KR101356374B1 - 양도전성 다이아몬드 소결체 및 그 제조 방법 - Google Patents

양도전성 다이아몬드 소결체 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101356374B1
KR101356374B1 KR1020097010921A KR20097010921A KR101356374B1 KR 101356374 B1 KR101356374 B1 KR 101356374B1 KR 1020097010921 A KR1020097010921 A KR 1020097010921A KR 20097010921 A KR20097010921 A KR 20097010921A KR 101356374 B1 KR101356374 B1 KR 101356374B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
diamond
powder
boron
sintered body
high temperature
Prior art date
Application number
KR1020097010921A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20090082260A (ko
Inventor
이쯔로 다지마
아흐마디 에코 와루도요
오사무 후꾸나가
Original Assignee
미츠비시 마테리알 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2007261682A external-priority patent/JP5376273B2/ja
Priority claimed from JP2007261683A external-priority patent/JP5376274B2/ja
Application filed by 미츠비시 마테리알 가부시키가이샤 filed Critical 미츠비시 마테리알 가부시키가이샤
Publication of KR20090082260A publication Critical patent/KR20090082260A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101356374B1 publication Critical patent/KR101356374B1/ko

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/52Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbon, e.g. graphite
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/63Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B using additives specially adapted for forming the products, e.g.. binder binders
    • C04B35/6303Inorganic additives
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/64Burning or sintering processes
    • C04B35/645Pressure sintering
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3205Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
    • C04B2235/3206Magnesium oxides or oxide-forming salts thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3205Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
    • C04B2235/3208Calcium oxide or oxide-forming salts thereof, e.g. lime
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3205Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
    • C04B2235/3213Strontium oxides or oxide-forming salts thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3205Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
    • C04B2235/3215Barium oxides or oxide-forming salts thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/42Non metallic elements added as constituents or additives, e.g. sulfur, phosphor, selenium or tellurium
    • C04B2235/421Boron
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/42Non metallic elements added as constituents or additives, e.g. sulfur, phosphor, selenium or tellurium
    • C04B2235/422Carbon
    • C04B2235/427Diamond
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/44Metal salt constituents or additives chosen for the nature of the anions, e.g. hydrides or acetylacetonate
    • C04B2235/442Carbonates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/50Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
    • C04B2235/54Particle size related information
    • C04B2235/5418Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
    • C04B2235/5436Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof micrometer sized, i.e. from 1 to 100 micron
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/50Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
    • C04B2235/54Particle size related information
    • C04B2235/5418Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
    • C04B2235/5445Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof submicron sized, i.e. from 0,1 to 1 micron
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/656Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/656Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
    • C04B2235/6562Heating rate
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/656Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
    • C04B2235/6567Treatment time
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/66Specific sintering techniques, e.g. centrifugal sintering
    • C04B2235/661Multi-step sintering
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/80Phases present in the sintered or melt-cast ceramic products other than the main phase
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/80Phases present in the sintered or melt-cast ceramic products other than the main phase
    • C04B2235/85Intergranular or grain boundary phases
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/96Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/96Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
    • C04B2235/9607Thermal properties, e.g. thermal expansion coefficient
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/96Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
    • C04B2235/9669Resistance against chemicals, e.g. against molten glass or molten salts
    • C04B2235/9692Acid, alkali or halogen resistance

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

본 발명은, 양도전성을 갖는 동시에, 경도, 열전도성, 내열성, 화학 안정성 등에 대해서도 천연 다이아몬드에 필적하는 특성을 구비한 다이아몬드 소결체 및 그 제조 방법을 제공한다. 붕소 도프량이 1 내지 10wt%인 붕소 도프 다이아몬드 분말 90 내지 99.9wt%와, 결합상 성분으로서, Mg, Ca, Sr, Ba의 탄산염 및 이들의 2종 이상의 복합 탄산염 중 1종 또는 2종 이상으로 이루어지는 탄산염 분말 0.1 내지 10wt%가 원료 분말로 하고, 상기 원료 분말을 초고압 고온 하에서 소결하고, 결합상 성분을 용융시켜 붕소 도프 다이아몬드 분말 입자 간극에 용침 충전시킴으로써, 양도전성과 내열성을 갖는 붕소 도프 다이아몬드 소결체를 얻는다.
알칼리 토류 탄산염, 다이아몬드 소결체, 붕소 도프 다이아몬드, 초고압 고온 장치, 양도전성

Description

양도전성 다이아몬드 소결체 및 그 제조 방법{DIAMOND SINTER WITH SATISFACTORY ELECTRICAL CONDUCTIVITY AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME}
본 발명은, 양도전성을 갖는 다이아몬드 소결체를, 간이한 공정으로 효율적으로 제조하는 제조 방법에 관한 것이고, 또한 우수한 내열성을 갖는 붕소 도프 다이아몬드 소결체 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
종래부터, 다이아몬드는 경도, 열전도성, 내열성이 높고, 화학 안정성이 우수한 등의 이유로, 내마모 재료, 전자 디바이스 센서 재료, 바이오 관련 재료, 광학 관련 재료 등, 폭넓은 분야에 이용되고 있고, 그리고 다이아몬드의 제조법으로서는, 각종 CVD법에 의한 기상 합성법, 초고압 고온 장치를 사용한 합성법이 많이 이용되고 있다.
다이아몬드 자체가 비도전성인 것은 일반적으로 잘 알려져 있으나, 최근 다이아몬드에 붕소를 도프한 붕소 도프 다이아몬드가, 그 반도체적 특성의 점에서 주목을 받고 있고, 그리고 그 제조 방법으로서는, 예를 들어 다이아몬드를 합성할 때에, 반응 가스 중에 미량의 붕소 성분을 첨가하는 기상 합성법, 그라파이트 분말과 붕소 분말을 원료 분말로 하여, 이를 5 내지 10㎬ 또한 1300 내지 2000℃의 조건 하에서 합성하는 초고압 고온 합성법이 알려져 있다.
또한, 다이아몬드 자체가 갖는 경도, 내마모성 등의 특성에 착안하여 다이아몬드 소결체가 절삭 공구 재료 등으로서 사용되고 있으나, 통상, 다이아몬드 소결체는 초고압 고온 조건 하의 소결로 제조되고, 예를 들어 다이아몬드 분말과 Co 분말을 원료 분말로 하여 초고압 고온 장치 내에서 5.5㎬의 압력 하 1500℃의 조건으로 소결함으로써 다이아몬드-Co계 소결체를 얻는 방법, 다이아몬드 분말이 Ti, Zr, Cr 등의 분말로 이루어지는 원료 분말을, 초고압 고온 장치 내에서 6.5㎬ 이상으로 가압하여 1700 내지 1900℃의 조건으로 소결하고, 그 후 또한 2000℃ 이상의 온도로 가열함으로써, 다이아몬드 세라믹스계 소결체를 얻는 방법, 다이아몬드 분말과 탄산염 분말을 원료 분말로 하여, 초고압 고온 장치 내에서 6 내지 12㎬의 압력 하, 1700 내지 2500℃의 조건으로 소결함으로써, 다이아몬드-탄산염계 소결체를 얻는 방법 등이 알려져 있다.
특허 문헌 1 : 일본 특허 출원 공개 제2004-193522호 공보
특허 문헌 2 : 일본 특허 출원 공개 평4-312982호 공보
특허 문헌 3 : 일본 특허 출원 공표 제2006-502955호 공보
특허 문헌 4 : 일본 특허 출원 공개 평5-194031호 공보
특허 문헌 5 : 일본 특허 제2795738호 명세서
다이아몬드 소결체는 그 특성을 살려 폭넓은 분야에 이용되고 있으나, 예를 들어 상기 종래기술로 나타낸 다이아몬드-Co계 소결체에 있어서는, 결합상(結合相) 이 금속 Co로 구성되어 있으므로 도전성을 구비하고, 그로 인해 방전 가공 등에 의한 소결체의 가공이 가능하다는 이점은 있으나, 결합상이 금속 Co이므로 내열성이 낮다는 약점이 있었다. 또한, 상기 종래기술로 나타낸 다이아몬드-탄산염계 소결체에 있어서는, 그 내열성은 매우 우수하나, 도전성을 갖지 않으므로, 방전 가공을 행할 수 없어, 레이저 가공에 의해 가공해야만 하는 가공 상의 난점이 있었다.
이와 같이, 종래기술에 있어서는, 양도전성을 구비하는 동시에, 다이아몬드에 필적하는 그 밖의 특성(경도, 열전도성, 내열성, 화학 안정성 등)도 구비한 다이아몬드 소결체를 얻는 것은 매우 곤란하였으므로, 이것이 다이아몬드 소결체의 폭넓은 분야에의 응용을 방해하는 하나의 요인으로 되어 있었다.
그래서, 본 발명에서는, 양도전성을 갖는 동시에, 경도, 열전도성, 내열성, 화학 안정성 등에 대해서도 천연 다이아몬드에 필적하는 특성을 구비한 다이아몬드 소결체를 얻는 것, 및 상기 다이아몬드 소결체를 간이한 공정으로 효율적으로 제조하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은, 이러한 과제를 해결하기 위해, 다이아몬드 소결체를 제조할 때의 원료 분말 및 소결 방법에 대해 예의 연구를 행한 결과,
(a) 소결체를 얻기 위한 원료 분말로서, 다이아몬드에 미량의 붕소를 도프한 붕소 도프 다이아몬드 분말과, 소결체의 결합상을 형성하는 성분으로서, Mg, Ca, Sr, Ba의 탄산염 및 이들 2종 이상의 복합 탄산염 중 1종 또는 2종 이상의 탄산염(이하, 이들을 총칭하여,「알칼리 토류 탄산염」이라 함) 분말을 원료 분말로서 사용하여, 각 분말이 적층을 형성하는 상태, 혹은 각 분말이 혼합된 상태에서, 원료 분말을 초고압 고온 조건 하에서 소결하면, 알칼리 토류 탄산염 분말이 약 2300℃의 온도에서 용융되어, 붕소 도프 다이아몬드 분말 입자 간극에 용침(溶浸)하여 충전된 붕소 도프 다이아몬드 소결체를 얻을 수 있는 것.
(b) 소결체를 얻기 위한 원료 분말로서, 다이아몬드 분말과, 붕소 분말과, 소결체의 결합상을 형성하는 성분으로서, Mg, Ca, Sr, Ba의 탄산염 및 이들의 2종 이상의 복합 탄산염 중 1종 또는 2종 이상의 탄산염(이하, 이들을 총칭하여, 단순히「알칼리 토류 탄산염」이라 함) 분말을 사용하여, 각 분말을 소정량 배합하고, 그것을 혼합하여 원료 분말을 준비하고, 원료 분말을 초고압 고온 조건 하에서 소결하는 데 있어서, 우선 제1 단계로서, 소정압 소정 온도에서 혼합 분말 중의 붕소를 다이아몬드에 확산시키는 확산 처리를 행하고, 다음에 제2 단계로서, 보다 고압 고온 조건 하에서, 결합상 성분인 알칼리 토류 탄산염 분말을 용융시켜, 붕소가 확산된 다이아몬드 분말의 입자 간극에 용융한 결합상 성분을 용침ㆍ충전시키면, 이에 의해 양도전성을 구비한 다이아몬드 소결체를 얻을 수 있는 것.
(c) 천연 다이아몬드 그 자체의 전기 전도도는 10-5S/㎝ 이하로 매우 낮은 것이다. 한편, 붕소 도프 다이아몬드 분말의 전기 전도도는 매우 높으며, 약 1.5S/㎝이다. 또한, 상기 종래기술에 있어서의 다이아몬드-탄산염계 소결체의 전기 전도도도 약 10-5S/㎝ 정도로 작은 값인 데 반해, 상기 (a)의 붕소 도프 다이아몬드 소결체 및 상기 (b)의 제조법에 의해 얻어진 다이아몬드 소결체에서는, 약 1.0 내지 10-2S/㎝의 전기 전도도를 갖고 있고, 다이아몬드-Co계 소결체의 전기 전도도 약 2×10-2S/㎝와 거의 동등한 양도전성을 구비하므로, 방전 가공에서 가공하고자 한 경우에 필요한 충분한 양도전성을 구비하고 있는 것.
(d) 다이아몬드-Co계 소결체와 같이, 소결체 중에 금속 성분의 결합상을 함유하는 것에서는, 700℃ 정도의 내열성밖에 구비하고 있지 않은 데 반해, 상기 (a)의 붕소 도프 다이아몬드 소결체 및 상기 (b)의 제조법에 의해 얻어진 다이아몬드 소결체에서는, 약 1200℃이며, 천연 다이아몬드를 원료로 한 탄산염계 다이아몬드 소결체와 마찬가지로 매우 우수한 내열성을 갖고, 또한 경도, 열전도성, 화학 안정성에 대해서도 매우 우수한 특성값을 나타내는 것.
이라는 상기 (a) 내지 (d)의 지견을 얻었다.
본 발명은, 상기 지견을 기초로 하여 이루어진 것이며,
(1) 붕소 도프량이 1 내지 10wt%인 붕소 도프 다이아몬드 분말 90 내지 99.9wt%와, 결합상 성분으로서, Mg, Ca, Sr, Ba의 탄산염 및 이들의 2종 이상의 복합 탄산염 중 1종 또는 2종 이상으로 이루어지는 탄산염 분말 0.1 내지 10wt%가 초고압 고온 하에서 소결되고, 상기 결합상 성분이 상기 붕소 도프 다이아몬드 분말 입자 간극에 용침 충전되어 있는 것을 특징으로 하는 붕소 도프 다이아몬드 소결체.
(2) 붕소 도프량이 1 내지 10wt%인 붕소 도프 다이아몬드 분말 90 내지 99.9wt%와, 결합상 성분으로서, Mg, Ca, Sr, Ba의 탄산염 및 이들의 2종 이상의 복합 탄산염 중 1종 또는 2종 이상으로 이루어지는 탄산염 분말 0.1 내지 10wt%를 원료 분말로 하고, 상기 원료 분말을 초고압 고온 발생 장치에 장입하고, 상기 초고압 고온 발생 장치 내에서, 6.0 내지 9.0㎬의 가압 조건 하에서 1600 내지 2500℃의 온도로 가열하고, 상기 결합상 성분을 용융시켜 상기 붕소 도프 다이아몬드 분말 입자 간극에 용침 충전하는 것을 특징으로 하는 붕소 도프 다이아몬드 소결체의 제조 방법.
(3) 다이아몬드 분말 80 내지 99.4wt%와, 붕소 분말 0.5 내지 15wt%와, 결합상 성분으로서, Mg, Ca, Sr, Ba의 탄산염 및 이들 2종 이상의 복합 탄산염 중 1종 또는 2종 이상으로 이루어지는 탄산염 분말 0.1 내지 10wt%를 혼합한 원료 분말을 초고압 고온 발생 장치에 장입하고, 상기 초고압 고온 발생 장치 내에서, 제1 단계로서, 5.0 내지 8.0㎬의 가압 조건 하에서 1300 내지 1800℃의 온도로 가열하여 다이아몬드 분말로의 붕소의 확산을 행하고, 그 후, 제2 단계로서, 6.0 내지 9.0㎬의 가압 조건 하에서 1600 내지 2500℃의 온도로 가열하여 상기 결합상 성분을 용융시켜, 붕소가 확산된 다이아몬드 분말 입자 간극에 용융된 결합상 성분을 용침 충전시키는 것을 특징으로 하는 양도전성 다이아몬드 소결체의 제조 방법에 특징을 갖는 것이다.
이하에, 본 발명을, 보다 구체적이고 또한 상세하게 설명한다.
우선, 제1 형태의 붕소 도프 다이아몬드 분말 및 그 제조 방법에 대해 설명한다.
(1) 붕소 도프 다이아몬드 분말
붕소 도프 다이아몬드 분말로서는, 기상 합성법, 초고압 고온 합성법 등, 현재 이미 알려져 있는 제조법에 의해 얻게 된 붕소 도프 다이아몬드 분말을 사용할 수 있다. 또한, 붕소의 도프량에 대해 특별히 한정되는 것은 아니지만, 실용상의 관점에서는, 붕소 도프량이 1 내지 10wt%[즉, (붕소 중량)/(붕소 중량+다이아몬드 중량)×100=1 내지 10]인 것을 사용하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는, 붕소 도프량은 2 내지 7wt%이다.
(2) 알칼리 토류 탄산염 분말
붕소 도프 다이아몬드 분말과 알칼리 토류 탄산염 분말을 원료 분말로 하여, 초고압 고온 조건 하에서 소결을 행하면, Mg, Ca, Sr, Ba의 탄산염 및 이들의 2종 이상의 복합 탄산염 중 1종 또는 2종 이상으로 이루어지는 알칼리 토류 탄산염 분말은, 약 2300℃의 온도에서 용융하고, 다이아몬드 분말의 입자 간극에 용침하고, 인접하는 다이아몬드 입자의 접합을 촉진하는 동시에 입자 간극을 충전하여 소결체의 밀도를 향상시키는 결합상으로서 존재한다.
(3) 원료 분말의 배합 비교
본 발명에서는, 붕소 도프 다이아몬드 소결체가, 다이아몬드가 본래 갖는 경도, 열전도성, 화학 안정성이라는 우수한 특성을 잃지 않고, 또한 양도전성도 유지한다는 관점에서, 원료 분말 중의 붕소 도프 다이아몬드 분말의 배합 비율을 90 내지 99.9wt%로 정하고, 한편 붕소 도프 다이아몬드 소결체의 내열성을 높여, 소정의 양도전성을 유지시키고, 또한 소정의 소결체 밀도를 유지한다는 관점에서, 알칼리 토류 탄산염 분말의 배합 비율을 0.1 내지 10wt%로 정하였다.
즉, 붕소 도프 다이아몬드 분말의 배합 비율이 90wt% 미만, 혹은 알칼리 토류 탄산염 분말의 배합 비율이 10wt%가 초과한 경우에는, 붕소 도프 다이아몬드 소결체에 소정의 양도전성을 부여할 수 없을 뿐만 아니라, 소결체로서의 밀도, 경도, 열전도성, 화학 안정성이 저하되고, 한편 알칼리 토류 탄산염 분말의 배합 비율이 0.1wt% 미만, 혹은 붕소 도프 다이아몬드 분말의 배합 비율이 99.9wt%가 초과한 경우에는, 결합상 성분의 감소에 의한 소결성의 저하, 소결체 강도의 저하가 발생하고, 또한 내열성도 저하하게 되기 때문이다.
(4) 초고압 고온 장치에 있어서의 소결 조건
초고압 고온 장치 내에서의 가압 압력이 6.0㎬ 미만에서는 소결체의 치밀화를 충분히 행할 수 없으며, 그러나 그 효과는 9.0㎬ 이하에서 충분하고, 그것을 초과하면 장치 비용이 높아지므로, 가압 압력은 6.0 내지 9.0㎬로 정하였다.
또한, 초고압 고온 장치 내에서의 가열 온도가 1600℃ 미만에서는, 탄산염의 용융, 용침, 충전이 불충분한 동시에 소결 반응도 불충분하므로 소결체의 고밀도화를 도모할 수 없고, 한편 소결 가열 온도가 2500℃를 초과하면 과소결이 되고, 다이아몬드가 그라파이트로 역변환하는 현상이 발생하므로, 가열 온도를 1600 내지 2500℃로 정하였다.
또한, 원료 분말을 초고압 고온 발생 장치에 장입하는 데 있어서, 붕소 도프 다이아몬드 분말과 알칼리 토류 탄산염 분말은, 각각이 분말층을 형성하고, 이 분말층이 적층된 상태에서 초고압 고온 발생 장치에 장입되어 있는 것이 바람직하나, 붕소 도프 다이아몬드 분말과 알칼리 토류 탄산염 분말을 혼합하여, 이 혼합 분말을 원료 분말로서 초고압 고온 발생 장치 내에 장입하는 것도 물론 가능하다.
다음에, 제2 형태의 다이아몬드 소결체의 제조 방법에 대해 설명한다.
(1) 다이아몬드 분말, 붕소 분말
다이아몬드 분말로서는, 기상 합성법에 한정되지 않고, 현재 이미 잘 알려져 있는 방법으로 제조된 다이아몬드 분말을 사용할 수 있다.
또한, 붕소 분말로서는, 결정성 붕소 분말 혹은 비정질 붕소 분말이 바람직하나, 경우에 따라서는, 붕소 함유량이 높은 붕소카바이드 분말을 사용할 수도 있다.
그리고, 붕소 분말에 있어서의 붕소 성분은, 초고압 고온 조건 하의 소결에 있어서의 제1 단계, 즉 5.0 내지 8.0㎬의 가압 조건 하에서 1300 내지 1800℃의 온도 범위에 있어서, 붕소가 다이아몬드 분말의 표면으로 확산된다. 이렇게 하여 얻어진 다이아몬드 분말은, 최종적으로 얻게 되는 다이아몬드 소결체에 도전성을 부여하는 작용을 갖는다.
(2) 알칼리 토류 탄산염 분말
다이아몬드 분말과 붕소 분말과 알칼리 토류 탄산염 분말을 혼합하여, 이를 원료 분말로서, 초고압 고온 조건 하에서 소결을 행할 때, 제1 단계로서, 5.0 내지 8.0㎬의 가압 조건 하에서 1300 내지 1800℃의 온도 범위에서의 소결에 의해 붕소 성분의 다이아몬드로의 확산이 발생하고, 다음 제2 단계, 즉, 6.0 내지 9.0㎬의 가압 조건 하 1600 내지 2500℃의 온도 범위에서의 소결에 의해 상기 결합상 성분이 용융되고, 용융된 결합상 성분이 붕소가 도프된 다이아몬드 분말 입자 간극에 용침 충전되어, 소결체의 밀도를 높이는 결합상으로서 존재한다.
(3) 원료 분말의 배합 비교
본 발명에서는, 다이아몬드 소결체가, 다이아몬드가 본래 갖는 경도, 열전도성, 화학 안정성이라는 우수한 특성을 잃지 않고, 또한 양도전성을 유지한다는 관점에서, 원료 분말 중의 다이아몬드 분말의 배합 비율을 80 내지 99.4wt%로 정하고, 또한 붕소 분말의 배합 비율을 0.5 내지 15wt%로 정하고, 한편 다이아몬드 소결체에 양도전성을 부여시키면서, 내열성을 높이고, 또한 소정의 소결체 밀도를 유지한다는 관점에서, 알칼리 토류 탄산염 분말의 배합 비율을 0.1 내지 10wt%로 정하였다.
즉, 다이아몬드 분말의 배합 비율이 80wt% 미만, 붕소 분말의 배합 비율이 0.5wt% 미만, 혹은 알칼리 토류 탄산염 분말의 배합 비율이 10wt%가 초과한 경우에는, 다이아몬드 소결체에 소정의 양도전성을 부여할 수 없을 뿐만 아니라, 소결체로서의 경도, 열전도성, 화학 안정성, 치밀도가 저하되고, 한편 알칼리 토류 탄산염 분말의 배합 비율이 0.1wt% 미만, 혹은 다이아몬드 분말의 배합 비율이 99.4wt%가 초과한 경우 또한 붕소 분말의 배합 비율이 15wt%가 초과한 경우에는, 결합상 성분의 감소에 의한 소결성의 저하, 소결체 강도의 저하와 함께 내열성이 저하되게 되기 때문이다.
또한, 원료 분말의 배합에 있어서, 다이아몬드 분말, 붕소 분말, 알칼리 토류 탄산염 분말의 각 분말을 직접 배합하는 것이 아닌, 선행 기술로서 나타낸 방법에 의해 제조한 (미리 붕소를 도프한) 붕소 도프 다이아몬드를 알칼리 토류 탄산염 분말과 배합하고, 이를 원료 분말로 하여 소결을 행하는 것도 생각할 수 있으나, 붕소 도프 다이아몬드의 다이아몬드 입자 내에는, 합성시에 사용한 금속 촉매 등의 일부가 불순물로서 잔류하고 있는 경우가 있고, 이 경우에는 소결체의 특성(예를 들어, 내열성)에 악영향을 미치고, 또한 합성으로 얻어진 붕소 도프 다이아몬드는 괴상(塊狀)이므로, 이를 파쇄하고, 화학 처리에 의해 금속 불순물 등의 제거를 행하고, 그 후 분급을 행할 필요가 있어, 후공정에서의 시간이 걸린다. 그로 인해, 원료 분말로서는, 다이아몬드 분말, 붕소 분말 및 알칼리 토류 탄산염 분말을, 각각 소정 비율로 배합한 것을 사용하는 것이 필요하다. 그리고, 다이아몬드 분말, 붕소 분말, 알칼리 토류 탄산염 분말을 각각 소정 비율로 배합한 것을 원료 분말로 하면, 다이아몬드 입자 내로의 불순물의 혼입을 방지할 수 있을 뿐만 아니라, 붕소 도프 다이아몬드 합성 후의 후공정도 불필요해지고, 또한 소결체 중의 다이아몬드와 붕소의 함유 비율을, 배합비의 조정에 의해 적확하고 또한 용이하게 설정할 수 있다.
(4) 초고압 고온 장치에 있어서의 소결 조건
초고압 고온 장치에 의한 소결에 있어서, 그 제1 단계로서 5.0 내지 8.0㎬의 가압 조건 하에서 1300 내지 1800℃의 온도 범위에 있어서, 다이아몬드 분말로의 붕소의 확산이 발생하고, 이에 의해 소결체에 도전성을 부여할 수 있으나, 가압 조건, 가열 온도 조건이 상기 범위 미만이면, 붕소의 확산이 불충분해져, 소결체에 만족할 수 있는 도전성을 부여할 수 없고, 또한 가압 조건, 가열 온도 조건이 상기 범위를 초과하면, 탄산염이 용융되기 시작하여 붕소 확산상이 충분히 형성되지 않은 상태에서 다이아몬드가 소결되므로, 소결 제1 단계에 있어서의 가압 조건, 가열 온도를, 각각 5.0 내지 8.0㎬, 1300 내지 1800℃로 정하였다.
또한, 제2 단계의 소결에 있어서, 가압 압력이 6.0㎬ 미만에서는 충분한 치밀화를 도모할 수 없고, 또한 그 효과는 9.0㎬ 이하에서 충분하고, 그것을 초과하면 장치 비용이 높아지므로, 가압 압력은 6.0 내지 9.0㎬로 정하였다. 또한, 가열 온도가 1600℃ 미만에서는, 알칼리 토류 탄산염의 용융, 용침, 충전이 불충분해지는 동시에 소결 반응도 불충분하기 때문에 소결체의 치밀화를 도모할 수 없고, 한편 가열 온도가 2500℃를 초과하면 과소결 상태가 되어, 다이아몬드 입자가 그라파이트화되는 현상이 발생하므로, 가열 온도를 1600 내지 2500℃로 정하였다.
또한, 원료 분말을 초고압 고온 발생 장치에 장입하는 데 있어서, 본 발명에서는, 다이아몬드 분말, 붕소 분말 및 알칼리 토류 탄산염 분말을 혼합하고, 이 혼합 분말을 원료 분말로서 초고압 고온 발생 장치 내로 장입한다고 하였으나, 원료 분말을 혼합 분말로 하지 않고, 다이아몬드 분말, 붕소 분말, 알칼리 토류 탄산염 분말의 각각이 분말층을 형성하고, 이 분말층이 적층된 상태의 원료 분말을, 초고압 고온 발생 장치 내에 장입한 상태에서 소결을 행하는 것도 물론 가능하다.
본 발명의 붕소 도프 다이아몬드 소결체 및 그 제조 방법에 따르면, 붕소 도프 다이아몬드 분말과, 소결체의 결합상을 형성하는 알칼리 토류 탄산염 분말을 초고압 고온 조건 하에서 가열하고, 결합상 성분을 용융시켜, 붕소 도프 다이아몬드 입자 간극에 결합상 성분을 용침 충전시킨 소결체를 얻음으로써, 얻게 된 붕소 도프 다이아몬드 소결체는 경도, 열전도성, 화학 안정성을 구비할 뿐만 아니라, 양도전성과 우수한 내열성을 갖는다.
또한, 다이아몬드 분말, 붕소 분말과, 소결체의 결합상을 형성하는 알칼리 토류 탄산염 분말을, 초고압 고온 조건 하, 그 제1 단계로서, 붕소를 다이아몬드로 확산시켜 도전성을 부여하고, 그리고 그 제2 단계로서, 결합상 성분을 용융시켜 입자 간극에 용침 충전시킨다는 간이하고 또한 효율적인 2 단계의 공정에서 양도전성을 갖는 다이아몬드 소결체를 얻을 수 있다.
표 1에, 본 발명의 제1 실시예에서 사용한 붕소 도프 다이아몬드 분말과 알칼리 토류 탄산염 분말의 구체예를 나타낸다.
제1 실시예
표 1에 나타내어지는 각종 붕소 도프 다이아몬드 분말과 알칼리 토류 탄산염 분말을, 표 2에 나타내어지는 바와 같이 배합하고, 원료 분말 1 내지 원료 분말 13을 준비하였다. 이들 원료 분말 1 내지 원료 분말 13을, 하방에 알칼리 토류 탄산염 분말층을, 또한 상방에 붕소 도프 다이아몬드 분말을 적층 배치한 상태에서, 통상의 벨트형 초고압 고온 장치에 장입하고, 표 3에 나타내어지는 초고압 고온 조건으로 소결하고, 표 4에 나타내어지는 본 발명 붕소 도프 다이아몬드 소결체 1 내지 15(이하, 본 발명 소결체 1 내지 본 발명 소결체 15라 함)를 제조하였다. 본 발명 소결체 1 내지 본 발명 소결체 15의 모든 특성[전기 전도도(전기 저항값), 내열성, 경도, 열전도도, 화학 안정성 등]을 측정하였으므로, 그 측정값을 표 4에 나타낸다.
제1 비교예
비교의 목적으로, 표 5에 나타내어지는 다이아몬드 분말과 결합상 성분 분말로 이루어지는 원료 분말 21 내지 원료 분말 24를 준비하고, 원료 분말 21, 원료 분말 23에 대해서는, 하방에 결합상 성분 분말층을, 또한 상방에 다이아몬드 분말층을 적층 배치한 상태에서, 또한 원료 분말 22, 원료 분말 24에 대해서는, 다이아몬드 분말 결합상 성분 분말을 혼합 분말로 한 상태에서 통상의 벨트형 초고압 고온 장치에 장입하고, 마찬가지로 표 6에 나타내어지는 조건으로 소결하고, 비교 다이아몬드 소결체 21 내지 비교 다이아몬드 소결체 24(이하, 비교 소결체 21 내지 비교 소결체 24라 함)를 제조하였다. 비교 소결체 21 내지 비교 소결체 24에 대해 측정한 모든 특성의 측정값을 표 7에 나타낸다.
또한, 상기 제1 실시예, 제1 비교예에 있어서, 전기 전도도(전기 저항값), 내열성 및 화학 안정성의 평가는 다음과 같이 행하였다.
전기 전도도 평가 시험 ; 4단자법에 의해 전기 저항을 측정하였다.
내열성 평가 시험 ; 진공로에서, 온도 800℃와 1200℃에서 각각 유지 시간 30분간의 조건으로 열처리하는 내열 시험을 행하고, 그 후, XRD(X선) 분석에 의해 열처리 후의 그라파이트화(다이아몬드의 역변환)의 유무를 확인하였다.
화학 안정성 평가 시험 ; 소결체를 150℃의 열(熱)불산에 2시간 침지하여, 소결체의 형상 변화의 유무를 조사하였다.
Figure 112009032109480-pct00001
Figure 112009032109480-pct00002
Figure 112009032109480-pct00003
Figure 112009032109480-pct00004
Figure 112009032109480-pct00005
Figure 112009032109480-pct00006
Figure 112009032109480-pct00007
표 4에 나타내어지는 본 발명 소결체 1 내지 본 발명 소결체 15의 특성값으로부터도 명백한 바와 같이, 본 발명 소결체 1 내지 본 발명 소결체 15는, 전기 저항값이 70Ωㆍ㎝ 이하인 양도전성을 갖고, 또한 내열성 평가 시험에 있어서 그라파이트화가 발생하지 않아 우수한 내열성을 나타내고, 화학 안정성 평가 시험에 있어서도, 시험 후의 소결체에 형상 변화가 없어 우수한 화학 안정성을 나타내고, 또한 경도, 열전도성에 대해서도 다이아몬드에 필적하는 특성을 구비하고 있었다.
한편, 표 7에 나타내어지는 비교 소결체 21 내지 비교 소결체 24의 특성값으로부터도 명백한 바와 같이, 비교 소결체 21, 비교 소결체 22는 양도전성을 갖지만 내열성이 떨어져 있고(내열성 평가 시험에 있어서 그라파이트화가 발생하였음), 또한 화학 안정성 평가 시험에 있어서는, 결합상인 Co상(相)이 용출하였기 때문에 소결체가 분말화되어 버려 화학 안정성이 떨어져 있었다. 또한, 비교 소결체 23, 비교 소결체 24는, 전기 저항값이 측정 불가능할 정도로 크며(천연 다이아몬드와 동등), 도전성을 전혀 나타내지 않았다.
이상과 같이, 본 발명에 따르면, 양도전성과 내열성을 겸비한 붕소 도프 다이아몬드 소결체를 얻을 수 있고, 방전 가공에 의한 붕소 도프 다이아몬드 소결체의 가공이 가능해지므로, 붕소 도프 다이아몬드 소결체의 응용 분야가 확대되어, 실용상의 효과는 매우 크다.
제2 실시예
표 8에 나타내어지는 각종 다이아몬드 분말, 붕소 분말 및 알칼리 토류 탄산염 분말을, 표 9에 나타내어지는 배합 비율로 혼합하여, 원료 분말 31 내지 원료 분말 45를 준비하였다. 이들 원료 분말 31 내지 원료 분말 45를 통상의 벨트형 초고압 고온 장치에 장입하고, 본 발명법 31 내지 본 발명법 45로서, 표 10에 나타내어지는 조건으로 제1 단계, 제2 단계의 소결을 행하고, 표 11에 나타내어지는 다이아몬드 소결체 31 내지 다이아몬드 소결체 45(이하, 본 발명 소결체 31 내지 본 발명 소결체 45라 함)를 제조하였다. 본 발명법 31 내지 본 발명법 45에 의해 제조한 본 발명 소결체 31 내지 본 발명 소결체 45의 모든 특성[전기 전도도(전기 저항값), 내열성, 경도, 열전도도, 화학 안정성 등]을 측정하여, 그 측정값을 표 11에 나타낸다.
제2 비교예
비교의 목적으로, 원료 분말 31, 원료 분말 35, 원료 분말 40을 사용하여, 비교법 31, 비교법 35, 비교법 40으로 하여 표 12에 나타내어지는 조건으로 소결을 행하고, 비교 소결체 31, 비교 소결체 35, 비교 소결체 40을 제조하였다. 그 모든 특성을 표 13에 나타낸다.
또한, 참고를 위해, 종래법 1(일본 특허 출원 공표 제2006-502955호 공보에 기재된 방법)에 의해 제조한 붕소 도프 다이아몬드 소결체(종래 소결체 1이라 함), 및 종래법 2(일본 특허 제2795738호 명세서)에 의해 제조한 다이아몬드-탄산염계 소결체(종래 소결체 2라 함)에 대해서도, 그 모든 특성을 마찬가지로 표 13에 나타낸다.
또한, 상기 제2 실시예, 제2 비교예에 있어서, 전기 전도도(전기 저항값), 내열성 및 화학 안정성의 평가는 다음과 같이 행하였다.
전기 전도도 평가 시험 : 4단자법에 의해 전기 저항을 측정하였다.
내열성 평가 시험 : 진공로에서, 온도 800℃와 1200℃에서 각각 유지 시간 30분간의 조건으로 열처리하는 내열 시험을 행하고, 그 후, XRD(X선) 분석에 의해, 열처리 후의 그라파이트화(다이아몬드의 역변환)의 유무를 확인하였다.
화학 안정성 평가 시험 ; 소결체를 150℃의 열불산에 2시간 침지하여, 소결체의 형상 변화의 유무를 조사하였다.
Figure 112009032109480-pct00008
Figure 112009032109480-pct00009
Figure 112009032109480-pct00010
Figure 112009032109480-pct00011
Figure 112009032109480-pct00012
Figure 112009032109480-pct00013
표 11, 표 13에 나타내어지는 본 발명 소결체 31 내지 본 발명 소결체 45와, 비교 소결체 31, 비교 소결체 35, 비교 소결체 40 및 종래 소결체 1, 종래 소결체 2의 특성 비교로부터도 명백한 바와 같이, 본 발명법 31 내지 본 발명법 45에서 제조한 본 발명 소결체 31 내지 본 발명 소결체 45는, 양도전성이 우수한 내열성을 겸비하고, 또한 경도, 열전도성, 화학 안정성에 대해서도 천연 다이아몬드에 필적하는 특성을 구비하는 데 반해, 제조 조건이 본 발명법으로부터 벗어나는 비교법 31, 비교법 35, 비교법 40에서 제조한 비교 소결체 31, 비교 소결체 35, 비교 소결체 40 혹은 종래법 1, 종래법 2에서 제조한 종래 소결체 1, 종래 소결체 2는 도전성, 열전도성, 내열성, 경도, 화학 안정성 중 어느 하나가 본 발명 소결체 31 내지 본 발명 소결체 45보다 떨어져 있다.
이상과 같이, 본 발명에 따르면, 양도전성을 갖는 다이아몬드 소결체를 간이한 공정으로 효율적으로 제조할 수 있고, 게다가 본 발명의 제조법에 의해 얻게 된 다이아몬드 소결체는, 방전 가공에 의한 가공이 충분히 가능한 도전성을 구비하고 있으므로, 다이아몬드 소결체의 응용 분야가 확대되어, 실용상의 효과는 매우 크다.
본 발명의 제1 형태의 붕소 도프 다이아몬드 소결체 및 그 제조 방법에 따르면, 붕소 도프 다이아몬드 분말과, 소결체의 결합상을 형성하는 알칼리 토류 탄산염 분말을, 초고압 고온 조건 하에서 가열하고, 결합상 성분을 용융시켜, 붕소 도프 다이아몬드 입자 간극에 결합상 성분을 용침 충전시킨 소결체를 얻음으로써, 얻어진 붕소 도프 다이아몬드 소결체는, 경도, 열전도성, 화학 안정성을 구비할 뿐만 아니라, 양도전성이 우수한 내열성을 가지므로, 천연 다이아몬드에 필적하는 특성을 구비하는 동시에, 방전 가공으로 용이하게 가공할 수 있다는 우수한 가공성을 갖고, 다방면으로의 응용이 확대되어, 실용상의 효과는 매우 크다.
본 발명의 제2 형태의 다이아몬드 소결체의 제조 방법에 따르면, 다이아몬드 분말, 붕소 분말과, 소결체의 결합상을 형성하는 알칼리 토류 탄산염 분말을, 초고압 고온 조건 하, 그 제1 단계로서, 붕소를 다이아몬드로 확산시켜 도전성을 부여하고, 그리고 그 제2 단계로서, 결합상 성분을 용융시켜 입자 간극에 용침 충전시킨다는 간이하고 또한 효율적인 2단계의 공정으로 양도전성을 갖는 다이아몬드 소결체를 얻을 수 있다.
그리고, 본 발명의 제2 형태에 의해 제조한 다이아몬드 소결체는, 양도전성뿐만 아니라, 우수한 내열성을 구비하고, 또한 경도, 열전도성, 화학 안정성에 대해서는 천연 다이아몬드에 필적하는 특성을 구비하는 것이므로, 방전 가공으로 용 이하게 가공할 수 있다는 우수한 가공 특성을 살려, 다방면에의 응용이 기대되므로, 실용상의 효과는 매우 크다.

Claims (3)

  1. 붕소 도프량이 1 내지 10wt%인 붕소 도프 다이아몬드 분말 90 내지 99.9wt%와, 결합상 성분으로서, Mg, Ca, Sr, Ba의 탄산염 및 이들의 2종 이상의 복합 탄산염 중 1종 또는 2종 이상으로 이루어지는 탄산염 분말 0.1 내지 10wt%가 초고압 고온 하에서 소결되고, 상기 결합상 성분이 상기 붕소 도프 다이아몬드 분말 입자 간극에 용침 충전되어 있는 것을 특징으로 하는, 붕소 도프 다이아몬드 소결체.
  2. 붕소 도프량이 1 내지 10wt%인 붕소 도프 다이아몬드 분말 90 내지 99.9wt%와, 결합상 성분으로서, Mg, Ca, Sr, Ba의 탄산염 및 이들의 2종 이상의 복합 탄산염 중 1종 또는 2종 이상으로 이루어지는 탄산염 분말 0.1 내지 10wt%를 원료 분말로 하고, 상기 원료 분말을 초고압 고온 발생 장치에 장입하고, 상기 초고압 고온 발생 장치 내에서, 6.0 내지 9.0㎬의 가압 조건 하에서 1600 내지 2500℃의 온도로 가열하고, 상기 결합상 성분을 용융시켜 상기 붕소 도프 다이아몬드 분말 입자 간극에 용침 충전하는 것을 특징으로 하는, 붕소 도프 다이아몬드 소결체의 제조 방법.
  3. 다이아몬드 분말 80 내지 99.4wt%와, 붕소 분말 0.5 내지 15wt%와, 결합상 성분으로서, Mg, Ca, Sr, Ba의 탄산염 및 이들 2종 이상의 복합 탄산염 중 1종 또는 2종 이상으로 이루어지는 탄산염 분말 0.1 내지 10wt%를 혼합한 원료 분말을 초 고압 고온 발생 장치에 장입하고, 상기 초고압 고온 발생 장치 내에서, 제1 단계로서, 5.0 내지 8.0㎬의 가압 조건 하에서 1300 내지 1800℃의 온도로 가열하여 다이아몬드 분말로의 붕소의 확산을 행하고, 그 후, 제2 단계로서, 6.0 내지 9.0㎬의 가압 조건 하에서 1600 내지 2500℃의 온도로 가열하여 상기 결합상 성분을 용융시키고, 붕소가 확산된 다이아몬드 분말 입자 간극에 용융된 결합상 성분을 용침 충전시키는 것을 특징으로 하는, 양도전성 다이아몬드 소결체의 제조 방법.
KR1020097010921A 2006-10-31 2007-10-26 양도전성 다이아몬드 소결체 및 그 제조 방법 KR101356374B1 (ko)

Applications Claiming Priority (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006296903 2006-10-31
JPJP-P-2006-296902 2006-10-31
JP2006296902 2006-10-31
JPJP-P-2006-296903 2006-10-31
JP2007261682A JP5376273B2 (ja) 2006-10-31 2007-10-05 ボロンドープダイヤモンド焼結体およびその製造方法
JPJP-P-2007-261683 2007-10-05
JPJP-P-2007-261682 2007-10-05
JP2007261683A JP5376274B2 (ja) 2006-10-31 2007-10-05 良導電性ダイヤモンド焼結体の製造方法
PCT/JP2007/070888 WO2008053796A1 (en) 2006-10-31 2007-10-26 Diamond sinter with satisfactory electrical conductivity and process for producing the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090082260A KR20090082260A (ko) 2009-07-29
KR101356374B1 true KR101356374B1 (ko) 2014-01-27

Family

ID=39344136

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020097010921A KR101356374B1 (ko) 2006-10-31 2007-10-26 양도전성 다이아몬드 소결체 및 그 제조 방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8043533B2 (ko)
EP (1) EP2100863B1 (ko)
KR (1) KR101356374B1 (ko)
CN (1) CN101528634B (ko)
WO (1) WO2008053796A1 (ko)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB201014283D0 (en) * 2010-08-27 2010-10-13 Element Six Production Pty Ltd Method of making polycrystalline diamond material
US9422770B2 (en) 2011-12-30 2016-08-23 Smith International, Inc. Method for braze joining of carbonate PCD
US10315175B2 (en) 2012-11-15 2019-06-11 Smith International, Inc. Method of making carbonate PCD and sintering carbonate PCD on carbide substrate
KR101977690B1 (ko) 2015-06-03 2019-05-13 핼리버튼 에너지 서비시즈 인코퍼레이티드 다결정 다이아몬드로부터 금속 또는 다른 물질의 전기화학적 제거
CN106268522B (zh) * 2016-09-12 2018-11-13 河南理工大学 一种人工合成大单晶金刚石调色改性加工工艺及其制备方法
US11592373B2 (en) * 2018-11-30 2023-02-28 Board Of Trustees Of Michigan State University Electrochemical methods for sample pretreatment for metals determination and related apparatus
CN109574666B (zh) * 2018-12-30 2021-06-15 南方科技大学 纳米结构含硼六方金刚石聚晶超硬复合材料及其制备方法和应用
JP6803582B2 (ja) 2019-03-06 2020-12-23 株式会社ダイセル 電気化学キャパシタ用電極形成材料
CN111423232B (zh) * 2020-06-01 2021-06-29 燕山大学 一种制备致密聚晶金刚石的方法和一种硼掺杂聚晶金刚石
RU2740933C1 (ru) * 2020-06-18 2021-01-21 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики высоких давлений им. Л.Ф. Верещагина Российской академии наук (ИФВД РАН) Способ получения порошков высокоборированного алмаза
CN112371148A (zh) * 2020-10-22 2021-02-19 河南工业大学 一种用于高温高压合成金刚石的新型触媒的制备方法
WO2023228324A1 (ja) * 2022-05-25 2023-11-30 住友電工ハードメタル株式会社 焼結体及び切削工具

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11292630A (ja) * 1998-04-08 1999-10-26 Ishizuka Kenkyusho:Kk ダイヤモンド−炭化ケイ素複合焼結体及びその製造方法
US20040062928A1 (en) 2002-10-01 2004-04-01 General Electric Company Method for producing a sintered, supported polycrystalline diamond compact

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL281867A (ko) * 1961-08-09
JP2795738B2 (ja) * 1990-07-13 1998-09-10 科学技術庁無機材質研究所長 ダイヤモンド基焼結材料
JP2839674B2 (ja) * 1990-08-31 1998-12-16 科学技術庁無機材質研究所長 耐摩耗性にすぐれたダイヤモンド基焼結材料の製造方法
US5173761A (en) 1991-01-28 1992-12-22 Kobe Steel Usa Inc., Electronic Materials Center Semiconducting polycrystalline diamond electronic devices employing an insulating diamond layer
US5266236A (en) 1991-10-09 1993-11-30 General Electric Company Thermally stable dense electrically conductive diamond compacts
JPH05194031A (ja) 1992-01-22 1993-08-03 Mitsubishi Materials Corp 耐熱性にすぐれた切削工具用ダイヤモンド基超高圧焼結材料の製造法
JPH09142932A (ja) 1995-11-21 1997-06-03 Sumitomo Electric Ind Ltd ダイヤモンド焼結体及びその製造方法
US20040018137A1 (en) * 2001-08-23 2004-01-29 General Electric Company Boron doped blue diamond and its production
US7175704B2 (en) * 2002-06-27 2007-02-13 Diamond Innovations, Inc. Method for reducing defect concentrations in crystals
US20040035197A1 (en) 2002-08-26 2004-02-26 D'antonio Nicholas F. Airline coffee brewer
WO2004035197A1 (en) 2002-10-16 2004-04-29 Diamond Innovations, Inc. Boron doped blue diamond and its production
JP2004193522A (ja) 2002-12-13 2004-07-08 Kobe Steel Ltd 不純物ドープダイヤモンド
US7101433B2 (en) * 2002-12-18 2006-09-05 General Electric Company High pressure/high temperature apparatus with improved temperature control for crystal growth
JP2005290403A (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Kurita Water Ind Ltd 導電性ダイヤモンド粒子による電解方法及び導電性ダイヤモンド粒子の製造方法
US7635035B1 (en) * 2005-08-24 2009-12-22 Us Synthetic Corporation Polycrystalline diamond compact (PDC) cutting element having multiple catalytic elements
JP5391540B2 (ja) 2007-10-05 2014-01-15 三菱マテリアル株式会社 導電層領域と非導電層領域とを相併せ持つ複層一体構造のダイヤモンド基焼結体

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11292630A (ja) * 1998-04-08 1999-10-26 Ishizuka Kenkyusho:Kk ダイヤモンド−炭化ケイ素複合焼結体及びその製造方法
US20040062928A1 (en) 2002-10-01 2004-04-01 General Electric Company Method for producing a sintered, supported polycrystalline diamond compact

Also Published As

Publication number Publication date
WO2008053796A1 (en) 2008-05-08
US20100320423A1 (en) 2010-12-23
CN101528634A (zh) 2009-09-09
CN101528634B (zh) 2013-06-12
EP2100863A4 (en) 2011-04-06
KR20090082260A (ko) 2009-07-29
EP2100863B1 (en) 2015-07-08
US8043533B2 (en) 2011-10-25
EP2100863A1 (en) 2009-09-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101356374B1 (ko) 양도전성 다이아몬드 소결체 및 그 제조 방법
US8863816B2 (en) Metal-infiltrated titanium—silicon-carbide and titanium—aluminum-carbide bodies
TWI549925B (zh) 具優異耐熱性之銅-金剛石系固相燒結體及其製造方法、使用該燒結體之散熱板、及電子用裝置
CN108975921B (zh) 一种氮化硅陶瓷的制备方法及其陶瓷覆铜板
JP5376274B2 (ja) 良導電性ダイヤモンド焼結体の製造方法
CN110218928A (zh) 一种高强韧性Mo2FeB2基金属陶瓷及其制备方法
US6320167B1 (en) Sintered stick-shaped heater
CN102248160A (zh) 一种钨/铜梯度材料及其制备方法
JP5376273B2 (ja) ボロンドープダイヤモンド焼結体およびその製造方法
KR970008548B1 (ko) 도전재 및 이의 제조방법
CN105543535B (zh) Al4SiC4与Cr协同强化网/球状铜材料及制备方法
CN102031411B (zh) 致密W-Cu复合材料的低温制备方法
JP5358968B2 (ja) メタルボンド砥石
JP4177467B2 (ja) 高靱性硬質合金とその製造方法
JP4295491B2 (ja) 銅−タングステン合金およびその製造方法
JP5391540B2 (ja) 導電層領域と非導電層領域とを相併せ持つ複層一体構造のダイヤモンド基焼結体
JPS6043423B2 (ja) 複合組織を有する工具合金の製造方法
CN115446307B (zh) 一种石墨烯铜复合材料的制备方法
US9640746B2 (en) High performance high temperature thermoelectric composites with metallic inclusions
KR102271297B1 (ko) 티타늄-탄소 복합체, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 소결체
KR102414539B1 (ko) 탄화규소 분말, 탄화규소 소결체 및 이의 제조방법
KR101078295B1 (ko) 텅스텐 카바이드계 전기접점의 제조방법 및 그에 의하여 제조된 전기접점
JP2684427B2 (ja) 複合セラミックス構造体
JPH0380156A (ja) 導電性セラミックス及びその製造法
CN115304387A (zh) 一种Cu2Se基热电复合材料及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170113

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180112

Year of fee payment: 5