KR101429933B1 - Organic Light Emitting Display Device And Method For Fabricating Of The Same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 둘 이상의 부화소를 포함하는 단위화소를 포함하는 유기전계발광표시장치에 있어서, 상기 부화소는 기판 상에 위치하는 반사막, 상기 반사막 상에 위치하는 투명도전막, 상기 투명도전막의 일부 영역을 노출시키는 뱅크층, 상기 노출된 투명도전막 상에 위치하는 제 1 전극, 상기 제 1 전극 상에 위치하는 발광층, 상기 발광층 상에 위치하는 제 2 전극을 포함하고, 상기 부화소 중 적어도 어느 하나 이상은 상기 반사막과 투명도전막 사이에 유기절연막을 포함하며, 상기 유기절연막은 각 부화소별로 서로 다른 두께인 유기전계발광표시장치를 제공한다.The present invention relates to an organic electroluminescent display device including unit pixels including two or more sub-pixels, wherein the sub-pixel includes a reflective film positioned on a substrate, a transparent conductive film positioned on the reflective film, A first electrode located on the exposed transparent conductive film, a light emitting layer located on the first electrode, and a second electrode located on the light emitting layer, wherein at least one of the sub- And an organic insulating layer between the reflective layer and the transparent conductive layer, wherein the organic insulating layer has a different thickness for each sub-pixel.

유기전계발광표시장치 Organic electroluminescent display device

Description

유기전계발광표시장치 및 그 제조방법{Organic Light Emitting Display Device And Method For Fabricating Of The Same}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to an organic electroluminescent display device,

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광표시장치를 도시한 단면도.1 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.

도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광표시장치의 제조 공정별 단면도.2A to 2E are cross-sectional views of an organic light emitting display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 유기전계발광표시장치를 도시한 단면도.3 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display device according to another embodiment of the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Description of the Related Art [0002]

100 : 기판 105 : 버퍼층100: substrate 105: buffer layer

110 : 반도체층 115 : 게이트 절연막110: semiconductor layer 115: gate insulating film

120 : 게이트 전극 125 : 층간 절연막120: gate electrode 125: interlayer insulating film

130a, 130b : 콘택홀들 135a : 소오스 전극130a, 130b: contact holes 135a: source electrode

135b : 드레인 전극 140 : 평탄화막135b: drain electrode 140: planarization film

145 : 제 1 비어홀 150 : 반사막145: first via hole 150:

155 : 유기절연막 160 : 제 2 비어홀155: organic insulating film 160: second via hole

165 : 투명도전막 170 : 뱅크층165: transparent conductive film 170: bank layer

175 : 개구부 180 : 제 1 전극175: opening 180: first electrode

185 : 발광층 190 : 제 2 전극185: light emitting layer 190: second electrode

본 발명은 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display and a method of manufacturing the same.

최근, 평판표시장치(FPD: Flat Panel Display)는 멀티미디어의 발달과 함께 그 중요성이 증대되고 있다. 이에 부응하여 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display: LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel: PDP), 전계방출표시장치(Field Emission Display: FED), 유기전계발광표시장치(Organic Light Emitting Device) 등과 같은 여러 가지의 평면형 디스플레이가 실용화되고 있다.2. Description of the Related Art In recent years, the importance of flat panel displays (FPDs) has been increasing with the development of multimedia. In response to this, various kinds of devices such as a liquid crystal display (LCD), a plasma display panel (PDP), a field emission display (FED), an organic light emitting display A planar display of a branch has been put into practical use.

특히, 유기전계발광표시장치는 응답속도가 1ms 이하로서 고속의 응답속도를 가지며, 소비 전력이 낮고 자체 발광이다. 또한, 시야각에 문제가 없어서 장치의 크기에 상관없이 동화상 표시 매체로서 장점이 있다. 또한, 저온 제작이 가능하고, 기존의 반도체 공정 기술을 바탕으로 제조 공정이 간단하므로 향후 차세대 평판 표시 장치로 주목받고 있다.Particularly, the organic light emitting display device has a response speed of 1 ms or less, a high response speed, low power consumption, and self light emission. In addition, there is no problem in the viewing angle, which is advantageous as a moving picture display medium regardless of the size of the apparatus. In addition, since it can be manufactured at a low temperature and the manufacturing process is simple based on the existing semiconductor process technology, it is attracting attention as a next generation flat panel display device.

상기 유기전계발광표시장치는 크게 발광부 및 비발광부로 이루어질 수 있다. 발광부는 적색, 녹색 및 청색을 발광하는 부화소들을 포함하는 다수개의 단위화소들로 이루어질 수 있고, 비발광부는 발광부로의 신호를 인가하는 패드부 또는 구동부들을 포함할 수 있다.The organic light emitting display device may include a light emitting portion and a non-light emitting portion. The light emitting portion may include a plurality of unit pixels including sub-pixels emitting red, green, and blue light, and the non-light emitting portion may include a pad portion or drivers for applying a signal to the light emitting portion.

보다 자세하게는, 유기전계발광표시장치의 각 단위화소들은 전자를 주입하는 캐소드인 제 1 전극, 정공을 주입하는 애노드인 제 2 전극, 및 상기 제 1 전극 및 제 2 전극 사이에 위치하여 전극들로부터 주입된 전자와 정공들이 재결합하여 여기자를 형성함으로써 빛을 발광하는 발광층을 포함할 수 있다.More specifically, each unit pixel of the organic light emitting display includes a first electrode which is a cathode for injecting electrons, a second electrode which is an anode for injecting holes, and a second electrode which is located between the first electrode and the second electrode, And a light emitting layer that emits light by recombining the injected electrons and holes to form an exciton.

종래에 유기전계발광표시장치는 각 적색, 녹색 및 청색의 발광효율을 향상시키기 위해 각 부화소별로 광경로를 다르게 하는 마이크로 캐비티(Micro Cavity) 구조를 형성하였다. Conventionally, an organic light emitting display has formed a micro cavity structure having different optical paths for each sub-pixel in order to improve the luminous efficiency of each of red, green and blue.

그러나, 유기전계발광표시장치의 구조 중 캐소드인 제 1 전극이 애노드인 제 2 전극보다 하부에 위치한 인버티드(Inverted) 구조의 경우에는, 박막 트랜지스터가 형성된 기판에 캐소드 금속을 전자주입 전극 및 반사전극으로 사용하기 때문에 마이크로 캐비티 구조를 형성하는데 어려움이 있었다. However, in the case of the inverted structure in which the first electrode, which is the cathode of the structure of the organic light emitting display, is located below the second electrode that is the anode, the cathode metal is deposited on the substrate, It is difficult to form a micro cavity structure.

또한, 발광층을 포함하는 유기막의 두께를 변경하여 마이크로 캐비티 구조를 형성하는 경우에는 발광층 하부에 존재하는 전자주입층의 두께가 얇아 유기막 두께를 조절하여 마이크로 캐비티 구조를 구현하기 어려운 문제점이 있었다.In addition, when a micro-cavity structure is formed by changing the thickness of an organic layer including a light-emitting layer, there is a problem that it is difficult to realize a micro-cavity structure by controlling the thickness of the organic layer because the thickness of the electron-

따라서, 본 발명은 마이크로 캐비티 구조를 구현하여 적색, 녹색 및 청색 광 의 파장의 길이를 다르게 하여 색순도 및 휘도를 향상시킬 수 있는 유기전계발광표시장치를 제공한다.Accordingly, the present invention provides an organic electroluminescent display device capable of improving the color purity and brightness by implementing a micro-cavity structure in which the wavelengths of red, green, and blue light have different lengths.

상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명은, 둘 이상의 부화소를 포함하는 단위화소를 포함하는 유기전계발광표시장치에 있어서, 상기 부화소는 기판 상에 위치하는 반사막, 상기 반사막 상에 위치하는 투명도전막, 상기 투명도전막의 일부 영역을 노출시키는 뱅크층, 상기 노출된 투명도전막 상에 위치하는 제 1 전극, 상기 제 1 전극 상에 위치하는 발광층, 상기 발광층 상에 위치하는 제 2 전극을 포함하고, 상기 부화소 중 적어도 어느 하나 이상은 상기 반사막과 투명도전막 사이에 유기절연막을 포함하며, 상기 유기절연막은 각 부화소별로 서로 다른 두께인 유기전계발광표시장치를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides an organic light emitting display including a unit pixel including two or more sub-pixels, wherein the sub-pixel includes a reflective film positioned on a substrate, A bank layer for exposing a part of the transparent conductive film; a first electrode disposed on the exposed transparent conductive film; a light emitting layer disposed on the first electrode; and a second electrode disposed on the light emitting layer, At least one of the sub-pixels includes an organic insulating layer between the reflective layer and the transparent conductive layer, and the organic insulating layer has a different thickness for each sub-pixel.

또한, 본 발명은 둘 이상의 부화소를 포함하는 다수개의 단위화소를 포함하는 유기전계발광표시장치의 제조방법에 있어서, 기판 상에 반사막을 형성하는 단계, 상기 반사막을 포함하는 기판 상에 유기절연막을 형성하는 단계, 상기 유기절연막을 하프톤 마스크를 이용하여 패터닝하는 단계, 상기 반사막 또는 유기절연막 상에 투명도전막을 형성하는 단계, 상기 투명도전막의 일부를 노출시키는 뱅크층을 형성하는 단계, 상기 노출된 투명도전막 상에 제 1 전극을 형성하는 단계, 상기 제 1 전극 상에 발광층을 형성하는 단계, 상기 발광층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기전계발광표시장치의 제조방법을 제공한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an organic light emitting display including a plurality of unit pixels including two or more sub-pixels, the method comprising: forming a reflective layer on a substrate; Patterning the organic insulating layer using a halftone mask, forming a transparent conductive layer on the reflective layer or the organic insulating layer, forming a bank layer exposing a part of the transparent conductive layer, Forming a first electrode on the transparent conductive film, forming a light emitting layer on the first electrode, and forming a second electrode on the light emitting layer.

또한, 본 발명은 둘 이상의 부화소를 포함하는 다수개의 단위화소를 포함하는 유기전계발광표시장치에 있어서, 상기 부화소는 기판 상에 위치하는 반사막, 상기 반사막 상에 위치하는 유기절연막, 상기 반사막과 전기적으로 연결되는 투명도전막, 상기 투명도전막의 일부 영역을 노출시키는 뱅크층, 상기 노출된 투명도전막 상에 위치하는 제 1 전극, 상기 제 1 전극 상에 위치하는 발광층, 상기 발광층 상에 위치하는 제 2 전극을 포함하며, 상기 부화소들은 각각 서로 다른 두께의 유기절연막을 포함하는 유기전계발광표시장치를 제공한다.Also, the present invention is an organic light emitting display including a plurality of unit pixels including two or more sub-pixels, wherein the sub-pixel includes a reflective layer disposed on a substrate, an organic insulating layer disposed on the reflective layer, A bank layer exposing a part of the transparent conductive film; a first electrode located on the exposed transparent conductive film; a light emitting layer located on the first electrode; a second electrode located on the light emitting layer; And the sub-pixels each include an organic insulating layer having a different thickness.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예들을 상세하게 설명하도록 한다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

<실시예><Examples>

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광표시장치를 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광표시장치는 둘 이상의 부화소를 포함하는 단위화소, 즉 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 부화소를 포함하는 단위화소를 예로 도시하였다.1, an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention includes unit pixels including two or more sub-pixels, i.e., sub-pixels of red (R), green (G), and blue (B) Are shown as an example.

본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광표시장치는 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 부화소부가 정의된 기판(100) 상에 버퍼층(105)이 위치한다. 버퍼층(105) 상에 각 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 부화소별로 반도체층(110)이 위치한다. An organic light emitting display according to an embodiment of the present invention includes a buffer layer 105 on a substrate 100 having red (R), green (G), and blue (B) The semiconductor layer 110 is positioned on each of the red (R), green (G), and blue (B) sub-pixels on the buffer layer 105.

반도체층(110)을 포함하는 기판(100) 상에 게이트 절연막(115)이 위치한다. 게이트 절연막(115) 상에 반도체층(110)의 일정 영역과 대응되는 위치에 게이트 전극(120)이 위치한다.A gate insulating film 115 is disposed on a substrate 100 including a semiconductor layer 110. The gate electrode 120 is positioned on the gate insulating film 115 at a position corresponding to a certain region of the semiconductor layer 110.

게이트 전극(120)을 포함하는 기판(100) 상에 층간 절연막(125)이 위치한다. 층간 절연막(125)을 관통하여 반도체층(110)의 일정 영역을 노출시키는 콘택홀들(130a, 130b)이 위치한다.An interlayer insulating film 125 is disposed on the substrate 100 including the gate electrode 120. Contact holes 130a and 130b are formed through the interlayer insulating film 125 to expose a predetermined region of the semiconductor layer 110. [

층간 절연막(125) 상에 콘택홀들(130a, 130b)을 통해 반도체층(110)과 전기적으로 연결된 소오스 전극(135a) 및 드레인 전극(135b)이 위치하여 박막 트랜지스터를 구성한다.A source electrode 135a and a drain electrode 135b electrically connected to the semiconductor layer 110 are disposed on the interlayer insulating film 125 through the contact holes 130a and 130b to constitute a thin film transistor.

박막 트랜지스터를 포함하는 기판(100) 상에 평탄화막일 수 있는 패시베이션막(140)이 위치한다. 패시베이션막(140)을 관통하여 박막 트랜지스터의 드레인 전극(135b)을 노출시키는 제 1 비어홀(145)이 위치한다. 패시베이션막(140) 상에 위치하며, 제 1 비어홀(145)을 통해 박막 트랜지스터의 드레인 전극(135b)과 전기적으로 연결된 반사막(150)이 위치한다.A passivation film 140, which may be a planarizing film, is located on a substrate 100 including a thin film transistor. A first via hole 145 is formed through the passivation film 140 to expose the drain electrode 135b of the thin film transistor. A reflective film 150 is disposed on the passivation film 140 and electrically connected to the drain electrode 135b of the thin film transistor through the first via hole 145. [

반사막(150)을 포함하는 기판(100) 상에 유기절연막(155)이 위치한다. 유기절연막(155)은 녹색(G) 및 적색(R) 화소별로 서로 다른 두께를 갖을 수 있다. 본 실시 예에서는 청색(B) 화소에는 유기절연막(155)이 존재하지 않을 수 있으며, 녹색 및 적색 화소에는 서로 다른 두께로 형성된 유기절연막(155)이 위치할 수 있다.An organic insulating film 155 is disposed on the substrate 100 including the reflective film 150. The organic insulating layer 155 may have different thicknesses for each of the green (G) and red (R) pixels. In this embodiment, the organic insulating layer 155 may not exist in the blue (B) pixel, and the organic insulating layer 155 may be formed in the green and red pixels to have different thicknesses.

유기절연막(155)을 관통하여 반사막(150)의 일부 영역을 노출시키는 제 2 비어홀(160)이 위치하고, 제 2 비어홀(160)을 통해 반사막(150)과 전기적으로 연결된 투명도전막(165)이 위치한다.A second via hole 160 is formed to expose a part of the reflective film 150 through the organic insulating film 155 and a transparent conductive film 165 electrically connected to the reflective film 150 through the second via hole 160 is formed. do.

본 실시 예에서는 청색 화소에는 유기절연막(155)이 존재하지 않기 때문에 제 2 비어홀(160)이 존재하지 않고, 녹색 및 적색 화소에만 제 2 비어홀(160)이 위치할 수 있다.In the present embodiment, since the organic insulating layer 155 is not present in the blue pixel, the second via hole 160 does not exist, and the second via hole 160 may be located only in the green and red pixels.

투명도전막(165)을 포함하는 기판(100) 상에 뱅크층(170)이 위치한다. 뱅크층(170)은 투명도전막(165)의 일부 영역을 노출시키는 개구부(175)를 포함할 수 있다. 뱅크층(170)의 개구부(175)에 의해 노출된 투명도전막(165) 상에 캐소드인 제 1 전극(180)이 위치한다. A bank layer 170 is disposed on a substrate 100 including a transparent conductive film 165. The bank layer 170 may include an opening 175 that exposes a portion of the transparent conductive film 165. The first electrode 180, which is the cathode, is positioned on the transparent conductive film 165 exposed by the opening 175 of the bank layer 170.

제 1 전극(180) 상에 발광층(185)이 위치한다. 발광층(185)은 각 화소별로 적색, 녹색 및 청색을 발광하는 물질로 이루어질 수 있다.A light emitting layer 185 is disposed on the first electrode 180. The light emitting layer 185 may be made of a material that emits red, green, and blue light for each pixel.

또한, 발광층(185)과 제 1 전극(180) 사이에는 전자주입층 또는 전자수송층을 더 포함할 수 있고, 발광층(185)과 제 2 전극(190) 사이에는 정공주입층 또는 정공수송층을 더 포함할 수 있다.An electron injection layer or an electron transport layer may be further included between the emission layer 185 and the first electrode 180 and a hole injection layer or a hole transport layer may be further disposed between the emission layer 185 and the second electrode 190 can do.

발광층(185)을 포함하는 기판(100) 상에 제 2 전극(190)이 위치하여 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광표시장치를 제공한다.A second electrode 190 is disposed on a substrate 100 including a light emitting layer 185 to provide an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention.

상기와 같은, 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광표시장치는 단위화소를 이루는 녹색 및 적색 화소별로 유기절연막의 두께를 달리함으로써, 마이크로 캐비티 효과에 의해 녹색 및 적색의 색순도 및 휘도를 향상시킬 수 있는 이점이 있다.As described above, the organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention improves the color purity and brightness of green and red by the micro cavity effect by changing the thickness of the organic insulating layer for each of the green and red pixels constituting the unit pixel There is an advantage to be able to.

이하, 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광표시장치의 제조방법을 살펴보면 다음과 같다.Hereinafter, a method of manufacturing an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention will be described.

도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광표시장치의 제조 공정별 단면도이다.2A to 2E are cross-sectional views of an organic light emitting display according to an exemplary embodiment of the present invention.

먼저, 도 2a를 참조하면, 투명유리, 플라스틱 또는 도전성물질을 포함하는 기판(200) 상에 버퍼층(205)을 형성한다. 기판(200)은 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)을 발광하는 각 부화소들이 정의되어 있다. 본 실시 예에서는 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 부화소들을 포함하는 하나의 단위화소를 그 예로 설명한다.First, referring to FIG. 2A, a buffer layer 205 is formed on a substrate 200 including transparent glass, plastic, or a conductive material. The substrate 200 defines sub-pixels that emit red (R), green (G), and blue (B) light. In this embodiment, one unit pixel including red (R), green (G), and blue (B) sub-pixels is described as an example.

버퍼층(205)은 기판(200)에서 유출되는 알칼리 이온 등과 같은 불순물로부터 후속 공정에서 형성되는 박막 트랜지스터를 보호하기 위해 형성하는 것으로, 실리콘 산화물(SiO2), 실리콘 질화물(SiNx) 등을 사용하여 선택적으로 형성할 수 있다. The buffer layer 205 is used to be formed to protect the thin film transistor formed in a subsequent process from impurities, a silicon oxide (SiO 2), silicon nitride (SiNx), etc., such as alkali ions leaked from the substrate 200, optionally .

버퍼층(205) 상에 각 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 부화소별로 반도체층(210)을 형성한다. 반도체층(210)은 비정질 실리콘 또는 이를 결정화한 다결정 실리콘을 포함할 수 있다. 여기서 도시하지는 않았지만, 반도체층(210)은 채널 영역, 소오스 영역 및 드레인 영역을 포함할 수 있으며, 소오스 영역 및 드레인 영역에는 P형 또는 N형 불순물이 도핑될 수 있다.The semiconductor layer 210 is formed on the buffer layer 205 for each of red (R), green (G), and blue (B) sub-pixels. The semiconductor layer 210 may include amorphous silicon or polycrystalline silicon crystallized therefrom. Although not shown here, the semiconductor layer 210 may include a channel region, a source region, and a drain region, and the source region and the drain region may be doped with P-type or N-type impurities.

이어, 반도체층(210)을 포함하는 기판(200) 상에 게이트 절연막(215)을 형성한다. 게이트 절연막(215)은 반도체층(210)을 절연시키는 역할을 하며, 실리콘 산 화물(SiO2) 또는 실리콘 질화물(SiNx) 등을 사용하여 선택적으로 형성할 수 있다.Next, a gate insulating layer 215 is formed on the substrate 200 including the semiconductor layer 210. The gate insulating layer 215 serves to isolate the semiconductor layer 210 and may be selectively formed using silicon oxide (SiO 2 ), silicon nitride (SiN x), or the like.

다음, 반도체층(210)의 일정 영역, 즉 채널 영역에 대응되는 게이트 절연막(215) 상에 게이트 전극(220)을 형성한다. 게이트 전극(220)은 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(Al alloy), 티타늄(Ti), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 몰리브덴 합금(Mo alloy), 텅스텐(W), 텅스텐 실리사이드(WSi2) 중 어느 하나를 포함할 수 있다.Next, the gate electrode 220 is formed on the gate insulating film 215 corresponding to a certain region of the semiconductor layer 210, that is, a channel region. Gate electrode 220 is made of aluminum (Al), aluminum alloy (Al alloy), titanium (Ti), silver (Ag), molybdenum (Mo), molybdenum alloy (Mo alloy), tungsten (W), tungsten silicide (WSi 2 ). &Lt; / RTI &gt;

이어서, 게이트 전극(220)을 포함하는 기판(200) 상에 층간 절연막(225)을 형성한다. 층간 절연막(225)은 유기막 또는 무기막일 수 있으며, 이들의 복합막일 수도 있다. 있다. 층간 절연막(225)이 무기막인 경우 실리콘 산화물(SiO2), 실리콘 질화물(SiNx) 또는 SOG(silicate on glass)를 포함할 수 있으며, 유기막인 경우 아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지 또는 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene,BCB)계 수지를 포함할 수 있다. Then, an interlayer insulating film 225 is formed on the substrate 200 including the gate electrode 220. The interlayer insulating film 225 may be an organic film or an inorganic film, or a composite film thereof. have. In the case where the interlayer insulating film 225 is an inorganic film, it may include silicon oxide (SiO 2 ), silicon nitride (SiN x), or silicate on glass (SOG). In the case of an organic film, an acrylic resin, a polyimide resin, (benzocyclobutene, BCB) based resin.

이어, 층간절연막(225) 및 게이트 절연막(215)을 관통하여 반도체층(210)의 일부를 노출시키는 콘택홀들(230a, 230b)을 형성한다. Contact holes 230a and 230b are formed through the interlayer insulating film 225 and the gate insulating film 215 to expose a part of the semiconductor layer 210. [

다음에, 콘택홀들(230a, 230b)을 통하여 반도체층(210)과 전기적으로 연결되는 소오스 전극(235a) 및 드레인 전극(235b)을 형성하여 박막 트랜지스터를 형성한다. Next, a source electrode 235a and a drain electrode 235b electrically connected to the semiconductor layer 210 are formed through the contact holes 230a and 230b to form a thin film transistor.

여기서, 소오스 전극(235a) 및 드레인 전극(235b)은 배선 저항을 낮추기 위해 저저항 물질을 포함할 수 있으며, 몰리 텅스텐(MoW), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금(Al alloy)으로 이루어진 다층막일 수 있다. 다층막으로는 티타 늄/알루미늄/티타늄(Ti/Al/Ti) 또는 몰리 텅스텐/알루미늄/몰리 텅스텐(MoW/Al/MoW)의 적층구조가 사용될 수 있다.The source electrode 235a and the drain electrode 235b may include a low resistance material for lowering the wiring resistance and may be made of molybdenum tungsten (MoW), titanium (Ti), aluminum (Al), or aluminum alloy May be a multi-layer film. As the multilayer film, a laminated structure of titanium / aluminum / titanium (Ti / Al / Ti) or molybdenum tungsten / aluminum / molybdenum tungsten (MoW / Al / MoW) may be used.

다음, 도 2b를 참조하면, 박막 트랜지스터가 형성된 기판(200) 상에 평탄화막(240)을 형성한다. 평탄화막(240)은 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB)계 수지, 아크릴계 수지 또는 폴리이미드 수지 등의 유기물 또는 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 등의 무기물을 사용할 수 있다.Next, referring to FIG. 2B, a planarization layer 240 is formed on a substrate 200 on which a thin film transistor is formed. The planarization film 240 may be an organic material such as a benzocyclobutene (BCB) resin, an acrylic resin or a polyimide resin, or an inorganic material such as a silicon oxide film (SiOx) or a silicon nitride film (SiNx).

이어, 평탄화막(240)을 식각하여 박막 트랜지스터의 드레인 전극(235b)의 일부 영역을 노출시키는 제 1 비어홀(245)을 형성한다. 이어, 상기 제 1 비어홀(245)이 형성된 기판(200) 상에 반사율이 높은 은(Ag), 알루미늄(Al), 니켈(Ni) 또는 이들의 합금을 적층하고 패터닝하여 반사막(250)을 형성한다.Then, the planarization layer 240 is etched to form a first via hole 245 exposing a part of the drain electrode 235b of the thin film transistor. Then, silver (Ag), aluminum (Al), nickel (Ni), or an alloy thereof having high reflectance is deposited on the substrate 200 on which the first via hole 245 is formed and patterned to form a reflective film 250 .

이때, 반사막(250)은 제 1 비어홀(245)을 통해 박막 트랜지스터의 드레인 전극(235b)과 전기적으로 연결된다.At this time, the reflective film 250 is electrically connected to the drain electrode 235b of the thin film transistor through the first via hole 245.

이어, 반사막(250)이 형성된 기판(200) 상에 유기절연막(255)을 형성한다. 유기절연막(255)은 아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지 또는 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene,BCB)계 수지를 포함할 수 있다.Next, an organic insulating film 255 is formed on the substrate 200 on which the reflective film 250 is formed. The organic insulating layer 255 may include an acrylic resin, a polyimide resin, or a benzocyclobutene (BCB) resin.

다음, 도 2c를 참조하면, 유기절연막(255)이 형성된 기판(200) 상에 하프톤 마스크(300)를 이용하여 유기절연막(255)을 패터닝한다. 이때, 하프톤 마스크(300)는 투과영역, 반투과영역 및 비투과영역이 정의되어 있어 청색(B) 화소 영역의 유 기절연막(255)은 모두 제거되고, 녹색(G) 화소 영역의 유기절연막(255)은 반 정도의 두께로 제거되고, 적색(R) 화소 영역의 유기절연막(255)은 그대로 남아있게 된다.2C, the organic insulating layer 255 is patterned using a halftone mask 300 on the substrate 200 having the organic insulating layer 255 formed thereon. At this time, a transparent region, a semi-transparent region, and a non-transparent region are defined in the halftone mask 300, so that all the organic insulating film 255 in the blue (B) pixel region is removed and the organic insulating film 255 are removed to a thickness of about half, and the organic insulating film 255 in the red (R) pixel region remains.

동시에, 녹색(G) 및 적색(R) 화소 영역에는 반사막(250)의 일부 영역을 노출시키는 제 2 비어홀(260)이 형성된다. At the same time, a second via hole 260 is formed in the green (G) and red (R) pixel regions to expose a part of the reflective film 250.

따라서, 하프톤 마스크(300)를 이용하여 유기절연막(255)을 패터닝하는 공정을 통해, 각 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 화소별로 두께가 서로 다른 유기절연막(255)을 형성할 수 있다.An organic insulating film 255 having a different thickness for each red (R), green (G), and blue (B) pixel is formed through a process of patterning the organic insulating film 255 using the halftone mask 300 .

이어, 도 2d를 참조하면, 유기절연막(255)이 형성된 기판(200) 상에 투명도전물질을 증착하고 패터닝하여 투명도전막(265)을 형성한다. 투명도전막(265)은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide) 등을 사용할 수 있다.2D, a transparent conductive material is deposited on the substrate 200 on which the organic insulating layer 255 is formed, and then patterned to form a transparent conductive layer 265. ITO (Indium Tin Oxide) or IZO (Indium Zinc Oxide) may be used for the transparent conductive film 265.

이때, 투명도전막(265)은 청색(B) 화소의 경우에 반사막(250) 상에 위치할 수 있고, 녹색(G) 및 적색(R) 화소의 경우에 제 2 비어홀(260)을 통해 반사막(250)과 전기적으로 연결될 수 있다.At this time, the transparent conductive film 265 may be positioned on the reflective film 250 in the case of a blue (B) pixel and the reflective film 250 in the case of green (G) and red (R) 250, respectively.

이어, 투명도전막(265)이 형성된 기판(200) 상에 뱅크층(270)을 형성한다. 뱅크층(270)은 아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지 또는 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene,BCB)계 수지를 포함할 수 있다. 또한, 뱅크층(270)을 패터닝하여 투명도전막(265)을 노출시키는 개구부(275)를 형성한다. Next, the bank layer 270 is formed on the substrate 200 on which the transparent conductive film 265 is formed. The bank layer 270 may include an acrylic resin, a polyimide resin, or a benzocyclobutene (BCB) resin. In addition, the bank layer 270 is patterned to form an opening 275 for exposing the transparent conductive film 265.

다음, 도 2e를 참조하면, 뱅크층(270)이 형성된 기판(200) 상에 도전성 물질을 증착하고 패터닝하여, 뱅크층(270)의 개구부(275)에 의해 노출된 투명도전막(265) 상에 제 1 전극(280)을 형성한다.2E, a conductive material is deposited and patterned on the substrate 200 on which the bank layer 270 is formed, and the conductive material is deposited on the transparent conductive film 265 exposed by the opening 275 of the bank layer 270 The first electrode 280 is formed.

여기서, 제 1 전극(280)은 전자를 제공하는 캐소드일 수 있으며, 마그네슘(Mg), 은(Ag), 칼슘(Ca) 또는 이들의 합금을 사용할 수 있다. 보다 바람직하게는 제 1 전극(280)은 마그네슘-은(MgAg)일 수 있다.Here, the first electrode 280 may be a cathode for providing electrons, and may be magnesium (Mg), silver (Ag), calcium (Ca), or an alloy thereof. More preferably, the first electrode 280 may be magnesium-silver (MgAg).

이어, 제 1 전극(280) 상에 발광층(285)을 형성한다. 발광층(285)은 각 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 화소별로 상기 색을 발광할 수 있는 물질을 증착하여 형성할 수 있다.Next, a light emitting layer 285 is formed on the first electrode 280. The light emitting layer 285 may be formed by depositing a material capable of emitting the color for each red (R), green (G), and blue (B) pixel.

또한, 발광층(285)과 제 1 전극(280) 사이에는 전자주입층 또는 전자수송층을 더 형성할 수 있으며, 발광층(285)과 추후 형성될 제 2 전극(290) 사이에는 정공주입층 또는 정공수송층을 더 형성할 수 있다.An electron injection layer or an electron transport layer may be further formed between the light emitting layer 285 and the first electrode 280. A hole injecting layer or a hole transporting layer may be formed between the light emitting layer 285 and the second electrode 290, Can be further formed.

다음에, 발광층(285)이 형성된 기판(200) 상에 제 2 전극(290)을 형성하여 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광표시장치를 완성한다. 이때, 제 2 전극(290)은 정공을 제공하는 애노드일 수 있으며, 빛을 투과할 수 있는 투명도전물질인 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide) 등을 사용할 수 있다.Next, a second electrode 290 is formed on the substrate 200 on which the light emitting layer 285 is formed, thereby completing the organic light emitting display according to an embodiment of the present invention. At this time, the second electrode 290 may be an anode providing holes, and ITO (Indium Tin Oxide) or IZO (Indium Zinc Oxide), which is a transparent conductive material capable of transmitting light, may be used.

상기와 같은, 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법은 각 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 화소별로 광경로를 달리하기 위해, 제 1 전극 하부의 유기절연막의 두께를 각 화소별로 달리하여, 마이크로 캐비티 효과를 얻을 수 있다.The organic light emitting display according to an exemplary embodiment of the present invention and the method of fabricating the same according to an exemplary embodiment of the present invention may include a plurality of organic light emitting diodes (OLEDs) having different light paths for respective red (R), green (G) The micro-cavity effect can be obtained by varying the thickness of the organic insulating film of each pixel.

따라서, 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법은 각 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 화소별로 색순도 및 휘도를 향상시킬 수 있는 이점이 있다.Accordingly, the organic light emitting display device and the method of manufacturing the same according to an embodiment of the present invention have an advantage of improving the color purity and brightness for each red (R), green (G), and blue (B) pixel.

도 3은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 유기전계발광표시장치의 단면도이다.3 is a cross-sectional view of an organic light emitting display device according to another embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 본 발명의 다른 실시 예는 전술한 일 실시 예의 반사막 하부의 구조는 실질적으로 동일한 것으로 이하에서는 설명을 생략한다.Referring to FIG. 3, another embodiment of the present invention is substantially the same as the structure of the lower part of the reflection film in the above-described embodiment, and a description thereof will be omitted.

반사막(350)을 포함하는 기판(300) 상에 유기절연막(355)이 위치한다. 유기절연막(155)은 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 화소별로 서로 다른 두께를 갖을 수 있다. 전술한 실시 예에서는 청색 화소에 유기절연막(355)이 위치하지 않지만, 본 실시 예에서는 청색 화소에 유기절연막(355)이 위치할 수 있다. An organic insulating film 355 is disposed on the substrate 300 including the reflective film 350. The organic insulating layer 155 may have different thicknesses for red (R), green (G), and blue (B) pixels. In the above-described embodiment, the organic insulating film 355 is not located in the blue pixel, but the organic insulating film 355 may be located in the blue pixel in this embodiment.

유기절연막(355)을 관통하여 반사막(350)의 일부 영역을 노출시키는 제 2 비어홀(360)이 위치하고, 제 2 비어홀(360)을 통해 반사막(350)과 전기적으로 연결된 투명도전막(365)이 위치한다.A second via hole 360 is formed to expose a part of the reflective film 350 through the organic insulating film 355 and a transparent conductive film 365 electrically connected to the reflective film 350 through the second via hole 360 is positioned do.

투명도전막(365)을 포함하는 기판(300) 상에 뱅크층(370)이 위치한다. 뱅크층(370)은 투명도전막(365)의 일부 영역을 노출시키는 개구부(375)를 포함할 수 있다. 뱅크층(370)의 개구부(375)에 의해 노출된 투명도전막(365) 상에 캐소드인 제 1 전극(380)이 위치한다. A bank layer 370 is disposed on the substrate 300 including the transparent conductive film 365. [ The bank layer 370 may include an opening 375 that exposes a portion of the transparent conductive film 365. The first electrode 380 as a cathode is positioned on the transparent conductive film 365 exposed by the opening 375 of the bank layer 370. [

제 1 전극(380) 상에 발광층(385)이 위치한다. 발광층(385)은 각 화소별로 적색, 녹색 및 청색을 발광하는 물질로 이루어질 수 있다.A light emitting layer 385 is positioned on the first electrode 380. The light emitting layer 385 may be made of a material that emits red, green, and blue light for each pixel.

또한, 발광층(385)과 제 1 전극(380) 사이에는 전자주입층 또는 전자수송층을 더 포함할 수 있고, 발광층(385)과 제 2 전극(390) 사이에는 정공주입층 또는 정공수송층을 더 포함할 수 있다.An electron injection layer or an electron transport layer may be further included between the emission layer 385 and the first electrode 380 and a hole injection layer or a hole transport layer may be further disposed between the emission layer 385 and the second electrode 390 can do.

발광층(385)을 포함하는 기판(300) 상에 제 2 전극(390)이 위치하여 본 발명의 다른 실시 예에 따른 유기전계발광표시장치를 제공한다.The second electrode 390 is positioned on the substrate 300 including the light emitting layer 385 to provide an organic light emitting display according to another embodiment of the present invention.

상기와 같은, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 유기전계발광표시장치는 단위화소를 이루는 적색, 녹색 및 청색 화소별로 유기절연막의 두께를 달리함으로써, 마이크로 캐비티 효과에 의해 적색, 녹색 및 청색의 색순도 및 휘도를 향상시킬 수 있는 이점이 있다.In the organic light emitting display device according to another embodiment of the present invention, the thickness of the organic insulating layer is different for each of the red, green, and blue pixels constituting the unit pixel, so that the color purity of red, green, There is an advantage that the luminance can be improved.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, It will be understood that the invention may be practiced. It is therefore to be understood that the embodiments described above are to be considered in all respects only as illustrative and not restrictive. In addition, the scope of the present invention is indicated by the following claims rather than the detailed description. Also, all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be construed as being included within the scope of the present invention.

상술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시 예들에 따른 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법은 각 화소별로 마이크로 캐비티 효과를 통해 색순도 및 휘도를 향상시킬 수 있는 이점이 있다. As described above, the organic light emitting display device and the method of manufacturing the same according to embodiments of the present invention have an advantage of improving the color purity and luminance by micro-cavity effect for each pixel.

Claims (22)

둘 이상의 부화소를 포함하는 단위화소를 포함하는 유기전계발광표시장치에 있어서,In an organic light emitting display including a unit pixel including two or more sub-pixels, 상기 부화소는 기판 상에 위치하는 반사막, 상기 반사막 상에 위치하는 투명도전막, 상기 투명도전막의 일부 영역을 노출시키는 뱅크층, 상기 노출된 투명도전막 상에 위치하는 제 1 전극, 상기 제 1 전극 상에 위치하는 발광층, 상기 발광층 상에 위치하는 제 2 전극을 포함하고, The sub-pixel includes a reflective layer disposed on a substrate, a transparent conductive layer disposed on the reflective layer, a bank layer exposing a portion of the transparent conductive layer, a first electrode positioned on the exposed transparent conductive layer, And a second electrode located on the light emitting layer, 상기 부화소 중 적어도 어느 하나 이상은 상기 반사막과 투명도전막 사이에 유기절연막을 포함하며, 상기 유기절연막은 각 부화소별로 서로 다른 두께이고, 상기 유기절연막은 하프톤 마스크를 이용하여 적색화소영역, 녹색화소영역, 및 청색화소영역에서 단일층으로 두께 조절이 되고, 상기 적색화소영역에서 상기 유기절연막의 두께는 상기 녹색화소영역에서 상기 유기절연막의 두께 보다 두껍고, 상기 녹색화소영역에서 상기 유기절연막의 두께는 상기 청색화소영역에서 상기 유기절연막의 두께 보다 두꺼운 유기전계발광표시장치.Wherein the organic insulating layer has a different thickness for each subpixel, and the organic insulating layer has a red pixel region, a green pixel region, and a green pixel region using a halftone mask, wherein at least one of the subpixels includes an organic insulating film between the reflective film and the transparent conductive film, Wherein the thickness of the organic insulating layer in the red pixel region is greater than the thickness of the organic insulating layer in the green pixel region, the thickness of the organic insulating layer in the green pixel region, Wherein the thickness of the organic insulating layer in the blue pixel region is greater than the thickness of the organic insulating layer. 제 1항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 기판 상에 반도체층, 게이트 전극, 소오스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터를 더 포함하는 유기전계발광표시장치.And a thin film transistor including a semiconductor layer, a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode on the substrate. 제 2항에 있어서,3. The method of claim 2, 상기 박막 트랜지스터는 상기 반사막과 전기적으로 연결된 유기전계발광표시 장치.And the thin film transistor is electrically connected to the reflective film. 삭제delete 청구항 5은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.Claim 5 has been abandoned due to the setting registration fee. 제 1항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 부화소들은 적색, 녹색 및 청색을 발광하는 발광층을 포함하며,The sub-pixels include a light-emitting layer emitting red, green, and blue light, 상기 유기절연막의 두께는 적색 및 녹색 순으로 두꺼운 유기전계발광표시장치.Wherein the organic insulating layer has a thickness in the order of red and green. 청구항 6은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.Claim 6 has been abandoned due to the setting registration fee. 제 1항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 제 1 전극은 마그네슘(Mg), 은(Ag), 칼슘(Ca) 또는 이들의 합금인 유기전계발광표시장치.Wherein the first electrode is magnesium (Mg), silver (Ag), calcium (Ca), or an alloy thereof. 제 1항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 제 1 전극과 반사막은 상기 유기절연막을 관통하는 비어홀을 통해 전기적으로 연결되는 유기전계발광표시장치.Wherein the first electrode and the reflective layer are electrically connected through a via hole passing through the organic insulating layer. 삭제delete 둘 이상의 부화소를 포함하는 다수개의 단위화소를 포함하는 유기전계발광표시장치의 제조방법에 있어서,A method of manufacturing an organic light emitting display including a plurality of unit pixels including two or more sub-pixels, 기판 상에 반사막을 형성하는 단계,Forming a reflective film on the substrate, 상기 반사막을 포함하는 기판 상에 유기절연막을 형성하는 단계,Forming an organic insulating film on the substrate including the reflective film, 상기 유기절연막을 하프톤 마스크를 이용하여 패터닝하는 단계,Patterning the organic insulating layer using a halftone mask, 상기 반사막 또는 유기절연막 상에 투명도전막을 형성하는 단계,Forming a transparent conductive film on the reflective film or the organic insulating film, 상기 투명도전막의 일부를 노출시키는 뱅크층을 형성하는 단계,Forming a bank layer for exposing a part of the transparent conductive film; 상기 노출된 투명도전막 상에 제 1 전극을 형성하는 단계,Forming a first electrode on the exposed transparent conductive film, 상기 제 1 전극 상에 발광층을 형성하는 단계,Forming a light emitting layer on the first electrode, 상기 발광층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 유기절연막은 단일층으로 형성된 후, 하프톤 마스크를 이용하여 적색화소영역, 녹색화소영역, 및 청색화소영역에서 두께 조절이 되고, 상기 적색화소영역에서 상기 유기절연막의 두께는 상기 녹색화소영역에서 상기 유기절연막의 두께 보다 두껍고, 상기 녹색화소영역에서 상기 유기절연막의 두께는 상기 청색화소영역에서 상기 유기절연막의 두께 보다 두꺼운 유기전계발광표시장치의 제조방법.And forming a second electrode on the light emitting layer, wherein the organic insulating layer is formed as a single layer, and then the thickness is adjusted in the red pixel region, the green pixel region, and the blue pixel region using a halftone mask, Wherein the thickness of the organic insulating layer in the red pixel region is greater than the thickness of the organic insulating layer in the green pixel region and the thickness of the organic insulating layer in the green pixel region is greater than the thickness of the organic insulating layer in the blue pixel region. &Lt; / RTI &gt; 청구항 10은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.Claim 10 has been abandoned due to the setting registration fee. 제 9항에 있어서,10. The method of claim 9, 상기 기판 상에 반도체층, 게이트 전극, 소오스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터를 형성하는 단계를 더 포함하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.And forming a thin film transistor including a semiconductor layer, a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode on the substrate. 제 9항에 있어서,10. The method of claim 9, 상기 유기절연막을 하프톤 마스크를 이용하여 패터닝하는 단계는,Wherein the step of patterning the organic insulating layer using a halftone mask comprises: 상기 각 부화소별로 유기절연막이 서로 다른 두께를 갖도록 형성하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.Wherein the organic insulating layer has a different thickness for each sub-pixel. 청구항 12은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.Claim 12 is abandoned in setting registration fee. 제 9항에 있어서,10. The method of claim 9, 상기 부화소들은 적색, 녹색 및 청색을 발광하는 발광층을 포함하며,The sub-pixels include a light-emitting layer emitting red, green, and blue light, 상기 유기절연막의 두께는 적색 및 녹색 순으로 두꺼운 유기전계발광표시장치의 제조방법.Wherein the thickness of the organic insulating layer is thick in the order of red and green. 청구항 13은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.Claim 13 has been abandoned due to the set registration fee. 제 9항에 있어서,10. The method of claim 9, 상기 유기절연막을 패터닝하는 단계 이후에,After the step of patterning the organic insulating film, 상기 유기절연막에 비어홀들을 형성하는 단계를 더 포함하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.And forming via holes in the organic insulating layer. 둘 이상의 부화소를 포함하는 단위화소를 포함하는 유기전계발광표시장치에 있어서,In an organic light emitting display including a unit pixel including two or more sub-pixels, 상기 부화소는 기판 상에 위치하는 반사막, 상기 반사막 상에 위치하는 유기절연막, 상기 반사막과 전기적으로 연결되는 투명도전막, 상기 투명도전막의 일부 영역을 노출시키는 뱅크층, 상기 노출된 투명도전막 상에 위치하는 제 1 전극, 상기 제 1 전극 상에 위치하는 발광층, 상기 발광층 상에 위치하는 제 2 전극을 포함하며,The sub-pixel includes a reflective layer disposed on a substrate, an organic insulating layer disposed on the reflective layer, a transparent conductive layer electrically connected to the reflective layer, a bank layer exposing a portion of the transparent conductive layer, A light emitting layer disposed on the first electrode, and a second electrode disposed on the light emitting layer, 상기 부화소들은 각각 서로 다른 두께의 유기절연막을 포함하고, 상기 유기절연막은 하프톤 마스크를 이용하여 적색화소영역, 녹색화소영역, 및 청색화소영역에서 단일층으로 두께 조절이 되고, 상기 적색화소영역에서 상기 유기절연막의 두께는 상기 녹색화소영역에서 상기 유기절연막의 두께 보다 두껍고, 상기 녹색화소영역에서 상기 유기절연막의 두께는 상기 청색화소영역에서 상기 유기절연막의 두께 보다 두꺼운 유기전계발광표시장치.The organic light emitting display device according to claim 1, wherein each of the subpixels includes an organic insulating layer having a different thickness, and the organic insulating layer is a single layer in a red pixel region, a green pixel region, and a blue pixel region using a halftone mask, Wherein a thickness of the organic insulating layer is greater than a thickness of the organic insulating layer in the green pixel region and a thickness of the organic insulating layer in the green pixel region is thicker than a thickness of the organic insulating layer in the blue pixel region. 제 14항에 있어서,15. The method of claim 14, 상기 기판 상에 반도체층, 게이트 전극, 소오스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터를 더 포함하는 유기전계발광표시장치.And a thin film transistor including a semiconductor layer, a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode on the substrate. 제 15항에 있어서,16. The method of claim 15, 상기 박막 트랜지스터는 상기 반사막과 전기적으로 연결된 유기전계발광표시장치.And the thin film transistor is electrically connected to the reflective film. 삭제delete 청구항 18은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.Claim 18 has been abandoned due to the setting registration fee. 제 14항에 있어서,15. The method of claim 14, 상기 부화소들은 적색, 녹색 및 청색을 발광하는 발광층을 포함하며,The sub-pixels include a light-emitting layer emitting red, green, and blue light, 상기 유기절연막의 두께는 적색, 녹색 및 청색 순으로 두꺼운 유기전계발광표시장치.Wherein the organic insulating layer has a thickness in the order of red, green, and blue. 청구항 19은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.Claim 19 is abandoned in setting registration fee. 제 18항에 있어서,19. The method of claim 18, 상기 유기절연막의 두께는 적색이 가장 두꺼운 유기전계발광표시장치.Wherein the thickness of the organic insulating layer is the largest in red. 청구항 20은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.Claim 20 has been abandoned due to the setting registration fee. 제 14항에 있어서,15. The method of claim 14, 상기 제 1 전극은 마그네슘(Mg), 은(Ag), 칼슘(Ca) 또는 이들의 합금인 유기전계발광표시장치.Wherein the first electrode is magnesium (Mg), silver (Ag), calcium (Ca), or an alloy thereof. 제 14항에 있어서,15. The method of claim 14, 상기 제 1 전극과 반사막은 상기 유기절연막을 관통하는 비어홀을 통해 전기적으로 연결되는 유기전계발광표시장치.Wherein the first electrode and the reflective layer are electrically connected through a via hole passing through the organic insulating layer. 삭제delete
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