KR101426759B1 - Wafer grinding apparatus - Google Patents

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KR101426759B1
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강진기
김찬호
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경기대학교 산학협력단
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Abstract

The present invention relates to a wafer polishing apparatus having an improved structure to be able to accurately measure the thickness of a wafer before wafer processing. The wafer polishing apparatus according to the present invention includes a vacuum chuck which is provided with a wafer on the upper surface and fixes the wafer by forming vacuum pressure; a polishing machine which is disposed to be rotatable above the wafer and polishes the wafer; a light emitting unit which is arranged on the side of the wafer and irradiates light to a direction parallel to the upper surface of the wafer; and a wafer thickness measuring instrument having a light receiving portion for receiving the light irradiated from the light emitting unit.

Description

웨이퍼 연마장치{Wafer grinding apparatus}[0001] The present invention relates to a wafer grinding apparatus,

본 발명은 웨이퍼 연마장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 사파이어 웨이퍼를 연마하는 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer polishing apparatus, and more particularly, to an apparatus for polishing a sapphire wafer.

사파이어 웨이퍼를 제조하는 방법에 관해서는 공개특허 10-2011-0042438호를 비롯하여 많은 특허가 출원된 바 있다. 종래에 사파이어 잉곳을 웨이퍼 단위로 슬라이싱 한 후, 랩핑(lapping), 그라인딩(glinding), 에지 그라인딩(edge grinding), 열처리, CMP, 표면검사의 순으로 기판을 제조하였다.A number of patents have been filed for the method of manufacturing sapphire wafers, including those disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-2011-0042438. Conventionally, a sapphire ingot was sliced in units of wafers, followed by lapping, glinding, edge grinding, heat treatment, CMP, and surface inspection.

한편, 웨이퍼의 연마시에는 먼저 웨이퍼의 두께를 측정한 후, 측정된 두께에 따라 웨이퍼의 가공량(연마량)을 결정한다. 종래의 경우에는 도 1의 (A)에 도시된 바와 같이, 웨이퍼의 한 지점에 접촉식 게이지를 접촉한 후, 웨이퍼를 회전시킴으로써 웨이퍼의 두께를 측정하였다.On the other hand, at the time of polishing the wafer, the thickness of the wafer is measured first, and then the amount of processing (amount of polishing) of the wafer is determined according to the measured thickness. In the conventional case, as shown in Fig. 1A, the thickness of the wafer is measured by bringing the contact type gauge into contact with one point of the wafer and rotating the wafer.

하지만, 종래의 경우 접촉식 게이지의 팁이 마모되거나 틀어짐에 따라 웨이퍼의 두께 측정이 부정확해지고, 이에 따라 웨이퍼 가공 정도에 문제가 발생하게 된다. 접촉식 게이지의 팁이 마모됨에 따라 접촉식 게이지를 자주 교체해주어야 하는 문제도 발생한다.However, in the conventional case, as the tip of the contact type gauge is worn or torn, the thickness measurement of the wafer becomes inaccurate, thereby causing a problem in the degree of wafer processing. As the tips of the contact gauges wear away, there is a problem of frequent replacement of the contact gauges.

나아가, 위와 같은 방식으로 두께를 측정하는 경우에는, 접촉식 게이지가 웨이퍼에 접촉되는 지점, 즉 도 1의 (B)에 점선(l)으로 표시된 부분만의 두께를 측정할 수 있다. 따라서, 실제 웨이퍼에서 점선 지역 이외의 다른 지역의 두께가 더 두꺼운 경우에도 이를 측정하지 못하는 문제점이 있다.Further, in the case of measuring the thickness in the above-described manner, the thickness of only the portion indicated by the dotted line (l) in FIG. 1B at which the contact type gauge contacts the wafer can be measured. Therefore, even if the actual thickness of the wafer other than the dotted line region is thicker, it can not be measured.

본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 웨이퍼 가공 전 웨이퍼의 두께를 정확하게 측정할 수 있도록 구조가 개선된 웨이퍼 연마장치를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a wafer polishing apparatus improved in structure to accurately measure the thickness of a wafer before wafer processing.

본 발명에 따른 웨이퍼 연마장치는 상면에 웨이퍼가 배치되며, 진공압을 형성하여 상기 웨이퍼를 고정하는 진공척과, 상기 웨이퍼의 상방에 회전 가능하게 배치되며, 상기 웨이퍼를 연마하는 연마기기와, 상기 웨이퍼의 측면에 배치되며, 상기 웨이퍼의 상면에 대하여 평행한 방향으로 광을 조사하는 발광부와, 상기 발광부에서 조사된 광을 수광하는 수광부를 가지는 웨이퍼 두께 측정기를 포함하는 것을 특징으로 한다.A wafer polishing apparatus according to the present invention comprises: a vacuum chuck for placing a wafer on an upper surface thereof and fixing the wafer by forming a vacuum pressure; a polishing machine rotatably disposed above the wafer for polishing the wafer; And a wafer thickness gauge having a light emitting portion for emitting light in a direction parallel to the upper surface of the wafer and a light receiving portion for receiving the light emitted from the light emitting portion.

본 발명에 따르면, 상기 웨이퍼의 플랫 존을 정렬하는 플랫 어라이너를 더 구비하는 것이 바람직하다.According to the present invention, it is preferable to further include a flat aligner for aligning the flat zone of the wafer.

또한, 본 발명에 따르면 상기 웨이퍼를 향하여 광을 조사하고, 상기 조사된 광을 분석하여 상기 웨이퍼의 방위각을 측정하는 방위각 측정기와, 상기 진공척에 연결되며, 상기 연마기기에 대하여 상기 웨이퍼가 기울여지도록 상기 진공척을 이동시키는 구동부를 더 포함하는 것이 바람직하다.According to the present invention, there is also provided an azimuth angle measuring device for irradiating light toward the wafer and analyzing the irradiated light to measure an azimuth angle of the wafer, and a controller connected to the vacuum chuck, And a driving unit for moving the vacuum chuck.

본 발명에 따르면 웨이퍼 연마 전 웨이퍼의 두께를 정확하게 측정할 수 있으므로 웨이퍼의 연마량을 정확하게 산출한 후 가공할 수 있을 뿐 아니라, 잦은 부품 교체를 방지할 수 있다.According to the present invention, since the thickness of the wafer before polishing the wafer can be accurately measured, it is possible to accurately process the polishing amount of the wafer and to process it, and to prevent frequent component replacement.

도 1은 종래의 웨이퍼 두께를 측정하는 방법을 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 연마장치의 개략적인 구성도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 연마장치에서 웨이퍼 두께를 측정하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 웨이퍼의 제조과정을 나타내는 흐름도이다.
도 5는 본 실시예에 따른 웨이퍼 연마장치를 이용하여 웨이퍼를 연마하는 과정을 나타내는 흐름도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Figure 1 is a diagram illustrating a conventional method for measuring wafer thickness.
2 is a schematic configuration diagram of a wafer polishing apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a view for explaining a method of measuring wafer thickness in a wafer polishing apparatus according to an embodiment of the present invention.
4 is a flowchart showing a manufacturing process of a wafer.
5 is a flowchart showing a process of polishing a wafer using the wafer polishing apparatus according to the present embodiment.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 연마장치에 관하여 설명한다.Hereinafter, a wafer polishing apparatus according to a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 연마장치의 개략적인 구성도이ㅁ며, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 연마장치에서 웨이퍼 두께를 측정하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.FIG. 2 is a schematic configuration diagram of a wafer polishing apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a view for explaining a method of measuring a wafer thickness in a wafer polishing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2 및 도 3을 참조하면, 본 실시예에 따른 웨이퍼 연마장치(100)는 진공척(10)과, 구동부(20)와, 연마기기(30)와, 방위각 측정기(40)와, 플랫 얼라이너(50)와, 웨이퍼 두께 측정기(60)를 포함한다.2 and 3, the wafer polishing apparatus 100 according to the present embodiment includes a vacuum chuck 10, a driving unit 20, a polishing apparatus 30, an azimuth meter 40, A liner 50, and a wafer thickness gauge 60.

진공척(10)은 진공압에 의해 웨이퍼를 고정하기 위한 것이다. 진공척(10)은 그 상면이 평면을 가지도록 형성되며, 내부에는 진공압을 형성하기 위한 진공압 형성유로가 형성되어 있다. 그리고, 진공척(10)에 웨이퍼(w)를 고정할 때에는 웨이퍼를 직접 진공척(10)에 흡착하여 고정할 수도 있으나, 웨이퍼(10)를 세라믹 디스크(d)에 본딩한 후, 이 세라믹 디스크(d)를 진공척(10)에 흡착 고정함으로써 웨이퍼(w)를 고정하는 것이 바람직하다.The vacuum chuck 10 is for fixing the wafer by vacuum pressure. The vacuum chuck 10 is formed such that its upper surface has a plane, and a vacuum pressure forming flow path for forming a vacuum pressure is formed in the vacuum chuck 10. When fixing the wafer W to the vacuum chuck 10, the wafer may be directly held on the vacuum chuck 10 and fixed. However, after the wafer 10 is bonded to the ceramic disk d, it is preferable to fix the wafer w by sucking and fixing the wafer d on the vacuum chuck 10.

구동부(20)는 웨이퍼(w)가 기울여지도록 진공척(10)을 이동시키기 위한 것이다. 구동부(20)는 유압실린더나 모터 등과 같은 공지의 구성들의 조합에 의해 구성될 수 있으며, 진공척(10)에 연결되어 진공척(10)을 회전, 승강, 틸팅(기울임)한다. The driving unit 20 is for moving the vacuum chuck 10 so that the wafer W is inclined. The driving unit 20 may be constituted by a combination of known components such as a hydraulic cylinder or a motor and is connected to a vacuum chuck 10 to rotate, lift and tilt (tilt) the vacuum chuck 10.

연마기기(30)는 웨이퍼의 상방에 배치된다. 연마기기(30)는 회전 및 승강 가능하게 설치되는 정반을 포함하며, 웨이퍼의 상면을 연마(Grinding)한다. The polishing apparatus 30 is disposed above the wafer. The polishing machine 30 includes a table that is rotatably and vertically installed, and grinds the upper surface of the wafer.

방위각 측정기(40)는 웨이퍼의 방위각을 측정하기 위한 것이다. 방위각 측정기는 웨이퍼의 상면으로 광, 예를 들어 X-선을 조사하고, 웨이퍼에서 반사된 X-선을 수광하여 분석함으로써 웨이퍼의 방위각을 측정한다. 이와 같은 방위각 측정기(40)로는 XRD(X-ray Diffraction) 장치 등이 이용될 수 있다.The azimuth measuring device 40 is for measuring the azimuth angle of the wafer. The azimuth measuring device measures the azimuth angle of the wafer by irradiating light to the upper surface of the wafer, for example, X-rays, and receiving and analyzing the X-rays reflected from the wafer. The azimuth measuring device 40 may be an X-ray diffraction (XRD) device or the like.

플랫 얼라이너(50)는 웨이퍼의 플랫 존(flat-zone)을 인식하고, 이를 통해 웨이퍼(w)를 정렬한다.The flat aligner 50 recognizes the flat-zone of the wafer and aligns the wafer w through it.

웨이퍼 두께 측정기(60)는 웨이퍼의 두께를 측정하기 위한 것으로, 발광부(61)와 수광부(62)를 포함한다. 발광부(61)는 웨이퍼(w)의 측면에 배치되며, 웨이퍼의 상면에 대하여 평행한 방향으로 광(레이저)를 조사한다. 그리고, 수광부(62)는 웨이퍼의 측면에 발광부와 마주보게 배치되며, 발광부에서 조사된 광을 수광한다. 이때, 발광부(61) 및 수광부(62)는 도 3에 도시된 바와 같이 승강 가능하게 배치되는 것이 바람직하다.The wafer thickness gauge 60 is for measuring the thickness of the wafer and includes a light emitting portion 61 and a light receiving portion 62. The light emitting portion 61 is disposed on the side surface of the wafer w and irradiates light (laser) in a direction parallel to the upper surface of the wafer. The light receiving portion 62 is disposed on the side surface of the wafer so as to face the light emitting portion, and receives light emitted from the light emitting portion. At this time, it is preferable that the light emitting portion 61 and the light receiving portion 62 are disposed so as to be able to move up and down as shown in FIG.

이와 같이 구성된 웨이퍼 연마장치(100)에 있어서 웨이퍼의 두께를 측정하는 과정에 관하여 설명하면, 발광부에서 레이저를 조사하면 이 레이저는 수광부에서 수광된다. 이러한 상태에서, 발광부 및 수광부를 하강시키거나, 반대로 진공척을 상승시키면 레이저가 웨이퍼에 의해 차단되는 시점에서는 더 이상 수광부에서 레이저가 수광되지 않게 된다. 따라서, 이 시점에서 웨이퍼 두께 측정기(즉, 발광부 및 수광부)의 위치와, 진공척의 위치 차이를 이용하면 웨이퍼의 두께를 측정할 수 있다.The process of measuring the wafer thickness in the wafer polishing apparatus 100 configured as described above will be described. When a laser beam is emitted from the light emitting portion, the laser beam is received by the light receiving portion. In this state, when the light emitting portion and the light receiving portion are lowered or, conversely, the vacuum chuck is raised, the laser is no longer received by the light receiving portion when the laser is blocked by the wafer. Therefore, at this point, the thickness of the wafer can be measured by using the position of the wafer thickness gauge (i.e., the light emitting portion and the light receiving portion) and the position difference between the vacuum chuck.

특히, 이때 웨이퍼를 회전시키면 웨이퍼 상면 전체가 레이저의 아래로 지나가게 된다. 따라서, 만약 수광부에서 레이저가 수광되는 것이 잠시라도 중단되었다가 다시 수광되는 현상이 반복된다면, 이는 웨이퍼 전체에서 가장 두께가 두꺼운 지점의 두께가 현재의 웨이퍼 두께 측정기의 위치와 진공척의 위치 차이보다 더 두껍다는 것을 의미한다. 따라서, 이와 같이 레이저가 수광되는 것이 중단되지 않을 때의 위치까지 웨이퍼 두께 측정기를 이동시키면서 웨이퍼의 두께를 측정하면, 웨이퍼에서 가장 두꺼운 지점의 두께를 정확하게 측정할 수 있다.In particular, when the wafer is rotated at this time, the entire upper surface of the wafer is passed under the laser. Therefore, if the laser is received from the light receiving unit for a while and then received again, the thickness of the thickest point in the entire wafer is thicker than the position of the current wafer thickness measuring apparatus and the position of the vacuum chuck Means that. Therefore, by measuring the thickness of the wafer while moving the wafer thickness measuring instrument to the position where the laser beam is not interrupted, the thickness of the thickest point on the wafer can be accurately measured.

이하에서는 도 4 및 도 5를 참조하여, 웨이퍼를 제조하는 일련의 과정과, 이 일련의 제조과정에서 본 실시예에 따른 웨이퍼 연마장치를 사용하는 방법에 관하여 설명한다.Hereinafter, with reference to FIGS. 4 and 5, a series of processes for manufacturing a wafer and a method for using the wafer polishing apparatus according to the present embodiment in the series of manufacturing processes will be described.

도 4는 웨이퍼의 제조과정을 나타내는 흐름도이며, 도 5는 본 실시예에 따른 웨이퍼 연마장치를 이용하여 웨이퍼를 연마하는 과정을 나타내는 흐름도이다.FIG. 4 is a flow chart showing a process of manufacturing a wafer, and FIG. 5 is a flowchart showing a process of polishing a wafer using the wafer polishing apparatus according to the present embodiment.

먼저, 도 4를 참조하면, (사파이어)잉곳을 웨이퍼 단위로 절단한후, 가장자리 연마(Edge Glinding)를 실시한다. 그리고, 웨이퍼의 전면을 연마(gribding)한 후 열처리 하고, 이후 경면연마(CMP)를 실시한다. 이후, 웨이퍼의 결함여부에 대한 검사(Inspection)를 실시하면 웨이퍼의 제조과정이 완료된다.First, referring to FIG. 4, an ingot (sapphire) is cut in wafer units, and edge grinding is performed. Then, the entire surface of the wafer is polished (gribded), then heat-treated, and then mirror-polished (CMP) is performed. Thereafter, inspection of the defect of the wafer is performed to complete the manufacturing process of the wafer.

한편, 본 실시예에 따른 웨이퍼 연마장치는 웨이퍼를 연마할 때 활용되는 것으로 도 5를 참조하여 설명하면, 절단된 웨이퍼를 세라믹 디스크에 본딩한 후 디스크를 진공척에 거치하고 진공 흡착한다. 이후, 플랫 어라이너를 이용하여 웨이퍼의 플랫(flat) 존을 정열한 후, 방위각 측정기를 이용하여 웨이퍼의 방위각을 측정한다. The wafer polishing apparatus according to the present embodiment is utilized in polishing a wafer. Referring to FIG. 5, the wafer is bonded to a ceramic disk, and the disk is placed on a vacuum chuck and vacuum adsorbed. Thereafter, the flat zone of the wafer is aligned using a flat aligner, and then the azimuth of the wafer is measured using an azimuth measuring device.

그리고, 방위각 측정 결과 방위각이 틀어져 있는 경우에는, 진공척 및 이에 고정된 웨이퍼을 기울여서 방위각이 올바르게 되도록 각도를 조절한다. 그리고, 웨이퍼의 방위각이 올바르게 조정이 되면, 이 상태에서 웨이퍼를 고정한다(진공척 고정). 그리고, 앞서 설명한 바와 같이 웨이퍼 두께 측정기를 이용하여 웨이퍼의 두께를 측정하고, 이를 통대로 연마량을 산출한다. 이후, 연마기기를 이용하여 웨이퍼를 가공한 후 세정을 실시한다.
참고로, 본 발명에 따른 웨이퍼 연마장치는 진공척, 연마기기, 웨이퍼 두께 측정기, 방위각 측정기 및 구동부와 연결되어 이들을 제어하는 제어부를 더 포함할 수 있으며, 상기한 과정 즉 방위각을 측정하고 측정결과 방위각이 틀어진 경우 구동부를 구동하여 진공척을 기울임으로써 방위각을 올바르게 변경(조정)한 후, 연마기기로 연마하는 과정은 제어부의 제어에 의해 구현된다.If the azimuth angle is deviated as a result of azimuth measurement, the angle of the azimuth is adjusted so that the azimuth angle is correct by tilting the vacuum chuck and the wafer fixed thereon. Then, when the azimuth angle of the wafer is properly adjusted, the wafer is fixed in this state (vacuum chuck fixing). Then, as described above, the thickness of the wafer is measured using a wafer thickness measuring instrument, and the amount of polishing is calculated using the measured thickness. Thereafter, the wafer is processed using a polishing machine and then cleaned.
For reference, the wafer polishing apparatus according to the present invention may further include a vacuum chuck, a polishing apparatus, a wafer thickness measuring apparatus, an azimuth measuring apparatus, and a control unit connected to and controlling the driving unit. The azimuth angle is measured, The operation of driving the driving unit to tilt the vacuum chuck to properly change (adjust) the azimuth angle and then polishing the wafer with a polishing machine is implemented by control of the control unit.

상술한 바와 같이, 본 실시예에 따르면 웨이퍼의 연마 이전에 웨이퍼의 방위각을 측정하고, 필요시(즉, 웨이퍼 절단시 방위각이 틀어진 경우 등)에는 웨이퍼를 기울여 방위각을 변경한 상태에서 연마함으로써, 최종적으로 생산되는 웨이퍼의 방위각을 변경할 수 있다. 따라서, 종래와 같이 웨이퍼의 방위각을 변경하지 못함으로 인해 발생되는 문제점을 해결할 수 있다.As described above, according to the present embodiment, the azimuth angle of the wafer is measured before the wafer is polished, and when the wafer is polished while the azimuth angle is changed by tilting the wafer when necessary (that is, The azimuth angle of the wafer to be produced can be changed. Accordingly, it is possible to solve the problem caused by the failure to change the azimuth angle of the wafer as in the conventional art.

나아가, 최근 들어 웨이퍼를 생산할 때 잉곳 상태로 생산하는 것이 아니라 처음부터 Sheet(웨이퍼 타입) 타입으로 생산하는 EFG 공법이 활용되고 있는데, 본 발명에 따른 웨이퍼 연마장치는 EFG 공법에 의해 생산된 웨이퍼를 연마하는데에도 활용할 수 있다는 장점이 있다.Furthermore, in recent years, the EFG method for producing a sheet (wafer type) type has been utilized instead of producing an ingot state when producing wafers. The wafer polishing apparatus according to the present invention is used for polishing a wafer produced by the EFG method It is advantageous to be able to utilize it.

또한, 웨이퍼의 두께를 정확하게 측정함으로써 연마량을 정확하게 산출한 후 웨이퍼를 연마할 수 있다.Further, the wafer can be polished after accurately calculating the polishing amount by accurately measuring the thickness of the wafer.

또한, 종래와 같은 접촉식 게이지를 사용하지 않으므로, 두께 측정이 부정확하게 이루어지거나, 접촉식 게이지를 자주 교체해주어야 하는 문제가 방지된다.In addition, since conventional contact gauges are not used, problems such as incorrect thickness measurements or frequent replacement of contact gauges are avoided.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상술한 특정의 바람직한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 청구범위 기재의 범위 내에 있게 된다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken by way of limitation in the embodiment in which said invention is directed. It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and detail may be made therein without departing from the scope of the appended claims.

100...웨이퍼 연마장치 10...진공척
20...구동부 30...연마기기
40...방위각 측정기 50...플랫 얼라이너
60...웨이퍼 두께 측정기 61...발광부
62...수광부100 ... wafer polishing apparatus 10 ... vacuum chuck
20 ... driving part 30 ... abrasive machine
40 ... azimuth meter 50 ... flat aligner
60 ... wafer thickness measuring device 61 ... light emitting portion
62 ... light receiving portion

Claims (3)

상면에 웨이퍼가 배치되며, 진공압을 형성하여 상기 웨이퍼를 고정하는 진공척;
상기 웨이퍼의 상방에 회전 가능하게 배치되며, 상기 웨이퍼를 연마하는 연마기기;
상기 웨이퍼의 측면에 배치되며, 상기 웨이퍼의 상면에 대하여 평행한 방향으로 광을 조사하는 발광부와, 상기 발광부에서 조사된 광을 수광하는 수광부를 가지는 웨이퍼 두께 측정기;
상기 웨이퍼의 플랫 존을 정렬하는 플랫 얼라이너;
상기 웨이퍼를 향하여 광을 조사하고, 상기 조사된 광을 분석하여 상기 웨이퍼의 방위각을 측정하는 방위각 측정기;
상기 진공척에 연결되며, 상기 연마기기에 대하여 상기 웨이퍼가 기울여지도록 상기 진공척을 이동시키는 구동부; 및
상기 진공척, 상기 연마기기, 상기 방위각 측정기 및 상기 구동부를 제어하는 제어부;를 포함하며,
상기 발광부와 상기 수광부는 상기 웨이퍼의 두께 방향을 따라 승강가능하게 설치되며,
상기 제어부는 상기 방위각 측정기에서 상기 웨이퍼의 방위각을 측정한 결과 방위각이 틀어진 경우, 상기 구동부를 구동하여 상기 진공척을 기울여 상기 웨이퍼의 방위각을 조정한 후, 상기 연마기기를 통해 상기 웨이퍼를 연마시키는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마장치. A vacuum chuck for placing a wafer on an upper surface thereof and fixing the wafer by forming vacuum pressure;
A polishing device rotatably disposed above the wafer and polishing the wafer;
A wafer thickness gauge having a light emitting portion disposed on a side surface of the wafer and configured to irradiate light in a direction parallel to an upper surface of the wafer and a light receiving portion configured to receive light emitted from the light emitting portion;
A flat aligner for aligning a flat zone of the wafer;
An azimuth angle measuring unit for measuring the azimuth angle of the wafer by irradiating light toward the wafer and analyzing the irradiated light;
A driving unit connected to the vacuum chuck to move the vacuum chuck so that the wafer is inclined with respect to the polishing equipment; And
And a controller for controlling the vacuum chuck, the polishing apparatus, the azimuth meter, and the driving unit,
Wherein the light emitting portion and the light receiving portion are provided so as to be able to move up and down along the thickness direction of the wafer,
The control unit adjusts the azimuth angle of the wafer by tilting the vacuum chuck by driving the driving unit when the azimuth angle of the wafer is measured by the azimuth meter and the wafer is polished through the polishing machine To the wafer polishing apparatus. 삭제delete 삭제delete
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