KR101397699B1 - Adhesive composition for semiconductor, adhesive film comprising the same and semiconductor package using the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 Bumped Chip간 전기적 접속 신뢰성을 만족하는 Bumped Chip간 접착층으로써 Cu Bump와 Solder의 산화막을 제거하는 Flux공정이 가능하고 가열 압착에 따른 Chip Bonding시 Bump와 Solder가 충분히 서로 접속하게 하는 고유동의 반도체용 접착 조성물, 이를 포함하는 접착 필름 및 이를 이용한 반도체 패키지를 제공한다.The present invention relates to an adhesive layer between bumped chips that satisfies the electrical connection reliability between bumped chips, and is capable of performing a flux process for removing an oxide film of a copper bump and a solder. In addition, A bonding film comprising the same, and a semiconductor package using the same.

Description

반도체용 접착 조성물, 이를 포함하는 접착 필름 및 이를 이용한 반도체 패키지{ADHESIVE COMPOSITION FOR SEMICONDUCTOR, ADHESIVE FILM COMPRISING THE SAME AND SEMICONDUCTOR PACKAGE USING THE SAME}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to an adhesive composition for a semiconductor, an adhesive film containing the same, and a semiconductor package using the adhesive composition. [0002]

본 발명은 반도체용 접착 조성물 및 이를 포함하는 접착 필름에 관한 것이다. 보다 구체적으로 본 발명은 Flux기능과 절연 접착층의 경화 제어를 동시에 가능하게 하면서 조액 안정성 및 실장 이후 잔류하는 산에 의한 불량이 없고, 저온 흐름성이 충분하여 발포성 void를 방지하고 gap filling이 충분히 될 수 있는 반도체용 접착 조성물, 이를 포함하는 접착 필름 및 이를 이용한 반도체 패키지에 관한 것이다.
The present invention relates to a bonding composition for semiconductor and an adhesive film comprising the same. More specifically, the present invention is capable of simultaneously controlling the flux function and the curing of the insulating adhesive layer, and is free from defects due to stability of the liquid solution and remaining acid after mounting, and sufficient low-temperature flowability to prevent foaming voids A bonding film comprising the same, and a semiconductor package using the same.

반도체 장치의 고용량화를 위해서는 단위면적당 셀의 갯수를 늘리는 질적인 측면의 고집적화 방법과, 여러 개의 칩을 적층하여 용량을 늘리는 양적인 측면의 패키징 기술적인 방법이 있다.In order to increase the capacity of a semiconductor device, there are a highly integrated method of increasing the number of cells per unit area and a packaging technical method of increasing the capacity by stacking a plurality of chips.

이러한 패키징 방법에 있어서 종래에는 다층 칩 적층 패키지 방법(multi-chip package; 이하 MCP라 함) 방법이 주로 사용되어 왔는데, 이는 여러 개의 칩을 접착제에 의해 적층하고, 상하 칩을 와이어 본딩(wire bonding)을 이용하여 전기적으로 연결해주는 구조로서, 와이어 본딩을 해야하는 공간만큼 전체 패키지 크기가 적층된 칩의 공간보다 크게 되어 불필요한 공간이 존재하였다.In the conventional packaging method, a multi-chip package (hereinafter referred to as MCP) method has been mainly used, in which a plurality of chips are laminated by an adhesive, and the upper and lower chips are wire- , And the entire package size is larger than the space of the stacked chip by a space for wire bonding, which is unnecessary space.

이러한 MCP 방법의 미비점을 개선하고자 등장한 것이 웨이퍼 레벨 적층 패키지(wafer level stack package; 이하 WSP라 함)인다. WSP는 회로가 형성된 웨이퍼에 관통전극(TSV, through silicon via)를 형성하고 이를 통전물질로 채워 전기적으로 층간을 직접 연결하는 패키징 방법이다.A wafer level stack package (hereinafter referred to as " WSP ") has emerged to improve the defectiveness of the MCP method. WSP is a packaging method in which through-silicon vias (TSVs) are formed on a wafer on which a circuit is formed, and are filled with a conductive material to electrically connect the layers directly.

상기와 같은 MCP방법과 WSP 방법은 모두 복수개의 칩을 접착제에 의해 접착하여 적층하는 방식으로 양적인 측면에서 반도체 장치의 용량을 늘리는 방법이다. The MCP method and the WSP method as described above are methods for increasing the capacity of the semiconductor device in terms of quantities in such a manner that a plurality of chips are adhered to each other with an adhesive.

최근에는 전자기기의 소형화, 고밀도화에 따라 반도체소자를 최소의 면적으로 실장할 수 있는 플립 칩(flip-chip) 실장이 주목받고 있다. 이 플립 칩 실장에 사용되는 반도체소자의 알루미늄 전극 상에는 범프가 형성되어 있고, 범프는 회로기판 상에서 배선과 전기적으로 접합한다. 이러한 범프의 조성으로서는 주로 땜납이 사용되고, 이 땜납범프는 증착이나 도금으로 칩의 내부배선에 연결되는 노출된 알루미늄 단자 상에 형성한다. 그 밖에 배선접합장치에서 형성되는 금 스터드(stud) 범프 등이 있다.2. Description of the Related Art In recent years, a flip-chip mounting capable of mounting a semiconductor device with a minimum area has attracted attention due to miniaturization and high density of electronic devices. A bump is formed on the aluminum electrode of the semiconductor element used for the flip chip mounting, and the bump is electrically connected to the wiring on the circuit board. As the composition of such a bump, mainly solder is used, and the solder bump is formed on the exposed aluminum terminal which is connected to the internal wiring of the chip by vapor deposition or plating. And gold stud bumps formed in the wiring bonding apparatus.

이러한 플립 칩에 의해 접속된 반도체장치는 그대로 사용되면 접속부의 전극이 공기중에 노출되어 있고, 칩과 기판의 선팽창계수의 차가 크기 때문에 땜납 리플로우 등의 후속공정의 열 이력에 의해 범프의 접속부분에 큰 응력이 걸려, 실장의 신뢰성에 문제가 있었다. 상기 문제를 해결하기 위해, 범프와 기판을 접속한 후 접합부분의 신뢰성을 향상시키기 위해서, 반도체소자와 기판의 빈틈을 수지 페이스트 또는 접착필름으로 메우고 경화시켜, 반도체소자와 기판을 고정하는 방법이 채택되어 있다. 이 경우 땜납 등의 표면에 존재하는 산화막을 제거하고 금속 접합을 용이하게 하기 위해 종래에는 유기산 등의 플럭스 활성제를 사용하였다. 그러나 플럭스 활성제의 잔사가 남는다면 보이드와 같은 기포가 발생하는 원인이 되거나 산성분에 따라서 배선의 부식이 발생하고 접속 신뢰성이 저하된다. 이에 따라 플럭스 활성제의 잔사를 세척하는 플럭스 공정이 필수적으로 요구된다. 그러나 근래 반도체 칩과 기판과의 사이에 갭이 좁은 경우 플럭스 활성제의 잔사의 세척이 어려운 문제가 있다. 따라서 Flux공정을 별도로 행하지 않게 하는 절연 접착층 개발이 필요한 실정이다. When the semiconductor device connected by such a flip chip is used as it is, the electrode of the connection portion is exposed to the air, and since the difference in coefficient of linear expansion between the chip and the substrate is large, the thermal history of the subsequent process, such as solder reflow, A large stress was applied, and there was a problem in the reliability of the mounting. In order to solve the above problem, there has been adopted a method of fixing the semiconductor element and the substrate by filling the gap between the semiconductor element and the substrate with a resin paste or an adhesive film and hardening in order to improve the reliability of the bonding portion after connecting the bump and the substrate . In this case, a flux activator such as an organic acid has been used in the prior art in order to remove the oxide film existing on the surface of the solder or the like and facilitate the metal bonding. However, if the residue of the flux activator remains, voids such as voids may be generated, or the corrosion of the wiring may occur depending on the acid component and the connection reliability may be deteriorated. Accordingly, a flux process for cleaning the residue of the flux activator is essentially required. However, recently, when the gap between the semiconductor chip and the substrate is narrow, it is difficult to clean the residue of the flux activator. Therefore, it is necessary to develop an insulating adhesive layer which prevents the flux process from being carried out separately.

Flux공정을 별도로 행하지 않게 하는 절연 접착층 개발을 위해 종래에는 카르복실산, 세바신산과 같은 산류를 직접 사용하였다. 하지만 이렇게 산류를 직접 사용하게 될 경우 절연 접착층 자체의 조액 안정성 및 필름 형태에서의 상온 안정성이 떨어지게 된다. 또한 산에 의해 절연 접착층 자체의 경화를 정확히 제어할 수 없을 뿐만 아니라 제품에 실장이 된 이후 잔류하게 되는 산에 의한 Bump의 부식, ion migration등의 불량이 발생하게 된다. In order to develop an insulating adhesive layer which does not require a separate flux process, acid such as carboxylic acid and sebacic acid has been used directly. However, if the acid is used directly, the insulating stability of the insulating adhesive layer itself and the stability at room temperature in the form of a film are deteriorated. In addition, the curing of the insulating adhesive layer itself can not be precisely controlled by the acid, and defects such as corrosion of the bump due to the acid remaining after mounting the product on the product and ion migration may occur.

또한 Bumped chip이 stacking되면서 Bump간 접속이 이루어졌던 하부 Chip에서 접착 조성물의 경화가 충분히 이루어지지 않는다면 상부 Chip이 다시 stack될 때 흔들림이 발생하고 그에 따른 Bump간 접속에 불량을 야기할 수 있다.
Also, if the bonding composition is not sufficiently cured in the lower chip where the bumped chip is stacked while the bumped chip is connected, the upper chip may shake when stacked again, resulting in a bad connection between the bumps.

본 발명의 하나의 목적은 Flux기능과 절연 접착층의 속경화를 동시에 가능하게 하면서 조액 안정성 및 실장 이후 잔류하는 산에 의한 불량을 없앨 수 있는 반도체용 접착 조성물, 이를 포함하는 접착 필름을 제공하기 위한 것이다.It is an object of the present invention to provide a bonding composition for a semiconductor and a bonding film comprising the bonding composition, which can eliminate the defect due to the stability of the solution solution and the acid remaining after mounting while simultaneously enabling the flux function and the fastening of the insulating bonding layer .

본 발명의 다른 목적은 플럭스 활성 경화제 자체의 에폭시와의 반응에 의한 경화제 활성 저하와 이에 따른 미반응 경화체 잔류물의 고온 분해와 같은 불량이 발생하지 않는 반도체용 접착 조성물, 이를 포함하는 접착 필름을 제공하기 위한 것이다.Another object of the present invention is to provide a bonding composition for a semiconductor in which the flux activating agent itself does not cause defects such as degradation of the curing agent by reaction with epoxy and high-temperature decomposition of the unreacted cured product residue, and an adhesive film comprising the same .

본 발명의 또 다른 목적은 250℃ 이상의 다이본딩하는 TSV(throung silicon via) 패키징에서도 안정적으로 적용할 수 있는 반도체용 접착 조성물, 이를 포함하는 접착 필름을 제공하기 위한 것이다.Another object of the present invention is to provide a bonding composition for semiconductor and a bonding film comprising the same, which can be stably applied in TSV (throung silicon via) packaging by die bonding at a temperature of 250 ° C or higher.

본 발명의 또 다른 목적은 범프 Chip간 전기적 접속 신뢰성이 우수한 반도체용 접착 조성물, 이를 포함하는 접착 필름을 제공하기 위한 것이다.It is still another object of the present invention to provide a bonding composition for semiconductor which is excellent in reliability of electrical connection between bump chips, and an adhesive film containing the same.

본 발명의 또 다른 목적은 금속 Bump와 Solder의 산화막을 제거하는 Flux공정이 가능하고 가열 압착에 따른 Chip Bonding시 Bump와 Solder가 충분히 서로 접속하게 할 수 있는 고유동의 반도체용 접착 조성물, 이를 포함하는 접착 필름을 제공하기 위한 것이다.It is still another object of the present invention to provide a bonding composition for intrinsic semiconductors capable of performing a flux process for removing a metal bump and an oxide film of a solder and capable of sufficiently connecting the bump and the solder during chip bonding according to hot pressing, Film.

본 발명의 또 다른 목적은 고온 내열성이 확보되며 신뢰성도 우수한 반도체용 접착 조성물, 이를 포함하는 접착 필름을 제공하기 위한 것이다.It is still another object of the present invention to provide a bonding composition for a semiconductor having high heat resistance and excellent reliability, and an adhesive film containing the same.

본 발명의 또 다른 목적은 접착력 및 흡습후 접착력이 우수한 반도체용 접착 조성물, 이를 포함하는 접착 필름을 제공하기 위한 것이다.Another object of the present invention is to provide a bonding composition for a semiconductor having excellent adhesion and adhesion after moisture absorption, and an adhesive film containing the same.

본 발명의 또 다른 목적은 상기 접착 필름을 이용한 반도체 패키지를 제공하기 위한 것이다.
Still another object of the present invention is to provide a semiconductor package using the adhesive film.

본 발명의 하나의 관점은 반도체용 접착 조성물에 관한 것이다. One aspect of the present invention relates to an adhesive composition for semiconductor.

한 구체예에서 상기 반도체용 접착 조성물은 아크릴계 수지; 에폭시계 수지; 플럭스 활성 경화제 및 이미다졸 화합물을 포함하는 반도체용 접착 조성물이며, 상기 에폭시계 수지는 고상 에폭시계 수지 및 액상 에폭시계 수지의 혼합물이고, 상기 반도체용 접착 조성물은 60℃에서 용융점도가 1× 104 ~ 15 × 104 P 이고, 260℃ 에서 10초간 경화시킨 후 하기 식 1에 의한 경화잔존률이 5 % 이하인 것을 특징으로 한다:In one embodiment, the adhesive composition for semiconductor comprises an acrylic resin; Epoxy resin; Wherein the epoxy resin is a mixture of a solid epoxy resin and a liquid epoxy resin, and the adhesive composition for semiconductor has a melt viscosity of 1 x 10 < 4 > at 60 DEG C, To 15 x 10 4 P, and after curing at 260 ° C for 10 seconds, the remaining percentage of the cured product according to the following formula 1 is 5% or less:

[식 1]  [Formula 1]

Figure 112011102051566-pat00001
Figure 112011102051566-pat00001

(상기에서, Hi는 필름 제작후 초기발열량, Hc는 260℃ 에서 10초간 경화 후 발열량임)(Where Hi is an initial heating value after film production and Hc is a heating value after curing at 260 DEG C for 10 seconds)

다른 구체예에서 상기 반도체용 접착 조성물은 아크릴계 수지; 에폭시계 수지; 플럭스 활성 경화제 및 이미다졸 화합물을 포함하는 반도체용 접착 조성물이며, 상기 에폭시계 수지는 고상 에폭시계 수지 및 액상 에폭시계 수지의 혼합물이고, 상기 에폭시계 수지와 플럭스 활성 경화제의 당량비(에폭시계 수지 당량/플럭스 활성 경화제의 당량)가 0.7 내지 1.6이고, 상기 반도체용 접착 조성물을 시차주사열량계(DSC)를 이용한 경화발열량 측정시, 200 ℃ 미만에서 첫번째로 검출되는 발열peak의 면적을 E1이라 하고, 200 ℃ 이상에서 검출되는 발열peak의 면적을 E2 라 할 때 두 발열peak의 면적 비(E1/E2)가 1 초과인 것을 특징으로 한다.In another embodiment, the adhesive composition for semiconductor comprises an acrylic resin; Epoxy resin; Wherein the epoxy resin is a mixture of a solid epoxy resin and a liquid epoxy resin, and the ratio of the epoxy resin to the flux active curing agent (epoxy resin equivalent / (The equivalent amount of the flux active curing agent) is 0.7 to 1.6, and when the curing calorific value of the adhesive composition for semiconductor is measured by using a differential scanning calorimeter (DSC), the area of the exothermic peak first detected at less than 200 deg. When the area of the exothermic peak to be detected is E2, the area ratio (E1 / E2) of the two exothermic peaks is greater than 1.

또 다른 구체예에서 상기 반도체용 접착 조성물은 시차주사열량계(DSC)를 이용한 경화발열량 측정시, 200 ℃ 미만에서 첫번째로 검출되는 발열peak의 면적을 E1이라 하고, 200 ℃ 이상에서 검출되는 발열peak의 면적을 E2 라 할 때 두 발열peak의 면적 비(E1/E2)가 1 초과이고, 60℃에서 용융점도가 1× 104 ~ 15 × 104 P 인 것을 특징으로 한다.In another embodiment of the present invention, the adhesive composition for semiconductor has an exothermic peak peak at a temperature of 200 ° C or lower and a peak of an exothermic peak at 200 ° C or higher when measuring a curing calorific value using a differential scanning calorimeter (DSC) The area ratio (E1 / E2) of the two exothermic peaks is more than 1 and the melt viscosity is 1 x 10 < 4 > to 15 x 10 < 4 >

상기 플럭스 활성 경화제는 전체 반도체용 접착 조성물중 5~20 중량%일 수 있다. The flux active curing agent may be in an amount of 5 to 20% by weight based on the entirety of the adhesive composition for semiconductors.

상기 이미다졸 화합물은 전체 반도체용 접착 조성물중 0.5~5 중량%일 수 있다. The imidazole compound may be used in an amount of 0.5 to 5% by weight based on the entirety of the adhesive composition for semiconductors.

상기 반도체용 접착 조성물은 아크릴계 수지 20~50 중량%; 에폭시계 경화제 20~50 중량%; 플럭스 활성 경화제 5~20 중량% 및 이미다졸 화합물 0.1~5 중량% 및 충진제 15~40 중량% 을 포함할 수 있다. Wherein the adhesive composition for semiconductor comprises 20 to 50% by weight of an acrylic resin; 20 to 50% by weight of an epoxy-based curing agent; 5 to 20% by weight of a flux active curing agent, 0.1 to 5% by weight of an imidazole compound and 15 to 40% by weight of a filler.

상기 플럭스 활성 경화제는 하기 화학식 1 내지 3 으로 표시되는 플럭스 활성 경화제를 최소한 1종 포함할 수 있다:
The flux active curing agent may include at least one flux active curing agent represented by the following general formulas (1) to (3)

[화학식 1][Chemical Formula 1]

Figure 112011102051566-pat00002
Figure 112011102051566-pat00002

(상기에서 [A]의 산무수물이 포함된 환 구조는 0 ~ 3 의 이중결합을 포함하고, 환 구조를 이루는 탄소 수는 4~8 개이고, [B]는 지환족, 불포화 지환족 또는 방향족이며, 환 구조를 이루는 탄소 수는 4~8개이며, R1은 수소원자, 탄소 수 1~6의 알킬기, 탄소 수 6~12의 아릴기, 탄소 수 6~12의 치환 아릴기, 비닐기, 알릴기로 이루어진 군으로부터 선택되며, n은 0~2의 정수임)(Wherein the ring structure containing an acid anhydride of [A] contains 0 to 3 double bonds, the number of carbon atoms constituting the ring structure is 4 to 8, [B] is an alicyclic, an unsaturated alicyclic or aromatic , The number of carbon atoms forming the ring structure is 4 to 8, R 1 is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, a substituted aryl group having 6 to 12 carbon atoms, An allyl group, and n is an integer of 0 to 2)

[화학식 2](2)

Figure 112011102051566-pat00003
Figure 112011102051566-pat00003

(상기에서 [C]의 산무수물이 포함된 환 구조는 0 ~ 3 의 이중결합을 포함하고, 환 구조를 이루는 탄소 수는 4~8 개이고, [D]는 지환족, 불포화 지환족 또는 방향족이며, 환 구조를 이루는 탄소 수는 4~8개이며, R2은 수소원자, 탄소 수 1~6의 알킬기, 탄소 수 6~12의 아릴기, 탄소 수 6~12의 치환 아릴기, 비닐기, 알릴기로 이루어진 군으로부터 선택되며, n은 1~4의 정수임)(Wherein the ring structure containing an acid anhydride of [C] contains a double bond of 0 to 3, the number of carbon atoms forming the ring structure is 4 to 8, [D] is an alicyclic, an unsaturated alicyclic or aromatic , The number of carbon atoms constituting the ring structure is 4 to 8, and R 2 is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, a substituted aryl group having 6 to 12 carbon atoms, An allyl group, and n is an integer of 1 to 4)

[화학식 3] (3)

Figure 112011102051566-pat00004
Figure 112011102051566-pat00004

(상기에서 [E]의 산무수물이 포함된 환 구조는 0 ~ 3 의 이중결합을 포함하고, 환 구조를 이루는 탄소 수는 4~8 개이고, [F]는 지환족, 불포화 지환족 또는 방향족이며, 환 구조를 이루는 탄소 수는 4~8개이며, R3은 수소원자, 탄소 수 1~6의 알킬기, 탄소 수 6~12의 아릴기, 탄소 수 6~12의 치환 아릴기, 비닐기, 알릴기로 이루어진 군으로부터 선택되며, R4는 하기 화학식(ⅰ)~(ⅷ)의 구조로부터 선택될 수 있고, n은 1~4의 정수임)(Wherein the ring structure containing an acid anhydride of [E] contains a double bond of 0 to 3, the number of carbon atoms constituting the ring structure is 4 to 8, [F] is an alicyclic, an unsaturated alicyclic or aromatic , The number of carbon atoms forming the ring structure is 4 to 8, and R 3 is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, a substituted aryl group having 6 to 12 carbon atoms, And R 4 may be selected from the structures represented by the following formulas (i) to (iii), and n is an integer of 1 to 4,

Figure 112011102051566-pat00005

Figure 112011102051566-pat00005

상기 이미다졸 화합물은 하기 화학식 4로 표시될 수 있다:The imidazole compound may be represented by the following formula (4): < EMI ID =

[화학식 4] [Chemical Formula 4]

Figure 112011102051566-pat00006
Figure 112011102051566-pat00006

(상기에서 R1 및 R2는 각각 독립적으로 탄소수 1~10의 알킬렌기임)(Wherein R1 and R2 are each independently an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms)

상기 이미다졸 화합물은 융점이 200 ℃ 내지 270℃ 일 수 있다. The imidazole compound may have a melting point of 200 ° C to 270 ° C.

상기 플럭스 활성 경화제 대비 이미다졸 화합물의 함량은 1~100 %일 수 있다.The content of the imidazole compound relative to the flux active curing agent may be 1 to 100%.

상기 반도체용 접착 조성물은 실란커플링제를 더 포함할 수 있다. The bonding composition for semiconductor may further include a silane coupling agent.

본 발명의 다른 관점은 상기 반도체용 접착 조성물로 형성된 반도체용 접착 필름에 관한 것이다. Another aspect of the present invention relates to an adhesive film for semiconductor formed with the above-mentioned adhesive composition for semiconductor.

본 발명의 또 다른 관점은 범프된 제1 및 제2 반도체 칩 사이를 상기 접착 조성물로 형성된 접착필름으로 접착하는 방법에 관한 것이다. Another aspect of the present invention relates to a method for bonding between bumped first and second semiconductor chips with an adhesive film formed of the adhesive composition.

또한 본 발명의 또 다른 관점은 상기 반도체용 접착필름으로 접착된 반도체 패키지를 제공한다. 상기 반도체 패키지는 칩 탑재 기판; 및 상기 집 탑재 기판의 일면에 적층된 제1 및 제2 반도체 칩을 포함하며, 상기 제1 및 제2 반도체 칩은 상기 반도체용 접착필름으로 접착된 것을 특징으로 한다.
Still another aspect of the present invention provides a semiconductor package bonded with the adhesive film for semiconductor. The semiconductor package includes: a chip mounting substrate; And first and second semiconductor chips stacked on one surface of the collecting substrate, wherein the first and second semiconductor chips are bonded with the adhesive film for semiconductor.

본 발명은 Flux기능과 절연 접착층의 속경화를 동시에 가능하게 하면서 조액 안정성 및 실장 이후 잔류하는 산에 의한 불량을 없앨 수 있고, 에폭시와의 반응에 의한 경화제 활성 저하와 이에 따른 미반응 경화체 잔류물의 고온 분해와 같은 불량이 발생하지 않으며, 250℃ 이상의 다이본딩하는 TSV(throung silicon via) 패키징에서도 안정적으로 적용할 수 있고, 범프 Chip간 전기적 접속 신뢰성이 우수며, 금속 Bump와 Solder의 산화막을 제거하는 Flux공정이 가능하고, 가열 압착에 따른 Chip Bonding시 Bump와 Solder가 충분히 서로 접속하게 할 수 있고, 고온 내열성이 확보되며 신뢰성도 우수하며, 접착력 및 흡습 후 접착력이 우수한 고유동의 반도체용 접착 조성물, 이를 포함하는 접착 필름과 상기 접착 필름을 이용한 반도체 패키지를 제공하는 발명의 효과를 갖는다.
The present invention makes it possible to simultaneously perform the flux function and the fast curing of the insulating adhesive layer while eliminating the stability of the liquid solution and the defect due to the residual acid after mounting, and the lowering of the curing agent activity due to the reaction with the epoxy, It can be applied stably in TSV (throung silicon via) packaging where die bonding is performed at 250 ℃ or more. It has excellent electrical connection reliability between bump chips. A bonding composition for intrinsic copper semiconductor which is capable of sufficiently bonding bump and solder during chip bonding according to hot pressing, securing high temperature heat resistance, having excellent reliability, and having excellent adhesion and adhesion after moisture absorption And a semiconductor package using the adhesive film.

본 발명에서 특별한 언급이 없는 한, 모든 함량은 고형분 기준으로 한다. Unless otherwise specified in the present invention, all contents are based on solids.

본 발명의 접착 조성물은 아크릴계 수지; 에폭시계 수지; 플럭스 활성 경화제 및 이미다졸 화합물을 포함할 수 있다.
The adhesive composition of the present invention comprises an acrylic resin; Epoxy resin; A flux active hardener and an imidazole compound.

아크릴계 수지Acrylic resin

상기 아크릴계 수지의 종류로는 (메타)아크릴레이트 공중합체를 단독으로 사용하거나 (메타)아크릴레이트 공중합체에 다른 고분자 수지와 혼합하여 사용할 수도 있다. 바람직하게는 상기 (메타)아크릴레이트 공중합체는 에폭시기를 함유할 수 있다. 구체예에서는 상기 아크릴계 수지는 에폭시 당량이 약 500~5000 g/eq 인 것이 사용될 수 있다. 상기 범위에서 경화된 조성물의 신뢰도가 뛰어난 장점이 있다. As the type of the acrylic resin, a (meth) acrylate copolymer may be used singly or a (meth) acrylate copolymer may be mixed with another polymer resin. Preferably, the (meth) acrylate copolymer may contain an epoxy group. In the specific example, the acrylic resin may have an epoxy equivalent of about 500 to 5000 g / eq. There is an advantage that the reliability of the composition cured in the above range is excellent.

상기 아크릴계 수지는 중량평균분자량이 약 50,000 내지 약 5,000,000g/mol, 바람직하게는 약 100,000 내지 약 1,000,000 g/mol 일 수 있다. 상기 범위에서 필름 형성능과 조성물의 기계적 성질 및 보이드 제거 능력이 뛰어난 장점이 있다. The acrylic resin may have a weight average molecular weight of about 50,000 to about 5,000,000 g / mol, preferably about 100,000 to about 1,000,000 g / mol. In the above range, the film forming ability, the mechanical properties of the composition, and the void removal ability are excellent.

하나의 구체예에서 상기 아크릴계 수지는 알킬(메타)아크릴레이트 모노머와 글리시딜 (메타)아크릴레이트 모노머의 공중합체일 수 있다. In one embodiment, the acrylic resin may be a copolymer of an alkyl (meth) acrylate monomer and a glycidyl (meth) acrylate monomer.

상기 알킬(메타)아크릴레이트 모노머는 필름에 점착력을 부여하는 기능을 하는 것으로서, 2-에틸헥실메타크릴레이트, 이소 옥틸 아크릴레이트, 2-에틸헥실아크릴레이트, 에틸아크릴레이트, n-부틸아크릴레이트, iso-부틸아크릴레이트 및 옥타데실메타크릴레이트 등이 사용될 수 있으며, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다. The alkyl (meth) acrylate monomer has a function of imparting an adhesive force to a film, and examples thereof include 2-ethylhexyl methacrylate, isooctyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, ethyl acrylate, iso-butyl acrylate, and octadecyl methacrylate, and the like, but are not limited thereto.

상기 글리시딜 (메타)아크릴레이트 모노머는 글리시딜 메타크릴레이트 또는 글리시딜 아크릴레이트 등이 있으며, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다. The glycidyl (meth) acrylate monomers include, but are not necessarily limited to, glycidyl methacrylate or glycidyl acrylate.

다른 구체예에서는 상기 모노머외에 수산기 함유 (메타)아크릴레이트 모노머도 선택적으로 부가되어 공중합될 수 있다. 상기 수산기 함유 (메타)아크릴레이트 모노머로는 2-하이드록시에틸 메타아크릴레이트, 2-하이드록시에틸 아크릴레이트, 3-하이드록시프로필 메타아크릴레이트, 3-하이드록시프로필 아크릴레이트, 하이드록시프로필 (메타)아크릴레이트, 4-하이드록시부틸 아크릴레이트, N-(하이드록시메틸) 아크릴레이트, 3-클로로-2-하이드록시프로필 메타아크릴레이트 등이 있으며, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다. In another embodiment, a hydroxyl group-containing (meth) acrylate monomer may be selectively added and copolymerized in addition to the monomer. Examples of the hydroxyl group-containing (meth) acrylate monomer include 2-hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxyethyl acrylate, 3-hydroxypropylmethacrylate, 3-hydroxypropyl acrylate, ) Acrylate, 4-hydroxybutyl acrylate, N- (hydroxymethyl) acrylate, 3-chloro-2-hydroxypropyl methacrylate, and the like.

상기 아크릴계 수지는 유리전이온도가 약 -30 ~ 80℃, 바람직하게는 약 0 ~ 60℃, 보다 바람직하게는 약 5 ~ 35℃일 수 있다. 상기 범위에서 고유동을 확보할 수 있어 보이드 제거 능력이 우수하고, 접착력 및 신뢰성을 얻을 수 있다. The acrylic resin may have a glass transition temperature of about -30 to 80 占 폚, preferably about 0 to 60 占 폚, and more preferably about 5 to 35 占 폚. It is possible to secure high flowability in the above range, to have excellent void removal ability, and to obtain an adhesive force and reliability.

상기 아크릴계 수지는 25℃ 점도가 약 1,000 내지 약 30,000 cps 일 수 있다. 상기 범위에서 조성물의 치수 균일성과 필름 형성능이 뛰어난 장점이 있다. The acrylic resin may have a viscosity at 25 ° C of about 1,000 to about 30,000 cps. Within this range, there is an advantage that the dimensional uniformity of the composition and film forming ability are excellent.

상기 아크릴계 수지는 전체 반도체용 접착 조성물중 약 20~50 중량%(고형분 기준), 바람직하게는 약 22~45 중량%, 더욱 바람직하게는 약 23~40 중량%이다. 상기 범위에서 우수한 신뢰성과 발포성 보이드 제거 효과를 얻을 수 있다.
The acrylic resin is about 20 to 50% by weight (based on solid content), preferably about 22 to 45% by weight, and more preferably about 23 to 40% by weight of the total adhesive composition for semiconductor. Excellent reliability and foaming void removal effect can be obtained in the above range.

에폭시계 수지Epoxy resin

상기 에폭시계 수지는 경화 및 접착 작용을 하는 것으로서, 액상 에폭시계 수지와 고상 에폭시계 수지의 혼합이 적용될 수 있다. The epoxy resin has a hardening and adhesive action, and a mixture of a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin can be applied.

상기 고상과 액상의 기준은 상온(25℃ )에서 고상이거나 고상에 근접할 경우 고상 에폭시이며, 상온(25℃ )에서 액상일 경우 액상 에폭시로 칭한다. The standard of the solid phase and the liquid phase is a solid phase at room temperature (25 ° C) or a solid epoxy when it is close to a solid phase, and a liquid epoxy when it is liquid at room temperature (25 ° C).

상기 액상 에폭시계 수지는 예를 들면 비스페놀A형 액상 에폭시 수지, 비스페놀F형 액상 에폭시 수지, 3관능성 이상의 다관능성 액상 에폭시 수지, 고무변성 액상 에폭시 수지, 우레탄 변성 액상 에폭시 수지, 아크릴 변성 액상 에폭시 수지 및 감광성 액상 에폭시 수지를 단독 또는 혼합하여 이용할 수 있으며, 더욱 바람직하게는 비스페놀A형 액상 에폭시 수지이다. The liquid epoxy resin includes, for example, bisphenol A type liquid epoxy resin, bisphenol F type liquid epoxy resin, trifunctional or more polyfunctional liquid epoxy resin, rubber modified liquid epoxy resin, urethane modified liquid epoxy resin, acrylic denatured liquid epoxy resin And photosensitive liquid epoxy resin may be used alone or in combination, and more preferably bisphenol A type liquid epoxy resin.

상기 액상 에폭시계 수지(b1)는 에폭시 당량이 100 내지 1500g/eq 이 사용될 수 있다. 바람직하게는 150 내지 800g/eq이고, 150 내지 400g/eq이다. 상기 범위에서 경화물의 접착성이 우수하고, 유리전이온도를 유지하며, 우수한 내열성을 가질 수 있다. The liquid epoxy resin (b1) may have an epoxy equivalent of 100 to 1500 g / eq. Preferably 150 to 800 g / eq, and 150 to 400 g / eq. Within the above range, the cured product is excellent in adhesiveness, the glass transition temperature is maintained, and excellent heat resistance can be obtained.

또한 상기 액상 에폭시계 수지의 중량평균분자량은 100 내지 1,000 g/mol 인 것이 사용될 수 있다. 상기 범위에서 흐름성이 뛰어난 장점이 있다. The weight average molecular weight of the liquid epoxy resin may be 100 to 1,000 g / mol. There is an advantage in that the flowability is excellent in the above range.

상기 고상 에폭시계 수지는 상온에서 고상 또는 고상에 근접한 에폭시로서 하나 이상의 관능기를 가지고 있는 에폭시 수지를 사용할 수 있으며, 바람직하게는 연화점(Sp)이 30 ~ 100℃인 것을 사용할 수 있다. 예를 들면, 비스페놀계 에폭시, 페놀 노볼락(Phenol novolac)계 에폭시, o-크레졸 노볼락(Cresol novolac)계 에폭시, 다관능 에폭시, 아민계 에폭시, 복소환 함유 에폭시, 치환형 에폭시, 나프톨계 에폭시 및 이들의 유도체를 사용할 수 있다. The solid epoxy resin may be an epoxy resin having at least one functional group as a solid epoxy resin near room temperature or solid state at room temperature and preferably has a softening point (Sp) of 30 to 100 ° C. Examples thereof include epoxy resins such as bisphenol type epoxy, phenol novolac type epoxy, o-cresol novolac type epoxy, polyfunctional epoxy, amine type epoxy, heterocyclic type epoxy, substituted epoxy, naphthol type epoxy And derivatives thereof.

이러한 고상 에폭시계 수지로서 현재 시판되고 있는 제품에는 비스페놀계 고상 에폭시로 국도화학의 YD-017H, YD-020, YD020-L, YD-014, YD-014ER, YD-013K, YD-019K, YD-019, YD-017R, YD-017, YD-012, YD-011H, YD-011S, YD-011, YDF-2004, YDF-2001 등이 있고, 페놀 노볼락(Phenol novolac)계로서는 유카 쉘 에폭시 주식회사의 체피코트 152, 에피코트 154, 일본화약주식회사의 EPPN-201, EPPN-501H, 다우케미컬의 DN-483, 국도화학의 YDPN-641, YDPN-638A80, YDPN-638, YDPN-637, YDPN-644, YDPN-631 등이 있고, o-크레졸 노볼락(Cresol novolac)계로서는 국도화학의 YDCN-500-1P, YDCN-500-2P, YDCN-500-4P, YDCN-500-5P, YDCN-500-7P, YDCN-500-8P, YDCN-500-10P, YDCN-500-80P, YDCN-500-80PCA60, YDCN-500-80PBC60, YDCN-500-90P, YDCN-500-90PA75 등이 있고 일본화약주식회사의 EOCN-102S, EOCN-103S, EOCN-104S, EOCN-1012, EOCN-1025, EOCN-1027, 독도화학주식회사의 YDCN-701, YDCN-702, YDCN-703, YDCN-704, 대일본 잉크화학의 에피클론 N-665-EXP 등이 있고, 비스페놀계 노볼락 에폭시로는 국도화학의 KBPN-110, KBPN-120, KBPN-115 등이 있고, 다관능 에폭시 수지로서는 유카 쉘 에폭시 주식회사 Epon 1031S, 시바스페샬리티케미칼주식회사의 아랄디이토 0163, 나가섭씨온도화성 주식회사의 데타콜 EX-611, 데타콜 EX-614, 데타콜 EX-614B, 데타콜 EX-622, 데타콜 EX-512, 데타콜 EX-521, 데타콜 EX-421, 데타콜 EX-411, 데타콜 EX-321, 국도화학의 EP-5200R, KD-1012, EP-5100R, KD-1011, KDT-4400A70, KDT-4400, YH-434L, YH-434, YH-300 등이 있으며, 아민계 에폭시 수지로서는 유카 쉘 에폭시 주식회사 에피코트 604, 독도화학주식회사의 YH-434, 미쓰비시가스화학 주식회사의 TETRAD-X, TETRAD-C, 스미토모화학주식회사의 ELM-120 등이 있고, 복소환 함유 에폭시 수지로는 시바스페샬리티케미칼주식회사의 PT-810, 치환형 에폭시 수지로는 UCC사의 ERL-4234, ERL-4299, ERL-4221, ERL-4206, 나프톨계 에폭시로는 대일본 잉크화학의 에피클론 HP-4032, 에피클론 HP-4032D, 에피클론 HP-4700, 에피클론 4701 등이 있고, 이것들은 단독으로 또는 2종류 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.YD-014K, YD-019K, YD-019K, YD-014H, YD-020, YD020-L, YD-014, YD-014ER, and YD-019K of bisphenol-based solid epoxy resin manufactured by Kukdo Chemical Co., YD-017, YD-017R, YD-017, YD-012, YD-011H, YD-011S, YD-011, YDF-2004 and YDF- EPPN-501, EPPN-501H, Dow Chemical DN-483, Yuko Chemical's YDPN-641, YDPN-638A80, YDPN-638, YDPN-637 and YDPN-644 manufactured by Nippon Yakushi Kagaku Co., 500-1P, YDCN-500-2P, YDCN-500-4P, YDCN-500-5P, YDCN-500-P and YDCN- YDCN-500-8PP, YDCN-500-80P, YDCN-500-80P, YDCN-500-80PCA60, YDCN-500-80PBC60, YDCN-500-90P, YDCN- YDCN-702, YDCN-703, YDCN-704, and YDCN-1024 of Dokdo Chemical Co., KBPN-120, KBPN-115, etc., available from Kukdo Chemical Co., Ltd., Epon 1031S (available from Yucca Shell Epoxy Co., Ltd.) as the bisphenol-based novolac epoxy resin, Eppolon N-665- , Araldioto 0163 of Ciba Specialty Chemicals Co., Ltd., Detacol EX-611, DataCol EX-614, DataCol EX-614B, DataCol EX-622, DataCol EX- EP-5200R, KD-1012, EP-5100R, KD-1011, KDT-4400A70, KDT-4400, YH of Datacol EX-411, YH-434, YH-434 and YH-300. Examples of the amine-based epoxy resin include Epikote 604 manufactured by Yucca Shell Epoxy Co., Ltd., YH-434 manufactured by Dokdo Chemical Co., Ltd., TETRAD-X and TETRAD-C manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., ELM-120 manufactured by Kokusan Co., Ltd., PT-810 of Ciba Specialty Chemicals Co., Ltd. as a heterocyclic ring-containing epoxy resin, U Epclone HP-4032D, Epiclon HP-4700, Epiclon 4701, and the like manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc. are used as the curing accelerators ERL-4234, ERL-4299, ERL- These may be used alone or in combination of two or more.

상기 에폭시계 수지는 전체 조성물(고형분 기준)중 20~50 중량%, 바람직하게는 25~45 중량%, 더욱 바람직하게는 30~42 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서 우수한 신뢰성 및 기계적 물성을 얻을 수 있다. 구체예에서는 상기 에폭시계 수지의 함량을 b, 상기 아크릴계 수지의 함량을 a (고형분 기준) 라고 할 때, a < b 일 수 있다. 이 경우 보다 우수한 신뢰성을 얻을 수 있다.
The epoxy resin may be contained in an amount of 20 to 50% by weight, preferably 25 to 45% by weight, more preferably 30 to 42% by weight in the total composition (based on the solid content). Excellent reliability and mechanical properties can be obtained in the above range. In a specific example, when the content of the epoxy resin is b and the content of the acrylic resin is a (based on solid content), a <b. In this case, more excellent reliability can be obtained.

플럭스Flux 활성 경화제 Active hardener

본 발명의 접착 조성물은 하기 화학식 1 내지 3 으로 표시되는 플럭스 활성 경화제를 최소한 1종 포함한다:
The adhesive composition of the present invention contains at least one flux active curing agent represented by the following general formulas (1) to (3):

[화학식 1][Chemical Formula 1]

Figure 112011102051566-pat00007
Figure 112011102051566-pat00007

(상기에서 [A]의 산무수물이 포함된 환 구조는 0 ~ 3 의 이중결합을 포함하고, 환 구조를 이루는 탄소 수는 4~8 개이고, [B]는 지환족, 불포화 지환족 또는 방향족이며, 환 구조를 이루는 탄소 수는 4~8개이며, R1은 수소원자, 탄소 수 1~6의 알킬기, 탄소 수 6~12의 아릴기, 탄소 수 6~12의 치환 아릴기, 비닐기, 알릴기로 이루어진 군으로부터 선택되며, n은 0~2의 정수임)(Wherein the ring structure containing the acid anhydride of [A] is 0-3 [B] is an alicyclic group, an unsaturated alicyclic group or an aromatic group, the number of carbon atoms constituting the ring structure is 4 to 8, and R 1 is hydrogen An alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, a substituted aryl group having 6 to 12 carbon atoms, a vinyl group, and an allyl group, and n is an integer of 0 to 2)

[화학식 2](2)

Figure 112011102051566-pat00008
Figure 112011102051566-pat00008

(상기에서 [C]의 산무수물이 포함된 환 구조는 0 ~ 3 의 이중결합을 포함하고, 환 구조를 이루는 탄소 수는 4~8 개이고, [D]는 지환족, 불포화 지환족 또는 방향족이며, 환 구조를 이루는 탄소 수는 4~8개이며, R2은 수소원자, 탄소 수 1~6의 알킬기, 탄소 수 6~12의 아릴기, 탄소 수 6~12의 치환 아릴기, 비닐기, 알릴기로 이루어진 군으로부터 선택되며, n은 1~4의 정수임)
(Wherein the ring structure containing the acid anhydride of [C] is 0-3 [D] is an alicyclic group, an unsaturated alicyclic group, or an aromatic group, the number of carbon atoms constituting the ring structure is 4 to 8, and R 2 is hydrogen An alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, a substituted aryl group having 6 to 12 carbon atoms, a vinyl group, and an allyl group, and n is an integer of 1 to 4)

[화학식 3] (3)

Figure 112011102051566-pat00009
Figure 112011102051566-pat00009

(상기에서 [E]의 산무수물이 포함된 환 구조는 0 ~ 3 의 이중결합을 포함하고, 환 구조를 이루는 탄소 수는 4~8 개이고, [F]는 지환족, 불포화 지환족 또는 방향족이며, 환 구조를 이루는 탄소 수는 4~8개이며, R3은 수소원자, 탄소 수 1~6의 알킬기, 탄소 수 6~12의 아릴기, 탄소 수 6~12의 치환 아릴기, 비닐기, 알릴기로 이루어진 군으로부터 선택되며, R4는 하기 화학식(ⅰ)~(ⅷ)의 구조로부터 선택될 수 있고, n은 1~4의 정수임)(Wherein the ring structure containing the acid anhydride of [E] is 0-3 , [F] is an alicyclic, an unsaturated alicyclic or aromatic, the number of carbon atoms constituting the ring structure is 4 to 8, and R 3 is a hydrogen An alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, a substituted aryl group having 6 to 12 carbon atoms, a vinyl group, an allyl group, and R 4 is selected from the group consisting of the following formulas (i) to , And n is an integer of 1 to 4)

Figure 112011102051566-pat00010

Figure 112011102051566-pat00010

예를 들면, 상기 플럭스 활성 경화제로는 3,4-Dicarboxy-1,2,3,4-tetrahydro-1-naphthalenesuccinic acid dianhydride, cis-5-Norbornene-endo-2,3-dicarboxylic anhydride, diphenic anhydride, bicyclo[2,2,2]oct-7-ene-2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride, phthalic anhydride, benzophenone-3,3'4,4'-tetracarboxylic dianhydride, endo-Bicyclo[2.2.2]oct-5-ene-2,3-dicarboxylic anhydride , Homophthalic anhydride , trans-1,2-Cyclohexanedicarboxylic anhydride , cis-5-Norbornene-exo-2,3-dicarboxylic anhydride 등이 있으며, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다. Examples of the flux active curing agent include 3,4-Dicarboxy-1,2,3,4-tetrahydro-1-naphthalenesuccinic acid dianhydride, cis-5-Norbornene-2,3-dicarboxylic anhydride, diphenic anhydride, bicyclo [2,2,2] oct-7-ene-2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride, phthalic anhydride, benzophenone-3,3'4,4'-tetracarboxylic dianhydride, endo-Bicyclo [2.2.2] oct-5-ene-2,3-dicarboxylic anhydride, homophthalic anhydride, trans-1,2-cyclohexanedicarboxylic anhydride, cis-5-Norbornene-exo-2,3-dicarboxylic anhydride and the like.

구체예에서는 상기 플럭스 활성 경화제는 융점이 100 내지 300 ℃, 바람직하게는 120 내지 250 ℃이다. 상기 범위에서 고속 교반시에도 조액 안정성을 확보할 수 있다. In a specific example, the flux active curing agent has a melting point of 100 to 300 ° C, preferably 120 to 250 ° C. The liquid stability can be ensured even in the above-mentioned range at high speed stirring.

또한 상기 플럭스 활성 경화제는 바람직하게는 카르복실산을 함유하지 않을 수 있다. The flux active curing agent may preferably be free of carboxylic acid.

구체예에서 상기 플럭스 활성 경화제는 전체 접착 조성물(고형분 기준)중 5 내지 20 중량%, 바람직하게는 5 내지 18 중량%로 포함할 수 있다. 상기 범위에서 Flux활성도 나타내면서 접속이 용이할 정도로 에폭시 수지와 반응성을 조절할 수 있다, 또한 고유동을 확보할 수 있어 Bump간 접속성이 우수하다. 구체예에서는 상기 플럭스 활성 경화제의 함량이 c 이고, 상기 에폭시계 수지의 함량을 b 라고 할 때, b: c = 1.2~5: 1, 바람직하게는 1.5~4 :1 일 수 있다. 상기 범위에서 우수한 Flux활성과 접착력을 갖는다. In an embodiment, the flux active curing agent may be contained in an amount of 5 to 20% by weight, preferably 5 to 18% by weight, based on the total adhesive composition (on a solid basis). In this range, it is possible to control the reactivity with the epoxy resin to such an extent that flux activity is exhibited and the connection is easy, and high fluidity can be ensured and the connection between the bumps is excellent. In a specific example, when the content of the flux active curing agent is c and the content of the epoxy resin is b, b: c = 1.2 to 5: 1, preferably 1.5 to 4: 1. And has excellent flux activity and adhesion in the above range.

바람직하게는 상기 에폭시계 수지와 상기 플럭스 활성 경화제의 당량비(에폭시계 수지 당량/플럭스 활성 경화제의 당량, E/H 비)가 0.7 내지 1.6 일 수 있다. 상기 범위에서 260℃ 10초의 짧은 본딩 시간 동안 충분한 경화구조를 갖게 되어 초기 접착력이 우수할 뿐만 아니라, 흡습 후 접착력과 접속력도 우수하며 충분한 유동성도 확보할 수 있다. 바람직하게는 E/H 비가 0.72~1.55 일 수 있다.
Preferably, the equivalent ratio of the epoxy resin and the flux active curing agent (equivalent epoxy resin / equivalence of flux active curing agent, E / H ratio) may be 0.7 to 1.6. In the above range, a sufficient curing structure is obtained during a short bonding time of 260 ° C for 10 seconds, so that the initial adhesive force is excellent, the adhesive force and the connecting force after moisture absorption are excellent, and sufficient fluidity can be secured. Preferably, the E / H ratio may be 0.72 to 1.55.

이미다졸Imidazole 화합물 compound

본 발명의 이미다졸 화합물은 융점이 약 200 ℃ 이상인 것을 특징으로 한다. m.p가 200℃ 이하인 이미다졸 화합물을 사용할 경우 상대적으로 경화 반응이 빨리 시작되게 되어 접착 필름의 유동 특성이 저하되고 이에 따른 Bump간 접속성이 불량해진다. 바람직하게는 융점이 약 200~270 ℃의 범위이며, 바람직하게는 약 210~265 ℃이다. The imidazole compound of the present invention is characterized by a melting point of at least about 200 캜. When an imidazole compound having a m.p of not more than 200 占 폚 is used, the curing reaction starts relatively quickly, so that the flow property of the adhesive film is deteriorated and thus the connectivity between the bumps becomes poor. The melting point is preferably in the range of about 200 to 270 占 폚, and preferably about 210 to 265 占 폚.

상기 이미다졸 화합물은 Flux활성을 나타내면서 에폭시 수지와 경화반응도 동시에 가능하게 하며, 특히 특정 용융점도 범위와 당량을 갖는 에폭시계 수지를 사용하여 TSV用 절연 접착필름 조성물의 용융 특성과 속경화성을 만족시킬 수 있다. The imidazole compound exhibits flux activity and can simultaneously perform a curing reaction with an epoxy resin. Especially, an epoxy resin having a specific melt viscosity range and equivalent can be used to satisfy the melting property and fast curability of the insulating adhesive film composition for TSV have.

구체예에서 상기 이미다졸 화합물은 하기 화학식 4로 표시될 수 있다:In embodiments, the imidazole compound may be represented by Formula 4: &lt; EMI ID =

[화학식 4][Chemical Formula 4]

Figure 112011102051566-pat00011
Figure 112011102051566-pat00011

(상기에서 R1 및 R2는 각각 독립적으로 탄소수 1~10의 알킬렌기임)(Wherein R1 and R2 are each independently an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms)

바람직하게는 상기 R1 및 R2는 각각 독립적으로 탄소수 1~5의 알킬렌기이며, 더욱 바람직하게는 탄소수 1~3의 알킬렌기이다. Preferably, R 1 and R 2 are each independently an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably an alkylene group having 1 to 3 carbon atoms.

상기 이미다졸 화합물은 전체 조성물(고형분 기준)중 약 약 0.1~5 중량%, 바람직하게는 약 0.5~2 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서 접착력이 우수하고, 발포성 보이드를 최소화할 수 있으며, 흡습 등의 불량이 발생하지 않고, 접속성 불량이 발생하지 않는다.
The imidazole compound may be contained in an amount of about 0.1 to 5% by weight, preferably about 0.5 to 2% by weight, based on the total composition (on a solid basis). In the above range, the adhesive force is excellent, the foaming void can be minimized, defects such as moisture absorption do not occur, and connection defects do not occur.

충진제Filler

상기 충진제는 금속성분인 금분, 은분, 동분, 니켈을 사용할 수 있고, 비금속성분인 알루미나, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 규산칼슘, 규산마그네슘, 산화칼슘, 산화마그네슘, 산화알루미늄, 질화알루미늄, 실리카, 질화붕소, 이산화티타늄, 유리, 산화철, 세라믹 등을 사용할 수 있다. 이중 바람직하게는 실리카이다. The filler may be selected from the group consisting of alumina, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide, Aluminum nitride, silica, boron nitride, titanium dioxide, glass, iron oxide, ceramics and the like can be used. Of these, silica is preferred.

상기 충진제의 형상과 크기는 특별히 제한되지 않으나, 통상적으로 충진제 중에서는 구형 실리카와 무정형 실리카가 주로 사용되고, 그 크기는 5㎚ 내지 20㎛인 것이 바람직하다.The shape and size of the filler are not particularly limited, but usually, spherical silica and amorphous silica are mainly used in the filler, and the size is preferably 5 nm to 20 탆.

상기 충진제는 전체 접착 조성물(고형분 기준)중 15~40 중량%로 포함될 수 있다. 바람직하게는 20~35 중량%이다. 상기 범위에서 우수한 유동성과 필름형성성 및 접착성을 가질 수 있다.
The filler may be included in an amount of 15 to 40% by weight of the total adhesive composition (based on the solid content). Preferably 20 to 35% by weight. And can have excellent flowability, film formability and adhesiveness in the above range.

커플링제Coupling agent

상기 커플링제는 조성물 배합시 실리카와 같은 무기물질의 표면과 유기물질간의 화학적 결합으로 인한 접착력을 증진시키기 위한 접착증진제의 작용을 한다.The coupling agent acts as an adhesion promoter for enhancing the adhesion due to chemical bonding between the surface of the inorganic material such as silica and the organic material when the composition is mixed.

상기 커플링제는 통상적으로 사용되는 실란 커플링제를 사용할 수 있으며, 예를 들어 에폭시가 함유된 2-(3,4 에폭시 사이클로 헥실)-에틸트리메톡시실란, 3-글리시독시트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리에톡시실란, 아민기가 함유된 N-2(아미노에틸)3-아미토프로필메틸디메톡시실란, N-2(아미노에틸)3-아미노프로필트리메톡시실란, N-2(아미노에틸)3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-트리에톡시실리-N-(1,3-디메틸뷰틸리덴)프로필아민, N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란, 머캅토가 함유된 3-머캅토프로필메틸디메톡시실란, 3-머캅토프로필트리에톡시실란, 이소시아네이트가 함유된 3-이소시아네이트프로필트리에톡시실란 등이 있으며, 이들을 단독 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.The coupling agent may be a conventionally used silane coupling agent. Examples of the coupling agent include 2- (3,4-epoxycyclohexyl) -ethyltrimethoxysilane containing epoxy, 3-glycidoxytrimethoxysilane, Aminopropyltrimethoxysilane, N-2 (aminoethyl) 3-aminopropyltrimethoxysilane containing an amine group, N-2 (aminoethyl) Aminopropyltriethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-triethoxysilyl-N- (1,3-dimethylbutylidene) ) Propylamine, N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-mercaptopropylmethyldimethoxysilane containing mercapto, 3-mercaptopropyltriethoxysilane, isocyanate-containing 3-isocyanate propyl Triethoxysilane, etc. These may be used singly or in combination of two or more kinds. have.

상기 커플링제는 전체 접착 조성물(고형분 기준)중 0.1 내지 10 중량%, 바람직하게는 0.5 내지 5 중량%, 더욱 바람직하게는 0.7 내지 3 중량%이다. 상기 범위에서 접착신뢰성이 우수하고 기포발생 문제를 줄일 수 있다.
The coupling agent is used in an amount of 0.1 to 10% by weight, preferably 0.5 to 5% by weight, more preferably 0.7 to 3% by weight, based on the total amount of the adhesive composition (on a solid basis). In this range, adhesion reliability is excellent and bubble generation problem can be reduced.

상기 접착 조성물은 유기용매를 추가로 포함할 수 있다. 상기 유기용매는 반도체용 접착 조성물의 점도를 낮게 하여 필름의 제조가 용이하도록 한다. 구체적으로 톨루엔, 자일렌, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 벤젠, 아세톤, 메틸에틸케톤, 테트라히드로 퓨란, 디메틸포름알데히드, 시클로헥사논 등을 사용할 수 있으며, 반드시 이에 제한되지 않는다.
The adhesive composition may further comprise an organic solvent. The organic solvent lowers the viscosity of the adhesive composition for semiconductor, thereby facilitating the production of the film. Specifically, toluene, xylene, propylene glycol monomethyl ether acetate, benzene, acetone, methyl ethyl ketone, tetrahydrofuran, dimethyl formaldehyde, cyclohexanone, and the like can be used, but not always limited thereto.

상기 반도체용 접착조성물은 260 ℃에서 용융점도가 1× 104 ~ 15 × 104 P일 수 있다. 상기 범위일 경우, 금속 범프와 solder간의 원활한 접촉을 가지므로 전기 접속이 잘 이루어 질 수 있다. 바람직하게는 3× 104 ~ 15 × 104 P, 보다 바람직하게는 5.5× 104 ~ 14 × 104 P 일 수 있다. The adhesive composition for semiconductor may have a melt viscosity of 1 x 10 4 to 15 x 10 4 P at 260 ° C. In the above range, since the metal bump and the solder are in smooth contact, the electrical connection can be performed well. Preferably 3 × 10 4 to 15 × 10 4 P, and more preferably 5.5 × 10 4 to 14 × 10 4 P.

상기 반도체용 접착조성물은 하기 식 1에 의한 경화잔존률이 5 % 이하, 바람직하게는 3 % 이하이다. The above-mentioned adhesive composition for semiconductor has a cured residual ratio of 5% or less, preferably 3% or less, according to the following formula (1).

[식 1]  [Formula 1]

Figure 112011102051566-pat00012
Figure 112011102051566-pat00012

(상기에서, Hi는 필름 제작후 초기발열량, Hc는 260℃ 에서 10초간 경화 후 발열량임)(Where Hi is an initial heating value after film production and Hc is a heating value after curing at 260 DEG C for 10 seconds)

또한 상기 반도체용 접착조성물은 시차주사열량계(DSC)를 이용한 경화발열량 측정시, 200 ℃ 미만에서 첫번째로 검출되는 발열peak의 면적을 E1이라 하고, 200 ℃ 이상에서 검출되는 발열peak의 면적을 E2 라 할 때 두 발열peak의 면적 비(E1/E2)가 1 초과인 것을 특징으로 한다. 즉, 이미다졸 촉매에 의해 산무수물 경화제가 에폭시 수지와 반응하는 200℃ 이하의 초기 발열peak의 면적이, 개환된 에폭시 수지가 다른 에폭시 수지를 연쇄적으로 반응시키는 200℃ 이상의 2nd 발열peak의 면적보다 크게 될 때 (E1/E2 >1 or E1>E2), 초기 접착력이 향상되며, 흡습에 의해 접착력이 열화되는 단점을 막을 수 있다. 이미다졸 촉매가 산무수물 경화제 대비 충분하더라도 산무수물 경화제의 함량이 부족하여 초기 발열peak가 작게 되면 260℃ 10초 본딩 후에도 충분히 경화구조가 형성되지 않아 초기 접착력이 낮아지게 된다. 이는 이어지는 칩 본딩에 있어 안정적인 버팀 구조를 제공하지 못하게 된다. 한편 산무수물 경화제 함량이 적절하지만 이미다졸 촉매가 산무수물 경화제 대비 충분치 않다면 마찬가지로 초기 반응이 작아지게 되어 260℃ 10초 본딩 후에도 충분히 경화구조가 형성되지 않아 초기 접착력이 낮아지게 되고 이어지는 흡습에 의해 반응 되지 않은 산무수물의 수분 흡수로 접착력 열화가 발생하게 된다. 따라서 DSC thermogram에 의해 검출되는 발열 peak의 분석으로 초기 esterification에 의한 200℃ 이하의 peak 면적이 200℃ 이상의 etherification에 의한 peak면적보다 커야만 (E1/E2 >1 or E1>E2) 안정적인 초기 접착력을 얻게 되고 흡습에 의한 미반응 산무수물에 의한 접착력 열화와 같은 문제점을 방지할 수 있다.The area of the exothermic peak to be detected first at less than 200 DEG C is referred to as E1 and the area of exothermic peak detected at 200 DEG C or more is defined as E2 The area ratio (E1 / E2) of the two exothermic peaks is greater than 1. That is, the area of the initial exothermic peak at 200 ° C or below, at which the acid anhydride curing agent reacts with the epoxy resin by the imidazole catalyst, is larger than the area of the second exothermic peak at 200 ° C or higher, (E1 / E2 > 1 or E1 > E2), the initial adhesive strength is improved and the drawback that the adhesive strength is deteriorated by moisture absorption can be prevented. Even if the imidazole catalyst is sufficient compared to the acid anhydride curing agent, if the content of the acid anhydride curing agent is insufficient and the initial exothermic peak is small, the cured structure is not sufficiently formed even after the bonding at 260 ° C for 10 seconds. This prevents a stable support structure in the subsequent chip bonding. On the other hand, if the content of the acid anhydride curing agent is adequate but the imidazole catalyst is not sufficient as compared with the acid anhydride curing agent, the initial reaction becomes similarly small, so that the cured structure is not sufficiently formed even after the bonding at 260 ° C for 10 seconds, The adhesive strength deteriorates due to moisture absorption of the non-acid anhydride. Therefore, analysis of exothermic peaks detected by DSC thermogram showed that the peak area below 200 ° C due to the initial esterification was greater than the peak area due to etherification above 200 ° C (E1 / E2> 1 or E1> E2) And deterioration of adhesion due to unreacted acid anhydride due to moisture absorption can be prevented.

본 발명의 다른 관점은 상기 접착 조성물로 형성된 반도체용 접착 필름에 관한 것이다. 상기 접착 필름은 범프 Chip간 전기적 접속 신뢰성을 만족하는 접착층을 형성하며, Cu Bump와 Solder의 산화막을 제거하는 Flux공정이 가능하다. 또한 가열 압착에 따른 Chip Bonding시 Bump와 Solder가 충분히 서로 접속하게 할 수 있다. 또한 접착력이 우수할 뿐만 아니라, 발포성 보이드가 발생하지 않고 Bump와 Solder간 imc 층을 충분한 면적으로 형성할 수 있다. Another aspect of the present invention relates to an adhesive film for semiconductor formed with the above adhesive composition. The adhesive film forms an adhesive layer that satisfies the electrical connection reliability between the bump chips and is capable of performing a flux process for removing the Cu bump and the oxide film of the solder. In case of chip bonding by heating and pressing, the bump and solder can be sufficiently connected to each other. In addition to the excellent adhesive strength, it is possible to form the imc layer between the bump and the solder with sufficient area without foaming voids.

본 발명의 상기 반도체용 접착조성물은 범프된 제1 및 제2 반도체 칩 사이를 상기 접착 조성물로 형성된 접착필름으로 접착할 수 있다. The bonding composition for a semiconductor of the present invention can bond the bumped first and second semiconductor chips with an adhesive film formed of the bonding composition.

또한 본 발명의 또 다른 관점은 상기 반도체용 접착필름으로 접착된 반도체 패키지를 제공한다. 상기 반도체 패키지는 칩 탑재 기판; 및 상기 집 탑재 기판의 일면에 적층된 제1 및 제2 반도체 칩을 포함하며, 상기 제1 및 제2 반도체 칩은 상기 반도체용 접착필름으로 접착된 것을 특징으로 한다.
Still another aspect of the present invention provides a semiconductor package bonded with the adhesive film for semiconductor. The semiconductor package includes: a chip mounting substrate; And first and second semiconductor chips stacked on one surface of the collecting substrate, wherein the first and second semiconductor chips are bonded with the adhesive film for semiconductor.

본 발명은 하기의 실시예에 의하여 보다 더 잘 이해 될 수 있으며, 하기의 실시예는 본 발명의 예시목적을 위한 것이며 첨부된 특허청구범위에 의하여 한정되는 보호범위를 제한하고자 하는 것은 아니다.
The present invention may be better understood by the following examples, which are for the purpose of illustrating the invention and are not intended to limit the scope of protection defined by the appended claims.

실시예Example

하기 실시예 및 비교예에서 사용된 각 성분의 사양은 다음과 같다: The specifications of each component used in the following examples and comparative examples are as follows:

(A) 아크릴계 수지 :SG-P3, 나가세 켐텍스 (A) Acrylic resin: SG-P3, Nagase Chemtex

(B) 에폭시계 수지(B) an epoxy resin

(b1) 고상에폭시 수지 (EPPN-501H, 일본화약)(b1) Solid epoxy resin (EPPN-501H, Japanese explosive)

(b2) 액상에폭시 수지 (KDS-8128, 국도화학)(b2) Liquid epoxy resin (KDS-8128, Kukdo Chemical)

(C) 플럭스 활성 경화제 : 3,4-Dicarboxy-1,2,3,4-tetrahydro-1-naphthalenesuccinic acid dianhydride, TCI(C) Flux active hardener: 3,4-Dicarboxy-1,2,3,4-tetrahydro-1-naphthalenesuccinic acid dianhydride, TCI

(D) 이미다졸 화합물: 2PHZ, 사국화학(m.p. 230 ℃)(D) Imidazole compound: 2PHZ, Sankoku Chemical (m.p. 230 ° C)

(E) 충진제: 구형 실리카 (SC-2500SQ, 제조원: 아드마텍스(Admatechs)(E) Filler: spherical silica (SC-2500SQ, manufactured by Admatechs)

(F) 실란커플링제: 에폭시 실란 커플링제 (KBM-303, 제조원: 신에쯔주식회사)(F) Silane coupling agent: Epoxy silane coupling agent (KBM-303, manufactured by Shin-Etsu Co., Ltd.)

(G) 용매: 메틸에틸케톤 (제조원: 삼전화학)
(G) Solvent: methyl ethyl ketone (manufactured by Samseon Chemical)

실시예Example 1~6 및  1 to 6 and 비교예Comparative Example 1~4 1-4

고속 고속 교반봉을 포함하는 1L 원통형 플라스크에 상기의 성분을 첨가하고 용제는 메틸에틸케톤을 사용, 25% 고형분으로 하여 10분간 2000 rpm에서 저속으로 그리고 30분간 5000rpm에서 고속으로 분산하여 조성물을 제조하였다. 이후 50um 캡슐 필터를 이용하여 여과한 뒤, 어플리케이터로 PET 필름에 25um 두께로 코팅하여 접착 필름을 제조하였으며, 90℃에서 10분 건조한 뒤 110 ℃에서 5분간 건조한 후 실온에서 1일간 보관하였다. The above components were added to a 1 L cylindrical flask equipped with a high-speed high-speed stirring rod, and the composition was prepared by dispersing the solvent at a low speed of 2000 rpm for 10 minutes and at a high speed of 5000 rpm for 30 minutes using methyl ethyl ketone as a 25% solids content . Then, it was filtered using a 50-μm capsule filter and coated with a 25-μm thick PET film with an applicator. The adhesive film was dried at 90 ° C. for 10 minutes, dried at 110 ° C. for 5 minutes, and stored at room temperature for 1 day.

상기 실시예1 ~ 6 및 비교예1 ~ 4에서 제조된 접착 필름을 이용하여 하기와 같은 방법으로 실험하였다.
The adhesive films prepared in Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 4 were tested in the following manner.

(1) E/H 비 : 각 조성상의 Epoxy 수지와 Flux 활성 경화제의 당량 비율 계산하였다. (Epoxy 수지 당량/Flux 활성 경화제 당량)(1) E / H ratio: The equivalent ratio of the epoxy resin of each composition and the flux active curing agent was calculated. (Epoxy resin equivalent / Flux active curing agent equivalent)

(2) 열경화 peak 면적 상대비 (E1/E2) : 시차주사열량계(DSC)를 이용하여 승온속도는 10℃/분, 30~500℃까지 스캔하여 경화발열량을 측정하였다. 검출된 thermogram상의 발열 peak들의 면적 상대 비율을 계산한다. Esterification에 의한 200℃ 이하의 첫번째로 검출되는 발열peak의 면적을 E1이라 하고 etherification에 의해 200℃ 이상에서 검출되는 두번째 발열peak의 면적을 E2라 하였을 때 두 발열peak의 면적 비율을 계산하였다 (E1/E2).(2) Thermal Contrast Peak Area Contrast (E1 / E2): The curing calorific value was measured by scanning with a differential scanning calorimeter (DSC) at a heating rate of 10 ° C / min and 30 to 500 ° C. Calculate the relative area ratio of exothermic peaks on the detected thermogram. The area ratio of the two exothermic peaks was calculated as E1 when the area of the first exothermic peak detected at 200 ° C or less by Esterification is E1 and the area of the second exothermic peak detected at 200 ° C or more by etherification is E2 (E1 / E2).

(3) 접착력 [kgf/chip] : 이산화 막으로 코팅되어있는 두께 725um 제1웨이퍼를 5mm x 5mm 크기로 자른 뒤 상기에서 제조된 접착 필름과 함께 60℃ 조건에서 라미네이션(Lamination)하고 접착부분만 남기고 절단하였다. 상기 제1웨이퍼와 동일한 두께 725um이고, 10mm x 10mm 크기의 제2 웨이퍼 위에 상기 접착필름이 라미네이션된 제1웨이퍼 조각을 10초 동안 1.0 kgf의 힘으로 260℃ 로 열압착하고 250℃에서의 전단 파괴 강도를 측정했다.(3) Adhesion [kgf / chip]: A 725-μm-thick first wafer coated with a diatomaceous membrane was cut into a size of 5 mm × 5 mm, laminated at 60 ° C. with the adhesive film prepared above, . The first wafer piece laminated with the adhesive film on a second wafer having a thickness of 725 탆, which is the same thickness as the first wafer, was thermocompression bonded at 260 캜 under a force of 1.0 kgf for 10 seconds and sheared at 250 캜 The strength was measured.

(4) 흡습 후 접착력 [kgf/chip] : 이산화 막으로 코팅되어있는 두께 725um 제1웨이퍼를 5mm x 5mm 크기로 자른 뒤 상기에서 제조된 접착 필름과 함께 60℃ 조건에서 라미네이션(Lamination)하고 접착부분만 남기고 절단하였다. 상기 제1웨이퍼와 동일한 두께 725um이고, 10mm x 10mm 크기의 제2 웨이퍼 위에 상기 접착필름이 라미네이션된 제1웨이퍼 조각을 10초 동안 1.0 kgf의 힘으로 260℃ 로 열압착하고 PCT에서 uHAST조건 (130℃／85％RH) 96시간, IR-reflow 3회 실시 후 250℃에서의 전단 파괴 강도를 측정했다.(4) Adhesion force after moisture absorption [kgf / chip]: A 725-μm-thick first wafer coated with a dioxide film was cut into a size of 5 mm × 5 mm, laminated at 60 ° C. with the adhesive film prepared above, . The first wafer piece laminated with the adhesive film on a second wafer of the same thickness 725um as the first wafer and having a size of 10mm x 10mm was thermocompressed at 260 占 폚 under a force of 1.0 kgf for 10 seconds and subjected to uHAST conditions 130 ° C / 85% RH) for 96 hours and three times of IR-reflow, and then the shear breaking strength at 250 ° C was measured.

(5) 용융점도 at 60℃ (× 104[P]) : 필름의 점도를 측정하기 위하여 각각의 필름을 여러 겹 60℃에서 합지하고 지름 8mm로 원형 컷팅하였다. 이때 두께는 400 ~ 450um정도이다. 점도측정범위는 30℃에서 300℃까지 측정하였고 승온조건은 5℃/분이다. 표에는 접착 필름이 칩에 마운팅이 행해지는 온도인 60℃에서의 흐름성을 가늠하는 60℃에서의 에타(Eta) 값을 제시하였다. 필름 마운팅 시 용융점도가 일정 값 이상이 된다면 bump사이의 공간을 충분히 채우지 못해 이어지는 칩간 접착 공정 및 경화 반응에서 void에 의한 불량이 야기될 수 있다.(5) Melting point at 60 ° C (× 10 4 [P]): To measure the viscosity of the film, each of the films was laminated at 60 ° C several times and circularly cut with a diameter of 8 mm. At this time, the thickness is about 400 ~ 450um. The viscosity measurement range was measured from 30 ° C to 300 ° C and the temperature increase condition was 5 ° C / min. The table shows the value of Eta at 60 ° C, which measures the flowability at 60 ° C, at which the adhesive film is mounted on the chip. If the melt viscosity is higher than a certain value during film mounting, the space between the bumps can not be sufficiently filled, which may lead to voids in the subsequent inter-chip bonding process and curing reaction.

(6) 마운팅void at 60℃ : 마운팅 시 bump에서 발생하는 void를 평가하기 위해 bump가 형성된 칩을 이용하여 60℃에서 라미네이션을 시행 후 현미경으로 bump주위의 void생성 여부를 관찰하였다. Void 없이 양호하면 ○, 부분적으로 미세 void가 발생하면 △, void가 심하면 ×로 표시하였다.(6) Mounting void at 60 ℃: In order to evaluate the void occurring in the bump during mounting, lamination was performed at 60 ℃ using a chip formed with a bump, and then a void was observed around the bump with a microscope. When it is good without void, it is indicated with o, when partially void occurs, and when it is void.

(7) 260℃ 10sec 후 경화잔존율 (%) : 제조한 접착필름을 각각 10㎜×30㎜로 자른 뒤 커버 필름(cover film)을 벗기고 슬라이드글라스에 60℃ 조건에서 라미네이션(Lamination)한 뒤, PET 필름을 벗기고 260℃의 핫 플레이트(hot plate)에서 10초간 경화시킨 후 슬라이드 글라스에서 제거하여 경화발열량을 측정(TA instrument사 Q20, 측정 조건 : 30~400℃, 승온조건은 10℃/min ) 한 다음 하기 식 1에 따라 초기 경화발열량으로 나누어서 잔존율을 계산하였다. 경화 후 경화잔존율이 낮을 수록 접착 조성물의 경화밀도가 높아지게 되어 접착 조성물의 신뢰성이 우수해진다. (7) Cured residual ratio (%) after 10 seconds at 260 占 폚: Each of the prepared adhesive films was cut into a size of 10 mm 占 30 mm. Then, the cover film was peeled off and laminated on a slide glass at 60 占 폚, PET film was peeled off and cured on a hot plate at 260 ° C for 10 seconds and then removed from the slide glass to measure the curing heat value (TA instrument Q20, measurement conditions: 30 to 400 ° C, temperature elevation condition: 10 ° C / min) Then, the residual ratio was calculated by dividing by the initial curing calorific value according to the following formula (1). The lower the hardening residual ratio after curing, the higher the curing density of the adhesive composition becomes, and the reliability of the adhesive composition is improved.

[식 1] [Formula 1]

Figure 112011102051566-pat00013
Figure 112011102051566-pat00013

초기발열량(Hi): 필름 제작후 발열량Initial heat output (Hi): Heat output after film production

경화후 발열량(Hc): 260℃ 에서 10초간 경화 후 발열량Calorific value after curing (Hc): Calorific value after curing at 260 ° C for 10 seconds

(8) 발포성 void : 이산화 막으로 코팅되어있는 두께 80um 제1웨이퍼를 10mm x 10mm 크기로 자른 뒤 상기에서 제조된 접착 필름과 함께 60℃ 조건에서 라미네이션(Lamination)하고 접착부분만 남기고 절단하였다. 두께 725um인 10mm x 10mm 크기의 제2웨이퍼 위에 상기 접착필름이 라미네이션된 제1웨이퍼 조각을 10초 동안 1.0 kgf의 힘으로 100℃, 260℃ 각각 순서대로 압착하고 SAT(Scanning Acoustic Tomograph)로 조사하여 발포성 void의 양호수준을 평가하였다. 발포 없이 면상 양호하면 ○, 부분적으로 미세 발포가 발생하면 △, 발포 현상이 심하면 ×로 표시하였다.(8) Foaming void: A 80-μm-thick first wafer coated with a dioxide film was cut into a size of 10 mm × 10 mm, laminated at 60 ° C. with the adhesive film prepared above, and cut with only adhesive portions. A first wafer piece laminated with the adhesive film was pressed on a second wafer of 10 mm x 10 mm in thickness with a thickness of 725 μm in order of 100 ° C and 260 ° C under a force of 1.0 kgf for 10 seconds and irradiated with SAT (Scanning Acoustic Tomograph) The good level of foamable void was evaluated. If it is good on the surface without foaming, it is marked with o, when the micro-foaming occurs partially, and when the foaming phenomenon is excessive, it is indicated by x.

(9) Solder/Cu Bump 접속성 : 솔더 Bump와 Cu Bump의 접속성 평가를 위해 제작된 칩을 사용하여 접착제 조성에 따른 Bump to Bump의 접속성 양호수준을 평가하였다. 접속이 양호하면 ○, 부분적으로 접속이 안되면 △, 모든 부분에서 접속이 안되면 ×로 표시하였다.(9) Solder / Cu Bump Connectivity: The bondability of the bump to bump according to the composition of the adhesive was evaluated by using chips manufactured for the evaluation of the connectivity between the solder bump and the copper bump. If the connection is good, it is indicated by?, When the connection is partially impossible, and when not connected at all, marked by?.

(10) Solder/Cu間 IMC Layer유무 : Solder Bump와 Cu Bump접속 시 Flux활성에 따른 산화막 제거가 발현된다면 Solder/Cu間 IMC(Intermetallic Compound) Layer가 생성된다. (ref. Journal of Alloys and Compounds 381 (2004) 151 　157) 산화막 제거능에 대한 평가를 위해 Cu foil에 접착 필름과 Solder Ball (Sn96.8Ag3.0Cu0.2, 760um)을 올려 놓고 260℃로 압착하여 몰딩한 후 측면을 polishing하여 Cu foil과 Solder ball 사이의 IMC layer를 SEM을 이용하여 관찰하였다. IMC layer가 있으면 ○, 없으면 ×로 표시하였다.
(10) Presence of IMC layer between Solder / Cu: If solder bump and Cu bump are connected, when the removal of oxide film due to flux activation occurs, an intermetallic compound layer (IMC) is generated between solder and Cu. (ref. Journal of Alloys and Compounds 381 (2004) 151 157) To evaluate the oxide removal ability, an adhesive film and a solder ball (Sn96.8Ag3.0Cu0.2, 760um) were placed on a Cu foil, After polishing the side, the IMC layer between Cu foil and solder ball was observed by SEM. If there is an IMC layer, it is indicated by O, and if not, it is marked by X.

고형분 기준(%)Based on solids (%) 실시예 1Example 1 실시예 2Example 2 실시예 3Example 3 실시예 4Example 4 실시예 5Example 5 실시예 6Example 6 (A)(A) 2525 2525 2525 2525 2525 2525 (B)(B) (b1)(b1) 17.5917.59 16.8916.89 16.2316.23 15.4915.49 14.8114.81 14.0814.08 (b2)(b2) 17.5917.59 16.8916.89 16.2316.23 15.4915.49 14.8114.81 14.0814.08 (C)(C) 10.310.3 11.6511.65 12.912.9 14.314.3 15.615.6 17.017.0 (D)(D) 0.520.52 0.570.57 0.640.64 0.720.72 0.780.78 0.840.84 (E)(E) 2828 2828 2828 2828 2828 2828 (F)(F) 1One 1One 1One 1One 1One 1One E/H 비E / H ratio 1.511.51 1.281.28 1.111.11 0.970.97 0.850.85 0.760.76 E1/E2E1 / E2 1.11.1 1.51.5 2.92.9 6.26.2 13.513.5 26.326.3 접착력Adhesion 5.25.2 6.46.4 6.86.8 9.29.2 10.410.4 12.712.7 흡습후 접착력Adhesion after moisture absorption 9.39.3 9.29.2 10.510.5 11.011.0 11.511.5 12.912.9 용융점도(60℃)
× 104 PThe melt viscosity (60 DEG C)
× 10 4 P 6.36.3 7.67.6 8.48.4 9.69.6 11.011.0 13.513.5 마운팅 void(60℃)Mounting void (60 ℃) ○○ ○○ ○○ ○○ ○○ ○○ 260℃ 10sec 후 경화잔존율Cured residual rate after 10 seconds at 260 ° C 22 22 1One 00 00 00 발포성 voidEffervescent void ○○ ○○ ○○ ○○ ○○ ○○ 솔더/Cu Bump 접속성Solder / Cu Bump Connectivity ○○ ○○ ○○ ○○ ○○ ○○ 솔더/Cu間 IMC Layer유무Presence of IMC layer between solder and Cu ○○ ○○ ○○ ○○ ○○ ○○

고형분 기준(%)Based on solids (%) 비교예 1Comparative Example 1 비교예 2Comparative Example 2 비교예 3Comparative Example 3 비교예 4Comparative Example 4 (A)(A) 2525 2525 2525 2525 (B)(B) (b1)(b1) 18.2318.23 13.2913.29 16.2016.20 11.011.0 (b2)(b2) 18.2318.23 13.2913.29 16.2016.20 11.011.0 (C)(C) 99 18.518.5 13.5913.59 99 (D)(D) 0.540.54 0.920.92 0.010.01 1515 (E)(E) 2828 2828 2828 2828 (F)(F) 1One 1One 1One 1One E/H 비E / H ratio 1.81.8 0.680.68 0.980.98 0.570.57 E1/E2E1 / E2 0.70.7 37.937.9 0.20.2 -- 접착력Adhesion 2.12.1 14.114.1 3.73.7 15.915.9 흡습후 접착력Adhesion after moisture absorption 8.78.7 5.05.0 1.11.1 15.815.8 용융점도(60℃)
× 104 PThe melt viscosity (60 DEG C)
× 10 4 P 5.75.7 15.915.9 8.38.3 17.117.1 마운팅 void(60℃)Mounting void (60 ℃) ○○ △△ ○○ △△ 260℃ 10sec 후 경화잔존율Cured residual rate after 10 seconds at 260 ° C 2929 00 2222 00 발포성 voidEffervescent void ○○ △△ ○○ △△ 솔더/Cu Bump 접속성Solder / Cu Bump Connectivity ○○ △△ ○○ ×× 솔더/Cu間 IMC Layer유무Presence of IMC layer between solder and Cu ○○ ○○ ○○ ○○

상기 표 1 및 2에 나타난 바와 같이, E/H ratio를 벗어난 비교예 1의 경우 에폭시 수지 대비 산무수물 경화제의 함량이 너무 적게 되어 260℃ 10초의 짧은 본딩 시간 동안 충분한 경화구조를 갖지 못하여 낮은 초기 접착력을 나타내게 된다. 또한 E/H ratio를 벗어난 비교예 2의 경우 에폭시 수지 대비 산무수물 경화제의 함량이 너무 많게 되어 충분한 초기 접착력을 지니게 되지만, 산무수물 경화제의 함량이 조성물 내에 필요 이상으로 많게 되어 흡습에 취약한 산무수물의 약점으로 인해 흡습 후 접착력이 열화되는 단점이 생기게 된다. 또한 과경화에 의한 접속성 취약점이 발견된다. 비교예 3의 경우 적절한 E/H ratio를 갖지만 이미다졸 촉매의 함량이 충분치 않아 반응 속도가 그만큼 느려지게 되고 초기 접착력이 발현되지 않게 된다. 또한 미반응 산무수물 경화제의 흡습에 의한 흡습 후 접착력의 저하가 초래된다. 비교예 4의 경우 적절한 산무수물의 함량 대비 이미다졸 촉매의 함량이 필요 이상으로 많은 경우이며 이때는 이미다졸 촉매에 의한 빠른 초기 반응성으로 인해 초기 접착력 상승의 장점이 생기며 흡습에 의한 접착력의 열화와 같은 단점은 없게 된다. 하지만 경화 반응이 너무 빠르게 진행 되어 추후 bump간 접속에서 충분한 유동성이 확보되지 않아 접속성이 나빠지는 단점이 발생하게 된다. 비교예 5의 경우처럼 E/H ratio 및 열경화 peak의 비율 모두를 만족하는 경우에도 액상 에폭시 수지를 포함하지 않을 경우, 저온 흐름성이 충분하지 않아 마운팅 시 bump간 void가 발생이 되고 이는 발포성 void로도 발전할 수 있는 문제점을 안고 있다. 초기 마운팅 시 bump area에 void가 발생이 되지 않고 gap filling이 충분히 되어야 추후 이어지는 본딩 공정 및 열경화 조건에서도 불량 없는 제품을 제작할 수 있게 된다.
As shown in Tables 1 and 2, in the case of Comparative Example 1 where the E / H ratio was out of the range, the content of the acid anhydride curing agent was too small compared to the epoxy resin, Lt; / RTI &gt; In the case of Comparative Example 2, which was outside the E / H ratio, the content of the acid anhydride curing agent was too high as compared with the epoxy resin, but the initial adhesive strength was sufficient. However, since the content of the acid anhydride curing agent was more than necessary in the composition, There is a disadvantage that the adhesive strength is deteriorated after hygroscopicity due to weakness. In addition, connection vulnerability due to overcurrent is found. In the case of Comparative Example 3, although the E / H ratio is appropriate, the content of the imidazole catalyst is insufficient, so that the reaction rate is slowed down so that the initial adhesive force is not developed. Further, the moisture resistance of the unreacted acid anhydride curing agent causes a decrease in the adhesion force after moisture absorption. In the case of Comparative Example 4, the content of the imidazole catalyst is more than necessary relative to the content of the appropriate acid anhydride. In this case, the early initial reactivity by the imidazole catalyst gives rise to an advantage of the initial adhesion strength, . However, since the curing reaction proceeds too quickly, sufficient fluidity is not ensured at the connection between the bumps, resulting in deteriorating the connectivity. Even when the E / H ratio and the ratio of the thermal hardening peaks are both satisfied as in the case of Comparative Example 5, when the liquid epoxy resin is not included, the low temperature flowability is insufficient, As well as the development of new technologies. In the initial mounting, voids are not generated in the bump area, and gap filling is sufficient to manufacture a product without defects even in the subsequent bonding and thermal curing conditions.

본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야 한다.
It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the present invention as defined by the following claims. As will be understood by those skilled in the art. It is therefore to be understood that the embodiments described above are in all respects illustrative and not restrictive.

Claims (14)

아크릴계 수지; 에폭시계 수지; 플럭스 활성 경화제 및 이미다졸 화합물을 포함하는 반도체용 접착 조성물이며,
상기 반도체용 접착 조성물은 60℃에서 용융점도가 1× 104 ~ 15 × 104 P 이고,
260℃ 에서 10초간 경화시킨 후 하기 식 1에 의한 경화잔존률이 5 % 이하인 것을 특징으로 하는 반도체용 접착 조성물:
[식 1]
Figure 112011102051566-pat00014

(상기에서, Hi는 필름 제작후 초기발열량, Hc는 260℃ 에서 10초간 경화 후 발열량임)

Acrylic resin; Epoxy resin; A flux active curing agent and an imidazole compound,
Adhesive composition for semiconductor is the melt viscosity at 60 ℃ 1 × 10 4 ~ 15 × 10 4 P,
Wherein the cured product has a cured residual ratio of 5% or less according to the following formula 1 after curing at 260 占 폚 for 10 seconds:
[Formula 1]
Figure 112011102051566-pat00014

(Where Hi is an initial heating value after film production and Hc is a heating value after curing at 260 DEG C for 10 seconds)

아크릴계 수지; 에폭시계 수지; 플럭스 활성 경화제 및 이미다졸 화합물을 포함하는 반도체용 접착 조성물이며,
상기 에폭시계 수지와 플럭스 활성 경화제의 당량비(에폭시계 수지 당량/플럭스 활성 경화제의 당량)가 0.7 내지 1.6이고,
상기 반도체용 접착 조성물을 시차주사열량계(DSC)를 이용한 경화발열량 측정시, 200 ℃ 미만에서 첫번째로 검출되는 발열peak의 면적을 E1이라 하고, 200 ℃ 이상에서 검출되는 발열peak의 면적을 E2 라 할 때 두 발열peak의 면적 비(E1/E2)가 1 초과인 것을 특징으로 하는 반도체용 접착 조성물.
Acrylic resin; Epoxy resin; A flux active curing agent and an imidazole compound,
(Equivalence of epoxy resin / equivalent amount of flux activator) of the epoxy resin and the flux active curing agent is 0.7 to 1.6,
In the case of measuring the curing calorific value of the adhesive composition for semiconductor using a differential scanning calorimeter (DSC), the area of the exothermic peak first detected at less than 200 deg. C is defined as E1 and the area of exothermic peak detected at 200 deg. Wherein an area ratio (E1 / E2) of two exothermic peaks is greater than 1.
시차주사열량계(DSC)를 이용한 경화발열량 측정시, 200 ℃ 미만에서 첫번째로 검출되는 발열peak의 면적을 E1이라 하고, 200 ℃ 이상에서 검출되는 발열peak의 면적을 E2 라 할 때 두 발열peak의 면적 비(E1/E2)가 1 초과이고,
60℃에서 용융점도가 1× 104 ~ 15 × 104 P 인 반도체용 접착 조성물.
The area of the exothermic peak first detected at less than 200 ° C is denoted as E1 and the area of the exothermic peak detected at 200 ° C or more is denoted as E2 in the measurement of the curing calorific value using a differential scanning calorimeter (DSC) If the ratio (E1 / E2) is greater than 1,
And a melt viscosity of 1 x 10 &lt; 4 &gt; to 15 x 10 &lt; 4 &gt;
제1항 내지 제2항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 플럭스 활성 경화제는 전체 반도체용 접착 조성물중 5~20 중량%인 반도체용 접착 조성물.
The bonding composition for semiconductor according to any one of claims 1 to 2, wherein the flux active curing agent is 5 to 20 wt% of the whole bonding composition for semiconductor.
제1항 내지 제2항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 이미다졸 화합물은 전체 반도체용 접착 조성물중 0.5~5 중량%인 반도체용 접착 조성물.
The bonding composition for semiconductor according to any one of claims 1 to 2, wherein the imidazole compound is 0.5 to 5% by weight of the total adhesive composition for semiconductors.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반도체용 접착 조성물은 아크릴계 수지 20~50 중량%; 에폭시계 수지 20~50 중량%; 플럭스 활성 경화제 5~20 중량% 및 이미다졸 화합물 0.1~5 중량% 및 충진제 15~40 중량% 을 포함하는 반도체용 접착 조성물.
The bonding composition for semiconductor according to any one of claims 1 to 3, wherein the adhesive composition for semiconductor comprises 20 to 50% by weight of an acrylic resin; 20 to 50% by weight of an epoxy resin; 5 to 20% by weight of a flux active curing agent, 0.1 to 5% by weight of an imidazole compound and 15 to 40% by weight of a filler.
제1항 내지 제2항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 플럭스 활성 경화제는 하기 화학식 1 내지 3 으로 표시되는 플럭스 활성 경화제를 최소한 1종 포함하는 반도체용 접착 조성물:

[화학식 1]
Figure 112011102051566-pat00015

(상기에서 [A]의 산무수물이 포함된 환 구조는 0 ~ 3 의 이중결합을 포함하고, 환 구조를 이루는 탄소 수는 4~8 개이고, [B]는 지환족, 불포화 지환족 또는 방향족이며, 환 구조를 이루는 탄소 수는 4~8개이며, R1은 수소원자, 탄소 수 1~6의 알킬기, 탄소 수 6~12의 아릴기, 탄소 수 6~12의 치환 아릴기, 비닐기, 알릴기로 이루어진 군으로부터 선택되며, n은 0~2의 정수임)
[화학식 2]
Figure 112011102051566-pat00016

(상기에서 [C]의 산무수물이 포함된 환 구조는 0 ~ 3 의 이중결합을 포함하고, 환 구조를 이루는 탄소 수는 4~8 개이고, [D]는 지환족, 불포화 지환족 또는 방향족이며, 환 구조를 이루는 탄소 수는 4~8개이며, R2은 수소원자, 탄소 수 1~6의 알킬기, 탄소 수 6~12의 아릴기, 탄소 수 6~12의 치환 아릴기, 비닐기, 알릴기로 이루어진 군으로부터 선택되며, n은 1~4의 정수임)
[화학식 3]
Figure 112011102051566-pat00017

(상기에서 [E]의 산무수물이 포함된 환 구조는 0 ~ 3 의 이중결합을 포함하고, 환 구조를 이루는 탄소 수는 4~8 개이고, [F]는 지환족, 불포화 지환족 또는 방향족이며, 환 구조를 이루는 탄소 수는 4~8개이며, R3은 수소원자, 탄소 수 1~6의 알킬기, 탄소 수 6~12의 아릴기, 탄소 수 6~12의 치환 아릴기, 비닐기, 알릴기로 이루어진 군으로부터 선택되며, R4는 하기 화학식(ⅰ)~(ⅷ)의 구조로부터 선택될 수 있고, n은 1~4의 정수임)
Figure 112011102051566-pat00018

The adhesive composition for semiconductor according to any one of claims 1 to 2, wherein the flux active curing agent comprises at least one flux active curing agent represented by the following general formulas (1) to (3)

[Chemical Formula 1]
Figure 112011102051566-pat00015

(Wherein the ring structure containing an acid anhydride of [A] contains 0 to 3 double bonds, the number of carbon atoms constituting the ring structure is 4 to 8, [B] is an alicyclic, an unsaturated alicyclic or aromatic , The number of carbon atoms forming the ring structure is 4 to 8, R 1 is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, a substituted aryl group having 6 to 12 carbon atoms, An allyl group, and n is an integer of 0 to 2)
(2)
Figure 112011102051566-pat00016

(Wherein the ring structure containing an acid anhydride of [C] contains a double bond of 0 to 3, the number of carbon atoms forming the ring structure is 4 to 8, [D] is an alicyclic, an unsaturated alicyclic or aromatic , The number of carbon atoms constituting the ring structure is 4 to 8, and R 2 is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, a substituted aryl group having 6 to 12 carbon atoms, An allyl group, and n is an integer of 1 to 4)
(3)
Figure 112011102051566-pat00017

(Wherein the ring structure containing an acid anhydride of [E] contains a double bond of 0 to 3, the number of carbon atoms constituting the ring structure is 4 to 8, [F] is an alicyclic, an unsaturated alicyclic or aromatic , The number of carbon atoms forming the ring structure is 4 to 8, and R 3 is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, a substituted aryl group having 6 to 12 carbon atoms, And R 4 may be selected from the structures represented by the following formulas (i) to (iii), and n is an integer of 1 to 4,
Figure 112011102051566-pat00018

 제1항 내지 제2항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 이미다졸 화합물은 하기 화학식 4로 표시되는 것을 특징으로 하는 반도체용 접착 조성물:
[화학식 4]
Figure 112011102051566-pat00019

(상기에서 R1 및 R2는 각각 독립적으로 탄소수 1~10의 알킬렌기임)
The bonding composition for semiconductor according to any one of claims 1 to 2, wherein the imidazole compound is represented by the following formula (4)
[Chemical Formula 4]
Figure 112011102051566-pat00019

(Wherein R1 and R2 are each independently an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms)
제1항 내지 제2항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 이미다졸 화합물은 융점이 200 ℃ 내지 270℃인 반도체용 접착 조성물.
The bonding composition for semiconductor according to any one of claims 1 to 2, wherein the imidazole compound has a melting point of 200 占 폚 to 270 占 폚.
제1항 내지 제2항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 플럭스 활성 경화제의 함량이 c 이고, 상기 에폭시계 수지의 함량을 b 라고 할 때, b: c = 1.2~5: 1인 것을 특징으로 하는 반도체용 접착 조성물.
The epoxy resin composition according to any one of claims 1 to 2, wherein the content of the flux active curing agent is c and the content of the epoxy resin is b, wherein b: c = 1.2 to 5: 1. Bonding composition for semiconductor.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 조성물은 실란커플링제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체용 접착 조성물.
The bonding composition for semiconductor according to any one of claims 1 to 3, wherein the composition further comprises a silane coupling agent.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항의 접착 조성물로 형성된 반도체용 접착 필름.
An adhesive film for semiconductor formed from the adhesive composition according to any one of claims 1 to 3.
범프된 제1 및 제2 반도체 칩 사이를 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항의 접착 조성물로 형성된 접착필름으로 접착하는 방법.
And bonding the first and second bumped semiconductor chips with an adhesive film formed of the adhesive composition according to any one of claims 1 to 3.
칩 탑재 기판; 및
상기 칩 탑재 기판의 일면에 적층된 제1 및 제2 반도체 칩을 포함하며, 상기 제1 및 제2 반도체 칩은 제12항에 기재된 반도체용 접착필름으로 접착된 반도체 패키지.







Chip mounted substrate; And
And a first semiconductor chip and a second semiconductor chip stacked on one surface of the chip mounting board, wherein the first and second semiconductor chips are bonded to the adhesive film for semiconductor according to claim 12.







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