KR101369571B1 - 어레이 기판, 그 제조 방법 및 액정 디스플레이 - Google Patents

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보에 테크놀로지 그룹 컴퍼니 리미티드
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Abstract

개시된 기술의 실시예는 어레이 기판을 제조하는 방법을 제공하며, 이 방법은, 베이스 기판상에 무기 물질 돌출부를 형성하는 제1 마스크 공정, 반사 영역 패턴, 게이트 라인, 게이트 라인으로부터 분기되는 게이트 전극, 및 공통 전극을 형성하는 제2 마스크 공정, 활성 아일랜드 및 데이터 라인을 형성하고 활성 아일랜드 상에서 데이터 라인에 연결된 소스 전극 및 드레인 전극과 채널을 형성하는 제3 마스크 공정, 절연 물질층을 형성하고, 절연 물질층을 처리하여 평탄화층을 형성하며, 드레인 전극 상에 쓰루홀을 형성하는 제4 마스크 공정, 및 반사 영역에서 쓰루홀을 통해 드레인 전극에 연결되는 픽셀 전극을 형성하는 제5 마스크 공정을 포함한다.

Description

어레이 기판, 그 제조 방법 및 액정 디스플레이{ARRAY SUBSTRATE, MANUFACTURING METHOD THEREOF AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY}
개시된 기술의 실시예는 어레이 기판과 그 제조 방법, 및 액정 디스플레이에 관한 것이다.
액정 분자를 구동하는 전계의 방향에 따라, 액정 디스플레이(LCD)는 수직 전계형 액정 디스플레이와 수평 전계형 액정 디스플레이로 분류될 수 있다. 수평 전계형 액정 디스플레이의 한 예는 AD-SDS(Advanced-Super Dimensional Switching) 수평 전계형 액정 디스플레이이다.
AD-SDS LCD와 관련하여, 동일한 평면에 있는 픽셀 전극의 에지에 의해 발생한 평행 전계와 픽셀 전극의 층과 공통 전극의 층 사이에 발생한 수직 전계는 다차원 전계를 구성하고, 액정 패널 내부에 픽셀 전극들 사이 및 상기 전극들 바로 위쪽의 모든 배향에서 액정 분자가 회전될 수 있고, 따라서 액정 분자의 동작 효율(work efficiency)이 향상될 수 있고 광투과율(light-transmitting efficiency)이 증가할 수 있다. AD-SDS 기술은 TFT-LCD의 디스플레이 품질을 향상시킬 수 있고, 고투과율, 광시야각, 고개구율, 낮은 색수차, 짧은 응답 시간, 터치 무라(touch mura) 미발생 등의 이점을 가진다.
대부분의 종래의 AD-SDS 디스플레이 장치는 종래의 스테거드 백채널 에치 구조(staggered back channel etched type)로 제조되고, 스테거드 백채널 에치 구조의 제조 방법은 6-마스크 공정을 이용한다. 마스크 공정은 비교적 긴 기간이 걸리고, TFT-LCD 패널의 제조 공정에서의 그의 비용이 비교적 높으며, 따라서 5-마스크 공정을 사용하여 제조되는 IPS(in-plane switch) 모드 디스플레이 또는 수직 배향 모드(vertical alignment mode) 디스플레이와 비교하여, 종래의 AD-SDS 디스플레이 장치의 제조 방법은 비교적 낮은 제조 효율의 단점을 가진다.
종래의 제조 방법에서의 단점을 극복하기 위해, 개시된 기술의 하나 이상의 실시예는 어레이 기판과 그 제조 방법, 및 액정 디스플레이를 제공한다.
개시된 기술의 실시예는 어레이 기판을 제조하는 방법을 제공하며, 이 방법은, 베이스 기판상에 무기 물질 돌출부를 형성하는 제1 마스크 공정, 제1 마스크 공정으로부터 획득된 베이스 기판상에 제1 금속층 및 제1 투명 도전층으로 각각의 반사 영역 패턴, 게이트 라인, 게이트 라인으로부터 분기되는 게이트 전극, 및 공통 전극을 형성하는 제2 마스크 공정, 제2 마스크 공정으로부터 획득된 베이스 기판상에 반도체층으로 형성된 활성 아일랜드(active island) 및 제2 금속층으로 형성된 데이터 라인을 형성하고 데이터 라인에 연결된 소스 전극 및 활성 아일랜드 상의 드레인 전극과 반도체층 상의 채널을 형성하는 제3 마스크 공정, 제3 마스크 공정으로부터 획득된 베이스 기판상에 절연 물질층을 형성하고, 절연 물질층을 처리하여 평탄화층을 형성하며, 드레인 전극 상의 절연 물질층에 쓰루홀을 형성하는 제4 마스크 공정, 및 반사 영역에서 쓰루홀을 통해 드레인 전극에 연결되고 제2 투명 도전층으로 픽셀 전극을 형성하는 제5 마스크 공정을 포함한다.
개시된 기술의 실시예는 어레이 기판을 제공하고, 이 어레이 기판은, 베이스 기판, 베이스 기판상에 배치된 무기 물질 돌출부, 베이스 기판상의 제1 투명 도전층 및 제1 금속층으로 각각 형성된, 반사 영역 패턴, 게이트 라인 및 게이트 라인으로부터 분기된 게이트 전극 및 공통 전극, 베이스 기판상의 반도체층으로 형성된 활성 아일랜드 및 제2 금속층으로 형성된 데이터 라인, 활성 아일랜드 상에서 데이터 라인에 연결된 소스 전극 및 드레인 전극, 반도체층으로 형성된 채널, 베이스 기판상에 증착되고 무기 물질로 형성된 평탄화층 - 평탄화층은 드레인 전극에 연결된 쓰루홀을 포함함 -, 및 베이스 기판상에 배치되고 제2 투명 도전층으로 형성되며 쓰루홀을 통해 드레인 전극에 연결된 픽셀 전극을 포함한다.
또한, 개시된 기술의 다른 실시예는 상기한 어레이 기판을 포함하는 액정 디스플레이를 제공한다.
개시된 기술의 추가의 응용 범위는 이후에 제공되는 상세한 설명으로부터 명백하게 될 것이다. 그러나, 개시된 기술의 사상 및 범위 내에서 다양한 변경 및 수정이 이하의 상세한 설명으로부터 당업자에게 명백하게 될 것이기 때문에, 상세한 설명 및 특정 예가, 개시된 기술의 바람직한 실시예를 나타내고 있지만, 단지 예시로서 제공된 것이라는 것을 이해하여야 한다.
개시된 기술은 이후에 제공되는 상세한 설명 및 동반된 도면은 단지 예시로서 제공된 것으로서, 따라서 개시된 기술을 제한하지 않고는 첨부 도면으로부터 보다 완전히 이해될 것이다.
도 1은 종래의 AD-SDS 디스플레이 장치의 개략 구조도이다.
도 2 내지 도 12는 개시된 기술의 실시예에 따른, AD-SDS 디스플레이의 어레이 기판을 제조하는 공정의 개략도이다.
도 13은 개시된 기술의 실시예에 따른, AD-SDS 디스플레이의 어레이 기판의 개략 구조도이다.
도 14는 단계 8 내지 단계 15의 일 예를 도시하는 공정의 개략도이다.
개시된 기술의 하나 이상의 실시예가 기술되며, 이 실시예는 여러 가지 방법으로 변경될 수 있음이 자명해질 것이다. 이러한 변경이 개시하는 기술의 정신과 범주를 일탈하는 것으로 간주되지 않고, 당업자에게 자명해지는 이러한 모든 변형은 첨부의 특허청구범위의 범주 내에 포함되는 것으로 의도되어야 한다.
해결되어야 하는 기술적 문제 및 개시된 기술의 실시예의 이점이 이하의 상세한 설명으로부터 명백하게 될 것이다.
종래의 AD-SDS 디스플레이 장치가 6-마스크 공정을 사용하여 제조될 수 있고, 획득된 어레이 기판의 구조가 도 1에 도시되어 있으며, 여기서 픽셀의 반사 부분 상에 배치된 픽셀 전극은 평탄하거나 균일 평면을 갖는 표면을 갖지 않으며, 따라서 종래의 AD-SDS 디스플레이 장치는 액정 분자를 구동하는 데 단점이 있다.
개시된 기술의 실시예는 AD-SDS 디스플레이의 어레이 기판을 제조하는 방법을 제공하며, 이 방법에서 사용되는 마스크 공정의 수가 감소될 수 있고, 제조기간이 감소될 수 있으며, 따라서 생산 효율이 향상될 수 있고 제조 비용이 감소될 수 있다. 개시된 기술의 실시예에서, 픽셀의 반사 영역 상에 평탄화층이 또한 제공될 수 있고, 따라서 픽셀 전극이 베이스 기판상에서 균일 평면에(co-planarly) 형성될 수 있고, 액정 패널이 AD-SDS 구동에서의 스위칭을 수직으로 및 수평으로 수행할 수 있다. 이 방법은, 예를 들어, 5-마스크 공정을 사용한다.
개시된 기술의 실시예에서 AD-SDS 어레이 기판을 제조하는 방법이 제공되고, 이 방법은 하기의 단계들을 포함한다.
제1 마스크 공정에서, 무기 물질로 형성된 돌출부가 베이스 기판상에 제공된다. 마스크 공정(패턴화 공정)은 통상적으로 박막을 형성하는 단계, 포토레지스트를 도포하는 단계, 포토레지스트 노광 및 현상 단계, 포토레지스트 패턴을 사용하여 박막을 에칭하는 단계, 남아 있는 포토레지스트를 제거하는 단계 등을 포함한다.
제2 마스크 공정에서, 반사 영역 패턴, 게이트 라인, 게이트 라인으로부터 분기되는 게이트 전극, 및 공통 전극이 각각 제1 마스크 공정을 통해 베이스 기판상에 제1 금속층 및 제1 투명 도전층으로 형성된다.
제3 마스크 공정에서, 반도체층으로 형성된 활성 아일랜드(active island) 및 제2 금속층으로 형성된 데이터 라인이 제2 마스크 공정을 통해 베이스 기판상에 제공되고, 데이터 라인에 연결된 소스 전극 및 드레인 전극이 활성 아일랜드 상에 형성되며, 박막 트랜지스터(TFT)의 채널이 반도체층 상에 형성된다.
활성 아일랜드는 활성층의 기능을 하고 TFT를 형성하는 데 사용되는 아일랜드 형상의 패턴을 말하며, 일반적으로 게이트 전극과 소스 및 드레인 전극 사이에 형성된다.
제4 마스크 공정에서, 예를 들어, 무기 물질 층이 제3 마스크 공정을 거친 베이스 기판상에 코팅되고, 평탄화층을 형성하도록 무기 물질에 대해 템퍼링 또는 어닐링 공정이 수행되며, 드레인 전극 상의 무기 물질 층에 쓰루홀이 형성된다.
제5 마스크 공정에서, 반사 영역에서 쓰루홀을 통해 드레인 전극에 연결되는 픽셀 전극이 형성되고, 픽셀 전극은 제2 투명 도전층으로 형성된다.
개시된 기술의 실시예에 따른 AD-SDS 어레이 기판을 제조하는 방법은 AD-SDS 디스플레이 장치의 어레이 기판을 제조하는데 5-마스크 공정을 사용할 수 있다. 이 방법에서 사용되는 마스크 공정의 수가 감소될 수 있고, 따라서 제조기간 및 제조 비용이 감소될 수 있다. 또한, 픽셀의 반사 영역 상에 평탄화층이 또한 제공될 수 있고, 따라서 베이스 기판 상에서 픽셀 전극이 균일 평면에(co-planarly) 형성될 수 있고, 액정 패널이 AD-SDS 구동에서의 스위칭을 수직으로 및 수평으로 수행할 수 있다.
이후부터, 개시된 기술의 실시예에 따른 AD-SDS 어레이 기판을 제조하는 방법의 예에 대한 상세한 설명이 도 2와 관련하여 설명되어 있다.
도 2 내지 도 12에 도시된 바와 같이, AD-SDS 어레이 기판을 제조하는 것에 대한 상세한 설명은 하기의 단계들을 포함한다.
단계 1: 베이스 기판상에 무기 물질을 사용하여 돌출부(21)를 형성하는 단계. 예를 들어, 도 2에 도시된 바와 같이, 무기 물질은 SiO2, SiNx 등을 포함하는 무기 수지일 수 있다.
단계 2: 도 3에 도시된 바와 같이, 예를 들어, 약 6 내지 10도의 코너를 갖는 보다 큰 돌출부(21')로 형성하여 돌출부가 보다 평탄하게 되도록, 돌출부(21)를 템퍼링(tempering) 또는 리플로잉(reflowing) 하는 것에 의해 처리하는 단계. 예를 들어, 템퍼링의 온도는 200℃ 내지 250℃일 수 있고, 기간은 20분 내지 60분일 수 있다.
단계 3: 도 4에 도시된 바와 같이, 단계 1 및 단계 2를 거친 베이스 기판상에 제1 투명 도전층(22) 및 제1 금속층(23)을 순차적으로 증착하는 단계.
제1 금속층은 게이트 라인 및 게이트 전극을 제조하기 위해 양호한 전도성 특성을 갖는 금속, 예컨대 Mo, Al, Ti 또는 Cu로 형성될 수 있다. 제1 투명 도전층은 IZO(indium zinc oxide, 인듐 아연 산화물) 층, ITO(indium tin oxide, 인듐 주석 산화물) 층 등일 수 있다.
단계 4: 도 5에 도시된 바와 같이, 포토레지스트(24)의 층을 상기 단계들을 거친 베이스 기판상에 도포하고, 이어서 포토레지스트 패턴을 얻도록 포토레지스트(24)를 노광 및 현상하는 단계.
하나의 예에서, 노광 및 현상 공정에서 하프톤 마스크 또는 그레이톤 마스크가 사용될 수 있고, 따라서 포토레지스트층이 이러한 마스크를 사용하여 노광되고 현상된 후에, 상이한 두께의 2개의 영역을 갖는 요철 모양의 포토레지스트층이 형성될 수 있다. 포토레지스트층의 두께가 보다 큰 영역이 픽셀의 반사 영역에 대응하고, 포토레지스트층의 두께가 보다 작은 영역이 픽셀의 투과 영역에 대응한다. 이 예에서 사용되는 노광 광원은 임의의 적당한 노광 광원, 바람직하게는 자외선 광원일 수 있다.
단계 5: 노광 및 현상 공정 후에, 결과된 포토레지스트 패턴을 에칭 마스크로서 사용하여 에칭 공정을 수행하는 단계. 도 6에 도시된 바와 같이, 포토레지스트 패턴이 형성되지 않은 영역에 있는 제1 투명 도전층 및 제1 금속층이 제거된다.
이 실시예에서, 에칭 공정은 건식 에칭 공정 또는 습식 에칭 공정, 바람직하게는 건식 에칭 공정일 수 있다.
단계 6: 도 7에 도시된 바와 같이, 포토레지스트 패턴을 에싱(ashing)하는 단계.
이 단계에서, 베이스 기판 상에서 포토레지스트가 더욱 얇아지게 되는데, 포토레지스트층의 두께가 보다 작은 영역에서의 포토레지스트는 제거되고 포토레지스트층의 두께가 보다 큰 영역에서의 포토레지스트는 부분적으로 제거되어 두께가 감소된다.
단계 7: 제1 금속층 및 제1 투명 도전층으로 반사 영역 패턴, 게이트 라인, 게이트 라인으로부터 분기된 게이트 전극, 및 공통 전극을 형성하도록 에싱 공정 후에 다른 에칭 공정을 수행하는 단계. 이 에칭 공정에서, 도 8에 도시된 바와 같이, 에싱 공정 후에 포토레지스트 패턴으로 덮이지 않은 제1 금속층이 제거된다.
단계 8: 도 9에 도시된 바와 같이, 베이스 기판으로부터 잔여 포토레지스트를 제거하는 단계.
단계 9: 상기의 단계들로부터 베이스 기판상에 절연층(25), 반도체층 및 제2 금속층을 순차적으로 증착하는 단계.
절연층(25)은, 예를 들어, 실리콘 산화질화물(SiON) 층 또는 실리콘질화물(SiN) 층일 수 있다. 반도체층은 비정질 실리콘(a-Si) 층, 폴리실리콘 층, 또는 산화물 반도체(ZnOx 등)일 수 있다. 제2 금속층은 소스 및 드레인 전극을 제조하기 위해 양호한 전도성 특성을 갖는 금속, 예컨대 Mo, Al, Ti 또는 Cu로 형성될 수 있다.
단계 10: 제2 금속층 상에 포토레지스트 층을 코팅하고 노광 및 현상 공정을 수행하는 단계.
하나의 예에서, 상이한 두께의 2개의 영역을 갖는 요철 모양의 포토레지스트층을 형성하기 위해 노광 및 현상 공정에서 하프톤 마스크 또는 그레이톤 마스크가 유사하게 사용될 수 있다. TFT의 채널 영역에 대응하는 포토레지스트층의 두께는 TFT의 소스 및 드레인 전극과 데이터 라인에 대응하는 포토레지스트층의 두께보다 작다. 나머지 영역에 있는 포토레지스트층이 제거된다. 이 단계에서, 노광 광원은 임의의 적당한 노광 광원, 바람직하게는, 자외선 광원일 수 있다.
단계 11: 반도체층으로 이루어진 활성 아일랜드 및 제2 금속층으로 이루어진 데이터 라인을 형성하도록 노광 및 현상 공정 후에 획득된 포토레지스트 패턴을 에칭 마스크로서 사용하여 에칭 공정을 수행하는 단계. 포토레지스트 패턴으로 덮이지 않은 반도체층 및 제2 금속층이 제거된다.
단계 12: 포토레지스트를 에싱하는 단계. 여기에서, 상대적으로 작은 두께를 갖는 포토레지스트가 제거되고 상대적으로 큰 두께를 갖는 포토레지스트는 감소된 두께를 갖으면서 부분적으로 남아 있다.
단계 13 및 단계 14: 에싱 공정 후에 포토레지스트 패턴을 사용하여 다른 에칭 공정을 수행하고, 예를 들어, 활성 아일랜드 상의 데이터 라인에 연결된 소스 전극(26) 및 드레인 전극(27)과 반도체층으로 이루어진 채널(28)을 형성하는 단계.
이 단계에서, 에싱 공정 후에 얻어진 포토레지스트 패턴에 의해 노광된 제2 금속층이 제거되고, 이와 같이, 예를 들어, 반도체층에 채널(28)을 정의하도록 노광된 반도체층이 부분적으로 에칭된다. 여기서, 공통 전극의 반사 영역은 제1 투명 도전층 및 제1 금속층으로 형성되고, 공통 전극의 투과 영역은 제1 투명 도전층으로 형성된다.
단계 15: 잔여 포토레지스트를 제거하는 단계. 단계 9 내지 단계 15 후에 얻어진 구조물이 도 10에 도시되어 있다.
도 14의 (a) 내지 (h)는 단계 8 내지 단계 15의 일 예를 도시하는 공정의 개략도이다. 특히, 도 14의 (a)는 단계 8 후의 개략도이고, 도 14의 (b)는 단계 9 후의 개략도로서, 절연층(25), 반도체층(36) 및 제2 금속층(37)이 베이스 기판상에 순차적으로 증착되고, 도 14의 (c)는 단계 10 후의 개략도로서, 서로 다른 두께의 두 영역을 갖는 요철모양의 포토레지스트층(38)이 박막 트랜지스터 및 데이터 라인을 형성하기 위한 위치에 형성된다. 도 14의 (d)는 단계 11을 도시하는 개략도로서, 반도체층(36)은 에칭 마스크로서 포토레지스트층(38)을 사용하여 에치되고, 도 14의 (e)는 단계 11 후의 개략도로서, 에칭 마스크로서 포토레지스트층(38)을 이용하여 제1 금속층(37)이 더 에치된다. 도 14의 (f)는 단계 12 후의 개략도로서, 요철모양의 포토레지스트층(38)은 에싱 공정에 놓여 채널 영역으로부터 포토레지스트가 제거된다. 도 14의 (g)는 단계 13 내지 단계 14 후의 개략도로서, 채널 영역에서의 반도체층(36) 및 제2 금속층(37)이 제거되어 박막 트랜지스터의 채널, 소스전극 및 드레인 전극, 및 데이터 라인을 정의한다. 도 14의 (h)는 단계 15 후의 개략도로서, 남은 포토레지스트층(38)이 마지막으로 베이스 기판으로부터 제거된다.
단계 16: 예를 들어, 상기의 단계들을 거친 베이스 기판상에 절연 물질층을 코팅함으로써 형성하는 단계.
절연 물질층은 실리콘산화물 또는 실리콘질화물을 포함하는 무기 레진과 같은 무기 물질을 포함할 수 있다.
단계 17: 예를 들어, 평탄화층(29)을 형성하기 위해 절연 물질을 템퍼링(또는 리플로잉) 하는 것에 의해 처리하고, 상기 구조물이 형성된 베이스 기판상에 포토레지스트층을 코팅하고 포토레지스트를 노광 및 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하고, 이어서 드레인 전극 상의 평탄화층에 쓰루홀(9)을 형성하도록 포토레지스트 패턴을 사용하여 에칭 공정을 수행하고, 다음으로 포토레지스트를 제거하는 단계. 단계 16 및 단계 17에서 얻어진 구조물이 도 11에 도시되어 있다.
이 단계에서, 예를 들어, 템퍼링의 온도는 200℃ 내지 250℃일 수 있고, 기간은 20분 내지 60분일 수 있으며, 평탄화층의 평탄도는, 예를 들어, 템퍼링 후에 95% 이상이다.
단계 18: 상기 구조물이 형성된 베이스 기판상에 제2 투명 도전층을 증착하는 단계.
제2 투명 도전층은, 예를 들어, IZO 층 또는 ITO 층일 수 있다.
단계 19: 포토레지스트 패턴을 형성하도록 제2 투명 도전층 상에 포토레지스트 층을 코팅하고 포토레지스트를 노광 및 현상하는 단계.
단계 20: 포토레지스트 패턴을 에칭 마스크로서 사용하여 제2 투명 도전층을 에칭하고 이어서 픽셀의 반사 영역에 있는 쓰루홀을 통해 드레인 전극(27)에 연결되는 픽셀 전극(30)을 형성하는 단계.
단계 21: 잔여 포토레지스트를 제거하는 단계. 단계 18 내지 단계 21 후에 얻어진 구조물이 도 12에 도시되어 있다.
도 13은 개시된 기술의 실시예에 따른, 상기 공정들에 의해 제조된 AD-SDS 어레이 기판의 개략 구조도이다.
도 13에 도시된 바와 같이, 이 실시예에 따른 AD-SDS 어레이 기판(120)은,
유리 기판 또는 플라스틱 기판과 같은 베이스 기판(1),
베이스 기판(1) 상에 형성된 무기 물질 돌출부(2),
예를 들어, 베이스 기판상의 제1 금속층 및 제1 투명 도전층으로 각각 형성된, 반사 영역 패턴(4), 게이트 라인 및 게이트 라인으로부터 분기된 게이트 전극, 및 공통 전극(3),
반도체층으로 형성된 활성 아일랜드(5) 및 데이터 라인, 베이스 기판상의 활성 아일랜드 상에 제2 금속층으로 형성되고 데이터 라인에 연결되는 소스 전극(26) 및 드레인 전극(27), 및 반도체층에 정의된 채널(28),
베이스 기판상에 제공되고 절연 물질로 형성된 평탄화층(8), 여기에서 평탄화층(8)은 드레인 전극(27)에 연결된 쓰루홀(9)을 포함하고, 및
베이스 기판상에 배치되고, 예를 들어, 제2 투명 도전층으로 형성되며 쓰루홀(9)을 통해 드레인 전극(27)에 연결된 픽셀 전극(30)을 포함한다.
개시된 기술의 실시예에서, AD-SDS 디스플레이 장치의 어레이 기판은 5-마스크 공정에 의해 제조될 수 있고, 따라서 이용되는 마스크 공정의 수가 감소될 수 있고, 제조기간이 감소될 수 있으며, 따라서 제조 비용이 감소될 수 있다. 또한, 도 13에 도시된 바와 같이, 예를 들어, 무기 레진으로 형성된 평탄화층(8)은 AD-SDS 디스플레이 장치의 어레이 기판상의 픽셀의 반사 영역 상에 형성되고, 따라서 픽셀 전극이 베이스 기판상에 균일한 평면으로 형성될 수 있고 액정 패널이 AD-SDS 구동에서 수직적 및 수평적으로 스위칭을 수행할 수 있다.
도 13에 도시된 바와 같이, 개시된 기술의 실시예는 또한 컬러 필터 기판(110), 어레이 기판(120), 및 컬러 필터 기판(110)과 어레이 기판(120) 사이에 채워진 액정층(130)을 포함하는 AD-SDS형 액정 디스플레이(100)를 제공한다. 디스플레이를 위한 RGB(적색: 녹색: 청색) 광을 획득하기 위해 컬러 레진이 컬러 필터 기판(110) 상에 형성된다.
마지막으로 언급해야 할 점은, 상기 실시예는 개시된 기술의 기술적 해결책을 설명하는 것으로만 사용되고 그것으로 제한하기 위해 사용되어서는 안 된다는 것이다. 개시된 기술이 바람직한 실시예를 참조하여 상세히 설명되어 있기에, 당업자는 개시된 기술의 기술적 해결책에 수정 및 등가의 변경을 행할 수 있고 이러한 수정 및 등가의 변경은 개시된 기술의 기술적 해결책의 사상 및 범위로부터 벗어날 수 없다는 것을 이해하여야 한다.

Claims (13)

  1. 베이스 기판상에 무기 물질 돌출부를 형성하는 제1 마스크 공정,
    상기 제1 마스크 공정으로부터 얻어진 상기 베이스 기판상에 제1 금속층 및 제1 투명 도전층으로 각각의 반사 영역 패턴, 게이트 라인, 상기 게이트 라인으로부터 분기되는 게이트 전극, 및 공통 전극을 형성하는 제2 마스크 공정,
    상기 제2 마스크 공정으로부터 얻어진 상기 베이스 기판상에 반도체층으로 형성된 활성 아일랜드 및 제2 금속층으로 형성된 데이터 라인을 형성하고 상기 활성 아일랜드 상에 상기 데이터 라인에 연결된 소스 전극 및 드레인 전극과 상기 반도체층에 채널을 형성하는 제3 마스크 공정,
    상기 제3 마스크 공정으로부터 얻어진 상기 베이스 기판상에 절연 물질층을 형성하고, 상기 절연 물질층을 처리하여 평탄화층을 형성하며, 상기 드레인 전극 상의 상기 절연 물질층에 쓰루홀을 형성하는 제4 마스크 공정, 및
    상기 평탄화층 상에 제2 투명 도전층을 형성하고, 반사 영역에서 상기 쓰루홀을 통해 상기 드레인 전극에 연결되는 픽셀 전극을 상기 제2 투명 도전층으로 형성하는 제5 마스크 공정을 포함하는 어레이 기판 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2 마스크 공정 동안, 상기 제1 마스크 공정으로부터 얻어진 상기 베이스 기판상에 상기 제1 투명 도전층 및 상기 제1 금속층을 순차적으로 증착하고, 상기 제1 투명 도전층 및 상기 제1 금속층으로 형성되는 상기 반사 영역 및 상기 제1 투명 도전층으로 형성되는 투과 영역을 제조하기 위해 하프톤 마스크 또는 그레이톤 마스크를 사용하여 상기 마스크 공정을 수행하는 어레이 기판 제조 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제3 마스크 공정 동안, 상기 제2 마스크 공정으로부터 얻어진 상기 베이스 기판상에 절연층, 반도체층, 및 제2 금속층을 순차적으로 증착하고, 하프톤 마스크 또는 그레이톤 마스크를 사용하여 상기 마스크 공정을 수행하는 어레이 기판 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 마스크 공정 동안, 상기 베이스 기판상에 무기 물질을 사용하여 돌출부를 형성하고 상기 돌출부가 6 내지 10도의 코너를 갖는 돌출부로 형성되도록 처리하는 어레이 기판 제조 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 돌출부에 대한 처리는 템퍼링 공정을 포함하고, 상기 템퍼링 공정의 온도는 200℃ 내지 250℃이며, 기간은 20분 내지 60분인 어레이 기판 제조 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제4 마스크 공정에서의 상기 평탄화층의 처리 후에 상기 평탄화층의 평탄도가 95% 이상인 어레이 기판 제조 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제4 마스크 공정에서의 상기 절연 물질은 실리콘산화물 또는 실리콘질화물을 포함하는 무기 레진인 어레이 기판 제조 방법.
  8. 제3항에 있어서,
    상기 제3 마스크 공정에서, 상기 절연층은 실리콘 산화질화물 층 또는 실리콘질화물 층인 어레이 기판 제조 방법.
  9. 제3항에 있어서,
    상기 반도체층은 비정질 실리콘, 폴리실리콘, 또는 산화물 반도체를 포함하는 어레이 기판 제조 방법.
  10. 제3항에 있어서,
    상기 제2 금속층은 Mo, Al, Ti 또는 Cu로 형성되는 어레이 기판 제조 방법.
  11. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 투명 도전층 및 상기 제2 투명 도전층은 IZO 층 또는 ITO 층인 어레이 기판 제조 방법.
  12. 베이스 기판,
    상기 베이스 기판상에 배치된 무기 물질 돌출부,
    상기 베이스 기판상에 제1 금속층 및 제1 투명 도전층으로 각각 형성된, 반사 영역 패턴, 게이트 라인 및 상기 게이트 라인으로부터 분기된 게이트 전극, 및 공통 전극,
    상기 베이스 기판상에 반도체층으로 형성된 활성 아일랜드 및 제2 금속층으로 형성된 데이터 라인,
    상기 활성 아일랜드 상에 상기 데이터 라인에 연결된 소스 전극 및 드레인 전극,
    상기 반도체층에 정의된 채널,
    상기 베이스 기판상에 형성되고 무기 물질로 형성된 평탄화층 - 상기 평탄화층은 상기 드레인 전극에 연결된 쓰루홀을 포함함 -, 및
    상기 베이스 기판상에 배치되고 제2 투명 도전층으로 형성되며 상기 쓰루홀을 통해 상기 드레인 전극에 연결된 픽셀 전극을 포함하는 어레이 기판.
  13. 제12항에 따른 어레이 기판을 포함하는 액정 디스플레이.
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