KR101440945B1 - 공정챔버 내부에 구비된 웨이퍼 상에 균일한 공정가스를 분사하는 플라즈마 처리장치의 리드 어셈블리 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 공정챔버 내부에 구비된 웨이퍼 상에 균일한 공정가스를 분사하는 플라즈마 처리장치의 리드 어셈블리에 관한 것으로, 그 목적은 웨이퍼 표면에 공정가스가 균일하게 분사되는 리드 어셈블리를 널리 공급하는 것이다.
이러한 목적으로 이루어진 본 발명에 따른 리드 어셈블리는;
원반형 상측 표면에 적어도 하나 이상 형성된 방사형 유로가 형성된 외곽분사장치와;
상기 외곽분사장치의 중앙관통공에 구비되는 중앙분사장치와;
상기 중앙, 외곽분사장치를 상측에서 덮도록 원반형으로 형성된 중앙부분에 형성된 요홈 저부에 상기 중앙분사장치의 분사공과 상기 외곽분사장치의 방사형유로에 공정가스가 공급되도록 적어도 2열 이상 방사상으로 다수의 제 1, 2관통공이 형성된 리드히터 베이스와;
상기 리드히터 베이스의 제 1, 2관통공과 연결되도록 일측면이 개구된 환형의 제 1, 2유로와, 상기 제 1, 2유로에 공정가스가 각각 공급되도록 연결된 제 1, 2공급구로 이루어진 분배장치를 포함한다.
이에 따라, 웨이퍼 표면에 공정가스가 균일하게 분사될 수 있는 구조의 리드 어셈블리를 널리 공급하였으며, 웨이퍼 상에 공정가스를 균일하게 분사함으로서, 반도체 제조공정의 공정균일도를 정밀하게 조절함으로서, 생산성을 향상시키는 이점이 있다.

Description

공정챔버 내부에 구비된 웨이퍼 상에 균일한 공정가스를 분사하는 플라즈마 처리장치의 리드 어셈블리{PLASMA TREATMENT EQUIPMENT OF A LID ASSEMBLY TO THE PROCESS GAS SPRAY UNIFORMITY ON THE WAFER IN PROCESS CHAMBER}
본 발명은 플라즈마 처리장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 공정챔버 내부에 구비된 웨이퍼 상에 균일한 공정가스를 분사하는 플라즈마 처리장치의 리드 어셈블리에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 제조공정은 웨이퍼 상에 가공막을 증착하는 증착(Deposition)공정에서 부터 포토리소그래피(Photolithography), 식각(Etching) 및 검사의 순서로 진행된다.
이때, 식각공정은 크게 습식식각과 건식식각으로 구분되지만, 최근에 미세한 패턴을 형성하기 위해 건식식각이 주로 사용되며, 이 건식식각을 시행하도록 하는 장비로서 도 1에 도시한 바와 같은 플라즈마 처리장치가(TE)(이하, “처리장치”라 칭한다) 그 대표적인 것으로 그 내용은 다음과 같다.
도시한 바와 같이, 처리장치(TE)는 공정챔버(PC)와 웨이퍼 지지장치(WS)와 리드 에셈블리(LA)로 이루어진다.
공정챔버(PC)는 상기한 바와 같은 건식식각을 진행하기 용이하도록, 불소계 또는 염소계 반응가스가 내부에 채워진다.
이 공정챔버(PC) 내에 RF전원 전압을 인가하여 공정가스를 플라즈마 상태로 만들어 증착막을 식각하는데, 이러한 건식 식각공정은 플라즈마 반응을 유도하는 플라즈마 전극, 식각공정시 외부로 부터의 오염원을 차단하기 위해 밀페되는 구조로 이루어진다.
이와 같은 공정챔버(PC)의 내부에 웨이퍼(WF)를 평탄하게 고정하는 웨이퍼 지지장치(WS)가 마련되며, 상부에 리드 어셈블리(LA)가 마련된다.
리드 어셈블리(LA)는 리드 플레이트(LP)와 중앙 노즐(CN)로 이루어진다.
리드 어셈블리(LP)는 원반형상으로 형성되데, 상기한 공정챔버(PC)와 결합시 내부 공간이 밀폐될 수 있도록 결합한다.
이 리드 어셈블리(LP)의 중심부분에 형성된 관통공(HL)을 관통하며, 중앙노즐(CN)이 구비된다.
중앙노즐(CN)은 수직방향 하측과 외주 하측방향에 방사상으로 노즐공(N1)(N2)이 형성되어 있다.
따라서, 상기한 중앙노즐(CN)의 노즐공(N1)(N2)으로 공정가스가 분사되며, 상기한 웨이퍼 지지장치(WS) 상부에 얹혀진 웨이퍼(WF)에 식각등의 공정이 진행된다.
그러나, 상기한 종래의 플라즈마 처리장치는 상기한 노즐공에 대응하는 웨이퍼의 중앙부분과 외곽부분에 분사되는 공정가스가 균일하게 분사되지 않음으로서, 반도체의 공정균일도를 정밀하게 조절할 수 없는 문제가 있었다.
또한, 공정가스가 대체로 중앙부분에만 집중적으로 분사됨으로서, 작업효율이 떨어지는 문제가 있었다.
본 발명은 상술한 바와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 웨이퍼 표면에 공정가스가 균일하게 분사될 수 있는 구조의 리드 어셈블리를 널리 공급하도록 하는데 있다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 상기한 바와 같이, 웨이퍼 표면에 공정가스가 고르게 분사되도록 함으로서, 후속공정인 반도체 제조공정에서 고른 반응이 일어나도록 하는데 있다.
또한, 본 발명의 또 다른 목적은, 반도체 제조공정의 공정균일도를 정밀하게 조절함으로서, 생산성을 향상시키도록 하는데 있다.
이러한 목적으로 이루어진 본 발명은;
내부에 웨이퍼 지지장치를 갖춘 공정챔버의 상측에 구비되어, 상기 웨이퍼 지지장치에 구비된 웨이퍼 표면에 공정가스를 분사하도록 노즐을 갖춘 리드 에셈블리로 이루어진 플라즈마 처리장치에 관한 것으로,
상기 플라즈마 처리장치의 리드 에셈블리는;
원반형으로 형성된 상부에 형성된 요홈 저부 중심에 중앙관통공이 형성되며, 공정가스를 외곽에 방사형으로 분사하도록 상측 표면에 적어도 하나 이상의 방사형 유로가 형성된 외곽분사장치와;
상기 외곽분사장치의 중앙관통공에 구비되며, 중앙부위에 공정가스가 구비되도록 환형으로 형성된 요홈과, 상기 요홈 저부에 방사상으로 다수의 중앙부 분사공이 수직방향으로 형성된 중앙분사장치와;
상기 중앙, 외곽분사장치를 상측에서 덮도록 원반형으로 형성된 중앙부분에 형성된 요홈 저부에 상기 중앙분사장치의 분사공과 상기 외곽분사장치의 방사형유로에 공정가스가 공급되도록 적어도 2열 이상 방사상으로 다수의 제 1, 2관통공이 형성된 리드히터 베이스와;
상기 리드히터 베이스의 제 1, 2관통공과 연결되도록 일측면이 개구된 환형의 제 1, 2유로와, 상기 제 1, 2유로에 공정가스가 각각 공급되도록 연결된 제 1, 2공급구로 이루어진 분배장치를 포함한다.
또한, 상기 리드 어셈블리는,
상기 리드히터 베이스 상측에 구비되는 리드히터를 더 포함한다.
또한, 상기 리드 어셈블리는,
상기 중앙분사장치의 정중앙에 형성된 점검구와, 상기 중앙분사장치의 점검구와 수직선상으로 중심이 일치하도록 상기 리드히터 베이스와 상기 분배장치에 각각 형성되는 점검구와, 상기 중앙분사장치와 상기 리드히터 베이스와 상기 분배장치에 각각 형성된 점검구 중 어느 한 곳에 구비되는 점검용 투명 마구리를 더 포함한다.
또한, 상기 방사형 유로는,
상기 요홈의 방사상으로 적어도 하나 이상 형성된 제 1유로와, 상기 제 1유로의 단부 양측에 호형으로 형성된 제 2유로와, 상기 제 2유로의 저부에 등간격으로 다수의 외곽부 분사공이 형성된다.
또한, 상기 중앙분사장치는,
상기 환형으로 형성된 요홈에 적어도 하나 이상 구비된 제 1, 2가스분포장치를 더 포함한다.
또한, 상기 가스분포장치는,
상기 요홈의 평면과 동일한 형상의 환형으로 형성된 장치본체와, 상기 장치본체의 방사상으로 내, 외측이 엇갈리도록 다수 형성된 제 1, 2분배공과, 상기 장치본체의 외곽 테두리에 구비된 플랜지로 이루어진다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 의하며, 웨이퍼 표면에 공정가스가 균일하게 분사될 수 있는 구조의 리드 어셈블리를 널리 공급하는 효과가 있다.
또한, 상기한 바와 같이, 웨이퍼 표면에 공정가스가 고르게 분사되도록 함으로서, 후속공정인 반도체 제조공정에서 고른 반응이 일어나도록 하는 효과가 있다.
또한, 반도체 제조공정의 공정균일도를 정밀하게 조절함으로서, 생산성을 향상시키도록 하는 효과가 있다.
도 1은 종래 플라즈마 처리장치와 리드 어셈블리를 보인 도면이고,
도 2는 본 발명에 따른 플라즈마 처리장치의 리드 어셈블리 구성을 보인 분해사시도이고,
도 3은 본 발명 리드 어셈블리의 외곽분사장치 구성을 보인 사시도이고,
도 4는 본 발명 리드 어셈블리의 중앙분사장치 구성을 보인 사시도이고,
도 5는 본 발명 리드 어셈블리의 리드히터 베이스 구성을 보인 사시도이고,
도 6은 도 2 “A”방향에서 바라본 분배장치의 제 1, 2유로 구성을 보인 저면도이고,
도 7은 본 발명에 따른 리드 에셈블리를 갖춘 플라즈마 처리장치의 작용, 효과를 보인 사시도이고,
도 8은 도 7 “B”선을 부분적으로 확대하여 보인 도면이다.
도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 플라즈마 처리장치의 리드 에셈블리(10)(이하, “리드 어셈블리”라 칭한다)는, 외곽분사장치(100)와 중앙분사장치(200)와 리드히터 베이스(300) 분배장치(400)와 리드 히터(500)로 이루어진다.
도 3을 참조하면, 외곽분사장치(100)는, 그 외형이 원반형(圓盤型)으로 형성되고, 도시한 방향을 기준하여 상부 표면에 제 1요홈(101)이 형성되는데, 이 제 1요홈(101)은 후술하는 리드 히터 베이스(300)의 하측이 삽입되며 결합이 용이하도록 형성된다.
이 제 1요홈(101)의 저부 중심에 제 2요홈(103)이 형성되고, 이 제 2요홈(103)의 중심에 분사장치(200)이 안착이 용이하도록 중앙관통공(110)이 형성되어 있다.
한편, 제 1요홈(101)의 상측 표면에는 방사형 유로(130)가 형성되는데, 이 방사형유로(130)는 상기한 제 1요홈(101)의 방사상으로 적어도 하나 이상 형성된 제 1유로(131)와, 이 제 1유로(131)의 단부 양측에 호형으로 제 2유로(133)가 형성된다.
제 2유로(133)의 저부에 등간격으로 다수의 분사공(135)이 형성되어 후술하는 작용에서 공정챔버(미도시) 내부에 공정가스가 고르게 분사되도록 하였다.
이와 같은, 외곽분사장치(100)의 중심, 다시 말해서, 상기한 제 2요홈(103)의 저부 중심에 형성된 중앙관통공(110)에 중앙분사장치(200)가 구비된다.
도 4를 참조하면, 중앙분사장치(200)는 점검구(200a)와 중앙 요홈(210)과 중앙부 분사공(230)으로 이루어진다.
점검구(200a)는 상기한 중앙분사장치(200)의 정중앙에 형성되는 것으로서, 후술하는 리드히터 베이스(300)와 분배장치(400)에 형성된 점검구(300a)(400a)와 수직선상으로 중심이 일치하도록 형성되며, 그 상측에 점검용 투명 마구리(50)가 구비된다.
중앙 요홈(210)은 상기한 점검구(200a)의 외측에 환형으로 형성되고, 그 저부에는 방사상 등간격으로 다수의 분사공(230)이 형성되어 있다.
도시한 바와 같이, 분사공(230)은 수직방향 일자로만 형성할 수도 있고, 중간부분에서 직각방향으로 형성할 수도 있으며, 상기한 형태를 번갈아서 엇갈리게 사용할 수도 있다.
한편, 중앙 요홈(210)의 내부에 가스분포장치(250)가 적어도 하나 이상 구비된다.
가스분포장치(250)는 장치본체(251)와 분배공(253)과 플랜지(255)로 이루어진다.
장치본체(251)는 상기한 중앙 요홈(210)과 평면상에서 바라볼 때, 동일한 형상의 환형으로 형성되고, 그 장치본체(251)의 표면에 방사상으로 다수의 분배공(253)이 형성되어 있다.
플랜지(255)는 장치본체(251)의 테두리에 환형으로 형성되어 있으므로, 도시한 바와 같이, 2개를 적층할 때, 적정한 간격을 유지할 수 있도록 하되, 분사공(230)의 흐름을 방해하지 않도록 하측에 구비되는 가스분포장치(250)의 플랜지(255)는 내주측에 형성하는게 바람직하다.
또한, 상기한 분배공(253)의 경우, 상, 하측에 적층된 각 장치본체(251)의 내, 외측으로 엇갈리도록 형성함으로서, 후술하는 작용에서 공급되는 공정가스가 고르게 분포되도록 하는 것이 바람직하다.
상기한 바와 같은, 외곽분사장치(100)와 중앙분사장치(200)의 상측에 원반형으로 형성된 리드히터 베이스(300)가 구비된다.
도 5를 참조하면, 리드히터 베이스(300)는 열전도율이 뛰어난 알루미늄 재질로 이루어지며, 원반형으로 형성된 중심에 상술한 중앙분사장치(200)의 점검구(200a)와 수직상으로 일치하는 위치에 점검구(300a)가 형성되며, 이 점검구(300a)의 주변에 후술하는 분배장치(400) 하측의 삽입이 용이하도록 요홈(301)이 형성되며, 그 요홈(301)의 저부에 방사상 2열로 제 1, 2관통공(310)(330)이 형성된다.
제 1관통공(310)은 상기한 중앙분사장치(200)의 분사공(230)으로 공정가스의 공급이 원활하도록 형성되며, 제 2관통공(330)은 상기한 외곽분사장치(100)의 제 1요홈(101)을 통해 방사형 유로(130)에 공급가스가 공급되도록 형성된다.
한편, 리드 히터 베이스(300)는 상기한 알루미늄 이외에 열전도율이 뛰어난 은(Ag) 또는 구리(Cu) 또는 크롬(Cr) 또는 니켈(Ni) 또는 철(Fe) 또는 탄소강, 스테인레스중 어느 하나를 선택적으로 사용해도 무방하다.
이 리드히터 베이스(300)의 요홈(301)에 분배장치(400)의 하측이 삽입된다.
도 2와 도 6을 참조하면, 분배장치(400)는 점검구(400a)와 제 1, 2유로(410)(430)와 제 1, 2공급구(450)(470)로 이루어진다.
점검구(400a)는 도시한 바와 같이, 원반형으로 형성된 중심에 상술한 중앙분사장치(200)와 리드히터 베이스(300)의 중심에 형성된 점검구(200a)(300a)와 수직상으로 일치하는 위치에 형성된다.
제 1, 2유로(410)(430)는 상기한 점검구(400a)의 주변에 일측면이 개구되도록 요홈형태의 환형으로 형성되는데, 제 1유로(410)는 상기한 리드히터 베이스(300)의 제 1관통공(310)과 원주상으로 일치하는 위치에 형성되며, 제 2유로(430)는 제 2관통공(330)과 원주상으로 일치하는 위치에 형성되어 있다.
이와 같은, 제 1, 2유로(410)430)는 제 1, 2공급구(450)(470)와 연결되는데, 이 제 1, 2공급구(450)(470)는 도시하지 않은 가스공급장치로 부터 공정가스를 공급받기 용이하도록 형성된다.
한편, 도시한 바와 같이, 제 2유로(430)는 단부가 끊긴 형상으로 형성되는데, 그 이유로는 제 1유로(410)와 연결되는 제 1공급구(450)와의 간섭을 피하기 위한 것이다.
도시한 바와 같이, 분배장치(400)의 표면에는 다수의 오링(404)이 구비되어 후술하는 작용에서 공급되는 공정가스의 누출이 방지되도록 하였다.
한편, 상술한 리드히터 베이스(300)의 상측에 리드 히터(500)가 구비된다.
리드 히터(500)는, 상술한 리드 히터 베이스(300)의 온도를 균일하게 유지할 수 있도록 리드 히터 베이스(300) 상측에 구비되는 것으로, 도시한 바와 같이, 히터를 방사형으로 형성하여 리드히터 베이스(300)에 매립식으로 형성해도 되고, 리드히터 베이스(300)의 상면과 동일한 형상의 판형으로 형성해도 무방하다.
계속 해서, 도 3내지 도 8을 참조하여, 본 발명에 따른 리드 에셈블리(10)를 갖춘 플라즈마 처리장치(1)의 작용, 효과를 설명한다.
우선, 분배장치(400)의 제 1, 2공급구(450)(470)를 통해 공급된 공정가스는 각각 연결된 제 1, 2유로(410)(430)를 통해, 리드히터 베이스(300)에 방사상 2열로 형성된 제 1, 2관통공(310)(330)을 통과한다.
제 1관통공(310)을 통과한 공정가스 유체는 중앙분사장치(200)의 가스분포장치(250)에 부딪치며, 이 가스분포장치(250)에 엇갈리는 방향으로 다수 형성된 분배공(253)을 통과하면서 난류가 형성되어 보다 고른 압력의 공정가스 유체가 형성된다.
이와 같이, 고른 압력으로 형성된 공정가스 유체는 중앙분사장치(200)의 분배공(253)을 통해 플라즈마 처리장치(1) 내에 구비된 웨이퍼(5)의 중앙 부위에 공정가스를 분사한다.
한편, 제 2관통공(330)을 통과한 공정가스 유체는 외곽분사장치(100)의 방사형 유로(130)의 제 1유로(131)를 거쳐 제 2유로(133)에서 양분되며, 이 제 2유로(133)에 등간격으로 다수 형성된 분사공(135)을 통해, 플라즈마 처리장치(1) 내에 구비된 웨이퍼(5)의 외곽 부위에 공정가스를 분사한다.
이 방사형 유로(130)도 마찬가지로, 제 1유로(131)를 따라 흐르던 공정가스 유체는 제 2유로(133)에서 부딪치며, 1차로 난류가 형성되고, 이 난류가 형성된 공정가스 유체는 분사공(135)을 통해 분사되는 과정에서 2차로 난류가 형성됨으로서, 공정가스가 고르게 분사되는 것이다.
나아가, 이와 같은 공정이 진행되는 동안 상기한 중앙분사장치(200)와 리드히터 베이스(300)와 분배장치(400)의 수직방향으로 중심이 일치하도록 각각 형성되는 점검구(200a)(300a)(400a)를 통해 플라즈마 처리장치(1) 내에서의 플라즈마 상태를 확인하며 분석할 수 있다.
이와 같이, 본 발명에 따른 리드 어셈블리(10)를 갖춘 플라즈마 처리장치는 중앙분사장치(100)와 외곽분사장치(200)에서 균일하게 분사되는 공정가스에 의해 후속공정인 반도체 제조공정에서 고른 반응이 일어나도록 하였으며, 또한, 반도체 제조공정의 공정균일도를 정밀하게 조절함으로서, 생산성을 향상시켰다.
본 발명은 상술한 특정 바람직한 실시 예에 한정되지 아니하고, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자 라면 누구든지 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변형실시는 본 발명의 청구범위 기재 범위 내에 있게 된다.
10 : 리드 에셈블리 100 : 외곽분사장치
200 : 중앙분사장치 300 : 리드히터 베이스
400 : 분배장치 500 : 리드 히터

Claims (6)

  1. 내부에 웨이퍼 지지장치를 갖춘 공정챔버의 상측에 구비되어, 상기 웨이퍼 지지장치에 구비된 웨이퍼 표면에 공정가스를 분사하도록 노즐을 갖춘 리드 에셈블리로 이루어진 플라즈마 처리장치에 있어서,
    상기 플라즈마 처리장치의 리드 에셈블리는;
    원반형으로 이루어진 상부에 형성된 제 1요홈과, 상기 제 1요홈의 저부 중심에 형성된 제 2요홈과, 상기 제 2요홈의 저부 중심에 중앙관통공이 형성되며, 공정가스를 외곽에 방사형으로 분사하도록 상기 제 1요홈 상측 표면에 적어도 하나 이상의 방사형 유로가 형성된 외곽분사장치와;
    상기 외곽분사장치의 중앙관통공에 구비되며, 중앙부위에 공정가스가 구비되도록 환형으로 형성된 중앙 요홈과, 상기 중앙 요홈 저부에 방사상으로 다수의 중앙부 분사공이 수직방향으로 형성된 중앙분사장치와;
    상기 중앙, 외곽분사장치를 상측에서 덮도록 원반형으로 형성된 중앙부분에 형성된 요홈 저부에 상기 중앙분사장치의 분사공과 상기 외곽분사장치의 방사형유로에 공정가스가 공급되도록 적어도 2열 이상 방사상으로 다수의 제 1, 2관통공이 형성된 리드히터 베이스와;
    상기 리드히터 베이스의 제 1, 2관통공과 연결되도록 일측면이 개구된 환형의 제 1, 2유로와, 상기 제 1, 2유로에 공정가스가 각각 공급되도록 연결된 제 1, 2공급구로 이루어진 분배장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 공정챔버 내부에 구비된 웨이퍼 상에 균일한 공정가스를 분사하는 플라즈마 처리장치의 리드 어셈블리.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 리드 어셈블리는,
    상기 리드히터 베이스 상측에 구비되는 리드히터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 공정챔버 내부에 구비된 웨이퍼 상에 균일한 공정가스를 분사하는 플라즈마 처리장치의 리드 어셈블리.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 리드 어셈블리는,
    상기 중앙분사장치의 정중앙에 형성된 점검구와, 상기 중앙분사장치의 점검구와 수직선상으로 중심이 일치하도록 상기 리드히터 베이스와 상기 분배장치에 각각 형성되는 점검구와, 상기 중앙분사장치와 상기 리드히터 베이스와 상기 분배장치에 각각 형성된 점검구 중 어느 한 곳에 구비되는 점검용 투명 마구리를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 공정챔버 내부에 구비된 웨이퍼 상에 균일한 공정가스를 분사하는 플라즈마 처리장치의 리드 어셈블리.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 방사형 유로는,
    상기 요홈의 방사상으로 적어도 하나 이상 형성된 제 1유로와, 상기 제 1유로의 단부 양측에 호형으로 형성된 제 2유로와, 상기 제 2유로의 저부에 등간격으로 다수의 외곽부 분사공이 형성되는 것을 특징으로 하는 공정챔버 내부에 구비된 웨이퍼 상에 균일한 공정가스를 분사하는 플라즈마 처리장치의 리드 어셈블리.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 중앙분사장치는,
    상기 환형으로 형성된 요홈에 적어도 하나 이상 구비된 가스분포장치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 공정챔버 내부에 구비된 웨이퍼 상에 균일한 공정가스를 분사하는 플라즈마 처리장치의 리드 어셈블리.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 가스분포장치는,
    상기 요홈의 평면과 동일한 형상의 환형으로 형성된 장치본체와, 상기 장치본체의 방사상으로 내, 외측이 엇갈리도록 다수 형성된 분배공과, 상기 장치본체의 외곽 테두리에 구비된 플랜지로 이루어지는 것을 특징으로 하는 공정챔버 내부에 구비된 웨이퍼 상에 균일한 공정가스를 분사하는 플라즈마 처리장치의 리드 어셈블리.





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