KR101403284B1 - Method for patterning of substrate for solar cell using static roll-to-roll process - Google Patents
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Abstract
본 발명은 정지형 롤-투-롤 공정을 이용한 태양전지용 기판의 패터닝 방법에 관한 것이다. 본 발명은 일 실시형태로서 롤-투-롤 공정을 이용한 태양전지의 패터닝 방법으로서, 태양전지용 기판을 이송롤로부터 태양전지 기능층 형성 구간으로 이송한 후, 상기 기판 상에 태양전지 기능층을 형성하는 단계; 상기 태양전지 기능층이 형성된 기판을 패턴 형성 구간으로 이송한 후, 상기 기판 상에 형성된 태양전지 기능층을 스크라이빙하여 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 패턴이 형성된 기판을 권취롤을 통해 권취하는 단계를 포함하고, 상기 태양전지 기능층 형성 시, 상기 기판은 상기 태양전지 기능층 형성 구간을 연속적으로 통과하고, 상기 패턴의 형성은 상기 기판이 상기 패턴 형성 구간에서 이송이 정지된 상태로 이루어지며, 상기 태양전지 기능층 형성구간과 패턴 형성 구간 사이를 통과하는 기판은 루핑되는 것을 포함하는 태양전지의 패터닝 방법을 제공한다.
본 발명에 따르면, 태양전지의 패터닝시 정밀도를 보다 향상시킬 수 있어 제품 제조시 수율 향상을 기대할 수 있고, 태양전지 구동에 있어 신뢰성을 향상시킬 수 있다.The present invention relates to a method of patterning a substrate for a solar cell using a stationary roll-to-roll process. The present invention relates to a method of patterning a solar cell using a roll-to-roll process as one embodiment, comprising: transferring a substrate for a solar cell from a transfer roll to a solar cell function layer formation section, ; Transferring the substrate having the solar cell functional layer formed thereon to a pattern formation section, scribing the solar cell functional layer formed on the substrate to form a pattern; And a step of winding the substrate on which the pattern is formed through a take-up roll, wherein when the solar cell functional layer is formed, the substrate passes continuously through the solar cell functional layer formation section, And the substrate passing through between the solar cell functional layer forming section and the pattern forming section is looped. The present invention also provides a method of patterning a solar cell.
According to the present invention, it is possible to improve the precision in patterning a solar cell, to improve the yield in production of a product, and to improve reliability in driving a solar cell.
Description
본 발명은 정지형 롤-투-롤 공정을 이용한 태양전지용 기판의 패터닝 방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a method of patterning a substrate for a solar cell using a stationary roll-to-roll process.
태양전지는 반도체의 원리를 이용한 것으로서, p-n 접합된 반도체에 일정 수준 이상의 에너지를 갖춘 빛을 조사하면 상기 반도체의 가전자가 자유롭게 이동될 수 있는 가전자로 여기되어 전자와 정공의 쌍(EHP : electron hole pair)이 생성된다. 생성된 전자와 정공은 서로 반대쪽에 위치하는 전극으로 이동하여 기전력을 발생시키게 된다.
Solar cells are based on the principle of semiconductors. When a light having a certain energy level or more is irradiated to a pn-junction semiconductor, the electrons of the semiconductor are excited as freely movable electrons to form a pair of electrons and holes (EHP ) Is generated. The generated electrons and holes move to the electrode located on the opposite side to generate an electromotive force.
상기 태양전지의 가장 최초 형태는 실리콘 기판에 불순물(B)을 도핑하여 p형 반도체를 형성시킨 다음 그 위에 또다른 불순물(P)을 도핑시켜 층의 일부를 n형 반도체화 함으로써 p-n 접합이 이루어지도록 한 실리콘계 태양전지로서 1세대 태양전지로 많이 불린다.
In the first type of the solar cell, a p-type semiconductor is formed by doping an impurity (B) into a silicon substrate, and then another impurity (P) is doped thereon to convert a part of the layer into an n-type semiconductor. It is a silicon-based solar cell, often referred to as a first-generation solar cell.
상기 실리콘계 태양전지는 에너지 전환효율과 셀 전환효율(실험실 최고의 에너지 전환효율에 대한 양산시 전환효율의 비율)이 비교적 높기 때문에, 가장 상용화 정도가 높다. 그러나, 상기 실리콘계 태양전지 모듈을 제조하기 위해서는 우선 소재로부터 잉곳을 제조하고 상기 잉곳을 웨이퍼화한 후 셀을 제조하고 모듈화한다고 하는 다소 복잡한 공정단계를 거쳐야 할 뿐만 아니라, 벌크 재질의 재료를 사용하기 때문에, 재료소비가 증가하여 제조비용이 높다는 문제가 있다.
Since the energy conversion efficiency and the cell conversion efficiency (the ratio of the conversion efficiency at the time of mass production to the best energy conversion efficiency of the laboratory) are relatively high, the silicon-based solar cell has the highest degree of commercialization. However, in order to manufacture the silicon-based solar cell module, a complicated process step such as manufacturing an ingot from a raw material and making the ingot into a wafer and then manufacturing and modifying the cell must be performed, and a bulk material is used , There is a problem that the material consumption is increased and the manufacturing cost is high.
이러한 실리콘계 태양전지의 단점을 해결하기 위하여, 2세대 태양전지로 불리우는 소위 박막형 태양전지가 제안되게 되었다. 박막형 태양전지는 상술한 과정으로 태양전지를 제조하는 것이 아니라, 기판 위에 순차적으로 필요한 박막층을 적층하는 형태로 제조하기 때문에, 그 과정이 단순하며, 두께가 얇아 재료비용이 저렴하다는 장점을 가진다.
In order to solve the disadvantages of such a silicon solar cell, a so-called thin film solar cell called a second generation solar cell has been proposed. Since the thin film solar cell is manufactured by stacking the thin film layers sequentially required on the substrate, instead of manufacturing the solar cell by the above-described process, the process is simple, and the thin film solar cell has an advantage that the material cost is low.
한편, 이러한 박막형 태양전지를 모듈화 하기 위해서는 단위셀(unit cell)을 각각 제조한 뒤 이 단위셀을 전기적으로 연결하는 방법이 있다. 이러한 방법은 각각의 단위셀을 제조하여야 하므로, 생산성이 저하되고, 원가가 상승한다는 문제가 있으며, 단위셀 중 어느 하나가 불량일 경우 최종제품 또한 그 품질이 현저히 낮아질 수 있다는 문제점을 안고 있다.
In order to modularize such a thin film solar cell, there is a method of manufacturing unit cells and then electrically connecting the unit cells. This method has a problem in that productivity is deteriorated and cost increases because each unit cell must be manufactured. If any one of the unit cells is defective, the quality of the final product may also be significantly lowered.
이러한 문제점을 해결하기 위하여, 기판 상에 전극층을 형성하고, 셀(cell)과 셀을 분리되도록 한 뒤, 다시 이를 전기적으로 연결하는 모노리식 인테그레이션(monolithic integration) 방법이 제안되었다. 그러나, 상기 기술은 셀을 분리하기 위하여 레이저 혹은 기계적인 방법을 이용하여 스크라이빙(scribing) 공정을 이용하여야 하는데, 롤-투-롤(roll-to-roll) 공정을 적용하는 경우에는 기판 이송시 기판 흔들림 등의 이유로 인해 스크라이빙이 원하는 위치에 정확히 이루어지지 않는다는 단점이 있다.
In order to solve this problem, a monolithic integration method has been proposed in which an electrode layer is formed on a substrate, a cell is separated from a cell, and then the cell is electrically connected. However, in order to separate the cells, the above-described technique requires a scribing process using a laser or a mechanical method. In the case of applying a roll-to-roll process, There is a disadvantage in that the scribing can not be performed at a desired position precisely because of substrate shake or the like.
본 발명은 기존의 방법에 비하여 보다 향상된 정밀도를 갖는 태양전지의 패터닝 방법을 제공하고자 하는 것이다.
The present invention is intended to provide a patterning method of a solar cell having a higher precision than the conventional method.
본 발명의 일 실시형태는 롤-투-롤 공정을 이용한 태양전지의 패터닝 방법으로서, 태양전지용 기판을 이송롤로부터 태양전지 기능층 형성 구간으로 이송한 후, 상기 기판 상에 태양전지 기능층을 형성하는 단계; 상기 태양전지 기능층이 형성된 기판을 패턴 형성 구간으로 이송한 후, 상기 기판 상에 형성된 태양전지 기능층을 스크라이빙하여 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 패턴이 형성된 기판을 권취롤을 통해 권취하는 단계를 포함하고, 상기 태양전지 기능층 형성 시, 상기 기판은 상기 태양전지 기능층 형성 구간을 연속적으로 통과하고, 상기 패턴의 형성은 상기 기판이 상기 패턴 형성 구간에서 이송이 정지된 상태로 이루어지며, 상기 태양전지 기능층 형성구간과 패턴 형성 구간 사이를 통과하는 기판은 루핑되는 것을 포함하는 태양전지의 패터닝 방법을 제공한다.
One embodiment of the present invention is a method of patterning a solar cell using a roll-to-roll process, comprising: transferring a substrate for a solar cell from a transfer roll to a solar cell functional layer formation section, ; Transferring the substrate having the solar cell functional layer formed thereon to a pattern formation section, scribing the solar cell functional layer formed on the substrate to form a pattern; And a step of winding the substrate on which the pattern is formed through a take-up roll, wherein when the solar cell functional layer is formed, the substrate passes continuously through the solar cell functional layer formation section, And the substrate passing through between the solar cell functional layer forming section and the pattern forming section is looped. The present invention also provides a method of patterning a solar cell.
본 발명에 따르면, 태양전지의 패터닝시 정밀도를 보다 향상시킬 수 있어 제품 제조시 수율 향상을 기대할 수 있고, 태양전지 구동에 있어 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
According to the present invention, it is possible to improve the precision in patterning a solar cell, to improve the yield in production of a product, and to improve reliability in driving a solar cell.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 태양전지의 패터닝 방법의 일례를 나타낸 모식도이다.
도 2 루퍼를 적용한 태양진지 패터닝 방법의 일례를 나타낸 모식도이다.
도 3은 태양전지 기능층을 형성하는 단계와 패턴을 형성하는 단계가 2회 이상 반복적으로 행하여지는 패터닝 방법의 일례를 나타내는 모식도이다.1 is a schematic diagram showing an example of a method of patterning a solar cell according to an embodiment of the present invention.
2 is a schematic view showing an example of a solar full-patterning method using a looper.
3 is a schematic diagram showing an example of a patterning method in which a step of forming a solar cell functional layer and a step of forming a pattern are repeated two or more times.
본 발명은 롤-투-롤 공정을 이용하여 태양전지를 패터닝하는 경우, 패턴 형성을 위한 스크라이빙의 정밀도가 떨어질 수 있다는 문제점을 해결하기 위한 것이다. 이를 위해, 본 발명은 일 실시형태로서, 롤-투-롤 공정을 이용한 태양전지의 패터닝 방법으로서, 태양전지용 기판을 이송롤로부터 태양전지 기능층 형성 구간으로 이송한 후, 상기 기판 상에 태양전지 기능층을 형성하는 단계; 상기 태양전지 기능층이 형성된 기판을 패턴 형성 구간으로 이송한 후, 상기 기판 상에 형성된 태양전지 기능층을 스크라이빙하여 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 패턴이 형성된 기판을 권취롤을 통해 권취하는 단계를 포함하고, 상기 태양전지 기능층 형성 시, 상기 기판은 상기 태양전지 기능층 형성 구간을 연속적으로 통과하고, 상기 패턴의 형성은 상기 기판이 상기 패턴 형성 구간에서 이송이 정지된 상태로 이루어지며, 상기 태양전지 기능층 형성구간과 패턴 형성 구간 사이를 통과하는 기판은 루핑되는 것을 포함하는 태양전지의 패터닝 방법을 제공한다.
The present invention is intended to solve the problem that the accuracy of scribing for pattern formation may be reduced when a solar cell is patterned using a roll-to-roll process. To this end, the present invention, in one embodiment, is a method of patterning a solar cell using a roll-to-roll process, comprising: transferring a solar cell substrate from a transfer roll to a solar cell functional layer formation section, Forming a functional layer; Transferring the substrate having the solar cell functional layer formed thereon to a pattern formation section, scribing the solar cell functional layer formed on the substrate to form a pattern; And a step of winding the substrate on which the pattern is formed through a take-up roll, wherein when the solar cell functional layer is formed, the substrate passes continuously through the solar cell functional layer formation section, And the substrate passing through between the solar cell functional layer forming section and the pattern forming section is looped. The present invention also provides a method of patterning a solar cell.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 태양전지의 패터닝 방법의 일례를 나타낸 모식도이다. 이하, 도 1을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태를 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당해 기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.
1 is a schematic diagram showing an example of a method of patterning a solar cell according to an embodiment of the present invention. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to Fig. However, the embodiments of the present invention can be modified into various other forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below. Further, the embodiments of the present invention are provided to more fully explain the present invention to those skilled in the art.
우선, 태양전지용 기판(10)을 준비한다. 본 발명에 적용가능한 태양전지용 기판(10)으로는 당해 기술분야에서 사용되는 모든 것을 이용할 수 있다. 바람직하게는, 롤-투-롤(roll-to-roll)법에 의한 연속공정에 적합한 기판을 사용하는 것이며, 예를 들면, 스테인리스강, 탄소강, Fe-Ni계 합금, Fe-Cr계 합금, Fe-Cu계 합금, 알루미늄계 금속, 티타늄계 금속, 폴리이미드 및 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 등이 있다.
First, the
상기 태양전지용 기판(10)은 본 발명 패터닝 방법에 그대로 이용될 수 있으나, 기판(10) 표면에 존재하는 불순물 등을 제거하기 위하여 세정 공정을 행하거나, 금속기판과 같은 경우 표면에 형성된 스케일 제거 등을 위해 산세 공정을 추가로 행할 수 있다.
The
상기와 같이 준비되는 태양전지용 기판(10)을 이송롤(20)로부터 태양전지 기능층 형성 구간으로 이송한 뒤, 상기 태양전지용 기판(10)에 태양전지 기능층을 형성한다. 이 때, 상기 태양전지 기능층의 형성은 롤-투-롤에 의한 연속공정의 적용으로 인해 상기 태양전지용 기판(10)이 상기 태양전지 기능층 형성 구간을 연속적으로 통과하면서 이루어지게 되는데, 이를 통해 생산성을 보다 향상시킬 수 있다. 한편, 태양전지 기능층을 형성하기 위한 방법으로는 도 1에 나타난 바와 같이, 태양전지 기능층을 형성하기 위한 용액이나 졸 또는 슬러리와 같은 태양전지 기능층 전구체(31)를 코팅롤(32)을 통해 도포하는 방법을 이용할 수 있다. 또는, 상기 전구체를 스프레이를 통해 분사하여 태양전지 기능층을 형성하는 방법을 이용할 수 있다. 한편으로는, 화학적 기상 증착법 또는 물리적 기상 증착법 등과 같은 증착법을 이용할 수도 있다.
After the
본 발명의 태양전지 기능층은 하부전극층, 광흡수층 및 투명전극층 중 하나일 수 있다. 상기 하부전극층은 태양전지 효율과 내식성을 향상시키기 위하여, Mo, Ni, Cu, Nb, Si, Ti, W, Cr, Zn, Al, 및 Sn으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것이 바람직하다. 상기 광흡수층은 당해 기술분야에서 통상적으로 이용되는 다양한 것들을 본 발명에 적용하는 것이 가능하며, 보다 바람하게는 CI(G)S, α-Si, CdTe로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 1종인 것이 유리하다. 상기 CI(G)S는 구리(Cu), 인듐(In), 게르마늄(Ge) 및 셀레늄(Se)으로 이루어지는데, 태양전지 중에는 간혹 Ge가 포함되지 않을 수도 있다. 상기 투명전극층 또한 당해 기술분야에서 통상적으로 이용되는 모든 것을 이용할 수 있으며, 예를 들면, ZnO, ITO, FTO 및 AZO로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 1종을 이용할 수 있다.
The solar cell functional layer of the present invention may be one of a lower electrode layer, a light absorbing layer, and a transparent electrode layer. In order to improve solar cell efficiency and corrosion resistance, the lower electrode layer preferably includes at least one selected from the group consisting of Mo, Ni, Cu, Nb, Si, Ti, W, Cr, Zn, Al, . The light absorbing layer can be variously applied to the present invention, and is more preferably one selected from the group consisting of CI (G) S, alpha -Si and CdTe. The CI (G) S is composed of copper (Cu), indium (In), germanium (Ge), and selenium (Se). Ge may be occasionally included in the solar cell. The transparent electrode layer may be any of those conventionally used in the related art. For example, one selected from the group consisting of ZnO, ITO, FTO and AZO can be used.
이후, 상기와 같이 태양전지 기능층이 형성된 기판(10)을 패턴 형성 구간으로 이송한 후, 상기 기판(10) 상에 형성된 태양전지 기능층을 스크라이빙하여 패턴을 형성한다. 이 때, 상기 패턴의 형성은 상기 기판이 상기 패턴 형성 구간에서 이송이 정지된 상태로 이루어진다. 기존의 롤-투-롤에 의한 패터닝 형성 방법은 기판을 연속적으로 이송하면서 동시에 패턴의 형성이 이루어지기 때문에 기판의 흔들림으로 인해 스크라이빙이 원하는 위치에 이루어지지 않아 패턴 형성에 어려움이 있다는 단점이 있다. 또한, 연속 공정에 의해 패턴의 형상이나 두께 제어 또한 용이하지 않다는 문제가 있다. 그러나, 본 발명에서는 상기 패턴 형성시, 기판의 이송이 일시적으로 중단되도록 하여 보다 정밀하게 패턴을 형성할 수 있다. 또한, 이를 통해 태양전지 제조시 수율 향상을 기대할 수 있고, 태양전지 구동에 있어 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 상기와 같이 패턴 형성시 기판의 이송을 중지하기 위해서는 도 1에 나타난 바와 같이 상기 스크라이빙이 이루어지는 지점 즉, 스크라이빙 장치(41) 전후에 한 쌍의 롤(이하, '중간롤'이라고도 함)을 구비하여 상기 중간롤(42)이 패턴 형성시에는 정지하도록 하여 기판의 이송이 정지되도록 하고, 패턴이 형성된 후에는 회전하여 상기 기판을 이송하는 방법을 이용하는 것이 바람직하다.
Thereafter, the
상기 태양전지 기능층에 패턴을 형성하기 위한 방법으로는 도 1에 나타난 바와 같이, 하나 이상의 스크라이빙 장치(41)로부터 조사되는 레이저 빔을 이용하여 태양전지 기능층을 스크라이빙함으로써 패턴을 형성하는 방법이 있을 수 있다. 한편으로는, 그라비아 롤과 같이 요철을 갖는 롤을 이용한 기계적 가공에 의해 스크라이빙함으로써 패턴을 형성할 수도 있다.
As a method for forming a pattern on the solar cell functional layer, as shown in FIG. 1, a pattern is formed by scribing a solar cell functional layer using a laser beam emitted from at least one
한편, 상기 패턴 형성 구간에는 기판의 위치 또는 패턴의 위치를 인식할 수 있는 인식장치(43)가 구비되는 것이 바람직하다. 상기 인식장치(43)를 통해 기판 또는 패턴의 위치를 인식함으로써 패턴이 원하는 위치에 정확하게 형성되도록 하여 보다 정밀한 패턴을 형성할 수 있다. 만일, 기판의 이송과정 중 상기 기판이 흔들리게 되어, 기판의 위치 또는 패턴의 위치가 미리 설정되어 있던 패턴 위치와 달라지게 되는 경우를 대비하여 스크라이빙 장치는 상하좌우로 가변가능한 것이 바람직하며, 이를 통해 형성시키고자 하는 패턴의 위치를 보정하여 패턴을 형성함으로써 원하는 위치에 보다 정밀하게 패턴을 형성할 수 있다. 상기 인식장치(43)로는 카메라 등과 같은 장치를 이용할 수 있다.
In the meantime, it is preferable that a
본 발명에서는 앞서 언급한 바와 같이, 기판이 태양전지 기능층 형성 구간을 연속적으로 통과하면서 이송되지만, 패턴 형성 구간에서는 이송이 정지된 상태로 패턴이 형성되므로, 도 1과 같이 태양전지 기능층 형성구간과 패턴 형성 구간 사이를 통과하는 기판은 루핑(looping)되는 것이 바람직하다. 즉, 태양전지 기능층 형성구간을 통과하는 기판은 연속적인 반면, 패턴 형성 구간을 통과하는 기판은 불연속적으로 이송되므로, 그 사이에 위치하는 기판은 루핑됨으로써 롤-투-롤에 의한 연속공정의 적용을 통해 태양전지의 패터닝이 가능하다. 본 발명에서 루핑이란 이송되는 기판이 직선의 형태를 띠지 않고 휘어지거나 구불구불해지는 것을 의미한다.
In the present invention, as described above, the substrate is transferred while continuously passing through the solar cell functional layer formation region, but the pattern is formed in the state where the transfer is stopped in the pattern formation region. Therefore, And the substrate passing between the pattern formation section is preferably looped. That is, while the substrate passing through the solar cell functional layer forming section is continuous, the substrate passing through the pattern forming section is discontinuously transferred, so that the substrate located therebetween is looped to form a continuous process by the roll- It is possible to pattern the solar cell through application. In the present invention, looping means that the substrate to be transferred is warped or meandered without being straight.
상기 루핑은 본 발명과 같은 기판의 이송 형태에 의해 도 1과 같이 자연스럽게 일어날 수 있다. 그러나, 이 경우에는 기판간에 서로 접촉이 발생할 수 있고, 이로 인해 태양전지 기능층의 손상이 유발될 수도 있다. 따라서, 이러한 문제가 발생하는 것을 미연에 방지하기 위해서는 루퍼(looper)를 이용하여 상기 기판을 루핑할 수도 있다. 도 2는 루퍼를 적용한 태양전지 패터닝 방법의 일례를 나타낸 모식도이다. 도 2에 나타난 바와 같이, 상하로 가변가능한 롤을 포함하는 루퍼(60)를 이용하여 루핑이 보다 효과적으로 이루어질 수 있고, 이를 통해 태양전지 기능층의 손상을 방지하여 제품의 품질을 향상시킬 수 있다.
The roofing can occur naturally, as in Fig. 1, by means of the transport form of the substrate as in the present invention. In this case, however, contact between the substrates may occur, which may cause damage to the solar cell functional layer. Therefore, in order to prevent such a problem from occurring, the substrate may be looped using a looper. 2 is a schematic view showing an example of a solar cell patterning method using a looper. As shown in FIG. 2, the looping can be more effectively performed by using the
한편, 본 발명에서의 기판 이송은 태양전지 기능층 형성 구간에서의 연속성과 패턴 형성 구간에서의 불연속성을 동시에 포함하므로, 상기 태양전지 기능층 형성구간과 패턴 형성 구간에서의 기판 이송 속도가 동일할 경우에는 상기 구간 사이에서 루핑되는 기판의 양이 늘어나게 된다. 따라서, 제품의 품질이나 생산성을 향상시키기 위해서는 상기 두 구간에서의 기판 이송속도를 적절히 제어하는 것이 바람직하다. 본 발명에서는 상기 태양전지 기능층 형성 구간에서 기판의 이송속도는 0.2~1m/min이고, 상기 패턴 형성 구간에서 기판의 이송속도는 2~10m/min가 되도록 제어하는 것이 바람직하며, 이를 통해 루핑되는 강판의 양을 줄일 수 있다. 상기 태양전지 기능층 형성 구간에서의 기판 이송속도가 0.2m/min일 경우에는 생산성 저하가 우려될 수 있으며, 1m/min를 초과하는 경우에는 태양전지 기능층의 형성이 용이하지 않을 수 있다. 상기 패턴 형성 구간에서의 기판 이송속도가 2m/min미만인 경우에는 루핑되는 강판의 양을 줄이는 효과가 저감될 수 있다. 한편, 상기 패턴 형성 구간에서의 기판 이송속도는 빠를수록 유리하나, 상기 태양전지 기능층 형성 구간에서의 기판 이송속도와 패턴 형성 시간을 고려하였을 때, 10m/min이하의 범위를 갖는 것이 바람직하다.
In the meantime, since the substrate transfer in the present invention simultaneously includes the continuity in the solar cell functional layer formation section and the discontinuity in the pattern formation section, if the substrate transfer speed in the solar cell functional layer formation section and the pattern formation section is the same The amount of the substrate to be looped between the sections is increased. Therefore, in order to improve the quality and productivity of the product, it is desirable to appropriately control the substrate transfer speed in the two sections. In the present invention, it is preferable that the transfer speed of the substrate is 0.2 to 1 m / min in the solar cell functional layer formation period, and the transfer speed of the substrate is 2 to 10 m / min in the pattern formation period. The amount of steel sheet can be reduced. If the substrate transfer rate in the solar cell functional layer formation period is 0.2 m / min, productivity may be lowered. If the substrate transfer rate is more than 1 m / min, formation of the solar cell functional layer may not be easy. When the substrate transfer speed in the pattern formation period is less than 2 m / min, the effect of reducing the amount of the steel strip to be looped can be reduced. On the other hand, it is preferable that the substrate transfer speed in the pattern formation section is faster, but it is preferably 10 m / min or less in consideration of the substrate transfer speed and the pattern formation time in the solar cell functional layer formation section.
이후, 상기 패턴이 형성된 기판을 권취롤(50)을 통해 권취함으로써, 정밀한 패턴이 형성된 태양전지를 제조할 수 있다. 상기 권취롤(50)은 상기 중간롤(42)의 회전 또는 중지시 기판의 권취가 용이하게 이루어지도록 상기 중간롤의 거동에 연계되어 회전 또는 중지를 하는 것이 바람직하다. 만일, 상기 귄취롤이 연속적으로 회전하여 권취가 이루어지도록 하기 위해서는 패턴형성구간과 권취롤 사이를 통과하는 기판이 루핑되도록 함으로써 용이한 권취가 가능하다.
Thereafter, the substrate on which the pattern is formed is wound around the take-
한편, 본 발명에서는 상기 태양전지 기능층을 형성하는 단계와 패턴을 형성하는 단계가 2회 이상 반복적으로 행하여질 수 있다. 도 3은 태양전지 기능층을 형성하는 단계와 패턴을 형성하는 단계가 2회 이상 반복적으로 행하여지는 패터닝 방법의 일례를 나타내는 모식도이다. 도 3에 나타난 바와 같이, 상기 태양전지 기능층으로서, 하부전극층, 광흡수층 및 투명전극층을 기판 표면으로부터 순차적으로 형성하고, 각각의 기능층을 패터닝함으로써 태양전지의 모듈화를 용이하게 달성할 수 있다.
In the present invention, the step of forming the solar cell functional layer and the step of forming the pattern may be repeated two or more times. 3 is a schematic diagram showing an example of a patterning method in which a step of forming a solar cell functional layer and a step of forming a pattern are repeated two or more times. As shown in FIG. 3, the solar cell module can be easily modularized by sequentially forming the lower electrode layer, the light absorbing layer, and the transparent electrode layer as the solar cell functional layer sequentially from the substrate surface, and patterning the respective functional layers.
상기 하부전극층 형성 전에는 기판 상에 확산방지막을 형성하는 공정을 추가로 포함할 수 있다. 즉, 기판과 하부전극층 사이에 확산방지막을 형성함으로써 기판 내에 존재하는 불순물이나 금속 원소가 상기 전극층으로 확산되는 것을 방지할 수 있고, 이를 통해 전지의 효율을 향상시킬 수 있다. 이러한 효과를 위하여, 상기 확산방지막은 Ti, Cr, Ni, Al, Zn, Mo 및 Si로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것이 바람직하다. 상기 확산방지막을 형성하기 위한 방법으로는 상기 태양전지 기능층을 형성하기 위한 방법과 동일한 방법을 이용할 수 있다.
And forming a diffusion barrier layer on the substrate before forming the lower electrode layer. That is, by forming a diffusion prevention film between the substrate and the lower electrode layer, it is possible to prevent impurities and metal elements present in the substrate from being diffused into the electrode layer, thereby improving the efficiency of the battery. For this effect, it is preferable that the diffusion barrier layer includes at least one selected from the group consisting of Ti, Cr, Ni, Al, Zn, Mo, and Si. As a method for forming the diffusion barrier layer, the same method as that for forming the solar cell functional layer may be used.
상기 투명전극층 형성 전에는 상기 광흡수층 상에 버퍼층을 형성할 수 있다. 상기 버퍼층은 투명전극층과 광흡수층간의 격자상수 및 에너지밴드갭의 차이가 클 경우 이 차이를 보정하는 역할을 수행한다. 또는, 보다 높은 전압을 얻기 위하여 광흡수층을 적층하는 경우에 광흡수층간에 서로 접촉이 일어나지 않도록 하는 역할을 수행한다. 이러한 역할을 수행하기 위해서, 상기 버퍼층으로는 CdS, ZnS, ZnSe, InS, InOOH 및 ZnOOH로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 1종을 이용하는 것이 바람직하다.
A buffer layer may be formed on the light absorption layer before forming the transparent electrode layer. The buffer layer compensates for the difference when the difference between the lattice constant and the energy band gap between the transparent electrode layer and the light absorption layer is large. Or to prevent mutual contact between the light absorbing layers when the light absorbing layers are laminated to obtain a higher voltage. In order to perform such a role, it is preferable to use one species selected from the group consisting of CdS, ZnS, ZnSe, InS, InOOH and ZnOOH as the buffer layer.
10 : 기판
20 : 이송롤
31 : 태양전지 기능층 전구체
32 : 코팅롤
41 : 스크라이빙 장치
42 : 중간롤
43 : 인식장치
50 : 권취롤
60 : 루퍼10: substrate
20: Feed roll
31: solar cell functional layer precursor
32: Coating roll
41: Scribing device
42: intermediate roll
43:
50: winding roll
60: looper
Claims (14)
태양전지용 기판을 이송롤로부터 태양전지 기능층 형성 구간으로 이송한 후, 상기 기판 상에 태양전지 기능층을 형성하는 단계;
상기 태양전지 기능층이 형성된 기판을 패턴 형성 구간으로 이송한 후, 상기 기판 상에 형성된 태양전지 기능층을 스크라이빙하여 패턴을 형성하는 단계; 및
상기 패턴이 형성된 기판을 권취롤을 통해 권취하는 단계를 포함하고,
상기 태양전지 기능층 형성 시, 상기 기판은 상기 태양전지 기능층 형성 구간을 연속적으로 통과하고,
상기 패턴의 형성은 상기 기판이 상기 패턴 형성 구간에서 이송이 정지된 상태로 이루어지며,
상기 태양전지 기능층 형성구간과 패턴 형성 구간 사이를 통과하는 기판은 루핑되는 것을 포함하며,
상기 태양전지 기능층 형성 구간에서 기판의 이송속도는 0.2~1m/min이고, 상기 패턴 형성 구간에서 기판의 이송속도는 2~10m/min인 태양전지의 패터닝 방법.
A method of patterning a solar cell using a roll-to-roll process,
Transporting a substrate for a solar cell from a transfer roll to a solar cell functional layer formation section, and then forming a solar cell functional layer on the substrate;
Transferring the substrate having the solar cell functional layer formed thereon to a pattern formation section, scribing the solar cell functional layer formed on the substrate to form a pattern; And
And winding the substrate on which the pattern is formed through a take-up roll,
In forming the solar cell functional layer, the substrate continuously passes through the solar cell functional layer formation section,
Wherein the formation of the pattern is performed while the substrate is stopped in the pattern formation section,
Wherein the substrate passing between the solar cell functional layer formation section and the pattern formation section includes being looped,
Wherein the transfer rate of the substrate in the solar cell functional layer forming section is 0.2 to 1 m / min, and the transfer rate of the substrate in the pattern forming section is 2 to 10 m / min.
상기 태양전지용 기판은 스테인리스강, 탄소강, Fe-Ni계 합금, Fe-Cr계 합금, Fe-Cu계 합금, 알루미늄계 금속, 티타늄계 금속, 폴리이미드 및 폴리에틸렌 테레프탈레이트로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 1종인 태양전지의 패터닝 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the solar cell substrate is one of a member selected from the group consisting of stainless steel, carbon steel, an Fe-Ni alloy, an Fe-Cr alloy, an Fe-Cu alloy, an aluminum alloy, a titanium alloy, polyimide, and polyethylene terephthalate A method of patterning a cell.
상기 태양전지 기능층은 하부전극층, 광흡수층 및 투명전극층 중 하나인 태양전지의 패터닝 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the solar cell functional layer is one of a lower electrode layer, a light absorption layer, and a transparent electrode layer.
상기 하부전극층은 Mo, Ni, Cu, Nb, Si, Ti, W, Cr, Zn, Al, 및 Sn으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 1종 이상을 포함하고,
상기 광흡수층은 CI(G)S, α-Si, CdTe로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 1종이며,
상기 투명전극층은 ZnO, ITO, FTO 및 AZO로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 1종인 태양전지의 패터닝 방법.
The method of claim 3,
Wherein the lower electrode layer comprises at least one selected from the group consisting of Mo, Ni, Cu, Nb, Si, Ti, W, Cr, Zn, Al,
The light absorption layer is one kind selected from the group consisting of CI (G) S,? -Si and CdTe,
Wherein the transparent electrode layer is one selected from the group consisting of ZnO, ITO, FTO, and AZO.
상기 스크라이빙 지점 전후에 위치한 한 쌍의 롤은 패턴 형성시에는 정지하여 기판의 이송이 정지되도록 하고, 패턴이 형성된 후에는 회전하여 상기 기판을 이송하는 태양전지의 패터닝 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the pair of rolls positioned before and after the scribing point stops at the time of pattern formation to stop the transfer of the substrate, and after the pattern is formed, the substrate is transferred by rotating.
상기 패턴 형성 구간에는 기판 위치 및 패턴 위치 중 하나 이상을 인식할 수 있는 인식장치가 구비되는 태양전지의 패터닝 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the pattern forming section includes a recognizing device capable of recognizing at least one of a substrate position and a pattern position.
상기 기판의 루핑은 루퍼에 의해 이루어지는 태양전지의 패터닝 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the looping of the substrate is performed by a looper.
상기 태양전지 기능층을 형성하는 단계와 패턴을 형성하는 단계는 2회 이상 반복적으로 행하여지는 태양전지의 패터닝 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the step of forming the solar cell functional layer and the step of forming the pattern are repeated two or more times.
상기 태양전지 기능층은 하부전극층, 광흡수층 및 투명전극층이며, 기판 표면으로부터 상기 하부전극층, 광흡수층 및 투명전극층이 순차적으로 형성되는 태양전지의 패터닝 방법.
The method of claim 9,
Wherein the solar cell functional layer is a lower electrode layer, a light absorbing layer, and a transparent electrode layer, and the lower electrode layer, the light absorbing layer, and the transparent electrode layer are sequentially formed from the surface of the substrate.
상기 하부전극층 형성 전, 확산방지막을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 태양전지의 패터닝 방법.
The method of claim 10,
And forming a diffusion barrier layer before forming the lower electrode layer.
상기 확산방지막은 Ti, Cr, Ni, Al, Zn, Mo 및 Si로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 태양전지의 패터닝 방법.
The method of claim 11,
Wherein the diffusion barrier film comprises at least one selected from the group consisting of Ti, Cr, Ni, Al, Zn, Mo, and Si.
상기 투명전극층 형성 전, 상기 광흡수층 상에 버퍼층을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 태양전지의 패터닝 방법.
The method of claim 10,
And forming a buffer layer on the light absorbing layer before forming the transparent electrode layer.
상기 버퍼층은 CdS, ZnS, ZnSe, InS, InOOH 및 ZnOOH로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 1종인 태양전지의 패터닝 방법.14. The method of claim 13,
Wherein the buffer layer is one selected from the group consisting of CdS, ZnS, ZnSe, InS, InOOH and ZnOOH.
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Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08118045A (en) * | 1994-10-19 | 1996-05-14 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | Laser machining method and device therefor |
| JP2004146773A (en) | 2002-08-30 | 2004-05-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method and device for working and electronic device |
| KR20100072463A (en) * | 2008-12-22 | 2010-07-01 | 주식회사 야스 | Roll to roll apparatus for the fabrication of thin film semiconductor device on a flexible substrate |
| KR20110105389A (en) * | 2009-01-16 | 2011-09-26 | 후지필름 가부시키가이샤 | Scribing apparatus and scribing method |
-
2012
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08118045A (en) * | 1994-10-19 | 1996-05-14 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | Laser machining method and device therefor |
| JP2004146773A (en) | 2002-08-30 | 2004-05-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method and device for working and electronic device |
| KR20100072463A (en) * | 2008-12-22 | 2010-07-01 | 주식회사 야스 | Roll to roll apparatus for the fabrication of thin film semiconductor device on a flexible substrate |
| KR20110105389A (en) * | 2009-01-16 | 2011-09-26 | 후지필름 가부시키가이샤 | Scribing apparatus and scribing method |
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