KR101374298B1 - Substrate processing apparatus - Google Patents

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    • B05C11/1042—Storage, supply or control of liquid or other fluent material; Recovery of excess liquid or other fluent material provided with means for heating or cooling the liquid or other fluent material in the supplying means upstream of the applying apparatus

Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 약액 공급 장치에 관한 것이다. 본 발명은 약액 소스부; 상기 약액 소스부로부터 약액들을 공급받아 혼합하는 용기인 복수 개의 약액 탱크; 상기 복수 개의 약액 탱크로부터 혼합된 고온의 약액을 공급받아 저장하는 그리고 저장된 고온의 약액을 상기 기판 처리 유닛으로 공급하기 위한 메인 탱크; 및 상기 메인 탱크를 예열하는 예열부재를 포함한다.The present invention relates to a chemical liquid supply apparatus for processing a substrate. The present invention relates to a drug delivery device, A plurality of chemical liquid tanks for supplying and mixing chemical liquids from the chemical liquid source part; A main tank for supplying and storing a high temperature chemical liquid mixed from the plurality of chemical liquid tanks and supplying the stored high temperature chemical liquid to the substrate processing unit; And a preheating member for preheating the main tank.

Figure R1020100073625
Figure R1020100073625

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}[0001] SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS [0002]

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 더 상세하게는 기판을 처리하는 약액의 공급 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a chemical liquid supply apparatus for processing a substrate.

기판 표면에 잔류하는 파티클(Particle), 유기 오염물, 금속 오염물 등의 오염 물질은 반도체 소자의 특성과 생산 수율에 많은 영향을 미친다. 이 때문에 기판 표면에 부착된 각종 오염 물질을 제거하는 세정 공정이 반도체 제조 공정에서 매우 중요하며, 반도체를 제조하는 각 단위 공정의 전후 단계에서 기판을 세정 처리하는 공정이 실시되고 있다. 이러한 이물질을 제거를 위한 공정으로는 순수(Deionize Water) 또는 약액(Chemical)을 이용한 세정 공정이 있다. Contaminants such as particles, organic contaminants and metal contaminants remaining on the surface of the substrate greatly affect the characteristics of the semiconductor device and the yield of production. Therefore, a cleaning process for removing various contaminants adhering to the surface of the substrate is very important in the semiconductor manufacturing process, and a process for cleaning the substrate is performed before and after each unit process for manufacturing a semiconductor. As a process for removing such foreign matter, there is a cleaning process using pure water (Deionized Water) or a chemical (chemical).

약액을 이용한 세정의 경우에는 일반적으로 산화성의 산이 사용된다. 특히, 황산(H2SO4), 과산화 수소(H2O2)를 혼합한 약액이 기판 세정 공정을 위한 약액으로 사용된다. 하지만, 황산(H2SO4)과 과산화 수소(H2O2)가 혼합될 때 화학반응에 의해 발생되는 버블 및 열에 의해 혼합 탱크 내부의 압력 상승 및 탱크가 파손되는 경우가 발생된다. In the case of cleaning with a chemical solution, an oxidizing acid is generally used. In particular, a chemical solution containing sulfuric acid (H2SO4) and hydrogen peroxide (H2O2) is used as a chemical solution for the substrate cleaning process. However, when sulfuric acid (H 2 SO 4) and hydrogen peroxide (H 2 O 2) are mixed, a pressure rise inside the mixing tank and a tank are broken by bubbles and heat generated by a chemical reaction.

본 발명은 서로 다른 약액들이 혼합되면서 발생되는 버블 및 온도 상승에 의한 압력 상승 및 탱크 손상을 방지할 수 있는 것을 그 목적으로 한다. It is an object of the present invention to prevent pressure rise and tank damage caused by bubbles and temperature rise generated when different chemical liquids are mixed.

본 발명은 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다. The present invention is not limited to the above-described problems, and other problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기한 과제를 달성하기 위하여 기판을 처리하는 기판 처리 유닛에 약액을 공급하는 장치는 약액 소스부; 상기 약액 소스부로부터 약액들을 공급받아 혼합하는 용기인 복수 개의 약액 탱크; 상기 복수 개의 약액 탱크로부터 혼합된 고온의 약액을 공급받아 저장하는 그리고 저장된 고온의 약액을 상기 기판 처리 유닛으로 공급하기 위한 메인 탱크; 및 상기 약액 탱크 내부에 설치되고 상기 약액 탱크로 공급되는 약액들이 1차로 혼합되고, 혼합과정에서 발생되는 기포를 외부로 배출하는 이너 믹싱부재를 포함한다. According to an aspect of the present invention, there is provided an apparatus for supplying a chemical liquid to a substrate processing unit for processing a substrate, A plurality of chemical liquid tanks for supplying and mixing chemical liquids from the chemical liquid source part; A main tank for supplying and storing a high temperature chemical liquid mixed from the plurality of chemical liquid tanks and supplying the stored high temperature chemical liquid to the substrate processing unit; And an inner mixing member installed inside the chemical liquid tank and supplied with the chemical liquid to the chemical liquid tank, and discharging bubbles generated during the mixing process to the outside.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 이너 믹싱부재는 상기 약액 탱크로 공급되는 약액들이 1차로 혼합되는 믹싱 베스; 및 상기 믹싱 베스의 상부에 설치되고 상기 믹싱 베스에서 약액들의 화학반응에 의해 발생되는 기포를 상기 약액 탱크 밖으로 배출하기 위한 포집커버를 포함한다. According to an embodiment of the present invention, the inner mixing member may include: a mixing bath in which chemical liquids supplied to the chemical liquid tank are primarily mixed; And a collecting cover installed at an upper portion of the mixing bath and for discharging bubbles generated by chemical reaction of the chemical solutions in the mixing bath out of the chemical tank.

본 발명에 의하면, 황산(H2SO4)과 과산화 수소(H2O2)가 혼합될 때 화학반응에 의해 발생되는 버블을 신속하게 제거함으로써 약액 탱크 내부의 압력 상승 및 손상을 방지할 수 있다. According to the present invention, when the sulfuric acid (H2SO4) and hydrogen peroxide (H2O2) are mixed, the bubbles generated by the chemical reaction can be removed quickly to prevent the pressure rise and damage inside the chemical tank.

도 1은 기판 처리 장치를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2는 공정 챔버와 기판 처리 유닛을 나타낸 평면도이다.
도 3은 공정 챔버와 기판 처리 유닛를 나타낸 단면도이다.
도 4는 약액 공급 장치의 구성을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 5는 이너 믹싱부재가 설치된 제 1 탱크를 보여주는 도면이다. 1 is a plan view schematically showing a substrate processing apparatus.
2 is a plan view showing a process chamber and a substrate processing unit;
3 is a cross-sectional view showing the process chamber and the substrate processing unit.
4 is a view schematically showing the configuration of the chemical liquid supply device.
5 is a view showing a first tank in which an inner mixing member is installed.

본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.The embodiments of the present invention can be modified into various forms and the scope of the present invention should not be interpreted as being limited by the embodiments described below. The present embodiments are provided to enable those skilled in the art to more fully understand the present invention. Accordingly, the shapes of the components and the like in the drawings are exaggerated in order to emphasize a clearer description.

도 1은 본 발명의 기판 처리 장치를 개략적으로 나타낸 평면도이다. 1 is a plan view schematically showing a substrate processing apparatus of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 기판 처리 시스템(1000)은 인덱스부(10), 버퍼부(20) 그리고 처리부(50)를 포함할 수 있다. 인덱스부(10), 버퍼부(20) 그리고 처리부는 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스부(10), 버퍼부(20) 그리고 처리부(50)가 배열된 방향을 제 1 방향이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제 1 방향의 수직인 방향을 제 2 방향이라 하며, 제 1 방향과 제 2 방향을 포함한 평면에 수직인 방향을 제 3 방향이라 정의한다. Referring to FIG. 1, the substrate processing system 1000 of the present invention may include an index unit 10, a buffer unit 20, and a processing unit 50. The index unit 10, the buffer unit 20, and the processing unit are arranged in a line. Hereinafter, the direction in which the index unit 10, the buffer unit 20, and the processing unit 50 are arranged is referred to as a first direction, the direction perpendicular to the first direction as viewed from above is referred to as a second direction, And a direction perpendicular to the plane including the first direction and the second direction is defined as a third direction.

인덱스부(10)는 기판 처리 시스템(1000)의 제 1 방향의 전방에 배치된다. 인덱스부(10)는 4개의 로드 포트(12) 및 1개의 인덱스 로봇(13)을 포함한다. The index portion 10 is disposed in front of the substrate processing system 1000 in the first direction. The index section 10 includes four load ports 12 and one index robot 13.

4개의 로드 포트(12)는 제 1 방향으로 인덱스부(10)의 전방에 배치된다. 로드 포트(12)는 복수 개가 제공되며 이들은 제 2 방향을 따라 배치된다. 로드 포트(12)의 개수는 기판 처리 시스템(1000)의 공정 효율 및 풋 프린트 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 로드 포트(12)들에는 공정에 제공될 기판(W) 및 공정처리가 완료된 기판(W)이 수납된 캐리어(예컨대, 카세트, FOUP등)가 안착된다. 캐리어(16)에는 기판들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯이 형성된다. The four load ports 12 are disposed in front of the index portion 10 in the first direction. A plurality of load ports 12 are provided and they are disposed along the second direction. The number of load ports 12 may increase or decrease depending on the process efficiency and footprint conditions of the substrate processing system 1000. In the load ports 12, a substrate W to be supplied to the process and a carrier (e.g., cassette, FOUP, etc.) in which the processed substrate W is placed are placed. The carrier 16 is formed with a plurality of slots for accommodating the substrates horizontally arranged with respect to the paper surface.

인덱스 로봇(13)은 로드 포트(12)와 이웃하여 제 1 방향으로 배치된다. 인덱스 로봇(13)은 로드 포트(12)와 버퍼부(20) 사이에 설치된다. 인덱스 로봇(13)은 버퍼부(20)의 상층에 대기하는 기판(W)을 캐리어(16)로 이송하거나, 캐리어(16)에서 대기하는 기판(W)을 버퍼부(20)의 하층으로 이송한다. The index robot 13 is disposed in the first direction adjacent to the load port 12. [ The index robot 13 is installed between the load port 12 and the buffer unit 20. The index robot 13 transfers the substrate W waiting on the upper layer of the buffer unit 20 to the carrier 16 or transfers the substrate W waiting on the carrier 16 to the lower layer of the buffer unit 20 do.

버퍼부(20)는 인덱스부(10)와 처리부 사이에 설치된다. 버퍼부(20)는 인덱스 로봇(13)에 의해 이송되기 전에 공정에 제공될 기판(W) 또는 메인 이송 로봇(30)에 의해 이송되기 전에 공정 처리가 완료된 기판(W)이 일시적으로 수납되어 대기하는 장소이다. The buffer unit 20 is provided between the index unit 10 and the processing unit. The buffer unit 20 temporarily stores the substrate W to be supplied to the process before being transferred by the index robot 13 or the substrate W whose processing has been completed before being transferred by the main transfer robot 30, .

메인 이송 로봇(30)은 이동 통로(40)에 설치되며, 각 기판 처리 장치(1)들 및 버퍼부(20) 간에 기판을 이송한다. 메인 이송 로봇(30)은 버퍼부(20)에서 대기하는 공정에 제공될 기판을 각 기판 처리 장치(1)로 이송하거나, 각 기판 처리 장치(1)에서 공정 처리가 완료된 기판을 버퍼부(20)로 이송한다. The main transfer robot 30 is installed in the transfer passage 40 and transfers substrates between the substrate processing apparatuses 1 and the buffer unit 20. [ The main transfer robot 30 transfers the substrate to be provided to the process waiting in the buffer unit 20 to each substrate processing apparatus 1 or transfers the substrate that has been processed in each substrate processing apparatus 1 to the buffer unit 20 ).

이동 통로(40)는 처리부 내의 제 1 방향을 따라 배치되며, 메인 이송 로봇(30)이 이동하는 통로를 제공한다. 이동 통로(40)의 양측에는 기판 처리 장치(1)들이 서로 마주보며 제 1 방향을 따라 배치된다. 이동 통로(40)에는 메인 이송 로봇(30)이 제 1 방향을 따라 이동하며, 기판 처리 장치(1)의 상하층, 그리고 버퍼부(20)의 상하층으로 승강할 수 있는 이동 레일이 설치된다. The transfer passage 40 is disposed along a first direction in the processing section and provides a passage through which the main transfer robot 30 moves. On both sides of the transfer passage 40, the substrate processing apparatuses 1 are disposed to face each other and along the first direction. The main transfer robot 30 moves along the first direction to the transfer passage 40 and the upper and lower layers of the substrate processing apparatus 1 and the upper and lower layers of the buffer unit 20 are provided with movable rails .

기판 처리 장치(1)는 메인 이송 로봇(30)이 설치되는 이동통로(40)의 양측에 서로 마주하게 배치된다. 기판 처리 시스템(1000)은 상하층으로 된 다수개의 기판 처리 장치(1)를 구비하나, 기판 처리 장치(1)의 개수는 기판 처리 시스템(1000)의 공정 효율 및 풋 프린트 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 각각의 기판 처리 장치(1)는 독립적인 하우징으로 구성되며, 이에 각각의 기판 처리 장치 내에서는 독립적인 형태로 기판을 처리하는 공정이 이루어질 수 있다. The substrate processing apparatus 1 is disposed on both sides of the moving path 40 on which the main transfer robot 30 is installed so as to face each other. The substrate processing system 1000 includes a plurality of upper and lower substrate processing apparatuses 1 but the number of the substrate processing apparatuses 1 is increased or decreased depending on the process efficiency and the footprint conditions of the substrate processing system 1000 You may. Each of the substrate processing apparatuses 1 is constituted by an independent housing, and a process of processing the substrate in an independent form in each of the substrate processing apparatuses can be performed.

아래의 실시예에서는 고온의 황산, 알카리성 약액(오존수 포함), 산성 약액, 린스액, 그리고 건조가스(IPA가 포함된 가스)와 같은 처리유체들을 사용하여 기판을 세정하는 장치를 예로 들어 설명한다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않으며, 식각 공정 등과 같이 기판을 회전시키면서 공정을 수행하는 다양한 종류의 장치에 모두 적용될 수 있다. In the following examples, an apparatus for cleaning a substrate using processing fluids such as hot sulfuric acid, an alkaline chemical solution (including ozone water), an acidic chemical solution, a rinse solution, and a dry gas (gas containing IPA) is taken as an example. However, the technical idea of the present invention is not limited thereto, and can be applied to various kinds of apparatuses that perform a process while rotating a substrate such as an etching process.

도 2는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성을 보여주는 평면 구성도이다. 도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성을 보여주는 측단면 구성도이다. 도 2에서는 도면 편의상 고정 노즐 부재를 생략하였다. 2 is a plan view showing a configuration of a substrate processing apparatus according to the present invention. 3 is a side cross-sectional view showing a configuration of a substrate processing apparatus according to the present invention. In Fig. 2, the fixed nozzle member is omitted for convenience of illustration.

본 실시예에서는 매엽식 기판 처리 장치(1)가 처리하는 기판으로 반도체 기판를 일례로 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 유리 기판과 같은 다양한 종류의 기판에도 적용될 수 있다. In the present embodiment, the semiconductor substrate is exemplarily described as the substrate processed by the single wafer processing apparatus 1, but the present invention is not limited to this and can be applied to various kinds of substrates such as a glass substrate.

도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 매엽식 기판 처리 장치(1)는 다양한 처리유체들을 사용하여 기판 표면에 잔류하는 이물질 및 막질을 제거하는 장치로써, 챔버(700), 처리 용기(100), 기판 지지부재(200), 이동 노즐 부재(300), 고정 노즐(500) 및 배기부재(400)를 포함한다. 2 and 3, the single wafer processing apparatus 1 according to the present invention is an apparatus for removing foreign matters and film quality remaining on the surface of a substrate using various processing fluids. The apparatus 700 includes a chamber 700, 100, a substrate support member 200, a movable nozzle member 300, a fixed nozzle 500, and an exhaust member 400.

챔버(700)는 밀폐된 내부 공간을 제공하며, 상부에는 팬필터유닛(710)이 설치된다. 팬필터유닛(710)은 챔버(700) 내부에 수직기류를 발생시킨다.The chamber 700 provides a closed internal space, and a fan filter unit 710 is installed on the upper part. The fan filter unit 710 generates a vertical air flow inside the chamber 700.

팬필터유닛(710)은 필터와 공기공급팬이 하나의 유니트로 모듈화된 것으로, 청정공기를 필터링하여 챔버 내부로 공급해주는 장치이다. 청정공기는 팬 필터 유닛(710)을 통과하여 챔버 내부로 공급되어 수직기류를 형성하게 된다. 이러한 공기의 수직기류는 기판 상부에 균일한 기류를 제공하게 되며, 처리유체에 의해 기판 표면이 처리되는 과정에서 발생되는 오염물질(흄)들은 공기와 함께 처리 용기(100)의 흡입덕트들을 통해 배기부재(400)로 배출되어 제거됨으로써 처리 용기 내부의 고청정도를 유지하게 된다. The fan filter unit 710 is a unit in which the filter and the air supply fan are modularized into one unit and supplies clean air to the inside of the chamber by filtering. The clean air passes through the fan filter unit 710 and is supplied into the chamber to form a vertical airflow. The vertical airflow of the air provides a uniform airflow on the substrate. The contaminants (fumes) generated during the processing of the substrate surface by the processing fluid flow through the suction ducts of the processing vessel 100 together with the air, So that the cleanliness of the inside of the processing container can be maintained.

도 2에 도시된 바와 같이, 챔버(700)는 수평 격벽(714)에 의해 공정 영역(716)과 유지보수 영역(718)으로 구획된다. 도면에는 일부만 도시하였지만, 유지보수 영역(718)에는 처리 용기(100)와 연결되는 배출라인(141,143,145), 서브배기라인(410) 이외에도 승강유닛의 구동부과, 이동 노즐 부재(300)의 이동 노즐(310)들과 연결되는 구동부, 공급라인 등이 위치되는 공간으로, 이러한 유지보수 영역(718)은 기판 처리가 이루어지는 공정 영역으로부터 격리되는 것이 바람직하다. 2, the chamber 700 is partitioned into a process area 716 and a maintenance area 718 by a horizontal partition 714. [ Although only a portion is shown in the drawing, the maintenance area 718 includes a driving unit of the elevating unit and a moving nozzle of the moving nozzle member 300 in addition to the discharge lines 141, 143, 145 and the sub-exhaust line 410 connected to the processing container 100. It is preferable that the maintenance area 718 be isolated from the process area where the substrate treatment is performed.

처리 용기(100)는 상부가 개구된 원통 형상을 갖고, 기판(w)을 처리하기 위한 공정 공간을 제공한다. 처리 용기(100)의 개구된 상면은 기판(w)의 반출 및 반입 통로로 제공된다. 공정 공간에는 기판 지지부재(200)가 위치된다. 기판 지지부재(200)는 공정 진행시 기판(W)을 지지하고, 기판를 회전시킨다. The processing vessel 100 has a cylindrical shape with an open top, and provides a processing space for processing the substrate w. The open upper surface of the processing vessel 100 is provided as a take-out and carry-in passage of the substrate w. The substrate support member 200 is located in the process space. The substrate support member 200 supports the substrate W and rotates the substrate during the process.

처리 용기(100)는 스핀헤드(210)가 위치되는 상부공간(132a)과, 상부공간(132a)과는 스핀헤드(210)에 의해 구분되며 강제 배기가 이루어지도록 하단부에 배기덕트(190)가 연결된 하부공간(132b)을 제공한다. 처리 용기(100)의 상부공간(132a)에는 회전되는 기판상에서 비산되는 약액과 기체를 유입 및 흡입하는 환형의 제1, 제2 및 제3 흡입덕트(110, 120, 130)가 다단으로 배치된다. The processing vessel 100 is divided into an upper space 132a where the spin head 210 is located and an upper space 132a by the spin head 210. An exhaust duct 190 is provided at the lower end of the processing vessel 100 And provides a connected lower space 132b. In the upper space 132a of the processing vessel 100, annular first, second and third suction ducts 110, 120 and 130 for introducing and sucking chemical fluids and gases scattered on the rotating substrate are arranged in multiple stages .

환형의 제1, 제2 및 제3 흡입덕트(110, 120, 130)는 하나의 공통된 환형공간(용기의 하부공간에 해당)과 통하는 배기구(H)들을 갖는다. 하부공간(132b)에는 배기부재(400)와 연결되는 배기덕트(190)가 제공된다. The annular first, second and third suction ducts 110, 120 and 130 have exhaust ports H communicating with one common annular space (corresponding to the lower space of the container). In the lower space 132b, an exhaust duct 190 connected to the exhaust member 400 is provided.

구체적으로, 제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)는 각각 환형의 링 형상을 갖는 바닥면 및 바닥면으로부터 연장되어 원통 형상을 갖는 측벽을 구비한다. 제2 흡입덕트(120)는 제1 흡입덕트(110)를 둘러싸고, 제1 흡입덕트(110)로부터 이격되어 위치한다. 제3 흡입덕트(130)는 제2 흡입덕트(120)를 둘러싸고, 제2 흡입덕트(120)로부터 이격되어 위치한다.Specifically, the first to third suction ducts 110, 120, and 130 each have a bottom surface having an annular ring shape and a side wall having a cylindrical shape extending from the bottom surface. The second suction duct 120 surrounds the first suction duct 110 and is located apart from the first suction duct 110. The third suction duct 130 surrounds the second suction duct 120 and is located apart from the second suction duct 120.

제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)는 기판(w)으로부터 비산된 처리액 및 흄이 포함된 기류가 유입되는 제1 내지 제3 회수공간(RS1, RS2, RS3)을 제공한다. 제1 회수 공간(RS1)은 제1 흡입덕트(110)에 의해 정의되고, 제2 회수공간(RS2)은 제1 흡입덕트(110)와 제2 흡입덕트(120) 간의 이격 공간에 의해 정의되며, 제3 회수공간(RS3)은 제2 흡입덕트(120)와 제3 흡입덕트(130) 간의 이격 공간에 의해 정의된다. The first to third suction ducts 110, 120 and 130 provide the first to third collection spaces RS1, RS2 and RS3 through which the air flow containing the processing solution and the fumes scattered from the substrate w flows . The first collection space RS1 is defined by the first intake duct 110 and the second collection space RS2 is defined by the spacing space between the first intake duct 110 and the second intake duct 120 And the third collection space RS3 is defined by the spacing space between the second suction duct 120 and the third suction duct 130. [

제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)의 각 상면은 중앙부가 개구되고, 연결된 측벽으로부터 개구부측으로 갈수록 대응하는 바닥면과의 거리가 점차 증가하는 경사면으로 이루어진다. 이에 따라, 기판(w)으로부터 비산된 처리액은 제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)의 상면들을 따라 회수 공간들(RS1, RS2, RS3) 안으로 흘러간다.Each of the upper surfaces of the first to third suction ducts 110, 120, and 130 has an inclined surface whose center portion is open and whose distance from the corresponding side surface gradually increases from the connected side wall to the opening side. Accordingly, the processing liquid scattered from the substrate w flows into the recovery spaces RS1, RS2, and RS3 along the upper surfaces of the first to third suction ducts 110, 120, and 130.

제1 회수공간(RS1)에 유입된 제1 처리액은 제1 회수라인(141)을 통해 외부로 배출된다. 제2 회수공간(RS2)에 유입된 제2 처리액은 제2 회수라인(143)을 통해 외부로 배출된다. 제3 회수공간(RS3)에 유입된 제3 처리액은 제3 회수라인(145)을 통해 외부로 배출된다. The first treatment liquid flowing into the first collection space RS1 is discharged to the outside through the first collection line 141. [ The second process liquid that has flowed into the second recovery space RS2 is discharged to the outside through the second recovery line 143. The third treatment liquid flowing into the third water collection space RS3 is discharged to the outside through the third collection line 145. [

한편, 처리 용기(100)는 처리 용기(100)의 수직 위치를 변경시키는 승강 유닛(600)와 결합된다. 승강 유닛(600)은 처리 용기(100)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 처리 용기(100)가 상하로 이동됨에 따라 스핀 헤드(210)에 대한 처리 용기(100)의 상대 높이가 변경된다. On the other hand, the processing vessel 100 is combined with the elevation unit 600 that changes the vertical position of the processing vessel 100. The elevating unit 600 moves the processing vessel 100 linearly in the vertical direction. The relative height of the processing vessel 100 to the spin head 210 is changed as the processing vessel 100 is moved up and down.

승강 유닛(600)은 브라켓(612), 이동 축(614), 그리고 구동기(616)를 가진다. 브라켓(612)은 처리 용기(100)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(612)에는 구동기(616)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동 축(614)이 고정결합된다. 기판(W)이 스핀 헤드(210)에 로딩 또는 스핀 헤드(210)로부터 언로딩될 때 스핀 헤드(210)가 처리 용기(100)의 상부로 돌출되도록 처리 용기(100)는 하강한다. 또한, 공정이 진행시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 흡입덕트(110, 120, 130)로 유입될 수 있도록 처리 용기(100)의 높이가 조절된다. 이에 따라, 처리 용기(100)와 기판(w) 간의 상대적인 수직 위치가 변경된다. 따라서, 처리 용기(100)는 상기 각 회수공간(RS1, RS2, RS3) 별로 회수되는 처리액과 오염 가스의 종류를 다르게 할 수 있다. The lifting unit 600 has a bracket 612, a moving shaft 614, and a driver 616. The bracket 612 is fixed to the outer wall of the processing container 100 and a moving shaft 614 which is moved upward and downward by a driver 616 is fixedly coupled to the bracket 612. The processing vessel 100 is lowered so that the spin head 210 protrudes to the upper portion of the processing vessel 100 when the substrate W is loaded into the spin head 210 or unloaded from the spin head 210. The height of the processing vessel 100 is adjusted so that the processing liquid can flow into the predetermined suction ducts 110, 120 and 130 depending on the type of the processing liquid supplied to the substrate W. Thus, the relative vertical position between the processing container 100 and the substrate w is changed. Accordingly, the processing vessel 100 can differentiate the kinds of the processing liquid and the polluting gas recovered for each of the recovery spaces RS1, RS2, and RS3.

이 실시예에 있어서, 기판 처리장치(1)는 처리 용기(100)를 수직 이동시켜 처리 용기(100)와 기판 지지부재(200) 간의 상대적인 수직 위치를 변경시킨다. 그러나, 기판 처리장치(1)는 기판 지지부재(200)를 수직 이동시켜 처리 용기(100)와 기판 지지부재(200) 간의 상대적인 수직 위치를 변경시킬 수도 있다.In this embodiment, the substrate processing apparatus 1 vertically moves the processing vessel 100 to change the relative vertical position between the processing vessel 100 and the substrate supporting member 200. However, the substrate processing apparatus 1 may change the relative vertical position between the processing container 100 and the substrate supporting member 200 by vertically moving the substrate supporting member 200.

기판 지지 부재(200)는 처리 용기(100)의 내측에 설치된다. 기판 지지 부재(200)는 공정 진행 중 기판(W)을 지지하며, 공정이 진행되는 동안 후술할 구동부(240)에 의해 회전될 수 있다. 기판 지지 부재(200)는 원형의 상부 면을 갖는 스핀헤드(210)를 가지며, 스핀헤드(210)의 상부 면에는 기판(W)을 지지하는 지지 핀(212)들과 척킹 핀(214)들을 가진다. 지지 핀(212)들은 스핀헤드(210)의 상부 면 가장자리부에 소정 간격 이격되어 일정 배열로 배치되며, 스핀헤드(210)으로부터 상측으로 돌출되도록 구비된다. 지지 핀(212)들은 기판(W)의 하면을 지지하여 기판(W)이 스핀헤드(210)로부터 상측 방향으로 이격된 상태에서 지지되도록 한다. 지지 핀(212)들의 외 측에는 척킹 핀(214)들이 각각 배치되며, 척킹 핀(214)들은 상측으로 돌출되도록 구비된다. 척킹 핀(214)들은 다수의 지지 핀(212)들에 의해 지지된 기판(W)이 스핀헤드(210) 상의 정 위치에 놓이도록 기판(W)을 정렬한다. 공정 진행시 척킹 핀(214)들은 기판(W)의 측부와 접촉되어 기판(W)이 정 위치로부터 이탈되는 것을 방지한다.The substrate support member 200 is installed inside the processing vessel 100. The substrate support member 200 supports the substrate W during the process and can be rotated by a driving unit 240, which will be described later, during the process. The substrate supporting member 200 has a spin head 210 having a circular upper surface and support pins 212 and chucking pins 214 for supporting the substrate W are formed on the upper surface of the spin head 210 I have. The support pins 212 are disposed at predetermined intervals on the upper edge of the spin head 210 to be arranged in a predetermined array and protrude upward from the spin head 210. The support pins 212 support the lower surface of the substrate W so that the substrate W is supported in a state of being spaced upward from the spin head 210. Chucking pins 214 are disposed on the outer sides of the support pins 212, and the chucking pins 214 are provided to protrude upward. The chucking pins 214 align the substrate W such that the substrate W supported by the plurality of support pins 212 is in position on the spin head 210. The chucking pins 214 contact the side of the substrate W to prevent the substrate W from being displaced from the correct position.

스핀헤드(210)의 하부에는 스핀헤드(210)를 지지하는 지지축(220)이 연결되며, 지지축(220)은 그 하단에 연결된 구동부(230)에 의해 회전한다. 구동부(230)는 모터 등으로 마련될 수 있다. 지지축(220)이 회전함에 따라 스핀헤드(210) 및 기판(W)이 회전한다. A support shaft 220 for supporting the spin head 210 is connected to the lower portion of the spin head 210 and the support shaft 220 is rotated by a drive unit 230 connected to the lower end of the support shaft 220. The driving unit 230 may be a motor or the like. As the support shaft 220 rotates, the spin head 210 and the substrate W rotate.

배기부재(400)는 공정시 제1 내지 제3 흡입덕트(110, 120, 130)중 처리액을 회수하는 흡입덕트에 배기압력(흡입압력)을 제공하기 위한 것이다. 배기부재(400)는 배기덕트(190)와 연결되는 서브배기라인(410), 댐퍼(420)를 포함한다. 서브배기라인(410)은 배기펌프(미도시됨)로부터 배기압을 제공받으며 반도체 생산라인(팹)의 바닥 공간에 매설된 메인배기라인과 연결된다. The exhaust member 400 is for providing the exhaust pressure (suction pressure) to the suction duct for recovering the process liquid among the first to third suction ducts 110, 120 and 130 in the process. The exhaust member 400 includes a sub-exhaust line 410 connected to the exhaust duct 190, and a damper 420. The sub-exhaust line 410 is supplied with an exhaust pressure from an exhaust pump (not shown) and is connected to a main exhaust line embedded in the bottom space of the semiconductor production line (Fab).

고정 노즐(500)들은 처리 용기(100) 상단에 설치된다. 고정 노즐(500)은 스핀헤드(210)에 놓여진 기판(W)으로 처리유체를 분사한다. 고정 노즐(500)은 기판의 처리 위치에 따라 분사 각도 조절이 가능하다. Fixing nozzles 500 are installed at the top of the processing vessel 100. The fixed nozzle 500 ejects the processing fluid to the substrate W placed on the spin head 210. The fixed nozzle 500 can adjust the spray angle according to the processing position of the substrate.

이동 분사 부재(300)는 처리 용기(100)의 외측에 위치되며, 이동 분사 부재(300)는 기판(w)을 세정 또는 식각하기 위한 처리유체를 기판 지지부재(200)에 고정된 기판(w)으로 공급한다. 이동 분사 부재(300)는 지지축(302), 구동기(303), 노즐 지지대(304) 그리고 노즐유닛(310)을 포함한다. The moving injection member 300 is located outside the processing vessel 100 and the moving injection member 300 moves the processing fluid for cleaning or etching the substrate w to the substrate w ). The moving injection member 300 includes a support shaft 302, a driver 303, a nozzle support 304, and a nozzle unit 310.

지지축(302)은 그 길이 방향이 제 3 방향으로 제공되며, 지지축(302)의 하단은 구동기(303)와 결합된다. 구동기(303)는 지지축(302)을 회전 및 승강 운동한다. 노즐 지지대(304)는 구동기(303)와 결합된 지지축(302)의 끝단의 반대편과 수직하게 결합된다. 노즐유닛(310)은 노즐 지지대(304)의 끝단 저면에 설치된다. 노즐 유닛(310)은 구동기(303)에 의해 공정 위치와 대기 위치로 이동된다. 공정 위치는 노즐 유닛(310)이 기판의 중심 수직 상부에 배치된 위치이고, 대기 위치는 노즐 유닛(310)이 기판의 상부로부터 벗어난 위치이다. The support shaft 302 is provided with its longitudinal direction in the third direction, and the lower end of the support shaft 302 is engaged with the driver 303. The driver 303 rotates and lifts the support shaft 302. The nozzle support 304 is coupled vertically to the opposite side of the end of the support shaft 302 associated with the driver 303. The nozzle unit 310 is installed at the bottom end of the nozzle support 304. The nozzle unit 310 is moved to the process position and the standby position by the driver 303. The process position is a position where the nozzle unit 310 is disposed at the center vertical upper portion of the substrate, and the standby position is a position at which the nozzle unit 310 is deviated from the upper portion of the substrate.

기판 처리 공정에 사용되는 처리유체는 불산(HF), 황산(H3SO4), 과산화수소(H2O2), 질산(HNO3), 인산(H3PO4), 오존수, 그리고 SC-1 용액(수산화암모늄(NH4OH), 과산화수소(H2O2) 및 물(H2O)의 혼합액)으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나일 수 있다. 린스액으로는 초순수(DIW:Deionized Water)가 사용될 수 있고, 건조 가스로는 이소프로필 알코올 가스(IPA:Isopropyl alcohol gas)가 사용될 수 있다. Process to be used in the substrate processing process fluid is hydrofluoric acid (HF), sulfuric acid (H3SO4), hydrogen peroxide (H 2 O 2), nitric acid (HNO3), phosphoric acid (H3PO4), ozone water, and SC-1 solution (ammonium hydroxide (NH 4 OH), hydrogen peroxide (H 2 O 2 ), and water (H 2 O)). Deionized water (DIW) may be used as the rinse solution, and isopropyl alcohol gas (IPA) may be used as the drying gas.

도 4는 약액 공급 장치(800)의 구성을 개략적으로 나타낸 도면이다.4 is a view schematically showing the configuration of the chemical liquid supply device 800. As shown in FIG.

도 4를 참조하면, 약액 공급 장치(800)는 기판 처리 장치(1)의 노즐유닛(310)으로 고온의 약액을 공급한다. 약액 공급 장치(800)는 회수 부재(810), 약액 소스부(820), 제 1 공급 유닛(830), 제 2 공급 유닛(850), 메인 공급 유닛 (870),분배 부재(890), 배출 부재(900) 및 이너 믹싱부재(840)를 포함한다.Referring to FIG. 4, the chemical liquid supply device 800 supplies a high-temperature chemical liquid to the nozzle unit 310 of the substrate processing apparatus 1. The chemical liquid supply device 800 includes a recovery member 810, a chemical liquid source part 820, a first supply unit 830, a second supply unit 850, a main supply unit 870, a distribution member 890, and a discharge. The member 900 and the inner mixing member 840 are included.

회수 부재(810)는 회수 공급 라인(812), 회수 탱크(814) 및 재사용 공급 라인(816)을 포함한다. The recovery member 810 includes a recovery supply line 812, a recovery tank 814, and a reuse supply line 816.

회수 공급 라인(812)은 기판 처리 장치(1)에서 사용된 약액을 회수 탱크(814)로 회수하는 연결 부재이다. 회수 공급 라인(812)은 기판 처리 장치(1)의 처리용기(100)의 배출라인(141,143,145)과 연결된다. 회수 공급 라인(812) 상에는 필터와 펌프가 설치된다. 기판 처리 장치(1)에서 사용된 약액은 회수 공급 라이인(812) 상의 필터를 통과하면서 이물질이 필터링되고 펌프에 의해 가압되어 회수 탱크(814)로 회수된다.The recovery supply line 812 is a connection member for recovering the chemical solution used in the substrate processing apparatus 1 to the recovery tank 814. The recovery supply line 812 is connected to the discharge lines 141, 143, and 145 of the processing vessel 100 of the substrate processing apparatus 1. On the recovery supply line 812, a filter and a pump are installed. The chemical solution used in the substrate processing apparatus 1 passes through the filter on the recovery supply line 812, while the foreign matter is filtered and pressurized by the pump and recovered to the recovery tank 814.

회수 탱크(814)는 회수 공급 라인(812)을 통해 회수된 약액을 재사용할 수 있도록 저장하는 탱크이다. 회수 탱크(814)는 레벨 센서(813)와 순환 라인(815)을 포함한다. 레벨 센서(813)는 회수 탱크(814)의 회수된 약액의 수위를 감지한다. 순환 라인(815)은 회수 탱크(814)의 저장된 약액을 순환시킨다. 순환 라인(815) 상에는 펌프가 설치된다.The recovery tank 814 is a tank for storing the recovered chemical solution through the recovery supply line 812 so that it can be reused. The recovery tank 814 includes a level sensor 813 and a circulation line 815. The level sensor 813 senses the level of the recovered chemical liquid in the recovery tank 814. The circulation line 815 circulates the stored chemical solution of the recovery tank 814. A pump is installed on the circulation line 815.

재사용 공급 라인(816)은 회수 탱크(814)에 저장된 약액을 제 1 공급 유닛(830)의 제 1 탱크(832)에 공급하는 연결 부재이다.The reuse supply line 816 is a connection member for supplying the chemical solution stored in the recovery tank 814 to the first tank 832 of the first supply unit 830.

약액 소스부(820)는 제 1 약액 소스부(820a)와 제 2 약액 소스부(820b)로 나눈다. 제 1 약액 소스부(820a)는 제 1 약액 공급원(821a)과 제 1 약액 공급 라인(822a)을 포함하며, 제 2 약액 소스부(820b)는 제 2 약액 공급원(821b)과 제 2 약액 공급 라인(822b)을 포함한다. 제 1 약액 공급원(821a)과 제 2 약액 공급원(821b)은 제 1, 제 2 공급 유닛(830,850)의 제 1, 제 2 탱크(832,852)에 약액을 공급한다. 약액을 혼합하여 기판을 세정하는 경우에는 제 1 약액 소스부(820a)의 약액은 황산(H2SO4)일 수 있으며, 제 2 약액 소스부(820b)의 약액은 과산화수소(H2O2)일 수 있다.The drug solution source portion 820 is divided into a first drug solution source portion 820a and a second drug solution source portion 820b. The first chemical solution source portion 820a includes a first chemical solution supply source 821a and a first chemical solution supply line 822a and the second chemical solution source portion 820b includes a second chemical solution supply source 821b and a second chemical solution supply source 822b, Line 822b. The first chemical solution supply source 821a and the second chemical solution supply source 821b supply the chemical solution to the first and second tanks 832 and 852 of the first and second supply units 830 and 850, respectively. When the substrate is cleaned by mixing the chemical solution, the chemical solution of the first chemical solution source portion 820a may be sulfuric acid (H2SO4), and the chemical solution of the second chemical solution source portion 820b may be hydrogen peroxide (H2O2).

제 1 공급 유닛(830)은 제 1 탱크(832) 및 제 1 연결 라인(834)을 포함한다. The first supply unit 830 includes a first tank 832 and a first connection line 834.

제 1 탱크(832)는 회수 탱크(814)로부터 약액을 공급받거나 약액 소스부(820)로부터 약액을 공급받아 저장하는 탱크이다. 제 1 탱크(832)는 레벨 센서(833)와 순환 라인(835)을 포함한다. 레벨 센서(833)는 제 1 탱크(832) 내의 약액의 수위를 감지한다. 순환 라인(835)은 제 1 탱크(832) 내의 약액을 순환시키는 연결 부재이다. 순환 라인(835)상에 펌프, 히터, 압력계, 필터, 유량계 및 밸브가 설치된다. 제 1 탱크(832)는 메인 공급 유닛(870)의 메인 탱크(872)로 약액을 공급하는 주탱크이다. 제 1 탱크(832)는 메인 공급 유닛(870)의 메인 탱크(872)로 약액을 공급하기 전에 약액의 농도와 온도를 보정한다. 기판 처리 장치(1)에서 사용된 약액이 회수 탱크(814)를 거쳐 제 1 탱크(832)로 공급되는 경우, 약액의 농도와 온도가 설정된 기준에 미달되는 경우가 발생한다. 이 때, 제 1 탱크(832)는 약액의 농도를 보정하기 위해 약액 소스부(820)로부터 약액을 공급받으며, 약액을 순환 라인(835) 상의 가열기를 거쳐 온도를 보정한다.The first tank 832 is a tank for receiving the chemical liquid from the recovery tank 814 or storing the chemical liquid supplied from the chemical liquid source unit 820. The first tank 832 includes a level sensor 833 and a circulation line 835. The level sensor 833 senses the level of the chemical liquid in the first tank 832. The circulation line 835 is a connection member for circulating the chemical solution in the first tank 832. A pump, a heater, a pressure gauge, a filter, a flow meter, and a valve are installed on the circulation line 835. The first tank 832 is a main tank for supplying the chemical solution to the main tank 872 of the main supply unit 870. The first tank 832 corrects the concentration and the temperature of the chemical liquid before supplying the chemical liquid to the main tank 872 of the main supply unit 870. When the chemical liquid used in the substrate processing apparatus 1 is supplied to the first tank 832 through the recovery tank 814, the concentration and temperature of the chemical liquid may be lower than the set standard. At this time, the first tank 832 receives the chemical solution from the chemical solution source portion 820 to correct the concentration of the chemical solution, and corrects the temperature of the chemical solution through the heater on the circulation line 835.

제 1 연결 라인(834)은 제 1 탱크(832)에 저장된 약액을 메인 공급 유닛(870)의 메인 탱크(872)에 공급하는 연결부재이다.The first connection line 834 is a connection member for supplying the chemical solution stored in the first tank 832 to the main tank 872 of the main supply unit 870.

제 2 공급 유닛(850)은 제 2 탱크(852) 및 제 2 연결 라인(854)을 포함한다.The second supply unit 850 includes a second tank 852 and a second connection line 854.

제 2 탱크(852)는 약액 소스부(820)로부터 공급된 약액을 저장하는 탱크이다. 제 2 탱크(852)는 레벨 센서(853)와 순환 라인(855)을 포함한다. 레벨 센서(853)는 제 2 탱크(852) 내의 약액 수위를 감지한다. 순환 라인(855)은 제 2 탱크(852) 내의 약액을 순환시키는 연결 부재이다. 순환 라인(855) 상에는 펌프, 히터, 압력계, 필터, 유량계 및 밸브가 설치된다. 제 2 탱크(852)는 제 1 탱크(832)의 보조 탱크로서, 제 1 탱크(832)가 약액을 교환하거나 제 1 탱크(832)의 하자가 발생한 경우에 메인 공급 장치(870)의 메인 탱크(872)로 약액을 공급한다.The second tank 852 is a tank for storing the chemical solution supplied from the chemical solution source portion 820. The second tank 852 includes a level sensor 853 and a circulation line 855. The level sensor 853 senses the level of the chemical liquid in the second tank 852. The circulation line 855 is a connecting member circulating the chemical liquid in the second tank 852. A pump, a heater, a pressure gauge, a filter, a flow meter, and a valve are installed on the circulation line 855. The second tank 852 serves as an auxiliary tank of the first tank 832 so that when the first tank 832 exchanges the chemical liquid or the first tank 832 is defective, (872).

제 2 연결 라인(854)은 제 2 탱크(852)에 저장된 약액을 메인 공급 유닛(870)의 메인 탱크(872)로 공급하는 연결 부재이다.The second connection line 854 is a connection member for supplying the chemical solution stored in the second tank 852 to the main tank 872 of the main supply unit 870.

도 4 및 도 5를 참조하면, 이너 믹싱부재(840)는 제 1 탱크(832)와 제 2 탱크(852) 내부에 각각 설치된다. 제 1 탱크(832)와 제 2 탱크(852)에 설치된 이너 믹싱부재(840)는 동일한 구성과 기능을 갖기 때문에 제 1 탱크(832)에 설치된 이너 믹싱부재(840)를 대표로 설명하겠다.4 and 5, the inner mixing member 840 is installed in the first tank 832 and the second tank 852, respectively. Since the inner mixing member 840 installed in the first tank 832 and the second tank 852 has the same configuration and function, the inner mixing member 840 provided in the first tank 832 will be described as a representative.

이너 믹싱부재(840)는 제 1 탱크(832)로 공급되는 약액들(황산과 과산화수소)이 1차로 혼합되는 공간을 제공하며, 이 혼합과정에서 발생되는 기포를 외부로 배출하여 제 1 탱크 내부의 압력 변동을 예방할 수 있다.
이너 믹싱부재(840)는 믹싱 베스(842)와 포집커버(844)를 포함한다.
믹싱 베스(842)는 제 1 탱크(832)의 내부 공간(X1) 상부에 설치되며, 가능한 제 1 탱크(832)의 최대 수위 보다 높은 곳에 위치되는 것이 바람직하다. 믹싱 베스(842)의 상부는 개방된 용기로써 믹싱 베스(842)로부터 오버플로우되는 혼합 약액은 제 1 탱크(832)의 내부 공간(X1)으로 제공된다. 제 1 약액 공급 라인(822a)과 제 2 약액 공급 라인(822b)은 믹싱 베스(842)까지 연장되어 위치된다. 즉, 황산과 과산화수소는 제 1 약액 공급 라인(822a)과 제 2 약액 공급 라인(822b)을 통해 믹싱 베스(842)로 공급되어 믹싱 베스에서 1차 혼합된다. The inner mixing member 840 provides a space in which the chemical liquids (sulfuric acid and hydrogen peroxide) supplied to the first tank 832 are primarily mixed. The inner mixing member 840 discharges the bubbles generated in the mixing process to the outside, thereby Pressure fluctuations can be prevented.
The inner mixing member 840 includes a mixing bath 842 and a collecting cover 844.
The mixing bath 842 is installed above the internal space X1 of the first tank 832 and is preferably located at a position higher than the maximum level of the first tank 832 as much as possible. The upper portion of the mixing bath 842 is an open container, and the mixed chemical liquid overflowing from the mixing bath 842 is provided to the internal space X1 of the first tank 832. The first chemical supply line 822a and the second chemical supply line 822b extend and extend to the mixing bath 842. That is, sulfuric acid and hydrogen peroxide are supplied to the mixing bath 842 through the first chemical supply line 822a and the second chemical supply line 822b, and are primarily mixed in the mixing bath.

포집커버(844)는 믹싱 베스(842)의 상부에 설치된다. 포집커버(844)는 믹싱 베스(842)의 개방된 상부의 가장자리를 제외한 나머지 부분을 커버링하며 포집커버(844)의 하단은 믹싱 베스(842)의 수면 아래에 잠기도록 설치된다. 따라서, 믹싱 베스(842)의 수면과 포집커버(844) 사이에는 제 1 탱크의 내부공간(X1)과는 구획되는 별도의 독립 공간(X2)이 제공된다. 포집커버(844)의 상면에는 독립공간(X2)과 연통되고 외부의 배기라인과 연결되는 기포 배출포트(846)가 설치된다. The collecting cover 844 is installed on the top of the mixing bath 842. The collecting cover 844 covers the remaining portions except the open upper edge of the mixing bath 842 and the lower end of the collecting cover 844 is installed to be locked under the water surface of the mixing bath 842. Accordingly, a separate independent space X2 is provided between the water surface of the mixing bath 842 and the collecting cover 844, which is partitioned from the internal space X1 of the first tank. The upper surface of the collecting cover 844 is provided with a bubble discharge port 846 in communication with the independent space (X2) and connected to the external exhaust line.

상술한 구조를 갖는 이너 믹싱부재(840)는 황산과 과산화수소가 제 1 약액 공급 라인(822a)과 제 2 약액 공급 라인(822b)을 통해 믹싱 베스(842)로 공급되면 믹싱 베스(842) 내에서 황산과 과산화수소의 혼합에 의한 화학반응으로 기포가 발생된다. 기포는 수면 위로 상승하여 믹싱 베스(842)의 수면과 포집커버(844) 사이의 독립 공간(X2)으로 모여진다. 이렇게 모여지는 기포(가스)는 기포 배출포트(846)를 통해 외부의 배기라인으로 배출된다. 그리고, 기포가 제거된 혼합된 약액은 믹싱 베스(842)로부터 오버플로워되어 제 1탱크의 내부공간(X1)으로 흘러가고, 제 1 탱크에 연결된 순환 라인(835)을 통해 순환되면서 혼합과 온도 보정이 이루어지게 된다. Inner mixing member 840 having the above-described structure is provided in the mixing bath 842 when sulfuric acid and hydrogen peroxide are supplied to the mixing bath 842 through the first chemical supply line 822a and the second chemical supply line 822b. Bubbles are generated by a chemical reaction of sulfuric acid and hydrogen peroxide. The bubbles rise above the water surface and are collected in the independent space X2 between the water surface of the mixing bath 842 and the collecting cover 844. The bubbles (gas) thus collected are discharged to the outside exhaust line through the bubble discharge port 846. In addition, the bubble-free mixed chemical liquid overflows from the mixing bath 842 and flows into the internal space X1 of the first tank, and circulates through the circulation line 835 connected to the first tank, thereby mixing and correcting the temperature. This is done.

이처럼, 본 발명은 이너 믹싱부재가 제 1 탱크 및 제 2 탱크 내부에 설치되어 황산과 과산화수소가 최초 혼합되는 공간을 분리 구성함과 동시에 최초 혼합 공간에서 발생되는 기포는 포집커버에 의해 제공된 독립공간(X2)에서 포집되어 외부로 배기됨으로써 제 1 탱크 내부의 압력상승 등에 악영향을 미치지 않는다. As described above, the present invention provides an inner mixing member installed inside the first tank and the second tank to separate the space where sulfuric acid and hydrogen peroxide are first mixed, and at the same time, the bubbles generated in the initial mixing space are separated from the independent space provided by the collecting cover. It is collected in X2) and exhausted to the outside, which does not adversely affect the pressure rise inside the first tank.

다시 도 4를 참조하면, 메인 공급 유닛(870)은 메인 탱크(872)를 포함한다.Referring again to FIG. 4, the main supply unit 870 includes a main tank 872.

메인 탱크(872)는 제 1 및 제 2 탱크(832,852)로부터 공급된 약액을 저장하는 탱크이다. 메인 탱크(872)는 레벨 센서(873)와 순환 라인(875)을 포함한다. 레벨 센서(873)는 메인 탱크(872) 내의 약액 수위를 감지한다. 순환 라인(875)은 메인 탱크(872)의 약액을 순환시키는 연결 부재이다. 순환 라인(875) 상에는 펌프, 히터, 압력계, 필터, 유량계 및 밸브를 포함한다. 메인 탱크(872)는 기판 처리 장치(1)로 약액을 공급하는 약액 공급 장치(800)의 최종 단계 탱크이다.The main tank 872 is a tank for storing the chemical liquid supplied from the first and second tanks 832 and 852. Main tank 872 includes a level sensor 873 and a circulation line 875. The level sensor 873 senses the level of the chemical liquid in the main tank 872. The circulation line 875 is a connecting member for circulating the chemical liquid in the main tank 872. [ The circulation line 875 includes a pump, a heater, a pressure gauge, a filter, a flow meter, and a valve. The main tank 872 is a final stage tank of the chemical liquid supply device 800 for supplying the chemical liquid to the substrate processing apparatus 1. [

분배 부재(890)는 메인 탱크(872)로부터 약액을 공급받고 약액을 기판 처리 장치(1)에 분배한다. 분배 부재(890)는 분배기(892)와 분배 라인(894)을 포함한다. The distribution member 890 receives the chemical liquid from the main tank 872 and distributes the chemical liquid to the substrate processing apparatus 1. [ The distribution member 890 includes a distributor 892 and a distribution line 894.

분배기(892)는 메인 탱크(872)로부터 약액을 공급받아 이를 수용한다. 분배 라인(894)은 복수 개가 구비될 수 있으며, 각각의 분배 라인(894)은 분배기(892)로부터 기판 처리 장치(1)의 노즐 유닛(310)으로 약액을 공급한다.The distributor 892 receives the chemical liquid from the main tank 872 and receives it. A plurality of distribution lines 894 may be provided and each of the distribution lines 894 supplies the chemical solution from the distributor 892 to the nozzle unit 310 of the substrate processing apparatus 1. [

배출 부재(900)는 제 1, 제 2 탱크(832,852), 제 1, 제 2 및 메인 탱크(832,852,872)에 포함된 순환 라인(835,855,875) 및 제 1, 제 2 및 메인 탱크를 담고 있는 바닥 용기에 각각 연결된 배출 라인(881)을 포함한다. 배출라인(881)은 버퍼 탱크(882)를 거쳐 외부로 배출된다. The discharge member 900 is connected to the bottom vessel containing the first, second and main tanks 832, 852, the circulation lines 835, 855, 875 included in the first, second and main tanks 832, 852, And a discharge line 881 connected thereto. The discharge line 881 is discharged through the buffer tank 882 to the outside.

상기에서 설명한 것처럼, 약액 공급 장치(800)는 약액 소스부(820)로부터 공급된 약액과 기판 처리 장치(1)에서 사용된 약액을 복수 개의 탱크(814,832,852,872)에 저장하고 이를 거쳐 기판 처리 장치(1)에 공급하는 장치이며, 특히 제 1 탱크와 제 2 탱크 내부에는 기포를 신속하게 제거하기 위한 이너 믹싱부재가 설치되어 탱크 내부의 압력에 악영향을 주지 않는다.As described above, the chemical liquid supply apparatus 800 stores the chemical liquid supplied from the chemical liquid source unit 820 and the chemical liquid used in the substrate processing apparatus 1 in the plurality of tanks 814, 832, 852, 872, and through the substrate processing apparatus 1. ), And an inner mixing member is installed in the first tank and the second tank to quickly remove bubbles, and does not adversely affect the pressure inside the tank.

약액 공급 장치(800)를 이용한 약액의 공급 및 재사용 시스템에 대하여 설명한다. 약액 공급 및 재사용 시스템은 시스템 대기 단계, 시스템 진행 단계, 약액 교환 단계로 나뉜다. 시스템 대기 단계는 약액을 기판 처리 장치(1)에 공급하기 전에 비워진 제 1, 제 2 및 메인 탱크(832,852,872)에 약액을 저장하는 단계를 말한다. 시스템 진행 단계는 시스템을 작동시킨 후 약액을 기판 처리 장치(1)에 공급하고 사용된 약액을 회수하는 단계를 말한다. 시스템 진행 단계는 2 단계로 나눠 진행된다. 약액 교환 단계는 기판 처리 장치(1)에서 사용된 약액을 배출하고 새로운 약액을 공급하는 단계를 말한다. 이때, 약액을 저장하는 복수 개의 탱크(814,832,852,872)들은 약액이 탱크에 가득 채워진 수위를 기준으로 HH레벨, H 레벨, MR 레벨, M 레벨, L 레벨, LL 레벨로 나뉠 수 있다. A system for supplying and reusing a chemical liquid using the chemical liquid supply apparatus 800 will be described. The chemical supply and reuse system is divided into the system standby phase, the system progress phase, and the chemical liquid exchange phase. The system standby step is a step of storing the chemical solution in the first, second, and main tanks 832, 852, and 872, which are emptied before supplying the chemical liquid to the substrate processing apparatus 1. [ The system advancing step refers to a step of supplying the chemical liquid to the substrate processing apparatus 1 after operating the system and recovering the used chemical liquid. The system progress phase is divided into two stages. The chemical liquid exchange step refers to a step of discharging the chemical liquid used in the substrate processing apparatus 1 and supplying a new chemical liquid. At this time, the plurality of tanks 814, 832, 852, and 872 for storing the chemical liquid can be divided into the HH level, the H level, the MR level, the M level, the L level, and the LL level based on the level at which the chemical liquid is filled in the tank.

상기에서 설명한 약액 공급, 재사용 및 교환 시스템은 기판 세정 공정 뿐만 아니라 약액을 사용하여 기판을 처리하는 공정에도 사용될 수 있다.The above-described chemical liquid supply, reuse and exchange system can be used not only in the substrate cleaning process but also in the process of processing the substrate using the chemical liquid.

이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined in the appended claims. It will be possible.

800 : 약액 공급 장치 810 : 회수 부재
820 : 약액 소스부 830 : 제 1 공급 유닛
840 : 이너 믹싱 부재 850 : 제 2 공급 유닛
870 : 메인 공급 유닛 890 : 분배 부재 800: chemical liquid supply device 810: recovery member
820: chemical liquid source part 830: first supply unit
840: inner mixing member 850: second supply unit
870: main supply unit 890: distribution member

Claims (7)

하우징, 스핀 헤드, 승강 유닛, 분사 부재 및 배기 부재를 포함하는 기판 처리 유닛에 있어서,
상기 기판 처리 유닛에 약액을 공급하는 약액 공급 장치를 포함하되, 상기 약액 공급 장치는,
약액 소스부;
상기 약액 소스부로부터 약액들을 공급받아 혼합하는 용기인 복수 개의 약액 탱크;
상기 복수 개의 약액 탱크로부터 혼합된 약액을 공급받아 저장하고, 저장된 약액을 상기 기판 처리 유닛으로 공급하기 위한 메인 탱크; 및
상기 약액 탱크 내부에 설치되고 상기 약액 탱크로 공급되는 약액들이 1차로 혼합되고, 혼합과정에서 발생되는 기포를 외부로 배출하는 이너 믹싱부재를 포함하며;
상기 이너 믹싱부재는
상기 약액 탱크로 공급되는 약액들이 1차로 혼합되는 믹싱 베스; 및
상기 믹싱 베스의 상부에 설치되고 상기 믹싱 베스에서 약액들의 화학반응에 의해 발생되는 기포를 상기 약액 탱크 밖으로 배출하기 위한 포집커버를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.A substrate processing unit comprising a housing, a spin head, an elevating unit, a jetting member, and an exhausting member,
And a chemical liquid supply device for supplying the chemical liquid to the substrate processing unit,
A drug solution source part;
A plurality of chemical liquid tanks for supplying and mixing chemical liquids from the chemical liquid source part;
A main tank receiving and storing the mixed chemical liquid from the plurality of chemical liquid tanks, and supplying the stored chemical liquids to the substrate processing unit; And
And an inner mixing member installed inside the chemical liquid tank and supplied with the chemical liquid to the chemical liquid tank for first mixing and discharging bubbles generated in the mixing process to the outside;
The inner mixing member
A mixing bath in which the chemical liquids supplied to the chemical liquid tank are primarily mixed; And
And a collecting cover installed at an upper portion of the mixing bath and for discharging bubbles generated by chemical reaction of chemicals in the mixing bath to the outside of the chemical tank. 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 이너 믹싱부재는
상기 믹싱 베스의 수면과 상기 포집 커버 사이에는 상기 약액 탱크의 내부공간과는 구획되는 별도의 독립 공간이 제공되며, 상기 포집 커버에는 상기 독립 공간과 연통되고 외부의 배기라인과 연결되는 기포 배출포트를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The inner mixing member
A separate independent space is provided between the water surface of the mixing bath and the collection cover, which is separated from the internal space of the chemical tank, and the collection cover has a bubble discharge port communicating with the independent space and connected to an external exhaust line. It has a substrate processing apparatus characterized by the above-mentioned. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 믹싱 베스는
상기 약액 탱크의 최대 수위보다 높은 곳에 설치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. The method according to claim 1 or 3,
The mixing bath
Substrate processing apparatus, characterized in that installed in a position higher than the maximum water level of the chemical liquid tank. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 믹싱 베스는
상부가 개방된 용기로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. The method according to claim 1 or 3,
The mixing bath
A substrate processing apparatus, characterized in that the upper portion is made of an open container. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 포집 커버는
상기 믹싱 베스의 개방된 상부의 가장자리를 제외한 나머지 부분을 커버링하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. The method according to claim 1 or 3,
The collection cover
And covering the remaining portion of the mixing bath except for the open upper edge. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 포집 커버는
하단이 상기 믹싱 베스의 수면 아래에 잠기도록 설치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method according to claim 1 or 3,
The collection cover
Substrate processing apparatus, characterized in that the lower end is installed so as to be locked under the water surface of the mixing bath.
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