KR101371709B1 - 기판 전처리 시스템 - Google Patents

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KR101371709B1
KR101371709B1 KR1020120106112A KR20120106112A KR101371709B1 KR 101371709 B1 KR101371709 B1 KR 101371709B1 KR 1020120106112 A KR1020120106112 A KR 1020120106112A KR 20120106112 A KR20120106112 A KR 20120106112A KR 101371709 B1 KR101371709 B1 KR 101371709B1
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KR1020120106112A
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최창식
이영종
임영
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주식회사 선익시스템
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  • Engineering & Computer Science (AREA)
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  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

내부에 복수의 공정 챔버가 연속하여 배치되도록 일련의 작업공간을 형성하며, 작업공간의 내부에 복수의 이송롤러가 마련되어 기판을 작업공간에서 연속적으로 이송하는 인라인 하우징; 상기 인라인 하우징내 작업공간의 전단부에 위치되며, 기판의 상면과 하면을 각각 가열하는 상부가열부 및 하부가열부가 구비되는 가열챔버; 상기 인라인 하우징내에서 가열챔버의 후단에 마련되며, 가열된 기판을 냉각하는 냉각챔버; 상기 인라인 하우징내에서 냉각챔버의 후단에 마련되며, 냉각된 기판에 플라즈마 표면처리를 수행하는 플라즈마부가 구비된 플라즈마챔버; 상기 인라인 하우징내에서 각 공정 챔버의 사이에 마련되며 기판의 상면과 하면을 향해 에어를 주입함으로써 공정 챔버의 사이에서 에어커튼이 형성되도록 하는 챔버간 단열부; 및 상기 각 공정 챔버마다 마련되어 챔버의 내부에어를 인라인 하우징의 외부로 토출시키는 챔버별 공조부를 포함하는 기판 전처리 시스템이 개시된다.

Description

기판 전처리 시스템 {PREPROCESSING SYSTEM FOR SUBSTRATE}
본 발명은 기판 전처리 시스템에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 공정을 수행하기 전에 기판에 연속적으로 표면처리를 하기 위한 기판 전처리 시스템에 관한 것이다.
최근 정보 통신 기술의 비약적인 발전과 시장의 팽창에 따라 디스플레이 소자로 평판표시소자(Flat Panel Display)가 각광받고 있다. 이러한 평판표시소자로는 액정 표시소자(Liquid Crystal Display), 플라즈마 디스플레이 소자(Plasma Display Panel), 유기 발광 소자(Organic Light Emitting Diodes) 등이 대표적이다.
그 중에서 유기발광소자는 빠른 응답속도, 기존의 액정표시소자 보다 낮은 소비 전력, 경량성, 별도의 백라이트(back light) 장치가 필요없어서 초 박형으로 만들 수 있는 점, 고휘도 등의 매우 좋은 장점을 가지고 있어서 차세대 디스플레이 소자로서 각광받고 있다.
이러한 유기발광소자(OLED)는 기판 위에 양극 막, 유기 박막, 음극 막을 순서대로 입히고, 양극과 음극 사이에 전압을 걸어줌으로써 적당한 에너지의 차이가 유기 박막에 형성되어 스스로 발광하는 원리이다. 즉, 주입되는 전자와 정공(hole)이 재결합하며 남는 여기 에너지가 빛으로 발생되는 것이다. 이때 유기 물질의 도판트의 양에 따라 발생하는 빛의 파장을 조절할 수 있으므로 풀 칼라(full color)의 구현이 가능하다.
유기 발광소자(OLED)는 전술한 여러가지 장점에도 불구하고, 아직 대면적 유기 발광소자에 대한 양산 장비가 확고하게 표준화되어 있지 않아 차세대 디스플레이 소자로서 확고한 자리를 확보하지 못하고 있는 실정이다. 즉, 액정표시소자나 플라즈마 디스플레이 소자가 급속히 대면적화되면서 그에 따라 대면적 패널을 생산할 수 있는 양산 장비가 개발되어 표준화되고 있는 상황이므로, 유기 발광소자가 차세대 디스플레이 소자로서의 입지를 확고히 하기 위해서는, 대면적 유기 발광소자 양산 장비의 개발 필요성이 강하게 요구되고 있는 것이다.
종래의 이러한 OLED 제조 시스템으로는 KR10-2006-0036006 A "레이져 전사방법을 사용하는 대면적 유기박막 증착장치"를 들 수 있다. 이에서는 "우선 로딩 챔버(151)를 사용하여 기판을 로딩시킨다. 이때 본 실시예에서는 다수장의 기판을 동시에 적재할 수 있는 카세트를 사용하므로 한번에 다수장의 기판을 유기박막 증착장치 내로 반입할 수 있으므로 공정시간을 단축할 수 있는 장점이 있다. 그리고 로딩 챔버(151) 내의 기체를 배출하여 로딩 챔버 내를 진공으로 만든다. 그 후 제1 반송 챔버(111)와 로딩 챔버(151) 간의 게이트 밸브(G)가 열리고, 제1 반송 챔버(111) 내에 마련되어 있는 제1 반송 로봇이 로딩 챔버(151) 내에 배치되어 있는 카세트에 적재되어 있는 기판 한 장을 들고 기판 클리너(131)로 반입시킨다. 그러면 이 기판 클리너(131)에서는 DI shower 및 Air Drying을 사용하여 기판 상의 이물질을 제거한다. 그리고 제1 반송 로봇이 상기 기판을 가열/냉각 챔버(132)로 이동시킨다. 이 가열/냉각 챔버(132)에서는 기판을 250℃로 가열하고 다시 30℃로 냉각시킨다. 그 후 상기 제1 반송 로봇이 상기 기판을 전처리 챔버(133)로 이동시킨다. 그러면 전처리 챔버(133)에서 공정 가스를 주입하고, RF 전력을 인가하여 플라즈마를 발생시켜 기판에 대하여 전처리를 실시한다. 전처리 공정이 마무리되면, 상기 전처리 챔버(133)와 제2 반송 챔버(112) 사이의 게이트 밸브가 열리고, 상기 제2 반송 챔버 내에 마련된 상기 제2 반송 로봇이 기판을 들고 나와서 제1 유기물 증착 챔버(134)로 반입시킨다. 상기 제1 유기물 증착 챔버(134)에서는 기판에 정공 주입층, 정공 전달층, 정공 방지층, 전자 주입층 등을 증착시킨다. 그리고 나서 상기 제2 반송 로봇에 의하여 기판이 제4 버퍼 챔버(124)로 이동된다. 이 제4 버퍼 챔버(124)에는 기판 스토커가 형성되어 있으므로 제4 버퍼 챔버 내에서 기판은 기판 스토커에 적재된다."는 내용이 소개된다.
즉, OLED의 기판에 유기물 등의 증착을 위해서는 가열, 냉각, 플라즈마로 이루어지는 일련의 전처리가 수행되어야 하는데, 종래의 기술에서는 이러한 전처리 공정들이 모두 별도로 분리된 챔버들에서 이루어지고, 각 챔버들간에는 이송로봇이 배치되어 챔버사이로 기판을 이송하고 있는바, 이러한 방식은 매우 비효율적이다.
또한, 최근에는 OLED의 제조가 인라인으로 이루어져 일련의 자동공정으로 수행되는데, 이러한 인라인 방식과 함께 전처리도 자동적이며 연속적으로 이루어지도록 할 경우 생산효율이 크게 증대될 수 있는 것이다.
KR 10-2006-0036006 A
본 발명은 기판을 전처리 함에 있어 각 공정을 일련의 연속된 공정으로 구현함으로써 전처리가 매우 빠르게 수행될 수 있어 공정효율을 향상시키는 기판 전처리 시스템을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 내부에 복수의 공정 챔버가 연속하여 배치되도록 일련의 작업공간을 형성하며, 상기 작업공간의 내부에 복수의 이송롤러가 마련되어 기판을 상기 작업공간에서 연속적으로 이송하는 인라인 하우징; 상기 인라인 하우징내에서 상기 작업공간의 전단부에 위치되며, 상기 기판의 상면과 하면을 각각 가열하는 상부가열부 및 하부가열부가 구비되는 가열챔버; 상기 인라인 하우징내에서 상기 가열챔버의 후단에 마련되며, 가열된 상기 기판을 냉각하는 냉각챔버; 상기 인라인 하우징내에서 상기 냉각챔버의 후단에 마련되며, 냉각된 상기 기판에 플라즈마 표면처리를 수행하는 플라즈마부가 구비된 플라즈마챔버; 상기 인라인 하우징내에서 상기 각 공정 챔버의 사이에 마련되며 상기 기판의 상면과 하면을 향해 에어를 주입함으로써 상기 공정 챔버의 사이에서 에어커튼이 형성되도록 하는 챔버간 단열부; 및 상기 각 공정 챔버마다 마련되어 상기 공정 챔버 내부의 에어를 상기 인라인 하우징의 외부로 토출시키는 챔버별 공조부를 포함하는 기판 전처리 시스템이 제공된다.
상기 각 공정 챔버에는 상부설치대와 하부설치대가 대향하도록 마련되고, 상기 상부설치대와 상기 하부설치대의 사이에는 상기 기판이 이송되는 이송공간이 형성되며, 상기 각 공정 챔버의 상기 이송공간은 서로 일직선으로 연결된 형태일 수 있다.
상기 챔버별 공조부는 상기 각 공정 챔버의 상단과 하단에 각각 마련되고, 상기 상부설치대와 상기 하부설치대에는 상하를 관통하며 상기 챔버별 공조부로 연결된 안내덕트가 형성되어 상기 챔버간 단열부로부터 상기 기판측으로 주입된 에어가 상기 챔버별 공조부로 안내될 수 있다.
상기 가열챔버의 상기 상부가열부와 상기 하부가열부는 각각 상기 상부설치대와 상기 하부설치대에서 상기 기판의 표면을 향한 단부에 마련되고, 상기 상부설치대와 상기 하부설치대의 내부에는 상기 상부가열부와 상기 하부가열부를 냉각하는 제1 냉각채널이 형성될 수 있다.
상기 하부가열부에는 상기 이송롤러 대신 높이가 동일한 복수의 제1 세라믹 지지대가 마련될 수 있다.
상기 냉각챔버는 상기 상부설치대와 상기 하부설치대에서 상기 기판의 표면을 향한 단부에 마련된 냉각핀; 및 상기 상부설치대와 상기 하부설치대의 내부에 마련되어 상기 냉각핀에 연결된 제2 냉각채널로 구성될 수 있다.
상기 플라즈마챔버의 상기 플라즈마부는 상기 상부설치대에 매립되어 상기 기판의 상면으로 플라즈마를 조사할 수 있다.
상기 하부설치대에는 상기 이송롤러 대신 높이가 동일한 복수의 제2 세라믹 지지대가 마련될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 기판 전처리 시스템은, 기판을 전처리 함에 있어 각 공정을 일련의 연속된 공정으로 구현함으로써 전처리가 매우 빠르게 수행될 수 있어 공정효율을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 전처리 시스템을 나타낸 도면.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
이하, 본 발명에 따른 기판 전처리 시스템의 실시예를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 전처리 시스템을 나타낸 도면으로서, 본 발명의 기판 전처리 시스템은, 내부에 복수의 공정 챔버가 연속하여 배치되도록 일련의 작업공간을 형성하며, 상기 작업공간의 내부에 복수의 이송롤러(200)가 마련되어 기판(10)을 상기 작업공간에서 연속적으로 이송하는 인라인 하우징(100); 상기 인라인 하우징(100)내에서 상기 작업공간의 전단부에 위치되며, 상기 기판(10)의 상면과 하면을 각각 가열하는 상부가열부(121) 및 하부가열부(122)가 구비되는 가열챔버(120); 상기 인라인 하우징(100)내에서 상기 가열챔버(120)의 후단에 마련되며, 가열된 상기 기판(10)을 냉각하는 냉각챔버(140); 상기 인라인 하우징(100)내에서 상기 냉각챔버(140)의 후단에 마련되며, 냉각된 상기 기판(10)에 플라즈마 표면처리를 수행하는 플라즈마부(161)가 구비된 플라즈마챔버(160); 상기 인라인 하우징(100)내에서 각 공정 챔버의 사이에 마련되며 기판(10)의 상면과 하면을 향해 에어를 주입함으로써 상기 공정 챔버의 사이에서 에어커튼이 형성되도록 하는 챔버간 단열부(400); 및 상기 각 공정 챔버마다 마련되어 상기 공정 챔버 내부의 에어를 인라인 하우징(100)의 외부로 토출시키는 챔버별 공조부(500)를 포함한다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 기판 전처리 시스템은 우선 인라인(in-Line) 하우징(100)이 마련된다. 인라인 하우징(100)은 기판 전처리의 가열공정, 냉각공정, 플라즈마처리 공정이 연속적으로 일어나는 작업공간의 전체 하우징을 말한다. 이는 내부가 복수의 공간으로 구획된 하나의 전체 하우징으로 볼 수 있으며, 내부에 복수의 공정 챔버가 연속하여 배치되도록 일련의 작업공간을 형성하며, 작업공간의 내부에 복수의 이송롤러(200)가 마련되어 기판(10)을 작업공간에서 연속적으로 이송하도록 할 수 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 기판(10)은 이송 파레트(30)에 실린 상태에서 이송될 수 있으며, 이송 파레트(30)는 격자 형상 또는 사각의 프레임 형상으로써 기판(10)의 상단이나 측단을 지지한 상태에서 안전하게 기판(10)이 손상없이 이송될 수 있도록 하고, 기판(10)의 상면과 하면이 모두 노출되도록 할 수 있다. 또한, 이송 파레트(30)는 이송롤러(200)의 상부에 지지되어 이송롤러(200)를 타고 각 공정의 단계를 거치도록 하는 것이다.
한편, 상기 인라인 하우징(100)은 가열챔버(120), 냉각챔버(140) 및 플라즈마챔버(160)로 구성되어 기판(10)이 1회의 이송만으로도 전처리 과정이 연속적으로 수행될 수 있고, 계속적으로 기판(10)이 유입되어도 전처리가 지속하여 신속하게 수행됨으로써 생산효율이 향상되는 것이다.
구체적으로, 가열챔버(120)는 상기 인라인 하우징(100)내 작업공간의 전단부에 위치되는 공간으로 구획될 수 있다. 가열챔버(120)에는 기판(10)의 상면과 하면을 각각 가열하는 상부가열부(121) 및 하부가열부(122)가 구비되고, 하부가열부(122)에는 기판(10)측으로 돌출되어 기판의 하면을 지지하는 제1 세라믹 지지대(124)가 복수 개 마련된다. 즉, 가열챔버(120)는 상기 인라인 하우징(100)내 작업공간의 전단부에 위치되는 공간으로 구획되는데, 이에는 상부가열부(121) 및 하부가열부(122)가 마련되어 기판의 상면과 하면을 모두 골고루 가열하도록 한다. 상부가열부(121) 및 하부가열부(122)는 전기 가열로 형식을 이용할 수 있고 기판(10)의 이송방향을 따라 위 아래로 복수 개가 연속하여 배치된 형태를 갖도록 할 수 있다.
또한, 상기 인라인 하우징(100)내에서 가열챔버(120)의 후단에는 냉각챔버(140)가 마련되며, 냉각챔버(140)는 가열된 기판(10)을 냉각하도록 하는 것이다. 또한, 인라인 하우징(100)내에서 냉각챔버(140)의 후단에 플라즈마챔버(160)가 마련되며, 플라즈마챔버(160)는 냉각된 기판(10)에 플라즈마 표면처리를 수행하는 플라즈마부(161)가 구비된 것이다.
특히, 이러한 인라인 하우징(100)내에서 각 공정 챔버의 사이에 마련되며 기판(10)의 상면과 하면을 향해 에어를 주입함으로써 공정 챔버의 사이에서 에어커튼이 형성되도록 하는 챔버간 단열부(400)와, 상기 각 공정 챔버마다 마련되어 챔버 내부의 에어를 인라인 하우징(100)의 외부로 토출시키는 챔버별 공조부(500)가 마련됨으로써 공정 챔버 간에 단열이 이루어지고, 공정 챔버 내부에서는 대류가 일어나도록 하는 것이다.
즉, 인라인 하우징(100)은 내부가 가열챔버(120), 냉각챔버(140), 플라즈마챔버(160)로 구획되는데, 각 공정 챔버에서는 서로 상이한 온도에서 공정이 수행되기 때문에 이를 하나의 인라인 하우징(100)에서 연속적으로 배치되기 위해서는 챔버간 단열이 매우 중요한 것이다. 그리고 동시에 기판(10)은 이러한 챔버 사이를 연속적으로 이동하여야 하는 것이다.
따라서, 각 공정 챔버의 사이마다 에어커튼을 형성하는 챔버간 단열부(400)를 배치함으로써 각 공정 챔버는 서로 단열되면서 동시에 기판(10)은 각 공정 챔버 사이를 지나갈 수 있게 되는 것이다. 이를 위해, 챔버간 단열부(400)는 인라인 하우징(100)내에서 각 공정 챔버의 사이에 마련되며 기판(10)의 상면과 하면을 향해 에어를 주입함으로써 공정 챔버의 사이에서 에어커튼이 형성되도록 한다.
그리고 각 공정 챔버마다 챔버별 공조부(500)가 마련되어 챔버간 단열부(400)로부터 주입된 에어는 챔버 내부로 흡입되고 그 챔버 내부의 에어를 인라인 하우징(100)의 외부로 빨아들여 토출시킴으로써 챔버 내부에서는 대류가 일어나도록 하는 것이다. 이를 통해 가열챔버(120)에서는 상부가열부(121)와 하부가열부(122)가 복사에 의한 가열을 수행함과 동시에 대류에 의한 가열이 이루어지도록 하고, 냉각챔버(140)에서는 냉각핀(141)과 기판(10)의 사이에서 대류가 일어나며 기판이 냉각되도록 하는 것이다.
한편, 상기 각 공정 챔버에는 상부설치대(170)와 하부설치대(180)가 대향하도록 마련되고, 상부설치대(170)와 하부설치대(180)의 사이에는 기판(10)이 이송되는 이송공간(190)이 형성되되, 각 공정 챔버의 이송공간(190)은 서로 일직선으로 연결된 형태일 수 있다.
즉, 인라인 하우징(100)은 복수의 공정 챔버로 구성되는데, 그 공정 챔버마다 상부설치대(170)와 하부설치대(180)가 각각 챔버 내의 상부와 하부에 마련된다. 그리고 그 상부설치대(170)와 하부설치대(180)의 사이에는 기판(10)이 이송되는 이송공간(190)이 형성되도록 하는 것이다. 이러한 상부설치대(170)와 하부설치대(180)에는 가열수단 내지 냉각수단이 각각 마련되고, 각각의 챔버는 챔버의 상부설치대(170)와 상부설치대(170) 사이 및 하부설치대(180)와 하부설치대(180) 사이마다 상기 챔버간 단열부(400)를 둠으로써 각각의 공정 챔버가 구별되며 단열되도록 하는 것이다.
한편, 이러한 각 공정 챔버의 이송공간(190)은 서로 일직선으로 연결된 형태로써 일련의 리니어한 기판(10)의 이송 궤적을 형성하는 것이다. 또한 상기 각 공정 챔버에 배치되는 이송롤러(200)는 이러한 하부설치대(180)에 연속적으로 배치됨으로써 기판(10)을 이송하도록 한다.
또한, 상기 챔버별 공조부(500)는 각 공정 챔버의 상단과 하단에 각각 마련되고, 상부설치대(170)와 하부설치대(180)에는 상하를 관통하며 챔버별 공조부(500)로 연결된 안내덕트(172,182)가 형성되어 챔버간 단열부(400)로부터 기판(10)측으로 주입된 에어가 챔버별 공조부(500)로 안내되도록 할 수 있다.
이를 통해 각 공정 챔버에서는 가열수단 내지 냉각수단이 상부설치대(170)와 하부설치대(180)에 설치되며 그 상부설치대(170)와 하부설치대(180) 사이로는 이송공간을 형성함과 동시에 기판(10)측으로 주입된 에어가 챔버별 공조부(500)로 안내되도록 하는 것이다.
한편, 상기 가열챔버(120)의 상부가열부(121)와 하부가열부(122)는 각각 상부설치대(170)와 하부설치대(180)에서 기판(10)의 표면을 향한 단부에 마련되고, 상부설치대(170)와 하부설치대(180)의 내부에는 상부가열부(121)와 하부가열부(122)를 냉각하는 제1 냉각채널(123)이 형성될 수 있다. 그리고, 하부가열부(122)에는 이송롤러 대신 높이가 동일한 복수의 제1 세라믹 지지대(124)가 마련될 수 있다.
즉, 가열챔버(120)에 위치되는 상부설치대(170)와 하부설치대(180)에는 각각 상부가열부(121)와 하부가열부(122)가 마련되어 기판을 가열한다. 그러한 상부가열부(121)와 하부가열부(122)는 상부설치대(170)와 하부설치대(180)에서 기판(10)의 표면을 향한 단부에 마련됨으로써 기판(10)의 표면에 직접 복사열을 통한 가열과 동시에 기판을 표면을 타고 흐르는 에어를 통해 대류로서 열전달이 가능하도록 하는 것이다.
또한, 상부설치대(170)와 하부설치대(180)의 내부에는 상부가열부(121)와 하부가열부(122)를 냉각하는 제1 냉각채널(123)이 형성됨으로써 상부설치대(170)와 하부설치대(180) 자체가 고온으로 인한 열화를 방지하고, 하부가열부(122)에는 이송롤러 대신 높이가 동일한 복수의 제1 세라믹 지지대(124)가 마련됨으로써 롤러의 파손에 의한 라인의 정지를 사전에 방지한다. 이러한 제1 세라믹 지지대(124)는 이송롤러 대신 기판의 하면을 지지하는 것으로서, 고온에 견딜 수 있게 때문에 복수의 하부가열부(122) 사이마다 배치되어 안정적으로 기판을 지지할 수 있도록 한다.
또한, 상기 냉각챔버(140)는 상부설치대(170)와 하부설치대(180)에서 기판(10)의 표면을 향한 단부에 마련된 냉각핀(141) 및 상부설치대(170)와 하부설치대(180)의 내부에 마련되어 냉각핀(141)에 연결된 제2 냉각채널(142)로 구성될 수 있다. 즉, 냉각챔버(140)의 내부에 마련되는 상부설치대(170)와 하부설치대(180)에는 그 내부에 제2 냉각채널(142)을 구성하고, 그 제2 냉각채널(142)에는 냉각핀(141)이 연결됨으로써 냉각핀(141)의 냉각이 가능해진다. 그리고 그 냉각핀(141)은 상부설치대(170)와 하부설치대(180)에서 기판(10)의 표면을 향한 단부에 마련됨으로써 기판(10)의 표면을 흐르는 에어를 냉각하여 기판(10)을 대류로써 냉각시키는 것이다.
그리고, 상기 플라즈마챔버(160)의 플라즈마부(161)는 상부설치대(170)에 매립되어 기판(10)의 상면으로 플라즈마를 조사하고, 하부설치대(180)에는 이송롤러 대신 높이가 동일한 복수의 제2 세라믹 지지대(164)가 마련될 수 있다. 구체적으로, 플라즈마챔버(160)의 상부설치대(170)에는 플라즈마부(161)가 매립되어 기판(10)의 상면을 플라즈마로 표면처리하고, 그 플라즈마부(161)는 상부에 소스 인렛(162)이 형성되고 측면을 따라 냉각채널(163)이 구성되어 플라즈마챔버(160) 내에서 플라즈마부(161)의 발열과 열축적에 따른 장비고장을 방지한다. 그리고 이러한 플라즈마챔버(160) 역시 고온의 환경이기 때문에, 하부설치대(180)에는 이송롤러 대신 높이가 동일한 복수의 제2 세라믹 지지대(164)가 마련되어 기판을 안정적으로 지지하도록 하는 것이다.
상술한 바와 같은 구조로 이루어진 기판 전처리 시스템에 따르면, 기판을 전처리 함에 있어 각 공정을 일련의 연속된 공정으로 구현함으로써 전처리가 매우 빠르게 수행될 수 있어 공정효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 각 공정 챔버는 에어를 이용하여 단열됨과 동시에 에어를 이용하여 가열이나 냉각 효율이 최대로 유지되도록 한다.
본 발명은 특정한 실시예에 관련하여 도시하고 설명하였지만, 이하의 특허청구범위에 의해 제공되는 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 한도 내에서, 본 발명이 다양하게 개량 및 변화될 수 있다는 것은 당 업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 자명할 것이다.
100 : 인라인 하우징 120 : 가열챔버
140 : 냉각챔버 160 : 플라즈마챔버
170 : 상부설치대 180 : 하부설치대
400 : 챔버간 단열부 500 : 챔버별 공조부

Claims (8)

  1. 내부에 복수의 공정 챔버가 연속하여 배치되도록 일련의 작업공간을 형성하며, 상기 작업공간의 내부에 복수의 이송롤러가 마련되어 기판을 상기 작업공간에서 연속적으로 이송하는 인라인 하우징;
    상기 인라인 하우징내에서 상기 작업공간의 전단부에 위치되며, 상기 기판의 상면과 하면을 각각 가열하는 상부가열부 및 하부가열부가 구비되는 가열챔버;
    상기 인라인 하우징내에서 상기 가열챔버의 후단에 마련되며, 가열된 상기 기판을 냉각하는 냉각챔버;
    상기 인라인 하우징내에서 상기 냉각챔버의 후단에 마련되며, 냉각된 상기 기판에 플라즈마 표면처리를 수행하는 플라즈마부가 구비된 플라즈마챔버;
    상기 인라인 하우징내에서 상기 각 공정 챔버의 사이에 마련되며 상기 기판의 상면과 하면을 향해 에어를 주입함으로써 상기 공정 챔버의 사이에서 에어커튼이 형성되도록 하는 챔버간 단열부; 및
    상기 각 공정 챔버마다 마련되어 상기 공정 챔버 내부의 에어를 상기 인라인 하우징의 외부로 토출시키는 챔버별 공조부를 포함하고,
    상기 각 공정 챔버에는 상부설치대와 하부설치대가 대향하도록 마련되고,
    상기 상부설치대와 상기 하부설치대의 사이에는 상기 기판이 이송되는 이송공간이 형성되며,
    상기 각 공정 챔버의 상기 이송공간은 서로 일직선으로 연결된 형태이며,
    상기 가열챔버의 상기 상부가열부와 상기 하부가열부는 각각 상기 상부설치대와 상기 하부설치대에서 상기 기판의 표면을 향한 단부에 마련되고,
    상기 상부설치대와 상기 하부설치대의 내부에는 상기 상부가열부와 상기 하부가열부를 냉각하는 제1 냉각채널이 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 전처리 시스템.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 챔버별 공조부는 상기 각 공정 챔버의 상단과 하단에 각각 마련되고,
    상기 상부설치대와 상기 하부설치대에는 상하를 관통하며 상기 챔버별 공조부로 연결된 안내덕트가 형성되어 상기 챔버간 단열부로부터 상기 기판측으로 주입된 에어가 상기 챔버별 공조부로 안내되는 것을 특징으로 하는 기판 전처리 시스템.
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 하부가열부에는 상기 이송롤러 대신 높이가 동일한 복수의 제1 세라믹 지지대가 마련된 것을 특징으로 하는 기판 전처리 시스템.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 냉각챔버는 상기 상부설치대와 상기 하부설치대에서 상기 기판의 표면을 향한 단부에 마련된 냉각핀; 및
    상기 상부설치대와 상기 하부설치대의 내부에 마련되어 상기 냉각핀에 연결된 제2 냉각채널로 구성된 것을 특징으로 하는 기판 전처리 시스템.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 플라즈마챔버의 상기 플라즈마부는 상기 상부설치대에 매립되어 상기 기판의 상면으로 플라즈마를 조사하는 것을 특징으로 하는 기판 전처리 시스템.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 하부설치대에는 상기 이송롤러 대신 높이가 동일한 복수의 제2 세라믹 지지대가 마련된 것을 특징으로 하는 기판 전처리 시스템.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001332602A (ja) 2000-03-16 2001-11-30 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 熱洗浄と熱処理との間のウェハ環境を制御するための装置および方法
KR20090120903A (ko) * 2008-05-21 2009-11-25 세메스 주식회사 평판 디스플레이 제조에 사용되는 베이크 장치 및 방법
KR20110054618A (ko) * 2009-11-18 2011-05-25 주성엔지니어링(주) 박막형 태양전지의 제조 장치 및 제조 방법
KR20110119098A (ko) * 2010-04-26 2011-11-02 주식회사 테라세미콘 인라인 기판처리 장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001332602A (ja) 2000-03-16 2001-11-30 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 熱洗浄と熱処理との間のウェハ環境を制御するための装置および方法
KR20090120903A (ko) * 2008-05-21 2009-11-25 세메스 주식회사 평판 디스플레이 제조에 사용되는 베이크 장치 및 방법
KR20110054618A (ko) * 2009-11-18 2011-05-25 주성엔지니어링(주) 박막형 태양전지의 제조 장치 및 제조 방법
KR20110119098A (ko) * 2010-04-26 2011-11-02 주식회사 테라세미콘 인라인 기판처리 장치

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