KR101381985B1 - Method for fabricating a vertical light emitting device - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판위에 제 1 도전성 반도체층, 활성층 및 제 2 도전성 반도체층을 포함하는 화합물 반도체층을 형성하는 단계와, 상기 화합물 반도체층위에 메탈을 도금하는 단계와, 상기 기판에 레이저를 조사하여 상기 화합물 반도체층으로부터 상기 기판을 분리하는 단계와, 상기 메탈위에 리셉터를 본딩하는 단계와, 상기 화합물 반도체층위에 전극을 형성하는 단계와, 상기 리셉터를 분리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광소자 제조 방법을 제공한다.The present invention provides a method of forming a compound semiconductor layer including a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer on a substrate, plating a metal on the compound semiconductor layer, and irradiating a laser to the substrate. Separating the substrate from the compound semiconductor layer, bonding a receptor on the metal, forming an electrode on the compound semiconductor layer, and separating the receptor. Provided is a device manufacturing method.

반도체층, LED, 발광소자, LLO, 웨이퍼본딩, 도금 Semiconductor layer, LED, light emitting device, LLO, wafer bonding, plating

Description

수직형 발광소자 제조 방법{METHOD FOR FABRICATING A VERTICAL LIGHT EMITTING DEVICE}Vertical light emitting device manufacturing method {METHOD FOR FABRICATING A VERTICAL LIGHT EMITTING DEVICE}

본 발명은 수직형 발광소자 제조에 관한 것으로, 상세하게는 수직형 발광소자의 제조시에 도금(plating) 방식과 웨이퍼 본딩(wafer bonding) 방식을 함께 사용하여 반도체층의 물리적 손상을 최소화하면서 공정성 및 생산성을 향상시킨 수직형 발광소자 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to the manufacture of a vertical light emitting device, and more particularly, by using a plating method and a wafer bonding method in manufacturing a vertical light emitting device, processability and The present invention relates to a vertical light emitting device manufacturing method having improved productivity.

III-V족 화합물 반도체는 고속 및 고온 전자제품들, 광 방출기 및 광 검출기 등의 응용제품들에서 우수한 성능을 제공한다. 특히, 질화물 화합물 반도체에 포함되어 있는 갈륨 나이트라이드(GaN)는 청색 레이저 및 청색 파장의 스펙트럼을 방출하는 발광 다이오드에 요구되는 밴드갭을 가지고 있어, 이에 대한 연구가 많이 진행되어 왔으며, 그 사용이 증가하고 있다. 또한, 알루미늄 나이트라이드(AlN), 인디움 나이트라이드(InN) 및 갈륨 나이트라이드(GaN)의 얼로이(alloy)는 가시영역 전범위에 걸친 스펙트럼을 제공하여 다양한 발광소자에 사용된다.Group III-V compound semiconductors provide superior performance in applications such as high speed and high temperature electronics, light emitters and photo detectors. In particular, gallium nitride (GaN) included in nitride compound semiconductors has a bandgap required for a blue laser and a light emitting diode emitting a blue wavelength spectrum. Doing. In addition, alloys of aluminum nitride (AlN), indium nitride (InN), and gallium nitride (GaN) are used in various light emitting devices by providing a spectrum over the entire visible region.

일반적으로, 발광소자는 제 1 도전형 반도체층과 제 2 도전형 반도체층 및 이들 반도체층 사이에 개재된 활성층을 갖는 발광 다이오드를 구비한다. 활성층에 서 전자와 정공의 재결합에 의해 광이 발생되어 외부로 방출된다.In general, a light emitting device includes a light emitting diode having a first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer, and an active layer interposed between these semiconductor layers. Light is generated by the recombination of electrons and holes in the active layer and emitted to the outside.

최근, 전자와 정공의 재결합 거리를 단축하여 발광 다이오드 내에서 에너지 손실을 감소시키기 위한 수직형 발광소자(vertical LED)가 개시된 바 있다.Recently, vertical LEDs have been disclosed to shorten the recombination distance between electrons and holes to reduce energy loss in light emitting diodes.

종래에 이러한 수직형 발광소자를 제작하는 방법에는 일반적으로 웨이퍼 본딩 방식에 의한 방법과 도금 방식에 의한 방법이 있다.Conventionally, there is a method of fabricating such a vertical light emitting device by a wafer bonding method and a plating method.

웨이퍼 본딩 방식에 의한 수직형 발광 소자의 제조방법은 도 1a 내지 도 1e에 도시된 바와 같이 기판(11)위에 버퍼층, 언도프트 반도체층, 제 1 반도체층, 활성층, 제 2 반도체층을 포함하는 화합물 반도체층(12)을 형성하고(도 1a), 그 위에 오믹 전극층(13)을 형성한다(도 1b). 이후, 오믹 전극층(13)위에 웨이퍼(14)를 본딩한 후(도 1c), LLO(Laser lift Off) 기법에 의해 기판(11)에 레이저를 조사함으로써 버퍼층을 분해하여 기판(11)을 분리해내고(도 1d), 전극(15)을 형성한다(도 1e).A method of manufacturing a vertical light emitting device by a wafer bonding method includes a compound including a buffer layer, an undoped semiconductor layer, a first semiconductor layer, an active layer, and a second semiconductor layer on a substrate 11 as shown in FIGS. 1A to 1E. The semiconductor layer 12 is formed (FIG. 1A), and the ohmic electrode layer 13 is formed thereon (FIG. 1B). After bonding the wafer 14 onto the ohmic electrode layer 13 (FIG. 1C), the buffer layer is decomposed by irradiating a laser onto the substrate 11 by a laser lift off (LLO) technique to separate the substrate 11. Fig. 1D, the electrode 15 is formed (Fig. 1E).

그러나, 이와 같이 웨이퍼 본딩 방식을 이용하여 수직형 발광소자를 제작하는 경우 LLO(Laser lift Off) 공정시 기판(11)과 화합물 반도체층(12)사이에 발생한 충격파를 완충시켜 주는 층이 존재하지 않아 화합물 반도체층에 크랙이 발생하는 등의 물리적인 손상이 많이 발생된다.However, when manufacturing a vertical light emitting device using the wafer bonding method as described above, there is no layer for buffering shock waves generated between the substrate 11 and the compound semiconductor layer 12 during the laser lift off (LLO) process. Many physical damages such as cracking occur in the compound semiconductor layer.

한편, 도금 방식에 의한 수직형 발광 소자의 제조방법은 도 2a 내지 도 2e에 도시된 바와 같이 기판(21)위에 버퍼층, 언도프트 반도체층, 제 1 반도체층, 활성층, 제 2 반도체층을 포함하는 화합물 반도체층(22)을 형성하고(도 2a), 그 위에 오믹 전극층(23)을 형성한다(도 2b). 이후, 오믹 전극층(23)위에 메탈(24)을 도금 한 후(도 2c), LLO(Laser lift Off) 기법에 의해 기판(21)에 레이저를 조사함으로써 버퍼층을 분해하여 기판(21)을 분리해 낸다(도 2d). 이후 전극을 형성하는 공정을 수행하게 된다.Meanwhile, a method of manufacturing a vertical light emitting device by a plating method includes a buffer layer, an undoped semiconductor layer, a first semiconductor layer, an active layer, and a second semiconductor layer on a substrate 21 as shown in FIGS. 2A to 2E. The compound semiconductor layer 22 is formed (FIG. 2A), and the ohmic electrode layer 23 is formed thereon (FIG. 2B). Thereafter, after plating the metal 24 on the ohmic electrode layer 23 (FIG. 2C), the substrate 21 is separated by decomposing the buffer layer by irradiating a laser onto the substrate 21 by a laser lift off (LLO) technique. (Fig. 2d). Thereafter, a process of forming an electrode is performed.

이와 같이 도금 방식을 이용하여 수직형 발광소자를 제작하는 경우 LLO(Laser lift Off) 공정시 도금된 메탈(24)이 완충 역할을 하여 화합물 반도체층(22)에 물리적 손상을 완화시켜 준다. 그러나, 기판(21)을 제거한 후 도금된 메탈(24)과 화합물 반도체층(22) 및 오믹 전극층(23)사이의 열팽창 계수 차로 인하여 도 2e에 도시된 바와 같이 화합물 반도체층(22)의 휨이 심해서 후속 공정을 수행하는데 불편한 문제점이 있다.When manufacturing a vertical light emitting device using the plating method as described above, the plated metal 24 serves as a buffer during the laser lift off (LLO) process, thereby alleviating physical damage to the compound semiconductor layer 22. However, due to the difference in thermal expansion coefficient between the plated metal 24 and the compound semiconductor layer 22 and the ohmic electrode layer 23 after the substrate 21 is removed, the warpage of the compound semiconductor layer 22 is reduced as shown in FIG. 2E. There is a problem in that it is inconvenient to carry out subsequent processes.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 수직형 발광소자의 제조시, 종래에 기판을 분리할 때 발생될 수 있는 화합물 반도체층의 손상 및 휨현상을 최소화하는데 있다.The technical problem to be achieved by the present invention is to minimize the damage and warpage of the compound semiconductor layer that may occur when the substrate is conventionally separated in the manufacture of the vertical light emitting device.

이러한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일측면에 의하면, 기판위에 제 1 도전성 반도체층, 활성층 및 제 2 도전성 반도체층을 포함하는 화합물 반도체층을 형성하는 단계와, 상기 화합물 반도체층위에 메탈을 도금하는 단계와, 상기 기판에 레이저를 조사하여 상기 화합물 반도체층으로부터 상기 기판을 분리하는 단계와, 상기 메탈위에 리셉터를 본딩하는 단계와, 상기 화합물 반도체층위에 전극을 형성하는 단계와, 상기 리셉터를 분리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광소자 제조 방법을 제공한다.According to an aspect of the present invention for achieving the above technical problem, the step of forming a compound semiconductor layer comprising a first conductive semiconductor layer, an active layer and a second conductive semiconductor layer on a substrate, and plating a metal on the compound semiconductor layer Irradiating a laser to the substrate, separating the substrate from the compound semiconductor layer, bonding a receptor on the metal, forming an electrode on the compound semiconductor layer, and separating the receptor. It provides a vertical light emitting device manufacturing method comprising the step of.

상기 메탈은 5 - 50㎛의 두께를 가지는 것을 특징으로 한다.The metal is characterized in that it has a thickness of 5-50㎛.

상기 리셉터는 반도체 기판 또는 금속 기판인 것을 특징으로 한다.The receptor is characterized in that the semiconductor substrate or a metal substrate.

본 발명에 의하면, 수직형 발광소자를 제작할 때 제 1 도전성 반도체층, 활성층 및 제 2 도전성 반도체층으로 이루어지는 화합물 반도체층을 형성한 다음 제 2 도전성 반도체층위에 투명 전도막을 이용하여 요철이 형성된 전도성 기판을 본딩함으로써, 기판에 레이저를 조사하여 화합물 반도체층으로부터 기판을 분리할 때 제 2 도전성 반도체층위에 본딩된 전도성 기판이 반도체층을 지지해줌으로써 화합물 반도체층이 휘는 것을 방지할 수 있다.According to the present invention, when fabricating a vertical light emitting device, a compound semiconductor layer comprising a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer is formed, and then a conductive substrate having irregularities formed on the second conductive semiconductor layer by using a transparent conductive film. By bonding to the substrate, when the laser is irradiated to the substrate to separate the substrate from the compound semiconductor layer, the conductive substrate bonded on the second conductive semiconductor layer supports the semiconductor layer, thereby preventing the compound semiconductor layer from bending.

또한, 제 2 도전성 반도체층위에 본딩된 전도성 기판이 전도성을 가짐에 따라 전도성 기판에 그대로 전원을 공급하기 위한 전극으로 사용할 수 있음에 따라 종래에 전극을 형성하기 위한 별도의 공정을 수행할 필요가 없게 된다.In addition, as the conductive substrate bonded on the second conductive semiconductor layer has conductivity, the conductive substrate may be used as an electrode for supplying power to the conductive substrate as it is, thus eliminating the need to perform a separate process for forming an electrode. do.

아울러, 전도성 기판에 형성된 요철면을 통해 활성층에서 발생된 광을 효율적으로 반사시켜 외부로 방출시킬 수 있음에 따라 광추출율을 개선할 수 있다.In addition, the light extraction rate can be improved by efficiently reflecting the light generated from the active layer through the uneven surface formed on the conductive substrate to be emitted to the outside.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시예는 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되어지는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되어 지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 층 및 영역의 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The following embodiments are provided as examples to ensure that the spirit of the invention to those skilled in the art will fully convey. Accordingly, the invention is not limited to the embodiments described below and may be embodied in other forms. In the drawings, lengths, thicknesses, and the like of layers and regions may be exaggerated for convenience. Like reference numerals designate like elements throughout the specification.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 수직형 발광소자의 제조 공정을 설명하기 위한 공정 순서도이고, 도 4a 내지 도 4f은 그 제조 공정에 따른 공정 단면도이다. 여기에서는 수직형 발광소자중에서 질화물 반도체 소자를 제조 공정을 설명하도록 한다.3 is a flowchart illustrating a manufacturing process of a vertical light emitting device according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIGS. 4A to 4F are cross-sectional views illustrating a manufacturing process thereof. Here, the manufacturing process of the nitride semiconductor device among the vertical light emitting devices will be described.

도 3 및 도 4a를 참조하면, 질화물 반도체층을 형성하기 위한 공정 챔버(미도시됨)내에 기판(100)을 준비한다(S1). 기판(110)은 그 위에 형성될 질화물 반도체층과 유사한 격자상수를 갖는다. 3 and 4A, a substrate 100 is prepared in a process chamber (not shown) for forming a nitride semiconductor layer (S1). The substrate 110 has a lattice constant similar to that of the nitride semiconductor layer to be formed thereon.

예를 들면, 사파이어(Al2O3), 실리콘(Si), 스피넬(spinel), 탄화실리콘(SiC), 산화아연(ZnO), 갈륨비소(GaAs), 갈륨인(GaP), 리튬-알루미나(LiAl2O3), 질화붕소(BN), 질화알루미늄(AlN) 또는 질화갈륨(GaN) 기판일 수 있으며, 기판(100) 상에 형성될 반도체층의 물질에 따라 선택될 수 있다. 질화갈륨계 반도체층을 형성할 경우, 상기 기판은 사파이어 또는 탄화실리콘(SiC) 기판이 주로 사용되고 있다.For example, sapphire (Al2O3), silicon (Si), spinel, silicon carbide (SiC), zinc oxide (ZnO), gallium arsenide (GaAs), gallium phosphorus (GaP), lithium-alumina (LiAl2O3), It may be a boron nitride (BN), aluminum nitride (AlN), or gallium nitride (GaN) substrate, and may be selected according to the material of the semiconductor layer to be formed on the substrate 100. When forming a gallium nitride based semiconductor layer, a sapphire or silicon carbide (SiC) substrate is mainly used as the substrate.

이어서, 상기 기판(110) 상에 반도체층(120) 및 오믹 전극층(미도시됨)을 형성한다(S2). 반도체층(120)은 하부 반도체층, 활성층 및 상부 반도체층을 포함한다. 또한, 하부 반도체층을 형성하기 전, 기판(110) 상에 버퍼층이 형성될 수 있다.Subsequently, a semiconductor layer 120 and an ohmic electrode layer (not shown) are formed on the substrate 110 (S2). The semiconductor layer 120 includes a lower semiconductor layer, an active layer, and an upper semiconductor layer. In addition, before the lower semiconductor layer is formed, a buffer layer may be formed on the substrate 110.

버퍼층은 기판(110)과 그 위에 형성될 반도체층(120)의 격자부정합을 완화하기 위해 형성되며, 예컨대 질화갈륨(GaN) 또는 질화알루미늄(AlN)으로 형성될 수 있다. 상기 기판(220)이 도전성 기판인 경우, 상기 버퍼층은 절연층 또는 반절연층으로 형성되는 것이 바람직하며, AlN 또는 반절연 GaN로 형성될 수 있다.The buffer layer is formed to mitigate lattice mismatch between the substrate 110 and the semiconductor layer 120 to be formed thereon, and may be formed of, for example, gallium nitride (GaN) or aluminum nitride (AlN). When the substrate 220 is a conductive substrate, the buffer layer is preferably formed of an insulating layer or a semi-insulating layer, and may be formed of AlN or semi-insulating GaN.

하부 반도체층, 활성층 및 상부 반도체층은 각각 질화갈륨 계열의 반도체 물질 즉, (B, Al, In, Ga)N로 형성될 수 있다. 상기 하부 및 상부 반도체층 및 활성층 금속유기화학기상증착(MOCVD), 분자선 성장(molecular beam epitaxy) 또는 수소화물 기상 성장(hydride vapor phase epitaxy; HVPE) 기술 등을 사용하여 단속적으로 또는 연속적으로 성장될 수 있다.The lower semiconductor layer, the active layer, and the upper semiconductor layer may be formed of a gallium nitride-based semiconductor material, that is, (B, Al, In, Ga) N, respectively. The lower and upper semiconductor and active layers can be grown intermittently or continuously using metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), molecular beam epitaxy or hydride vapor phase epitaxy (HVPE) techniques. have.

여기서, 상기 하부 및 상부 반도체층들은 각각 n형 및 p형, 또는 p형 및 n형이다. 질화갈륨 계열의 화합물 반도체층에서, n형 반도체층은 불순물로 예컨대 실리콘(Si)을 도핑하여 형성될 수 있으며, p형 반도체층은 불순물로 예컨대 마그네슘(Mg)을 도핑하여 형성될 수 있다. 상부 반도체층위에 오믹 전극층을 형성한다.Here, the lower and upper semiconductor layers are n-type and p-type, or p-type and n-type, respectively. In the gallium nitride-based compound semiconductor layer, the n-type semiconductor layer may be formed by doping silicon (Si) as an impurity, for example, and the p-type semiconductor layer may be formed by doping magnesium (Mg) as an impurity. An ohmic electrode layer is formed on the upper semiconductor layer.

도 3 및 도 4b를 참조하면, 이후 반도체층(120)위에 메탈(130)을 도금한다(S3). 이때, 도금되는 메탈(130)의 두께는 5㎛ 이상이 좋다. 바람직하게는 5 - 50㎛가 좋다.Referring to FIGS. 3 and 4B, the metal 130 is plated on the semiconductor layer 120 (S3). At this time, the thickness of the metal 130 to be plated is preferably 5㎛ or more. Preferably 5-50 micrometers is good.

도 3 및 도 4c를 참조하면 메탈(130)이 도금된 후 LLO(Laser lift Off) 공정을 통해 기판(110) 방향으로 레이저를 조사하여 기판(110)을 분리하여 제거한다(S4).3 and 4C, after the metal 130 is plated, the substrate 110 is separated and removed by irradiating a laser toward the substrate 110 through a laser lift off (LLO) process (S4).

이때, 레이저는 기판(110)의 에너지 밴드갭 보다 작은 에너지를 갖고, 버퍼 층의 에너지 밴드갭보다 큰 에너지를 갖도록 선택된다. At this time, the laser is selected to have an energy smaller than the energy bandgap of the substrate 110 and to have an energy larger than the energy bandgap of the buffer layer.

기판(110)쪽에서 레이저를 조사하면 기판(110)이 투광성 기판이므로, 기판(110)과 버퍼층의 계면에서 흡수된 에너지에 의해 버퍼층이 분해(decomposition)되어 기판(110)이 분리된다. 분리된 반도체층(120)의 하부면은 세정될 수 있다. 이에 따라, 반도체층(120)로부터 기판(110)의 분리가 완료된다. LLO(Laser lift Off) 공정시 반도체층(120)위에 도금된 메탈(130)이 완충 역할을 하여 반도체층(120)의 물리적 손상을 완화시켜 준다.When the laser is irradiated from the substrate 110, since the substrate 110 is a light transmissive substrate, the buffer layer is decomposed by energy absorbed at the interface between the substrate 110 and the buffer layer to separate the substrate 110. The lower surface of the separated semiconductor layer 120 may be cleaned. Accordingly, separation of the substrate 110 from the semiconductor layer 120 is completed. In the laser lift off (LLO) process, the metal 130 plated on the semiconductor layer 120 serves as a buffer to mitigate physical damage of the semiconductor layer 120.

도 3 및 도 4d를 참조하면, 기판(110)을 분리하여 낸 후 도금된 메탈(130)위에 웨이퍼 본딩을 이용하여 리셉터(140)을 본딩한다(S5). 리셉터(140)는 Si, Ge, GaAs 등과 같은 기판을 이용할 수 있다. 그 외에도 리셉터(140)는 W, W 합금, Mo, Cu, Cu 합금 등과 같은 금속 기판을 이용할 수 있다. 메탈(130)위에 리셉터(140)가 본딩되어 견고하게 지지해줌으로 인해 후속 공정을 수행할 때 반도체층(120)이 휘는 것을 막을 수 있다.3 and 4D, after removing the substrate 110, the receptor 140 is bonded onto the plated metal 130 using wafer bonding (S5). The receptor 140 may use a substrate such as Si, Ge, GaAs, or the like. In addition, the receptor 140 may use a metal substrate such as W, W alloy, Mo, Cu, Cu alloy, or the like. Since the receptor 140 is firmly supported on the metal 130 to be firmly supported, the semiconductor layer 120 may be prevented from bending when the subsequent process is performed.

도 3 및 도 4e를 참조하면, 하부 반도체층의 일면을 노출시키고 노출된 일면에 전극 패드(150)을 형성한다(S6). 이후, 본딩된 리셉터(140)를 제거하면(S7) 도 4f에 도시된 바와 같이 완성된다.3 and 4E, one surface of the lower semiconductor layer is exposed and an electrode pad 150 is formed on the exposed one surface (S6). Subsequently, removing the bonded receptor 140 (S7) is completed as shown in FIG. 4F.

이상의 본 발명은 상기에 기술된 실시예들에 의해 한정되지 않고, 당업자들에 의해 다양한 변형 및 변경을 가져올 수 있으며, 이는 첨부된 청구항에서 정의되는 본 발명의 취지와 범위에 포함된다.The invention being thus described, it will be obvious that the same way may be varied in many ways. Such modifications are intended to be within the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims.

도 1a 내지 도 1e는 종래의 웨이퍼 본딩 방식에 의한 수직형 발광 소자의 제조방법을 설명하기 위한 도면이다.1A to 1E are views for explaining a method of manufacturing a vertical light emitting device by a conventional wafer bonding method.

도 2a 내지 도 2e는 종래의 도금 방식에 의한 수직형 발광 소자의 제조방법을 설명하기 위한 도면이다.2A to 2E are views for explaining a method of manufacturing a vertical light emitting device by a conventional plating method.

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 수직형 발광소자의 제조 공정을 설명하기 위한 공정 순서도이다.3 is a flowchart illustrating a manufacturing process of a vertical light emitting device according to an embodiment of the present invention.

도 4a 내지 도 4f은 도 3의 제조 공정에 따른 공정 단면도이다.4A to 4F are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of FIG. 3.

Claims (9)

기판위에 제 1 도전성 반도체층, 활성층 및 제 2 도전성 반도체층을 포함하는 화합물 반도체층을 형성하는 단계와,Forming a compound semiconductor layer comprising a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer on the substrate; 상기 화합물 반도체층위에 메탈층을 형성하는 단계와,Forming a metal layer on the compound semiconductor layer; 상기 기판에 레이저를 조사하여 상기 화합물 반도체층으로부터 상기 기판을 분리하는 단계와,Irradiating the substrate with a laser to separate the substrate from the compound semiconductor layer; 상기 메탈층 상에 리셉터를 본딩하는 단계와,Bonding a receptor onto the metal layer; 상기 화합물 반도체층위에 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광소자 제조 방법.And forming an electrode on the compound semiconductor layer. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 화합물 반도체층 위에 전극을 형성하는 단계 이후,After forming an electrode on the compound semiconductor layer, 상기 리셉터를 상기 메탈층으로부터 분리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광소자 제조 방법.The method of claim 1, further comprising the step of separating the receptor from the metal layer. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 메탈층 상에 리셉터를 본딩하는 단계는 상기 기판을 분리하는 단계 이후에 수행되는 것을 특징으로 하는 수직형 발광소자 제조 방법.Bonding the receptor on the metal layer is performed after the separating of the substrate. 청구항 3에 있어서,The method of claim 3, 상기 기판은 사파이어, 실리콘, 스피넬, 탄화실리콘, 산화아연, 갈륨비소, 갈륨인, 리튬-알루미나, 질화붕소, 질화알루미늄 또는 질화갈륨 중 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광소자 제조 방법.The substrate comprises at least one material of sapphire, silicon, spinel, silicon carbide, zinc oxide, gallium arsenide, gallium phosphide, lithium-alumina, boron nitride, aluminum nitride or gallium nitride Way. 청구항 4에 있어서,The method of claim 4, 상기 기판 위에 화합물 반도체층을 형성하는 단계를 수행하기 전에,Before performing the step of forming a compound semiconductor layer on the substrate, 상기 기판과 기판상에 형성되는 반도체층 사이에 절연층 또는 반절연층으로 이루어지는 버퍼층을 형성하는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광소자 제조 방법.And forming a buffer layer formed of an insulating layer or a semi-insulating layer between the substrate and the semiconductor layer formed on the substrate. 청구항 5에 있어서,The method of claim 5, 상기 리셉터는 반도체 기판 또는 금속 기판인 것을 특징으로 하는 수직형 발광소자 제조 방법.The receptor is a vertical light emitting device manufacturing method, characterized in that the semiconductor substrate or a metal substrate. 청구항 6에 있어서,The method of claim 6, 상기 메탈층은 5 - 50㎛의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자 제조 방법.The metal layer has a thickness of 5 to 50㎛ vertical manufacturing method of the light emitting device. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 기판 위에 화합물 반도체층을 형성하는 단계를 수행하기 전에,Before performing the step of forming a compound semiconductor layer on the substrate, 상기 기판과 기판상에 형성되는 반도체층 사이에 절연층 또는 반절연층으로 이루어지는 버퍼층을 형성하는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광소자 제조 방법.And forming a buffer layer formed of an insulating layer or a semi-insulating layer between the substrate and the semiconductor layer formed on the substrate. 청구항 8에 있어서,The method of claim 8, 상기 기판과 기판상에 형성되는 반도체층을 분리하는 단계는 입사된 레이저 광이 상기 버퍼층에 흡수되는 것에 의해 분리되는 것을 특징으로 하는 수직형 발광소자 제조 방법.The separating of the substrate and the semiconductor layer formed on the substrate is a vertical light emitting device manufacturing method, characterized in that separated by the incident laser light is absorbed in the buffer layer.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20070013291A (en) * 2004-04-28 2007-01-30 버티클 인코퍼레이티드 Vertical structure semiconductor devices
KR20060131327A (en) * 2005-06-16 2006-12-20 엘지전자 주식회사 Method of manufacturing light emitting diode
KR20060079159A (en) * 2006-05-19 2006-07-05 주식회사 이츠웰 Light emitting diode with vertical electrode and manufacturing method of the same

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