KR101377997B1 - Plasma etching apparatus and device for distributting gas - Google Patents

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KR101377997B1 KR1020120111333A KR20120111333A KR101377997B1 KR 101377997 B1 KR101377997 B1 KR 101377997B1 KR 1020120111333 A KR1020120111333 A KR 1020120111333A KR 20120111333 A KR20120111333 A KR 20120111333A KR 101377997 B1 KR101377997 B1 KR 101377997B1
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최용섭
최준호
김문기
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Abstract

Disclosed are a plasma etching apparatus and a gas distributing device. Wherein, the plasma etching apparatus to perform plasma etching on a glass substrate includes: a plasma generating unit which generates plasma including a charged particle and a neutral particle; and the gas distributing device which is located on the lower side of the plasma generating unit and uniformly distributes active gas generated by the plasma into the glass substrate.

Description

플라즈마 에칭 장치 및 기체 분배장치{PLASMA ETCHING APPARATUS AND DEVICE FOR DISTRIBUTTING GAS}Plasma Etching Apparatus and Gas Distribution Apparatus {PLASMA ETCHING APPARATUS AND DEVICE FOR DISTRIBUTTING GAS}

본 발명은 플라즈마 에칭 장치 및 기체 분배장치에 관한 것이다.The present invention relates to a plasma etching apparatus and a gas distribution apparatus.

유기발광다이오드(Organic Light Emitting Diodes, OLED) TV 제조 공정에서 SMS(Small Mask Scanning) 공법으로 유기물을 증착하는 경우, 디스플레이 영역이 아닌 곳에 유기물이 성막되어 봉지 공정 전에 TV용 글래스 기판의 전후 부분의 일정 영역의 유기물을 제거하여야 한다. 제거하지 않을 경우, 봉지 공정에서 다른 글래스 기판과 합착할 때 증착된 유기물에 의해 접착력이 저하되어 TV 제품의 수명에 영향을 주게 된다. In Organic Light Emitting Diodes (OLED) TV manufacturing process, when organics are deposited by SMS (Small Mask Scanning) method, organic material is deposited in a place other than the display area, and before the sealing process, Organic matter in the area should be removed. If not removed, adhesion of organic substances deposited when bonding with other glass substrates in the sealing process lowers the lifetime of the TV product.

이와 같이, 유기물을 제거하기 위한 방법으로, 플라즈마를 이용한 에칭 방법이 사용된다. 즉 글래스 기판을 플라즈마 에칭 장치의 공정챔버내에 배치하고, 글래스 기판에 형성된 각종 막을 플라즈마 에칭하는 것이 실행되고 있다. As described above, as a method for removing organic matter, an etching method using plasma is used. That is, a glass substrate is placed in a process chamber of a plasma etching apparatus, and various films formed on a glass substrate are subjected to plasma etching.

이때, 유기물 제거를 위해 플라즈마가 균일하게 글래스 기판 위에 배출되어야 한다.At this time, the plasma should be uniformly discharged onto the glass substrate in order to remove the organic matter.

본 발명이 해결하려는 과제는 에칭을 위한 글래스 기판에 플라즈마를 균일하게 배분하는 구성이 마련된 플라즈마 에칭 장치 및 기체 분배장치를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a plasma etching apparatus and a gas distribution apparatus, each of which is configured to uniformly distribute plasma to a glass substrate for etching.

본 발명의 한 특징에 따르면, 플라즈마 에칭 장치는, 기판에 플라즈마 에칭을 행하는 플라즈마 에칭 장치로서, 하전입자와 중성입자를 포함하는 플라즈마를 생성하는 플라즈마 발생부; 및 상기 플라즈마 발생부의 하단에 위치하고, 상기 플라즈마로 인해 생성된 활성기체를 상기 기판에 균일하게 분배하는 기체 분배장치를 포함한다.According to one aspect of the present invention, a plasma etching apparatus includes a plasma etching apparatus for performing plasma etching on a substrate, comprising: a plasma generating unit for generating a plasma including charged particles and neutral particles; And a gas distribution device positioned at a lower end of the plasma generation unit and uniformly distributing the active gas generated by the plasma to the substrate.

이때, 상기 기체 분배장치는,At this time, the gas distribution device,

상기 활성기체를 균일하게 분배하기 위한 복수개의 홀을 포함할 수 있다.It may include a plurality of holes for uniformly distributing the active gas.

또한, 상기 기체 분배장치는,In addition, the gas distribution device,

상기 플라즈마 발생부로부터 활성기체가 유입되는 복수개의 제1 홀을 포함하는 제1 확산부; 및 상기 제1 확산부를 통과한 활성기체를 상기 기판에 균일하게 분배하는 복수개의 제2 홀을 포함하는 제2 확산부를 포함할 수 있다.A first diffusion part including a plurality of first holes through which the active gas flows from the plasma generation part; And a second diffusion part including a plurality of second holes uniformly distributing the active gas passing through the first diffusion part to the substrate.

또한, 상기 복수개의 제1 홀과 상기 복수개의 제2 홀의 위치는 서로 다를 수 있다.In addition, positions of the plurality of first holes and the plurality of second holes may be different from each other.

또한, 상기 복수개의 제1 홀과 상기 복수개의 제2 홀의 개수는 서로 다를 수 있다.In addition, the number of the plurality of first holes and the plurality of second holes may be different from each other.

또한, 상기 복수개의 제1 홀과 상기 복수개의 제2 홀의 크기는 서로 다를 수 있다.In addition, sizes of the plurality of first holes and the plurality of second holes may be different from each other.

또한, 상기 복수개의 제1 홀과 상기 복수개의 제2 홀은 서로 엇갈린 위치에 형성될 수 있다.In addition, the plurality of first holes and the plurality of second holes may be formed at staggered positions.

또한, 상기 기체 분배장치는,In addition, the gas distribution device,

상기 제1 확산부 및 상기 제2 확산부 사이에 위치하여 상기 하전입자를 포획하고, 상기 중성입자만 통과시키는 전극을 더 포함할 수 있다.The electrode may further include an electrode positioned between the first diffusion part and the second diffusion part to capture the charged particles and allow only the neutral particles to pass therethrough.

또한, 상기 기체 분배장치는, In addition, the gas distribution device,

세로 방향으로 긴 직사각형 형상의 상기 제1 확산부 및 상기 제2 확산부가 결합되고, 상기 제1 확산부 및 상기 제2 확산부의 사이에 상기 전극이 배치된 구조이며, 상기 복수개의 상기 플라즈마 발생부 하단에 장착될 수 있다.The first diffusion part and the second diffusion part having a rectangular shape long in the vertical direction are coupled to each other, and the electrode is disposed between the first diffusion part and the second diffusion part, and a plurality of lower ends of the plasma generating parts are provided. It can be mounted on.

또한, 상기 복수개의 제1 홀과 상기 복수개의 제2 홀 중에서 상기 복수개의 플라즈마 발생부 각각의 하단에 위치하는 홀과 상기 복수개의 플라즈마 발생부 사이의 하단에 위치하는 홀의 크기가 서로 다를 수 있다.In addition, the sizes of the holes located at the lower end of each of the plurality of plasma generating units and the holes located at the lower end of the plurality of plasma generating units may be different from each other among the plurality of first holes and the plurality of second holes.

또한, 상기 기체 분배장치는, In addition, the gas distribution device,

복수개의 플라즈마 발생부가 각각 배치된 양측 하단에 두 개 배치될 수 있다.Two plasma generators may be disposed at two lower ends of each side.

또한, 플라즈마 에칭 장치는,In addition, the plasma etching apparatus,

상기 기판의 처리 공간을 제공하는 공정챔버; 및 상기 공정챔버의 내부공간에 설치되어 상기 공정챔버의 내부 벽면의 오염을 방지하기 위한 라이너를 더 포함할 수 있다.A process chamber providing a processing space of the substrate; And a liner disposed in an inner space of the process chamber to prevent contamination of the inner wall surface of the process chamber.

또한, 플라즈마 에칭 장치는, In addition, the plasma etching apparatus,

상기 공정챔버의 내부공간에 위치하고, 상기 기판이 장착되는 스테이지; 상기 공정챔버의 내부공간에 위치하고, 상기 스테이지의 상부에 배치되어 상기 기판의 비에칭 영역(A)을 보호하는 마스크; 상기 마스크를 관통하며, 상기 기판과 상기 마스크 사이에 형성되는 내부 공간으로 활성기체를 주입하는 가스 주입구; 및 상기 공정챔버의 내부공간에 위치하고, 상기 기판을 플라즈마 에칭 한 후 발생되는 부산물을 배출하는 펌핑 포트를 더 포함하고,A stage located in an inner space of the process chamber and on which the substrate is mounted; A mask disposed in an inner space of the process chamber and disposed above the stage to protect the non-etched region A of the substrate; A gas injection hole penetrating through the mask and injecting an active gas into an inner space formed between the substrate and the mask; And a pumping port located in an inner space of the process chamber and discharging a byproduct generated after plasma etching the substrate.

상기 기체 분배장치는,The gas distribution device,

상기 마스크의 양측단 및 상기 플라즈마 발생부의 하단에 배치되어 상기 기판의 에칭 영역(A)으로 상기 활성기체를 배출할 수 있다.The active gas may be discharged to both side ends of the mask and the lower end of the plasma generation unit to the etching region A of the substrate.

본 발명의 다른 특징에 따르면 기체 분배장치는, 플라즈마 에칭 대상인 기판에 상기 플라즈마로 인해 발생한 활성기체를 분배하는 기체 분배장치로서, 상기 활성기체를 균일하게 분배하기 위한 복수개의 홀을 포함하는 확산부를 포함하고, 상기 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생부의 하부에 장착된다.According to another feature of the invention, the gas distribution device, a gas distribution device for distributing the active gas generated by the plasma to the substrate which is the plasma etching target, comprising a diffusion portion including a plurality of holes for uniformly distributing the active gas And a lower portion of the plasma generator that generates the plasma.

본 발명의 실시예에 따르면, 플라즈마에서 발생한 하전입자와 활성종들이 기체 분배장치를 통과하면서 하전입자는 포획전극에 포획되고 중성의 활성종들만 에칭 하고자 하는 기판 폭에 균일하게 분배되어 에칭된다.According to an embodiment of the present invention, while charged particles and active species generated in the plasma pass through the gas distribution device, the charged particles are captured by the capture electrode and uniformly distributed and etched to the substrate width to which only neutral active species are to be etched.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 에칭 장치를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 하부 챔버부와 상부 소스부가 분리된 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 하부 챔버부를 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 마스크 유닛을 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 상부 소스부를 도시한 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 기체 분배장치의 분해 사시도이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 확산부를 도시한 도면이다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 기체 분배장치의 유동 해석을 한 결과를 나타낸 도면이다.
도 9는 본 발명의 실시예에 따른 기체 분배장치의 측단면도이다.
도 10은 본 발명의 실시예에 따른 기체 분배장치가 적용된 공정챔버의 측단면도이다.1 is a perspective view schematically showing a plasma etching apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a view showing a separated lower chamber portion and an upper source portion according to an embodiment of the present invention.
3 is a view illustrating a lower chamber part according to an embodiment of the present invention.
4 is a view showing a mask unit according to an embodiment of the present invention.
5 is a view illustrating an upper source unit according to an embodiment of the present invention.
6 is an exploded perspective view of a gas distribution device according to an embodiment of the present invention.
7 is a view showing a diffusion unit according to an embodiment of the present invention.
8 is a view showing the results of the flow analysis of the gas distribution device according to an embodiment of the present invention.
9 is a side cross-sectional view of a gas distribution device according to an embodiment of the present invention.
10 is a side cross-sectional view of a process chamber to which a gas distribution device according to an embodiment of the present invention is applied.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. In order to clearly illustrate the present invention, parts not related to the description are omitted, and similar parts are denoted by like reference characters throughout the specification.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.Throughout the specification, when a part is said to "include" a certain component, it means that it can further include other components, without excluding other components unless specifically stated otherwise.

이제, 도면을 참고하여 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 에칭 장치 및 기체분배 장치에 대해 설명한다.Now, a plasma etching apparatus and a gas distribution apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 에칭 장치를 개략적으로 도시한 사시도이고, 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 하부 챔버부와 상부 소스부가 분리된 도면이며, 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 하부 챔버부를 도시한 도면이고, 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 마스크 유닛을 도시한 도면이며, 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 상부 소스부를 도시한 도면이고, 도 6은 본 발명의 실시예에 따른 기체 분배장치의 분해 사시도이며, 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 확산부를 도시한 도면이고, 도 8은 본 발명의 실시예에 따른 기체 분배장치의 유동 해석을 한 결과를 나타낸 도면이며, 도 9는 본 발명의 실시예에 따른 기체 분배장치의 측단면도이다.1 is a perspective view schematically showing a plasma etching apparatus according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a view showing a separate lower chamber portion and the upper source portion according to an embodiment of the present invention, Figure 3 is an embodiment of the present invention 4 is a view illustrating a lower chamber part according to an example, FIG. 4 is a view illustrating a mask unit according to an embodiment of the present invention, FIG. 5 is a view showing an upper source part according to an embodiment of the present invention, and FIG. 7 is an exploded perspective view of a gas distribution device according to an embodiment of the present invention, FIG. 7 is a view showing a diffusion unit according to an embodiment of the present invention, and FIG. 8 is a flow analysis of the gas distribution device according to an embodiment of the present invention. 9 is a side cross-sectional view of a gas distribution device according to an embodiment of the present invention.

먼저, 도 1을 참조하면, 플라즈마 에칭 장치(1)는 플라즈마 생성부(2), 터보 펌프(3), 구동 장치(4), 프레임(5), 펌프 연결부(6) 및 게이트 밸브(gate valve)(7)를 포함한다.1, a plasma etching apparatus 1 includes a plasma generating unit 2, a turbo pump 3, a driving unit 4, a frame 5, a pump connecting unit 6, and a gate valve (7).

여기서, 플라즈마 생성부(2)는 하전입자 및 중성입자를 포함하는 플라즈마를 생성한다. 이때, 플라즈마는 유기물 에칭을 위한 활성기체를 발생시킨다.Here, the plasma generating section 2 generates a plasma containing charged particles and neutral particles. At this time, the plasma generates active gas for organic etching.

터보 펌프(3)는 공정챔버(도 2, 3, 10의 10) 내부의 압력을 진공배기한다. The turbo pump 3 evacuates the pressure inside the process chamber (10 in FIGS. 2, 3, and 10).

구동 장치(4)는 글래스 기판(도 10의 31)을 지지하는 스테이지(도 10의 32)를 공정챔버(도 2, 3, 10의 10)의 내부에서 이동시키고, 글래스 기판(도 10의 31)의 상부에 마스크(도 4, 10의 16)가 에싱 공정을 위해 적절한 위치를 유지하도록 글래스 기판(도 10의 31)과 마스크(도 4, 10의 16)간의 거리를 계측한다. The driving device 4 moves the stage (32 in FIG. 10) supporting the glass substrate (31 in FIG. 10) inside the process chamber (10 in FIGS. 2, 3, and 10), and the glass substrate (31 in FIG. 10). The distance between the glass substrate (31 in FIG. 10) and the mask (16 in FIGS. 4 and 10) is measured so that the mask (16 in FIGS. 4 and 10) is maintained at the proper position for the ashing process.

프레임(5)은 공정챔버(도 2, 3, 10의 10)의 하부에 장착되어 공정챔버(도 2, 3, 9의 10)를 지지한다.The frame 5 is mounted below the process chamber (10 in FIGS. 2, 3, and 10) to support the process chamber (10 in FIGS. 2, 3, and 9).

펌프 연결부(6)는 펌핑 포트(Pumping port)(도 2, 10의 14)의 하부에 연결되어 좌우 배치된 펌핑 포트(도 2, 10의 14)를 연결한다.The pump connection part 6 is connected to the lower part of the pumping port (14 of FIGS. 2 and 10) to connect the pumping ports (14 of FIGS. 2 and 10) arranged left and right.

게이트 밸브(gate valve)(7)는 공정챔버(도 2, 3, 10의 10)의 내부에 글래스 기판(도 10의 31)을 출입시키기 위한 구성이다.The gate valve 7 is a configuration for allowing the glass substrate (31 in FIG. 10) to enter and exit the process chamber (10 in FIGS. 2, 3, and 10).

다음, 도 2를 참조하면, 플라즈마 에칭 장치(1)는 크게 상부 소스부(8) 및 하부 챔버부(9)로 분리될 수 있다. 2, the plasma etching apparatus 1 can be divided into an upper source portion 8 and a lower chamber portion 9.

여기서, 도 2 및 도 3을 참조하면, 하부 챔버부(9)는 구동 장치(4), 프레임(5), 펌프 연결부(6), 게이트 밸브(7), 공정챔버(10), 마스크 유닛(11), 용접형 벨로우즈(Welded bellows)(12), 펌프 배관(Dry pump)(13), 펌핑 포트(14) 및 글래스 로딩 핀(Glass loading pin)(15)을 포함한다.2 and 3, the lower chamber portion 9 includes a drive device 4, a frame 5, a pump connection part 6, a gate valve 7, a process chamber 10, and a mask unit ( 11), welded bellows 12, dry pump 13, pumping port 14 and glass loading pin 15.

이때, 공정챔버(10)는 글래스 기판(도 10의 31)의 처리 공간을 제공한다.In this case, the process chamber 10 provides a processing space of the glass substrate (31 in FIG. 10).

마스크 유닛(11)은 도 4를 참조하면, 글래스 기판(도 10의 31) 위에 배치되는 마스크 본체(body, 이하 '마스크'로 통칭함)(16), 마스크(16)의 양측에 장착되는 마스크 블레이드(blade)(17) 및 마스크(16)를 지탱하는 마스크 지지대(18)를 포함한다.Referring to FIG. 4, the mask unit 11 may include a mask body 16 disposed on a glass substrate (hereinafter, referred to as “mask”) 16 and a mask mounted on both sides of the mask 16. A mask support 18 holding a blade 17 and a mask 16.

이때, 마스크(16)의 상부 양측 즉 마스크 블레이드(17)가 장착된 방향의 양측에는 비활성기체를 주입하기 위한 가스 주입구(19)가 마련되어 있다. At this time, gas injection ports 19 for injecting an inert gas are provided on both sides of the upper side of the mask 16, that is, in the direction in which the mask blades 17 are mounted.

다시, 도 2 및 도 3을 참조하면, 용접형 벨로우즈(12)는 얼라인 장치(미도시) 및 스테이지(도 10의 32)를 공정챔버(10)와 연결시킨다. Referring again to FIGS. 2 and 3, the welded bellows 12 connects the alignment device (not shown) and the stage (32 of FIG. 10) with the process chamber 10.

이때, 얼라인 장치(미도시) 및 스테이지(도 10의 32)는 진공 펌핑시 발생하는 공정챔버(10)의 변형에 의한 틀어짐을 방지하기 위해 공정챔버(10)의 외부 프레임에 지지된다. At this time, the alignment device (not shown) and the stage (32 of FIG. 10) are supported by an outer frame of the process chamber 10 to prevent distortion due to deformation of the process chamber 10 generated during vacuum pumping.

여기서, 얼라인 장치(미도시)는 글래스 기판(도 10의 31)이 장착되는 스테이지(도 10의 32)를 움직여 마스크(16)와 위치를 정렬한다. 즉 글래스 기판(도 10의 31)과 마스크(도 4, 10의 16)는 얼라인 장치(미도시)와 스테이지(도 10의 32)를 이용하여 에칭을 하고자 하는 위치에 정확하게 정렬된다.Here, the alignment device (not shown) moves the stage (32 in FIG. 10) on which the glass substrate (31 in FIG. 10) is mounted to align the position with the mask 16. That is, the glass substrate (31 in FIG. 10) and the mask (16 in FIGS. 4 and 10) are precisely aligned to the position to be etched using the alignment device (not shown) and the stage (32 in FIG. 10).

펌프 배관(13)은 양측 펌프 연결부(6)가 만나는 지점의 하단에 설치되어 공정챔버(10)에서 배출되는 에치된 가스를 외부로 배출한다.The pump piping 13 is installed at the lower end of the point where the pump connecting portions 6 meet, and discharges the etched gas discharged from the process chamber 10 to the outside.

펌핑 포트(14)는 공정챔버(10) 내부의 잔류 가스 및 부산물을 배출한다.The pumping port 14 discharges residual gases and byproducts within the process chamber 10.

글래스 로딩 핀(15)은 글래스 기판(도 10의 31)의 하중을 지지한다.The glass loading pin 15 supports the load of the glass substrate (31 in FIG. 10).

다음, 도 5를 참조하면, 상부 소스부(8)는 전후 또는 좌우 대칭으로 배치된 복수개의 플라즈마 발생부(2) 및 기체 분배 장치(20)를 포함한다.5, the upper source portion 8 includes a plurality of plasma generators 2 and a gas distributor 20 arranged in a front-back, or a left-right symmetrical manner.

여기서, 복수개의 플라즈마 발생부(2)는 하전입자 및 중성입자를 포함하는 플라즈마를 생성한다. 이때, 플라즈마는 유기물 에칭을 위한 활성기체를 발생시킨다. 이러한 복수개의 플라즈마 발생부(2)는 상부 소스부(8)의 양측에 대칭으로 각각 배치된다. 이때, 복수개의 플라즈마 발생부(2)는 상부 소스부(8)의 양측에 각각 3개씩, 총 6개가 배치된다. 하지만, 이러한 개수는 하나의 실시예에 불과하고, 이에 국한되는 것은 아니다.Here, the plurality of plasma generating units 2 generates a plasma including charged particles and neutral particles. At this time, the plasma generates active gas for organic etching. The plurality of plasma generating units 2 are respectively disposed symmetrically on both sides of the upper source unit 8. At this time, a total of six plasma generating portions 2 are arranged on each side of the upper source portion 8, three on each side. However, such numbers are only examples, and are not intended to be limiting.

또한, 기체 분배장치(20)는 플라즈마 발생부(2)가 발생시킨 활성기체 즉 래디컬(radical)을 분배하는 구성 수단이다. 이러한 기체 분배장치(20)는 활성기체를 공정챔버(도 2, 3, 10의 10)의 글래스 기판(도 10의 31)으로 분배하는데, 이때, 글래스 기판 폭에 맞게 균일하게 분배한다.In addition, the gas distribution device 20 is constituent means for distributing the active gas generated by the plasma generating portion 2, that is, radicals. The gas distribution device 20 distributes the active gas to the glass substrate (31 in FIG. 10) of the process chamber (10 in FIGS. 2, 3, and 10), and distributes uniformly to the glass substrate width.

기체 분배장치(20)는 복수개의 플라즈마 발생부(2)의 하부에 위치한다. 이때, 복수개의 플라즈마 발생부(2)가 배치된 양측에 각각 2개 배치될 수 있다. 즉 3개의 플라즈마 발생부(2)가 배치된 상부 소스부(8)의 일측 하부 및 또 다른 3개의 플라즈마 발생부(2)가 배치된 상부 소스부(8)의 타측 하부에 하나씩 즉 총 2개가 배치될 수 있다.The gas distribution device 20 is located below the plurality of plasma generators 2. At this time, two plasma generating units 2 may be disposed on both sides of the plasma generating unit 2. That is, one at the lower side of the upper source unit 8 in which the three plasma generating units 2 are disposed and the other at the lower side of the upper source unit 8 in which the other three plasma generating units 2 are disposed, that is, a total of two Can be deployed.

이때, 기체 분배장치(15)는 도 6 ~ 도 8과 같이, 상부 소스부(3)의 양측에 복수개의 플라즈마 발생부(9)가 배치된 방향으로 길이가 긴 직사각형 형상이다. 6 to 8, the gas distribution device 15 has a long rectangular shape in a direction in which the plurality of plasma generating units 9 are disposed on both sides of the upper source unit 3.

따라서, 3개의 플라즈마 발생부(2)로부터 발생된 활성기체는 기체 분배장치(20)에서 섞여 글래스 기판(도 10의 31)으로 균등하게 분배된다.  Therefore, the active gases generated from the three plasma generating units 2 are mixed in the gas distribution device 20 and evenly distributed to the glass substrate (31 in FIG. 10).

도 6을 참조하면, 기체 분배장치(20)는 제1 부재(21), 제2 부재(22), 확산부(23), 제3 부재(24), 제4 부재(25) 및 제5 부재(26)를 포함한다. 그리고 제1 부재(21), 제2 부재(22), 확산부(23), 제3 부재(24), 제4 부재(25) 및 제5 부재(26)가 수직 혹은 상하 방향으로 결합된다.Referring to FIG. 6, the gas distribution device 20 includes a first member 21, a second member 22, a diffusion unit 23, a third member 24, a fourth member 25, and a fifth member. (26). The first member 21, the second member 22, the diffusion part 23, the third member 24, the fourth member 25, and the fifth member 26 are coupled in the vertical or vertical direction.

이때, 확산부(23)는 기체 분배장치(20)의 내부에 포함되며, 세로 방향 길이가 긴 직사각형 판에 작은 구멍 즉 복수개의 홀(27, 28)이 뚫려 배열된 구조이다. In this case, the diffusion part 23 is included in the gas distribution device 20, and has a structure in which a small hole, that is, a plurality of holes 27 and 28 is formed in a rectangular plate having a longitudinal length.

이러한 확산부(23)는 제1 확산부(23a) 및 제2 확산부(23b)를 포함한다. 이러한 제1 확산부(23a) 및 제2 확산부(23b)는 도 7과 같이 활성기체를 균일하게 분배하기 위한 복수개의 홀(27, 28)을 포함한다.The diffusion part 23 includes a first diffusion part 23a and a second diffusion part 23b. The first diffusion part 23a and the second diffusion part 23b include a plurality of holes 27 and 28 for uniformly distributing the active gas as shown in FIG. 7.

복수개의 홀(27, 28)은 활성기체를 균일하게 통과시키는 역할을 하는데, 홀 크기 및 개수는 활성기체를 균일하게 분배할 수 있을 정도로 충분히 크기가 크면서도 최대한 복수개인 것이 바람직하다. 이러한 홀 크기 및 개수는 도 8과 같이 유동해석을 통해 도출될 수 있다.The plurality of holes 27 and 28 serve to uniformly pass the active gas, and the size and number of the holes are preferably large enough to be evenly distributed so as to uniformly distribute the active gas. Such hole size and number may be derived through flow analysis as shown in FIG. 8.

여기서, 도 8은 기체 분배장치(20)의 1/4 대칭 모델로 유동해석을 한 결과를 나타내며 활성기체의 속도 크기 분포도를 나타낸다. 이때, 오른쪽 막대는 z축(또는 하부 방향)으로의 기체 속도 크기를 나타낸다. 즉 이러한 유동 해석의 결과, 기체 속도 분포도가 균일하게 하는 크기를 가지는 홀(27, 28)을 복수개 형성할 수 있다.Here, FIG. 8 shows the result of the flow analysis by the 1/4 symmetric model of the gas distribution device 20 and shows the velocity magnitude distribution of the active gas. At this time, the right bar represents the gas velocity magnitude in the z axis (or downward direction). That is, as a result of such flow analysis, a plurality of holes 27 and 28 having a size in which the gas velocity distribution is uniform can be formed.

한편, 도 9는 기체 분배장치(20)의 측단면도로서, 확산부(23) 구성만을 간략히 도시하였다. 9 is a side cross-sectional view of the gas distribution device 20, in which only the configuration of the diffuser 23 is shown.

이때, 기체 분배장치(20)는 제1 확산부(23a) 및 제2 확산부(23b)가 상하 방향으로 결합된다. 이때, 제1 확산부(23a) 및 제2 확산부(23b) 사이에는 전극(29)이 배치된다. 이러한 전극(29)은 각각의 플라즈마 생성부(2)로부터 유입되는 플라즈마에 포함된 하전입자를 포획하고, 중성입자만 통과시킨다.At this time, the gas distribution device 20 is coupled to the first diffusion portion 23a and the second diffusion portion 23b in the vertical direction. In this case, an electrode 29 is disposed between the first diffusion part 23a and the second diffusion part 23b. The electrode 29 captures the charged particles included in the plasma flowing from each plasma generating unit 2 and passes only the neutral particles.

여기서, 제1 확산부(23a)에는 복수개의 제1 홀(27)이 형성되어 있고, 제2 확산부(23b)에는 복수개의 제2 홀(28)이 형성되어 있다. Here, a plurality of first holes 27 are formed in the first diffusion part 23a, and a plurality of second holes 28 are formed in the second diffusion part 23b.

이때, 복수개의 제1 홀(27) 및 복수개의 제2 홀(28)이 각각 형성된 위치는 서로 다를 수 있다. 그리고 복수개의 제1 홀(27) 및 복수개의 제2 홀(28)은 서로 엇갈린 위치에 형성될 수 있다. 만약, 제1 홀(27)과 제2 홀(28)이 같은 위치에 형성되면, 하전입자가 전극(29)에 포획되기 전에 제1 홀(27)과 제2 홀(28)을 통과하여 글래스 기판(도 10의 31)으로 바로 배출될 수 있다. 따라서, 이렇게 제1 홀(27)과 제2 홀(28)의 위치를 서로 엇갈리게 함으로써, 하전입자가 바로 글래스 기판(도 10의 31)으로 배출되지 않게 한다.In this case, positions at which the plurality of first holes 27 and the plurality of second holes 28 are formed may be different from each other. The plurality of first holes 27 and the plurality of second holes 28 may be formed at staggered positions. If the first hole 27 and the second hole 28 are formed at the same position, the glass passes through the first hole 27 and the second hole 28 before the charged particles are captured by the electrode 29. May be discharged directly to the substrate (31 in FIG. 10). Thus, by staggering the positions of the first hole 27 and the second hole 28 in this way, the charged particles are not immediately discharged to the glass substrate (31 in FIG. 10).

또한, 복수개의 제1 홀(27) 및 복수개의 제2 홀(28)의 개수는 서로 다를 수 있다. 이때, 개수는 각 홀(27, 28)의 크기에 대응할 수 있다. 즉, 제1 홀(27)의 크기가 제2 홀(28)의 크기보다 크게 형성되면, 제1 홀(27)의 개수는 제2 홀(28)의 개수보다 적을 수 있다. In addition, the number of the plurality of first holes 27 and the plurality of second holes 28 may be different from each other. In this case, the number may correspond to the size of each hole (27, 28). That is, when the size of the first hole 27 is greater than the size of the second hole 28, the number of first holes 27 may be smaller than the number of second holes 28.

여기서, 복수개의 제1 홀(27)은 복수개의 제2 홀(28)보다 크게 형성되고, 복수개의 제2 홀(28)은 촘촘하게 즉 더 작게 복수개 형성될 수 있다.Here, the plurality of first holes 27 may be formed to be larger than the plurality of second holes 28, and the plurality of second holes 28 may be formed to be denser, that is, smaller.

또한, 복수개의 제1 홀(27) 중에서 플라즈마 발생부(2)의 하단 즉 바로 밑에 위치하는 홀과 복수의 플라즈마 발생부(2) 사이의 홀은 크기가 서로 다를 수 있다. 그리고 복수개의 제2 홀(28)도 마찬가지로 플라즈마 발생부(2)의 하단 즉 바로 밑에 위치하는 홀과 복수의 플라즈마 발생부(2) 사이의 홀은 크기가 서로 다를 수 있다.In addition, the holes between the plurality of first and second holes 27 and the plasma generating unit 2 and the hole located at the lower end of the plasma generating unit 2 may be different in size. Similarly, the plurality of second holes 28 may have different sizes between the holes disposed at the lower end of the plasma generator 2, that is, directly below the plasma generator 2.

예를 들어, 플라즈마 발생부(2)의 하단에 바로 위치하거나 근접한 홀(27, 28)은 그렇지 않은 홀(27)에 비해 크기가 작게 형성될 수 있다.For example, the holes 27 and 28 immediately located at or close to the lower end of the plasma generator 2 may have a smaller size than the holes 27 that are not.

이처럼, 복수개의 제1 홀(27) 및 복수개의 제2 홀(28)을 통과한 중성입자가 포함된 플라즈마는 균일하게 배출될 수 있다. As such, the plasma including the neutral particles having passed through the plurality of first holes 27 and the plurality of second holes 28 may be uniformly discharged.

도 10은 본 발명의 실시예에 따른 기체 분배장치가 적용된 공정챔버의 측단면도로서, 에칭 과정을 설명하기 위한 도면이다.FIG. 10 is a side cross-sectional view of a process chamber to which a gas distribution device according to an exemplary embodiment of the present invention is applied.

도 10을 참조하면, 공정챔버(10)의 내부 공간에는 마스크(16)의 상부에 장착되어 마스크(16)를 고정하기 위한 마스크 지지부(30)를 포함한다. Referring to FIG. 10, the inner space of the process chamber 10 includes a mask supporter 30 mounted on an upper portion of the mask 16 to fix the mask 16.

여기서, 글래스 기판(31)이 장착된 스테이지(32)는 마스크(16)와 가까워지거나 멀어지도록 이동이 가능하다. Here, the stage 32 on which the glass substrate 31 is mounted may be moved to move closer or away from the mask 16.

이러한 마스크(16)는 글래스 기판(31) 위에 배치되어 글래스 기판(31)의 비에칭 영역(A로 표시된 영역을 제외한 나머지 글래스 기판)을 가려주는 역할을 한다. 즉 에칭을 하지 않아야 하는 유기발광다이오드(Organic Light Emitting Diodes, OLED) TV 화면표시 영역을 불활성 기체에 의해서 활성 종들이 글래스 기판(31) 위에 침투하지 않도록 글래스 기판(31)을 보호한다. The mask 16 is disposed on the glass substrate 31 to cover the non-etched region (the glass substrate except for the region indicated by A) of the glass substrate 31. That is, the organic light emitting diodes (OLED) TV display area, which should not be etched, protect the glass substrate 31 so that active species do not penetrate the glass substrate 31 by an inert gas.

여기서, 마스크(16)와 글래스 기판(31) 사이에는 접촉에 의한 글래스 기판(31)의 손상을 방지하기 위해 일정 크기의 갭(Gap) 즉 내부공간(34)이 형성된다. Here, a gap (that is, an internal space 34) having a predetermined size is formed between the mask 16 and the glass substrate 31 to prevent damage of the glass substrate 31 by contact.

또한, 마스크(16)의 하부에는 글래스 기판(31) 및 글래스 기판(31)을 지지하는 스테이지(32)가 배치된다. 이러한 스테이지(32)는 공정챔버(10)의 내부공간에 설치되어서 상부에 글래스 기판(31)을 고정시키도록 진공 척과 같은 구조로 구성된다. 그리고 글래스 기판(31)을 좌우 이동, 상하 이동, 회전 이동이 가능하도록 x, y, z, θ 스테이지로 이루어진다. In addition, a glass substrate 31 and a stage 32 supporting the glass substrate 31 are disposed below the mask 16. The stage 32 is installed in the interior space of the process chamber 10 and is configured in a structure such as a vacuum chuck to fix the glass substrate 31 thereon. The glass substrate 31 is composed of x, y, z, and θ stages so as to be able to move left and right, up and down, and rotate.

이때, 스테이지(32)는 스테이지(32)가 하강시 글래스 기판(31)을 지탱하는 지지핀(33)을 포함한다.At this time, the stage 32 includes a support pin 33 supporting the glass substrate 31 when the stage 32 is lowered.

여기서, 마스크(16) 및 마스크 지지부(30)를 관통하는 가스 주입구(19)를 통해 마스크(16)와 글래스 기판(31) 사이에 형성된 내부공간(34)으로 비활성기체가 유입된다. 이러한 비활성기체는 마스크(16)의 내부공간(26)으로 공급되어 활성기체가 내부공간(26)으로 유입되는 것을 막기 위한 압력 가스로 활용된다. 그리고 이러한 압력 가스는 공정 가스 중 비활성 기체(또는 가스)인 아르곤(Ar) 가스, 질소, 여타의 다른 기체들이 사용될 수 있다.Here, the inert gas flows into the inner space 34 formed between the mask 16 and the glass substrate 31 through the gas injection hole 19 passing through the mask 16 and the mask supporter 30. The inert gas is supplied to the inner space 26 of the mask 16 and used as a pressure gas to prevent the active gas from flowing into the inner space 26. The pressure gas may be argon (Ar) gas, nitrogen, or any other gas which is an inert gas (or gas) in the process gas.

이처럼 내부공간(34)에 유입된 비활성기체는 유기물(35)이 형성된 글래스 기판(31)의 좌우 방향으로 확산된다. 그리고 비활성기체는 플라즈마 생성부(2)에서 생성된 활성기체가 내부공간(34)으로 유입되는 것을 방지하는 역할을 한다.As described above, the inert gas introduced into the internal space 34 diffuses in the left and right directions of the glass substrate 31 on which the organic material 35 is formed. The inert gas serves to prevent the active gas generated in the plasma generator 2 from flowing into the internal space 34.

여기서, 플라즈마는 플라즈마 생성부(2)에서 생성되어 기체 분배장치(20)를 통과하면서 균등하게 분배되어 글래스 기판(31)의 좌우 에칭 영역(A)으로 배출된다. Here, the plasma is generated by the plasma generating unit 2 and evenly distributed while passing through the gas distribution device 20, and discharged to the left and right etching regions A of the glass substrate 31.

그리고 플라즈마로 인해 생성된 래디컬은 글래스 기판(31)의 좌우 에칭 영역(A)의 유기물을 에칭한다. The radical generated by the plasma etches the organic material in the left and right etching regions A of the glass substrate 31.

또한, 플라즈마 에칭에 따라 발생한 잔류 가스 및 부산물은 펌핑 포트(14)를 통해 배출된다. In addition, the residual gas and by-products generated by the plasma etching are discharged through the pumping port 14.

이때, 펌핑포트(14)의 외부 즉 공정챔버(10)의 내부 벽면을 따라서 공정챔버(10)의 벽면 오염을 방지하기 위한 내부 커버 즉 라이너(liner)(점선 표시)(36)가 배치된다.At this time, an inner cover or liner (dotted line) 36 is disposed outside the pumping port 14, that is, along the inner wall of the process chamber 10 to prevent wall contamination of the process chamber 10.

이상에서 설명한 본 발명의 실시예는 장치 및 방법을 통해서만 구현이 되는 것은 아니며, 본 발명의 실시예의 구성에 대응하는 기능을 실현하는 프로그램 또는 그 프로그램이 기록된 기록 매체를 통해 구현될 수도 있다. The embodiments of the present invention described above are not implemented only by the apparatus and method, but may be implemented through a program for realizing the function corresponding to the configuration of the embodiment of the present invention or a recording medium on which the program is recorded.

이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, It belongs to the scope of right.

Claims (21)

디스플레이 용 기판의 양 측면에 대하여 플라즈마 에칭을 행하는 플라즈마 에칭 장치로서,
하전입자와 중성입자를 포함하는 플라즈마를 생성하는 플라즈마 발생부; 및
상기 플라즈마 발생부의 하단에 위치하고, 상기 플라즈마로 인해 생성된 활성기체를 상기 기판에 균일하게 분배하는 기체 분배장치
를 포함하고,
상기 플라즈마 발생부는 상기 디스플레이 용 기판의 양 측면에 대응되도록 배치되어 있으며,
상기 기체 분배장치는 상기 플라즈마 발생부가 각각 배치된 양측 하단에 두 개 장착되어 있으며,
상기 기체 분배장치는,
상기 플라즈마 발생부로부터 활성기체가 유입되는 복수개의 제1 홀을 포함하는 제1 확산부; 및
상기 제1 확산부를 통과한 활성기체를 상기 기판에 균일하게 분배하는 복수개의 제2 홀을 포함하는 제2 확산부
를 포함하며,
상기 복수개의 제1 홀과 상기 복수개의 제2 홀 중에서
상기 복수개의 플라즈마 발생부의 하단에 위치하는 홀과 상기 복수개의 플라즈마 발생부 사이의 하단에 위치하는 홀의 크기가 서로 다른
플라즈마 에칭 장치.A plasma etching apparatus for performing plasma etching on both sides of a display substrate,
A plasma generator for generating a plasma including charged particles and neutral particles; And
Located at the bottom of the plasma generating unit, a gas distribution device for uniformly distributing the active gas generated by the plasma to the substrate
Lt; / RTI >
The plasma generation unit is disposed to correspond to both sides of the display substrate,
Two gas distribution devices are mounted at both lower ends of the plasma generating unit, respectively.
The gas distribution device,
A first diffusion part including a plurality of first holes through which the active gas flows from the plasma generation part; And
A second diffusion part including a plurality of second holes uniformly distributing the active gas passing through the first diffusion part to the substrate;
Including;
Among the plurality of first holes and the plurality of second holes
Holes positioned at lower ends of the plurality of plasma generators and holes positioned at lower ends of the plurality of plasma generators are different from each other.
Plasma etching apparatus. 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 복수개의 제1 홀과 상기 복수개의 제2 홀이 형성된 각각의 위치가 서로 다른 플라즈마 에칭 장치.The method of claim 1,
And a plurality of first holes and the plurality of second holes are formed at different positions. 제4항에 있어서,
상기 복수개의 제1 홀과 상기 복수개의 제2 홀은 서로 엇갈린 위치에 형성되는 플라즈마 에칭 장치.5. The method of claim 4,
And the plurality of first holes and the plurality of second holes are formed at staggered positions. 제1항에 있어서,
상기 복수개의 제1 홀과 상기 복수개의 제2 홀의 개수가 서로 다른 플라즈마 에칭 장치.The method of claim 1,
The plasma etching apparatus of which the number of the plurality of first holes and the plurality of second holes are different from each other. 제1항에 있어서,
상기 복수개의 제1 홀과 상기 복수개의 제2 홀의 크기가 서로 다른 플라즈마 에칭 장치.The method of claim 1,
The plasma etching apparatus of which the sizes of the plurality of first holes and the plurality of second holes are different from each other. 제1항에 있어서,
상기 기체 분배장치는,
상기 제1 확산부 및 상기 제2 확산부 사이에 위치하여 상기 하전입자를 포획하고, 상기 중성입자만 통과시키는 전극
을 더 포함하는 플라즈마 에칭 장치.The method of claim 1,
The gas distribution device,
An electrode positioned between the first diffusion portion and the second diffusion portion to capture the charged particles and allow only the neutral particles to pass through
Plasma etching apparatus further comprising. 제8항에 있어서,
상기 기체 분배장치는,
세로 방향으로 긴 직사각형 형상의 상기 제1 확산부 및 상기 제2 확산부가 결합되고, 상기 제1 확산부와 상기 제2 확산부 사이에 상기 전극이 배치된 구조이며, 복수개의 플라즈마 발생부 하단에 장착되는 플라즈마 에칭 장치.9. The method of claim 8,
The gas distribution device,
The first diffusion part and the second diffusion part having a rectangular shape long in the vertical direction are coupled to each other, and the electrode is disposed between the first diffusion part and the second diffusion part, and is mounted at a lower end of the plurality of plasma generation parts. Plasma etching apparatus. 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 기판의 처리 공간을 제공하는 공정챔버; 및
상기 공정챔버의 내부공간에 설치되어 상기 공정챔버의 내부 벽면의 오염을 방지하기 위한 라이너
를 더 포함하는 플라즈마 에칭 장치.The method of claim 1,
A process chamber providing a processing space of the substrate; And
A liner disposed in an inner space of the process chamber to prevent contamination of an inner wall surface of the process chamber;
Further comprising a plasma etching apparatus. 제12항에 있어서,
상기 공정챔버의 내부공간에 위치하고, 상기 기판이 장착되는 스테이지;
상기 공정챔버의 내부공간에 위치하고, 상기 스테이지의 상부에 배치되어 상기 기판의 비에칭 영역(A)을 보호하는 마스크;
상기 마스크를 관통하며, 상기 기판과 상기 마스크 사이에 형성되는 내부공간으로 활성기체를 주입하는 가스 주입구; 및
상기 공정챔버의 내부공간에 위치하고, 상기 기판을 플라즈마 에칭 한 후 발생되는 부산물을 배출하는 펌핑 포트를 더 포함하고,
상기 기체 분배장치는,
상기 마스크의 양측단 및 상기 플라즈마 발생부의 하단에 배치되어 상기 기판의 에칭 영역(A)으로 상기 활성기체를 배출하는 플라즈마 에칭 장치.The method of claim 12,
A stage located in an inner space of the process chamber and on which the substrate is mounted;
A mask disposed in an inner space of the process chamber and disposed above the stage to protect the non-etched region A of the substrate;
A gas injection hole penetrating through the mask and injecting an active gas into an inner space formed between the substrate and the mask; And
A pumping port disposed in an inner space of the process chamber and discharging a byproduct generated after plasma etching the substrate;
The gas distribution device,
Plasma etching apparatus disposed on both sides of the mask and the lower end of the plasma generating unit for discharging the active gas to the etching region (A) of the substrate. 디스플레이 용 기판의 양 측면에 대하여 플라즈마로 인해 발생한 활성기체를 분배하는 기체 분배장치로서,
상기 활성기체를 균일하게 분배하기 위한 복수개의 홀을 포함하는 확산부를 포함하고,
상기 디스플레이 용 기판의 양 측면에 대응되도록 배치되어 있는 플라즈마 발생부 각각 배치된 양측 하단에 두 개 장착되어 있으며,,
상기 확산부는,
상기 플라즈마 발생부로부터 활성기체가 유입되는 복수개의 제1 홀을 포함하는 제1 확산부; 및
상기 제1 확산부를 통과한 활성기체를 상기 기판에 균일하게 분배하는 복수개의 제2 홀을 포함하는 제2 확산부
를 포함하며,
상기 복수개의 제1 홀과 상기 복수개의 제2 홀 중에서
상기 복수개의 플라즈마 발생부의 하단에 위치하는 홀과 상기 복수개의 플라즈마 발생부 사이의 하단에 위치하는 홀의 크기가 서로 다른 기체 분배장치.A gas distribution device for distributing active gas generated by plasma to both sides of a display substrate,
It includes a diffusion unit including a plurality of holes for uniformly distributing the active gas,
Two are mounted on both lower ends of the plasma generating unit disposed to correspond to both sides of the display substrate,
Wherein,
A first diffusion part including a plurality of first holes through which the active gas flows from the plasma generation part; And
A second diffusion part including a plurality of second holes uniformly distributing the active gas passing through the first diffusion part to the substrate;
Including;
Among the plurality of first holes and the plurality of second holes
And a hole disposed at a lower end of the plurality of plasma generators and a hole disposed at a lower end between the plurality of plasma generators. 삭제delete 제14항에 있어서,
상기 복수개의 제1 홀과 상기 복수개의 제2 홀의 위치는 서로 다른 기체 분배장치.15. The method of claim 14,
The gas distribution device of the plurality of first holes and the plurality of second holes are different positions. 제14항에 있어서,
상기 복수개의 제1 홀과 상기 복수개의 제2 홀의 개수는 서로 다른 기체 분배장치.15. The method of claim 14,
And the number of the plurality of first holes and the plurality of second holes are different from each other. 제14항에 있어서,
상기 복수개의 제1 홀과 상기 복수개의 제2 홀의 크기는 서로 다른 기체 분배장치.15. The method of claim 14,
And a size of the plurality of first holes and the plurality of second holes are different from each other. 제14항에 있어서,
상기 복수개의 제1 홀과 상기 복수개의 제2 홀은 서로 엇갈린 위치에 형성되는 기체 분배장치.15. The method of claim 14,
And the plurality of first holes and the plurality of second holes are formed at staggered positions. 제14항에 있어서,
상기 기체 분배장치는,
상기 제1 확산부 및 상기 제2 확산부 사이에 위치하여 하전입자를 포획하고, 중성입자만 통과시키는 전극
을 더 포함하는 기체 분배장치.15. The method of claim 14,
The gas distribution device,
An electrode positioned between the first diffusion part and the second diffusion part to capture charged particles and allow only neutral particles to pass therethrough
Gas distribution device further comprising. 제20항에 있어서,
상기 기체 분배장치는,
세로 방향으로 긴 직사각형 형상의 상기 제1 확산부 및 상기 제2 확산부가 결합되고, 상기 제1 확산부와 상기 제2 확산부 사이에 각각 상기 전극이 배치된 구조를 포함하는 기체 분배장치.21. The method of claim 20,
The gas distribution device,
And a structure in which the first diffusion part and the second diffusion part having a rectangular shape long in the vertical direction are coupled to each other, and the electrode is disposed between the first diffusion part and the second diffusion part.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005045231A (en) * 1994-11-15 2005-02-17 Mattson Technology Inc Inductive plasma reactor

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005045231A (en) * 1994-11-15 2005-02-17 Mattson Technology Inc Inductive plasma reactor

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101550272B1 (en) * 2014-05-15 2015-09-07 주식회사 코디에스 Plasma source and plasma etching device

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