KR101454818B1 - 반도체 발광소자 조명장치 - Google Patents

반도체 발광소자 조명장치 Download PDF

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Abstract

본 개시는, 반도체 발광소자 조명장치에 있어서, 조도를 조절하는 조광기; 각각 교류 전압의 반주기 내에서 발광할 수 있으며, 제1 동작전압 또는 제1 동작전압보다 높은 제2 동작전압을 가지는 직렬로 연결된 n개의 엘이디 그룹(n≥2)(하나의 반주기는 (2n+1)개의 구간으로 나누어지며, 2번째 구간에서 1개의 엘이디 그룹이 발광할 수 있으며, (k+1)번째 구간(1<k≤n)에서 k개의 엘이디 그룹이 발광할 수 있고, (n+1)번째 구간에서 n개의 엘이디 그룹이 발광할 수 있고, (n+m)번째 구간(1<m≤n)에서 (n+1-m)개의 엘이디 그룹이 발광할 수 있음);으로서, 전류 흐름 상에서 첫 번째 엘이디 그룹은 제1 동작전압을 갖도록 구성되는 n개의 엘이디 그룹; 및 전류 흐름 상에서 p번째 엘이디 그룹(1≤p<n) 후방과 (p+1)번째 엘이디 그룹 사이에 위치하여 On 되었을 때 p번째 엘이디 그룹 후방으로 전류를 흘리는 하나 이상의 바이패스 스위치를 이용하여, 각각의 엘이디 그룹을 상기 반주기 내의 일부 구간에서 발광시키는 스위치 조합;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치에 관한 것이다.

Description

반도체 발광소자 조명장치{ILLUMINATING APPARATUR USING LIGHT EMITTING ELEMENTS}
본 발명은 반도체 발광소자 조명장치에 관한 것으로, 특히 교류에 의해 구동되는 반도체 발광소자 조명장치에 관한 것이다.
여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art).
도 1은 종래의 교류 전원을 이용한 반도체 발광소자 조명장치의 일 예를 나타내는 도면으로서, 교류 전원(100), 교류 전원(100)의 전압을 조절하는 저항(110), 그리고 극성을 반대로 하여 병렬연결된 엘이디(120) 및 엘이디(130)가 도시되어 있다. 양의 전류가 흐를 때 엘이디(120)가 발광하며, 음의 전류가 흐를 때 엘이디(130)가 발광한다.
도 2는 종래의 교류 전원을 이용한 반도체 발광소자 조명장치의 다른 예를 나타내는 도면으로서, 발광장치(200)는 정류 회로(210; Rectifier), 평활 회로(220; Regulator), 발광부(230)를 포함한다. 교류는 정류 회로(210)를 통해 맥류로 전환되며, 평활 회로(220)를 통해 직류의 형태로 전환되어 발광부(230)에 공급된다.
도 3은 종래의 교류 전원을 이용한 반도체 발광소자 조명장치의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 정류 회로(310), 트랜스를 포함하는 스위칭 모드 파워 스플라이(320; SMPS), 복수 발광소자가 직렬연결된 엘이디 어레이(330)가 구비된 발광부(340)가 도시되어 있다. 그러나 SMPS(320)를 사용하는 경우에, EMI(Electromanetic Interference) 필터(350)가 추가로 구비되어야 한다.
도 4 및 도 5는 종래의 교류 전원을 이용한 반도체 발광소자 조명장치의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 발광소자(400)는 정류 회로(410)와 전압에 맞추어 직렬연결된 복수의 엘이디(420)를 구비한다. 정류 회로(410)를 거친 전압은 도 5에 도시된 것과 같은 형태의 파형을 가진다. 복수의 엘이디(420)는 이들 모두가 도통될 수 있을 만큼 이르렀을 때(Ton)에야 발광되며, 또한 그 이하로 전압이 떨어질 때(Toff)에 소광된다. 따라서 회로부의 구성을 간단히 할 수 있는 반면에, 교류 전원 전체 주기에서 사용하지 못하는 문제점이 있다.
도 6 및 도 7은 미국공개특허공보 제2010-0194298호에 제시된 교류 전원을 이용한 반도체 발광소자 조명장치의 일 예를 나타내는 도면으로서, 상기한 문제점을 해소하기 위하여, 발광소자(600)는 정류 회로(610), 직렬연결된 엘이디를 복수의 그룹(631,632,633,634,635)으로 나누어 제어하는 제어부(620)를 구비한다. 제어부(620)는 각각의 그룹(631,632,633,634,635)을 발광하도록 제어하는 스위치(Q1,Q2,Q3,Q4,Q5,Q6)를 가진다. 정류된 전류의 전압이 엘이디 그룹(631)을 On할 수 있는 시간(T1) 및 전압(20V)에 이르면, 스위치(Q1)가 On 상태로 유지시켜, 엘이디 그룹(631)을 거친 전류가 스위치(Q1)를 통해 도통함으로써, 20V부터 40V 사이의 전압에서 엘이디 그룹(631)을 발광시킨다. 엘이디 그룹(631)과 엘이디 그룹(632)을 On할 수 있는 시간(T2) 및 전압(40V)에 이르면, 스위치(Q1)를 Off 시키고 스위치(Q2)를 On 상태에 유지시켜, 엘이디 그룹(631) 및 엘이디 그룹(632)를 거친 전류가 스위치(Q2)를 통해 도통함으로써, 40V부터 60V 사이의 전압에서 엘이디 그룹(631) 및 엘이디 그룹(632)을 발광시킨다. 동일한 방식으로 엘이디 그룹(635)까지를 발광시키고, 전압이 감소하면 반대로 스위치를 On/Off 함으로써 순차로 발광을 감소시킨다. 이러한 발광소자에 의하면, 정류된 전류 전체를 발광소자의 발광에 이용할 수 있는 이점을 가지지만, 엘이디 그룹(631)을 한 주기 전체에 걸쳐 발광을 하게 되며, 엘이디 그룹(635)은 가장 높은 전압의 구간에서만 발광을 하게 되므로, 시간이 지남에 따라 엘이디 특성이 변할 수 있는 문제점을 가진다.
이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.
여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).
이를 위하여, 본 개시는, 반도체 발광소자 조명장치에 있어서, 조도를 조절하는 조광기; 각각 교류 전압의 반주기 내에서 발광할 수 있으며, 제1 동작전압 또는 제1 동작전압보다 높은 제2 동작전압을 가지는 직렬로 연결된 n개의 엘이디 그룹(n≥2)(하나의 반주기는 (2n+1)개의 구간으로 나누어지며, 2번째 구간에서 1개의 엘이디 그룹이 발광할 수 있으며, (k+1)번째 구간(1<k≤n)에서 k개의 엘이디 그룹이 발광할 수 있고, (n+1)번째 구간에서 n개의 엘이디 그룹이 발광할 수 있고, (n+m)번째 구간(1<m≤n)에서 (n+1-m)개의 엘이디 그룹이 발광할 수 있음);으로서, 전류 흐름 상에서 첫 번째 엘이디 그룹은 제1 동작전압을 갖도록 구성되는 n개의 엘이디 그룹; 및 전류 흐름 상에서 p번째 엘이디 그룹(1≤p<n) 후방과 (p+1)번째 엘이디 그룹 사이에 위치하여 On 되었을 때 p번째 엘이디 그룹 후방으로 전류를 흘리는 하나 이상의 바이패스 스위치를 이용하여, 각각의 엘이디 그룹을 상기 반주기 내의 일부 구간에서 발광시키는 스위치 조합;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치를 제공한다.
이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.
도 1은 종래의 교류 전원을 이용한 반도체 발광소자 조명장치의 일 예를 나타내는 도면,
도 2는 종래의 교류 전원을 이용한 반도체 발광소자 조명장치의 다른 예를 나타내는 도면,
도 3은 종래의 교류 전원을 이용한 반도체 발광소자 조명장치의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 4 및 도 5는 종래의 교류 전원을 이용한 반도체 발광소자 조명장치의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 6 및 도 7은 미국공개특허공보 제2010-0194298호에 제시된 교류 전원을 이용한 반도체 발광소자 조명장치의 일 예를 나타내는 도면,
도 8은 본 개시에 따른 반도체 발광소자 조명장치의 일 예를 나타내는 도면,
도 9는 본 개시에 따른 반도체 발광소자 조명장치의 입력 전압에 따른 점등 상태를 구간별로 나타내는 그래프,
도 10은 본 개시에 따른 반도체 발광소자 조명장치의 엘이디 배치구조의 일 예를 도시한 도면,
도 11은 본 개시에 따른 반도체 발광소자 조명장치의 엘이디 배치구조의 다른 일 예를 도시한 도면,
도 12는 본 개시에 따른 반도체 발광소자 조명장치의 엘이디 배치구조의 또 다른 일 예를 도시한 도면.
이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)).
도 8은 본 개시에 따른 반도체 발광소자 조명장치의 일 예를 나타내는 도면이고, 도 9는 본 개시에 따른 반도체 발광소자 조명장치의 입력 전압에 따른 점등 상태를 구간별로 나타내는 그래프이다.
반도체 발광소자 조명장치는 조도를 조절하는 조광기, 복수의 엘이디 그룹(D1,D2,D3,D4), 및 하나 이상의 바이패스 스위치(S11,S12,S13)를 포함한다.
조광기는 예를 들어 트라이악(triac)을 이용하여 도통시간을 제어하는 방식으로 제공될 수 있고, 펄스 폭 변조방식으로 제공될 수도 있다.
각 엘이디 그룹(D1,D2,D3,D4)은 교류 전압의 반주기 내에서 발광할 수 있으며, 직렬로 연결된다. 엘이디 그룹(D1,D2,D3,D4)은 각각 하나 이상의 엘이디로 이루어지고, 엘이디들도 각 엘이디 그룹(D1,D2,D3,D4) 내에서 직렬로 연결된다.
엘이디 그룹의 수는 변화될 수 있으며, 바이패스 스위치(S11,S12,S13)의 수 또한 엘이디 그룹(D1,D2,D3,D4)의 수에 따라 변화될 수 있다. 바이패스 스위치(S11,S12,S13)의 수는 엘이디 그룹(D1,D2,D3,D4)의 수보다 1개 적은 수로 구비되는 것이 바람직하다.
바이패스 스위치(S11,S12,S13)는, 예를 들어 엘이디 그룹(D1,D2,D3,D4)의 수가 4개인 경우, 전류 흐름 상에서 첫 번째 엘이디 그룹(D1)과 2번째 엘이디 그룹(D2) 사이, 2번째 엘이디 그룹(D2)과 3번째 엘이디 그룹(D3) 사이 및 3번째 엘이디 그룹(D3)과 4번째 엘이디 그룹(D4) 사이에 각각 위치하여, 각각의 엘이디 그룹(D1,D2,D3,D4)을 상기 반주기 내의 일부 구간에서 발광시킨다.
반도체 발광소자 조명장치를 구성하는 엘이디의 총 수는 전체 동작전압과 각 엘이디가 가지는 고유의 동작전압을 고려하여 결정된다. 예를 들어, 대략 2.6V 정도의 고유 동작전압을 가지는 황색 엘이디 사용하여 120V의 전체 동작전압을 가지는 반도체 발광소자 조명장치를 구성하기 위해, 46개의 엘이디가 사용될 수 있다. 46개의 엘이디는 예를 들어 4개의 엘이디 그룹(D1,D2,D3,D4)으로 구분될 수 있다.
복수의 엘이디 그룹(D1,D2,D3,D4)은 제1 그룹 단위 동작전압을 가지는 엘이디 그룹과 제1 그룹 단위 동작전압 높은 제2 그룹 단위 동작전압을 가지는 엘이디 그룹으로 구분될 수 있다. 그리고, 제2 그룹 단위 동작전압을 가지는 하나의 엘이디 그룹과 제1 그룹 단위 동작전압을 가지는 나머지 엘이디 그룹들로 구분될 수 있다. 전류 흐름 상에서 첫 번째 엘이디 그룹(D1)은 제1 그룹 단위 동작전압을 가지는 것이 바람직하다. 물론, 총 2개의 엘이디 그룹으로 구분되는 경우에는 전류 흐름 상에서 2번째 엘이디 그룹(D2)이 마지막 엘이디 그룹이 될 수밖에 없어 불가피하지만, 3개 이상의 엘이디 그룹으로 구분되는 경우에는, 제2 그룹 단위 동작전압을 가지는 엘이디 그룹은 첫 번째 엘이디 그룹과 마지막 엘이디 그룹을 제외한 나머지 엘이디 그룹 중 어느 하나를 이루는 것이 바람직하다. 나아가, 2번째 엘이디 그룹(D2)이 다른 엘이디 그룹들 보다 높은 제2 그룹 단위 동작전압을 가지는 것이 바람직하다. 한편, 제2 그룹 단위 동작전압은 제1 그룹 단위 동작전압의 2배 내지 3배의 범위 이내인 것이 바람직하다.
예를 들어, 도 8에 나타낸 것과 같이, 총 46개의 엘이디가 4개의 엘이디 그룹(D1,D2,D3,D4)으로 구분되는 경우, 첫 번째 엘이디 그룹(D1), 3번째 엘이디 그룹(D3) 및 4번째 엘이디 그룹(D3)은 각각 8개의 엘이디로 이루어져 대략 21V의 제1 그룹 단위 동작전압을 가지고, 2번째 엘이디 그룹(D2)은 22개의 엘이디로 이루어져 대략 57V의 제2 그룹 단위 동작전압을 가지도록 구성될 수 있다. 각 엘이디 그룹(D1,D2,D3,D4)을 구성하는 엘이디의 수는 상기한 전제들을 만족하는 범위 이내에서 변화될 수 있다. 제1 그룹 단위 동작전압을 가지는 엘이디 그룹들(D1,D3,D4)을 이루는 엘이디의 수가 반드시 동일해야 하는 것은 아니며, 첫 번째 엘이디 그룹(D1)의 그룹 단위 동작전압보다 높지 않은 한도 내에서 소폭 변화될 수 있을 것이다.
도 9에 도시된 것과 같이, 정류회로를 통해 반파 정류된 정현파 형태의 교류 입력 전압이 인가되면, 4개의 엘이디 그룹(D1,D2,D3,D4)은 전류 흐름을 기준으로, 상류에 위치하는 첫 번째 엘이디 그룹(D1)으로부터 하류에 위치하는 4번째 엘이디 그룹의 순으로 순차적으로 발광이 일어난다. 교류 전압의 반주기 내에서, 첫 번째 엘이디 그룹(D1)의 그룹 단위 동작전압인 21V에 도달하면, 바이패스 스위치(S1)가 On 상태로 유지되고, 첫 번째 엘이디 그룹(D1) 만이 발광된다. 첫 번째 엘이디 그룹(D1)이 낮은 21V의 낮은 동작전압을 가짐에 따라, 반도체 발광소자 조명장치가 낮은 전압에서 점등이 시작된다. 교류 전압이 첫 번째 엘이디 그룹(D1)과 2번째 엘이디 그룹(D2)의 그룹 단위 동작전압을 합한 값인 78V에 도달하면 바이패스 스위치(S1)가 off 됨과 동시에 바이패스 스위치(S2)가 On 상태로 유지되고, 첫 번째 엘이디 그룹(D1)과 2번째 엘이디 그룹(D2)이 발광된다. 교류 전압이 첫 번째 엘이디 그룹(D1) 내지 3번째 엘이디 그룹(D3)의 그룹 단위 동작전압을 합한 값인 99V에 도달하면 바이패스 스위치(S2)가 off 됨과 동시에 바이패스 스위치(S3)가 On 상태로 유지되고, 첫 번째 엘이디 그룹(D1), 2번째 엘이디 그룹(D2) 및 3번째 엘이디 그룹(D3)이 발광된다. 이어서, 교류 전압이 첫 번째 엘이디 그룹(D1) 내지 4번째 엘이디 그룹(D4)의 그룹 단위 동작전압을 모두 합한 값인 120V에 도달하면 바이패스 스위치(S3)가 off 되면서 첫 번째 엘이디 그룹(D1), 2번째 엘이디 그룹(D2), 3번째 엘이디 그룹(D3) 및 4번째 엘이디 그룹(D4)이 모두 발광된다.
상기한 바와 같이, 첫 번째 엘이디 그룹(D1)이 낮은 그룹 단위 동작전압을 가짐에 따라, 조광기를 사용한 조도 조절시 점등 시작 전압이 낮게 형성되므로, 넓은 조광범위를 실현할 수 있다. 이로 인해 현저한 전기 효율 및 역률 개선을 달성할 수 있다.
도 10은 본 개시에 따른 반도체 발광소자 조명장치의 엘이디 배치구조의 일 예를 도시한 도면이다.
반도체 발광소자 조명장치를 구성하는 복수의 엘이디 그룹(D1,D2,D3,D4)은 기판(20) 위에 장착되어 모듈화된다. 복수의 엘이디 그룹(D1,D2,D3,D4)은 기판(20) 위에서 중심 측으로부터 가장자리 측으로 가면서 겹겹이 둘러싸는 구조로 배치되는 것이 바람직하다. 또한, 전류 흐름 상에서 첫 번째 엘이디 그룹(D1)부터 순차적으로 기판(20)의 중심 측에서 시작하여 가장자리 측으로 가면서 배치되는 것이 바람직하다. 이와 같이 배치함으로써, 교류전압의 반주기 내에서, 전류 흐름 상의 상류에 위치하는 첫 번째 엘이디 그룹(D1)으로부터 하류에 위치하는 4번째 엘이디 그룹(D4)의 순으로 발광이 일어나게 된다. 따라서 기판(20)의 중심 측에서부터 가장자리 측으로 가면서 점진적으로 점등이 진행되고, 가장자리 측에서부터 중심 측으로 가면서 점진적으로 소등이 진행되어 전체적으로 빛의 밝기를 균일하게 구현할 수 있다. 반대로, 또한, 전류 흐름 상에서 첫 번째 엘이디 그룹(D1)부터 순차적으로 기판(20)의 가장자리 측에서 시작하여 중심 측으로 가면서 배치되는 것 또한 가능하다. 이 경우, 기판(20)의 가장자리 측에서부터 중심 측으로 가면서 점진적으로 점등이 진행되고, 중심 측에서부터 가장자리 측으로 가면서 점진적으로 소등이 진행되어 전체적으로 빛의 밝기를 균일하게 구현할 수 있다.
도 10에 나타낸 것과 같이, 기판(20)은 원형으로 형성될 수 있으며, 엘이디 그룹들(D1,D2,D3,D4)은 기판(20) 위에 동심원 형태로 배치될 수 있다.
도 11은 본 개시에 따른 반도체 발광소자 조명장치의 엘이디 배치구조의 다른 일 예를 도시한 도면으로서, 도 9의 예와 마찬가지로 기판(20)이 원형으로 형성되는 가운데, 엘이디 그룹들(D1,D2,D3,D4)은 기판(20) 위에 동심원 형태가 아닌 나선형으로 배치될 수도 있다.
도 12는 본 개시에 따른 반도체 발광소자 조명장치의 엘이디 배치구조의 또 다른 일 예를 도시한 도면으로서, 기판(20)은 사각형으로 형성될 수 있으며, 엘이디 그룹들(D1,D2,D3,D4)은 기판(20) 위에서 중심 측으로부터 가장자리 측으로 가면서 겹겹이 둘러싸는 구조로 배치될 수 있다.
상기한 바와 같이, 본 개시에 따른 반도체 발광소자 조명장치에서, 각각 하나 이상의 엘이디를 포함하는 복수의 엘이디 그룹(D1,D2,D3,D4)은 직렬로 연결되는 가운데 기판 위에 균형적인 배치구조로 배열되고, 나아가 엘이디 그룹과 엘이디 그룹 사이사이에 위치하는 바이패스 스위치(S1,S2,S3)에 의해 그룹 단위로 순차적으로 점등될 수 있도록 제어됨에 따라, 교류전압의 반주기 중 어떤 구간에도 전체적으로 빛의 밝기를 균일하게 구현할 수 있다. 또한, 조광기를 사용한 조도 조절시에도 중심 측에서부터 가장자리 측으로 가면서 점진적인 조도 조절이 가능하여, 암역이 발생하지 않는 가운데 전체적으로 빛의 밝기를 균일하게 구현할 수 있다.
이하, 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.
(1) n개의 엘이디 그룹 중 첫 번째 엘이디 그룹을 포함하는 (n-1)개의 엘이디 그룹은 제1 동작전압을 가지고, 나머지 한 개의 엘이디 그룹은 제2 동작전압을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.
(2) 제2 동작전압은 제1 동작전압의 2배 내지 3배의 범위 이내인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.
(3) 2번째 엘이디 그룹은 제2 동작전압을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.
(4) n이 3이상이며, 제2 동작전압을 가지는 엘이디 그룹은 첫 번째 엘이디 그룹 및 n번째 엘이디 그룹을 제외한 나머지 엘이디 그룹 중 어느 하나를 이루는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.
(5) 상기 반주기 내에서, 전류 흐름 상의 상류에 위치하는 첫 번째 엘이디 그룹으로부터 하류에 위치하는 n번째 엘이디 그룹의 순으로 발광이 일어나는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.
(6) 기판;을 포함하며, n개의 엘이디 그룹은 중심 측에서부터 가장자리 측으로 가면서 겹겹이 둘러싸는 구조로 기판 위에 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.
(7) 전류 흐름 상에서 첫 번째 엘이디 그룹부터 순차적으로 기판의 중심 측에서 시작하여 가장자리 측으로 가면서 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.
(8) 기판은 원형으로 형성되며, n개의 엘이디 그룹은 기판 위에 동심원 형태로 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.
(9) 전류 흐름 상에서 첫 번째 엘이디 그룹부터 순차적으로 기판의 중심 측에서 시작하여 가장자리 측으로 가면서 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.
본 개시는 교류에 의해 구동되며 조광범위를 넓힐 수 있는 반도체 발광소자 조명장치를 제공하기 위한 것이다.
본 개시에 따른 하나의 반도체 발광소자 조명장치에 의하면, 첫 번째 엘이디 그룹이 낮은 그룹 단위 동작전압을 가짐에 따라, 조광기를 사용한 조도 조절시 점등 시작 전압이 낮게 형성되므로 넓은 조광범위를 실현할 수 있다.
본 개시에 따른 다른 하나의 반도체 발광소자 조명장치에 의하면, 전기 효율 및 역률의 개선을 달성할 수 있다.
본 개시에 따른 또 다른 하나의 반도체 발광소자 조명장치에 의하면, 교류전압의 반주기 중 어떤 구간에도 전체적으로 빛의 밝기를 균일하게 구현할 수 있다.
본 개시에 따른 또 다른 하나의 반도체 발광소자 조명장치에 의하면, 조광기를 사용한 조도 조절시 중심 측에서부터 가장자리 측으로 가면서 점진적인 조도 조절이 가능하여, 암역이 발생하지 않는 가운데 전체적으로 빛의 밝기를 균일하게 구현할 수 있다.
D1,D2,D3,D4: 엘이디 그룹
S11,S12,S13: 바이패스 스위치
20: 기판

Claims (10)

  1. 반도체 발광소자 조명장치에 있어서,
    조도를 조절하는 조광기;
    각각 교류 전압의 반주기 내에서 발광할 수 있으며, 제1 동작전압 또는 제1 동작전압보다 2배 내지 3배가 높은 제2 동작전압을 가지는 직렬로 연결된 n개의 엘이디 그룹(n≥2)(하나의 반주기는 (2n+1)개의 구간으로 나누어지며, 2번째 구간에서 1개의 엘이디 그룹이 발광할 수 있으며, (k+1)번째 구간(1<k≤n)에서 k개의 엘이디 그룹이 발광할 수 있고, (n+1)번째 구간에서 n개의 엘이디 그룹이 발광할 수 있고, (n+m)번째 구간(1<m≤n)에서 (n+1-m)개의 엘이디 그룹이 발광할 수 있음);으로서, 전류 흐름 상에서 첫 번째 엘이디 그룹은 제1 동작전압을 갖고 두 번째 엘이디 그룹은 제2 동작전압을 갖는 n개의 엘이디 그룹; 및
    전류 흐름 상에서 p번째 엘이디 그룹(1≤p<n) 후방과 (p+1)번째 엘이디 그룹 사이에 위치하여 On 되었을 때 p번째 엘이디 그룹 후방으로 전류를 흘리는 하나 이상의 바이패스 스위치를 이용하여, 각각의 엘이디 그룹을 상기 반주기 내의 일부 구간에서 발광시키는 스위치 조합;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 반주기 내에서, 전류 흐름 상의 상류에 위치하는 첫 번째 엘이디 그룹으로부터 하류에 위치하는 n번째 엘이디 그룹의 순으로 발광이 일어나는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.
  7. 청구항 1에 있어서,
    기판;을 포함하며,
    n개의 엘이디 그룹은 중심 측에서부터 가장자리 측으로 가면서 겹겹이 둘러싸는 구조로 기판 위에 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.
  8. 청구항 7에 있어서,
    전류 흐름 상에서 첫 번째 엘이디 그룹부터 순차적으로 기판의 중심 측에서 시작하여 가장자리 측으로 가면서 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.
  9. 청구항 7에 있어서,
    기판은 원형으로 형성되며, n개의 엘이디 그룹은 기판 위에 동심원 형태로 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.
  10. 청구항 7에 있어서,
    전류 흐름 상에서 첫 번째 엘이디 그룹부터 순차적으로 기판의 가장자리 측에서 시작하여 중심 측으로 가면서 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 조명장치.
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KR20100077109A (ko) * 2008-12-28 2010-07-07 심현섭 교류전원에 의해 구동하는 엘이디 조명장치
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