KR101352276B1 - 발광다이오드의 방열장치와 이를 이용한 액정표시장치 - Google Patents

발광다이오드의 방열장치와 이를 이용한 액정표시장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 발광다이오드(LED)의 방열장치에 관한 것으로, 각각 LED 칩과 방열 금속판을 포함한 다수의 LED 패키지들; 및 상기 LED 패키지의 방열 금속판과 접촉된 PCB 상면, 금속층이 형성된 PCB 하면, 상기 상면과 하면을 관통하는 홀, 상기 홀의 측벽에 형성되어 상기 LED 패키지의 방열 금속판과 상기 PCB 하면에 형성된 금속층을 연결하는 금속 측벽, 및 상기 홀 내에 형성된 공동부를 포함한 PCB를 구비한다. 상기 LED 패키지는 상기 LED 칩이 실장되고 수지가 매립된 상면과, 상기 방열 금속판이 형성된 하면을 포함하는 패키지 바디; 상기 패키지 바디의 하면 일측에 형성되고 상기 방열 금속판과 동일한 금속을 포함하여 상기 LED 칩의 캐소드전극에 전기적으로 연결된 캐소드 리드 프레임; 및 상기 패키지 바디의 하면 타측에 형성되고 상기 방열 금속판과 동일한 금속을 포함하여 상기 LED 칩의 애노드전극에 전기적으로 연결된 애노드 리드 프레임을 포함한다. 상기 방열 금속판은 상기 패키지 바디의 하면 상에서 상기 캐소드 리드 프레임과 상기 애노드 리드 프레임으로부터 분리된다.

Description

발광다이오드의 방열장치와 이를 이용한 액정표시장치{APPARATUS FOR RADIATING HEAT OF LIGHT EMITTING DIODE AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY USING THE SAME}
본 발명은 발광다이오드(Light Emitting Diode, 이하 "LED"라 함)의 방열장치와 이를 이용한 액정표시장치에 관한 것이다.
LED는 GaAs, AlGaAs, GaN, InGaN 및 AlGaInP 등의 화합물 반도체(compound semiconductor) 재료를 포함하는 2 단자 다이오드 소자이다. LED는 캐소드단자와 애노드단자에 전원을 인가할 때 전자와 정공이 결합할 때 발생하는 빛에너지로 가시광을 방출한다.
백색광을 방출하는 백색 LED는 적색(Red) LED, 녹색(Green) LED, 청색(Blue) LED 3색 조합으로 구현되거나 청색 LED에 황색 형광체(yellow Phosphor)의 결합으로 구현될 수 있다. 이러한 백색 LED의 등장으로 인하여, LED의 적용 분야는 전자제품의 인디케이터(indicator)로부터 생할용품, 광고용 패널(Panel) 등으로 그 응 용 범위가 확대되었고, 현재는 LED 칩의 고 효율화에 따라 가로등, 자동차 헤드렘프(Head lamp), 형광등 대체용 일반 조명 광원까지 대체할 수 있는 단계에 이르렀다. LED는 고전력, 고휘도 성능에 도달하였고, 그 효율은 기존의 백열등을 능가하였고 기존 형광등의 효율과 근접하거나 능가하고 있다.
LED 패키지에 인가되는 에너지의 약 15% 정도는 빛으로 변환되고 약 85%는 열로 소비된다. LED 패키지의 효율과 수명은 LED의 PN 접합면에서 발생되는 열이 높을 수록 나빠진다. 따라서, 고전력 및 고휘도 LED 패키지에는 LED 칩(Chip)으로부터 발생되는 열을 방열시키기 위한 설계가 필수적이다.
LED 패키지는 방열을 위하여 대부분 고가의 메탈 PCB(metal printed circuit board) 혹은 다른 명칭으로 써멀 클래드 보드(Thermal clad board) 상에 솔더링(soldering)되고 있다. 메탈 PCB는 알루미늄 메탈 기판 상에 레진층. 동박층, 솔더 레지스트(Soler regist) 층이 적층된 구조를 갖는다. 레진층은 전류가 흐르는 동박층과 그 하부의 메탈 기판층과의 전기적 절연, 동박층과 하부의 메탈 기판 층 사이에 열전달 패스를 형성하는 역할을 한다. LED 패키지로부터 발생된 열은 1차적으로 동박층을 통해 1차 전도되고 이렇게 전도된 열이 레진층을 통해 부의 메탈 기판에 전달된다. 따라서, 방열 구조를 효율화하려면 레진층의 열전도도를 높여야만 한다. 현재 메탈 PCB에서 사용되는 레진층의 열 전도도는 약 1.0 - 2.2W/mk 정도이다. 메탈 PCB에서, 레진층을 사이에 두고 대향하는 알루미늄과 동박의 결합 및 상이한 열 팽창 계수를 가진 두 메탈의 신뢰성 있는 접합과, 접합 성능 및 열팽창시 발생하는 두 금속 사이의 응력을 감소시키는 방안이 요구되고 있 다. 구리의 열팽창 계수는 약 17ppm/K 이고, 알루미늄의 열팽창 계수는 약 25ppm/K이다. 위와 같이 메탈 PCB의 레진층에서 요구되는 성능을 만족하기 위하여, 메탈 PCB에서 사용되는 레진층의 두께는 0.075 - 0.30mm정도로 비교적 두껍고 이러한 레진층의 두께로 인하여 메탈 PCB에서 동박층과 메탈 기판 사이의 열흐름이 원할하지 않은 문제가 있다. 메탈 PCB의 열 전달을 구체적으로 설명하면, LED 칩으로부터 발생되는 열은 패키지 바디 -> 솔더층 -> 동박층 -> 레진층 -> 알루미늄 메탈 기판의 순서로 방열되는데, 레진층의 낮은 열전도로 인하여 연전도 흐름에서 레진층이 열방출의 병목(bottle neck) 현상을 초래한다. 다수의 LED 패키지들이 어레이 형태로 메탈 PCB 상에 실장되면, 메탈 PCB 만으로는 방열 효과가 낮기 때문에 메탈 PCB의 저면에 별도의 히트 싱크(heat sink)를 장착하여 방열시킬 수 있고, 이 경우에 메탈 PCB와 히트 싱크 사이의 공기층을 제거하기 위하여 메탈 PCB와 히트 싱크 사이에 써멀 그리스(thermal grease) 등을 도포할 수 있다. 그런데, 써멀 그리스(thermal grease)는 그 열전도도가 약 2 -3 W/mK 정도로 낮기 때문에 열 흐름을 방해한다.
LED 칩은 디스플레이소자, 정보통신소자의 소형화 추세에 따라 표면실장 기술(SMT:Surface Mount Technology)로 PCB 또는 FPC(Flexible Printed Circuit) 상에 집적 실장될 수도 있다. 액정표시장치의 백라이트 유닛에서, LED 칩들은 FPC 상에 실장되고 고가의 메탈 PCB를 사용하지 않고 방열하기 위하여 FPC에 금속판 또는 금속 히트싱크가 부착될 수 있다. 그러나 이러한 방열 방안 역시 고가의 금속판, FPC를 필요로 하여 비용 상승의 주요인으로 작용하고 있고 방열효과가 만족스 럽지 않다.
본 발명은 상기 종래 기술의 문제점들을 해결하고자 안출된 발명으로써 저가의 LED 방열 구조를 구현하고 충분한 방열을 통해 LED의 효율과 수명을 연장하도록 한 발광다이오드의 방열장치와 이를 이용한 액정표시장치를 제공한다.
본 발명의 LED 방열장치는 각각 LED 칩과 방열 금속판을 포함한 다수의 LED 패키지들; 및 상기 LED 패키지의 방열 금속판과 접촉된 PCB 상면, 금속층이 형성된 PCB 하면, 상기 상면과 하면을 관통하는 홀, 상기 홀의 측벽에 형성되어 상기 LED 패키지의 방열 금속판과 상기 PCB 하면에 형성된 금속층을 연결하는 금속 측벽, 및 상기 홀 내에 형성된 공동부를 포함한 PCB를 구비한다.
상기 LED 패키지는 상기 LED 칩이 실장되고 수지가 매립된 상면과, 상기 방열 금속판이 형성된 하면을 포함하는 패키지 바디; 상기 패키지 바디의 하면 일측에 형성되고 상기 방열 금속판과 동일한 금속을 포함하여 상기 LED 칩의 캐소드전극에 전기적으로 연결된 캐소드 리드 프레임; 및 상기 패키지 바디의 하면 타측에 형성되고 상기 방열 금속판과 동일한 금속을 포함하여 상기 LED 칩의 애노드전극에 전기적으로 연결된 애노드 리드 프레임을 포함한다.
상기 방열 금속판은 상기 패키지 바디의 하면 상에서 상기 캐소드 리드 프레임과 상기 애노드 리드 프레임으로부터 분리된다.
본 발명의 액정표시장치는 액정표시패널; 및 상기 액정표시패널에 빛을 조사하는 백라이트 유닛을 구비한다.
상기 백라이트 유닛은 각각 LED 칩과 방열 금속판을 포함한 다수의 LED 패키지들; 및 상기 LED 패키지의 방열 금속판과 접촉된 PCB 상면, 금속층이 형성된 PCB 하면, 상기 상면과 하면을 관통하는 홀, 상기 홀의 측벽에 형성되어 상기 LED 패키지의 방열 금속판과 상기 PCB 하면에 형성된 금속층을 연결하는 금속 측벽, 및 상기 홀 내에 형성된 공동부를 포함한 PCB를 포함한다.
본 발명은 PCB에 홀을 형성하고 그 홀의 측벽에 금속을 형성하여 저가의 LED 방열 구조를 구현하고 충분한 방열을 통해 LED의 효율과 수명을 연장할 수 있다.
이하, 도 1 내지 도 8을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 LED의 방열장치를 나타내는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 LED 패키지(10)는 PCB(21) 상에 실장된다.
LED 패키지(10)는 패키지 바디(14), 제너 다이오드(18) 및 하나 이상의 LED 칩(11), 캐소드 리드 프레임(15), 애노드 리드 프레임(16), 및 방열 금속판(17)을 구비한다. 제너 다이오드(18)와 LED 칩(11)은 패키지 바디(14)의 상면 오목한 부문에 실장된다. LED 칩(11)의 캐소드전극은 와이어(12)를 통해 캐소드 리드 프레임(15)에 연결되고, LED 칩(11)의 애노드전극은 와이어(12)를 통해 애노드 리드 프 레임(16)에 연결된다. 제너 다이오드(18)는 와이어를 통해 LED 칩(11)에 연결되어 LED 칩(11)으로 흐르는 정전기를 차단하여 정전기로부터 LED 칩(11)을 보호한다.
캐소드 리드 프레임(15), 애노드 리드 프레임(16), 및 방열 금속판(17)은 패키지 바디(14)의 하면에 서로 분리되는 금속 패턴으로 형성된다. 캐소드 리드 프레임(15), 애노드 리드 프레임(16), 및 방열 금속판(17)은 동일 금속으로 패터닝될 수 있다.
LED 패키지(10)의 상면 오목한 부분에는 수지(13)가 매워진다. 수지(13)는 LED 칩(11)으로부터 발생된 가시광을 투과시키고 습기와 산소로부터 LED 칩(11), 제너 다이오드(18) 및 와이어(12)를 보호한다. 수지(13)에는 형광 물질이 혼입될 수 있다.
PCB(21)는 FR4(Flame Retardant composition 4) PCB로 선택될 수 있다. PCB(21)의 상면에는 LED 패키지들에 전원을 공급하기 위한 회로 패턴들이 형성되고, 솔더링 영역 이외의 영역에서 그 회로 패턴을 덮는 솔더 레지스트(Soler regist)가 형성된다. PCB(21)의 하면에는 동박과 같은 금속층(22)이 넓은 면적으로 형성되고, 솔더 레지스트가 형성되지 않는다. PCB(21)에는 홀(hole)이 형성된다. PCB(21)의 홀 측벽에는 금속 측벽(23)이 형성되고, 홀 중앙부에는 공기를 포함한 공동(24)이 형성된다. 여기서, 홀은 금속 측벽(23)이 동도금 형태로 형성되는 비아홀(Via hole)일 수 있고, 또는 금속 측벽(23)이 동도금과 그 위에 금도금이 더 형성된 쓰루홀(Through hole)일 수 있다. 홀 내의 금속 측벽(23)은 PCB(21)의 상면과 하면을 관통하여 LED 패키지(10)의 방열 금속판(17)과 PCB(21)의 금속층(22)을 연결하여 LED 패키지(10)의 방열 패스를 형성한다. PCB(21)의 홀 내에 금속이 완전히 충전되면 SMT 장비의 땜납 온도에서 밀폐된 홀 내에서 금속의 열팽창으로 인하여 홀 내의 금속이 넘쳐 회로 패턴의 쇼트 불량, LED 패키지(10)의 실장 불량 등의 문제를 일으킬 수 있다. 따라서, PCB(21)의 홀 내에는 금속이 완전 충전되지 않고 공동(24)이 존재하도록 금속 측벽(23)이 홀의 측벽에만 형성되어야 한다. PCB(21)의 상면에는 도시하지 않은 커넥터가 실장될 수 있다. PCB(21) 상에 실장된 커넥터는 FPC 또는 FFC(Flexible Flat Cable)를 통해 LED 구동회로가 실장된 PCB의 커넥터와 연결되어 LED 구동회로로부터의 전원을 회로 패턴을 통해 LED 패키지(10)에 공급한다.
도 2 및 도 3은 LED 패키지(10)의 하면을 보여 주는 평면도들이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 캐소드 리드 프레임(15)과 애노드 리드 프레임(16)은 패키지 바디(14)의 양측으로 분리된다. 방열 금속판(17)은 도 2와 같이 캐소드 리드 프레임(15)과 애노드 리드 프레임(16)과 분리되도록 패키지 바디(14)의 하면 중앙부에 넓은 면적으로 형성된다. 또한, 방열 금속판(17)은 도 3과 같이 캐소드 리드 프레임(15) 또는 애노드 리드 프레임(16)으로부터 분리된 금속패턴에 연결되는 금속판을 포함하여 그 면적을 더 확대할 수도 있다. 도 3과 같은 경우에, 캐소드 리드 프레임(15)과 애노드 리드 프레임(16)의 면적이 달라진다.
PCB(21)는 하면 금속층(22)이 커버 보텀(30)과 대향하도록 커버 보텀(30)에 부착될 수 있다. 커버 보텀(30)은 알루미늄이나 그 합금으로 제작되고, 도 7 및 도 8과 같이 액정표시장치의 백라이트 유닛에 적용되는 케이스 부재이다. PCB(21)는 공지의 방열패드를 통해 커버 보텀(30)에 부착될 수 있고 그 밖에 용접, 접착 제, 스크류, 후크 등을 이용하여 다양한 체결방법으로 커버 보텀(30)에 부착될 수 있다. PCB(21)와 커버 보텀(30) 사이에는 별도의 히트 싱크가 필요하지 않다.
커버 보텀(30)은 접지될 수 있다. 이 경우에, 커버 보텀(30)에 부착되는 PCB(21)의 하면 금속층(22)은 접지면을 형성할 수 있다.
LED 패키지(10)로부터 발생되는 열은 LED 패키지(10)의 하면에 형성된 방열 금속판(17), PCB(21)의 홀 측벽에 형성된 금속 측벽(23), PCB의 하면 금속층(22) 및 커버 보텀(30)을 통해 방열된다. 따라서, LED 패키지(10)의 열은 금속으로 이루어진 방열 패스를 따라 방열된다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 LED의 방열장치를 나타내는 도면들이다.
도 4 및 도 5를 참조하면, PCB(21)의 상면에는 커넥터(41)과, 다수의 LED 패키지들(10)이 실장되고, 커넥터(41)와 LED 패키지들(10)을 연결하는 회로 패턴들이 형성된다. PCB(21)의 상면에서 솔더 레지스트가 형성된다. LED 패키지들(10) 각각에는 도 1과 같이 제너 다이오드가 형성될 수 있다. PCB(21)의 하면에는 넓은 면적으로 금속층(22)이 형성되고, 솔더 레지스트가 형성되지 않는다. PCB(21)에는 PCB(21)의 상면과 하면을 관통하는 다수의 홀들(25)이 형성된다. 홀들(25) 각각은 회로패턴을 피하여 PCB(21)의 상면에 다수 형성되며, 커넥터(41)와 LED 패키지(10) 사이에, 그리고 이웃하는 LED 패키지들(10) 사이에 형성될 수 있다. 홀들(25) 각각의 측벽에는 금속이 형성되고 그 내부에 공동이 존재한다.
LED 패키지(10)의 열은 PCB(21)의 홀 측벽에 형성된 금속, PCB(21)의 하면에 형성된 금속층(22) 및 보텀 커버(30)를 통해 외부로 방열된다. PCB(21)의 금속층(22)은 보텀 커버(30)에 접촉되어 접지면을 형성할 수 있다. PCB(21)는 전술한 바와 같이 다양한 방법으로 커버 보텀(30)에 부착될 수 있고, PCB(21)와 커버 보텀(30) 사이에는 별도의 히트 싱크가 필요 없다.
LED 패키지들(10) 각각은 SMT 공정으로 PCB(21) 상에 직접 형성되는 LED 칩으로 대신될 수 있다. LED 패키지들(10) 또는 PCB(21) 상에 직접 형성되는 LED 칩 각각의 아래에는 도 1과 같이 PCB의 상면과 하면을 관통하여 그 측벽에 금속이 형성되는 홀이 형성될 수도 있다.
LED의 방열 효과를 높이고 LED 패키지들(10)의 개수가 증가하더라도 PCB(21) 크기 증가를 줄이기 위하여, PCB(21)는 도 6과 같이 4 층 이상의 FR4 PCB로 선택될 수 있다. 4층 이상의 멀티 레이어 PCB(21)에서 홀(25)은 PCB(21)의 상면에 형성된 회로 패턴과 그 아래에 적층되는 다층 회로 패턴(26)을 피하는 위치에서 PCB(21)의 상면과 하면을 관통하고 그 측벽에 금속이 형성된다.
도 7은 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정표시장치를 나타낸다.
도 7을 참조하면, 본 발명의 액정표시장치는 액정표시패널(61)과, 액정표시패널(61)에 빛을 조사하기 위한 에지형(edge type) 백라이트 유닛을 구비한다.
에지형 백라이트 유닛은 전술한 실시예와 같은 방열 구조를 갖는 LED 패키지(10)와 커버 보텀(30)을 포함한다. 에지형 백라이트 유닛은 LED 패키지(10)가 측면에 대향하는 도광판(63), 도광판(63)과 액정표시패널(61) 사이에 배치된 다수의 광학시트들(62), 액정표시패널(61)과 에지형 백라이트 유닛을 지지하는 가이드 패널(64), 가이드 패널(64)의 측면과 상면을 덮는 케이스 탑(65), 및 도광판(63)과 보텀 커버 사이에 배치된 반사시트(66) 등을 더 포함한다.
액정표시패널(61)은 두 장의 유리기판 사이에 액정층이 형성된다. 액정표시패널(61)의 하부 유리기판에는 다수의 데이터라인들과 다수의 게이트라인들이 교차된다. 데이터라인들과 게이트라인들의 교차 구조에 의해 액정표시패널(61)에는 액정셀들이 매트릭스 형태로 배치된다. 액정표시패널(61)의 하부 유리기판에는 데이터라인들, 게이트라인들, TFT(Thin Film Transistor), TFT에 접속된 액정셀의 화소전극, 및 스토리지 커패시터 등이 형성된다. 액정표시패널의 상부 유리기판 상에는 블랙매트릭스와 컬러필터 등이 형성된다. 공통전극은 TN(Twisted Nematic) 모드와 VA(Vertical Alignment) 모드와 같은 수직전계 구동방식에서 상부 유리기판 상에 형성되며, IPS(In Plane Switching) 모드와 FFS(Fringe Field Switching) 모드와 같은 수평전계 구동방식에서 화소전극과 함께 하부 유리기판 상에 형성된다. 액정표시패널의 상부 유리기판과 하부 유리기판 각각에는 편광판이 부착되고 액정과 접하는 내면에 액정의 프리틸트각을 설정하기 위한 배향막이 형성된다.
가이드 패널(64)은 폴리카보네이트(polycabonate) 등의 합성수지 내에 유리섬유가 혼입된 사각 프레임으로 제작되어 적층된 액정표시패널(61)과 에지형 백라이트 유닛의 가장자리를 감싼다. 가이드 패널(64)의 내 측벽에는 돌출된 단턱부가 형성되고 그 단턱부 상에 액정표시패널(61)이 정렬되고, 그 단턱부 아래에는 도광판(63)과 광학시트들(62) 등이 정렬된다. 광학시트들(62)은 1 매 이상의 프리즘 시트와 1 매 이상의 확산시트를 포함하여 도광판으로부터 입사되는 빛을 확산하고 액정표시패널(61)의 광입사면에 대하여 실질적으로 수직인 각도로 빛의 진행경로를 굴절시킨다. 광학시트들(62)은 DBEF(dual brightness enhancement film)를 포함할 수도 있다.
LED 패키지(10)는 홀이 형성된 PCB(21) 상에 실장된다. PCB(21)는 커버 보텀(30)에 부착된다. LEC 패키지(10)의 열은 전술한 실시예들과 같이 PCB(21)의 홀 내에 형성된 금속 측벽, PCB(21)의 하면 금속층(22) 및 보텀 커버(30)를 통해 외부로 방열된다.
도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 액정표시장치를 나타낸다.
도 8을 참조하면, 본 발명의 액정표시장치는 액정표시패널(61)과, 액정표시패널(61)에 빛을 조사하기 위한 직하형(direct type) 백라이트 유닛을 구비한다. 액정표시패널(61)은 TN 모드와 VA 모드, IPS 모드, FFS 모드 등 어떠한 모드로도 구현될 수 있다.
직하형 백라이트 유닛은 전술한 실시예와 같은 방열 구조를 갖는 LED 패키지들(10)과 커버 보텀(30)을 포함한다. 또한, 직하형 백라이트 유닛은 LED 패키지들(10) 위에 배치된 확산판(67), 확산판(67)과 액정표시패널(61) 사이에 배치된 다수의 광학시트들(62), 액정표시패널(61)과 직하형 백라이트 유닛을 지지하는 가이드 패널(69), 가이드 패널(69)의 측면과 상면을 덮는 케이스 탑(68), 및 커버 보텀(30)에 부착된 반사시트(70) 등을 더 포함한다.
LED 패키지(10)는 홀이 형성된 PCB(21) 상에 실장된다. PCB(21)는 보텀 커버(30)에 부착된다. LEC 패키지(10)의 열은 전술한 실시예들과 같이 PCB(21)의 홀 내에 형성된 금속 측벽, PCB(21)의 하면 금속층(22) 및 보텀 커버(30)를 통해 외부로 방열된다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 LED의 방열장치를 나타내는 단면도이다.
도 2 및 도 3은 도 1에 도시된 LED 패키지의 하면을 보여 주는 평면도들이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 LED의 방열장치를 나타내는 평면도이다.
도 5는 도 4에 도시된 LED의 방열장치를 나타내는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 LED의 방열장치를 나타내는 단면도이다.
도 7은 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정표시장치를 보여 주는 단면도이다.
도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 액정표시장치를 보여 주는 단면도이다.
〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉
10 : LED 패키지 11 : LED 칩
14 : 패키지 바디 15 : 캐소드 리드 프레임
16 : 애노드 리드 프레임 17 : 방열 금속판
18 : 제너 다이오드 21 : PCB
23 : PCB 홀의 금속 측벽 24 : PCB 홀의 공동
30 : 커버 보텀

Claims (10)

  1. 각각 LED 칩과 방열 금속판을 포함한 다수의 LED 패키지들; 및
    상기 LED 패키지의 방열 금속판과 접촉된 PCB 상면, 금속층이 형성된 PCB 하면, 상기 상면과 하면을 관통하는 홀, 상기 홀의 측벽에 형성되어 상기 LED 패키지의 방열 금속판과 상기 PCB 하면에 형성된 금속층을 연결하는 금속 측벽, 및 상기 홀 내에 형성된 공동부를 포함한 PCB를 구비하고,
    상기 LED 패키지는,
    상기 LED 칩이 실장되고 수지가 매립된 상면과, 상기 방열 금속판이 형성된 하면을 포함하는 패키지 바디;
    상기 패키지 바디의 하면 일측에 형성되고 상기 방열 금속판과 동일한 금속을 포함하여 상기 LED 칩의 캐소드전극에 전기적으로 연결된 캐소드 리드 프레임; 및
    상기 패키지 바디의 하면 타측에 형성되고 상기 방열 금속판과 동일한 금속을 포함하여 상기 LED 칩의 애노드전극에 전기적으로 연결된 애노드 리드 프레임을 포함하고,
    상기 방열 금속판은 상기 패키지 바디의 하면 상에서 상기 캐소드 리드 프레임과 상기 애노드 리드 프레임으로부터 분리되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 방열장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 PCB가 부착되는 금속기판을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 방열장치.
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 LED 패키지는,
    상기 LED 칩에 연결된 제너 다이오드를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 방열장치.
  5. 제 1 항, 제 2 항 및 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 PCB는,
    상기 LED 패키지들 사이에서 상기 PCB 상면과 상기 PCB 하면을 관통하는 다수의 제2 홀들, 상기 제2 홀들 각각의 측벽에 형성되는 제2 금속 측벽, 및 상기 제2 홀들 각각의 내부에 형성된 제2 공동부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 방열장치.
  6. 액정표시패널; 및
    상기 액정표시패널에 빛을 조사하는 백라이트 유닛을 구비하고;
    상기 백라이트 유닛은,
    각각 LED 칩과 방열 금속판을 포함한 다수의 LED 패키지들; 및
    상기 LED 패키지의 방열 금속판과 접촉된 PCB 상면, 금속층이 형성된 PCB 하면, 상기 상면과 하면을 관통하는 홀, 상기 홀의 측벽에 형성되어 상기 LED 패키지의 방열 금속판과 상기 PCB 하면에 형성된 금속층을 연결하는 금속 측벽, 및 상기 홀 내에 형성된 공동부를 포함한 PCB를 포함하고,
    상기 LED 패키지는,
    상기 LED 칩이 실장되고 수지가 매립된 상면과, 상기 방열 금속판이 형성된 하면을 포함하는 패키지 바디;
    상기 패키지 바디의 하면 일측에 형성되고 상기 방열 금속판과 동일한 금속을 포함하여 상기 LED 칩의 캐소드전극에 전기적으로 연결된 캐소드 리드 프레임; 및
    상기 패키지 바디의 하면 타측에 형성되고 상기 방열 금속판과 동일한 금속을 포함하여 상기 LED 칩의 애노드전극에 전기적으로 연결된 애노드 리드 프레임을 포함하고,
    상기 방열 금속판은 상기 패키지 바디의 하면 상에서 상기 캐소드 리드 프레임과 상기 애노드 리드 프레임으로부터 분리되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 PCB가 부착되는 커버 보텀을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  8. 삭제
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 LED 패키지는,
    상기 LED 칩에 연결된 제너 다이오드를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  10. 제 6 항, 제 7 항 및 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 PCB는,
    상기 LED 패키지들 사이에서 상기 PCB 상면과 상기 PCB 하면을 관통하는 다수의 제2 홀들, 상기 제2 홀들 각각의 측벽에 형성되는 제2 금속 측벽, 및 상기 제2 홀들 각각의 내부에 형성된 제2 공동부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
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Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101656100B1 (ko) * 2009-11-23 2016-09-08 엘지디스플레이 주식회사 다층 인쇄회로기판 및 이를 포함하는 액정표시장치
KR101047778B1 (ko) * 2010-04-01 2011-07-07 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛
WO2011145134A1 (ja) * 2010-05-17 2011-11-24 Ｎｅｃディスプレイソリューションズ株式会社 バックライトユニット及びそのバックライトユニットを用いた液晶表示装置
JP5452356B2 (ja) * 2010-05-19 2014-03-26 パナソニック株式会社 バックライト装置および液晶モジュール
JP5940775B2 (ja) * 2010-08-27 2016-06-29 ローム株式会社 液晶表示装置バックライト用ｌｅｄ光源装置および液晶表示装置
CN102637814A (zh) * 2011-02-15 2012-08-15 神基科技股份有限公司 发光二极管总成的结构与其制造方法
JP2012221787A (ja) * 2011-04-11 2012-11-12 Funai Electric Co Ltd 表示モジュールおよび表示装置
CN102287677A (zh) * 2011-05-09 2011-12-21 深圳市华星光电技术有限公司 Led光源组件、背光模组及液晶显示装置
CN102980066B (zh) * 2012-12-03 2015-08-19 东莞市信诺橡塑工业有限公司 无基板led灯及其制备方法
KR101469665B1 (ko) * 2013-02-04 2014-12-10 해동전설 주식회사 Led 고효율 방열을 위한 pcb 기판 구조
KR102101400B1 (ko) * 2013-08-20 2020-04-16 엘지디스플레이 주식회사 발광다이오드 패키지 및 이를 이용한 액정표시장치
US9446709B2 (en) * 2013-11-21 2016-09-20 Ford Global Technologies, Llc Vehicle backlit assembly with photoluminescent structure
CA2929695C (en) * 2013-11-22 2022-03-22 The Chemours Company Fc, Llc Compositions comprising tetrafluoropropene and tetrafluoroethane; their use in power cycles; and power cycle apparatus
CN104791703A (zh) * 2014-01-16 2015-07-22 福特全球技术公司 具有光致发光结构的车辆背光式组件
CN104460747B (zh) * 2014-12-19 2017-01-18 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 显示器降温装置及显示器
CN105068311B (zh) * 2015-07-31 2017-02-15 深圳科利盟电子有限公司 一种背光模组
EP3346320B1 (en) * 2015-09-01 2019-10-30 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Video display device
JPWO2017038082A1 (ja) 2015-09-01 2018-07-05 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 映像表示装置
WO2017038084A1 (ja) 2015-09-01 2017-03-09 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 映像表示装置
KR20170039027A (ko) * 2015-09-30 2017-04-10 삼성디스플레이 주식회사 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 표시 장치
TWI573502B (zh) * 2016-01-20 2017-03-01 恆勁科技股份有限公司 基板結構及其製作方法
KR20170126070A (ko) * 2016-05-04 2017-11-16 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
US10908351B2 (en) 2017-02-13 2021-02-02 Signify Holding B.V. Frame for supporting a light guide panel and luminaire comprising the frame
US10679924B2 (en) 2018-03-05 2020-06-09 Win Semiconductors Corp. Semiconductor device with antenna integrated
US10824008B2 (en) * 2018-03-27 2020-11-03 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Backlight module and display device
DE102018009292A1 (de) 2018-11-26 2020-05-28 Harting Ag Elektrooptische Baugruppe mit Wärmeabführung sowie Verfahren zur Herstellung einer solchen Baugruppe
CN109597245B (zh) * 2019-01-02 2023-12-12 京东方科技集团股份有限公司 背光模组及其制备方法、显示装置
TWI787084B (zh) 2022-02-16 2022-12-11 群光電能科技股份有限公司 背光模組

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060124912A (ko) * 2005-06-01 2006-12-06 삼성전자주식회사 집적 회로칩 패키지 및 이를 구비한 표시장치
KR20070069499A (ko) * 2005-12-28 2007-07-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 엘이디 백라이트어셈블리 및 이를 이용한 액정표시장치모듈
KR20080057881A (ko) * 2006-12-21 2008-06-25 엘지전자 주식회사 인쇄회로기판, 이를 포함하는 발광 장치 및 그 제조 방법
KR20090072644A (ko) * 2007-12-28 2009-07-02 한국 고덴시 주식회사 고출력 엘이디 패키지 및 그 제조방법

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3507251B2 (ja) * 1995-09-01 2004-03-15 キヤノン株式会社 光センサｉｃパッケージおよびその組立方法
JPH10223800A (ja) * 1997-02-12 1998-08-21 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体パッケージの製造方法
US20020105001A1 (en) * 2001-02-07 2002-08-08 Strelchun Thomas Francis Optical to electrical interconnect structure
TW557105U (en) * 2003-02-25 2003-10-01 Toppoly Optoelectronics Corp Frame of LCD module
JP2006011242A (ja) * 2004-06-29 2006-01-12 Kyocera Corp 液晶表示装置
CN2835786Y (zh) * 2005-09-27 2006-11-08 光磊科技股份有限公司 一种散热型发光二极管光源模块及其灯具
US20070126020A1 (en) * 2005-12-03 2007-06-07 Cheng Lin High-power LED chip packaging structure and fabrication method thereof
TWI322915B (en) * 2006-03-31 2010-04-01 Au Optronics Corp Heat dissipation structure of backliht module
JP2008287960A (ja) * 2007-05-16 2008-11-27 Nec Lighting Ltd 照明装置
WO2009022808A2 (en) * 2007-08-13 2009-02-19 Lg Electronics Inc. Circuit board for light emitting device package and light emitting unit using the same
TW201003991A (en) * 2008-07-03 2010-01-16 jia-han Xie Package structure of LED and light bar using the same

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060124912A (ko) * 2005-06-01 2006-12-06 삼성전자주식회사 집적 회로칩 패키지 및 이를 구비한 표시장치
KR20070069499A (ko) * 2005-12-28 2007-07-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 엘이디 백라이트어셈블리 및 이를 이용한 액정표시장치모듈
KR20080057881A (ko) * 2006-12-21 2008-06-25 엘지전자 주식회사 인쇄회로기판, 이를 포함하는 발광 장치 및 그 제조 방법
KR20090072644A (ko) * 2007-12-28 2009-07-02 한국 고덴시 주식회사 고출력 엘이디 패키지 및 그 제조방법

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KR20110011763A (ko) 2011-02-09
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