KR101341452B1 - A supersonic waves lease the regular plasma head dry plasma Ashing - Google Patents

A supersonic waves lease the regular plasma head dry plasma Ashing Download PDF

Info

Publication number
KR101341452B1
KR101341452B1 KR1020110142991A KR20110142991A KR101341452B1 KR 101341452 B1 KR101341452 B1 KR 101341452B1 KR 1020110142991 A KR1020110142991 A KR 1020110142991A KR 20110142991 A KR20110142991 A KR 20110142991A KR 101341452 B1 KR101341452 B1 KR 101341452B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
plasma
cleaning
head
electrode
optical film
Prior art date
Application number
KR1020110142991A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20130074894A (en
Inventor
이대준
Original Assignee
씨티에스(주)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 씨티에스(주) filed Critical 씨티에스(주)
Priority to KR1020110142991A priority Critical patent/KR101341452B1/en
Publication of KR20130074894A publication Critical patent/KR20130074894A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101341452B1 publication Critical patent/KR101341452B1/en

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • B08B7/0035Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B11/00Cleaning flexible or delicate articles by methods or apparatus specially adapted thereto
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • B08B7/02Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by distortion, beating, or vibration of the surface to be cleaned
    • B08B7/026Using sound waves
    • B08B7/028Using ultrasounds
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • B08B7/04Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by a combination of operations
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1303Apparatus specially adapted to the manufacture of LCDs

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Cleaning In General (AREA)

Abstract

본 발명은 광학필름의 제조 공정에 있어서, 광학필름 상에 부착된 이물이나 지문 등의 유기물들을 동시에 세정이 가능하도록 초음파와 플라즈마를 이용하여 초음파 세정과 플라즈마 세정/ 코팅을 한 번에 가능하게 하는 플라즈마 애싱 건식 초음파세정기 및 그 플라즈마 헤드에 관한 것으로서, 건식초음파 세정방법과 대기압플라즈마 발생방식의 세정방법을 함께 사용하여 초음파 세정을 거친 후 1차적으로 이물을 제거한 후 플라즈마 세정으로 2차 이물을 제거함과 동시에 플라즈마에 의해 표면처리도 함께 되어 막질간의 접착력을 향상시키거나, 약액 처리공정에서 약액의 침투력을 향상 시키도록 하고, 마지막으로 1차 세정과 동일한 초음파 세정을 거쳐 플라즈마 세정으로부터 발생된 이물이나 오염들을 제거하는 플라즈마 애싱 건식 초음파세정기 및 그 플라즈마 헤드를 제공함에 주안점을 두고 그 기술적 과제로서 완성해낸 것이다.The present invention, in the manufacturing process of the optical film, plasma to enable ultrasonic cleaning and plasma cleaning / coating at a time by using ultrasonic waves and plasma to enable the cleaning of organic materials such as foreign substances and fingerprints attached to the optical film at the same time The present invention relates to an ashing dry ultrasonic cleaner and its plasma head. The ultrasonic cleaning method is performed by using a dry ultrasonic cleaning method and an atmospheric pressure plasma generating method. The surface treatment is also performed by the plasma to improve adhesion between the membranes or to improve the penetration of the chemical in the chemical treatment process. Finally, foreign substances or contaminants generated from the plasma cleaning are removed through the same ultrasonic cleaning as the first cleaning. Plasma Ash Dry Ultrasonic Cleaner Focuses the plasma head to provide to complete came up as a technical problem.

Description

플라즈마 애싱 건식 초음파세정기 및 그 플라즈마 헤드{A supersonic waves lease the regular plasma head dry plasma Ashing}A supersonic waves lease the regular plasma head dry plasma ashing

본 발명은 광학필름의 제조 공정에 있어서, 롤 형태의 광학필름 상에 부착된 이물이나 지문 등의 유기물들을 동시에 세정이 가능하도록 초음파와 플라즈마를 이용하여 초음파 세정과 플라즈마 세정/ 코팅을 한 번에 가능하게 하는 플라즈마 애싱 건식 초음파세정기 및 그 플라즈마 헤드에 관한 것이다.
According to the present invention, in the manufacturing process of the optical film, ultrasonic cleaning and plasma cleaning / coating can be performed at one time by using ultrasonic waves and plasma so as to simultaneously clean foreign substances such as foreign substances or fingerprints attached on the roll-type optical film. The present invention relates to a plasma ashing dry ultrasonic cleaner and a plasma head thereof.

일반적으로 PDP나 LCD등의 패널 제조공정에는 패널을 세정하는 공정이 많이 있으며, 초음파를 이용한 세정방법으로서는 순수한 물이나 세정액으로 미립자를 제거하는 초음파세정방법(습식방법)과, 공기와 초음파를 내뿜어서 미립자를 날려 보내는 세정방법(건식방법)이 있으며, 플라즈마를 이용한 세정방법으로는 진공 플라즈마 발생방식과 대기압 플라즈마 발생방식이 있다.
In general, panel manufacturing processes such as PDPs and LCDs have many processes for cleaning panels. Ultrasonic cleaning methods include ultrasonic cleaning method (wet method) for removing fine particles with pure water or cleaning solution, and blowing air and ultrasonic waves. There is a cleaning method (dry method) that blows out the fine particles, and the cleaning method using plasma includes a vacuum plasma generation method and an atmospheric pressure plasma generation method.

모든 재료의 표면세정 정도는 그 재료 위에 다른 소재를 증착, 도포 또는 접합하여 응용할 경우, 접착력 및 밀착력에 매우 큰 영향을 미친다.The degree of surface cleaning of all materials has a great influence on adhesion and adhesion when other materials are deposited, coated or bonded on the material.

종래의 표면 세정방법은 여러 가지의 화학약품들을 이용하여 이루어져 왔으나, 이러한 방법은 화학약품들에 의한 환경공해문제로 인해 그 사용이 제한되어 왔으며, 따라서 새로운 표면세정 방법들이 많이 연구되고 있다.Conventional surface cleaning methods have been made using various chemicals, but these methods have been limited in their use due to environmental pollution caused by chemicals, and thus new surface cleaning methods have been studied.

저압 플라즈마를 이용한 표면세정 방법은 저압의 진공조 내에 플라즈마를 발생시켜 만들어진 이온이나 활성화된 가스를 재료의 표면과 접촉시켜 재료표면의 불순물이나 오염물질을 제거하는 것이다.The surface cleaning method using a low pressure plasma is to remove impurities or contaminants on the surface of the material by contacting the surface of the material with ions or activated gas produced by generating a plasma in a low pressure vacuum chamber.

이러한 저압 상태의 플라즈마를 이용하는 표면세정 방법은 우수한 세정효과에도 불구하고 널리 이용되지는 않고 있는 실정인데, 이는 저압 플라즈마를 발생시키기 위해서는 진공 장치가 필요하게 되고, 따라서 대기압 상태에서 이루어지는 연속공정에는 적용되기 어렵기 때문이다The surface cleaning method using the plasma in the low pressure state is not widely used in spite of the excellent cleaning effect, which requires a vacuum device to generate the low pressure plasma, and thus is applied to the continuous process at atmospheric pressure. Because it is difficult

이에 따라 최근에는 대기압 상태에서 플라즈마를 발생시켜 표면세정에 이용하고자 하는 연구가 매우 활발히 이루어지고 있다.
Accordingly, recent studies have been actively conducted to generate plasma under atmospheric pressure and use it for surface cleaning.

대기압 플라즈마는 여러 가지 방법을 이용하여 발생시킬 수 있으며, 가장 보편적으로 사용되는 방법으로는 오존 발생장치에서 이미 오랫동안 사용되어져 왔던 무성방전 방식이다(Siemens W. 1857, Ann, Phys. Chem. 102, 66~122).Atmospheric pressure plasma can be generated by various methods, the most commonly used method being silent discharge method that has been used in ozone generator for a long time (Siemens W. 1857, Ann, Phys. Chem. 102, 66 ~ 122).

무선방전의 원리는 이미 잘 알려진 바와 같이, 금속 전극의 한쪽 또는 양쪽을 절연체로 절연하고, 금속 전극에 고전압의 교류 또는 펄스를 인가하게 되면, 양 전극 사이의 공간에서 고전압에 의한 방전이 일어나고 그에 의해 플라즈마가 발생되는 원리이다.The principle of wireless discharge is well known, when one or both sides of the metal electrode is insulated with an insulator, and high voltage alternating current or pulse is applied to the metal electrode, a high voltage discharge occurs in the space between the two electrodes, whereby Plasma is generated.

이와 같이 발생된 플라즈마를 이용하여 양 전극 사이의 공간에 놓인 시료의 표면을 세정하게 된다.The generated plasma is used to clean the surface of the sample placed in the space between the two electrodes.

그러나, 이러한 전극구조는 실제 시료의 표면세정에 이용할 경우, 양 전극 사이의 공간에 놓인 시료가 위치해야만 하므로 매우 얇은 형태의 판상 시료만이 처리가 가능하며 따라서 그 적용분야가 매우 제한될 수밖에 없다.However, when the electrode structure is used for the surface cleaning of the actual sample, the sample placed in the space between the two electrodes must be located, so only a very thin plate-like sample can be processed, and thus its application field is very limited.

또한, 시료가 절연체가 아닌 도전성을 지닌 금속 및 반도체 시료일 경우, 고전압에 의한 시료의 손상을 가져올 수 있는 단점이 있다.
In addition, when the sample is a metal and semiconductor sample having conductivity rather than an insulator, there is a disadvantage that the sample may be damaged by high voltage.

최근에는 이러한 대기압 무성방전의 단점을 극복하고자 13.56 MHz의 RF 전력을 이용하여 대기압 플라즈마를 발생시켜 이용하고자 하는 연구가 이루어지고 있는 실정이나 RF 전력장치의 가격이 높고, 임피던스 정합이 필요하며, 장치가 복잡해지는 단점이 있다.
In recent years, in order to overcome the drawbacks of the atmospheric silent discharge, researches are being conducted to generate and use atmospheric plasma using RF power of 13.56 MHz, but the cost of RF power devices is high, and impedance matching is necessary. It has the disadvantage of being complicated.

상기와 같은 기술들에 종래 알려진 기술들을 살펴보면,Looking at the techniques known in the prior art as described above,

등록번호 20-0306427호는 ‘대기압 플라즈마를 이용한 표면 세정 장치’에 관한 것으로 무성방전 방식으로 발생된 플라즈마를 빠른 기류의 흐름을 이용하여 방전공간 밖으로 이끌어내어 이용한다. 즉, 플라즈마 발생공간인 양전극 사이공간의 한쪽을 방전에 이용하는 기체의 유입구로 하고, 다른 쪽을 배출구로 하여 방향성의 기류 흐름을 부여하면 방전공간 내의 플라즈마가 배출구 쪽으로 분출되며 이와 같이 분출된 플라즈마를 이용하여 배출구 쪽에 위치한 시료 표면의 세정을 수행할 수 있는 것을 나타내고 있다.
Registration No. 20-0306427 relates to a surface cleaning apparatus using atmospheric pressure plasma. The plasma generated by the silent discharge method is used to draw out of the discharge space by using a fast air flow. That is, if one side of the space between the positive electrode, which is the plasma generating space, is used as the inlet for the gas used for discharge, and the other side is the outlet, the directional air flow is applied, the plasma in the discharge space is ejected toward the outlet, and thus the discharged plasma is used. It is shown that the cleaning of the sample surface located on the outlet side can be performed.

공개번호 10-2007-0091412호는 ‘패널의 건식 제진장치’에 관한 것으로 토출구를 구비하는 토출실; 상기 토출실의 양측 혹은 한측에 배치되어 흡입구를 구비하는 흡입실; 상기 토출실에 내장되어 전기로 강한 초음파를 발생시키는 초음파진동자가 구비된 패널의 건식제진장치에 있어서, 상기 초음파진동자의 하부에는 폭이 좁고 길이가 긴 장방형으로 형성되어 초음파를 넓게 분사시키는 방사판을 부착하여 구성되는 것을 나타내고 있다.
Publication No. 10-2007-0091412 relates to a dry damping device for a panel, comprising: a discharge chamber having a discharge port; A suction chamber disposed at both sides or one side of the discharge chamber and having a suction port; In the dry vibration isolator of a panel provided with an ultrasonic vibrator is built in the discharge chamber to generate a strong ultrasonic electricity electrically, the lower portion of the ultrasonic vibrator is formed in a rectangular shape having a narrow width and a long length radiating plate for spraying a wide ultrasonic wave It is attached and is shown.

공개번호 10-2011-0054939호는 ‘건식 세정장치’에 관한 것으로 세정 작업이 진행될 기판을 고정하는 기판척; 초음파 헤드와 상압 플라즈마 헤드가 동시에 구비되며, 상기 기판척에 고정된 기판 상면을 스캐닝하면서 세정하는 세정헤드; 상기 세정헤드를 상기 기판척의 일단에서 타단 방향으로 수평 이동시키는 헤드 수평 이동부; 를 포함하는 것을 나타내고 있다.
Publication No. 10-2011-0054939 relates to a 'dry cleaning apparatus', comprising: a substrate chuck fixing a substrate on which a cleaning operation is to be performed; A cleaning head having an ultrasonic head and an atmospheric pressure plasma head at the same time, for cleaning while scanning the upper surface of the substrate fixed to the substrate chuck; A head horizontal moving unit for horizontally moving the cleaning head from one end of the substrate chuck to the other end; It shows that it contains.

상기와 같은 종래 기술들을 토대로 초음파 세정과 플라즈마 세정에 관해 알아보면, 먼저 초음파 세정은 초음파 발진장치로부터 전기 신호가 진동판의 진동자로 인가되면 이 진동자는 기계신호로 변환하고, 이 변환된 기계신호는 수중의 매질을 통하여 진동하여, 음압의 변화로 캐비테이션 현상을 발생시켜 이물의 박리 및 제거에 사용하는 것을 초음파 세정이라 하며, 일반적으로 사용되는 습식 세정 방식인 것이다.In the ultrasonic cleaning and plasma cleaning based on the conventional techniques described above, first, ultrasonic cleaning is performed when an electric signal is applied to the vibrator of the diaphragm from the ultrasonic oscillator, the vibrator is converted into a mechanical signal, and the converted mechanical signal is underwater. Ultrasonic cleaning is a method of vibrating through a medium, generating a cavitation phenomenon due to a change in sound pressure, and using it for exfoliation and removal of foreign matter, which is a commonly used wet cleaning method.

캐비테이션이란 초음파의 감압측의 반주기로 음의 압력이 발생하기 때문에 액체 속에 공동이 발생하고, 중압측의 반주기에 밀려 일그러져서 그때 발생하는 충격적인 큰 압력에 의해 수축과 팽창을 반복적으로 동작하다가 표면장력 이상의 압력에 의하여 수축 폭발이 일어나는 현상이며, 수축 폭발에 의해서 발생한 매우 미세한 기포들이 피 세척물의 이물을 박리 및 제거한다.
Cavitation is a negative pressure generated at the half-cycle of the decompression side of the ultrasonic wave, so a cavity is generated in the liquid, and it is distorted by the half-cycle at the medium-pressure side. Shrinkage explosion occurs due to pressure, and very fine bubbles generated by the shrinkage explosion exfoliate and remove foreign substances from the object to be cleaned.

진공 플라즈마 세정은 세정 공정을 정밀하게 제어할 수 있다는 장점이 있지만 장비의 가격이 비싸고, 시간도 많이 드는 단점이 있으며, 최근에는 대기압 상태에서 플라즈마를 발생시키고, 이를 세정공정에 활용하려는 연구와 개발이 활발하게 진행되고 있다. 특히 LCD분야에서는 패널이 대형화되면서 장비의 가격과 유지비 등이 큰 폭으로 상승하게 도어 이를 획기적으로 낮출 수 있는 대기압 플라즈마의 활용성에 대한 기대가 높으며, 현재 연구되고 있거나 사용되고 있는 비 평형 대기압 플라즈마의 종류로는 위에서 나열한 방전이 있다.Vacuum plasma cleaning has the advantage of precise control of the cleaning process, but the cost of the equipment is expensive and time-consuming. Recently, research and development to generate plasma at atmospheric pressure and use it in the cleaning process has been made. It is actively underway. In particular, the LCD field has high expectations for the utilization of atmospheric pressure plasma, which can drastically lower the doors due to the large size of the panel, which greatly increases the price and maintenance cost of the equipment, and is a type of non-balanced atmospheric pressure plasma currently being studied or used. There is a discharge listed above.

현재까지의 연구를 보면 주로 코로나 방전, DC, ARC, RF 대기압 플라즈마 등과 같은 플라즈마의 발생기작 기술로 연구가 되어왔으나, 진공이 아닌 상압에서 방전을 일으켜야 하기 때문에 저압에서와 비교하여 상당히 높은 전압이 두 전극사이에 인가되어야 하므로 플라즈마 발생에 중요한 역할을 하는 전극의 손실을 가져오는 문제점이 있었다.Until now, research has been conducted mainly on plasma generating mechanisms such as corona discharge, DC, ARC, and RF atmospheric plasma, but the voltage is considerably higher than that at low pressure because the discharge must be generated at normal pressure instead of vacuum. Since it must be applied between the electrodes there was a problem that the loss of the electrode that plays an important role in the generation of plasma.

이로 인해 전극을 자주 교체해야 하고, 또 전극의 손실에서 오는 플라즈마의 오염이 항상 문제가 되어 왔으나 전극을 사용하지 않고, 상압에서 플라즈마를 발생 시킬 경우에는 위와 같은 문제가 근본적으로 발생되지 않을 것인데, 이와 같은 목적으로 현재 DBD, RF 또는 마이크로파를 이용한 유도 플라즈마 발생장치들이 대안으로 나오는 것이다.
Because of this, the electrode has to be replaced frequently, and the contamination of the plasma from the loss of the electrode has always been a problem, but when the plasma is generated at normal pressure without using the electrode, the above problem will not occur. For the same purpose, induction plasma generators using DBD, RF, or microwave are currently provided as an alternative.

그러나 상기한 통상적인 세정 공정에 따르면, 일반적으로 초음파 세정 공정 후 플라즈마 세정공정까지의 사이에서 기타 무기물, 유기물의 이물질이 광학필름에 발생하게 되고, 플라즈마 세정공정 후에도 무기물, 유기물의 이물질이 다시금 발생하게 되어 광학필름의 제조 공정에 있어 세정에 대한 시간이 많이 소요되며, 세정에 필요한 화학제도 과소비되게 되고, 그로 인해 부가적인 비용이 많이 발생하게 되는 등 많은 문제점이 있었다.However, according to the above-described conventional cleaning process, foreign matters of other inorganic and organic matters are generally generated in the optical film between the ultrasonic cleaning process and the plasma cleaning process, and foreign matters of the inorganic and organic matters are generated again even after the plasma cleaning process. Therefore, the manufacturing process of the optical film takes a lot of time for the cleaning, the chemicals required for the cleaning is also excessively consumed, resulting in a lot of additional costs, such as a number of problems.

또한, LCD, PDP 등 디스플레이용 각종 광학광학필름은 신뢰성과 품질을 높이기 위해 수 미크론의 먼지 하나라도 엄격하게 관리해야 하며, 광학필름 표면에 dust, 오일, 미생물에 의해 발생된 기름 성분 등 여러 가지의 이물질로 오염되는 경우 불량의 원인이 되는 것이다.
In addition, various optical optical films for displays such as LCDs and PDPs must be strictly managed for even a few microns of dust to improve reliability and quality. If it is contaminated with foreign materials, it will cause defect.

본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출해낸 것으로서 건식초음파 세정방법과 대기압플라즈마 발생방식의 세정방법을 함께 사용하여 초음파 세정을 거친 후 1차적으로 이물을 제거한 후 플라즈마 세정으로 2차 이물을 제거함과 동시에 플라즈마에 의해 표면처리도 함께 되어 막질간의 접착력을 향상시키거나, 약액 처리공정에서 약액의 침투력을 향상 시키도록 하고, 마지막으로 1차 세정과 동일한 초음파 세정을 거쳐 플라즈마 세정으로부터 발생된 이물이나 오염들을 제거하는 플라즈마 애싱 건식 초음파세정기 및 그 플라즈마 헤드를 제공함에 주안점을 두고 그 기술적 과제로서 완성해낸 것이다.
The present invention has been made in order to solve the problems of the prior art as described above using a dry ultrasonic cleaning method and a cleaning method of atmospheric plasma generation method after the ultrasonic cleaning after the first removal of foreign matter, and then the second foreign matter by plasma cleaning At the same time, the surface treatment is performed by plasma to improve the adhesion between the membranes, or to improve the penetration of the chemical in the chemical treatment process. Finally, the foreign substance generated from the plasma cleaning through the same ultrasonic cleaning as the first cleaning. The present invention has been completed as a technical problem with a focus on providing a plasma ashing dry ultrasonic cleaner and its plasma head to remove contaminants.

상기한 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따르면 초음파화 된 에어를 배출하여 광학필름의 일 측에 부유된 무기물의 이물질을 세정하는 헤드, 상기 초음파화 된 에어의 배출로 광학필름에서 이탈하게 되는 무기물의 이물질을 흡입하는 흡입구가 구비된 제 1세정헤드와, 상기 세정헤드의 무기물 세정 후 광학필름에 잔존하는 유기물의 이물질을 플라즈마 건에 의해 발생되는 플라즈마가 유기물의 결합에너지 이상의 에너지를 부여하여 광학필름의 유기물을 분해, 세정되도록 하는 플라즈마 헤드와, 상기 제 1세정헤드와 같이 헤드와 흡입구가 구성되되, 상기 플라즈마 헤드에서 유기물의 분해, 세정된 유기물과 잔존하는 무기물의 이물질을 세정하는 제 2세정헤드가 순차적으로 위치하여 광학필름의 일면을 세정하도록 구성되도록 하는 것으로서 과제를 해결하고자 한다.
According to the present invention for achieving the above object is a head for cleaning the foreign matter of inorganic matter suspended on one side of the optical film by discharging the ultrasonicated air, the inorganic material to be separated from the optical film by the discharge of the ultrasonicated air The first cleaning head having a suction port for suctioning foreign substances, and the plasma generated by the plasma gun of the foreign matter remaining in the optical film after the inorganic cleaning of the cleaning head imparts energy above the binding energy of the organic film, A plasma head for decomposing and cleaning organic matters, and a head and a suction port are formed as in the first cleaning head, and a second washing head for decomposing organic matters in the plasma head and cleaning foreign matters of the remaining organic matters and remaining inorganic matters It is to be arranged to sequentially clean the one side of the optical film to solve the problem To be determined.

본 발명에 따른 플라즈마 애싱 건식 초음파세정기 및 그 플라즈마 헤드에 의하면, 환경보호 차원에서도 산업폐수를 줄이고 화학제를 줄여 환경오염을 방지하고, 산업 폐기물 처리에 따른 비용 감소 효과가 있으며, 대형화된 평판 디스플레이의 유리 기판이나 광학필름도 기존 습식 세정 처리보다 저렴한 비용으로 장비제작이 가능하고, 한 번에 초음파와 플라즈마 세정을 동시에 처리 가능하도록 하여 높은 세정 효율과 광학필름이나 LCD, PDP의 공정도 단축시킬 수 있는 등 그 효과가 큰 발명이라 하겠다.
According to the plasma ashing dry ultrasonic cleaner according to the present invention and its plasma head, it is possible to reduce the industrial wastewater and reduce chemicals to prevent environmental pollution, and to reduce the cost of industrial waste treatment, and to increase the size of flat panel displays. Glass substrates and optical films can be manufactured at a lower cost than conventional wet cleaning treatments. Ultrasonic and plasma cleaning can be performed at the same time, and high cleaning efficiency and optical film, LCD, and PDP processes can be shortened. The effect is great invention.

도 1은 본 발명을 구성을 나타내는 사시도
도 2는 본 발명의 바람직한 실시 예를 나타내는 정면도
도 3은 본 발명의 바람직한 다른 실시 예를 나타내는 정면도
도 4는 본 발명의 구성 중 플라즈마 헤드를 상세히 나타내는 정면도
도 5는 본 발명의 구성 중 플라즈마 헤드의 작동을 나타내는 정면도
1 is a perspective view showing a configuration of the present invention
2 is a front view showing a preferred embodiment of the present invention
3 is a front view showing another preferred embodiment of the present invention
4 is a front view showing in detail the plasma head of the configuration of the present invention;
5 is a front view showing the operation of the plasma head in the configuration of the present invention;

본 발명은 광학필름(p)의 제조 공정에 있어서 광학필름(p) 상에 부착된 이물이나 지문 등의 유기물들을 동시에 세정이 가능하도록 초음파와 플라즈마를 이용하여 초음파 세정과 플라즈마 세정 / 코팅을 한 번에 가능하게 하는 일체형 세정기술로 광학필름(p)의 불량률을 감소시키는 데 중요한 역할을 하기 위한 것이다.In the present invention, in the manufacturing process of the optical film (p), ultrasonic cleaning and plasma cleaning / coating are performed once using ultrasonic waves and plasma to simultaneously clean foreign substances such as foreign substances and fingerprints attached on the optical film (p). It is to play an important role in reducing the defective rate of the optical film (p) with an integrated cleaning technology that enables to.

일반적으로 PDP나 LCD 등의 광학필름(p) 제조공정에는 광학필름(p)을 세정하는 공정이 많이 있으며, 초음파를 이용한 세정방법으로는 순수한 물이나 세정액으로 미립자를 제거하는 초음파세정방법(습식방법)과, 공기와 초음파를 내뿜어서 미립자를 날려 보내는 세정방법(건식방법)이 있으며, 플라즈마를 이용한 세정방법으로는 진공 플라즈마 발생방식과 대기압 플라즈마 발생방식이 있다.
In general, optical film (p) manufacturing processes such as PDP and LCD have many processes for cleaning optical film (p). Ultrasonic cleaning method uses ultrasonic cleaning method to remove fine particles with pure water or cleaning solution (wet method). ), And a cleaning method (dry method) for blowing out particles and air by blowing air and ultrasonic waves, and a vacuum plasma generating method and an atmospheric pressure plasma generating method are used as cleaning methods using plasma.

본 발명에서는 건식 초음파 세정방법과 대기압플라즈마 발생방식의 세정방법을 함께 사용하고자 한다.
In the present invention, a dry ultrasonic cleaning method and an atmospheric pressure plasma generating method are used together.

초음파 세정을 거친 후 1차적으로 이물을 제거한 후 플라즈마 세정으로 2차 이물을 제거함과 동시에 플라즈마에 의해 표면처리도 함께 되어 막질간의 접착력을 향상시키거나, 약액 처리공정에서 약액의 침투력을 향상시키는 것이다.After the ultrasonic cleaning, the first foreign matter is removed, and then the second foreign matter is removed by plasma cleaning, and the surface treatment is also performed by plasma to improve adhesion between the membranes or to improve the penetration of the chemical in the chemical treatment process.

마지막으로 1차 세정과 동일한 초음파의 2차 세정을 거쳐 플라즈마 세정으로부터 발생된 이물이나 오염들을 제거하는 형태로, 총 3번의 세정과정을 거치게 되는 것이다.
Lastly, the cleaning process is performed three times in the form of removing foreign substances or contaminants generated from the plasma cleaning through the second cleaning of the same ultrasonic wave as the first cleaning.

이하 첨부된 도면 1 내지 5를 참조하여 본 발명의 구성을 보다 상세하게 설명하도록 한다.
Hereinafter, the configuration of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

도 1을 참고로 설명하면, 초음파화 된 에어를 배출하여 광학필름(p)의 일 측에 부유된 무기물의 이물질을 세정하는 헤드(11), 상기 초음파화 된 에어의 배출로 광학필름(p)에서 이탈하게 되는 무기물의 이물질을 흡입하는 흡입구(12)가 구비된 제 1세정헤드(10)와, 상기 세정헤드(10)의 무기물 세정 후 광학필름(p)에 잔존하는 유기물의 이물질을 플라즈마 건에 의해 발생되는 플라즈마가 유기물의 결합에너지 이상의 에너지를 부여하여 광학필름의 유기물을 분해, 세정되도록 하는 플라즈마 헤드(20)와, 상기 제 1세정헤드(10)와 같은 역할을 하는 구성의 헤드(31)와 흡입구(32)가 구성되되, 상기 플라즈마 헤드(20)에서 유기물의 분해, 세정된 유기물과 잔존하는 무기물의 이물질을 세정하는 제 2세정헤드(30)가 순차적으로 위치하여 광학필름(p)의 일면을 세정하도록 구성되어야 한다.
Referring to Figure 1, the head 11 for cleaning the foreign matter of inorganic matter suspended on one side of the optical film (p) by discharging the ultrasonicated air, the optical film (p) by the discharge of the ultrasonicated air The first cleaning head 10 is provided with a suction port 12 for suctioning foreign matters that are separated from the plasma, and the foreign matters remaining on the optical film p after cleaning the inorganic matters of the cleaning head 10 are plasma guns. Plasma generated by the plasma to give more than the binding energy of the organic material of the plasma head 20 to decompose and clean the organic material of the optical film, and the head 31 having the same function as the first cleaning head 10 ) And the suction port 32, and the second cleaning head 30 sequentially cleaning the organic matters in the plasma head 20 and cleaning the foreign matters remaining in the organic matters and the remaining inorganic matters is disposed in the optical film p. To clean one side of the It must be constructed.

상기 제 1세정헤드(10)를 살펴보면, 세정하려는 광학필름(p)이 플라즈마 헤드(20)에 들어가기 전 플라즈마 헤드(20)에 손상을 입힐 수 있는 대형 먼지나 기타 이물질을 제거하기 위한 것으로서, 중심부의 헤드(11)에서 초음파화 된 에어가 배출되고, 상기 초음파화 된 에어의 배출로 광학필름(p)에서 이탈하게 되는 무기물의 이물질을 흡입하는 흡입구(12)가 대형 먼지나 무기물의 이물질을 흡입하는 것이다.Looking at the first cleaning head 10, the optical film (p) to be cleaned to remove large dust or other foreign matter that may damage the plasma head 20 before entering the plasma head 20, the center Ultrasonicized air is discharged from the head 11 of the suction port, and a suction port 12 which sucks foreign matters of the inorganic substance which is separated from the optical film p by the discharge of the ultrasonicated air sucks large dust or foreign matters. It is.

또한, 이는 플라즈마 헤드(20)의 보호와 능률을 높이기 위함이므로 약한 출력으로 전력 소모를 줄일 수도 있는 것이다.
In addition, since this is to increase the protection and efficiency of the plasma head 20, it is possible to reduce power consumption with a weak output.

일반적으로 디스플레이용 광학광학필름은 매우 유연하므로 평탄면에서 초음파에어 세정을 시도하면, 심각한 떨림 현상이 일어나게 되어 도 2, 도 3에 도시한 바와 같이 롤러(r)에 밀착되면서 곡면을 이루는 방식을 채택하여 사용하고 있다.
In general, since the optical optical film for display is very flexible, when the ultrasonic air cleaning is attempted on a flat surface, a serious shaking phenomenon occurs, and as shown in FIG. 2 and FIG. I use it.

상기 플라즈마 헤드(20)는 상기 제 1세정헤드(10)의 무기물 세정 후 광학필름(p)에 잔존하는 유기물의 이물질을 플라즈마의 발생으로 유기물의 결합에너지 이상의 에너지를 부여하여 광학필름(p)의 유기물을 분해, 세정되도록 하는 것이다.
The plasma head 20 imparts the energy of the organic energy remaining in the optical film p after the inorganic cleaning of the first cleaning head 10 to the optical energy of the organic film p by generating plasma. It is to decompose and clean organic matter.

대기압 플라즈마의 표면세정 원리에 대해 살펴보면, 대기압 플라즈마는 서로 대향된 전극사이에 교류 전기장을 인가하면 전기장에 의해 반응 가스내 전자는 높은 에너지로 가속되어지고, 일정 수준이상의 에너지로 가속된 전자는 산소 분자와 충돌하여 산소 이온을 만들거나 산소 원자 이온으로 분리되게 되는 것이다.In the surface cleaning principle of the atmospheric plasma, the atmospheric plasma is applied to the alternating electric field between the electrodes facing each other, the electron in the reaction gas is accelerated to a high energy by the electric field, the electron accelerated to a certain level of energy is oxygen molecules Collide with to form oxygen ions or separate into oxygen atom ions.

이온 상태는 매우 불안정한 상태이므로 주위의 전자와 결합하여 산소 라디컬이 되거나 다른 산소 이온과 결합하여 오존을 만들게 되며, 오존은 다시 전자와 충돌하여 산소 분자와 산소 라디컬로 다시 분해되는 것이다. 이렇게 생성된 산소 라디컬은 피처리물 위로 분출시켜 유기물을 제거하는 것이다.
Since the ionic state is very unstable, it combines with surrounding electrons to form oxygen radicals, or combines with other oxygen ions to form ozone, and ozone collides with the electrons again to decompose into oxygen molecules and oxygen radicals. The oxygen radicals thus produced are ejected onto the object to remove organic matter.

유기물은 주로 탄화수소(hydrocarbon)가 서로 고리형태로 연결되어 있는데, 대기압 플라즈마 장치에서 발생되는 라디칼(radical)들이 그 고리를 끊어서 유기물을 분해시키는 작용을 통해 유기물을 제거하는 것이다.
The organic material is mainly a hydrocarbon (cyclic hydrocarbon) is connected to each other in the form of a ring, radicals generated in the atmospheric plasma apparatus (radical) is to remove the organic material through the action of breaking the organic matter by breaking the ring.

이는 여러 단계의 화학작용을 통해서 이루어지는데, 유기물을 분해하는 작용에 가장 큰 역할을 하는 것은 주로 산소를 플라즈마 처리하여 발생되는 산소 라디컬과 오존, 산소 등이 있으며, 또한 공기 중의 수증기가 분해된 수산화기 등이 있다.
This is achieved through several stages of chemical reactions. The most important role in decomposing organic matter is oxygen radicals, ozone, oxygen, etc., which are generated by plasma treatment of oxygen. Etc.

1단계 반응은 주로 탄화수소 고리 끝의 탄소와 수소 원자 간의 결합을 끊어 수소원자 1개를 탈락시키는 작용이 발생한다. 이러한 작용에는 주로 수산화기와 산소 라디컬에 의해 이루어지며, 그 반응율은 오존과 산소분자에 의한 반응율에 100배 내지 10,000배 가량 되므로 주요 반응 인자는 산소 라디컬과 수산화기라고 할 수 있는 것이다.The one-stage reaction mainly occurs by the action of breaking one bond of hydrogen atoms by breaking the bond between carbon and hydrogen atoms at the end of the hydrocarbon ring. This action is mainly made of hydroxyl radicals and oxygen radicals, and the reaction rate is about 100 to 10,000 times the reaction rate by ozone and oxygen molecules, so the main reaction factors are oxygen radicals and hydroxyl groups.

또한, 플라즈마 생성 시 발생되는 자외선에 의한 직접 분해작용도 일어날 수 있지만, 이는 미비한 수준이라 할 수 있다.
In addition, direct decomposition by ultraviolet rays generated during plasma generation may occur, but this may be inferior.

2단계 반응은 수소원자를 잃은 탄화수소 결합의 남아있는 탄소원자가 매우 불안정한 상태이므로 주위의 산소분자와 결합하여 이산화탄소로 하나씩 이탈하게 되는 것이다.
In the two-stage reaction, since the remaining carbon atoms of the hydrocarbon bonds having lost hydrogen atoms are very unstable, they combine with the surrounding oxygen molecules and escape to carbon dioxide one by one.

3단계 반응은 분열이 진행된 탄화수소 고리의 잔유물들이 초기 반응과 2단계 반응의 연속작용으로 인하여 결국에는 수증기분자와 이산화탄소로 모두 분해되는 것이다. 또한, 산소라디컬이 세정물 표면과 결합하여 극성기들을 만들어 내는데, 이러한 극성기들로 인해 친수성의 특징이 나타나며, 이를 이용하여 PR 및 폴리머의 신수화에 사용되기도 하는 것이다.
In the three-stage reaction, the residues of the split hydrocarbon ring are eventually decomposed into water vapor molecules and carbon dioxide due to the continuous reaction between the initial reaction and the two-stage reaction. In addition, oxygen radicals combine with the surface of the cleaning material to produce polar groups, which are characterized by hydrophilicity, which can be used for PR and polymerization.

대기압 플라즈마 표면처리의 가장 큰 특징은 세정물 표면의 에너지를 진공이 아닌 대기압에서 원하는 데로 조절할 수 있다는 것이며, 특히 coating, deposition 공정에서의 대기압 플라즈마의 사용은 막질간의 접착력을 향상시키거나, 약액 처리공정 전에 사용하여 약액의 침투력을 향상시키는 것이다.
The biggest feature of atmospheric plasma surface treatment is that the energy of the surface of the cleaning material can be adjusted as desired at atmospheric pressure instead of vacuum. In particular, the use of atmospheric plasma in the coating and deposition process improves the adhesion between the membranes and the chemical treatment process. It is used before to improve the penetration of chemicals.

본 발명에서 사용되는 플라즈마 헤드(20)를 도 4를 참고로 설명하면, 상호 마주하도록 구성되되 상측에 상부지지대(120)가 연결 구성되고, 상기 상부지지대(120)를 관통하여 연결 구성되되 간격을 조절하는 간격조절부재(110)가 구성된 상부챔버(100)와, 상호 마주하도록 구성되되 하부에 내측방향으로 제 2전극(221)이 구성되어 노즐부(220)를 형성시키고, 상부 내측에는 상기 상부챔버(100)의 하부에 돌출된 돌출부(140)가 끼움 장착되며, 상기 돌출부(140)를 연결하는 높이조절부재(210)가 외측에 구성되고, 하측부에는 공정가스가 공급되는 가스주입구(240)와 배출되는 가스배출구(250)가 형성된 하부챔버(200)와, 상기 상, 하부챔버(100, 200)의 연결로 내부공간에 형성되는 공간부에는 상기 상부지지대(120)와 연결 구성되되 상기 노즐부(220)에서 발생하는 열을 감소시키는 냉각장치(300)와, 상기 냉각장치(300)와 노즐부(220) 사이에 구성되는 제 1전극(400) 및 상기 제 1전극(400)을 감싸도록 구성되되 플라즈마 및 고정가스로부터 보호하는 절연부재(500)로 구성되는 것을 사용하였다.
Referring to Figure 4 with reference to the plasma head 20 used in the present invention, it is configured to face each other, the upper support 120 is configured to be connected to the upper side, it is configured to connect through the upper support 120, the interval The upper chamber 100 configured to adjust the gap adjusting member 110 is configured to face each other, but the second electrode 221 is configured in the lower direction to form a nozzle unit 220, the upper inside the upper Protruding portion 140 protruding from the lower portion of the chamber 100 is fitted, the height adjusting member 210 connecting the protrusion 140 is configured on the outside, the lower portion is a gas injection port 240 is supplied with the process gas And the lower chamber 200 in which the gas outlet 250 is discharged and the upper and lower chambers 100 and 200 are formed in the inner space by the connection of the upper and lower chambers 100 and 200. Reduce heat generated by the nozzle unit 220 Insulation configured to surround the cooling device 300 and the first electrode 400 and the first electrode 400 formed between the cooling device 300 and the nozzle unit 220 to protect from plasma and fixed gas. What consisted of the member 500 was used.

도 5를 참고로 설명하면, 상기 간격조절부재(110)는 하나 이상 다수개 구성할 수 있으며, 마주하도록 구성된 하부챔버(200)를 내, 외측으로 조절하여 제 1전극(400)과 제 2전극(221)과의 간격을 조절할 수 있는 것이어야 한다.Referring to FIG. 5, the gap adjusting member 110 may be configured in one or more pieces, and the first and second electrodes 400 and 2 may be adjusted by adjusting the lower chamber 200 to face each other. It should be able to adjust the gap with (221).

상기 높이조절부재(210)는 하나 이상 다수개 구성할 수 있으며, 상기 상부챔버(100)의 높이를 조절하여 제 1전극(400)과 제 2전극(221)과의 높이를 조절할 수 있는 것이어야 한다.
One or more height adjusting members 210 may be configured, and the height adjusting member 210 may adjust the height of the first electrode 400 and the second electrode 221 by adjusting the height of the upper chamber 100. do.

상기 본 발명에 적용한 플라즈마 헤드(20)는 본 발명의 구성에 의해 적용한 것이며, 이는 종래 일반적으로 사용하는 대기압 플라즈마 헤드를 사용해도 무방한 것으로 상기 구성에 대해 한정하지 아니한다.
The plasma head 20 applied to the present invention is applied by the configuration of the present invention, which may be used as the conventional atmospheric pressure plasma head, and is not limited to the above configuration.

상기 제 2세정헤드(30)를 살펴보면, 상기 제 1세정헤드(10)의 역할과 같은 구성으로 구성되되 중심부의 헤드(31)에서 초음파화 된 에어가 배출되고, 상기 초음파화 된 에어의 배출로 광학필름(p)에서 이탈하게 되는 무기물의 이물질을 흡입하는 흡입구(31)가 대형 먼지나 무기물의 이물질을 흡입하는 것이다.Looking at the second cleaning head 30, it is configured in the same configuration as the role of the first cleaning head 10, the ultrasonic wave is discharged from the head 31 of the center, the discharge path of the ultrasonic wave The suction port 31 which sucks the foreign matter of the inorganic substance which is separated from the optical film p sucks the large dust or the foreign substance of the inorganic matter.

또한, 상기 플라즈마 헤드(20)에서 유기물의 분해, 세정된 유기물과 잔존하는 무기물의 이무질도 함께 흡입하여 세정하는 것이다.
In addition, in the plasma head 20, organic matters decomposed and cleaned, and organic matters remaining with the cleaned inorganic matters are also sucked and cleaned.

상기 제 1세정헤드(10)와 제 2세정헤드(30)에 구성된 흡입구(12, 32)는 중심부에 구성된 헤드(11, 31)의 일 측 또는 양측에 각각 구성될 수도 있는 것이다.
The suction ports 12 and 32 configured in the first cleaning head 10 and the second cleaning head 30 may be configured at one side or both sides of the heads 11 and 31 configured at the center.

상기 제 1세정헤드(10), 플라즈마 헤드(20) 및 제 2세정헤드(30)로 구성되는 초음파세정기(1)는 세정하려는 광학필름(p)의 일면과 타면에 각각 구비되어 광학필름(p)의 양면을 세정할 수 있는 것이다.
The ultrasonic cleaner 1 including the first cleaning head 10, the plasma head 20, and the second cleaning head 30 is provided on one surface and the other surface of the optical film p to be cleaned, respectively. Both sides of) can be cleaned.

상기 제 1세정헤드(10), 플라즈마 헤드(20) 및 제 2세정헤드(30)로 구성되는 초음파세정기(1)는 세정하려는 광학필름(p)의 일면과 타면에 각각 하나 이상 다수개를 구성하여 사용할 수도 있는 것이다.
The ultrasonic cleaner 1 including the first cleaning head 10, the plasma head 20, and the second cleaning head 30 includes one or more pieces on one surface and the other surface of the optical film p to be cleaned, respectively. It can also be used.

상기와 같이 구성되는 본 발명의 플라즈마 애싱 건식 초음파세정기 구성에 따른 작용을 도 1 내지 5를 참고하여 상세히 설명하면,
Referring to Figures 1 to 5 the action according to the plasma ashing dry ultrasonic cleaner of the present invention configured as described above in detail,

상기 대기압 플라즈마 애싱 건식 초음파세정기(1)는 먼저, 세정하려는 광학필름(p)의 인입 시 상기 광학필름(p)에 잔존하는 무기물, 유기물의 이물질들을 세정하기 위한 것으로 먼저 인입되는 부분에 구성된 초음파세정기(1)의 제 1세정헤드(10)의 헤드(11)에서 초음파화 된 에어를 배출하여 광학필름(p)의 일면에 있는 무기물의 이물질을 광학필름(p)에서 이탈하게 하고, 상기 광학필름(p)에서 이탈된 무기물의 이물질을 상기 흡입구(12)에서 흡입하여 1차적으로 세정하는 것이다.
The atmospheric plasma ashing dry ultrasonic cleaner 1 is an ultrasonic cleaner configured to clean the foreign substances remaining in the optical film p when the optical film p is to be cleaned. Ultrasonicized air is discharged from the head 11 of the first cleaning head 10 of (1) so that foreign substances on one surface of the optical film p are separated from the optical film p, and the optical film Foreign matters removed from (p) are sucked from the suction port 12 and are primarily cleaned.

상기 1차 세정헤드(10)에서 세정된 광학필름(p)은 2차적으로 광학필름(p)에 잔존하는 유기물의 이물질을 세정하기 위하여 플라즈마 헤드(20)로 세정하게 되는데, 이때 유기물의 이물질은 플라즈마 건에 의해 발생되는 플라즈마가 유기물의 결합에너지 이상의 에너지를 부여하여 광학필름(p)에 잔존하는 유기물의 이물질이 분해 및 세정되도록 하는 것이다.
The optical film p cleaned by the primary cleaning head 10 is secondly cleaned by the plasma head 20 in order to clean foreign substances remaining in the optical film p. Plasma generated by the plasma gun gives energy above the binding energy of the organic material to decompose and clean foreign substances remaining in the optical film p.

상기 2차적으로 광학필름의 유기물의 이물질을 분해 및 세정한 후 2차 세정헤드(30)에 구성된 헤드(31)에서 초음파화 된 에어를 배출하고, 잔존하는 무기물의 이물질 및 상기 플라즈마 헤드(20)에서 분해 및 세정된 유기물의 이물질을 흡입구(31)에서 흡입하는 것이다.
After decomposing and cleaning the foreign substance of the organic film of the second optical film, the ultrasonic wave is discharged from the head 31 configured in the secondary cleaning head 30, the foreign matter of the remaining inorganic matter and the plasma head 20 The foreign substance decomposed and cleaned in the suction of the suction port 31.

상기와 같은 세정으로 상기 광학필름(p)의 일면을 세정한 후 롤러(r)를 타고 이동하는 광학필름(p)의 타면을 도 2, 도 3에 도시된 바와 같이 세정하게 된다.After cleaning one surface of the optical film (p) by the cleaning as described above is to clean the other surface of the optical film (p) moving on the roller (r) as shown in Figs.

상기와 같이 타면의 세정 시에는 상기 광학필름(p)의 일면을 세정하는 방법과 같은 방법으로 세정하여 광학필름(p)의 양면을 세정할 수 있는 것이다.
As described above, when the other surface is cleaned, both surfaces of the optical film p may be cleaned by the same method as the method of cleaning one surface of the optical film p.

1 : 초음파세정기
10 : 제 1세정헤드 11 : 헤드 12 : 흡입구
20 : 플라즈마 헤드
30 : 제 2세정헤드 31 : 헤드 32 : 흡입구
100 : 상부챔버 110 : 간격조절부재
120 : 상부지지대 140 : 돌출부
200 : 하부챔버
210 : 높이조절부재 220 : 노즐부 221 : 제 2전극
240 : 가스주입구 250 : 가스배출구
300 : 냉각장치 400 : 제 1전극
500 : 절연부재
p : 광학필름
1: Ultrasonic Cleaner
10 first cleaning head 11 head 12 suction port
20: plasma head
30 second cleaning head 31 head 32 suction port
100: upper chamber 110: gap adjusting member
120: upper support 140: protrusion
200: lower chamber
210: height adjusting member 220: nozzle portion 221: second electrode
240: gas inlet 250: gas outlet
300: cooling device 400: first electrode
500: insulation member
p: optical film

Claims (10)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 초음파화 된 에어를 배출하여 광학필름의 일 측에 부유된 무기물의 이물질을 세정하는 헤드, 상기 초음파화 된 에어의 배출로 광학필름에서 이탈하게 되는 무기물의 이물질을 흡입하는 흡입구가 구비된 제 1세정헤드, 상기 세정헤드의 무기물 세정 후 광학필름에 잔존하는 유기물의 이물질을 플라즈마 장치에 의해 발생되는 플라즈마가 유기물과 결합하여 광학필름의 유기물을 분해, 세정되도록 하는 플라즈마 헤드, 상기 제 1세정헤드와 같이 초음파된 에어가 배출되는 헤드와 흡입구가 구성되되, 상기 플라즈마 헤드에서 유기물의 분해, 세정된 유기물과 잔존하는 무기물의 이물질을 세정하는 제 2세정헤드 가 순차적으로 위치하되,
상기 플라즈마 헤드는 상호 마주하도록 구성되되 상측에 상부지지대(120)가 연결 구성되고, 상기 상부지지대(120)를 관통하여 연결 구성되되 간격을 조절하는 간격조절부재(110)가 구성된 상부챔버(100);
상호 마주하도록 구성되되 하부에 내측방향으로 제 2전극(221)이 구성되어 노즐부(220)를 형성시키고, 상부 내측에는 상기 상부챔버(100)의 하부에 돌출된 돌출부(140)가 끼움 장착되며, 상기 돌출부(140)를 연결하는 높이조절부재(210)가 외측에 구성되고, 하측부에는 공정가스가 공급되는 가스주입구(240)와 배출되는 가스배출구(250)가 형성된 하부챔버(200);
상기 상, 하부챔버(100, 200)의 연결로 내부공간에 형성되는 공간부에는 상기 상부지지대(120)와 연결 구성되되 상기 노즐부(220)에서 발생하는 열을 감소시키는 냉각장치(300);
상기 냉각장치(300)와 노즐부(220) 사이에 구성되는 제 1전극(400);
상기 제 1전극(400)을 감싸도록 구성되되 플라즈마 및 고정가스로부터 보호하는 절연부재(500); 로 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 애싱 건식 초음파세정기
A first cleaning is provided with a head for cleaning the foreign matter of the inorganic matter suspended on one side of the optical film by discharging the ultrasonicated air, the suction port for suctioning the foreign material of the inorganic material that is separated from the optical film by the discharge of the ultrasonicated air Plasma head to decompose and clean the organic material of the optical film by combining the plasma generated by the plasma device with the organic material remaining on the optical film after cleaning the inorganic material of the head, the cleaning head, such as the first cleaning head Ultrasonic air is discharged from the head and the inlet port, the second cleaning head for decomposing organic matter, cleaned organic matter and remaining inorganic matter in the plasma head are sequentially located,
The plasma head is configured to face each other, the upper support 120 is configured to be connected to the upper side, the upper chamber 120 is configured to be connected through the upper support 120, the interval adjusting member 110 for adjusting the interval is configured ;
The second electrode 221 is configured to face each other but is formed in the lower direction to form the nozzle unit 220, and the protrusion 140 protruding from the lower portion of the upper chamber 100 is fitted to the upper inside. A lower chamber 200 having a height adjusting member 210 connecting the protrusion 140 to an outer side thereof, and having a gas inlet 240 for supplying a process gas and a gas outlet 250 for discharging;
The space portion formed in the inner space by the connection of the upper chamber, the lower chamber (100, 200) is connected to the upper support 120 is configured to reduce the heat generated from the nozzle unit 220;
A first electrode 400 configured between the cooling device 300 and the nozzle unit 220;
An insulation member 500 configured to surround the first electrode 400 to protect from the plasma and the fixed gas; Plasma ashing dry ultrasonic cleaner, characterized in that consisting of
제 5항에 있어서,
상기 간격조절부재(110)는 하나 이상 다수개 구성할 수 있으며, 마주하도록 구성된 하부챔버(200)를 내, 외측으로 조절하여 제 1전극(400)과 제 2전극(221)과의 간격을 조절할 수 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 애싱 건식 초음파세정기
6. The method of claim 5,
The gap adjusting member 110 may be configured in one or more, and adjust the interval between the first electrode 400 and the second electrode 221 by adjusting the lower chamber 200 to face the inner, outer side configured to face. Plasma ashing dry ultrasonic cleaner, characterized in that
제 5항에 있어서,
상기 높이조절부재(210)는 하나 이상 다수개 구성할 수 있으며, 상기 상부챔버(100)의 높이를 조절하여 제 1전극(400)과 제 2전극(221)과의 높이를 조절할 수 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 애싱 건식 초음파세정기

6. The method of claim 5,
One or more height adjustment members 210 may be configured, and the height between the first electrode 400 and the second electrode 221 may be adjusted by adjusting the height of the upper chamber 100. Plasma Ash Dry Ultrasonic Cleaner

광학필름의 양면을 세정할 수 있는 플라즈마 애싱 건식 초음파세정기의 플라즈마 헤드에 있어서,
상호 마주하도록 구성되되 상측에 상부지지대(120)가 연결 구성되고, 상기 상부지지대(120)를 관통하여 연결 구성되되 간격을 조절하는 간격조절부재(110)가 구성된 상부챔버(100);
상호 마주하도록 구성되되 하부에 내측방향으로 제 2전극(221)이 구성되어 노즐부(220)를 형성시키고, 상부 내측에는 상기 상부챔버(100)의 하부에 돌출된 돌출부(140)가 끼움 장착되며, 상기 돌출부(140)를 연결하는 높이조절부재(210)가 외측에 구성되고, 하측부에는 공정가스가 공급되는 가스주입구(240)와 배출되는 가스배출구(250)가 형성된 하부챔버(200);
상기 상, 하부챔버(100, 200)의 연결로 내부공간에 형성되는 공간부에는 상기 상부지지대(120)와 연결 구성되되 상기 노즐부(220)에서 발생하는 열을 감소시키는 냉각장치(300);
상기 냉각장치(300)와 노즐부(220) 사이에 구성되는 제 1전극(400);
상기 제 1전극(400)을 감싸도록 구성되되 플라즈마 및 고정가스로부터 보호하는 절연부재(500); 를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 애싱 건식 초음파세정기 및 그 플라즈마 헤드

In the plasma head of the plasma ashing dry ultrasonic cleaner capable of cleaning both sides of the optical film,
An upper chamber 100 configured to face each other and configured to be connected to an upper support 120 at an upper side thereof, and connected to penetrate through the upper support 120 but configured to adjust a gap;
The second electrode 221 is configured to face each other but is formed in the lower direction to form the nozzle unit 220, and the protrusion 140 protruding from the lower portion of the upper chamber 100 is fitted to the upper inside. A lower chamber 200 having a height adjusting member 210 connecting the protrusion 140 to an outer side thereof, and having a gas inlet 240 for supplying a process gas and a gas outlet 250 for discharging;
The space portion formed in the inner space by the connection of the upper chamber, the lower chamber (100, 200) is connected to the upper support 120 is configured to reduce the heat generated from the nozzle unit 220;
A first electrode 400 configured between the cooling device 300 and the nozzle unit 220;
An insulation member 500 configured to surround the first electrode 400 to protect from the plasma and the fixed gas; Plasma ashing dry ultrasonic cleaner and its plasma head comprising a

제 8항에 있어서,
상기 간격조절부재(110)는 하나 이상 다수개 구성할 수 있으며, 마주하도록 구성된 하부챔버(200)를 내, 외측으로 조절하여 제 1전극(400)과 제 2전극(221)과의 간격을 조절할 수 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 애싱 건식 초음파세정기 및 그 플라즈마 헤드
The method of claim 8,
The gap adjusting member 110 may be configured in one or more, and adjust the interval between the first electrode 400 and the second electrode 221 by adjusting the lower chamber 200 to face the inner, outer side configured to face. Plasma ashing dry ultrasonic cleaner and its plasma head, characterized in that
제 9항에 있어서,
상기 높이조절부재(210)는 하나 이상 다수개 구성할 수 있으며, 상기 상부챔버(100)의 높이를 조절하여 제 1전극(400)과 제 2전극(221)과의 높이를 조절할 수 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 애싱 건식 초음파세정기 및 그 플라즈마 헤드
The method of claim 9,
One or more height adjustment members 210 may be configured, and the height between the first electrode 400 and the second electrode 221 may be adjusted by adjusting the height of the upper chamber 100. Plasma ashing type ultrasonic cleaner and plasma head thereof
KR1020110142991A 2011-12-27 2011-12-27 A supersonic waves lease the regular plasma head dry plasma Ashing KR101341452B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110142991A KR101341452B1 (en) 2011-12-27 2011-12-27 A supersonic waves lease the regular plasma head dry plasma Ashing

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110142991A KR101341452B1 (en) 2011-12-27 2011-12-27 A supersonic waves lease the regular plasma head dry plasma Ashing

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130074894A KR20130074894A (en) 2013-07-05
KR101341452B1 true KR101341452B1 (en) 2013-12-13

Family

ID=48988873

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110142991A KR101341452B1 (en) 2011-12-27 2011-12-27 A supersonic waves lease the regular plasma head dry plasma Ashing

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101341452B1 (en)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101452851B1 (en) * 2014-06-08 2014-10-21 강기열 The removing method of foreign materials of film material in plasma treatment process to enhance adhesion by preprocessing of screen-printing and thereof device
CN113053723A (en) * 2019-12-26 2021-06-29 苏州富怡达超声波有限公司 Method and device for cleaning wafer based on ultrasonic-plasma combination
JPWO2022064680A1 (en) * 2020-09-28 2022-03-31
CN113655010A (en) * 2021-10-18 2021-11-16 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 Method for evaluating performance of low-pressure oxygen plasma for cleaning organic pollutants

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0760211A (en) * 1993-08-31 1995-03-07 Shinko:Kk Dust extractor
KR101008253B1 (en) * 2008-12-23 2011-01-14 이혜영 Dry type cleaning device for cleaning organic and inorganic matter on substrate
KR20110105649A (en) * 2010-03-19 2011-09-27 씨티에스(주) Glass panel dust separating device
KR20110132946A (en) * 2010-06-03 2011-12-09 (주)지니아텍 Clean equipment for organic and inorganic material

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0760211A (en) * 1993-08-31 1995-03-07 Shinko:Kk Dust extractor
KR101008253B1 (en) * 2008-12-23 2011-01-14 이혜영 Dry type cleaning device for cleaning organic and inorganic matter on substrate
KR20110105649A (en) * 2010-03-19 2011-09-27 씨티에스(주) Glass panel dust separating device
KR20110132946A (en) * 2010-06-03 2011-12-09 (주)지니아텍 Clean equipment for organic and inorganic material

Also Published As

Publication number Publication date
KR20130074894A (en) 2013-07-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4077704B2 (en) Plasma processing equipment
JP5021877B2 (en) Discharge plasma processing equipment
US8062432B2 (en) Cleaning method for turbo molecular pump
KR101341452B1 (en) A supersonic waves lease the regular plasma head dry plasma Ashing
CN102085520A (en) Normal-pressure dual-medium barrier flat-opening type active radical cleaning system
CN207587690U (en) Non-thermal soft plasma cleans system
KR20080019560A (en) Cleaning apparatus and cleaning method
CN102085521A (en) Normal-pressure dual-medium barrier type active radical cleaning system
US20080047585A1 (en) Cleaning apparatus and cleaning method
US20200383197A1 (en) Atmospheric pressure linear rf plasma source for surface modification and treatment
KR100824137B1 (en) Dry mote removing device of panel
US20080142057A1 (en) Cleaning device using atmospheric gas discharge plasma
CN102087487A (en) Novel method for cleaning silicon wafer by normal pressure plasma free radical beam
WO2008038901A1 (en) Plasma generator
KR100491140B1 (en) Method and apparatus for removing contaminants from the surface of a substrate with atmospheric-pressure plasma
JP2002143795A (en) Method for cleaning glass substrate for liquid crystal
JP2004207145A (en) Discharge plasma processing device
JP4743311B2 (en) Irradiation device
JP2010157483A (en) Plasma generating apparatus
JP3722733B2 (en) Discharge plasma processing equipment
CN202591170U (en) Normal-pressure dual RF radio frequency electrode plasma free radical cleaning spray gun
KR200306427Y1 (en) Apparatus for removing contaminants from the surface of a substrate with atmospheric-pressure plasma
JP3984514B2 (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
WO2020087683A1 (en) Plasma generator, and plasma-based cleaning device
KR101002335B1 (en) System for Atmospheric Pressure Plasma

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161213

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171211

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181025

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190925

Year of fee payment: 7