KR101381952B1 - 탄소질화물의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 유기 로다나이드를 간단하게 열분해하여 효율적이고 경제적, 생태 친화적 방식으로 탄소질화물을 제공하는 탄소질화물의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 탄소 대 질소 몰비가 약 3:4인 흑연계 탄소질화물의 제조를 달성한다. 이용된 출발 물질은 값싸고 쉽게 제거 및/또는 세척될 수 있다.
유기 로다나이드, 탄소질화물, 티오시안산염

Description

탄소질화물의 제조방법{CARBON NITRIDE PREPARATION METHOD}
본 발명은 비금속성 로다나이드를 간단하고 경제적으로 실현가능한 빙식으로 열분해하여 탄소 대 질소 몰비가 약 3:4인 흑연계 탄소질화물을 제조하는 방법에 관한 것이다. 제조된 탄소질화물은 뛰어난 성질이 있으며 내마모성 및 내부식성 코팅, 전자제품, 광학 코팅 및 다양한 합성재 등의 이용분야들에 사용될 수 있다.
탄소질화물은 β-Si3N4와 유사한 탄소질화물인 β-C3N4이 다이아몬드와 비슷한 경도를 보유할 것이라는 코헨(Cohen)과 동료들의 제안 이래로 상당한 실험적 및 이론적 관심의 집중을 받았다. 이후 계산의 결과들은 다른 결정형 C3N4도 β-C3N4과 안정성이 비슷하거나 더 커서, 이러한 구조의 대부분이 본래 경질일 것이라는 것을 입증했다. C3N4- 구조는 α-, β-, 입방정계, 의사입방정계 및 흑연계 탄소질화물을 포함한다. 또한, C2N2는 화학적 구조가 상이하지만, 탄소질화물이라 불린다.
잠재적으로 초경질의 치밀한 C3N4 구조를 저밀도의 연질 물질과 차이나게 하는 국소적인 구조 성질은 탄소 배위이다. 즉 경질 물질은 C3N4- 망상조직에 사면체형 또는 sp3 결합 탄소를 필요로 하는 반면, sp2 결합 탄소는 더 연성인 물질로 이 어진다. 이와 같이 경질 탄소질화물에 sp3 결합 탄소의 필요성은 무정형 다이아몬드상 탄소(DLC)에서와 전적으로 유사하다[Hu et al., Physical Review B, vol 57, 1997, number 6, pages 3185-3188, Nitrogen-driven sp3 to sp2 transformation in carbon nitride materials].
각종 다이아몬드 코팅처럼, 탄소질화물 코팅도 우수한 내마모성 및 내스크래치성을 보유한다. 또한, 탄소질화물은 내부식성이어서, 전기절연재, 광학 코팅으로서 작용할 수 있고, 무엇보다도 대응하는 DLC 코팅에 의해 수득되는 것보다 현저히 우수한 내열성을 보유한다.
다양한 코팅/박막 이용분야들에서의 양호한 결과는 이미 무정형 CNx- 구조에 의해 달성될 수 있지만, 이러한 성질은 질소 함량, 및 이에 따른 탄소질화물의 결정도가 박막/코팅 구조에서 실현되는 즉시 매우 향상된다.
일반적으로, 현재 산업적으로 생산된 탄소질화물 코팅/박막은 질소 함량이 50% 미만인 무정형이며, 즉 C3N4- 구조가 아니다.
무정형 CNx- 물질은 이의 더욱 용이한 입수가능성으로 인해, 이미 광범위한 이용분야에 사용되고 있다. 예를 들어, 경질 디스크의 보호 오버코트에 가장 널리 사용되는 물질이다[Widlow et al., Brazilian Journal of Physics, 2000, vol 30, no:3, Recent Progress in the synthesis and characterization of amorphous and crystalline carbon nitride coatings]. 이러한 막은 일반적으로 순수 질소 중에서 흑연을 절제하여 다양한 막 침착법에 의해 생산하며, 수득되는 막은 무정형 탄소질 화물을 포함하여 기존 코팅보다 수배 이상 우수한 내마모 성능을 보유한다.
탄소질화물 코팅/박막을 생산하기 위한 다른 노력들은 레이저 절제, 유도 결합 플라즈마 화학증착법, 용매열 합성법 뿐만 아니라 유기 액체로부터의 전착법에 의해 이루어졌다. 보고서들의 대부분은 무정형 CNx 의 핵형성 및 성장, 즉 고형 박막이 생긴다는 것을 보고한다. 일반적으로, 이러한 연구들에서 생산된 물질은 질소 함량이 50% 미만인 무정형이며, 즉 C3N4- 구조가 아니었다.
앞에서 언급한 막 침착 기술로 탄소질화물 막의 결정화도 및 질소 함량을 증가시키기 위해, 질소 풍부한 탄소질화물을 분말 형태로 제조하는 중대한 시도가 이루어졌다. 이러한 전구체 물질은 본래 탄소:질소 비가 3:4이고 일반적으로 C3N4 탄소질화물과 유사한 탄소-질소 결합을 보유하여, 바람직하다.
현재, 탄소질화물을 생산하는 방법 중에서 실제 관심을 받는 것은 화학 물질 또는 혼합물의 열화학분해(열분해)에 의한 방법이다.
공지된 C3N4 생산방법은 멜라민 (C3N3)(NH2)3와 시아누릭 클로라이드(C3N3)Cl3을 반응기에 넣고, 추가 가열하여 최종 산물인 C3N4를 생산하는 것을 포함한다.
전술한 방법의 결함은 상기 방법이 부산물인 H2 및 HCN의 형성을 방지하지 못한다는 사실이다. 이것은 이 방법의 폭발성 및 독성을 상승시킨다:[Montigaud H., Tanguy B., Demazeau G., Alves I., Courjault S. C3N4: dream or reality? Solvothermal synthesis as macroscopic samples of C3N4 graphitic form// J. of Materials Science. 2000. V.35. pages 2547-2552].
또 다른 공지된 탄소질화물 C3N4의 합성방법도 있다[특허번호 US 6428762]. 시아누릭 클로라이드 (C3N3)Cl3의 분말은 질화리튬 Li3N 분말과 혼합되고, 그 후 혼합물은 반응기에 넣고 밀봉한다. 이 반응기를 통해 질소류를 유입시키고, 그 내용물을 300 내지 400℃까지 가열한 뒤, 특정 시간의 기간 동안 항온처리한다. 임의의 부산물을 제거하기 위해, 만들어 놓은 탄소질화물은 냉각하고 세척한다.
제안된 방법의 단점은 공정이 다단계이고 비용이 많이 들며 최종 산물인 -C3N4의 수율이 낮다는 점이다.
또한, 본 발명의 원형으로 삼은 공지된 C3N4 생산방법이 있다[Dale R. Miller, Jianjun Wang, Edward G. Rapid facile synthesis of nitrogen-rich carbon nitride powders// J. Mater. Chem. 2002. V. 12. P. 2463-2469]. 이 방법은 트리클로르멜라민(C3N3)(NHCl)3을 반응 챔버에 넣은 다음, N2 또는 Ar의 연속류로 불활성 조건을 만든 뒤, 이 기체 환경의 흐름 하에서 T=500℃ 이하의 가열을 수행하는 것을 포함한다. (C3N3)(NHCl)3 → C3N4+X + 3 HCl + (2-x)/2N2 로의 분해 및 C3N4+x(여기서 0.5≤x≤0.8) 생성이 일어난다. 부산물인 기체성 HCl 및 N2는 챔버(반응 챔버) 내의 불활성 기체 흐름에 의해 제거된다. 그 후, 챔버는 10분 동안 냉각되고, 최종 산물은 아세톤으로 세척한 후 T=130℃에서 건조한다. 이 방법은 화학량론적 조성의 C3N4을 수득할 수 없으며, 더욱이 탄소질화물로부터 미량의 수소, 염소 및 산소를 완전하게 제거하는 것이 불가능하다.
UV 광보조 합성법은 탄소원으로서 클로로포름과 같은 알킬 클로라이드와 질소원으로서 소듐 아마이드와 같은 알칼리 금속 아마이드를 반응시켜 목표인 탄소질화물을 제조하는데 사용되었다[Tien-Rong Lu, Cheng-Tzu Kuo, Teng-Ming Chen, Thin Solid Films 308-309(1997), 126-129]. 이 반응은 일련의 펌핑과 여과 공정을 통해 미반응 출발 물질을 분해하는 단계를 수반하고 알칼리 클로라이드 부산물을 제거하기 위한 지루한 공정을 수반한다. 그 다음, 분말 물질은 800℃에서 소결되어 C, N 및 H를 함유하고 질소 대 탄소비가 여전히 0.23인 목표물을 생산한다.
RU2005104194 및 PCT/FI2006/000040(Lappalainen et al.)은 알칼리 금속 로다나이드를 조절된 방식으로 열분해하여 탄소질화물(C3N4)을 생산하는 실행가능한 방법에 대해 기술하고 있다. 하지만, 이 방법은 오로지 알칼리 금속 유래의 출발 물질에만 제한되어, 암모늄 로다나이드와 같은 비금속성 로다나이드는 제외되어 있다.
발명의 개요
공지된 제조방법의 주요 단점은 종종 여러 반응 순서를 포함하는 고가의 위험한 공정이며, 탄소:질소비가 원하는 3:4 비와 거리가 먼 최종 산물의 수율도 보통이라는 점이다. 더욱이, 부산물은 제거하기가 어렵고 세척 공정은 비효과적이며 시간 소모적이다. 예를 들어, 탄소질화물의 생산 시에 알칼리 금속 로다나이드를 이용하면 탄소질화물 산물 자체에 쉽게 남는 각종 알칼리 금속 염의 형성이 일어난 다. 이러한 불순물은 일반적으로 산물의 이용분야에 부정적인 영향을 미친다.
현재 적당한 출발 물질은 범위가 매우 제한되어 있다.
이제, 본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위한 것이다.
본 발명은 탄소 대 질소 비가 약 3:4인 탄소질화물을 제공하기 위해 간단하고 경제적으로 실현가능한 방식으로 비금속성 로다나이드를 열분해하여 탄소질화물을 제조하는 방법에 관한 것이다. 이 방법은 흑연계 탄소질화물을 생산하고, 이는 결과적으로 α-, β-, 입방정계, 의사입방정계, 흑연계 및 무정형의 C3N4를 비롯한 이에 국한되지 않는 여러 화학적, 구조적 형태의 탄소질화물을 제조하는데 사용될 수 있다.
이 탄소질화물은 뛰어난 성질을 보유하여, 내마모성 및 내부식성 코팅, 전자제품, 광학 코팅과 같은 이용분야 및 다양한 합성재에서 금속, 유리 및 중합체 유래 제품의 성질을 향상시키기 위해 사용될 수 있다. 탄소질화물은 첨가제로서, 예컨대 금속, 금속 합금, 여러 종류의 중합체 제품뿐만 아니라 유리 제품에 합성물로서 사용될 수 있다. 이들은 전자제품 및 반도체의 제조, 주방기구 및 의료 장비, 드릴링, 그라인딩 및 폴리싱 제품의 제조, 청색 발광단의 생산, 컴퓨터 하드 디스크의 분사코팅, 금속 가공에 사용되는 고강력 기구의 제조, 태양전지 소재 등에 사용될 수 있다. 또한, 흑연계 탄소질화물은 연료전지 소재로서, 곤란한 상태의 윤활제로서 사용될 수도 있다. 탄소질화물은 열적, 화학적으로 매우 안정한 물질인 바, 정량적 용량으로 이용가능하다면, 화학 공정 장치의 코팅, 크리프 강화, 및 여러 목적의 여러 금속 등급의 마모 및/또는 경도성 개선 등과 같은 많은 새로운 이용분야들에 사용될 수 있을 것이다. 1가지 대표적인 문제는 예컨대 수천년 시간 기간 동안 핵폐기물을 보존할 때의 구리 물질의 크리핑이다.
놀랍게도, 본 발명자들은 암모늄 로다나이드과 같은 비금속성 로다나이드가 당해 로다나이드를 간단하게 열분해함으로써 탄소질화물을 제조하는데 있어서 효과적으로 경제 효율적인 방식으로 이용될 수 있다는 것을 발견했다. 심지어 알칼리 금속 로다나이드의 열분해와 비교할 때에도 수율은 증가하고 생산비는 더 감소된다. 또한, 반응 시에 알칼리 금속 또는 금속 흔적이 형성되지 않기 때문에, 이제 산물은 전술한 부산물을 제거하기 위한 지루한 세척 순서 없이 수득될 수 있다.
이러한 부산물이 존재하는 경우에도 산물의 이용분야에는 심각한 악영향을 미치지 않을 것이다.
공지된 생산방법의 대부분과 비교해 볼 때, 생산비는 비교적 값싼 원료의 사용 및 미리 제조된 최종 산물의 수율 상승으로 인해 10 내지 20 인수(factor) 정도 저하될 수 있다. 또한, 입자형의 탄소질화물을 정량적으로 생산하는 실제 제조방법이 제공된다.
알칼리 금속 로다나이드와 관련하여, 유기 금속 로다나이드의 사용은 방정식 4MeCNS → 2Me2S + C3N4 + CS2 에 따라 화학량론적 조성의 탄소질화물 C3N4과 독성 HCN을 포함하지 않는 불순물의 생성으로 이어지고, 온도 구배를 통해 노의 충전물을 완전히 분해시키고 CS2를 응축시킨다. 반응 공정 중에 함께 생산된 유기 황화물 은 물에 잘 용해되는 바, 순수한 흑연계 탄소질화물의 생산이 보장된다. 노 충전물의 온도 상승률 및 침지 또는 어닐링 시간을 변동시키면 다양한 조성의 흑연계 탄소질화물을 수득하는 것이 가능한 것으로 밝혀졌다. C3N4 중합체 구조의 전반적인 크기가 증가할수록 수소 함량은 감소하고 C:N- 비가 3:4에 가까워진다.
열분해는 형태상 적어도 2개의 연결되고 밀봉된 용기로 제작된 반응기 챔버에서 수행되는 것이 유리하다. 이러한 특징은 밀폐된 용적에서 반응 공정이 이루어지게 하여 전 공정이 생태 친화성이 되게 하고 고순도 및 임의의 부산물의 신속한 제거, 및 CN4 생산비의 저감을 보장한다. 이러한 공정은 쉽게 규모를 증가시킬 수 있고, 비교적 무해한 화학물질로 인해 여러 다른 소재의 반응기가 제조 장치에 사용될 수 있다. 결과적으로, 총 제조비용을 추가로 감소시킨다.
첨부된 도면은 탄소질화물을 제조하기 위한 몇몇 가능한 반응 용기 배열을 도시한 것이다.
도 1의 a는 탄소질화물의 제조에 가능한 일 양태의 반응 용기 배열을 도시한 것이다.
도 1의 b는 탄소질화물의 제조에 가능한 일 양태의 반응 용기 배열을 도시한 것이다.
본 발명은 유기 로다나이드가 열분해되어 탄소질화물을 제공하는 탄소질화물의 제조방법에 관한 것이다. 여기서 열분해란 열에 의해 일어난 화합물의 분해 또는 변형을 의미한다. 여기서, 로다나이드란 티오시안산염/이소티오시안산염(SCN; CNS) 화합물을 의미한다. 여기서, 탄소질화물은 여러 CNx, C2N2 및 특히 C3N4 물질을 의미한다. 여기서, 유기는 비금속성 화합물, 또한 분자 골격에 탄소를 함유하지 않는 화합물을 의미한다. 여기서, 금속은 알칼리 금속을 비롯한 모든 종류의 금속을 의미한다.
본 발명에 따른 방법은 탄소질화물의 제조에 모든 종류의 비금속성 로다나이드의 사용을 가능케 한다. 특히 바람직한 비금속성 로다나이드는 암모늄 로다나이드, NH4SCN이다. 로다나이드는 단독물로서 또는 혼합물로서 이용될 수 있다. 생산률 증가 및/또는 산물 구조 조성의 미세 조정을 위해, 반응은 적당한 촉매에 의해 촉진될 수 있다. 그 예에는 아연 유래의 촉매, 예컨대 염화아연이 있으나, 이에 국한되는 것은 아니다.
열분해는 산소 및/또는 수소의 실질적인 부재 하에 수행되는 것이 바람직하다. 열분해는 산소 및/또는 수소의 완전한 부재 하에 수행되는 것이 가장 바람직하다. 산소의 존재는 산물의 수율을 급격히 저하시키고 수소는 폭발 위험을 증가시킨다.
본 발명의 바람직한 일 양태에서, 이러한 상태는 진공화된 상태에서 열분해를 수행함으로써 달성될 수 있다. 진공화된 상태에서 열분해를 수행할 때, 압력은 기상 불순물을 제거하기 위해 가능하다면 불활성 기체류를 사용하여, 10-1 내지 10-9mmHg 사이, 바람직하게는 10-3 내지 10-7mmHg 사이, 가장 바람직하게는 10-4 내지 10-6mmHg 사이일 수 있다.
본 발명의 다른 바람직한 양태에서, 유기 로다나이드 또는 로다나이드들의 열분해는 고순도 불활성 기체 대기 하에서 수행한다. 이러한 불활성 대기는 질소, 헬륨 또는 아르곤을 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명의 바람직한 제1 양태에서, 열분해는 Tmax ≤ 850℃, Tmin ≤ 상온의 구배 하에 수행한다. 본 발명의 바람직한 제2 양태에서, 열분해는 Tmax ≤ 650℃, Tmin ≤ 상온의 구배 하에 수행한다. 본 발명의 또 다른 바람직한 양태에서, 열분해는 Tmax ≤ 500℃, Tmin ≤ 상온의 구배 하에 수행한다. 일부 경우에, 500℃ 이상으로의 온도의 상승은 C3N4의 부분적인 분해로 이어져 산물의 수율을 저하시킬 수 있는 바, 정당하다고 인정할 수는 없다. 다른 출발 물질은 상이하게 작용하고 다른 온도는 보통 다른 구조의 탄소질화물을 생산할 수 있다. 중합체 크기 및 이에 따른 최종 화합물의 정확한 수소 함량과 C:N- 비는 상이한 온도를 이용하여 조정할 수 있다. 따라서, 본 발명의 범위는 전술한 온도 구배에 제한되지 않는다.
본 발명의 바람직한 일 양태에 따르면, 온도 구배는 거의 챔버 전반에 걸쳐 형성된다. 여기서, 챔버는 열분해가 수행되는 반응기를 의미한다. 본 발명의 바람직한 양태에서, 형성된 CS2 및 휘발성 불순물은 탄소질화물이 본질적으로 없는 반응기 부분에서 본질적으로 응축된다. 암모늄 설파이드와 같은 형성된 유기 설파이드 화합물(암모늄 로다나이드를 이용할 때)은 바람직하게는 최종 산물 C3N4로부터 물에 의해 세척될 수 있다. 반응기는 모양 및 소재에 제한이 없고 여러 금속 등급, 유리, 세라믹 등으로 제조될 수 있다. 2개의 가능한 실험실 규모의 석영 튜브 반응기가 도 1의 a 및 b에 기술되어 있다.
본 발명은 원하는 분자 비의 흑연계 구조를 포함하는 탄소질화물의 제조를 이루어낸다. 이러한 탄소질화물의 탄소 대 질소의 원자비는 약 3:4인 것이 바람직하다.
탄소질화물은 입자형으로 생산되지만, 분말, 박편, 막, 섬유, 포옴, 호일, 마이크로호일, 과립, 절연 와이어, 허니콤브, 분산액, 적층체, 럼프, 메쉬, 금속증착막, 부직 직물, 모노필라멘트, 막대, 시트, 단결정, 구, 튜브, 와이어 및 예컨대 스퍼터링/펄스화된 플라즈마 아크-방전/레이저 절제 목표물로 가공될 수 있다. 이러한 가공에 일반적인 분말 가공 방법, 예컨대 혼합, 정제화 및 소결 기술이 이용될 수 있다.
탄소질화물을 제조하는 본 발명의 방법은 이하에 설명되지만, 본 발명은 여기에 제시된 실시예들에만 제한되는 것은 아니다. 합성 탄소질화물은 X선 분말 회절, 적외선 흡수, 및 캐리어 기체(헬륨)류에서의 환원 용융(reduction melting)과 후속적인 크로마토그래피 분리를 이용하여 확인했다. 원소 분석은 퍼킨 엘 머(Perkin Elmer) 시리즈 II CHNS/O Analyzer 2400을 이용하여 수행했다.
실시예 1
탄소질화물 C3N4을 수득하기 위해, 10.00g 양의 암모늄 로다나이드를 취해, 2개의 연결된 용기로 성형된 석영 유리제 반응 챔버에 넣었다. 이 챔버를 10-4 내지 10-5 mmHg의 압력으로 진공시킨 뒤, 밀봉했다. 이 챔버를 오븐(Carbolite)에 넣고 T=600℃까지 가열한 뒤, 용기를 통해 Tmax = 600℃, Tmin = 상온의 온도 구배를 유지시켰다. 다음과 같은 반응이 12시간 동안 수행되었다:
4 NH4CNS → 2(NH4)2S + C3N4 + CS2
형성된 CS2와 휘발성 불순물은 온도 구배의 존재로 인해 용기 중 하나에서 응축되었다. 이 용기는 제거했다. 암모늄 설파이드 (NH4)2S는 물에 쉽게 용해되는 바, 간단한 세척으로 쉽게 제거했다. 결과적으로, 흑연계 탄소질화물 C3N4이 담갈색 분말로서 수득되었고, 수율은 20%였다. X선 분석에 따르면, 탄소질화물은 탄소-질화물 결합과 당업계에 보고된 바와 유사한 구조를 보유했다. 원소 분석 결과, 다음과 같은 산물의 조성이 확인되었다: C3N4.5H0.9. 황 또는 임의의 다른 원소의 흔적은 존재하지 않았다.
실시예 2
탄소질화물 C3N4을 수득하기 위해, 10.00g 양의 암모늄 로다나이드를 취해, 2개의 연결된 용기로 성형된 석영 유리제 반응 챔버에 넣었다. 이 챔버를 10-3 내지 10-4mmHg의 압력으로 진공시킨 뒤, 밀봉했다. 이 챔버를 오븐(Carbolite)에 넣고 T=650℃까지 가열한 뒤, 용기를 통해 Tmax = 650℃, Tmin = 상온의 온도 구배를 유지시켰다. 다음과 같은 반응이 12시간 동안 수행되었다:
4 NH4CNS → 2(NH4)2S + C3N4 + CS2
형성된 CS2와 휘발성 불순물은 온도 구배의 존재로 인해 용기 중 하나에서 응축되었다. 이 용기는 제거했다. 암모늄 설파이드 (NH4)2S는 물에 쉽게 용해되는 바, 간단한 세척으로 쉽게 제거했다. 결과적으로, 흑연계 탄소질화물 C3N4이 담갈색 분말로서 수득되었고, 수율은 17%였다. X선 분석에 따르면, 탄소질화물은 탄소-질화물 결합과 당업계에 보고된 바와 유사한 구조를 보유했다. 원소 분석 결과, 다음과 같은 산물의 조성이 확인되었다: C3N4.33H0.87. 황 또는 임의의 다른 원소의 흔적은 존재하지 않았다.
실시예 3
탄소질화물 C3N4을 수득하기 위해, 10.00g 양의 암모늄 로다나이드를 취해, 2개의 연결된 용기로 성형된 석영 유리제 반응 챔버에 넣었다. 이 챔버를 10-4 내지 10-5 mmHg의 압력으로 감압시킨 뒤, 밀봉했다. 이 챔버를 오븐(Carbolite)에 넣고 T=500℃까지 가열한 뒤, 용기를 통해 Tmax = 500℃, Tmin = 상온의 온도 구배를 유지시켰다. 다음과 같은 반응이 12시간 동안 수행되었다:
4 NH4CNS → 2(NH4)2S + C3N4 + CS2
형성된 CS2와 휘발성 불순물은 온도 구배의 존재로 인해 용기 중 하나에서 응축되었다. 이 용기는 제거했다. 암모늄 설파이드 (NH4)2S는 물에 쉽게 용해되는 바, 간단한 세척으로 쉽게 제거했다. 결과적으로, 흑연계 탄소질화물 C3N4이 담갈색 분말로서 수득되었고, 수율은 14%였다. X선 분석에 따르면, 탄소질화물은 탄소-질화물 결합과 당업계에 보고된 바와 유사한 구조를 보유했다. 원소 분석 결과, 다음과 같은 산물의 조성이 확인되었다: C3N4.45H0.9. 황 또는 임의의 다른 원소의 흔적은 존재하지 않았다.

Claims (15)

  1. 비금속성 로다나이드(rodanide)를 열분해하여 탄소질화물을 제공하는 것을 특징으로 하는, 탄소질화물의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 비금속성 로다나이드가 암모늄 로다나이드인 것을 특징으로 하는 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 열분해가 진공화된 조건에서 수행되는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  4. 제3항에 있어서, 압력이 10-1 내지 10-9mmHg 인 것을 특징으로 하는 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 열분해가 불활성 기체 대기 하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  6. 제5항에 있어서, 불활성 기체 대기가 질소 또는 아르곤을 포함하는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  7. 제3항에 있어서, 열분해가 불활성 기체 대기 하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  8. 제7항에 있어서, 불활성 기체 대기가 질소 또는 아르곤을 포함하는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 열분해가 Tmax ≤ 850℃, Tmin ≤ 상온의 구배 하에 수행되는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  10. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 열분해가 Tmax ≤ 650℃, Tmin ≤ 상온의 구배 하에 수행되는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  11. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 열분해가 Tmax ≤ 500℃, Tmin ≤ 상온의 구배 하에 수행되는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  12. 제1항에 있어서, 탄소질화물이 C3N4의 화학식을 포함하는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  13. 제1항 또는 제12항에 있어서, 탄소질화물이 흑연계 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  14. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 탄소질화물이 생산되고, 이와 같이 생산된 탄소질화물은 황을 함유하지 않는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  15. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 탄소질화물이 생산되고, 이와 같이 생산된 탄소질화물은 탄소, 질소 및 수소외에 임의의 다른 원소를 함유하지 않는 것을 특징으로 하는 제조방법.
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