로 한다.At least one quantum dot; And
And an ionomer which covers the quantum dots and has a structure represented by the following Formula 1:
[Chemical Formula 1]
And in Formula 1, x is from 20 to 100, y is 1 to 10, M + is a metal cation, R 1, R 2, R 3, R 4, R 5, R 6 and R 7 independently represent hydrogen, (H) or an alkyl group having 6 or less carbon atoms,
The ionomer is characterized by surrounding a quantum dot having a core / shell structure.
x는 25 내지 80이고, y는 1 내지 4 인 것을 특징으로 하는 발광 복합체. The method according to claim 1,
x is from 25 to 80, and y is from 1 to 4.
x는 30 내지 60이고, y는 1.5 내지 2.0 인 것을 특징으로 하는 발광 복합체.3. The method of claim 2,
x is from 30 to 60, and y is from 1.5 to 2.0.
나트륨 이온, 칼륨 이온, 리튬 이온, 은 이온 및 수은 이온으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 1가 금속 이온;
마그네슘 이온, 칼슘 이온, 스트론튬 이온, 바륨 이온, 구리 이온, 카드뮴 이온, 수은 이온, 주석 이온, 납 이온, 철 이온, 코발트 이온, 니켈 이온 및 아연 이온으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 2가 금속 이온;
알루미늄 이온, 스칸듐 이온, 철 이온 및 이트륨 이온으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 3가 금속 이온; 또는
티타늄 이온, 지르코늄 이온, 하프늄 이온, 바나듐 이온, 탄탈륨 이온, 텅스텐 이온, 크롬 이온, 세륨 이온 및 철 이온으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 4가 이상 금속 이온을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 복합체.The method according to claim 1,
At least one monovalent metal ion selected from the group consisting of sodium ion, potassium ion, lithium ion, silver ion and mercury ion;
At least one divalent metal ion selected from the group consisting of magnesium ions, calcium ions, strontium ions, barium ions, copper ions, cadmium ions, mercury ions, tin ions, lead ions, iron ions, cobalt ions, ;
At least one trivalent metal ion selected from the group consisting of aluminum ion, scandium ion, iron ion and yttrium ion; or
Wherein at least one quadrivalent metal ion selected from the group consisting of titanium ions, zirconium ions, hafnium ions, vanadium ions, tantalum ions, tungsten ions, chromium ions, cerium ions and iron ions is contained.
상기 이오노머는 극성기의 20 내지 100%가 상기 금속 양이온에 의해 중화된 것을 특징으로 하는 발광 복합체.The method according to claim 1,
Wherein the ionomer is characterized in that 20 to 100% of the polar groups are neutralized by the metal cation.
상기 이오노머의 분자량은 1,000 이상 20,000 이하인 것을 특징으로 하는 발광 복합체. The method according to claim 1,
Wherein the ionomer has a molecular weight of 1,000 or more and 20,000 or less.
상기 이오노머의 녹는점(melting point)은 50℃ 이상 150℃ 이하인 것을 특징으로 하는 발광 복합체.The method according to claim 1,
Wherein the ionomer has a melting point of 50 ° C or more and 150 ° C or less.
상기 이오노머의 밀도는 0.85 g/cm3 이상 1.05 g/cm3 이하인 것을 특징으로 하는 발광 복합체.The method according to claim 1,
The density of the ionomer is a light-emitting complexes, characterized in that not more than 0.85 g / cm 3 at least 1.05 g / cm 3.
상기 이오노머는 상기 적어도 1개의 양자점을 캡슐화하는 것을 특징으로 하는 발광 복합체.The method according to claim 1,
Wherein the ionomer encapsulates the at least one quantum dot.
상기 이오노머가 형성하는 응집체의 내부에 2개 이상의 양자점들이 서로 이격되어 배치된 것을 특징으로 하는 발광 복합체.The method according to claim 1,
Wherein at least two quantum dots are disposed apart from each other in an aggregate formed by the ionomer.
상기 수지 내에 분산된 발광 복합체를 포함하며,
상기 발광 복합체는 적어도 1개의 양자점 및 상기 양자점을 커버하며 하기 화학식 1의 구조로 나타내는 이오노머를 포함하는 것을 특징으로 하는 조성물:
[화학식 1]
상기 화학식 1에서 x는 20 내지 100이고, y는 1 내지 10이고, M+은 금속 양이온이며, R1, R2, R3, R4, R5, R6 및 R7은 서로 독립적으로 수소(H) 또는 탄소수 6 이하의 알킬기를 나타내고,
상기 이오노머는 코어/쉘 구조를 갖는 양자점을 감싸는 것을 특징으로 한다.A resin in a liquid state having a polymerizable functional group; And
And a light emitting complex dispersed in the resin,
Wherein the light emitting composite comprises at least one quantum dot and an ionomer which covers the quantum dot and has a structure represented by the following Formula 1:
[Chemical Formula 1]
And in Formula 1, x is from 20 to 100, y is 1 to 10, M + is a metal cation, R 1, R 2, R 3, R 4, R 5, R 6 and R 7 independently represent hydrogen, (H) or an alkyl group having 6 or less carbon atoms,
The ionomer is characterized by surrounding a quantum dot having a core / shell structure.
상기 수지는 실리콘계 수지, 에폭시계 수지 및 아크릴계 수지로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 조성물.12. The method of claim 11,
Wherein the resin comprises at least one selected from the group consisting of a silicone resin, an epoxy resin and an acrylic resin.
상기 수지는 열 경화성 수지 또는 광 경화성 수지인 것을 특징으로 하는 조성물.13. The method of claim 12,
Wherein the resin is a thermosetting resin or a photocurable resin.
광확산 비드를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 조성물.12. The method of claim 11,
≪ / RTI > further comprising a light diffusion bead.
상기 수지는 발포제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 조성물.12. The method of claim 11,
Wherein the resin further comprises a foaming agent.
상기 경화된 수지 내에 분산된 발광 복합체를 포함하며,
상기 발광 복합체는 적어도 1개의 양자점 및 상기 양자점을 커버하며 하기 화학식 1의 구조로 나타내는 이오노머를 포함하는 것을 특징으로 하는 경화물:
[화학식 1]
상기 화학식 1에서 x는 20 내지 100이고, y는 1 내지 10이고, M+은 금속 양이온이며, R1, R2, R3, R4, R5, R6 및 R7은 서로 독립적으로 수소(H) 또는 탄소수 6 이하의 알킬기를 나타내고,
상기 이오노머는 코어/쉘 구조를 갖는 양자점을 감싸는 것을 특징으로 한다.Cured resin; And
And a light emitting complex dispersed in the cured resin,
Wherein the light emitting composite comprises at least one quantum dot and an ionomer which covers the quantum dot and is represented by the following formula (1):
[Chemical Formula 1]
And in Formula 1, x is from 20 to 100, y is 1 to 10, M + is a metal cation, R 1, R 2, R 3, R 4, R 5, R 6 and R 7 independently represent hydrogen, (H) or an alkyl group having 6 or less carbon atoms,
The ionomer is characterized by surrounding a quantum dot having a core / shell structure.
상기 수지는 실리콘계 수지, 에폭시계 수지 및 아크릴계 수지로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 경화물. 17. The method of claim 16,
Wherein the resin comprises at least one selected from the group consisting of a silicone resin, an epoxy resin and an acrylic resin.
상기 수지는 열 경화성 수지 또는 광 경화성 수지인 것을 특징으로 하는 경화물.18. The method of claim 17,
Wherein the resin is a thermosetting resin or a photocurable resin.
광확산 비드를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 경화물.17. The method of claim 16,
Further comprising a light diffusion bead.
공극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 경화물.17. The method of claim 16,
And further comprising voids.
[화학식 1]
상기 화학식 1에서 x는 20 내지 100이고, y는 1 내지 10이고, M+은 금속 양이온이며, R1, R2, R3, R4, R5, R6 및 R7은 서로 독립적으로 수소(H) 또는 탄소수 6 이하의 알킬기를 나타내고,
상기 이오노머는 코어/쉘 구조를 갖는 양자점을 감싸는 것을 특징으로 한다.An optically anisotropic layer, at least one quantum dot, and an optically-anisotropic layer, wherein the optically-anisotropic layer comprises a light-emitting composite comprising an ionomer that covers the quantum dot and has a structure represented by the following formula (1)
[Chemical Formula 1]
And in Formula 1, x is from 20 to 100, y is 1 to 10, M + is a metal cation, R 1, R 2, R 3, R 4, R 5, R 6 and R 7 independently represent hydrogen, (H) or an alkyl group having 6 or less carbon atoms,
The ionomer is characterized by surrounding a quantum dot having a core / shell structure.
상기 광변환층은 실리콘계 수지, 에폭시계 수지 및 아크릴계 수지로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 경화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 시트. 22. The method of claim 21,
Wherein the light conversion layer comprises at least one cured product selected from the group consisting of a silicone resin, an epoxy resin and an acrylic resin.
상기 수지는 열 경화성 수지 또는 광 경화성 수지인 것을 특징으로 하는 광학시트.23. The method of claim 22,
Wherein the resin is a thermosetting resin or a photocurable resin.
상기 광변환층은 광확산 비드를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 시트.22. The method of claim 21,
Wherein the light conversion layer further comprises a light diffusion bead.
상기 광변환층은 공극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 시트.22. The method of claim 21,
Wherein the light conversion layer further comprises a cavity.
상기 광변환층의 일면 상에 배치된 배리어층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 시트.22. The method of claim 21,
Further comprising a barrier layer disposed on one surface of the light conversion layer.
상기 배리어층 상에 배치된 제1 투명필름을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 시트.27. The method of claim 26,
Further comprising a first transparent film disposed on the barrier layer.
상기 광변환층과 상기 배리어층 사이에 배치된 제2 투명필름을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 시트.27. The method of claim 26,
And a second transparent film disposed between the light conversion layer and the barrier layer.
상기 배리어층 상에 형성된 광확산층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 시트.27. The method of claim 26,
And an optical diffusion layer formed on the barrier layer.
상기 제1 투명필름 상에 형성된 광확산층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 시트.28. The method of claim 27,
And an optical diffusion layer formed on the first transparent film.
상기 광확산층의 표면에는 광확산 패턴이 형성된 것을 특징으로 하는 광학 시트.32. The method according to claim 29 or 30,
Wherein an optical diffusion pattern is formed on a surface of the light diffusion layer.
상기 광확산층은 광확산 비드를 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 시트.32. The method according to claim 29 or 30,
Wherein the light diffusing layer comprises a light diffusion bead.
상기 광확산층은 공극을 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 시트.32. The method according to claim 29 or 30,
Wherein the light diffusion layer comprises a void.
상기 광변환층의 상면 상에 배치된 제1 배리어층 및 상기 광변환층의 하면 상에 배치된 제2 배리어층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 시트.22. The method of claim 21,
Further comprising a first barrier layer disposed on an upper surface of the light conversion layer and a second barrier layer disposed on a lower surface of the light conversion layer.
상기 제1 배리어층 상에 배치된 제1 투명필름 및 상기 제2 배리어층 상에 배치된 제2 투명필름을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 시트.35. The method of claim 34,
Further comprising a first transparent film disposed on the first barrier layer and a second transparent film disposed on the second barrier layer.
상기 광변환층과 상기 제1 배리어층 사이에 배치된 제3 투명필름 및 상기 광변환층과 상기 제2 배리어층 사이에 배치된 제4 투명필름을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 시트.36. The method of claim 35,
A third transparent film disposed between the light conversion layer and the first barrier layer, and a fourth transparent film disposed between the light conversion layer and the second barrier layer.
상기 제1 및 제2 배리어층 중 적어도 하나의 배리어층 상에 형성된 광확산층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 시트.35. The method of claim 34,
Further comprising a light diffusion layer formed on at least one barrier layer of the first and second barrier layers.
상기 제1 및 제2 투명필름 중 적어도 하나의 투명필름 상에 형성된 광확산층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 시트.36. The method of claim 35,
Further comprising a light-diffusing layer formed on at least one transparent film of the first and second transparent films.
상기 광확산층의 표면에는 광확산 패턴이 형성된 것을 특징으로 하는 광학 시트.39. The method of claim 37 or 38,
Wherein an optical diffusion pattern is formed on a surface of the light diffusion layer.
상기 광확산층은 광확산 비드를 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 시트.39. The method of claim 37 or 38,
Wherein the light diffusing layer comprises a light diffusion bead.
상기 광확산층은 공극을 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 시트.39. The method of claim 37 or 38,
Wherein the light diffusion layer comprises a void.
상기 광변환층의 상면 및 하면 중 적어도 하나의 면 상에 형성된 광확산층을 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 시트.22. The method of claim 21,
And a light diffusion layer formed on at least one of an upper surface and a lower surface of the light conversion layer.
상기 광확산층의 표면에는 광확산 패턴이 형성된 것을 특징으로 하는 광학 시트.43. The method of claim 42,
Wherein an optical diffusion pattern is formed on a surface of the light diffusion layer.
상기 광확산층은 광확산 비드를 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 시트.43. The method of claim 42,
Wherein the light diffusing layer comprises a light diffusion bead.
상기 광확산층은 공극을 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 시트.43. The method of claim 42,
Wherein the light diffusion layer comprises a void.
상기 광변환층의 일면 상에 형성된 집광패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 시트.22. The method of claim 21,
And a light converging pattern formed on one surface of the light conversion layer.
상기 발광 소자가 생성하는 광을 제공받는 도광판; 및
상기 도광판 상에 배치된 광학 시트를 포함하고,
상기 광학 시트는 적어도 1개의 양자점 및 상기 양자점을 커버하고 청구항 1의 특징을 갖는 이오노머를 포함하는 발광 복합체를 포함하는 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛.A light emitting element;
A light guide plate receiving light generated by the light emitting device; And
And an optical sheet disposed on the light guide plate,
Wherein the optical sheet comprises at least one quantum dot and the light emitting composite including an ionomer that covers the quantum dot and has the characteristics of claim 1.
상기 발광 소자는 청색광 발광 소자이고,
상기 발광 복합체는 적색 양자점만을 포함하는 적색 발광 복합체, 녹색 양자점만을 포함하는 녹색 발광 복합체 및 상기 적색 양자점과 상기 녹색 양자점을 모두 포함하는 다색 발광 복합체로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛.49. The method of claim 47,
The light emitting element is a blue light emitting element,
Wherein the light emitting composite includes at least one selected from the group consisting of a red light emitting complex including only a red quantum dot, a green light emitting composite including only a green quantum dot, and a multicolor light emitting composite including both the red quantum dot and the green quantum dot Backlight unit.
상기 발광 소자가 생성하는 광을 제공받는 도광판; 및
상기 도광판 상에 배치된 광학 시트; 및
상기 광학 시트 상에 배치된 표시 패널을 포함하고,
상기 광학 시트는 적어도 1개의 양자점 및 상기 양자점을 커버하고 청구항 1의 특징을 갖는 이오노머를 포함하는 발광 복합체를 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.A light emitting element;
A light guide plate receiving light generated by the light emitting device; And
An optical sheet disposed on the light guide plate; And
And a display panel disposed on the optical sheet,
Wherein the optical sheet comprises at least one quantum dot and the light emitting composite comprising an ionomer that covers the quantum dot and has the characteristics of claim 1.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR20130128100A KR101463416B1 (en) | 2013-10-25 | 2013-10-25 | Luminescence composite, hardened member and optical sheet including the same and optical member, backlight unit and display apparatus including the optical sheet |
| PCT/KR2014/009879 WO2015060615A1 (en) | 2013-10-25 | 2014-10-21 | Light-emitting complex, hardened material comprising same, optical sheet, backlight unit, and display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR20130128100A KR101463416B1 (en) | 2013-10-25 | 2013-10-25 | Luminescence composite, hardened member and optical sheet including the same and optical member, backlight unit and display apparatus including the optical sheet |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR101463416B1 true KR101463416B1 (en) | 2014-11-20 |
Family
ID=52290928
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR20130128100A KR101463416B1 (en) | 2013-10-25 | 2013-10-25 | Luminescence composite, hardened member and optical sheet including the same and optical member, backlight unit and display apparatus including the optical sheet |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101463416B1 (en) |
| WO (1) | WO2015060615A1 (en) |
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|---|---|
| WO2015060615A1 (en) | 2015-04-30 |
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| FPAY | Annual fee payment |
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