KR101389270B1 - 원통 금형에 노광 공정을 이용하여 패턴을 복제하는 방법 - Google Patents

원통 금형에 노광 공정을 이용하여 패턴을 복제하는 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 원통 금형에 노광 공정을 이용하여 패턴을 복제하는 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 원통 금형에 패턴을 복제함에 있어서, 패턴이 생성된 원통 금형을 이용하여 대칭 패턴 또는 동일 패턴을 생성하는 원통 금형에 노광 공정을 이용하여 패턴을 복제하는 방법에 관한 것이다.
본 발명의 원통 금형에 노광 공정을 이용하여 패턴을 복제하는 방법은 원본 금형의 패턴에 잉크를 도포하는 제 1단계; 감광제가 균일하게 도포된 복제 금형에 상기 원본 금형의 패턴에 도포된 잉크가 인쇄되어 패턴을 생성하는 제 2단계; 상기 복제 금형을 UV 노광 및 현상하는 제 3단계; 및 상기 복제 금형을 식각하는 제 4단계를 포함함에 기술적 특징이 있다.

Description

원통 금형에 노광 공정을 이용하여 패턴을 복제하는 방법{Method for reprinting pattern using exposure in cylindrical mold}
본 발명은 원통 금형에 노광 공정을 이용하여 패턴을 복제하는 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 원통 금형에 패턴을 복제함에 있어서, 패턴이 생성된 원통 금형을 이용하여 대칭 패턴 또는 동일 패턴을 생성하는 원통 금형에 노광 공정을 이용하여 패턴을 복제하는 방법에 관한 것이다.
영상을 표시하는 표시장치나 데이터를 저장하는 메모리 장치와 같은 반도체 장치에는 다양한 패턴이 사용된다. 예컨대, 표시장치에는 화면의 기본 단위인 각 화소별로 화소전극과 박막트랜지스터가 구비되며, 화소전극은 도전막 패턴으로 이루어진다. 또한 화소전극과 박막트랜지스터의 사이에는 보호막 패턴이 형성되는데, 보호막은 절연막 패턴으로 이루어진다.
패턴을 생성함에 있어서, 종래에는 평판에 스탬프를 통해 인쇄하는 방법이 사용되었다. 평판에 스탬프를 통해 인쇄할 경우, 대면적에 적용시 패턴의 균일도에 문제가 발생하고, 제작 비용이 상승하는 문제점이 있었다.
이에 원통 금형을 이용하여 패턴을 생성하는 기술이 개발되었으며, 원통 금형으로 패턴을 생성하면 이음매 없는 원통 금형을 이용한 대면적화에 유리하고, 패턴의 균일도를 확보할 수 있다는 장점이 있다.
이러한 원통 금형에 패턴을 생성하는 기술로는 패턴이 새겨진 필름 또는 시트를 복제하고자 하는 원통 금형에 고정하는 것이 일반적이나, 필름 또는 시트를 고정하는 부분의 이음매가 발생하기 때문에 평판에 스탬프를 통해 인쇄할 때, 발생하는 문제점이 발생하게 되고, 롤투롤 공정에서 원통 금형의 연속 회전에 따른 한계가 발생하게 되는 문제점이 있다.
상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 본 발명은 원통 금형에 패턴을 생성할 때, 패턴이 생성된 원통 금형을 이용하여 대칭 패턴 또는 동일 패턴을 복제하여 되도록 하는 원통 금형에 노광 공정을 이용하여 패턴을 복제하는 방법을 제공함에 그 목적이 있다.
또한, 본 발명은 플라즈마 공정을 이용한 건식 식각 공정을 진행함으로써, 나노 단위의 미세한 패턴을 균일하게 생성하도록 하는 다른 목적이 있다.
본 발명의 상기 목적은 원본 금형의 패턴에 잉크를 도포하는 제 1단계; 감광제가 균일하게 도포된 복제 금형에 상기 원본 금형의 패턴에 도포된 잉크가 인쇄되어 패턴을 생성하는 제 2단계; 상기 복제 금형을 UV 노광 및 현상하는 제 3단계; 및 상기 복제 금형을 식각하는 제 4단계를 포함하는 원통 금형에 노광 공정을 이용하여 패턴을 복제하는 방법에 의해 달성된다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 원본 금형의 패턴에 잉크를 도포하고, 상기 원본 금형의 회전으로 인하여 평판에 상기 패턴을 생성하는 제 1단계; 상기 평판에 생성된 패턴을 감광제가 균일하게 도포된 복제 금형이 회전하면서 인쇄하여 패턴을 생성하는 제 2단계; 상기 복제 금형을 UV 노광 및 현상하는 제 3단계; 및 상기 복제 금형을 식각하는 제 4단계를 포함하는 원통 금형에 노광 공정을 이용하여 패턴을 복제하는 방법에 의해 달성된다.
또한, 본 발명의 제 1단계에서 잉크를 도포하는 것은 상기 잉크를 도포하는 시작점과 끝점을 인식하여 도포되는 상기 잉크의 양을 제어하는 것을 특징으로 하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 제 4단계는 유도형 결합 플라즈마를 이용하여 건식 식각을 하는 것이 바람직하다.
따라서, 본 발명의 원통 금형에 노광 공정을 이용하여 패턴을 복제하는 방법은 원통 금형에 패턴을 생성할 때, 패턴이 생성된 원통 금형을 이용하여 대칭 패턴 또는 동일 패턴을 복제하여 이음매 없이 대면적의 패턴을 생성할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 플라즈마 공정을 이용한 건식 식각 공정을 진행함으로써, 나노 단위의 미세한 패턴을 균일하게 생성하도록 하는 다른 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 원통 금형에 노광 공정을 이용하여 패턴을 복제하는 방법의 공정도,
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 원통 금형에 노광 공정을 이용하여 패턴을 복제하는 방법의 공정도,
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 원통 금형에 노광 공정을 이용하여 패턴을 복제하는 방법의 공정도,
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 원통 금형에 노광 공정을 이용하여 패턴을 복제하는 방법의 공정도,
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 원통 금형에 노광 공정을 이용하여 패턴을 복제하는 방법의 공정도,
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 원통 금형에 노광 공정을 이용하여 패턴을 복제하는 방법의 공정도,
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 식각 공정의 공정도,
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 식각 공정을 위한 ICP 공정 챔버를 나타낸 도면이다.
본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 원통 금형에 노광 공정을 이용하여 패턴을 복제하는 방법의 공정도이다. 도 1을 참조하면, 패턴을 복제함에 있어서, 원본의 패턴과 대칭 패턴을 생성하는 방법이다.
패턴을 복제해야 할 원통 금형(110)을 원통형 복제 금형(110)이라 지칭하고, 패턴이 새겨져 있어서 원통형 복제 금형(110)에 패턴을 복제하기 위한 원통 금형(120)을 원통형 원본 금형(120)이라 지칭한다.
원통형 복제 금형(110)은 감광제가 균일하게 도포되며, 원통형 스핀 코터, 스프레이 코터, 롤코터, 슬릿다이 코터 등의 방법으로 도포할 수 있다.
인쇄롤(100)은 회전하면서 잉크공급장치(104)로부터 잉크(102)를 인쇄롤(100)에 도포되도록 한다. 인쇄롤(100)과 원통형 원본 금형(120)은 맞닿아 회전하면서 인쇄롤(100)의 도포된 잉크를 원통형 원본 금형(120)의 패턴(122) 위에 도포한다.
인쇄롤(100)은 아닐롤스 롤러(Anilox roller)를 사용하는 것이 바람직하나, 이에 한정하지 않는다.
원통형 원본 금형(120)은 원통형 복제 금형(110)과 맞닿아 회전하며, 원통형 원본 금형(120)의 패턴(122) 위에 도포된 잉크를 감광제가 도포된 원통형 복제 금형(110)에 인쇄(112)한다.
원통형 원본 금형(120)과 원통형 복제 금형(110)이 맞닿아 회전하기 때문에 원통형 원본 금형(120)의 패턴(122) 모양이 대칭되도록 인쇄된다.
패턴(112) 모양이 인쇄된 원통형 복제 금형(110)에 UV 노광(130)을 한다. 이때, UV 노광을 통해 패턴이 인쇄된 부분은 경화되고, 패턴이 인쇄되지 않고, 감광제만 도포된 부분은 UV에 반응하도록 한다.
그 후, 원통형 복제 금형(110)을 현상하고(140), 플라즈마를 이용한 건식 식각을 통해 UV에 반응한 부분을 식각하여 패턴을 생성한다(150). 이는 노광과 현상만으로는 패턴의 모양이 깨끗하거나 일정하지 않기 식각을 통해 원통형 복제 금형(110)에 패턴을 깔끔하게 생성하도록 한다.
식각이 끝나면 원통형 원본 금형(120)과 대칭 패턴이 새겨진 원통형 복제 금형이 완성된다(160).
원통형 원본 금형(120) 또는 인쇄롤(100)에 잉크가 도포될 때, 잉크공급장치(104)를 통해 잉크가 도포되는 타이밍을 조절할 수도 있고, 시작점 또는 끝점을 구분하여 잉크가 무한정 나오지 않도록 조절한다. 즉, 원통형 원본 금형(120) 또는 인쇄롤(100)에 도포된 잉크가 원통형 복제 금형(110)에 도포되지 않고, 원통형 원본 금형(120) 또는 인쇄롤(100)에 도포된 상태로 존재할 경우에도 잉크가 계속 도포되면 추후 패턴을 생성하는데 있어서 문제가 발생하기 때문에 원통형 원본 금형(120) 또는 인쇄롤(100)에 도포된 잉크 여부에 따라 잉크 도포하는 것을 제어한다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 원통 금형에 노광 공정을 이용하여 패턴을 복제하는 방법의 공정도이다. 도 2를 참조하면, 패턴을 복제함에 있어서, 원본의 패턴과 동일 패턴을 생성하는 방법이다.
원통형 복제 금형(210)은 감광제가 균일하게 도포된다.
원통형 원본 금형(220)의 패턴과 동일 패턴을 복제하기 위하여 인쇄롤(200)이 원통형 원본 금형(220)과 원통형 복제 금형(210) 사이에 위치한다. 인쇄롤(200)은 오프셋 롤러(Off-set roller)인 것이 바람직하다.
원통형 원본 금형(220)에 잉크가 도포(222)되면 인쇄롤(200)이 회전하면서 원통형 원본 금형(220)의 패턴(202)을 인쇄하고, 인쇄롤(200)과 맞닿은 원통형 복제 금형(210)에 패턴(212)이 인쇄된다. 이때, 원통형 복제 금형(210)에 인쇄되는 패턴은 감광제 위에 인쇄되는 것이다.
패턴이 인쇄된 원통형 복제 금형(210)은 도 1과 같이 노광(230), 현상(240), 식각(250) 공정을 통해 원통형 원본 금형(220)과 동일 패턴이 복제된다.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 원통 금형에 노광 공정을 이용하여 패턴을 복제하는 방법의 공정도이다. 도 3을 참조하면, 패턴을 복제함에 있어서, 오프셋 방법을 이용하여 원본의 패턴과 동일 패턴을 생성하는 방법이다.
원통형 원본 금형(320)에 잉크를 도포하고, 평판(324)에 원통형 원본 금형(320)의 패턴(322)을 인쇄한다. 평판(324)에 인쇄된 패턴(322)을 원통형 복제 금형(310)이 회전하면서 인쇄한다. 이때, 원통형 복제 금형(310)은 감광제가 도포된 상태이다.
평판(324)에 패턴(322)을 인쇄하고, 이를 원통형 복제 금형(310)에 인쇄하면 원통형 원본 금형(320)의 패턴과 동일 패턴이 원통형 복제 금형(310)에 인쇄된다.
원통형 복제 금형(310)에 패턴(322)이 인쇄되면 도 1과 같이 노광(330), 현상(340), 식각(350) 공정을 통해 원통형 원본 금형(320)과 동일 패턴이 복제된다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 원통 금형에 노광 공정을 이용하여 패턴을 복제하는 방법의 공정도이다. 도 4를 참조하면, 패턴을 복제함에 있어서, 오프셋 방법을 이용하여 원본의 패턴과 대칭 패턴을 생성하는 방법이다.
평판(424)을 이용하여 원통형 원본 금형(420)의 패턴(422)과 대칭 패턴을 생성하기 위해서 원통형 원본 금형(420)과 평판(424) 사이에 인쇄롤(400)이 위치하도록 한다.
원통형 원본 금형(420)에 잉크를 도포하고, 인쇄롤(400)이 원통형 원본 금형(420)에 도포된 잉크를 이용하여 패턴(422)을 복제하고, 인쇄롤(400)은 평판(424)에 패턴(422)을 복제한다.
이러한 패턴(422)을 원통형 복제 금형(410)이 회전하면서 복제하며, 원통형 복제 금형(410)은 감광제가 균일하게 도포된 상태이다.
원통형 복제 금형(410)에 패턴(422)이 인쇄되면 도 1과 같이 노광(430), 현상(440), 식각(450) 공정을 통해 원통형 원본 금형(420)과 대칭 패턴이 복제된다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 원통 금형에 노광 공정을 이용하여 패턴을 복제하는 방법의 공정도이다. 도 5를 참조하면, 패턴을 복제함에 있어서, 오프셋 방법을 이용하여 원본의 패턴과 대칭 패턴을 생성하는 방법이다.
도 4와 같이 원통형 원본 금형의 패턴과 대칭되는 대칭 패턴을 생성하는 방법으로, 도 4는 평판(424)과 원통형 원본 금형(420) 사이에 인쇄롤(400)이 위치했지만, 도 5는 평인쇄롤(500)과 평판(424) 사이에 원통형 원본 금형(520)을 위치하도록 하여 원통형 원본 금형(520)의 패턴(522)이 평판(524)에 직접 인쇄될 수 있도록 한다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 원통 금형에 노광 공정을 이용하여 패턴을 복제하는 방법의 공정도이다. 도 6을 참조하면, 패턴을 복제함에 있어서, 평판의 패턴을 원통형 복제 금형에 패턴을 생성하는 방법이다.
원형 금형이 아닌 평판(620)에 형성된 패턴(622)을 원통형 복제 금형(610)에 복제하기 위해 평판(620)에 형성된 패턴(622)에 잉크를 도포하고, 원통형 복제 금형(610)이 평판(620) 위에 위치하여 회전하면서 패턴(622)을 복제한다. 이때, 원통형 복제 금형(610)에는 감광제가 균일하게 도포되어 있는 상태이다.
원통형 복제 금형(610)에 패턴(622)이 복제되면 도 1과 같이 노광(630), 현상(640), 식각(650) 공정을 통해 패턴이 생성된다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 식각 공정의 공정도이다. 도 7을 참조하면, 원통형 복제 금형(710)에 패턴(740)이 복제되면 노광(730) 공정을 거치게 된다.
원통형 복제 금형(710)에 감광제가 도포되어 있는 상태에서 노광(730) 공정으로 인하여 원통형 복제 금형(710)에 패턴(740)이 인쇄된 부분은 경화되고, 패턴(740)이 인쇄되지 않은 부분은 UV에 의해 반응이 일어나게 된다. 이때, 반응이 일어난 부분을 정교하게 식각(720)하도록 한다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 식각 공정을 위한 ICP 공정 챔버를 나타낸 도면이다.
도 1에서 도 6에 패턴을 생성하는 방법에서 식각 공정은 플라즈마를 이용하여 건식 식각을 하는 것이 바람직하다. 도 8은 내장형 안테나를 갖는 유도형 결합 플라즈마(Inductively Coupled Plasma, 이하 'ICP'라고 칭함) 공정 챔버(800)이다.
유도형 결합 플라즈마 공정 챔버(800)는 접지와 연결되며 도전체로 이루어진 진공 챔버(800)의 외벽(805), 외벽(805)과 절연 연결된 지지 수단(810) 및 지지 수단(810)에 장착되는 원통형 복제 금형(820)을 포함한다.
유도형 결합 플라즈마 공정 챔버(800)를 이용하여 원통형 복제 금형(820)을 식각하며, 나노 단위까지 식각이 가능하다.
원통형 복제 금형(820)은 전도성 물질로 구성될 수 있으며, 원통형 복제 금형(820)의 일측은 임피던스 매칭 네트워크(815)를 통하고, 타측은 종단 커패시터(830)을 통하여 RF 전원(825)에 연결된다. 이를 통해 음성적인 RF 자기 바이어스는 플라즈마(835) 방전 시 원통형 복제 금형(820)의 표면에 걸리게 된다. 이때, RF 전원(825)의 주파수는 안테나-기판에 따라 정상파 효과와 전송 라인 효과가 최소가 되도록 선택할 수 있다.
또한, 절연 연결된 지지 수단(810)은 정상파 효과로 인한 방전 전압을 피하기 위하여 접지 연결될 수도 있다.
원통형 복제 금형(820) 내부에 소정 온도의 유체(840)를 통과시킴으로써, 원통형 복제 금형(820) 온도를 조절할 수 있으며, 원통형 복제 금형(820)의 내부는 진공 밀봉을 통하여 공정 챔버와 서로 분리된다(845).
원통형 복제 금형(820)을 식각하는 과정은 임피던스 매칭 네트워크(815)를 통하여 원통형 복제 금형(820)에 RF 전력이 인가되고, RF 전력에 공진이 발생하여 공정 챔버(800) 내에 플라즈마(835)가 형성된다.
원통형 복제 금형(820)에 이온과 전자의 이동 차이에 의하여 음성적 직류전원 자기 바이어스가 형성되고, 형성된 플라즈마(835) 내의 이온의 가속을 이용하여 원통형 복제 금형(820)을 식각한다.
본 발명은 이상에서 살펴본 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기한 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능할 것이다.
110, 210, 310, 410, 610,710,820 : 원통형 복제 금형
120, 220, 320, 420, 520 : 원통형 원본 금형
100, 200, 400, 500 : 인쇄롤
800 : 유도형 결합 플라즈마 공정 챔버 805 : 외벽
810 : 지지 수단 815 : 임피던스 매칭 네트워크
825 : RF 전원 830 : 종단 커패시터
835 : 플라즈마

Claims (11)

  1. 금형에 노광 공정을 이용하여 패턴을 복제하는 방법에 있어서,
    원통형 원본 금형의 패턴에 잉크를 도포하는 제 1단계;
    감광제가 균일하게 도포된 원통형 복제 금형에 상기 원통형 원본 금형의 패턴에 도포된 잉크가 인쇄되어 패턴을 생성하는 제 2단계;
    상기 원통형 복제 금형을 UV 노광 및 현상하는 제 3단계; 및
    상기 원통형 복제 금형을 식각하는 제 4단계
    를 포함하며
    상기 제1단계에서 상기 원통형 원본 금형 측면에 인쇄롤이 위치하여 상기 인쇄롤에 도포되는 잉크가 상기 원통형 원본 금형의 회전을 통해 균일하게 도포되고 상기 잉크를 도포하는 것은 상기 잉크를 도포하는 시작점과 끝점을 인식하여 도포되는 상기 잉크의 양을 제어하는 것을 더 포함하는 원통 금형에 노광 공정을 이용하여 패턴을 복제하는 방법.
  2. 삭제
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1단계에서 상기 원통형 원본 금형을 기준으로 양측면에 상기 인쇄롤과 상기 원통형 복제 금형이 위치하여 맞닿게 회전하는 것을 특징으로 하는 원통 금형에 노광 공정을 이용하여 패턴을 복제하는 방법.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1단계에서 상기 인쇄롤을 기준으로 양측면에 상기 원통형 원본 금형과 상기 원통형 복제 금형이 위치하여 맞닿게 회전하는 것을 특징으로 하는 원통 금형에 노광 공정을 이용하여 패턴을 복제하는 방법.
  5. 삭제
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 제 4단계는 유도형 결합 플라즈마를 이용하여 건식 식각을 하는 것을 특징으로 하는 원통 금형에 노광 공정을 이용하여 패턴을 복제하는 방법.

  7. 금형에 노광 공정을 이용하여 패턴을 복제하는 방법에 있어서,
    원통형 원본 금형의 패턴에 잉크를 도포하고, 상기 원통형 원본 금형의 회전으로 인하여 평판에 상기 패턴을 생성하는 제 1단계;
    상기 평판에 생성된 패턴을 감광제가 균일하게 도포된 원통형 복제 금형이 회전하면서 인쇄하여 패턴을 생성하는 제 2단계;
    상기 원통형 복제 금형을 UV 노광 및 현상하는 제 3단계; 및
    상기 원통형 복제 금형을 식각하는 제 4단계
    를 포함하며
    상기 제 1단계에서 상기 원통형 원본 금형 하측에 인쇄롤을 구성하고, 상기 원통형 원본 금형과 상기 인쇄롤이 맞닿아 회전하면서 상기 원통형 원본 금형의 패턴을 상기 인쇄롤을 통하여 상기 평판에 인쇄하고, 상기 잉크를 도포하는 것은 상기 잉크를 도포하는 시작점과 끝점을 인식하여 도포되는 상기 잉크의 양을 제어하는 것을 더 포함하는 원통 금형에 노광 공정을 이용하여 패턴을 복제하는 방법.
  8. 삭제
  9. 제 7항에 있어서,
    상기 제 1단계에서 상기 원통형 원본 금형 상측에 인쇄롤을 구성하여 상기 인쇄롤에 잉크를 도포하고, 상기 원통형 원본 금형과 맞닿아 회전하면서 상기 원통형 원본 금형에 잉크를 도포하는 것을 더 포함하는 원통 금형에 노광 공정을 이용하여 패턴을 복제하는 방법.
  10. 삭제
  11. 제 7항에 있어서,
    상기 제 4단계는 유도형 결합 플라즈마를 이용하여 건식 식각을 하는 것을 특징으로 하는 원통 금형에 노광 공정을 이용하여 패턴을 복제하는 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR101658956B1 (ko) * 2014-09-05 2016-09-23 한국기계연구원 필름 마스크를 이용한 롤제판 제작방법
KR101658955B1 (ko) * 2014-09-05 2016-09-30 한국기계연구원 롤제판 제작방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030013988A (ko) * 2001-08-10 2003-02-15 주식회사 알티즌 인쇄 형판 제작 시스템 및 그 제조방법
JP2005246712A (ja) * 2004-03-03 2005-09-15 Hitachi Chem Co Ltd レジストパターン形成法、電子部品の製造方法、および電子部品
KR20050114968A (ko) * 2004-06-02 2005-12-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 패턴형성을 위한 인쇄장치 및 이를 이용한 패턴형성방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030013988A (ko) * 2001-08-10 2003-02-15 주식회사 알티즌 인쇄 형판 제작 시스템 및 그 제조방법
JP2005246712A (ja) * 2004-03-03 2005-09-15 Hitachi Chem Co Ltd レジストパターン形成法、電子部品の製造方法、および電子部品
KR20050114968A (ko) * 2004-06-02 2005-12-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 패턴형성을 위한 인쇄장치 및 이를 이용한 패턴형성방법

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