KR101408790B1 - Apparatus for treating substrate - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 장치에 관한 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 내부에 처리 공간을 가지는 하우징, 상기 하우징 내에 배치되며 기판을 지지하는 지지 부재, 상기 하우징 내로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛, 상기 하우징 내로 공급되는 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스 및 상기 하우징 내에서 상기 지지 부재를 감싸도록 배치되며, 상기 처리 공간 내 가스를 배기하는 관통홀들이 형성된 배플을 가지는 배플 유닛을 포함하되, 상기 배플은 상부에서 바라볼 때 복수개의 영역으로 구분되고, 상기 복수개의 영역 중 일부는 금속 재질로 제공되고, 다른 일부는 비금속 재질로 제공된다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to an apparatus for processing a substrate using plasma.
A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a housing having a processing space therein, a support member disposed in the housing and supporting the substrate, a gas supply unit for supplying gas into the housing, And a baffle unit disposed in the housing to surround the supporting member and having a baffle having through holes for exhausting gas in the processing space, wherein the baffle unit includes a baffle unit A plurality of regions are divided into a plurality of regions, a portion of the plurality of regions is provided with a metal material, and the other portions are provided with a non-metallic material.

Figure R1020120154514
Figure R1020120154514

Description

기판 처리 장치{Apparatus for treating substrate}[0001] Apparatus for treating substrate [0002]

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to an apparatus for processing a substrate using plasma.

반도체소자를 제조하기 위해서, 기판에 포토리소그라피, 식각, 애싱, 이온주입, 박막증착, 그리고 세정 등 다양한 공정을 수행하여 기판 상에 원하는 패턴을 형성한다. 이 중 식각 공정은 기판 상에 형성된 막 중 선택된 영역을 제거하는 공정으로 습식식각과 건식식각이 사용된다.In order to manufacture a semiconductor device, various processes such as photolithography, etching, ashing, ion implantation, thin film deposition, and cleaning are performed on a substrate to form a desired pattern on the substrate. In the etching process, wet etching and dry etching are used to remove a selected region of the film formed on the substrate.

이 중 건식식각을 위해 플라즈마를 이용한 식각 장치가 사용된다. 일반적으로 플라즈마를 형성하기 위해서는 챔버의 내부공간에 전자기장을 형성하고, 전자기장은 챔버 내에 제공된 공정가스를 플라즈마 상태로 여기시킨다.Among them, an etching apparatus using a plasma is used for dry etching. Generally, in order to form a plasma, an electromagnetic field is formed in an inner space of a chamber, and an electromagnetic field excites the process gas provided in the chamber into a plasma state.

플라즈마는 이온이나 전자, 라디칼등으로 이루어진 이온화된 가스 상태를 말한다. 플라즈마는 매우 높은 온도나, 강한 전계 혹은 고주파 전자계(RF Electromagnetic Fields)에 의해 생성된다. 식각 공정은 플라즈마에 함유된 이온 입자들이 기판과 충돌함으로써 수행된다.Plasma refers to an ionized gas state composed of ions, electrons, radicals, and the like. Plasma is generated by very high temperatures, strong electric fields, or RF electromagnetic fields. The etching process is performed by colliding the ion particles contained in the plasma with the substrate.

플라즈마는 챔버 내에서 기판의 수직 상부 영역에만 위치하지 않고 여러 방향으로 확산된다. 특히, 플라즈마가 챔버 내부의 가장자리 영역으로 다량 확산되는 경우에는 기판 처리 공정의 효율을 저하시키는 문제가 발생된다.Plasma is diffused in many directions within the chamber, not only in the vertical upper region of the substrate. Particularly, when the plasma is diffused to a peripheral region of the chamber in a large amount, there arises a problem that the efficiency of the substrate processing process is lowered.

본 발명은 플라즈마를 이용한 기판 처리 공정에서 챔버 내부의 플라즈마를 기판이 위치하는 중앙 영역으로 집중시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of concentrating a plasma inside a chamber in a central region where a substrate is located in a substrate processing process using plasma.

또한, 본 발명은 배플을 통하여 챔버 내부에서 유체를 배기할 때 배플에 아킹(Arcing)이 발생하는 것을 방지할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of preventing occurrence of arcing in a baffle when discharging a fluid through a baffle.

본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved by the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and the problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the description and the accompanying drawings will be.

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다.The present invention provides a substrate processing apparatus.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 내부에 처리 공간을 가지는 하우징, 상기 하우징 내에 배치되며 기판을 지지하는 지지 부재, 상기 하우징 내로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛, 상기 하우징 내로 공급되는 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스 및 상기 하우징 내에서 상기 지지 부재를 감싸도록 배치되며, 상기 처리 공간 내 가스를 배기하는 관통홀들이 형성된 배플을 가지는 배플 유닛을 포함하되, 상기 배플은 상부에서 바라볼 때 복수개의 영역으로 구분되고, 상기 복수개의 영역 중 일부는 금속 재질로 제공되고, 다른 일부는 비금속 재질로 제공된다.A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a housing having a processing space therein, a support member disposed in the housing and supporting the substrate, a gas supply unit for supplying gas into the housing, And a baffle unit disposed in the housing to surround the supporting member and having a baffle having through holes for exhausting gas in the processing space, wherein the baffle unit includes a baffle unit A plurality of regions are divided into a plurality of regions, a portion of the plurality of regions is provided with a metal material, and the other portions are provided with a non-metallic material.

상기 관통홀들은 상기 금속 재질 영역과 상기 비금속 재질 영역의 경계에 위치할 수 있다.The through holes may be located at a boundary between the metal material region and the non-metal material region.

상기 각 영역은 동심을 가지고, 링 형상으로 제공될 수 있다.Each of the regions may be concentric and provided in a ring shape.

상기 비금속 재질 영역의 양쪽에는 금속 재질 영역이 제공될 수 있다.Metal material regions may be provided on both sides of the non-metallic material region.

상기 금속 재질 영역과 상기 비금속 재질 영역은 교대로 반복해서 제공될 수 있다.The metal material region and the non-metal material region may be alternately and repeatedly provided.

상기 영역들 중 일부는 서로 두께가 상이하게 제공될 수 있다.Some of the regions may be provided with different thicknesses from each other.

상기 영역들은 중앙부에서 가장자리 영역으로 갈수록 두께가 두꺼워지도록 제공될 수 있다.The regions may be provided so as to be thicker from the central portion toward the edge region.

상기 영역들의 상면은 서로 조합되어 라운드 된 형상으로 제공될 수 있다.The upper surfaces of the regions may be provided in a rounded shape in combination with each other.

상기 비금속 재질은 유전체로 제공될 수 있다.The non-metallic material may be provided as a dielectric.

상기 배플 유닛은 상면이 상기 배플 저면과 접촉되고, 상기 하우징과 연결되어 상기 배플을 접지시키는 배플 접지판을 더 포함할 수 있다.The baffle unit may further include a baffle ground plate having an upper surface in contact with the baffle bottom surface and connected to the housing to ground the baffle.

상기 기판 처리 장치는 상기 하우징의 상면에 위치하고, 가장자리 영역으로 갈수록 두께가 두꺼워지는 형상으로 제공되는 플라즈마 유도부재를 더 포함할 수 있다.The substrate processing apparatus may further include a plasma inducing member located on an upper surface of the housing and provided in a shape that becomes thicker toward an edge region.

상기 플라즈마 유도부재는 그 저면이 라운드 형상으로 제공될 수 있다.The plasma induction member may be provided in a round shape in its bottom surface.

또한, 본 발명은 배플 유닛을 제공한다.The present invention also provides a baffle unit.

본 발명의 일 실시예에 의한 배플 유닛은, 기판을 처리하는 공간 내 가스를 배기하는 관통홀들이 형성된 배플 및 상기 배플과 접촉되어 제공되고, 상기 배플을 접지시키는 접지판을 포함하되, 상기 배플은 상부에서 바라볼 때 복수개의 영역으로 구분되고, 상기 복수개의 영역 중 일부는 금속 재질 영역으로 제공되고, 다른 일부는 비금속 재질 영역으로 제공된다.A baffle unit according to an embodiment of the present invention includes a baffle having through holes for exhausting gas in a space for processing a substrate and a ground plate provided in contact with the baffle and grounding the baffle, Wherein the plurality of regions are provided as a metal material region, and the other portions are provided as non-metal material regions.

상기 관통홀들은 상기 금속 재질 영역과 상기 비금속 재질 영역의 경계에 위치할 수 있다.The through holes may be located at a boundary between the metal material region and the non-metal material region.

상기 금속 재질 영역과 상기 비금속 재질 영역은 동심을 가지고, 링 형상으로 제공될 수 있다.The metal material region and the non-metal material region are concentric and may be provided in a ring shape.

상기 금속 재질 영역과 상기 비금속 재질 영역은 교대로 반복해서 제공될 수 있다.The metal material region and the non-metal material region may be alternately and repeatedly provided.

상기 영역들 중 일부는 서로 두께가 상이하게 제공될 수 있다.Some of the regions may be provided with different thicknesses from each other.

상기 영역들은 중앙부에서 가장자리 영역으로 갈수록 두께가 두꺼워지도록 제공될 수 있다.The regions may be provided so as to be thicker from the central portion toward the edge region.

본 발명의 실시예에 의하면, 플라즈마를 이용한 기판 처리 공정에서 챔버 내부의 플라즈마를 기판이 위치하는 중양영역으로 집중시킬 수 있다.According to the embodiment of the present invention, in the substrate processing process using plasma, the plasma inside the chamber can be concentrated in the middle region where the substrate is located.

또한, 본 발명의 실시예에 의하면, 배플을 통하여 챔버 내부에서 유체를 배기할 때 배플에 아킹(Arcing)이 발생하는 것을 방지할 수 있다.Further, according to the embodiment of the present invention, arcing can be prevented from occurring in the baffle when the fluid is discharged from the chamber through the baffle.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and the effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the present specification and attached drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는 도 1의 배플 유닛의 일 실시예를 보여주는 사시도이다.
도 3은 도 2의 배플의 분해 사시도이다.
도 4는 도 2의 배플 유닛의 평면도이다.
도 5는 도 4의 선 X -X'를 따라 절단한 배플 유닛의 단면도이다.
도 6은 도 2의 배플 유닛의 변형예의 절단면을 보여주는 단면도이다.
도 7은 도 1의 배플 유닛의 다른 실시예를 보여주는 사시도이다.
도 8은 도 7의 선 Y -Y'를 따라 절단한 배플 유닛의 단면도이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 1 is a cross-sectional view illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a perspective view showing an embodiment of the baffle unit of FIG. 1; FIG.
Figure 3 is an exploded perspective view of the baffle of Figure 2;
4 is a plan view of the baffle unit of Fig.
5 is a cross-sectional view of the baffle unit taken along the line X-X 'in Fig.
Fig. 6 is a cross-sectional view showing a cross-section of a modification of the baffle unit of Fig. 2;
Fig. 7 is a perspective view showing another embodiment of the baffle unit of Fig. 1;
8 is a cross-sectional view of the baffle unit taken along line Y-Y 'in Fig. 7;
9 is a cross-sectional view illustrating a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.

본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited by the embodiments described below. The present embodiments are provided to enable those skilled in the art to more fully understand the present invention. Accordingly, the shapes of the components and the like in the drawings are exaggerated in order to emphasize a clearer description.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 1 is a cross-sectional view illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 플라즈마를 이용하여 기판(W)을 처리한다. 예를 들어, 기판 처리 장치(10)는 기판(W)에 대하여 식각 공정을 수행할 수 있다. 기판 처리 장치(10)는 챔버(100), 지지 부재(200), 가스 공급 유닛(300), 플라즈마 소스(400) 그리고 배플 유닛(500)을 포함한다. Referring to Fig. 1, a substrate processing apparatus 10 processes a substrate W using a plasma. For example, the substrate processing apparatus 10 may perform an etching process on the substrate W. [ The substrate processing apparatus 10 includes a chamber 100, a support member 200, a gas supply unit 300, a plasma source 400, and a baffle unit 500.

챔버(100)는 기판 처리 공정이 수행되는 공간을 제공한다. 챔버(100)는 하우징(110), 밀폐 커버(120), 그리고 라이너(130)를 포함한다. The chamber 100 provides a space in which the substrate processing process is performed. The chamber 100 includes a housing 110, a sealing cover 120, and a liner 130.

하우징(110)은 내부에 상면이 개방된 공간을 가진다. 하우징(110)의 내부 공간은 기판 처리 공정이 수행되는 공간으로 제공된다. 하우징(110)은 금속 재질로 제공된다. 하우징(110)은 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 하우징(110)은 접지될 수 있다. 하우징(110)의 바닥면에는 배기홀(102)이 형성된다. 배기홀(102)은 배기 라인(151)과 연결된다. 공정 과정에서 발생한 반응 부산물 및 하우징의 내부 공간에 머무르는 가스는 배기 라인(151)을 통해 외부로 배출될 수 있다. 배기 과정에 의해 하우징(110) 내부는 소정 압력으로 감압된다. The housing 110 has a space in which an upper surface is opened. The inner space of the housing 110 is provided in a space where the substrate processing process is performed. The housing 110 is made of a metal material. The housing 110 may be made of aluminum. The housing 110 may be grounded. An exhaust hole 102 is formed in the bottom surface of the housing 110. The exhaust hole 102 is connected to the exhaust line 151. The reaction by-products generated in the process and the gas staying in the inner space of the housing can be discharged to the outside through the exhaust line 151. The inside of the housing 110 is decompressed to a predetermined pressure by the exhaust process.

밀폐 커버(120)는 하우징(110)의 개방된 상면을 덮는다. 밀폐 커버(120)는 판 형상으로 제공되며, 하우징(110)의 내부공간을 밀폐시킨다. 밀폐 커버(120)는 유전체(dielectric substance) 창을 포함할 수 있다.The sealing cover 120 covers the open upper surface of the housing 110. The sealing cover 120 is provided in a plate shape to seal the inner space of the housing 110. The sealing cover 120 may include a dielectric substance window.

라이너(130)는 하우징(110) 내부에 제공된다. 라이너(130)는 상면 및 하면이 개방된 공간이 내부에 형성된다. 라이너(130)는 원통 형상으로 제공될 수 있다. 라이너(130)는 하우징(110)의 내측면에 상응하는 반경을 가질 수 있다. 라이너(130)는 하우징(110)의 내측면을 따라 제공된다. 라이너(130)의 상단에는 지지 링(131)이 형성된다. 지지 링(131)은 링 형상의 판으로 제공되며, 라이너(130)의 둘레를 따라 라이너(130)의 외측으로 돌출된다. 지지 링(131)은 하우징(110)의 상단에 놓이며, 라이너(130)를 지지한다. 라이너(130)는 하우징(110)과 동일한 재질로 제공될 수 있다. 라이너(130)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 라이너(130)는 하우징(110) 내측면을 보호한다. 공정 가스가 여기되는 과정에서 챔버(100) 내부에는 아크(Arc) 방전이 발생될 수 있다. 아크 방전은 주변 장치들을 손상시킨다. 라이너(130)는 하우징(110)의 내측면을 보호하여 하우징(110)의 내측면이 아크 방전으로 손상되는 것을 방지한다. 또한, 기판 처리 공정 중에 발생한 불순물이 하우징(110)의 내측벽에 증착되는 것을 방지한다. 라이너(130)는 하우징(110)에 비하여 비용이 저렴하고, 교체가 용이하다. 따라서, 아크 방전으로 라이너(130)가 손상될 경우, 작업자는 새로운 라이너(130)로 교체할 수 있다.The liner 130 is provided inside the housing 110. The liner 130 has a space in which the upper surface and the lower surface are opened. The liner 130 may be provided in a cylindrical shape. The liner 130 may have a radius corresponding to the inner surface of the housing 110. The liner 130 is provided along the inner surface of the housing 110. At the upper end of the liner 130, a support ring 131 is formed. The support ring 131 is provided in the form of a ring and projects outwardly of the liner 130 along the periphery of the liner 130. The support ring 131 rests on the top of the housing 110 and supports the liner 130. The liner 130 may be provided in the same material as the housing 110. The liner 130 may be made of aluminum. The liner 130 protects the inside surface of the housing 110. An arc discharge may be generated in the chamber 100 during the process gas excitation. Arc discharge damages peripheral devices. The liner 130 protects the inner surface of the housing 110 to prevent the inner surface of the housing 110 from being damaged by the arc discharge. Also, impurities generated during the substrate processing process are prevented from being deposited on the inner wall of the housing 110. The liner 130 is less expensive than the housing 110 and is easier to replace. Thus, if the liner 130 is damaged by an arc discharge, the operator can replace the new liner 130.

하우징(110)의 내부에는 지지 부재(200)가 위치한다. 지지 부재(200)는 기판(W)을 지지한다. 지지 부재(200)는 정전기력을 이용하여 기판(W)을 흡착하는 정전 척(210)을 포함할 수 있다. 이와 달리, 지지 부재(200)는 기계적 클램핑과 같은 다양한 방식으로 기판(W)을 지지할 수도 있다. 이하에서는 정전 척(210)을 포함하는 지지 부재(200)에 대하여 설명한다.A support member 200 is located inside the housing 110. The support member (200) supports the substrate (W). The support member 200 may include an electrostatic chuck 210 for attracting the substrate W using an electrostatic force. Alternatively, the support member 200 may support the substrate W in a variety of ways, such as mechanical clamping. Hereinafter, the supporting member 200 including the electrostatic chuck 210 will be described.

지지 부재(200)는 정전 척(210), 절연 플레이트(250) 그리고 하부 커버(270)를 포함한다. 지지 부재(200)는 챔버(100) 내부에서 하우징(110)의 바닥면에서 상부로 이격되어 위치된다. The support member 200 includes an electrostatic chuck 210, an insulating plate 250, and a lower cover 270. The support member 200 is spaced upward from the bottom surface of the housing 110 inside the chamber 100.

정전 척(210)은 유전판(220), 전극(223), 히터(225), 지지판(230), 그리고 포커스 링(240)을 포함한다.The electrostatic chuck 210 includes a dielectric plate 220, electrodes 223, a heater 225, a support plate 230, and a focus ring 240.

유전판(220)은 정전 척(210)의 상단부에 위치한다. 유전판(220)은 원판 형상의 유전체(dielectric substance)로 제공된다. 유전판(220)의 상면에는 기판(W)이 놓인다. 유전판(220)의 상면은 기판(W)보다 작은 반경을 갖는다. 때문에, 기판(W) 가장자리 영역은 유전판(220)의 외측에 위치한다. 유전판(220)에는 제1 공급 유로(221)가 형성된다. 제1 공급 유로(221)는 유전판(210)의 상면으로부터 저면으로 제공된다. 제1 공급 유로(221)는 서로 이격하여 복수개 형성되며, 기판(W)의 저면으로 열전달 매체가 공급되는 통로로 제공된다.The dielectric plate 220 is located at the upper end of the electrostatic chuck 210. The dielectric plate 220 is provided as a disk-shaped dielectric substance. A substrate W is placed on the upper surface of the dielectric plate 220. The upper surface of the dielectric plate 220 has a smaller radius than the substrate W. [ Therefore, the edge region of the substrate W is located outside the dielectric plate 220. A first supply passage 221 is formed in the dielectric plate 220. The first supply passage 221 is provided from the upper surface to the lower surface of the dielectric plate 210. A plurality of first supply passages 221 are formed to be spaced from each other and are provided as passages through which the heat transfer medium is supplied to the bottom surface of the substrate W.

유전판(220)의 내부에는 하부 전극(223)과 히터(225)가 매설된다. 하부 전극(223)은 히터(225)의 상부에 위치한다. 하부 전극(223)은 제1 하부 전원(223a)과 전기적으로 연결된다. 제1 하부 전원(223a)은 직류 전원을 포함한다. 하부 전극(223)과 제1 하부 전원(223a) 사이에는 스위치(223b)가 설치된다. 하부 전극(223)은 스위치(223b)의 온/오프(ON/OFF)에 의해 제1 하부 전원(223a)과 전기적으로 연결될 수 있다. 스위치(223b)가 온(ON) 되면, 하부 전극(223)에는 직류 전류가 인가된다. 하부 전극(223)에 인가된 전류에 의해 하부 전극(223)과 기판(W) 사이에는 정전기력이 작용하며, 정전기력에 의해 기판(W)은 유전판(220)에 흡착된다.A lower electrode 223 and a heater 225 are buried in the dielectric plate 220. The lower electrode 223 is located above the heater 225. The lower electrode 223 is electrically connected to the first lower power source 223a. The first lower power source 223a includes a DC power source. A switch 223b is provided between the lower electrode 223 and the first lower power source 223a. The lower electrode 223 may be electrically connected to the first lower power source 223a by ON / OFF of the switch 223b. When the switch 223b is turned on, a direct current is applied to the lower electrode 223. [ An electrostatic force is applied between the lower electrode 223 and the substrate W by the current applied to the lower electrode 223 and the substrate W is attracted to the dielectric plate 220 by the electrostatic force.

히터(225)는 제2 하부 전원(225a)과 전기적으로 연결된다. 히터(225)는 제2 하부 전원(225a)에서 인가된 전류에 저항함으로써 열을 발생시킨다. 발생된 열은 유전판(220)을 통해 기판(W)으로 전달된다. 히터(225)에서 발생된 열에 의해 기판(W)은 소정 온도로 유지된다. 히터(225)는 나선 형상의 코일을 포함한다. The heater 225 is electrically connected to the second lower power source 225a. The heater 225 generates heat by resisting the current applied from the second lower power supply 225a. The generated heat is transferred to the substrate W through the dielectric plate 220. The substrate W is maintained at a predetermined temperature by the heat generated in the heater 225. The heater 225 includes a helical coil.

유전판(220)의 하부에는 지지판(230)이 위치한다. 유전판(220)의 저면과 지지판(230)의 상면은 접착제(236)에 의해 접착될 수 있다. 지지판(230)은 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 지지판(230)의 상면은 중심 영역이 가장자리 영역보다 높게 위치되도록 단차질 수 있다. 지지판(230)의 상면 중심 영역은 유전판(220)의 저면에 상응하는 면적을 가지며, 유전판(220)의 저면과 접착된다. 지지판(230)에는 제1 순환 유로(231), 제2 순환 유로(232), 그리고 제2 공급 유로(233)가 형성된다.A support plate 230 is positioned below the dielectric plate 220. The bottom surface of the dielectric plate 220 and the top surface of the support plate 230 may be adhered by an adhesive 236. [ The support plate 230 may be made of aluminum. The upper surface of the support plate 230 may be stepped so that the central region is positioned higher than the edge region. The upper surface central region of the support plate 230 has an area corresponding to the bottom surface of the dielectric plate 220 and is bonded to the bottom surface of the dielectric plate 220. A first circulation channel 231, a second circulation channel 232, and a second supply channel 233 are formed in the support plate 230.

제1 순환 유로(231)는 열전달 매체가 순환하는 통로로 제공된다. 제1 순환 유로(231)는 지지판(230) 내부에 나선 형상으로 형성될 수 있다. 또는, 제1 순환 유로(231)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 유로들이 동일한 중심을 갖도록 배치될 수 있다. 각각의 제1 순환 유로(231)들은 서로 연통될 수 있다. 제1 순환 유로(231)들은 동일한 높이에 형성된다.The first circulation channel 231 is provided as a passage through which the heat transfer medium circulates. The first circulation flow path 231 may be formed in a spiral shape inside the support plate 230. Alternatively, the first circulation flow path 231 may be arranged so that the ring-shaped flow paths having different radii have the same center. Each of the first circulation flow paths 231 can communicate with each other. The first circulation flow paths 231 are formed at the same height.

제2 순환 유로(232)는 냉각 유체가 순환하는 통로로 제공된다. 제2 순환 유로(232)는 지지판(230) 내부에 나선 형상으로 형성될 수 있다. 또한, 제2 순환 유로(232)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 유로들이 동일한 중심을 갖도록 배치될 수 있다. 각각의 제2 순환 유로(232)들은 서로 연통될 수 있다. 제2 순환 유로(232)는 제1 순환 유로(231)보다 큰 단면적을 가질 수 있다. 제2 순환 유로(232)들은 동일한 높이에 형성된다. 제2 순환 유로(232)는 제1 순환 유로(231)의 하부에 위치될 수 있다.The second circulation flow passage 232 is provided as a passage through which the cooling fluid circulates. The second circulation channel 232 may be formed in a spiral shape inside the support plate 230. Further, the second circulation flow path 232 may be arranged so that the ring-shaped flow paths having different radii have the same center. And each of the second circulation flow paths 232 can communicate with each other. The second circulation channel 232 may have a larger cross-sectional area than the first circulation channel 231. The second circulation flow paths 232 are formed at the same height. The second circulation flow passage 232 may be positioned below the first circulation flow passage 231.

제2 공급 유로(233)는 제1 순환 유로(231)부터 상부로 연장되며, 지지판(230)의 상면으로 제공된다. 제2 공급 유로(243)는 제1 공급 유로(221)에 대응하는 개수로 제공되며, 제1 순환 유로(231)와 제1 공급 유로(221)를 연결한다.The second supply passage 233 extends upward from the first circulation passage 231 and is provided on the upper surface of the support plate 230. The second supply passage 243 is provided in a number corresponding to the first supply passage 221 and connects the first circulation passage 231 to the first supply passage 221.

제1 순환 유로(231)는 열전달 매체 공급라인(231b)을 통해 열전달 매체 저장부(231a)와 연결된다. 열전달 매체 저장부(231a)에는 열전달 매체가 저장된다. 열전달 매체는 불활성 가스를 포함한다. 실시예에 의하면, 열전달 매체는 헬륨(He) 가스를 포함한다. 헬륨 가스는 공급 라인(231b)을 통해 제1 순환 유로(231)에 공급되며, 제2 공급 유로(233)와 제1 공급 유로(221)를 순차적으로 거쳐 기판(W) 저면으로 공급된다. 헬륨 가스는 플라즈마에서 기판(W)으로 전달된 열이 정전 척(210)으로 전달되는 매개체 역할을 한다.The first circulation channel 231 is connected to the heat transfer medium storage unit 231a through the heat transfer medium supply line 231b. The heat transfer medium is stored in the heat transfer medium storage unit 231a. The heat transfer medium includes an inert gas. According to an embodiment, the heat transfer medium comprises helium (He) gas. The helium gas is supplied to the first circulation channel 231 through the supply line 231b and is supplied to the bottom surface of the substrate W through the second supply channel 233 and the first supply channel 221 in sequence. The helium gas serves as a medium through which the heat transferred from the plasma to the substrate W is transferred to the electrostatic chuck 210.

제2 순환 유로(232)는 냉각 유체 공급 라인(232c)을 통해 냉각 유체 저장부(232a)와 연결된다. 냉각 유체 저장부(232a)에는 냉각 유체가 저장된다. 냉각 유체 저장부(232a) 내에는 냉각기(232b)가 제공될 수 있다. 냉각기(232b)는 냉각 유체를 소정 온도로 냉각시킨다. 이와 달리, 냉각기(232b)는 냉각 유체 공급 라인(232c) 상에 설치될 수 있다. 냉각 유체 공급 라인(232c)을 통해 제2 순환 유로(232)에 공급된 냉각 유체는 제2 순환 유로(232)를 따라 순환하며 지지판(230)을 냉각한다. 지지판(230)은 냉각되면서 유전판(220)과 기판(W)을 함께 냉각시켜 기판(W)을 소정 온도로 유지시킨다.The second circulation channel 232 is connected to the cooling fluid storage 232a through the cooling fluid supply line 232c. The cooling fluid is stored in the cooling fluid storage part 232a. A cooler 232b may be provided in the cooling fluid storage portion 232a. The cooler 232b cools the cooling fluid to a predetermined temperature. Alternatively, the cooler 232b may be installed on the cooling fluid supply line 232c. The cooling fluid supplied to the second circulation channel 232 through the cooling fluid supply line 232c circulates along the second circulation channel 232 to cool the support plate 230. The support plate 230 cools the dielectric plate 220 and the substrate W together while keeping the substrate W at a predetermined temperature.

포커스 링(240)은 정전 척(210)의 가장자리 영역에 배치된다. 포커스 링(240)은 링 형상을 가지며, 유전판(220)의 둘레를 따라 배치된다. 포커스 링(240)의 상면은 외측부(240a)가 내측부(240b)보다 높도록 단차질 수 있다. 포커스 링(240)의 상면 내측부(240b)는 유전판(220)의 상면과 동일 높이에 위치된다. 포커스 링(240)의 상면 내측부(240b)는 유전판(220)의 외측에 위치된 기판(W)의 가장자리 영역을 지지한다. 포커스 링(240)의 외측부(240a)는 기판(W)의 가장자리 영역을 둘러싸도록 제공된다. 포커스 링(240)은 챔버(100) 내에서 플라즈마가 기판(W)과 마주하는 영역으로 집중되도록 한다.The focus ring 240 is disposed in the edge region of the electrostatic chuck 210. The focus ring 240 has a ring shape and is disposed along the periphery of the dielectric plate 220. The upper surface of the focus ring 240 may be stepped so that the outer portion 240a is higher than the inner portion 240b. The upper surface inner side portion 240b of the focus ring 240 is positioned at the same height as the upper surface of the dielectric plate 220. [ The upper surface inner side portion 240b of the focus ring 240 supports an edge region of the substrate W positioned outside the dielectric plate 220. [ The outer side portion 240a of the focus ring 240 is provided so as to surround the edge region of the substrate W. [ The focus ring 240 allows the plasma to be concentrated within the chamber 100 in a region facing the substrate W. [

지지판(230)의 하부에는 절연 플레이트(250)가 위치한다. 절연 플레이트(250)는 지지판(230)에 상응하는 단면적으로 제공된다. 절연 플레이트(250)는 지지판(230)과 하부 커버(270) 사이에 위치한다. 절연 플레이트(250)는 절연 재질로 제공되며, 지지판(230)과 하부 커버(270)를 전기적으로 절연시킨다.An insulating plate 250 is disposed under the support plate 230. The insulating plate 250 is provided in a cross-sectional area corresponding to the support plate 230. [ The insulating plate 250 is positioned between the support plate 230 and the lower cover 270. The insulating plate 250 is made of an insulating material and electrically insulates the supporting plate 230 and the lower cover 270.

하부 커버(270)는 지지 부재(200)의 하단부에 위치한다. 하부 커버(270)는 하우징(110)의 바닥면에서 상부로 이격되어 위치한다. 하부 커버(270)는 상면이 개방된 공간이 내부에 형성된다. 하부 커버(270)의 상면은 절연 플레이트(250)에 의해 덮어진다. 따라서 하부 커버(270)의 단면의 외부 반경은 절연 플레이트(250)의 외부 반경과 동일한 길이로 제공될 수 있다. 하부 커버(270)의 내부 공간에는 반송되는 기판(W)을 외부의 반송 부재로부터 정전 척(210)으로 이동시키는 리프트 핀 모듈(미도시) 등이 위치할 수 있다. The lower cover 270 is located at the lower end of the support member 200. The lower cover 270 is spaced upwardly from the bottom surface of the housing 110. The lower cover 270 has a space in which an upper surface is opened. The upper surface of the lower cover 270 is covered with an insulating plate 250. The outer radius of the cross section of the lower cover 270 may be provided with a length equal to the outer radius of the insulating plate 250. [ A lift pin module (not shown) for moving the substrate W to be transferred from an external carrying member to the electrostatic chuck 210 may be positioned in the inner space of the lower cover 270.

하부 커버(270)는 연결 부재(273)를 갖는다. 연결 부재(273)는 하부 커버(270)의 외측면과 하우징(110)의 내측벽을 연결한다. 연결 부재(273)는 하부 커버(270)의 외측면에 일정한 간격으로 복수개 제공될 수 있다. 연결 부재(273)는 지지 부재(200)를 챔버(100) 내부에서 지지한다. 또한, 연결 부재(273)는 하우징(110)의 내측벽과 연결됨으로써 하부 커버(270)가 전기적으로 접지(grounding)되도록 한다. 제1 하부 전원(223a)과 연결되는 제1 전원라인(223c), 제2 하부 전원(225a)과 연결되는 제2 전원라인(225c), 열전달 매체 저장부(231a)와 연결된 열전달 매체 공급라인(231b) 그리고 냉각 유체 저장부(232a)와 연결된 냉각 유체 공급 라인(232c)등은 연결 부재(273)의 내부 공간을 통해 하부 커버(270) 내부로 연장된다.The lower cover 270 has a connecting member 273. The connecting member 273 connects the outer side surface of the lower cover 270 and the inner side wall of the housing 110. A plurality of connecting members 273 may be provided on the outer surface of the lower cover 270 at regular intervals. The connection member 273 supports the support member 200 inside the chamber 100. Further, the connecting member 273 is connected to the inner wall of the housing 110, so that the lower cover 270 is electrically grounded. A first power supply line 223c connected to the first lower power supply 223a, a second power supply line 225c connected to the second lower power supply 225a, a heat transfer medium supply line 233b connected to the heat transfer medium storage 231a And a cooling fluid supply line 232c connected to the cooling fluid reservoir 232a extend into the lower cover 270 through the inner space of the connection member 273. [

가스 공급 유닛(300)은 챔버(100) 내부에 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 유닛(300)은 가스 공급 노즐(310), 가스 공급 라인(320), 그리고 가스 저장부(330)를 포함한다. 가스 공급 노즐(310)은 밀폐 커버(120)의 중앙부에 설치된다. 가스 공급 노즐(310)의 저면에는 분사구가 형성된다. 분사구는 밀폐 커버(120)의 하부에 위치하며, 챔버(100) 내부로 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 라인(320)은 가스 공급 노즐(310)과 가스 저장부(330)를 연결한다. 가스 공급 라인(320)은 가스 저장부(330)에 저장된 공정 가스를 가스 공급 노즐(310)에 공급한다. 가스 공급 라인(320)에는 밸브(321)가 설치된다. 밸브(321)는 가스 공급 라인(320)을 개폐하며, 가스 공급 라인(320)을 통해 공급되는 공정 가스의 유량을 조절한다.The gas supply unit 300 supplies the process gas into the chamber 100. The gas supply unit 300 includes a gas supply nozzle 310, a gas supply line 320, and a gas storage unit 330. The gas supply nozzle 310 is installed at the center of the sealing cover 120. A jetting port is formed on the bottom surface of the gas supply nozzle 310. The injection port is located at the bottom of the sealing cover 120 and supplies the process gas into the chamber 100. The gas supply line 320 connects the gas supply nozzle 310 and the gas storage unit 330. The gas supply line 320 supplies the process gas stored in the gas storage unit 330 to the gas supply nozzle 310. A valve 321 is installed in the gas supply line 320. The valve 321 opens and closes the gas supply line 320 and regulates the flow rate of the process gas supplied through the gas supply line 320.

플라즈마 소스(400)는 챔버(100) 내에 공정가스를 플라즈마 상태로 여기시킨다. 플라즈마 소스(400)로는 유도결합형 플라즈마(ICP: inductively coupled plasma) 소스가 사용될 수 있다. 플라즈마 소스(400)는 안테나 실(410), 안테나(420), 그리고 플라즈마 전원(430)을 포함한다. 안테나 실(410)은 하부가 개방된 원통 형상으로 제공된다. 안테나 실(410)은 내부에 공간이 제공된다. 안테나 실(410)은 챔버(100)와 대응되는 직경을 가지도록 제공된다. 안테나 실(410)의 하단은 밀폐 커버(120)에 탈착 가능하도록 제공된다. 안테나(420)는 안테나 실(410)의 내부에 배치된다. 안테나(420)는 복수 회 감기는 나선 형상의 코일로 제공되고, 플라즈마 전원(430)과 연결된다. 안테나(420)는 플라즈마 전원(430)으로부터 전력을 인가받는다. 플라즈마 전원(430)은 챔버(100) 외부에 위치할 수 있다. 전력이 인가된 안테나(420)는 챔버(100)의 처리공간에 전자기장을 형성할 수 있다. 공정가스는 전자기장에 의해 플라즈마 상태로 여기된다.The plasma source 400 excites the process gas into the plasma state within the chamber 100. As the plasma source 400, an inductively coupled plasma (ICP) source may be used. The plasma source 400 includes an antenna chamber 410, an antenna 420, and a plasma power source 430. The antenna chamber 410 is provided in a cylindrical shape with its bottom opened. The antenna chamber 410 is provided with a space therein. The antenna chamber 410 is provided so as to have a diameter corresponding to the chamber 100. The lower end of the antenna chamber 410 is detachably provided to the sealing cover 120. The antenna 420 is disposed inside the antenna chamber 410. The antenna 420 is provided with a plurality of turns of helical coil, and is connected to the plasma power source 430. The antenna 420 receives power from the plasma power supply 430. The plasma power source 430 may be located outside the chamber 100. The powered antenna 420 may form an electromagnetic field in the processing space of the chamber 100. The process gas is excited into a plasma state by an electromagnetic field.

도 2는 도 1의 배플 유닛의 일 실시예를 보여주는 사시도이고, 도 3은 도 2의 배플의 분해 사시도이고, 도 4는 도 2의 배플 유닛의 평면도이고, 도 5는 도 4의 선 X -X'를 따라 절단한 배플 유닛의 단면도이다.FIG. 2 is a perspective view showing an embodiment of the baffle unit of FIG. 1, FIG. 3 is an exploded perspective view of the baffle of FIG. 2, FIG. 4 is a plan view of the baffle unit of FIG. Sectional view of the baffle unit taken along line X '.

도 2 내지 도 5를 참조하면, 배플 유닛(5000)은 배플(5010)과 배플 접지판(5030)을 포함한다. 배플 유닛(5000)은 하우징(110) 내에 제공된 공정가스의 흐름을 제어한다. Referring to Figs. 2-5, baffle unit 5000 includes baffle 5010 and baffle ground plate 5030. Fig. The baffle unit 5000 controls the flow of process gas provided in the housing 110.

배플 유닛(5000)은 하우징(110)의 내측벽과 지지부재(400)의 사이에 위치된다. 배플(5010)은 환형의 링 형상으로 제공된다. 배플(5010)에는 복수의 관통홀(5011)들이 형성된다. 하우징(110) 내에 제공된 공정가스는 배플(5010)의 관통홀(5011)들을 통과하여 배기홀(102)로 배기된다. 배플(5010)의 형상 및 관통홀(5011)들의 형상에 따라 공정가스의 흐름이 제어될 수 있다.The baffle unit 5000 is positioned between the inner wall of the housing 110 and the support member 400. The baffle 5010 is provided in an annular ring shape. The baffle 5010 has a plurality of through holes 5011 formed therein. The process gas provided in the housing 110 passes through the through holes 5011 of the baffle 5010 and is exhausted to the exhaust hole 102. The flow of the process gas can be controlled according to the shape of the baffle 5010 and the shape of the through holes 5011. [

배플 접지판(5030)은 배플(5010)과 접촉되도록 제공된다. 일 예에 의하면, 배플 접지판(5030)은 그 상면과 배플(5010)의 저면이 접촉되도록 제공될 수 있다. 배플 접지판(5030)은 가장자리 영역이 하우징(110)과 접촉되도록 제공된다. 배플(5010)은 배플 접지판(5030)을 통해 하우징과 전기적으로 연결된다.The baffle ground plate 5030 is provided to be in contact with the baffle 5010. According to one example, the baffle ground plate 5030 may be provided so that its upper surface is in contact with the lower surface of the baffle 5010. The baffle ground plate 5030 is provided so that the edge region is in contact with the housing 110. [ The baffle 5010 is electrically connected to the housing via a baffle ground plate 5030. [

배플(5010)은 상부에서 바라볼 때 복수개의 영역(5011a 내지 5011f)을 가진다. 일 예에 의하면, 각 영역(5011a 내지 5011f)은 링 형상으로 제공되고, 영역(5011a 내지 5011f)들은 서로 동심을 가진다. 이때 복수개의 영역(5011a 내지 5011f) 중 일부(5011a, 5011c, 5011e)는 금속 재질로 제공되고, 다른 일부(5011b, 5011d, 5011f)는 비금속 재질로 제공된다. 금속 재질로는 알루미늄이 제공될 수 있다. 비금속 재질로는 유전체가 제공될 수 있다. 유전체로는 산화 알루미늄이 제공될 수 있다. 금속 재질 영역(5011a, 5011c, 5011e)과 비금속 재질 영역(5011b, 5011d, 5011f)은 교대로 반복해서 제공될 수 있다. 예를 들어, 비금속 재질 영역(5011b)의 양쪽에는 금속 재질 영역(5011a, 5011c)이 제공되고, 금속 재질 영역(5011c)의 양쪽에는 비금속 재질 영역(5011b, 5011d)으로 제공될 수 있다. The baffle 5010 has a plurality of regions 5011a through 5011f as viewed from above. According to one example, each of the regions 5011a to 5011f is provided in a ring shape, and the regions 5011a to 5011f are concentric with each other. At this time, a part 5011a, 5011c, 5011e of the plurality of areas 5011a to 5011f is made of a metal material, and the other parts 5011b, 5011d, 5011f are provided of a non-metal material. As the metal material, aluminum may be provided. A non-metallic material may be provided with a dielectric. As the dielectric, aluminum oxide may be provided. The metal material regions 5011a, 5011c, and 5011e and the non-metal material regions 5011b, 5011d, and 5011f may be alternately and repeatedly provided. For example, metal material regions 5011a and 5011c may be provided on both sides of the non-metallic material region 5011b and non-metallic material regions 5011b and 5011d may be provided on both sides of the metal material region 5011c.

배플(5010)에는 관통홀(5015)이 제공된다. 관통홀(5015)은 배플(5010)의 상면과 저면을 수직 하방으로 관통하는 형태로 제공된다. 일 예에 의하면, 관통홀(5015)은 금속 재질 영역(5011a, 5011c, 5011e)과 비금속 재질 영역(5011b, 5011d, 5011f)의 경계에 위치한다. 관통홀(5015)은 금속 재질 영역(5011a, 5011c, 5011e)과 비금속 재질 영역(5011b, 5011d, 5011f)의 경계를 따라 일정한 간격을 두고 위치한다.The baffle 5010 is provided with a through hole 5015. The through hole 5015 is provided so as to vertically downwardly penetrate the upper surface and the lower surface of the baffle 5010. According to one example, the through hole 5015 is located at the boundary between the metal material regions 5011a, 5011c, and 5011e and the non-metal material regions 5011b, 5011d, and 5011f. The through holes 5015 are spaced apart from each other along the boundary between the metal material regions 5011a, 5011c and 5011e and the nonmetal material regions 5011b, 5011d and 5011f.

배플(5010)은 복수개의 영역(5011a 내지 5011f)들 중 일부의 두께가 상이하게 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 복수개의 영역(5011a 내지 5011f)들은 중앙부에서 가장자리 영역으로 갈수록 두께가 두꺼워지는 형상으로 제공될 수 있다. 예를 들어, 배플(5010)은 저면은 수평한 방향으로 제공되나, 상면의 높이가 상이하여 그 두께가 다르도록 제공될 수 있다. 이때 배플(5010)의 상면은 서로 조합되어 라운드 된 형상으로 제공될 수 있다. 이와 달리, 배플(5010)의 상면은 조로 조합되어 외측으로 갈수록 상향 경사되도록 제공될 수도 있다. 이와 달리, 배플(5010)의 저면의 높이가 상이하고, 상면이 수평한 방향으로 제공될 수도 있다.The baffle 5010 may be provided with different thicknesses of a plurality of regions 5011a to 5011f. According to an example, the plurality of regions 5011a to 5011f may be provided in a shape in which the thickness increases from the central portion to the edge region. For example, the bottom surface of the baffle 5010 is provided in a horizontal direction, but the height of the top surface may be different and the thickness thereof may be different. At this time, the upper surfaces of the baffle 5010 may be provided in a round shape in combination with each other. Alternatively, the upper surface of the baffle 5010 may be combined to form an upwardly inclined as it goes outward. Alternatively, the height of the bottom surface of the baffle 5010 may be different, and the top surface may be provided in a horizontal direction.

도 6은 도 2의 배플 유닛의 변형예의 절단면을 보여주는 단면도이다.Fig. 6 is a cross-sectional view showing a cross-section of a modification of the baffle unit of Fig. 2;

도 6을 참조하면, 배플 유닛(5100)은 배플(5110)과 배플 접지판(5130)을 포함한다. 배플 유닛(5100)은 도 2의 배플 유닛(5000)과 비교할 때 형상은 동일하나 배플(5110)의 각 영역(5011a 내지 5011f)의 재질이 차이가 있다. 이하에서는 도 2의 배플 유닛(5000)과의 차이점을 중심으로 설명한다.Referring to FIG. 6, the baffle unit 5100 includes a baffle 5110 and a baffle ground plate 5130. The shape of the baffle unit 5100 is the same as that of the baffle unit 5000 of FIG. 2, but the materials of the regions 5011a to 5011f of the baffle 5110 are different. Hereinafter, differences from the baffle unit 5000 of FIG. 2 will be mainly described.

배플(5110)의 복수개의 영역(5111a 내지 5111f) 중 일부는 금속 또는 비금속 재질로 코팅되어 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 배플(5110)이 금속 재질로 제공되고, 복수개의 영역(5111a 내지 5111f) 중 일부(5111b, 5111d, 5111f)를 비금속 재질로 코팅하여 제공될 수 있다. 이러한 경우에 코팅된 일부 영역(5111b, 5111d, 5111f)과 코팅되지 않은 나머지 영역(5111b, 5111d, 5111f)은 교대로 반복해서 제공된다. 이와 달리, 배플(5110)이 비금속 재질로 제공되고, 복수개의 영역(5111a 내지 5111f) 중 일부(5111a, 5111c, 5111f)를 금속 재질로 코팅하여 제공될 수 있다. Some of the plurality of regions 5111a to 5111f of the baffle 5110 may be provided coated with a metal or a non-metallic material. According to an example, the baffle 5110 may be provided of a metal material and may be provided by coating portions 5111b, 5111d, and 5111f of the plurality of regions 5111a to 5111f with a non-metallic material. In this case, the coated partial areas 5111b, 5111d, and 5111f and the uncoated remaining areas 5111b, 5111d, and 5111f are alternately repeatedly provided. Alternatively, the baffle 5110 may be provided of a nonmetallic material and may be provided by coating portions 5111a, 5111c, and 5111f of the plurality of regions 5111a to 5111f with a metal material.

도 7은 도 1의 배플 유닛의 다른 실시예를 보여주는 사시도이고, 도 8은 도 7의 선 Y -Y'를 따라 절단한 배플 유닛을 보여주는 단면도이다.FIG. 7 is a perspective view showing another embodiment of the baffle unit of FIG. 1, and FIG. 8 is a sectional view showing a baffle unit cut along the line Y-Y 'of FIG.

도 7 및 도 8을 참조하면, 배플 유닛(5200)은 배플(5210)과 배플 접지판(5230)을 포함한다. 배플 유닛(5200)은 도 2의 배플 유닛(5000)과 비교할 때 배플(5210)의 각 영역(5211a 내지 5211f)의 두께가 차이가 있다. 그 외의 구성은 도 2의 배플 유닛(5000)과 유사하므로, 이하에서는 도 2의 배플 유닛(5000)과의 차이점을 중심으로 설명한다.Referring to FIGS. 7 and 8, the baffle unit 5200 includes a baffle 5210 and a baffle ground plate 5230. The baffle unit 5200 has different thicknesses of the respective regions 5211a to 5211f of the baffle 5210 as compared with the baffle unit 5000 of Fig. The other configuration is similar to that of the baffle unit 5000 of FIG. 2. Therefore, the following description focuses on differences from the baffle unit 5000 of FIG.

배플(5210)은 상부에서 바라볼 때 복수개의 영역(5211a 내지 5211f)을 가진다. 일 예에 의하면, 각 영역(5211a 내지 5211f)은 링 형상으로 제공되고, 각 영역(5211a 내지 5211f)들은 서로 동심을 가진다. 이때 복수개의 영역(5211a 내지 5211f) 중 일부(5211a, 5211c, 5211e)는 금속 재질로 제공되고, 다른 일부(5211b, 5211d, 5211f)는 비금속 재질로 제공된다. 금속 재질로는 알루미늄이 제공될 수 있다. 비금속 재질로는 유전체가 제공될 수 있다. 유전체로는 산화 알루미늄이 제공될 수 있다. 금속 재질 영역(5211a, 5211c, 5211e)과 비금속 재질 영역(5211b, 5211d, 5211f)은 교대로 반복해서 제공될 수 있다. The baffle 5210 has a plurality of regions 5211a through 5211f as viewed from above. According to one example, each of the regions 5211a to 5211f is provided in a ring shape, and the regions 5211a to 5211f are concentric with each other. At this time, a part 5211a, 5211c, or 5211e of the plurality of areas 5211a to 5211f is provided with a metal material, and the other parts 5211b, 5211d, and 5211f are provided with a non-metallic material. As the metal material, aluminum may be provided. A non-metallic material may be provided with a dielectric. As the dielectric, aluminum oxide may be provided. The metal material regions 5211a, 5211c, and 5211e and the non-metal material regions 5211b, 5211d, and 5211f may be alternately and repeatedly provided.

배플(5210)은 관통홀(5215)이 제공된다. 관통홀(5215)은 배플(5210)의 상면과 저면을 수직 하방으로 관통하는 형태로 제공된다. 일 예에 의하면, 관통홀(5215)은 금속 재질 영역(5211a, 5211c, 5211e)과 비금속 재질 영역(5211b, 5211d, 5211f)의 경계에 위치한다. 예를 들어, 관통홀(5215)은 일측에는 금속 재질 영역(5211a, 5211c, 5211e)이 위치하고, 타측에는 비금속 재질 영역(5211b, 5211d, 5211f)이 위치하도록 제공된다. 관통홀(5215)은 금속 재질 영역(5211a, 5211c, 5211e)과 비금속 재질 영역(5211b, 5211d, 5211f)의 경계를 따라 일정한 간격을 두고 위치한다.The baffle 5210 is provided with a through hole 5215. The through hole 5215 is provided so as to penetrate vertically downward from the upper surface and the lower surface of the baffle 5210. According to one example, the through hole 5215 is located at the boundary between the metal material regions 5211a, 5211c, and 5211e and the non-metal material regions 5211b, 5211d, and 5211f. For example, the through hole 5215 is provided with metal material regions 5211a, 5211c and 5211e on one side and non-metallic material regions 5211b, 5211d and 5211f on the other side. The through holes 5215 are spaced apart from each other along the boundary between the metal material regions 5211a, 5211c and 5211e and the nonmetal material regions 5211b, 5211d and 5211f.

배플(5210)은 복수개의 영역(5211a 내지 5211f)들의 두께가 동일하게 제공될 수 있다. 도 2의 배플(5010)은 각 영역(5211a 내지 5211f)의 두께가 상이하게 제공되는 점에서 차이점이 있다.The baffle 5210 may be provided with the same thickness of the plurality of regions 5211a to 5211f. The baffle 5010 of FIG. 2 differs in that the thicknesses of the regions 5211a to 5211f are provided differently.

상술한 실시예 및 변형예에서는 배플에 6개의 영역이 제공되는 것으로 도시되었으나, 이와 달리 6개 이상 또는 6개 이하의 영역으로 제공될 수도 있다.In the above-described embodiments and modifications, six regions are shown as provided in the baffle, but alternatively, they may be provided in six or more regions or six regions or less.

이하, 상술한 도 1의 기판 처리 장치(10)를 이용하여 기판을 처리하는 과정을 설명하도록 한다. Hereinafter, the process of processing the substrate using the substrate processing apparatus 10 of FIG. 1 will be described.

지지 부재(200)에 기판(W)이 놓이면, 제1 하부 전원(223a)으로부터 하부 전극(223)에 직류 전류가 인가된다. 하부 전극(223)에 인가된 직류 전류에 의해 하부 전극(223)과 기판(W) 사이에는 정전기력이 작용하며, 정전기력에 의해 기판(W)은 정전 척(210)에 흡착된다.When the substrate W is placed on the support member 200, a direct current is applied from the first lower power source 223a to the lower electrode 223. [ An electrostatic force is applied between the lower electrode 223 and the substrate W by a DC current applied to the lower electrode 223 and the substrate W is attracted to the electrostatic chuck 210 by an electrostatic force.

기판(W)이 정전 척(210)에 흡착되면, 가스 공급 노즐(310)을 통하여 하우징(110) 내부에 공정가스가 공급된다. 그리고, 플라즈마 전원(430)에서 생성된 고주파 전력이 안테나(420)를 통해 하우징(110) 내부에 인가된다. 인가된 고주파 전력은 하우징(110) 내부에 머무르는 공정 가스를 여기시킨다. 여기된 공정가스는 기판(W)으로 제공되어 기판(W)을 처리한다. 여기된 공정가스는 식각 공정을 수행할 수 있다.When the substrate W is attracted to the electrostatic chuck 210, the process gas is supplied into the housing 110 through the gas supply nozzle 310. Then, the high frequency power generated in the plasma power source 430 is applied to the inside of the housing 110 through the antenna 420. The applied high frequency power excites the process gas staying inside the housing 110. The excited process gas is supplied to the substrate W to process the substrate W. The excited process gas may be subjected to an etching process.

하우징(110) 내부에 공급된 공정가스는 지지 부재(200) 상부에 위치하는 것이 기판 처리 공정의 효율성을 도모할 수 있다. 그러나 지지 부재(200)의 가장자리 영역에서는 인접하여 위치하는 배플(5010)에서 공정가스가 배기되어 중앙 영역보다 상대적으로 공정가스의 밀도가 낮을 수 있다. The process gas supplied to the inside of the housing 110 is located above the support member 200, so that the efficiency of the substrate processing process can be improved. However, in the edge region of the support member 200, the process gas is exhausted from the adjacent baffle 5010, so that the density of the process gas may be relatively lower than that in the central region.

본 발명의 실시예에 의하면, 배플(5010)은 중앙에서 가장자리로 갈수록 그 두께가 두꺼워지는 형상으로 제공된다. 이에 의하여, 하우징(110) 내부의 공정가스는 하우징(110)의 가장자리 영역에서 쉽게 배기되지 못하고, 하우징(110)의 중앙 영역으로 이동하게 된다. 이에 의하여, 지지 부재(200)의 상부 가장자리 영역에 공정가스의 밀도가 중앙부와 균일하게 유지될 수 있도록 한다. 지지 부재(200)의 상부에서 공정가스가 균일하게 유지되는 경우에는 기판(W)의 전 영역에서 플라즈마 처리가 균일하게 이루어질 수 있다. 이를 통해 기판(W) 처리의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.According to the embodiment of the present invention, the baffle 5010 is provided in a shape that its thickness becomes thicker from the center to the edge. Accordingly, the process gas inside the housing 110 can not be easily exhausted from the edge region of the housing 110, but moves to the central region of the housing 110. Thereby, the density of the process gas in the upper edge region of the support member 200 can be maintained uniformly with the center portion. In the case where the process gas is uniformly maintained at the upper portion of the support member 200, the plasma treatment can be uniformly performed in the entire region of the substrate W. Whereby the reliability of the processing of the substrate W can be improved.

또한, 배플(5010) 전체가 금속으로 제공되는 경우에 배플(5010)의 관통홀(5015)로 가스가 배기되는 경우에 관통홀(5015)에서 아킹(arcing)이 발생할 수 있다. 하우징(110) 내부가 플라즈마 처리로 인하여 고온과 고압의 분위기가 제공되며, 관통홀(5015)은 금속재질의 배플(5010)로 둘러싸여 제공되므로 아킹이 발생될 수 있다. Arcing may also occur in the through hole 5015 when the gas is exhausted to the through hole 5015 of the baffle 5010 when the entire baffle 5010 is provided with a metal. The inside of the housing 110 is provided with an atmosphere of high temperature and high pressure due to the plasma treatment, and the through hole 5015 is surrounded by the baffle 5010 made of a metal, so arcing can be generated.

그러나 본 발명의 실시예에 의하면, 배플(5010)은 복수개의 영역(5011a 내지 5011f)으로 구분되고, 일부 영역(5011a, 5011c. 5011e)은 금속 재질로 제공되며, 다른 일부 영역(5011b, 5011d, 5011f)은 비금속 재질의 유전체로 제공된다. 관통홀(5015)은 금속 재질 영역(5011a, 5011c, 5011e)과 비금속 재질 영역(5011b, 5011d, 5011f)의 경계에 위치한다. 이로 인하여, 관통홀(5015)의 물리적인 간격은 일정하게 유지되나, 관통홀(5015)의 전기적인 간격은 넓게 제공된다. 관통홀(5015)의 직경이 동일하여 그 물리적인 간격이 일정하게 유지되므로, 동일한 양의 공정가스를 배기하고 공정가스의 흐름을 제어할 수 있다. 그러나 관통홀(5015)은 금속 영역과 다른 금속 영역의 간격이 멀어지게 되어 전기적인 간격은 넓게 제공된다. 이로 인하여 공정가스가 관통홀(5015)을 통과할 때 발생할 수 있는 아킹이 줄어들게 된다. 이에 따라 기판 처리 공정의 효율성과 신뢰성을 도모할 수 있다.However, according to the embodiment of the present invention, the baffle 5010 is divided into a plurality of regions 5011a to 5011f, some regions 5011a, 5011c, 5011e are provided with a metal material, and the other regions 5011b, 5011d, 5011f are provided as a dielectric of a non-metallic material. The through hole 5015 is located at the boundary between the metal material regions 5011a, 5011c, and 5011e and the non-metal material regions 5011b, 5011d, and 5011f. As a result, the physical spacing of the through holes 5015 remains constant, but the electrical spacing of the through holes 5015 is wide. Since the diameter of the through holes 5015 is the same and the physical distance is kept constant, the same amount of the process gas can be exhausted and the flow of the process gas can be controlled. However, the through hole 5015 is spaced apart from the metal region and the other metal region, so that the electrical gap is widely provided. As a result, arcing that may occur when the process gas passes through the through hole 5015 is reduced. Thus, efficiency and reliability of the substrate processing process can be achieved.

도 9는 기판 처리 장치의 다른 실시예를 보여주는 도면이다.9 is a view showing another embodiment of the substrate processing apparatus.

도 9를 참조하면, 기판 처리 장치(20)는 챔버(1000), 지지 부재(200), 가스 공급 유닛(300), 플라즈마 소스(400) 그리고 배플 유닛(500)을 포함한다. 본 실시예의 기판 처리 장치(20)는 도 1의 기판 처리 장치(10)와 비교하여 챔버(1000)의 형상과 기능이 상이하게 제공된다. 그 외에 지지 부재(200), 가스 공급 유닛(300), 플라즈마 소스(400) 그리고 배플 유닛(500)은 동일한 형상과 기능을 가진다. 따라서, 이하에서는 챔버(1000)를 중심으로 설명하고, 다른 구성의 설명은 도 1의 기판 처리 장치(10)와 동일하므로 생략한다.9, the substrate processing apparatus 20 includes a chamber 1000, a support member 200, a gas supply unit 300, a plasma source 400, and a baffle unit 500. The substrate processing apparatus 20 of this embodiment is different in shape and function from the chamber 1000 as compared with the substrate processing apparatus 10 of FIG. In addition, the support member 200, the gas supply unit 300, the plasma source 400, and the baffle unit 500 have the same shape and function. Therefore, the following description will focus on the chamber 1000, and the description of the other components is the same as that of the substrate processing apparatus 10 of FIG.

챔버(1000)는 기판(W) 처리 공정이 수행되는 공간을 제공한다. 챔버(1000)는 하우징(1010), 밀폐 커버(1020), 라이너(1030) 그리고 플라즈마 유도부재(1070)를 포함한다. The chamber 1000 provides a space in which the substrate W processing process is performed. The chamber 1000 includes a housing 1010, a sealed cover 1020, a liner 1030, and a plasma induction member 1070.

하우징(1010)은 상면이 개방된 공간이 내부에 형성된다. 하우징(1010)의 내부 공간은 기판(W) 처리 공정이 수행되는 공간으로 제공된다. 하우징(1010)은 금속 재질로 제공된다. 하우징(1010)은 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 하우징(1010)의 바닥면에는 배기홀(1002)이 형성된다. 배기홀(1002)은 배기 라인(1051)과 연결된다. 공정 과정에서 발생한 반응 부산물 및 하우징의 내부 공간에 머무르는 가스는 배기 라인(1051)을 통해 외부로 배출될 수 있다. 배기 과정에 의해 하우징(1010) 내부는 소정 압력으로 감압된다. The housing 1010 has a space in which an open top surface is formed. The inner space of the housing 1010 is provided in a space in which the substrate W processing process is performed. The housing 1010 is made of a metal material. The housing 1010 may be made of aluminum. An exhaust hole 1002 is formed in the bottom surface of the housing 1010. The exhaust hole 1002 is connected to the exhaust line 1051. The reaction by-products generated in the process and the gas staying in the inner space of the housing can be discharged to the outside through the exhaust line 1051. [ The inside of the housing 1010 is reduced in pressure to a predetermined pressure by the exhaust process.

밀폐 커버(1020)는 하우징(1010)의 개방된 상면을 덮는다. 밀폐 커버(1020)는 판 형상으로 제공되며, 하우징(1010)의 내부공간을 밀폐시킨다. 밀폐 커버(1020)는 하우징(1010)과 상이한 재질로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 밀폐 커버(1020)는 유전체(dielectric substance) 창을 포함할 수 있다.The sealed cover 1020 covers the open top surface of the housing 1010. The sealing cover 1020 is provided in a plate shape to seal the inner space of the housing 1010. The sealing cover 1020 may be provided in a material different from that of the housing 1010. According to one example, the sealed cover 1020 may include a dielectric substance window.

라이너(1030)는 하우징(1010) 내부에 제공된다. 라이너(1030)는 상면 및 하면이 개방된 공간이 내부에 형성된다. 라이너(1030)는 원통 형상으로 제공될 수 있다. 라이너(1030)는 하우징(1010)의 내측면에 상응하는 반경을 가질 수 있다. 라이너(1030)는 하우징(1010)의 내측면을 따라 제공된다. 라이너(1030)의 상단에는 지지 링(1031)이 형성된다. 지지 링(1031)은 링 형상의 판으로 제공되며, 라이너(1030)의 둘레를 따라 라이너(1030)의 외측으로 돌출된다. 지지 링(1031)은 하우징(1010)의 상단에 놓이며, 라이너(1030)를 지지한다. 라이너(1030)는 하우징(1010)과 동일한 재질로 제공될 수 있다. 라이너(1030)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 라이너(1030)는 하우징(1010) 내측면을 보호한다. 공정 가스가 여기되는 과정에서 챔버(1100) 내부에는 아크(Arc) 방전이 발생될 수 있다. 아크 방전은 주변 장치들을 손상시킨다. 라이너(1030)는 하우징(1010)의 내측면을 보호하여 하우징(1010)의 내측면이 아크 방전으로 손상되는 것을 방지한다. 라이너(1030)는 하우징(1010)에 비하여 비용이 저렴하고, 교체가 용이하다. 따라서, 아크 방전으로 라이너(1030)이 손상될 경우, 새로운 라이너로 교체할 수 있다.The liner 1030 is provided inside the housing 1010. The liner 1030 has a space in which the upper surface and the lower surface are opened. The liner 1030 may be provided in a cylindrical shape. The liner 1030 may have a radius corresponding to the inner surface of the housing 1010. The liner 1030 is provided along the inner surface of the housing 1010. At the upper end of the liner 1030, a support ring 1031 is formed. The support ring 1031 is provided as a ring-shaped plate and protrudes outward of the liner 1030 along the periphery of the liner 1030. The support ring 1031 rests on the top of the housing 1010 and supports the liner 1030. The liner 1030 may be provided in the same material as the housing 1010. [ The liner 1030 may be made of aluminum. The liner 1030 protects the inside surface of the housing 1010. An arc discharge may be generated in the chamber 1100 in the course of exciting the process gas. Arc discharge damages peripheral devices. The liner 1030 protects the inner surface of the housing 1010 to prevent the inner surface of the housing 1010 from being damaged by the arc discharge. The liner 1030 is less expensive and easier to replace than the housing 1010. Thus, if the liner 1030 is damaged by arc discharge, it can be replaced with a new liner.

플라즈마 유도부재(1070)는 하우징(110)의 상면에 위치한다. 일 예에 의하면, 플라즈마 유도부재(1070)는 가장자리 영역으로 갈수록 두께가 두꺼워지는 형상으로 제공될 수 있다. 예를 들어, 밀폐 커버(1020)와 접촉되는 플라즈마 유도부재(1070)의 상면은 수평한 면으로 제공되고, 플라즈마 유도부재(1070)의 저면이 가장자리 영역으로 갈수록 하우징(1010)의 저면으로부터의 높이가 낮아지도록 제공될 수 있다. 플라즈마 유도부재(1070)는 그 저면이 라운드 형상으로 제공될 수도 있다.The plasma induction member 1070 is positioned on the upper surface of the housing 110. According to an example, the plasma inducing member 1070 may be provided in a shape that becomes thicker toward the edge region. For example, the upper surface of the plasma induction member 1070 that is in contact with the sealed cover 1020 is provided in a horizontal plane, and the lower surface of the plasma induction member 1070 has a height from the bottom surface of the housing 1010 Can be provided. The plasma induction member 1070 may be provided in a round shape in its bottom surface.

플라즈마 유도부재(1070)는 하우징(1010) 내부의 공정가스를 지지 부재(200)의 상부로 유도한다. 지지 부재(200)의 상부의 공정가스 밀도가 높아질 수 있다. 또한, 지지 부재(200)의 전 영역에서 균일한 밀도의 플라즈마 처리가 제공될 수 있다. 이를 통하여 플라즈마를 통한 기판(W) 처리의 효율성을 도모할 수 있다. 플라즈마 유도부재(1070)는 그 위치나 두께를 조절하여 하우징(1010) 내부의 공정가스 밀도를 조절할 수 있다. 선택적으로, 플라즈마 유도부재(1070)는 제공되지 않을 수도 있다.The plasma inducing member 1070 directs the process gas inside the housing 1010 to the top of the support member 200. The process gas density at the upper portion of the support member 200 can be increased. In addition, a uniform density of plasma processing can be provided over the entire area of the support member 200. So that the efficiency of the processing of the substrate W through the plasma can be improved. The plasma inducing member 1070 can control the process gas density inside the housing 1010 by adjusting its position and thickness. Alternatively, the plasma inducing member 1070 may not be provided.

상기 실시예에서는 플라즈마를 이용하여 식각 공정을 수행하는 것으로 설명하였으나, 기판 처리 공정은 이에 한정되지 않으며, 플라즈마를 이용하는 다양한 기판 처리 공정, 예컨대 증착 공정, 애싱 공정, 그리고 세정 공정 등에도 적용될수 있다.In the above embodiments, the etching process is performed using plasma. However, the substrate process is not limited thereto. The substrate process may be applied to a variety of substrate processing processes using plasma, such as a deposition process, an ashing process, and a cleaning process.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The foregoing description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and various changes and modifications may be made by those skilled in the art without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas falling within the scope of the same shall be construed as falling within the scope of the present invention.

10, 20: 기판 처리 장치 100: 챔버
130: 라이너 200: 지지 부재
300: 가스 공급 유닛 400: 플라즈마 소스
420: 안테나 5000: 배플 유닛
1070: 플라즈마 유도부재10, 20: substrate processing apparatus 100: chamber
130: liner 200: support member
300: gas supply unit 400: plasma source
420: antenna 5000: baffle unit
1070: Plasma induction member

Claims (20)

내부에 처리 공간을 가지는 하우징;
상기 하우징 내에 배치되며 기판을 지지하는 지지 부재;
상기 하우징 내로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛;
상기 하우징 내로 공급되는 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스; 및
상기 하우징 내에서 상기 지지 부재를 감싸도록 배치되며, 상기 처리 공간 내 가스를 배기하는 관통홀들이 형성된 배플을 가지는 배플 유닛;을 포함하되,
상기 배플은 상부에서 바라볼 때 복수개의 영역으로 구분되고,
상기 복수개의 영역 중 일부는 금속 재질로 제공되고, 다른 일부는 비금속 재질로 제공되는 기판 처리 장치.A housing having a processing space therein;
A support member disposed in the housing and supporting the substrate;
A gas supply unit for supplying gas into the housing;
A plasma source for generating a plasma from a gas supplied into the housing; And
And a baffle unit disposed in the housing to surround the support member and having a baffle having through holes for exhausting gas in the processing space,
The baffle is divided into a plurality of regions when viewed from above,
Wherein a part of the plurality of areas is provided as a metal material and the other part is provided as a non-metallic material. 제1항에 있어서,
상기 관통홀들은 상기 금속 재질 영역과 상기 비금속 재질 영역의 경계에 위치하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the through holes are located at a boundary between the metal material region and the non-metal material region. 제2항에 있어서,
상기 각 영역은 동심을 가지고, 링 형상으로 제공되는 기판 처리 장치.3. The method of claim 2,
Wherein each of the regions is concentric and provided in a ring shape. 제3항에 있어서,
상기 비금속 재질 영역의 양쪽에는 금속 재질 영역이 제공되는 기판 처리 장치.The method of claim 3,
Wherein a metal material region is provided on both sides of the non-metallic material region. 제3항에 있어서,
상기 금속 재질 영역과 상기 비금속 재질 영역은 교대로 반복해서 제공되는 기판 처리 장치.The method of claim 3,
Wherein the metal material region and the non-metal material region are alternately repeatedly provided. 제2항에 있어서,
상기 영역들 중 일부는 서로 두께가 상이하게 제공되는 기판 처리 장치.3. The method of claim 2,
Wherein some of the regions are provided with different thicknesses from each other. 제6항에 있어서,
상기 영역들은 중앙부에서 가장자리 영역으로 갈수록 두께가 두꺼워지도록 제공되는 기판 처리 장치.The method according to claim 6,
Wherein the regions are provided such that their thickness increases from the central portion to the edge region. 제6항에 있어서,
상기 영역들의 상면은 서로 조합되어 라운드 된 형상으로 제공되는 기판 처리 장치.The method according to claim 6,
Wherein the upper surfaces of the regions are provided in a rounded shape in combination with each other. 제5항에 있어서,
상기 영역들은 중앙부에서 가장자리 영역으로 갈수록 두께가 두꺼워지도록 제공되는 기판 처리 장치.6. The method of claim 5,
Wherein the regions are provided such that their thickness increases from the central portion to the edge region. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 비금속 재질은 유전체로 제공되는 기판 처리 장치.10. The method according to any one of claims 1 to 9,
Wherein the non-metallic material is provided as a dielectric. 제10항에 있어서,
상기 배플 유닛은 상면이 상기 배플 저면과 접촉되고, 상기 하우징과 연결되어 상기 배플을 접지시키는 배플 접지판;을 더 포함하는 기판 처리 장치.11. The method of claim 10,
Wherein the baffle unit further comprises a baffle ground plate having an upper surface in contact with the baffle bottom surface and connected to the housing to ground the baffle. 제1항에 있어서,
상기 기판 처리 장치는 상기 하우징의 상면에 위치하고, 가장자리 영역으로 갈수록 두께가 두꺼워지는 형상으로 제공되는 플라즈마 유도부재를 더 포함하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the substrate processing apparatus further comprises a plasma inducing member located on an upper surface of the housing and provided in a shape of a thicker thickness toward an edge region. 제12항에 있어서,
상기 플라즈마 유도부재는 그 저면이 라운드 형상으로 제공되는 기판 처리 장치.13. The method of claim 12,
Wherein the plasma induction member is provided in a round shape in its bottom face. 제11항에 있어서,
상기 기판 처리 장치는 상기 하우징의 상면에 위치하고, 가장자리 영역으로 갈수록 두께가 두꺼워지는 형상으로 제공되는 플라즈마 유도부재;를 더 포함하는 기판 처리 장치.12. The method of claim 11,
Wherein the substrate processing apparatus further comprises a plasma induction member located on an upper surface of the housing and provided in a shape such that its thickness becomes thicker toward an edge region. 기판을 처리하는 공간 내 가스를 배기하는 관통홀들이 형성된 배플 및
상기 배플과 접촉되어 제공되고, 상기 배플을 접지시키는 접지판;을 포함하되,
상기 배플은 상부에서 바라볼 때 복수개의 영역으로 구분되고,
상기 복수개의 영역 중 일부는 금속 재질 영역으로 제공되고, 다른 일부는 비금속 재질 영역으로 제공되는 배플 유닛.A baffle in which through holes for exhausting gas in a space for processing a substrate are formed and
And a ground plate provided in contact with the baffle and grounding the baffle,
The baffle is divided into a plurality of regions when viewed from above,
Wherein a portion of the plurality of regions is provided as a metal material region and the other portion is provided as a non-metallic material region. 제15항에 있어서,
상기 관통홀들은 상기 금속 재질 영역과 상기 비금속 재질 영역의 경계에 위치하는 배플 유닛.16. The method of claim 15,
Wherein the through holes are located at a boundary between the metal material region and the non-metal material region. 제16항에 있어서,
상기 금속 재질 영역과 상기 비금속 재질 영역은 동심을 가지고, 링 형상으로 제공되는 배플 유닛.17. The method of claim 16,
Wherein the metal material region and the non-metal material region are concentric and provided in a ring shape. 제17항에 있어서,
상기 금속 재질 영역과 상기 비금속 재질 영역은 교대로 반복해서 제공되는 배플 유닛.18. The method of claim 17,
Wherein the metal material area and the non-metal material area are provided alternately and repeatedly. 제16항에 있어서,
상기 영역들 중 일부는 서로 두께가 상이하게 제공되는 배플 유닛.17. The method of claim 16,
Wherein some of the regions are provided with different thicknesses from one another. 제16항에 있어서,
상기 영역들은 중앙부에서 가장자리 영역으로 갈수록 두께가 두꺼워지도록 제공되는 배플 유닛.17. The method of claim 16,
Wherein the regions are provided such that their thickness increases from the central portion to the edge region.
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