KR101411139B1 - 유리판의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 적어도 SnO2를 포함하는 용융 유리를 용해조 (101)로부터 청징조 (102)에, 백금 또는 백금 합금제의 제1 이송관 (105a)(접속관)를 통해 반송하는 공정과, 탈포에 의한 가스를 수납하는 공간을 갖는 백금 또는 백금 합금제의 청징조 (102)에 있어서, 용융 유리 중에 포함되는 기포를 용융 유리 밖으로 탈포하는 청징 공정을 갖는 유리판의 제조 방법이다. 상기 유리판의 제조 방법에서는, 제1 이송관 (105a)(접속관) 내에서 용융 유리의 온도를 1500 ℃ 내지 1690 ℃로 가열하고, 청징조 (102) 내에서 용융 유리의 온도를 1600 내지 1780 ℃로 가열한다. 청징조 (102) 내의 용융 유리의 온도는 제1 이송관 (105a)(접속관) 내의 용융 유리의 온도보다 높다.

Description

유리판의 제조 방법{METHOD FOR PRODUCING GLASS SHEET}
본 발명은 유리판의 제조 방법에 관한 것이다.
유리 제조업자는 제조 과정에서 유리 중에 형성되는 기포로 고민해 왔다. 특히 액정 표시 장치의 유리 기판용이나 커버 유리용 유리판은 극소의 기포 함유량이 요구된다. 따라서, 기포를 제거하기 위해서 용융 유리를 청징하는 것이 행해지고 있는데, 청징하기 위한 다양한 방법이 개발되어 왔다. 예를 들면, 특허문헌 1(일본 특허 공표 제2008-539162호 공보)에서는, 용융 유리의 청징을 효과적으로 행하기 위해서 청징조 주변의 분위기 제어를 하는 기술이 제안되어 있다.
일본 특허 공표 제2008-539162호 공보
상기 청징은 As2O3 등의 청징제를 사용하는 것으로도 행해지고 있다. 그러나, 최근 환경 부하의 감소 측면에서, 종래 사용되고 있었던 독성이 높은 As2O3의 사용을 제한하는 것이 요구되고 있다. 따라서 As2O3을 대신하여, As2O3에 비하여 청징 기능이 떨어지고, 청징(탈포) 기능을 발휘하는 온도, 즉 심하게 산소를 방출하는 온도가 높은 SnO2 등이 청징제로서 이용되고 있다. 이 때문에, SnO2 등을 청징제로서 사용하는 경우에는, As2O3을 청징제로서 사용하는 경우와 비교하여 유리판 중의 기포수를 충분히 감소시킬 수 없다는 문제가 있었다.
여기서 상기 특허문헌 1에 기재된 기술은, 환경 부하 인자인 As2O3 이외의 SnO2 등의 청징제를 사용하는 경우, 청징제의 청징 기능을 충분히 도출할 수 없다는 문제가 있었다. 또한, 최근 디스플레이 등의 전기 제품 등에 사용되는 유리판의 기포수에 대한 요구는 점점 더 강해지고 있어, 상기 특허문헌 1에 기재된 기술만으로는, 그 요구에 충분히 응할 수 있는 것도 아니었다.
상기한 방법은 복잡한 분위기 제어를 필요로 하고, 설비도 복잡해진다. 따라서, 간편하고 효과적으로 용융 유리를 청징하는 방법이 여전히 요청되고 있다.
본 발명의 목적은 상기 과제를 감안하여 이루어진 것으로, As2O3 이외의 SnO2 등의 청징제를 사용한 경우라도 충분히 기포수를 감소시키는 것이 가능한 유리판의 제조 방법을 제공하는 것이다. 또한, 본 발명의 다른 목적은 간편하고 효과적으로 용융 유리를 청징하는 것이 가능한 유리판의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 따른 유리판의 제조 방법은, 적어도 SnO2를 포함하는 용융 유리를 용해조로부터 청징조로, 백금 또는 백금 합금제 접속관을 통해 반송하는 공정과, 탈포에 의한 가스를 수납하는 공간을 갖는 백금 또는 백금 합금제의 청징조에서, 용융 유리 중에 포함되는 기포를 용융 유리 밖으로 탈포하는 청징 공정을 갖는다. 접속관 내에서 용융 유리의 온도를 1500 ℃ 내지 1690 ℃로 가열하고, 청징조 내에서 용융 유리의 온도를 1600 내지 1780 ℃로 가열하고, 청징조 내의 용융 유리의 온도는 접속관 내의 용융 유리의 온도보다 높은 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 유리판의 제조 방법에서는, 용융 유리는 청징조로 이송되기 전에 이미 접속관에서 청징에 적합한 온도까지 가열되어 있기 때문에, 용융 유리의 청징은 용융 유리가 청징조로 이송된 직후부터 촉진된다. 따라서, 본 발명에 따른 유리판의 제조 방법에 따르면, As2O3 이외의 SnO2 등의 청징제를 사용한 경우라도 청징 효과를 충분히 도출하는 것이 가능해져, 유리판 중의 기포수를 충분히 감소시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 유리판의 제조 방법에서는 접속관 내에서 용융 유리의 온도를 1550 ℃ 내지 1690 ℃로 가열하고, 청징조 내에서 용융 유리의 온도를 1620 ℃ 내지 1780 ℃로 가열하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 따른 유리판의 제조 방법은, 유리의 재료를 용해조에서 가열하여 용해시켜 용융 유리를 생성하는 용해 공정과, 용융 유리를 용해조로부터, 백금 또는 백금 합금제의 접속관을 통해 백금 또는 백금 합금제 청징조로 흘리는 공정과, 용융 유리를 청징조 내에서 가열하고, 청징하는 청징 공정을 포함한다. 접속관을 통해서 흐르는 용융 유리가 접속관에 의해서 약 1600 ℃ 내지 약 1650 ℃로 가열되고, 청징조 내의 용융 유리가 청징조에 의해서 약 1650 내지 약 1700 ℃로 가열되는 것을 특징으로 한다.
여기서는, 용융 유리는 청징조에 이송되기 전에 이미 접속관에서 청징에 적합한 온도까지 가열되어 있기 때문에, 용융 유리의 청징은 용융 유리가 청징조에 이송된 직후부터 촉진된다. 이와 같이, 본 발명에 따른 유리판의 제조 방법에 따르면, 간편하고 효과적으로 용융 유리를 청징할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 유리판의 제조 방법에서는, 접속관 내의 용융 유리에 가해지는 압력은 청징조 내의 용융 유리에 가해지는 압력보다 높은 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 따른 유리판의 제조 방법에서는, 접속관 내의 용융 유리의 점도는 500 내지 2000 poise이고, 청징조 내의 용융 유리의 점도는 200 내지 800 poise인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 따른 유리판의 제조 방법에서는, 접속관의 길이 방향에 수직인 단면적이 청징조의 길이 방향에 수직인 단면적보다 작은 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 따른 유리판의 제조 방법에서는, 접속관의 가열을 통전 가열로 행하고, 청징조의 가열을 통전 가열로 행하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 따른 유리판의 제조 방법에서는, 유리판은 0.10 질량％ 초과 2.0 질량％ 이하의 R'2O(단, R'은 Li, Na 및 K으로부터 선택되는 적어도 1종임)를 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 본 명세서에서는 R'2O란 Li2O, Na2O 및 K2O의 합계량을 나타낸다.
또한, 본 발명에 따른 유리판의 제조 방법에서는, 유리판은 R'2O(단, R'은 Li, Na 및 K으로부터 선택되는 적어도 1종임)를 실질적으로 함유하지 않은 무알칼리 유리인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 따른 유리판의 제조 방법에서는, logη=2.5인 온도가 1500 ℃ 내지 1750 ℃인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 따른 유리판의 제조 방법에서는, 용융 유리가 청징조에 의해서 1600 ℃ 이상으로 가열된 후, 용융 유리를 1600 ℃부터 1500 ℃의 온도 범위에서 2 ℃/분 이상의 강온 속도로 강온시키는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 따른 유리판의 제조 방법에서는, 용융 유리를 접속관의 내경의 전체 둘레에 있어서 접속관과 접촉시켜 흘리는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 따른 유리판의 제조 방법에서는, 유리판은 하기의 조성을 함유하는 것이 바람직하다.
(a) SiO2: 50 내지 70 질량％,
(b) B2O3: 5 내지 18 질량％,
(c) Al2O3: 10 내지 25 질량％,
(d) MgO: 0 내지 10 질량％,
(e) CaO: 0 내지 20 질량％,
(f) SrO: 0 내지 20 질량％,
(o) BaO: 0 내지 10 질량％,
(p) RO: 5 내지 20 질량％(단, R은 Mg, Ca, Sr 및 Ba으로부터 선택되는 적어도 1종임).
또한, 본 발명에 따른 유리판의 제조 방법에서는, 접속관은 용해조로부터 청징조까지 경사지어 상승하도록 용해조와 청징조를 접속시키는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 따른 유리판의 제조 방법에서는, 청징조는 소정 두께의 벽을 갖고, 접속관은 청징조의 벽 두께보다 두꺼운 내화 금속제의 벽을 갖는 것이 바람직하다.
또한, 본 명세서에서 RO란 MgO, CaO, SrO 및 BaO의 합계량을 나타낸다.
본 발명에 따른 유리판의 제조 방법에 따르면, As2O3 이외의 SnO2 등의 청징제를 사용한 경우라도 기포수를 충분히 감소시킬 수 있다. 또한, 간편하고 효과적으로 용융 유리를 청징할 수 있다.
[도 1] 본 발명의 실시 형태에 따른 유리판의 제조 방법의 흐름도.
[도 2] 본 발명의 실시 형태에 따른 유리판 제조 라인의 개략도.
[도 3] 용해조, 접속관 및 청징조의 확대도.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 한 실시 형태를 설명한다. 또한, 이하의 설명은 본 발명의 일례에 관한 것으로, 본 발명이 이들에 의해서 한정되는 것은 아니다.
(1) 유리판의 제조 방법
본 발명의 한 실시 형태에 따른 유리판의 제조 방법은 도 1의 흐름도가 나타내는 일련의 공정을 포함하며, 도 2가 나타내는 유리판 제조 라인 (100)을 이용한다.
(1-1) 제1 로(爐)에서 행해지는 공정
유리의 원료는, 우선 용해 공정(스텝 S101)에서 용해된다. 원료는 제1 로인 용해조 (101)에 투입되고 소정의 제1 온도(T1)까지 가열된다. T1은, 예를 들면 1450 ℃ 내지 1650 ℃인 것이 바람직하고, 1500 ℃ 내지 1630 ℃인 것이 바람직하다. 또한 T1은, 예를 들면 하기 (2)의 조성을 갖는 평판 디스플레이용 유리 기판인 경우, 특히 액정 디스플레이용 유리판이나 유기 EL 디스플레이용 유리 기판에 바람직한, R'2O(단, R'은 Li, Na 및 K으로부터 선택되는 적어도 1종임)를 실질적으로 포함하지 않는 무알칼리 유리판인 경우, 또는 R'2O를 0.10 질량％ 초과 2.0 질량％ 이하밖에 포함하지 않는 알칼리 미량 함유 유리판의 경우, 1500 ℃ 내지 1650 ℃인 것이 보다 바람직하고, 1550 ℃ 이상 1630 ℃ 미만인 것이 바람직하다. 상술한 바와 같은 하한 온도로 함으로써, 유리 원료를 충분히 용해시키는 것이 가능해지고, 실리카 등의 미용해물에서 기인하는 기포의 발생을 억제할 수 있다. 한편, 상술한 바와 같은 상한 온도로 함으로써, SnO2 등의 청징제가 용해조 (101)에서 심하게 가스 성분(예를 들면 산소)을 방출시키는 것을 방지할 수 있고, 청징 공정에서 청징제의 청징 기능을 발휘시키는 것이 가능해진다. 가열된 원료는 용해되어 용융 유리를 형성한다. 용융 유리는 제1 이송관 (105a)(접속관)를 통해 다음 청징 공정(스텝 S102)이 행해지는 청징조 (102)로 이송된다. 다시 말해서, 용융 유리는 용해조 (101)로부터 청징조 (102)로 제1 이송관 (105a)(백금 또는 백금 합금제 접속관)를 통해 반송된다.
또한, 용해조 (101)과 제1 이송관 (105a)(백금 또는 백금 합금제 접속관)가 접속되는 영역 근방에서의 용융 유리의 온도는 1500 ℃ 내지 1690 ℃인 것이 바람직하고, 1550 ℃ 내지 1650 ℃인 것이 보다 바람직하다.
(1-2) 접속관에 있어서의 공정
제1 이송관 (105a)(접속관) 중에서, 용융 유리는 상기 T1보다 높은 제3 온도(T3)까지 가열되는 것이 바람직하다. 구체적으로, T3은 T1보다 50 ℃ 이상 높은 것이 바람직하다. 또한, T3은 T1보다 100 ℃ 이상 높은 것이 바람직하다. T1은 1450 ℃ 내지 1650 ℃인 데에 반해, T3은 1500 ℃ 내지 1720 ℃인 것이 바람직하고, 약 1550 ℃ 내지 약 1690 ℃인 것이 보다 바람직하다. 이 때, 제1 이송관 (105a)(접속관) 내의 용융 유리의 점도는 500 내지 2000 poise인 것이 바람직하다. 예를 들면 하기 (2)의 조성을 갖는 평판 디스플레이용 유리 기판인 경우, T1은 약 1500 ℃ 내지 1610 ℃(예를 들면, 약 1550 ℃)인 데에 반해, T3은 1550 ℃ 내지 1690 ℃인 것이 바람직하고, 약 1600 ℃ 내지 약 1650 ℃인 것이 보다 바람직하다. 이 때, 제1 이송관 (105a)(접속관) 내의 용융 유리의 점도는 500 내지 2000 poise인 것이 바람직하다. 이와 같이 함으로써, 용융 유리를 후술하는 청징에 적합한 온도 또는 그에 가까운 온도로 한 상태에서 다음 청징 공정(스텝 S102)이 행해지는 청징조 (102)(제2 로)로 이송할 수 있어, 용융 유리의 청징을 청징조 (102)의 입구에서부터 효과적으로 촉진시킬 수 있다. 이에 따라, 청징조 (102)에 있어서의 용융 유리의 체재 시간을 비교적 짧게 할 수 있고, 용융 유리가 분위기에 노출되는 시간을 짧게 할 수 있기 때문에, 용융 유리 내의 기존의 기포 내로 SO2의 확산이 촉진되는 것을 억제할 수 있다. 또한, 분위기 중 질소 등이 용융 유리 중에 용해되는 것을 방지할 수 있다. 여기서, 용융 유리 내의 기존의 기포 내로 SO2의 확산이 촉진되면, 용융 유리에 대한 용해도가 작은 SO2가 기포로서 유리판 내에 잔존하게 되는 경우가 있다. 한편, 질소 등이 용융 유리에 용해되면, 용융 유리의 온도를 저하시키는 공정에서 재비등(reboil) 기포로서 N2가 발생하는 것이 생각된다. 즉, 청징조 (102)에서의 용융 유리의 체재 시간을 비교적 짧게 할 수 있으면, SO2나 N2 등의 재비등 기포를 억제할 수 있고, 유리판의 기포수를 감소시킬 수 있다. 한편, 상기 상한 온도보다 용융 유리의 온도를 높이고자 하면, 제1 이송관 (105a)(접속관)의 온도를, 제1 이송관 (105a)(접속관)를 구성하는 백금 또는 백금 합금의 융점 근방까지 가열해야 하는 경우가 있어, 제1 이송관 (105a)(접속관)가 침식(erosion)될 우려가 있기 때문에 바람직하지 않다. 또한, T3은 후술하는 청징조 (102)에서 용융 유리가 가열되어 도달하는 제2 온도(T2) 이하인 것이 바람직하다.
여기서 용융 유리의 청징에 적합한 온도란, 사용하는 청징제와 유리의 조성에 따라 변동된다. 본 실시 형태의 유리판은, 청징제로서 SnO2를 함유하고 있다. SnO2가 청징제로서 기능하는, 즉 산소를 효과적으로 방출하기 시작하는 온도는 1600 ℃ 이상이고, 온도가 상승함에 따라 심하게 산소를 방출한다. 즉, 청징제로서 SnO2를 함유하는 경우에 청징에 적합한 온도는 1620 ℃ 이상이고, 보다 바람직하게는 1650 ℃ 이상이다. 한편, 본 실시 형태에 나타내는 유리판은 R'2O(단, R'은 Li, Na 및 K으로부터 선택되는 적어도 1종임)를 실질적으로 포함하지 않는 무알칼리 유리판, 또는 R'2O를 0.10 질량％ 초과 2.0 질량％ 이하밖에 포함하지 않는 알칼리 미량 함유 유리판이다. 이와 같이 무알칼리 유리 또는 알칼리 미량 함유 유리는, 알칼리를 2.0 질량％ 초과 포함하는 유리와 비교하여 고온에서의 점도(고온 점성)가 높다. 예를 들면, 무알칼리 유리 또는 알칼리 미량 함유 유리가 logη=2.5가 되는 경우의 온도는 1500 ℃ 내지 1750 ℃이다.
여기서 용융 유리 중의 기포가 부상하는 속도는 용융 유리의 점도의 영향을 받는 것으로, 용융 유리의 점도가 낮을수록 기포의 부상 속도는 상승한다. 효율적으로 청징을 행하기 위해서, 청징조 (102) 내에서의 용융 유리의 점도는 예를 들면 200 내지 800 poise인 것이 바람직하다. 이 때문에, 무알칼리 유리 또는 알칼리 미량 함유 유리의 청징을 행하기 위해서는, 용융 유리의 점도를 낮게 하기 위해서, 알칼리 유리와 비교하여 용융 유리의 온도를 더 상승시킬 필요가 있다. 보다 상세하게는, 무알칼리 유리판 또는 알칼리 미량 함유 유리판의 제조에서는, 청징조 (102)에 있어서의 용융 유리의 온도를 예를 들면 1650 ℃ 이상으로 하는 것이 바람직하다. 또한, 상기에서 말하는 청징이란, 용융 유리 중의 기포를 용융 유리 밖으로 배출시켜 탈포하는 것을 나타낸다.
또한, 용융 유리의 가열은 급전(給電) 단자 (201a, 201b)를 구비한 전기 가열 장치 (201)에 의해 내화 금속제의 제1 이송관 (105a)(접속관)를 통전시키고, 그의 줄열에 의해 발열시킴으로써 행하는 것이 바람직하다. 급전 단자 (201a, 201b)는 제1 이송관 (105a)(접속관)의 양 끝에 부착되어 있는 것이 바람직하다. 이와 같이 백금 또는 백금 합금으로 이루어지는 제1 이송관 (105a)(접속관)를 통전 가열함으로써, 청징제로서 SnO2를 함유하는 유리판의 제조에서도, SnO2에 의한 청징 효과를 충분히 도출하기 위한 용융 유리의 온도 제어를 용이하게 실현할 수 있다.
또한, 제1 이송관 (105a)(접속관)의 길이 방향에 수직인 단면적은, 청징조 (102)의 길이 방향에 수직인 단면적보다 작은 것이 바람직하다. 즉, 청징조 (102)의 길이 방향에 수직인 단면적이, 제1 이송관 (105a)(접속관)의 길이 방향에 수직인 단면적보다 큰 것이 바람직하다.
구체적으로, 청징조 (102)의 상기 단면적은 제1 이송관 (105a)(접속관)의 내경에 관한 단면적보다 100 ％ 초과로 큰 것이 바람직하다. 청징조 (102)의 상기 단면적은, 제1 이송관 (105a)(접속관)의 내경에 관한 단면적보다 150 ％ 이상 큰 것이 보다 바람직하다. 예를 들면, 제1 이송관 (105a)(접속관)의 내경이 200 mm(단면적 약 31416 mm2)이면, 청징조 (102)의 내경은 약 316 mm, 길이 방향에 수직인 단면적은 약 78540 mm2 이상인 것이 바람직하다. 이에 따라, 용융 유리가 제1 이송관 (105a)(접속관)로부터 청징조 (102)로 나왔을 때에 용융 유리에 가해지는 압력이 감소하고, 용융 유리 중의 가스 성분이 기포로서 용융 유리 밖으로 빠져나오기 쉬워져, 용융 유리의 청징이 청징조 (102)의 입구에서부터 촉진된다. 여기서 청징조 (102)는, 청징조 (102) 내에 용융 유리로부터 탈포된 기체를 수용하는 공간을 갖는다. 즉, 제1 이송관 (105a)(접속관) 내의 용융 유리에 가해지는 압력을 청징조 (102) 내의 용융 유리에 가해지는 압력보다 높게 함으로써, 용융 유리 중에서 발생한 기포를 청징조 (102)에 설치된 상기 공간으로 배출시킬 수 있다.
또한 제1 이송관 (105a)(접속관)는, 용해조 (101)과 청징조 (102)를 도 3에 나타낸 바와 같이 대략 수평으로 접속시킬 수도 있지만, 용해조 (101)과 청징조 (102)를, 용해조 (101)로부터 청징조 (102)까지 경사지어 상승하도록 접속시키는 것이 바람직하다. 즉, 제1 이송관 (105a)(접속관) 안을 통과하는 용융 유리가 용해조 (101)로부터 청징조 (102)를 향하여 경사가 있는 사면을 오르도록, 제1 이송관 (105a)(접속관)가 용해조 (101)과 청징조 (102)를 접속하고 있는 것이 바람직하다. 상기 경사는 15도 이상 90도 미만인 것이 바람직하고, 20도 이상 90도 미만인 것이 보다 바람직하며, 30도 이상 90도 미만인 것이 더욱 바람직하다. 이와 같이 함으로써, 제1 이송관 (105a)(접속관)의 하류단을 제외한 제1 이송관 (105a)(접속관) 안을 흐르는 용융 유리에는 자체 중량에 의한 압력이 가해지지만, 제1 이송관 (105a)(접속관)의 하류단, 즉 청징조 (102)로의 출구에서는 이러한 압력은 가해지지 않아, 제1 이송관 (105a)(접속관)의 청징조 (102)로의 출구에서 용융 유리에 가해지는 압력이 감소한다. 이러한 감압 환경에서는, 용융 유리 중의 가스 성분이 기포로서 용융 유리 밖으로 빠져나오기 쉬워져, 용융 유리의 청징이 청징조 (102)의 입구에서부터 촉진된다.
또한, 제1 이송관 (105a)(접속관)에는 고온의 용융 유리가 유입되기 때문에, 제1 이송관 (105a)(접속관)는 내화 금속으로 이루어지는 벽을 갖는 것이 바람직하고, 상기 벽은 특히 백금 또는 백금 합금으로 이루어지는 것이 바람직하다. 그리고, 제1 이송관 (105a)(접속관)의 벽 두께는 두꺼운 것이 바람직하고, 예를 들면 벽의 두께는 약 1 mm 이상인 것이 바람직하다. 또한, 제1 이송관 (105a)(접속관)의 벽은 후술하는 제2 로인 청징조 (102)의 벽보다 두꺼운 것이 바람직하다. 제1 이송관 (105a)(접속관)의 벽은 청징조 (102)의 벽보다 10 ％ 이상 두꺼운 것이 바람직하고, 예를 들면 청징조 (102)의 벽 두께가 1 mm이면, 제1 이송관 (105a)(접속관)의 벽은 1.1 mm인 것이 바람직하다. 또한, 제1 이송관 (105a)(접속관)의 벽은 청징조 (102)의 벽보다 20 ％ 이상 두꺼운 것이 바람직하고, 예를 들면 청징조 (102)의 벽 두께가 1 mm이면, 제1 이송관 (105a)(접속관)의 벽은 1.2 mm인 것이 바람직하다. 또한, 제1 이송관 (105a)(접속관)의 벽은 청징조 (102)의 벽보다 50 ％ 이상 두꺼운 것이 바람직하고, 예를 들면 청징조 (102)의 벽 두께가 1 mm이면, 제1 이송관 (105a)(접속관)의 벽은 1.5 mm인 것이 바람직하다. 이와 같이 함으로써, 제1 이송관 (105a)(접속관)를, 그 중에서 용융 유리를 예를 들면 1600 ℃ 이상의 고온으로 가열하더라도 견딜 수 있도록 할 수 있다. 또한, 용융 유리에 의한 내측으로부터의 압력에 대한 제1 이송관 (105a)(접속관)의 벽의 강도도 증가한다.
또한, 제1 이송관 (105a)(접속관)의 벽과 용융 유리 사이에 간극이 있으면 상기 간극에 있는 공기는 용융 유리보다 고온이 되고, 이에 따라 제1 이송관 (105a)(접속관)의 벽도 고온이 되어, 백금 또는 백금 합금 등의 내화 금속의 산화 또는 휘발을 촉진시켜 제1 이송관 (105a)(접속관)의 내구성을 현저히 감소시킨다. 이 때문에, 제1 이송관 (105a)(접속관)에 있어서, 용융 유리는 제1 이송관 (105a)(접속관)의 내경의 전체 둘레에 접한 상태에서, 즉 용융 유리와 제1 이송관 (105a)(접속관)의 벽 사이에 간극이 없는 상태에서 유입되는 것이 바람직하다. 이와 같이 함으로써, 제1 이송관 (105a)(접속관)의 파손 및 수명의 단축을 방지할 수 있다.
(1-3) 제2 로에서 행해지는 공정
다음 청징 공정(스텝 S102)에서는 용융 유리가 청징된다. 구체적으로는, 청징조 (102)에서 용융 유리가 소정의 제2 온도(T2)까지 가열되면 용융 유리 중에 포함되는 가스 성분은 기포를 형성하거나, 또는 기화하여 용융 유리의 밖으로 빠져나간다. T2는 상기 T1보다 높은 것이 바람직하고, 상기 T3보다 높은 것이 바람직하다. T2는 1600 ℃ 내지 1780 ℃인 것이 바람직하고, 1620 ℃ 내지 1780 ℃인 것이 보다 바람직하다. 또한, 예를 들면 하기 (2)의 조성을 갖는 평판 디스플레이용 유리 기판인 경우, T2는 1620 ℃ 내지 1780 ℃인 것이 바람직하고, 1650 ℃ 내지 1740 ℃인 것이 보다 바람직하며, 약 1650 ℃ 내지 약 1700 ℃인 것이 더욱 바람직하다. 이에 따라 청징조 (102)의 파손을 방지하면서, 용융 유리의 점도를 충분히 작게 할 수 있기 때문에, 충분한 기포의 부상 속도를 실현할 수 있어 효과적으로 용융 유리를 청징할 수 있다. 용융 유리의 가열은 급전 단자(도시하지 않음)를 구비한 전기 가열 장치(도시하지 않음)에 의해 내화 금속제의 벽을 갖는 청징조 (102) 자체를 통전시키고, 그의 줄열에 의해 발열시킴으로써 행하는 것이 바람직하다. 내화 금속제의 벽은 백금 또는 백금 합금제인 것이 바람직하다. 이와 같이 백금 또는 백금 합금으로 이루어지는 청징조 (102)를 통전 가열함으로써, 청징제로서 SnO2를 함유하는 유리판의 제조에 있어서도, SnO2에 의한 청징 효과를 충분히 도출하기 위한 용융 유리의 온도 제어를 용이하게 실현할 수 있다.
또한, 제1 이송관 (105a)(접속관)와 청징조 (102)에서 용해 온도를 상승시키는 경우, 2 ℃/분 이상의 승온 속도로 용융 유리의 온도를 1630 ℃ 이상, 보다 바람직하게는 1650 ℃ 내지 1740 ℃로 승온시키는 것이 바람직하다. 이는 승온 속도를 2 ℃/분 이상으로 하면, O2 가스의 방출량이 급격히 커지기 때문이다. 즉, 2 ℃/분 이상의 승온 속도로 용융 유리의 온도를 1630 ℃ 이상으로 승온시키면, 용융 유리의 온도를 제1 이송관 (105a)(접속관)와 청징조 (102)에서 휘발이 촉진될 정도로 가열하지 않아도(예를 들면, 1740 ℃ 초과로 하지 않아도) SnO2의 청징 기능을 충분히 도출하는 것이 가능해지고, 제1 이송관 (105a)(접속관)나 청징조 (102) 등의 파손을 방지하면서 유리판 중의 기포수를 감소시킬 수 있다.
청징된 용융 유리는, 제2 이송관 (105b)를 통해 다음 공정인 균질화 공정(스텝 S103)이 행해지는 교반조 (103)으로 이송된다.
이 때, 상기 청징조 (102)에서 용융 유리의 온도를 1600 ℃ 이상, 보다 바람직하게는 1600 ℃ 내지 1780 ℃, 더욱 바람직하게는 1620 ℃ 내지 1780 ℃로 가열하여 탈포 처리를 행한 후, 용융 유리를 1600 ℃부터 1500 ℃의 온도 범위에서 2 ℃/분 이상의 강온 속도로 강온시킴으로써, 상기 용융 유리 중의 기포를 상기 용융 유리에 흡수(吸收)시키는 것이 바람직하다. 용융 유리를 1600 ℃부터 1500 ℃의 온도 범위에서 2 ℃/분 이상의 강온 속도로 강온시키는 것이 바람직한 이유는 하기와 같다.
청징조 (102)에서는, SnO2가 산소를 방출하여 환원되는 온도인 1600 ℃ 이상으로 용융 유리가 승온되기 때문에, 용융 유리 내에 존재하는 기포에 SnO2가 방출한 산소의 취입이 촉진될 뿐 아니라, 고온이 되어 용융 유리 내에 용존하는 O2, CO2, SO2의 확산이 촉진되어, 상기 기포 내에 용융 유리 내에 용존하는 O2, CO2, SO2도 취입된다. 또한, 용융 유리 중으로의 가스 성분의 용해도는 유리 성분에 따라 변하는데, SO2의 경우 알칼리 금속 성분의 함유량이 많은 유리에서는 비교적 용해도가 높지만, 알칼리 금속 성분을 포함하지 않는 무알칼리 유리판이나, 포함하더라도 소량인 알칼리 미량 함유 유리판에서는 용융 유리 중에 용해시킬 수 있는 용해도는 낮다. 무알칼리 유리판 또는 알칼리 미량 함유 유리판에서는, 본래 유리 원료로서 인위적으로 S(황) 성분을 가하지 않는 것이 바람직하지만, 원료 중의 불순물로서, 또는 용해조 (101)에서 이용하는 연소 가스(천연 가스, 도시 가스, 프로판 가스 등)에 불순물로서 미량 포함되어 있다. 이 때문에, 이들 불순물로서 포함되는 S 성분이 산화되어 SO2가 되고, 용융 유리에 포함되어 있는 기포 내에 확산되어 들어간다. SO2는 재흡수되기 어렵기 때문에 기포로서 남는다. 이 현상은 청징제로서 SnO2를 사용한 경우에, 종래의 As2O3을 청징제로서 사용하고 있었을 때와 비교하여 매우 현저히 나타난다.
SnO2를 청징제로서 사용한 유리 조성의 경우, 용융 유리의 고온에서의 유지 시간이 길어질수록, 용융 유리 내의 기존의 기포 내로 SO2의 확산이 촉진된다. 이는 고온이 되어 SO2의 용융 유리 중의 확산 속도가 빨라져, 기포에 진입하기 쉬워졌기 때문이라고 생각된다.
그 후 용융 유리의 강온을 행할 때, SnO2의 환원에 의해 얻어진 SnO는 산화 반응에 의해 산소를 흡수하여 산화되려고 한다. 따라서, 용융 유리 내에 잔존하는 기포에 있는 O2는 SnO에 흡수된다. 그러나 용융 유리 중의 SO2나 CO2의, 기존의 기포 내로의 확산은 여전히 유지된다. 이 때문에, 청징조 (102)보다 하류에서의 기포 내의 가스 성분은, 청징조 (102) 내의 기포와 비교하여 SO2, CO2의 농도가 높다. 특히, 무알칼리 또는 알칼리 미량 함유 유리의 용융 유리에서는, SO2의 용융 유리 MG에서의 용해도가 작다. 이 때문에 SO2가 가스로서 일단 기포에 취입되면, 이 SO2는 흡수 처리에서 용융 유리 내로 흡수되기 어렵다.
이상, 예를 들면 청징조 (102)의 후반에서 교반조 (103)까지의 공정에 있어서, 기포 내의 O2는 SnO의 산화 반응에 의해 SnO에 흡수되고, SO2, CO2의, 기존의 기포 내로의 확산이 여전히 유지되기 때문에, 이 기간을 단기간으로 함으로써 SO2, CO2의, 기존의 기포 내로의 확산을 적게 하여 기포의 성장을 억제할 수 있다.
(1-4) 상기 이후의 공정
다음 균질화 공정(스텝 S103)에서는 용융 유리가 균질화된다. 구체적으로, 용융 유리는 교반조 (103)에 있어서 교반조 (103)이 구비하는 교반익(도시하지 않음)에 의해 교반됨으로써 균질화된다. 교반조 (103)에 이송되는 용융 유리는 소정의 온도 범위가 되도록 가열된다. 소정의 온도 범위는, 예를 들면 하기 (2)의 조성을 갖는 평판 디스플레이용 유리 기판인 경우 1440 ℃ 내지 1500 ℃인 것이 바람직하다. 균질화된 용융 유리는 교반조 (103)으로부터 제3 이송관 (105c)로 이송된다.
다음 공급 공정(스텝 S104)에서는, 용융 유리는 제3 이송관 (105c)에서 성형하는 데에 적합한 온도가 되도록 가열되며, 다음 성형 공정(스텝 S105)이 행해지는 성형 장치 (104)로 이송된다. 성형에 적합한 온도는, 예를 들면 하기 (2)의 조성을 갖는 평판 디스플레이용 유리 기판의 경우 약 1200 ℃인 것이 바람직하다. 특히, 하기의 성형 공정에서 오버플로우 다운드로우법을 이용하는 경우, 제3 이송관 (105c)의 가장 하류의 영역에서는 약 1300 내지 1200 ℃인 것이 바람직하다.
다음 성형 공정(스텝 S105)에서는 용융 유리가 판상의 유리로 성형된다. 본 실시 형태에서, 용융 유리는 오버플로우 다운드로우법에 의해 연속적으로 리본상으로 성형된다. 성형된 리본상의 유리는 절단되어 유리판이 된다. 오버플로우 다운드로우법은 그 자체가 공지된 방법이며, 예를 들면 미국 특허 제3,338,696호 명세서에 기재되어 있는 바와 같이, 성형체에 유입시켜 흘러 넘친 용융 유리가 상기 성형체의 각 외표면을 따라 흘러 내려, 상기 성형체의 바닥에서 합류된 부분을 아래쪽으로 연신하여 리본상의 유리로 성형하는 방법이다.
(2) 유리 원료의 혼합
본 발명에 따른 유리판의 제조 방법은 모든 유리판의 제조에 적용 가능하지만, 특히 액정 표시 장치, 유기 EL 표시 장치나 플라즈마 디스플레이 장치 등의 평판 디스플레이용 유리 기판, 또는 표시부를 덮는 커버 유리의 제조에 바람직하다.
본 발명에 따라 유리판을 제조하기 위해서는, 우선 원하는 유리 조성이 되도록 유리 원료를 조합한다. 예를 들면, 평판 디스플레이용 유리 기판을 제조하는 경우에는, 이하의 조성을 갖도록 원료를 혼합하는 것이 바람직하다.
(a) SiO2: 50 내지 70 질량％,
(b) B2O3: 5 내지 18 질량％,
(c) Al2O3: 10 내지 25 질량％,
(d) MgO: 0 내지 10 질량％,
(e) CaO: 0 내지 20 질량％,
(f) SrO: 0 내지 20 질량％,
(o) BaO: 0 내지 10 질량％,
(p) RO: 5 내지 20 질량％(단, R은 Mg, Ca, Sr 및 Ba으로부터 선택되는 적어도 1종임),
(q) R'2O: 0.10 질량％ 초과 2.0 질량％ 이하(단, R'은 Li, Na 및 K으로부터 선택되는 적어도 1종임),
(r) 산화주석, 산화철 및 산화세륨 등으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속 산화물을 합계로 0.05 내지 1.5 질량％.
또한, (q) R'2O는 필수가 아니기 때문에 함유시키지 않아도 된다. 이 경우, R'2O를 실질적으로 포함하지 않는 무알칼리 유리가 되며, 유리판으로부터 R'2O가 유출되어 TFT를 파괴시키는 우려를 감소시킬 수 있다. 한편, 일부러 (q) R'2O를 0.10 질량％ 초과 2.0 질량％ 이하 함유시킴으로써, TFT 특성의 열화나 유리의 열팽창을 일정 범위 내로 억제하면서 유리의 염기성도를 높이고, 가수 변동하는 금속의 산화를 용이하게 하여 청징성을 높일 수 있다. 또한, 유리의 비저항을 저하시킬 수 있기 때문에 용해조 (101)에서 전기 용융을 행하기 위해서는 바람직해진다.
또한, 최근 추가적인 고정밀화를 실현하기 위해 α-Si·TFT가 아닌, P-Si(저온 폴리실리콘)·TFT나 산화물 반도체를 이용한 디스플레이가 요구되고 있다. 여기서, P-Si(저온 폴리실리콘) TFT나 산화물 반도체의 형성 공정에서는 α-Si·TFT의 형성 공정보다 고온의 열 처리 공정이 존재한다. 이 때문에, P-Si(저온 폴리실리콘) TFT나 산화물 반도체가 형성되는 유리판으로는 열수축률이 작은 것이 요구되고 있다. 열수축률을 작게 하기 위해서는 유리의 변형점을 높이는 것이 바람직하지만, 변형점이 높은 유리는 고온시의 점도(고온 점성)가 높아지는 경향이 있다. 이 때문에, 청징조 (102)에 있어서 보다 용융 유리의 온도를 상승시킬 필요가 있지만, 용융 유리의 온도를 상승시키기 위해서 청징조 (102)를 지나치게 가열하면 청징조 (102)가 파손될 우려가 있다. 즉, 청징조 (102)에 있어서 SnO2의 청징 효과를 충분히 도출할 수 있는 본 발명은, 고온 점성이 높아지기 쉬운 고변형점 유리의 제조에 바람직하다.
즉, 예를 들면 변형점이 655 ℃ 이상인 유리판의 제조에는 본 발명이 바람직해진다. 특히 P-Si(저온 폴리실리콘)·TFT나 산화물 반도체에도 바람직한, 변형점이 675 ℃ 이상인 유리판이 본 발명에 바람직하고, 변형점 680 ℃ 이상인 유리판이 더욱 바람직하며, 변형점 690 ℃ 이상인 유리판이 특히 바람직하다.
변형점이 675 ℃ 이상인 유리판의 조성으로는, 예를 들면 유리판이 질량％ 표시로 이하의 성분을 포함하는 것이 예시된다.
SiO2 52 내지 78 질량％, Al2O3 3 내지 25 질량％, B2O3 3 내지 15 질량％, RO(단, RO는 MgO, CaO, SrO 및 BaO의 합계량) 3 내지 20 질량％, 질량비(SiO2+Al2O3)/B2O3은 7 이상의 범위인 것이 바람직하다. 또한, 변형점을 보다 상승시키기 위해서 질량비(SiO2+Al2O3)/RO는 7.5 이상인 것이 바람직하다. 또한, 변형점을 상승시키기 위해서 β-OH값을 0.1 내지 0.3 mm-1로 하는 것이 바람직하다. 한편, 용해시에 유리가 아닌 용해조 (101)에 전류가 흐르지 않도록, R2O(단, R2O는 Li2O, Na2O 및 K2O의 합계량)를 0.01 내지 0.8 질량％로 하여 유리의 비저항을 저하시키는 것이 바람직하다. 또는, 유리의 비저항을 저하시키기 위해 Fe2O3을 0.01 내지 1 질량％로 하는 것이 바람직하다. 또한, 높은 변형점을 실현하면서 실투(失透) 온도의 상승을 방지하기 위해서 CaO/RO는 0.65 이상으로 하는 것이 바람직하다. 또는, 질량비(SiO2+Al2O3)/B2O3은 7.5 내지 20의 범위인 것이 바람직하다. 실투 온도를 1250 ℃ 이하로 함으로써, 오버플로우 다운드로우법의 적용이 가능해진다. 또한 모바일 기기 등에 적용되는 것을 고려하면, 경량화 측면에서는 SrO 및 BaO의 합계 함유량이 0 내지 2 질량％ 미만인 것이 바람직하다.
또한, 상기한 평판 디스플레이용 유리 기판은 비소를 실질적으로 포함하지 않는 것이 바람직하고, 비소 및 안티몬을 실질적으로 포함하지 않는 것이 보다 바람직하다. 즉, 이들 물질을 포함한다고 해도 그것은 불순물로서이고, 구체적으로는 이들 물질은 As2O3 및 Sb2O3이라는 산화물인 것도 포함시켜 0.1 질량％ 이하인 것이 바람직하다.
상술한 성분에 추가로, 본 발명의 유리는 유리의 다양한 물리적, 용융, 청징 및 성형의 특성을 조절하기 위해서 다양한 다른 산화물을 함유하여도 관계없다. 그러한 다른 산화물의 예로는 이하로 한정되지 않지만, SnO2, TiO2, MnO, ZnO, Nb2O5, MoO3, Ta2O5, WO3, Y2O3 및 La2O3을 들 수 있다. 여기서, 액정 디스플레이나 유기 EL 디스플레이 등의 평판 디스플레이용 유리 기판은 기포에 대한 요구가 특히 엄격하기 때문에, 상기 산화물 중에서는 청징 효과가 큰 SnO2를 적어도 함유하는 것이 바람직하다.
상기 (a) 내지 (r) 중 (p)에 있어서의 RO의 공급원으로는 질산염이나 탄산염을 사용할 수 있다. 또한, 용융 유리의 산화성을 높이기 위해서는, RO의 공급원으로서 질산염을 공정에 적합한 비율로 이용하는 것이 보다 바람직하다.
본 실시 형태에서 제조되는 유리판은, 일정량의 유리 원료를 용해용 로에 공급하여 배치 처리를 행하는 방식과는 달리 연속적으로 제조된다. 본 발명의 제조 방법에 적용되는 유리판은, 어떠한 두께 및 폭을 갖는 유리판이어도 된다.
(3) 구체예
이하와 같이, 실제로 본 발명에 따른 유리판의 제조 방법을 이용하면 효과적으로 유리 중의 기포를 억제할 수 있다.
(실시예)
우선, 조성이 SiO2: 60.9 질량％, B2O3: 11.6 질량％, Al2O3: 16.9 질량％, MgO: 1.7 질량％, CaO: 5.1 질량％, SrO: 2.6 질량％, BaO: 0.7 질량％, K2O: 0.25 질량％, Fe2O3: 0.15 질량％, SnO2: 0.13 질량％가 되는 유리가 제조되도록 원료를 혼합하였다. 이어서, 원료를 용해조 (101) 내에 투입하고, 상술한 본 발명에 따른 유리판 제조 방법의 일련의 공정을 유리판 제조 라인 (100)을 이용하여 행함으로써 유리판을 제조하였다. 즉, 용해조 (101)에서 유리 원료를 약 1550 ℃까지 가열하여 용해시켜 용융 유리를 형성하고, 상기 용융 유리를 백금 및 로듐의 합금으로 이루어지는 제1 이송관 (105a)(접속관)를 통해 청징조 (102)에 이송하고, 청징조 (102)에서 용융 유리를 약 1700 ℃가 될 때까지 가열하였다. 제1 이송관 (105a)(접속관)의 내경의 단면적은, 청징조 (102)의 길이 방향에 수직인 단면적의 약 40 ％였다. 제1 이송관 (105a)(접속관)에서는, 용융 유리를 약 1650 ℃가 될 때까지 가열하였다. 오버플로우 다운드로우법을 이용하여 유리를 판상으로 성형하고, 0.7 mm 두께로 폭 방향 길이 2000 mm×길이 방향 길이 2500 mm 크기의 유리판을 제조하였다. 제조한 유리판에 포함되는 기포의 수를 계측한 바, 기포는 유리 1 kg 중 0.05개였다.
(비교예 1)
비교예 1로서, 용해조 (101)에서 유리 원료를 약 1550 ℃까지 가열하여 용해시켜 용융 유리를 형성하고, 상기 용융 유리를 백금 및 로듐의 합금으로 이루어지는 제1 이송관 (105a)(접속관)를 통해 청징조 (102)에 이송하고, 청징조 (102)에서 용융 유리를 약 1700 ℃가 되도록 가열한 점, 제1 이송관 (105a)(접속관)에서는 용융 유리를 약 1480 ℃가 되도록 가열한 점을 제외하고, 실시예와 마찬가지의 방법으로 유리판의 제조 방법을 행하였다. 제조한 유리판에 포함되는 기포의 수를 계측한 바, 기포는 유리 1 kg 중 0.2 내지 0.3개였다. 또한, 청징조 (102)에서 용융 유리가 약 1700 ℃에 도달하는 영역은, 실시예와 비교하여 용융 유리의 유동 방향의 하류측이었다. 또한, 실시예와 비교하여 청징조 (102)의 온도가 높아지고, 1년간 유리판을 제조한 후의 청징조 (102)의 휘발량이 실시예 1과 비교하여 50 내지 66 ％ 증가하였다.
(비교예 2)
비교예 2로서, 용해조 (101)에서 유리 원료를 약 1550 ℃까지 가열하여 용해시켜 용융 유리를 형성하고, 상기 용융 유리를 백금 및 로듐의 합금으로 이루어지는 제1 이송관 (105a)(접속관)를 통해 청징조 (102)에 이송하고, 청징조 (102)에서 용융 유리를 약 1630 ℃가 되도록 가열한 점을 제외하고, 실시예와 마찬가지의 방법으로 유리판의 제조 방법을 행하였다. 제조한 유리판에 포함되는 기포의 수를 계측한 바, 기포는 유리 1 kg 중 50 내지 200개였다.
(4) 특징
상기 실시 형태에서, 유리의 원료는 제1 로인 용해조 (101)에서 제1 온도(T1), 예를 들면 약 1550 ℃로 가열되어 용해되고 용융 유리가 되며, 용융 유리는 용해조 (101)과 제2 로인 청징조 (102)를 연결하는 접속관인 제1 이송관 (105a)(접속관)에 이송된다. 제1 이송관 (105a)(접속관)에서, 용융 유리는 용해조 (101)에서의 가열 온도보다 높은 제3 온도(T3), 예를 들면 약 1650 ℃까지 가열된다. 청징조 (102)에서, 용융 유리는 제1 온도(T1)보다 높은 제2 온도(T2)까지 더욱 가열된다. 제2 온도(T2)는 용융 유리가 청징에 적합한 온도이고, 예를 들면 상기 실시 형태에 따른 평판 디스플레이용 유리 기판의 경우 1650 ℃ 내지 1700 ℃이다. 여기서 용융 유리는, 청징조 (102)에 이송되기 전에 이미 제1 이송관 (105a)(접속관)에서 청징에 적합한 온도까지 가열되어 있기 때문에, 용융 유리의 청징은 용융 유리가 청징조 (102)에 이송된 직후부터 촉진된다. 따라서, 본 발명에 따른 유리판의 제조 방법에 따르면, As2O3 이외의 SnO2 등의 청징제를 사용한 경우라도 청징 효과를 충분히 도출하는 것이 가능해져, 유리판 중의 기포수를 충분히 감소시킬 수 있다. 또한, 간편하고 효과적으로 용융 유리를 청징할 수 있다.
100 유리판 제조 라인
101 용해조
102 청징조
105a 제1 이송관(접속관)
201 전기 가열 장치

Claims (14)

  1. 적어도 SnO2를 포함하는 용융 유리를 용해조로부터 청징조로, 백금 또는 백금 합금제 접속관을 통해 반송하는 공정과,
    탈포에 의한 가스를 수납하는 공간을 갖는 백금 또는 백금 합금제의 청징조에서, 용융 유리 중에 포함되는 기포를 용융 유리 밖으로 탈포하는 청징 공정
    을 갖고,
    상기 접속관 내에서 용융 유리의 온도를 1500 ℃ 내지 1690 ℃로 가열하고,
    상기 청징조 내에서 용융 유리의 온도를 1600 ℃ 내지 1780 ℃로 가열하고,
    상기 청징조 내의 용융 유리의 온도는 접속관 내의 용융 유리의 온도보다 높은 것인 유리판의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 접속관 내에서 용융 유리의 온도를 1550 ℃ 내지 1690 ℃로 가열하고,
    상기 청징조 내에서 용융 유리의 온도를 1620 ℃ 내지 1780 ℃로 가열하는 것인 유리판의 제조 방법.
  3. 유리의 재료를 용해조에서 가열하여 용해시켜 용융 유리를 생성하는 용해 공정과,
    상기 용융 유리를 상기 용해조로부터, 백금 또는 백금 합금제의 접속관을 통해 백금 또는 백금 합금제 청징조로 흘리는 공정과,
    상기 용융 유리를 상기 청징조 내에서 가열하고, 청징하는 청징 공정
    을 포함하고,
    상기 접속관을 통해 흐르는 상기 용융 유리가 상기 접속관에 의해서 1600 ℃ 내지 1650 ℃로 가열되고,
    상기 청징조 내의 상기 용융 유리가 상기 청징조에 의해서 1650 ℃ 내지 1700 ℃로 가열되는 것을 특징으로 하는 유리판의 제조 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 접속관 내의 용융 유리에 가해지는 압력은 상기 청징조 내의 용융 유리에 가해지는 압력보다 높은 것인 유리판의 제조 방법.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 접속관 내의 용융 유리의 점도는 500 내지 2000 poise이고, 상기 청징조 내의 용융 유리의 점도는 200 내지 800 poise인 유리판의 제조 방법.
  6. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 접속관의 길이 방향에 수직인 단면적이, 상기 청징조의 길이 방향에 수직인 단면적보다 작은 것을 특징으로 하는 유리판의 제조 방법.
  7. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 접속관의 가열을 통전 가열로 행하고, 상기 청징조의 가열을 통전 가열로 행하는 것인 유리판의 제조 방법.
  8. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 유리판은 0.10 질량％ 초과 2.0 질량％ 이하의 R'2O(단, R'은 Li, Na 및 K으로부터 선택되는 적어도 1종임)를 포함하는 것인 유리판의 제조 방법.
  9. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 유리판은 R'2O(단, R'은 Li, Na 및 K으로부터 선택되는 적어도 1종임)를 실질적으로 함유하지 않은 무알칼리 유리인 유리판의 제조 방법.
  10. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, logη=2.5인 온도가 1500 ℃ 내지 1750 ℃인 유리판의 제조 방법.
  11. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 용융 유리가 상기 청징조에 의해서 1600 ℃ 이상으로 가열된 후, 상기 용융 유리를 1600 ℃부터 1500 ℃의 온도 범위에서 2 ℃/분 이상의 강온 속도로 강온시키는 것인 유리판의 제조 방법.
  12. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 용융 유리를 상기 접속관의 내경의 전체 둘레에서 상기 접속관과 접촉시켜 흘리는 것을 특징으로 하는 유리판의 제조 방법.
  13. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 유리판은 하기의 조성을 함유하는 것인 유리판의 제조 방법.
    (a) SiO2: 50 내지 70 질량％,
    (b) B2O3: 5 내지 18 질량％,
    (c) Al2O3: 10 내지 25 질량％,
    (d) MgO: 0 내지 10 질량％,
    (e) CaO: 0 내지 20 질량％,
    (f) SrO: 0 내지 20 질량％,
    (o) BaO: 0 내지 10 질량％,
    (p) RO: 5 내지 20 질량％(단, R은 Mg, Ca, Sr 및 Ba으로부터 선택되는 적어도 1종임).
  14. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 접속관 내의 용융 유리의 점도는 500 내지 2000 poise이고, 상기 청징조 내의 용융 유리의 점도는 200 내지 800 poise이며, 상기 유리판은 0.10 질량％ 초과 2.0 질량％ 이하의 R'2O(단, R'은 Li, Na 및 K으로부터 선택되는 적어도 1종임)를 포함하는 것인 유리판의 제조 방법.
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