KR101353033B1 - Apparatus for febrication of thin film type solar cell and buffer chamber used for the same - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 측면은 제1공정 챔버와 제2공정 챔버의 사이에 배치되는 버퍼 챔버를 통하여 제1공정 챔버에서 반출되는 가요성 기판의 속도를 조절한 다음 제2공정 챔버로 반입함으로써 박막형 태양전지의 연속 공정을 가능하게 하여 생산성을 향상시킬 수 있는 박막형 태양전지 제조장치 및 이에 이용되는 버퍼 챔버를 제공하는 것에 있으며, 이러한 본 발명의 실시예에 따른 박막형 태양전지 제조장치는, 가요성 기판에 제1박막을 형성하는 제1공정 챔버;와, 상기 가요성 기판의 제1박막 상에 제2박막을 형성하는 제2공정 챔버;와, 상기 제1공정 챔버와 제2공정 챔버의 사이에 배치되어 상기 제1공정 챔버에서 연속적으로 반출되는 상기 가요성 기판의 속도를 조절하여 상기 제2공정 챔버로 반입시키기 위한 버퍼 챔버;를 포함하는 것을 특징으로 한다. One aspect of the present invention is a thin-film solar cell by controlling the speed of the flexible substrate taken out of the first process chamber through the buffer chamber disposed between the first process chamber and the second process chamber and then brought into the second process chamber The present invention provides a thin-film solar cell manufacturing apparatus and a buffer chamber used therein, which can improve the productivity by enabling a continuous process of the thin film solar cell manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention, A first process chamber forming a thin film; and a second process chamber forming a second thin film on the first thin film of the flexible substrate; and disposed between the first process chamber and the second process chamber. And a buffer chamber for controlling the speed of the flexible substrate continuously carried out from the first process chamber and bringing it into the second process chamber.

Figure R1020120066640
Figure R1020120066640

Description

박막형 태양전지 제조장치 및 이에 이용되는 버퍼 챔버{APPARATUS FOR FEBRICATION OF THIN FILM TYPE SOLAR CELL AND BUFFER CHAMBER USED FOR THE SAME}Thin film solar cell manufacturing apparatus and buffer chamber used in the same {APPARATUS FOR FEBRICATION OF THIN FILM TYPE SOLAR CELL AND BUFFER CHAMBER USED FOR THE SAME}

본 발명은 박막형 태양전지 제조장치 및 이에 이용되는 버퍼 챔버에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 제1공정 챔버와 제2공정 챔버의 사이에 배치되는 버퍼 챔버를 통하여 제1공정 챔버에서 반출되는 가요성 기판의 속도를 조절한 다음 제2공정 챔버로 반입함으로써 박막형 태양전지의 연속 공정을 가능하게 하여 생산성을 향상시킬 수 있는 박막형 태양전지 제조장치 및 이에 이용되는 버퍼 챔버에 관한 것이다. The present invention relates to a thin film solar cell manufacturing apparatus and a buffer chamber used therein, and more particularly, to a flexible substrate carried out from a first process chamber through a buffer chamber disposed between the first process chamber and the second process chamber. The present invention relates to a thin-film solar cell manufacturing apparatus and a buffer chamber used therein, which can improve the productivity by enabling a continuous process of a thin-film solar cell by controlling the speed of the wafer and then bringing it into a second process chamber.

일반적으로, 태양전지는 태양으로부터 지구에 전달되는 빛 에너지를 전기 에너지로 변환하여 에너지를 생산하는 청정 에너지원으로써 지구 온난화 방지를 위한 이산화탄소 발생량을 줄일 수 있다는 장점이 있다. Generally, a solar cell is a clean energy source that generates energy by converting light energy transferred from the sun to the earth into electric energy, thereby reducing the amount of carbon dioxide generated to prevent global warming.

이와 같은 태양전지는 기판형 태양전지와 박막형 태양전지로 구분할 수 있다.Such a solar cell can be classified into a substrate type solar cell and a thin film solar cell.

기판형 태양전지는 실리콘과 같은 반도체물질 자체를 기판으로 이용하여 태양전지를 제조한 것이고, 박막형 태양전지는 유리 등과 같은 기판 상에 박막의 형태로 반도체를 형성하여 태양전지를 제조한 것이다. The substrate type solar cell is a solar cell manufactured using a semiconductor material itself such as silicon as a substrate, and the thin film type solar cell is a solar cell by forming a semiconductor in the form of a thin film on a substrate such as glass.

기판형 태양전지는 상기 박막형 태양전지에 비하여 효율이 다소 우수하기는 하지만, 공정상 두께를 최소화하는데 한계가 있고 고가의 반도체 기판을 이용하기 때문에 제조비용이 상승되는 단점이 있다. Although the substrate type solar cell has a somewhat higher efficiency than the thin film type solar cell, there is a limitation in minimizing the thickness in the process and a manufacturing cost is increased because an expensive semiconductor substrate is used.

박막형 태양전지는 기판형 태양전지에 비하여 효율이 다소 떨어지기는 하지만, 얇은 두께로 제조가 가능하고 저가의 재료를 이용할 수 있어 제조비용이 감소되는 장점이 있어 대량생산에 적합하다는 장점이 있다. Thin-film solar cells have advantages in that they are suitable for mass production because they can be manufactured with a thin thickness and use low-cost materials, thereby reducing manufacturing costs, although the efficiency is somewhat lower than that of a substrate-type solar cell.

일반적으로 박막형 태양전지는 유리 기판을 사용하고 있지만, 경량화, 시공성, 및 양산성을 높일 수 있는 가요성 기판을 이용한 박막형 태양전지에 대한 연구 개발이 활발히 진행되고 있다.In general, a thin film solar cell uses a glass substrate, but research and development on a thin film solar cell using a flexible substrate capable of reducing weight, workability, and mass productivity have been actively conducted.

종래의 가요성 기판을 이용한 박막형 태양전지는 가요성 기판 상에 제1전극층, 반도체층, 및 제2전극층으로 이루어지는 복수의 태양전지 셀을 포함하며, 인접한 태양전지 셀은 서로 전기적으로 직렬 접속된다.A conventional thin film solar cell using a flexible substrate includes a plurality of solar cells including a first electrode layer, a semiconductor layer, and a second electrode layer on a flexible substrate, and adjacent solar cells are electrically connected in series with each other.

도 1은 박막형 태양전지의 제조 장치를 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.1 is a schematic view for explaining an apparatus for manufacturing a thin film solar cell.

도 1에 도시된 바와 같이, 종래의 박막형 태양전지의 제조 장치(1)는 외곽 챔버(2), 기판 피딩 롤러(3), 제1 내지 제3공정 챔버 유닛(4~6), 기판 권취 롤러(7)를 포함하여 구성된다. 1, a conventional apparatus 1 for manufacturing a thin film solar cell includes an outer chamber 2, a substrate feeding roller 3, first to third process chamber units 4 to 6, a substrate winding roller 3, (7).

외곽 챔버(2)는 제1 내지 제3공정 챔버 유닛(4~6), 기판 피딩 롤러(3), 기판 권취 롤러(7)를 감싸도록 설치된다. 이러한, 외곽 챔버(2)의 내부는 복수의 제1진공펌프(8A)에 의해 진공 상태를 유지한다. The outer chamber 2 is installed to enclose the first to third process chamber units 4 to 6, the substrate feeding roller 3, and the substrate take-up roller 7. The inside of the outer chamber 2 is maintained in a vacuum state by the plurality of first vacuum pumps 8A.

기판 피딩 롤러(3)는 외곽 챔버(2)의 일측에 설치된다. 이때, 기판 피딩 롤러(3)에는 소정의 길이를 가지는 가요성 기판(1A)이 감겨져 있다. 여기서, 가요성 기판(1A) 상에는 박막형 태양전지의 전극층(미도시)이 소정 간격으로 형성되어 있다. The substrate feeding roller 3 is installed on one side of the outer chamber 2. [ At this time, a flexible substrate 1A having a predetermined length is wound around the substrate feeding roller 3. Here, on the flexible substrate 1A, electrode layers (not shown) of thin-film solar cells are formed at predetermined intervals.

이러한, 기판 피딩 롤러(3)는 스테핑 롤링 방식으로 회전하면서 가요성 기판(1A)을 제1 내지 제3공정 챔버 유닛(4~6)으로 공급한다. The substrate feeding roller 3 rotates in a stepping rolling manner, and supplies the flexible substrate 1A to the first to third process chamber units 4 to 6.

제1 내지 제3공정 챔버 유닛(4~6) 각각은 기판 피딩 롤러(3)와 기판 권취 롤러(7) 사이에 배치되도록 외곽 챔버(2) 내부에 설치된다. Each of the first to third process chamber units 4 to 6 is installed inside the outer chamber 2 so as to be disposed between the substrate feeding roller 3 and the substrate take-up roller 7.

이러한, 제1 내지 제3공정 챔버 유닛(4~6) 각각은 PECVD을 이용하여 스테핑 롤링 방식에 따라 기판 피딩 롤러(3)로부터 공급되는 가요성 기판(1A) 상에 반도체층을 형성한다. Each of the first to third process chamber units 4 to 6 forms a semiconductor layer on the flexible substrate 1A supplied from the substrate feeding roller 3 according to the stepping rolling method using PECVD.

이를 위해, 제1 내지 제3공정 챔버 유닛(4~6) 각각은 하부 챔버(9A), 히터(9B), 상부 챔버(9C), 샤워 헤드(9D), 제2진공펌프(8B)를 구비한다. To this end, each of the first to third process chamber units 4 to 6 is provided with a lower chamber 9A, a heater 9B, an upper chamber 9C, a showerhead 9D, and a second vacuum pump 8B do.

하부 챔버(9A)는 외곽 챔버(2)의 바닥면에 설치된다. The lower chamber 9A is installed on the bottom surface of the outer chamber 2. [

히터(9B)는 하부 챔버(9A) 내부에 설치되어 스테핑 방식으로 반송되는 가요성 기판(1A)을 소정의 온도로 가열한다. The heater 9B is installed inside the lower chamber 9A and heats the flexible substrate 1A, which is conveyed in a stepping manner, to a predetermined temperature.

상부 챔버(9C)는 상부 챔버 승강부(미부호)에 의해 지지되도록 외곽 챔버(2)의 상부에 설치된다. The upper chamber 9C is installed at the upper part of the outer chamber 2 so as to be supported by the upper chamber elevator (not shown).

샤워 헤드(9D)는 상부 챔버(9C) 내부에 설치되어 외부로부터 공급되는 공정 가스를 반응 공간에 분사한다. The showerhead 9D is installed inside the upper chamber 9C and injects the process gas supplied from the outside into the reaction space.

제2진공펌프(8B)는 외곽 챔버(2)의 바닥면을 관통하여 하부 챔버(9A)에 연통되도록 설치되어 반응 공간에 진공 분위기를 형성한다. The second vacuum pump 8B is installed to communicate with the lower chamber 9A through the bottom surface of the outer chamber 2 to form a vacuum atmosphere in the reaction space.

기판 권취 롤러(7)는 외곽 챔버(2)의 타측에 설치된다. 이러한, 기판 권취 롤러(7)는 스테핑 롤링 방식으로 회전하는 기판 피딩 롤러(3)와 연동되어 제1 내지 제3공정 챔버 유닛(4~6)에 의해 공정이 완료된 가요성 기판(1A)을 회수한다. The substrate take-up roller 7 is provided on the other side of the outer chamber 2. The substrate take-up roller 7 interlocks with the substrate feeding roller 3 rotating in a stepping rolling manner to recover the flexible substrate 1A that has been processed by the first to third process chamber units 4 to 6 do.

한편, 제1 내지 제3공정 챔버 유닛(4~6)에서 반도체 층 및 광 변환층을 연속으로 증착하여야 하므로, 각 제1 내지 제3공정 챔버 유닛(4~6)에서 레이어의 증착시간, 증착조건에 따라 챔버의 크기가 달라지게 되는데, 이러한 이유로 기판 피딩 롤러는 스테핑 롤링(Stepping Rolling) 방식으로 가요성 기판(1A)을 반송하여 생산성이 저하된다는 문제가 있었다. Meanwhile, since the semiconductor layer and the light conversion layer must be continuously deposited in the first to third process chamber units 4 to 6, the deposition time and the deposition time of the layer in each of the first to third process chamber units 4 to 6 are deposited. The size of the chamber is changed depending on the conditions. For this reason, the substrate feeding roller conveys the flexible substrate 1A in a stepping rolling manner, thereby lowering productivity.

본 발명의 일 측면은 제1공정 챔버와 제2공정 챔버의 사이에 배치되는 버퍼 챔버를 통하여 제1공정 챔버에서 반출되는 가요성 기판의 속도를 조절한 다음 제2공정 챔버로 반입함으로써 박막형 태양전지의 연속 공정을 가능하게 하여 생산성을 향상시킬 수 있는 박막형 태양전지 제조장치 및 이에 이용되는 버퍼 챔버를 제공하는 것에 있다. One aspect of the present invention is a thin-film solar cell by controlling the speed of the flexible substrate taken out of the first process chamber through the buffer chamber disposed between the first process chamber and the second process chamber and then brought into the second process chamber It is to provide a thin-film solar cell manufacturing apparatus and a buffer chamber used for enabling a continuous process of the can improve the productivity.

본 발명의 실시예에 따른 박막형 태양전지 제조장치는, 가요성 기판에 제1박막을 형성하는 제1공정 챔버;와, 상기 가요성 기판의 제1박막 상에 제2박막을 형성하는 제2공정 챔버;와, 상기 제1공정 챔버와 제2공정 챔버의 사이에 배치되어 상기 제1공정 챔버에서 연속적으로 반출되는 상기 가요성 기판의 속도를 조절하여 상기 제2공정 챔버로 반입시키기 위한 버퍼 챔버;를 포함하는 것을 특징으로 한다. According to an aspect of the present invention, there is provided a thin-film solar cell manufacturing apparatus comprising: a first process chamber for forming a first thin film on a flexible substrate; and a second process for forming a second thin film on the first thin film of the flexible substrate. A buffer chamber disposed between the first process chamber and the second process chamber to adjust the speed of the flexible substrate continuously carried out from the first process chamber and to load the flexible substrate into the second process chamber; Characterized in that it comprises a.

또한, 버퍼 챔버는, 상기 가요성 기판의 변위차 발생을 통하여 연속적으로 반출되는 상기 가요성 기판의 속도를 조절하는 적어도 하나 이상의 위치 가변 롤러를 포함하는 것을 특징으로 한다. In addition, the buffer chamber is characterized in that it comprises at least one or more variable position rollers for adjusting the speed of the flexible substrate continuously carried out through the displacement difference generation of the flexible substrate.

또한, 위치 가변 롤러는, 상기 가요성 기판의 이송 방향의 수직 방향 또는 대각선 방향으로 변위차를 발생시키는 것을 특징으로 한다. In addition, the variable position roller is characterized by generating a displacement difference in the vertical direction or the diagonal direction of the conveyance direction of the flexible substrate.

또한, 버퍼 챔버는, 상기 제1공정 챔버에 인접하도록 상기 버퍼 챔버의 내부 일측에 고정 위치되는 제1고정 롤러;와, 상기 제2공정 챔버에 인접하도록 상기 위치 가변 롤러를 사이에 두고 상기 버퍼 챔버의 내부 타측에 고정 위치되는 제2고정 롤러;를 포함하는 것을 특징으로 한다. The buffer chamber may further include a first fixing roller fixedly positioned at an inner side of the buffer chamber so as to be adjacent to the first process chamber, and the buffer chamber having the variable position roller disposed adjacent to the second process chamber. It characterized in that it comprises a; second fixing roller which is fixed to the other inner side of the.

또한, 위치 가변 롤러는, 상기 제1고정 롤러와 제2고정 롤러에 의해 정의된 중심선을 기준으로 하측 방향으로 승강 변위가 발생하는 제1위치 가변 롤러;와, 상기 중심선을 기준으로 상측 방향으로 승강 변위가 발생하는 제2위치 가변 롤러;를 포함하는 것을 특징으로 한다. The variable position roller may include a first variable position roller in which a lift displacement occurs in a downward direction with respect to a center line defined by the first fixed roller and the second fixed roller; and a lift in an upward direction based on the center line. And a second position variable roller in which displacement occurs.

또한, 제1위치 가변 롤러와 제2위치 가변 롤러는 복수로 마련되되 서로 교번적으로 배치되는 것을 특징으로 한다. In addition, the first variable position roller and the second variable position roller is provided in plurality, characterized in that arranged alternately with each other.

또한, 위치 가변 롤러는, 상기 가요성 기판의 이송 방향으로 변위차를 발생시키는 것을 특징으로 한다. Moreover, the variable position roller is characterized by generating a displacement difference in the conveyance direction of the said flexible substrate.

또한, 버퍼 챔버는, 상기 가요성 기판이 반입되는 상기 버퍼 챔버의 입구 측에 배치되는 제1기밀 부재;과, 상기 가요성 기판이 반출되는 상기 버퍼 챔버의 출구 측에 배치되는 제2기밀 부재;을 포함하는 것을 특징으로 한다. The buffer chamber may further include a first hermetic member disposed at an inlet side of the buffer chamber into which the flexible substrate is loaded, and a second hermetic member disposed at an outlet side of the buffer chamber through which the flexible substrate is carried out; Characterized in that it comprises a.

또한, 제1기밀 부재는, 상기 버퍼 챔버의 입구 측 제1면에 설치된 제1에어 커튼부와, 상기 버퍼 챔버의 입구 측 제2면에 설치된 제2에어 커튼부를 포함하는 것을 특징으로 한다. The first hermetic member may include a first air curtain portion provided on the inlet side first surface of the buffer chamber and a second air curtain portion provided on the inlet side second surface of the buffer chamber.

또한, 제1 및 제2에어 커튼부는 각각, 상기 버퍼 챔버의 입구 측 제1면 및 제2면에 각각 부착되는 제1 및 제2몸체;와, 상기 제1 및 제2몸체의 일측 가장 자리에 각각 설치되어 기밀용 가스를 분사하는 제1 및 제2가스 분사부;와, 상기 제1 및 제2몸체의 타측 가장 자리에 각각 설치되어 상기 제1 및 제2가스 분사부에서 분사되는 기밀용 가스를 흡입하는 제1 및 제2가스 흡입부;를 포함하는 것을 특징으로 한다. The first and second air curtain parts may include first and second bodies attached to first and second surfaces of the inlet side of the buffer chamber, respectively, and at one edge of the first and second bodies. First and second gas injectors, respectively installed to inject gas for airtightness; and airtight gases installed at the other edges of the first and second bodies, respectively, and injected from the first and second gas injectors. It characterized in that it comprises a; first and second gas suction portion for sucking the.

또한, 제1공정 챔버, 제2공정 챔버, 버퍼 챔버를 감싸는 외곽 챔버를 더 포함하는 것을 특징으로 한다. The apparatus may further include an outer chamber surrounding the first process chamber, the second process chamber, and the buffer chamber.

본 발명의 실시예에 따른 박막형 반도체 제조장치를 다른 측면에서 본다면, 기판 피딩 롤러에서 공급되는 가요성 기판을 지지하는 제1기판 지지 롤러와, 상기 가요성 기판에 제1박막을 형성하기 위하여 상기 제1기판 지지 롤러에 대응 설치되는 제1샤워 헤드를 가지는 제1공정 챔버;와, 기판 회수 롤러로 회수되는 가요성 기판을 지지하는 제2기판 지지 롤러와, 상기 가요성 기판에 제2박막을 형성하기 위하여 상기 제2기판 지지 롤러에 대응 설치되는 제2샤워 헤드를 가지는 제2공정 챔버;와, 상기 제1공정 챔버와 제2공정 챔버의 사이에 배치되어 상기 제1기판 지지 졸러에서 연속적으로 반출되는 상기 가요성 기판의 속도를 조절한 다음 상기 제2기판 지지 롤러로 반입하기 위한 버퍼 챔버;를 포함하는 것을 특징으로 한다.In another aspect, a thin film type semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention, a first substrate support roller for supporting a flexible substrate supplied from a substrate feeding roller, and the first substrate to form a first thin film on the flexible substrate A first process chamber having a first shower head corresponding to the first substrate support roller; a second substrate support roller supporting the flexible substrate recovered by the substrate recovery roller; and a second thin film formed on the flexible substrate. A second process chamber having a second shower head corresponding to the second substrate support roller, the second process chamber being disposed between the first process chamber and the second process chamber to be continuously removed from the first substrate support roller. And a buffer chamber for adjusting the speed of the flexible substrate to be loaded into the second substrate supporting roller.

또한, 버퍼 챔버는, 수직 방향 변위차를 발생시켜 연속적으로 반출되는 상기 가요성 기판의 속도를 조절하는 적어도 하나 이상의 위치 가변 롤러를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the buffer chamber is characterized in that it comprises at least one or more variable position rollers for generating a vertical displacement difference to control the speed of the flexible substrate continuously carried out.

또한, 버퍼 챔버는, 상기 제1공정 챔버에 인접하도록 상기 버퍼 챔버의 내부 일측에 고정 위치되는 제1고정 롤러와, 상기 제2공정 챔버에 인접하도록 상기 위치 가변 롤러를 사이에 두고 상기 버퍼 챔버의 내부 타측에 고정 위치되는 제2고정 롤러를 포함하는 것을 특징으로 한다.The buffer chamber may include a first fixing roller fixedly positioned at an inner side of the buffer chamber so as to be adjacent to the first process chamber, and a position variable roller disposed to be adjacent to the second process chamber. And a second fixing roller fixedly positioned at the other side of the inside.

또한, 위치 가변 롤러는, 상기 제1고정 롤러와 제2고정 롤러에 의해 정의된 중심선을 기준으로 하측 방향으로 승강 변위가 발생하는 제1위치 가변 롤러와, 상기 중심선을 기준으로 상측 방향으로 승강 변위가 발생하는 제2위치 가변 롤러를 포함하는 것을 특징으로 한다.The variable position roller may include a first variable position roller in which a lift displacement occurs in a downward direction based on a center line defined by the first fixed roller and a second fixed roller, and a lift displacement in an upward direction based on the center line. It characterized in that it comprises a second variable position roller.

본 발명의 실시예에 따른 박막형 반도체 제조장치의 버퍼 챔버는, 제1공정 챔버와 제2공정 챔버의 사이에 배치되어 상기 제1공정 챔버에서 연속적으로 반출되는 상기 가요성 기판의 변위차를 발생시키는 위치 가변 롤러를 통하여 상기 가요성 기판의 속도를 완충하여 상기 제2공정 챔버로 반입시키는 것을 특징으로 한다.The buffer chamber of the thin film type semiconductor manufacturing apparatus according to the embodiment of the present invention is disposed between the first process chamber and the second process chamber to generate a displacement difference of the flexible substrate continuously carried out from the first process chamber. It is characterized in that the speed of the flexible substrate is buffered through the variable position roller and brought into the second process chamber.

또한, 버퍼 챔버는, 상기 제1공정 챔버에 인접하도록 상기 버퍼 챔버의 내부 일측에 고정 위치되는 제1고정 롤러와, 상기 제2공정 챔버에 인접하도록 상기 위치 가변 롤러를 사이에 두고 상기 버퍼 챔버의 내부 타측에 고정 위치되는 제2고정 롤러를 포함하며, 상기 위치 가변 롤러는, 상기 제1고정 롤러와 제2고정 롤러에 의해 정의된 중심선을 기준으로 제1방향으로 승강 변위가 발생하는 제1위치 가변 롤러와, 상기 중심선을 기준으로 제1방향과 반대되는 제2방향으로 승강 변위가 발생하는 제2위치 가변 롤러를 포함하는 것을 특징으로 한다.The buffer chamber may include a first fixing roller fixedly positioned at an inner side of the buffer chamber so as to be adjacent to the first process chamber, and a position variable roller disposed to be adjacent to the second process chamber. And a second fixed roller fixedly positioned at the other inner side, wherein the variable position roller has a first position in which a lifting displacement occurs in a first direction based on a center line defined by the first fixed roller and the second fixed roller. And a variable roller and a second position variable roller in which a lifting displacement occurs in a second direction opposite to the first direction with respect to the center line.

따라서, 본 발명의 실시예에 따른 박막형 태양전지 제조장치 및 이에 이용되는 버퍼 챔버는 버퍼 챔버를 통하여 제1공정 챔버에서 반출되는 가요성 기판의 속도를 조절한 다음 제2공정 챔버로 반입함으로써 박막형 태양전지의 연속 공정을 가능하게 하여 생산성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.Accordingly, the thin film solar cell manufacturing apparatus and the buffer chamber used therein according to the embodiment of the present invention control the speed of the flexible substrate carried out from the first process chamber through the buffer chamber and then import the thin film solar cell into the second process chamber. It is possible to improve the productivity by enabling the continuous process of the battery.

도 1은 종래 기술에 따른 박막형 태양전지 제조장치를 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 박막형 태양전지 제조장치를 나타낸 구성도이다.
도 3은 도 2에 도시된 버퍼 챔버를 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 가요성 기판의 이동 속도 감소시 위치 가변 롤러의 이동상태를 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 가요성 기판의 이동 속도 증가시 위치 가변 롤러의 이동상태를 나타낸 도면이다.
도 6은 도 3에 도시된 버퍼 챔버의 샤워 헤드를 나타낸 도면이다.
도 7은 도 3에 도시된 버퍼 챔버의 기밀 부재를 나타낸 도면이다.
도 8 및 도 9는 본 발명의 실시예에 따른 박막형 태양전지의 제조방법을 설명하기 위한 도면이다.
1 is a view showing a conventional thin film solar cell manufacturing apparatus.
2 is a configuration diagram showing a thin film solar cell manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a diagram illustrating the buffer chamber shown in FIG. 2.
4 is a view showing a moving state of the variable position roller when the moving speed of the flexible substrate according to the embodiment of the present invention.
5 is a view showing a moving state of the variable position roller when the moving speed of the flexible substrate according to an embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a view illustrating a shower head of the buffer chamber illustrated in FIG. 3.
7 is a view showing an airtight member of the buffer chamber shown in FIG.
8 and 9 are views for explaining a method of manufacturing a thin film solar cell according to an embodiment of the present invention.

이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 박막형 태양전지 제조장치를 나타낸 구성도이며, 도 3은 도 2에 도시된 버퍼 챔버를 나타낸 도면이며, 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 가요성 기판의 이동 속도 감소시 위치 가변 롤러의 이동상태를 나타낸 도면이며, 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 가요성 기판의 이동 속도 증가시 위치 가변 롤러의 이동상태를 나타낸 도면이며, 도 6은 도 3에 도시된 버퍼 챔버의 샤워 헤드를 나타낸 도면이다. 2 is a block diagram showing a thin film solar cell manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention, Figure 3 is a view showing a buffer chamber shown in Figure 2, Figure 4 is a flexible substrate according to an embodiment of the present invention 5 is a view showing a moving state of the variable position roller when the moving speed is reduced, Figure 5 is a view showing a moving state of the variable position roller when the moving speed of the flexible substrate according to an embodiment of the present invention, Figure 6 Figure is a view showing a shower head of the buffer chamber shown.

도 2 내지 도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 박막형 태양전지 제조장치(10)는 외곽 챔버(100), 제1공정 챔버(200), 제2공정 챔버(300), 버퍼 챔버(400)를 포함하여 구성된다. As shown in Figure 2 to 6, the thin film solar cell manufacturing apparatus 10 according to an embodiment of the present invention is the outer chamber 100, the first process chamber 200, the second process chamber 300, the buffer It comprises a chamber 400.

외곽 챔버(100)는 제1공정 챔버(200)와 제2공정 챔버(300)를 감싸도록 설치된다. 이러한, 외곽 챔버(100)의 내부 압력은 복수의 외곽 펌핑 장치(100A)에 의해 소정의 압력으로 낮아진 상태를 유지한다. The outer chamber 100 is installed to surround the first process chamber 200 and the second process chamber 300. The internal pressure of the outer chamber 100 is maintained at a predetermined pressure lowered by the plurality of outer pumping devices 100A.

외곽 챔버(100)에는 제1 및 제2공정 챔버(200,300)에 가요성 기판(20)을 반송함과 아울러 제1 및 제2공정 챔버(200,300)에서 공정 완료된 가요성 기판(20)을 회수하기 위하여 기판 피딩 롤러(110), 제1기판 반송 롤러(120), 제2기판 반송 롤러(130), 제3기판 반송 롤러(140), 기판 회수 롤러(150)가 설치된다. In the outer chamber 100, the flexible substrate 20 is transferred to the first and second process chambers 200 and 300, and the process of recovering the flexible substrate 20 processed in the first and second process chambers 200 and 300 is performed. To this end, the substrate feeding roller 110, the first substrate conveying roller 120, the second substrate conveying roller 130, the third substrate conveying roller 140, and the substrate collecting roller 150 are provided.

기판 피딩 롤러(110)는 외곽 챔버(100)의 일측에 설치된다. 이때, 기판 피딩 롤러(110)에는 소정의 길이를 가지는 가요성 기판(20)이 감겨져 있다. 여기서, 가요성 기판(20) 상에는 박막형 태양전지의 제1전극층(미도시)이 소정 간격으로 형성되어 있다. 이러한, 기판 피딩 롤러(110)는 구동 장치(미도시)의 회전에 따라 회전되면서 가요성 기판(20)을 제1공정 챔버(200)로 공급한다. The substrate feeding roller 110 is installed at one side of the outer chamber 100. At this time, a flexible substrate 20 having a predetermined length is wound around the substrate feeding roller 110. Here, the first electrode layer (not shown) of the thin film solar cell is formed on the flexible substrate 20 at predetermined intervals. The substrate feeding roller 110 is rotated in accordance with the rotation of the driving device (not shown) to supply the flexible substrate 20 to the first process chamber 200.

이때, 기판 피딩 롤러(110)는 생산성 향상을 위해 연속 공정이 가능하도록 가요성 기판(20)의 반송을 정지시키지 않고 연속적으로 제1공정 챔버(200)로 반송할 수 있다.In this case, the substrate feeding roller 110 may be continuously conveyed to the first process chamber 200 without stopping the conveyance of the flexible substrate 20 so as to enable a continuous process to improve productivity.

제1기판 반송 롤러(120)는 제1공정 챔버(200)의 기판 로딩부에 인접하도록 설치된 제1A기판 반송 롤러(121)와, 제1공정 챔버(200)의 기판 언로딩부에 인접하도록 설치된 제1B기판 반송 롤러(122)를 포함한다. The first substrate transfer roller 120 is installed to be adjacent to the first A substrate transfer roller 121 installed to be adjacent to the substrate loading portion of the first process chamber 200 and the substrate unloading portion of the first process chamber 200. A 1B substrate conveyance roller 122 is included.

제1A기판 반송 롤러(121)는 가요성 기판(20)이 투입되는 제1공정 챔버(200)의 기판 로딩부에 인접하도록 설치되어 기판 피딩 롤러(110)에 감겨진 가요성 기판(20)이 제1공정 챔버(200)로 반송되도록 한다. The first substrate transfer roller 121 is installed to be adjacent to the substrate loading portion of the first process chamber 200 into which the flexible substrate 20 is inserted, so that the flexible substrate 20 wound around the substrate feeding roller 110 is formed. It is to be conveyed to the first process chamber 200.

제1B기판 반송 롤러(122)는 제1공정 챔버(200) 내에서 플라즈마 공정이 완료된 가요성 기판(20)이 외부로 반송되는 제1공정 챔버(200)의 기판 언로딩부에 인접하도록 설치되어 가요성 기판(20)이 버퍼 챔버(400)로 반송되도록 한다. The first B substrate conveying roller 122 is installed to be adjacent to the substrate unloading part of the first process chamber 200 in which the flexible substrate 20 having completed the plasma process in the first process chamber 200 is conveyed to the outside. Allow the flexible substrate 20 to be transferred to the buffer chamber 400.

제2기판 반송 롤러(130)는 버퍼 챔버(400)의 입구 측에 인접하도록 설치된 제2A기판 반송 롤러(131)와, 버퍼 챔버의 출구 측에 인접하도록 설치된 제2B기판 반송 롤러(132)를 포함한다. The second substrate conveying roller 130 includes a second A substrate conveying roller 131 provided to be adjacent to the inlet side of the buffer chamber 400 and a second B substrate conveying roller 132 provided to be adjacent to the outlet side of the buffer chamber. do.

제2A기판 반송 롤러(131)는 가요성 기판(20)이 투입되는 버퍼 챔버(400)의 입구 측에 인접하도록 설치되어 제1B기판 반송 롤러(122)를 통과한 가요성 기판(20)이 버퍼 챔버(400)로 반송되도록 한다. The 2A substrate transfer roller 131 is installed to be adjacent to the inlet side of the buffer chamber 400 into which the flexible substrate 20 is inserted, so that the flexible substrate 20 that has passed through the 1B substrate transfer roller 122 is buffered. To be conveyed to the chamber 400.

제2B기판 반송 롤러(132)는 버퍼 챔버에서 속도 조절된 가요성 기판(20)이 외부로 반송되는 버퍼 챔버(400)의 출구 측에 인접하도록 설치되어 가요성 기판(20)이 제2공정 챔버(300)로 반송되도록 한다. The 2B substrate conveying roller 132 is installed to be adjacent to the outlet side of the buffer chamber 400 in which the flexible substrate 20 regulated in the buffer chamber is conveyed to the outside so that the flexible substrate 20 is the second process chamber. To be returned to 300.

제3기판 반송 롤러(140)는 제2공정 챔버(300)의 기판 로딩부에 인접하도록 설치된 제3A기판 반송 롤러(141)와, 제2공정 챔버(300)의 기판 언로딩부에 인접하도록 설치된 제3B기판 반송 롤러(142)를 포함한다. The third substrate conveying roller 140 is provided to be adjacent to the 3A substrate conveying roller 141 provided to adjoin the substrate loading portion of the second process chamber 300 and the substrate unloading portion of the second process chamber 300. 3B substrate conveyance roller 142 is included.

제3A기판 반송 롤러(141)는 가요성 기판(20)이 투입되는 제2공정 챔버(300)의 기판 로딩부에 인접하도록 설치되어 제2B기판 반송 롤러(132)를 통과한 가요성 기판(20)이 제2공정 챔버(300)로 반송되도록 한다. The 3A substrate transfer roller 141 is installed to be adjacent to the substrate loading portion of the second process chamber 300 into which the flexible substrate 20 is inserted, and then passes through the 2B substrate transfer roller 132. ) Is conveyed to the second process chamber 300.

제3B기판 반송 롤러(142)는 제2공정 챔버(300) 내에서 플라즈마 공정이 완료된 가요성 기판(20)이 외부로 반송되는 제2공정 챔버(300)의 기판 언로딩부에 인접하도록 설치되어 가요성 기판(20)이 기판 회수 롤러(150)로 반송되도록 한다. The 3B substrate conveying roller 142 is installed to be adjacent to the substrate unloading part of the second process chamber 300, in which the flexible substrate 20 having completed the plasma process in the second process chamber 300 is conveyed to the outside. Allow the flexible substrate 20 to be conveyed to the substrate recovery roller 150.

기판 회수 롤러(150)는 외곽 챔버(100)의 타측에 설치된다. 이러한, 기판 회수 롤러(150)는 기판 피딩 롤러(110)의 회전에 연동되어 제1 및 제2공정 챔버(200,300)에 의해 공정이 완료된 가요성 기판(20)을 회수한다. The substrate recovery roller 150 is installed at the other side of the outer chamber 100. The substrate recovery roller 150 recovers the flexible substrate 20 in which the process is completed by the first and second process chambers 200 and 300 in conjunction with the rotation of the substrate feeding roller 110.

공정 챔버(200,300)는 기판 피딩 롤러(110)에 인접하게 설치되어 가요성 기판(20)에 제1박막을 형성하는 제1공정 챔버(200)와, 기판 회수 롤러(150)에 인접하게 설치되어 가요성 기판(20)에 제2박막을 형성하는 제2공정 챔버(300)를 포함한다. The process chambers 200 and 300 are provided adjacent to the substrate feeding roller 110 to be adjacent to the first process chamber 200 and the substrate recovery roller 150 to form a first thin film on the flexible substrate 20. A second process chamber 300 for forming a second thin film on the flexible substrate 20 is included.

제1공정 챔버(200)는 기판 피딩 롤러(110)에 인접하게 설치되어 플라즈마 공정을 통해 가요성 기판(20) 상에 제1박막을 형성하기 위한 공정 공간을 제공한다. 이를 위해, 제1공정 챔버(200)는 제1하부 챔버(210), 제1상부 챔버(220), 제1기밀 부재(230)를 포함하여 구성된다. The first process chamber 200 is installed adjacent to the substrate feeding roller 110 to provide a process space for forming the first thin film on the flexible substrate 20 through a plasma process. To this end, the first process chamber 200 includes a first lower chamber 210, a first upper chamber 220, and a first hermetic member 230.

제1하부 챔버(210)는 기판 피딩 롤러(110)에 인접한 외곽 챔버(100)의 바닥면에 설치된다. The first lower chamber 210 is installed on the bottom surface of the outer chamber 100 adjacent to the substrate feeding roller 110.

제1상부 챔버(220)는 제1하부 챔버(210)를 덮도록 제1하부 챔버(210) 상에 설치되어 공정 공간을 제공한다. The first upper chamber 220 is installed on the first lower chamber 210 to cover the first lower chamber 210 to provide a process space.

제1기밀 부재(230)는 제1공정 챔버(200)의 기판 로딩부에 대응되게 설치되는 제1A기밀 부재(231)와, 제1공정 챔버(200)의 기판 언로딩부에 대응되게 설치되는 제1B기밀 부재(232)를 포함한다. The first hermetic member 230 is provided to correspond to the first A hermetic member 231 installed corresponding to the substrate loading part of the first process chamber 200 and the substrate unloading part of the first process chamber 200. A first B hermetic member 232 is included.

제1A기밀 부재(231)는 제1공정 챔버(200)의 기판 로딩부에 대응되는 제1하부 챔버(210)와 제1상부 챔버(220)의 일측 경계부에 설치된다. The first A-sealing member 231 is installed at one boundary of the first lower chamber 210 and the first upper chamber 220 corresponding to the substrate loading portion of the first process chamber 200.

이러한, 제1A기밀 부재(231)는 기판 로딩부에 위치한 가요성 기판(20)의 상면과 제1상부 챔버(220) 사이를 기밀함과 동시에 가요성 기판(20)의 하면과 제1하부 챔버(210) 사이를 기밀한다. The first A hermetic member 231 hermetically seals between the upper surface of the flexible substrate 20 and the first upper chamber 220 positioned in the substrate loading portion, and at the same time, the lower surface of the flexible substrate 20 and the first lower chamber. It is confidential between 210.

제1B기밀 부재(232)는 제1공정 챔버(200)의 기판 언로딩부에 대응되는 제1하부 챔버(210)와 제1상부 챔버(220)의 타측 경계부에 설치된다. The first B airtight member 232 is installed at the other boundary of the first lower chamber 210 and the first upper chamber 220 corresponding to the substrate unloading portion of the first process chamber 200.

이러한, 제1B기밀 부재(232)는 기판 언로딩부에 위치한 가요성 기판(20)의 상면과 제1상부 챔버(220) 사이를 기밀함과 동시에 가요성 기판(20)의 하면과 제1하부 챔버(210) 사이를 기밀한다. The first B hermetic member 232 seals between the upper surface of the flexible substrate 20 and the first upper chamber 220 positioned at the substrate unloading portion, and at the same time the lower surface and the first lower portion of the flexible substrate 20. It is hermetically sealed between the chambers 210.

이러한, 제1공정 챔버(200)의 내부 압력은 복수의 제1펌핑 장치(240)에 의해 소정의 압력으로 낮아진 상태를 유지한다. The internal pressure of the first process chamber 200 is maintained at a predetermined pressure by the plurality of first pumping devices 240.

제1기판 지지 롤러(250)는 제1공정 챔버(200)의 공정 공간에 회전 가능하도록 설치되어 제1샤워 헤드(260)와 마주보도록 반송되는 가요성 기판(20)을 지지한다. 이를 위해, 제1기판 지지 롤러(250)는 원 기둥 또는 드럼 형태를 가지도록 형성된다. The first substrate support roller 250 is rotatably installed in the process space of the first process chamber 200 to support the flexible substrate 20 conveyed to face the first shower head 260. To this end, the first substrate supporting roller 250 is formed to have a circular column or drum shape.

한편, 제1기판 지지 롤러(250)의 일측에는 가요성 기판(20)이 제1기판 지지 롤러(250)의 원주곡면으로 반송되도록 안내하는 제1A가이드 롤러(251)가 설치되고, 제1기판 지지 롤러(250)의 타측에는 가요성 기판(20)이 제1기판 지지 롤러(250)의 원주곡면으로부터 외부로 반송되도록 안내하는 제1B가이드 롤러(252)가 설치된다. 이에 따라, 제1공정 챔버(200)의 내부로 반송되는 가요성 기판(20)은 제1A 및 제1B가이드 롤러(251,252)에 의해 제1기판 지지 롤러(250)의 원주곡면을 따라 제1샤워 헤드(260)와 대향되도록 반송되거나 외부로 반송된다. On the other hand, one side of the first substrate support roller 250 is provided with a first A guide roller 251 for guiding the flexible substrate 20 to be conveyed to the circumferential surface of the first substrate support roller 250, the first substrate On the other side of the support roller 250, a first B guide roller 252 is installed to guide the flexible substrate 20 to the outside from the circumferential surface of the first substrate support roller 250. Accordingly, the flexible substrate 20 conveyed into the first process chamber 200 has a first shower along the circumferential surface of the first substrate supporting roller 250 by the first and second guide rollers 251 and 252. It is conveyed to face the head 260 or conveyed to the outside.

제1샤워 헤드(260)는 제1기판 지지 롤러(250)의 원주곡면에 대향되는 곡면을 가지도록 제1공정 챔버(200)의 내부에 설치되어 제1기판 지지 롤러(250)의 원주곡면에 대향된다. The first shower head 260 is installed in the first process chamber 200 so as to have a curved surface opposite to the circumferential surface of the first substrate support roller 250, so that the first shower head 260 may be disposed on the circumferential surface of the first substrate support roller 250. Opposite.

제1샤워 헤드(260)에는 가요성 기판(20) 상에 제1박막을 형성하기 위한 제1공정 가스가 공급되고, 제1공정 가스를 플라즈마로 변환하기 위한 고주파 전력이 공급된다. 이때, 제1공정 가스는 Ar, CF4 등으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않고, 가요성 기판(20) 상에 형성될 박막의 재질에 따라 다양하게 변경될 수 있다. The first shower head 260 is supplied with a first process gas for forming a first thin film on the flexible substrate 20, and a high frequency power for converting the first process gas into plasma. In this case, the first process gas may be formed of Ar, CF4, or the like, but is not limited thereto and may be variously changed according to the material of the thin film to be formed on the flexible substrate 20.

이러한, 제1샤워 헤드(260)는 제1공정 가스를 가요성 기판(20) 상으로 분사함으로써 고주파 전력에 의해 제1공정 가스가 플라즈마 상태로 변환되도록 한다. 이를 위해, 제1샤워 헤드(260)는, 제1몸체(261), 제1가스 공급관(262), 제1가스 분사 홀(263), 제1배플(264)을 포함하여 구성된다. The first shower head 260 injects the first process gas onto the flexible substrate 20 to convert the first process gas into a plasma state by high frequency power. To this end, the first shower head 260 is configured to include a first body 261, a first gas supply pipe 262, a first gas injection hole 263, and a first baffle 264.

제1몸체(261)는 제1기판 지지 롤러(250)의 원주곡면에 대응되는 곡면을 포함하도록 아치 형태로 형성된다. The first body 261 is formed in an arch shape to include a curved surface corresponding to the circumferential surface of the first substrate support roller 250.

이러한, 제1몸체(261)에는 제1가스 공급관(262)을 통해 외부로부터 고주파 전력이 공급된다. 여기서, 제1몸체(261)는 알루미늄 이외의 전극용 재질로 형성될 수 있다. The high frequency power is supplied to the first body 261 from the outside through the first gas supply pipe 262. Here, the first body 261 may be formed of an electrode material other than aluminum.

제1가스 공급관(262)은 제1몸체(261)에 연통되도록 접속되어 외부로부터 공급되는 제1공정 가스를 제1배플(264)로 공급한다. The first gas supply pipe 262 is connected to communicate with the first body 261 to supply the first process gas supplied from the outside to the first baffle 264.

제1가스 분사 홀(263)은 제1몸체(261)의 곡면에 형성되어 제1배플(264)에 의해 균일하게 분배되어 공급되는 제1공정 가스를 가요성 기판(20) 쪽으로 분사한다. 이때, 제1가스 분사 홀(263) 각각은 제1공정 가스가 가요성 기판(20)에 균일하게 분사되도록 제1몸체(261)의 곡면에 일정한 간격 또는 소정 간격으로 형성된다. The first gas injection hole 263 is formed on the curved surface of the first body 261 to inject the first process gas uniformly distributed and supplied by the first baffle 264 toward the flexible substrate 20. In this case, each of the first gas injection holes 263 is formed at a predetermined interval or at a predetermined interval on the curved surface of the first body 261 so that the first process gas is uniformly sprayed on the flexible substrate 20.

제1배플(264)은 제1가스 공급관(262)에 연통되도록 제1몸체(261)의 내부에 형성되어 제1공정 가스가 제1가스 분사 홀(263)을 통해 균일하게 분사되도록 제1가스 공급관(262)으로부터 공급되는 제1공정 가스를 균일하게 분배한다. 이러한, 제1배플(264)에는 제1가스 분사 홀(263) 각각에 공급되는 공정 가스의 공급 경로를 균일하게 하기 위한 제1패스 홀(265)이 소정 간격 또는 각기 다른 간격으로 형성된다.The first baffle 264 is formed inside the first body 261 so as to communicate with the first gas supply pipe 262 so that the first process gas is uniformly sprayed through the first gas injection hole 263. The first process gas supplied from the supply pipe 262 is uniformly distributed. In the first baffle 264, first pass holes 265 are formed at predetermined intervals or at different intervals to uniformize a supply path of the process gas supplied to each of the first gas injection holes 263.

제1롤러 구동부(270)는 제1롤러 구동축(271), 제1승강 플레이트(272), 제1벨로우즈(273)를 포함하여 구성된다. The first roller driver 270 includes a first roller drive shaft 271, a first elevating plate 272, and a first bellows 273.

제1롤러 구동축(271)은 제1기판 지지 롤러(250)를 회전 가능하게 지지하도록 제1공정 챔버(200)의 제1하부 챔버(210)를 관통하여 설치된다. 이러한, 제1롤러 구동축(271)은 롤러 구동 장치(미도시)의 구동에 따라 제1기판 지지 롤러(250)를 연속적으로 소정 각도로 회전시킨다. The first roller drive shaft 271 is installed through the first lower chamber 210 of the first process chamber 200 to rotatably support the first substrate support roller 250. The first roller drive shaft 271 rotates the first substrate support roller 250 continuously at a predetermined angle in accordance with the driving of the roller driving device (not shown).

제1승강 플레이트(272)는 제1롤러 구동축(271)의 단부에 접속되어 제1롤러 승강 장치(미도시)의 구동에 따라 제1롤러 구동축(271)을 소정 높이로 승강시킨다.The first elevating plate 272 is connected to an end of the first roller drive shaft 271 to elevate the first roller drive shaft 271 to a predetermined height in accordance with the driving of the first roller elevating device (not shown).

제1벨로우즈(273)는 제1롤러 구동축(271)이 관통되는 제1하부 챔버(210)의 관통 부분을 밀봉하도록 제1승강 플레이트(272)와 제1하부 챔버(210) 사이에 설치된다. The first bellows 273 is installed between the first elevating plate 272 and the first lower chamber 210 to seal the through portion of the first lower chamber 210 through which the first roller drive shaft 271 penetrates.

이러한, 제1롤러 구동부(270)는 제1공정 챔버(200)의 공정 상태에 따라 제1기판 지지 롤러(250)를 회전시킨다. 또한, 제1롤러 구동부(270)는, 제1기판 지지 롤러(250)를 소정 높이로 승강시켜 가요성 기판(20)에 형성되는 박막의 재질에 따라 가요성 기판(20)과 제1샤워 헤드(260) 간의 거리를 조절한다. The first roller driver 270 rotates the first substrate support roller 250 according to the process state of the first process chamber 200. In addition, the first roller driver 270 raises and lowers the first substrate support roller 250 to a predetermined height, so that the flexible substrate 20 and the first shower head are made of a thin film formed on the flexible substrate 20. Adjust the distance between (260).

제1기판 가열 부재(280)는 제1기판 지지 롤러(250)에 인접하도록 제1하부 챔버(210)에 설치되어 제1기판 지지 롤러(250)를 소정 온도로 가열함으로써 가열된 제1기판 지지 롤러(250)를 통해 가요성 기판(20)을 간접적으로 가열한다. The first substrate heating member 280 is installed in the first lower chamber 210 so as to be adjacent to the first substrate supporting roller 250 to support the first substrate heated by heating the first substrate supporting roller 250 to a predetermined temperature. The flexible substrate 20 is indirectly heated through the roller 250.

제2공정 챔버(300)는 기판 회수 롤러(150)에 인접하게 설치되어 플라즈마 공정을 통해 가요성 기판(20) 상에 제2박막을 형성하기 위한 공정 공간을 제공한다. 이를 위해, 제2공정 챔버(300)는 제2하부 챔버(310), 제2상부 챔버(320), 제2기밀 부재(330)를 포함하여 구성된다. The second process chamber 300 is provided adjacent to the substrate recovery roller 150 to provide a process space for forming a second thin film on the flexible substrate 20 through a plasma process. To this end, the second process chamber 300 includes a second lower chamber 310, a second upper chamber 320, and a second hermetic member 330.

제2하부 챔버(310)는 기판 회수 롤러(150)에 인접한 외곽 챔버(100)의 바닥면에 설치된다. The second lower chamber 310 is installed on the bottom surface of the outer chamber 100 adjacent to the substrate recovery roller 150.

제2상부 챔버(320)는 제2하부 챔버(310)를 덮도록 제2하부 챔버(310) 상에 설치되어 공정 공간을 제공한다.The second upper chamber 320 is installed on the second lower chamber 310 to cover the second lower chamber 310 to provide a process space.

제2기밀 부재(330)는 제2공정 챔버(300)의 기판 로딩부에 대응되게 설치되는 제2A기밀 부재(331)와, 제2공정 챔버(300)의 기판 언로딩부에 대응되게 설치되는 제2B기밀 부재(332)를 포함한다.The second hermetic member 330 is provided to correspond to the second A hermetic member 331 installed to correspond to the substrate loading part of the second process chamber 300 and the substrate unloading part of the second process chamber 300. A second B hermetic member 332 is included.

제2A기밀 부재(331)는 제2공정 챔버(300)의 기판 로딩부에 대응되는 제2하부 챔버(310)와 제2상부 챔버(320)의 일측 경계부에 설치된다. The second A hermetic member 331 is installed at one boundary of the second lower chamber 310 and the second upper chamber 320 corresponding to the substrate loading portion of the second process chamber 300.

이러한, 제2A기밀 부재(331)는 기판 로딩부에 위치한 가요성 기판(20)의 상면과 제2상부 챔버(320) 사이를 기밀함과 동시에 가요성 기판(20)의 하면과 제2하부 챔버(310) 사이를 기밀한다. The second A hermetic member 331 is hermetically sealed between the upper surface of the flexible substrate 20 and the second upper chamber 320 positioned at the substrate loading portion, and at the same time, the lower surface of the flexible substrate 20 and the second lower chamber. It is confidential between 310.

제2B기밀 부재(332)는 제2공정 챔버(300)의 기판 언로딩부에 대응되는 제2하부 챔버(310)와 제2상부 챔버(320)의 타측 경계부에 설치된다. The second B hermetic member 332 is installed at the other boundary of the second lower chamber 310 and the second upper chamber 320 corresponding to the substrate unloading portion of the second process chamber 300.

이러한, 제2B기밀 부재(332)는 기판 언로딩부에 위치한 가요성 기판(20)의 상면과 제2상부 챔버(320) 사이를 기밀함과 동시에 가요성 기판(20)의 하면과 제2하부 챔버(310) 사이를 기밀한다. The second B hermetic member 332 seals between the upper surface of the flexible substrate 20 and the second upper chamber 320 positioned at the substrate unloading portion, and at the same time, the lower surface and the second lower portion of the flexible substrate 20. It is hermetically sealed between the chambers 310.

이러한, 제2공정 챔버(300)의 내부 압력은 복수의 제2펌핑 장치(340)에 의해 소정의 압력으로 낮아진 상태를 유지한다. The internal pressure of the second process chamber 300 is maintained at a predetermined pressure by the plurality of second pumping devices 340.

제2기판 지지 롤러(350)는 제2공정 챔버(300)의 공정 공간에 회전 가능하도록 설치되어 제2샤워 헤드(360)와 마주보도록 반송되는 가요성 기판(20)을 지지한다. 이를 위해, 제2기판 지지 롤러(350)는 원 기둥 또는 드럼 형태를 가지도록 형성된다. The second substrate support roller 350 is installed to be rotatable in the process space of the second process chamber 300 to support the flexible substrate 20 conveyed to face the second shower head 360. To this end, the second substrate support roller 350 is formed to have a circular column or drum shape.

한편, 제2기판 지지 롤러(350)의 일측에는 가요성 기판(20)이 제2기판 지지 롤러(350)의 원주곡면으로 반송되도록 안내하는 제2A가이드 롤러(351)가 설치되고, 제2기판 지지 롤러(350)의 타측에는 가요성 기판(20)이 제2기판 지지 롤러(350)의 원주곡면으로부터 외부로 반송되도록 안내하는 제2B가이드 롤러(352)가 설치된다. 이에 따라, 제2공정 챔버(300)의 내부로 반송되는 가요성 기판(20)은 제2A 및 제2B가이드 롤러(351,352)에 의해 제2기판 지지 롤러(350)의 원주곡면을 따라 제2샤워 헤드(360)와 대향되도록 반송되거나 외부로 반송된다. On the other hand, one side of the second substrate support roller 350 is provided with a second A guide roller 351 for guiding the flexible substrate 20 to be conveyed to the circumferential surface of the second substrate support roller 350, the second substrate On the other side of the support roller 350, a second B guide roller 352 is provided to guide the flexible substrate 20 to the outside from the circumferential curved surface of the second substrate support roller 350. Accordingly, the flexible substrate 20 conveyed into the second process chamber 300 has a second shower along the circumferential surface of the second substrate support roller 350 by the 2A and 2B guide rollers 351 and 352. It is conveyed to face the head 360 or conveyed to the outside.

제2샤워 헤드(360)는 제2기판 지지 롤러(350)의 원주곡면에 대향되는 곡면을 가지도록 제2공정 챔버(300)의 내부에 설치되어 제2기판 지지 롤러(350)의 원주곡면에 대향된다. The second shower head 360 is installed inside the second process chamber 300 so as to have a curved surface opposite to the circumferential surface of the second substrate support roller 350, and thus, on the circumferential surface of the second substrate support roller 350. Opposite.

제2샤워 헤드(360)에는 가요성 기판(20) 상에 박막을 형성하기 위한 제2공정 가스가 공급되고, 제2공정 가스를 플라즈마로 변환하기 위한 고주파 전력이 공급된다. 이때, 제2공정 가스는 Ar, CF4 등으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않고, 가요성 기판(20) 상에 형성될 박막의 재질에 따라 다양하게 변경될 수 있다. The second shower head 360 is supplied with a second process gas for forming a thin film on the flexible substrate 20 and a high frequency power for converting the second process gas into plasma. In this case, the second process gas may be formed of Ar, CF4, or the like, but is not limited thereto and may be variously changed according to the material of the thin film to be formed on the flexible substrate 20.

이러한, 제2샤워 헤드(360)는 제2공정 가스를 가요성 기판(20) 상으로 분사함으로써 고주파 전력에 의해 공정 가스가 플라즈마 상태로 변환되도록 한다. 이를 위해, 제2샤워 헤드(360)는, 제2몸체(361), 제2가스 공급관(362), 제2가스 분사 홀(363), 제2배플(364)을 포함하여 구성된다. The second shower head 360 injects the second process gas onto the flexible substrate 20 to convert the process gas into a plasma state by high frequency power. To this end, the second shower head 360 includes a second body 361, a second gas supply pipe 362, a second gas injection hole 363, and a second baffle 364.

제2몸체(361)는 제2기판 지지 롤러(350)의 원주곡면에 대응되는 곡면을 포함하도록 아치 형태로 형성된다. The second body 361 is formed in an arch shape to include a curved surface corresponding to the circumferential surface of the second substrate support roller 350.

이러한, 제2몸체(361)에는 제2가스 공급관(362)을 통해 외부로부터 고주파 전력이 공급된다. 여기서, 제2몸체(361)는 알루미늄 이외의 전극용 재질로 형성될 수 있다.The second body 361 is supplied with high frequency power from the outside through the second gas supply pipe 362. Here, the second body 361 may be formed of an electrode material other than aluminum.

제2가스 공급관(362)은 제2몸체(361)에 연통되도록 접속되어 외부로부터 공급되는 제2공정 가스를 제2배플(364)로 공급한다.The second gas supply pipe 362 is connected to communicate with the second body 361 to supply the second process gas supplied from the outside to the second baffle 364.

제2가스 분사 홀(363)은 제2몸체(361)의 곡면에 형성되어 제2배플(364)에 의해 균일하게 분배되어 공급되는 제2공정 가스를 가요성 기판(20) 쪽으로 분사한다. 이때, 제2가스 분사 홀(363) 각각은 제2공정 가스가 가요성 기판(20)에 균일하게 분사되도록 제2몸체(361)의 곡면에 일정한 간격 또는 소정 간격으로 형성된다.The second gas injection hole 363 is formed on the curved surface of the second body 361 to inject the second process gas uniformly distributed and supplied by the second baffle 364 toward the flexible substrate 20. In this case, each of the second gas injection holes 363 is formed at a predetermined interval or at a predetermined interval on the curved surface of the second body 361 so that the second process gas is uniformly injected onto the flexible substrate 20.

제2배플(364)은 제2가스 공급관(362)에 연통되도록 제2몸체(361)의 내부에 형성되어 제2공정 가스가 제2가스 분사 홀(363)을 통해 균일하게 분사되도록 제2가스 공급관(362)으로부터 공급되는 제2공정 가스를 균일하게 분배한다. 이러한, 제2배플(364)에는 제2가스 분사 홀(363) 각각에 공급되는 제2공정 가스의 공급 경로를 균일하게 하기 위한 제2패스 홀(365)이 소정 간격 또는 각기 다른 간격으로 형성된다.The second baffle 364 is formed inside the second body 361 so as to communicate with the second gas supply pipe 362 so that the second process gas is uniformly sprayed through the second gas injection hole 363. The second process gas supplied from the supply pipe 362 is evenly distributed. In the second baffle 364, second pass holes 365 are formed at predetermined intervals or at different intervals to uniformly supply the second process gas supplied to the second gas injection holes 363. .

제2롤러 구동부(370)는 제2롤러 구동축(371), 제2승강 플레이트(372), 제2벨로우즈(373)를 포함하여 구성된다. The second roller driver 370 includes a second roller drive shaft 371, a second lifting plate 372, and a second bellows 373.

제2롤러 구동축(371)은 제2기판 지지 롤러(350)를 회전 가능하게 지지하도록 제2공정 챔버(300)의 제2하부 챔버(310)를 관통하여 설치된다. 이러한, 제2롤러 구동축(371)은 롤러 구동 장치(미도시)의 구동에 따라 제2기판 지지 롤러(350)를 연속적으로 소정 각도로 회전시킨다. The second roller drive shaft 371 is installed through the second lower chamber 310 of the second process chamber 300 to rotatably support the second substrate support roller 350. The second roller drive shaft 371 continuously rotates the second substrate support roller 350 at a predetermined angle according to the driving of the roller driving device (not shown).

제2승강 플레이트(372)는 제2롤러 구동축(371)의 단부에 접속되어 제2롤러 승강 장치(미도시)의 구동에 따라 제2롤러 구동축(371)을 소정 높이로 승강시킨다.The second elevating plate 372 is connected to an end of the second roller drive shaft 371 to elevate the second roller drive shaft 371 to a predetermined height in accordance with the driving of the second roller elevating device (not shown).

제2벨로우즈(373)는 제2롤러 구동축(371)이 관통되는 제2하부 챔버(310)의 관통 부분을 밀봉하도록 제2승강 플레이트(372)와 제2하부 챔버(310) 사이에 설치된다. The second bellows 373 is installed between the second lifting plate 372 and the second lower chamber 310 to seal the through portion of the second lower chamber 310 through which the second roller drive shaft 371 passes.

이러한, 제2롤러 구동부(370)는 제2공정 챔버(300)의 공정 상태에 따라 제2기판 지지 롤러(350)를 회전시킨다. 또한, 제2롤러 구동부(370)는, 제2기판 지지 롤러(350)를 소정 높이로 승강시켜 가요성 기판(20)에 형성되는 박막의 재질에 따라 가요성 기판(20)과 제2샤워 헤드(360) 간의 거리를 조절한다. The second roller driver 370 rotates the second substrate support roller 350 according to the process state of the second process chamber 300. In addition, the second roller driving unit 370 raises and lowers the second substrate supporting roller 350 to a predetermined height, and according to the material of the thin film formed on the flexible substrate 20, the flexible substrate 20 and the second shower head. Adjust the distance between 360.

제2기판 가열 부재(380)는 제2기판 지지 롤러(350)에 인접하도록 제2하부 챔버(310)에 설치되어 제2기판 지지 롤러(350)를 소정 온도로 가열함으로써 가열된 제2기판 지지 롤러(350)를 통해 가요성 기판(20)을 간접적으로 가열한다. The second substrate heating member 380 is installed in the second lower chamber 310 so as to be adjacent to the second substrate supporting roller 350 to support the second substrate heated by heating the second substrate supporting roller 350 to a predetermined temperature. The flexible substrate 20 is indirectly heated through the roller 350.

본 발명의 실시예에 따른 박막형 태양전지 제조장치(10)는, 제1공정 챔버(200)와 제2공정 챔버(300)의 사이에서 제1공정 챔버(200)에서 연속적으로 반출되는 가요성 기판(20)의 속도를 조절하여 제2공정 챔버(300)로 반입하기 위한 버퍼 챔버(400)를 포함하여 구성된다. In the thin film type solar cell manufacturing apparatus 10 according to the embodiment of the present invention, the flexible substrate is continuously transported from the first process chamber 200 between the first process chamber 200 and the second process chamber 300. It is configured to include a buffer chamber 400 for bringing into the second process chamber 300 by adjusting the speed of the (20).

제1공정 챔버(200)에서 연속적으로 제공되는 가요성 기판(20)은 소정의 위치에서 버퍼 챔버(400)에 반입된다. The flexible substrate 20 continuously provided in the first process chamber 200 is loaded into the buffer chamber 400 at a predetermined position.

가요성 기판(20)의 연속적인 증착 공정 시, 제1공정 챔버(200)에서 제1박막이 증착되는 시간과 제2공정 챔버(300)에서 제2박막이 증착되는 시간이 상이한 경우 일정 시간을 정지해야 하는 등 연속 공정을 수행할 수 없게 되는데, 본 발명의 실시예에 따른 버퍼 챔버(400)는 제1공정 챔버(200)와 제2공정 챔버(300)에서 전체적인 공정의 연속 흐름을 맞추기 위하여 이송 방향의 수직 방향으로 승강하여 가요성 기판(20)의 반출 속도를 조절한다. In the continuous deposition process of the flexible substrate 20, when the time that the first thin film is deposited in the first process chamber 200 and the time when the second thin film is deposited in the second process chamber 300 is different, It is not possible to perform a continuous process such as to stop, the buffer chamber 400 according to an embodiment of the present invention in order to match the continuous flow of the entire process in the first process chamber 200 and the second process chamber 300 The lifting speed of the flexible substrate 20 is adjusted by lifting in the vertical direction of the transfer direction.

버퍼 챔버(400)는, 가요성 기판(20)의 변위차 발생을 통하여 연속적으로 반출되는 가요성 기판(20)의 속도를 조절하는 적어도 하나 이상의 위치 가변 롤러(410)를 포함하여 구성되는데, 이러한 위치 가변 롤러(410)는, 가요성 기판(20)의 이송 방향의 수직 방향으로 변위차를 발생시킨다. The buffer chamber 400 includes at least one variable position roller 410 that adjusts the speed of the flexible substrate 20 continuously carried out through the displacement difference generation of the flexible substrate 20. The variable position roller 410 generates a displacement difference in the vertical direction of the conveyance direction of the flexible substrate 20.

또한, 버퍼 챔버(400)는, 제1공정 챔버(200)에 인접하도록 버퍼 챔버(400)의 내부 일측에 고정 위치되는 제1고정 롤러(420)와, 제2공정 챔버(300)에 인접하도록 위치 가변 롤러(410)를 사이에 두고 버퍼 챔버(400)의 내부 타측에 고정 위치되는 제2고정 롤러(430)를 포함하여 구성된다. In addition, the buffer chamber 400 includes a first fixing roller 420 fixedly positioned at one side of the buffer chamber 400 to be adjacent to the first process chamber 200, and to be adjacent to the second process chamber 300. The second fixed roller 430 is fixedly positioned on the other side of the buffer chamber 400 with the variable position roller 410 therebetween.

구체적으로 설명하면, 제1공정 챔버(200)와 제2공정 챔버(300) 사이에 배치된 버퍼 챔버(400)에는 제1고정 롤러(420)와 제2고정 롤러(430)가 형성되는데, 제1고정 롤러(420)와 제2고정 롤러(430)는 가요성 기판(20)이 버퍼 챔버(400) 내부로 반입되어 반출되는 과정에서 그 위치가 고정되는 고정 롤러다. Specifically, the first fixing roller 420 and the second fixing roller 430 are formed in the buffer chamber 400 disposed between the first process chamber 200 and the second process chamber 300. The first fixing roller 420 and the second fixing roller 430 are fixed rollers whose positions are fixed while the flexible substrate 20 is carried in and taken out of the buffer chamber 400.

그리고, 제1고정 롤러(420)와 제2고정 롤러(430) 사이에는 가요성 기판(20)의 이송 방향의 수직 방향으로 승강하는 위치 가변 롤러(410)가 형성된다. 위치 가변 롤러(410)는 적어도 하나 이상으로 형성될 수 있으며, 도면에서는 참고적으로 4개를 도시하고 있을 뿐이며, 하나 또는 복수로 형성될 수 있음은 물론이다. In addition, between the first fixing roller 420 and the second fixing roller 430, a variable position roller 410 which is elevated in the vertical direction of the transfer direction of the flexible substrate 20 is formed. The variable position roller 410 may be formed of at least one, and only four are shown in the drawings for reference, and may be formed in one or a plurality.

도면을 참조하면, 위치 가변 롤러(410)는 제1고정 롤러(420)와 제2고정 롤러(430)의 중심선(L)을 기준으로 승강 변위가 변화된다. 여기서, 중심선(L)은 제1고정 롤러(420)와 제2고정 롤러(430)의 이송 방향에 대한 수직 변위의 평균값이다.Referring to the drawings, the position-variable roller 410 is a lift displacement is changed based on the center line (L) of the first fixed roller 420 and the second fixed roller 430. Here, the center line L is an average value of the vertical displacement with respect to the conveying direction of the first fixing roller 420 and the second fixing roller 430.

이러한 제1고정 롤러(420)는, 수직 변위의 평균값인 중심선(L)에 위치하는 제1A고정 롤러(421)와, 제1A고정 롤러(421)의 하측에 위치하는 제1B고정 롤러(422)와, 제1A고정 롤러(421)의 상측에 위치하는 제1C고정 롤러(423)를 포함할 수 있다.The first fixing roller 420 includes a first A fixing roller 421 located at the center line L, which is an average value of vertical displacement, and a first B fixing roller 422 located below the first A fixing roller 421. And a first C fixing roller 423 positioned above the first A fixing roller 421.

그리고, 제2고정 롤러(430)는, 수직 변위의 평균값인 중심선(L)에 위치하는 제2A고정 롤러(431)와, 제2A고정 롤러(431)의 하측에 위치하는 제2B고정 롤러(432)와, 제2A고정 롤러(431)의 상측에 위치하는 제2C고정 롤러(433)를 포함할 수 있다.The second fixing roller 430 has a second A fixing roller 431 located at the center line L, which is an average value of the vertical displacements, and a second B fixing roller 432 located below the second A fixing roller 431. ) And a second C fixing roller 433 positioned above the second A fixing roller 431.

제1A고정 롤러(421)와 제2A고정 롤러(431)의 중심선(L)을 기준으로 제1위치 가변 롤러(411)는 하측으로 승강 변위가 변화되며, 제2위치 가변 롤러(412)는 제1고정 롤러(420)와 제2고정 롤러(430)의 중심선(L)을 기준으로 상측으로 승강 변위가 변화된다.Lifting displacement of the first variable position roller 411 is changed downward based on the center line L of the first A fixed roller 421 and the second A fixed roller 431. Lifting displacement is changed upward based on the center line L of the first fixing roller 420 and the second fixing roller 430.

따라서, 제1공정 챔버(200)에서 제2공정 챔버(300)로 가요성 기판(20)의 반출 속도를 감소할 경우에는 제1위치 가변 롤러(411)는 하측 방향으로 이동하고, 제2위치 가변 롤러(412)는 상측 방향으로 이동한다. 이로써, 제1위치 가변 롤러(411)와 제2위치 가변 롤러(412) 사이의 수직 변위차를 증가시킴으로써, 가요성 기판(20)의 반출 속도가 감속함에 따라 가요성 기판(20)이 급작스럽게 쳐지는 것을 방지한다. Therefore, when the carrying-out speed of the flexible substrate 20 is reduced from the first process chamber 200 to the second process chamber 300, the first position variable roller 411 moves downward, and the second position The variable roller 412 moves in the upward direction. Thus, by increasing the vertical displacement difference between the first variable position roller 411 and the second variable position roller 412, the flexible substrate 20 abruptly abruptly as the carrying speed of the flexible substrate 20 decreases. Prevents drooping

또한, 제1공정 챔버(200)에서 제2공정 챔버(300)로 가요성 기판(20)의 반출 속도를 증가할 경우에는 제1위치 가변 롤러(411)는 상측 방향으로 이동하고, 제2위치 가변 롤러(412)는 하측 방향으로 이동한다. 이로써, 제1위치 가변 롤러(411)와 제2위치 가변 롤러(412)간의 수직 변위차를 줄임으로써, 가요성 기판(20)의 반출 속도가 가속함에 따라 가요성 기판(20)이 급작스럽게 당겨지는 것을 방지한다. In addition, when increasing the carrying speed of the flexible substrate 20 from the first process chamber 200 to the second process chamber 300, the first position variable roller 411 moves in the upward direction, and the second position The variable roller 412 moves downward. Thus, by reducing the vertical displacement difference between the first variable position roller 411 and the second variable position roller 412, the flexible substrate 20 is suddenly pulled out as the carrying speed of the flexible substrate 20 accelerates. Prevents losing

한편, 도면에서는 위치 가변 롤러(410)가 가요성 기판(20)의 이송 방향의 수직 방향으로 승강 변위가 변화하는 것에 대하여만 도시하고 있으나, 이러한 위치 가변 롤러는 가요성 기판(20)의 이송 방향 또는 대각선 방향으로 위치가 가변되어 변위차를 발생시킴으로써 가요성 기판(20)의 속도를 조절할 수 있음은 물론이다.On the other hand, in the drawing, the position-variable roller 410 is shown only the change in the lifting displacement in the vertical direction of the conveying direction of the flexible substrate 20, this positionable roller is the conveying direction of the flexible substrate 20 Alternatively, the speed of the flexible substrate 20 may be adjusted by varying the position in the diagonal direction to generate a displacement difference.

다음, 도 7을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 박막형 태양전지 제조장치 버퍼 챔버의 기밀부재에 대하여 설명한다. Next, the airtight member of the thin film solar cell manufacturing apparatus buffer chamber according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 7.

버퍼 챔버(400)의 입구 측 및 출구 측에 각각 인접하게 기밀 부재(440)가 구비된다. 버퍼 챔버(400)의 입구 측과 출구 측에 구비된 기밀 부재(440)는 서로 동일한 구성이므로 입구 측에 구비된 기밀 부재(440)를 설명하는 것으로 출구 측에 인접하여 구비된 기밀 부재의 설명을 대신한다. An airtight member 440 is provided adjacent to the inlet side and the outlet side of the buffer chamber 400, respectively. Since the airtight member 440 provided at the inlet side and the outlet side of the buffer chamber 400 is the same configuration, the airtight member 440 provided at the inlet side will be described to explain the airtight member provided adjacent to the outlet side. Instead.

이러한 기밀 부재(440)는, 버퍼 챔버(400)의 입구 측 제1면(400A)에 설치된 제1에어 커튼부(441)와, 버퍼 챔버(400)의 입구 측 제2면(400B)에 설치된 제2에어 커튼부(442)를 포함하여 구성된다. The airtight member 440 is provided on the first air curtain portion 441 provided on the inlet side first surface 400A of the buffer chamber 400 and on the inlet side second surface 400B of the buffer chamber 400. It is configured to include a second air curtain portion 442.

제1에어 커튼부(441)는 제1몸체(441A), 제1가스 분사부(441B), 제1가스 흡입부(441C)를 포함하여 구성된다. The first air curtain part 441 includes a first body 441A, a first gas injection part 441B, and a first gas suction part 441C.

제1몸체(441A)는 버퍼 챔버(400)의 입구 측 상부 버퍼 챔버(400A)에 설치된다. The first body 441A is installed in the upper buffer chamber 400A at the inlet side of the buffer chamber 400.

제1가스 분사부(441B)는 제1몸체(441A)의 일측 가장자리에 설치되어 외부로부터 공급되는 소정 압력의 기밀용 가스를 제1가스 흡입부(441C) 쪽으로 분사한다. 여기서, 기밀용 가스는 질소(N2) 가스가 될 수 있다. The first gas injector 441B is installed at one edge of the first body 441A and injects an airtight gas having a predetermined pressure supplied from the outside toward the first gas intake 444C. Here, the gas for airtightness may be nitrogen (N2) gas.

제1가스 흡입부(441C)는 제1가스 분사부(441B)의 설치 위치와 반대되도록 제1몸체(441A)의 타측 가장자리에 설치되어 제1가스 분사부(441B)로부터 분사되는 기밀용 가스를 흡입한다. The first gas inlet 441C is installed at the other edge of the first body 441A so as to be opposite to the installation position of the first gas injector 441B, and receives the gas for airtight gas injected from the first gas injector 441B. Inhale.

한편, 제1몸체(441A)는 기밀용 가스의 원활한 흐름을 위해 제1가스 분사부(441B)와 제1가스 흡입부(441C) 사이에 형성된 제1곡면을 더 포함하여 구성될 수 있다. Meanwhile, the first body 441A may further include a first curved surface formed between the first gas injection unit 441B and the first gas suction unit 441C to smoothly flow the gas for airtightness.

제2에어 커튼부(442)는 제2몸체(442A), 제2가스 분사부(442B), 제2가스 흡입부(442C)를 포함하여 구성된다. The second air curtain part 442 includes a second body 442A, a second gas injection part 442B, and a second gas suction part 442C.

제2몸체(442A)는 버퍼 챔버(400)의 입구 측 하부 버퍼 챔버(400B)에 설치된다. 여기서, 제2몸체(442A)는 제1에어 커튼부(441)의 제1몸체(441A)와 마주보도록 설치되거나 소정 간격으로 엇갈리게 설치될 수 있다. The second body 442A is installed in the lower buffer chamber 400B on the inlet side of the buffer chamber 400. Here, the second body 442A may be installed to face the first body 441A of the first air curtain part 441 or may be alternately installed at predetermined intervals.

제2가스 분사부(442B)는 제2몸체(442A)의 일측 가장자리에 설치되어 외부로부터 공급되는 소정 압력의 상술한 기밀용 가스를 제2가스 흡입부(442C) 쪽으로 분사한다. 이때, 제2가스 분사부(442B)는 제1에어 커튼부(441)의 제1가스 분사부(441B)와 마주보도록 설치되거나 제1가스 흡입부(441C)와 마주보도록 설치될 수 있다. The second gas injector 442B is installed at one edge of the second body 442A and injects the above-described gas tight gas at a predetermined pressure supplied from the outside toward the second gas intake 442C. In this case, the second gas injection unit 442B may be installed to face the first gas injection unit 441B of the first air curtain part 441 or to face the first gas suction unit 441C.

제2가스 흡입부(442C)는 제2가스 분사부(442B)의 설치 위치와 반대되도록 제2몸체(442A)의 타측 가장자리에 설치되어 제2가스 분사부(442B)로부터 분사되는 기밀용 가스를 흡입한다. The second gas inlet 442C is installed at the other edge of the second body 442A so as to be opposite to the installation position of the second gas injector 442B, and receives the gas for airtight gas injected from the second gas injector 442B. Inhale.

한편, 제2몸체(442A)는 기밀용 가스의 원활한 흐름을 위해 제2가스 분사부(442B)와 제2가스 흡입부(442C) 사이에 형성된 제2곡면을 더 포함하여 구성될 수 있다. Meanwhile, the second body 442A may further include a second curved surface formed between the second gas injector 442B and the second gas inlet 442C to smoothly flow the gas for airtightness.

이와 같은 기밀 부재(440)는 가요성 기판(20)이 버퍼 챔버(400)로 반송되면, 제1 및 제2가스 분사부(441B,442B)를 통해 소정 압력의 기밀용 가스를 가요성 기판(20)의 양면에 분사함과 아울러 제1 및 제2가스 흡입부(441C,442C)를 통해 기밀용 가스를 흡입함으로써 버퍼 챔버(400)의 기밀을 유지하게 된다. When the flexible substrate 20 is conveyed to the buffer chamber 400, the airtight member 440 may pass the gas for airtightness of a predetermined pressure through the first and second gas injection units 441B and 442B. In addition to spraying on both sides of the 20, the airtight gas is sucked through the first and second gas suction parts 441C and 442C to maintain the airtightness of the buffer chamber 400.

도 8 및 도 9는 본 발명의 실시예에 따른 가요성 기판을 이용한 박막형 태양전지의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다. 8 and 9 are views for explaining a method of manufacturing a thin film solar cell using a flexible substrate according to an embodiment of the present invention.

도 8 및 도 9를 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 가요성 기판을 이용한 박막형 태양전지의 제조 방법을 설명하면 다음과 같다. Referring to FIGS. 8 and 9, a method of manufacturing a thin film solar cell using a flexible substrate according to an exemplary embodiment of the present invention is as follows.

먼저, 도 8에 도시된 바와 같이, 기판 피딩 롤러(110), 기판 회수 롤러(150), 제1기판 지지 롤러(250), 제2기판 지지 롤러(350), 위치 가변 롤러(410)를 회전시켜 제1기판 지지 롤러(250)와 제2기판 지지 롤러(350)의 원주곡면에 지지된 가요성 기판(20)을 제1공정 챔버(200)의 공정 위치와 제2공정 챔버(300)의 공정 위치로 반송한다. First, as shown in FIG. 8, the substrate feeding roller 110, the substrate recovery roller 150, the first substrate support roller 250, the second substrate support roller 350, and the variable position roller 410 are rotated. The flexible substrate 20 supported on the circumferential surfaces of the first substrate support roller 250 and the second substrate support roller 350 is disposed in the process position of the first process chamber 200 and the second process chamber 300. It returns to a process position.

그런 다음, 제1샤워 헤드(260)에 제1공정 가스를 공급함과 아울러 고주파 전력을 공급함으로써, 가요성 기판(20)과 제1샤워 헤드(260) 사이에 플라즈마(P)를 형성하여 가요성 기판(20) 상에 제1박막을 형성한다. Then, by supplying a first process gas to the first shower head 260 and supplying a high frequency power, plasma P is formed between the flexible substrate 20 and the first shower head 260 to be flexible. A first thin film is formed on the substrate 20.

동시에, 제2샤워 헤드(360)에 제2공정 가스를 공급함과 아울러 고주파 전력을 공급함으로써, 가요성 기판(20)과 제2샤워 헤드(360) 사이에 플라즈마(P)를 형성하여 가요성 기판(20) 상에 제2박막을 형성한다. At the same time, by supplying a second process gas to the second shower head 360 and supplying high frequency power, plasma P is formed between the flexible substrate 20 and the second shower head 360 to form a flexible substrate. On the 20, a second thin film is formed.

그런 다음, 기판 피딩 롤러(110), 기판 회수 롤러(150), 제1기판 지지 롤러(250), 제2기판 지지 롤러(350), 위치 가변 롤러(410)를 회전시켜 제2박막이 형성된 가요성 기판(20)을 기판 회수 롤러(150)로 회수함과 동시에 제1박막 상에 제2박막을 형성하기 위한 가요성 기판(20)을 제2공정 챔버(300)의 공정 위치로 반송한다. Then, the substrate feeding roller 110, the substrate recovery roller 150, the first substrate support roller 250, the second substrate support roller 350, and the position variable roller 410 are rotated to form a second thin film. The flexible substrate 20 for forming the second thin film on the first thin film is conveyed to the process position of the second process chamber 300 while the castle substrate 20 is recovered by the substrate recovery roller 150.

이때, 제1공정 챔버(200)와 제2공정 챔버(300)에서의 증착 시간이 상이하여 제1공정 챔버(200)에서 제2공정 챔버(300)로 가요성 기판(20)의 반출 속도를 감소할 필요가 있는 경우에는 제1위치 가변 롤러(411)는 하측 방향으로 이동시키고, 제2위치 가변 롤러(412)는 상측 방향으로 이동시킴으로써 제1위치 가변 롤러(411)와 제2위치 가변 롤러(412) 사이의 수직 변위차를 증가시켜 반출 속도를 조절한다. At this time, the deposition time in the first process chamber 200 and the second process chamber 300 is different, so that the speed of carrying out the flexible substrate 20 from the first process chamber 200 to the second process chamber 300 is increased. When it is necessary to reduce, the first variable position roller 411 is moved downward and the second variable position roller 412 is moved upward to move the first variable position roller 411 and the second variable position roller. The ejection speed is adjusted by increasing the vertical displacement difference between 412.

또한, 제1공정 챔버(200)와 제2공정 챔버(300)에서의 증착 시간이 상이하여 제1공정 챔버(200)에서 제2공정 챔버(300)로 가요성 기판(20)의 반출 속도를 증가할 필요가 있는 경우에는 제1위치 가변 롤러(411)는 상측 방향으로 이동시키고, 제2위치 가변 롤러(412)는 하측 방향으로 이동시킴으로써 제1위치 가변 롤러(411)와 제2위치 가변 롤러(412)간의 수직 변위차를 줄여 반출 속도를 조절한다. In addition, since the deposition time in the first process chamber 200 and the second process chamber 300 is different, the speed of carrying the flexible substrate 20 from the first process chamber 200 to the second process chamber 300 may be increased. When it is necessary to increase, the first variable position roller 411 is moved upward and the second variable position roller 412 is moved downward to move the first variable position roller 411 and the second variable position roller. Adjust the ejection speed by reducing the vertical displacement difference between 412.

따라서, 제1공정 챔버(200)에서 반출되는 가요성 기판(20)을 버퍼 챔버(400)의 위치 가변 롤러(410)를 통하여 속도를 조절한 다음 제2공정 챔버(300)로 반입함으로써 박막형 태양전지의 연속 공정을 가능하게 하여 생산성을 향상시킬 수 있도록 한다. Therefore, the flexible substrate 20 carried out from the first process chamber 200 is controlled through a variable position roller 410 of the buffer chamber 400, and then brought into the second process chamber 300. It enables the continuous process of the battery to improve the productivity.

한편, 가요성 기판(20)을 제1기판 지지 롤러(250)와 제2기판 지지 롤러(350)로 반송하기 이전에, 제1롤러 구동부(270)와 제2롤러 구동부(370)를 구동하여 가요성 기판(20)에 형성된 제1박막과 제2박막의 공정 조건에 대응되도록 가요성 기판(20)과 제1샤워 헤드(260) 및 제2샤워 헤드(360) 사이의 간격을 조절하는 과정을 수행할 수도 있다. Meanwhile, before conveying the flexible substrate 20 to the first substrate supporting roller 250 and the second substrate supporting roller 350, the first roller driving unit 270 and the second roller driving unit 370 are driven. Adjusting the distance between the flexible substrate 20, the first shower head 260 and the second shower head 360 to correspond to the process conditions of the first thin film and the second thin film formed on the flexible substrate 20 You can also do

상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 박막형 태양전지 제조장치는 제1공정 챔버와 제2공정 챔버의 사이에 배치되는 버퍼 챔버를 통하여 제1공정 챔버에서 반출되는 가요성 기판의 속도를 조절한 다음 제2공정 챔버로 반입함으로써 박막형 태양전지의 연속 공정을 가능하게 하여 생산성을 향상시킬 수 있는 것을 기본적인 기술적 사상으로 하고 있음을 알 수 있다. 따라서, 본 발명의 기본적인 기술적 사상의 범주 내에서 당업계의 통상의 지식을 가진 자에게 있어서는 다른 많은 변형이 가능함은 물론이다.As described above, the thin film type solar cell manufacturing apparatus according to the embodiment of the present invention controls the speed of the flexible substrate carried out from the first process chamber through a buffer chamber disposed between the first process chamber and the second process chamber. Then, it can be seen that the basic technical idea is to enable the continuous process of the thin-film solar cell by improving the productivity by bringing it into the second process chamber. Therefore, many modifications may be made by those skilled in the art without departing from the scope and spirit of the present invention.

10…박막형 태양전지 제조장치 100…외곽 챔버
110…기판 피딩 롤러 120…제1기판 반송 롤러
130…제2기판 반송 롤러 140…제3기판 반송 롤러
150…기판 회수 롤러 200…제1공정 챔버
210…제1하부 챔버 220…제1상부 챔버
230…제1기밀부재 240…제1펌핑 장치
250…제1기판 지지 롤러 260…제1샤워 헤드
270…제1롤러 구동부 280…제1기판 가열 부재
300…제2공정 챔버 310…제2하부 챔버
320…제2상부 챔버 330…제2기밀부재
340…제2펌핑 장치 350…제2기판 지지 롤러
360…제2샤워 헤드 370…제2롤러 구동부
380…제2기판 가열 부재 400…버퍼 챔버
410…위치 가변 롤러 411…제1위치 가변 롤러
412…제2위치 가변 롤러 420…제1고정 롤러
430…제2고정 롤러 440…기밀부재
10... Thin-film solar cell manufacturing apparatus 100. Outer chamber
110 ... Substrate feeding roller 120... 1st substrate conveying roller
130 ... Second substrate conveying roller 140... 3rd substrate conveying roller
150 ... Substrate recovery roller 200... 1st process chamber
210... First lower chamber 220... First upper chamber
230 ... First hermetic member 240. First pumping device
250 ... First substrate supporting roller 260... 1st shower head
270 ... First roller driver 280... First substrate heating member
300 ... Second process chamber 310. 2nd lower chamber
320 ... Second upper chamber 330... Second airtight member
340... Second pumping device 350... Second substrate support roller
360 ... Second shower head 370... Second roller drive part
380 ... Second substrate heating member 400... Buffer chamber
410 ... Position variable roller 411... 1st position variable roller
412 ... Second position variable roller 420... First fixing roller
430 ... Second fixing roller 440... Airtight member

Claims (17)

가요성 기판에 제1박막을 형성하는 제1공정 챔버;와,
상기 가요성 기판의 제1박막 상에 제2박막을 형성하는 제2공정 챔버;와,
상기 제1공정 챔버와 제2공정 챔버의 사이에 배치되어 상기 제1공정 챔버에서 연속적으로 반출되는 상기 가요성 기판의 속도를 조절하여 상기 제2공정 챔버로 반입시킬 수 있는 위치 가변롤러를 포함하는 버퍼 챔버를 포함하고,
상기 위치 가변 롤러는 상기 가요성 기판의 이송 방향의 대각선 방향으로 변위차를 발생시키도록 마련되며,
상기 위치 가변 롤러는 일측 방향으로 승강 변위가 발생하는 제1 위치 가변롤러와, 타측 방향으로 승강 변위가 발생하는 제2위치 가변 롤러를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지 제조장치.
A first process chamber for forming a first thin film on the flexible substrate;
A second process chamber forming a second thin film on the first thin film of the flexible substrate;
And a position variable roller disposed between the first process chamber and the second process chamber to adjust the speed of the flexible substrate continuously carried out from the first process chamber and to be loaded into the second process chamber. A buffer chamber,
The variable position roller is provided to generate a displacement difference in a diagonal direction of a transfer direction of the flexible substrate,
The position variable roller includes a first position variable roller in which the lift displacement occurs in one direction, and a second position variable roller in which the lift displacement occurs in the other direction.
제1항에 있어서,
상기 위치 가변 롤러는
상기 가요성 기판의 변위차 발생을 통하여 연속적으로 반출되는 상기 가요성 기판의 속도를 조절할 수 있도록 마련되는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지 제조장치.
The method of claim 1,
The variable position roller
Thin film solar cell manufacturing apparatus characterized in that it is provided to control the speed of the flexible substrate that is continuously carried out through the displacement difference generation of the flexible substrate.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 버퍼 챔버는,
상기 제1공정 챔버에 인접하도록 상기 버퍼 챔버의 내부 일측에 고정 위치되는 적어도 하나의 제1고정 롤러;와,
상기 제2공정 챔버에 인접하도록 상기 위치 가변 롤러를 사이에 두고 상기 버퍼 챔버의 내부 타측에 고정 위치되는 적어도 하나의 제2고정 롤러;를
포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지 제조장치.
The method of claim 1,
The buffer chamber,
At least one first fixing roller fixedly located at one side of the buffer chamber to be adjacent to the first process chamber;
At least one second fixing roller fixedly positioned at the other inner side of the buffer chamber with the variable position roller interposed to be adjacent to the second process chamber;
Type solar cell manufacturing apparatus.
제4항에 있어서,
상기 제1위치 가변 롤러는 상기 제1고정 롤러와 제2고정 롤러에 의해 정의된 중심선을 기준으로 하측 방향으로 승강 변위가 발생하도록 마련되고,
상기 제2위치 가변 롤러는 상기 중심선을 기준으로 상측 방향으로 승강 변위가 발생하도록 마련되는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지 제조장치.
5. The method of claim 4,
The first variable position roller is provided to raise and lower the displacement relative to the center line defined by the first fixed roller and the second fixed roller,
The second position variable roller is a thin film type solar cell manufacturing apparatus, characterized in that the lifting displacement is generated in an upward direction with respect to the center line.
제5항에 있어서,
상기 제1위치 가변 롤러와 제2위치 가변 롤러는 복수로 마련되되 서로 교번적으로 배치되는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지 제조장치.
The method of claim 5,
The first variable position roller and the second variable position roller is provided with a plurality of thin film type solar cell manufacturing apparatus, characterized in that arranged alternately with each other.
제2항에 있어서,
상기 위치 가변 롤러는,
상기 가요성 기판의 이송 방향으로 변위차를 발생시키는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지 제조장치.
3. The method of claim 2,
The variable position roller,
Thin film solar cell manufacturing apparatus, characterized in that for generating a displacement difference in the conveying direction of the flexible substrate.
제1항에 있어서,
상기 버퍼 챔버는,
상기 가요성 기판이 반입되는 상기 버퍼 챔버의 입구 측에 배치되는 제1기밀 부재;과,
상기 가요성 기판이 반출되는 상기 버퍼 챔버의 출구 측에 배치되는 제2기밀 부재;을
포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지 제조장치.
The method of claim 1,
The buffer chamber,
A first hermetic member disposed at an inlet side of the buffer chamber into which the flexible substrate is carried;
A second hermetic member disposed at an outlet side of the buffer chamber from which the flexible substrate is carried out;
Type solar cell manufacturing apparatus.
제8항에 있어서,
상기 제1기밀 부재는,
상기 버퍼 챔버의 입구 측 제1면에 설치된 제1에어 커튼부와,
상기 버퍼 챔버의 입구 측 제2면에 설치된 제2에어 커튼부를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지 제조장치.
9. The method of claim 8,
The first hermetic member,
A first air curtain part provided on the first side of the inlet side of the buffer chamber;
Thin film solar cell manufacturing apparatus comprising a second air curtain portion provided on the second surface of the inlet side of the buffer chamber.
제9항에 있어서,
상기 제1 및 제2에어 커튼부는 각각,
상기 버퍼 챔버의 입구 측 제1면 및 제2면에 각각 부착되는 제1 및 제2몸체;와,
상기 제1 및 제2몸체의 일측 가장 자리에 각각 설치되어 기밀용 가스를 분사하는 제1 및 제2가스 분사부;와,
상기 제1 및 제2몸체의 타측 가장 자리에 각각 설치되어 상기 제1 및 제2가스 분사부에서 분사되는 기밀용 가스를 흡입하는 제1 및 제2가스 흡입부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지 제조장치.
10. The method of claim 9,
The first and second air curtain portion, respectively
First and second bodies attached to first and second surfaces of the inlet side of the buffer chamber, respectively;
First and second gas injectors installed at one edge of each of the first and second bodies to inject gas for airtightness; and
And first and second gas suction parts installed at the other edges of the first and second bodies, respectively, for sucking the gaseous gas injected from the first and second gas injection parts. Solar cell manufacturing apparatus.
제1항에 있어서,
상기 제1공정 챔버, 제2공정 챔버, 버퍼 챔버를 감싸는 외곽 챔버를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지 제조장치.
The method of claim 1,
Thin-film solar cell manufacturing apparatus further comprises an outer chamber surrounding the first process chamber, the second process chamber, the buffer chamber.
기판 피딩 롤러에서 공급되는 가요성 기판을 지지하는 제1기판 지지 롤러와, 상기 가요성 기판에 제1박막을 형성하기 위하여 상기 제1기판 지지 롤러에 대응 설치되는 제1샤워 헤드를 가지는 제1공정 챔버;와,
기판 회수 롤러로 회수되는 가요성 기판을 지지하는 제2기판 지지 롤러와, 상기 가요성 기판에 제2박막을 형성하기 위하여 상기 제2기판 지지 롤러에 대응 설치되는 제2샤워 헤드를 가지는 제2공정 챔버;와
상기 제1공정 챔버와 제2공정 챔버의 사이에 배치되어 상기 제1기판 지지 졸러에서 연속적으로 반출되는 상기 가요성 기판의 속도를 조절한 다음 상기 제2기판 지지 롤러로 반입하기 위한 버퍼 챔버;를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지 제조장치.
A first process having a first substrate support roller for supporting a flexible substrate supplied from a substrate feeding roller, and a first shower head corresponding to the first substrate support roller for forming a first thin film on the flexible substrate. Chamber;
A second process having a second substrate support roller for supporting the flexible substrate recovered by the substrate recovery roller, and a second shower head installed corresponding to the second substrate support roller to form a second thin film on the flexible substrate Chamber; and
A buffer chamber disposed between the first process chamber and the second process chamber to adjust the speed of the flexible substrate continuously carried out from the first substrate support roller and to be loaded into the second substrate support roller; Thin film solar cell manufacturing apparatus comprising a.
제12항에 있어서,
상기 버퍼 챔버는,
수직 방향 변위차를 발생시켜 연속적으로 반출되는 상기 가요성 기판의 속도를 조절하는 적어도 하나 이상의 위치 가변 롤러를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지 제조장치.
The method of claim 12,
The buffer chamber,
Thin film type solar cell manufacturing apparatus comprising at least one variable position roller for controlling the speed of the flexible substrate continuously carried out by generating a vertical displacement difference.
제12항에 있어서,
상기 버퍼 챔버는,
상기 제1공정 챔버에 인접하도록 상기 버퍼 챔버의 내부 일측에 고정 위치되는 제1고정 롤러;와,
상기 제2공정 챔버에 인접하도록 상기 위치 가변 롤러를 사이에 두고 상기 버퍼 챔버의 내부 타측에 고정 위치되는 제2고정 롤러;를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지 제조장치.
The method of claim 12,
The buffer chamber,
A first fixing roller fixedly positioned at an inner side of the buffer chamber to be adjacent to the first process chamber;
And a second fixing roller fixedly positioned on the other side of the buffer chamber with the variable position roller interposed therebetween so as to be adjacent to the second process chamber.
제14항에 있어서,
상기 위치 가변 롤러는,
상기 제1고정 롤러와 제2고정 롤러에 의해 정의된 중심선을 기준으로 하측 방향으로 승강 변위가 발생하는 제1위치 가변 롤러;와,
상기 중심선을 기준으로 상측 방향으로 승강 변위가 발생하는 제2위치 가변 롤러;를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지 제조장치.
15. The method of claim 14,
The variable position roller,
A first position variable roller having a lifting displacement in a downward direction based on a center line defined by the first fixing roller and the second fixing roller;
Thin-film solar cell manufacturing apparatus comprising a; a second position variable roller that the lifting displacement occurs in the upward direction with respect to the center line.
제1공정 챔버와 제2공정 챔버의 사이에 배치되어 상기 제1공정 챔버에서 연속적으로 반출되는 가요성 기판의 변위차를 발생시키는 위치 가변 롤러를 통하여 상기 가요성 기판의 속도를 완충하여 상기 제2공정 챔버로 반입시키는 것을 특징으로 하는 박막형 반도체 제조장치의 버퍼 챔버. The second substrate is buffered by a speed of the flexible substrate through a variable position roller disposed between the first process chamber and the second process chamber to generate a displacement difference of the flexible substrate continuously carried out from the first process chamber. A buffer chamber of a thin film semiconductor manufacturing apparatus, which is carried into a process chamber. 제16항에 있어서,
상기 버퍼 챔버는,
상기 제1공정 챔버에 인접하도록 상기 버퍼 챔버의 내부 일측에 고정 위치되는 제1고정 롤러;와,
상기 제2공정 챔버에 인접하도록 상기 위치 가변 롤러를 사이에 두고 상기 버퍼 챔버의 내부 타측에 고정 위치되는 제2고정 롤러;를 포함하며,
상기 위치 가변 롤러는,
상기 제1고정 롤러와 제2고정 롤러에 의해 정의된 중심선을 기준으로 제1방향으로 승강 변위가 발생하는 제1위치 가변 롤러;와,
상기 중심선을 기준으로 제1방향과 반대되는 제2방향으로 승강 변위가 발생하는 제2위치 가변 롤러;를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 반도체 제조장치의 버퍼 챔버.
17. The method of claim 16,
The buffer chamber,
A first fixing roller fixedly positioned at an inner side of the buffer chamber to be adjacent to the first process chamber;
And a second fixing roller fixedly positioned at the other inner side of the buffer chamber with the variable position roller interposed to be adjacent to the second process chamber.
The variable position roller,
A first position variable roller in which a lifting displacement occurs in a first direction based on a center line defined by the first fixing roller and the second fixing roller;
And a second position variable roller generating a lifting displacement in a second direction opposite to the first direction with respect to the center line.
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