KR101412659B1 - Smd dome switch of sealed construction - Google Patents

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KR101412659B1
KR101412659B1 KR1020120135044A KR20120135044A KR101412659B1 KR 101412659 B1 KR101412659 B1 KR 101412659B1 KR 1020120135044 A KR1020120135044 A KR 1020120135044A KR 20120135044 A KR20120135044 A KR 20120135044A KR 101412659 B1 KR101412659 B1 KR 101412659B1
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Abstract

본 발명은 이층 동판의 적층 구조상에 비아홀, 에칭 및 도금을 이용하여 스위치 회로부를 구성한 에스엠디용 밀폐형 돔 스위치에 관한 것으로, 접착 기능을 구비한 절연재료의 하판; 상기 하판의 상부에서 이중 동박판과 그 사이의 절연층을 구비한 적층 구조로 이루어지고, 상기 이중 동박판과 절연층의 비아홀, 에칭 및 도금을 이용하여 전기적 회로가 형성되며, 상,하부층 동박판에는 전극이 분할 형성된 스위치 회로부; 상기 스위치 회로부의 상부 중앙에 올려지고, 상부층 동박판 상에서 눌리워져서 전극 연결을 이루는 돔형 누름 스위치; 상기 스위치 회로부의 상부에 올려지고, 중앙에는 돔형 누름 스위치가 위치되는 원형 구멍이 형성된 절연재료의 단턱; 및 상기 단턱의 상부면에 하부면 테두리가 접착 연결되고, 상기 돔형 누름 스위치를 상부에서 밀착하여 에워싸는 절연재료의 커버;를 포함하는 구성으로 이루어진다.
본 발명에 의하면, 밀폐형 구조로 완전 방수는 물론, 클릭감을 향상시킬 수 있고, 제조 공정을 획기적으로 간소화시킬 수 있도록 개선된 우수한 효과를 얻을 수 있다.The present invention relates to a sealed dome switch for an EMI, in which a switch circuit portion is formed by using a via hole, an etching and a plating on a laminated structure of a double-layer copper plate. An upper surface of the upper plate and a lower surface of the upper plate and an insulating layer therebetween at the upper part of the lower plate, and an electrical circuit is formed by using the via hole of the double copper foil and the insulating layer, etching and plating, A switch circuit portion having electrodes formed thereon; A dome type push switch mounted on the upper center of the switch circuit portion and pressed on the upper layer copper thin plate to form an electrode connection; A step of an insulating material which is mounted on an upper portion of the switch circuit portion and has a circular hole in which a dome type push switch is located; And a cover of an insulating material which is adhered and connected to an upper surface of the step at a lower surface and which closely surrounds the dome type push switch at an upper portion thereof.
INDUSTRIAL APPLICABILITY According to the present invention, it is possible to obtain not only excellent waterproofing with an airtight structure, but also an improved excellent effect that can improve the click feeling and greatly simplify the manufacturing process.

Description

에스엠디용 밀폐형 돔 스위치{SMD DOME SWITCH OF SEALED CONSTRUCTION}[0001] SMD DOME SWITCH OF SEALED CONSTRUCTION [0002]

본 발명은 각종 소형 전자기기에 사용되는 돔 스위치에 관한 것으로, 보다 상세히는 이층 동판의 적층 구조상에 비아홀, 에칭 및 도금을 이용하여 스위치 회로부를 구성하고, 스위치 회로부의 상부층 동박판에는 전극을 분할하기 위한 원형 분리홈과, 그 둘레 방사상으로 다수의 직선형 공기 순환홈들을 형성하여 누름 스위치의 눌림 작동시 내부 공간에서 공기 순환을 이루며, 스위치 회로부의 상부에는 원호형 단턱, 누름 스위치 및 커버를 열압착에 의해서 서로 일체로 밀폐형 구조로 부착할 수 있음으로써 밀폐형 구조로 완전 방수는 물론, 클릭감을 향상시킬 수 있고, 제조 공정을 획기적으로 간소화시킬 수 있도록 개선된 에스엠디용 밀폐형 돔 스위치에 관한 것이다.More particularly, the present invention relates to a dome switch used for various small electronic apparatuses, and more particularly to a dome switch used in various small electronic apparatuses in which a switch circuit section is formed by using a via hole, etching and plating on a laminated structure of a double- And a plurality of linear air circulation grooves are formed in the circumferential radial direction so as to circulate air in the inner space in the pressing operation of the push switch, and the arcuate step, the push switch and the cover are thermally compressed The present invention relates to a sealed dome switch for an improved closed-type sealing structure, which is capable of improving not only waterproofing but also clicking feeling, and dramatically simplifying the manufacturing process.

일반적으로 휴대용 통신기기 및 휴대용 테블릿 PC를 포함하는 각종 소형 전자기기에는, 플렉시블한 인쇄배선기판상에 돔형의 누름 스위치를 SMD 방식으로 장착한 돔 스위치(Dome Swith)가 다수 채용되어 있다. 2. Description of the Related Art In general, various small electronic apparatuses including portable communication devices and portable tablet PCs employ a dome switch (Dome Swith) mounted on a flexible printed wiring board by a dome type push switch in an SMD manner.

이러한 종래의 돔 스위치는, 통상적으로 키 패드의 하면에 배치되어 있으며, 가요성이 있는 플렉시블 기판과, 이 플렉시블 기판의 상면부에 형성된 스위치 회로부 및 상기 스위치 회로부의 상부에 배치된 돔형의 누름 스위치와, 상기 누름 스위치를 상부에서 접착 고정하는 시트재를 갖는다. Such a conventional dome switch is usually disposed on a lower surface of a key pad and includes a flexible flexible substrate, a switch circuit portion formed on the upper surface portion of the flexible substrate, and a dome type push switch disposed on the upper portion of the switch circuit portion And a sheet member for adhesively fixing the push switch on the upper portion.

이 시트재는 내부에 누름 스위치를 밀어넣을 때에 양호한 클릭감이 얻어지도록, 누름 스위치의 가동 접점 내부의 공기를 빠져 나가게 하기 위한 공기 구멍이 일측으로 형성되어 있다.This sheet member is formed with one air hole for allowing the air inside the movable contact of the push switch to escape so that a good click feeling can be obtained when the push switch is pushed inside.

따라서, 이와 같은 종래의 돔 스위치는 그 내,외부를 관통 연결하는 공기 구멍을 향성한 개방형의 구조로서 외부로부터 돔 스위치의 내부로 수분이 침투할 가능성이 매우 높은 문제점이 있다.Accordingly, such a conventional dome switch has an open structure directed toward an air hole connecting the inside and the outside of the dome switch, and there is a high possibility that moisture permeates from the outside into the inside of the dome switch.

또한 종래의 돔 스위치는 이미 회로가 설계된 PCB 또는 플렉시블 기판에 돔 스위치를 형성하는 것으로서, 제조 공정상 별도의 PCB 등을 이용하여 회로 설계한 다음, 그 위에 돔형의 누름 스위치와 원호형 단턱 및 커버 등을 형성하는 것이며, 돔 스위치를 제작하는 공정이 복잡한 문제점도 있었다.In addition, a conventional dome switch forms a dome switch on a PCB or a flexible board on which a circuit is already designed. In the manufacturing process, a circuit is designed using a separate PCB or the like, and then a dome type push switch, And the manufacturing process of the dome switch is complicated.

또한 종래의 돔 스위치에서는 누름 스위치의 높이가 원호형 단턱과의 높이 차이가 크게 형성되어 누름 스위치를 눌렀을 때 클릭감이 떨어지고 사용상 불편한 문제점이 있었다. In addition, in the conventional dome switch, the height of the push switch is greatly different from the height of the arc-shaped step, which causes a problem in that the feeling of click is lowered when the push switch is pressed, which is inconvenient in use.

본 발명의 목적은 상기와 같은 종래의 문제점을 해소시키기 위한 것으로서, 누름 스위치의 눌림 작동시 내부 공간에서 공기 순환을 이루면서 누름 스위치의 전기적인 연결이 이루어지도록 함으로써 돔 스위치 전체를 밀폐형 구조로 형성하여 완전 방수를 이루고, 외부 수분의 침투를 효과적으로 방지할 수 있는 에스엠디용 밀폐형 돔 스위치를 제공함에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to solve the above-described problems of the prior art, and it is an object of the present invention to provide a dome switch having an airtight structure, Which is waterproof and effectively prevents penetration of external moisture, is provided.

그리고 본 발명의 다른 목적은 누름 스위치의 높이와 원호형 단턱의 높이 차이를 적절하게 조절하여 누름 스위치의 조작시 클릭감을 안정되게 향상시킬 수 있고, 이층 동판의 적층 구조상에 비아홀, 에칭 및 도금을 이용하여 스위치 회로부를 구성하며, 스위치 회로부의 상부에 원호형 단턱, 누름 스위치 및 커버를 열압착에 의해서 서로 일체로 형성함으로써 제조 공정을 획기적으로 간소화시킬 수 있도록 개선된 에스엠디용 밀폐형 돔 스위치를 제공함에 있다.Another object of the present invention is to properly adjust the height difference between the height of the push switch and the height of the arc-shaped step so as to stably improve the click feeling during operation of the push switch and to use the via hole, etching and plating Thereby forming a switch circuit unit, and an arcuate step, a push switch, and a cover are formed integrally with each other by thermocompression bonding at an upper portion of the switch circuit unit, thereby greatly improving the manufacturing process. .

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 전자기기에 사용되는 돔 스위치에 있어서, According to an aspect of the present invention, there is provided a dome switch used in an electronic device,

접착 기능을 구비한 절연재료의 하판;A lower plate of an insulating material having an adhesive function;

상기 하판의 상부에서 이중 동박판과 그 사이의 절연층을 구비한 적층 구조로 이루어지고, 상기 이중 동박판과 절연층의 비아홀, 에칭 및 도금을 이용하여 전기적 회로가 형성되며, 상,하부층 동박판에는 전극이 분할 형성된 스위치 회로부;An upper surface of the upper plate and a lower surface of the upper plate and an insulating layer therebetween at the upper part of the lower plate, and an electrical circuit is formed by using the via hole of the double copper foil and the insulating layer, etching and plating, A switch circuit portion having electrodes formed thereon;

상기 스위치 회로부의 상부 중앙에 올려지고, 상부층 동박판 상에서 눌리워져서 전극 연결을 이루는 돔형 누름 스위치;A dome type push switch mounted on the upper center of the switch circuit portion and pressed on the upper layer copper thin plate to form an electrode connection;

상기 스위치 회로부의 상부에 올려지고, 중앙에는 돔형 누름 스위치가 위치되는 원형 구멍이 형성된 절연재료의 단턱; 및A step of an insulating material which is mounted on an upper portion of the switch circuit portion and has a circular hole in which a dome type push switch is located; And

상기 단턱의 상부면에 하부면 테두리가 접착 연결되고, 상기 돔형 누름 스위치를 상부에서 밀착하여 에워싸는 절연재료의 커버;를 포함하여, 상기 누름 스위치의 눌림 작동시, 상기 스위치 회로부의 상부층 동박판, 단턱 및 커버들이 형성하는 내측 공간 내부에서 공기 순환이 이루어져서 밀폐형 구조를 이루는 에스엠디용 밀폐형 돔 스위치를 제공한다.And a cover of an insulating material which is adhered and connected to an upper surface of the step at the upper surface by closely adhering the dome type push switch at an upper portion of the upper surface of the switch circuit portion during a pressing operation of the push switch, And an air space formed inside the inner space formed by the covers, thereby forming a sealed structure.

그리고 본 발명은 바람직하게는, 상기 스위치 회로부는 상부층 동박판과 절연층이 일체로 형성된 것과, 하부층 동박판을 각각 분리하여 마련하고, 상기 상부층 동박판에는 중앙에 복수의 제1 비아홀을, 양외측 모서리에는 각각 제2 비아홀을 절연층까지 관통하도록 형성하며, 상기 절연층 하부면에 하부층 동박판을 열접착하고, 상기 상부층 동박판은 상부 제1 전극과 상부 제2 전극으로 분할하기 위한 원형 분리홈 및, 그 둘레 방사상으로 다수의 직선형 공기 순환홈들을 에칭작업으로 형성하며, 상기 하부층 동박판에는 하부 제1 전극과 하부 제2 전극으로 분할하기 위한 호형 홈을 에칭으로 형성하고, 상기 제1 및 제2 비아홀들을 도금작업하여 상부층 동박판의 상부 제1 전극은 복수의 제1 비아홀들을 통하여 하부층 동박판의 하부 제1 전극에 전기적으로 연결되고, 상부층 동박판의 상부 제2 전극은 복수의 제2 비아홀들을 통하여 하부층 동박판의 하부 제2 전극에 전기적으로 연결되도록 구성된 에스엠디용 밀폐형 돔 스위치를 제공한다.Preferably, in the switch circuit portion, the upper layer copper thin plate and the insulating layer are integrally formed and the lower layer copper thin plate is separately provided. In the upper copper thin plate, a plurality of first via holes are formed at the center, And the upper layer copper foil is provided with a circular separating groove for dividing the upper first electrode and the upper second electrode into the upper first electrode and the upper second electrode, And a plurality of linear air circulation grooves are formed in the circumferential radial direction by an etching operation, wherein arc-shaped grooves for dividing the lower first electrode and the lower second electrode into grooves are etched in the lower-layer copper thin plate, The first upper electrode of the upper layer copper foil is electrically connected to the lower first electrode of the lower layer copper foil through the plurality of first via holes, And the upper second electrode of the upper layer copper foil is electrically connected to the lower second electrode of the lower layer copper foil through the plurality of second via holes.

또한 본 발명은 바람직하게는, 상기 스위치 회로부는 상,하부층 동박판들이 절연층을 매개로 서로 일체로 형성된 것을 마련하고, 상기 상,하부층 동박판에는 중앙에 복수의 제1 비아홀을, 양외측 모서리에는 각각 제2 비아홀을 관통하도록 형성하며, 상기 상부층 동박판은 상부 제1 전극과 상부 제2 전극으로 분할하기 위한 원형 분리홈 및, 그 둘레 방사상으로 다수의 직선형 공기 순환홈들을 에칭작업으로 형성하며, 상기 하부층 동박판에는 하부 제1 전극과 하부 제2 전극으로 분할하기 위한 호형 홈을 에칭으로 형성하고, 상기 제1 및 제2 비아홀들을 도금작업하여 상부층 동박판의 상부 제1 전극은 복수의 제1 비아홀들을 통하여 하부층 동박판의 하부 제1 전극에 전기적으로 연결되고, 상부층 동박판의 상부 제2 전극은 복수의 제2 비아홀들을 통하여 하부층 동박판의 하부 제2 전극에 전기적으로 연결되도록 구성된 에스엠디용 밀폐형 돔 스위치를 제공한다.Preferably, in the switch circuit portion, the upper and lower copper foils are formed integrally with each other via an insulating layer, and the upper and lower copper foils are provided with a plurality of first via holes at the center, And the upper layer copper foil is formed by a circular separation groove for dividing into an upper first electrode and an upper second electrode and a plurality of linear air circulation grooves by the circumferential radial direction by etching The arc-shaped grooves for dividing the lower first electrode and the lower second electrode into the lower layer copper foil are formed by etching, and the upper and lower first electrodes of the upper layer copper foil are plated by a plurality of The first upper electrode of the upper copper foil is electrically connected to the lower first electrode of the lower copper foil through the first via holes, It provides eseuemdi closed dome switch are configured so as to be electrically connected to the lower electrode of the second copper foil layer.

그리고 본 발명은 바람직하게는, 상기 스위치 회로부는 상부층 동박판에 형성된 원형 분리홈과 다수의 직선형 공기 순환홈들의 외경이 돔형 누름 스위치의 외경보다 크게 형성되고, 상기 단턱의 원형 구멍에 일치하는 크기로 이루어지며, 상기 원형 분리홈의 직경은 돔형 누름 스위치의 외경보다 작게 형성되어 돔형 누름 스위치의 내측에 위치되는 에스엠디용 밀폐형 돔 스위치를 제공한다.Preferably, the switch circuit portion is formed such that the outer diameter of the circular separation groove formed in the upper layer copper thin plate and the plurality of linear air circulation grooves is larger than the outer diameter of the dome type push switch, And the diameter of the circular separation groove is formed to be smaller than the outer diameter of the dome type push switch so as to be located inside the dome type push switch.

또한 본 발명은 바람직하게는, 상기 스위치 회로부는 누름 스위치가 상부로부터 눌리워지면, 누름 스위치 하부측 공간내의 공기는 상기 다수의 직선형 공기 순환홈들을 통하여 누름 스위치 상부측 공간으로 이동하고, 누름 스위치는 상부층 동박판의 상부 제1 전극과 상부 제2 전극을 전기적으로 연결시켜 온(ON) 상태를 이루며, 상기 누름 스위치의 누름 상태가 해제되어 누름 스위치의 탄성 복원력으로 그 형상이 회복되면, 누름 스위치 하부측 공간은 부압을 형성하여 다수의 직선형 공기 순환홈들을 통하여 누름 스위치 상부측 공간의 공기를 누름 스위치의 하부측 공간으로 복귀이동시키며, 누름 스위치는 상부층 동박판의 상부 제1 전극과 상부 제2 전극을 전기적으로 단절시켜 오프(Off) 상태를 이루는 에스엠디용 밀폐형 돔 스위치를 제공한다.Preferably, in the present invention, when the push switch is pressed from above, the air in the lower space of the push switch moves to the space above the push switch through the plurality of linear air circulation grooves, and the push switch The upper first electrode of the upper layer copper plate and the upper second electrode are electrically connected to each other, and when the pressing state of the pressing switch is released and the shape of the pressing switch is recovered by the elastic restoring force of the pressing switch, The space in the side space forms a negative pressure to return the air in the upper space of the push switch to the space on the lower side of the push switch through the plurality of linear air circulation grooves, and the push switch moves the upper first electrode of the upper layer copper thin plate, To provide an enclosed type dome switch for an EMI.

그리고 본 발명은 바람직하게는, 상기 스위치 회로부는 상,하부층 동박판의 사방 모서리가 추가적으로 에칭처리되어 하판, 절연층 및 단턱의 테두리 내측으로 각각 일정 깊이의 절단부를 형성함으로써 외부로의 테두리 노출을 방지하여 부식을 방지하도록 구성된 에스엠디용 밀폐형 돔 스위치를 제공한다.Preferably, the switch circuit portion is formed by further etching the four corners of the upper and lower copper foil to form a cut portion having a predetermined depth inside the edge of the lower plate, the insulating layer, and the step, thereby preventing the edge exposure to the outside To provide a sealed dome switch for an EMI.

또한 본 발명은 바람직하게는, 상기 스위치 회로부는 제1 및 제2 비아홀의 도금작업시, 상부층 동박판의 상부 제2 전극 테두리를 하부층 동박판의 하부 제2 전극 테두리에 전기적으로 연결하도록 도금처리하여 복수의 제2 비아홀의 가공 영역 부족시, 복수의 제2 비아홀을 대신하도록 구성된 에스엠디용 밀폐형 돔 스위치를 제공한다.Preferably, in the plating circuit operation of the first and second via holes, the switch circuit portion is plated so that the upper second electrode rim of the upper layer copper thin plate is electrically connected to the lower second electrode rim of the lower layer copper thin plate Provided is a closed type dome switch for an MML that is configured to replace a plurality of second via holes when a processing area of a plurality of second via holes is insufficient.

그리고 본 발명은 바람직하게는, 상기 단턱의 높이는 돔형 누름 스위치의 높이에 비해 60~100%의 높이를 유지함으로써, 누름 스위치의 누름작동시 사방 테두리부의 가이드 역활을 하고, 그 상부에 커버의 가열 압착성형시 누름 스위치에 과도한 하중이 가해지는 것을 방지하는 스토퍼로서 기능하는 에스엠디용 밀폐형 돔 스위치를 제공한다.Preferably, the step height of the stepped portion is 60 to 100% higher than the height of the dome type push switch, thereby acting as a guide for the four sides of the push switch during the pushing operation of the push switch, A sealed dome switch for an EMI functioning as a stopper for preventing an excessive load from being applied to a push switch during molding is provided.

또는 본 발명은 바람직하게는, 상기 단턱의 높이는 돔형 누름 스위치의 높이에 비해 100%의 높이로 이루어진 에스엠디용 밀폐형 돔 스위치를 제공한다.Alternatively, the present invention is preferably such that the height of the step is 100% higher than the height of the dome push switch.

그리고 본 발명은 바람직하게는, 상기 하판, 스위치 회로부, 단턱 및 커버들은 모두 가열 압착성형을 통하여 밀봉가능하게 접착되고, 상기 스위치 회로부는 상부 제1 전극, 복수의 제1 비아홀들 및 하부 제1 전극들이 양극(+)을 형성하고, 상부 제2 전극, 복수의 제2 비아홀 및 하부 제2 전극들이 음극(-)을 형성하거나, 그 반대로 전극을 형성한 에스엠디용 밀폐형 돔 스위치를 제공한다.Preferably, the lower plate, the switch circuit portion, the step, and the cover are all sealably adhered via heat-press molding, and the switch circuit portion includes an upper first electrode, a plurality of first via holes and a lower first electrode And the second upper electrode, the second via hole, and the lower second electrode form a negative (-) electrode, or vice versa.

본 발명에 의한 에스엠디용 밀폐형 돔 스위치에 의하면, 하판, 스위치 회로부, 단턱 및 커버들은 모두 가열 압착성형을 통하여 밀봉가능하게 접착되고, 누름 스위치가 눌리워지면, 누름 스위치 하부측 공간내의 공기는 상기 다수의 직선형 공기 순환홈들을 통하여 누름 스위치 상부측 공간으로 이동하고, 누름 스위치의 누름 상태가 해제되면, 누름 스위치 상부측 공간의 공기를 누름 스위치의 하부측 공간으로 복귀이동시킨다. According to the sealed closed type dome switch according to the present invention, the lower plate, the switch circuit portion, the stepped portion and the covers are all sealably adhered through the hot press forming, and when the push switch is pressed down, The air in the upper side space of the push switch is moved back to the lower side space of the push switch when the depression state of the push switch is released.

따라서 본 발명은 누름 스위치의 눌림 작동시 내부 공간에서 공기 순환을 이루면서 누름 스위치의 전기적인 연결이 이루어지도록 함으로써 돔 스위치 전체를 밀폐형 구조로 형성하여 완전 방수를 이루고, 외부 수분의 침투를 효과적으로 방지할 수 있다.Accordingly, in the present invention, the pressure switch is electrically connected while circulating air in the internal space during the pressing operation of the push switch, thereby forming a sealed structure of the entire dome switch, thereby achieving complete waterproofing and effectively preventing infiltration of external moisture have.

그리고 본 발명에 의한 에스엠디용 밀폐형 돔 스위치에 의하면, 단턱의 높이가 돔형 누름 스위치의 높이에 비해 60~100%의 높이를 유지하고, 바람직하게는 돔형 누름 스위치의 높이에 비해 100%의 높이로 이루어진 것이어서, 누름 스위치의 조작시 클릭감을 안정되게 향상시킬 수 있다.According to the closed dome switch for the MMP according to the present invention, the height of the step is maintained at 60 to 100% of the height of the dome type push switch, and preferably at 100% of the height of the dome type push switch So that it is possible to stably improve the feeling of clicking at the time of operating the push switch.

뿐만 아니라, 본 발명에 의한 에스엠디용 밀폐형 돔 스위치에 의하면, 이층 동판의 적층 구조상에 비아홀, 에칭 및 도금을 이용하여 스위치 회로부를 구성하고, 스위치 회로부의 상부에 원호형 단턱, 누름 스위치 및 커버를, P.I(Polyimide) 필름을 이용한 열압착에 의해서 서로 일체로 밀봉가능하게 형성함으로써 제조 공정을 획기적으로 간소화시킬 수 있는 우수한 효과를 얻을 수 있다.In addition, according to the sealed type dome switch for the MMP according to the present invention, the switch circuit portion is formed by using the via hole, etching and plating on the laminated structure of the double-layer copper plate, and the arcuate step, push switch, It is possible to obtain an excellent effect that the manufacturing process can be greatly simplified by integrally sealing each other by thermocompression bonding using a PI (polyimide) film.

도 1은 본 발명에 따른 에스엠디용 밀폐형 돔 스위치에서 A 타입의 스위치 회로부를 구비한 구조의 분해 사시도이다.
도 2는 본 발명에 따른 에스엠디용 밀폐형 돔 스위치에서 B 타입의 스위치 회로부를 구비한 구조의 분해 사시도이다.
도 3a는 본 발명에 따른 에스엠디용 밀폐형 돔 스위치에서 A 타입의 스위치 회로부를 구비한 구조의 결합 단면도이다.
도 3b는 본 발명에 따른 에스엠디용 밀폐형 돔 스위치에서 B 타입의 스위치 회로부를 구비한 구조의 결합 단면도이다.
도 4는 본 발명에 따른 에스엠디용 밀폐형 돔 스위치에 구비된 각 구성품들을 각각 분해하여 도시한 평면도이다.
도 5a는 본 발명에 따른 에스엠디용 밀폐형 돔 스위치에 구비된 단턱의 내부 원형 구멍에 돔형 누름 스위치가 구비된 구조를 도시한 평면도이다.
도 5b는 본 발명에 따른 에스엠디용 밀폐형 돔 스위치에 구비된 단턱의 원형 구멍 크기, 돔형 누름 스위치의 외경 크기, 원형 분리홈 및 다수의 직선형 공기 순환홈들의 외경 크기, 및 원형 분리홈의 외경 크기 등의 상관 관계를 도시한 평면도이다.
도 6a는 본 발명에 따른 에스엠디용 밀폐형 돔 스위치에 구비된 누름 스위치가 눌려져서, 공기가 누름 스위치의 하부측 공간으로부터 상부측 공간으로 이동하는 동작을 설명한 단면도이다.
도 6b는 본 발명에 따른 에스엠디용 밀폐형 돔 스위치에 구비된 누름 스위치의 누름상태가 해제되어 공기가 누름 스위치의 상부측 공간으로부터 하부측 공간으로 이동하는 동작을 설명한 단면도이다.1 is an exploded perspective view of a structure including an A type switch circuit portion in a sealed dome switch for an MMS according to the present invention.
2 is an exploded perspective view of a structure including a B type switch circuit portion in a sealed dome switch for an MMS according to the present invention.
3A is an assembled cross-sectional view of a structure including an A type switch circuit portion in a sealed dome switch for an MMS according to the present invention.
FIG. 3B is a cross-sectional view illustrating a structure of a closed type dome switch for an MMP according to the present invention, including a switch circuit of a B type.
FIG. 4 is a top view illustrating the respective components of the sealed type dome switch for an MMS according to the present invention in exploded view.
5A is a plan view showing a structure in which a dome type push switch is provided in a stepped inner circular hole provided in a sealed dome switch for an MMS according to the present invention.
FIG. 5B is a graph showing the relationship between the size of the circular hole of the step, the size of the outer diameter of the dome type push switch, the size of the outer diameter of the circular separation grooves and the plurality of linear air circulation grooves, As shown in Fig.
FIG. 6A is a cross-sectional view illustrating an operation in which the push switch provided on the sealed type dome switch according to the present invention is pushed to move the air from the lower side space of the push switch to the upper side space.
6B is a cross-sectional view illustrating the movement of the air from the upper side space of the push switch to the lower side space by releasing the depressed state of the push switch provided in the sealed dome switch for the MMS according to the present invention.

이하, 본 발명의 바람직한 실시 예를 도면을 참조하여 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

본 발명에 따른 에스엠디용 밀폐형 돔 스위치(100)는 도 1에 전체적으로 도시된 바와 같이, 접착 기능을 구비한 절연재료의 하판(110)을 포함한다.The closed dome switch 100 for an EMI according to the present invention includes a lower plate 110 of an insulating material having an adhesive function as shown in FIG.

이와 같은 하판(110)은 절연재료로 이루어진 것으로서, 예를 들면 접착기능을 구비한 P.I(Polyimide) 필름, 또는 PSR(Photo Solder Resist) 인쇄에 의한 절연막 등으로 이루어질 수 있다.The lower substrate 110 is made of an insulating material, and may be formed of, for example, a polyimide film having an adhesive function or an insulating film formed by PSR (Photo Solder Resist) printing.

그리고 본 발명은 상기 하판(110)의 상부에서 이중 동박판(130,150)과 그 사이의 절연층(140)을 구비한 적층 구조로 이루어지고, 상기 이중 동박판(130,150)과 절연층(140)의 비아홀, 에칭 및 도금을 이용하여 전기적 회로가 형성되며, 상,하부층 동박판(130,150)에는 전극이 분할 형성된 스위치 회로부(120)를 구비한다.The present invention has a laminated structure including the double copper foils 130 and 150 and the insulating layer 140 therebetween at the upper part of the lower plate 110. The double copper foils 130 and 150 and the insulating layer 140 An electrical circuit is formed by using a via hole, etching, and plating, and the switch circuit portion 120 having the electrodes divided into the upper and lower copper foils 130 and 150 is provided.

이와 같은 스위치 회로부(120)는, 도 1 및 도 3A에 도시된 바와 같은 A 타입과, 도 2 및 도 3B에 도시된 바와 같은 B 타입으로 이루어질 수 있다.Such a switch circuit portion 120 may be of the A type as shown in Figs. 1 and 3A and the B type as shown in Figs. 2 and 3B.

상기 A 타입은 상부층 동박판(130)과 절연층(140)이 일체로 형성된 것과, 하부층 동박판(150)을 각각 분리하여 마련된 구조이다.The A type is a structure in which the upper layer copper foil 130 and the insulating layer 140 are integrally formed and the lower layer copper foil 150 is separately formed.

이와 같은 A 타입의 스위치 회로부(120)는 상부층 동박판(130)에는 중앙에 복수의 제1 비아홀(132a,132b)을 형성하고, 양외측 모서리에는 각각 제2 비아홀(134a,134b)을 형성하는데, 이와 같은 비아홀(132a,132b)(134a,134b)을 상부층 동박판(130)과 절연층(140)까지 관통하는 구멍으로 형성된다.The A type switch circuit unit 120 includes a plurality of first via holes 132a and 132b formed at the center of the upper layer copper foil 130 and second via holes 134a and 134b formed at both outer corners thereof And holes such as the via holes 132a and 132b (134a and 134b) passing through the upper layer copper foil 130 and the insulating layer 140 are formed.

이와 같은 A 타입의 스위치 회로부(120)는 도 3A에 도시된 바와 같이, 절연층(140)의 하부면에 하부층 동박판(150)을 열접착하고, 상기 상부층 동박판(130)은 도 1 및 도 4에 도시된 바와 같이, 상부 제1 전극(136a)과 상부 제2 전극(136b)으로 분할하기 위한 원형 분리홈(138a) 및, 그 둘레 방사상으로 다수의 직선형 공기 순환홈(138b)들을 에칭작업으로 형성한 것이다.As shown in FIG. 3A, the A-type switch circuit unit 120 thermally adheres the lower layer copper foil 150 to the lower surface of the insulating layer 140, 4, a circular separation groove 138a for dividing the upper first electrode 136a into an upper second electrode 136b and a plurality of linear air circulation grooves 138b in a circumferential direction thereof are etched .

또한 상기 하부층 동박판(150)에는 하부 제1 전극(152a)과 하부 제2 전극(152b)으로 분할하기 위한 호형 홈(154)을 에칭으로 형성하고, 상기 제1 및 제2 비아홀(132a,132b)(134a,134b)들을 도 3A에 도시된 바와 같이, 도금처리한다.The arcuate grooves 154 for dividing the lower first electrode 152a and the lower second electrode 152b into the lower layer copper foil 150 are formed by etching and the first and second via holes 132a and 132b ) 134a and 134b, as shown in FIG. 3A.

이와 같은 제1 및 제2 비아홀(132a,132b)(134a,134b)들과 도금 처리에 의하여 상부층 동박판(130)의 상부 제1 전극(136a)은 복수의 제1 비아홀(132a,132b)들을 통하여 하부층 동박판(150)의 하부 제1 전극(152a)에 전기적으로 연결되고, 상부층 동박판(130)의 상부 제2 전극(136b)은 복수의 제2 비아홀(134a,134b)들을 통하여 하부층 동박판(150)의 하부 제2 전극(152b)에 전기적으로 연결되는 구조로 이루어진다.The upper first electrode 136a of the upper layer copper foil 130 by plating with the first and second via holes 132a and 132b 134a and 134b is electrically connected to the plurality of first via holes 132a and 132b And the upper second electrode 136b of the upper movable copper foil 130 is electrically connected to the lower first electrode 152a of the lower movable copper foil 150 through the plurality of second via holes 134a and 134b, And is electrically connected to the lower second electrode 152b of the thin plate 150.

한편, 이와 같은 A 타입의 스위치 회로부(120)는, 도 2 및 도 3B에 도시된 바와 같은 B 타입의 스위치 회로부(120)로 대체될 수 있다.The A-type switch circuit portion 120 may be replaced with a B-type switch circuit portion 120 as shown in FIGS. 2 and 3B.

이와 같은 B 타입의 스위치 회로부(120)는 A 타입의 스위치 회로부(120)의 서로 일체로 형성된 상부층 동박판(130)및 절연층(140)과 이와는 분리된 하부층 동박판(150)과는 다르게, 상,하부층 동박판(130,150)들이 절연층(140), 예를 들면 P.I 필름으로 이루어진 절연층(140)을 매개로 서로 일체로 형성된 것이 다르다.The B type switch circuit unit 120 is different from the upper layer copper plate 130 and the insulating layer 140 integrally formed with the A type switch circuit unit 120 and the lower layer copper plate 150 separated from the upper layer copper plate 130 and the insulating layer 140, Upper and lower copper foils 130 and 150 are formed integrally with each other via an insulating layer 140, for example, an insulating layer 140 made of a PI film.

즉, B 타입의 스위치 회로부(120)는 A 타입의 스위치 회로부(120)에서 절연층(140)의 하부면에 하부층 동박판(150)을 열접착시키는 공정을 생략할 수 있는 것으로서, 도 3B에 도시된 바와 같이, 하부층 동박판(150)에는 중앙에 복수의 제1 비아홀(132a,132b)을, 양외측 모서리에는 각각 제2 비아홀(134a,134b)을 관통하도록 형성한다.That is, the B type switch circuit portion 120 can omit the step of thermally bonding the lower layer copper foil 150 to the lower surface of the insulating layer 140 in the A type switch circuit portion 120, As shown in the figure, the lower layer copper foil 150 is formed with a plurality of first via holes 132a and 132b at the center and second via holes 134a and 134b at both outer corners, respectively.

그리고 상기 상부층 동박판(130)은 상부 제1 전극(136a)과 상부 제2 전극(136b)으로 분할하기 위한 원형 분리홈(138a) 및, 그 둘레 방사상으로 다수의 직선형 공기 순환홈(138b)들을 에칭작업으로 형성하며, 상기 하부층 동박판(150)에는 하부 제1 전극(152a)과 하부 제2 전극(152b)으로 분할하기 위한 호형 홈(154)을 에칭으로 형성한다. 이와 같은 결합 구조는 A 타입의 스위치 회로부(120)의 구성과 동일하다.The upper layer copper foil 130 includes a circular separation groove 138a for dividing the upper first electrode 136a and the upper second electrode 136b and a plurality of linear air circulation grooves 138b And an arc-shaped groove 154 for dividing the lower first electrode 152a and the lower second electrode 152b is formed in the lower-layer copper foil 150 by etching. Such a coupling structure is the same as the configuration of the A-type switch circuit section 120.

또한, B 타입의 스위치 회로부(120)는 제1 및 제2 비아홀(132a,132b)(134a,134b)들을 도금작업하는 데, 이와 같은 도금 작업은 상,하부층 동박판(130,150)들과 절연층(140)을 걸쳐서 이루어지고, 결과적으로 상부층 동박판(130)의 상부 제1 전극(136a)은 복수의 제1 비아홀(132a,132b)들을 통하여 하부층 동박판(150)의 하부 제1 전극(152a)에 전기적으로 연결되고, 상부층 동박판(130)의 상부 제2 전극(136b)은 복수의 제2 비아홀(134a,134b)들을 통하여 하부층 동박판(150)의 하부 제2 전극(152b)에 전기적으로 연결되는 것이다.The B type switch circuit unit 120 performs the plating operation on the first and second via holes 132a and 132b 134a and 134b and the plating operation is performed on the upper and lower copper foils 130 and 150, The upper first electrode 136a of the upper layer copper foil 130 is electrically connected to the lower first electrode 152a of the lower layer copper foil 150 through the plurality of first via holes 132a and 132b, And the upper second electrode 136b of the upper layer copper foil 130 is electrically connected to the lower second electrode 152b of the lower layer copper foil 150 through a plurality of second via holes 134a and 134b .

따라서, A 타입의 스위치 회로부(120)와 B 타입의 스위치 회로부(120)의 결합구조는 그 준비 공정이 다소 상이한 차이가 있다는 것을 제외하고는 서로 동일한 것이다.Therefore, the coupling structure of the A-type switching circuit portion 120 and the B-type switching circuit portion 120 is the same, except that the preparation process is slightly different.

그리고 본 발명에 따른 에스엠디용 밀폐형 돔 스위치(100)는, 스위치 회로부(120)의 상부 중앙에 올려지고, 상부층 동박판(130) 상에서 눌리워져서 전극 연결을 이루는 돔형 누름 스위치(160)를 갖는다.The closed dome switch 100 for an MP3 according to the present invention has a dome type push switch 160 mounted on the upper center of the switch circuit part 120 and pressed on the upper layer copper foil 130 to form an electrode connection.

이와 같은 누름 스위치(160)는 돔(Dome)형 구조로 이루어진 것으로서, 그 외경 크기는 이후에 설명되는 바와 같이, 스위치 회로부(120)의 상부층 동박판(130)에 형성된 원형 분리홈(138a)과 다수의 직선형 공기 순환홈(138b)들의 외경 및 단턱(170)의 원형 구멍(172)보다 작게 형성된다. 그렇지만, 상기 원형 분리홈(138a)의 직경 보다는 크게 형성되어 돔형 누름 스위치(160)의 내측에 원형 분리홈(138a)을 위치시킨다(도 5b 참조).The push switch 160 has a dome-type structure. The push switch 160 has a circular separation groove 138a formed in the upper layer copper plate 130 of the switch circuit portion 120, The outer diameter of the plurality of straight air circulation grooves 138b and the circular hole 172 of the step 170 are smaller. However, the diameter of the circular separation groove 138a is larger than the diameter of the circular separation groove 138a, and the circular separation groove 138a is located inside the dome push switch 160 (see FIG. 5B).

또한 본 발명에 따른 에스엠디용 밀폐형 돔 스위치(100)는, 상기 스위치 회로부(120)의 상부에 올려지고, 중앙에는 돔형 누름 스위치(160)가 위치되는 원형 구멍(172)이 형성된 절연재료의 단턱(170)을 구비한다.A closed dome switch 100 for an MMP according to the present invention is mounted on an upper portion of the switch circuit portion 120 and has a circular hole 172 in which a dome- 170).

이와 같은 단턱(170)은 예를 들면 P.I 필름으로 이루어진 절연재료로 이루어진 것으로서, 그 내측에는 돔형 누름 스위치(160)가 위치되는 원형 구멍(172)이 형성된 것이다.The step 170 is formed of, for example, an insulating material made of a P.I. film, and has a circular hole 172 in which the dome type push switch 160 is located.

이와 같은 단턱(170)의 원형 구멍(172)은, 도 5a에 도시된 바와 같이, 돔형 누름 스위치(160)의 외경보다 다소 크게 형성된 것으로서, 원형 구멍(172)내에 쉽게 위치될 수 있다.The circular hole 172 of the step 170 is formed slightly larger than the outer diameter of the dome push switch 160 as shown in Fig. 5A, and can be easily positioned in the circular hole 172. Fig.

그리고 이와 같은 단턱(170)은 그 높이(h1)가 도 6a에 도시된 바와 같이, 돔형 누름 스위치(160)의 높이(h2)에 비해 60~100%의 높이를 유지하고, 가장 바람직하게는 돔형 누름 스위치(160)의 높이(h2)에 비해 100%의 높이로 이루어진 것이어서, 누름 스위치(160)의 누름작동시 사방 테두리부의 가이드 역활을 하고, 그 상부에 커버(180)의 가열 압착성형시, 누름 스위치(160)에 과도한 하중이 가해지는 것을 방지하는 스토퍼로서 기능하게 된다.As shown in FIG. 6A, the height h1 of the step 170 is 60 to 100% higher than the height h2 of the dome type push switch 160, and most preferably, The height of the push switch 160 is 100% higher than the height h2 of the push switch 160. When the push switch 160 is pressed, Thereby functioning as a stopper for preventing an excessive load from being applied to the push switch 160.

그리고 본 발명에 따른 에스엠디용 밀폐형 돔 스위치(100)는 상기 단턱(170)의 상부면에 하부면 테두리가 접착 연결되고, 상기 돔형 누름 스위치(160)를 상부에서 밀착하여 에워싸는 절연재료의 커버(180)를 포함하는데, 그 커버(180)는 예컨대 P.I 필름으로 이루어진 가요성의 절연재료로 이루어져 있다. The closed dome switch 100 according to the present invention has a lower surface rim connected to the upper surface of the step 170 and a cover 180 of an insulating material which closely surrounds the dome- , And the cover 180 is made of a flexible insulating material made of, for example, a PI film.

상기와 같이 구성된 본 발명에 따른 에스엠디용 밀폐형 돔 스위치(100)는 상기 하판(110), 스위치 회로부(120), 단턱(170) 및 커버(180)들이 모두 가열 압착성형을 통하여 밀봉가능하게 접착되어 밀폐형으로 결합된다.In the sealed type dome switch 100 according to the present invention configured as described above, the lower plate 110, the switch circuit portion 120, the step 170 and the cover 180 are all sealably bonded through the hot press forming process Tightly coupled.

그리고 이와 같이 일체로 결합되면, 상기 스위치 회로부(120)는 상부 제1 전극(136a), 복수의 제1 비아홀(132a,132b)들 및 하부 제1 전극(152a)들이 양극(+)을 형성하고, 상부 제2 전극(136b), 복수의 제2 비아홀(134a,134b) 및 하부 제2 전극(152b)들이 음극(-)을 형성하거나, 그 반대로 상부 제1 전극(136a), 복수의 제1 비아홀(132a,132b)들 및 하부 제1 전극(152a)들이 음극(-)을 형성하고, 상부 제2 전극(136b), 복수의 제2 비아홀(134a,134b) 및 하부 제2 전극(152b)들이 양극(+)을 형성할 수 있다.When the first electrode 136a is integrally coupled, the switch circuit portion 120 forms the positive electrode (+) by the upper first electrode 136a, the plurality of first via holes 132a and 132b and the lower first electrode 152a The upper second electrode 136b, the plurality of second via holes 134a and 134b and the lower second electrode 152b form the negative electrode (-), or conversely, the upper first electrode 136a, The via holes 132a and 132b and the lower first electrode 152a form the negative electrode and the upper second electrode 136b, the plurality of second via holes 134a and 134b, and the lower second electrode 152b. Can form the positive electrode (+).

그리고 이와 같은 상태에서 도 6a에 점선으로 도시된 바와 같이, 상기 누름 스위치(160)가 눌리워지면, 상기 스위치 회로부(120)의 상부층 동박판(130), 단턱(170) 및 커버(180)들이 형성하는 내측 공간 내부에서 공기 순환이 이루어져서 밀폐형 구조를 이루게 된다.6A, when the push switch 160 is depressed, the upper thin copper plate 130, the step 170, and the covers 180 of the switch circuit portion 120 Air circulation is performed inside the inner space to form a closed structure.

이와 같은 밀폐형 구조는 스위치 회로부(120)의 상부층 동박판(130)에 형성된 원형 분리홈(138a)과 다수의 직선형 공기 순환홈(138b)들의 외경이, 도 5b에 도시된 바와 같이, 돔형 누름 스위치(160)의 외경보다 크게 형성되고, 상기 단턱(170)의 원형 구멍(172)에 일치하는 크기로 이루어진 것이어서, 누름 스위치(160)가 상부로부터 눌리워지면, 누름 스위치(160)의 하부측 공간(S1)내의 공기는 상기 다수의 직선형 공기 순환홈(138b)들을 통하여 누름 스위치(160)의 상부측 공간(S2)으로 이동한다.5B, the outer diameter of the circular separation groove 138a formed in the upper layer copper sheet 130 of the switch circuit portion 120 and the plurality of straight air circulation grooves 138b is larger than the outer diameter of the dome- The push switch 160 is formed to be larger than the outer diameter of the push switch 160 and has a size corresponding to the circular hole 172 of the step 170. When the push switch 160 is pushed from the upper side, The air in the space S1 moves to the space S2 on the upper side of the push switch 160 through the plurality of linear air circulation grooves 138b.

그리고 이와 같은 누름 상태에서, 상기 누름 스위치(160)는 상부층 동박판(130)의 상부 제1 전극(136a)과 상부 제2 전극(136b)을 전기적으로 연결시켜 온(ON) 상태를 이룬다.In this state, the push switch 160 is turned on by electrically connecting the upper first electrode 136a and the upper second electrode 136b of the upper-layer copper thin plate 130 to each other.

또한 상기와는 다르게, 도 6b에 도시된 바와 같이, 상기 누름 스위치(160)의 누름 상태가 해제되어 누름 스위치(160)의 탄성 복원력으로 그 형상이 회복되면, 누름 스위치(160)의 하부측 공간(S1)은 부압을 형성하여 다수의 직선형 공기 순환홈(138b)들을 통하여 누름 스위치(160)의 상부측 공간(S2)의 공기를 누름 스위치(160)의 하부측 공간(S1)으로 복귀이동시킨다.6B, when the pressing state of the pressing switch 160 is released and the shape of the pressing switch 160 is restored by the elastic restoring force of the pressing switch 160, The valve S1 forms a negative pressure to return the air in the space S2 on the upper side of the push switch 160 to the space S1 on the lower side of the push switch 160 through the plurality of linear air circulation grooves 138b .

또한, 이와 같은 누름 해제상태에서, 상기 누름 스위치(160)는 상부층 동박판(130)의 상부 제1 전극(136a)과 상부 제2 전극(136b)을 전기적으로 단절시켜 오프(Off) 상태를 이룬다.In the depressed state, the push switch 160 is turned off by electrically disconnecting the upper first electrode 136a and the upper second electrode 136b of the upper layer copper foil 130 .

상기와 같이 본 발명에 의한 에스엠디용 밀폐형 돔 스위치(100)에 의하면, 하판(110), 스위치 회로부(120), 단턱(170) 및 커버(180)들은 모두 가열 압착성형을 통하여 밀봉가능하게 필폐형 구조로 접착된 상태에서, 누름 스위치(160)가 눌리워지면, 누름 스위치(160)의 하부측 공간(S1)내의 공기는 상기 다수의 직선형 공기 순환홈(138b)들을 통하여 누름 스위치(160)의 상부측 공간(S2)으로 이동하고, 누름 스위치(160)의 누름 상태가 해제되면, 누름 스위치(160)의 상부측 공간(S2)의 공기를 누름 스위치(160)의 하부측 공간(S1)으로 복귀이동시킨다. As described above, according to the sealed closed dome switch 100 of the present invention, the lower plate 110, the switch circuit portion 120, the step 170, and the cover 180 are all sealed by heat- The air in the lower side space S1 of the push switch 160 is discharged through the plurality of linear air circulation grooves 138b of the push switch 160 The air in the upper side space S2 of the push switch 160 is moved to the lower side space S1 of the push switch 160 when the push switch 160 is released from the pushing state Return movement.

따라서 본 발명은 누름 스위치(160)의 눌림 작동시 내부 공간에서 공기 순환을 이루면서 누름 스위치(160)의 전기적인 연결이 이루어지도록 함으로써 돔 스위치(100) 전체를 밀폐형 구조로 형성하여 완전 방수를 이루고, 외부 수분의 침투를 효과적으로 방지할 수 있다.Accordingly, in the present invention, when the push switch 160 is pressed, the push switch 160 is electrically connected to the inner space while circulating air in the inner space. Thus, the entire dome switch 100 is formed into a closed structure, The penetration of external moisture can be effectively prevented.

한편, 본 발명에 의한 에스엠디용 밀폐형 돔 스위치(100)에 의하면, 상기 스위치 회로부(120)는 도 4에 점선으로 도시된 바와 같이, 상,하부층 동박판(130,150)의 사방 모서리가 추가적으로 에칭처리되어 하판(110), 절연층(140) 및 단턱(170)의 테두리 내측으로 각각 일정 깊이의 절단부(P)를 형성할 수 있다.4, the switch circuit portion 120 is further etched at the four corners of the upper and lower copper foils 130 and 150, as shown by a dotted line in FIG. 4. In the closed dome switch 100 according to the present invention, A cut portion P having a predetermined depth can be formed inside the rim of the lower plate 110, the insulating layer 140, and the step 170, respectively.

이와 같은 절단부(P)는 도 3a 및 도 3b에 단면으로 도시된 바와 같이, 하판(110), 절연층(140) 및 단턱(170)의 사방 테두리 내측에 오목하게 형성됨으로써, 외부로의 상,하부층 동박판(130,150)의 모서리 노출을 최소화하고, 결과적으로 공기의 산화에 의한 부식을 최소화시킬 수 있다.3A and 3B, the cut portion P is recessed inside the four sides of the lower plate 110, the insulating layer 140, and the step 170, It is possible to minimize edge exposure of the lower layer copper foil 130,150 and consequently to minimize corrosion due to air oxidation.

또한 본 발명에 의한 에스엠디용 밀폐형 돔 스위치(100)에 의하면, 스위치 회로부(120)는 제1 및 제2 비아홀(132a,132b)(134a,134b)의 도금작업시, 상부층 동박판(130)의 상부 제2 전극(136b)의 테두리를 하부층 동박판(150)의 하부 제2 전극(152b)의 테두리에 전기적으로 연결하도록 도금처리할 수 있다. 따라서 상부층 동박판(130)의 상부 제2 전극(136b) 모서리와 하부층 동박판(150)의 하부 제2 전극(152b)의 모서리는 도금을 통하여 서로 연결된다.According to the sealed closed dome switch 100 according to the present invention, the switch circuit portion 120 is provided on the upper surface of the upper thin copper foil 130 during the plating operation of the first and second via holes 132a and 132b (134a and 134b) The edge of the upper second electrode 136b may be plated to electrically connect the rim of the lower second electrode 152b of the lower layer copper plate 150. [ The corners of the upper second electrode 136b of the upper layer copper foil 130 and the lower corners of the lower second electrode 152b of the lower layer copper foil 150 are connected to each other through plating.

이와 같은 구조에서는 상부층 동박판(130)에 형성되는 복수의 제2 비아홀(134a,134b)의 가공 영역이 부족할 경우, 복수의 제2 비아홀(134a,134b)을 대신하도록 구성될 수 있으며, 또는 복수의 제2 비아홀(134a,134b)들과 함께 보다 안정된 전극 연결을 이룰 수도 있음은 물론이다.In such a structure, if the processing area of the plurality of second via holes 134a and 134b formed in the upper copper foil 130 is insufficient, the plurality of second via holes 134a and 134b may be substituted for the plurality of second via holes 134a and 134b, A more stable electrode connection may be established together with the second via holes 134a and 134b.

그리고 본 발명에서는 스위치 회로부(120)에 구비된 제1 및 제2 비아홀(132a,132b)(134a,134b)들이 복수로 형성되어 하나로 형성된 구조보다는 훨씬 안정적으로 상,하부층 동박판(130,150) 간에 안정적인 전기적 연결을 이룰 수 있다. 그렇지만, 본 발명은 이와 같은 복수의 제1 및 제2 비아홀(132a,132b)(134a,134b) 구조에 한정되는 것이 아니고, 각각 3개 또는 그 이상을 포함할 수 있음은 물론이다. In the present invention, the first and second via holes 132a and 132b (134a and 134b) provided in the switch circuit portion 120 are formed in a plurality of stable states so that the upper and lower copper foils 130 and 150 are more stable Electrical connection can be made. However, it should be understood that the present invention is not limited to the structure of the first and second via holes 132a and 132b (134a and 134b), but may include three or more, respectively.

본 발명은 상기에서 도면을 참조하여 특정 실시 예에 관련하여 상세히 설명하였지만 본 발명은 이와 같은 특정 구조에 한정되는 것은 아니다. 당 업계의 통상의 지식을 가진 자라면 이하의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술 사상 및 권리범위를 벗어나지 않고서도 본 발명을 다양하게 수정 또는 변경시킬 수 있을 것이다. 그렇지만 그와 같은 단순한 수정 또는 변형 구조들은 모두 명백하게 본 발명의 권리범위 내에 속하게 됨을 미리 밝혀 두고자 한다.Although the present invention has been described in detail with reference to specific embodiments thereof with reference to the accompanying drawings, the present invention is not limited to such specific structures. It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined in the following claims. However, it is intended that the present invention cover modifications and variations of this invention provided they come within the scope of the appended claims and their equivalents.

100: 에스엠디용 밀폐형 돔 스위치
110: 하판 120: 스위치 회로부
130: 상부층 동박판 132a,132b: 제1 비아홀
134a,134b: 제2 비아홀 136a: 상부 제1 전극
136b: 상부 제2 전극 138a: 원형 분리홈
138b: 공기 순환홈 140: 절연층
150: 하부층 동박판 152a: 하부 제1 전극
152b: 하부 제2 전극 154: 호형 홈
160: 누름 스위치 170: 단턱
172: 원형 구멍 180: 커버
h1: 단턱 높이
h2: 누름 스위치의 높이
P: 절단부
S1: 누름 스위치의 하부측 공간
S2: 누름 스위치의 상부측 공간100: Hermetic Dome Switch for SMD
110: lower plate 120: switch circuit part
130: upper layer copper foil 132a, 132b: first via hole
134a, 134b: second via hole 136a: upper first electrode
136b: upper second electrode 138a: circular separating groove
138b: air circulation groove 140: insulating layer
150: lower layer copper thin plate 152a: lower first electrode
152b: lower second electrode 154: arched groove
160: push switch 170: step
172: circular hole 180: cover
h1: step height
h2: Height of push switch
P: Cutting section
S1: Lower space of the push switch
S2: space on the upper side of the push switch

Claims (10)

전자기기에 사용되는 돔 스위치에 있어서,
접착 기능을 구비한 절연재료의 하판;
상기 하판의 상부에서 이중 동박판과 그 사이의 절연층을 구비한 적층 구조로 이루어지고, 상기 이중 동박판과 절연층의 비아홀, 에칭 및 도금을 이용하여 전기적 회로가 형성되며, 상,하부층 동박판에는 전극이 분할 형성된 스위치 회로부;
상기 스위치 회로부의 상부 중앙에 올려지고, 상부층 동박판 상에서 눌리워져서 전극 연결을 이루는 돔형 누름 스위치;
상기 스위치 회로부의 상부에 올려지고, 중앙에는 돔형 누름 스위치가 위치되는 원형 구멍이 형성된 절연재료의 단턱; 및
상기 단턱의 상부면에 하부면 테두리가 접착 연결되고, 상기 돔형 누름 스위치를 상부에서 밀착하여 에워싸는 절연재료의 커버;를 포함하고
상기 스위치 회로부는 상부층 동박판과 절연층이 일체로 형성된 것과, 하부층 동박판을 각각 분리하여 마련하고, 상기 상부층 동박판에는 중앙에 복수의 제1 비아홀을, 양외측 모서리에는 각각 제2 비아홀을 절연층까지 관통하도록 형성하며, 상기 절연층 하부면에 하부층 동박판을 열접착하고, 상기 상부층 동박판은 상부 제1 전극과 상부 제2 전극으로 분할하기 위한 원형 분리홈 및, 그 둘레 방사상으로 다수의 직선형 공기 순환홈들을 에칭작업으로 형성하며, 상기 하부층 동박판에는 하부 제1 전극과 하부 제2 전극으로 분할하기 위한 호형 홈을 에칭으로 형성하고, 상기 제1 및 제2 비아홀들을 도금작업하여 상부층 동박판의 상부 제1 전극은 복수의 제1 비아홀들을 통하여 하부층 동박판의 하부 제1 전극에 전기적으로 연결되고, 상부층 동박판의 상부 제2 전극은 복수의 제2 비아홀들을 통하여 하부층 동박판의 하부 제2 전극에 전기적으로 연결되도록 구성한 것임을 특징으로 하는 에스엠디용 밀폐형 돔 스위치.A dome switch used in an electronic device,
A lower plate of an insulating material having an adhesive function;
An upper surface of the upper plate and a lower surface of the upper plate and an insulating layer therebetween at the upper part of the lower plate, and an electrical circuit is formed by using the via hole of the double copper foil and the insulating layer, etching and plating, A switch circuit portion having electrodes formed thereon;
A dome type push switch mounted on the upper center of the switch circuit portion and pressed on the upper layer copper thin plate to form an electrode connection;
A step of an insulating material which is mounted on an upper portion of the switch circuit portion and has a circular hole in which a dome type push switch is located; And
And a cover of an insulating material which is adhered and connected to an upper surface of the step at a lower surface and which closely surrounds the dome type push switch
Wherein the switch circuit portion is formed by integrally forming an upper layer copper thin plate and an insulating layer and separating the lower layer copper thin plate, wherein the upper copper thin plate has a plurality of first via holes in the center and a second via hole in the outer side edge, And the lower layer copper foil is thermally adhered to the lower surface of the insulating layer, the upper layer copper foil has a circular isolation groove for dividing the upper first electrode and the upper second electrode, and a plurality of Wherein the upper and lower second copper foils are formed by etching the straight air circulation grooves, and the arc-shaped grooves for dividing the lower first electrode and the lower second electrode into the lower layer copper foil are formed by etching, and the first and second via holes are plated, The upper first electrode of the thin plate is electrically connected to the lower first electrode of the lower layer copper thin plate through the plurality of first via holes, And the second electrode is electrically connected to the lower second electrode of the lower layer copper foil through the plurality of second via holes. 삭제delete 삭제delete 청구항 4은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.Claim 4 has been abandoned due to the setting registration fee. 제1항에 있어서, 상기 스위치 회로부는 상부층 동박판에 형성된 원형 분리홈과 다수의 직선형 공기 순환홈들의 외경이 돔형 누름 스위치의 외경보다 크게 형성되고, 상기 단턱의 원형 구멍에 일치하는 크기로 이루어지며, 상기 원형 분리홈의 직경은 돔형 누름 스위치의 외경보다 작게 형성되어 돔형 누름 스위치의 내측에 위치되는 것임을 특징으로 하는 에스엠디용 밀폐형 돔 스위치.[2] The apparatus according to claim 1, wherein the switch circuit portion has a circular separation groove formed in the upper layer copper foil and a plurality of straight air circulation grooves formed to have an outer diameter larger than an outer diameter of the dome type push switch, And the diameter of the circular separation groove is smaller than the outer diameter of the dome type push switch, and is located inside the dome type push switch. 청구항 5은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.Claim 5 has been abandoned due to the setting registration fee. 제4항에 있어서, 상기 스위치 회로부는 누름 스위치가 상부로부터 눌리워지면, 누름 스위치 하부측 공간내의 공기는 상기 다수의 직선형 공기 순환홈들을 통하여 누름 스위치 상부측 공간으로 이동하고, 누름 스위치는 상부층 동박판의 상부 제1 전극과 상부 제2 전극을 전기적으로 연결시켜 온(ON) 상태를 이루며, 상기 누름 스위치의 누름 상태가 해제되어 누름 스위치의 탄성 복원력으로 그 형상이 회복되면, 누름 스위치 하부측 공간은 부압을 형성하여 다수의 직선형 공기 순환홈들을 통하여 누름 스위치 상부측 공간의 공기를 누름 스위치의 하부측 공간으로 복귀이동시키며, 누름 스위치는 상부층 동박판의 상부 제1 전극과 상부 제2 전극을 전기적으로 단절시켜 오프(Off) 상태를 이루는 것임을 특징으로 하는 에스엠디용 밀폐형 돔 스위치.The air conditioner according to claim 4, wherein, when the push switch is pressed from above, the air in the lower space of the push switch moves to the space above the push switch through the plurality of straight air circulation grooves, The upper first electrode of the thin plate and the upper second electrode are electrically connected to each other, and when the pressing state of the pressing switch is released and the shape of the pressing switch is recovered by the elastic restoring force of the pressing switch, And the push switch moves the upper first electrode and the upper second electrode of the upper layer copper foil electrically to the lower space of the push switch through the plurality of linear air circulation grooves by forming a negative pressure, And an OFF state is established for the closed state. 청구항 6은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.Claim 6 has been abandoned due to the setting registration fee. 제1항에 있어서, 상기 스위치 회로부는 상,하부층 동박판의 사방 모서리가 추가적으로 에칭처리되어 하판, 절연층 및 단턱의 테두리 내측으로 각각 일정 깊이의 절단부를 형성함으로써 외부로의 테두리 노출을 방지하여 부식을 방지하도록 구성된 것임을 특징으로 하는 에스엠디용 밀폐형 돔 스위치.[3] The apparatus as claimed in claim 1, wherein the switch circuit portion is formed by etching the four corners of the upper and lower copper foils to form a cut portion having a predetermined depth inside the edge of the lower plate, the insulating layer and the step, Wherein the closed-type dome switch is configured to prevent an electromagnetic interference (EMI). 청구항 7은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.Claim 7 has been abandoned due to the setting registration fee. 제1항에 있어서, 상기 스위치 회로부는 제1 및 제2 비아홀의 도금작업시, 상부층 동박판의 상부 제2 전극 테두리를 하부층 동박판의 하부 제2 전극 테두리에 전기적으로 연결하도록 도금처리하여 복수의 제2 비아홀의 가공 영역 부족시, 복수의 제2 비아홀을 대신하도록 구성된 것임을 특징으로 하는 에스엠디용 밀폐형 돔 스위치.The method as claimed in claim 1, wherein the switch circuit portion performs a plating process to electrically connect the upper second electrode frame of the upper layer copper foil to the lower second electrode frame of the lower layer copper foil during the plating operation of the first and second via holes, Wherein the plurality of second via holes are formed in place of the plurality of second via holes when the second via hole is short of a processing region. 청구항 8은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.Claim 8 has been abandoned due to the setting registration fee. 제1항에 있어서, 상기 단턱의 높이는 돔형 누름 스위치의 높이에 비해 60~100%의 높이를 유지함으로써, 누름 스위치의 누름작동시 사방 테두리부의 가이드 역활을 하고, 그 상부에 커버의 가열 압착성형시 누름 스위치에 과도한 하중이 가해지는 것을 방지하는 스토퍼로서 기능하는 것임을 특징으로 하는 에스엠디용 밀폐형 돔 스위치.[3] The method of claim 1, wherein the height of the step is maintained at 60 to 100% of the height of the dome push switch, thereby providing a guide for the four sides of the push switch during the pressing operation, And functions as a stopper for preventing an excessive load from being applied to the push switch. 청구항 9은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.Claim 9 has been abandoned due to the setting registration fee. 제8항에 있어서, 상기 단턱의 높이는 돔형 누름 스위치의 높이에 비해 100%의 높이로 이루어진 것임을 특징으로 하는 에스엠디용 밀폐형 돔 스위치.The dome switch according to claim 8, wherein the step height is 100% of the height of the dome type push switch. 청구항 10은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.Claim 10 has been abandoned due to the setting registration fee. 제1항에 있어서, 상기 하판, 스위치 회로부, 단턱 및 커버들은 모두 가열 압착성형을 통하여 밀봉가능하게 접착되고, 상기 스위치 회로부는 상부 제1 전극, 복수의 제1 비아홀들 및 하부 제1 전극들이 양극(+)을 형성하고, 상부 제2 전극, 복수의 제2 비아홀 및 하부 제2 전극들이 음극(-)을 형성하거나, 그 반대로 전극을 형성한 것임을 특징으로 하는 에스엠디용 밀폐형 돔 스위치.


2. The semiconductor device according to claim 1, wherein the lower plate, the switch circuit portion, the step, and the covers are all sealably adhered via heat-press molding, and the switch circuit portion is formed by stacking the upper first electrode, the plurality of first via holes, (+), And the upper second electrode, the plurality of second via holes, and the lower second electrodes form a negative (-) electrode, or vice versa.


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