KR101368006B1 - Organic Light Emitting Display and Method of Driving the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 제1신호에 응답하여 구동하는 스위칭 트랜지스터와, 스위칭 트랜지스터가 구동함에 따라 데이터 신호를 공급받아 데이터 신호를 데이터 전압으로 저장하는 제1커패시터와, 제1커패시터에 저장된 데이터 전압에 대응하여 구동하는 구동 트랜지스터와, 구동 트랜지스터가 구동함에 따라 전원을 공급받아 발광하는 유기 발광다이오드와, 제2신호에 응답하여 유기 발광다이오드에 전원을 공급하도록 구동하는 제1서브 트랜지스터와, 제3신호에 응답하여 구동 트랜지스터의 게이트와 일단을 단락하도록 구동하는 제2서브 트랜지스터와, 유기 발광다이오드의 제1전극의 전압을 구동 트랜지스터의 게이트로 피드백하는 제2커패시터를 포함하는 서브 픽셀이 다수 배치된 표시부; 제1신호, 제2신호, 제3신호를 공급하는 스캔 구동부; 및 데이터 신호를 공급하는 데이터 구동부를 포함하는 유기전계발광표시장치를 제공한다.The present invention relates to a switching transistor for driving in response to a first signal, a first capacitor receiving a data signal as the switching transistor is driven, and storing the data signal as a data voltage, and a data voltage stored in the first capacitor. A driving transistor for driving, an organic light emitting diode that receives power as the driving transistor is driven to emit light, a first sub transistor for driving power to the organic light emitting diode in response to a second signal, and a response to the third signal A plurality of subpixels including a second sub transistor configured to drive the gate and one end of the driving transistor to be short-circuited, and a second capacitor configured to feed back a voltage of the first electrode of the organic light emitting diode to the gate of the driving transistor; A scan driver supplying a first signal, a second signal, and a third signal; And a data driver configured to supply a data signal.

유기전계발광표시장치, 문턱전압, 보상 Organic light emitting display device, threshold voltage, compensation

Description

유기전계발광표시장치 및 이의 구동방법{Organic Light Emitting Display and Method of Driving the same}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to an organic light emitting display,

본 발명은 유기전계발광표시장치 및 이의 구동방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display and a driving method thereof.

유기전계발광표시장치에 사용되는 유기전계발광소자는 기판 상에 위치하는 두 개의 전극 사이에 발광층이 형성된 자발광소자였다.An organic light emitting display device used in an organic light emitting display device is a self-light emitting device having a light emitting layer formed between two electrodes positioned on a substrate.

또한, 유기전계발광표시장치는 빛이 방출되는 방향에 따라 전면발광(Top-Emission) 방식, 배면발광(Bottom-Emission) 방식 또는 양면발광(Dual-Emission) 방식 등이 있다. 그리고, 구동방식에 따라 수동매트릭스형(Passive Matrix)과 능동매트릭스형(Active Matrix) 등으로 나누어져 있다.In addition, the organic light emitting display device may include a top emission type, a bottom emission type, or a dual emission type depending on a direction in which light is emitted. It is divided into a passive matrix and an active matrix depending on the driving method.

이러한 유기전계발광표시장치는 매트릭스 형태로 배치된 복수의 서브 픽셀에 스캔 신호, 데이터 신호 및 전원 등이 공급되면, 선택된 서브 픽셀이 발광을 하게 됨으로써 영상을 표시할 수 있다.In the organic light emitting display device, when a scan signal, a data signal, and a power are supplied to a plurality of subpixels arranged in a matrix form, the selected subpixels emit light to display an image.

한편, 이와 같은 유기전계발광표시장치는 유기 발광다이오드가 발광하기 위해서 구동 트랜지스터가 지속적으로 턴온 상태를 유지해야 한다. 이로 인해, 구동 트랜지스터의 게이트에 구동신호가 계속 공급되면 시간이 지남에 따라 문턱전 압(Vth)이 증가 되고 전류의 흐름이 감소하게 되는 문제가 있었다. 이러한 현상이 계속되면 구동 트랜지스터의 성능이 열화 되어 유기 발광다이오드를 정상적으로 발광시킬 수 없게 되고, 패널의 수명도 짧아져 신뢰성이 떨어지게 되므로 이의 개선이 요구된다.Meanwhile, in such an organic light emitting display device, the driving transistor must be continuously turned on in order for the organic light emitting diode to emit light. Therefore, when the driving signal is continuously supplied to the gate of the driving transistor, there is a problem that the threshold voltage Vth increases and the current flow decreases with time. If such a phenomenon continues, the performance of the driving transistor deteriorates and the organic light emitting diode can not be normally emitted, and the lifetime of the panel is also shortened and reliability is lowered.

상술한 배경기술의 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 유기 발광다이오드의 특성 변화에 기인하여 서브 픽셀 간의 휘도 불균일 현상을 개선할 수 있는 유기전계발광표시장치 및 이의 구동방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an organic light emitting display device and a method of driving the same, which can improve luminance unevenness between subpixels due to a change in characteristics of an organic light emitting diode.

상술한 과제 해결 수단으로 본 발명은, 제1신호에 응답하여 구동하는 스위칭 트랜지스터와, 스위칭 트랜지스터가 구동함에 따라 데이터 신호를 공급받아 데이터 신호를 데이터 전압으로 저장하는 제1커패시터와, 제1커패시터에 저장된 데이터 전압에 대응하여 구동하는 구동 트랜지스터와, 구동 트랜지스터가 구동함에 따라 전원을 공급받아 발광하는 유기 발광다이오드와, 제2신호에 응답하여 유기 발광다이오드에 전원을 공급하도록 구동하는 제1서브 트랜지스터와, 제3신호에 응답하여 구동 트랜지스터의 게이트와 일단을 단락하도록 구동하는 제2서브 트랜지스터와, 유기 발광다이오드의 제1전극의 전압을 구동 트랜지스터의 게이트로 피드백하는 제2커패시터를 포함하는 서브 픽셀이 다수 배치된 표시부; 제1신호, 제2신호, 제3신호를 공급하는 스캔 구동부; 및 데이터 신호를 공급하는 데이터 구동부를 포함하는 유기전계발광표시장치를 제공한다.According to the above-described problem solving means, the present invention provides a switching transistor for driving in response to a first signal, a first capacitor for receiving a data signal as the switching transistor is driven and storing the data signal as a data voltage, and a first capacitor. A driving transistor for driving in response to the stored data voltage, an organic light emitting diode that receives power as the driving transistor is driven to emit light, and a first sub transistor for driving power to the organic light emitting diode in response to a second signal; And a subpixel including a second sub transistor configured to drive the gate and one end of the driving transistor in response to a third signal, and a second capacitor feeding back a voltage of the first electrode of the organic light emitting diode to the gate of the driving transistor. A plurality of display units; A scan driver supplying a first signal, a second signal, and a third signal; And a data driver configured to supply a data signal.

한편, 다른 측면에서 본 발명은, 제1신호에 응답하여 구동하는 스위칭 트랜지스터와, 스위칭 트랜지스터가 구동함에 따라 데이터 신호를 공급받아 데이터 신호를 데이터 전압으로 저장하는 제1커패시터와, 제1커패시터에 저장된 데이터 전압 에 대응하여 구동하는 구동 트랜지스터와, 구동 트랜지스터가 구동함에 따라 전원을 공급받아 발광하는 유기 발광다이오드와, 제2신호에 응답하여 유기 발광다이오드에 전원을 공급하도록 구동하는 제1서브 트랜지스터와, 제3신호에 응답하여 구동 트랜지스터의 게이트와 일단을 단락하도록 구동하는 제2서브 트랜지스터와, 제4신호에 응답하여 유기 발광다이오드의 제1전극과 제2전극을 단락하도록 구동하는 제3서브 트랜지스터와, 유기 발광다이오드의 제1전극의 전압을 구동 트랜지스터의 게이트로 피드백하는 제2커패시터를 포함하는 서브 픽셀이 다수 배치된 표시부; 제1신호, 제2신호, 제3신호, 제4신호를 공급하는 스캔 구동부; 및 데이터 신호를 공급하는 데이터 구동부를 포함하는 유기전계발광표시장치를 제공한다.In another aspect, the present invention provides a switching transistor for driving in response to a first signal, a first capacitor configured to receive a data signal as the switching transistor is driven, and to store the data signal as a data voltage, and to be stored in the first capacitor. A driving transistor for driving in response to a data voltage, an organic light emitting diode which receives power as the driving transistor is driven to emit light, a first sub transistor for driving power to the organic light emitting diode in response to a second signal, A second sub transistor configured to drive the gate and one end of the driving transistor in response to the third signal, a third sub transistor configured to drive the first electrode and the second electrode of the organic light emitting diode in response to the fourth signal; And feedback the voltage of the first electrode of the organic light emitting diode to the gate of the driving transistor. The display sub-pixel arrangement including a number of the second capacitor; A scan driver supplying a first signal, a second signal, a third signal, and a fourth signal; And a data driver configured to supply a data signal.

데이터 구동부는, 데이터 신호를 공급하기 전에 구동 트랜지스터의 게이트에 음의 전압을 공급할 수 있다.The data driver may supply a negative voltage to the gate of the driving transistor before supplying the data signal.

구동 트랜지스터의 게이트에 음의 전압이 공급되고 나면, 제1서브 트랜지스터와 제2서브 트랜지스터가 구동함에 따라, 제1전원배선으로부터 공급되는 전원레벨이 구동 트랜지스터의 게이트에 충전되고 충전된 전원레벨이 방전되면서 구동 트랜지스터의 문턱전압(Vth)이 설정될 수 있다.After the negative voltage is supplied to the gate of the driving transistor, as the first sub transistor and the second sub transistor are driven, the power level supplied from the first power wiring is charged in the gate of the driving transistor, and the charged power level is discharged. As a result, the threshold voltage Vth of the driving transistor may be set.

서브 픽셀은, 제1신호배선에 게이트가 연결되고 데이터 배선에 일단이 연결된 스위칭 트랜지스터와, 제2신호배선에 게이트가 연결되고 제1전원배선에 일단이 연결된 제1서브 트랜지스터와, 제3신호배선에 게이트가 연결되고 제1서브 트랜지스터의 타단에 일단이 연결된 제2서브 트랜지스터와, 제2서브 트랜지스터의 타단에 게이트가 연결되고 제1서브 트랜지스터의 타단에 일단이 연결된 구동 트랜지스터 와, 스위칭 트랜지스터의 타단에 일단이 연결되고 구동 트랜지스터의 게이트에 타단이 연결된 제1커패시터와, 구동 트랜지스터의 게이트와 타단 사이에 연결된 제2커패시터와, 구동 트랜지스터의 타단에 제1전극이 연결되고 제2전원배선에 제2전극이 연결된 유기 발광다이오드를 포함할 수 있다.The subpixel includes a switching transistor having a gate connected to the first signal line and one end connected to the data line, a first sub transistor connected to a gate of the second signal line and one end connected to the first power line, and a third signal line. A second sub transistor having a gate connected to the other end of the first sub transistor, a driving transistor having a gate connected to the other end of the second sub transistor, and one end connected to the other end of the first sub transistor; A first capacitor having one end connected to the other end of the driving transistor, a second capacitor connected between the gate and the other end of the driving transistor, a first electrode connected to the other end of the driving transistor, and a second power line connected to the second power line. It may include an organic light emitting diode connected to the electrode.

서브 픽셀은, 제1신호배선에 게이트가 연결되고 데이터 배선에 일단이 연결된 스위칭 트랜지스터와, 제2신호배선에 게이트가 연결되고 제1전원배선에 일단이 연결된 제1서브 트랜지스터와, 제3신호배선에 게이트가 연결되고 제1서브 트랜지스터의 타단에 일단이 연결된 제2서브 트랜지스터와, 제2서브 트랜지스터의 타단에 게이트가 연결되고 제1서브 트랜지스터의 타단에 일단이 연결된 구동 트랜지스터와, 스위칭 트랜지스터의 타단에 일단이 연결되고 구동 트랜지스터의 게이트에 타단이 연결된 제1커패시터와, 구동 트랜지스터의 게이트와 타단 사이에 연결된 제2커패시터와, 구동 트랜지스터의 타단에 제1전극이 연결되고 제2전원배선에 제2전극이 연결된 유기 발광다이오드와, 제4신호배선에 게이트가 연결되고 유기 발광다이오드의 제1전극과 제2전극에 일단과 타단이 연결된 제3서브 트랜지스터를 포함할 수 있다.The subpixel includes a switching transistor having a gate connected to the first signal line and one end connected to the data line, a first sub transistor connected to a gate of the second signal line and one end connected to the first power line, and a third signal line. A second sub transistor having a gate connected to the other end of the first sub transistor, a driving transistor having a gate connected to the other end of the second sub transistor, and one end connected to the other end of the first sub transistor, and the other end of the switching transistor A first capacitor having one end connected to the other end of the driving transistor, a second capacitor connected between the gate and the other end of the driving transistor, a first electrode connected to the other end of the driving transistor, and a second power line connected to the second power line. An organic light emitting diode having an electrode connected thereto; a first electrode and a second electrode of the organic light emitting diode connected with a gate connected to a fourth signal line One end and the other end connected to the electrode may include a third sub transistor.

구동 트랜지스터의 게이트 전압은, 구동 트랜지스터의 게이트와 타단에 연결된 제2커패시터에 의해 구동 트랜지스터의 타단의 전위가 변하는 만큼 변할 수 있다.The gate voltage of the driving transistor may be changed by changing the potential of the other end of the driving transistor by the second capacitor connected to the gate and the other end of the driving transistor.

구동 트랜지스터의 타단은, 제3서브 트랜지스터가 단락됨에 따라, 제2전원배선으로부터 공급되는 접지레벨로 초기화될 수 있다.The other end of the driving transistor may be initialized to the ground level supplied from the second power wiring as the third sub transistor is shorted.

서브 픽셀에 포함된 트랜지스터들은, a-Si 트랜지스터일 수 있다.The transistors included in the sub pixel may be an a-Si transistor.

한편, 다른 측면에서 본 발명은, 표시부에 배치된 모든 서브 픽셀들의 스위칭 트랜지스터와 제1서브 트랜지스터를 턴온하고 구동 트랜지스터의 게이트에 음의 전압을 공급하는 준비 단계; 서브 픽셀들의 구동 트랜지스터의 게이트에 문턱전압을 설정하는 프로그램 단계; 서브 픽셀들 중 하나의 서브 픽셀에 포함된 스위칭 트랜지스터를 턴온하고 서브 픽셀에 포함된 제1커패시터에 데이터 신호를 공급하는 쓰기 단계; 및 서브 픽셀에 포함된 제1서브 트랜지스터를 턴온하여 서브 픽셀에 포함된 유기 발광다이오드를 발광시키는 발광 단계를 포함하는 유기전계발광표시장치의 구동방법을 제공한다.On the other hand, in another aspect, the present invention, the step of turning on the switching transistor and the first sub-transistor of all the sub-pixels disposed on the display unit and preparing a negative voltage to the gate of the driving transistor; A program step of setting a threshold voltage at a gate of a driving transistor of subpixels; A write step of turning on a switching transistor included in one subpixel of the subpixels and supplying a data signal to a first capacitor included in the subpixel; And a light emitting step of turning on the first sub transistor included in the sub pixel to emit the organic light emitting diode included in the sub pixel.

프로그램 단계에서, 구동 트랜지스터의 문턱전압은, 스위칭 트랜지스터를 턴 오프하고 제1서브 트랜지스터와 제2서브 트랜지스터를 턴온하여 서브 픽셀에 연결된 제1전원배선으로부터 공급되는 전원레벨로 구동 트랜지스터의 게이트가 충전되고 충전된 전원레벨이 방전되면서 설정될 수 있다.In the program stage, the threshold voltage of the driving transistor is charged with the gate of the driving transistor to a power level supplied from a first power wiring connected to the subpixel by turning off the switching transistor and turning on the first sub transistor and the second sub transistor. The charged power level may be set while discharging.

유기 발광다이오드의 제1전극과 제2전극을 단락하는 제3서브 트랜지스터가 포함된 경우, 제3서브 트랜지스터는, 준비 단계부터 쓰기 단계까지 턴온 상태를 유지하고 발광 단계에서 턴 오프될 수 있다.When the third sub-transistor shorting the first electrode and the second electrode of the organic light-emitting diode is included, the third sub-transistor can be turned on in the light emitting step while being turned on from the preparation step to the writing step.

제1서브 트랜지스터는, 구동 트랜지스터의 게이트가 전원레벨로 충전되면 턴오프될 수 있다.The first sub transistor may be turned off when the gate of the driving transistor is charged to the power supply level.

서브 픽셀은, 유기 발광다이오드의 제1전극의 전압을 구동 트랜지스터의 게이트로 피드백하는 제2커패시터를 포함할 수 있다.The subpixel may include a second capacitor that feeds back the voltage of the first electrode of the organic light emitting diode to the gate of the driving transistor.

본 발명은, 유기 발광다이오드의 특성 변화에 기인하여 서브 픽셀 간의 휘도 불균일 현상을 개선할 수 있는 유기전계발광표시장치 및 이의 구동방법을 제공하는 효과가 있다. 또한, 저 전압의 데이터 신호 공급이 가능하여 저 전압 구동을 지원할 수 있는 효과가 있다.The present invention has an effect of providing an organic light emitting display device and a method of driving the same, which can improve a luminance non-uniformity phenomenon between subpixels due to a change in characteristics of an organic light emitting diode. In addition, the low voltage data signal can be supplied to support low voltage driving.

이하, 본 발명의 실시를 위한 구체적인 내용을 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 유기전계발광표시장치의 개략적인 평면도이다.1 is a schematic plan view of an organic light emitting display device.

도 1에 도시된 바와 같이 유기전계발광표시장치는 기판(110) 상에 다수의 서브 픽셀(P)이 위치하는 표시부(120)를 포함할 수 있다. 기판(110) 상에 위치하는 다수의 서브 픽셀(P)은 수분이나 산소에 취약하다.As shown in FIG. 1, the organic light emitting display may include a display unit 120 on which a plurality of subpixels P are disposed. The plurality of subpixels P located on the substrate 110 are vulnerable to moisture or oxygen.

그리하여, 밀봉기판(130)을 구비하고, 표시부(120)의 외곽 기판(110)에 접착부재(140)를 형성하여 기판(110)과 밀봉기판(130)을 봉지할 수 있다. 한편, 다수의 서브 픽셀(P)은 기판(110) 상에 위치하는 구동부(150)에 의해 구동되어 영상을 표현할 수 있다.Thus, the substrate 110 and the sealing substrate 130 can be sealed by providing the sealing substrate 130 and forming the adhesive member 140 on the outer substrate 110 of the display unit 120. Meanwhile, a plurality of sub-pixels P may be driven by a driving unit 150 positioned on the substrate 110 to display an image.

여기서, 서브 픽셀(P)은 적색, 녹색 및 청색 서브 픽셀들이 하나로 묶여 하나의 단위 픽셀로 정의될 수 있다. 그러나, 서브 픽셀(P)은 백색이나 이 밖에 다른 색(예를 들면, 주황색, 노란색 등)을 발광하는 서브 픽셀을 더 포함하여 4개 이상 이 하나의 단위 픽셀로 정의될 수 있다.Here, the subpixel P may be defined as one unit pixel by bundling the red, green, and blue subpixels together. However, four or more subpixels P may be defined as one unit pixel, further including a subpixel emitting white or other colors (for example, orange, yellow, etc.).

서브 픽셀(P)은 적어도 유기발광층을 포함할 수 있다. 그리고 유기발광층은 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층 또는 전자 주입층 중 하나 이상을 더 포함할 수 있고, 이 밖에 애노드와 캐소드 간의 정공 또는 전자의 흐름을 조절할 수 있도록 버퍼층, 블록킹층 등이 더 포함될 수도 있다.The subpixel P may include at least an organic light emitting layer. The organic light emitting layer may further include at least one of a hole injecting layer, a hole transporting layer, an electron transporting layer, and an electron injecting layer. The organic light emitting layer may further include a buffer layer, a blocking layer, and the like so as to control the flow of holes or electrons between the anode and the cathode It is possible.

한편, 기판(110) 상에는 하나의 구동부(150)가 위치하는 것으로 도시하였지만, 구동부(150)는 서브 픽셀에 스캔 신호를 공급하는 스캔 구동부와, 서브 픽셀에 데이터 신호를 공급하는 데이터 구동부를 포함할 수 있다.Although one driver 150 is shown on the substrate 110, the driver 150 may include a scan driver for supplying scan signals to sub pixels and a data driver for supplying data signals to the sub pixels .

여기서, 스캔 구동부는 우수 프레임과 기수 프레임으로 구분하여 표시부의 좌측과 우측에서 서브 픽셀에 스캔 신호를 공급할 수도 있다.In this case, the scan driver may be divided into an even frame and an odd frame to supply a scan signal to subpixels on the left and right sides of the display unit.

이하, 서브 픽셀의 단면 구조를 첨부하여 이를 더욱 자세히 설명한다.Hereinafter, the cross-sectional structure of the subpixel will be attached and described in more detail.

도 2a는 도 1에 도시된 서브 픽셀의 단면 예시도 이고, 도 2b는 도 1에 도시된 서브 픽셀의 다른 단면 예시도 이다.FIG. 2A is a cross-sectional exemplary view of the subpixel shown in FIG. 1, and FIG. 2B is another cross-sectional exemplary view of the subpixel shown in FIG.

도 2a에 도시된 바와 같이, 기판(110)이 위치할 수 있다. 기판(110)은 소자를 형성하기 위한 재료로 기계적 강도나 치수 안정성이 우수한 것을 선택할 수 있다. 기판(110)의 재료로는, 유리판, 금속판, 세라믹판 또는 플라스틱판(폴리카보네이트 수지, 아크릴 수지, 염화비닐 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지, 폴리이미드 수지, 폴리에스테르 수지, 에폭시 수지, 실리콘 수지, 불소수지 등) 등을 예로 들 수 있다.As shown in FIG. 2A, the substrate 110 may be located. The substrate 110 can be selected to have excellent mechanical strength and dimensional stability as a material for forming devices. As a material of the substrate 110, a glass plate, a metal plate, a ceramic plate, or a plastic plate (polycarbonate resin, acrylic resin, vinyl chloride resin, polyethylene terephthalate resin, polyimide resin, polyester resin, Resin, etc.) and the like.

기판(110) 상에는 버퍼층(111)이 위치할 수 있다. 버퍼층(111)은 기판(110)에서 유출되는 알칼리 이온 등과 같은 불순물로부터 후속 공정에서 형성되는 박막 트랜지스터를 보호하기 위해 형성할 수 있다. 버퍼층(111)은 실리콘 산화물(SiO2), 실리콘 질화물(SiNx) 등을 사용할 수 있다.A buffer layer 111 may be positioned on the substrate 110. The buffer layer 111 may be formed to protect a thin film transistor formed in a subsequent process from an impurity such as an alkali ion or the like flowing out from the substrate 110. The buffer layer 111 may be made of silicon oxide (SiO 2 ), silicon nitride (SiN x), or the like.

버퍼층(111) 상에는 반도체층(112)이 위치할 수 있다. 반도체층(112)은 비정질 실리콘 또는 이를 결정화한 다결정 실리콘을 포함할 수 있다. 여기서 도시하지는 않았지만, 반도체층(112)은 채널 영역, 소오스 영역 및 드레인 영역을 포함할 수 있으며, 소오스 영역 및 드레인 영역에는 P형 또는 N형 불순물이 도핑될 수 있다.The semiconductor layer 112 may be located on the buffer layer 111. The semiconductor layer 112 may comprise amorphous silicon or polycrystalline silicon crystallized therefrom. Although not shown here, the semiconductor layer 112 may include a channel region, a source region, and a drain region, and the source region and the drain region may be doped with P-type or N-type impurities.

반도체층(112)을 포함하는 기판(110) 상에는 게이트 절연막(113)이 위치할 수 있다. 게이트 절연막(113)은 실리콘 산화물(SiO2) 또는 실리콘 질화물(SiNx) 등을 사용하여 선택적으로 형성할 수 있다.A gate insulating layer 113 may be disposed on the substrate 110 including the semiconductor layer 112. The gate insulating film 113 can be selectively formed using silicon oxide (SiO 2 ), silicon nitride (SiN x), or the like.

반도체층(112)의 일정 영역인 채널 영역에 대응되도록 게이트 절연막(113) 상에 게이트 전극(114)이 위치할 수 있다. 게이트 전극(114)은 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(Al alloy), 티타늄(Ti), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 몰리브덴 합금(Mo alloy), 텅스텐(W), 텅스텐 실리사이드(WSi2) 중 어느 하나를 포함할 수 있다.The gate electrode 114 may be positioned on the gate insulating layer 113 to correspond to a channel region which is a predetermined region of the semiconductor layer 112. Gate electrode 114 is made of aluminum (Al), aluminum alloy (Al alloy), titanium (Ti), silver (Ag), molybdenum (Mo), molybdenum alloy (Mo alloy), tungsten (W), tungsten silicide (WSi 2 ). ≪ / RTI >

게이트 전극(114)을 포함한 기판(110) 상에 층간절연막(115)이 위치할 수 있다. 층간절연막(115)은 유기막 또는 무기막일 수 있으며, 이들의 복합막일 수도 있다.The interlayer insulating film 115 may be positioned on the substrate 110 including the gate electrode 114. [ The interlayer insulating film 115 may be an organic film or an inorganic film, or a composite film thereof.

층간절연막(115)이 무기막인 경우 실리콘 산화물(SiO2), 실리콘 질화물(SiNx) 또는 SOG(silicate on glass)를 포함할 수 있다. 반면, 유기막인 경우 아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지 또는 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene,BCB)계 수지를 포함할 수 있다. 층간절연막(115) 및 게이트 절연막(113) 내에는 반도체층(112)의 일부를 노출시키는 제1 및 제2콘택홀(115a, 115b)이 위치할 수 있다.When the interlayer insulating film 115 is an inorganic film, it may include silicon oxide (SiO 2 ), silicon nitride (SiNx), or silicate on glass (SOG). On the other hand, an organic film may include an acrylic resin, a polyimide resin, or a benzocyclobutene (BCB) resin. The first and second contact holes 115a and 115b for exposing a part of the semiconductor layer 112 may be disposed in the interlayer insulating film 115 and the gate insulating film 113. [

층간절연막(115) 상에는 제1전극(116a)이 위치할 수 있다. 제1전극(116a)은 애노드일 수 있으며 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide) 등과 같은 도전층을 포함하여 단층 구조로 형성될 수 있다.The first electrode 116a may be located on the interlayer insulating film 115. [ The first electrode 116a may be an anode and may have a single layer structure including a conductive layer such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO).

또한, 제1전극(116a)은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide) 등과 같은 도전층을 포함하여 다층 구조로 형성될 수 있다. 이에 대한 설명은 이하에 다른 도면을 첨부하여 더욱 자세히 설명한다.The first electrode 116a may include a conductive layer such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO) to have a multi-layer structure. The description thereof will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

층간절연막(115) 상에는 소오스 전극 및 드레인 전극(116b, 116c)이 위치할 수 있다. 소오스 전극 및 드레인 전극(116b, 116c)은 제1 및 제2콘택홀(115a, 115b)을 통하여 반도체층(112)과 전기적으로 연결될 수 있다. 그리고, 드레인 전극(116c)의 일부는 제1전극(116a) 상에 위치하여, 제1전극(116a)과 전기적으로 연결될 수 있다.Source and drain electrodes 116b and 116c may be located on the interlayer insulating film 115. [ The source and drain electrodes 116b and 116c may be electrically connected to the semiconductor layer 112 through the first and second contact holes 115a and 115b. A part of the drain electrode 116c may be located on the first electrode 116a and may be electrically connected to the first electrode 116a.

소오스 전극 및 드레인 전극(116b, 116c)은 배선 저항을 낮추기 위해 저저항 물질을 포함할 수 있다. 여기서, 소오스 전극 및 드레인 전극(116b, 116c)은 알루미늄(Al), 알미네리윰(Alnd), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄 나이트라이드(TiN), 몰리브덴 나이트라이드(MoN) 또는 크롬 나이트라이드(CrN) 등과 같은 금속층을 포함하여 다층 구조로 형성될 수 있다. 이에 대한 설명은 이하에 다른 도면을 첨부하여 더욱 자세히 설명한다.The source and drain electrodes 116b and 116c may include a low-resistance material for lowering the wiring resistance. Here, the source and drain electrodes 116b and 116c may be formed of aluminum (Al), aluminum, aluminum (mol), molybdenum (Mo), chromium (Cr), titanium nitride (TiN), molybdenum nitride (MoN), or chromium. It may be formed into a multilayer structure including a metal layer such as nitride (CrN). The description thereof will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

이상 기판(110) 상에 위치하는 트랜지스터는 게이트 전극(114), 소오스 전극 및 드레인 전극(116b, 116c)을 포함하고 다수의 트랜지스터 및 커패시터를 갖는 트랜지스터 어레이는 이하의 유기 발광다이오드와 전기적으로 연결될 수 있다. (단, 커패시터의 구조는 생략되었음)The transistor located on the substrate 110 includes the gate electrode 114, the source and drain electrodes 116b and 116c, and the transistor array having a plurality of transistors and capacitors can be electrically connected to the following organic light emitting diodes have. (However, the structure of the capacitor is omitted)

제1전극(116a)(예: 애노드) 상에는 제1전극(116a)의 일부를 노출시키는 절연막(117)이 위치할 수 있다. 절연막(117)은 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene,BCB)계 수지, 아크릴계 수지 또는 폴리이미드 수지 등의 유기물을 포함할 수 있다.An insulating film 117 that exposes a part of the first electrode 116a may be disposed on the first electrode 116a (e.g., an anode). The insulating film 117 may include an organic material such as a benzocyclobutene (BCB) resin, an acrylic resin, or a polyimide resin.

노출된 제1전극(116a) 상에는 유기발광층(118)이 위치하고 유기발광층(118) 상에는 제2전극(119)(예: 캐소드)이 위치할 수 있다. 제2전극(119)은 유기발광층(118)에 전자를 공급하는 캐소드일 수 있으며, 마그네슘(Mg), 은(Ag), 칼슘(Ca), 알루미늄(Al) 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다.The organic light emitting layer 118 may be disposed on the exposed first electrode 116a and the second electrode 119 may be disposed on the organic light emitting layer 118. [ The second electrode 119 may be a cathode that supplies electrons to the organic light emitting layer 118 and may include magnesium (Mg), silver (Ag), calcium (Ca), aluminum (Al) .

이상 기판(110) 상에 위치하는 트랜지스터 어레이에 포함된 트랜지스터의 소오스 또는 드레인 전극(116b, 116c)에 연결된 유기 발광다이오드는 제1전극(116a), 유기발광층(118) 및 제2전극(119)을 포함할 수 있다.The organic light emitting diode connected to the source or drain electrodes 116b and 116c of the transistor included in the transistor array disposed on the substrate 110 includes the first electrode 116a, the organic light emitting layer 118, and the second electrode 119, . ≪ / RTI >

도 2a와는 달리 도 2b를 참조하면, 소오스 또는 드레인 전극(116b, 116c) 상에 위치하는 제1전극(116a)은 트랜지스터 어레이의 표면을 평탄화하는 평탄화 막(117a) 상에 위치할 수도 있다. 이 경우, 절연막(117b)은 평탄화막(117a) 상에서 제1전극(116a)(예: 애노드)의 일부를 노출시키도록 위치할 수 있다.Unlike FIG. 2A, referring to FIG. 2B, the first electrode 116a positioned on the source or drain electrodes 116b and 116c may be positioned on the planarization film 117a that planarizes the surface of the transistor array. In this case, the insulating film 117b may be positioned to expose a part of the first electrode 116a (e.g., an anode) on the planarization film 117a.

도 2a 및 도 2b와 같은 서브 픽셀의 단면 구조에서, 트랜지스터 어레이에 포함된 트랜지스터의 구조는 게이트의 구조가 탑 게이트 인지 또는 바탐 게이트 인지에 따라 달라질 수 있다. 또한, 트랜지스터 어레이를 형성할 때 사용되는 마스크의 개수와 반도체층 재료에 따라 트랜지스터의 구조는 달리질 수 있다. 그러므로, 서브 픽셀의 단면 구조는 이에 한정되지는 않는다.2A and 2B, the structure of the transistor included in the transistor array may vary depending on whether the gate structure is the top gate or the batam gate. In addition, the structure of the transistor may vary depending on the number of masks used in forming the transistor array and the semiconductor layer material. Therefore, the cross-sectional structure of the subpixel is not limited thereto.

<제1실시예>&Lt; Embodiment 1 >

한편, 본 발명의 제1실시예에 따른 유기전계발광표시장치는 다수의 서브 픽셀이 다수 배치된 표시부를 포함할 수 있다.Meanwhile, the organic light emitting display device according to the first embodiment of the present invention may include a display unit in which a plurality of sub pixels are arranged.

여기서, 서브 픽셀은 제1신호에 응답하여 구동하는 스위칭 트랜지스터를 포함할 수 있다. 또한, 스위칭 트랜지스터가 구동함에 따라 데이터 신호를 공급받아 데이터 신호를 데이터 전압으로 저장하는 제1커패시터를 포함할 수 있다. 또한, 제1커패시터에 저장된 데이터 전압에 대응하여 구동하는 구동 트랜지스터를 포함할 수 있다. 또한, 구동 트랜지스터가 구동함에 따라 전원을 공급받아 발광하는 유기 발광다이오드를 포함할 수 있다. 또한, 제2신호에 응답하여 유기 발광다이오드에 전원을 공급하도록 구동하는 제1서브 트랜지스터를 포함할 수 있다. 또한, 제3신호에 응답하여 구동 트랜지스터의 게이트와 일단을 단락하도록 구동하는 제2서브 트랜지스터를 포함할 수 있다. 또한, 유기 발광다이오드의 제1전극의 전압을 구동 트 랜지스터의 게이트로 피드백하는 제2커패시터를 포함할 수 있다.Here, the subpixel may include a switching transistor that is driven in response to the first signal. In addition, the switching transistor may include a first capacitor that receives the data signal and stores the data signal as a data voltage as the switching transistor is driven. In addition, the driving transistor may include a driving transistor corresponding to the data voltage stored in the first capacitor. In addition, the driving transistor may include an organic light emitting diode that receives power and emits light as the driving transistor is driven. The display device may further include a first sub transistor configured to drive the organic light emitting diode to supply power in response to the second signal. In addition, the second sub transistor may be driven to short-circuit one end of the gate of the driving transistor in response to the third signal. In addition, the organic light emitting diode may include a second capacitor that feeds back the voltage of the first electrode of the organic light emitting diode to the gate of the driving transistor.

그리고 앞서 설명한 서브 픽셀에 제1신호, 제2신호, 제3신호를 공급하는 스캔 구동부를 포함할 수 있다.The scan driver may be configured to supply a first signal, a second signal, and a third signal to the aforementioned subpixel.

그리고 앞서 설명한 서브 픽셀에 데이터 신호를 공급하는 데이터 구동부를 포함할 수 있다.And it may include a data driver for supplying a data signal to the sub-pixel described above.

이와 같은 구성을 갖는 유기전계발광표시장치는 유기 발광다이오드의 제1전극(애노드)가 연결된 구동 트랜지스터의 타단 전압이 상승함에 따라 휘도가 변화는 특성을 보상하기 위해 서브 픽셀 내에 제2커패시터를 구비한다.The organic light emitting display device having such a structure includes a second capacitor in the subpixel to compensate for the characteristic that the luminance changes as the other end voltage of the driving transistor connected to the first electrode (anode) of the organic light emitting diode is increased. .

이하, 설명의 이해를 돕기 위해 서브 픽셀의 회로 구성도를 첨부하여 설명한다.Hereinafter, a circuit configuration diagram of a subpixel will be described for better understanding of the description.

도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 서브 픽셀의 회로 구성도이다.3 is a circuit diagram illustrating a subpixel according to a first embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 본 발명의 제1실시예에 따른 서브 픽셀은 제1신호배선(SCAN)에 게이트가 연결되고 데이터 배선(DATA)에 일단이 연결된 스위칭 트랜지스터(SW1)를 포함할 수 있다. 또한, 제2신호배선(EM)에 게이트가 연결되고 제1전원배선(VDD)에 일단이 연결된 제1서브 트랜지스터(ST1)를 포함할 수 있다. 또한, 제3신호배선(SE)에 게이트가 연결되고 제1서브 트랜지스터(ST1)의 타단에 일단이 연결된 제2서브 트랜지스터(ST2)를 포함할 수 있다. 또한, 제2서브 트랜지스터(ST2)의 타단에 게이트가 연결되고 제1서브 트랜지스터(ST1)의 타단에 일단이 연결된 구동 트랜지스터(T1)를 포함할 수 있다. 또한, 스위칭 트랜지스터(SW1)의 타단에 일단이 연결되고 구동 트랜지스터(T1)의 게이트에 타단이 연결된 제1커패시터(Cp)를 포함 할 수 있다. 또한, 구동 트랜지스터(T1)의 게이트와 타단 사이에 연결된 제2커패시터(Cst)를 포함할 수 있다. 또한, 구동 트랜지스터(T1)의 타단에 제1전극이 연결되고 제2전원배선(GND)에 제2전극이 연결된 유기 발광다이오드(D)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 3, the subpixel according to the first embodiment of the present invention may include a switching transistor SW1 having a gate connected to the first signal line SCAN and one end connected to the data line DATA. In addition, the first sub-transistor ST1 may include a gate connected to the second signal line EM and one end connected to the first power line VDD. In addition, a gate may be connected to the third signal line SE, and a second sub transistor ST2 having one end connected to the other end of the first sub transistor ST1 may be included. In addition, a gate may be connected to the other end of the second sub transistor ST2 and the driving transistor T1 may be connected to the other end of the first sub transistor ST1. In addition, one end may be connected to the other end of the switching transistor SW1 and the first capacitor Cp may be connected to the other end of the gate of the driving transistor T1. In addition, a second capacitor Cst connected between the gate and the other end of the driving transistor T1 may be included. The organic light emitting diode D may include an organic light emitting diode D connected to the other end of the driving transistor T1 and a second electrode connected to the second power line GND.

여기서, 서브 픽셀에 포함된 트랜지스터들(SW1, T1, ST1, ST2)은, a-Si:H을 백플레인(backplane)으로 사용하는 N-형 트랜지스터일 수 있다.Here, the transistors SW1, T1, ST1, and ST2 included in the subpixel may be N-type transistors using a-Si: H as a backplane.

여기서, 서브 픽셀은 기판 방향이 아닌 기판을 봉지하는 봉지 기판 방향으로 발광하는 상면 발광(Top Emission)형일 수 있다.Here, the subpixel may be a top emission type emitting light toward the encapsulation substrate that encapsulates the substrate rather than the substrate direction.

한편, 서브 픽셀의 데이터 배선(DATA)에 연결된 데이터 구동부는, 데이터 신호를 공급하기 전에 구동 트랜지스터(T1)의 게이트에 음의 전압을 공급할 수 있다. 음의 전압은 접지전압 레벨 이하의 전압 중에서 선택될 수 있다.The data driver connected to the data line DATA of the subpixel may supply a negative voltage to the gate of the driving transistor T1 before supplying the data signal. The negative voltage may be selected from voltages below the ground voltage level.

이와 같이 데이터 신호를 공급하기 전에 음의 전압을 공급하면, 구동 트랜지스터(T1)의 게이트에 트랩 차지(Trapped charge)가 쌓이는 문제를 해결할 수 있다. 이에 따라, 시간이 지남에 따라 구동 트랜지스터(T1)의 문턱전압(Vth)이 증가하고 전류의 흐름이 감소하는 문제를 방지할 수 있게 된다.As described above, if a negative voltage is supplied before supplying the data signal, a trap charge may be accumulated in the gate of the driving transistor T1. Accordingly, it is possible to prevent the problem that the threshold voltage Vth of the driving transistor T1 increases and the flow of current decreases with time.

구동 트랜지스터(T1)의 게이트에 음의 전압이 공급되고 나면, 제1서브 트랜지스터(ST1)와 제2서브 트랜지스터(ST2)가 구동함에 따라, 제1전원배선(VDD)으로부터 공급되는 전원레벨이 구동 트랜지스터(T1)의 게이트에 충전되고 충전된 전원레벨이 방전되면서 구동 트랜지스터의 문턱전압(Vth)이 설정될 수 있다.After the negative voltage is supplied to the gate of the driving transistor T1, as the first sub transistor ST1 and the second sub transistor ST2 are driven, the power level supplied from the first power wiring VDD is driven. As the power level charged and charged in the gate of the transistor T1 is discharged, the threshold voltage Vth of the driving transistor may be set.

구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전압은, 구동 트랜지스터(T1)의 게이트와 타단에 연결된 제2커패시터(Cst)에 의해 구동 트랜지스터(T1)의 타단의 전위가 변하 는 만큼 변할 수 있다.The gate voltage of the driving transistor T1 may change as the potential of the other end of the driving transistor T1 is changed by the second capacitor Cst connected to the gate and the other end of the driving transistor T1.

즉, 제2커패시터(Cst)는 구동 트랜지스터(T1)의 소오스(Source) 단의 전위를 구동 트랜지스터(T1)의 게이트에 피드백하게 된다. 이에 따라, 구동 트랜지스터(T1)의 게이트와 소오스(Source)간 전압인 Vgs가 일정하게 되어 소오스(Source) 전압 변화로 인한 휘도 저하 및 서브 픽셀 간의 불균일 특성을 개선할 수 있다.That is, the second capacitor Cst feeds back the potential of the source terminal of the driving transistor T1 to the gate of the driving transistor T1. As a result, the voltage Vgs between the gate and the source of the driving transistor T1 is constant, thereby improving luminance and non-uniformity between the subpixels due to a change in the source voltage.

앞서 설명한 바와 같은 회로 구성을 갖는 서브 픽셀이 포함된 유기전계발광표시장치는 다음과 같은 구동방법을 이용할 수 있다. 단, 설명의 이해를 돕기 위해 도 3을 함께 참조한다.The organic light emitting display device including the subpixel having the circuit configuration as described above may use the following driving method. However, reference is also made to FIG. 3 to help understand the description.

도 4는 서브 픽셀의 구동 파형 예시도 이고, 도 5는 서브 픽셀 전체의 구동 파형 예시도 이다.4 is a diagram illustrating driving waveforms of a subpixel, and FIG. 5 is a diagram illustrating driving waveforms of an entire subpixel.

도 4를 참조하면, 표시부에 배치된 모든 서브 픽셀들의 스위칭 트랜지스터(SW1)와 제1서브 트랜지스터(ST1)를 턴온하고 구동 트랜지스터(T1)의 게이트에 음의 전압을 공급하는 준비 단계(Preparation)를 실시한다.Referring to FIG. 4, a preparation step of turning on the switching transistor SW1 and the first sub transistor ST1 of all the subpixels disposed in the display unit and supplying a negative voltage to the gate of the driving transistor T1 is performed. Conduct.

준비 단계(Preparation)를 실시하기 위해, 제1신호배선(SCAN)에 제1신호(Scan[n])를 공급함과 아울러 제2신호배선(EM)에 제2신호(Em)를 공급하여 스위칭 트랜지스터(SW1)와 제1서브 트랜지스터(ST1)를 구동할 수 있다. 이때, 데이터 구동부는 데이터 배선(DATA)을 통해 리후레시 전압(VREFRESH)으로 음의 전압을 선택하여 구동 트랜지스터(T1)의 게이트에 공급할 수 있다.In order to perform the preparation step, the switching transistor is supplied by supplying a first signal Scan [n] to the first signal line SCAN and a second signal Em to the second signal line EM. SW1 and the first sub transistor ST1 may be driven. In this case, the data driver may select a negative voltage as the refresh voltage V REFRESH through the data line DATA and supply the negative voltage to the gate of the driving transistor T1.

이와 같이 데이터 신호를 공급하기 전에 음의 전압을 공급하면, 구동 트랜지스터(T1)의 게이트에 트랩 차지(Trapped charge)가 쌓이는 문제를 해결할 수 있다. 이에 따라, 시간이 지남에 따라 구동 트랜지스터(T1)의 문턱전압(Vth)이 증가하고 전류의 흐름이 감소하는 문제를 방지할 수 있게 된다.As such, when a negative voltage is supplied before the data signal is supplied, trapped charges may accumulate in the gate of the driving transistor T1. Accordingly, it is possible to prevent the problem that the threshold voltage Vth of the driving transistor T1 increases and the flow of current decreases with time.

준비 단계(Preparation)에서 구동 트랜지스터(T1)의 게이트에 공급되는 음의 전압은 접지전압 레벨 이하의 전압에서 임의 선택할 수 있다.The negative voltage supplied to the gate of the driving transistor T1 in the preparation step may be arbitrarily selected from a voltage below the ground voltage level.

다음, 서브 픽셀들의 구동 트랜지스터(T1)의 게이트에 문턱전압을 설정하는 프로그램 단계(Program VTH)를 실시한다.Next, a program step (Program V TH ) for setting a threshold voltage at the gates of the driving transistors T1 of the subpixels is performed.

프로그램 단계(Program VTH)를 실시하기 위해, 제1신호배선(SCAN)으로 공급되는 제1신호(Scan[n])를 차단하여 스위칭 트랜지스터(SW1)를 턴 오프하고 제2 및 제3신호배선(EM, SE)에 제2 및 제3신호(Em, Se)를 공급하여 제1서브 트랜지스터(ST1)와 제2서브 트랜지스터(ST2)를 턴온할 수 있다.In order to perform the program step Program V TH , the first transistor Scan [n] supplied to the first signal line SCAN is cut off to turn off the switching transistor SW1 and the second and third signal lines The first sub transistor ST1 and the second sub transistor ST2 may be turned on by supplying the second and third signals Em and Se to the EM and SE.

여기서, 구동 트랜지스터(T1)의 게이트가 전원레벨(VDD)로 충전되면 제2신호배선(EM)으로부터 공급되는 제2신호(Em)를 차단하여 제1서브 트랜지스터(ST1)를 턴오프할 수 있다.When the gate of the driving transistor T1 is charged to the power supply level V DD , the first sub transistor ST1 may be turned off by blocking the second signal Em supplied from the second signal line EM. have.

이와 같은 동작에 따라, 서브 픽셀에 연결된 제1전원배선(VDD)으로부터 공급되는 전원레벨(VDD)로 구동 트랜지스터(T1)의 게이트가 충전되고 충전된 전원레벨(VDD)이 구동 트랜지스터(T1)를 통해 방전되면서 구동 트랜지스터(T1)의 문턱전압 이 설정될 수 있다.In accordance with the same operation, the sub-pixel first power supply wiring (VDD) power supply level (V DD) and the gate of the drive transistor (T1) is filled with a charged power level (V DD) is the driver transistor that is supplied from the connected to the (T1 The threshold voltage of the driving transistor T1 may be set while discharging through.

보충설명을 하면, 구동 트랜지스터(T1)를 통해 Vgate 전압은 방전이 이루어져 Vth(구동 트랜지스터의 문턱전압) + Vo(유기 발광다이오드의 문턱전압)로 유지되고, Vsource 전압은 Vo로 유지될 수 있다.As a supplementary description, the Vgate voltage is discharged through the driving transistor T1 to maintain Vth (threshold voltage of the driving transistor) + Vo (threshold voltage of the organic light emitting diode), and Vsource voltage may be maintained at Vo.

다음, 서브 픽셀들 중 하나의 서브 픽셀에 포함된 스위칭 트랜지스터(SW1)를 턴온하고 서브 픽셀에 포함된 제1커패시터(Cp)에 데이터 신호를 공급하는 쓰기 단계(Write Data)를 실시한다.Next, a write step of turning on the switching transistor SW1 included in one of the subpixels and supplying a data signal to the first capacitor Cp included in the subpixel is performed.

쓰기 단계(Write Data)를 실시하기 위해, 제1신호배선(SCAN)에 제1신호(Scan[n])를 공급하여 하나의 서브 픽셀을 선택하고 선택된 서브 픽셀에 데이터 신호(Data)를 공급할 수 있다.In order to perform the write step, the first signal Scan [n] may be supplied to the first signal line SCAN to select one subpixel and to supply the data signal Data to the selected subpixel. have.

보충설명을 하면, Vgate 전압은 Vth(구동 트랜지스터의 문턱전압) + Vo(유기 발광다이오드의 문턱전압) + VDATA(데이터 전압)이 될 수 있다. 이 경우에도 Vsource 전압은 Vo로 유지될 수 있다.As a supplementary description, the Vgate voltage may be Vth (threshold voltage of the driving transistor) + Vo (threshold voltage of the organic light emitting diode) + V DATA (data voltage). Even in this case, the Vsource voltage can be maintained at Vo.

다음, 서브 픽셀에 포함된 제1서브 트랜지스터(ST1)를 턴온하여 서브 픽셀에 포함된 유기 발광다이오드(D)를 발광시키는 발광 단계(Emission)를 실시한다.Next, an emission step of turning on the first sub transistor ST1 included in the subpixel to emit the organic light emitting diode D included in the subpixel is performed.

발광 단계(Emission)를 실시하기 위해, 제2신호배선(EM)에 제2신호(Em)를 공급하여 제1서브 트랜지스터(ST1)를 턴온하면, 제1전원배선(VDD)으로부터 전류(IOLED)를 공급받은 유기 발광다이오드(D)는 발광할 수 있다. 이때, 구동 트랜지스터(T1)는 제1커패시터(Cp)에 저장된 데이터 전압에 대응하여 구동할 수 있다. 이에 따라, 유기 발광다이오드(D)는 데이터 전압에 해당하는 계조 만큼 발광할 수 있다.In order to perform the light emission step, when the first sub transistor ST1 is turned on by supplying the second signal Em to the second signal line EM, the current I OLED from the first power line VDD is turned on. The organic light emitting diode D may receive light. In this case, the driving transistor T1 may drive in response to the data voltage stored in the first capacitor Cp. Accordingly, the organic light emitting diode D may emit light by a gray level corresponding to the data voltage.

유기 발광다이오드(D) 발광시의 전류를 수식으로 표현하면 수학식 1과 같이 표현할 수 있다.When the current at the time of emitting the organic light emitting diode D is expressed by a formula, it may be expressed as in Equation 1.

Figure 112007079245468-pat00001
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여기서, Vsource는 유기 발광다이오드(D)가 발광하지 않는 단계에서는 유기 발광다이오드의 문턱전압인 Vo 전위를 나타내지만, 발광 단계(Emission)에서는 유기 발광다이오드(D)의 전류량에 비례하는 전압만큼 증가되는 Vo + VOLED 를 나타낼 수 있다. 이 결과, 발광시 유기 발광다이오드(D)에 흐르는 전류를 수식으로 표현하면 수학식 2와 같이 표현할 수 있다.Here, Vsource represents Vo potential, which is the threshold voltage of the organic light emitting diode in the stage where the organic light emitting diode D does not emit light, but is increased by a voltage proportional to the amount of current of the organic light emitting diode D in the emission step. Vo + V OLED can be represented. As a result, the current flowing through the organic light emitting diode D during light emission may be expressed by Equation 2 below.

Figure 112007079245468-pat00002
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한편, 발광 단계(Emission)에서 Vsource 전압이 유기 발광다이오드(D)의 전류량에 비례하는 전압만큼 증가하여 Vo(유기 발광다이오드의 문턱전압) + ΔVOLED (유기 발광다이오드를 통해 흐르는 전압)가 되면, 피드백 역할을 하는 제2커패시터(Cst)를 통해 변화된 Source 전압만큼 Vgate 전압도 변하게 되므로 구동 트랜지스터(T1)의 Vgs 전압은 일정하게 유지될 수 있다.On the other hand, in the emission step, the V source voltage increases by a voltage proportional to the amount of current of the organic light emitting diode D, thereby causing Vo (threshold voltage of the organic light emitting diode) + ΔV OLED. When the voltage flows through the organic light emitting diode, the Vgate voltage is changed by the source voltage changed through the second capacitor Cst serving as a feedback, so that the Vgs voltage of the driving transistor T1 can be kept constant.

이상의 구동 파형을 참조하면, 도 5와 같이 서브 픽셀 전체를 구동할 수 있는 구동 파형을 예시적으로 나타낼 수 있다.Referring to the above-described driving waveform, a driving waveform capable of driving the entire subpixel as shown in FIG. 5 may be exemplarily illustrated.

도 5를 참조하면, 모든 서브 픽셀은 준비 단계(Preparation), 프로그램 단계(Program VTH), 쓰기 단계(Write Data), 발광 단계(Emission)를 실시하기 위해 각각 제2, 제3신호(Em, Se)를 공급받을 수 있다.Referring to FIG. 5, all of the sub-pixels may be configured with the second and third signals Em, in order to perform a preparation step, a program step TH , a write data, and an emission step. Se) can be supplied.

이때, 모든 서브 픽셀은 순차적으로 공급되는 제1신호(Scan[1]..Scan[n])에 따라 선택되어 각각의 데이터 신호(Data[1:m])를 공급받을 수 있고, 앞서 설명한 바와 같은 구동방법에 의해 구동될 수 있다.In this case, all the subpixels may be selected according to the sequentially supplied first signals Scan [1] .. Scan [n] to receive respective data signals Data [1: m]. It can be driven by the same driving method.

<제2실시예>&Lt; Embodiment 2 >

한편, 본 발명의 제2실시예에 따른 유기전계발광표시장치는 다수의 서브 픽셀이 다수 배치된 표시부를 포함할 수 있다.Meanwhile, the organic light emitting display device according to the second embodiment of the present invention may include a display unit in which a plurality of sub pixels are arranged.

여기서, 서브 픽셀은 제1신호에 응답하여 구동하는 스위칭 트랜지스터를 포함할 수 있다. 또한, 스위칭 트랜지스터가 구동함에 따라 데이터 신호를 공급받아 데이터 신호를 데이터 전압으로 저장하는 제1커패시터를 포함할 수 있다. 또한, 제1커패시터에 저장된 데이터 전압에 대응하여 구동하는 구동 트랜지스터를 포함할 수 있다. 또한, 구동 트랜지스터가 구동함에 따라 전원을 공급받아 발광하는 유기 발광다이오드를 포함할 수 있다. 또한, 제2신호에 응답하여 유기 발광다이오드에 전원을 공급하도록 구동하는 제1서브 트랜지스터를 포함할 수 있다. 또한, 제3신호 에 응답하여 구동 트랜지스터의 게이트와 일단을 단락하도록 구동하는 제2서브 트랜지스터를 포함할 수 있다. 또한, 제4신호에 응답하여 유기 발광다이오드의 제1전극과 제2전극을 단락하도록 구동하는 제3서브 트랜지스터를 포함할 수 있다. 또한, 유기 발광다이오드의 제1전극의 전압을 구동 트랜지스터의 게이트로 피드백하는 제2커패시터를 포함할 수 있다.Here, the subpixel may include a switching transistor that is driven in response to the first signal. In addition, the switching transistor may include a first capacitor that receives the data signal and stores the data signal as a data voltage as the switching transistor is driven. In addition, the driving transistor may include a driving transistor corresponding to the data voltage stored in the first capacitor. In addition, the driving transistor may include an organic light emitting diode that receives power and emits light as the driving transistor is driven. The display device may further include a first sub transistor configured to drive the organic light emitting diode to supply power in response to the second signal. In addition, a second sub transistor may be driven to short-circuit one end of the gate of the driving transistor in response to the third signal. The display device may further include a third sub transistor configured to drive the first and second electrodes of the organic light emitting diode to be shorted in response to the fourth signal. In addition, the organic light emitting diode may include a second capacitor that feeds back the voltage of the first electrode of the organic light emitting diode to the gate of the driving transistor.

그리고 앞서 설명한 서브 픽셀에 제1신호, 제2신호, 제3신호, 제4신호를 공급하는 스캔 구동부를 포함할 수 있다.The scan driver may be configured to supply a first signal, a second signal, a third signal, and a fourth signal to the aforementioned subpixel.

그리고 앞서 설명한 서브 픽셀에 데이터 신호를 공급하는 데이터 구동부를 포함할 수 있다.And it may include a data driver for supplying a data signal to the sub-pixel described above.

이와 같은 구성을 갖는 유기전계발광표시장치는 유기 발광다이오드의 제1전극(애노드)가 연결된 구동 트랜지스터의 타단 전압이 상승함에 따라 휘도가 변화는 특성을 보상하기 위해 서브 픽셀 내에 제2커패시터와 제3서브 트랜지스터를 구비한다.The organic light emitting display device having such a configuration has a second capacitor and a third capacitor in the subpixel to compensate for the characteristic that the luminance changes as the other end voltage of the driving transistor connected to the first electrode (anode) of the organic light emitting diode is increased. A sub transistor is provided.

이하, 설명의 이해를 돕기 위해 서브 픽셀의 회로 구성도를 첨부하여 설명한다.Hereinafter, a circuit configuration diagram of a subpixel will be described for better understanding of the description.

도 6은 본 발명의 제2실시예에 따른 서브 픽셀의 회로 구성도이다.6 is a circuit diagram illustrating a subpixel according to a second embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 본 발명의 제2실시예에 따른 서브 픽셀은 제1신호배선(SCAN)에 게이트가 연결되고 데이터 배선(DATA)에 일단이 연결된 스위칭 트랜지스터(SW1)를 포함할 수 있다. 또한, 제2신호배선(EM)에 게이트가 연결되고 제1전원배선(VDD)에 일단이 연결된 제1서브 트랜지스터(ST1)를 포함할 수 있다. 또한, 제3 신호배선(SE)에 게이트가 연결되고 제1서브 트랜지스터(ST1)의 타단에 일단이 연결된 제2서브 트랜지스터(ST2)를 포함할 수 있다. 또한, 제2서브 트랜지스터(ST2)의 타단에 게이트가 연결되고 제1서브 트랜지스터(ST1)의 타단에 일단이 연결된 구동 트랜지스터(T1)를 포함할 수 있다. 또한, 스위칭 트랜지스터(SW1)의 타단에 일단이 연결되고 구동 트랜지스터(T1)의 게이트에 타단이 연결된 제1커패시터(Cp)를 포함할 수 있다. 또한, 구동 트랜지스터(T1)의 게이트와 타단 사이에 연결된 제2커패시터(Cst)를 포함할 수 있다. 또한, 구동 트랜지스터(T1)의 타단에 제1전극이 연결되고 제2전원배선(GND)에 제2전극이 연결된 유기 발광다이오드(D)를 포함할 수 있다. 또한, 제4신호배선(RST)에 게이트가 연결되고 유기 발광다이오드(D)의 제1전극과 제2전극에 일단과 타단이 연결된 제3서브 트랜지스터(ST3)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 6, the subpixel according to the second embodiment of the present invention may include a switching transistor SW1 having a gate connected to the first signal line SCAN and one end connected to the data line DATA. In addition, the first sub-transistor ST1 may include a gate connected to the second signal line EM and one end connected to the first power line VDD. In addition, a gate may be connected to the third signal line SE, and a second sub transistor ST2 having one end connected to the other end of the first sub transistor ST1 may be included. In addition, a gate may be connected to the other end of the second sub transistor ST2 and the driving transistor T1 may be connected to the other end of the first sub transistor ST1. In addition, a first capacitor Cp having one end connected to the other end of the switching transistor SW1 and the other end connected to the gate of the driving transistor T1 may be included. In addition, a second capacitor Cst connected between the gate and the other end of the driving transistor T1 may be included. The organic light emitting diode D may include an organic light emitting diode D connected to the other end of the driving transistor T1 and a second electrode connected to the second power line GND. In addition, the third sub-transistor ST3 may include a gate connected to the fourth signal line RST and one end and the other end connected to the first electrode and the second electrode of the organic light emitting diode D. FIG.

여기서, 서브 픽셀에 포함된 트랜지스터들(SW1, T1, ST1, ST2, ST3)은, a-Si:H을 백플레인(backplane)으로 사용하는 N-형 트랜지스터일 수 있다.Here, the transistors SW1, T1, ST1, ST2, and ST3 included in the subpixel may be N-type transistors using a-Si: H as a backplane.

여기서, 서브 픽셀은 기판 방향이 아닌 기판을 봉지하는 봉지 기판 방향으로 발광하는 상면 발광(Top Emission)형일 수 있다.Here, the subpixel may be a top emission type emitting light toward the encapsulation substrate that encapsulates the substrate rather than the substrate direction.

한편, 서브 픽셀의 데이터 배선(DATA)에 연결된 데이터 구동부는, 데이터 신호를 공급하기 전에 구동 트랜지스터(T1)의 게이트에 음의 전압을 공급할 수 있다. 음의 전압은 접지전압 레벨 이하의 전압 중에서 선택될 수 있다.The data driver connected to the data line DATA of the subpixel may supply a negative voltage to the gate of the driving transistor T1 before supplying the data signal. The negative voltage may be selected from voltages below the ground voltage level.

이와 같이 데이터 신호를 공급하기 전에 음의 전압을 공급하면, 구동 트랜지스터(T1)의 게이트에 트랩 차지(Trapped charge)가 쌓이는 문제를 해결할 수 있다. 이에 따라, 시간이 지남에 따라 구동 트랜지스터(T1)의 문턱전압(Vth)이 증가하고 전류의 흐름이 감소하는 문제를 방지할 수 있게 된다.As such, when a negative voltage is supplied before the data signal is supplied, trapped charges may accumulate in the gate of the driving transistor T1. Accordingly, it is possible to prevent the problem that the threshold voltage Vth of the driving transistor T1 increases and the flow of current decreases with time.

구동 트랜지스터(T1)의 게이트에 음의 전압이 공급되고 나면, 제1서브 트랜지스터(ST1)와 제2서브 트랜지스터(ST2)가 구동함에 따라, 제1전원배선(VDD)으로부터 공급되는 전원레벨이 구동 트랜지스터(T1)의 게이트에 충전되고 충전된 전원레벨이 방전되면서 구동 트랜지스터의 문턱전압(Vth)이 설정될 수 있다.After the negative voltage is supplied to the gate of the driving transistor T1, as the first sub transistor ST1 and the second sub transistor ST2 are driven, the power level supplied from the first power wiring VDD is driven. As the power level charged and charged in the gate of the transistor T1 is discharged, the threshold voltage Vth of the driving transistor may be set.

구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전압은, 구동 트랜지스터(T1)의 게이트와 타단에 연결된 제2커패시터(Cst)에 의해 구동 트랜지스터(T1)의 타단의 전위가 변하는 만큼 변할 수 있다. 그리고 구동 트랜지스터(T1)의 타단은 제3서브 트랜지스터(ST3)가 단락됨에 따라, 제2전원배선(GND)으로부터 공급되는 접지레벨로 초기화될 수 있다. 설명을 덧붙이면, 접지레벨로 초기화되는 구간은 유기 발광다이오드(D)가 발광하기 전까지 유지될 수 있다.The gate voltage of the driving transistor T1 may vary as the potential of the other end of the driving transistor T1 is changed by the second capacitor Cst connected to the gate and the other end of the driving transistor T1. The other end of the driving transistor T1 may be initialized to the ground level supplied from the second power supply line GND as the third sub transistor ST3 is shorted. In addition, the section initialized to the ground level may be maintained until the organic light emitting diode D emits light.

즉, 제2커패시터(Cst)는 구동 트랜지스터(T1)의 소오스 단의 전위를 구동 트랜지스터(T1)의 게이트에 피드백하게 된다. 이에 따라, 구동 트랜지스터(T1)의 게이트와 소오스 간의 전압인 Vgs가 일정하게 되어 소오스 전압 변화로 인한 휘도 저하 및 서브 픽셀 간의 불균일 특성을 개선할 수 있다.That is, the second capacitor Cst feeds back the potential of the source terminal of the driving transistor T1 to the gate of the driving transistor T1. Accordingly, the voltage Vgs, which is a voltage between the gate and the source of the driving transistor T1, is constant, thereby improving luminance deterioration and non-uniformity between the subpixels due to the source voltage change.

앞서 설명한 바와 같은 회로 구성을 갖는 서브 픽셀이 포함된 유기전계발광표시장치는 다음과 같은 구동방법을 이용할 수 있다. 단, 설명의 이해를 돕기 위해 도 6을 함께 참조한다.The organic light emitting display device including the subpixel having the circuit configuration as described above may use the following driving method. However, reference is also made to FIG. 6 to help understand the description.

도 7은 서브 픽셀의 구동 파형 예시도 이고, 도 8은 서브 픽셀 전체의 구동 파형 예시도 이다.7 is a diagram illustrating driving waveforms of a subpixel, and FIG. 8 is a diagram illustrating driving waveforms of an entire subpixel.

도 7을 참조하면, 표시부에 배치된 모든 서브 픽셀들의 스위칭 트랜지스터(SW1), 제1서브 트랜지스터(ST1) 및 제3서브 트랜지스터(ST3)를 턴온하고 구동 트랜지스터(T1)의 게이트에 음의 전압을 공급하는 준비 단계(Preparation)를 실시한다.Referring to FIG. 7, the switching transistor SW1, the first sub transistor ST1, and the third sub transistor ST3 of all the subpixels disposed in the display unit are turned on and a negative voltage is applied to the gate of the driving transistor T1. Carry out a preparation step of supplying.

준비 단계(Preparation)를 실시하기 위해, 제1신호배선(SCAN), 제2신호배선(EM) 및 제4신호배선(RST)에 제1신호(Scan[n]), 제2신호(Em) 및 제4신호(Rst)를 공급하여 스위칭 트랜지스터(SW1), 제1서브 트랜지스터(ST1) 및 제3서브 트랜지스터(ST3)를 구동할 수 있다. 이때, 데이터 구동부는 데이터 배선(DATA)을 통해 리후레시 전압(VREFRESH)으로 음의 전압을 선택하여 구동 트랜지스터(T1)의 게이트에 공급할 수 있다.In order to perform the preparation step, the first signal Scan [n] and the second signal Em are applied to the first signal wiring SCAN, the second signal wiring EM, and the fourth signal wiring RST. And a fourth signal Rst to drive the switching transistor SW1, the first sub transistor ST1, and the third sub transistor ST3. In this case, the data driver may select a negative voltage as the refresh voltage V REFRESH through the data line DATA and supply the negative voltage to the gate of the driving transistor T1.

이와 같이 데이터 신호를 공급하기 전에 음의 전압을 공급하면, 구동 트랜지스터(T1)의 게이트에 트랩 차지(Trapped charge)가 쌓이는 문제를 해결할 수 있다. 이에 따라, 시간이 지남에 따라 구동 트랜지스터(T1)의 문턱전압(Vth)이 증가하고 전류의 흐름이 감소하는 문제를 방지할 수 있게 된다.As such, when a negative voltage is supplied before the data signal is supplied, trapped charges may accumulate in the gate of the driving transistor T1. Accordingly, it is possible to prevent the problem that the threshold voltage Vth of the driving transistor T1 increases and the flow of current decreases with time.

그리고 음의 전압을 공급함과 아울러, 유기 발광다이오드(D)의 열화를 방지하기 위해 제3서브 트랜지스터(ST3)를 구동하여 유기 발광다이오드(D)의 양단의 전하를 초기화할 수 있다. 이때, 제3서브 트랜지스터(ST3)는 유기 발광다이오드(D)가 발광하기 전까지 유지할 수 있다.In addition, in order to supply a negative voltage and to prevent deterioration of the organic light emitting diode D, the third sub transistor ST3 may be driven to initialize charges at both ends of the organic light emitting diode D. In this case, the third sub transistor ST3 may be maintained until the organic light emitting diode D emits light.

준비 단계(Preparation)에서 구동 트랜지스터(T1)의 게이트에 공급되는 음의 전압은 접지전압 레벨 이하의 전압에서 임의 선택할 수 있다.The negative voltage supplied to the gate of the driving transistor T1 in the preparation step may be arbitrarily selected from a voltage below the ground voltage level.

다음, 서브 픽셀들의 구동 트랜지스터(T1)의 게이트에 문턱전압을 설정하는 프로그램 단계(Program VTH)를 실시한다.Next, a program step (Program V TH ) for setting a threshold voltage at the gates of the driving transistors T1 of the subpixels is performed.

프로그램 단계(Program VTH)를 실시하기 위해, 제1신호배선(SCAN)으로 공급되는 제1신호(Scan[n])를 차단하여 스위칭 트랜지스터(SW1)를 턴 오프하고 제2 및 제3신호배선(EM, SE)에 제2 및 제3신호(Em, Se)를 공급하여 제1서브 트랜지스터(ST1)와 제2서브 트랜지스터(ST2)를 턴온할 수 있다.In order to perform the program step Program V TH , the first transistor Scan [n] supplied to the first signal line SCAN is cut off to turn off the switching transistor SW1 and the second and third signal lines The first sub transistor ST1 and the second sub transistor ST2 may be turned on by supplying the second and third signals Em and Se to the EM and SE.

여기서, 구동 트랜지스터(T1)의 게이트가 전원레벨(VDD)로 충전되면 제2신호배선(EM)으로부터 공급되는 제2신호(Em)를 차단하여 제1서브 트랜지스터(ST1)를 턴오프할 수 있다.When the gate of the driving transistor T1 is charged to the power supply level V DD , the first sub transistor ST1 may be turned off by blocking the second signal Em supplied from the second signal line EM. have.

이와 같은 동작에 따라, 서브 픽셀에 연결된 제1전원배선(VDD)으로부터 공급되는 전원레벨(VDD)로 구동 트랜지스터(T1)의 게이트가 충전되고 충전된 전원레벨(VDD)이 구동 트랜지스터(T1)를 통해 방전되면서 구동 트랜지스터(T1)의 문턱전압이 설정될 수 있다.In accordance with the same operation, the sub-pixel first power supply wiring (VDD) power supply level (V DD) and the gate of the drive transistor (T1) is filled with a charged power level (V DD) is the driver transistor that is supplied from the connected to the (T1 The threshold voltage of the driving transistor T1 may be set while discharging through the.

보충설명을 하면, 구동 트랜지스터(T1)를 통해 Vgate 전압은 방전이 이루어져 Vth(구동 트랜지스터의 문턱전압) + Vo(유기 발광다이오드의 문턱전압)로 유지되고, Vsource 전압은 Vo로 유지될 수 있다. 여기서, Vsource 전압은 제3서브 트랜 지스터(ST3)에 의해 접지레벨(GND)로 유지될 수 있다. 즉 Vo = GND가 성립될 수 있다.As a supplementary description, the Vgate voltage is discharged through the driving transistor T1 to maintain Vth (threshold voltage of the driving transistor) + Vo (threshold voltage of the organic light emitting diode), and Vsource voltage may be maintained at Vo. Here, the Vsource voltage may be maintained at the ground level GND by the third sub transistor ST3. That is, Vo = GND can be established.

다음, 서브 픽셀들 중 하나의 서브 픽셀에 포함된 스위칭 트랜지스터(SW1)를 턴온하고 서브 픽셀에 포함된 제1커패시터(Cp)에 데이터 신호를 공급하는 쓰기 단계(Write Data)를 실시한다.Next, a write step of turning on the switching transistor SW1 included in one of the subpixels and supplying a data signal to the first capacitor Cp included in the subpixel is performed.

쓰기 단계(Write Data)를 실시하기 위해, 제1신호배선(SCAN)에 제1신호(Scan[n])를 공급하여 하나의 서브 픽셀을 선택하고 선택된 서브 픽셀에 데이터 신호(Data)를 공급할 수 있다.In order to perform the write step, the first signal Scan [n] may be supplied to the first signal line SCAN to select one subpixel and to supply the data signal Data to the selected subpixel. have.

보충설명을 하면, Vgate 전압은 Vth(구동 트랜지스터의 문턱전압) + Vo(유기 발광다이오드의 문턱전압) + VDATA(데이터 전압)이 될 수 있다. 이 경우에도 Vsource 전압은 접지레벨(GND)로 유지될 수 있다.As a supplementary description, the Vgate voltage may be Vth (threshold voltage of the driving transistor) + Vo (threshold voltage of the organic light emitting diode) + V DATA (data voltage). In this case, the Vsource voltage may be maintained at the ground level GND.

다음, 서브 픽셀에 포함된 제1서브 트랜지스터(ST1)를 턴온하여 서브 픽셀에 포함된 유기 발광다이오드(D)를 발광시키는 발광 단계(Emission)를 실시한다.Next, an emission step of turning on the first sub transistor ST1 included in the subpixel to emit the organic light emitting diode D included in the subpixel is performed.

발광 단계(Emission)를 실시하기 위해, 제2신호배선(EM)에 제2신호(Em)를 공급하여 제1서브 트랜지스터(ST1)를 턴온하면, 제1전원배선(VDD)으로부터 전류(IOLED)를 공급받은 유기 발광다이오드(D)는 발광할 수 있다. 이때, 구동 트랜지스터(T1)는 제1커패시터(Cp)에 저장된 데이터 전압에 대응하여 구동할 수 있다. 이에 따라, 유기 발광다이오드(D)는 데이터 전압에 해당하는 계조 만큼 발광할 수 있다.In order to perform the light emission step, when the first sub transistor ST1 is turned on by supplying the second signal Em to the second signal line EM, the current I OLED from the first power line VDD is turned on. The organic light emitting diode D may receive light. In this case, the driving transistor T1 may drive in response to the data voltage stored in the first capacitor Cp. Accordingly, the organic light emitting diode D may emit light by a gray level corresponding to the data voltage.

유기 발광다이오드(D) 발광시의 전류를 수식으로 표현하면 수학식 3과 같이 표현할 수 있다.When the current at the time of emitting the organic light emitting diode D is expressed by a formula, it may be expressed as in Equation 3.

Figure 112007079245468-pat00003
Figure 112007079245468-pat00003

여기서, Vsource는 유기 발광다이오드(D)가 발광하지 않는 단계에서는 유기 발광다이오드의 문턱전압인 Vo 전위를 나타내지만, 발광 단계(Emission)에서는 유기 발광다이오드(D)의 전류량에 비례하는 전압만큼 증가되는 Vo + VOLED 를 나타낼 수 있다. 이 결과, 발광시 유기 발광다이오드(D)에 흐르는 전류를 수식으로 표현하면 수학식 4와 같이 표현할 수 있다.Here, Vsource represents Vo potential, which is the threshold voltage of the organic light emitting diode in the stage in which the organic light emitting diode D does not emit light, but increases in proportion to the current amount of the organic light emitting diode D in the light emitting stage. Vo + V OLED can be represented. As a result, when the current flowing through the organic light emitting diode D during light emission is expressed by a formula, it can be expressed as Equation 4.

Figure 112007079245468-pat00004
Figure 112007079245468-pat00004

한편, 발광 단계(Emission)에서 Vsource 전압이 유기 발광다이오드(D)의 전류량에 비례하는 전압만큼 증가하여 Vo(유기 발광다이오드의 문턱전압) + ΔVOLED (유기 발광다이오드를 통해 흐르는 전압)가 되면, 피드백 역할을 하는 제2커패시터(Cst)를 통해 변화된 소오스 전압만큼 Vgate 전압도 변하게 되므로 구동 트랜지스터(T1)의 Vgs 전압은 일정하게 유지될 수 있다.On the other hand, in the emission step, the V source voltage increases by a voltage proportional to the amount of current of the organic light emitting diode D, thereby causing Vo (threshold voltage of the organic light emitting diode) + ΔV OLED. When the voltage flows through the organic light emitting diode, since the Vgate voltage is changed by the source voltage changed through the second capacitor Cst serving as a feedback, the Vgs voltage of the driving transistor T1 may be kept constant.

이상의 구동 파형을 참조하면, 도 8과 같이 서브 픽셀 전체를 구동할 수 있는 구동 파형을 예시적으로 나타낼 수 있다.Referring to the above-described driving waveform, a driving waveform capable of driving the entire subpixel as shown in FIG. 8 may be exemplarily illustrated.

도 8을 참조하면, 모든 서브 픽셀은 준비 단계(Preparation), 프로그램 단계(Program VTH), 쓰기 단계(Write Data), 발광 단계(Emission)를 실시하기 위해 각각 제2, 제3 및 제4신호(Em, Se, Rst)를 공급받을 수 있다.8, all the sub-pixels is the preparation phase (Preparation), program step (Program V TH), writing phase (Write Data), respectively, to conduct the light emitting step (Emission) second, third and fourth signal (Em, Se, Rst) can be supplied.

이때, 모든 서브 픽셀은 순차적으로 공급되는 제1신호(Scan[1]..Scan[n])에 따라 선택되어 각각의 데이터 신호(Data[1:m])를 공급받을 수 있고, 앞서 설명한 바와 같은 구동방법에 의해 구동될 수 있다.In this case, all the subpixels may be selected according to the sequentially supplied first signals Scan [1] .. Scan [n] to receive respective data signals Data [1: m]. It can be driven by the same driving method.

이상 본 발명의 제1 및 제2실시예는 유기 발광다이오드의 특성 변화에 기인하여 서브 픽셀 간의 휘도 불균일 현상을 개선할 수 있는 유기전계발광표시장치 및 이의 구동방법을 제공하는 효과가 있다. 또한, 저 전압의 데이터 신호 공급이 가능하여 저 전압 구동을 지원할 수 있는 효과가 있다.As described above, the first and second embodiments of the present invention have an effect of providing an organic light emitting display device and a method of driving the same, which can improve luminance unevenness between subpixels due to a change in characteristics of the organic light emitting diode. In addition, the low voltage data signal can be supplied to support low voltage driving.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모 든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, It will be understood that the invention may be practiced. Therefore, the embodiments described above are to be understood as illustrative and not restrictive in all aspects. In addition, the scope of the present invention is indicated by the following claims rather than the detailed description. Also, all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and equivalents thereof should be construed as being included within the scope of the present invention.

도 1은 유기전계발광표시장치의 개략적인 평면도.1 is a schematic plan view of an organic light emitting display device.

도 2a는 도 1에 도시된 서브 픽셀의 단면 예시도.FIG. 2A is an exemplary cross-sectional view of the subpixel shown in FIG. 1; FIG.

도 2b는 도 1에 도시된 서브 픽셀의 다른 단면 예시도.FIG. 2B is another cross-sectional exemplary view of the subpixel shown in FIG. 1; FIG.

도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 서브 픽셀의 회로 구성도.3 is a circuit diagram of a subpixel according to a first embodiment of the present invention;

도 4는 서브 픽셀의 구동 파형 예시도.4 is an exemplary driving waveform diagram of a subpixel;

도 5는 서브 픽셀 전체의 구동 파형 예시도.5 is an exemplary driving waveform diagram of an entire subpixel.

도 6은 본 발명의 제2실시예에 따른 서브 픽셀의 회로 구성도.6 is a circuit diagram of a subpixel according to a second embodiment of the present invention;

도 7은 서브 픽셀의 구동 파형 예시도.7 is an exemplary driving waveform diagram of a subpixel.

도 8은 서브 픽셀 전체의 구동 파형 예시도.8 is an exemplary driving waveform diagram of an entire subpixel.

<도면의 주요 부분에 관한 부호의 설명>DESCRIPTION OF THE REFERENCE NUMERALS

SCAN: 제1신호배선 EM: 제2신호배선SCAN: first signal wiring EM: second signal wiring

SE: 제3신호배선 RST: 제4신호배선SE: third signal wiring RST: fourth signal wiring

SW1: 스위칭 트랜지스터 T1: 구동 트랜지스터SW1: switching transistor T1: driving transistor

ST1: 제1서브 트랜지스터 ST2: 제2서브 트랜지스터ST1: first sub transistor ST2: second sub transistor

ST3: 제3서브 트랜지스터 Cp: 제1커패시터ST3: third sub transistor Cp: first capacitor

Cst: 제2커패시터 D: 유기 발광다이오드Cst: second capacitor D: organic light emitting diode

VDD: 제1전원배선 GND: 제2전원배선VDD: first power wiring GND: second power wiring

Claims (14)

제1신호에 응답하여 구동하는 스위칭 트랜지스터와, 상기 스위칭 트랜지스터가 구동함에 따라 데이터 신호를 공급받아 상기 데이터 신호를 데이터 전압으로 저장하는 제1커패시터와, 상기 제1커패시터에 저장된 상기 데이터 전압에 대응하여 구동하는 구동 트랜지스터와, 상기 구동 트랜지스터가 구동함에 따라 전원을 공급받아 발광하는 유기 발광다이오드와, 제2신호에 응답하여 상기 유기 발광다이오드에 전원을 공급하도록 구동하는 제1서브 트랜지스터와, 제3신호에 응답하여 상기 구동 트랜지스터의 게이트와 일단을 단락하도록 구동하는 제2서브 트랜지스터와, 상기 유기 발광다이오드의 제1전극의 전압을 상기 구동 트랜지스터의 게이트로 피드백하는 제2커패시터를 포함하는 서브 픽셀이 다수 배치된 표시부;A switching transistor for driving in response to a first signal, a first capacitor receiving a data signal as the switching transistor is driven and storing the data signal as a data voltage, and corresponding to the data voltage stored in the first capacitor A driving transistor to drive, an organic light emitting diode which receives power as the driving transistor drives, emits light, a first sub transistor which drives to supply power to the organic light emitting diode in response to a second signal, and a third signal And a plurality of subpixels including a second sub transistor configured to drive the gate and one end of the driving transistor in response to a short circuit, and a second capacitor feeding back a voltage of the first electrode of the organic light emitting diode to the gate of the driving transistor. A display unit disposed; 상기 제1신호, 상기 제2신호, 상기 제3신호를 공급하는 스캔 구동부; 및A scan driver configured to supply the first signal, the second signal, and the third signal; And 상기 데이터 신호를 공급하는 데이터 구동부를 포함하되,And a data driver for supplying the data signal, 상기 데이터 구동부는 상기 데이터 신호를 공급하기 전에 상기 구동 트랜지스터의 게이트에 음의 전압을 공급하는 유기전계발광표시장치.And the data driver supplies a negative voltage to a gate of the driving transistor before supplying the data signal. 제1신호에 응답하여 구동하는 스위칭 트랜지스터와, 상기 스위칭 트랜지스터가 구동함에 따라 데이터 신호를 공급받아 상기 데이터 신호를 데이터 전압으로 저장하는 제1커패시터와, 상기 제1커패시터에 저장된 상기 데이터 전압에 대응하여 구동하는 구동 트랜지스터와, 상기 구동 트랜지스터가 구동함에 따라 전원을 공급받아 발광하는 유기 발광다이오드와, 제2신호에 응답하여 상기 유기 발광다이오드에 전원을 공급하도록 구동하는 제1서브 트랜지스터와, 제3신호에 응답하여 상기 구동 트랜지스터의 게이트와 일단을 단락하도록 구동하는 제2서브 트랜지스터와, 제4신호에 응답하여 상기 유기 발광다이오드의 제1전극과 제2전극을 단락하도록 구동하는 제3서브 트랜지스터와, 상기 유기 발광다이오드의 제1전극의 전압을 상기 구동 트랜지스터의 게이트로 피드백하는 제2커패시터를 포함하는 서브 픽셀이 다수 배치된 표시부;A switching transistor for driving in response to a first signal, a first capacitor receiving a data signal as the switching transistor is driven and storing the data signal as a data voltage, and corresponding to the data voltage stored in the first capacitor A driving transistor to drive, an organic light emitting diode which receives power as the driving transistor drives, emits light, a first sub transistor which drives to supply power to the organic light emitting diode in response to a second signal, and a third signal A second sub transistor configured to short-circuit the gate and one end of the driving transistor in response to the third sub transistor; a third sub transistor configured to drive the first electrode and the second electrode of the organic light emitting diode in response to a fourth signal; The voltage of the first electrode of the organic light emitting diode is The display sub-pixel arrangement including a number of the second feedback capacitor to a Trojan; 상기 제1신호, 상기 제2신호, 상기 제3신호, 상기 제4신호를 공급하는 스캔 구동부; 및A scan driver configured to supply the first signal, the second signal, the third signal, and the fourth signal; And 상기 데이터 신호를 공급하는 데이터 구동부를 포함하되,And a data driver for supplying the data signal, 상기 데이터 구동부는 상기 데이터 신호를 공급하기 전에 상기 구동 트랜지스터의 게이트에 음의 전압을 공급하는 유기전계발광표시장치.And the data driver supplies a negative voltage to a gate of the driving transistor before supplying the data signal. 삭제delete 제1항 또는 제2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 구동 트랜지스터의 게이트에 음의 전압이 공급되고 나면,After a negative voltage is supplied to the gate of the driving transistor, 상기 제1서브 트랜지스터와 상기 제2서브 트랜지스터가 구동함에 따라,As the first sub transistor and the second sub transistor are driven, 제1전원배선으로부터 공급되는 전원레벨이 상기 구동 트랜지스터의 게 이트에 충전되고 충전된 상기 전원레벨이 방전되면서 상기 구동 트랜지스터의 문턱전압이 설정되는 유기전계발광표시장치.And a threshold voltage of the driving transistor is set while the power level supplied from the first power line is charged in the gate of the driving transistor and the charged power level is discharged. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 서브 픽셀은,The sub- 제1신호배선에 게이트가 연결되고 데이터 배선에 일단이 연결된 상기 스위칭 트랜지스터와, 제2신호배선에 게이트가 연결되고 제1전원배선에 일단이 연결된 상기 제1서브 트랜지스터와, 제3신호배선에 게이트가 연결되고 상기 제1서브 트랜지스터의 타단에 일단이 연결된 상기 제2서브 트랜지스터와, 상기 제2서브 트랜지스터의 타단에 게이트가 연결되고 상기 제1서브 트랜지스터의 타단에 일단이 연결된 상기 구동 트랜지스터와, 상기 스위칭 트랜지스터의 타단에 일단이 연결되고 상기 구동 트랜지스터의 게이트에 타단이 연결된 상기 제1커패시터와, 상기 구동 트랜지스터의 게이트와 타단 사이에 연결된 상기 제2커패시터와, 상기 구동 트랜지스터의 타단에 제1전극이 연결되고 제2전원배선에 제2전극이 연결된 상기 유기 발광다이오드를 포함하는 유기전계발광표시장치.The switching transistor having a gate connected to a first signal line and having one end connected to a data line, the first sub transistor having a gate connected to a second signal line and connected to a first power line and a gate connected to a third signal line; A second sub transistor connected to one end connected to the other end of the first sub transistor, a gate connected to the other end of the second sub transistor, and one end connected to the other end of the first sub transistor; The first capacitor having one end connected to the other end of the switching transistor and the other end connected to the gate of the driving transistor, the second capacitor connected between the gate and the other end of the driving transistor, and a first electrode at the other end of the driving transistor. And the organic light emitting diode connected to the second power line and connected to the second electrode. Mechanism developed optical display device. 제2항에 있어서,3. The method of claim 2, 상기 서브 픽셀은,The sub- 제1신호배선에 게이트가 연결되고 데이터 배선에 일단이 연결된 상기 스위칭 트랜지스터와, 제2신호배선에 게이트가 연결되고 제1전원배선에 일단이 연결된 상 기 제1서브 트랜지스터와, 제3신호배선에 게이트가 연결되고 상기 제1서브 트랜지스터의 타단에 일단이 연결된 상기 제2서브 트랜지스터와, 상기 제2서브 트랜지스터의 타단에 게이트가 연결되고 상기 제1서브 트랜지스터의 타단에 일단이 연결된 상기 구동 트랜지스터와, 상기 스위칭 트랜지스터의 타단에 일단이 연결되고 상기 구동 트랜지스터의 게이트에 타단이 연결된 상기 제1커패시터와, 상기 구동 트랜지스터의 게이트와 타단 사이에 연결된 상기 제2커패시터와, 상기 구동 트랜지스터의 타단에 제1전극이 연결되고 제2전원배선에 제2전극이 연결된 상기 유기 발광다이오드와, 제4신호배선에 게이트가 연결되고 상기 유기 발광다이오드의 제1전극과 제2전극에 일단과 타단이 연결된 상기 제3서브 트랜지스터를 포함하는 유기전계발광표시장치.The switching transistor having a gate connected to the first signal line and having one end connected to the data line, the first sub transistor connected to a gate connected to the second signal line and one end connected to the first power line, and a third signal line. A second sub transistor having a gate connected to one end of which is connected to the other end of the first sub transistor, a driving transistor having a gate connected to the other end of the second sub transistor and having one end connected to the other end of the first sub transistor; The first capacitor having one end connected to the other end of the switching transistor and the other end connected to the gate of the driving transistor, the second capacitor connected between the gate and the other end of the driving transistor, and a first electrode at the other end of the driving transistor. A fourth signal connected to the organic light emitting diode connected to the second electrode connected to the second power line The gate is connected to the line, and an organic light emitting display device including the third sub-transistor one end and the other end connected to the first electrode and the second electrode of the organic light emitting diode. 제5항 또는 제6항에 있어서,The method according to claim 5 or 6, 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전압은,The gate voltage of the driving transistor is 상기 구동 트랜지스터의 게이트와 타단에 연결된 상기 제2커패시터에 의해 상기 구동 트랜지스터의 타단의 전위가 변하는 만큼 변하게 되는 유기전계발광표시장치.And a second capacitor connected to the gate and the other end of the driving transistor so as to change the potential of the other end of the driving transistor. 제6항에 있어서,The method according to claim 6, 상기 구동 트랜지스터의 타단은,The other end of the driving transistor, 상기 제3서브 트랜지스터가 단락됨에 따라,As the third sub transistor is shorted, 상기 제2전원배선으로부터 공급되는 접지레벨로 초기화되는 유기전계발광표시장치.And an organic light emitting display device initialized to a ground level supplied from the second power line. 제1항 또는 제2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 서브 픽셀에 포함된 트랜지스터들은,The transistors included in the sub- a-Si 트랜지스터인 유기전계발광표시장치.An organic light emitting display device which is an a-Si transistor. 제1신호에 응답하여 구동하는 스위칭 트랜지스터와, 상기 스위칭 트랜지스터가 구동함에 따라 데이터 신호를 공급받아 상기 데이터 신호를 데이터 전압으로 저장하는 제1커패시터와, 상기 제1커패시터에 저장된 상기 데이터 전압에 대응하여 구동하는 구동 트랜지스터와, 상기 구동 트랜지스터가 구동함에 따라 전원을 공급받아 발광하는 유기 발광다이오드와, 제2신호에 응답하여 상기 유기 발광다이오드에 전원을 공급하도록 구동하는 제1서브 트랜지스터와, 제3신호에 응답하여 상기 구동 트랜지스터의 게이트와 일단을 단락하도록 구동하는 제2서브 트랜지스터와, 상기 유기 발광다이오드의 제1전극의 전압을 상기 구동 트랜지스터의 게이트로 피드백하는 제2커패시터를 포함하는 서브 픽셀이 다수 배치된 표시부를 포함하는 유기전계발광표시장치의 구동방법에 있어서,A switching transistor for driving in response to a first signal, a first capacitor receiving a data signal as the switching transistor is driven and storing the data signal as a data voltage, and corresponding to the data voltage stored in the first capacitor A driving transistor to drive, an organic light emitting diode which receives power as the driving transistor drives, emits light, a first sub transistor which drives to supply power to the organic light emitting diode in response to a second signal, and a third signal And a plurality of subpixels including a second sub transistor configured to drive the gate and one end of the driving transistor in response to a short circuit, and a second capacitor feeding back a voltage of the first electrode of the organic light emitting diode to the gate of the driving transistor. Organic light emitting display device including display unit disposed In the driving method of, 상기 표시부에 배치된 모든 서브 픽셀들의 스위칭 트랜지스터와 제1서브 트랜지스터를 턴온하고 구동 트랜지스터의 게이트에 음의 전압을 공급하는 준비 단계;A preparatory step of turning on switching transistors and first sub transistors of all the subpixels arranged in the display unit and supplying a negative voltage to a gate of a driving transistor; 상기 서브 픽셀들의 구동 트랜지스터의 게이트에 문턱전압을 설정하는 프로그램 단계;A program step of setting a threshold voltage at a gate of a driving transistor of the subpixels; 상기 서브 픽셀들 중 하나의 서브 픽셀에 포함된 스위칭 트랜지스터를 턴온하고 상기 서브 픽셀에 포함된 제1커패시터에 데이터 신호를 공급하는 쓰기 단계; 및A write step of turning on a switching transistor included in one subpixel of the subpixels and supplying a data signal to a first capacitor included in the subpixel; And 상기 서브 픽셀에 포함된 제1서브 트랜지스터를 턴온하여 상기 서브 픽셀에 포함된 유기 발광다이오드를 발광시키는 발광 단계를 포함하는 유기전계발광표시장치의 구동방법.And turning on a first sub-transistor included in the sub-pixel to emit light of the organic light-emitting diode included in the sub-pixel. 제10항에 있어서,11. The method of claim 10, 상기 프로그램 단계에서,In the program step, 상기 구동 트랜지스터의 문턱전압은,The threshold voltage of the driving transistor is 상기 스위칭 트랜지스터를 턴 오프하고 상기 제1서브 트랜지스터와 상기 제2서브 트랜지스터를 턴온하여 상기 서브 픽셀에 연결된 제1전원배선으로부터 공급되는 전원레벨로 상기 구동 트랜지스터의 게이트가 충전되고 충전된 상기 전원레벨이 방전되면서 설정되는 유기전계발광표시장치의 구동방법.The power level is charged and the gate of the driving transistor is charged to a power level supplied from a first power wiring connected to the subpixel by turning off the switching transistor and turning on the first sub transistor and the second sub transistor. A method of driving an organic light emitting display device which is set while being discharged. 제10항에 있어서,11. The method of claim 10, 상기 유기 발광다이오드의 제1전극과 제2전극을 단락하는 제3서브 트랜지스터가 포함된 경우,When a third sub transistor is disposed to short the first electrode and the second electrode of the organic light emitting diode, 상기 제3서브 트랜지스터는, 상기 준비 단계부터 상기 쓰기 단계까지 턴온 상태를 유지하고 상기 발광 단계에서 턴 오프되는 유기전계발광표시장치의 구동방법.And the third sub transistor maintains a turn-on state from the preparation step to the writing step and is turned off in the light emitting step. 제11항 또는 제12항에 있어서,13. The method according to claim 11 or 12, 상기 제1서브 트랜지스터는,The first sub transistor, 상기 구동 트랜지스터의 게이트가 상기 전원레벨로 충전되면 턴오프되는 유기전계발광표시장치의 구동방법.And driving off the gate of the driving transistor when the gate is charged to the power level. 제10항에 있어서,11. The method of claim 10, 상기 서브 픽셀은,The sub- 상기 유기 발광다이오드의 제1전극의 전압을 상기 구동 트랜지스터의 게이트로 피드백하는 제2커패시터를 포함하는 유기전계발광표시장치의 구동방법.And a second capacitor feeding back a voltage of the first electrode of the organic light emitting diode to a gate of the driving transistor.
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