KR101391720B1 - Apparatus for processing substrate - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로서, 바닥면에 관통공이 형성된 반응 챔버; 상기 반응 챔버의 내부에 설치되어 기판이 안착되는 제1 플레이트와, 상기 제1 플레이트의 하부로부터 상기 관통공을 통해 상기 반응 챔버의 외부로 연장된 제1 플레이트 지지부를 갖는 기판 지지부; 상기 제1 플레이트가 상기 반응 챔버 내부에서 승강 이동하도록 상기 제1 플레이트 지지부를 승강 이동시키는 승강 이동 어셈블리; 및 상기 제1 플레이트가 판면 방향으로의 수평 이동과, 판면 방향과 수직인 축을 중심으로 하는 회전 이동 중 적어도 어느 하나로 이동하도록 상기 제1 플레이트 지지부를 이동시켜 상기 제1 플레이트의 열팽창을 보상하는 플레이트 이동 어셈블리를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 제1 플레이트의 열팽창에 따른 기판 위치의 틀어짐이나 반응 챔버의 내벽면과의 간격의 변화로 인한 박막의 균일성 저하를 방지할 수 있다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, comprising: a reaction chamber having a through hole formed on a bottom surface thereof; A substrate support disposed within the reaction chamber and having a first plate on which the substrate is mounted and a first plate support portion extending from a lower portion of the first plate to the outside of the reaction chamber through the through hole; A lifting and moving assembly for lifting and moving the first plate supporting part such that the first plate is lifted and moved within the reaction chamber; And a plate moving unit for moving the first plate supporting unit such that the first plate moves in at least one of a horizontal movement in the direction of the plate surface and a rotation movement about an axis perpendicular to the plate surface direction to compensate for the thermal expansion of the first plate, Assembly. ≪ / RTI > This makes it possible to prevent the substrate position from changing due to the thermal expansion of the first plate and the deterioration of the uniformity of the thin film due to the change in the distance from the inner wall surface of the reaction chamber.

Description

기판 처리 장치{APPARATUS FOR PROCESSING SUBSTRATE}[0001] APPARATUS FOR PROCESSING SUBSTRATE [0002]

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로서, 제1 플레이트의 열팽창에 따른 기판 위치의 틀어짐이나 반응 챔버의 내벽면과의 간격의 변화로 인한 박막의 균일성 저하를 방지할 수 있는 기판 처리 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus capable of preventing the uniformity of a thin film from deteriorating due to a change in substrate position due to thermal expansion of a first plate, .

도 1은 종래의 기판 처리 장치의 단면을 도시한 도면이다. 종래의 기판 처리 장치는, 도 1에 도시된 바와 같이, 반응 챔버(100)와, 반응 챔버(100)의 상부에 배치되어 중앙에 가스 관통홀(201)이 형성된 가스 박스(200)와, 가스 박스(200)의 하부에 마련되어 가스 박스(200)를 통해 유입되는 반응 가스를 분사하는 샤워 헤드(300)와, 반응 챔버(100)의 하부에 배치되어 기판(W)이 안착되는 기판 지지부(400)와, 배기 수단으로 구성된다. 또한, 반응 챔버(100)의 일측벽 또는 양측벽에는 기판 출입구(110)가 형성되어, 기판 출입구(110)를 통해 반응 챔버(100)에 기판(W)이 반입 및 반출된다.1 is a cross-sectional view of a conventional substrate processing apparatus. 1, a conventional substrate processing apparatus includes a reaction chamber 100, a gas box 200 disposed at an upper portion of the reaction chamber 100 and having a gas through hole 201 formed at the center thereof, A showerhead 300 provided below the box 200 and injecting a reaction gas flowing through the gas box 200 and a substrate support 400 disposed at a lower portion of the reaction chamber 100 and on which the substrate W is mounted And an exhaust means. A substrate entrance 110 is formed on one side wall or both side walls of the reaction chamber 100 so that the substrate W is carried into and out of the reaction chamber 100 through the substrate entrance 110.

이와 같은 종래의 기판 처리 장치에 있어서, 반응 가스는 외부의 가스 공급원(미도시)으로부터 공급되어 가스 박스(200)에 형성된 가스 관통홀(201)을 통해 샤워 헤드(300)의 상부로 유입된 후, 샤워 헤드(300)에 형성된 다수의 가스 분사홀(미도시)을 통해 기판(W)의 상면에 균일하게 분사된다.In this conventional substrate processing apparatus, the reaction gas is supplied from an external gas supply source (not shown) and flows into the upper part of the shower head 300 through the gas through hole 201 formed in the gas box 200 (Not shown) formed on the shower head 300, and is uniformly sprayed onto the upper surface of the substrate W.

기판 지지부(400)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 기판(W)이 실질적으로 안착되는 제1 플레이트(410)와, 제1 플레이트(410)의 하부로부터 반응 챔버(100)의 바닥면에 형성된 관통공(120)을 통해 반응 챔버(100)의 외부로 연장되는 제1 플레이트 지지부(420)로 구성된다. 여기서, 제1 플레이트(410)에는 기판(W)을 가열하는 히터(미도시)가 설치된다.1, the substrate supporting part 400 includes a first plate 410 on which the substrate W is substantially seated, and a second plate 410 on the bottom surface of the reaction chamber 100 from the bottom of the first plate 410. [ And a first plate supporting part 420 extending to the outside of the reaction chamber 100 through the through hole 120 formed therein. Here, a heater (not shown) for heating the substrate W is provided on the first plate 410.

상기 구성에 따라, 기판(W) 상에 박막을 증착하기 위해 제1 플레이트(410)에 설치된 히터에 의해 기판(W)이 가열되고, 플라즈마 상태의 형성을 위한 외부 고전압 에너지원의 공급 등에 의해 반응 챔버(100) 내부는 고온 환경이 형성된다.The substrate W is heated by a heater provided on the first plate 410 in order to deposit a thin film on the substrate W. The substrate W is heated by supplying an external high voltage energy source for forming a plasma state, A high-temperature environment is formed inside the chamber 100.

한편, 제1 플레이트(410)와 반응 챔버(100)의 내벽면은 일정 간격이 이격된 상태로 유지되는데, 제1 플레이트(410)와 반응 챔버(100)의 내벽면 사이의 이격 간격을 통해 반응 챔버(100) 내의 반응 가스가 제1 플레이트(410)의 하부 측으로 배기된다.The first plate 410 and the inner wall surface of the reaction chamber 100 are spaced apart from each other by a predetermined distance. The first plate 410 and the inner wall surface of the reaction chamber 100 are spaced apart from each other. The reaction gas in the chamber 100 is exhausted to the lower side of the first plate 410.

따라서, 제1 플레이트(410)와 반응 챔버(100)의 내벽면 사이의 이격 간격은 반응 챔버(100) 내부에서의 반응 가스의 흐름에 영향을 미쳐 결과적으로 박막의 균일성에 영향을 미치게 되는 바, 일반적으로 제1 플레이트(410)의 전체 가장자리 영역에서 동일한 간격으로 배치되게 한다.Therefore, the spacing between the first plate 410 and the inner wall surface of the reaction chamber 100 affects the flow of the reaction gas in the reaction chamber 100, and consequently affects the uniformity of the thin film, Generally at the same interval in the entire edge region of the first plate 410.

그런데, 제1 플레이트(410)가 상술한 바와 같이 반응 챔버(100) 내에서 고온 환경에 놓이게 되는데, 제1 플레이트(410)가 금속 재질로 제작되는 것이 일반적이어서 고온 환경에서 열팽창이 발생하게 된다.However, the first plate 410 is placed in the high-temperature environment in the reaction chamber 100 as described above. The first plate 410 is generally made of a metal material, and thermal expansion occurs in a high-temperature environment.

특히, 제1 플레이트(410)의 소재로 널리 사용되는 알루미늄의 경우, 열팽창 계수가 23.9이고, 열팽창의 방향성도 균일하지 않아, 제1 플레이트(410)의 열팽창으로 인해 제1 플레이트(410)과 반응 챔버(100)의 내벽면 간의 간격이 변하는 현상이 발생하게 된다. 이와 같은 간격의 변화는 반응 챔버(100) 내부에서 예상치 않은 반응 가스의 흐름을 유발하게 되고, 결과적으로 박막의 균일성을 저하시키는 원인으로 작용하게 된다.Particularly, in the case of aluminum widely used as the material of the first plate 410, the thermal expansion coefficient is 23.9 and the directionality of the thermal expansion is not uniform. Therefore, the thermal expansion of the first plate 410 causes a reaction with the first plate 410 The interval between the inner wall surfaces of the chamber 100 is changed. Such a change in the distance causes an unexpected reaction gas flow in the reaction chamber 100, and as a result, acts as a cause for lowering the uniformity of the thin film.

특히, 근래에 대면적 기판의 제작에 맞춰, 대면적 기판의 처리를 위한 반응 챔버(100)와 제1 플레이트(410)의 사이즈가 증가하고 있어, 상술한 바와 같은 제1 플레이트(410)의 열팽창 정도와 그 불규칙성이 증가하여 박막의 균일성을 저하시킬 가능성 또한 증가하는 문제가 있다. Particularly, in recent years, the size of the reaction chamber 100 and the first plate 410 for processing a large-area substrate has increased in accordance with the fabrication of the large-area substrate, and the thermal expansion of the first plate 410 And the irregularity thereof is increased, and the possibility of decreasing the uniformity of the thin film is also increased.

이에 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 제1 플레이트의 열팽창에 따른 기판 위치의 틀어짐이나 반응 챔버의 내벽면과의 간격의 변화로 인한 박막의 균일성 저하를 방지할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, the present invention has been made keeping in mind the above problems occurring in the prior art, and it is an object of the present invention to provide a plasma processing apparatus capable of preventing a uniformity of a thin film due to a change in substrate position due to thermal expansion of a first plate, An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus.

상기 목적은 본 발명에 따라, 바닥면에 관통공이 형성된 반응 챔버; 상기 반응 챔버의 내부에 설치되어 기판이 안착되는 제1 플레이트와, 상기 제1 플레이트의 하부로부터 상기 관통공을 통해 상기 반응 챔버의 외부로 연장된 제1 플레이트 지지부를 갖는 기판 지지부; 상기 제1 플레이트가 상기 반응 챔버 내부에서 승강 이동하도록 상기 제1 플레이트 지지부를 승강 이동시키는 승강 이동 어셈블리; 및 상기 제1 플레이트가 판면 방향으로의 수평 이동과, 판면 방향과 수직인 축을 중심으로 하는 회전 이동 중 적어도 어느 하나로 이동하도록 상기 제1 플레이트 지지부를 이동시켜 상기 제1 플레이트의 열팽창을 보상하는 플레이트 이동 어셈블리를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치에 의해서 달성된다.According to the present invention, the above object can be accomplished by providing a reaction chamber having a through hole formed on a bottom surface thereof; A substrate support disposed within the reaction chamber and having a first plate on which the substrate is mounted and a first plate support portion extending from a lower portion of the first plate to the outside of the reaction chamber through the through hole; A lifting and moving assembly for lifting and moving the first plate supporting part such that the first plate is lifted and moved within the reaction chamber; And a plate moving unit for moving the first plate supporting unit such that the first plate moves in at least one of a horizontal movement in the direction of the plate surface and a rotation movement about an axis perpendicular to the plate surface direction to compensate for the thermal expansion of the first plate, The substrate processing apparatus comprising:

여기서, 상기 플레이트 이동 어셈블리는 상기 제1 플레이트 지지부 및 상기 승강 이동 어셈블리와 각각 연결되어, 상기 승강 이동 어셈블리와의 상대 이동에 따라 상기 제1 플레이트 지지부를 수평 이동 및 회전 이동시키며; 상기 승강 이동 어셈블리는 상기 제1 플레이트 지지부와 연결된 상기 플레이트 이동 어셈블리를 통해 상기 제1 플레이트 지지부를 승강 이동 시킬 수 있다.Here, the plate moving assembly is connected to the first plate supporting portion and the elevating moving assembly, respectively, and horizontally moves and rotates the first plate supporting portion according to a relative movement with the elevating moving assembly; The lifting and moving assembly may move the first plate supporting part up and down through the plate moving assembly connected to the first plate supporting part.

또한, 상기 플레이트 이동 어셈블리는 상기 반응 챔버의 외부에서 상기 제1 플레이트 지지부와 결합되는 제4 플레이트; 및 상기 제4 플레이트와 상기 승강 이동 어셈블리를 상호 연결하며, 상기 제1 플레이트 지지부가 수평 이동 및 회전 이동하도록 상기 제4 플레이트를 상기 승강 이동 어셈블리에 대해 상대 이동시키는 플레이트 구동부를 포함할 수 있다.The plate moving assembly may further include a fourth plate coupled to the first plate support portion outside the reaction chamber; And a plate driving unit that interconnects the fourth plate and the elevating moving assembly, and moves the fourth plate relative to the elevating moving assembly such that the first plate supporting unit horizontally moves and rotates.

그리고, 상기 플레이트 구동부는 상기 제1 플레이트가 수평 이동 중 제1 방향으로 이동하도록 상기 제4 플레이트를 상기 제1 방향으로 수평 이동시키는 제1 수평 구동 유닛; 및 상기 제1 플레이트가 수평 이동 중 상기 제1 방향과 수직인 제2 방향으로 수평 이동하도록 상기 제4 플레이트를 상기 제2 방향으로 수평 이동시키는 제2 수평 구동 유닛을 포함할 수 있다.The plate driving unit may include: a first horizontal driving unit that horizontally moves the fourth plate in the first direction so that the first plate moves in a first direction during horizontal movement; And a second horizontal driving unit for horizontally moving the fourth plate in the second direction such that the first plate horizontally moves in a second direction perpendicular to the first direction during the horizontal movement.

그리고, 상기 제1 수평 구동 유닛은 상기 제4 플레이트의 하나의 대각선 방향으로 상호 마주하게 상기 제4 플레이트에 연결되고; 상기 제2 수평 구동 유닛은 상기 제4 플레이트의 나머지 하나의 대각선 방향으로 상호 마주하게 상기 제4 플레이트에 연결될 수 있다.The first horizontal driving unit is connected to the fourth plate so as to face one diagonal direction of the fourth plate; The second horizontal driving unit may be connected to the fourth plate so as to face each other in a diagonal direction of the other one of the fourth plates.

여기서, 상기 플레이트 구동부는 상기 제1 수평 구동 유닛과 상기 제2 수평 구동 유닛의 구동의 조합에 따라 상기 제1 플레이트를 회전 이동시킬 수 있다.Here, the plate driving unit may rotate the first plate according to a combination of the driving of the first horizontal driving unit and the driving of the second horizontal driving unit.

그리고, 상기 제1 수평 구동 유닛은 상기 제4 플레이트와 상기 승강 이동 어셈블리 중 어느 일측에 설치되는 제1 볼 스크루; 상기 제1 볼 스크루의 회전에 따라 상기 제1 방향으로 수평 이동하는 제1 너트 블록; 및 상기 제4 플레이트와 상기 승강 이동 어셈블리 중 타측과 상기 제1 너트 블록을 연결하여 상기 제1 너트 블록의 수평 이동을 상기 제4 플레이트와 상기 승강 이동 어셈블리 중 타측에 전달하는 제1 전달 유닛을 포함하고, 상기 제2 수평 구동 유닛은 상기 제4 플레이트와 상기 승강 이동 어셈블리 중 어느 일측에 설치되는 제2 볼 스크루; 상기 제2 볼 스크루의 회전에 따라 상기 제2 방향으로 수평 이동하는 제2 너트 블록; 및 상기 제4 플레이트와 상기 승강 이동 어셈블리 중 타측과 상기 제2 너트 블록을 연결하여 상기 제2 너트 블록의 수평 이동을 상기 제4 플레이트와 상기 승강 이동 어셈블리 중 타측에 전달하는 제2 전달 유닛을 포함할 수 있다.The first horizontal driving unit may include a first ball screw installed at one side of the fourth plate and the elevating moving assembly; A first nut block moving horizontally in the first direction according to the rotation of the first ball screw; And a first transmitting unit that connects the other of the fourth plate and the lift moving assembly to the first nut block to transmit the horizontal movement of the first nut block to the other of the fourth plate and the lift moving assembly And the second horizontal driving unit includes a second ball screw installed at one side of the fourth plate and the elevating moving assembly; A second nut block horizontally moving in the second direction in accordance with rotation of the second ball screw; And a second transmitting unit for connecting the fourth plate and the other of the elevating and moving assemblies to the other of the fourth plate and the elevating and moving assembly by connecting the second nut block with the horizontal movement of the second nut block can do.

여기서, 상기 제1 전달 유닛은 상기 제1 너트 블록의 표면에 상기 제2 방향을 따라 설치되는 제1 가이드 부; 및 일측은 상기 제2 방향을 따라 슬라이딩 이동 가능하게 상기 제1 가이드 부와 결합되고, 타측은 상기 제4 플레이트와 상기 승강 이동 어셈블리 중 타측과 결합되는 제1 슬라이딩 유닛을 포함하고, 상기 제2 전달 유닛은 상기 제2 너트 블록의 표면에 상기 제1 방향을 따라 설치되는 제2 가이드 부; 및 일측은 상기 제1 방향을 따라 슬라이딩 이동 가능하게 상기 제2 가이드 부와 결합되고, 타측은 상기 제4 플레이트와 상기 승강 이동 어셈블리 중 타측과 결합되는 제2 슬라이딩 유닛을 포함할 수 있다.Here, the first transmitting unit may include a first guide part installed on the surface of the first nut block along the second direction; And a first sliding unit coupled to the other of the fourth plate and the elevating and moving assembly, and the second sliding unit coupled to the other of the fourth plate and the elevating and moving assembly, The unit includes a second guide part installed on the surface of the second nut block along the first direction; And a second sliding unit coupled to the other of the fourth plate and the elevating movement assembly, and the second sliding unit coupled to the second guide unit such that one side thereof is slidable along the first direction.

그리고, 상기 승강 이동 어셈블리는 상기 반응 챔버의 외측 하부에 이격된 상태로 고정되는 제2 플레이트; 상기 제2 플레이트와 이격된 상태로 승강 이동 가능하게 설치되고, 상기 플레이트 구동부를 통해 상기 제4 플레이트와 연결되어 상기 플레이트 구동부의 구동에 따라 상기 제4 플레이트와 상대 이동하는 제3 플레이트; 및 상기 제2 플레이트에 설치되어, 상기 제3 플레이트, 상기 플레이트 구동부 및 상기 제4 플레이트를 통해 상기 기판 지지부가 승강 이동하도록 상기 제3 플레이트를 승강 이동시키는 승강 구동부를 포함할 수 있다.The elevating and moving assembly includes a second plate spaced apart from an outer lower portion of the reaction chamber. A third plate connected to the fourth plate via the plate driving unit and movable relative to the fourth plate according to the driving of the plate driving unit, And a lift driving unit installed on the second plate and moving the third plate to move up and down through the third plate, the plate driving unit, and the fourth plate so that the substrate supporting unit moves up and down.

그리고, 상기 반응 챔버의 하부 바닥면에는 상기 관통공의 반경 방향 외측에 관통 형성된 복수의 핀 관통공이 형성되며, 상기 각 핀 관통공을 통과하여 상기 제1 플레이트의 하부면을 지지하는 복수의 제5 플레이트 지지부; 상기 각 핀 관통공을 통해 상기 반응 챔버의 외측 하부로 연장되는 상기 복수의 제5 플레이트 지지부를 지지하는 제5 플레이트; 상기 핀 플레이트가 상기 제3 플레이트와 이격된 상태로 상기 제3 플레이트에 대해 승강 이동하도록 상기 제5 플레이트를 승강 이동시키는 제5 플레이트 구동부를 더 포함할 수 있다. A plurality of fifth through holes are formed in a lower bottom surface of the reaction chamber so as to penetrate radially outwardly of the through holes. A plurality of fifth through holes passing through the respective through holes and supporting the lower surface of the first plate, A plate support; A fifth plate supporting the plurality of fifth plate supporting portions extending to the outer lower portion of the reaction chamber through the respective pin through holes; And a fifth plate driving part for moving the fifth plate to move up and down with respect to the third plate in a state where the pin plate is separated from the third plate.

한편, 상기 목적은 본 발명의 다른 실시 형태에 따라, 기판이 안착되는 제1 플레이트가 수용된 반응 챔버를 이용한 기판 처리 방법에 있어서, 상기 제1 플레이트가 기 설정된 가열 온도까지 가열되는 단계; 상기 제1 플레이트가 상기 가열 온도까지 가열된 후, 상기 제1 플레이트를 판면 방향으로의 수평 이동과, 판면 방향과 수직인 축을 중심으로 하는 회전 이동 중 적어도 어느 하나로 이동시키는 단계; 상기 제1 플레이트 상에 기판이 안착되는 단계; 및 상기 제1 플레이트 상에 안착된 기판에 기 설정된 처리 공정이 진행되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 기판 처리 방법에 의해서도 달성될 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a substrate processing method using a reaction chamber in which a first plate on which a substrate is mounted is accommodated, the method comprising: heating the first plate to a predetermined heating temperature; Moving the first plate to at least one of a horizontal movement in the direction of the plate surface and a rotation movement about an axis perpendicular to the plate surface direction after the first plate is heated to the heating temperature; Placing the substrate on the first plate; And a step of performing a predetermined process on the substrate placed on the first plate.

여기서, 상기 제1 플레이트의 중심으로부터 반경 방향 외측의 상기 제1 플레이트의 하부면을 지지하기 위한 복수의 제5 플레이트 지지부가 준비되는 단계; 및 상기 제1 플레이트를 상기 수평 이동과 상기 회전 이동 중 적어도 어느 하나로 이동시키기 전에 상기 복수의 제5 플레이트 지지부가 상기 제1 플레이트의 하부면으로부터 이격되는 단계를 더 포함할 수 있다.Preparing a plurality of fifth plate support portions for supporting a lower surface of the first plate radially outward from the center of the first plate; And a step in which the plurality of fifth plate supporting portions are spaced apart from the lower surface of the first plate before the first plate is moved to at least one of the horizontal movement and the rotational movement.

또한, 상기 제1 플레이트가 상기 가열 온도까지 가열되는 단계는 상기 제1 플레이트가 상기 복수의 제5 플레이트 지지부에 의해 지지된 상태로 가열되는 제1 가열 단계; 및 상기 복수의 제5 플레이트 지지부가 상기 제1 플레이트로부터 이격된 상태로 가열되는 제2 가열 단계를 포함할 수 있다.In addition, the step of heating the first plate to the heating temperature includes a first heating step in which the first plate is heated while being supported by the plurality of fifth plate supports; And a second heating step in which the plurality of fifth plate supporting portions are heated while being spaced apart from the first plate.

여기서, 상기 제1 플레이트가 상기 가열 온도까지 가열되는 단계에서는 상기 제1 가열 단계 및 상기 제2 가열 단계가 상기 가열 온도까지 가열되는 동안 교대로 반복 수행될 수 있다.Here, in the step of heating the first plate to the heating temperature, the first heating step and the second heating step may be alternately repeated while heating to the heating temperature.

그리고, 상기 제1 플레이트 상에 기판이 안착되는 단계 및 상기 제1 플레이트 상에 안착된 기판에 기 설정된 처리 공정이 진행되는 단계는 상기 복수의 제5 플레이트가 상기 제1 플레이트로부터 이격된 상태로 수행될 수 있다.The step of mounting the substrate on the first plate and the step of performing predetermined processing on the substrate placed on the first plate may be performed while the plurality of fifth plates are spaced apart from the first plate .

상기 구성에 의해 본 발명에 따르면, 제1 플레이트의 열팽창에 따른 기판 위치의 틀어짐이나 반응 챔버의 내벽면과의 간격의 변화로 인한 박막의 균일성 저하를 방지할 수 있는 기판 처리 장치가 제공된다.According to the present invention, there is provided a substrate processing apparatus capable of preventing the uniformity of a thin film from deteriorating due to a change in substrate position due to thermal expansion of the first plate or a change in the distance from the inner wall surface of the reaction chamber.

도 1은 종래의 기판 처리 장치의 단면을 도시한 도면이고,
도 2는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 단면을 도시한 도면이고,
도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 장치에서 제1 플레이트와 반응 챔버 내벽면 간의 이격 상태를 설명하기 위한 도면이고,
도 4 내지 도 8는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 승강 이동 어셈블리 및 플레이트 이동 어셈블리의 구성을 설명하기 위한 도면이고,
도 9는 본 발명에 따른 기판 처리 방법을 설명하기 위한 도면이다.1 is a cross-sectional view of a conventional substrate processing apparatus,
2 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to the present invention,
3 is a view for explaining a state of separation between the first plate and the wall surface in the reaction chamber in the substrate processing apparatus according to the present invention,
4 to 8 are views for explaining a configuration of a lifting and moving assembly and a plate moving assembly of a substrate processing apparatus according to the present invention,
9 is a view for explaining a substrate processing method according to the present invention.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대해 상세히 설명한다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따른 기판 처리 장치는, 도 2에 도시된 바와 같이, 반응 챔버(10), 기판 지지부(40), 승강 이동 어셈블리(51 내지 55, 이하 동일) 및 플레이트 이동 어셈블리(60)를 포함한다. 또한, 기판 처리 장치는 샤워 헤드(30) 및 가스 박스(20)를 포함할 수 있다.The substrate processing apparatus according to the present invention includes a reaction chamber 10, a substrate support 40, a lifting and moving assembly 51 to 55 (hereinafter the same), and a plate moving assembly 60 as shown in Fig. 2 . Further, the substrate processing apparatus may include a shower head 30 and a gas box 20.

반응 챔버(10)는 기판 처리 장치 내에 인입되는 기판(W)에 박막을 형성하기 위한 반응 공간을 제공한다. 여기서, 반응 챔버(10)의 하부 바닥면에는 상하로 관통된 관통공(12)이 형성된다. 그리고, 반응 챔버(10)의 일측벽 또는 양측벽에는 기판(W) 출입구(11)가 형성되어, 기판(W) 출입구(11)를 통해 반응 챔버(10)에 기판(W)이 반입 및 반출된다.The reaction chamber 10 provides a reaction space for forming a thin film on the substrate W to be introduced into the substrate processing apparatus. Here, a through hole 12 is formed in the bottom surface of the reaction chamber 10 so as to pass through the upper and lower sides. A substrate W entrance 11 is formed in one side wall or both side walls of the reaction chamber 10 so that the substrate W is carried into and out of the reaction chamber 10 through the substrate W entrance / do.

샤워 헤드(30) 및 가스 박스(20)는 반응 챔버(10)의 상부에 배치되는데, 가스 박스(20)의 중앙 영역에는 가스 관통홀(21)이 형성되고, 반응 가스의 하부에 가스 박스(20)를 통해 유입되는 반응 가스를 분사하기 위한 샤워 헤드(30)가 설치된다.The showerhead 30 and the gas box 20 are disposed on the upper part of the reaction chamber 10. The gas box 20 has a gas through hole 21 formed in a central region thereof, A showerhead 30 for spraying a reaction gas flowing through the showerhead 30 is installed.

반응 챔버(10)를 비롯하여, 샤워 헤드(30) 및 가스 박스(20)의 구성과 관련된 도 2의 구성은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 일 예로, 기판(W)에 박막을 형성하기 위한 다양한 형태로 마련될 수 있음은 물론이다.2 related to the configuration of the showerhead 30 and the gas box 20 as well as the reaction chamber 10 is an example of the substrate processing apparatus according to the present invention and includes a variety of apparatuses for forming a thin film on the substrate W The present invention is not limited thereto.

한편, 기판 지지부(40)는 제1 플레이트(41)와, 제1 플레이트 지지부(42)를 포함한다. 제1 플레이트(41)는 반응 챔버(10)의 내부에 배치된 상태로 처리 대상물인 기판(W)이 상부에 안착된다. 여기서, 제1 플레이트(41)에는 반응 챔버(10) 내부에서의 공정 과정 중 기판(W)을 가열하기 위한 히터(미도시)가 설치된다.On the other hand, the substrate support 40 includes a first plate 41 and a first plate support 42. The first plate (41) is placed inside the reaction chamber (10) and the substrate (W) to be treated is seated on the top. Here, a heater (not shown) for heating the substrate W during the process in the reaction chamber 10 is installed in the first plate 41.

제1 플레이트 지지부(42)는 제1 플레이트(41)의 하부로부터 관통공(12)을 통해 반응 챔버(10)의 외부로 연장된 상태로 제1 플레이트(41)를 지지한다. 본 발명에 따른 기판 지지부(40)는 원통 형상을 가지며, 그 내부를 통해 히터의 발열을 위한 전원을 공급하는 전원 공급 라인(미도시)과, 기판(W)의 냉각을 위한 냉각 가스를 공급하는 가스 공급 라인(미도시)이 설치될 수 있다.The first plate supporting part 42 supports the first plate 41 from the lower part of the first plate 41 to the outside of the reaction chamber 10 through the through hole 12. The substrate support 40 according to the present invention has a cylindrical shape and includes a power supply line (not shown) for supplying a power for heating the heater through the inside thereof, A gas supply line (not shown) may be installed.

승강 이동 어셈블리는 제1 플레이트(41)가 반응 챔버(10) 내부에서 승강 이동하도록 제1 플레이트(41)를 승강 이동시킨다. 예컨대, 승강 이동 어셈블리는 기판(W)의 인입시 제1 플레이트(41)가 반응 챔버(10) 내부의 인입 위치로 하강하도록 제1 플레이트(41)를 하강시키고. 제1 플레이트(41)에 안착된 기판(W)에 박막을 형성하기 위한 공정 위치로 제1 플레이트(41)를 상승시킨다. 여기서, 본 발명에 따른 승강 이동 어셈블리의 구성의 예에 대한 상세한 설명은 후술한다.The lifting and moving assembly lifts and moves the first plate (41) so that the first plate (41) moves up and down within the reaction chamber (10). For example, the lift assembly moves the first plate 41 down so that the first plate 41 is lowered to the retracted position inside the reaction chamber 10 when the substrate W is retracted. The first plate 41 is raised to a processing position for forming a thin film on the substrate W placed on the first plate 41. Here, a detailed description of an example of the configuration of the lifting and moving assembly according to the present invention will be given later.

플레이트 이동 어셈블리(60)는 제1 플레이트(41)가 판면 방향으로의 수평 이동과, 판면 방향과 수직인 축을 중심으로 하는 회전 이동 중 적어도 어느 하나로 이동하도록 제1 플레이트 지지부(42)를 이동시킨다.The plate moving assembly 60 moves the first plate supporting portion 42 so that the first plate 41 moves in at least one of horizontal movement in the direction of the plate surface and rotational movement about an axis perpendicular to the plate surface direction.

도 3을 참조하여 설명하면, 반응 챔버(10)의 내벽면과 제1 플레이트(41)는 일정 간격 이격된 상태로 배치되며, 공정 가스는 반응 챔버(10)의 내벽면과 제1 플레이트(41) 사이의 이격 공간을 통해 제1 플레이트(41)의 하부, 즉 반응 챔버(10)의 하부로 흐르게 된다.3, the inner wall surface of the reaction chamber 10 and the first plate 41 are spaced apart from each other by a predetermined distance, and the process gas is supplied to the inner wall surface of the reaction chamber 10 and the inner wall surface of the first plate 41 Through the spacing space between the first plate 41 and the reaction chamber 10, that is, the lower portion of the reaction chamber 10.

여기서, 반응 챔버(10) 내에서의 공정 과정, 예를 들어 제1 플레이트(41) 내의 히터의 가열을 포함하는 플라즈마의 형성 과정에서 형성되는 고온 환경에 의해 제1 플레이트(41)가 가열됨에 따라 발생하는 제1 플레이트(41)의 열팽창에 의해, 제1 플레이트(41)와 반응 챔버(10)의 내벽면과의 이격 거리가 변하는 경우, 플레이트 이동 어셈블리(60)를 통해 제1 플레이트(41)를 수평 방향, 즉 도 3의 x 방향 및 y 방향으로 이동시키거나, 판면 방향과 수직인 축(z)을 중심으로 θ 방향으로 회전시킴으로써, 제1 플레이트(41)의 열팽창에 의해 틀어진 제1 플레이트(41)와 반응 챔버(10)의 내벽면과의 이격 거리를 조절할 수 있게 된다.Here, as the first plate 41 is heated by the high-temperature environment formed in the process of forming the plasma including the heating process of the heater in the first plate 41, for example, in the process of the reaction chamber 10 When the distance between the first plate 41 and the inner wall surface of the reaction chamber 10 changes due to the thermal expansion of the first plate 41 that is generated, the first plate 41 is moved through the plate moving assembly 60, The first plate 41 is rotated in the horizontal direction, that is, in the x direction and the y direction in FIG. 3, or rotated in the? Direction about the axis z perpendicular to the plate surface direction, The distance between the inner wall surface of the reaction chamber 10 and the inner wall surface of the reaction chamber 10 can be adjusted.

이에 따라, 제1 플레이트(41)의 열팽창에 따라 발생하는 제1 플레이트(41)와 반응 챔버(10) 내벽면 간의 간격 변화, 즉 제1 플레이트(41)의 위치 변화를 플레이트 이동 어셈블리(60)의 구동을 통해 조절함으로써, 제1 플레이트(41)의 열팽창에 따란 박막의 균일성 저하를 해소할 수 있게 된다.The plate movement assembly 60 can change the distance between the first plate 41 and the inner wall surface of the reaction chamber 10 caused by the thermal expansion of the first plate 41, The lowering of the uniformity of the thin film due to the thermal expansion of the first plate 41 can be eliminated.

이하에서는, 도 2, 도 4 내지 도 6을 참조하여 본 발명에 따른 플레이트 이동 어셈블리(60)의 구성의 예에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, an example of the configuration of the plate moving assembly 60 according to the present invention will be described in detail with reference to FIG. 2, FIG. 4 to FIG.

본 발명에 따른 플레이트 이동 어셈블리(60)는 제1 플레이트 지지부(42) 및 승강 이동 어셈블리와 각각 연결된다. 그리고, 플레이트 이동 어셈블리(60)는 승강 이동 어셈블리와의 상대 이동에 따라 제1 플레이트 지지부(42)를 수평 이동 및 회전 이동시킨다.The plate moving assembly 60 according to the present invention is connected to the first plate supporting portion 42 and the lift moving assembly, respectively. The plate moving assembly 60 horizontally moves and rotates the first plate supporting portion 42 in accordance with the relative movement with the lifting and moving assembly.

여기서, 승강 이동 어셈블리는 제1 플레이트 지지부(42)와 연결된 플레이트 이동 어셈블리(60)를 통해 제1 플레이트 지지부(42)를 승강 이동시켜, 결과적으로 제1 플레이트(41)가 반응 챔버(10) 내부에서 승강 이동하게 한다. 즉, 제1 플레이트 지지부(42)의 수평 이동 및 회전 이동은 제1 플레이트 지지부(42)와 연결된 플레이트 이동 어셈블리(60)가 승강 이동 어셈블리에 대해 수평 이동 및 회전 이동하는 것에 의해 이루어지고, 제1 플레이트 지지부(42)의 승강 이동은 승강 이동 어셈블리가 플레이트 이동 어셈블리(60)를 승강 이동시키는 것에 의해 이루어진다.The lifting and moving assembly lifts and moves the first plate supporting part 42 through the plate moving assembly 60 connected to the first plate supporting part 42 so that the first plate 41 is moved in the reaction chamber 10 . That is, the horizontal movement and the rotational movement of the first plate support portion 42 are performed by horizontally moving and rotationally moving the plate movement assembly 60 connected to the first plate support portion 42 relative to the lift movement assembly, The lifting and moving of the plate supporting portion 42 is performed by moving the lifting and moving assembly up and down the plate moving assembly 60.

상기와 같은 동작을 위해, 본 발명에 따른 플레이트 이동 어셈블리(60)는, 도 2, 도 4 내지 도 6에 도시된 바와 같이, 제4 플레이트(61)와 플레이트 구동부(62a,62b)를 포함하는 것을 예로 한다.2 and 4 to 6, the plate moving assembly 60 according to the present invention includes the fourth plate 61 and the plate driving parts 62a and 62b, For example.

제4 플레이트(61)는 반응 챔버(10)의 외부에서 제1 플레이트 지지부(42)의 하부 영역과 결합되며, 제4 플레이트(61)가 승강 이동, 수평 이동 및 회전 이동함에 따라 제1 플레이트 지지부(42)가 승강 이동, 수평 이동 및 회전 이동하게 된다.The fourth plate 61 is engaged with the lower region of the first plate support portion 42 outside the reaction chamber 10 and the first plate support portion 42 is engaged with the first plate support portion 42 as the fourth plate 61 is lifted, (42) moves up and down, horizontally, and rotationally.

플레이트 구동부(62a,62b)는 제4 플레이트(61)와 승강 이동 어셈블리를 상호 연결한다. 본 발명에서는 플레이트 구동부(62a,62b)가 제4 플레이트(61)와 승강 이동 어셈블리의 후술할 제3 플레이트(52)와 연결된다. 여기서, 플레이트 구동부(62a,62b)는 제1 플레이트 지지부(42)가 수평 이동 및 회전 이동하도록 제4 플레이트(61)를 승강 이동 어셈블리에 대해 상대 이동시킨다.The plate driving portions 62a and 62b interconnect the fourth plate 61 and the lift moving assembly. In the present invention, the plate driving parts 62a and 62b are connected to the fourth plate 61 and the third plate 52, which will be described later, of the elevating and moving assembly. Here, the plate driving parts 62a and 62b move the fourth plate 61 relative to the elevating moving assembly such that the first plate supporting part 42 horizontally moves and rotates.

보다 구체적으로 설명하면, 승강 이동 어셈블리의 제3 플레이트(52)가 고정된 상태에서, 플레이트 구동부(62a,62b)가 제4 플레이트(61)를 승강 이동 어셈블리의 제3 플레이트(52)에 대해 상대 이동시킴에 따라 제1 플레이트 지지부(42)가 수평 이동 및 회전 이동 가능하게 된다. 그리고, 제1 플레이트 지지부(42)의 승강 이동은 승강 이동 어셈블리의 제3 플레이트(52)가 승강 이동함에 따라, 제3 플레이트(52)와 연결되는 플레이트 구동부(62a,62b) 및 제4 플레이트(61)가 승강 이동함에 따라 제4 플레이트(61)에 연결된 제1 플레이트 지지부(42)가 승강 이동 가능하게 한다.More specifically, in a state where the third plate 52 of the lifting and moving assembly is fixed, the plate driving parts 62a and 62b move the fourth plate 61 relative to the third plate 52 of the lifting and moving assembly The first plate supporting portion 42 is horizontally movable and rotatably movable. As the third plate 52 of the lifting and lowering assembly moves up and down, the plate driving parts 62a and 62b connected to the third plate 52 and the fourth plate supporting part 42, The first plate supporting portion 42 connected to the fourth plate 61 is allowed to move up and down.

본 발명에서는 플레이트 구동부(62a,62b)가, 도 6에 도시된 바와 같이, 제1 수평 구동 유닛(62a)과 제2 수평 구동 유닛(62b)을 포함하는 것을 예로 하며, 제1 수평 구동 유닛(62a) 및 제2 수평 구동 유닛(62b)이 각각 한 쌍씩 설치되는 것을 예로 한다. 또한, 제1 수평 구동 유닛(62a)은 제4 플레이트(61)의 하나의 대각선 방향으로 상호 마주하게 제4 플레이트(61)에 연결되고, 제2 수평 구동 유닛(62b)은 나머지 하나의 대각선 방향으로 상호 마주하게 제4 플레이트(61)에 연결되는 것을 예로 한다.6, the plate driving units 62a and 62b include a first horizontal driving unit 62a and a second horizontal driving unit 62b. The first horizontal driving unit 62a and the second horizontal driving unit 62b 62a and the second horizontal drive unit 62b are respectively provided in pairs. The first horizontal drive unit 62a is connected to the fourth plate 61 so as to face one diagonal direction of the fourth plate 61 and the second horizontal drive unit 62b is connected to the other one diagonal direction To the fourth plate (61) facing each other.

여기서, 제1 수평 구동 유닛(62a)은 제1 플레이트(41)가 수평 이동 중 제1 방향, 예를 들어 도 3의 x 방향으로 이동하도록 제4 플레이트(61)를 제1 방향으로 수평 이동 시킨다. 그리고, 제2 수평 구동 유닛(62b)은 제1 플레이트(41)가 수평 방향 중 제2 방향, 예를 들어 도 3의 y 방향으로 이동하도록 제4 플레이트(61)를 제2 방향으로 수평 이동시킨다.Here, the first horizontal drive unit 62a horizontally moves the fourth plate 61 in the first direction so that the first plate 41 moves in the first direction, for example, the x direction in Fig. 3, during the horizontal movement . The second horizontal drive unit 62b horizontally moves the fourth plate 61 in the second direction so that the first plate 41 moves in the second direction of the horizontal direction, for example, the y direction of FIG. 3 .

여기서, 본 발명에서는 플레이트 구동부(62a,62b)가 제1 수평 구동 유닛(62a)과 제2 수평 구동 유닛(62b)의 구동의 조합에 따라 제1 플레이트(41)를 회전 이동시키는 것을 예로 한다. 도 6 및 도 7을 참조하여 보다 구체적으로 설명하면, 본 발명에 따른 제1 수평 구동 유닛(62a)은 제1 볼 스크루(161), 제1 너트 블록(162) 및 제1 전달 유닛(163a,163b)을 포함할 수 있다. 마찬가지로, 제2 수평 구동 유닛(62b)은 제2 볼 스크루, 제2 너트 블록 및 제2 전달 유닛을 포함할 수 있다. 여기서, 제1 수평 구동 유닛(62a)의 구성과 제2 수평 구동 유닛(62b)의 구성은 상호 대응하는 바, 도 7에 도시된 제1 수평 구동 유닛(62a)의 구조를 예로 하여 설명하며, 제2 수평 구동 유닛(62b)의 구성에 대한 참조번호는 생략한다.In the present invention, the plate driving units 62a and 62b rotate the first plate 41 in accordance with the combination of the driving of the first horizontal driving unit 62a and the driving of the second horizontal driving unit 62b. 6 and 7, the first horizontal drive unit 62a according to the present invention includes a first ball screw 161, a first nut block 162 and a first transmission unit 163a, 163b. Similarly, the second horizontal drive unit 62b may include a second ball screw, a second nut block, and a second transmission unit. Here, the structure of the first horizontal drive unit 62a and the structure of the second horizontal drive unit 62b correspond to each other, and the structure of the first horizontal drive unit 62a shown in FIG. 7 will be described as an example. Reference numerals for the configuration of the second horizontal drive unit 62b are omitted.

제1 볼 스크루(161)는 제4 플레이트(61)와 승강 이동 어셈블리 중 어느 일측에 설치된다. 본 발명에서는 제1 볼 스크루(161)가 승강 이동 어셈블리의 제3 플레이트(52)에 설치되는 것을 예로 한다. 여기서, 제1 볼 스크루(161)는 제1 너트 블록(162)이 제1 방향으로 이동 가능하도록 제1 방향을 따라 연장되어 설치된다.The first ball screw 161 is installed at either side of the fourth plate 61 and the lift moving assembly. In the present invention, the first ball screw 161 is installed on the third plate 52 of the lifting and moving assembly. Here, the first ball screw 161 is installed to extend along the first direction so that the first nut block 162 can move in the first direction.

제1 너트 블록(162)은 내부에 제1 볼 스크루(161)에 형성된 나사산을 따라 슬라이딩 이동 가능한 나사산이 형성되며, 제1 볼 스크루(161)의 회전에 따라 제1 방향으로 제1 볼 스크루(161)를 따라 수평 이동한다.The first nut block 162 is formed with threads which can be slidably moved along the threads formed in the first ball screw 161. The first ball screw 161 is rotated in the first direction by the first ball screw 161 161).

그리고, 제1 전달 유닛(163a,163b)은 제4 플레이트(61)와 승강 이동 어셈블리의 타측(예를 들어, 제1 볼 스크루(161)가 상술한 바와 같이 승강 이동 어셈블리의 제3 플레이트(52)에 설치될 경우 제4 플레이트(61), 이하, '제4 플레이트(61)'에 설치되는 것을 예로 함)과 제1 너트 블록(162)을 연결한다. 그리고, 제1 전달 유닛(163a,163b)은 제1 너트 블록(162)의 수평 이동을 제4 플레이트(61)에 전달한다.The first transmitting units 163a and 163b are disposed on the opposite sides of the fourth plate 61 and the other side of the elevating and moving assembly (for example, the first ball screw 161 is connected to the third plate 52 And the first nut block 162 is connected to the fourth plate 61 (hereinafter referred to as 'the fourth plate 61' as an example). The first transmitting units 163a and 163b transmit the horizontal movement of the first nut block 162 to the fourth plate 61. [

이에 따라, 제1 볼 스크루(161)가 제1 모터의 회전에 따라 회전하게 되면, 제1 너트 블록(162)이 제1 볼 스크루(161)를 따라 제1 방향으로 수평 이동하게 되고, 제1 너트 블록(162)과 연결된 제1 전달 유닛(163a,163b)이 제4 플레이트(61)를 제1 방향으로 수평 이동시켜, 결과적으로 제1 플레이트(41)가 반응 챔버(10) 내부에서 제1 방향으로 수평 이동하게 된다.Accordingly, when the first ball screw 161 rotates in accordance with the rotation of the first motor, the first nut block 162 horizontally moves in the first direction along the first ball screw 161, The first transfer units 163a and 163b connected to the nut block 162 horizontally move the fourth plate 61 in the first direction so that the first plate 41 is moved in the first direction in the reaction chamber 10 Direction.

마찬가지로, 제2 볼 스크루는 제4 플레이트(61)와 승강 이동 어셈블리 중 어느 일측에 설치된다. 본 발명에서는 제2 볼 스크루가 승강 이동 어셈블리의 제3 플레이트(52)에 설치되는 것을 예로 한다. 여기서, 제2 볼 스크루는 제2 너트 블록이 제2 방향으로 이동 가능하도록 제2 방향을 따라 연장되어 설치된다.Similarly, the second ball screw is installed at either side of the fourth plate 61 and the lift moving assembly. In the present invention, it is assumed that the second ball screw is installed on the third plate 52 of the lifting and moving assembly. Here, the second ball screw extends along the second direction so that the second nut block can move in the second direction.

제2 너트 블록은 내부에 제2 볼 스크루에 형성된 나사산을 따라 슬라이딩 이동 가능한 나사산이 형성되며, 제2 볼 스크루의 회전에 따라 제2 방향으로 제2 볼 스크루를 따라 수평 이동한다.The second nut block is internally formed with threads that can be slidably moved along the threads formed on the second ball screw, and horizontally moves along the second ball screw in the second direction in accordance with the rotation of the second ball screw.

그리고, 제2 전달 유닛은 제4 플레이트(61)와 승강 이동 어셈블리의 타측(예를 들어, 제1 전달 유닛(163a,163b)과 동일하게 제4 플레이트(61)에 설치되는 것을 예로 함)과 제2 너트 블록을 연결한다. 그리고, 제2 전달 유닛은 제2 너트 블록의 수평 이동을 제4 플레이트(61)에 전달한다.The second transmitting unit includes a fourth plate 61 and the other side of the elevating and moving assembly (for example, the fourth transmitting plate is provided on the fourth plate 61 in the same manner as the first transmitting units 163a and 163b) Connect the second nut block. Then, the second transmitting unit transfers the horizontal movement of the second nut block to the fourth plate (61).

이에 따라, 제2 볼 스크루가 제2 모터의 회전에 따라 회전하게 되면, 제2 너트 블록이 제2 볼 스크루를 따라 제2 방향으로 수평 이동하게 되고, 제2 너트 블록과 연결된 제2 전달 유닛이 제4 플레이트(61)를 제2 방향으로 수평 이동시켜, 결과적으로 제1 플레이트(41)가 반응 챔버(10) 내부에서 제2 방향으로 수평 이동하게 된다.Accordingly, when the second ball screw rotates in accordance with the rotation of the second motor, the second nut block moves horizontally in the second direction along the second ball screw, and the second transmitting unit connected to the second nut block The fourth plate 61 is horizontally moved in the second direction so that the first plate 41 horizontally moves in the second direction inside the reaction chamber 10. [

여기서, 제1 전달 유닛(163a,163b)은, 도 7을 참조하여 설명하면, 제1 가이드 부(163a) 및 제1 슬라이딩 유닛(163b)을 포함할 수 있다. 또한, 제2 전달 유닛은 제2 가이드 부 및 제2 슬라이딩 유닛을 포함할 수 있다.Here, the first transmission units 163a and 163b may include a first guide unit 163a and a first sliding unit 163b as described with reference to FIG. Further, the second transmitting unit may include a second guide portion and a second sliding unit.

제1 가이드 부(163a)는 제1 너트 블록(162)의 표면에 제2 방향을 따라 설치된다. 그리고, 제1 슬라이등 유닛은 그 일측이 제2 방향을 따라 슬라이딩 이동 가능하게 제1 가이드 부(163a)와 결합되고, 타측은 제4 플레이트(61)와 결합된다.The first guide portion 163a is installed on the surface of the first nut block 162 along the second direction. The first slide unit is coupled with the first guide portion 163a so that one side thereof is slidable along the second direction and the other side is coupled with the fourth plate 61. [

마찬가지로, 제2 가이드 부는 제2 너트 블록의 표면에 제1 방향을 따라 설치된다. 그리고, 제2 슬라이딩 유닛은 그 일측이 제1 방향을 따라 슬라이딩 이동 가능하게 제2 가이드 부와 결합되고, 타측은 제4 플레이트(61)와 결합된다.Similarly, the second guide portion is provided along the first direction on the surface of the second nut block. The second sliding unit is coupled to the second guide unit such that one side of the second sliding unit is slidable along the first direction and the other side is coupled to the fourth plate 61.

이에 따라, 제4 플레이트(61)는 제1 수평 구동 유닛(62a)의 제1 볼 스크루(161) 및 제1 너트 블록(162)의 구동에 따라 제1 방향으로 이동 가능하게 되어 제1 플레이트(41)를 제1 방향으로 이동시키게 된다. 또한, 제4 플레이트(61)는 제1 수평 구동 유닛(62a)의 제1 전달 유닛(163a,163b)을 구성하는 제1 가이드 부(163a) 및 제1 슬라이딩 유닛(163b)에 의해 제2 방향으로 이동 가능하게 된다.The fourth plate 61 is movable in the first direction according to the driving of the first ball screw 161 and the first nut block 162 of the first horizontal driving unit 62a, 41 in the first direction. The fourth plate 61 is supported by the first guide portion 163a and the first sliding unit 163b constituting the first transfer units 163a and 163b of the first horizontal drive unit 62a in the second direction .

마찬가지로 제4 플레이트(61)는 제2 수평 구동 유닛(62b)의 제2 볼 스크루 및 제1 너트 블록(162)의 구동에 따라 제2 방향으로 이동 가능하게 되어 제1 플레이트(41)를 제2 방향으로 이동시키게 된다. 또한, 제4 플레이트(61)는 제2 수평 구동 유닛(62b)의 제2 전달 유닛을 구성하는 제2 가이드 부 및 제2 슬라이딩 유닛에 의해 제1 방향으로 이동 가능하게 된다.Similarly, the fourth plate 61 is movable in the second direction according to the driving of the second ball screw and the first nut block 162 of the second horizontal driving unit 62b, so that the first plate 41 is moved in the second direction Direction. The fourth plate 61 is movable in the first direction by the second guide unit and the second sliding unit constituting the second transmitting unit of the second horizontal driving unit 62b.

상기와 같은 구성에 따라, 제1 플레이트(41)를 제1 방향으로 이동시킬 때 제1 수평 구동 유닛(62a)의 제1 볼 스크루(161) 및 제1 너트 블록(162)이 구동하게 되고, 제1 플레이트(41)를 제2 방향으로 이동시킬 때 제2 수평 구동 유닛(62b)의 제2 볼 스크루 및 제2 너트 블록이 구동하게 된다.The first ball screw 161 and the first nut block 162 of the first horizontal drive unit 62a are driven when the first plate 41 is moved in the first direction, The second ball screw and the second nut block of the second horizontal drive unit 62b are driven when the first plate 41 is moved in the second direction.

또한, 제1 플레이트(41)를 회전 이동시키는 경우에는, 도 8에 도시된 바와 같이, 한 쌍의 제1 수평 구동 유닛(62a)이 제1 방향에서 상호 반대 방향으로 이동하도록 각각의 제1 볼 스크루(161) 및 제1 너트 블록(162)이 구동하고, 한 쌍의 제2 수평 구동 유닛(62b)이 제2 방향으로 상호 반대 방향으로 이동하도록 각각의 제2 볼 스크루 및 제2 너트 블록이 구동하게 된다.When the first plate 41 is rotationally moved, as shown in FIG. 8, the pair of first horizontal drive units 62a are moved in opposite directions in the first direction, Each of the second ball screw and the second nut block is driven so that the screw 161 and the first nut block 162 are driven and the pair of second horizontal drive units 62b move in opposite directions in the second direction .

이 때, 도 8에 도시된 바와 같이, 제1 수평 구동 유닛(62a)의 제3 플레이트(52) 상에서의 위치가 고정된 상태에서 제4 플레이트(61)가 회전함에 따라 발생하는 제1 수평 구동 유닛(62a)의 제2 방향으로의 제3 플레이트(52) 상의 위치 변화는 제1 수평 구동 유닛(62a)의 제1 가이드 부(163a) 및 제1 슬라이딩 유닛(163b)의 제2 방향으로의 슬라이딩 이동에 따라 변하게 되며, 마찬가지로 제2 수평 구동 유닛(62b)의 제1 방향으로의 제3 플레이트(52) 상의 위치 변화는 제2 수평 구동 유닛(62b)의 제2 가이드 부 및 제2 슬라이딩 유닛의 제1 방향으로의 슬라이딩 이동에 따라 변하게 되어, 도 8에 도시된 바와 같은 회전 이동이 가능하게 된다.8, when the position of the first horizontal driving unit 62a on the third plate 52 is fixed and the first horizontal driving unit 62a is rotated in a state in which the fourth plate 61 rotates, The positional change of the unit 62a on the third plate 52 in the second direction is the same as the change in the position of the first guide unit 163a and the first sliding unit 163b of the first horizontal drive unit 62a in the second direction The positional change of the second horizontal drive unit 62b on the third plate 52 in the first direction is changed in accordance with the sliding movement of the second guide unit of the second horizontal drive unit 62b and the second slide unit 62b of the second horizontal drive unit 62b, As shown in Fig. 8, so that rotational movement as shown in Fig. 8 is possible.

여기서, 제4 플레이트(61)와 제1 전달 유닛(163a,163b) 및 제2 전달 유닛 간의 연결은 제1 플레이트(41)의 회동 이동에 대응할 수 있도록 마련된다. 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 제1 전달 유닛(163a,163b)과 제2 전달 유닛 각각의 제1 슬라이딩 유닛(163b) 및 제2 슬라이딩 유닛에는 단면이 원형인 원형 가이드 부(164)가 마련되고, 제4 플레이트(61)에는 원형 가이드 부(164)가 삽입되는 원형 가이드 홈(61a)이 형성된다. 이에 따라, 제1 플레이트(41)의 회전 이동을 위해 제4 플레이트(61)가 회전할 때 원형 가이드 부(164)가 원형 가이드 홈(61a) 내부에서 자유 회전함에 따라 제4 플레이트(61)의 회전에 대응할 수 있게 된다.Here, the connection between the fourth plate 61 and the first transmitting unit 163a, 163b and the second transmitting unit is provided so as to correspond to the rotational movement of the first plate 41. [ 6 and 7, a circular guide portion 164 having a circular section is formed in the first sliding unit 163b and the second sliding unit of the first transmitting unit 163a, 163b and the second transmitting unit, And a circular guide groove 61a into which the circular guide portion 164 is inserted is formed in the fourth plate 61. [ When the fourth plate 61 rotates to rotate the first plate 41, the circular guide portion 164 freely rotates inside the circular guide groove 61a, So that it can respond to rotation.

상기와 같은 구성에 따라, 제1 플레이트(41)를 수평 이동시키기 위한 제1 수평 구동 유닛(62a) 및 제2 수평 구동 유닛(62b)의 구성에 따라, 제1 플레이트(41)를 회전 이동시키기 위한 별도의 구성 요소의 추가 없이도 제1 수평 구동 유닛(62a) 및 제2 수평 구동 유닛(62b)의 구동의 조합에 따라 제1 플레이트(41)의 회전 이동이 가능하게 된다.According to the above configuration, the first plate 41 is rotated and moved according to the configurations of the first horizontal drive unit 62a and the second horizontal drive unit 62b for horizontally moving the first plate 41 The rotation of the first plate 41 can be performed according to the combination of the driving of the first horizontal driving unit 62a and the driving of the second horizontal driving unit 62b without addition of any additional components.

이하에서는 도 2, 도 4 및 도 5를 참조하여 본 발명에 따른 승강 이동 어셈블리의 구성에 대해 상세히 설명한다. 본 발명에 따른 승강 이동 어셈블리는 제2 플레이트(51), 제3 플레이트(52) 및 승강 구동부(53a,53b,54a,54b)를 포함할 수 있다.Hereinafter, the configuration of the lifting and moving assembly according to the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 2, 4, and 5. FIG. The elevating and moving assembly according to the present invention may include a second plate 51, a third plate 52, and elevating and lowering driving units 53a, 53b, 54a, and 54b.

제2 플레이트(51)는 반응 챔버(10)의 외측 하부에 이격된 상태로 그 위치가 고정된다. 본 발명에서는, 도 2에 도시된 바와 같이, 반응 챔버(10)에 고정 설치되는 챔버 플레이트(15)로부터 소정 간격 이격된 상태로 반응 챔버(10) 외부에 배치되고, 복수의 고정 가이드 실린더(55)에 의해 챔버 플레이트(15)로부터 이격된 상태로 설치된다.The second plate (51) is fixed at a position spaced apart from the lower outer side of the reaction chamber (10). 2, a plurality of fixed guide cylinders 55 (shown in FIG. 2) are disposed outside the reaction chamber 10 at a predetermined distance from a chamber plate 15 fixedly installed in the reaction chamber 10, And is spaced apart from the chamber plate 15. [

제3 플레이트(52)는 제2 플레이트(51)와 이격된 상태로 승강 이동 가능하게 설치된다. 본 발명에서는 제3 플레이트(52)에 복수의 실린더 관통공(미도시)이 형성되어 고정 가이드 실린더(55)가 챔버 플레이트(15)로부터 실린더 관통공을 통과하여 제2 플레이트(51)와 연결되는 것을 예로 한다. 이에 따라, 제3 플레이트(52)는 고정 가이드 실린더(55)에 의해 가이드되는 상태에서 제2 플레이트(51)와 챔버 플레이트(15) 사이에서 승강 이동 가능한 상태가 된다.The third plate (52) is installed so as to be movable up and down while being separated from the second plate (51). In the present invention, a plurality of cylinder through holes (not shown) are formed in the third plate 52 so that the stationary guide cylinder 55 is connected to the second plate 51 through the cylinder through hole from the chamber plate 15 For example. Thus, the third plate 52 is movable between the second plate 51 and the chamber plate 15 in a state in which the third plate 52 is guided by the fixed guide cylinder 55.

또한, 제3 플레이트(52)는 상술한 바와 같이 플레이트 구동부(62a,62b)를 통해 제4 플레이트(61)와 연결되어 플레이트 구동부(62a,62b)의 구동에 따라 제4 플레이트(61)와 상대 이동하게 된다. 여기서, 제3 플레이트(52)와 제4 플레이트(61) 간의 상대 이동은 상술한 바와 같은 바, 그 상세한 설명은 생략한다.The third plate 52 is connected to the fourth plate 61 through the plate driving parts 62a and 62b as described above, . Here, the relative movement between the third plate 52 and the fourth plate 61 is the same as described above, and a detailed description thereof will be omitted.

본 발명에서는 제3 플레이트(52)의 하부, 즉 제3 플레이트(52)와 제2 플레이트(51) 사이에 제4 플레이트(61)가 배치되는 것을 예로 하고 있다. 여기서, 제3 플레이트(52)에는 그 중앙 영역에 제1 플레이트 지지부(42)가 통과하기 위한 통과공이 형성된다.In the present invention, a fourth plate 61 is disposed under the third plate 52, that is, between the third plate 52 and the second plate 51. Here, the third plate 52 is formed with a through-hole for allowing the first plate supporting portion 42 to pass therethrough.

본 발명에서는 제3 플레이트(52)가 실린더 관통공이 형성된 상부 제3 플레이트(52a)와, 상부 제3 플레이트(52a)의 하부에 결합되며 플레이트 구동부(62a,62b)를 통해 제4 플레이트(61)와 연결되는 하부 제3 플레이트(52b)로 구성되는 것을 예로 하고 있으나, 하나의 플레이트가 일체로 형성될 수 있음은 물론이다.In the present invention, the third plate 52 includes an upper third plate 52a having a cylinder through-hole, a fourth plate 61 coupled to a lower portion of the upper third plate 52a and having plate driving portions 62a and 62b, And a lower third plate 52b connected to the lower plate 53. However, it is needless to say that one plate may be integrally formed.

상기 구성에 따라, 반응 챔버(10)의 외측 하부에는 순차적으로 제3 플레이트(52), 제4 플레이트(61) 및 제2 플레이트(51)가 이격된 상태로 배치되며, 제3 플레이트(52)가 고정 가이드 실린더(55)의 안내에 따라 제2 플레이트(51)에 대해 승강 이동 가능하고, 제3 플레이트(52)와 제4 플레이트(61)가 플레이트 구동부(62a,62b)에 의해 연결되어 제3 플레이트(52)의 승강 이동시에는 제4 플레이트(61)가 함께 승강 이동하여 제4 플레이트(61)와 연결되는 기판(W) 기지부가 승강 이동하게 된다.The third plate 52, the fourth plate 61 and the second plate 51 are spaced apart from each other in the outer lower portion of the reaction chamber 10, The third plate 52 and the fourth plate 61 can be moved up and down relative to the second plate 51 in accordance with the guide of the fixed guide cylinder 55 and the plate driving parts 62a, When the third plate 52 is moved up and down, the fourth plate 61 moves up and down together with the base plate W connected to the fourth plate 61 to move up and down.

여기서, 승강 구동부(53a,53b,54a,54b)는 제2 플레이트(51)에 설치되며, 제3 플레이트(52), 플레이트 구동부(62a,62b) 및 제4 플레이트(61)를 통해 기판 지지부(40)가 승강 이동하도록 제3 플레이트(52)를 승강 이동시킨다.The lifting and lowering driving units 53a, 53b, 54a and 54b are installed on the second plate 51 and are supported by the substrate supporting unit (not shown) through the third plate 52, the plate driving units 62a and 62b, The third plate 52 is moved up and down so as to move up and down.

본 발명에서는 승강 구동부(53a,53b,54a,54b)가, 도 2 및 도 5에 도시된 바와 같이, 승강 모터(53a,53b) 및 승강 가이드 스크루(54a,54b)를 포함하는 것을 예로 한다. 승강 모터(53a,53b)는 제2 플레이트(51)에 설치되어 승강 가이드 스크루(54a,54b)를 회전시킨다. 본 발명에서는 승강 모터(53a,53b)가 제2 플레이트(51)의 하부면에 한 쌍이 설치되는 것을 예로 하고 있다.In the present invention, the elevation driving portions 53a, 53b, 54a and 54b include elevation motors 53a and 53b and elevation guide screws 54a and 54b as shown in Figs. 2 and 5. The elevating motors 53a and 53b are installed on the second plate 51 to rotate the elevation guide screws 54a and 54b. In the present invention, a pair of lifting and lowering motors 53a and 53b are provided on the lower surface of the second plate 51 as an example.

승강 가이드 스크루(54a,54b)는 승강 모터(53a,53b)의 회전에 따라 회전하여 제3 플레이트(52)를 승강 이동시킨다. 여기서, 제3 플레이트(52)에는 승강 가이드 스크루(54a,54b)가 통과하며 내부에 나사산이 형성된 스크루 통과공이 형성되며, 승강 가이드 스크루(54a,54b)가 스크루 통과공 내부에서 회전함에 따라 제3 플레이트(52)가 제2 플레이트(51)에 대해 승강 이동 가능하게 된다.The elevating guide screws 54a and 54b rotate according to the rotation of the elevating motors 53a and 53b to move the third plate 52 up and down. As the elevation guide screws 54a and 54b rotate in the screw passage holes, the third plate 52 is provided with screw holes 54a and 54b through which screw threads are formed. So that the plate 52 becomes movable up and down with respect to the second plate 51.

한편, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는, 도 2, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 복수의 제5 플레이트 지지부(71), 제5 플레이트(72) 및 제5 플레이트 구동부(73)를 포함할 수 있다2, 4 and 5, the substrate processing apparatus according to the present invention includes a plurality of fifth plate supporting portions 71, a fifth plate 72, and a fifth plate driving portion 73, Can include

복수의 제5 플레이트 지지부(71)은 반응 챔버(10)의 하부 외측으로부터 내측으로 연장되어 제1 플레이트(41)의 하부면을 지지한다. 여기서, 반응 챔버(10)의 하부 바닥면에는 관통공(12)의 반경 방향 외측에 관통 형성된 복수의 핀 관통공이 마련되며, 각각의 제5 플레이트 지지부(71)은 핀 관통공을 통과하여 제1 플레이트(41)의 하부면을 지지하게 되어, 제1 플레이트(41)의 중심 영역 외측을 지지하게 된다.The plurality of fifth plate supporting portions 71 extend inwardly from the lower outer side of the reaction chamber 10 to support the lower surface of the first plate 41. Here, a plurality of pin through holes formed in the radially outer side of the through hole 12 are provided in the lower bottom surface of the reaction chamber 10, and each of the fifth plate supporting portions 71 passes through the fin through holes, Thereby supporting the lower surface of the plate 41 and supporting the outside of the central region of the first plate 41. [

제5 플레이트(72)는 반응 챔버(10)의 하부 외측에 이격된 상태로 위치하며, 각각의 핀 관통공을 통해 반응 챔버(10)의 외측 하부로 연장된 복수의 제5 플레이트 지지부(71)을 지지한다. 본 발명에서는 제5 플레이트(72)가 제3 플레이트(52)의 상부에 설치되는 것을 예로 하고 있다.The fifth plate 72 is spaced apart from the lower portion of the reaction chamber 10 and includes a plurality of fifth plate supporting portions 71 extending to the outer lower portion of the reaction chamber 10 through the respective pin through- Lt; / RTI > In the present invention, the fifth plate 72 is provided on the third plate 52 as an example.

제5 플레이트 구동부(73)는 제5 플레이트(72)가 제3 플레이트(52)와 이격된 상태로 제3 플레이트(52)에 대해 승강 이동하도록 제5 플레이트(72)를 승강 이동시킨다. 본 발명에서는 제5 플레이트 구동부(73)가 제3 플레이트(52)의 상부 면에 설치되어 제5 플레이트(72)의 하부면과 연결된 상태에서 제5 플레이트(72)를 승강 이동시키는 것을 예로 하며, 제5 플레이트(72)와 제3 플레이트(52) 사이의 4곳의 모서리 영역에 설치되는 것을 예로 한다.The fifth plate driving part 73 moves the fifth plate 72 to move up and down with respect to the third plate 52 while the fifth plate 72 is separated from the third plate 52. The fifth plate driving part 73 is installed on the upper surface of the third plate 52 and moves up and down the fifth plate 72 in a state where the fifth plate driving part 73 is connected to the lower surface of the fifth plate 72, And four corner portions between the fifth plate 72 and the third plate 52 are provided.

상기와 같은 구성에 따라, 제5 플레이트 구동부(73)의 구동에 따라 제5 플레이트(72)가 제3 플레이트(52)에 대해 승강 이동 가능하게 되어, 승강 이동 어셈블리와 독립적으로 복수의 제5 플레이트 지지부(71)이 제1 플레이트(41)의 하부면 가장자리 영역을 지지할 수 있게 된다.The fifth plate 72 can be moved up and down with respect to the third plate 52 according to the driving of the fifth plate driving part 73, The support portion 71 can support the lower edge region of the first plate 41. [

이에 따라, 대면적 기판(W)의 처리를 위해 제1 플레이트(41)의 사이즈가 증가함에 따라 발생할 수 있는 제1 플레이트(41)의 가장자리 영역의 처짐 현상을 방지할 수 있게 된다.Accordingly, it is possible to prevent the sagging phenomenon of the edge region of the first plate 41, which may occur as the size of the first plate 41 increases, for the processing of the large area substrate W.

그리고, 반응 챔버(10) 내에서의 공정 진행, 예를 들어 제1 플레이트(41)가 수평 이동 또는 회전 이동 하는 동안에서는 제5 플레이트 지지부(71)가 제1 플레이트(41)로부터 이격되어 제1 플레이트(41)의 수평 이동 또는 회전 이동이 가능하게 하는 등, 공정 진행 중 제5 플레이트 지지부(71)이 제1 플레이트(41)에 접촉되는 경우 공정에 영향을 비치는 공정에서는 제5 플레이트 지지부(71)을 제1 플레이트(41)로부터 이격시켜 공정에 미치는 영향을 최소화할 수 있다.During the progress of the process in the reaction chamber 10, for example, while the first plate 41 is horizontally moved or rotated, the fifth plate supporting portion 71 is separated from the first plate 41, When the fifth plate supporting portion 71 contacts the first plate 41 during a process such as enabling the plate 41 to move horizontally or rotationally, in the process affecting the process, the fifth plate supporting portion 71 May be spaced from the first plate 41 to minimize the effect on the process.

또한, 제5 플레이트(72)가 제3 플레이트(52)의 승강 이동과 함께 승강 이동하면서도 제3 플레이트(52)에 대해 독립적으로 승강 이동함에 따라, 제5 플레이트 지지부(71)이 제1 플레이트(41)를 지지하는 상태로 제1 플레이트(41)를 승강 이동시킬 때 승강 이동 어셈블리의 구동 만으로 제5 플레이트 지지부(71)이 제1 플레이트(41)를 지지하는 상태로 승강 이동 가능하며, 승강 이동 어셈블리가 구동하지 않는 상태에서도 제5 플레이트 지지부(71)이 제1 플레이트(41)를 지지하거나 이격 가능하게 된다.As the fifth plate 72 moves up and down with the third plate 52 moving up and down independently of the third plate 52, the fifth plate supporting portion 71 moves to the first plate The fifth plate supporting portion 71 can be moved up and down in a state of supporting the first plate 41 only by driving the elevating and moving assembly when the first plate 41 is lifted and moved in a state supporting the first plate 41, The fifth plate supporting portion 71 can support or separate the first plate 41 even when the assembly is not driven.

이하에서는, 상기와 같은 구성에 따라 본 발명에 따른 기판 처리 장치에서의 기판 처리 과정을, 도 9를 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a substrate processing process in the substrate processing apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to FIG.

먼저, 기판(W)이 반응 챔버(10) 내부로 인입되어 제1 플레이트(41)에 안착되지 전에, 제1 플레이트(41)의 내부의 히터에 의해 제1 플레이트(41)가 기 설정된 가열 온도까지 가열된다(S10).The first plate 41 is heated by the heater inside the first plate 41 to a predetermined heating temperature T 1 before the substrate W is drawn into the reaction chamber 10 and settled on the first plate 41 (S10).

제1 플레이트(41)가 가열 온도까지 가열된 후, 제1 플레이트(41)를 판면 방향으로 수평 이동 또는 판면 방향과 수직인 축을 중심으로 하는 회전 이동시켜, 제1 플레이트(41)와 반응 챔버(10)의 내벽면과의 이격 간격이 일정해지도록 조정하게 된다(S20).After the first plate 41 is heated up to the heating temperature, the first plate 41 is horizontally moved in the direction of the plate surface or rotationally moved about an axis perpendicular to the plate surface direction so that the first plate 41 and the reaction chamber 10 is adjusted so as to be constant (S20).

본 발명에 따른 기판 처리 장치는, 상술한 바와 같이, 제5 플레이트 지지부(71)에 의해 제1 플레이트(41)의 가장자리 영역이 지지되는 것을 예로 하고 있다. 여기서, 제1 플레이트(41)가 가열 온도까지 가열된 후, 제5 플레이트 지지부(71)가 제1 플레이트(41)의 하부면을 지지하는 상태인 경우 제5 플레이트 지지부(71)가 제1 플레이트(41)의 하부면으로부터 이격된 후(S11), 제1 플레이트(41)가 수평 이동 또는 회전 이동하게 된다.As described above, the substrate processing apparatus according to the present invention exemplifies the case where the edge region of the first plate 41 is supported by the fifth plate supporting portion 71. When the fifth plate supporting portion 71 supports the lower surface of the first plate 41 after the first plate 41 is heated to the heating temperature, (S11), the first plate 41 is moved horizontally or rotationally.

또한, S10 단계, 즉 제1 플레이트(41)가 가열 온도까지 가열되는 과정에서는, 제1 플레이트(41)가 제5 플레이트 지지부(71)에 의해 지지된 상태로 가열되는 공정(S12)과, 제5 플레이트 지지부(71)가 제1 플레이트(41)로부터 이격된 상태로 가열되는 공정(S13)이 교대로 반복 수행될 수 있다.In step S10, that is, in the process of heating the first plate 41 to the heating temperature, a step S12 in which the first plate 41 is heated while being supported by the fifth plate supporting part 71, (S13) in which the plate supporting portion 71 is heated while being separated from the first plate 41 can be alternately repeated.

이를 통해, 제1 플레이트(41)의 가열에 따른 제1 플레이트(41)의 열팽창시 제5 플레이트 지지부(71)가 제1 플레이트(41)의 하부면을 지지함에 따라 발생하는 마찰에 따른 손상을 방지함과 동시에, 제1 플레이트(41)의 대면적화나 가열에 따른 가장자리 영역의 처짐 현상을 동시에 방지할 수 있게 된다. As a result, when the first plate 41 is thermally expanded due to the heating of the first plate 41, the fifth plate supporting portion 71 supports the lower surface of the first plate 41, And at the same time, the large area of the first plate 41 and the sagging phenomenon of the edge region due to the heating can be prevented at the same time.

상기와 같은 과정을 통해 제1 플레이트(41)의 가열과 수평 방향으로의 위치 조정이 완료된 후, 반응 챔버(10) 내부로 기판(W)이 인입되어 제1 플레이트(41) 상에 안착되고(S40), 반응 챔버(10) 내부에서 제1 플레이트(41) 상에 안착된 기판(W)에 기 설정된 처리 공정이 진행된다(S50). 여기서, 제1 플레이트(41) 상에 안착된 기판(W)에 대한 처리 공정은 기판(W)에 박막을 형성하기 위한 반응 가스의 유입, 플라즈마 형성 등의 공정이 진행된다.After the heating of the first plate 41 and the adjustment of the position in the horizontal direction are completed through the above process, the substrate W is drawn into the reaction chamber 10 and is placed on the first plate 41 S40), a predetermined process is performed on the substrate W placed on the first plate 41 in the reaction chamber 10 (S50). Here, the process of processing the substrate W placed on the first plate 41 proceeds with processes such as introduction of a reaction gas to form a thin film on the substrate W, plasma formation, and the like.

본 발명에서는 기판(W)이 안착되는 공정과 기판(W)에 대한 처리 공정에서는 제1 플레이트(41)의 하부면을 제5 플레이트 지지부(71)가 지지하는 상태에서 진행되는 것을 예로 하며, 기판(W)이 안착되기 전에 제5 플레이트 지지부(71)가 제1 플레이트(41)로부터 이격된다(S30).In the present invention, in the process of mounting the substrate W and the process of processing the substrate W, the lower surface of the first plate 41 is processed in a state supporting the fifth plate supporter 71, The fifth plate supporting portion 71 is separated from the first plate 41 (S30) before the wafer W is seated.

비록 본 발명의 몇몇 실시예들이 도시되고 설명되었지만, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 당업자라면 본 발명의 원칙이나 정신에서 벗어나지 않으면서 본 실시예를 변형할 수 있음을 알 수 있을 것이다. 발명의 범위는 첨부된 청구항과 그 균등물에 의해 정해질 것이다.
Although several embodiments of the present invention have been shown and described, those skilled in the art will appreciate that various modifications may be made without departing from the principles and spirit of the invention . The scope of the invention will be determined by the appended claims and their equivalents.

10 : 반응 챔버 20 : 가스 박스
30 : 샤워 헤드 40 : 기판 지지부
41 : 제1 플레이트 42 : 제1 플레이트 지지부
51 : 제2 플레이트 52 : 제3 플레이트
53a,53b : 승강 모터 54a,54b : 승강 가이드 스크루
55 : 고정 가이드 실린더 60 : 플레이트 이동 어셈블리
61 : 제4 플레이트 62a : 제1 수평 구동 유닛
62b : 제2 수평 구동 유닛 71 : 제5 플레이트 지지부
72 : 제5 플레이트 73 : 제5 플레이트 구동부 10: reaction chamber 20: gas box
30: showerhead 40:
41: first plate 42: first plate support
51: second plate 52: third plate
53a, 53b: elevating motors 54a, 54b: elevating guide screws
55: fixed guide cylinder 60: plate moving assembly
61: fourth plate 62a: first horizontal driving unit
62b: second horizontal driving unit 71: fifth plate supporting portion
72: fifth plate 73: fifth plate driving part

Claims (15)

바닥면에 관통공이 형성된 반응 챔버;
상기 반응 챔버의 내부에 설치되어 기판이 안착되는 제1 플레이트와, 상기 제1 플레이트의 하부로부터 상기 관통공을 통해 상기 반응 챔버의 외부로 연장된 제1 플레이트 지지부를 갖는 기판 지지부;
상기 제1 플레이트가 상기 반응 챔버 내부에서 승강 이동하도록 상기 제1 플레이트 지지부를 승강 이동시키는 승강 이동 어셈블리; 및
상기 제1 플레이트가 판면 방향으로의 수평 이동과, 판면 방향과 수직인 축을 중심으로 하는 회전 이동 중 적어도 어느 하나로 이동하도록 상기 제1 플레이트 지지부를 이동시켜 상기 제1 플레이트의 열팽창을 보상하는 플레이트 이동 어셈블리를 포함하며,
상기 플레이트 이동 어셈블리는 상기 제1 플레이트 지지부 및 상기 승강 이동 어셈블리와 각각 연결되어, 상기 승강 이동 어셈블리와의 상대 이동에 따라 상기 제1 플레이트 지지부를 수평 이동 및 회전 이동시키며;
상기 승강 이동 어셈블리는 상기 제1 플레이트 지지부와 연결된 상기 플레이트 이동 어셈블리를 통해 상기 제1 플레이트 지지부를 승강 이동시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.A reaction chamber in which a through hole is formed in a bottom surface;
A substrate support disposed within the reaction chamber and having a first plate on which the substrate is mounted and a first plate support portion extending from a lower portion of the first plate to the outside of the reaction chamber through the through hole;
A lifting and moving assembly for lifting and moving the first plate supporting part such that the first plate is lifted and moved within the reaction chamber; And
A plate moving assembly for compensating for thermal expansion of the first plate by moving the first plate supporting part to move the first plate in at least one of horizontal movement in the direction of the plate surface and rotational movement about an axis perpendicular to the plate surface direction, / RTI >
The plate moving assembly is connected to the first plate supporting portion and the elevating moving assembly, respectively, and horizontally moves and rotates the first plate supporting portion according to a relative movement with the elevating moving assembly;
Wherein the lifting and moving assembly lifts and moves the first plate supporting part through the plate moving assembly connected to the first plate supporting part. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 플레이트 이동 어셈블리는
상기 반응 챔버의 외부에서 상기 제1 플레이트 지지부와 결합되는 제4 플레이트; 및
상기 제4 플레이트와 상기 승강 이동 어셈블리를 상호 연결하며, 상기 제1 플레이트 지지부가 수평 이동 및 회전 이동하도록 상기 제4 플레이트를 상기 승강 이동 어셈블리에 대해 상대 이동시키는 플레이트 구동부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
The plate moving assembly
A fourth plate coupled to the first plate support portion outside the reaction chamber; And
And a plate driving unit that interconnects the fourth plate and the elevating moving assembly and relatively moves the fourth plate relative to the elevating moving assembly such that the first plate supporting unit horizontally moves and rotates. Processing device. 제3항에 있어서,
상기 플레이트 구동부는
상기 제1 플레이트가 수평 이동 중 제1 방향으로 이동하도록 상기 제4 플레이트를 상기 제1 방향으로 수평 이동시키는 제1 수평 구동 유닛; 및
상기 제1 플레이트가 수평 이동 중 상기 제1 방향과 수직인 제2 방향으로 수평 이동하도록 상기 제4 플레이트를 상기 제2 방향으로 수평 이동시키는 제2 수평 구동 유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 3,
The plate-
A first horizontal driving unit for horizontally moving the fourth plate in the first direction so that the first plate moves in a first direction during horizontal movement; And
And a second horizontal driving unit for horizontally moving the fourth plate in the second direction so that the first plate horizontally moves in a second direction perpendicular to the first direction during horizontal movement. . 제4항에 있어서,
상기 제1 수평 구동 유닛은 상기 제4 플레이트의 하나의 대각선 방향으로 상호 마주하게 상기 제4 플레이트에 연결되고;
상기 제2 수평 구동 유닛은 상기 제4 플레이트의 나머지 하나의 대각선 방향으로 상호 마주하게 상기 제4 플레이트에 연결되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.5. The method of claim 4,
The first horizontal drive unit is connected to the fourth plate so as to face one diagonal direction of the fourth plate;
And the second horizontal drive unit is connected to the fourth plate so as to face each other in a diagonal direction of the remaining one of the fourth plates. 제5항에 있어서,
상기 플레이트 구동부는 상기 제1 수평 구동 유닛과 상기 제2 수평 구동 유닛의 구동의 조합에 따라 상기 제1 플레이트를 회전 이동시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.6. The method of claim 5,
Wherein the plate driving unit rotates the first plate according to a combination of the driving of the first horizontal driving unit and the driving of the second horizontal driving unit. 제6항에 있어서,
상기 제1 수평 구동 유닛은
상기 제4 플레이트와 상기 승강 이동 어셈블리 중 어느 일측에 설치되는 제1 볼 스크루;
상기 제1 볼 스크루의 회전에 따라 상기 제1 방향으로 수평 이동하는 제1 너트 블록; 및
상기 제4 플레이트와 상기 승강 이동 어셈블리 중 타측과 상기 제1 너트 블록을 연결하여 상기 제1 너트 블록의 수평 이동을 상기 제4 플레이트와 상기 승강 이동 어셈블리 중 타측에 전달하는 제1 전달 유닛을 포함하고,
상기 제2 수평 구동 유닛은
상기 제4 플레이트와 상기 승강 이동 어셈블리 중 어느 일측에 설치되는 제2 볼 스크루;
상기 제2 볼 스크루의 회전에 따라 상기 제2 방향으로 수평 이동하는 제2 너트 블록; 및
상기 제4 플레이트와 상기 승강 이동 어셈블리 중 타측과 상기 제2 너트 블록을 연결하여 상기 제2 너트 블록의 수평 이동을 상기 제4 플레이트와 상기 승강 이동 어셈블리 중 타측에 전달하는 제2 전달 유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method according to claim 6,
The first horizontal drive unit
A first ball screw installed at one side of the fourth plate and the elevating moving assembly;
A first nut block moving horizontally in the first direction according to the rotation of the first ball screw; And
And a first transmitting unit that connects the other of the fourth plate and the elevating and moving assembly to the first nut block to transmit the horizontal movement of the first nut block to the other of the fourth plate and the elevating and moving assembly ,
The second horizontal drive unit
A second ball screw installed at one side of the fourth plate and the elevating moving assembly;
A second nut block horizontally moving in the second direction in accordance with rotation of the second ball screw; And
And a second transmitting unit that connects the other of the fourth plate and the lift moving assembly to the second nut block to transmit the horizontal movement of the second nut block to the other of the fourth plate and the lift moving assembly And the substrate processing apparatus. 제7항에 있어서,
상기 제1 전달 유닛은
상기 제1 너트 블록의 표면에 상기 제2 방향을 따라 설치되는 제1 가이드 부; 및
일측은 상기 제2 방향을 따라 슬라이딩 이동 가능하게 상기 제1 가이드 부와 결합되고, 타측은 상기 제4 플레이트와 상기 승강 이동 어셈블리 중 타측과 결합되는 제1 슬라이딩 유닛을 포함하고,
상기 제2 전달 유닛은
상기 제2 너트 블록의 표면에 상기 제1 방향을 따라 설치되는 제2 가이드 부; 및
일측은 상기 제1 방향을 따라 슬라이딩 이동 가능하게 상기 제2 가이드 부와 결합되고, 타측은 상기 제4 플레이트와 상기 승강 이동 어셈블리 중 타측과 결합되는 제2 슬라이딩 유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.8. The method of claim 7,
The first transmitting unit
A first guide part installed on the surface of the first nut block along the second direction; And
And a first sliding unit coupled to the other of the fourth plate and the lifting and moving assembly, the first sliding unit coupled to the first guide unit,
The second transmitting unit
A second guide part installed on the surface of the second nut block along the first direction; And
And a second sliding unit coupled to the other of the fourth plate and the lifting and moving assembly, and the second sliding unit is coupled to the second guide unit, Device. 제3항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 승강 이동 어셈블리는
상기 반응 챔버의 외측 하부에 이격된 상태로 고정되는 제2 플레이트;
상기 제2 플레이트와 이격된 상태로 승강 이동 가능하게 설치되고, 상기 플레이트 구동부를 통해 상기 제4 플레이트와 연결되어 상기 플레이트 구동부의 구동에 따라 상기 제4 플레이트와 상대 이동하는 제3 플레이트; 및
상기 제2 플레이트에 설치되어, 상기 제3 플레이트, 상기 플레이트 구동부 및 상기 제4 플레이트를 통해 상기 기판 지지부가 승강 이동하도록 상기 제3 플레이트를 승강 이동시키는 승강 구동부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.9. The method according to any one of claims 3 to 8,
The lifting and moving assembly
A second plate spaced apart from an outer lower portion of the reaction chamber;
A third plate connected to the fourth plate via the plate driving unit and movable relative to the fourth plate according to the driving of the plate driving unit, And
And a lift driving unit installed on the second plate and moving the third plate to move up and down through the third plate, the plate driving unit, and the fourth plate so that the substrate supporting unit moves up and down. . 제9항에 있어서,
상기 반응 챔버의 하부 바닥면에는 상기 관통공의 반경 방향 외측에 관통 형성된 복수의 핀 관통공이 형성되며,
상기 각 핀 관통공을 통과하여 상기 제1 플레이트의 하부면을 지지하는 복수의 제5 플레이트 지지부;
상기 각 핀 관통공을 통해 상기 반응 챔버의 외측 하부로 연장되는 상기 복수의 제5 플레이트 지지부를 지지하는 제5 플레이트; 및
상기 제5 플레이트가 상기 제3 플레이트와 이격된 상태로 상기 제3 플레이트에 대해 승강 이동하도록 상기 제5 플레이트를 승강 이동시키는 제5 플레이트 구동부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.10. The method of claim 9,
A plurality of pin through holes formed on a lower bottom surface of the reaction chamber so as to penetrate radially outwardly of the through holes,
A plurality of fifth plate supporters for supporting the lower surface of the first plate through the respective pin through holes;
A fifth plate supporting the plurality of fifth plate supporting portions extending to the outer lower portion of the reaction chamber through the respective pin through holes; And
Further comprising a fifth plate driver for moving the fifth plate so as to move up and down with respect to the third plate while the fifth plate is spaced apart from the third plate. 기판이 안착되는 제1 플레이트가 수용된 반응 챔버를 이용한 기판 처리 방법에 있어서,
상기 제1 플레이트가 기 설정된 가열 온도까지 가열되는 단계;
상기 제1 플레이트가 상기 가열 온도까지 가열된 후, 상기 제1 플레이트를 판면 방향으로의 수평 이동과, 판면 방향과 수직인 축을 중심으로 하는 회전 이동 중 적어도 어느 하나로 이동시키는 단계;
상기 제1 플레이트 상에 기판이 안착되는 단계; 및
상기 제1 플레이트 상에 안착된 기판에 기 설정된 처리 공정이 진행되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 기판 처리 방법.A substrate processing method using a reaction chamber in which a first plate on which a substrate is placed is accommodated,
Heating the first plate to a predetermined heating temperature;
Moving the first plate to at least one of a horizontal movement in the direction of the plate surface and a rotation movement about an axis perpendicular to the plate surface direction after the first plate is heated to the heating temperature;
Placing the substrate on the first plate; And
And a predetermined process is performed on the substrate placed on the first plate. 제11항에 있어서,
상기 제1 플레이트의 중심으로부터 반경 방향 외측의 상기 제1 플레이트의 하부면을 지지하기 위한 복수의 제5 플레이트 지지부가 준비되는 단계; 및
상기 제1 플레이트를 상기 수평 이동과 상기 회전 이동 중 적어도 어느 하나로 이동시키기 전에 상기 복수의 제5 플레이트 지지부가 상기 제1 플레이트의 하부면으로부터 이격되는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.12. The method of claim 11,
Preparing a plurality of fifth plate support portions for supporting a lower surface of the first plate radially outward from the center of the first plate; And
Wherein the plurality of fifth plate support portions are spaced apart from the lower surface of the first plate before the first plate is moved to at least one of the horizontal movement and the rotational movement. 제12항에 있어서,
상기 제1 플레이트가 상기 가열 온도까지 가열되는 단계는
상기 제1 플레이트가 상기 복수의 제5 플레이트 지지부에 의해 지지된 상태로 가열되는 제1 가열 단계; 및
상기 복수의 제5 플레이트 지지부가 상기 제1 플레이트로부터 이격된 상태로 가열되는 제2 가열 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.13. The method of claim 12,
Wherein the step of heating the first plate to the heating temperature comprises
A first heating step in which the first plate is heated while being supported by the plurality of fifth plate supports; And
And a second heating step in which the plurality of fifth plate supporting portions are heated while being spaced apart from the first plate. 제13항에 있어서,
상기 제1 플레이트가 상기 가열 온도까지 가열되는 단계에서는 상기 제1 가열 단계 및 상기 제2 가열 단계가 상기 가열 온도까지 가열되는 동안 교대로 반복 수행되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.14. The method of claim 13,
Wherein in the step of heating the first plate to the heating temperature, the first heating step and the second heating step are alternately repeated while being heated to the heating temperature. 제12항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 플레이트 상에 기판이 안착되는 단계 및 상기 제1 플레이트 상에 안착된 기판에 기 설정된 처리 공정이 진행되는 단계는 상기 복수의 제5 플레이트가 상기 제1 플레이트로부터 이격된 상태로 수행되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.15. The method according to any one of claims 12 to 14,
The step of mounting the substrate on the first plate and the step of performing the predetermined processing on the substrate placed on the first plate may be performed while the plurality of fifth plates are spaced apart from the first plate ≪ / RTI >
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