KR101431006B1 - Method for forming pattern of touch sensor using mold pattern die - Google Patents
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Abstract
본 발명은 전기적 특성 및 기질 적합성이 향상된 전도성 잉크를 습식 코팅 공정으로 터치 센서 필름에 직접 투명 전도성 막을 형성시키고, 몰드 패턴 다이(Mold Pattern Die)를 이용하여 하프 블랭킹(Half Blanking) 공정을 통해 정전용량 터치 센서의 패턴을 형성함으로써, 포토리소그라피 공정을 사용하지 않고 패턴을 형성할 수 있어, 공정 단순화 및 제조 비용을 절감할 수 있는 몰드 패턴 다이를 이용한 터치 센서의 패턴 형성방법에 관한 것으로, 기판 상에 도전층을 코팅하는 코팅단계 및; 상기 도전층이 코팅된 기판을 몰드 패턴 다이(Mold Pattern Die)에 의한 하프 블랭킹(Half Blanking) 공정에 의해 선택적으로 코팅된 도전층을 제거하여, 상기 도전층을 패턴화하는 패터닝 단계로 이루어진다.The present invention relates to a method of forming a transparent conductive film directly on a touch sensor film by a wet coating process with a conductive ink having improved electrical characteristics and substrate compatibility and by using a mold pattern die to perform a half- The present invention relates to a method for forming a pattern of a touch sensor using a mold pattern die capable of forming a pattern without using a photolithography process by forming a pattern of a touch sensor and thereby simplifying the process and reducing manufacturing cost, A coating step of coating a conductive layer; And a patterning step of patterning the conductive layer by removing a conductive layer selectively coated by a half blanking process using a mold pattern die on the substrate coated with the conductive layer.
Description
본 발명은 정전용량 터치 센서의 패턴 형성방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 전기적 특성 및 기질 적합성이 향상된 전도성 잉크를 습식 코팅 공정으로 터치 센서 필름에 직접 투명 전도성 막을 형성시키고, 몰드 패턴 다이(Mold Pattern Die)의 칼날을 이용한 하프 블랭킹(Half Blanking) 공정을 통해 정전용량 터치 센서의 패턴을 형성함으로써, 포토리소그라피 공정을 사용하지 않고 패턴을 형성할 수 있어, 공정 단순화 및 제조 비용을 절감할 수 있는 몰드 패턴 다이를 이용한 터치 센서의 패턴 형성방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a method of forming a pattern of a capacitive touch sensor, and more particularly, to a method of forming a pattern of a conductive pattern by forming a transparent conductive film directly on a touch sensor film by a wet coating process, A mold can be formed without using a photolithography process by forming a pattern of a capacitive touch sensor through a half blanking process using a blade of a die so as to simplify the process and reduce the manufacturing cost, And a method of forming a pattern of a touch sensor using a pattern die.
일반적으로, 터치 센서(Touch Sensor)는 화상표시장치 등에서 표시된 키의 위치를 손가락 또는 펜과 같은 기구물로 눌러 해당 명령을 입력하는 입력 수단이다. 예를 들면, 터치 센서는 은행의 자동인출기부터 PDA(Portable Digital Apparatus), 노트북 컴퓨터, 타블렛 피씨(Tablet PC) 등의 휴대용 정보기기까지 폭넓게 적용되고 있다.2. Description of the Related Art Generally, a touch sensor is an input means for inputting a command by pressing a position of a key displayed on an image display device or the like with a finger or a pen. For example, the touch sensor has been widely applied to various information devices such as a bank's automatic teller machine, a PDA (Portable Digital Apparatus), a notebook computer, and a tablet PC.
이러한 터치 센서에 부착되는 화상표시장치는 일반적으로 액정패널이 가장 많이 사용되고 있다.In the image display device attached to such a touch sensor, a liquid crystal panel is generally used the most.
터치 센서는 작동원리에 따라 저항막식과 정전용량으로 나누어지며, 저항막식 터치 센서는 두 개의 대향하는 센싱전극(Sensing electrode)에 전압이 인가된 상태에서 사용자가 눌러 두 개의 센싱 전극이 접촉하여 발생하는 접촉점에서의 전압 또는 전류 변화를 읽어들이고 좌표값으로 환산하여 작동된다.The touch sensor is divided into a resistive type and a capacitive type in accordance with the operation principle. In the resistive type touch sensor, when a voltage is applied to two opposing sensing electrodes, two sensing electrodes come into contact with each other The voltage or current change at the contact point is read and converted to the coordinate value.
또한, 정전용량식 터치 센서는 1개의 투명 도전성필름 또는 투명 도전성글라스에 정전용량의 충전 및 방전 상태가 반복되는 가운데 사용자가 누른 접촉점에서 펜 형태의 입력장치인 스타일러스(Stylus)와 투명 도전성필름과의 용량결합에 따라 소량의 전하가 축적되고 이 전하량을 4개의 입력점으로부터 읽어들이고 좌표값으로 환산하여 작동된다.In addition, the capacitive touch sensor has a structure in which a charging and discharging state of electrostatic capacity is repeated in one transparent conductive film or a transparent conductive glass while a stylus, which is a pen type input device at a contact point pressed by the user, A small amount of charge is accumulated by capacitive coupling, and this charge amount is read from four input points and converted into coordinate values.
한편, 터치 센서의 센싱 전극들은 사용자가 터치한 지점의 좌표값을 전달하는 링크라인들과 연결되어 있다. On the other hand, the sensing electrodes of the touch sensor are connected to link lines that transmit coordinate values of points touched by the user.
여기서, 터치 센서의 패턴들 즉, 링크라인들은 패턴의 밀도가 낮음에도 불구하고 기존의 포토리소그라피(Photolithography) 공정 이외에 다른 방법이 없어 기존의 포토리소그라피 공정을 통해 형성된다.Here, the patterns of the touch sensor, that is, the link lines are formed through the conventional photolithography process because there is no other method other than the existing photolithography process although the density of the pattern is low.
도 1은 종래의 포토리소그라피 공정을 나타내는 순서도이다.1 is a flowchart showing a conventional photolithography process.
도 1에 도시된 바와 같이, 터치 센서에서 링크라인을 형성하는 공정은 먼저 기판의 양면에 존재하는 이물질을 제거하는 세정 공정을 진행한다(S100). 이렇게 세정 공정을 진행하게 되면, 수율 향상 및 후속의 증착 공정에서 점착력을 높일 수 있다.As shown in FIG. 1, in the process of forming a link line in the touch sensor, a cleaning process for removing foreign substances existing on both sides of the substrate is first performed (S100). By carrying out the cleaning process in this way, it is possible to improve the yield and increase the adhesion in the subsequent deposition process.
그 다음, 기판 상에 스퍼터링(Sputtering) 등의 방법을 사용하여 투명전극을 형성하기 위해 ITO를 도전층으로 증착한다(S110). 이후, 기판에 존재하는 이물질을 제거하는 세정 공정을 실시한다.Next, ITO is deposited as a conductive layer on the substrate to form a transparent electrode using a method such as sputtering (S110). Thereafter, a cleaning process for removing foreign substances present on the substrate is performed.
이어서, 상기 도전층이 증착된 기판 상에 포토 레지스트(Photo resist)를 도포하고(S120), 마스크를 사용하여 포토 레지스트에 노광 및 현상을 순차적으로 진행한다(S130, S140).Subsequently, a photoresist is coated on the substrate on which the conductive layer is deposited (S120), and exposure and development are sequentially performed on the photoresist using the mask (S130, S140).
그 다음, 에칭 공정을 진행하여 포토 레지스트를 패터닝하고(S150), 현상에 의해 잔류된 포토 레지스트를 제거하는 스트립(Strip) 공정을 순차적으로 진행하여 원하는 패턴을 형성하게 된다(S160).Thereafter, the etching process is performed to pattern the photoresist (S150), and a strip process for removing the photoresist remaining by development is sequentially performed to form a desired pattern (S160).
상기와 같이, 포토리소그라피 공정을 진행하기 위해서는 스퍼터, 세정기, 포토 레지스트 도포 장비, 노광기, 현상기, 에치장비 및 스트립 장비 등의 장비와, 각 공정 단계에서 사용되는 세정액, 현상액 및 포토 레지스트 등이 필요하므로, 이에 따라 제조 비용과 공정 시간이 증가하게 된다는 문제점이 있었다.As described above, in order to carry out the photolithography process, equipment such as a sputtering apparatus, a scrubber, a photoresist coating apparatus, an exposure apparatus, a developing apparatus, an etching apparatus and a strip apparatus, and a cleaning liquid, a developing liquid, , Thereby increasing manufacturing costs and process time.
또한, 기존 디스플레이의 투명전극인 ITO는 진공 증착공정과 포토리소그래피 공정에 의한 높은 제조단가, 고온공정, 낮은 플렉서블 특성, 플라스틱 기판과의 열팽창 계수 차이 등의 문제로 플렉시블 투명전극으로 사용하는데 한계가 있다는 문제점이 있었다.
In addition, ITO, which is a transparent electrode of a conventional display, is limited in its use as a flexible transparent electrode due to problems such as a high manufacturing cost by a vacuum deposition process and a photolithography process, a high temperature process, a low flexible property, and a difference in thermal expansion coefficient from a plastic substrate There was a problem.
따라서 본 발명의 목적은 상기와 같은 문제를 해결하기 위해 안출된 것으로, 터치 센서의 패턴 형성시 포토리소그라피 공정을 사용하지 않고 습식 코팅을 통해 전도층을 코팅한 후 몰드 패턴 다이의 칼날을 이용하여 하프 블랭킹 공정을 수행하여 정전용량 패턴을 형성함으로써, 공정을 단순화할 수 있고 제조 비용을 절감할 수 있는 터치 센서의 패턴 형성방법을 제공하며, 더 나아가 플렉시블 투명전극의 기능을 극대화할 수 있는 몰드 패턴 다이를 이용한 터치 센서의 패턴 형성방법을 제공하고자 하는 것이다.
SUMMARY OF THE INVENTION It is therefore an object of the present invention to provide a method of manufacturing a touch sensor by coating a conductive layer through a wet coating without using a photolithography process, A method of forming a pattern of a touch sensor capable of simplifying a process and reducing a manufacturing cost by performing a blanking process to form a capacitive pattern and further providing a mold pattern die capable of maximizing the function of the flexible transparent electrode, And a method of forming a pattern of a touch sensor using the touch sensor.
본 발명에 따른 터치 몰드 패턴 다이를 이용한 터치 센서의 패턴 형성방법은 기판 상에 도전층을 코팅하는 코팅단계 및; 상기 도전층이 코팅된 기판을 몰드 패턴 다이의 칼날에 의한 하프 블랭킹에 의해 선택적으로 도전층 코팅을 제거하여 상기 도전층을 패턴화하는 패터닝 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
A method of forming a pattern of a touch sensor using a touch mold pattern die according to the present invention includes: coating a conductive layer on a substrate; And a patterning step of patterning the conductive layer by selectively removing the conductive layer coating by half-blanking the substrate coated with the conductive layer with a blade of a mold pattern die.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 몰드 패턴 다이를 이용한 터치 센서의 패턴 형성방법은 터치 센서의 패턴 형성시 포토리소그라피 공정을 사용하지 않고 몰드 패턴 다이의 칼날에 의한 하프 블랭킹에 의해 기계적으로 패턴을 형성함으로써, 패턴 형성 공정을 획기적으로 단순화시킬 수 있고 원가를 절감시킬 수 있다는 이점이 있다.As described above, in the method of forming a pattern of a touch sensor using a mold pattern die according to the present invention, a pattern is formed mechanically by half blanking by a blade of a mold pattern die without using a photolithography process at the time of pattern formation of the touch sensor Thus, there is an advantage that the pattern forming process can be remarkably simplified and the cost can be reduced.
또한, 건식 공정에 따른 폐용액 처리 문제가 없어, 환경 오염 문제를 저하시킨다는 이점이 있다.In addition, there is no problem of waste solution treatment according to the dry process and there is an advantage that the problem of environmental pollution is lowered.
또한, 플렉시블 투명전극을 제조함에 있어, 기존 ITO 증착에 비해 우수한 가공성 및 물성을 얻을 수 있다는 이점이 있다.Further, in manufacturing a flexible transparent electrode, there is an advantage that excellent workability and physical properties can be obtained as compared with conventional ITO deposition.
또한, 전도층을 직접 습식 코팅함으로써 기판에 충격을 주지 않기에, 다양한 필름 기판에 적용가능하다는 이점이 있다.
Further, there is an advantage that the conductive layer can be applied to various film substrates since the substrate is not impacted by wet-coating directly.
도 1은 종래의 터치 센서의 패턴 형성공정을 나타내는 순서도.
도 2는 본 발명에 따른 몰드 패턴 다이를 이용한 터치 센서의 패턴 형성공정을 나타내는 순서도.
도 3은 도 3은 본 발명에 따른 몰드 패턴 다이의 예시도.
도 4는 본 발명에 따른 몰드 패턴 다이를 이용한 터치 센서의 패턴 형성을 도시한 구조도.
도 5는 도 4의 패턴의 내ㆍ외부에 따른 통전 여부의 예시도.
도 6은 도 4의 패턴의 위치에 따른 저항값의 차이의 예시도.
도 7은 본 발명에 따른 몰드 패턴 다이를 이용한 터치 센서의 표면 FESEM 사진.
도 8은 도 7의 측면 FESEM 사진.1 is a flowchart showing a pattern forming process of a conventional touch sensor.
2 is a flowchart showing a pattern forming process of a touch sensor using a mold pattern die according to the present invention.
Figure 3 is an illustration of an example of a mold pattern die in accordance with the present invention;
4 is a structural view illustrating pattern formation of a touch sensor using a mold pattern die according to the present invention.
Fig. 5 is an exemplary view showing whether the pattern shown in Fig. 4 is energized along the inside and the outside. Fig.
Fig. 6 is an illustration of a difference in resistance value according to the position of the pattern of Fig. 4; Fig.
7 is a FESEM image of a surface of a touch sensor using a mold pattern die according to the present invention.
8 is a side FESEM photograph of Fig. 7;
이하, 도면을 참조한 실시 예들의 상세한 설명을 통하여 본 발명에 따른 몰드 패턴 다이를 이용한 터치 센서의 패턴 형성방법을 보다 상세히 기술하기로 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지기술 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략될 것이다. 그리고, 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 클라이언트나 운용자, 사용자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.Hereinafter, a method of forming a pattern of a touch sensor using a mold pattern die according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear. The following terms are defined in consideration of the functions of the present invention, and they may vary depending on the intentions or customs of the client, the operator, the user, and the like. Therefore, the definition should be based on the contents throughout this specification.
도면 전체에 걸쳐 같은 참조번호는 같은 구성 요소를 가리킨다.Like numbers refer to like elements throughout the drawings.
도 2는 본 발명에 따른 몰드 패턴 다이를 이용한 터치 센서의 패턴 형성공정을 나타내는 순서도이며, 도 3은 본 발명에 따른 몰드 패턴 다이의 예시도이며, 도 4는 본 발명에 따른 몰드 패턴 다이를 이용한 터치 센서의 패턴 형성을 도시한 구조도이며, 도 5는 도 4의 패턴의 내ㆍ외부에 따른 통전 여부의 예시도이며, 도 6은 도 4의 패턴의 위치에 따른 저항값의 차이의 예시도이며, 도 7은 본 발명에 따른 몰드 패턴 다이를 이용한 터치 센서의 표면 FESEM 사진이며, 도 8은 도 7의 측면 FESEM 사진이다.FIG. 2 is a flowchart showing a pattern forming process of a touch sensor using a mold pattern die according to the present invention, FIG. 3 is an illustration of a mold pattern die according to the present invention, and FIG. 4 is a cross- FIG. 5 is an exemplary view showing whether or not the pattern of FIG. 4 is energized according to the inside and the outside of the pattern, and FIG. 6 is an example of a difference in resistance value according to the position of the pattern of FIG. 7 is a photograph of a surface FESEM of a touch sensor using a mold pattern die according to the present invention, and FIG. 8 is a side FESEM photograph of FIG. 7.
도 2 내지 도 8을 참조하면, 본 발명에 따른 몰드 패턴 다이를 이용한 터치 센서의 패턴 형성방법은 기판(31) 상에 도전층(32)을 코팅하는 코팅단계(S210) 및; 상기 도전층이 코팅된 기판을 몰드 패턴 다이(Mold Pattern Die)의 칼날에 의한 하프 블랭킹(Half Blanking) 공정에 의해 선택적으로 코팅된 도전층을 제거하여, 상기 도전층을 패턴화하는 패터닝 단계(S220)를 포함한다.2 to 8, a method of forming a pattern of a touch sensor using a mold pattern die according to the present invention includes a coating step S210 of coating a
여기서, 상기 도전층 코팅 단계에서, 상기 도전층은 습식 코팅 공정을 통해 코팅되는데, 상기 도전층은 습식 코팅이 가능한 인듐-주석-옥사이드(ITO), 인듐-징크-옥사이드(IZO), AZO(Al-doped ZnO), 탄소나노튜브(CNT), 그래핀(Graphene), 전도성 고분자(PEDOT: poly(3,4-ethylendioxythiophene)), 은(Ag), 또는 구리(Cu) 중 어느 하나로 이루어진다. Here, in the conductive layer coating step, the conductive layer is coated through a wet coating process, and the conductive layer may be formed of indium-tin oxide (ITO), indium-zinc-oxide (IZO), AZO -doped ZnO, carbon nanotube (CNT), graphene, poly (3,4-ethylenedioxythiophene), silver (Ag), or copper (Cu).
또한, 상기 패터닝 단계에서, 상기 도전층의 패턴의 선폭은 상기 몰드 패턴 다이의 칼날의 단면적과 가압 크기 및 가압 시간에 따라 가변되는데, 상기 가압 시간은 0.1초~1분이며, 상기 패턴의 선폭은 0.1㎛~10㎝이며, 상기 패턴 간의 최소 거리는 0.05㎜~10㎝이며, 상기 패턴의 채널 저항 범위는 0.01~1012Ω이다.In addition, in the patterning step, the line width of the pattern of the conductive layer varies depending on the cross-sectional area of the blade of the mold pattern die, the pressing size and the pressing time, the pressing time is 0.1 second to 1 minute, 0.1 to 10 cm, the minimum distance between the patterns is 0.05 to 10 cm, and the channel resistance range of the pattern is 0.01 to 10 12 Ω.
또한, 상기 기판은 PC(Polycarbonate), PET(Polyethylene Terephthalate), PEN(Polyethylene Naphthalate), PMMA(Polymethly Methacrylate), PES(Polyether Sulfone), 또는 아크릴(Acryl) 중 어느 하나로 이루어지거나, 또는 이들의 조합으로 이루어진다.In addition, the substrate may be formed of any one selected from the group consisting of polycarbonate (PC), polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polymethly methacrylate (PMMA), polyether sulfone (PES) .
또한, 상기 도전층의 코팅 방법은 습식 코팅이 가능한 닥터 블레이드법(Doctor Blade), 스크린 프린팅법(Screen Printing), 롤 프린팅법(Roll Printing), 스프레이법(Spray), 스핀 코팅법(Spin Coating), 또는 딥핑법(Dipping) 중 어느 하나로 이루어진다.The conductive layer may be coated by a method such as a doctor blade method, a screen printing method, a roll printing method, a spray method, a spin coating method, , Or a dipping method (Dipping).
또한, 상기 패터닝 단계에선, 상기 몰드 패턴 다이의 칼날에 의한 하프 블랭킹에 의해 상기 기판의 두께의 90% 이하로 각인되는데, 이때, 상기 하프 블랭킹에 의한 기판의 각인이 90%를 초과하면, 기판이 꺾이거나 절단될 수 있다.In addition, in the patterning step, the substrate is scratched to 90% or less of the thickness of the substrate by half blanking by the blade of the mold pattern die. If the engraving of the substrate by the half blanking exceeds 90% It can be broken or cut.
또한, 상기 패터닝 단계에선, 상기 가압 시간은 0.1초~1분인데, 상기 가압 시간이 0.1초 이하이면, 충분한 가압이 발생하지 않아 패턴이 형성되지 않으며, 상기 가압 시간이 1분 이상이면, 가압이 너무 오래 지속되어 몰드 패턴 다이의 칼날에 묻은 도전물질이 도전층에 재전이되어, 단락되어야할 부분이 통전될 수 있다.In the patterning step, the pressing time is 0.1 second to 1 minute. When the pressing time is 0.1 second or less, sufficient pressure is not generated and no pattern is formed. If the pressing time is 1 minute or more, The conductive material adhering to the blade of the mold pattern die may be recharged to the conductive layer for a long time so that the portion to be short-circuited may be energized.
또한, 상기 패터닝 단계에선, 상기 패턴의 선폭은 0.1㎛~10㎝인데, 상기 몰드 패턴 다이의 칼날의 단면적을 0.1㎛ 이하로 만들 수 없기에 선폭을 0.1㎛ 이하로 제조할 수 없으며, 상기 패턴의 선폭이 10㎝ 이상이면, 이렇게 형성된 상기 패턴은 면을 형성하기에, 패턴으로서의 기능을 상실한다. In addition, in the patterning step, the line width of the pattern is 0.1 탆 to 10 탆. Since the sectional area of the blade of the mold pattern die can not be made 0.1 탆 or less, the line width can not be made 0.1 탆 or less, Is 10 cm or more, the pattern thus formed forms a surface, and thus the function as a pattern is lost.
또한, 상기 패터닝 단계에선, 상기 패턴 간의 최소 거리는 0.05㎜~10㎝인데, 상기 몰드 패턴 다이의 칼날의 단면적을 0.1㎛ 이하로 만들 수 없기에, 패턴 간의 최소 거리를 0.05㎜ 이하로 제조할 수 없으며, 상기 패턴 간의 최소 거리가 10㎝ 이상이면, 이렇게 형성된 상기 패턴도 면을 형성하기에, 패턴으로서의 기능을 상실한다. In addition, in the patterning step, the minimum distance between the patterns is 0.05 mm to 10 cm. Since the cross-sectional area of the blade of the mold pattern die can not be made 0.1 탆 or less, the minimum distance between the patterns can not be made 0.05 mm or less, If the minimum distance between the patterns is 10 cm or more, the pattern formed in this way also forms a surface, so that the function as a pattern is lost.
또한, 상기 패터닝 단계에선, 상기 패턴의 채널 저항 범위는 0.01~1012Ω인데, 상기 패턴의 채널 저항값이 0.01Ω 이하이면, 전기가 흐르는 도체이며, 상기 패턴의 채널 저항값이 1012Ω 이상이면, 전기가 흐르지 않는 부도체이라서, 단락과 통전의 의미가 상실된다. Also, in the patterning step, the channel resistance range of the pattern is 0.01 to 10 12 Ω. When the channel resistance value of the pattern is 0.01 Ω or less, it is an electrically conducting conductor, and the channel resistance value of the pattern is 10 12 Ω or more , The meaning of short-circuit and energization is lost because it is non-conducting.
이제, 본 발명에 따른 몰드 패턴 다이를 이용한 터치 센서의 패턴 형성방법을 보다 상세히 살펴보고자 한다. Now, a method of forming a pattern of a touch sensor using a mold pattern die according to the present invention will be described in detail.
먼저, PC, PET, PEN, PMMA, PES, 또는 아크릴 중 어느 하나로 이루어지거나, 또는 이들의 조합으로 이루어진 필름 형태의 기판 상에 습식 코팅 공정으로 ITO, IZO, AZO, CNT, Graphene, PEDOT, Ag, 또는 Cu 중 어느 하나로 이루어진 도전층을 습식 코팅이 가능한 닥터 블레이드법, 스크린 프린팅법, 롤 프린팅법, 스프레이법, 스핀 코팅법, 또는 딥핑법 중 어느 한 방법을 사용하여 코팅한다.First, ITO, IZO, AZO, CNT, Graphene, PEDOT, Ag, and the like are formed on a film type substrate made of any one of PC, PET, PEN, PMMA, PES, Or Cu is coated by any one of a doctor blade method capable of wet coating, a screen printing method, a roll printing method, a spray method, a spin coating method, or a dipping method.
이후, 도 3에 도시된 바와 같은 몰드 패턴 다이를 이용하여 0.1초~1분간 가압함으로써, 상기 몰드 패턴 다이의 말단 형태와 일치하는 V자형 홈이 상기 도전층에 각인되는데, 동시에 상기 기판의 두께의 90%까지 함께 각인된다(도 4 참조).3, a V-shaped groove corresponding to the end shape of the mold pattern die is impressed on the conductive layer, and at the same time, the thickness of the substrate 90% (see Fig. 4).
이렇게 형성된 터치 센서의 패턴의 선폭은 0.1㎛~100㎝이며, 상기 패턴 간의 최소 거리는 0.05㎜~500㎝이다.The line width of the pattern of the touch sensor thus formed is 0.1 to 100 cm, and the minimum distance between the patterns is 0.05 to 500 cm.
또한, 상기 패턴에 의해 터치 센서가 통전 및 단락되는데, 상기 패턴의 채널 저항 범위는 100~1012Ω이다(도 5 및 도 6 참조).Further, the touch sensor is energized and short-circuited by the pattern, and the channel resistance range of the pattern is from 10 0 to 10 12 Ω (see FIGS. 5 and 6).
전술된 바와 같이 형성된 터치 센서의 패턴의 표면 및 측면에는 도 7 및 도 8에 FESEM 사진으로 도시된 바와 같이 V자형 홈이 형성됨을 알 수 있다. 이러한 V자형 홈에 의해 상기 도전층 코팅을 선택적으로 제거하여 상기 도전층을 패턴화함으로써, 상기 터치 센서가 통전 및 단락된다.It can be seen that the V-shaped groove is formed on the surface and the side surface of the pattern of the touch sensor formed as described above as shown in the FESEM photographs in FIGS. 7 and 8. FIG. The touch sensor is energized and short-circuited by patterning the conductive layer by selectively removing the conductive layer coating by the V-shaped groove.
본 발명에 따른 몰드 패턴 다이를 이용한 터치 센서의 패턴 형성방법은 터치 센서의 패턴 형성시 포토리소그라피 공정을 사용하지 않고 몰드 패턴 다이에 의한 하프 블랭킹에 의해 기계적으로 패턴을 형성함으로써, 패턴 형성 공정을 획기적으로 단순화시킬 수 있고 원가를 절감시킬 수 있다. The method of forming a pattern of a touch sensor using a mold pattern die according to the present invention is a method of forming a pattern of a touch sensor by mechanically forming a pattern by half blanking using a mold pattern die without using a photolithography process, And the cost can be reduced.
또한, 건식 공정에 따른 폐용액 처리 문제가 없어, 환경 오염 문제를 저하시키며, 플렉시블 투명전극을 제조함에 있어, 기존 ITO 증착에 비해 우수한 가공성 및 물성을 얻을 수 있으며, 전도층을 직접 습식 코팅함으로써 기판에 충격을 주지 않기에, 다양한 필름 기판에 적용가능하다.In addition, since there is no problem of waste solution treatment due to the dry process, the problem of environmental pollution is reduced. In manufacturing a flexible transparent electrode, excellent workability and physical properties can be obtained as compared with conventional ITO deposition. So that it can be applied to various film substrates.
비록 본 발명의 실시 예에선, 본 발명은 터치 센서의 패턴 형성공정에 대해 기술되었지만, 이에 제한되지 않고, 터치 키, 터치 패널, 터치 스크린, RFID 안테나, 트랜지스터 등의 광식각 패턴 공정에 의해 도전성 패턴이 형성될 수 있는 모든 산업 분야에 적용될 수 있음은 물론이다.Although the present invention has been described with respect to the pattern forming process of the touch sensor, the present invention is not limited thereto, and the pattern of the conductive pattern of the touch key, the touch panel, the touch screen, the RFID antenna, The present invention can be applied to all industrial fields in which the present invention can be formed.
이상과 같이 본 발명은 양호한 실시 예에 근거하여 설명하였지만, 이러한 실시 예는 본 발명을 제한하려는 것이 아니라 예시하려는 것이므로, 본 발명이 속하는 기술분야의 숙련자라면 본 발명의 기술사상을 벗어남이 없이 위 실시 예에 대한 다양한 변화나 변경 또는 조절이 가능할 것이다. 그러므로, 본 발명의 보호 범위는 본 발명의 기술적 사상의 요지에 속하는 변화 예나 변경 예 또는 조절 예를 모두 포함하는 것으로 해석되어야 할 것이다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, Various changes, modifications or adjustments to the example will be possible. Therefore, the scope of protection of the present invention should be construed as including all changes, modifications, and adjustments that fall within the spirit of the technical idea of the present invention.
31: 기판 32: 도전층31: substrate 32: conductive layer
Claims (7)
상기 도전층이 코팅된 기판을 몰드 패턴 다이(Mold Pattern Die)에 의한 하프 블랭킹(Half Blanking) 공정에 의해 선택적으로 코팅된 도전층을 제거하여, 상기 도전층을 패턴화하는 패터닝 단계;를 포함하고,
상기 패터닝 단계에서, 몰드 패턴 다이에 의한 하프 블랭킹은 상기 기판의 두께의 90% 이하로 각인되는 것을 특징으로 하는 몰드 패턴 다이를 이용한 터치 센서의 패턴 형성방법.
A conductive layer coating step of coating a conductive layer on a substrate;
And patterning the substrate coated with the conductive layer by patterning the conductive layer by selectively removing the conductive layer coated by a half blanking process using a mold pattern die ,
Wherein the half blanking by the mold pattern die is imprinted at 90% or less of the thickness of the substrate in the patterning step.
상기 패터닝 단계에서, 상기 도전층의 패턴의 선폭은 상기 몰드 패턴 다이의 단면적과 가압 크기 및 가압 시간에 따라 가변되며; 상기 가압 시간은 0.1초~1분이며, 상기 패턴의 선폭은 0.1㎛~10㎝이며, 상기 패턴 간의 최소 거리는 0.05㎜~10㎝이며, 상기 패턴의 채널 저항 범위는 0.01~1012Ω인 것을 특징으로 하는 몰드 패턴 다이를 이용한 터치 센서의 패턴 형성방법.
The method according to claim 1,
In the patterning step, the line width of the pattern of the conductive layer is varied according to the cross-sectional area of the mold pattern die, the pressing size, and the pressing time; Wherein the pattern has a line width of 0.1 to 10 cm, a minimum distance between the patterns of 0.05 to 10 cm, and a channel resistance of the pattern of 0.01 to 10 12 ? Wherein the pattern pattern is formed by using a mold pattern die.
상기 도전층 코팅 단계에서, 상기 도전층은 습식 코팅 공정을 통해 코팅되는 것을 특징으로 하는 몰드 패턴 다이를 이용한 터치 센서의 패턴 형성방법.
The method according to claim 1,
Wherein in the conductive layer coating step, the conductive layer is coated through a wet coating process.
상기 기판은 PC(Polycarbonate), PET(Polyethylene Terephthalate), PEN(Polyethylene Naphthalate), PMMA(Polymethly Methacrylate), PES(Polyether Sulfone), 또는 아크릴(Acryl) 중 어느 하나로 이루어지거나, 또는 이들의 조합인 것을 특징으로 하는 몰드 패턴 다이를 이용한 터치 센서의 패턴 형성방법.
The method according to claim 1,
The substrate may be made of any one selected from the group consisting of polycarbonate (PC), polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polymethly methacrylate (PMMA), polyether sulfone (PES) Wherein the pattern pattern is formed by using a mold pattern die.
상기 도전층은 습식 코팅이 가능한 인듐-주석-옥사이드(ITO), 인듐-징크-옥사이드(IZO), AZO(Al-doped ZnO), 탄소나노튜브(CNT), 그래핀(Graphene), 전도성 고분자(PEDOT: poly(3,4-ethylendioxythiophene)), 은(Ag), 또는 구리(Cu) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 몰드 패턴 다이를 이용한 터치 센서의 패턴 형성방법.
The method according to claim 1,
The conductive layer may be formed of a material selected from the group consisting of indium-tin-oxide (ITO), indium-zinc-oxide (IZO), Al-doped ZnO, carbon nanotube (CNT), graphene, (PEDOT): poly (3,4-ethylenedioxythiophene), silver (Ag), or copper (Cu).
상기 도전층의 코팅 방법은 습식 코팅이 가능한 닥터 블레이드법(Doctor Blade), 스크린 프린팅법(Screen Printing), 롤 프린팅법(Roll Printing), 스프레이법(Spray), 스핀 코팅법(Spin Coating), 또는 딥핑법(Dipping) 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 몰드 패턴 다이를 이용한 터치 센서의 패턴 형성방법.
The method according to claim 1,
The conductive layer may be coated by a method such as a doctor blade method, a screen printing method, a roll printing method, a spray method, a spin coating method, And a dipping method. The method for forming a pattern of a touch sensor using a mold pattern die according to claim 1,
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