KR101446720B1 - Apparatus for manufacturing ingot having single crystal - Google Patents

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Abstract

실시예의 단결정 잉곳 제조 장치는, 용융액을 수용 가능한 도가니와, 도가니를 가열하는 히터와, 히터와 용융액으로부터의 복사열을 차단하는 열 차폐 부재와, 서로 연통하는 제1 및 제2 챔버부를 갖는 챔버 및 냉각수의 유동 공간을 갖는 수냉관을 포함하고, 제2 챔버부는 제1 챔버부보다 넓은 폭을 가지며, 수냉관은 제1 챔버부의 내부에 배치된 제1 세그먼트 및 제1 세그먼트로부터 연장되어 제2 챔버부의 내부에 배치되며 제1 세그먼트보다 넓은 폭을 갖는 제2 세그먼트를 포함한다.The single crystal ingot manufacturing apparatus of the embodiment comprises a crucible capable of accommodating a melt, a heater for heating the crucible, a heat shielding member for shielding radiant heat from the heater and the melt, a chamber having first and second chamber portions communicating with each other, Wherein the second chamber portion has a wider width than the first chamber portion and the water cooling tube extends from the first segment disposed within the first chamber portion and from the first segment extending from the first chamber portion to the second chamber portion, And a second segment disposed within the first segment and having a wider width than the first segment.

Description

단결정 잉곳 제조 장치{Apparatus for manufacturing ingot having single crystal}[0001] The present invention relates to a single crystal ingot producing apparatus,

실시예는 단결정 잉곳 제조 장치에 관한 것이다.The embodiment relates to a single crystal ingot manufacturing apparatus.

일반적으로 실리콘 웨이퍼를 제조하는 방법으로서, 플로우팅존(FZ:Floating Zone)법 또는 초크랄스키(CZ:CZochralski)법이 많이 이용되고 있다. FZ 법을 적용하여 단결정 실리콘 잉곳을 성장시키는 경우, 대구경의 실리콘 웨이퍼를 제조하기 어려울 뿐만 아니라 공정 비용이 매우 비싼 문제가 있기 때문에, CZ 법에 의거하여 단결정 실리콘 잉곳을 성장시키는 것이 일반화되어 있다.In general, as a method of manufacturing a silicon wafer, a Floating Zone (FZ) method or a CZ (CZochralski) method is widely used. In the case of growing a single crystal silicon ingot by applying the FZ method, it is difficult to manufacture a large diameter silicon wafer, and there is a problem in that the process cost is very high. Therefore, it is general to grow a single crystal silicon ingot according to the CZ method.

CZ 법에 의하면, 석영 도가니에 다결정 실리콘을 장입하고, 흑연 발열체를 가열하여 이를 용융시킨 후, 용융 결과 형성된 실리콘 용융액에 씨드(seed) 결정을 침지시키고, 용융액 계면에서 결정화가 일어나도록 하여 씨드 결정을 회전하면서 인상시킴으로서 단결정 실리콘 잉곳이 육성된다. 이후, 육성된 단결정 실리콘 잉곳을 슬라이싱(slicing), 에칭(etching) 및 연마(polishing)하여 웨이퍼 형태로 만든다.According to the CZ method, polycrystalline silicon is charged into a quartz crucible, the graphite heating body is heated to melt it, and then seed crystals are immersed in the silicon melt formed as a result of melting and crystallization occurs at the interface of the melt, So that the single crystal silicon ingot is grown. Thereafter, the grown single crystal silicon ingot is sliced, etched and polished into a wafer shape.

단결정 실리콘 잉곳의 성장시 잉곳의 인상 속도를 향상시키기 위해, 기존의 단결정 잉곳 제조 장치는 단결정 잉곳을 냉각시키는 단결정 잉곳 냉각용 수냉관을 가질 수 있다. 그러나, 이러한 기존의 수냉관은 단결정 잉곳을 냉각시키는 데 한계를 가질 뿐만 아니라 실리콘 용융액을 만드는 과정에서 도가니의 열을 흡수하여 열 손실을 발생시킬 수 있는 문제점을 갖는다.A conventional single crystal ingot manufacturing apparatus may have a single crystal ingot cooling water cooling tube for cooling a single crystal ingot in order to improve the pulling speed of the ingot when the single crystal silicon ingot grows. However, such a conventional water-cooled tube not only limits the cooling of the single crystal ingot, but also has the problem of absorbing the heat of the crucible in the course of making the silicon melt, thereby generating heat loss.

대한민국 특허 공개 공보 10-2010-0062103Korean Patent Publication No. 10-2010-0062103

실시예는 단결정 잉곳의 쿨링(cooling)을 가속화시킬 수 있고 용융액의 생성 시간을 단축시킬 수도 있는 단결정 잉곳 제조 장치를 제공한다.The embodiment provides a monocrystalline ingot manufacturing apparatus capable of accelerating the cooling of a single crystal ingot and shortening the generation time of a melt.

실시예의 단결정 잉곳 제조 장치는, 용융액을 수용 가능한 도가니; 상기 도가니를 가열하는 히터; 상기 히터와 상기 용융액으로부터의 복사열을 차단하는 열 차폐 부재; 서로 연통하는 제1 및 제2 챔버부를 갖는 챔버; 및 냉각수의 유동 공간을 갖는 수냉관을 포함하고, 상기 제2 챔버부는 상기 제1 챔버부보다 넓은 폭을 가지며, 상기 도가니와 상기 히터와 상기 열 차폐 부재를 수용하고, 상기 수냉관은 상기 제1 챔버부의 내부에 배치된 제1 세그먼트; 및 상기 제1 세그먼트로부터 연장되어 상기 제2 챔버부의 내부에 배치되며, 상기 제1 세그먼트보다 넓은 폭을 갖는 제2 세그먼트를 포함한다.The single crystal ingot manufacturing apparatus of the embodiment comprises: a crucible accommodating a melt; A heater for heating the crucible; A heat shielding member for shielding radiant heat from the heater and the melt; A chamber having first and second chamber portions communicating with each other; And a water-cooled tube having a flow space of the cooling water, wherein the second chamber portion has a width larger than that of the first chamber portion, receives the crucible, the heater and the heat shielding member, A first segment disposed within the interior of the chamber portion; And a second segment extending from the first segment and disposed within the second chamber portion, the second segment having a wider width than the first segment.

상기 제2 챔버부는 상기 제1 챔버부와 연통하는 돔 챔버부; 및 상기 돔 챔버부와 연통하는 메인 챔버부를 포함한다.The second chamber portion includes a dome chamber portion communicating with the first chamber portion; And a main chamber portion communicating with the dome chamber portion.

상기 제2 세그먼트는 상기 돔 챔버부의 내부에 배치되거나 상기 돔 챔버부로부터 상기 메인 챔버부의 내부까지 배치된다.The second segment is disposed inside the dome chamber part or from the dome chamber part to the inside of the main chamber part.

상기 수냉관은 상기 제1 챔버부에 착탈 가능하다. 상기 수냉관과 상기 제1 챔버부는 나사 결합 가능하다. 상기 제2 세그먼트는 외측으로 볼록하다.The water-cooled tube is detachable from the first chamber portion. The water-cooled tube and the first chamber portion are screwable. The second segment is outwardly convex.

상기 단결정 잉곳 제조 장치는 상기 챔버에서 성장되는 단결정 잉곳과 상기 용융액 사이의 계면에 광을 조사하여 상기 단결정 잉곳의 직경을 센싱하는 센서를 더 포함한다.The single crystal ingot manufacturing apparatus further includes a sensor for sensing the diameter of the single crystal ingot by irradiating light to an interface between the single crystal ingot grown in the chamber and the melt.

상기 제2 세그먼트에서, 상기 센서로부터 조사된 상기 광이 지나가는 경로 상에 위치한 부분은 투명한 재질로 이루어지거나 관통 홀을 갖는다.In the second segment, a portion located on a path through which the light irradiated from the sensor passes is made of a transparent material or has a through hole.

상기 단결정 잉곳 제조 장치는 상기 수냉관의 잉곳 출입구를 개방시키거나 차폐시키는 개폐부재; 및 상기 개폐 부재를 제어하는 개폐 제어부를 포함한다.Wherein the single crystal ingot manufacturing apparatus comprises: an opening / closing member for opening or closing an ingot entrance of the water-cooled tube; And an opening / closing control unit for controlling the opening and closing member.

상기 개폐 제어부는 유체에 의해 상기 개폐 부재를 제어할 수 있다. 예를 들어, 상기 유체는 불활성 기체이다. 또는 상기 개폐 제어부는 개폐 와이어에 의해 상기 개폐 부재를 제어한다.The opening / closing control unit may control the opening / closing member by a fluid. For example, the fluid is an inert gas. Alternatively, the opening / closing control unit controls the opening / closing member by an opening / closing wire.

상기 용융액을 생성하거나 상기 단결정 잉곳을 쿨링할 때, 상기 개폐 제어부는 상기 개폐 부재를 제어하여 상기 잉곳 출입구를 차폐시키는 열 차폐막을 상기 열 차폐 부재와 함께 형성한다.When the melt is generated or the monocrystalline ingot is cooled, the open / close control unit controls the open / close member to form a heat shielding film together with the heat shielding member to shield the ingot entrance.

상기 개폐 부재는 원통형 몸체; 및 상기 원통형 몸체의 일단 내면에 서로 힌지 결합되어, 위로 부채꼴 모양으로 펼쳐진 개방 위치에서 상기 잉곳 출입구를 개방하고 아래로 접힌 차폐 위치에서 상기 잉곳 출입구를 차폐시키는 복수의 날개를 포함한다.Wherein the opening and closing member comprises: a cylindrical body; And a plurality of blades hinged to each other at an inner surface of the one end of the cylindrical body to open the ingot entrance at an open position in a fan shape and shield the ingot entrance at a folded down position.

상기 원통형 몸체는 상기 제2 세그먼트의 하부와 일체로 형성될 수 있다.The cylindrical body may be integrally formed with the lower portion of the second segment.

상기 제2 세그먼트 하부는 내측으로 경사질 수 있다.The lower portion of the second segment may be inclined inward.

상기 복수의 날개는 상기 개방 위치에서 상기 제2 세그먼트의 경사진 내면에 받쳐진다.The plurality of vanes are supported on the inclined inner surface of the second segment at the open position.

상기 단결정 잉곳 제조 장치는 상기 제2 세그먼트의 경사진 내면의 반대측의 외면에 배치되어, 상기 개방 위치에 있는 상기 복수의 날개를 자성에 의해 끌어 당기는 자성체; 및 상기 자성체의 자성을 변화시키는 자성체 제어부를 더 포함한다.The single crystal ingot manufacturing apparatus includes a magnetic body disposed on an outer surface of an opposite side of an inclined inner surface of the second segment and attracting the plurality of vanes at the open position by magnetism; And a magnetic body control unit for changing the magnetism of the magnetic body.

상기 개폐 제어부는 상기 개방 위치에 있는 상기 복수의 날개의 제1 면을 향해 유체를 분사하여 상기 복수의 날개를 상기 차폐 위치로 이동시키는 제1 분사 노즐; 상기 차폐 위치에 있는 상기 복수의 날개의 상기 제1 면의 반대측의 제2 면을 향해 유체를 분사하여 상기 복수의 날개를 상기 개방 위치로 이동시키는 제2 분사 노즐; 및 상기 제1 및 제2 분사 노즐로부터의 상기 유체의 분사 여부 및 상기 유체의 유속 중 적어도 하나를 제어하는 노즐 제어부를 포함한다.Wherein the opening / closing control unit includes: a first injection nozzle for spraying a fluid toward the first surface of the plurality of blades in the open position to move the plurality of blades to the shielded position; A second injection nozzle for spraying a fluid toward a second surface opposite to the first surface of the plurality of blades in the shielded position to move the plurality of blades to the open position; And a nozzle control unit for controlling at least one of whether or not the fluid is jetted from the first and second jet nozzles and the flow rate of the fluid.

상기 노즐 제어부는 상기 복수의 날개를 상기 개방 위치로부터 상기 차폐 위치로 이동시킬 때, 상기 제2 분사 노즐이 유체를 분사하도록 제어한다.The nozzle control unit controls the second injection nozzle to inject the fluid when the plurality of blades are moved from the open position to the shielded position.

상기 노즐 제어부는 상기 복수의 날개를 상기 차폐 위치로부터 상기 개방 위치로 이동시킬 때, 상기 제1 분사 노즐이 유체를 분사하도록 제어한다.The nozzle control unit controls the first injection nozzle to inject the fluid when the plurality of blades are moved from the shielded position to the open position.

상기 제1 및 제2 분사 노즐 각각은 상기 챔버의 외부로부터 유입된 상기 유체가 이동하는 유체 공급 배관; 및 상기 유체 공급 배관으로부터의 상기 유체가 분사되는 적어도 하나의 분사구를 포함한다.Wherein each of the first and second injection nozzles includes a fluid supply pipe through which the fluid introduced from the outside of the chamber moves; And at least one injection port through which the fluid from the fluid supply pipe is injected.

상기 제1 및 제2 분사 노즐 각각은 상기 수냉관의 내부에 배치될 수 있다.Each of the first and second injection nozzles may be disposed inside the water-cooled tube.

상기 적어도 하나의 분사구는 상기 복수의 날개와 각각 마주하는 복수의 분사구를 포함할 수 있다.The at least one jetting opening may include a plurality of jetting openings respectively facing the plurality of vanes.

실시예에 따른 단결정 잉곳 제조 장치는 단결정 잉곳을 기존보다 빨리 쿨링시킬 수 있어 단결정 잉곳의 인상 속도를 빠르게 하고 단결정 잉곳의 제조 시간을 단축시키고 제조 비용을 절감시키며, 수냉관을 투명한 재질로 만들거나 관통 홀을 배치하여 센서로부터 조사되는 광의 경로를 차단하지 않으므로 수냉관의 제2 세그먼트의 길이를 최대한 길게하여 단결정 잉곳의 쿨링 속도를 더욱 빠르게 할 수 있고, 수냉관의 제1 세그먼트와 제1 챔버부를 나사 결합시켜 서로 용이하게 체결될 수 있도록 할 뿐만 아니라 챔버로부터 수냉관의 교체를 용이하도록 하고, 용융액을 생성할 때 열 차폐 부재와 함께 개패 부재에 의해 열 차폐막을 형성하여 열 손실을 차단할 수 있을 뿐만 아니라 열을 반사시켜 도가니로 되돌릴 수 있어 용융액을 생성하는 데 소요되는 시간을 단축시키고 히터의 파워를 감소시킬 수 있으며, 개방 위치에 있는 복수의 날개가 순간적으로 닫힐 수 있는 위험을 자성체에 의해 안전하게 방지할 수 있고, 제1 및 제2 분사 노즐을 수냉관의 내부에 배치함으로써 챔버 내부에서 단결정 잉곳을 성장시킬 때 제1 및 제2 분사 노즐이 영향을 미치지 않도록 하고, 제1 및 제2 분사 노즐로부터 분사되는 유체의 유속을 제어하여 복수의 날개가 큰 충격없이 차폐 위치에 안착되거나 복수의 날개가 수냉관에 충격을 주지 않고 개방 위치에 안착될 수 있도록 한다.The single crystal ingot manufacturing apparatus according to the embodiment can cool the single crystal ingot faster than the conventional one to increase the pulling speed of the single crystal ingot, shorten the manufacturing time of the single crystal ingot and reduce the manufacturing cost, The length of the second segment of the water-cooled tube can be maximized to increase the cooling rate of the single crystal ingot, and the first segment and the first chamber portion of the water- Not only can it be fastened to each other easily, but also it is possible to easily replace the water-cooled tube from the chamber, and a heat shielding film can be formed by the separating member together with the heat shielding member when the melt is generated, The heat can be reflected back to the crucible, It is possible to shorten the interval and reduce the power of the heater and to safely prevent the risk that the plurality of blades in the open position may instantaneously be closed by the magnetic body and to prevent the first and second injection nozzles So that the first and second injection nozzles are not affected when the monocrystalline ingot is grown in the chamber and the flow rate of the fluid injected from the first and second injection nozzles is controlled so that the plurality of blades are moved to the shielded position Or a plurality of blades can be seated in the open position without impacting the water-cooled tube.

도 1은 실시예에 의한 단결정 잉곳 제조 장치의 블럭도를 나타낸다.
도 2는 도 1에 예시된 수냉관의 실시예에 의한 사시도를 나타낸다.
도 3은 도 1에 예시된 단결정 잉곳 제조 장치가 용융액을 생성할 때의 단면도를 나타낸다.
도 4는 실시예에 의한 단결정 잉곳 제조 장치의 실험 횟수에 따른 용융액 생성 시간을 나타내는 그래프이다.
도 5는 도 1에 예시된 단결정 잉곳 제조 장치가 육성된 단결정 잉곳을 쿨링할 때의 단면도를 나타낸다.
도 6a 및 도 6b는 도 1에 예시된 개폐 부재의 사시도 및 평면도를 각각 나타낸다.
도 7a 및 도 7b는 도 1 및 도 3의 "A" 및 "B" 부분을 각각 확대 도시한 도면이다.1 is a block diagram of a single crystal ingot manufacturing apparatus according to an embodiment.
Fig. 2 is a perspective view of an embodiment of the water-cooled tube illustrated in Fig.
Fig. 3 shows a cross-sectional view of the single crystal ingot producing apparatus illustrated in Fig. 1 when producing a melt.
FIG. 4 is a graph showing a melt generation time according to the number of experiments in the single crystal ingot manufacturing apparatus according to the embodiment.
Fig. 5 shows a cross-sectional view of a single crystal ingot manufacturing apparatus shown in Fig. 1 when cooling a single crystal ingot grown.
6A and 6B are a perspective view and a plan view of the opening and closing member shown in Fig. 1, respectively.
FIGS. 7A and 7B are enlarged views of the "A" and "B" portions of FIGS. 1 and 3, respectively.

이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 설명하고, 발명에 대한 이해를 돕기 위해 첨부도면을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않아야 한다. 본 발명의 실시예들은 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings in order to facilitate understanding of the present invention. However, the embodiments according to the present invention can be modified into various other forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the embodiments described below. Embodiments of the invention are provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art.

도 1은 실시예에 의한 단결정 잉곳 제조 장치(100)의 블럭도를 나타낸다.Fig. 1 is a block diagram of a single crystal ingot manufacturing apparatus 100 according to an embodiment.

도 1을 참조하면, 단결정 잉곳 제조 장치(100)는 챔버(chamber)(110), 도가니(120), 지지 회전축(130), 단열부(140), 히터(heater)(150), 열 차폐 부재(160), 수냉관(170), 개폐 부재(180), 인상부(190), 와이어(192) 및 종결정(194)을 포함한다.1, a single crystal ingot manufacturing apparatus 100 includes a chamber 110, a crucible 120, a supporting rotary shaft 130, a heat insulating portion 140, a heater 150, A cooling member 160, a water-cooling pipe 170, an opening and closing member 180, a lifting unit 190, a wire 192 and a seed crystal 194.

단결정 실리콘 잉곳(I)을 육성하는 실시예에 의한 단결정 잉곳 제조 장치(100)의 구성 및 동작을 살펴보면 다음과 같다.The construction and operation of the single crystal ingot manufacturing apparatus 100 according to the embodiment for growing the single crystal silicon ingot (I) will be described below.

챔버(110)는 서로 연통하는 제1 및 제2 챔버부(112, 114)를 갖는다. 제1 챔버부(112)는 일반적으로 풀(pull) 챔버라 칭한다. 제2 챔버부(114)는 도가니(120), 지지 회전축(130), 단열부(140), 히터(150), 열 차폐 부재(160), 수냉관(170), 와이어(192) 및 종결정(194)을 수용하는 역할을 한다. 제1 챔버부(112)의 폭(W1)은 제2 챔버부(114)의 폭(W2)보다 좁다.The chamber 110 has first and second chamber portions 112, 114 communicating with each other. The first chamber portion 112 is generally referred to as a pull chamber. The second chamber part 114 includes a crucible 120, a supporting rotary shaft 130, a heat insulating part 140, a heater 150, a heat shielding member 160, a water cooling pipe 170, a wire 192, Lt; RTI ID = 0.0 > 194 < / RTI > The width W1 of the first chamber part 112 is narrower than the width W2 of the second chamber part 114. [

또한, 제2 챔버부(114)는 돔(dome) 챔버부(114-1) 및 메인(main) 챔버부(또는 바디(body) 챔버부)(114-2)를 포함한다. 돔 챔버부(114-1)는 제1 챔버부(112)와 연통하며, 메인 챔버부(114-2)는 돔 챔버부(114-1)의 하단으로부터 연장되어 돔 챔버부(114-1)와 연통한다. 경우에 따라, 제1 챔버부(112)와 제2 챔버부(114)는 서로 분리될 수 있고, 돔 챔버부(114-1)와 메인 챔버부(114-2)도 서로 분리될 수 있다.The second chamber portion 114 also includes a dome chamber portion 114-1 and a main chamber portion (or body chamber portion) 114-2. The dome chamber portion 114-1 communicates with the first chamber portion 112 and the main chamber portion 114-2 extends from the lower end of the dome chamber portion 114-1 to form the dome chamber portion 114-1, . In some cases, the first chamber portion 112 and the second chamber portion 114 can be separated from each other, and the dome chamber portion 114-1 and the main chamber portion 114-2 can be separated from each other.

도가니(120)는 단결정 잉곳을 육성시키기 위한 용융액(M)을 수용하는 역할을 한다. 용융액(M)을 수용할 수 있는 도가니(120)는 안쪽(122)은 석영으로 되어 있고, 바깥쪽(124)은 흑연 또는 탄소로 된 이중 구조를 가질 수 있다.The crucible 120 serves to receive the melt M for growing the single crystal ingot. The crucible 120 capable of containing the melt M may have a double structure in which the inside 122 is made of quartz and the outside 124 is made of graphite or carbon.

단열부(140)는 히터(150)로부터의 열이 챔버(110)의 외부로 진행하는 것을 차단하는 역할을 한다. 이를 위해, 단열부(140)는 단열성이 높은 재질 예를 들어 펠트(felt) 소재로 구현될 수 있으며, 성형 단열재, 카본 또는 카본의 표면을 탄화 규소로 커버한 것이 사용될 수 있다.The heat insulating part 140 serves to prevent the heat from the heater 150 from advancing to the outside of the chamber 110. For this purpose, the heat insulating portion 140 may be formed of a material having a high heat insulating property, for example, a felt material, and a surface of a molded thermal insulating material, carbon, or carbon covered with silicon carbide may be used.

히터(150)는 도가니(120)를 가열하는 역할을 한다.The heater 150 serves to heat the crucible 120.

전술한 구성에 의해, 도가니(120)에 담긴 실리콘의 고순도 다결정 원료를 융점 온도 이상으로 히터(150)에 의해 가열하여, 고순도 다결정 원료를 실리콘 용융액(M)으로 변화시킬 수 있다.With the above-described configuration, the high-purity polycrystalline raw material of silicon contained in the crucible 120 can be heated by the heater 150 at a temperature not lower than the melting point temperature to change the raw material of the high purity polycrystalline silicon into the silicon melt M.

이후, 인상부(190)는 와이어(192)를 풀어 실리콘 용융액(M)의 표면의 대략 중심부에 종결정(194) 선단을 접촉 또는 침지시킨다. 이때, 시드 척(seed chuck)(미도시)을 이용하여 실리콘 종결정(194)을 유지시킬 수 있다.Thereafter, the lifting portion 190 loosens the wire 192 to contact or immerse the tip of the seed crystal 194 at the approximate center of the surface of the silicon melt M. At this time, the seed seed crystal (194) can be maintained by using a seed chuck (not shown).

이후, 지지축 구동부(미도시)는 도가니(120)의 지지 회전축(130)을 화살표와 같은 방향으로 회전시킴과 동시에 인상부(190)는 와이어(192)에 의해 단결정 잉곳(I)을 화살표 방향으로 회전시키면서 인상하여 육성한다. 이때, 단결정 잉곳(I)을 인상하는 속도(V)와 온도 구배(G, △G)를 조절하여 원주 형상의 단결정 잉곳(I)을 완성할 수 있다.The supporting shaft driving unit rotates the supporting rotary shaft 130 of the crucible 120 in the direction of the arrow and the pulling unit 190 moves the single crystal ingot I in the direction of arrow And pulled up to grow. At this time, the circumferential single crystal ingot I can be completed by controlling the speed V and the temperature gradients G and? G for pulling up the single crystal ingot I.

열차폐 부재(160)는 히터(150)와 용융액(M)으로부터의 복사열이 단결정 잉곳(I)으로 전달되는 것을 차단하는 역할을 한다. 즉, 열 차폐 부재(160)는 열이 단결정 잉곳(I)으로 전달되는 경로를 차단하여, 복사열에 의해 단결정 잉곳(I)이 가열되는 것을 차단할 수 있다. 이를 위해, 열 차폐 부재(160)는 단열성이 높은 재질 예를 들어 몰리브덴, 텅스텐, 탄탈 등의 금속이나 카본, 카본의 표면을 탄화규소로 커버한 것이나 성형 단열재로 이루어질 수 있다.The heat shield member 160 serves to prevent radiation heat from the heater 150 and the melt M from being transferred to the single crystal ingot I. That is, the heat shielding member 160 cuts off the path through which the heat is transferred to the single crystal ingot I, and can prevent the single crystal ingot I from being heated by the radiant heat. For this purpose, the heat shielding member 160 may be made of a material having a high heat insulating property such as a metal such as molybdenum, tungsten, or tantalum, a surface of carbon or carbon covered with silicon carbide, or a molded heat insulating material.

열 차폐 부재(160)는 단결정 잉곳(I)의 냉각 열 이력에 큰 영향을 미친다. 게다가, 열 차폐 부재(160)는 용융액(M)의 온도 변동을 억제하는 역할도 수행한다. 이러한 역할을 수행하기 위해, 열 차폐 부재(160)는 단결정 잉곳(I)과 도가니(120) 사이에서 단결정 잉곳(I)을 에워싸도록 배치될 수 있다.The heat shielding member 160 greatly affects the cooling heat history of the single crystal ingot I. In addition, the heat shield member 160 also serves to suppress the temperature fluctuation of the melt M. In order to perform such a role, the heat shield member 160 may be arranged to surround the single crystal ingot I between the single crystal ingot I and the crucible 120. [

한편, 수냉관(170)은 단결정 잉곳(I)을 냉각수에 의해 식히는 역할을 한다. 수냉관(170)은 외측관(170-1), 유동 공간(170-2) 및 내측관(170-3)을 포함할 수 있다.On the other hand, the water-cooling tube 170 functions to cool the single crystal ingot I by cooling water. The water-cooled tube 170 may include an outer tube 170-1, a flow space 170-2, and an inner tube 170-3.

수냉관(170)의 외측관(170-1)은 원통 형상을 가질 수 있다. 내측관(170-3)은 외측관(170-1)의 직경보다 작은 직경을 가지며, 단결정 잉곳(I)의 외곽을 감싸도록 상하면이 개방된 원통 형상으로 형성될 수 있다. 외측관(170-1)과 내측관(170-3) 사이에 냉각수가 유동하는 유동 공간(170-2)이 형성된다. 냉각수는 수냉관(170)의 유입구(170A)를 통해 유입된 후 유동 공간(170-2)을 통해 수냉관(170)을 순환한 후, 배출구(170B)를 통해 배출된다. 수냉관(170)의 유입구(170A)와 배출구(170B)는 냉각수 순환 장치(미도시)에 연결되어 계속적으로 냉각수가 반복적으로 유입 및 배출되어, 냉각수가 순환되는 사이클이 반복될 수 있다. 외측관(170-1)과 내측관(170-3)은 스테일레스 스틸 등과 같은 불투명한 금속 재질로 이루어질 수 있으나, 이에 국한되지 않는다.The outer tube 170-1 of the water-cooled tube 170 may have a cylindrical shape. The inner tube 170-3 has a diameter smaller than that of the outer tube 170-1 and may be formed in a cylindrical shape with the upper and lower surfaces opened to surround the outer periphery of the single crystal ingot I. A flow space 170-2 in which cooling water flows is formed between the outer tube 170-1 and the inner tube 170-3. The cooling water flows through the inlet port 170A of the water-cooled pipe 170, circulates through the water-cooling pipe 170 through the flow space 170-2, and is discharged through the outlet port 170B. The inlet port 170A and the outlet port 170B of the water-cooled pipe 170 are connected to a cooling water circulation device (not shown) so that the cooling water is repeatedly flowed in and out repeatedly, and the cycle of circulating the cooling water can be repeated. The outer tube 170-1 and the inner tube 170-3 may be made of opaque metal such as stainless steel or the like, but are not limited thereto.

또한, 실시예에 의하면, 수냉관(170)은 제1 및 제2 세그먼트(172, 174)로 구분될 수 있다. 제1 세그먼트(172)는 제1 챔버부(112)의 내부에 배치되는 반면, 제2 세그먼트(174)는 제1 세그먼트(172)로부터 연장되어 제2 챔버부(114)의 내부에 배치된다. 제2 세그먼트(174)는 제1 세그먼트(172)의 폭(W3)보다 넓은 폭(W4)을 가질 수 있다. 만일, 제1 및 제2 세그먼트(172, 174)가 원통형일 경우, 제2 세그먼트(174)는 제1 세그먼트(172)의 직경보다 넓은 직경을 가질 수 있다. In addition, according to the embodiment, the water-cooled pipe 170 can be divided into the first and second segments 172 and 174. The first segment 172 is disposed within the first chamber portion 112 while the second segment 174 extends from the first segment 172 and is disposed within the second chamber portion 114. The second segment 174 may have a width W4 that is wider than the width W3 of the first segment 172. [ If the first and second segments 172 and 174 are cylindrical, the second segment 174 may have a diameter that is wider than the diameter of the first segment 172.

또한, 도 1에 예시된 바와 같이, 수냉관(170)의 제2 세그먼트(174)는 외측으로 볼록한 형태를 가질 수 있지만, 실시예는 이에 국한되지 않으며 제2 세그먼트(174)의 폭이 제1 세그먼트(172)의 폭보다 크기만 하다면, 제2 세그먼트(174)는 다양한 형상을 가질 수 있다.1, the second segment 174 of the water-cooled tube 170 may have an outwardly convex shape, but the embodiment is not limited to this, and the width of the second segment 174 may be a first If the width of the segment 172 is greater than the width of the segment 172, the second segment 174 may have various shapes.

기존의 단결정 잉곳 제조 장치의 경우 수냉관(170)은 제1 세그먼트(172)만을 갖고 제2 세그먼트(174)를 갖지 않는다. 반면에, 실시예에 의한 단결정 잉곳 제조 장치의 수냉관(170)은 제1 세그먼트(172)뿐만 아니라 제1 세그먼트(172)의 폭(W3)보다 큰 폭(W4)을 갖는 제2 세그먼트(174)를 더 포함한다. 따라서, 실시예에 의한 수냉관(170)이 단결정 잉곳(I)과 대향하는 면적은 기존의 단결정 잉곳 제조 장치의 수냉관이 단결정 잉곳(I)과 대향하는 면적보다 넓다. 예를 들어, 기존의 단결정 잉곳 제조 장치의 수냉관의 내부 면적보다 실시예에 의한 수냉관(170)의 내부 면적이 20% 정도 더 클 수 있다.In the case of the conventional single crystal ingot manufacturing apparatus, the water-cooling pipe 170 has only the first segment 172 and does not have the second segment 174. On the other hand, the water-cooling pipe 170 of the single crystal ingot manufacturing apparatus according to the embodiment has not only the first segment 172 but also the second segment 174 having a width W4 larger than the width W3 of the first segment 172 ). Therefore, the area of the water-cooled tube 170 facing the single crystal ingot I according to the embodiment is larger than the area of the water-cooling tube of the conventional single crystal ingot production device facing the single crystal ingot I. For example, the internal area of the water-cooling tube 170 according to the embodiment may be about 20% larger than the internal area of the water-cooling tube of the conventional single crystal ingot manufacturing apparatus.

결국, 이러한 넓은 내부 면적으로 인해, 실시예에 의한 수냉관(170)은 단결정 잉곳(I)의 표면으로부터 방사되는 열을 기존의 수냉관보다 더 빨리 흡수함으로써, 단결정 잉곳(I)을 보다 빨리 쿨링시킬 수 있다. 다음 수학식 1은 열 유속(heat flux)(Q)을 표현하는 수학식이다.As a result, due to such a large internal area, the water-cooled tube 170 according to the embodiment absorbs the heat radiated from the surface of the single crystal ingot I faster than the conventional water-cooled tube, so that the single crystal ingot I is cooled faster . The following equation (1) is a mathematical expression expressing a heat flux (Q).

Figure 112013013185309-pat00001
Figure 112013013185309-pat00001

여기서, A는 수냉관(170)의 표면적을 나타내고, ε는 방사율(emissivity)을 나타내고, σ는 스테판-볼츠만(Stefan-Boltzmann) 상수(constant)를 나타내고, TI는 단결정 잉곳(I)의 온도를 나타내고, T170은 수냉관(170)의 온도를 나타낸다.Where A represents the surface area of the water cooled tube 170, ε represents the emissivity, σ represents the Stefan-Boltzmann constant and T I represents the temperature of the single crystal ingot (I) And T 170 represents the temperature of the water-cooled tube 170.

수학식 1을 참조하면, 수냉관(170)의 길이와 폭을 변화에 따른 열 유속(Q)의 변화를 확인할 수 있다. 이로부터, 수냉관(170)의 길이를 증가시키는 것보다 수냉관(170)의 폭을 증가시키는 것이 열 유속이 큼을 알 수 있다. 따라서, 실시예에 의하면, 수냉관(170)은 제1 세그먼트(172)의 폭(W3)보다 큰 폭(W4)을 갖는 제2 세그먼트(174)를 더 포함하므로, 단결정 잉곳(I)을 기존보다 빨리 냉각시킬 수 있음을 알 수 있다.Referring to Equation (1), it is possible to confirm a change in the heat flow rate Q as the length and width of the water-cooled tube 170 change. From this, it can be seen that increasing the width of the water-cooling tube 170 increases the heat flow rate, rather than increasing the length of the water-cooling tube 170. Therefore, according to the embodiment, the water-cooled tube 170 further includes the second segment 174 having a width W4 larger than the width W3 of the first segment 172, It can be understood that cooling can be performed more quickly.

한편, 도 1의 경우, 제2 세그먼트(174)는 돔 챔버부(114-1)로부터 메인 챔버부(114-2)의 내부까지 배치되어 있지만, 실시예는 이에 국한되지 않는다. 즉, 제2 세그먼트(174)는 도 1에 예시된 바와 달리, 돔 챔버부(114-1)의 내부에만 배치될 수도 있다.1, the second segment 174 is disposed from the dome chamber portion 114-1 to the inside of the main chamber portion 114-2, but the embodiment is not limited to this. That is, the second segment 174 may be disposed only inside the dome chamber portion 114-1, unlike the one illustrated in Fig.

또한, 수냉관(170)의 제1 세그먼트(172)는 제1 챔버부(112)와 서로 착탈 가능한 구조를 가질 수 있다. 따라서, 제1 챔버부(112)를 제2 챔버부(114)로부터 분리시킨 후에, 수냉관(170)의 제1 세그먼트(172)를 오픈된 제1 챔버부(112)의 하부로부터 삽입하여 제1 챔버부(112)에 결합시킬 수 있다.In addition, the first segment 172 of the water-cooled pipe 170 may have a structure capable of being detached from the first chamber 112. Thus, after the first chamber portion 112 is separated from the second chamber portion 114, the first segment 172 of the water-cooled tube 170 is inserted from the lower portion of the opened first chamber portion 112, 1 chamber part 112. [0054] FIG.

도 2는 도 1에 예시된 수냉관(170)의 실시예에 의한 사시도를 나타낸다.2 shows a perspective view of an embodiment of the water-cooled pipe 170 illustrated in Fig.

도 2에 예시된 바와 같이, 수냉관(170)의 제1 세그먼트(172)와 제1 챔버부(112)의 내측면은 서로 나사 결합 가능하다. 이를 위해, 수냉관(170)의 제1 세그먼트(172)는 수나사(173)의 모양을 갖고, 제1 챔버부(112)의 내측면은 암나사의 모양을 가질 수 있다. 이 경우, 제1 챔버부(112)와 제2 챔버부(114)를 서로 분리시킨 후, 오픈된 제1 챔버부(112)의 하단으로 수냉관(170)의 제1 세그먼트(172)를 삽입하여, 제1 세그먼트(172)와 제1 챔버부(112)를 수나사와 암나사가 결합되는 형태로 체결할 수 있다. 따라서, 제1 세그먼트(172)와 제1 챔버부(112)는 나사 결합에 의해 서로 용이하게 체결될 수 있을 뿐만 아니라, 챔버(110)로부터 수냉관(170)의 교체를 용이하도록 한다.2, the first segment 172 of the water-cooled tube 170 and the inner surface of the first chamber portion 112 are threadably engageable with each other. To this end, the first segment 172 of the water-cooled tube 170 has the shape of a male screw 173, and the inner surface of the first chamber portion 112 may have the shape of a female screw. In this case, after the first chamber part 112 and the second chamber part 114 are separated from each other, the first segment 172 of the water-cooled pipe 170 is inserted into the lower end of the opened first chamber part 112 So that the first segment 172 and the first chamber portion 112 can be fastened in such a manner that a male screw and a female screw are coupled. Thus, the first segment 172 and the first chamber portion 112 can be easily fastened to each other by screwing, as well as facilitating the replacement of the water-cooling tube 170 from the chamber 110.

한편, 실시예에 의한 단결정 잉곳 제조 장치(100)는 센서(142)를 더 포함할 수 있다. 센서(142)는 챔버(110)에서 성장되는 단결정 잉곳(I)과 용융액(M) 사이의 계면에 광을 조사하여 단결정 잉곳(I)의 직경을 센싱한다. 센서(142)에서 센싱된 직경에 따라 인상부(190)는 단결정 잉곳(I)의 인상 속도를 제어한다. 예를 들어, 센서(142)에서 센싱된 단결정 잉곳(I)의 직경이 목표 직경보다 크면, 인상부(190)는 단결정 잉곳(I)의 실측 직경이 목표 직경보다 큰 만큼 단결정 잉곳(I)의 인상 속도를 높인다. 그러나, 센서(142)에 센싱된 단결정 잉곳(I)의 직경이 목표 직경보다 적으면, 인상부(142)는 실측 직경이 목표 직경보다 적은 만큼 단결정 잉곳(I)의 인상 속도를 늦춘다.Meanwhile, the single crystal ingot manufacturing apparatus 100 according to the embodiment may further include a sensor 142. The sensor 142 irradiates light to the interface between the single crystal ingot I and the melt M grown in the chamber 110 to sense the diameter of the single crystal ingot I. The lifting portion 190 controls the lifting speed of the single crystal ingot I according to the diameter sensed by the sensor 142. For example, if the diameter of the single crystal ingot I sensed by the sensor 142 is larger than the target diameter, the pulling portion 190 is positioned at a position where the diameter of the single crystal ingot I is larger than the target diameter, Increase the pull rate. However, if the diameter of the single crystal ingot (I) sensed by the sensor 142 is smaller than the target diameter, the lifting portion 142 slows the pulling speed of the single crystal ingot I by the actual diameter is smaller than the target diameter.

만일, 수냉관(170)의 제2 세그먼트(174)의 길이가 길 경우, 센서(142)로부터 경계면으로 조사되는 광의 진행 경로(143)가 제2 세그먼트(174)에 의해 차단될 수 있다.If the length of the second segment 174 of the water-cooled tube 170 is long, the path 143 of the light irradiated from the sensor 142 to the interface can be blocked by the second segment 174. [

이를 방지하기 위해, 실시예에 의하면, 수냉관(170)의 제2 세그먼트(174)에서, 센서(142)로부터 조사된 광이 지나가는 경로(143) 상에 위치한 부분은 광이 투과될 수 있도록 투명한 재질로 이루어질 수도 있다. 예를 들어, 수냉관(170)의 외측관(170-1)과 내측관(170-3)은 모두 투명한 재질로 이루어질 수 있다.To prevent this, according to the embodiment, in the second segment 174 of the water-cooled tube 170, a portion located on the path 143 through which light irradiated from the sensor 142 passes is transparent Or may be made of a material. For example, both the outer tube 170-1 and the inner tube 170-3 of the water-cooled tube 170 may be made of a transparent material.

또는, 다른 실시예에 의하면, 도 2에 예시된 바와 같이, 수냉관(170)의 제2 세그먼트(174)에서, 센서(142)로부터 조사된 광이 지나가는 경로(143) 상에 위치한 부분은 광이 투과될 수 있도록 관통 홀(175)을 가질 수도 있다. 따라서, 제2 세그먼트(174)의 길이가 센서(142)로부터 조사된 광이 지나가는 경로(143)를 차단할 정도로 길다고 하더라도, 센서(142)로부터 조사된 광은 관통 홀(175)을 통과하여 단결정 잉곳(I)과 용융액(M)의 계면에 도달할 수 있다.2, in the second segment 174 of the water-cooled tube 170, a portion located on the path 143 through which the light irradiated from the sensor 142 passes, The through hole 175 may be formed to allow the light to pass therethrough. Therefore, even if the length of the second segment 174 is long enough to block the path 143 through which the light irradiated from the sensor 142 passes, the light emitted from the sensor 142 passes through the through hole 175, The interface between the ingot (I) and the melt (M) can be reached.

이와 같이, 수냉관(170)을 투명한 재질로 만들거나 관통 홀(175)을 배치하여 센서(142)로부터 조사되는 광의 경로(143)가 차단되지 않으므로 수냉관(170)의 제2 세그먼트(174)의 길이는 최대한 길어질 수 있어, 단결정 잉곳(I)의 쿨링 속도를 개선시키는 데 기여할 수 있다.Since the path 143 of the light irradiated from the sensor 142 is not blocked by making the water-cooled pipe 170 transparent or disposing the through hole 175, the second segment 174 of the water- The length of the single crystal ingot I can be maximized, thereby contributing to improvement of the cooling speed of the single crystal ingot I.

한편, 실시예에 의한 단결정 잉곳 제조 장치(100)는 개폐 부재(180) 및 개폐 제어부(미도시)를 더 포함할 수 있다. 개폐 부재(180)는 수냉관(170)의 잉곳 출입구(176)를 개방시키거나 차폐시키는 역할을 한다. 개폐 제어부는 개폐 부재(180)를 제어하여 개폐 부재(180)가 잉곳 출입구(176)를 개방시키거나 차폐시키도록 한다.Meanwhile, the single crystal ingot manufacturing apparatus 100 according to the embodiment may further include an opening / closing member 180 and an opening / closing control unit (not shown). The opening and closing member 180 serves to open or shield the ingot entrance 176 of the water-cooling pipe 170. The opening and closing control unit controls the opening and closing member 180 so that the opening and closing member 180 opens or closes the ingot entrance 176.

예를 들어, 개폐 제어부는 유체에 의해 개폐 부재(180)를 제어하여, 개폐 부재(180)가 수냉관(170)의 잉곳 출입구(176)를 개방시키거나 차폐시키도록 할 수 있다. 예를 들어, 개폐 제어부에서 사용되는 유체는 아르곤이나 질소 같은 불활성 기체일 수 있다. 또는, 개폐 제어부는 인상용 와이어(192)와 다른 별개의 개폐 와이어(미도시)에 의해 개폐 부재(180)를 제어하여, 개폐 부재(180)가 잉곳 출입구(176)를 개방시키거나 차폐시키도록 할 수도 있다.For example, the opening / closing control unit may control the opening / closing member 180 by the fluid so that the opening and closing member 180 opens or shields the ingot entrance 176 of the water-cooling pipe 170. For example, the fluid used in the opening / closing control section may be an inert gas such as argon or nitrogen. Alternatively, the opening / closing control unit controls the opening / closing member 180 by a separate opening / closing wire (not shown) different from the pulling wire 192 so that the opening / closing member 180 opens or closes the ingot entrance / You may.

도 3은 도 1에 예시된 단결정 잉곳 제조 장치(100)가 용융액(M)을 생성할 때의 단면도를 나타낸다. 도 1의 개폐 부재(180)가 개방 위치에 있는 반면, 도 3의 개폐 부재(180)는 차폐 위치에 있다. 이를 제외하면, 도 3의 단결정 잉곳 제조 장치(100)는 도 1의 단결정 잉곳 제조 장치(100)와 동일하므로 이하 중복되는 설명을 생략한다.Fig. 3 shows a cross-sectional view when the single crystal ingot manufacturing apparatus 100 illustrated in Fig. 1 generates a melt M. Fig. While the opening and closing member 180 of Fig. 1 is in the open position, the opening and closing member 180 of Fig. 3 is in the shielded position. Except for this, the single crystal ingot manufacturing apparatus 100 of FIG. 3 is the same as that of the single crystal ingot manufacturing apparatus 100 of FIG. 1, and thus a duplicated description will be omitted.

도 3을 참조하면, 단결정 잉곳 제조 장치(100)에서, 도가니(120) 내에 폴리(poly) 실리콘 다결정 원료를 채운 후, 히터(150)에 의해 도가니(120)를 가열하면, 폴리 실리콘 다결정 원료가 용융되어 용융액(M)이 생성된다. 이와 같이 용융액(M)이 생성될 때, 개폐 제어부는 도 3에 예시된 바와 같이 잉곳 출입구(176)를 차폐시키도록 개폐 부재(180)를 제어함으로써, 개폐 부재(180)와 열 차폐 부재(160)는 함께 열 차폐막(177)을 형성한다.3, in the single crystal ingot manufacturing apparatus 100, when the crucible 120 is heated by the heater 150 after filling the crucible 120 with the poly silicon polycrystalline raw material, And is melted to produce a melt (M). When the melt M is generated, the opening / closing control unit controls the opening / closing member 180 so as to shield the ingot entrance / exit 176 as illustrated in FIG. 3, so that the opening / closing member 180 and the heat shielding member 160 Together form a heat shielding film 177. [

만일, 개폐 부재(180)가 존재하지 않는다면, 히터(150)와 도가니(120)로부터의 방출된 열이 수냉관(170)의 잉곳 출입구(176)를 통해 수냉관(170)의 제1 세그먼트(172)의 내부로 유입되어 열 손실이 발생하여, 용융액(M)을 생성하는 데 소요되는 시간이 증가하고, 히터(150)의 파워가 증가할 수 있다. 그러나, 실시예에 의하면, 용융액(M)을 생성할 때, 열 차폐 부재(160)와 함께 개패 부재(180)는 열 차폐막(177)을 형성하여, 전술한 열 손실을 차단할 수 있을 뿐만 아니라 열을 반사시켜 도가니(120)로 되돌릴 수 있어, 용융액(M)을 생성하는 데 소요되는 시간이 단축되고 히터(150)의 파워가 감소될 수 있다.The heat emitted from the heater 150 and the crucible 120 flows through the ingot entrance 176 of the water cooling pipe 170 to the first segment of the water cooling pipe 170 172 to generate heat loss, the time required to generate the melt M increases, and the power of the heater 150 may increase. However, according to the embodiment, when the melt M is produced, the interposing member 180 together with the heat shield member 160 forms the heat shielding film 177 so as to block the above-described heat loss, So that the time required to generate the melt M can be shortened and the power of the heater 150 can be reduced.

도 4는 실시예에 의한 단결정 잉곳 제조 장치의 실험 횟수에 따른 용융액(M) 생성 시간을 나타내는 그래프로서, 종축은 용융액(M)을 생성하는 데 소요되는 용융액 생성 시간을 백분율(%)로 나타내고 횡축은 실험 횟수를 나타낸다.FIG. 4 is a graph showing the time for producing the melt (M) according to the number of experiments in the single crystal ingot manufacturing apparatus according to the embodiment, wherein the axis of ordinates represents the melt generation time required to produce the melt (M) Represents the number of experiments.

다음 표 1은 히터(150)에서 가열되는 전력이 90 ㎾로 동일할 경우, 기존과 본 실시예에 의한 단결정 잉곳 제조 장치의 용융액(M) 생성 시간을 각각 비교한 결과이다.Table 1 below shows the results of comparing the melt generation times of the conventional single crystal ingot manufacturing apparatus according to the present embodiment when the electric power heated by the heater 150 is equal to 90 kW.

구 분division 용융액(M) 생성 시간Melt (M) production time 전력 (㎾)Power (㎾) 기존existing 기준 시간standard Time 9090 실시예Example 7% 내지 10% 감소7% to 10% reduction 9090

표 1 및 도 4를 참조하면, 개폐 부재(180)에 의해 열 차폐막(177)이 형성됨으로 인해 기존(200) 대비 실시예(202)의 경우 용융액(M)을 생성하는 시간이 7% 내지 10% 정도 감소할 수 있음을 알 수 있다.Referring to Table 1 and FIG. 4, since the heat shielding film 177 is formed by the opening and closing member 180, the time for generating the melt M in the case of the conventional (200) %, Respectively.

도 3에 예시된 바와 같이, 단결정 잉곳 제조 장치(100)가 용융액(M)을 생성한 후, 종결정(194)을 용융액(M)의 표면에 접촉시킨 후, 종결정(194)에 연결된 와이어(192)를 인상부(190)에 의해 회전시키면서 끌어올려 도 1에 예시된 바와 같이 단결정 잉곳(I)을 성장시킨다. 이 경우, 개폐 제어부는 수냉관(170)의 잉곳 출입구(176)가 개방되도록 개폐 부재(180)를 제어한다.3, after the single crystal ingot manufacturing apparatus 100 has produced the melt M, the seed crystal 194 is brought into contact with the surface of the melt M, The single crystal ingot I is grown as shown in Fig. 1 by rotating and lifting the single crystal ingot 192 by the lifting portion 190. In this case, the opening / closing control unit controls the opening / closing member 180 so that the ingot entrance / exit 176 of the water-cooling pipe 170 is opened.

도 1에 예시된 바와 같이 단결정 잉곳(I)이 인상되는 동안 수냉관(170)의 제2 세그먼트(174)에 의해 단결정 잉곳(I)이 신속히 쿨링될 수 있으므로, 단결정 잉곳(I)의 인상 속도가 빨라지고 단결정 잉곳(I)의 제조 시간이 단축되고, 제조 비용이 절감될 수 있다.Since the single crystal ingot I can be quickly cooled by the second segment 174 of the water-cooled pipe 170 while the single crystal ingot I is pulled up as illustrated in Fig. 1, the pulling speed of the single crystal ingot I The production time of the single crystal ingot I is shortened, and the manufacturing cost can be reduced.

도 5는 도 1에 예시된 단결정 잉곳 제조 장치(100)가 단결정 잉곳(I)을 쿨링(cooling)할 때의 단면도를 나타낸다. 도 1의 단결정 잉곳 제조 장치(100)가 단결정 잉곳(I)을 성장시키고 있는 반면, 도 5의 단결정 잉곳 제조 장치(100)는 단결정 잉곳(I)을 쿨링시키고 있다. 이를 제외하면, 도 5의 단결정 잉곳 제조 장치(100)는 도 1의 단결정 잉곳 제조 장치(100)와 동일하므로 이하 중복되는 설명을 생략한다.5 is a cross-sectional view of the single crystal ingot manufacturing apparatus 100 illustrated in FIG. 1 when cooling the single crystal ingot I. The single crystal ingot manufacturing apparatus 100 of FIG. 1 grows the single crystal ingot I while the single crystal ingot manufacturing apparatus 100 of FIG. 5 cool the single crystal ingot I. Except for this, the single crystal ingot manufacturing apparatus 100 of FIG. 5 is the same as that of the single crystal ingot manufacturing apparatus 100 of FIG. 1, and thus a duplicated description will be omitted.

도 5를 참조하면, 성장이 완성된 단결정 잉곳(I)을 인상부(190)에 의해 끌어올린 후, 개폐 제어부는 도 5에 예시된 바와 같이 잉곳 출입구(176)를 차폐시키도록 개폐 부재(180)를 제어한다. 이때, 열 차폐 부재(160)와 함께 개폐 부재(180)는 열 차폐막(177)을 형성한다.5, the opening / closing control unit controls the opening and closing member 180 (or 180) so as to shield the ingot entrance / exit 176 as illustrated in FIG. 5, after pulling up the single crystal ingot I with the growth completed by the pull- ). At this time, together with the heat shielding member 160, the opening and closing member 180 forms the heat shielding film 177.

만일, 단결정 잉곳(I)을 쿨링하는 동안 개폐 부재(180)가 존재하지 않는다면, 히터(150)와 도가니(120)로부터 방출된 열은 열 차폐 부재(160)만에 의해 차단된다. 따라서, 히터(150)와 도가니(120)로부터 방출되어 단결정 잉곳(I)으로 향하는 열을 열 차폐 부재(160)가 차단하지 못하여, 단결정 잉곳(I)을 쿨링하는 시간이 지연될 수 있다. 그러나, 실시예에 의하면, 단결정 잉곳(I)을 쿨링할 때, 열 차폐 부재(160)와 함께 개패 부재(180)는 열 차폐막(177)을 형성하여, 히터(150)와 도가니(120)로부터 방출되어 단결정 잉곳(I)으로 향하는 열을 차단하기 때문에, 단결정 잉곳(I)의 쿨링 시간이 단축될 수 있다.If the opening and closing member 180 is not present during the cooling of the single crystal ingot I, the heat emitted from the heater 150 and the crucible 120 is blocked by the heat shielding member 160 alone. Therefore, the heat shielding member 160 can not block the heat emitted from the heater 150 and the crucible 120 to the single crystal ingot I, and the time for cooling the single crystal ingot I may be delayed. However, according to the embodiment, when the single crystal ingot I is cooled, the shielding member 180 together with the heat shielding member 160 forms the heat shielding film 177, and the heater 150 and the crucible 120 And the heat toward the single crystal ingot I is cut off, so that the cooling time of the single crystal ingot I can be shortened.

전술한 바와 같이, 수냉관(170)이 제2 세그먼트(174)를 더 포함하여 단결정 잉곳(I)의 쿨링 시간을 단축할 수 있을 뿐만 아니라, 개폐 부재(180)에 의해 열 차폐막(177)을 형성함으로써 쿨링 시간을 더욱 단축할 수 있다. 이와 같이, 단결정 잉곳(I)의 쿨링 시간이 단축되면, 단결정 잉곳(I)을 기존 보다 빨리 인상시킬 수 있어, 단결정 잉곳(I)의 제조 시간이 단축되고, 제조 비용이 절감될 수 있다.As described above, the water-cooled tube 170 can further include the second segment 174 to shorten the cooling time of the single crystal ingot I, and the heat shielding film 177 can be formed by the opening and closing member 180 The cooling time can be further shortened. As described above, if the cooling time of the single crystal ingot I is shortened, the single crystal ingot I can be pulled up earlier than before, and the manufacturing time of the single crystal ingot I can be shortened and the manufacturing cost can be reduced.

도 6a 및 도 6b는 도 1에 예시된 개폐 부재(180)의 사시도 및 평면도를 각각 나타낸다.6A and 6B are respectively a perspective view and a plan view of the opening and closing member 180 illustrated in Fig.

개폐 부재(180)는 원통형 몸체(182)와 복수의 날개(184)를 포함할 수 있다.The opening and closing member 180 may include a cylindrical body 182 and a plurality of blades 184. [

원통형 몸체(182)는 수냉관(170)의 제2 세그먼트(174)의 하부와 일체로 형성될 수도 있고 별개로 형성될 수도 있으며, 실시예는 이러한 원통형 몸체(182)의 구성에 국한되지 않는다.The cylindrical body 182 may be formed integrally with or separately from the lower portion of the second segment 174 of the water-cooled tube 170, and the embodiment is not limited to the configuration of such a cylindrical body 182.

복수의 날개(184)는 원통형 몸체(182)의 일단(182A)의 내면에 서로 힌지(hinge) 결합된다. 원통형 몸체(182)와 힌지 결합함으로써, 복수의 날개(184)는 도 6a에 예시된 바와 같이 위로 부채꼴 모양으로 펼쳐진 개방 위치에서 수냉관(170)의 잉곳 출입구(176)를 개방할 수 있다. 도 6a 및 도 6b의 경우 복수의 날개(184)의 개수는 '9'개인 것으로 도시되어 있지만, 실시예는 복수의 날개(184)의 개수에 국한되지 않는다.The plurality of vanes 184 are hinged to each other on the inner surface of one end 182A of the cylindrical body 182. [ By hinging to the cylindrical body 182, the plurality of vanes 184 can open the ingot access port 176 of the water-cooled tube 170 in an open position that is upwardly fan-shaped as illustrated in Fig. 6A. 6A and 6B, the number of the plurality of blades 184 is shown as being '9', but the embodiment is not limited to the number of the plurality of blades 184. [

여기서, 복수의 날개(184)가 도 6a에 예시된 바와 같이 부채꼴 모양으로 펼쳐져 도 1에 예시된 바와 같이 개방 위치에 있을 때, 각 날개(184)와 수평면이 이루는 각도(θ)는 90°보다 작다. 만일, 수냉관(170)의 제2 세그먼트(174)의 하부가 도 1에 예시된 바와 같이 내측으로 경사져 있다면, 개방 위치에 있는 복수의 날개(184)는 제2 세그먼트(174)의 경사진 내면(174A)에 중력에 의해 받쳐질 수 있다.Here, when the plurality of vanes 184 are spread out in a fan shape as illustrated in Fig. 6A and are in the open position as illustrated in Fig. 1, the angle [theta] formed by each vane 184 and the horizontal plane is greater than 90 [ small. If the lower portion of the second segment 174 of the water-cooled tube 170 is inclined inward as illustrated in FIG. 1, the plurality of vanes 184 in the open position are inclined to the inclined inner surface 174 of the second segment 174. [ Can be supported by the gravity force on the shaft 174A.

또는, 원통형 몸체(182)과 힌지 결합함으로써, 복수의 날개(184)는 도 6b에 예시된 바와 같이 아래로 접혀져 도 3 또는 도 5에 예시된 바와 같이 차폐 위치에서 수냉관(170)의 잉곳 출입구(176)를 차폐시킨다. 또한, 복수의 날개(184)가 차폐 위치에 있을 때, 도 6b에 예시된 바와 같이 복수의 날개(184)는 와이어(192)가 관통할 수 있는 공동(186)을 형성할 수 있다.Alternatively, by hinging the cylindrical body 182, the plurality of vanes 184 may be folded down as illustrated in FIG. 6B to form an ingot opening < RTI ID = 0.0 > (176). Also, when the plurality of vanes 184 are in the shielded position, the plurality of vanes 184 may form a cavity 186 through which the wire 192 may pass, as illustrated in Fig. 6B.

도 7a 및 도 7b는 도 1 및 도 3의 "A" 및 "B" 부분을 각각 확대 도시한 도면이다.FIGS. 7A and 7B are enlarged views of the "A" and "B" portions of FIGS. 1 and 3, respectively.

실시예에 의한 단결정 잉곳 제조 장치는 자성체(210) 및 자성체 제어부(220)를 더 포함할 수 있다.The single crystal ingot manufacturing apparatus according to the embodiment may further include a magnetic body 210 and a magnetic body control unit 220.

자성체(210)는 도 7a에 예시된 바와 같이 개방 위치에 있는 복수의 날개(184)를 자성에 의해 끌어당기는 역할을 한다. 예를 들어, 자성체(210)는 도 7a 및 도 7b에 예시된 바와 같이 제2 세그먼트(174)의 경사진 내면(174A)의 반대측의 외면(174B)에 배치될 수 있으나, 실시예는 이에 국한되지 않는다. 즉, 자성체(210)는 도 7a 및 도 7b에 예시된 바와 달리, 제2 세그먼트(174)의 경사진 내면(174A)에 배치될 수도 있다.The magnetic body 210 serves to magnetically attract a plurality of vanes 184 in the open position as illustrated in Fig. 7A. For example, the magnetic material 210 may be disposed on the outer surface 174B of the second segment 174 opposite the tapered inner surface 174A, as illustrated in FIGS. 7A and 7B, It does not. That is, the magnetic body 210 may be disposed on the inclined inner surface 174A of the second segment 174, unlike that illustrated in Figs. 7A and 7B.

개폐 제어부에 포함되는 자성체 제어부(220)는 도 1 및 도 7a에 예시된 바와 같이 복수의 날개(184)가 개방 위치에 있을 때, 자성체(210)의 자성을 변화시켜 자성체(210)가 복수의 날개(184)를 끌어당기도록 한다. 따라서, 개방 위치에 있는 복수의 날개(184)가 순간적으로 닫힐 수 있는 위험이 안전하게 방지할 수 있다.1 and 7A, when the plurality of blades 184 are in the open position, the magnetic body control unit 220 included in the opening / closing control unit changes the magnetic properties of the magnetic body 210, Let the wings 184 pull. Therefore, it is possible to safely prevent the risk that the plurality of blades 184 in the open position can be momentarily closed.

개폐 제어부는 개폐 부재(180)의 복수의 날개(184)를 도 1에 예시된 바와 같이 개방 위치에 위치시키거나 도 3 또는 도 5에 예시된 같이 폐쇄 위치에 위치시키기 위해, 전술한 바와 같이 유체를 이용하거나 개폐 와이어(미도시)를 이용할 수 있다.The opening and closing control section may control the opening and closing member 180 so that the plurality of vanes 184 of the opening and closing member 180 are positioned in the open position as illustrated in FIG. 1 or in the closed position as illustrated in FIG. 3 or 5, Or an opening / closing wire (not shown) may be used.

개폐 와이어를 이용할 경우, 도 6a에 예시된 복수의 날개(184)와 개폐 와이어는 연결되고, 개폐 와이어를 인상할 경우 복수의 날개(184)는 개방 위치에 위치하고, 개폐 와이어를 내릴 경우 중력에 의해 복수의 날개(184)는 폐쇄 위치에 위치할 수 있다.When the opening and closing wires are used, the plurality of vanes 184 illustrated in FIG. 6A are connected to the opening and closing wires. When the opening and closing wires are pulled up, the plurality of vanes 184 are positioned at the open position. The plurality of vanes 184 may be located in the closed position.

또는, 유체를 이용할 경우, 개폐 제어부의 동작을 도 7a 및 도 7b를 참조하여 다음과 같이 상세히 살펴본다.Alternatively, when using a fluid, the operation of the opening / closing control unit will be described in detail with reference to FIGS. 7A and 7B as follows.

개폐 제어부는 제1 분사 노즐(170-5), 제2 분사 노즐(170-7) 및 노즐 제어부(230)를 포함할 수 있다. 도 7a 및 도 7b에 예시된 바와 같이, 제1 및 제2 분사 노즐(170-5, 170-7)은 수냉관(170)의 내부에 배치될 수도 있으나, 실시예는 이에 국한되지 않는다. 제1 및 제2 분사 노즐(170-5, 170-7)이 수냉관(170)의 내부에 배치될 경우, 챔버(110) 내부에서 단결정 잉곳(I)을 성장시킬 때, 제1 및 제2 분사 노즐(170-5, 170-7)이 영향을 미치지 않을 수 있다.The opening and closing control unit may include a first injection nozzle 170-5, a second injection nozzle 170-7, and a nozzle control unit 230. [ As illustrated in FIGS. 7A and 7B, the first and second injection nozzles 170-5 and 170-7 may be disposed inside the water-cooling pipe 170, but the embodiments are not limited thereto. When the first and second injection nozzles 170-5 and 170-7 are disposed inside the water-cooling pipe 170, when the single crystal ingot I is grown in the chamber 110, The injection nozzles 170-5 and 170-7 may not have an influence.

만일, 제1 및 제2 분사 노즐(170-5, 170-7)이 수냉관(170)의 내부에 배치된다면, 도 7a 및 도 7b에 예시된 바와 같이, 수냉관(170)은 제1 및 제2 분리관(170-4, 170-6)을 더 포함할 수 있다.If the first and second injection nozzles 170-5 and 170-7 are disposed inside the water-cooling tube 170, as illustrated in FIGS. 7A and 7B, the water- And may further include second separation pipes 170-4 and 170-6.

제1 분사 노즐(170-5)은 제1 분리관(170-4)에 의해 유동 공간(170-2)과 이격되고, 제2 분사 노즐(170-7)은 제2 분리관(170-6)에 의해 제1 분사 노즐(170-5)과 이격될 수 있다. 이때, 제1 및 제2 분리관(170-4, 170-6) 각각은 스테일레스 스틸 등과 같은 불투명한 금속 재질로 이루어질 수 있으나, 이에 국한되지 않는다.The first injection nozzle 170-5 is separated from the fluid space 170-2 by the first separation pipe 170-4 and the second injection nozzle 170-7 is separated from the second separation pipe 170-6 by the second separation pipe 170-6 The first spray nozzle 170-5 may be spaced apart from the first spray nozzle 170-5. At this time, each of the first and second separation pipes 170-4 and 170-6 may be made of opaque metal such as stainless steel or the like, but is not limited thereto.

제1 분사 노즐(170-5)은 도 7a에 예시된 바와 같이 개방 위치에 있는 복수의 날개(184)의 제1 면(184A)을 향해 유체를 분사하여, 복수의 날개(184)를 도 7b에 예시된 바와 같이 차폐 위치로 이동시킴으로써 수냉관(170)의 잉곳 출입구(176)를 차폐시킬 수 있다. 제1 분사 노즐(170-5)로부터 강하게 유체를 분사하여 복수의 날개(184)를 도 7a에 예시된 개방 위치로부터 도 7b에 예시된 차폐 위치로 이동시킬 때, 노즐 제어부(230)는 제2 분사 노즐(170-7)이 유체를 강하게 분사한 후 점차적으로 약하게 분사하도록 제어하여, 복수의 날개(184)가 큰 충격없이 차폐 위치에 안착될 수 있도록 한다.The first injection nozzle 170-5 ejects the fluid toward the first surface 184A of the plurality of vanes 184 in the open position as illustrated in Figure 7 The ingot entrance 176 of the water-cooled pipe 170 can be shielded by moving it to the shielding position as illustrated in Fig. When the fluid is strongly ejected from the first injection nozzle 170-5 to move the plurality of vanes 184 from the open position illustrated in Fig. 7A to the illustrated position illustrated in Fig. 7B, the nozzle control unit 230 controls the second The injection nozzle 170-7 controls the injection of the fluid strongly and then gradually and weakly so that the plurality of vanes 184 can be seated in the shielded position without a large impact.

또한, 제2 분사 노즐(170-7)은 도 7b에 예시된 바와 같이 차폐 위치에 있는 복수의 날개(184)의 제1 면(184A)의 반대측의 제2 면(184B)을 향해 유체를 분사하여 복수의 날개(184)를 도 7a에 예시된 개방 위치로 이동시킬 수 있다. 제2 분사 노즐(170-7)로부터 강하게 유체를 분사하여 복수의 날개(184)를 도 7b의 차폐 위치로부터 도 7a의 개방 위치로 이동시킬 때, 노즐 제어부(230)는 제1 분사 노즐(170-5)이 유체를 강하게 분사한 후 점차적으로 약하게 분사하도록 제어하여, 복수의 날개(184)가 수냉관(170)에 충격을 주지 않고 개방 위치에 안착될 수 있도록 한다.The second injection nozzle 170-7 also ejects the fluid toward the second side 184B on the opposite side of the first side 184A of the plurality of vanes 184 in the shielded position, To move the plurality of blades 184 to the open position illustrated in Fig. 7A. When the fluid is strongly ejected from the second injection nozzle 170-7 to move the plurality of vanes 184 from the shielded position in Fig. 7B to the open position in Fig. 7A, the nozzle control unit 230 controls the first injection nozzle 170 So that the plurality of vanes 184 can be seated in the open position without impacting the water cooling tube 170. [

노즐 제어부(230)는 제1 및 제2 분사 노즐(170-5, 170-7)로부터의 유체의 분사 여부 및 유체의 유속 중 적어도 하나를 제어할 수 있다. 이를 위해, 예를 들면, 개폐 제어부는 제1 및 제2 유체 밸브(236, 238)를 더 포함할 수 있다.The nozzle control unit 230 may control at least one of whether the fluid is jetted from the first and second jet nozzles 170-5 and 170-7 and the flow velocity of the fluid. For this purpose, for example, the opening and closing control unit may further include first and second fluid valves 236 and 238. [

제1 및 제2 유체 밸브(236, 238)는 유체 저장부(232)로부터 배출되는 유체를 각각 유입한다. 유체 저장부(232)는 챔버(110)의 외부에 배치될 수도 있으며, 실시예는 이러한 유체 저장부(232)의 배치 장소나 형태에 국한되지 않는다.The first and second fluid valves 236 and 238 introduce fluid discharged from the fluid reservoir 232, respectively. The fluid storage portion 232 may be disposed outside the chamber 110, and the embodiment is not limited to the place or form of the fluid storage portion 232.

노즐 제어부(230)는 유체가 제1 분사 노즐(170-5)로 공급되거나 공급되지 않도록 제1 유체 밸브(236)를 제어할 수 있다. 또한, 노즐 제어부(230)는 제1 유체 밸브(236)를 제어하여 유체가 제1 분사 노즐(170-5)로부터 배출되는 속도와 량 중 적어도 하나를 조절할 수 있다. 이와 비슷하게, 노즐 제어부(230)는 유체가 제2 분사 노즐(170-7)로 공급되거나 공급되지 않도록 제2 유체 밸브(238)를 제어할 수 있다. 또한, 노즐 제어부(230)는 제2 유체 밸브(238)를 제어하여 유체가 제2 분사 노즐(170-7)로부터 배출되는 속도와 량 중 적어도 하나를 조절할 수 있다.The nozzle control unit 230 may control the first fluid valve 236 so that fluid is not supplied to or supplied to the first injection nozzle 170-5. Also, the nozzle control unit 230 may control the first fluid valve 236 to control at least one of the speed and the amount of the fluid discharged from the first injection nozzle 170-5. Similarly, the nozzle control unit 230 may control the second fluid valve 238 so that fluid is not supplied to or supplied to the second injection nozzle 170-7. Also, the nozzle control unit 230 may control the second fluid valve 238 to control at least one of the speed and the amount of the fluid discharged from the second injection nozzle 170-7.

도 7a 및 도 7b를 참조하면, 제1 분사 노즐(170-5)은 적어도 하나의 제1 분사구(170-5A) 및 제1 유체 공급 배관(170-5B)을 포함할 수 있다. 제1 유체 공급 배관(170-5B)은 제1 유체 밸브(236)로부터 유입된 유체가 이동하는 경로를 제공하고, 제1 분사구(170-5A)는 제1 유체 공급 배관(170-5B)을 통해 공급된 유체가 분사되는 출구를 제공한다. 이와 비슷하게, 제2 분사 노즐(170-7)은 적어도 하나의 제2 분사구(170-7A) 및 제2 유체 공급 배관(170-7B)을 포함할 수 있다. 제2 유체 공급 배관(170-7B)은 제2 유체 밸브(238)로부터 유입된 유체가 이동하는 경로를 제공하고, 제2 분사구(170-7A)는 제2 유체 공급 배관(170-7B)을 통해 공급된 유체가 분사되는 출구를 제공한다.Referring to FIGS. 7A and 7B, the first injection nozzle 170-5 may include at least one first injection port 170-5A and a first fluid supply pipe 170-5B. The first fluid supply pipe 170-5B provides a path through which the fluid introduced from the first fluid valve 236 moves and the first injection port 170-5A supplies the first fluid supply pipe 170-5B Lt; RTI ID = 0.0 > jetted < / RTI > Similarly, the second injection nozzle 170-7 may include at least one second injection port 170-7A and a second fluid supply pipe 170-7B. The second fluid supply pipe 170-7B provides a path through which the fluid introduced from the second fluid valve 238 moves and the second injection port 170-7A provides a path through which the fluid flows from the second fluid supply pipe 170-7B Lt; RTI ID = 0.0 > jetted < / RTI >

유체에 의해 복수의 날개(184)를 도 7a의 개방 위치로부터 도 7b의 차폐 위치로 용이하게 이동시키거나 도 7b의 차폐 위치로부터 도 7a의 개방 위치로 이동시키기 위해, 적어도 하나의 분사구(170-5A, 170-7A)는 복수의 날개(184)와 각각 마주하는 복수의 분사구를 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 6a에 예시된 바와 같이, 복수의 날개(184)가 9개인 경우, 9개의 날개(184) 각각에 마주하는 9개의 분사구(170-5A, 170-7A)가 배치될 수 있다.In order to easily move the plurality of vanes 184 from the open position of FIG. 7A to the shielded position of FIG. 7B by the fluid or to move the shielded position of FIG. 7B to the open position of FIG. 7A, 5A, and 170-7A may include a plurality of blades opposed to the plurality of vanes 184, respectively. For example, as illustrated in FIG. 6A, when there are nine blades 184, nine blades 170-5A, 170-7A facing each of the nine blades 184 may be disposed .

전술한 바와 같이, 개폐 제어부는 유체를 이용하여 개폐 부재(180)를 개방 위치에 위치시킬 수도 있고 차폐 위치에 위치시킬 수도 있다. 이때, 도 3에 예시된 바와 같이 용융액(M)을 생성하기 위해, 개폐 부재(180)를 차폐 위치에 위치시키도록 제1 분사 노즐(170-5)로부터 분사되는 제1 유체의 량과 제2 분사 노즐(170-7)로부터 공급되는 제2 유체의 량의 비율은 50:50일 수 있다.As described above, the opening / closing control unit may place the opening / closing member 180 at the open position or the shielding position by using the fluid. 3, the amount of the first fluid injected from the first injection nozzle 170-5 and the amount of the first fluid injected from the second injection nozzle 170-5 to place the opening and closing member 180 in the shielded position, The ratio of the amount of the second fluid supplied from the injection nozzle 170-7 may be 50:50.

또한, 도 1에 예시된 바와 같이 단결정 잉곳(I)을 성장시키기 위해, 개폐 부재(180)를 개방 위치에 위치시키도록 제2 분사 노즐(170-7)로부터 분사되는 제2 유체의 량과 화살표 방향(242)으로 공급되는 제3 유체의 량의 비율은 30:70일 수 있다.1, the amount of the second fluid jetted from the second jetting nozzle 170-7 so as to position the opening and closing member 180 in the open position and the amount of the second fluid jetted from the second jetting nozzle 170-7 in order to grow the monocrystalline ingot I, The ratio of the amount of the third fluid supplied in the direction 242 may be 30:70.

또한, 도 5에 예시된 바와 같이 단결정 잉곳(I)을 쿨링하기 위해, 개폐 부재(180)를 차폐 위치에 위치시키도록 제1 분사 노즐(170-5)로부터 분사되는 제1 유체의 량과 화살표 방향(242)으로 공급되는 제3 유체의 량의 비율은 30:70일 수 있다.5, in order to cool the single crystal ingot I, the amount of the first fluid injected from the first injection nozzle 170-5 to place the opening and closing member 180 in the shielded position, The ratio of the amount of the third fluid supplied in the direction 242 may be 30:70.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It will be understood that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

100: 단결정 잉곳 제조 장치 110: 챔버
112: 제1 챔버부 114: 제2 챔버부
114-1: 돔 챔버부 114-2: 메인 챔버부
120: 도가니 130: 지지 회전축
140: 단열부 142: 센서
150: 히터 160: 열 차폐 부재
170: 수냉관 170-1: 외측관
170-2: 유동 공간 170-3: 내측관
170-4, 170-6: 분리관 170-5, 170-7: 분사 노즐
170A: 유입구 170B: 배출구
173: 수나사 175: 관통 홀
176: 잉곳 출입구 177: 열 차폐막
180: 개폐 부재 182: 원통형 몸체
184: 날개 186: 공동
190: 인상부 192: 와이어
194: 종결정 210: 자성체
220: 자성체 제어부 230: 노즐 제어부
232: 유체 저장부 236, 238: 유체 밸브100: single crystal ingot manufacturing apparatus 110: chamber
112: first chamber part 114: second chamber part
114-1: Dome chamber part 114-2: Main chamber part
120: crucible 130: support rotating shaft
140: insulation part 142: sensor
150: heater 160: heat shield member
170: Water cooling tube 170-1: Outer tube
170-2: flow space 170-3: inner tube
170-4, 170-6: separation pipes 170-5, 170-7: injection nozzle
170A: Inlet port 170B: Outlet port
173: Male thread 175: Through hole
176: ingot entrance 177: heat shield
180: opening and closing member 182: cylindrical body
184: wings 186: joint
190: lifting portion 192: wire
194: seed crystal 210: magnetic substance
220: magnetic body control unit 230: nozzle control unit
232: fluid storage part 236, 238: fluid valve

Claims (25)

용융액을 수용 가능한 도가니;
상기 도가니를 가열하는 히터;
상기 히터와 상기 용융액으로부터의 복사열을 차단하는 열 차폐 부재;
서로 연통하는 제1 및 제2 챔버부를 갖는 챔버; 및
냉각수의 유동 공간을 갖는 수냉관을 포함하고,
상기 제2 챔버부는 상기 제1 챔버부보다 넓은 폭을 가지며, 상기 도가니와 상기 히터와 상기 열 차폐 부재를 수용하고,
상기 수냉관은
상기 제1 챔버부의 내부에 배치된 제1 세그먼트; 및
상기 제1 세그먼트로부터 연장되어 상기 제2 챔버부의 내부에 배치되며, 상기 제1 세그먼트보다 넓은 폭을 갖는 제2 세그먼트를 포함하고,
상기 제2 챔버부는
상기 제1 챔버부와 연통하는 돔 챔버부; 및
상기 돔 챔버부와 연통하는 메인 챔버부를 포함하는 단결정 잉곳 제조 장치.A crucible capable of accommodating a melt;
A heater for heating the crucible;
A heat shielding member for shielding radiant heat from the heater and the melt;
A chamber having first and second chamber portions communicating with each other; And
And a water-cooled tube having a flow space of cooling water,
Wherein the second chamber portion has a width larger than that of the first chamber portion and receives the crucible, the heater, and the heat shielding member,
The water-
A first segment disposed within the first chamber portion; And
A second segment extending from the first segment and disposed within the second chamber portion, the second segment having a greater width than the first segment,
The second chamber portion
A dome chamber portion communicating with the first chamber portion; And
And a main chamber portion communicating with the dome chamber portion. 제1 항에 있어서, 상기 제2 세그먼트는 상기 돔 챔버부의 내부에 배치된 단결정 잉곳 제조 장치.The apparatus according to claim 1, wherein the second segment is disposed inside the dome chamber portion. 제2 항에 있어서, 상기 제2 세그먼트는 상기 돔 챔버부로부터 상기 메인 챔버부의 내부까지 배치된 단결정 잉곳 제조 장치.3. The apparatus according to claim 2, wherein the second segment is disposed from the dome chamber portion to the inside of the main chamber portion. 제1 항에 있어서, 상기 수냉관은 상기 제1 챔버부에 착탈 가능한 단결정 잉곳 제조 장치.2. The single crystal ingot manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the water-cooled tube is detachable from the first chamber portion. 제1 항에 있어서, 상기 수냉관과 상기 제1 챔버부는 나사 결합 가능한 단결정 잉곳 제조 장치.The ingot manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the water-cooled tube and the first chamber portion are screwable. 제1 항에 있어서, 상기 제2 세그먼트는 외측으로 볼록한 단결정 잉곳 제조 장치.The apparatus according to claim 1, wherein the second segment is outwardly convex. 제1 항에 있어서, 상기 챔버에서 성장되는 단결정 잉곳과 상기 용융액 사이의 계면에 광을 조사하여 상기 단결정 잉곳의 직경을 센싱하는 센서를 더 포함하는 단결정 잉곳 제조 장치.The single crystal ingot manufacturing apparatus according to claim 1, further comprising a sensor for sensing the diameter of the single crystal ingot by irradiating light to an interface between the single crystal ingot grown in the chamber and the melt. 제7 항에 있어서, 상기 제2 세그먼트에서, 상기 센서로부터 조사된 상기 광이 지나가는 경로 상에 위치한 부분은 투명한 재질로 이루어진 단결정 잉곳 제조 장치.8. The single crystal ingot manufacturing apparatus according to claim 7, wherein a portion of the second segment located on a path through which the light irradiated from the sensor passes is made of a transparent material. 제7 항에 있어서, 상기 제2 세그먼트에서, 상기 센서로부터 조사된 광이 지나가는 경로 상에 위치한 부분은 관통 홀을 갖는 단결정 잉곳 제조 장치.8. The single crystal ingot manufacturing apparatus according to claim 7, wherein a portion of the second segment located on a path through which the light irradiated from the sensor passes has a through hole. 제1 항에 있어서, 상기 단결정 잉곳 제조 장치는,
상기 수냉관의 잉곳 출입구를 개방시키거나 차폐시키는 개폐부재; 및
상기 개폐 부재를 제어하는 개폐 제어부를 포함하는 단결정 잉곳 제조 장치.The single crystal ingot manufacturing apparatus according to claim 1,
An opening and closing member that opens or closes the ingot entrance of the water-cooled tube; And
And an opening / closing control section for controlling the opening / closing member. 제10 항에 있어서, 상기 개폐 제어부는 유체에 의해 상기 개폐 부재를 제어하는 단결정 잉곳 제조 장치.The single crystal ingot manufacturing apparatus according to claim 10, wherein the opening / closing control section controls the opening / closing member by a fluid. 제11 항에 있어서, 상기 유체는 불활성 기체인 단결정 잉곳 제조 장치.12. The apparatus for producing a single crystal ingot according to claim 11, wherein the fluid is an inert gas. 제10 항에 있어서, 상기 개폐 제어부는 개폐 와이어에 의해 상기 개폐 부재를 제어하는 단결정 잉곳 제조 장치.The single crystal ingot manufacturing apparatus according to claim 10, wherein the opening / closing control section controls the opening / closing member by an opening / closing wire. 제10 항에 있어서, 상기 용융액을 생성하거나 상기 단결정 잉곳을 쿨링할 때, 상기 개폐 제어부는 상기 개폐 부재를 제어하여 상기 잉곳 출입구를 차폐시키는 열 차폐막을 상기 열 차폐 부재와 함께 형성하는 단결정 잉곳 제조 장치.The single crystal ingot manufacturing apparatus according to claim 10, wherein when the melt is generated or the single crystal ingot is cooled, the opening and closing control unit controls the opening and closing member to form a heat shielding film together with the heat shielding member, . 제10 항에 있어서, 상기 개폐 부재는
원통형 몸체; 및
상기 원통형 몸체의 일단 내면에 서로 힌지 결합되어, 위로 부채꼴 모양으로 펼쳐진 개방 위치에서 상기 잉곳 출입구를 개방하고 아래로 접힌 차폐 위치에서 상기 잉곳 출입구를 차폐시키는 복수의 날개를 포함하는 단결정 잉곳 제조 장치.11. The apparatus according to claim 10, wherein the opening and closing member
A cylindrical body; And
And a plurality of blades hinged to each other on an inner surface of the one end of the cylindrical body to shield the ingot entrance at a closed position where the ingot entrance is opened at an open position where the annular shape is spread out in a fan shape. 제15 항에 있어서, 상기 원통형 몸체는 상기 제2 세그먼트의 하부와 일체로 형성된 단결정 잉곳 제조 장치.16. The apparatus of claim 15, wherein the cylindrical body is formed integrally with a lower portion of the second segment. 제15 항에 있어서, 상기 제2 세그먼트 하부는 내측으로 경사진 단결정 잉곳 제조 장치.16. The apparatus according to claim 15, wherein the lower portion of the second segment is inclined inward. 제17 항에 있어서, 상기 복수의 날개는 상기 개방 위치에서 상기 제2 세그먼트의 경사진 내면에 받쳐지는 단결정 잉곳 제조 장치.18. The apparatus of claim 17, wherein the plurality of vanes are supported on an inclined inner surface of the second segment at the open position. 제17 항에 있어서, 상기 제2 세그먼트의 경사진 내면의 반대측의 외면에 배치되어, 상기 개방 위치에 있는 상기 복수의 날개를 자성에 의해 끌어 당기는 자성체; 및
상기 자성체의 자성을 변화시키는 자성체 제어부를 더 포함하는 단결정 잉곳 제조 장치.18. The magnetic bearing according to claim 17, further comprising: a magnetic body disposed on an outer surface of an opposite side of the inclined inner surface of the second segment, for attracting the plurality of vanes at the open position by magnetism; And
And a magnetic body control unit for changing the magnetism of the magnetic body. 제15 항에 있어서, 상기 개폐 제어부는
상기 개방 위치에 있는 상기 복수의 날개의 제1 면을 향해 유체를 분사하여 상기 복수의 날개를 상기 차폐 위치로 이동시키는 제1 분사 노즐;
상기 차폐 위치에 있는 상기 복수의 날개의 상기 제1 면의 반대측의 제2 면을 향해 유체를 분사하여 상기 복수의 날개를 상기 개방 위치로 이동시키는 제2 분사 노즐; 및
상기 제1 및 제2 분사 노즐로부터의 상기 유체의 분사 여부 및 상기 유체의 유속 중 적어도 하나를 제어하는 노즐 제어부를 포함하는 단결정 잉곳 제조 장치.16. The apparatus of claim 15, wherein the open /
A first injection nozzle for spraying a fluid toward the first surface of the plurality of blades in the open position to move the plurality of blades to the shielded position;
A second injection nozzle for spraying a fluid toward a second surface opposite to the first surface of the plurality of blades in the shielded position to move the plurality of blades to the open position; And
And a nozzle control unit for controlling at least one of whether or not the fluid is jetted from the first and second jet nozzles and the flow rate of the fluid. 제20 항에 있어서, 상기 노즐 제어부는
상기 복수의 날개를 상기 개방 위치로부터 상기 차폐 위치로 이동시킬 때, 상기 제2 분사 노즐이 유체를 분사하도록 제어하는 단결정 잉곳 제조 장치.21. The apparatus of claim 20, wherein the nozzle control unit
And controls the second injection nozzle to inject the fluid when the plurality of vanes are moved from the open position to the shielding position. 제20 항에 있어서, 상기 노즐 제어부는
상기 복수의 날개를 상기 차폐 위치로부터 상기 개방 위치로 이동시킬 때, 상기 제1 분사 노즐이 유체를 분사하도록 제어하는 단결정 잉곳 제조 장치.21. The apparatus of claim 20, wherein the nozzle control unit
And controls the first injection nozzle to inject the fluid when the plurality of blades are moved from the shielded position to the open position. 제20 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 분사 노즐 각각은
상기 챔버의 외부로부터 유입된 상기 유체가 이동하는 유체 공급 배관; 및
상기 유체 공급 배관으로부터의 상기 유체가 분사되는 적어도 하나의 분사구를 포함하는 단결정 잉곳 제조 장치.21. The apparatus of claim 20, wherein each of the first and second injection nozzles
A fluid supply pipe through which the fluid introduced from the outside of the chamber moves; And
And at least one injection port through which the fluid from the fluid supply pipe is injected. 제20 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 분사 노즐 각각은
상기 수냉관의 내부에 배치되는 단결정 잉곳 제조 장치.21. The apparatus of claim 20, wherein each of the first and second injection nozzles
Wherein the water-cooled tube is disposed inside the water-cooled tube. 제23 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 분사구는 상기 복수의 날개와 각각 마주하는 복수의 분사구를 포함하는 단결정 잉곳 제조 장치.24. The apparatus according to claim 23, wherein the at least one jetting port includes a plurality of jetting ports respectively facing the plurality of vanes.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101698540B1 (en) * 2015-02-11 2017-01-20 영남대학교 산학협력단 Production device for silicon ingot
CN113106546B (en) * 2021-03-25 2022-05-17 徐州鑫晶半导体科技有限公司 Guide cylinder for single crystal furnace, single crystal furnace and machining method of guide cylinder
CN114737247A (en) * 2022-05-18 2022-07-12 西安奕斯伟材料科技有限公司 Water-cooling jacket device and single crystal furnace

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0891980A (en) * 1994-09-20 1996-04-09 Mitsubishi Materials Corp Apparatus for growing single crystal
JP2000016894A (en) 1998-07-02 2000-01-18 Mitsubishi Materials Silicon Corp Apparatus and method for pulling single crystal
KR20070039620A (en) * 2001-01-26 2007-04-12 엠이엠씨 일렉트로닉 머티리얼즈 인코포레이티드 Low defect density silicon having a vacancy-dominated core substantially free of oxidation induced stacking faults
JP2011219312A (en) 2010-04-09 2011-11-04 Sumco Corp Single crystal lifting apparatus

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0891980A (en) * 1994-09-20 1996-04-09 Mitsubishi Materials Corp Apparatus for growing single crystal
JP2000016894A (en) 1998-07-02 2000-01-18 Mitsubishi Materials Silicon Corp Apparatus and method for pulling single crystal
KR20070039620A (en) * 2001-01-26 2007-04-12 엠이엠씨 일렉트로닉 머티리얼즈 인코포레이티드 Low defect density silicon having a vacancy-dominated core substantially free of oxidation induced stacking faults
JP2011219312A (en) 2010-04-09 2011-11-04 Sumco Corp Single crystal lifting apparatus

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