KR101406787B1 - Ｌｅｄ 패키지 - Google Patents

Ｌｅｄ 패키지

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Abstract

본 발명은 LED 패키지에 관한 것으로, 제1 리드 프레임 및 제2 리드 프레임을 내측에 수용하고, 몰딩제 충진 공간이 형성된 패키지 몰드; 상기 패키지 몰드의 내측면에 형성된 반사부재; 상기 반사부재 내측의 상기 제1 리드 프레임 상에 실장된 LED 칩; 상기 LED 칩을 보호하도록 상기 몰딩제 충진 공간에 충진되는 몰딩제; 및 상기 LED 칩과 상기 반사부재의 전기적 연결을 위한 와이어; 를 포함하는 LED 패키지를 제공한다.
LED, 발광다이오드, 패키지. 리드 프레임

Description

ＬＥＤ 패키지{LED package}
본 발명은 LED 패키지에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 패키지 몰드 내측면에 전도성 금속으로 이루어지고, 상기 전도성 금속 표면에 Ag 및 Al로 도금 또는 스퍼터링된 반사부재를 구비하는 LED 패키지에 관한 것이다.
일반적으로 발광 다이오드(LED: Light Emitting Diode)는 전류가 흐를 때 빛을 내는 반도체 발광소자이며, GaAs, GaN 광반도체로 이루어진 PN 접합 다이오드(junction diode)로 전기에너지를 빛에너지로 바꾸어 주는 것이다.
이러한 LED로부터 나오는 빛의 영역은 레드(630nm~700nm)로부터 블루-바이올렛(400nm)까지로 블루, 그린 및 화이트까지도 포함하고 있으며, 상기 LED는 백열전구와 형광등과 같은 기존의 광원에 비해 저전력소비, 고효율, 장시간 동작 수명 등의 장점을 가지고 있어 그 수요가 지속적으로 증가하고 있는 실정이다.
최근에 LED는 모바일 단말기의 소형조명에서 실내외의 일반조명, 자동차 조명, 대형 LCD(Liquid Crystal Display)용 백라이트(Backlight)로 그 적용범위가 점 차 확대되고 있다.
백라이트로의 적용 측면에서, 광학 두께를 낮추기 위해서는 패키지 출사광의 광지향각을 확보하여야 하는데, 패키지 크기를 최소화하면서 광지향각을 구현하기 위해서는 광원 크기의 최소화가 요구된다.
그리고 조명으로의 적용 측면에서는, 고출사효율을 위해 렌즈를 이용하여야 하는데 광원의 크기가 큰 경우 불스 아이(bull's eye)와 같은 방향에 따른 색좌표/색온도 특성이 차이날 수 있으므로, 이를 극복하기 위해서는 역시 광원 크기의 최소화가 요구된다.
이러한 추세에 따라 발광 다이오드 패키지는 주로 캐비티 내에 복수개의 LED 칩을 평면상에 배열된 형태로 내장하는 멀티 칩 패키지 혹은 기판에 직접 LED 칩을 부착하고 봉지하여 크기를 감소시킨 씨오비 패키지 등이 사용되고 있다.
도 1은 종래기술에 따른 상기 멀티 칩 패키지 방식으로 조립되는 LED 패키지에 대한 단면도이다.
도 1을 참조하여 설명하면, 종래 기술에 따른 LED 패키지(10)는 제1 리드 프레임(11a) 및 제2 리드 프레임(11b)으로 이루어진 한 쌍의 리드 프레임을 내측에 수용하고 캐비티(12)가 형성된 패키지 몸체(11), 상기 캐비티(12) 상에 실장되는 LED 칩(13), 상기 LED 칩(13)과 상기 리드 프레임(11a,11b)의 통전을 위한 와이어(14), 상기 패키지 몸체(11) 내부에 충진되어 상기 LED 칩(13)과 와이어(14)를 보호하는 몰딩재(15) 및 상기 패키지 몸체(11) 상부에 결합되는 렌즈(16)로 이루어 져 있다.
그러나 상기와 같은 멀티 칩 패키지 방식의 LED 패키지(10)는 다음과 같은 문제점이 있다.
상기 LED 패키지(10)는 상기 캐비티(12) 안에 상기 LED 칩(13)을 본딩하여 Anode(애노드, 산화전극)와 Cathode(캐소드, 환원전극) 양극을 같이 가지고 있는 구조이다 보니 몰딩제(15)가 랜덤하게 분포되어 색 균일성(color uniformity)이 우수하지 못한 단점이 있다.
또한, 상기 캐비티(12)의 사이즈가 크다 보니 상기 캐비티(12) 내의 몰딩제(15) 및 LED 칩(13)의 위치 이탈이 발생 되어 불량률이 높아져 단가가 상승되는 단점이 있다.
그리고 상기 리드 프레임(11a,11b) 표면에 Ag 또는 Al로 이루어진 리플렉터가(미도시) 구비될 수 있는데 이는 우수한 반사율에 따른 효율이 향상되는 장점이 있지만, 장기수명시 변색 및 황변이 발생되어 광 효율 측정에서 열화율이 큰 문제점이 초래되었다.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 제반 단점과 문제점을 해결하기 위한 것으로, 패키지 몰드 내측면에 전도성 금속으로 이루어지고, 상기 전도성 금속 표면에 Ag 및 Al로 도금 또는 스퍼터링된 반사부재를 구비함으로써, 반사율 및 내열성이 높고 변색적인 측면에서도 신뢰성이 우수한 LED 패키지를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 LED 패키지는 제1 리드 프레임 및 제2 리드 프레임을 내측에 수용하고, 몰딩제 충진 공간이 형성된 패키지 몰드; 상기 패키지 몰드의 내측면에 형성된 반사부재; 상기 반사부재 내측의 상기 제1 리드 프레임 상에 실장된 LED 칩; 상기 LED 칩을 보호하도록 상기 몰딩제 충진 공간에 충진되는 몰딩제; 및 상기 LED 칩과 상기 반사부재의 전기적 연결을 위한 와이어; 를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1 리드 프레임 및 제2 리드 프레임은 Cu로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 반사부재는 전도성 금속으로 이루어질 수 있다.
그리고 상기 전도성 금속은 열전도성이 높은 재질로 이루어질 수 있다.
그리고 상기 전도성 금속 표면에 Ag 및 Al로 도금 또는 스퍼터링 될 수 있다.
또한, 상기 반사부재 하면은 상기 제2 리드프레임의 상면과 일부 접촉될 수 있다.
또한, 상기 패키지 몰드 상부면에 결합되는 렌즈를 더 포함할 수 있다.
이상에서, 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 LED 패키지는 패키지 몰드 내측면에 전도성 금속으로 이루어지고, 상기 전도성 금속 표면에 Ag 및 Al로 도금 또는 스퍼터링된 반사부재를 구비함으로써, 반사율 및 내열성을 높이고 변색적인 측면에서도 장기 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
그리고 상기 반사부재와 LED 칩이 와이어 본딩되어 통전됨으로써, 와이어 범위 및 높이를 낮출 수 있게 되어 와이어 변형 및 끊어짐의 발생을 방지하여 제품 특성 및 수율을 향상시키는 효과가 있다.
또한, 상기 LED 칩에서 발생된 열이 상기 와이어를 통해 상기 반사부재에도 전달됨으로써, 열 경로 범위가 넓어져 상기 LED 칩의 온도 상승을 억제하여 안정된 LED 발광특성과 수명을 유지시키는 효과가 있다.
본 발명에 따른 LED 패키지에 대한 기술적 구성을 비롯한 작용효과에 관한 사항은 본 발명의 바람직한 실시 예가 도시된 도면을 참조하여 아래의 상세한 설명에 의해서 명확하게 이해될 것이다.
도 2 및 도 3을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지에 대하여 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지에 대한 단면도이고, 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지 내부에 대한 사시도이다.
도 2 및 도 3을 참조하여 설명하면, 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지(100)는 크게 제1 리드 프레임(103) 및 제2 리드 프레임(105)을 내측에 수용하고, 몰딩제 충진 공간(107)이 형성된 패키지 몰드(110), 상기 패키지 몰드(110) 내측면에 형성된 반사부재(120), 상기 반사부재(120) 내측에 실장된 LED 칩(130)을 포함하여 이루어진다.
상기 패키지 몰드(110)는 플라스틱 등으로 이루어질 수 있으며, 이는 일반적으로 프리 몰딩(Pre-molding) 공정 등에 의해 형성이 가능하다.
그리고 상기 제1 리드 프레임(103) 및 제2 리드 프레임(105)은 상기 LED 칩(130)에서 발생된 열을 효과적으로 방출시키기 위해, 열전도 특성이 우수한 Cu로 이루어지는 것이 바람직하다.
또한, 상기 패키지 몰드(110) 내부의 몰딩제 충진 공간(107)에는 상기 LED 칩(130)을 보호하는 몰딩제(140)가 주입된다.
그리고 상기 몰딩제(140)가 주입된 상기 패키지 몰드(107) 상에는 상기 LED 칩(130)으로부터 발생 되는 광을 높은 광효율로 발산하기 위한 렌즈(150)가 결합되어 있다.
이때, 상기 몰딩제 충진 공간(107)은 상기 LED 칩(130)에서 발생하는 빛을 외부로 효과적으로 방출할 수 있도록, 그 내부면이 경사면으로 형성되는 것이 바람직하다.
그리고 상기 몰딩제(140)는 구현하려는 상기 LED 칩(130)의 색상에 따라 투명 재료나 빛의 투광성이 우수한 투광성 수지, 예를 들면 실리콘 수지 또는 에폭시 수지 등으로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 몰딩제(140)에는 백라이트 유닛에 제공되는 광원이 백색광으로 나타나도록 적어도 하나 이상의 형광체가 포함될 수 있다.
이 경우, 상기 LED 칩(130)의 발광시 상기 LED 칩(130)을 구성하는 반도체 소재의 차이에 따라 발생되는 R,G,B 파장대의 빛은 상기 몰딩제(140)에 포함된 상기 형광체에 의해서 백색광으로 전환되어 패키지로부터 발산되어 백색광의 광원으로 제공될 수 있다.
또한, 상기 LED 칩(130)은 상기 제 1 리드 프레임(103) 상에 실장되고, 통상적으로 GaN 계열의 LED 칩(130)을 사용할 수 있다.
상기 패키지 몰드(110) 내측면에는 전도성 금속으로 이루어진 반사부재(120)가 구비되며, 상기 전도성 금속은 Cu로 이루어지는 것이 바람직하다.
그리고 상기 반사부재 표면에 상기 Cu보다 더 큰 열전도도를 갖는 Ag 및 Al로 도금하거나 스퍼터링 시킨다.
상기 스퍼터링은 간단히 말해 금속판에 아르곤 등의 불활성 원소를 부딪쳐서 금속 분자를 쫓아낸 후 표면에 막을 증착하는 기술이다.
이처럼, 상기 패키지 몰드(110) 내측에 Cu로 이루어진 표면에 Ag 및 Al로 도금 또는 스퍼터링된 반사부재(120)를 구비함으로써, 상기 반사부재(120) 내측의 상기 제1 리드 프레임(103) 상에 실장된 상기 LED 칩(130)에서 발광되는 빛의 반사 효율 및 내열성을 높일 수 있다.
또한, 장기 수명시 변색되는 문제를 해결하여 광 효율 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
그리고 상기 반사부재(120) 하면은 상기 제2 리드 프레임(105)의 상면과 일부 접촉되고, 상기 반사부재(120)는 상기 LED 칩(130)과 와이어(145)에 의해 전기적으로 접속될 수 있다.
이때, 상기 와이어(145)는 일반적으로 Ag로 이루어지는 것이 바람직하다.
이와 같이 상기 반사부재(120)와 상기 LED 칩(130)이 와이어(145) 본딩되어 통전됨으로써, 와이어(145) 범위 및 높이를 낮출 수 있게 되어 와이어(1450 변형 및 끊어짐의 발생을 방지하여 제품 특성 및 수율을 향상시키는 효과가 있다.
따라서, 상기 LED 칩(130)에 전원이 공급되면 상기 LED 칩(130)에서 발생된 열은 상기 제1 리드 프레임(103)과 와이어를 통해 상기 반사부재(120)로 전달되고, 상기 열은 상기 반사부재(120)를 통해 상기 제2 리드 프레임(105)에도 전달됨으로써 외부로 방출될 수 있다.
이처럼, 상기 반사부재(120)를 통해서 외부로 열이 방출되어 열방출 능력이 향상되고, 상기 LED 칩(130)의 열 경로 범위가 넓어져 온도 상승을 억제하여 안정된 LED 발광특성과 수명을 유지시키는 효과가 있다.
상술한 바와 같은 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지(100)에 의하면, 패키지 몰드(110) 내측면에 전도성 금속으로 이루어지고, 상기 전도성 금속 표면에 Ag 및 Al로 도금 또는 스퍼터링된 반사부재(120)를 구비함으로써, 반사율 및 내열성이 높고 변색적인 측면에서도 신뢰성이 우수한 LED 패키지(100)를 제공한다.
이상에서 설명한 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 권리 범위는 개시된 실시예에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리 범위에 속하는 것이다.
도 1은 종래기술에 따른 상기 멀티 칩 패키지 방식으로 조립되는 LED 패키지에 대한 단면도.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지에 대한 단면도.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지 내부에 대한 사시도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100 : LED 패키지 103 : 제1 리드 프레임
105 : 제2 리드 프레임 107 : 몰딩제 충진 공간
110 : 패키지 몰드 120 : 반사부재
130 : LED 칩 140 : 몰딩제
145 : 와이어 150 : 렌즈

Claims (7)

  1. 제1 리드 프레임 및 제2 리드 프레임을 내측에 수용하고, 몰딩제 충진 공간이 형성된 패키지 몰드;
    상기 패키지 몰드의 내측면에 형성된 반사부재;
    상기 반사부재 내측의 상기 제1 리드 프레임 상에 실장되며, 질화갈륨(GaN)계 물질로 형성되는 반도체 층을 하나 이상 포함하는 LED 칩;
    상기 LED 칩을 보호하도록 상기 몰딩제 충진 공간에 충진되며, 하나 이상의 형광체를 포함하는 몰딩제; 및
    상기 LED 칩과 상기 반사부재를 전기적으로 연결하며, 은(Ag)으로 형성되는 와이어; 를 포함하고,
    상기 형광체는 상기 LED 칩이 출력하는 빛을 백색 빛으로 변환하는 LED 패키지.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 리드 프레임 및 제2 리드 프레임은 Cu로 이루어지는 LED 패키지.
  3. 제 1항에 있어서.
    상기 반사부재는 전도성 금속으로 이루어지는 LED 패키지.
  4. 삭제
  5. 제 3항에 있어서.
    상기 전도성 금속의 표면은 Ag 및 Al 중 적어도 하나로 도금 또는 스퍼터링 되는 LED 패키지.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 반사부재 하면은 상기 제2 리드프레임의 상면과 일부 접촉되는 LED 패키지.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 패키지 몰드 상부면에 결합되는 렌즈를 더 포함하는 LED 패키지.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20240058371A (ko) 2022-10-26 2024-05-03 주식회사 올릭스 Led 패키지 구조체 및 이의 제조방법

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8987022B2 (en) 2011-01-17 2015-03-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Light-emitting device package and method of manufacturing the same
KR101825473B1 (ko) 2011-02-16 2018-02-05 삼성전자 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
KR20180046274A (ko) * 2016-10-27 2018-05-08 엘지이노텍 주식회사 반도체 소자 패키지

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007081430A (ja) * 2002-06-19 2007-03-29 Sanken Electric Co Ltd 半導体発光装置及びその製法並びに半導体発光装置用リフレクタ
KR20080010535A (ko) * 2006-07-27 2008-01-31 삼성전기주식회사 표면실장형 발광다이오드 소자
KR100817274B1 (ko) 2006-08-21 2008-03-27 삼성전기주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법
KR20080037734A (ko) * 2005-08-23 2008-04-30 가부시끼가이샤 도시바 발광 장치와 그를 이용한 백 라이트 및 액정 표시 장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007081430A (ja) * 2002-06-19 2007-03-29 Sanken Electric Co Ltd 半導体発光装置及びその製法並びに半導体発光装置用リフレクタ
KR20080037734A (ko) * 2005-08-23 2008-04-30 가부시끼가이샤 도시바 발광 장치와 그를 이용한 백 라이트 및 액정 표시 장치
KR20080010535A (ko) * 2006-07-27 2008-01-31 삼성전기주식회사 표면실장형 발광다이오드 소자
KR100817274B1 (ko) 2006-08-21 2008-03-27 삼성전기주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20240058371A (ko) 2022-10-26 2024-05-03 주식회사 올릭스 Led 패키지 구조체 및 이의 제조방법

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