KR101402846B1

KR101402846B1 - Apparatus for cleaning wafer

Info

Publication number: KR101402846B1
Application number: KR1020130013576A
Authority: KR
Inventors: 오소연; 이승재; 공순현
Original assignee: 주식회사 엘지실트론
Priority date: 2013-02-06
Filing date: 2013-02-06
Publication date: 2014-06-02

Abstract

A wafer cleaning apparatus according to one embodiment of the present invention cleans a cut wafer. The apparatus includes a buffer tank which receives a cleaning solution which is prepared by mixing ultrapure water with at least one or two compounds selected from a group consisting of a glycol ether compound, an alcohol compound, and a surfactant, a bath which stores the cut wafer, and an injection nozzle which cleans the cut wafer by injecting the cleaning solution supplied from the buffer tank.

Description

웨이퍼 세정 장치{Apparatus for cleaning wafer}[0001] Apparatus for cleaning wafer [0002]

실시예는 웨이퍼 세정 장치에 관한 것이다.An embodiment relates to a wafer cleaning apparatus.

오늘날 반도체 및 태양 전지용 재료로서 광범위하게 사용되고 있는 실리콘 웨이퍼는 단결정 또는 다결정 실리콘을 이용하여 만들어진 실리콘 박판을 말한다. 이러한 실리콘 웨이퍼는 전기적 및 화학적 특성이 우수하고 이를 이용한 소자의 집적화가 가능한 장점이 있다.Silicon wafers, which are widely used today as materials for semiconductors and solar cells, refer to silicon thin plates made of single crystal or polycrystalline silicon. These silicon wafers are excellent in electrical and chemical properties, and are capable of integrating devices using them.

실리콘 웨이퍼는 종래에는 반도체에 주로 사용되었으나, 최근 새로운 기술 개발 및 산업의 발전에 의해 태양전지나 발광 다이오드(LED:Light Emitting Diode) 등 다양한 전자소자에 사용되어 그 사용범위가 넓어지고 있는 추세이다.Silicon wafers are conventionally used in semiconductors. However, they have been used in various electronic devices such as solar cells and light emitting diodes (LEDs) due to the development of new technologies and industry, and their use range is widening.

웨이퍼는 실리콘 잉곳(ingot)을 절삭하여 얻을 수 있다. 잉곳은 실리콘 결정을 쵸크랄스키(CZ:Czochralski) 방법 또는 플로팅 존(FZ:Floating-zone) 방법으로 성장시켜 생산되고 있다. CZ 방법에 의하면, 순수한 다결정 실리콘 덩어리들을 석영 도가니에 담근 후 소량의 도판트를 첨가하여 원하는 전기적 특성을 실리콘 잉곳에 부여한다. 폴리 실리콘은 석영도가니 안에서 녹는점인 약 1420℃ 이상으로 가열되어 용융되게 되며, 일단 폴리실리콘과 도판트가 모두 녹아 액상이 된 후 원하는 결정 방향과 동일한 결정 방향을 가진 단결정 종자(seed)를 용융액 표면 가운데 부분에 접촉시킨다. 실리콘 내에서 균일한 도판트의 확산을 얻기 위하여 시드와 석영도가니는 서로 반대방향으로 회전하게 되며 결정 성장에 필요한 조건들이 준비되게 되면 이 시드를 조금씩 들어올리면서 성장 공정을 시작하게 된다. 성장 공정은 원하는 지름을 얻기 위한 속도 조절 과정을 거친 후, 일정한 인상 속도로 진행된다.The wafer can be obtained by cutting a silicon ingot. The ingot is produced by growing silicon crystals by a Czochralski (CZ) method or a floating-zone (FZ) method. According to the CZ method, pure polycrystalline silicon agglomerates are immersed in a quartz crucible and a small amount of dopant is added to impart desired electrical properties to the silicon ingot. The polysilicon is melted by heating to a melting point of about 1420 ° C or higher in a quartz crucible. Once the polysilicon and the dopant are melted to become a liquid phase, a single crystal seed having the same crystal orientation as the desired crystal direction is introduced into the melt surface Contact the middle part. The seed and the quartz crucible are rotated in opposite directions in order to obtain diffusion of a uniform dopant in the silicon. When the conditions necessary for the crystal growth are prepared, the seed is gradually lifted and the growth process is started. The growth process proceeds at a constant pulling rate after a speed adjustment process to obtain the desired diameter.

성장 공정이 완료되고 실리콘 잉곳이 완성되면, 웨이퍼를 얻기 위해 절삭 공정을 거친다. 절삭 공정에서는 잉곳을 빔(Beam)에 부착시켜 절삭 가공을 진행한다. 여기서, 빔은 카본(carbon), 레진(resin) 또는 글래스(glass) 등의 재질로 이루어질 수 있다.When the growth process is completed and the silicon ingot is completed, a cutting process is performed to obtain a wafer. In the cutting process, the ingot is adhered to the beam to perform the cutting process. Here, the beam may be made of a material such as carbon, resin, or glass.

도 1은 절삭된 웨이퍼의 슬러리를 설명하기 위한 도면이다.1 is a view for explaining a slurry of a cut wafer.

도 1을 참조하면, 잉곳을 절삭한 후 절삭 공정에서 발생된 절삭유 및 슬러리(2)를 웨이퍼(10)로부터 제거하기 위한 세정공정을 수행한다.Referring to FIG. 1, a cleaning process is performed to remove the cutting oil and slurry 2 generated in the cutting process from the wafer 10 after cutting the ingot.

세정 공정에서는 잉곳이 부착된 빔으로부터 절삭 공정이 행해진 잉곳 전체를 세정하는 프리 세정(pre-cleaing) 공정 또는 절삭공정이 행해진 잉곳의 낱장, 즉 웨이퍼를 분리하여 세정을 실시하는 최종 세정(final-cleaning) 공정이 있다.In the cleaning process, a pre-cleaing process for cleaning the entire ingot from which the ingot has been cut from the beam, or a final-cleaning process for removing a single piece of the ingot in which the cutting process has been performed, ) Process.

프리 세정 공정에서 웨이퍼(w) 간의 간격이 매우 좁아 절삭 공정에서 유발된 절삭유 및 웨이퍼 조각의 오염원에 대한 세정이 어려우며, 세정 후 매우 좁은 웨이퍼 사이에 잔류하는 세정제에 의한 웨이퍼의 식각이 발생하여 불량 요인이 될 수도 있다.The gap between the wafers W in the pre-cleaning process is very narrow, so that it is difficult to clean the cutting oil and the contamination source of the wafer fragments caused in the cutting process, and the wafer is etched by the cleaning agent remaining between the narrow wafers after the cleaning, .

실시예는 세정제의 침투를 극대화하여 웨이퍼의 세정력을 향상시킬 수 있는 웨이퍼 세정 장치를 제공한다.Embodiments provide a wafer cleaning apparatus that can maximize penetration of a cleaning agent to improve cleaning power of the wafer.

절삭된 웨이퍼를 세정하는 실시예에 의한 웨이퍼 세정 장치는, 글리콜 에테르 화합물, 알코올 화합물 및 계면활성제로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 2종 이상의 혼합물과 초순수를 믹싱한 세정제를 수용하는 버퍼 탱크; 상기 절삭된 웨이퍼를 담는 수조; 및 상기 버퍼 탱크로부터 공급되는 상기 세정제를 상기 절삭된 웨이퍼에 분사하여, 상기 절삭된 웨이퍼를 세정하는 분사 노즐을 포함한다.A wafer cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention for cleaning a cut wafer includes a buffer tank for accommodating any one selected from the group consisting of a glycol ether compound, an alcohol compound and a surfactant or a mixture of two or more thereof and a cleaning agent mixed with ultrapure water; A water tank for containing the cut wafer; And a spray nozzle for spraying the cleaning agent supplied from the buffer tank onto the cut wafer to clean the cut wafer.

세정될 상기 절삭된 웨이퍼는 블럭 상태이다.The cut wafer to be cleaned is in a block state.

상기 절삭된 웨이퍼 사이로 노출된 빔까지 상기 세정제가 분사되도록, 상기 분사 노즐의 분사 각도는 결정될 수 있다.The spray angle of the spray nozzle may be determined such that the cleaning agent is sprayed to the exposed beam between the cut wafers.

상기 분사 노즐에서 상기 세정제를 분사하는 수압의 최소값은 분당 150 Mpa일 수 있다.The minimum value of the water pressure for spraying the cleaning agent from the injection nozzle may be 150 MPa per minute.

상기 웨이퍼 세정 장치는 상기 절삭된 웨이퍼가 고정 부착된 빔을 좌측이나 우측으로 소정 각도 회전시키는 회전 부재를 더 포함한다. 상기 소정 각도는 30°내지 50°일 수 있다.The wafer cleaner further includes a rotating member that rotates the beam to which the cut wafer is fixed, to the left or right by a predetermined angle. The predetermined angle may be 30 [deg.] To 50 [deg.].

상기 세정제에서, 상기 초순수의 농도는 99.8%이고, 상기 글리콜 에테르 화합물, 상기 알코올 화합물 및 상기 계면활성제로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 2종 이상의 혼합물의 농도는 0.2%이고, 상기 분사 노즐에서 상기 세정제를 분사하는 분사 시간의 최소값은 500초일 수 있다.In the cleaning agent, the concentration of the ultrapure water is 99.8%, and the concentration of any one selected from the group consisting of the glycol ether compound, the alcohol compound and the surfactant or a mixture of two or more thereof is 0.2% The minimum value of the injection time for spraying the cleaning agent may be 500 seconds.

상기 분사 노즐이 좌측이나 우측으로 틸팅하는 속도의 최소값은 3초이고, 상기 수조의 용량의 최소값은 400 리터일 수 있다.The minimum value of the speed at which the injection nozzle tilts to the left or right is 3 seconds, and the minimum value of the capacity of the water tank may be 400 liters.

상기 웨이퍼 세정 장치는, 상기 버퍼 탱크에 상기 초순수를 공급하며 소정 길이를 갖는 제1 공급 배관; 및 상기 글리콜 에테르 화합물, 상기 알코올 화합물 및 상기 계면활성제로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 2종 이상의 혼합물을 공급하는 제2 공급 배관을 더 포함할 수 있다. 상기 소정 길이의 최소값은 5H/6(여기서, H는 상기 버퍼 탱크의 높이)일 수 있다.The wafer cleaning apparatus includes: a first supply pipe which supplies the ultra pure water to the buffer tank and has a predetermined length; And a second supply pipe supplying at least one selected from the group consisting of the glycol ether compound, the alcohol compound and the surfactant or a mixture of two or more thereof. The minimum value of the predetermined length may be 5H / 6 (where H is the height of the buffer tank).

상기 제2 공급 배관은 상기 버퍼 탱크의 내측벽에 접하여 상기 글리콜 에테르 화합물, 상기 알코올 화합물 및 상기 계면활성제로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 2종 이상의 혼합물을 공급할 수 있다.The second supply pipe may be in contact with the inner wall of the buffer tank to supply any one selected from the group consisting of the glycol ether compound, the alcohol compound and the surfactant, or a mixture of two or more thereof.

상기 웨이퍼 세정 장치는 상기 절삭된 웨이퍼를 세정한 결과물은 세정제 찌꺼기를 수용하는 드레인 탱크; 및 상기 세정제 찌꺼기를 상기 드레인 탱크로 유출시키며 소정 직경을 갖는 복수의 드레인 배관을 더 포함할 수 있다.The wafer cleaning apparatus is characterized in that the result of cleaning the cut wafer is a drain tank for receiving detergent residues; And a plurality of drain pipes having a predetermined diameter, which drain the detergent residue to the drain tank.

상기 웨이퍼 세정 장치는, 상기 드레인 탱크와 상기 복수의 드레인 배관 각각의 사이에 배치되는 펌프를 더 포함할 수 있다.The wafer cleaning apparatus may further include a pump disposed between the drain tank and each of the plurality of drain pipes.

상기 드레인 배관은 굴곡진 형태를 가질 수 있고, 상기 소정 직경의 최소값은 100 Å일 수 있다.The drain pipe may have a curved shape, and the minimum value of the predetermined diameter may be 100 ANGSTROM.

상기 웨이퍼 세정 장치는, 상기 버퍼 탱크에 수용된 상기 세정제의 넘치는 거품을 상기 드레인 탱크로 유출시키는 거품 유출 배관을 더 포함할 수 있다.The wafer cleaning apparatus may further include a foam outlet pipe through which the overflowing foam of the detergent contained in the buffer tank flows out to the drain tank.

상기 거품 유출 배관은 굴곡진 형태를 가질 수 있고, S자 또는 U자 형태로 굴곡진 형태를 가질 수 있다.The foam outlet pipe may have a curved shape, and may have a curved shape in an S shape or a U shape.

상기 분사 노즐은 상기 수조의 길이 방향을 따라 배치되며, 복수의 분사공을 갖고, 상기 복수의 분사공 간의 간격은 빔에 고정 부착된 절삭된 웨이퍼 간의 간격 이하일 수 있다.The injection nozzle is disposed along the longitudinal direction of the water tub and has a plurality of injection holes, and the interval between the plurality of injection holes may be equal to or less than a distance between the cut wafers fixedly attached to the beam.

상기 절삭된 웨이퍼와 상기 분사 노즐의 이격 거리는 5 ㎝일 수 있다.The distance between the cut wafer and the spray nozzle may be 5 cm.

실시예에 따른 웨이퍼 세정 장치는 글리콜 에테르 화합물, 알코올 화합물 및 계면활성제로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 2종 이상의 혼합물과 초순수를 별개로 분사하지 않고 이들을 믹싱하여 분사하며, 분사 노즐에서 세정제의 분사 각도와 분사 수압과 분사 시간과 분사 노즐의 틸팅 속도와 수조의 크기를 적정화하기 때문에, 웨이퍼 사이로 세정제의 침투를 극대화시켜 세정력을 개선시킬 수 있고, 빔을 회전시키면서 세정제를 분사할 수 있으므로 웨이퍼의 중앙 부분까지 세정제를 도달시킬 수 있어 세정제가 웨이퍼 표면에 전체적으로 분산됨으로써 세정력을 더욱 개선시킬 수 있어, 웨이퍼의 표면 품질을 향상시키고 세정액의 재생 비율을 85% 이상으로 증대시키도록 하고, 글리콜 에테르 화합물, 알코올 화합물 및 계면활성제로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 2종 이상의 혼합물의 사용량을 절감시킬 수도 있다.The wafer cleaning apparatus according to the embodiment mixes and injects any one selected from the group consisting of a glycol ether compound, an alcohol compound, and a surfactant, or a mixture of two or more thereof with ultra-pure water separately, Since the spray angle, the spray water pressure, the spray time, the tilting speed of the spray nozzle, and the size of the water tank are optimized, the penetration of the cleaning agent into the wafers is maximized to improve the cleaning power, and the cleaning agent can be sprayed while rotating the beam. It is possible to improve the surface quality of the wafer and to increase the regeneration ratio of the cleaning liquid to 85% or more, and the glycol ether compound, Alcohol compounds and surfactants Luer any one selected from the group true or may be reducing the use amount of at least these two types of mixtures.

도 1은 절삭된 웨이퍼의 슬러리를 설명하기 위한 도면이다.
도 2a는 실시예에 의한 웨이퍼 세정 장치의 개략적인 블럭도를 나타내고, 도 2b는 빔, 웨이퍼, 수조 및 분사 노즐의 사시도를 나타낸다.
도 3은 빔과 절삭된 웨이퍼의 측단면도를 나타낸다.
도 4a 및 도 4b는 실시예에 의한 빔의 회전 단면을 나타내는 도면이다.
도 5a 내지 도 5e는 도 2a에 예시된 웨이퍼 세정 장치의 일부의 외관을 촬영한 사진들을 나타낸다.
도 6a 및 도 6b는 도 2a에 예시된 버퍼 탱크와 제1 및 제2 공급 배관을 확대 도시한 사시도 및 단면도를 각각 나타낸다.1 is a view for explaining a slurry of a cut wafer.
FIG. 2A shows a schematic block diagram of a wafer cleaning apparatus according to an embodiment, and FIG. 2B shows a perspective view of a beam, a wafer, a water tank, and an injection nozzle.
Figure 3 shows a cross-sectional side view of the beam and the cut wafer.
4A and 4B are views showing a rotating section of the beam according to the embodiment.
Figs. 5A to 5E show photographs of the appearance of a part of the wafer cleaning apparatus illustrated in Fig. 2A.
6A and 6B are a perspective view and a cross-sectional view respectively showing an enlarged view of the buffer tank and the first and second supply pipes shown in FIG. 2A.

이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 설명하고, 발명에 대한 이해를 돕기 위해 첨부도면을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않아야 한다. 본 발명의 실시예들은 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings in order to facilitate understanding of the present invention. However, the embodiments according to the present invention can be modified into various other forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the embodiments described below. Embodiments of the invention are provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art.

도 2a는 실시예에 의한 웨이퍼 세정 장치(100)의 개략적인 블럭도를 나타내고, 도 2b는 빔(beam)(5), 웨이퍼(10), 수조(bath)(120) 및 분사 노즐(nozzle)(130)의 사시도를 나타낸다.FIG. 2A shows a schematic block diagram of a wafer cleaning apparatus 100 according to an embodiment. FIG. 2B shows a schematic view of a wafer cleaning apparatus 100 according to an embodiment, which includes a beam 5, a wafer 10, a bath 120, Fig.

도 2a를 참조하면, 실시예에 의한 웨이퍼 세정 장치(100)는 버퍼 탱크(buffer tank)(110), 수조(120), 분사 노즐(130) 및 다수 배관들(142, 144, 146)을 포함한다.2A, a wafer cleaning apparatus 100 according to an embodiment includes a buffer tank 110, a water tank 120, a spray nozzle 130, and a plurality of pipes 142, 144, and 146 do.

전술한 바와 같이 실리콘 잉곳이 완성되면, 웨이퍼(20)를 얻기 위해 잉곳에 대해 절삭 공정을 수행한다. 절삭 공정에서는 잉곳이 빔(5)에 부착된 상태에서 잉곳을 절삭하며, 잉곳을 절삭한 후에 웨이퍼(10)에 붙은 이물질을 세정제를 이용하여 세정한다.When the silicon ingot is completed as described above, a cutting process is performed on the ingot in order to obtain the wafer 20. In the cutting step, the ingot is cut while the ingot is attached to the beam 5, and the ingot is cut, and then the foreign substance adhering to the wafer 10 is cleaned using a cleaning agent.

실시예에 의하면, 버퍼 탱크(110)는 제1 공급 배관(142)을 통해 초순수(DIW:DeIonized Water)를 공급받고, 제2 공급 배관(144)을 통해 글리콜 에테르 화합물, 알코올 화합물 및 계면활성제로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 2종 이상의 혼합물(이하, '계면 활성제'라 함)을 공급받으며, 초순수와 계면 활성제를 믹싱(mixing)한 결과물인 세정제(또는, 세정액)를 수용한다.According to the embodiment, the buffer tank 110 is supplied with DIW (Deionized Water) through the first supply pipe 142 and through the second supply pipe 144 with the glycol ether compound, the alcohol compound and the surfactant (Hereinafter, referred to as 'surfactant'), and receives a cleaning agent (or a cleaning liquid) as a result of mixing ultrapure water and a surfactant.

글리콜 에테르 화합물은 모노 에틸렌 글리콜 모노벤질 에테르, 디 에틸렌 글리콜 모노 벤질 에테르, 트리 에틸렌 글리콜 모노 벤질 에테르, 테트라 에틸렌 글리콜 모노 벤질 에테르, 펜타 에틸렌 글리콜 모노 벤질 에테르, 디 에틸렌 글리콜 모노 메틸 에테르, 트리 에틸렌 글리콜 모노 메틸 에테르, 테트라 에틸렌 글리콜 모노 메틸 에테르, 디 에틸렌 글리콜 모노 에틸 에테르, 트리 에틸렌 글리콜 모노 에틸 에테르, 테트라 에틸렌 글리콜모노 에틸 에테르, 디 에틸렌 글리콜 모노 프로필 에테르, 트리 에틸렌 글리콜 모노 프로필 에테르, 테트라 에틸렌 글리콜 모노 프로필 에테르, 디 에틸렌 글리콜 모노 부틸 에테르, 트리 에틸렌 글리콜 모노 부틸 에테르, 테트라 에틸렌 글리콜 모노 부틸 에테르, 프로필렌 글리콜 모노 메틸 에테르, 프로필렌 글리콜 모노 부틸 에테르, 디 프로필렌 글리콜 모노 부틸 에테르, 디 프로필렌 글리콜 모노 메틸 에테르 및 트리 프로필렌 글리콜 모노 메틸 에테르로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 이들의 2종 이상의 혼합물일 수 있다.The glycol ether compound may be selected from monoethyleneglycol monobenzyl ether, diethyleneglycol monobenzyl ether, triethyleneglycol monobenzyl ether, tetraethyleneglycol monobenzyl ether, pentaethylene glycol monobenzyl ether, diethyleneglycol monomethyl ether, triethyleneglycol mono Methyl ether, tetraethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, triethylene glycol monoethyl ether, tetraethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monopropyl ether, triethylene glycol monopropyl ether, tetraethylene glycol monopropyl Ether, diethylene glycol monobutyl ether, triethylene glycol monobutyl ether, tetraethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol moiety Butyl may be an ether, dipropylene glycol monobutyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether and tripropylene glycol monomethyl any one or a mixture of these two or more kinds selected from the group consisting of ether.

알코올 화합물은 에탄올, 메탄올, 프론탄올, 부탄올, 이소프로판올, 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 글리세린, 솔비톨 및 폴리에틸렌글리콜로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 이들의 2종 이상의 혼합물일 수 있다.The alcohol compound may be any one selected from the group consisting of ethanol, methanol, prontanol, butanol, isopropanol, ethylene glycol, diethylene glycol, propylene glycol, glycerin, sorbitol and polyethylene glycol or a mixture of two or more thereof.

계면활성제는 일반적인 계면활성제가 제한없이 사용될 수 있으며, 예를 들면 음이온성 계면활성제, 양이온성 계면활성제, 비이온성 계면활성제, 양쪽성 계면활성제 등이 각각 단독으로 또는 2종 이상 혼합하여 사용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.As the surfactant, a general surfactant may be used without limitation. For example, an anionic surfactant, a cationic surfactant, a nonionic surfactant, and an amphoteric surfactant may be used singly or in combination of two or more. But is not limited thereto.

만일, 계면 활성제와 초순수를 믹싱하지 않고 별개로 웨이퍼(10)에 분사할 경우, 초순수와 계면 활성제는 웨이퍼(10)의 표면에 침투하기 어려울 수 있다. 따라서, 웨이퍼(10)를 세정 후 도 1에 예시된 바와 같이 슬러리 잔여물(2)이 웨이퍼(10)에 잔류할 수 있다. 이를 해소하기 위해, 초순수와 계면 활성제의 사용량 및 수압을 조절할 경우, 웨이퍼(10)가 선택적으로 에칭되어 얼룩(stain) 불량이 발생할 수도 있다.If the surfactant and the ultrapure water are sprayed separately onto the wafer 10 without mixing, the ultrapure water and the surfactant may be less likely to penetrate the surface of the wafer 10. Thus, after cleaning the wafer 10, the slurry residue 2 may remain on the wafer 10 as illustrated in FIG. In order to solve this problem, when the amount of ultrapure water and surfactant used and the water pressure are controlled, the wafer 10 may be selectively etched to cause stain failure.

반면에, 실시예에 의하면, 계면 활성제와 초순수를 믹싱하고, 믹싱된 세정제를 이용하여 웨이퍼(10)를 세정하므로, 슬러리에 흡착된 웨이퍼(10)로 세정제의 침투력이 향상되어 웨이퍼(10)의 세정력이 개선될 수 있다.On the other hand, according to the embodiment, since the wafer 10 is cleaned by mixing the surfactant and the ultrapure water and cleaning the wafer 10 using the mixed cleaning agent, the penetration of the cleaning agent is improved by the wafer 10 adsorbed by the slurry, The detergency can be improved.

한편, 수조(120)는 빔(5)에 부착된 절삭된 웨이퍼(10)를 수용하는 역할을 한다.On the other hand, the water tank 120 serves to receive the cut wafer 10 attached to the beam 5.

분사 노즐(130)은 버퍼 탱크(110)로부터 배관(146)을 통해 공급되는 세정제를 절삭된 웨이퍼(10)에 화살표 방향으로 분사하여, 절삭된 웨이퍼(10)를 세정한다.The injection nozzle 130 blows the cleaning agent supplied through the pipe 146 from the buffer tank 110 onto the cut wafer 10 in the direction of the arrow to clean the cut wafer 10.

전술한 바와 같이, 절삭된 웨이퍼(10)는 빔(5)에 부착된 블럭(block) 상태로 프리 세정(pre-cleaning)될 수도 있지만, 빔(5)으로부터 분리되어 낱장으로 매엽식으로 최종 세정(final-cleaning)될 수도 있다.As described above, the cut wafer 10 may be pre-cleaned in a block state attached to the beam 5, but may be separated from the beam 5, (final-cleaning).

이하, 실시예에 의한 분사 노즐(130)의 분사 특성에 대해 다음과 같이 살펴본다.Hereinafter, the injection characteristics of the injection nozzle 130 according to the embodiment will be described as follows.

분사 노즐(130)의 분사 각도는 절삭된 웨이퍼(10) 사이로 노출된 빔(5)의 표면까지 세정제가 도달될 수 있도록 결정될 수 있다.The spray angle of the spray nozzle 130 can be determined so that the cleaning agent can reach the surface of the exposed beam 5 between the cut wafers 10.

도 3은 빔(5)과 절삭된 웨이퍼(10)의 측단면도를 나타낸다.3 shows a side cross-sectional view of the beam 5 and the cut wafer 10.

도 3을 참조하면, 절삭된 웨이퍼(10) 사이로 노출된 빔 표면(5A)이 위치하는 영역(30, 32, 34)에 세정제가 도달할 수 있도록, 분사 노즐(130)은 세정제를 분사한다.Referring to FIG. 3, the spray nozzle 130 ejects a cleaning agent so that the cleaning agent can reach the areas 30, 32, and 34 where the beam surface 5A exposed between the cut wafers 10 is located.

또한, 분사 노즐(130)에서 세정제를 분사하는 수압의 최소값은 분당 150 Mpa일 수 있다.Further, the minimum value of the water pressure for spraying the cleaning agent in the injection nozzle 130 may be 150 MPa per minute.

전술한 바와 같이, 실시예에 의한 웨이퍼 세정 장치(100)는 분사 노즐(130)의 각도와 분사 노즐(130)에서 세정제를 분사하는 수압을 최적화시켜, 도 3에 예시된 웨이퍼(10)의 영역(30, 32, 34)까지 세정제의 침투화를 최대화시킬 수 있다.As described above, the wafer cleaning apparatus 100 according to the embodiment optimizes the angle of the injection nozzle 130 and the water pressure for spraying the cleaning agent from the injection nozzle 130, so that the area of the wafer 10 illustrated in FIG. 3 (30, 32, 34).

또한, 세정제의 조성과 세정제를 분사하는 분사 시간에 따라 웨이퍼(10)의 세정 상태는 달라질 수 있다. 예를 들어, 분사 노즐(130)에서 세정제를 분사하는 시간의 최소값은 500초일 수 있다. 또한, 분사 노즐(130)로부터 분사되는 세정제의 조성의 경우, 초순수의 농도는 99.8%이고, 계면 활성제의 농도는 0.2%일 수 있다.이와 같이, 계면 활성제의 농도가 0.2%이고 분사 시간이 600초일 때, 세정제의 사용량이 절감되면서도 웨이퍼(10)의 세정력은 최대화될 수 있다.Further, the cleaning state of the wafer 10 may vary depending on the composition of the cleaning agent and the spraying time for spraying the cleaning agent. For example, the minimum time for spraying the cleaning agent in the spray nozzle 130 may be 500 seconds. In addition, in the case of the composition of the cleaning agent sprayed from the injection nozzle 130, the concentration of the ultrapure water may be 99.8% and the concentration of the surfactant may be 0.2%. Thus, when the concentration of the surfactant is 0.2% The cleaning force of the wafer 10 can be maximized while the amount of the cleaning agent used is reduced.

도 2b를 참조하면, 수조(120)의 길이 방향(124)을 따라 배치된 분사 노즐(130)은 일정한 간격으로 서로 이격된 복수의 분사공(또는, 분사 구멍)(130A)을 가질 수 있다. 이때, 복수의 분사공(130A) 간의 간격(d1)은 빔(5)에 고정 부착된 절삭된 웨이퍼 간의 간격(d2) 이하일 수 있다. 이와 같이, 복수의 분사공(130A) 간의 간격(d1)이 미세할 경우 웨이퍼(10) 낱장의 사이 사이로 세정제가 분사될 수 있어, 웨이퍼(10)의 세정력이 향상될 수 있다.Referring to FIG. 2B, the injection nozzles 130 disposed along the longitudinal direction 124 of the water tank 120 may have a plurality of spray holes (or injection holes) 130A spaced apart from each other at regular intervals. At this time, the distance d1 between the plurality of injection holes 130A may be equal to or less than the interval d2 between the cut wafers fixedly attached to the beam 5. In this way, when the spacing d1 between the plurality of spray holes 130A is small, the cleaning agent can be injected between the sheets of the wafer 10, and the cleaning force of the wafer 10 can be improved.

실시예에 의한 웨이퍼 세정 장치(100)는 회전 부재를 더 포함할 수 있다. 회전 부재는 절삭된 웨이퍼(10)가 고정 부착된 빔(5)을 좌측이나 우측으로 소정 각도 회전시키는 역할을 한다. 이를 위해, 회전 부재는 도 2a 및 도 2b에 예시된 바와 같이, 모터(20) 및 회전축(22)을 포함할 수 있다. 모터(20)는 회전축(22)을 회전시키는 역할을 한다. 회전축(22)은 빔(5)과 일체로 회전될 수 있도록, 빔(5)과 체결된다. 실시예는 빔(5)과 회전축(22)의 체결 형상에 국한되지 않는다.The wafer cleaning apparatus 100 according to the embodiment may further include a rotating member. The rotating member serves to rotate the beam 5 to which the cut wafer 10 is fixed, to the left or right by a predetermined angle. To this end, the rotating member may include a motor 20 and a rotating shaft 22, as illustrated in Figs. 2A and 2B. The motor 20 serves to rotate the rotary shaft 22. The rotary shaft 22 is fastened to the beam 5 so that it can be rotated integrally with the beam 5. The embodiment is not limited to the clamping shape of the beam 5 and the rotary shaft 22.

도 4a 및 도 4b는 실시예에 의한 빔(5)의 회전 단면을 나타내는 도면이다.4A and 4B are views showing a rotating section of the beam 5 according to the embodiment.

모터(20)에 의해 회전축(22)을 회전시킴으로써, 빔(5)은 도 4a에 예시된 바와 같이 좌측으로 제1 소정 각도(θ1)만큼 회전되거나 도 4b에 예시된 바와 같이 우측으로 제2 소정 각도(θ2)만큼 회전할 수 있다. 제1 및 제2 소정 각도(θ1, θ2) 각각은 30°내지 50°예를 들어, 45°일 수 있다.By rotating the rotating shaft 22 by the motor 20, the beam 5 is rotated to the left by a first predetermined angle [theta] 1 as illustrated in FIG. 4A, or rotated to the right by a second predetermined And can rotate by the angle [theta] 2. Each of the first and second predetermined angles? 1 and? 2 may be 30 ° to 50 °, for example, 45 °.

만일, 도 4a에 예시된 바와 같이 빔(5)이 좌측으로 회전할 경우, 좌측 분사 노즐(132)로부터 화살표 방향으로 분사되는 세정제가 웨이퍼(10)의 중앙부까지 도달할 수 있다. 또한, 도 4b에 에시된 바와 같이 빔(5)이 우측으로 회전할 경우, 우측 분사 노즐(134)로부터 화살표 방향으로 분사되는 세정제가 웨이퍼(10)의 중앙부까지 도달할 수 있다. 따라서, 웨이퍼(10)의 세정력이 개선된다.4A, when the beam 5 is rotated to the left, the cleaning agent jetted from the left side injection nozzle 132 in the arrow direction can reach the center portion of the wafer 10. [ 4B, when the beam 5 rotates to the right, the cleaning agent jetted from the right side injection nozzle 134 in the arrow direction can reach the center portion of the wafer 10. [ Therefore, the cleaning force of the wafer 10 is improved.

도 5a 내지 도 5e는 도 2a에 예시된 웨이퍼 세정 장치(100)의 일부의 외관을 촬영한 사진들을 나타낸다.Figs. 5A to 5E show photographs of the exterior of a part of the wafer cleaning apparatus 100 illustrated in Fig. 2A.

도 5a 및 도 5b는 단결정 잉곳을 절삭한 이후 절삭된 웨이퍼(10) 및 그 웨이퍼(10)가 고정 부착된 빔(5)이 수조(120)에 안착된 모습을 나타내고, 도 5c는 빔(5)이 회전축(22)의 회전으로 빔(5)이 좌측으로 회전하는 모습을 나타내고, 도 5d는 회전축(22)의 회전으로 빔(5)이 우측으로 회전하는 모습을 나타내고, 도 5e는 회전축(22)을 회전시키는 모터(20)가 배치된 모습을 나타낸다.5A and 5B show a cut wafer 10 after the single crystal ingot is cut and a beam 5 to which the wafer 10 is fixedly mounted on the water tray 120. Figure 5C shows a state in which the beam 5 FIG. 5D shows a state in which the beam 5 rotates to the right due to the rotation of the rotation axis 22, FIG. 5E shows a state in which the beam 5 rotates clockwise 22 for rotating the motor 20 are disposed.

한편, 빔(5)의 회전과는 별개로 분사 노즐(130) 자체도 좌측이나 우측으로 틸팅하여 회전할 수 있다. 이러한 분사 노즐(130)의 회전은 모터(20)에 의해 수행될 수 있으나 이에 국한되지 않으며 별개의 모터(미도시)에 의해 회전될 수도 있다. On the other hand, the injection nozzle 130 itself can be tilted to the left or to the right separately from the rotation of the beam 5 and rotated. The rotation of the injection nozzle 130 may be performed by the motor 20 but is not limited thereto and may be rotated by a separate motor (not shown).

또한, 분사 노즐(130)이 틸팅하는 속도가 최적화될수록 웨이퍼(10)로의 세정제의 침투력이 향상되어 세정력이 개선될 수 있다. 예를 들어, 분사 노즐(130)이 틸팅하는 속도가 느릴 경우 도 3에 예시된 웨이퍼(10)의 낱장 사이(30, 32, 34)의 영역까지 세정제가 침투할 수 있도록 한다. 이를 위한 분사 노즐(130)이 좌측이나 우측으로 틸팅하는 단위 주기 즉, 속도의 최소값은 예를 들어 3초일 수 있으며 이에 국한되지 않는다.Further, as the speed at which the jetting nozzle 130 is tilted is optimized, the penetration of the cleaning agent into the wafer 10 is improved, and the cleaning power can be improved. For example, if the jetting nozzle 130 tilts slowly, the cleaning agent can penetrate into the area of the sheet 30 (30, 32, 34) of the wafer 10 illustrated in FIG. The minimum value of the unit cycle, that is, the speed at which the injection nozzle 130 tilts to the left or right may be, for example, 3 seconds, but is not limited thereto.

도 6a 및 도 6b는 도 2a에 예시된 버퍼 탱크(110)와 제1 및 제2 공급 배관(142, 144)을 확대 도시한 사시도 및 단면도를 각각 나타낸다.6A and 6B are a perspective view and a cross-sectional view respectively showing an enlarged view of the buffer tank 110 and the first and second supply pipes 142 and 144 shown in FIG. 2A.

만일, 버퍼 탱크(110)로 공급되는 초순수의 낙차가 클 경우 거품이 발생할 수 있다. 따라서, 실시예에 의하면, 초순수를 버퍼 탱크(110)에 공급하는 제1 공급 배관(142)의 소정 길이(L)를 증가시켜, 초순수의 낙차 폭을 감소시킴으로써, 거품의 발생을 미연에 방지하거나 최소한 감소시킬 수 있다.If the amount of ultrapure water supplied to the buffer tank 110 is large, bubbles may be generated. Therefore, according to the embodiment, by increasing the predetermined length L of the first supply pipe 142 for supplying the ultra pure water to the buffer tank 110 and reducing the drop width of the ultra-pure water, the generation of bubbles can be prevented in advance At least.

통상적으로 세정제는 버퍼 탱크(110)의 높이(H)의 1/6까지 담겨진다. 이 경우, 제1 공급 배관(142)의 길이(L)는 다음 수학식 1과 같을 수 있다.Typically, the cleaning agent is contained up to 1/6 of the height H of the buffer tank 110. In this case, the length L of the first supply pipe 142 may be expressed by the following equation (1).

따라서, 제1 공급 배관(142)의 길이(L)가 예를 들면 수학식 1과 같이 길 경우, 초순수가 버퍼 탱크(110)로 공급되는 낙차가 줄어들어 거품 감소에 기여할 수 있다.Therefore, when the length L of the first supply pipe 142 is long as in Equation (1), for example, the drop of the ultra-pure water supplied to the buffer tank 110 is reduced, which can contribute to the reduction of bubbles.

또한, 도 6b를 참조하며, 내측벽(110A)을 타고 계면 활성제가 버퍼 탱크(110)로 공급되도록, 제2 공급 배관(144)은 버퍼 탱크(110)의 내측벽(110A)에 접할 수 있다. 이와 같이, 내측벽(110A)을 타고 계면 활성제가 버퍼 탱크(110)로 공급될 경우 그렇지 않은 경우와 비교할 때, 계면 활성제의 낙차 폭이 줄어들어 계면활성제에 의한 거품 발생이 억제될 수 있다.6B, the second supply pipe 144 may be in contact with the inner wall 110A of the buffer tank 110 so that the surfactant may be supplied to the buffer tank 110 by the inner wall 110A . As described above, when the surfactant is supplied to the buffer tank 110 by riding on the inner wall 110A, the width of falling of the surfactant can be reduced compared to the case where the buffer tank 110 is not provided, so that the foam generation by the surfactant can be suppressed.

한편, 도 2a를 참조하면, 실시예에 의한 웨이퍼 세정 장치(100)는 드레인 탱크(150), 복수의 드레인 배관(162, 164) 및 펌프(pump)(172, 174)를 더 포함할 수 있다.2A, the wafer cleaning apparatus 100 according to the embodiment may further include a drain tank 150, a plurality of drain pipes 162 and 164, and a plurality of pumps 172 and 174 .

드레인 탱크(150)는 절삭된 웨이퍼(10)를 세정한 결과물인 세정제 찌꺼기를 수용하는 역할을 한다. 드레인 배관(162, 164)은 세정제 찌꺼기를 드레인 탱크(150)로 유출(drain)시킨다. 도 2a의 경우 2개의 드레인 배관(162, 164)만이 도시되어 있지만 실시예는 이에 국한되지 않으며 3개 이상의 드레인 배관이 배치될 수도 있다. The drain tank 150 serves to receive the detergent residue, which is the result of cleaning the cut wafer 10. The drain pipes 162 and 164 drain the detergent residue to the drain tank 150. Although only two drain pipes 162 and 164 are shown in Fig. 2A, the embodiment is not limited to this, and three or more drain pipes may be disposed.

또한, 도 2a에 예시된 바와 같이, 드레인 배관(162, 164)은 굴곡진 형태를 가질 수 있다.Further, as illustrated in Fig. 2A, the drain pipes 162 and 164 may have a curved shape.

실시예에 의하면, 전술한 바와 같이 드레인 배관(162, 164)을 복수개 배치하고 드레인 배관(162, 164)의 형태를 굴곡지게 형성할 경우, 수조(120)에서 거품이 넘치는 현상을 억제할 수 있고, 세정제 찌꺼기가 드레인 탱크(150)로 더 잘 유출될 수 있다.According to the embodiment, when a plurality of drain pipes 162 and 164 are arranged and the drain pipes 162 and 164 are formed to be bent in a manner as described above, it is possible to suppress the phenomenon in which the bubble overflows in the water tank 120 , The detergent residue can be more easily drained into the drain tank 150.

또한, 수조(120)에서 거품이 넘치는 현상을 더욱 억제하고 세정제 찌꺼기가 드레인 탱크(150)로 보다 잘 유출될 수 있도록, 복수의 드레인 배관(162, 164)의 소정 직경(φ)은 확대될 수 있다. 예를 들어, 소정 직경(φ)의 최소값을 100 Å일 수 있다.The predetermined diameter? Of the plurality of drain pipes 162 and 164 can be enlarged so that the phenomenon of overflowing of the foam in the water tank 120 can be further suppressed and the detergent residue can more easily flow out to the drain tank 150 have. For example, the minimum value of the predetermined diameter? May be 100 Å.

또한, 드레인 탱크(150)와 복수의 드레인 배관(162, 164) 각각의 사이에 펌프(172, 174)를 배치하여, 세정제 찌꺼기가 수조(120)로부터 드레인 탱크(150)로 더 잘 유출될 수 있도록 할 수 있다.The pumps 172 and 174 may be disposed between the drain tank 150 and the plurality of drain pipes 162 and 164 so that the detergent residue can flow out from the water tank 120 to the drain tank 150 more .

한편, 실시예에 의한 웨이퍼 세정 장치(100)는 거품 유출 배관(180)을 더 포함할 수 있다.On the other hand, the wafer cleaning apparatus 100 according to the embodiment may further include a foam outflow pipe 180.

거품 유출 배관(180)은 버퍼 탱크(110)로부터 넘칠 수 있는 세정제의 거품을 드레인 탱크(150)로 유출시키는 역할을 한다. 이때, 거품 유출 배관(180)으로부터 버퍼 탱크(110)로 거품이 역류하는 것을 방지하기 위해, 실시예에 의한 거품 유출 배관(180)은 도 2a에 예시된 바와 같이 굴곡진 형태를 가질 수 있다. 예를 들어, 거품 유출 배관(180)은 S자 또는 U자 형태로 굴곡진 형태를 가질 수 있다.The foam outlet pipe 180 serves to discharge foam of the cleaning agent that can overflow from the buffer tank 110 to the drain tank 150. At this time, in order to prevent the foam from flowing backward from the foam outlet pipe 180 to the buffer tank 110, the foam outlet pipe 180 according to the embodiment may have a curved shape as illustrated in FIG. 2A. For example, the foam outlet pipe 180 may have a curved shape in the form of an S or U shape.

또한, 웨이퍼(10)를 세정시에 발생되는 거품을 제어하기 위해, 수조(120)의 용량의 최소값은 400 리터일 수 있다.In order to control the bubbles generated when cleaning the wafer 10, the minimum value of the capacity of the water tank 120 may be 400 liters.

한편, 도 2a를 참조하면, 절삭된 웨이퍼(10)와 분사 노즐(130)의 이격 거리(d3)는 5 ㎝일 수 있다. 이와 같이, 웨이퍼(10)와 분사 노즐(130) 간의 이격 거리(d3)를 최적화하여 세정제의 웨이퍼(10)로의 침투력 개선을 더욱 도모할 수 있다.Referring to FIG. 2A, the distance d3 between the cut wafer 10 and the injection nozzle 130 may be 5 cm. As described above, the separation distance d3 between the wafer 10 and the injection nozzle 130 can be optimized to further improve the penetration of the cleaning agent into the wafer 10. [

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It will be understood that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

5: 빔 10: 웨이퍼
20: 모터 22: 회전축
100: 웨이퍼 세정 장치 110: 버퍼 탱크
120: 수조 130, 132, 134: 분사 노즐
142, 144, 146, 162, 164, 180: 배관 172, 174: 펌프5: Beam 10: Wafer
20: motor 22:
100: wafer cleaner 110: buffer tank
120: water tank 130, 132, 134: injection nozzle
142, 144, 146, 162, 164, 180: piping 172, 174: pump

Claims

절삭된 웨이퍼를 세정하는 웨이퍼 세정 장치에 있어서,
글리콜 에테르 화합물, 알코올 화합물 및 계면활성제로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 2종 이상의 혼합물과 초순수를 믹싱한 세정제를 수용하는 버퍼 탱크;
상기 절삭된 웨이퍼를 담는 수조;
상기 버퍼 탱크로부터 공급되는 상기 세정제를 상기 절삭된 웨이퍼에 분사하여, 상기 절삭된 웨이퍼를 세정하는 분사 노즐;
상기 절삭된 웨이퍼를 세정한 결과물인 세정제 찌꺼기를 수용하는 드레인 탱크; 및
상기 버퍼 탱크에 수용된 상기 세정제의 넘치는 거품을 상기 드레인 탱크로 유출시키는 거품 유출 배관을 포함하는 웨이퍼 세정 장치.1. A wafer cleaning apparatus for cleaning a cut wafer, comprising:
A buffer tank for containing any one selected from the group consisting of a glycol ether compound, an alcohol compound and a surfactant or a mixture of two or more thereof and a detergent mixed with ultrapure water;
A water tank for containing the cut wafer;
A spray nozzle for spraying the cleaning agent supplied from the buffer tank onto the cut wafer to clean the cut wafer;
A drain tank for receiving detergent residues as a result of cleaning the cut wafer; And
And a foam outlet pipe through which the overflowing foam of the detergent contained in the buffer tank flows out to the drain tank.

제1 항에 있어서, 세정될 상기 절삭된 웨이퍼는 블럭 상태인 웨이퍼 세정 장치.2. The wafer cleaner of claim 1, wherein the cut wafer to be cleaned is in a block state.

제2 항에 있어서, 상기 절삭된 웨이퍼 사이로 노출된 빔까지 상기 세정제가 분사되도록, 상기 분사 노즐의 분사 각도는 결정되는 웨이퍼 세정 장치.3. The wafer cleaner of claim 2, wherein the spray angle of the spray nozzle is determined such that the cleaning agent is sprayed to the exposed beam between the cut wafers.

제1 항에 있어서, 상기 분사 노즐에서 상기 세정제를 분사하는 수압의 최소값은 분당 150 Mpa인 웨이퍼 세정 장치.The apparatus of claim 1, wherein the minimum pressure of water spraying the cleaning agent from the spray nozzle is 150 Mpa per minute.

제2 항에 있어서, 상기 절삭된 웨이퍼가 고정 부착된 빔을 좌측이나 우측으로 소정 각도 회전시키는 회전 부재를 더 포함하는 웨이퍼 세정 장치.3. The wafer cleaning apparatus according to claim 2, further comprising a rotating member for rotating the beam to which the cut wafer is fixed, to the left or right by a predetermined angle.

제5 항에 있어서, 상기 소정 각도는 30°내지 50°인 웨이퍼 세정 장치.6. The wafer cleaner of claim 5, wherein the predetermined angle is between 30 [deg.] And 50 [deg.].

제1 항에 있어서, 상기 분사 노즐에서 상기 세정제를 분사하는 분사 시간의 최소값은 500초인 웨이퍼 세정 장치.The wafer cleaning apparatus according to claim 1, wherein a minimum value of a jetting time for jetting the cleaning agent from the jetting nozzle is 500 seconds.

제7 항에 있어서, 상기 세정제에서, 상기 초순수의 농도는 99.8%이고, 상기 글리콜 에테르 화합물, 상기 알코올 화합물 및 상기 계면활성제로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 2종 이상의 혼합물의 농도는 0.2%인 웨이퍼 세정 장치.9. The method of claim 7, wherein the concentration of the ultrapure water in the detergent is 99.8%, and the concentration of any one selected from the group consisting of the glycol ether compound, the alcohol compound, and the surfactant or a mixture of two or more thereof is 0.2% / RTI >

제1 항에 있어서, 상기 분사 노즐이 좌측이나 우측으로 틸팅하는 속도의 최소값은 3초인 웨이퍼 세정 장치.The wafer cleaning apparatus according to claim 1, wherein a minimum value of a speed at which the injection nozzle tilts to the left or right is 3 seconds.

제1 항에 있어서, 상기 수조의 용량의 최소값은 400 리터인 웨이퍼 세정 장치.The wafer cleaner according to claim 1, wherein the minimum value of the capacity of the water tank is 400 liters.

제1 항에 있어서, 상기 버퍼 탱크에 상기 초순수를 공급하며 소정 길이를 갖는 제1 공급 배관; 및
상기 글리콜 에테르 화합물, 상기 알코올 화합물 및 상기 계면활성제로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 2종 이상의 혼합물을 공급하는 제2 공급 배관을 더 포함하는 웨이퍼 세정 장치.The apparatus of claim 1, further comprising: a first supply pipe supplying the ultra pure water to the buffer tank and having a predetermined length; And
Further comprising a second supply pipe for supplying any one selected from the group consisting of the glycol ether compound, the alcohol compound and the surfactant, or a mixture of two or more thereof.

제11 항에 있어서, 상기 소정 길이의 최소값은 5H/6(여기서, H는 상기 버퍼 탱크의 높이)인 웨이퍼 세정 장치.12. The wafer cleaner of claim 11, wherein the minimum value of the predetermined length is 5H / 6, where H is the height of the buffer tank.

제11 항에 있어서, 상기 제2 공급 배관은 상기 버퍼 탱크의 내측벽에 접하여 상기 글리콜 에테르 화합물, 상기 알코올 화합물 및 상기 계면활성제로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 2종 이상의 혼합물을 공급하는 웨이퍼 세정 장치.12. The method according to claim 11, wherein the second supply pipe is disposed in contact with an inner wall of the buffer tank, and the second supply pipe is connected to at least one of the glycol ether compound, the alcohol compound and the surfactant, Cleaning device.

제1 항에 있어서, 상기 세정제 찌꺼기를 상기 드레인 탱크로 유출시키며 소정 직경을 갖는 복수의 드레인 배관을 더 포함하는 웨이퍼 세정 장치.The wafer cleaning apparatus according to claim 1, further comprising a plurality of drain pipes having a predetermined diameter, which drain the detergent residue to the drain tank.

제14 항에 있어서, 상기 드레인 탱크와 상기 복수의 드레인 배관 각각의 사이에 배치되는 펌프를 더 포함하는 웨이퍼 세정 장치.15. The wafer cleaning apparatus according to claim 14, further comprising a pump disposed between each of said drain tank and said plurality of drain pipes.

제14 항에 있어서, 상기 드레인 배관은 굴곡진 형태를 갖는 웨이퍼 세정 장치.15. The wafer cleaner of claim 14, wherein the drain pipe has a curved shape.

제14 항에 있어서, 상기 소정 직경의 최소값은 100 Å인 웨이퍼 세정 장치.15. The wafer cleaner of claim 14, wherein the minimum value of the predetermined diameter is 100 angstroms.

삭제delete

제1 항에 있어서, 상기 거품 유출 배관은 굴곡진 형태를 갖는 웨이퍼 세정 장치.The apparatus of claim 1, wherein the foam outlet pipe has a curved shape.

제1 항에 있어서, 상기 거품 유출 배관은 S자 또는 U자 형태로 굴곡진 형태를 갖는 웨이퍼 세정 장치.The wafer cleaning apparatus according to claim 1, wherein the foam outlet pipe has a curved shape in an S shape or a U shape.

제2 항에 있어서, 상기 분사 노즐은 상기 수조의 길이 방향을 따라 배치되며, 복수의 분사공을 갖고, 상기 복수의 분사공 간의 간격은 빔에 고정 부착된 절삭된 웨이퍼 간의 간격 이하인 웨이퍼 세정 장치.3. The wafer cleaning apparatus according to claim 2, wherein the injection nozzle is disposed along the longitudinal direction of the water tub, has a plurality of injection holes, and the interval between the plurality of injection holes is equal to or less than a distance between the cut wafers fixedly attached to the beam.

제1 항에 있어서, 상기 절삭된 웨이퍼와 상기 분사 노즐의 이격 거리는 5 ㎝인 웨이퍼 세정 장치.The wafer cleaning apparatus according to claim 1, wherein a distance between the cut wafer and the injection nozzle is 5 cm.