KR101340392B1 - Static elimination apparatus - Google Patents
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Abstract
본 발명은 제전 장치에 관한 것으로서, 간단한 구성의 제어 회로에 의해 이온 밸런스를 적절하게 제어할 수 있도록 한 제전 장치를 제공하는 것을 과제로 한다.The present invention relates to an antistatic device, and an object of the present invention is to provide an antistatic device capable of appropriately controlling the ion balance by a control circuit having a simple configuration.
본 발명에서는, 플러스 극성의 고전압 펄스를 발생시키는 플러스측 고전압 발생 회로(50P)와, 마이너스 극성의 직류 바이어스 전압을 발생시키는 마이너스측 고전압 발생 회로(50N)와, 고전압 펄스에 직류 바이어스 전압을 중첩하여 얻은 교류 전압 펄스가 저항(8)을 통하여 인가되고, 플러스 이온 및 마이너스 이온이 발생하는 방전침(9)과, 이 방전침(9)로부터 대향 전극(10)에 흐르는 방전 전류를 검출하기 위한 방전 전류 검출용 저항(11)과, 방전침(9)으로부터 접지점을 통하여 각 고전압 발생 회로(50P, 50N) 측에 흐르는 이온 전류를 검출하기 위한 이온 전류 검출용 저항(12)과, 접속점(13, 14)과, 각 검출용 저항(11, 12) 및 저항(13, 14)에 의한 전류 검출값의 합성 신호에 따라 직류 바이어스 전압의 크기를 조정하고, 방전침(9)으로부터 발생하는 플러스 이온 및 마이너스 이온의 이온 밸런스를 제어하는 제어 회로(2)를 포함한다.In the present invention, the positive-side high voltage generating circuit 50P for generating a high-voltage pulse of positive polarity, the negative-side high voltage generating circuit 50N for generating a DC bias voltage of negative polarity, and the DC bias voltage are superimposed on the high-voltage pulse. The obtained alternating voltage pulse is applied through the resistor 8, and the discharge needle 9 in which positive and negative ions are generated, and the discharge for detecting the discharge current flowing from the discharge needle 9 to the counter electrode 10. The resistance 11 for current detection, the ion current detection resistor 12 for detecting the ion current which flows from the discharge needle 9 to each high voltage generation circuit 50P, 50N through a ground point, and the connection point 13, 14 and the positive ions generated from the discharge needle 9 by adjusting the magnitude of the DC bias voltage in accordance with the combined signal of the current detection values by the detection resistors 11 and 12 and the resistors 13 and 14; hemp A control circuit (2) for controlling the ion balance of the bonus ion.
Description
본 발명은, 방전침에 교류 전압 펄스(플러스 마이너스의 고전압 펄스)를 인가하여 플러스 이온 및 마이너스 이온을 발생시켜서, 이들 플러스 이온 및 마이너스 이온에 의해 피제전물을 제전(除電)하는 제전 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an antistatic device that applies an alternating current voltage pulse (plus negative high voltage pulse) to a discharge needle to generate positive ions and negative ions, and then discharges the object to be charged by these positive ions and negative ions. will be.
종래, 이러한 종류의 제전 장치로서, 예를 들면, 특허 문헌 1 및 특허 문헌 2에 기재된 것이 공지되어 있다.Conventionally, what was described in
도 4는 특허 문헌 1에 기재된 종래 기술을 나타내는 회로도이다. 도 4에서, 도면 부호 101은 직류 전원, 102a 및 102b는 스위치, 103은 제어 회로, 104는 플러스측 고전압 발생 회로, 105는 마이너스측 고전압 발생 회로, 104a 및 105a는 트랜스포머, 104b 및 105b는 배전압(double voltage) 정류 회로, 106은 방전침, 107a 및 107b는 저항, 108은 부유 용량을 각각 나타내고 있다.4 is a circuit diagram showing the prior art described in
다음에, 이 종래 기술의 동작을 대략 기술한다.Next, the operation of this prior art is roughly described.
제어 회로(103)에 의해 플러스측의 스위치(102a)와 마이너스측의 스위치(102b)를 교대로 온(ON)(다른 쪽의 스위치는 오프(OFF))하면, 플러스측 고전압 발생 회로(104)로부터 출력되는 플러스의 고전압 펄스와, 마이너스측 고전압 발생 회로(105)로부터 출력되는 마이너스의 고전압 펄스가 방전침(106)에 교대로 인가된 다. 이로써, 방전침(106)의 주위에는 플러스 이온 및 마이너스 이온이 교대로 발생하므로, 방전침(106) 측으로부터 피제전물(도시하지 않음) 방향으로 송풍함으로써, 피제전물에 대하여 플러스 이온 및 마이너스 이온을 공급할 수 있다. 또한, 각 스위치(102a, 102b)의 온/오프 시간이나 그 듀티비(duty rate)를 변경하면, 방전침(106)에 인가되는 플러스 전압 및 마이너스 전압의 크기나 주파수를 제어할 수 있으므로, 플러스 이온 및 마이너스 이온의 이온 밸런스 제어를 가능하게 하고 있다.When the
또한, 도 5는, 특허 문헌 2에 기재된 종래 기술을 나타내는 회로도이다. 도 5에서, 도면 부호 201은 플러스측 고전압 발생 회로, 202는 마이너스측 고전압 발생 회로, 201a 및 202a는 자려 발진(自勵發振) 회로, 201b 및 202b는 트랜스포머, 201c 및 202c는 배전압 정류 회로, 203a 및 203b는 제너 다이오드(Zener diode), 204는 저항, 205는 방전침, 206은 대향 전극(그라운드 플레이트), 207 내지 209는 저항, 210은 이온 전류 검지 회로, 211은 이상 방전 전류 검지 회로, 212는 CPU, 213은 표시 LED, 214는 프레임 그라운드, 215는 고압측 그라운드를 각각 나타내고 있다.5 is a circuit diagram showing the prior art described in
이 종래 기술에서도, 플러스측 고전압 발생 회로(201) 및 마이너스측 고전압 발생 회로(202)로부터 방전침(205)에 플러스 고전압 펄스 및 마이너스 고전압 펄스가 인가되고, 방전침(205)으로부터 플러스 이온 및 마이너스 이온이 교대로 발생한다. 그리고, 저항(207)을 흐르는 전류의 변화를 이온 전류 검지 회로(210)에 의해 검지하여 방전침(205)의 오염을 검출하고, 이것을 표시 LED(213)에 의해 표시한다. 또한, 저항(207)을 흐르는 플러스 전류 및 마이너스 전류의 밸런스로부터 이온 발생량의 이온 밸런스를 검출하고, 저항(208)을 흐르는 전류로부터 피제전물 근방에서의 이온 밸런스를 검출할 수 있고, 이들 검출 결과에 따라 CPU(212)로부터 각 발진 회로(201a, 202a)에 보내지는 제어 신호의 듀티비를 제어함으로써, 이온 밸런스를 제어할 수 있다.Also in this prior art, a positive high voltage pulse and a negative high voltage pulse are applied from the positive side high
그리고, 이상 방전 전류 검지 회로(211)는, 저항(209)을 흐르는 전류로부터 방전침(205)과 그라운드 플레이트(206) 사이의 이상 방전을 검출하여 알람 표시 등을 행하기 위한 것이다.The abnormal discharge
특허 문헌 1: 일본국 특개 2000-58290호 공보(단락 [0035]∼[0049], 도 1∼도 3 등)Patent Document 1: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-58290 (paragraphs [0035] to [0049], FIGS. 1 to 3, etc.)
특허 문헌 2: 일본국 특개 2002-216995호 공보(단락[0020]∼[0024], 도 5 등)Patent Document 2: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-216995 (paragraphs [0020] to [0024], FIG. 5, etc.)
특허 문헌 1에 기재된 종래 기술에서는, 이온 밸런스를 최적으로 제어하기 위하여, 제어 회로(103)에 의해 스위치(102a, 102b)의 온/오프 시간이나 그 듀티비를 조정할 필요가 있으므로, 제어 회로(103)의 구성이 복잡하게 되는 문제가 있다.In the prior art described in
또한, 특허 문헌 2에 기재된 종래 기술에서는, 저항(207, 208)에 의해 방전침(205) 근방의 발생 이온이나 피제전물 근방에서의 플러스 이온 및 마이너스 이온의 이온 밸런스를 검출할 수 있지만, 이온 밸런스를 제어하는 방법은 기본적으로 특허 문헌 1과 같기 때문에, CPU(212)에 의한 제어 프로그램 등이 복잡화될 우려가 있었다.In addition, in the prior art described in
또한, 특허 문헌 2에 따른 종래 기술에서는, 방전침(205)으로부터 고압측 그라운드(215)를 통하여 트랜스포머(201b, 202b)의 2차 측에 흐르는 이온 전류를 검출할 수 없으므로, 이온 밸런스를 고정밀도로 제어할 수 없는 문제가 있었다.Further, in the prior art according to
따라서, 본 발명의 해결 과제는, 간단한 구성의 제어 회로에 의해 이온 밸런스를 적절하게 또한 고정밀도로 제어할 수 있는 제전 장치를 제공하고자 하는 것이다.Accordingly, a problem to be solved by the present invention is to provide an antistatic device which can control the ion balance appropriately and with high accuracy by a control circuit of a simple configuration.
전술한 과제를 해결하기 위하여, 청구항 1에 기재된 발명은, 플러스 극성 및 마이너스의 극성 중 어느 한쪽의 극성의 전압 펄스를 발생시키는 제1 고전압 발생 회로와; 상기 전압 펄스의 극성과는 반대 극성의 직류 바이어스 전압을 발생시키는 제2 고전압 발생 회로와; 상기 전압 펄스에 상기 직류 바이어스 전압을 중첩하여 얻은 교류 전압 펄스가 저항을 통하여 인가되고, 대향 전극 사이의 코로나 방전에 의해 플러스 이온 및 마이너스 이온이 발생하는 방전침과; 상기 방전침과 상기 대향 전극 사이에 흐르는 방전 전류를 검출하기 위한 방전 전류 검출용 저항과; 상기 방전침과 제1 및 제2 고전압 발생 회로 사이에 접지점을 통하여 흐르는 이온 전류를 검출하기 위한 이온 전류 검출용 저항과; 상기 방전 전류 검출용 저항 및 이온 전류 검출용 저항에 의한 검출 신호를 합성하고, 그 합성 신호에 따라 상기 직류 바이어스 전압의 크기를 조정하여 상기 방전침으로부터 발생하는 플러스 이온 및 마이너스 이온의 이온 밸런스를 제어하는 제어 회로를 포함한다.In order to solve the above-mentioned problems, the invention described in
청구항 2에 기재된 발명은, 청구항 1에 기재된 제전 장치에 있어서, 제1 고전압 발생 회로로부터 출력되는 전압 펄스의 주파수를 가변하는 수단을 포함한다.The invention described in
청구항 3에 기재된 발명은, 청구항 1 또는 청구항 2에 기재된 제전 장치에 있어서, 제1 고전압 발생 회로로부터 출력되는 전압 펄스가 플러스 극성이며, 제2 고전압 발생 회로로부터 출력되는 직류 바이어스 전압이 마이너스 극성인 것을 특징으로 한다.In the invention according to
[발명의 효과][Effects of the Invention]
본 발명에 의하면, 종래 기술과 같이, 플러스 전압 펄스나 마이너스 전압 펄스의 듀티비를 변화시키는 등의 복잡한 방법에 따르지 않고도, 플러스 이온 및 마이너스 이온의 이온 밸런스를 적절하게 또한 고정밀도로 제어할 수 있고, 회로 구성의 간략화나 비용의 저감을 도모할 수 있다.According to the present invention, the ion balance of positive ions and negative ions can be controlled appropriately and with high accuracy, without resorting to complicated methods such as changing the duty ratio of positive voltage pulses and negative voltage pulses as in the prior art. The circuit configuration can be simplified and the cost can be reduced.
또한, 방전 전류 검출용 저항, 제1 이온 전류 검출용 저항 및 제2 이온 전류 검출용 저항에 의한 전류 검출값에 기초하여, 직류 바이어스 전압을 조정함으로써, 정밀도가 높은 이온 밸런스 제어가 가능하게 된다.In addition, by adjusting the DC bias voltage based on the current detection values by the discharge current detection resistor, the first ion current detection resistor, and the second ion current detection resistor, high-precision ion balance control is possible.
도 1은 본 발명의 실시예를 나타내는 회로 구성도이다.1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention.
도 2는 실시예에서의 제어부 및 각 저항의 접속 관계를 나타내는 회로도이다.2 is a circuit diagram showing a connection relationship between a control unit and respective resistors in the embodiment.
도 3은 실시예의 동작을 나타낸 파형도이다.3 is a waveform diagram showing the operation of the embodiment.
도 4는 특허 문헌 1에 기재된 종래 기술의 회로 구성도이다.4 is a circuit configuration diagram of the prior art described in
도 5는 특허 문헌 2에 기재된 종래 기술의 회로 구성도이다.5 is a circuit configuration diagram of the prior art described in
[부호의 설명][Description of Symbols]
1: 직류 전원1: DC power
2: 제어 회로2: control circuit
2A, 2B: 출력 단자2A, 2B: Output terminal
2C: 입력 단자2C: input terminal
3: 스위치3: switch
4P: 플러스측 발진 회로4P: plus side oscillator circuit
4N: 마이너스측 발진 회로4N: negative oscillation circuit
5P, 5N: 트랜스포머5P, 5N: transformer
6P, 6N: 배전압 정류 회로6P, 6N: Double Voltage Rectifier Circuit
61, 64: 컨덴서61, 64: condenser
62: 제너 다이오드62: Zener Diode
63, 65: 다이오드63, 65: diode
7, 8, 12: 저항7, 8, 12: resistance
9: 방전침9: discharge needle
10: 대향 전극10: counter electrode
11: 방전 전류 검출용 저항11: Resistor for detecting discharge current
12: 이온 전류 검출용 저항12: resistance for ion current detection
13, 14: 저항13, 14: resistance
15, 16: 접속점15, 16: connection point
20B: 제어부20B: control unit
21: 컨덴서21: Condenser
22: 저항22: resistance
23: 오피앰프(OP-AMP)23: OP-AMP
24: 귀환 저항24: feedback resistance
25: 볼륨 저항25: volume resistance
50P: 플러스측 고전압 발생 회로50P: positive side high voltage generation circuit
50N: 마이너스측 고전압 발생 회로50N: Negative-side high voltage generation circuit
이하, 도면을 따라서 본 발명의 실시예를 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
먼저, 도 1은 본 발명의 실시예를 나타내는 회로 구성도이다. 도 1에서, 도면 부호 1은 직류 전원이며, 그 플러스극은 제어 회로(2)의 전원 단자에 접속되어 있다. 제어 회로(2)의 입력 단자(2C)에는, 후술하는 방전 전류 검출용 저항(11), 이온 전류 검출용 저항(12) 및 저항(13, 14)의 각 일단이 접속되고, 제어 회로(2)의 제1 출력 단자(2A)는 스위치(3)를 통하여 플러스측 발진 회로(4P)의 입력 측에 접속되어 있고, 제어 회로(2)의 제2 출력 단자(2B)는 마이너스측 발진 회로(4N)의 입력 측에 접속되어 있다.First, FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention. In Fig. 1,
플러스측 발진 회로(4P)의 출력 측에는 트랜스포머(5P)의 1차 코일이 접속되고, 그 2차 코일에는 복수개의 컨덴서(61), 제너 다이오드(62) 및 다이오드(63)로 이루어지는 배전압 정류 회로(6P)가 접속되어 있다. 이 배전압 정류 회로(6P)는, 트랜스포머(5P)의 2차 코일에 발생하는 고주파 교류 전압을 승압 및 정류하고, 플러스 전압 펄스를 출력하도록 동작한다.The primary side of the
여기서, 트랜스포머(5P) 및 배전압 정류 회로(6P)는, 제1 고전압 발생 회로로서의 플러스측 고전압 발생 회로(50P)를 구성하고 있다.Here, the
또한, 마이너스측 발진 회로(4N)의 출력 측에는 트랜스포머(5N)의 1차 코일이 접속되고, 그 2차 코일에는 복수개의 컨덴서(64) 및 다이오드(65)로 이루어지는 배전압 정류 회로(6N)가 접속되어 있다. 이 배전압 정류 회로(6N)는, 트랜스포머(5N)의 2차 코일에 발생하는 고주파 교류 전압을 승압 및 정류하고, 마이너스의 직류 바이어스 전압을 출력하도록 동작한다.In addition, a primary coil of the
여기서, 트랜스포머(5N) 및 배전압 정류 회로(6N)는, 제2 고전압 발생 회로로서의 마이너스측 고전압 발생 회로(50N)를 구성하고 있다.Here, the
플러스측 고전압 발생 회로(50P)의 출력 단자는 접속점(15)에 직접 접속되어 있고, 마이너스측 고전압 발생 회로(50N)의 출력 단자는 전류 저지(沮止)용의 저항(7)을 통하여 접속점(15)에 접속되어 있다. 또한, 접속점(15)에는, 저항(8)을 통하여 방전침(9)이 접속되어 있다.The output terminal of the positive-side high
도면 부호 10은 방전침(9)에 근접하여 배치된 대향 전극이며, 이 대향 전극(10)은 방전 전류 검출용 저항(11) 및 접속점(16)을 통하여 제어 회로(2)의 입력 단자(2C)에 접속되어 있다.
또한, 트랜스포머(5P, 5N)의 2차 코일의 일단은, 각각 저항(13, 14) 및 접속점(16)을 통하여 제어 회로(2)의 입력 단자(2C)에 접속되어 있다. 그리고, 접속 점(16)은, 이온 전류 검출용 저항(12)을 통하여 접지(제전 장치 자체의 어스에 접속)되어 있다.One end of the secondary coils of the
즉, 제어 회로(2)의 입력 단자(2C)에는, 방전 전류 검출용 저항(11), 이온 전류 검출용 저항(12) 및 저항(13, 14)의 각 일단이, 접속점(16)에 의해 일괄적으로 접속되게 된다.In other words, at the
그리고, 도 2는, 출력 단자(2B)로부터 마이너스측의 발진 회로(4N)에 전송하는 신호를 생성하기 위한 제어부(20B)의 구성과, 각 저항(11∼14)의 접속 관계를 나타내는 회로도이며, 제어부(20B)는 제어 회로(2)의 일부를 구성하고 있다.2 is a circuit diagram showing the configuration of the control unit 20B for generating a signal transmitted from the
도 2에서, 각 저항(11∼14)의 일단이 일괄적으로 접속되어 있는 입력 단자(2C)(접속점(16))에는 컨덴서(21)의 일단이 접속되고, 그 타단은 접지되어 있다. 또한, 컨덴서(21)의 일단은, 저항(22)을 통하여 반전 증폭기로서의 오피앰프(23)의 반전 입력 단자에 접속되고, 오피앰프(23)의 비반전 입력 단자는 볼륨 저항(25)에 접속되어 있다. 도면 부호 24는 오피앰프(23)의 귀환 저항이다.In Fig. 2, one end of the capacitor 21 is connected to the
그리고, 오피앰프(23)의 출력 단자가 제어 회로(2)의 출력 단자(2B)로서 마이너스측의 발진 회로(4N)에 접속되어 있다. 그리고, 실제로는, 오피앰프(23)의 출력 측과 출력 단자(2B) 사이에 전류 증폭 회로 등이 더 접속되어 있지만, 여기서는 편의상 이들에 대한 도시를 생략하고 있다.The output terminal of the
다음에, 본 실시예의 동작을 도 3을 참조하면서 설명한다.Next, the operation of the present embodiment will be described with reference to FIG.
주 전원을 온(ON)함으로써 스위치(3)가 온되고, 제어 회로(2)의 출력 단자(2A)로부터 플러스측의 발진 회로(4P)에 제어 신호가 보내진다. 이로써, 발진 회로(4P)로부터는 고주파의 교류 전압이 출력되고, 이 교류 전압은 플러스측 고전압 발생 회로(50P) 내의 배전압 정류 회로(6P)에 의해 승압 및 정류되어 플러스 전압 펄스로서 접속점(15)에 공급된다. 도 3의 (a)는, 이 플러스 전압 펄스를 나타내고, 예를 들면, 크기를 +P1[V], 듀티비를 50%로 하고 있다.The
한편, 제어 회로(2) 내의 제어부(20B)의 동작에 의해, 출력 단자(2B)로부터는, 볼륨 저항(25)의 값에 따라 초기 설정된 제어 신호가 출력되고, 이 제어 신호가 마이너스측의 발진 회로(4N)에 보내진다. 이로써, 발진 회로(4N)로부터는 고주파의 교류 전압이 출력되고, 이 교류 전압은 마이너스측 고전압 발생 회로(50N) 내의 배전압 정류 회로(6N)에 의해 승압 및 정류되고, 저항(7)을 통하여 마이너스의 직류 바이어스 전압으로서 도 1의 접속점(15)에 공급된다. 도 3의 (b)는, 이 직류 바이어스 전압을 나타내고, 그 크기를 -N[V]로 한다.On the other hand, by the operation of the control part 20B in the
그러므로, 도 3의 (c)에 나타낸 바와 같이, 접속점(15)의 전압은 도 3의 (a)의 플러스 전압 펄스에 도 3의 (b)의 마이너스의 직류 바이어스 전압과 중첩되어, 플러스측의 진폭이 +P2[V](P2 = P1-N), 마이너스측의 진폭이 -N[V]의 교류 펄스로 된다.Therefore, as shown in FIG. 3C, the voltage at the
이 교류 펄스는 저항(8)을 통하여 방전침(9)에 인가되므로, 대향 전극(10) 사이에 생기는 코로나 방전에 의해 방전침(9) 주위의 공기를 이온화하고, 플러스 이온 및 마이너스 이온을 발생시키게 된다. 그리고, 도 3의 (c)에서의 진폭을 P2=N으로 함으로써, 방전침(9)에는 절대값 및 펄스폭이 같은 플러스 전압 펄스 및 마이 너스 전압 펄스가 교대로 인가되게 된다.Since the alternating current pulse is applied to the
여기서, 방전침(9)과 대향 전극(10) 사이에 흐르는 방전 전류는 방전 전류 검출용 저항(11)과 저항(13, 14)의 직렬 회로를 흐르므로, 방전 전류 검출값에 따른 전압이 접속점(16)에 발생하고, 이 전압은 도 2의 입력 단자(2C)에 나타난다.Here, since the discharge current flowing between the
또한, 방전침(9)으로부터 발생한 플러스 이온 및 마이너스 이온에 의해 피제전물의 제전에 기여하는 이온 전류는, 방전침(9)과 트랜스포머(5P, 5N)의 2차 코일 사이에서 제전 장치의 접지점을 통하여 흐르고, 바꾸어 말하면, 이온 전류 검출용 저항(12) 및 저항(13, 14)을 통하여 흐르므로, 플러스 이온 및 마이너스 이온의 이온 전류 검출값에 따른 전압이 접속점(16)에 발생하고, 이 전압도 입력 단자(2C)에 나타나게 된다.In addition, the ion current which contributes to the static electricity removal of the to-be-charged object by the positive ion and the negative ion which generate | occur | produced from the
그리고, 전술한 설명으로부터 명백한 바와 같이, 저항(13, 14)은, 방전 전류의 검출 및 이온 전류의 검출의 양쪽에 기여하고 있다.As is apparent from the above description, the
따라서, 입력 단자(2C)의 전압은, 방전침(9)과 대향 전극(10) 사이를 흐르는 방전 전류 검출값과, 실제로 피제전물의 제전에 기여하는 이온 전류 검출값을 합성한 신호가 되고, 방전 전류 및 이온 전류의 양쪽을 고려한 플러스 이온량 및 마이너스 이온량의 밸런스를 반영한 값이 된다.Therefore, the voltage of the
도 2에 나타낸 제어부(20B)에서는, 오피앰프(23)의 동작에 의해 입출력 전압의 극성이 반전하므로, 예를 들면, 입력 단자(2C)의 전압이 플러스 방향으로 변화하면 출력 단자(2B)의 전압은 마이너스 방향으로 변화한다. 따라서, 플러스 이온 및 마이너스 이온의 언밸런스에 의해, 입력 단자(2C)의 전압이 플러스와 마이너스 중 어느 한쪽 방향으로 변화하면, 출력 단자(2B)의 전압은 그 변화를 없애는 방향으로 변화하게 된다.In the control unit 20B shown in FIG. 2, since the polarity of the input / output voltage is reversed by the operation of the
구체적으로는, 입력 단자(2C)의 전압으로서 플러스 이온량이 과잉인 것을 검출하면, 출력 단자(2B)로부터는 도 3의 (b)에서의 직류 바이어스 전압을 마이너스 방향으로 증가시키도록 제어 신호가 출력되고, 이 제어 신호에 기초하여 발진 회로(4N) 및 마이너스측 고전압 발생 회로(50N)에 의해 마이너스 방향으로 증가한 직류 바이어스 전압이 생성된다.Specifically, when detecting that the amount of positive ions is excessive as the voltage at the
그러므로, 도 3의 (c)의 교류 펄스에서의 마이너스 전압 펄스의 면적이 증가함으로써, 마이너스 이온량이 증가하고, 플러스 이온 및 마이너스 이온의 이온 밸런스를 유지하도록 제어가 행해진다.Therefore, by increasing the area of the negative voltage pulse in the alternating pulse of Fig. 3C, the amount of negative ions increases, and control is performed to maintain the ion balance of positive and negative ions.
마이너스 이온량이 과잉인 경우의 동작은 전술한 바와 반대가 되고, 도 3의 (b)에서의 직류 바이어스 전압을 감소시키는(0"제로" 방향으로 근접하는) 제어 신호에 의해 마이너스의 직류 바이어스 전압을 감소시킴으로써, 마이너스 이온량이 감소하고, 플러스 이온 및 마이너스 이온의 이온 밸런스를 유지하도록 제어가 행해진다.The operation when the amount of negative ions is excessive is reversed as described above, and the negative DC bias voltage is reduced by a control signal that reduces the DC bias voltage (close to 0 " zero ") in Fig. 3B. By decreasing, the amount of negative ions decreases, and control is performed to maintain the ion balance of positive ions and negative ions.
전술한 바와 같은 동작에 의해, 방전침(9)로부터 발생하는 플러스 이온 및 마이너스 이온의 이온량 밸런스를 유지시킬 수 있다.By the operation as described above, the ion amount balance between the positive ions and the negative ions generated from the
또한, 제어부(20B)에서의 볼륨 저항(25)의 값을 조정하면, 마이너스의 직류 바이어스 전압의 초기값을 변경할 수 있고, 피제전물의 대전 극성에 따른 최적인 직류 바이어스 전압을 설정할 수 있다.In addition, by adjusting the value of the
그리고, 스위치(3)의 온/오프 주파수나 발진 회로(4P)의 발진 주파수를 제어함으로써, 플러스측 고전압 발생 회로(50P)로부터 출력되는 플러스 전압 펄스의 주파수를 변화시킬 수 있고, 발진 회로(4P)의 출력 전압의 진폭을 조정함으로써 플러스 전압 펄스의 진폭을 임의의 값으로 변화시킬 수 있다.By controlling the on / off frequency of the
이와 같이 플러스 전압 펄스의 주파수나 진폭, 및 마이너스의 직류 바이어스 전압의 크기를 적절하게 조정함으로써, 도 3의 (c)에 나타낸 교류 펄스의 주파수나 플러스 펄스와 마이너스 펄스의 면적의 비율을 변화시킬 수 있으므로, 플러스 이온 및 마이너스 이온의 이온 밸런스를 유지할 뿐만 아니라, 피제전물의 대전 극성에 따라 플러스 이온 또는 마이너스 이온을 더 공급하는 제어를 행할 수도 있다.By appropriately adjusting the frequency and amplitude of the positive voltage pulse and the magnitude of the negative DC bias voltage, the frequency of the AC pulse and the ratio of the area of the positive and negative pulses shown in Fig. 3C can be changed. Therefore, not only the ion balance of the positive and negative ions can be maintained, but also the control of further supplying the positive or negative ions according to the charging polarity of the object to be charged can be performed.
또한, 전술한 실시예에서는, 플러스측 고전압 발생 회로(50P)로부터 플러스 전압 펄스를 발생시키고, 마이너스측 고전압 발생 회로(50N)로부터 마이너스의 직류 바이어스 전압을 발생시켜서 이들을 중첩하고 있지만, 회로 구성을 변경함으로써, 플러스측 고전압 발생 회로(50P)로부터 플러스의 직류 바이어스 전압을 발생시키고, 마이너스측 고전압 발생 회로(50N)로부터 마이너스 전압 펄스를 발생시켜서 이들을 중첩하고, 방전침(9)에 인가해도 된다.In the above-described embodiment, positive voltage pulses are generated from the positive side high
플러스 이온 및 마이너스 이온의 이온 밸런스를 적절하고 고정밀도로 제어할 수 있고, 회로 구성의 간략화나 비용의 저감을 도모할 수 있다.The ion balance of positive and negative ions can be controlled appropriately and with high accuracy, and the circuit configuration can be simplified and the cost can be reduced.
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Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Family Cites Families (1)
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Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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