KR101428569B1 - Improved Chamber for Heat Treatment of Substrates and Heat Treatment Apparatus and Method of Substrate Having the Same - Google Patents

Improved Chamber for Heat Treatment of Substrates and Heat Treatment Apparatus and Method of Substrate Having the Same Download PDF

Info

Publication number
KR101428569B1
KR101428569B1 KR1020120073083A KR20120073083A KR101428569B1 KR 101428569 B1 KR101428569 B1 KR 101428569B1 KR 1020120073083 A KR1020120073083 A KR 1020120073083A KR 20120073083 A KR20120073083 A KR 20120073083A KR 101428569 B1 KR101428569 B1 KR 101428569B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
heat treatment
chambers
heat
heat sources
Prior art date
Application number
KR1020120073083A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20140005548A (en
Inventor
이장혁
차경용
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
주식회사 나래나노텍
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사, 주식회사 나래나노텍 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020120073083A priority Critical patent/KR101428569B1/en
Publication of KR20140005548A publication Critical patent/KR20140005548A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101428569B1 publication Critical patent/KR101428569B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches

Abstract

본 발명은 개선된 기판 열처리용 챔버 및 이를 구비한 기판 열처리 장치 및 방법을 개시한다.
본 발명에 따른 기판 열처리 장치는 각각이 기판의 열처리 공간을 제공하는 복수의 챔버; 상기 복수의 챔버가 각각 착탈 가능하게 지지되는 프레임; 및 상기 복수의 챔버 각각의 전면에 제공되는 복수의 도어를 포함하되, 상기 복수의 챔버 내의 상기 기판의 열처리가 각각 개별적으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.The present invention discloses an improved substrate heat treatment chamber and a substrate heat treatment apparatus and method therefor.
A substrate heat treatment apparatus according to the present invention includes: a plurality of chambers each providing a heat treatment space of a substrate; A frame in which the plurality of chambers are detachably supported; And a plurality of doors provided on a front surface of each of the plurality of chambers, wherein heat treatment of the substrates in the plurality of chambers is performed individually.

Description

개선된 기판 열처리용 챔버 및 이를 구비한 기판 열처리 장치 및 방법{Improved Chamber for Heat Treatment of Substrates and Heat Treatment Apparatus and Method of Substrate Having the Same}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to an improved chamber for heat treatment, a substrate having the same,

본 발명은 개선된 기판 열처리용 챔버 및 이를 구비한 기판 열처리 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an improved substrate heat treatment chamber and a substrate heat treatment apparatus and method therefor.

좀 더 구체적으로, 본 발명은 1개 또는 2개의 기판을 수용하는 상부 및 하부 하우징에 의해 열처리 공간을 형성하는 챔버를 복수개 구비하며, 각각의 챔버에서 상부 및 하부 하우징 전방에 근적외선 램프 히터와 같은 복수의 열원을 제공하여 기판 및 기판 상에 코팅된 필름이 열원으로부터 방출되는 근적외선 파장을 흡수하는 복사 방식으로 열처리함으로써, 열원이 열처리 과정에서 기판 및 기판 상에 도포된 필름에서 발생하는 흄(fume)의 영향을 받지 않으므로 열원의 열효율 유지가 우수하고 흄 세정 공정이 불필요하며, 복수의 근적외선 램프 히터의 출력 파워(output power)를 개별적으로 또는 그룹 방식으로 제어할 수 있으므로 기판의 온도 균일도가 향상되고, 복수의 챔버의 개별 프로세싱이 가능하며, 복수의 챔버의 개별적인 유지 보수가 가능한 개선된 기판 열처리용 챔버 및 이를 구비한 기판 열처리 장치 및 방법에 관한 것이다.More particularly, the present invention relates to a plasma processing apparatus comprising a plurality of chambers for forming a heat treatment space by upper and lower housings accommodating one or two substrates, a plurality of chambers, such as near infrared lamp heaters, The substrate and the film coated on the substrate are subjected to a heat treatment by a radiation method absorbing a near infrared ray emitted from a heat source so that the heat source is irradiated with the fume generated in the film applied on the substrate and the substrate during the heat treatment The output power of the plurality of near-infrared lamp heaters can be controlled individually or in a group manner, so that the temperature uniformity of the substrate can be improved, and a plurality of The individual processing of the chambers of the chambers is possible and the individual maintenance of the chambers is possible And more particularly, to a substrate heat treatment chamber and a substrate heat treatment apparatus and method using the same.

반도체, 평판 디스플레이 및 태양전지 제조에 사용되는 어닐링(annealing) 장치는 실리콘 웨이퍼나 글래스와 같은 기판 상에 증착되어 있는 소정의 필름(유기물 및 무기물)에 대하여 결정화, 상 변화 등의 공정을 위하여 필수적인 열처리를 수행하는 장치이다.An annealing apparatus used for manufacturing semiconductors, flat panel displays, and solar cells can be used for a predetermined film (organic and inorganic) deposited on a substrate such as a silicon wafer or glass, .

대표적인 어닐링 장치로는 액정 디스플레이 또는 박막형 결정질 실리콘 태양전지를 제조하는 경우 글래스 기판 상에 증착된 비정질 실리콘을 폴리 실리콘으로 결정화시키는 실리콘 결정화 장치가 있다.A typical annealing apparatus is a silicon crystallization apparatus for crystallizing amorphous silicon deposited on a glass substrate into polysilicon when a liquid crystal display or a thin film crystalline silicon solar cell is manufactured.

이와 같은 결정화 공정(열처리 공정)을 수행하기 위해서는 소정의 박막 필름(이하 “필름”이라 함)이 형성되어 있는 기판의 히팅이 가능한 열처리 장치가 있어야 한다. 예를 들어, 비정질 실리콘의 결정화를 위해서는 최소한 550 내지 600℃의 온도가 필요하다.In order to perform such a crystallization process (heat treatment process), a heat treatment apparatus capable of heating a substrate on which a predetermined thin film (hereinafter referred to as " film ") is formed must be provided. For example, for crystallization of amorphous silicon, a temperature of at least 550 to 600 DEG C is required.

통상적으로 열처리 장치에는 하나의 기판에 대하여 열처리를 수행할 수 있는 매엽식과 복수의 기판에 대하여 열처리를 수행할 수 있는 배치식이 있다. 매엽식은 장치의 구성이 간단한 이점이 있으나 생산성이 떨어지는 단점이 있어서 최근의 대량 생산용으로는 배치식이 각광을 받고 있다.Generally, a heat treatment apparatus includes a single-wafer type in which heat treatment can be performed on one substrate, and a batch type in which heat treatment can be performed on a plurality of substrates. There is a merit of simple configuration of the apparatus, but there is a disadvantage that the productivity is low, and the batch formula is getting popular for the mass production in recent years.

도 1은 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치의 구성을 도시한 사시도이고, 도 2는 도 1에 도시된 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치의 챔버의 구성을 도시한 사시도이며, 도 3은 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치의 기판, 메인 히터 유닛 및 보조 히터 유닛의 배치 상태를 도시한 사시도이다. 이러한 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치는 예를 들어, 허판선 등에 의해 2008년 7월 16일자에 "배치식 열처리 장치"라는 발명의 명칭으로 대한민국 특허출원 제10-2008-0069329로 출원된 후, 2011년 2월 11일자로 등록된 대한민국 특허 제10-1016048호에 상세히 기술되어 있다. 2 is a perspective view showing the configuration of a chamber of a batch type heat treatment apparatus according to the prior art shown in FIG. 1, and FIG. 3 is a cross-sectional view of a conventional batch heat treatment apparatus Fig. 5 is a perspective view showing the arrangement of the substrate, the main heater unit, and the auxiliary heater unit of the batch type heat treatment apparatus according to the first embodiment. Such a batch heat treatment apparatus according to the prior art is filed in Korean Patent Application No. 10-2008-0069329, entitled " Batch Heat Treatment Apparatus ", filed July 16, 2008 by Huh, Are described in detail in Korean Patent No. 10-1016048, filed on February 11,

도 1 내지 도 3을 참조하면, 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치(1)에서는 열처리 공간을 제공하는 직육면체 형상의 챔버(100)와, 챔버(100)를 지지하는 프레임(110)을 포함하여 구성된다.1 to 3, a batch type thermal processing apparatus 1 according to the related art includes a chamber 100 having a rectangular parallelepiped shape for providing a heat treatment space and a frame 110 for supporting the chamber 100, do.

챔버(100)의 일측에는 챔버(100)에 기판(10)을 로딩하기 위하여 상하 방향으로 개폐되는 도어(140)가 설치된다. 도어(140)가 개방된 상태에서 트랜스퍼 암과 같은 기판 로딩 장치(미도시)를 이용하여 기판(10)을 챔버(100)로 로딩할 수 있다. 한편, 열처리가 종료된 후 도어(140)를 통하여 챔버(100)로부터 기판(10)을 언로딩할 수도 있다.A door 140 is installed at one side of the chamber 100 to open and close the chamber 100 in order to load the substrate 10 into the chamber 100. The substrate 10 can be loaded into the chamber 100 by using a substrate loading device (not shown) such as a transfer arm in a state where the door 140 is opened. On the other hand, after the heat treatment is completed, the substrate 10 may be unloaded from the chamber 100 through the door 140.

챔버(100)의 상측에는 챔버(100)의 내부에 설치되는, 예를 들어 보트(120), 가스 공급관(300) 및 가스 배출관(320) 등의 수리 및 교체를 위하여 커버(160)가 개폐 가능하도록 설치된다.A cover 160 is provided on the upper side of the chamber 100 for repairing and replacing the boats 120, the gas supply pipes 300 and the gas discharge pipes 320 installed in the chamber 100 .

챔버(100)의 내부에는 기판(10)을 직접 가열하기 위한 메인 히터 유닛(200)과, 챔버(100) 내부의 열 손실을 방지하기 위한 보조 히터 유닛(220)과, 열처리가 종료된 후 챔버(100) 내부를 신속하게 냉각시키기 위한 냉각관(250)이 설치된다.A main heater unit 200 for directly heating the substrate 10 in the chamber 100, an auxiliary heater unit 220 for preventing heat loss in the chamber 100, A cooling pipe 250 for rapidly cooling the inside of the cooling pipe 100 is installed.

도 2 및 도 3을 참조하면, 메인 히터 유닛(200)은 기판(10)의 단변 방향과 평행하게 일정한 간격을 가지면서 단위 메인 히터(210)를 포함한다. 단위 메인 히터(210)는 통상적인 길이가 긴 원통형의 히터로서 석영관 내부에 발열체가 삽입되어 있고 양단에 설치된 단자를 통하여 외부의 전원을 인가받아 열을 발생시키는 메인 히터 유닛(200)을 구성하는 단위체이다.Referring to FIGS. 2 and 3, the main heater unit 200 includes a unit main heater 210 having a predetermined interval in parallel with the short side direction of the substrate 10. The unit main heater 210 is a conventional cylindrical heater having a long length and constitutes a main heater unit 200 in which a heating element is inserted into a quartz tube and external power is applied through terminals provided at both ends to generate heat Lt; / RTI >

메인 히터 유닛(200)은 기판(10)의 적층 방향을 따라 일정 간격을 가지면서 복수개가 배치된다. 기판(10)은 복수의 메인 히터 유닛(200) 사이에 배치된다. 기판(10)은 메인 히터 유닛(200) 사이의 중앙에 배치하는 것이 바람직하다.A plurality of main heater units 200 are arranged at regular intervals along the stacking direction of the substrates 10. The substrate 10 is disposed between a plurality of main heater units 200. It is preferable that the substrate 10 is disposed at the center between the main heater units 200.

상술한 바와 같이 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치(1)에서는 기판(10)의 상부 및 하부에 기판(10)의 전면적을 커버할 수 있는 단위 메인 히터(210)로 구성되는 메인 히터 유닛(200)이 설치됨으로써, 기판(10)은 단위 메인 히터로(210)로부터 전면적에 걸쳐서 균일하게 열을 인가받아 열처리가 균일하게 이루어질 수 있다.As described above, in the batch type thermal processing apparatus 1 according to the related art, a main heater unit 200 (hereinafter, referred to as " main heater ") 200 composed of a unit main heater 210 capable of covering the entire surface of the substrate 10, The substrate 10 is uniformly heated from the unit main heater 210 to uniformly heat the entire surface thereof.

또한, 도 2 및 도 3을 참조하면, 보조 히터 유닛(220)은 기판(10)의 단변 방향을 따라 평행하게 배치되는 제1 보조 히터유닛(220a)과 기판(10)의 장변 방향을 따라 배치되는 제2 보조 히터 유닛(220b)을 포함한다. 제1 보조 히터 유닛(220a)은 메인 히터 유닛(200)의 양측에 단위 메인 히터(210)와 평행하게 배치되는 복수의 제1 단위 보조 히터(230a)를 포함한다.2 and 3, the auxiliary heater unit 220 includes a first auxiliary heater unit 220a disposed parallel to the short side direction of the substrate 10 and a second auxiliary heater unit 220b disposed along the long side direction of the substrate 10 And a second auxiliary heater unit 220b. The first auxiliary heater unit 220a includes a plurality of first unit auxiliary heaters 230a disposed on both sides of the main heater unit 200 in parallel with the unit main heaters 210. [

상술한 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치(1)는 챔버에 로딩되는 복수의 기판에 대해 동시에 열처리가 가능함으로써 기판의 생산성을 향상시키는 효과가 달성되지만, 여전히 다음과 같은 문제점을 갖는다.The above-described batch type thermal processing apparatus 1 according to the related art can achieve heat treatment at the same time on a plurality of substrates loaded in the chamber, thereby achieving the effect of improving the productivity of the substrate, but still has the following problems.

1. 기판(10)을 가열하기 위한 메인 히터 유닛(200)과 챔버(100) 내부의 열 손실을 방지하기 위한 보조 히터 유닛(220)이 모두 챔버(100)의 내부에 제공되므로, 열처리에 의해 기판(10) 및 기판(10) 상의 필름에서 발생하는 흄(fume)이 메인 히터 유닛(200) 및 보조 히터 유닛(220) 상에 증착된다. 그에 따라, 시간이 경과함에 따라 메인 히터 유닛(200)과 보조 히터 유닛(220)의 열효율이 크게 저하된다. 따라서, 메인 히터 유닛(200)과 보조 히터 유닛(220)의 열효율을 유지하기 위해서는 흄을 제거하여야 하므로 흄 세정에 따른 전체 공정 시간 및 비용이 크게 증가한다.1. Both the main heater unit 200 for heating the substrate 10 and the auxiliary heater unit 220 for preventing heat loss in the chamber 100 are both provided inside the chamber 100, Fumes generated in the film on the substrate 10 and the substrate 10 are deposited on the main heater unit 200 and the auxiliary heater unit 220. [ As a result, the thermal efficiency of the main heater unit 200 and the auxiliary heater unit 220 significantly decreases with time. Therefore, in order to maintain the thermal efficiency of the main heater unit 200 and the auxiliary heater unit 220, the fume must be removed, which greatly increases the overall process time and cost due to the fume cleaning.

2. 메인 히터 유닛(200)을 구성하는 단위 메인 히터(210)는 석영관 내부에 발열체가 삽입된 원통형의 히터로서 양단에 설치된 단자를 통하여 외부의 전원을 인가받아 열을 발생시킨다. 이러한 단위 메인 히터(210)로 구성된 메인 히터 유닛(200)에서 발생된 열은 기판(10)에 전도 또는 대류에 의해 전달되는 간접 가열 방식이므로, 기판(10)의 열처리 에너지의 전달 효율이 크게 저하될 뿐만 아니라, 기판(10)에 균일하게 열을 전달하기가 상대적으로 어렵다.2. The unit main heater 210 constituting the main heater unit 200 is a cylindrical heater in which a heating element is inserted in a quartz tube and receives external power through terminals provided at both ends to generate heat. Since the heat generated in the main heater unit 200 constituted by the unit main heaters 210 is transferred to the substrate 10 by conduction or convection, the heat transfer efficiency of the heat treatment energy of the substrate 10 is greatly reduced And it is relatively difficult to uniformly transfer heat to the substrate 10. [

3. 챔버(100)의 내부에 제공되는 메인 히터 유닛(200)과 보조 히터 유닛(220) 중 일부에 고장 등이 발생하는 경우, 챔버(100) 내부의 복수의 기판(10)이 균일하게 열을 인가받지 못하게 되므로 복수의 기판(10) 전체에 불량이 발생할 수 있다.3. When a failure occurs in a part of the main heater unit 200 and the auxiliary heater unit 220 provided in the chamber 100, the plurality of substrates 10 in the chamber 100 are uniformly heated So that defects may occur in the entirety of the plurality of substrates 10.

4. 또한, 챔버(100)의 내부에 제공되는 메인 히터 유닛(200)과 보조 히터 유닛(220) 중 일부에 고장 등이 발생하는 경우, 고장 부품의 수리 또는 교체를 위해 배치식 열처리 장치(1) 자체의 열처리 동작이 중단되어야 한다. 따라서, 전체 열처리 공정 시간(tact time)이 증가한다.4. When a failure occurs in some of the main heater unit 200 and the auxiliary heater unit 220 provided in the chamber 100, the batch type heat treatment apparatus 1 The heat treatment operation of itself must be stopped. Thus, the total heat treatment process time (tact time) increases.

5. 종래 기술에서는 메인 히터 유닛(200)과 보조 히터 유닛(220)의 설정 온도로부터 복수의 기판(10) 각각의 열처리 온도의 균일성 여부를 간접적으로 확인하는 방식이 사용되고 있었다. 따라서, 복수의 기판(10) 각각의 열처리 온도를 균일하게 제어하기 위한 메인 히터 유닛(200)과 보조 히터 유닛(220)의 설정 온도의 제어가 매우 어렵거나 실질적으로 불가능하였으며, 특히 복수의 기판(10) 각각의 열처리 온도의 균일성 여부의 정확한 확인이 불가능하여 궁극적으로 기판(10)의 불량 발생 가능성이 상당히 높다.5. In the related art, a method of indirectly checking whether the heat treatment temperature of each of the plurality of substrates 10 is uniform from the set temperature of the main heater unit 200 and the auxiliary heater unit 220 is used. Therefore, it is very difficult or practically impossible to control the set temperatures of the main heater unit 200 and the auxiliary heater unit 220 for uniformly controlling the heat treatment temperature of each of the plurality of substrates 10. In particular, 10), it is impossible to precisely determine whether or not the respective heat treatment temperatures are uniform, and ultimately, the possibility of failure of the substrate 10 is extremely high.

따라서, 상술한 종래 기술의 배치식 열처리 장치에 사용되는 챔버 및 배치식 열처리 장치의 문제점을 해결하기 위한 새로운 방안이 요구된다. Therefore, there is a need for a new method for solving the problems of the chamber and the batch type heat treatment apparatus used in the batch type heat treatment apparatus of the prior art described above.

대한민국 특허 제10-1016048호Korean Patent No. 10-1016048

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 1개 또는 2개의 기판을 수용하는 상부 및 하부 하우징에 의해 열처리 공간을 형성하는 챔버를 복수개 구비하며, 각각의 챔버에서 상부 및 하부 하우징 전방에 근적외선 램프 히터와 같은 복수의 열원을 제공하여 기판 및 기판 상에 코팅된 필름이 열원으로부터 방출되는 근적외선 파장을 흡수하는 복사 방식으로 열처리함으로써, 열원이 열처리 과정에서 기판 및 기판 상에 도포된 필름에서 발생하는 흄(fume)의 영향을 받지 않으므로 열원의 열효율 유지가 우수하고 흄 세정 공정이 불필요하며, 복수의 근적외선 램프 히터의 출력 파워(output power)를 개별적으로 또는 그룹 방식으로 제어할 수 있으므로 기판의 온도 균일도가 향상되고, 복수의 챔버의 개별 프로세싱이 가능하며, 복수의 챔버의 개별적인 유지 보수가 가능한 개선된 기판 열처리용 챔버 및 이를 구비한 기판 열처리 장치 및 방법을 제공하기 위한 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a plasma processing apparatus, which comprises a plurality of chambers for forming a heat treatment space by upper and lower housings accommodating one or two substrates, A plurality of heat sources such as heaters are provided so that the substrate and the film coated on the substrate are subjected to a heat treatment by a radiation method that absorbs the near infrared rays emitted from the heat source so that the heat source generates fumes it is possible to control the output power of the plurality of near infrared lamp heaters individually or in a group manner, so that the temperature uniformity of the substrate can be improved. The individual processing of the plurality of chambers is possible, and the individual chambers of the plurality of chambers Maintenance is improved, and the chamber for thermal processing a substrate as possible to provide a substrate heat treatment apparatus and a method having the same.

본 발명의 제 1 특징에 따른 기판 열처리용 챔버는 내부에 기판의 열처리 공간을 형성하도록 제공되는 상부 및 하부 하우징; 상기 열처리 공간 내에 제공되며, 상기 기판이 로딩 및 지지되는 보트; 상기 상부 하우징의 내측 하부면 및 상기 하부 하우징의 내측 상부면에 각각 제공되는 상부 및 하부 윈도우 플레이트; 및 상기 상부 및 하부 하우징 및 상기 상부 및 하부 윈도우 플레이트 사이에 각각 제공되는 복수의 상부 및 하부 열원을 포함하는 것을 특징으로 한다.A substrate heat treatment chamber according to a first aspect of the present invention includes upper and lower housings provided to form a heat treatment space of a substrate therein; A boat provided in the heat treatment space, the boat being loaded and supported; Upper and lower window plates provided on an inner lower surface of the upper housing and an inner upper surface of the lower housing, respectively; And a plurality of upper and lower heat sources provided between the upper and lower housings and the upper and lower window plates, respectively.

본 발명의 제 2 특징에 따른 기판 열처리 장치는 각각이 기판의 열처리 공간을 제공하는 복수의 챔버; 상기 복수의 챔버가 각각 착탈 가능하게 지지되는 프레임; 및 상기 복수의 챔버 각각의 전면에 제공되는 복수의 도어를 포함하되, 상기 복수의 챔버 내의 상기 기판의 열처리가 각각 개별적으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.A substrate heating apparatus according to a second aspect of the present invention includes: a plurality of chambers each providing a heat treatment space of a substrate; A frame in which the plurality of chambers are detachably supported; And a plurality of doors provided on a front surface of each of the plurality of chambers, wherein heat treatment of the substrates in the plurality of chambers is performed individually.

본 발명의 제 3 특징에 따른 기판 열처리 방법은 a) 각각이 상부 및 하부 하우징으로 구성되며, 기판의 열처리 공간을 제공하는 복수의 챔버 내에 각각 제공되는 보트 상에 상기 기판을 로딩 및 지지시키는 단계; b) 상기 복수의 챔버를 각각 프레임 내에 제공하는 단계; 및 c) 상기 복수의 챔버 내에서 상기 각각의 열처리 공간의 외부에 제공되는 복수의 상부 및 하부 열원 및 상기 복수의 상부 및 하부 열원의 배면에 제공되는 복수의 상부 및 하부 반사부를 이용하여 상기 각각의 열처리 공간 내의 상기 기판을 개별적으로 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.A substrate heat treatment method according to a third aspect of the present invention comprises the steps of: a) loading and supporting a substrate on a boat, each of which is comprised of an upper and a lower housing and is provided in each of a plurality of chambers providing a heat treatment space of the substrate; b) providing the plurality of chambers in a frame, respectively; And c) a plurality of upper and lower heat sources provided outside the respective heat treatment spaces in the plurality of chambers and a plurality of upper and lower reflectors provided on a rear surface of the plurality of upper and lower heat sources, And separately heat-treating the substrate in the heat treatment space.

본 발명에 따른 기판 열처리용 챔버 및 이를 구비한 기판 열처리 장치 및 방법을 사용하면 다음과 같은 효과가 달성된다.INDUSTRIAL APPLICABILITY According to the substrate heat treatment chamber and the substrate heat treatment apparatus and method using the same, the following effects can be achieved.

1. 본 발명의 복수의 상부 및 하부 열원이 챔버 내 처리 공간의 외부에 제공되므로 열처리에 의해 발생하는 흄(fume)이 복수의 상부 및 하부 열원 상에 증착되지 않는다. 그에 따라, 시간이 경과하더라도 복수의 상부 및 하부 열원의 열효율을 유지할 수 있으며, 흄 세정이 불필요하므로 전체 공정 시간 및 비용이 크게 감소된다.1. Since the plurality of upper and lower heat sources of the present invention are provided outside the processing space in the chamber, the fumes generated by the heat treatment are not deposited on the plurality of upper and lower heat sources. Accordingly, the thermal efficiency of a plurality of upper and lower heat sources can be maintained even after a lapse of time, and the entire process time and cost are greatly reduced since no fume washing is required.

2. 본 발명의 복수의 상부 및 하부 열원의 배면에 제공되는 복수의 상부 및 하부 반사부(reflector)를 이용하여 복사 방식으로 기판을 열처리하는 직접 가열 방식이므로 기판의 열처리 전달 효율이 우수할 뿐만 아니라, 기판에 균일한 열전달이 상대적으로 용이하다.2. A direct heating method for heating a substrate by a radiation method using a plurality of upper and lower reflectors provided on the back surfaces of a plurality of upper and lower heat sources of the present invention, , And uniform heat transfer to the substrate is relatively easy.

3. 복수의 챔버에 각각 제공되는 복수의 상부 및 하부 열원 중 일부에 고장 등이 발생하는 경우에도 고장 등이 발생하지 않은 챔버 내에서는 기판의 정상적인 열처리가 가능하다. 즉, 복수의 챔버는 개별 프로세싱이 가능하고, 그에 따라 복수의 챔버 내의 복수의 기판 전체에 대한 불량 발생 가능성이 실질적으로 제거된다.3. Even if a failure or the like occurs in a plurality of upper and lower heat sources respectively provided in a plurality of chambers, normal heat treatment of the substrate is possible in a chamber in which no failure occurs. That is, the plurality of chambers are capable of individual processing, thereby substantially eliminating the possibility of occurrence of defects for a plurality of substrates in a plurality of chambers.

4. 또한, 복수의 챔버에 각각 제공되는 복수의 상부 및 하부 열원 중 일부에 고장 등이 발생하는 경우, 해당 챔버만을 수리 또는 교체하면 되므로 고장 등이 발생하지 않은 나머지 챔버는 정상적으로 동작이 가능하다. 즉, 복수의 챔버의 개별적인 유지 보수가 가능하다. 따라서, 기판 열처리 장치 내의 나머지 챔버에 대한 열처리 동작이 중단될 필요가 없으므로 전체 열처리 공정 시간(tact time)이 크게 감소된다.4. Further, when a failure or the like occurs in a plurality of upper and lower heat sources provided in each of the plurality of chambers, only the corresponding chambers need to be repaired or replaced, so that the remaining chambers in which no failure has occurred can normally operate. That is, individual maintenance of a plurality of chambers is possible. Therefore, the total heat treatment process time (tact time) is greatly reduced since the heat treatment operation for the remaining chambers in the substrate heat treatment apparatus does not need to be interrupted.

5. 복수의 챔버 내의 1개 또는 2개의 기판 주변에 제공되는 기판과 동일 또는 유사한 재질 내에 제공되는 하나 이상의 열전대(thermo couple)를 포함하는 온도 센서에 의해 기판 각각의 열처리 온도의 균일성 여부가 직접적으로 확인될 수 있다. 또한, 복수의 상부 및 하부 열원의 출력 파워(output power)를 개별적으로 또는 그룹 방식으로 제어할 수 있으므로 기판의 온도 균일도가 향상된다. 따라서, 궁극적으로 기판의 불량 발생 가능성이 크게 감소된다.5. The method according to any one of the preceding claims, wherein the uniformity of the heat treatment temperature of each of the substrates by a temperature sensor comprising at least one thermocouple provided in the same or similar material as the substrate provided around one or two substrates in the plurality of chambers, . ≪ / RTI > In addition, since the output power of the plurality of upper and lower heat sources can be controlled individually or in a group manner, the temperature uniformity of the substrate is improved. Thus, ultimately, the possibility of substrate failure is greatly reduced.

본 발명의 추가적인 장점은 동일 또는 유사한 참조번호가 동일한 구성요소를 표시하는 첨부 도면을 참조하여 이하의 설명으로부터 명백히 이해될 수 있다.Further advantages of the present invention can be clearly understood from the following description with reference to the accompanying drawings, in which like or similar reference numerals denote like elements.

도 1은 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치의 구성을 도시한 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치의 챔버의 구성을 도시한 사시도이다.
도 3은 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치의 기판, 메인 히터 유닛 및 보조 히터 유닛의 배치 상태를 도시한 사시도이다.
도 4a는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버의 구성을 도시한 단면도이다.
도 4b는 도 4a에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버를 복수개 구비한 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 장치를 도시한 사시도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 방법의 플로우차트를 도시한 도면이다. 1 is a perspective view showing a configuration of a batch type heat treatment apparatus according to the prior art.
2 is a perspective view showing a configuration of a chamber of the batch type thermal processing apparatus according to the prior art shown in FIG.
3 is a perspective view showing the arrangement of the substrate, the main heater unit, and the auxiliary heater unit of the batch type heat treatment apparatus according to the related art.
4A is a cross-sectional view illustrating a configuration of a chamber for heat treatment of a substrate according to an embodiment of the present invention.
FIG. 4B is a perspective view illustrating a substrate heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention, which includes a plurality of chambers for substrate heat treatment according to an embodiment of the present invention shown in FIG. 4A.
5 is a flowchart showing a substrate heat treatment method according to an embodiment of the present invention.

이하에서 본 발명의 실시예 및 도면을 참조하여 본 발명을 설명한다.BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the present invention will be described with reference to embodiments and drawings of the present invention.

도 4a는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버의 구성을 도시한 단면도이고, 도 4b는 도 4a에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버를 복수개 구비한 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 장치를 도시한 사시도이다.FIG. 4A is a cross-sectional view illustrating a configuration of a chamber for heat treatment of a substrate according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4B is a cross-sectional view of a chamber according to an embodiment of the present invention shown in FIG. 1 is a perspective view illustrating a substrate heat treatment apparatus according to an embodiment.

도 4a 및 도 4b를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버(400)는 내부에 기판(10)의 열처리 공간(heat process space: 472)을 형성하도록 제공되는 상부 및 하부 하우징(470a,470b); 상기 열처리 공간(472) 내에 제공되며, 상기 기판(10)이 로딩 및 지지되는 보트(420); 상기 상부 하우징(470a)의 내측 하부면 및 상기 하부 하우징(470b)의 내측 상부면에 각각 제공되는 상부 및 하부 윈도우 플레이트(474a,474b); 및 상기 상부 및 하부 하우징(470a,470b) 및 상기 상부 및 하부 윈도우 플레이트(474a,474b) 사이에 각각 제공되는 복수의 상부 및 하부 열원(410a,410b)을 포함한다. 여기서, 상기 상부 및 하부 하우징(470a,470b)은 각각 상기 복수의 상부 및 하부 열원(410a,410b)의 배면에 제공되며, 상기 복수의 상부 및 하부 열원(410a,410b)으로부터 방출되는 열 에너지를 반사하여 상기 상부 및 하부 윈도우 플레이트(474a,474b)를 통해 상기 기판(10)으로 상기 열 에너지를 복사 방식으로 전달하는 복수의 상부 및 하부 반사부(412a,412b)를 구비한다.Referring to FIGS. 4A and 4B, a substrate thermal processing chamber 400 according to an embodiment of the present invention includes upper and lower housings (not shown) provided to form a heat process space 472 of a substrate 10 therein, (470a, 470b); A boat 420 provided in the heat treatment space 472 and on which the substrate 10 is loaded and supported; Upper and lower window plates 474a and 474b provided on an inner lower surface of the upper housing 470a and an inner upper surface of the lower housing 470b, respectively; And a plurality of upper and lower heat sources 410a and 410b provided between the upper and lower housings 470a and 470b and the upper and lower window plates 474a and 474b, respectively. Here, the upper and lower housings 470a and 470b are provided on the rear surfaces of the plurality of upper and lower heat sources 410a and 410b, respectively, and heat energy emitted from the plurality of upper and lower heat sources 410a and 410b And a plurality of upper and lower reflectors 412a and 412b for reflecting and transmitting the thermal energy to the substrate 10 through the upper and lower window plates 474a and 474b by a radiation method.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 장치(1)는 각각이 기판(10)의 열처리 공간(472)을 제공하는 복수의 챔버(400a,400b,400c400d,400e); 상기 복수의 챔버(400a,400b,400c,400d,400e)가 각각 착탈 가능하게 지지되는 프레임(410); 및 상기 복수의 챔버(400a,400b,400c,400d,400e) 각각의 전면에 제공되는 복수의 도어(미도시)를 포함하되, 상기 복수의 챔버(400a,400b,400c,400d,400e) 내의 상기 기판(10)의 열처리가 각각 개별적으로 이루어지는 것을 특징으로 한다. 여기서, 상기 복수의 챔버(400a,400b,400c400d,400e)는 각각 상술한 도 4a에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버(400)로 구현된다.In addition, the substrate heat treatment apparatus 1 according to an embodiment of the present invention includes a plurality of chambers 400a, 400b, 400c400d, and 400e, each of which provides a heat treatment space 472 of the substrate 10; A frame 410 to which the plurality of chambers 400a, 400b, 400c, 400d, and 400e are detachably supported; And a plurality of doors (not shown) provided on the front surfaces of the plurality of chambers 400a, 400b, 400c, 400d, and 400e, wherein the plurality of chambers 400a, 400b, 400c, 400d, And heat treatment of the substrate 10 is performed individually. Here, the plurality of chambers 400a, 400b, 400c400d, and 400e are each implemented as a substrate thermal processing chamber 400 according to an embodiment of the present invention shown in FIG. 4A.

상술한 본 발명의 실시예에서는 도 4a에 도시된 기판 열처리용 챔버(400) 및 도 4b에 도시된 복수의 챔버(400a,400b,400c400d,400e) 각각에서 상기 기판(10)이 1개 또는 2개만 사용되는 것이 바람직하다. 그 이유는, 복수의 상부 및 하부 열원(410a,410b)이 열처리 공간(472)의 외부에 제공되므로 열처리 공간(472) 내에 기판(10)이 3개 이상 사용되는 경우, 상부 기판과 하부 기판 사이에 존재하는 하나 이상의 중간 기판에는 복수의 상부 및 하부 열원(410a,410b)의 열에너지가 충분히 전달되지 못하여 열처리가 제대로 이루어지지 않기 때문이다. 도 4a의 실시예에서는 2개의 기판(10)이 사용되는 것으로 예시되어 있지만, 당업자라면 1개의 기판(10)이 사용될 수 있다는 것을 충분히 이해할 수 있을 것이다.In the embodiment of the present invention described above, in the substrate heating chamber 400 shown in FIG. 4A and the plurality of chambers 400a, 400b, 400c 400d and 400e shown in FIG. 4b, It is preferable to use only one of them. This is because a plurality of upper and lower heat sources 410a and 410b are provided outside the heat treatment space 472 so that when three or more substrates 10 are used in the heat treatment space 472, The heat energy of the plurality of upper and lower heat sources 410a and 410b is not sufficiently transferred to one or more intermediate substrates existing in the intermediate substrate, and heat treatment is not properly performed. Although it is illustrated that two substrates 10 are used in the embodiment of Fig. 4A, one of ordinary skill in the art will appreciate that one substrate 10 can be used.

이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버(400) 및 기판 열처리 장치(1)의 구체적인 구성 및 동작에 대해 상세히 기술하기로 한다.Hereinafter, the detailed configuration and operation of the substrate thermal processing chamber 400 and the substrate thermal processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention will be described in detail.

먼저, 도 4a를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버(400)는 상부 및 하부 하우징(470a,470b)을 포함한다. 상부 및 하부 하우징(470a,470b)은 내부에 기판(10)의 열처리 공간(472)을 형성한다.First, referring to FIG. 4A, a substrate thermal processing chamber 400 according to an embodiment of the present invention includes upper and lower housings 470a and 470b. The upper and lower housings 470a and 470b form a heat treatment space 472 of the substrate 10 therein.

상기 열처리 공간(472) 내에는 기판(10)을 로딩 및 지지하는 보트(420)가 제공되어 있다. 또한, 상부 하우징(470a)의 내측 하부면 및 상기 하부 하우징(470b)의 내측 상부면에는 각각 상부 및 하부 윈도우 플레이트(474a,474b)가 제공된다. 상부 및 하부 윈도우 플레이트(474a,474b)는 각각 쿼츠(quartz) 또는 네오 세라믹(neo ceramic) 재질로 구현될 수 있다.In the heat treatment space 472, a boat 420 for loading and supporting the substrate 10 is provided. In addition, upper and lower window plates 474a and 474b are provided on an inner lower surface of the upper housing 470a and an inner upper surface of the lower housing 470b, respectively. The upper and lower window plates 474a and 474b may be formed of quartz or neo ceramic, respectively.

또한, 상부 및 하부 하우징(470a,470b) 및 상부 및 하부 윈도우 플레이트(474a,474b) 사이에는 각각 복수의 상부 및 하부 열원(410a,410b)이 제공되어 있다. 상부 및 하부 하우징(470a,470b)은 각각 알루미늄(Al) 재질로 구현될 수 있으며, 복수의 상부 및 하부 열원(410a,410b)은 각각 근적외선 램프 히터로 구현될 수 있다. 이 경우, 근적외선 램프 히터는 SiO2 재질의 기판(10) 및 기판(10) 상에 도포된 필름(미도시)을 가열하여 건조 및 소성하기에 적합한 대략 1 내지 5㎛ 범위의 파장 대역의 근적외선을 방출하는 것이 바람직하다. 또한, 각각 근적외선 램프 히터로 구현될 수 있는 복수의 상부 및 하부 열원(410a,410b)의 출력 파워(output power)는 개별적으로 제어되거나 그룹 방식으로 제어될 수 있다. 여기서 그룹 방식이란 예를 들어 복수의 상부 열원(410a)을 제 1 열원 그룹으로 하여 동시에 제어하고, 복수의 하부 열원(410b)을 제 2 열원 그룹으로 하여 동시에 제어하는 방식일 수 있다. 이러한 복수의 상부 및 하부 열원(410a,410b)의 출력 파워의 개별 제어 또는 그룹 방식 제어에 의해 기판(10)의 온도를 균일하게 제어하는 것이 가능하다. 따라서, 기판(10)의 온도 균일도가 향상되므로 궁극적으로 기판(10)의 불량 발생 가능성이 크게 감소된다.A plurality of upper and lower heat sources 410a and 410b are provided between the upper and lower housings 470a and 470b and the upper and lower window plates 474a and 474b, respectively. The upper and lower housings 470a and 470b may be formed of aluminum (Al), and the plurality of upper and lower heat sources 410a and 410b may be formed of a near infrared lamp heater. In this case, the near-infrared lamp heater is a film heater for heating the substrate 10 made of SiO 2 and the film (not shown) coated on the substrate 10 to a near infrared ray in a wavelength band in the range of about 1 to 5 μm suitable for drying and firing It is preferable to release it. In addition, the output power of the plurality of upper and lower heat sources 410a and 410b, which may be implemented by a near-infrared lamp heater, may be individually controlled or controlled in a group manner. For example, the group method may be a method of simultaneously controlling a plurality of upper heat sources 410a as a first heat source group and controlling a plurality of lower heat sources 410b as a second heat source group. It is possible to uniformly control the temperature of the substrate 10 by individual control or group type control of the output power of the plurality of upper and lower heat sources 410a and 410b. Accordingly, since the temperature uniformity of the substrate 10 is improved, the possibility of occurrence of defects of the substrate 10 is greatly reduced.

상술한 본 발명의 상부 및 하부 윈도우 플레이트(474a,474b)는 예를 들어 근적외선 램프 히터로 구현되는 복수의 상부 및 하부 열원(410a,410b)에서 방출되는 대략 1 내지 5㎛ 범위의 파장 대역의 근적외선은 통과시키는 반면에 상기 파장 대역 이외의 대역은 컷오프(cut-off)시킨다. 그에 따라, 복수의 상부 및 하부 열원(410a,410b)은 각각 상부 및 하부 윈도우 플레이트(474a,474b)를 통해 기판(10) 상으로 열 에너지를 복사 방식으로 직접 전달하여 기판(10) 및 기판(10) 상부에 도포된 필름(미도시)(예를 들어, 폴리이미드(PI))을 열처리한다.The above-described upper and lower window plates 474a and 474b of the present invention can be used as a near infrared ray lamp in a wavelength band ranging from approximately 1 to 5 占 퐉 emitted from a plurality of upper and lower heat sources 410a and 410b, While the band other than the above-mentioned wavelength band is cut off. The plurality of upper and lower heat sources 410a and 410b direct thermal energy radially onto the substrate 10 through the upper and lower window plates 474a and 474b, respectively, (Not shown) (for example, polyimide (PI)) applied on the upper surface of the substrate 10 is heat-treated.

또한, 상기 상부 및 하부 하우징(470a,470b)은 각각 복수의 상부 및 하부 열원(410a,410b)의 배면에 제공되는 복수의 상부 및 하부 반사부(412a,412b)를 구비한다. 복수의 상부 및 하부 반사부(412a,412b)는 복수의 상부 및 하부 열원(410a,410b)으로부터 방출되는 열 에너지를 반사하여 상부 및 하부 윈도우 플레이트(474a,474b)를 통해 상기 기판(10)으로 상기 열 에너지를 복사 방식으로 전달한다. 좀 더 구체적으로, 복수의 상부 및 하부 열원(410a,410b)은 그 배면에 제공되는 복수의 상부 및 하부 반사부(412a,412b)를 이용하여 복사 방식으로 기판(10)을 직접 가열하여 열처리한다. 따라서, 종래 기술의 전도 또는 대류 방식에 비해 기판(10)의 열처리 전달 효율이 우수할 뿐만 아니라, 기판(10)에 균일한 열전달이 상대적으로 용이하다.The upper and lower housings 470a and 470b include a plurality of upper and lower reflectors 412a and 412b provided on the rear surface of the plurality of upper and lower heat sources 410a and 410b, respectively. The plurality of upper and lower reflectors 412a and 412b reflect the thermal energy emitted from the plurality of upper and lower heat sources 410a and 410b and are transmitted to the substrate 10 through the upper and lower window plates 474a and 474b And transfers the thermal energy by a radiation method. More specifically, the plurality of upper and lower heat sources 410a and 410b are directly heated and heat-treated by a radiation method using a plurality of upper and lower reflectors 412a and 412b provided on the rear surface thereof . Therefore, the heat transfer efficiency of the substrate 10 is superior to that of the conventional conduction or convection method, and uniform heat transfer to the substrate 10 is relatively easy.

상술한 바와 같이, 본 발명에서는 복수의 상부 및 하부 열원(410a,410b)이 복수의 상부 및 하부 반사부(412a,412b)를 사용하여 기판(10) 및 기판(10) 상부에 도포된 필름의 열처리에 적합한 열 에너지를 균일하게 전달할 수 있다.As described above, in the present invention, a plurality of upper and lower heat sources 410a and 410b are disposed on the substrate 10 and the upper side of the substrate 10 using a plurality of upper and lower reflectors 412a and 412b. The heat energy suitable for the heat treatment can be uniformly transmitted.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버(400)에서는, 기판(10) 주변에 제공되며, 기판(10)과 동일 또는 유사한 재질 내에 하나 이상의 열전대(thermo couple)를 구비한 온도 센서(478a,478b)에 의해 기판(10)의 미리 설정된 열처리 온도의 균일성 여부가 직접적으로 확인될 수 있다. 또한, 이러한 온도 센서(478a,478b)에 의한 기판(10)의 열처리 온도가 미리 설정된 초기 열처리 온도와 불일치하는 경우, 복수의 상부 및 하부 열원(410a,410b)의 열처리 온도는 수동 또는 자동으로 미리 설정된 초기 열처리 온도와 일치하도록 개별적으로 조정되거나 또는 그룹 방식으로 조정될 수 있다.In the substrate thermal processing chamber 400 according to an embodiment of the present invention, a temperature sensor (not shown) provided around the substrate 10 and having one or more thermo couple in the same or similar material as the substrate 10, The uniformity of the predetermined heat treatment temperature of the substrate 10 can be directly confirmed by the heaters 478a and 478b. When the heat treatment temperature of the substrate 10 by the temperature sensors 478a and 478b is inconsistent with the preset initial heat treatment temperature, the heat treatment temperatures of the plurality of upper and lower heat sources 410a and 410b may be manually or automatically May be individually adjusted to match the set initial heat treatment temperature or may be adjusted in a group fashion.

도 4b를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 장치(1)는 복수의 챔버(400a,400b,400c400d,400e)를 포함한다. 복수의 챔버(400a,400b,400c400d,400e)는 각각 기판(10)의 열처리 공간(472)을 제공한다.Referring to FIG. 4B, a substrate thermal processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention includes a plurality of chambers 400a, 400b, 400c400d, and 400e. The plurality of chambers 400a, 400b, 400c400d, and 400e provide a heat treatment space 472 of the substrate 10, respectively.

복수의 챔버(400a,400b,400c,400d,400e)는 각각 프레임(410) 상에서 착탈 가능하게 지지된다. 복수의 챔버(400a,400b,400c,400d,400e) 각각의 전면에는 복수의 도어(미도시)가 제공되어 있다. 복수의 도어(미도시)는 복수의 챔버(400a,400b,400c,400d,400e) 각각에 제공되는 열처리 공간(472)으로 기판(10)을 로딩하기 위한 트랜스퍼 암과 같은 기판 로딩 장치(미도시)를 이용하여 기판(10)을 로딩하거나 열처리가 종료된 기판(10)을 언로딩하기 위해 개방 또는 폐쇄될 수 있다. The plurality of chambers 400a, 400b, 400c, 400d, and 400e are detachably supported on the frame 410, respectively. A plurality of doors (not shown) are provided on the front surface of each of the plurality of chambers 400a, 400b, 400c, 400d, and 400e. A plurality of doors (not shown) are mounted on a substrate loading device (not shown) such as a transfer arm for loading the substrate 10 into a heat treatment space 472 provided in each of the plurality of chambers 400a, 400b, 400c, 400d, May be used to open or close the substrate 10 to load or unload the substrate 10 after the heat treatment has been completed.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 장치(1)에 사용되는 복수의 챔버(400a,400b,400c400d,400e)는 각각 도 4a에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버(400)와 실질적으로 동일한 구성을 갖는다는 점에 유의하여야 한다. 이러한 도 4a에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버(400)의 구체적인 구성 및 동작은 이미 상세히 설명하였으므로 그 자세한 설명은 생략하기로 한다.The plurality of chambers 400a, 400b, 400c400d, and 400e used in the substrate thermal processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention may include a substrate heating chamber Has substantially the same configuration as that of the first embodiment (400). The detailed configuration and operation of the substrate thermal processing chamber 400 according to the embodiment of the present invention shown in FIG. 4A have already been described in detail, and a detailed description thereof will be omitted.

상술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버(400) 및 기판 열처리 장치(1)의 복수의 챔버(400a,400b,400c400d,400e) 각각에서는, 복수의 상부 및 하부 열원(410a,410b)이 각각의 처리 공간(472)의 외부에 제공된다. 따라서, 기판(10) 및 기판(10) 상의 필름(미도시)의 열처리에 의해 발생하는 흄(fume)이 복수의 상부 및 하부 열원(410a,410b) 상에 증착되지 않으므로 복수의 상부 및 하부 열원(410a,410b)의 열효율을 유지할 수 있다. 또한, 흄 세정이 불필요하므로 전체 공정 시간 및 비용이 크게 감소된다.As described above, in each of the plurality of chambers 400a, 400b, 400c400d, 400e of the substrate heat treatment chamber 400 and the substrate heat treatment apparatus 1 according to the embodiment of the present invention, a plurality of upper and lower heat sources 410a, and 410b are provided outside the processing space 472, respectively. Therefore, since fumes generated by the heat treatment of the substrate 10 and the film (not shown) on the substrate 10 are not deposited on the plurality of upper and lower heat sources 410a and 410b, It is possible to maintain the thermal efficiency of the heaters 410a and 410b. In addition, since no fume washing is required, the overall process time and cost are greatly reduced.

한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 장치(1)에서는, 복수의 챔버(400a,400b,400c,400d,400e)에 각각 제공되는 복수의 상부 및 하부 열원(410a,410b) 중 일부에 고장 등이 발생할 수 있다. 예를 들어, 도 4b의 실시예에서, 복수의 챔버(400a,400b,400c,400d,400e) 중 챔버(400a) 내의 복수의 상부 및 하부 열원(410a,410b) 중 일부에 고장 등이 발생하더라도, 나머지 챔버(400a,400b,400c,400d,400e) 내의 각각의 기판(10)은 정상적인 열처리가 가능하다. 따라서, 본 발명에서는 복수의 챔버(400a,400b,400c,400d,400e)의 개별 프로세싱이 가능하고, 그에 따라 복수의 챔버(400a,400b,400c,400d,400e) 내의 복수의 기판(10) 전체에 불량이 발생할 가능성이 실질적으로 제거된다.In the substrate heating apparatus 1 according to an embodiment of the present invention, a plurality of upper and lower heat sources 410a and 410b provided in the plurality of chambers 400a, 400b, 400c, 400d, Failure or the like may occur. For example, in the embodiment of FIG. 4B, even if a failure occurs in some of the plurality of upper and lower heat sources 410a and 410b in the chamber 400a among the plurality of chambers 400a, 400b, 400c, 400d and 400e And each of the substrates 10 in the remaining chambers 400a, 400b, 400c, 400d, and 400e can be subjected to normal heat treatment. Therefore, in the present invention, the individual processing of the plurality of chambers 400a, 400b, 400c, 400d, and 400e is possible, and thus the entire plurality of the substrates 10 in the plurality of chambers 400a, 400b, 400c, 400d, The possibility of occurrence of defects is substantially eliminated.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 장치(1)에서는, 복수의 챔버(400a,400b,400c,400d,400e)에 각각 제공되는 복수의 상부 및 하부 열원(410a,410b) 중 일부에 고장 등이 발생하는 경우, 위의 예시에서 고장이 발생한 챔버(400a)만을 수리 또는 교체하면 되고, 나머지 챔버(400a,400b,400c,400d,400e)는 정상적으로 동작이 가능하다. 즉, 본 발명의 실시예에서는 복수의 챔버(400a,400b,400c,400d,400e)의 개별적인 유지 보수가 가능하다. 따라서, 기판 열처리 장치(1)의 나머지 챔버(400a,400b,400c,400d,400e) 내의 열처리 동작이 중단될 필요가 없으므로 전체 열처리 공정 시간(tact time)이 크게 감소된다.In the substrate heating apparatus 1 according to an embodiment of the present invention, a plurality of upper and lower heat sources 410a and 410b provided in the plurality of chambers 400a, 400b, 400c, 400d, In the above example, only the chamber 400a in which the failure occurs can be repaired or replaced, and the remaining chambers 400a, 400b, 400c, 400d, and 400e can be normally operated. That is, in the embodiment of the present invention, individual maintenance of the plurality of chambers 400a, 400b, 400c, 400d, and 400e is possible. Therefore, since the heat treatment operation in the remaining chambers 400a, 400b, 400c, 400d, and 400e of the substrate heat treatment apparatus 1 need not be interrupted, the total heat treatment process time tact time is greatly reduced.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 방법의 플로우차트를 도시한 도면이다.5 is a flowchart showing a substrate heat treatment method according to an embodiment of the present invention.

도 5를 도 4a 및 도 4b와 함께 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 방법(500)은 a) 각각이 상부 및 하부 하우징(470a,470b)으로 구성되며, 기판(10)의 열처리 공간(472)을 제공하는 복수의 챔버(400a,400b,400c400d,400e) 내에 각각 제공되는 보트(420) 상에 상기 기판(10)을 로딩 및 지지시키는 단계(510); b) 상기 복수의 챔버(400a,400b,400c400d,400e)를 각각 프레임(410) 내에 제공하는 단계(520); 및 c) 상기 복수의 챔버(400a,400b,400c400d,400e) 내에서 상기 각각의 열처리 공간(472)의 외부에 제공되는 복수의 상부 및 하부 열원(410a,410b) 및 상기 복수의 상부 및 하부 열원(410a,410b)의 배면에 제공되는 복수의 상부 및 하부 반사부(412a,412b)를 이용하여 상기 각각의 열처리 공간(472) 내의 상기 기판(10)을 개별적으로 열처리하는 단계(530)를 포함한다.Referring to FIG. 5, with reference to FIGS. 4A and 4B, a substrate thermal processing method 500 according to an embodiment of the present invention includes: a) each of upper and lower housings 470a and 470b; Loading and supporting (510) the substrate (10) on a boat (420) provided within a plurality of chambers (400a, 400b, 400c400d, 400e) providing a thermal treatment space (472); b) providing (520) said plurality of chambers (400a, 400b, 400c400d, 400e) in a frame (410); And c) a plurality of upper and lower heat sources (410a, 410b) provided outside the respective heat treatment spaces (472) within the plurality of chambers (400a, 400b, 400c400d, 400e) (530) separately heat treating the substrate (10) in each of the heat treatment spaces (472) using a plurality of upper and lower reflectors (412a, 412b) provided on the back surface of the substrate (410a, 410b) do.

상술한 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 방법(500)의 상기 c) 단계에서 상기 복수의 상부 및 하부 열원(410a,410b)은 개별적으로 제어되거나 또는 그룹 방식으로 제어된다.The plurality of upper and lower heat sources 410a and 410b are controlled individually or in a group manner in the step c) of the substrate heat treatment method 500 according to an embodiment of the present invention described above.

또한, 상술한 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 방법(500)의 상기 c) 단계에서, 상기 복수의 상부 및 하부 열원(410a,410b)은 각각 상기 상부 하우징(470a)의 내측 하부면 및 상기 하부 하우징(470b)의 내측 상부면에 각각 제공되는 상부 및 하부 윈도우 플레이트(474a,474b)를 통해 상기 기판(10) 상으로 열 에너지를 복사 방식으로 직접 전달하여 상기 기판(10) 및 상기 기판(10) 상부에 도포된 필름(미도시)을 열처리한다.The upper and lower heat sources 410a and 410b may be disposed on the inner lower surface of the upper housing 470a and the lower inner surface of the upper housing 470a, respectively, in step c) of the substrate heat treatment method 500 according to an embodiment of the present invention. The thermal energy is directly transferred to the substrate 10 through the upper and lower window plates 474a and 474b provided on the inner upper surface of the lower housing 470b by a radiation method, (Not shown) applied on the upper surface of the substrate 10 is heat-treated.

또한, 상술한 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 방법(500)에서, 상기 복수의 상부 및 하부 열원(410a,410b)은 각각 1 내지 5㎛ 범위의 파장 대역의 근적외선을 방출하고, 상기 상부 및 하부 윈도우 플레이트(474a,474b)는 각각 상기 파장 대역만을 투과시킨다.In the substrate heat treatment method 500 according to an embodiment of the present invention, the plurality of upper and lower heat sources 410a and 410b emit near infrared rays in a wavelength band ranging from 1 to 5 mu m, And the lower window plates 474a and 474b transmit only the wavelength band.

또한, 상술한 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 방법(500)은 d) 상기 기판(10) 주변에 제공되는 온도 센서(478a,478b)를 이용하여 상기 기판(10)의 미리 설정된 초기 열처리 온도의 균일성 여부를 직접적으로 확인하는 단계; 및 e) 상기 d) 단계에서 확인된 상기 기판(10)의 상기 열처리 온도가 상기 미리 설정된 초기 열처리 온도와 불일치하는 경우, 상기 복수의 상부 및 하부 열원(410a,410b)의 상기 열처리 온도를 상기 미리 설정된 초기 열처리 온도와 일치하도록 개별적으로 조정하거나 또는 그룹 방식으로 조정하는 단계를 추가로 포함할 수 있다.The method 500 for annealing a substrate according to an embodiment of the present invention may further include the steps of d) performing preliminarily initial heat treatment of the substrate 10 using temperature sensors 478a and 478b provided around the substrate 10, Directly confirming whether the temperature is uniform or not; And e) if the heat treatment temperature of the substrate (10) identified in step d) is inconsistent with the predetermined initial heat treatment temperature, the heat treatment temperature of the plurality of upper and lower heat sources (410a, 410b) And adjusting them individually or groupwise to match the set initial heat treatment temperature.

또한, 상술한 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 방법(500)은 상기 c) 단계의 수행 도중 상기 복수의 챔버(400a,400b,400c400d,400e) 중 일부 챔버에 고장이 발생하는 경우, 상기 고장이 발생한 일부 챔버만을 수리 또는 교체하면서 고장이 발생하지 않은 나머지 챔버에 대해서는 상기 c) 단계를 계속 수행할 수 있다.In the case where a failure occurs in some chambers of the plurality of chambers 400a, 400b, 400c400d, and 400e during the process c), the method 500 for heating a substrate according to an embodiment of the present invention may include: And the step c) may be continued for the remaining chambers in which the failure has not occurred while repairing or replacing only some of the chambers in which the failure has occurred.

다양한 변형예가 본 발명의 범위를 벗어남이 없이 본 명세서에 기술되고 예시된 구성 및 방법으로 만들어질 수 있으므로, 상기 상세한 설명에 포함되거나 첨부 도면에 도시된 모든 사항은 예시적인 것으로 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다. 따라서, 본 발명의 범위는 상술한 예시적인 실시예에 의해 제한되지 않으며, 이하의 청구범위 및 그 균등물에 따라서만 정해져야 한다.Various modifications may be made by those skilled in the art without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the following claims. It is not. Accordingly, the scope of the present invention should not be limited by the above-described exemplary embodiments, but should be determined only in accordance with the following claims and their equivalents.

1: 배치식/기판 열처리 장치 10: 기판 120,420: 보트
100,400,400a,400b,400c,400d,400e: 챔버 110,410: 프레임
140: 도어 160: 커버 200: 메인 히터 유닛
210: 단위 메인 히터 220,220a,220b: 보조 히터 유닛
230a: 제1 단위 보조 히터 250: 냉각관 300: 가스 공급관
320: 가스 배출관 410a,410b: 열원 412a,412b: 반사부
470a,470b: 하우징 472: 열처리 공간 474a,474b: 윈도우 플레이트
478a,478b:온도 센서1: Batch type / substrate heat treatment apparatus 10: substrate 120, 420: boat
400, 400a, 400b, 400c, 400d, 400e: chambers 110, 410: frame
140: Door 160: Cover 200: Main heater unit
210: unit main heater 220, 220a, 220b: auxiliary heater unit
230a: first unit auxiliary heater 250: cooling pipe 300: gas supply pipe
320: gas discharge pipe 410a, 410b: heat source 412a, 412b:
470a, 470b: housing 472: heat treatment space 474a, 474b: window plate
478a, 478b: Temperature sensor

Claims (24)

기판 열처리용 챔버에 있어서,
내부에 기판의 열처리 공간을 형성하도록 제공되는 상부 및 하부 하우징;
상기 열처리 공간 내에 제공되며, 상기 기판이 로딩 및 지지되는 보트;
상기 상부 하우징의 내측 하부면 및 상기 하부 하우징의 내측 상부면에 각각 제공되는 상부 및 하부 윈도우 플레이트; 및
상기 상부 및 하부 하우징 및 상기 상부 및 하부 윈도우 플레이트 사이에 제공되는 복수의 상부 및 하부 열원
을 포함하는 기판 열처리용 챔버.In the substrate heat treatment chamber,
An upper and a lower housing provided to form a heat treatment space of a substrate therein;
A boat provided in the heat treatment space, the boat being loaded and supported;
Upper and lower window plates provided on an inner lower surface of the upper housing and an inner upper surface of the lower housing, respectively; And
A plurality of upper and lower heat sources provided between the upper and lower housings and the upper and lower window plates,
And a heat treatment chamber for heating the substrate. 제 1항에 있어서,
상기 기판은 1개 또는 2개인 기판 열처리용 챔버.The method according to claim 1,
Wherein the substrate has one or two substrates. 제 1항에 있어서,
상기 상부 및 하부 윈도우 플레이트는 각각 쿼츠(quartz) 또는 네오 세라믹(neo ceramic) 재질로 구현되고, 상기 상부 및 하부 하우징은 각각 알루미늄(Al) 재질로 구현되는 기판 열처리용 챔버. The method according to claim 1,
Wherein the upper and lower window plates are each made of a quartz or neo ceramic material and the upper and lower housings are each made of an aluminum material. 제 1항에 있어서,
상기 복수의 상부 및 하부 열원의 출력 파워(output power)는 개별적으로 제어되거나 또는 그룹 방식으로 제어되는 기판 열처리용 챔버. The method according to claim 1,
Wherein the output power of the plurality of upper and lower heat sources is controlled individually or in a group fashion. 제 1항에 있어서,
상기 복수의 상부 및 하부 열원은 각각 근적외선 램프 히터로 구현되는 기판 열처리용 챔버. The method according to claim 1,
Wherein the plurality of upper and lower heat sources are each implemented as a near infrared lamp heater. 제 5항에 있어서,
상기 근적외선 램프 히터는 각각 상기 기판 및 상기 기판 상에 도포된 필름을 가열하여 건조 및 소성할 수 있는 1 내지 5㎛ 범위를 갖는 파장 대역의 근적외선을 방출하는 기판 열처리용 챔버. 6. The method of claim 5,
Wherein the near infrared ray lamp heater emits near infrared rays in a wavelength band having a range of 1 to 5 占 퐉 which can heat and dry the substrate and the film coated on the substrate. 제 6항에 있어서,
상기 상부 및 하부 윈도우 플레이트는 상기 근적외선 램프 히터에서 방출되는 상기 1 내지 5㎛ 범위의 상기 파장 대역은 통과시키고, 상기 파장 대역 이외의 대역은 컷오프(cut-off)시키는 기판 열처리용 챔버. The method according to claim 6,
Wherein the upper and lower window plates pass the wavelength band in the range of 1 to 5 占 퐉 emitted from the near-infrared lamp heater, and cut off the band other than the wavelength band. 제 1항 내지 제 7항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판 열처리용 챔버는 상기 기판 주변에 제공되며, 상기 기판의 미리 설정된 열처리 온도의 균일성 여부를 직접적으로 확인하기 위한 온도 센서를 추가로 포함하는 기판 열처리용 챔버.8. The method according to any one of claims 1 to 7,
Wherein the substrate heat treatment chamber is provided around the substrate and further comprises a temperature sensor for directly confirming whether or not the predetermined heat treatment temperature of the substrate is uniform. 기판 열처리 장치에 있어서,
각각이 기판의 열처리 공간을 제공하는 복수의 챔버;
상기 복수의 챔버가 각각 착탈 가능하게 지지되는 프레임; 및
상기 복수의 챔버 각각의 전면에 제공되는 복수의 도어
를 포함하되,
상기 복수의 챔버 내의 상기 기판의 열처리가 각각 개별적으로 이루어지는
기판 열처리 장치.In the substrate heat treatment apparatus,
A plurality of chambers each providing a heat treatment space of the substrate;
A frame in which the plurality of chambers are detachably supported; And
A plurality of doors provided on a front surface of each of the plurality of chambers
, ≪ / RTI &
Wherein heat treatment of the substrate in the plurality of chambers is performed individually
Substrate heat treatment apparatus. 제 9항에 있어서,
상기 복수의 챔버는 각각
내부에 기판의 열처리 공간을 형성하도록 제공되는 상부 및 하부 하우징;
상기 열처리 공간 내에 제공되며, 상기 기판이 로딩 및 지지되는 보트;
상기 상부 하우징의 내측 하부면 및 상기 하부 하우징의 내측 상부면에 각각 제공되는 상부 및 하부 윈도우 플레이트; 및
상기 상부 및 하부 하우징 및 상기 상부 및 하부 윈도우 플레이트 사이에 각각 제공되는 복수의 상부 및 하부 열원
을 포함하는 기판 열처리 장치.10. The method of claim 9,
The plurality of chambers
An upper and a lower housing provided to form a heat treatment space of a substrate therein;
A boat provided in the heat treatment space, the boat being loaded and supported;
Upper and lower window plates provided on an inner lower surface of the upper housing and an inner upper surface of the lower housing, respectively; And
A plurality of upper and lower heat sources provided between the upper and lower housings and the upper and lower window plates, respectively,
And a substrate heating device for heating the substrate. 제 9항에 있어서,
상기 복수의 챔버 내의 상기 기판은 각각 1개 또는 2개인 기판 열처리 장치.10. The method of claim 9,
Wherein each of the substrates in the plurality of chambers is one or two substrates. 제 10항에 있어서,
상기 상부 및 하부 윈도우 플레이트는 각각 쿼츠(quartz) 또는 네오 세라믹(neo ceramic) 재질로 구현되고, 상기 상부 및 하부 하우징은 각각 알루미늄(Al) 재질로 구현되는 기판 열처리 장치. 11. The method of claim 10,
Wherein the upper and lower window plates are each made of a quartz or neo ceramic material and the upper and lower housings are each made of aluminum. 제 10항에 있어서,
상기 복수의 상부 및 하부 열원의 출력 파워(output power)는 개별적으로 제어되거나 또는 그룹 방식으로 제어되는 기판 열처리 장치. 11. The method of claim 10,
Wherein the output power of the plurality of upper and lower heat sources is controlled individually or in a group fashion. 제 10항에 있어서,
상기 복수의 상부 및 하부 열원은 각각 근적외선 램프 히터로 구현되는 기판 열처리 장치.11. The method of claim 10,
Wherein the plurality of upper and lower heat sources are each implemented as a near infrared lamp heater. 제 14항에 있어서,
상기 근적외선 램프 히터는 각각 상기 기판 및 상기 기판 상에 도포된 필름을 가열하여 건조 및 소성할 수 있는 1 내지 5㎛ 범위를 갖는 파장 대역의 근적외선을 방출하는 기판 열처리 장치.15. The method of claim 14,
Wherein the near infrared ray lamp heater emits near infrared rays in a wavelength band having a range of 1 to 5 占 퐉 which can be heated and dried and fired, respectively, on the substrate and the substrate. 제 15항에 있어서,
상기 상부 및 하부 윈도우 플레이트는 상기 근적외선 램프 히터에서 방출되는 상기 1 내지 5㎛ 범위의 상기 파장 대역은 통과시키고, 상기 파장 대역 이외의 대역은 컷오프(cut-off)시키는 기판 열처리 장치. 16. The method of claim 15,
Wherein the upper and lower window plates pass the wavelength band in the range of 1 to 5 占 퐉 emitted from the near infrared lamp heater and cut off the band other than the wavelength band. 제 9항 내지 제 16항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 복수의 챔버는 각각 상기 기판 주변에 제공되며, 상기 기판의 미리 설정된 열처리 온도의 균일성 여부를 직접적으로 확인하기 위한 온도 센서를 추가로 포함하는 기판 열처리용 챔버.17. The method according to any one of claims 9 to 16,
Wherein each of the plurality of chambers is provided around the substrate, and further comprising a temperature sensor for directly confirming whether or not a predetermined heat treatment temperature of the substrate is uniform. 제 9항 내지 제 16항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 복수의 챔버 중 일부 챔버에 고장이 발생하는 경우, 고장이 발생한 해당 챔버의 교체 또는 수리가 이루어지는 동안 나머지 챔버는 열처리 동작을 수행하는 기판 열처리용 챔버.17. The method according to any one of claims 9 to 16,
Wherein when the failure occurs in some chambers of the plurality of chambers, the remaining chambers perform a heat treatment operation while replacing or repairing the corresponding chambers where the failures occur. 기판 열처리 방법에 있어서,
a) 각각이 상부 및 하부 하우징으로 구성되며, 기판의 열처리 공간을 제공하는 복수의 챔버 내에 각각 제공되는 보트 상에 상기 기판을 로딩 및 지지시키는 단계;
b) 상기 복수의 챔버를 각각 프레임 내에 제공하는 단계; 및
c) 상기 복수의 챔버 내에서 상기 각각의 열처리 공간의 외부에 제공되는 복수의 상부 및 하부 열원 및 상기 복수의 상부 및 하부 열원의 배면에 제공되는 복수의 상부 및 하부 반사부를 이용하여 상기 각각의 열처리 공간 내의 상기 기판을 개별적으로 열처리하는 단계
를 포함하는 기판 열처리 방법.In the substrate heat treatment method,
a) loading and supporting the substrate on a boat, each of which is comprised of an upper and a lower housing, each being provided in a plurality of chambers providing a heat treatment space of the substrate;
b) providing the plurality of chambers in a frame, respectively; And
c) a plurality of upper and lower heat sources provided on the outside of the respective heat treatment spaces in the plurality of chambers, and a plurality of upper and lower reflectors provided on a rear surface of the plurality of upper and lower heat sources, Separately heat treating the substrate in space
/ RTI > 제 19항에 있어서,
상기 c) 단계에서 상기 복수의 상부 및 하부 열원은 개별적으로 제어되거나 또는 그룹 방식으로 제어되는 기판 열처리 방법. 20. The method of claim 19,
Wherein the plurality of upper and lower heat sources are individually controlled or group-wise controlled in the step c). 제 19항에 있어서,
상기 c) 단계에서, 상기 복수의 상부 및 하부 열원은 각각 상기 상부 하우징의 내측 하부면 및 상기 하부 하우징의 내측 상부면에 제공되는 상부 및 하부 윈도우 플레이트를 통해 상기 기판 상으로 열 에너지를 복사 방식으로 직접 전달하여 상기 기판 및 상기 기판 상부에 도포된 필름을 열처리하는 기판 열처리 방법.20. The method of claim 19,
In the step c), the plurality of upper and lower heat sources respectively irradiate thermal energy onto the substrate through the upper and lower window plates provided on the inner lower surface of the upper housing and the inner upper surface of the lower housing, respectively, Wherein the substrate and the film coated on the substrate are heat treated. 제 21항에 있어서,
상기 c) 단계에서,
상기 복수의 상부 및 하부 열원은 각각 1 내지 5㎛ 범위의 파장 대역의 근적외선을 방출하고,
상기 상부 및 하부 윈도우 플레이트는 각각 상기 파장 대역만을 투과시키는
기판 열처리 방법.22. The method of claim 21,
In the step c)
Wherein the plurality of upper and lower heat sources respectively emit near infrared rays in a wavelength band ranging from 1 to 5 mu m,
The upper and lower window plates each transmit only the wavelength band
A method for heat treatment of a substrate. 제 19항 내지 제 22항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판 열처리 방법은
d) 상기 기판 주변에 제공되는 온도 센서를 이용하여 상기 기판의 미리 설정된 초기 열처리 온도의 균일성 여부를 직접적으로 확인하는 단계; 및
e) 상기 d) 단계에서 확인된 상기 기판의 상기 열처리 온도가 상기 미리 설정된 초기 열처리 온도와 불일치하는 경우, 상기 복수의 상부 및 하부 열원의 상기 열처리 온도를 상기 미리 설정된 초기 열처리 온도와 일치하도록 개별적으로 조정하거나 또는 그룹 방식으로 조정하는 단계
를 추가로 포함하는 기판 열처리 방법.23. The method according to any one of claims 19 to 22,
The substrate heat treatment method
d) directly determining whether a predetermined initial heat treatment temperature of the substrate is uniform using a temperature sensor provided around the substrate; And
e) if the heat treatment temperature of the substrate identified in step d) is inconsistent with the predetermined initial heat treatment temperature, the heat treatment temperature of the plurality of upper and lower heat sources is individually adjusted to match the predetermined initial heat treatment temperature Adjusting or adjusting in a group manner
Further comprising the step of heating the substrate. 제 19항 내지 제 22항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판 열처리 방법은 상기 c) 단계의 수행 도중 상기 복수의 챔버 중 일부 챔버에 고장이 발생하는 경우, 상기 고장이 발생한 일부 챔버만을 수리 또는 교체하면서 고장이 발생하지 않은 나머지 챔버에 대해서는 상기 c) 단계를 계속 수행하는 기판 열처리 방법.23. The method according to any one of claims 19 to 22,
In the case where a failure occurs in some chambers of the plurality of chambers during the execution of the step c), the substrate heat treatment method may include a step of repairing or replacing only a part of the chambers in which the failure has occurred, Is performed continuously.
KR1020120073083A 2012-07-04 2012-07-04 Improved Chamber for Heat Treatment of Substrates and Heat Treatment Apparatus and Method of Substrate Having the Same KR101428569B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120073083A KR101428569B1 (en) 2012-07-04 2012-07-04 Improved Chamber for Heat Treatment of Substrates and Heat Treatment Apparatus and Method of Substrate Having the Same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120073083A KR101428569B1 (en) 2012-07-04 2012-07-04 Improved Chamber for Heat Treatment of Substrates and Heat Treatment Apparatus and Method of Substrate Having the Same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140005548A KR20140005548A (en) 2014-01-15
KR101428569B1 true KR101428569B1 (en) 2014-09-25

Family

ID=50140919

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120073083A KR101428569B1 (en) 2012-07-04 2012-07-04 Improved Chamber for Heat Treatment of Substrates and Heat Treatment Apparatus and Method of Substrate Having the Same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101428569B1 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101599045B1 (en) * 2014-06-05 2016-03-03 주식회사 나래나노텍 Size-Variable Heat Treatment Chamber of Substrates and Manufacturing Method thereof, and Heat Treatment Apparatus Having the Same
JP2024516397A (en) * 2021-04-29 2024-04-15 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド Window for rapid thermal processing chamber - Patents.com

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010006155A (en) * 1998-02-13 2001-01-26 야스카와 히데아키 Method of producing semiconductor device and heat treating apparatus
JP2008053401A (en) * 2006-08-24 2008-03-06 Sony Corp Lamp heating device
KR101078708B1 (en) * 2002-03-29 2011-11-01 맷슨 테크놀로지, 인코포레이티드 Pulsed processing semiconductor heating methods using combinations of heating sources
KR101155026B1 (en) * 2011-11-28 2012-06-12 남원식 Apparatus for processing substrate and the method for processing substrate using the same

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010006155A (en) * 1998-02-13 2001-01-26 야스카와 히데아키 Method of producing semiconductor device and heat treating apparatus
KR101078708B1 (en) * 2002-03-29 2011-11-01 맷슨 테크놀로지, 인코포레이티드 Pulsed processing semiconductor heating methods using combinations of heating sources
JP2008053401A (en) * 2006-08-24 2008-03-06 Sony Corp Lamp heating device
KR101155026B1 (en) * 2011-11-28 2012-06-12 남원식 Apparatus for processing substrate and the method for processing substrate using the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR20140005548A (en) 2014-01-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101428570B1 (en) Gas Intake and Exhaust Device and Method for Heat Treatment of Substrate, and Heat Treatment Chamber and Apparatus of Substrate Having the Same
JP2013501908A (en) Apparatus and processing chamber for thermally processing a substrate
KR100859975B1 (en) Multi plate vacuum drier
KR20140007523A (en) Heat treatment chamber and method of substrate using variable wavelength, and heat treatment apparatus of substrate having the same
KR101428569B1 (en) Improved Chamber for Heat Treatment of Substrates and Heat Treatment Apparatus and Method of Substrate Having the Same
KR101354600B1 (en) Improved boat, and heat treatment chamber and apparatus of substrate having the same
KR102194898B1 (en) Door Being Used for Heat Treatment Chamber of Substrates, and Heat Treatment Chamber and Apparatus of Substrate Having the Same
KR101508752B1 (en) Heat Treatment Chamber of Substrate with Easy Maintenance, and Heat Treatment Apparatus and Method of Substrate Having the Same
KR20150110206A (en) Apparatus for heat processing
KR101462460B1 (en) Supporting Device for Divided Window Plates of Chamber for Heat Treatment of Substrates, and Chamber for Heat Treatment of Substrates and Heat Treatment Apparatus of Substrate Having the Same
KR101390510B1 (en) Heating Structure for Heat Treatment Chamber of Substrates and Heat Treatment Chamber of Substrates Having the Same
JP2003133248A (en) Method for heat-treating substrate
KR101464662B1 (en) Improved Boat, and Heat Treatment Chamber and Apparatus of Substrate Having the Same
KR101420712B1 (en) Improved Chamber for Heat Treatment of Substrates and Heat Treatment Apparatus of Substrate Having the Same
KR101381205B1 (en) Device and Method of Measuring Substrate Temperature and Heat Treatment Chamber and Apparatus of Substrate Having the Same
KR101370879B1 (en) Observation window for heat treatment chamber of substrate, and heat treatment chamber, apparatus and method of substrate having the same
KR20190011611A (en) Improved Temperature Control Device and Method for Heat Treatment of Substrate, and Heat Treatment Chamber and Apparatus Having the Same
KR101544004B1 (en) Improved Door for Heat Treatment Chamber of Substrates, and Heat Treatment Chamber and Apparatus of Substrate Having the Same
KR101374752B1 (en) Heat treatment chamber, apparatus and method of substrate having system of measuring and controlling substrate temperature
KR101544005B1 (en) Improved Heat Treatment Chamber and Apparatus of Substrate
KR101431564B1 (en) Improved Chamber for Heat Treatment of Substrates and Heat Treatment Apparatus of Substrate Having the Same
KR101539758B1 (en) Chamber for Heat Treatment of Mutiple Substrates and Heat Treatment Apparatus of Substrate Having the Same
KR101404069B1 (en) Heat Treatment Chamber and Method of Substrate with Easy Maintenance, and Heat Treatment Apparatus of Substrate Having the Same
KR101593493B1 (en) Themal processing apparatus of large area glass substrate
KR101941524B1 (en) Driving method of device for heat treatment of substrate

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
N231 Notification of change of applicant
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170713

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190723

Year of fee payment: 6