KR101339981B1 - Substrate holder module - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 기판 지지 모듈은 기판이 안착되는 지지 블럭, 지지 블럭 내에 삽입 장착된 삽입 부재, 일부가 상기 지지 블럭 내로 삽입되어, 상기 삽입 부재와 전기적으로 접속된 로드, 지지 블럭 내에서 상기 삽입 부재와 로드 사이에 배치되어, 일단이 상기 삽입 부재와 접속되는 접속 부재 및 로드 내에 삽입되어, 상기 일단이 상기 접속 부재의 타단과 접속되는 완충 부재를 포함한다.
따라서, 본 발명의 실시예들에 의하면, 완충 부재는 온도 변화에 따라 로드와 접속 부재 사이에서 발생되는 응력을 완충시키는 역할을 한다. 즉, 완충 부재는 로드와 접속 부재 간의 열팽창 계수의 차이로 인한 상호간이 충격을 상쇄 또는 완충시키는 역할을 한다. 이에, 온도 변화에 따라 로드와 완충 부재, 완충 부재와 접속 부재 및 로드와 접속 부재의 접속이 분리되는 문제를 방지할 수 있다.A substrate support module according to the present invention includes a support block on which a substrate is seated, an insertion member inserted into and mounted in a support block, a rod inserted into the support block, a part of which is electrically connected to the insertion member, and the insertion member in a support block. And a buffer member disposed between the rod and the rod, one end of which is connected to the insertion member and the rod, the one end of which is connected to the other end of the connection member.
Therefore, according to embodiments of the present invention, the buffer member serves to cushion the stress generated between the rod and the connection member in response to the temperature change. That is, the buffer member serves to cancel or cushion the mutual impact due to the difference in the coefficient of thermal expansion between the rod and the connecting member. This prevents the problem that the rod and the buffer member, the buffer member and the connection member, and the rod and the connection member are separated from each other according to the temperature change.

Description

기판 지지 모듈{Substrate holder module}Substrate holder module

본 발명은 기판 지지 모듈에 관한 것으로, 기판이 안치되는 지지 블럭 내에 설치된 삽입 부재와 상기 삽입 부재에 전원을 공급하는 로드 간의 접합 불량 문제를 최소화할 수 있는 기판 지지 모듈에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate support module, and more particularly, to a substrate support module capable of minimizing a problem of poor bonding between an insertion member installed in a support block on which a substrate is placed and a rod for supplying power to the insertion member.

기판을 지지하는 서셉터의 내부에는 삽입 부재가 매설되며, 상기 삽입 부재와 전기적으로 접속되어 전원을 공급하는 로드(road)가 구비된다. 통상적으로 서셉터의 바디(body)는 세라믹스 기재로 이루어지며, 로드는 니켈(Ni), 삽입 부재는 몰리브덴(Mo)으로 이루어 진다. 또한, 서셉터의 하부에는 상기 서셉터를 지지하는 샤프트가 마련되고, 로드가 상기 샤프트를 통해 서셉터 내로 삽입 장착되며, 통상적으로 샤프트 내부는 대기 상태이다. An insertion member is embedded in the susceptor supporting the substrate, and a rod is electrically connected to the insertion member to supply power. Typically, the body of the susceptor is made of a ceramic substrate, the rod is made of nickel (Ni), and the insertion member is made of molybdenum (Mo). In addition, a lower part of the susceptor is provided with a shaft supporting the susceptor, a rod is inserted into the susceptor through the shaft, and typically the inside of the shaft is in a standby state.

전술한 바와 같이 로드는 내부 공간이 대기 상태인 샤프트를 통해 삽입되기 때문에, 산화(oxidation) 정도가 낮으며 전기 전도성이 우수한 니켈(Ni)을 이용한다. 그리고 서셉터의 바디는 세라믹스 재료로 이루어지고, 상기 서셉터 내에 삽입 부재가 매설되면, 이를 1800℃ 내지 1900℃의 온도에서 함께 소성하는 공정을 거친다. 이에, 삽입 부재로 사용되는 재료는 소성 공정 시 용융되지 않도록, 1800℃ 내지 1900℃의 소성 온도 이상의 녹는점을 가지는 것이 바람직하다. 따라서, 서셉터 내에 매설되는 삽입 부재로 몰리브덴(Mo)을 주로 사용하고 있다.As described above, since the rod is inserted through the shaft in which the inner space is in the atmospheric state, nickel (Ni) having a low degree of oxidation and excellent electrical conductivity is used. The susceptor body is made of a ceramic material, and when the insertion member is embedded in the susceptor, the susceptor is subjected to a process of baking together at a temperature of 1800 ° C to 1900 ° C. Thus, the material used as the insertion member preferably has a melting point of 1800 ° C to 1900 ° C or higher so as not to melt during the firing process. Therefore, molybdenum (Mo) is mainly used as an insertion member embedded in the susceptor.

한편, 로드로 사용되는 니켈(Ni)과 삽입 부재로 사용되는 몰리브덴(Mo) 간의 열팽창 계수의 차이가 커, 다수번의 공정 이후 로드와 삽입 부재 간의 접합이 떨어지는 문제가 발생된다. 즉, 기판 처리 공정을 위해 로드에 전력을 공급하거나, 다시 전력 공급을 종료하면, 로드 및 삽입 부재가 가열되거나 냉각되며, 이로 인해 상기 로드 및 삽입 부재가 팽창하거나 수축하는 일이 발생한다. 그런데, 로드와 삽입 부재 간의 열팽창 계수의 차이가 커, 상기 로드 및 삽입 부재 각각이 팽창 또는 수축되는 정도의 차이가 크며, 이는 로드와 삽입 부재 사이에서 응력을 발생시키는 원인이 된다. 따라서, 일정 횟수의 공정이 진행되면 로드와 삽입 부재 사이의 접합부에 응력에 의한 충격이 가중되어, 상기 로드와 삽입 부재가 분리되는 문제가 발생된다. 이에, 일정 횟수의 공정 이후, 로드와 삽입 부재를 다시 접합시키는 보수 작업을 실시해야 하며, 이는 장비 가동율 및 생산율을 저하시키는 요인으로 작용한다.On the other hand, the difference in thermal expansion coefficient between the nickel (Ni) used as the rod and the molybdenum (Mo) used as the insertion member is large, causing a problem that the bonding between the rod and the insertion member falls after a number of processes. That is, when the power is supplied to the rod for the substrate processing process or when the power supply is ended again, the rod and the insertion member are heated or cooled, which causes the rod and the insertion member to expand or contract. However, the difference in thermal expansion coefficient between the rod and the insertion member is large, and the difference in the degree of expansion or contraction of each of the rod and the insertion member is large, which causes stress between the rod and the insertion member. Therefore, when a certain number of processes are performed, the impact caused by stress is increased in the joint portion between the rod and the insertion member, causing a problem that the rod and the insertion member are separated. Therefore, after a certain number of times, it is necessary to perform a repair work for re-joining the rod and the insertion member, which acts as a factor to lower the equipment operation rate and production rate.

한국공개특허 제2007-0096892호에는 세라믹스 기재(11), 세라믹스 기재(11) 내에 매설된 삽입 부재(12) 및 Ni로 이루어지며, 삽입 부재(12)과 연결되어 상기 삽입 부재(12)에 전원을 공급하는 급전재(13)를 포함하고, 급전재(13)와 삽입 부재(12)은 납땜, 용접 등으로 접합되는 기술이 기재되어 있다.Korean Laid-Open Patent Publication No. 2007-0096892 includes a ceramic substrate 11, an insertion member 12 embedded in the ceramic substrate 11, and Ni, and is connected to the insertion member 12 to supply power to the insertion member 12. The feed material 13 which supplies the power supply is provided, and the technique with which the feed material 13 and the insertion member 12 are joined by soldering, welding, etc. is described.

한국공개특허 제2007-0096892호Korean Patent Publication No. 2007-0096892

본 발명의 일 기술적 과제는 기판이 안치되는 지지 블럭 내에 설치된 삽입 부재와 상기 삽입 부재에 전원을 공급하는 로드간의 접합 불량 문제를 최소화할 수 있는 기판 지지 모듈을 제공하는 데 있다.One object of the present invention is to provide a substrate support module that can minimize the problem of poor bonding between the insertion member installed in the support block in which the substrate is placed and the rod for supplying power to the insertion member.

본 발명의 다른 일 기술적 과제는 온도 변화에 따라 삽입 부재와 로드 사이에 발생되는 응력을 최소화할 수 있는 기판 지지 모듈을 제공하는 데 있다.Another technical problem of the present invention is to provide a substrate support module that can minimize the stress generated between the insertion member and the rod according to the temperature change.

본 발명에 따른 기판 지지 모듈은 기판이 안착되는 지지 블럭, 상기 지지 블럭 내에 삽입 장착된 삽입 부재, 일부가 상기 지지 블럭 내로 삽입되어, 상기 삽입 부재와 전기적으로 접속된 로드, 상기 지지 블럭 내에서 상기 삽입 부재와 로드 사이에 배치되어, 일단이 상기 삽입 부재와 접속되는 접속 부재 및 상기 로드 내에 삽입되어, 상기 일단이 상기 접속 부재의 타단과 접속되는 완충 부재를 포함한다.The substrate support module according to the present invention includes a support block on which a substrate is seated, an insertion member inserted into and mounted in the support block, a rod inserted into the support block, a part of which is electrically connected to the insertion member, and the support block in the support block. A connection member disposed between the insertion member and the rod, one end of which is connected to the insertion member and a buffer member inserted into the rod, the one end of which is connected to the other end of the connection member.

상기 삽입 부재는 플라즈마 발생을 위한 전극, 정전척용 전극 및 히터 중 어느 하나이다. The insertion member is any one of an electrode for plasma generation, an electrode for an electrostatic chuck, and a heater.

상기 삽입 부재는 몰리브덴(Mo) 및 텅스텐(W) 중 어느 하나로 이루어진다.The insertion member is made of one of molybdenum (Mo) and tungsten (W).

상기 접속 부재는 몰리브덴(Mo)으로 이루어진 기판 지지 모듈.The connection member is a substrate support module made of molybdenum (Mo).

상기 로드는 니켈(Ni)로 이루어진다.The rod is made of nickel (Ni).

상기 완충 부재는 코바(kovar) 및 몰리브덴(Mo) 중 어느 하나로 이루어진다.The buffer member is made of any one of kovar and molybdenum.

상기 지지 블럭의 내측에는 상기 로드가 삽입되는 로드 삽입홈이 마련되고,A rod insertion groove into which the rod is inserted is provided inside the support block.

상기 로드 삽입홈을 둘러싸는 지지 블럭의 내벽에 나사홈이 형성된다.A screw groove is formed in an inner wall of the support block surrounding the rod insertion groove.

상기 지지 블럭의 로드 삽입홈으로 삽입되는 로드에 나사산이 형성되며, 상기 로드의 나사산이 상기 지지 블럭의 나사홈과 체결된다.A thread is formed in the rod inserted into the rod insertion groove of the support block, and the thread of the rod is engaged with the screw groove of the support block.

상기 완충 부재의 일측면이 상기 접속 부재가 위치한 로드의 외측으로 노출되도록 상기 로드 내에 삽입 설치된다.One side of the buffer member is inserted into the rod so as to be exposed to the outside of the rod on which the connection member is located.

상기 로드의 외주면에 산화막으로 이루어진 코팅막이 형성된다.A coating film made of an oxide film is formed on the outer circumferential surface of the rod.

상기 코팅막은 산화니켈(NiO)이다.The coating film is nickel oxide (NiO).

상기 로드의 타단은 접지(ground) 되거나, AC 전원 공급원 및 DC 전원 공급원 중 어느 하나와 연결된다.The other end of the rod is grounded or connected to one of an AC power source and a DC power source.

상술한 바와 같이 본 발명의 실시예에 따른 기판 지지 모듈에 의하면, 삽입 부재와 로드 사이에 접속 부재가 위치하여 상기 삽입 부재와 로드를 전기적으로 접속시킨다. 이에, 전원을 공급하는 로드와 삽입 부재 간의 전기적 접속 면적을 확장시킬 수 있으며, 상기 로드와 삽입 부재가 직접 접합되지 않고 접속 부재에 의해 접합되기 때문에, 접합 강도를 향상시킬 수 있다.As described above, according to the substrate support module according to the embodiment of the present invention, a connection member is positioned between the insertion member and the rod to electrically connect the insertion member and the rod. Accordingly, the electrical connection area between the rod for supplying power and the insertion member can be expanded, and the bonding strength can be improved because the rod and the insertion member are joined by the connection member instead of directly.

또한, 로드 내에 완충 부재가 삽입되고, 상기 완충 부재의 일단이 삽입 부재와 접속된 접속 부재와 연결된다. 여기서 완충 부재는 온도 변화에 따라 로드와 접속 부재 사이에서 발생되는 응력을 완충시키는 역할을 한다. 즉, 완충 부재는 로드와 접속 부재 간의 열팽창 계수의 차이로 인한 상호간이 충격을 상쇄 또는 완충시키는 역할을 한다. 이에, 온도 변화에 따라 로드와 완충 부재, 완충 부재와 접속 부재 및 로드와 접속 부재의 접속이 분리되는 문제를 방지할 수 있다.Further, a shock absorbing member is inserted into the rod, and one end of the shock absorbing member is connected to a connection member connected to the inserting member. Here, the buffer member serves to cushion the stress generated between the rod and the connection member according to the temperature change. That is, the buffer member serves to cancel or cushion the mutual impact due to the difference in the coefficient of thermal expansion between the rod and the connecting member. This prevents the problem that the rod and the buffer member, the buffer member and the connection member, and the rod and the connection member are separated from each other according to the temperature change.

또한, 외주면에 나사산이 형성된 로드를 나사홈이 형성된 지지 블럭 내로 삽입하여 체결시킴으로써, 상기 지지 블럭의 나사홈과 로드의 나사산이 상호 밀착된다. 이에, 로드와 접속 부재 사이의 접합부 및 접속 부재와 삽입 부재 사이의 접합부가 대기에 의해 노출되지 않아, 접합부가 산화되어 접합 불량이 발생되는 것을 방지할 수 있다.In addition, by inserting the rod formed with the thread on the outer circumferential surface into the support block formed with the screw groove, the screw groove of the support block and the thread of the rod are in close contact with each other. Thus, the junction between the rod and the connection member and the junction between the connection member and the insertion member are not exposed by the atmosphere, and the junction can be prevented from being oxidized, resulting in a poor bonding.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 지지 모듈이 설치된 기판 처리 장치를 도시한 단면도
도 2는 도 1의 'A'부분의 확대도로써, 본 발명의 실시예에 따른 전원 공급 유닛과 삽입 부재가 연결된 모습을 도시한 단면도
도 3은 실시예의 변형예에 따른 전원 공급 유닛과 삽입 부재가 연결된 모습을 도시한 단면도1 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus provided with a substrate support module according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is an enlarged view of a portion 'A' of FIG. 1 and is a cross-sectional view illustrating a state in which a power supply unit and an insertion member are connected according to an exemplary embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view illustrating a state in which a power supply unit and an insertion member are connected according to a modification of the embodiment;

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but may be implemented in various forms, and only the embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention and to those skilled in the art. It is provided for complete information.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 지지 모듈이 설치된 기판 처리 장치를 도시한 단면도이다. 도 2는 도 1의 'A'부분의 확대도로써, 본 발명의 실시예에 따른 전원 공급 유닛과 삽입 부재가 연결된 모습을 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a substrate processing apparatus equipped with a substrate support module according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is an enlarged view of portion 'A' of FIG. 1 and is a cross-sectional view illustrating a state in which a power supply unit and an insertion member are connected according to an exemplary embodiment of the present invention.

본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치는 내부에서 플라즈마를 발생시켜, 기판(S) 상에 박막을 형성하거나, 기판(S) 또는 박막을 식각하는 플라즈마 발생 처리 장치일 수 있다. 이러한 기판 처리 장치는 도 1에 도시된 바와 같이 내부 공간을 가지는 챔버(100), 챔버(100) 내에 위치하여 기판(S)을 지지하며, 내부에 삽입 부재(220)가 설치된 기판 지지 모듈(200), 적어도 일부가 기판 지지 모듈(200) 내로 삽입되어 삽입 부재(220)에 전원을 공급하는 전원 공급 유닛(400), 챔버(100) 내에서 기판 지지 모듈(200)의 상측에 대향 배치되어 기판(S) 상에 공정 원료를 분사하는 원료 분사부(500), 원료 분사부(500)에 원료 물질을 공급하는 원료 공급부(600), 기판 지지 모듈(200)의 일단에 연결되어 상기 기판 지지 모듈(200)을 지지하는 샤프트(300) 및 샤프트(300)와 연결되어 상기 샤프트(300)에 승하강 및 회전 동력을 제공하는 구동부(700)를 포함한다. 또한, 원료 분사부(500)에 전원 예컨데 RF 전원을 공급하는 전원 공급원(600)을 포함한다.The substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention may be a plasma generation processing apparatus that generates a plasma therein to form a thin film on the substrate S or to etch the substrate S or the thin film. As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus includes a chamber 100 having an internal space, a substrate supporting module 200 positioned in the chamber 100, and having an insertion member 220 installed therein. At least a portion of the substrate support module 200 is inserted into the substrate support module 200 to supply power to the insertion member 220, and is disposed to face the upper side of the substrate support module 200 in the chamber 100. The substrate support module is connected to one end of the raw material injection unit 500 for injecting the process raw material on (S), the raw material supply unit 600 for supplying the raw material to the raw material injection unit 500, and the substrate support module 200. It includes a shaft 300 for supporting the 200 and the drive unit 700 is connected to the shaft 300 to provide the lifting and lowering power to the shaft 300. In addition, the raw material injection unit 500 includes a power supply source 600 for supplying power, for example, RF power.

여기서, 원료 분사부(500)는 다수의 분사홀(미도시)을 가지는 샤워 헤드(shower head)일 수 있다. 또한 샤프트(300)의 일부는 진공 분위기의 챔버(100) 내에 위치하여 기판 지지 모듈(200)을 지지하며, 일부는 챔버(100) 외부로 돌출되어 구동부(700)와 연결된다. 그리고 샤프트(300)이 내부로는 후술되는 전원 공급 유닛(400)의 로드(410)가 삽입되는데, 상기 샤프트(300)의 내부 공간은 대기 상태이다.Here, the raw material injection unit 500 may be a shower head having a plurality of injection holes (not shown). In addition, a portion of the shaft 300 is positioned in the chamber 100 in a vacuum atmosphere to support the substrate support module 200, and a portion of the shaft 300 protrudes out of the chamber 100 to be connected to the driving unit 700. And the shaft 300 is inserted into the rod 410 of the power supply unit 400 which will be described later, the internal space of the shaft 300 is in a standby state.

챔버(100)는 내부가 비어있는 사각통 형상으로 제작되며, 내부에는 기판(S)을 처리할 수 있는 소정의 반응 공간이 마련된다. 실시예에서는 챔버(100)를 사각 통 형상으로 제작하였으나, 이에 한정되지 않고, 기판(S)의 형상에 대응되는 다양한 형상으로 제작될 수 있다. 도시되지는 않았지만, 챔버(100)의 일측에는 기판(S)이 출입하는 출입구(미도시)가 마련되며, 챔버(100) 내부의 압력을 조절하는 압력 조절 수단(미도시) 및 챔버(100)의 내부를 배기하는 배기 수단(미도시)을 구비할 수도 있다. 그리고 챔버(100) 내부에서 기판 지지 모듈(200)과 대향 배치되어 기판(S)을 처리하는 소정의 원료 물질 예를 들어, 식각 가스를 분사하는 원료 분사부(500)가 마련된다.The chamber 100 is manufactured to have a rectangular cylindrical shape with an empty inside, and a predetermined reaction space for processing the substrate S is provided therein. In the embodiment, the chamber 100 is manufactured in a rectangular cylindrical shape, but is not limited thereto, and may be manufactured in various shapes corresponding to the shape of the substrate S. Although not shown, a chamber 100 is provided at one side thereof with an entrance (not shown) through which the substrate S enters and exits, a pressure regulating means (not shown) for regulating the pressure inside the chamber 100, And exhaust means (not shown) for exhausting the inside of the exhaust pipe. In addition, a raw material injection unit 500 disposed to face the substrate support module 200 in the chamber 100 to process the substrate S, for example, to inject an etching gas, is provided.

기판 지지 모듈(200)은 원료 분사부(500)와 대향 배치되며 그 상부에 기판(s)이 안치되는 지지 블럭(210) 및 지지 블럭(210) 내에 삽입 장착된 삽입 부재(220)를 포함한다. 또한, 도시되지는 않았지만, 지지 블럭(210) 내에는 가열된 지지 블럭(210)을 냉각시키는 냉각 수단이 장착될 수 있으며, 상기 냉각 수단은 그 내부로 냉매가 흐르는 수단일 수 있다. The substrate support module 200 includes a support block 210 disposed opposite to the raw material injection part 500 and having a substrate s disposed thereon, and an insertion member 220 inserted into the support block 210. . In addition, although not shown, the support block 210 may be equipped with a cooling means for cooling the heated support block 210, the cooling means may be a means for the refrigerant flowing therein.

실시예에 따른 지지 블럭(210)은 세라믹스 재료 중 하나인 질화알루미늄(AlN)으로 이루어지며, 그 단면이 원형인 플레이트 형상으로 제작된다. 하지만 이에 한정되지 않고, 질화알루미늄(AlN) 이외에 다양한 세라믹스 재료를 이용하여, 기판(s) 형상에 대응되는 다양한 형상으로 제작될 수 있다. 이러한 지지 블럭(210) 내부에는 후술되는 로드(410)의 일단이 삽입되는 공간이 마련되는데, 하기에서는 설명의 편의를 위하여 로드(410)의 일단이 삽입되는 지지 블럭(210) 내 공간을 '삽입홈(211a)'이라 명명한다. 삽입홈(211a)은 기판 지지 블럭(210) 내부에서 상하 방향으로 연장되며 상측이 접속 부재(420)에 의해 폐쇄되고, 하측은 로드(410)가 삽입될 수 있도록 개방되도록 제작된다. 또한, 삽입홈(211a)을 둘러싸는 지지 블럭(210)의 내벽 중 상측 영역의 내벽에는 나사홈(212)이 마련되는데, 상기 나사홈(212)은 로드(410)에 형성된 나사산(411)이 체결되는 부분이다.The support block 210 according to the embodiment is made of aluminum nitride (AlN), which is one of the ceramic materials, and is manufactured in a plate shape having a circular cross section. However, the present invention is not limited thereto, and may be manufactured in various shapes corresponding to the shape of the substrate s using various ceramic materials in addition to aluminum nitride (AlN). The support block 210 is provided with a space in which one end of the rod 410 to be described later is inserted. For convenience of description, a space in the support block 210 into which one end of the rod 410 is inserted is inserted. A groove 211a 'is called. Insertion groove 211a is extended in the vertical direction in the substrate support block 210, the upper side is closed by the connection member 420, the lower side is manufactured to open so that the rod 410 can be inserted. In addition, a screw groove 212 is provided on the inner wall of the upper region of the inner wall of the support block 210 surrounding the insertion groove 211a, the screw groove 212 is a screw thread 411 formed in the rod 410 It is part to be fastened.

상기에서는 지지 블럭(210)이 질화알루미늄(AlN)으로 이루어지는 것을 설명하였다. 하지만 이에 한정되지 않고 지지 블럭(210)은 다양한 재료로 제작될 수 있는데, 예컨데 지지 블럭(210)이 정전기력으로 기판(s)을 지지하는 정전척일 경우, 알루미나(Al2O3)를 이용하여 지지 블럭(210)을 형성할 수 있다.In the above, it has been described that the support block 210 is made of aluminum nitride (AlN). However, the present invention is not limited thereto, and the support block 210 may be made of various materials. For example, when the support block 210 is an electrostatic chuck supporting the substrate s with electrostatic force, the support block 210 is supported using alumina (Al 2 O 3 ). Block 210 may be formed.

삽입 부재(220)는 지지 블럭(210) 내에 매설되어, 플라즈마 발생을 위한 그라운드 삽입 부재로써, 몰리브덴(Mo)으로 이루어지고, 메쉬(mesh) 형상으로 제작된다. 예컨데, 삽입 부재(200)은 몰리브덴(Mo)으로 이루어진 약 0.4 파이의 다수의 와이어(Wire)가 상호 교차하도록 엮인 격자 형상이다. 그리고 격자 형상으로 엮인 와이어(wire)를 질화알루미늄(AlN)으로 이루어진 지지 블럭(210) 내에 매설시킨 후, 상기 지지 블럭(210)을 약 1800℃ 내지 1900℃의 온도로 소성시킨다. 이에, 지지 블럭(210) 내에 격자 형상으로 역인 와이어(wire) 즉, 메쉬(mesh) 형상의 삽입 부재가 매설된다. 이때, 전술한 바와 같이 삽입 부재(220)로 몰리브덴(Mo)을 이용하는데, 이는 지지 블럭(210)의 소성시 약 1800℃ 내지 1900℃의 소성 온도에서 녹지 않도록 하기 위함이다. 예를 들어, 삽입 부재(220)로 니켈(Ni)을 사용하는 경우, 상기 니켈(Ni)의 녹는점이 약 1450℃ 이기 때문에, 지지 블럭(210)의 소성시 니켈(Ni)이 녹는 문제가 발생한다. 이에, 본 발명의 실시예에서는 삽입 부재로 몰리브덴(Mo)을 사용한다. 또한, 삽입 부재(220)는 상부에 기판(s)이 안치되는 지지 블럭(210)의 상부면에 가깝게 위치하도록 설치되는 것이 바람직하다. 이는 세라믹제로 이루어진 지지 블럭(210)의 상부면과 삽입 부재(220) 간의 거리가 너무 멀면, 상기 지지 블럭(210)의 상측에 유전체가 형성되지 않거나, 너무 얇은 문제가 발생되며, 이는 플라즈마 발생의 문제로 이어진다. 이에, 실시예에서는 지지 블럭(210)의 상부면으로부터 0.5 mm 내지 2mm 내 하측에 삽입 부재(220)가 위치하도록 설치한다.The insertion member 220 is embedded in the support block 210 and is a ground insertion member for plasma generation. The insertion member 220 is made of molybdenum (Mo) and manufactured in a mesh shape. For example, the insertion member 200 is a lattice shape in which a plurality of wires of about 0.4 pies made of molybdenum (Mo) are interwoven so as to cross each other. The wires woven in a lattice shape are embedded in a support block 210 made of aluminum nitride (AlN), and then the support block 210 is fired at a temperature of about 1800 ° C to 1900 ° C. Accordingly, wires that are inverted in a grid shape, that is, mesh insert members, are embedded in the support block 210. At this time, as described above, molybdenum (Mo) is used as the insertion member 220, which is to prevent melting at a firing temperature of about 1800 ° C to 1900 ° C when firing the support block 210. For example, when nickel (Ni) is used as the inserting member 220, since the melting point of the nickel (Ni) is about 1450 ° C., a problem of melting of nickel (Ni) during firing of the support block 210 occurs. do. Therefore, in the embodiment of the present invention, molybdenum (Mo) is used as the insertion member. In addition, the insertion member 220 is preferably installed to be located close to the upper surface of the support block 210 is placed on the substrate (s). This is because if the distance between the top surface of the support block 210 made of ceramic and the insertion member 220 is too far, there is a problem that the dielectric is not formed on the upper side of the support block 210, or too thin, which causes Leads to problems. Thus, in the embodiment, the insertion member 220 is installed in the lower side of 0.5 mm to 2 mm from the upper surface of the support block 210.

상기에서는 삽입 부재(220)가 메쉬(mesh) 형상으로 제작되는 것을 설명하였으나, 이에 한정되지 않고, 다양한 형상으로 변경이 가능하다. 예컨데, 몰리브덴(Mo) 페이스트를 도포하여 패턴(pattern)화하여 형성할 수 있다. 또한, 몰리브덴(Mo)으로 이루어진 다수의 얇은 벌크(bulk)를 상호 이격 배치시키거나, 몰리브덴(Mo)으로 이루어진 박막을 패턴화하여 증착하는 방법으로 삽입 부재(220)를 형성할 수 있다.In the above description, the insertion member 220 is manufactured to have a mesh shape, but the present invention is not limited thereto and may be changed into various shapes. For example, a molybdenum (Mo) paste may be applied to form a pattern. In addition, the insertion member 220 may be formed by disposing a plurality of thin bulks made of molybdenum (Mo), or by patterning and depositing a thin film made of molybdenum (Mo).

그리고, 삽입 부재(220)를 이루는 재료는 몰리브덴(Mo)에 한정되지 않고, 텅스텐(W)을 사용할 수도 있다.The material forming the insertion member 220 is not limited to molybdenum (Mo), and tungsten (W) may be used.

전원 공급 유닛(400)은 일단이 지지 블럭(210) 내로 삽입되며, 타단이 접지된 로드(410), 삽입 부재(220)와 로드(410) 사이에 위치한 접속 부재(420) 및 지지 블럭(210) 내에 삽입된 로드(410)의 내부에 삽입 설치되며, 일단이 접속 부재(420)와 연결되는 완충 부재(430)를 포함한다.One end of the power supply unit 400 is inserted into the support block 210, and the other end of the power supply unit 400 is connected to the rod 410, the connection member 420, and the support block 210 positioned between the insertion member 220 and the rod 410. It is inserted into and installed in the rod 410 inserted into the (), one end includes a buffer member 430 connected to the connection member 420.

로드(410)는 니켈(Ni)로 이루어진 라인(line) 형상으로 제작되고, 일단이 샤프트(300)를 관통하여 지지 블럭(210) 내로 삽입되며, 타단이 샤프트(300)로 돌출되어 접지(ground)된다. 삽입 부재(220)로 전원을 공급하는 로드(410)는 통상적으로 5 내지 6 파이의 직경을 가지도록 제작된다. 이러한 로드(410)의 일부 즉, 지지 블럭(210) 내로 삽입되는 영역의 외주면에는 나사산(411)이 형성되며, 상기 나사산(411)은 지지 블럭(210)에 마련된 나사홈(212)과 체결된다. 즉, 로드(410)가 삽입홈(211a)을 통해 지지 블럭(210) 내로 삽입되며, 이때 로드(410)에 마련된 나사산(411)이 지지 블럭(210)의 나사산(411)과 체결되어, 상기 로드(410)가 지지 블럭(210)에 고정된다. 이러한 로드(410)의 나사산(411) 및 지지 블럭(210)의 나사홈(212)에 의해 로드(410)와 지지 블럭(210)이 용이하게 체결될 수 있다. 따라서, 로드(410)와 지지 블럭(210) 내벽 사이에 별도의 결합 부재를 구비하지 않아도, 지지 블럭(210) 내에 로드(410)를 용이하게 결합할 수 있다. 또한, 지지 블럭(210)의 나사홈(212)과 로드(410)의 나사산(411)이 밀착되어 결합되기 때문에, 샤프트(300) 내이 대기가 로드(410)와 접속 부재(420)의 접합부까지 침입하는 것을 방지할 수 있다. 이에, 로드(410)와 접속 부재(420) 간의 접합부위가 샤프트(300) 내의 대기에 노출되지 않아 산화 반응이 최소화됨으로써, 접합 강도가 약해지는 것을 방지할 수 있다. 본 실시예에 따른 로드(410)의 표면에는 코팅막이 형성되는데, 이는 로드(410)의 산화를 방지하기 위함이다. 실시예에서는 코팅막으로 니켈산화막(NiO)를 형성하며, 이는 니켈(Ni)로 이루어진 로드(410)를 산화 분위기에 노출시킴으로써, 상기 로드(410) 표면에 형성할 수 있다. 코팅막은 니켈산화막(NiO)에 한정되지 않고, 로드(410)의 산화를 방지할 수 있는 다양한 재료의 코팅막이 가능하다. 그리고 로드(410)가 지지 블럭(210) 내로 삽입되면, 상기 로드(410)와 후술되는 접속 부재(420) 사이 및 완충 부재(430)와 접속 부재(420) 사이를 접합시키는데, 실시예에서는 브레이징(brazing)의 방법으로 접합시킨다. 즉, 로드(410)와 접속 부재(420) 사이 및 완충 부재(430)와 접속 부재(420) 사이에 접합제인 필러(filler) 예컨데 금(Au)을 위치시킨 후, 상기 금(Au)을 녹임으로써 로드(410)와 접속 부재(420) 간을 접합시킨다.The rod 410 is manufactured in a line shape made of nickel (Ni), one end penetrates the shaft 300 and is inserted into the support block 210, and the other end protrudes into the shaft 300 to ground. )do. The rod 410 supplying power to the insertion member 220 is typically manufactured to have a diameter of 5 to 6 pies. A thread 411 is formed on a part of the rod 410, that is, the outer circumferential surface of the region inserted into the support block 210, and the thread 411 is engaged with the screw groove 212 provided in the support block 210. . That is, the rod 410 is inserted into the support block 210 through the insertion groove 211a, in which the thread 411 provided in the rod 410 is fastened with the thread 411 of the support block 210, The rod 410 is fixed to the support block 210. The rod 410 and the support block 210 may be easily fastened by the thread 411 of the rod 410 and the screw groove 212 of the support block 210. Accordingly, the rod 410 may be easily coupled in the support block 210 even without a separate coupling member between the rod 410 and the inner wall of the support block 210. In addition, since the screw groove 212 of the support block 210 and the screw thread 411 of the rod 410 are closely attached to each other, the atmosphere inside the shaft 300 reaches the junction between the rod 410 and the connecting member 420. Intrusion can be prevented. Accordingly, the joint between the rod 410 and the connection member 420 is not exposed to the atmosphere in the shaft 300, thereby minimizing the oxidation reaction, thereby preventing the bond strength from being weakened. The coating film is formed on the surface of the rod 410 according to the present embodiment, to prevent oxidation of the rod 410. In an embodiment, a nickel oxide film (NiO) is formed as a coating film, which may be formed on the surface of the rod 410 by exposing a rod 410 made of nickel (Ni) to an oxidizing atmosphere. The coating film is not limited to the nickel oxide film NiO, and a coating film of various materials capable of preventing oxidation of the rod 410 is possible. When the rod 410 is inserted into the support block 210, the rod 410 is bonded between the rod 410 and the connecting member 420 described below and between the shock absorbing member 430 and the connecting member 420. Bond by the method of brazing. That is, a filler, for example, gold (Au), which is a binder, is disposed between the rod 410 and the connection member 420 and between the buffer member 430 and the connection member 420, and then the gold Au is melted. As a result, the rod 410 and the connection member 420 are bonded to each other.

상기에서는 로드(410)의 외주면에 나사산(411)이 형성되고, 지지 블럭(210) 내에 나사홈(212)이 형성되는 것을 설명하였으나, 이에 한정되지 않고 반대의 경우도 가능하다.In the above description, the thread 411 is formed on the outer circumferential surface of the rod 410, and the thread groove 212 is formed in the support block 210. However, the present invention is not limited thereto, and vice versa.

또한, 본 실시예에서는 기판 지지 모듈(200) 내에 설치된 삽입 부재(220)가 접지(ground) 전극의 역할을 수행하도록 로드(410)가 접지(ground)되는 것을 설명하였다. 하지만 이에 한정되지 않고, 기판 지지 모듈(200)이 정전기력을 이용하여 기판(s)을 지지하는 정전척일 경우, 샤프트(300) 외부로 돌출된 로드(410)의 타단은 DC bias 전원과 연결될 수 있다.In addition, in the present exemplary embodiment, the rod 410 is grounded so that the insertion member 220 installed in the substrate support module 200 serves as a ground electrode. However, the present invention is not limited thereto, and when the substrate support module 200 is an electrostatic chuck supporting the substrate s by using electrostatic force, the other end of the rod 410 protruding outside the shaft 300 may be connected to a DC bias power source. .

접속 부재(420)는 지지 블럭(210) 내에서 완충 부재(430)가 삽입된 로드(410)와 삽입 부재(220) 사이에 위치하여, 일단이 로드(410) 및 완충 부재(430)와 접속되고, 타단이 삽입 부재(220)와 접속 된다. 접속 부재(420)는 삽입 부재(220) 및 완충 부재(430)와 유사한 또는 동일한 열팽창 계수를 가지는 재료로 이루어지는 것이 바람직하다. 이는 각각이 삽입 부재(200)과 완충 부재(430) 사이에서 열팽창 계수의 차이로 인한 응력이 발생되는 것을 최소화하여, 접촉 불량이 발생되는 것을 방지하기 위함이다. 이에, 실시예에서는 몰리브덴(Mo)으로 이루어진 벌크(bulk)를 접속 부재(420)로 이용한다. 그리고 지지 블럭(210) 소성 시에 벌크(bulk) 형태인 접속 부재(420)를 질화알루미늄(AlN)으로 이루어진 지지 블럭(210) 내에 위치시킨 후, 함께 소성한다. 이에 지지 블럭(210) 내에 접속 부재(420)가 용이하게 결합 고정된다. 이러한 접속 부재(420)는 로드(410)와 삽입 부재(220) 간의 전기적인 접속 면적을 확장시키는 역할을 한다. 이를 위해, 접속 부재(420)의 직경은 로드(410)의 직경에 비해 작고, 메쉬(mesh) 형상으로 제작된 삽입 부재(220)의 개구부의 폭(즉, 와이어와 와이어 사이의 간극)에 크도록 제작되는 것이 바람직하다. 이에, 실시예에 따른 접속 부재(420)는 직경이 3 내지 4 파이가 되도록 제작된다.The connecting member 420 is positioned between the rod 410 in which the buffer member 430 is inserted and the insertion member 220 in the support block 210, and one end thereof is connected to the rod 410 and the buffer member 430. The other end is connected to the insertion member 220. The connecting member 420 is preferably made of a material having a coefficient of thermal expansion similar to or the same as that of the insertion member 220 and the buffer member 430. this is This is to minimize the occurrence of stress due to the difference in the coefficient of thermal expansion between the insertion member 200 and the buffer member 430, to prevent the occurrence of contact failure. Therefore, in the embodiment, a bulk made of molybdenum (Mo) is used as the connection member 420. When the support block 210 is fired, the bulk connection member 420 is placed in the support block 210 made of aluminum nitride (AlN), and then fired together. The connection member 420 is easily coupled and fixed in the support block 210. The connection member 420 serves to expand the electrical connection area between the rod 410 and the insertion member 220. To this end, the diameter of the connecting member 420 is smaller than the diameter of the rod 410, and large in the width (ie, the gap between the wire and the wire) of the opening of the insertion member 220 manufactured in a mesh shape. It is preferable to be manufactured so that. Thus, the connection member 420 according to the embodiment is manufactured to have a diameter of 3 to 4 pie.

한편, 예를 들어, 삽입 부재(220)와 로드(410) 사이에 접속 부재(420)가 없고 상기 삽입 부재(220)와 로드(410)가 직접 연결되는 경우, 삽입 부재(220)와 로드(410)의 접촉되는 표면적이 작다. 이는, 삽입 부재(220)가 다수의 개구부를 가지는 메쉬(mesh) 형태로 제작되기 때문에, 로드(410)의 직경이 과도하게 클 경우, 상기 삽입 부재(220)를 이루는 와이어(wire)와 로드(410)가 직접 접촉되는 면적이 작기 때문이다. 또한, 삽입 부재(220)와 로드(420) 사이에 접속 부재(420)가 없을 경우, 상기 로드(420)와 삽입 부재(220)가 직접 접합되기 위해서는 브레이징(brazing) 방법을 사용해야 한다. 이에, 삽입 부재(220)와 로드(410) 사이에 접합제가 위치되기 때문에, 상기 삽입 부재(220)가 수평으로 배치되지 않는다. 이에, 삽입 부재(220)와 로드(410)가 접합되는 부분에 해당하는 지지 블럭(210)의 상측 영역의 유전체의 두께가 다른 영역에 비해 두꺼워지고, 이로 인해 균일한 플라즈마를 형성할 수 없다. 그리고, 삽입 부재(220)는 약 0.4 파이의 작은 직경을 가지는 와이어(wire)로 이루어지기 때문에, 브레이징(brazing) 공정 시 고온의 열에 의해 삽입 부재(220)가 파손되기가 쉬우며, 상기 로드(410)와 삽입 부재(220) 간의 접합부에 크랙(crack)이 발생될 수 있다.On the other hand, for example, when there is no connection member 420 between the insertion member 220 and the rod 410 and the insertion member 220 and the rod 410 is directly connected, the insertion member 220 and the rod ( The contacted surface area of 410 is small. This is because the insertion member 220 is manufactured in the form of a mesh having a plurality of openings, and if the diameter of the rod 410 is excessively large, the wires and rods constituting the insertion member 220 ( This is because the area where the 410 directly contacts is small. In addition, when there is no connection member 420 between the insertion member 220 and the rod 420, a brazing method should be used to directly bond the rod 420 and the insertion member 220. Thus, since the bonding agent is positioned between the insertion member 220 and the rod 410, the insertion member 220 is not arranged horizontally. Thus, the thickness of the dielectric in the upper region of the support block 210 corresponding to the portion where the insertion member 220 and the rod 410 are bonded becomes thicker than other regions, and thus it is impossible to form a uniform plasma. In addition, since the insertion member 220 is made of a wire having a small diameter of about 0.4 pi, the insertion member 220 is easily damaged by high temperature heat during the brazing process, and the rod ( A crack may be generated at the junction between the 410 and the insertion member 220.

따라서, 본 실시예에서는 상기 삽입 부재(220)의 개구부의 폭에 비해 크고, 로드(410)에 비해 작은 직경을 가지는 접속 부재(420)를 마련하여, 상기 삽입 부재(220)와 로드(410) 사이에 위치시킨다. 이에, 삽입 부재(220)와 로드(410) 간의 전기적 접속 영역을 종래에 비해 확장할 수 있으며, 삽입 부재(220)와 접속 부재(420) 및 접속 부재(420)와 로드(410) 간의 접합력이 우수하다.Therefore, in the present embodiment, the connection member 420 having a diameter larger than the width of the opening of the insertion member 220 and smaller than the rod 410 is provided to provide the insertion member 220 and the rod 410. Position it in between. Accordingly, the electrical connection area between the insertion member 220 and the rod 410 can be expanded as compared with the related art, and the bonding force between the insertion member 220 and the connection member 420 and the connection member 420 and the rod 410 is increased. great.

상기에서는 접속 부재(420)의 단면의 형상이 사각형인 것을 예를 들어 설명하였으나, 이에 한정되지 않고 삽입 부재(220)와 로드(410) 사이에 배치되어 상기 삽입 부재(220)와 로드(410) 및 삽입 부재(220)와 완충 부재(430)를 전기적으로 연결시킬 수 있는 다양한 형상으로 제작될 수 있다.In the above description, the cross-sectional shape of the connection member 420 has been described as an example, but the present invention is not limited thereto, and the insertion member 220 and the rod 410 are disposed between the insertion member 220 and the rod 410. And the insertion member 220 and the buffer member 430 may be manufactured in various shapes.

완충 부재(430)는 니켈(Ni)로 이루어진 로드(410)와 몰리브덴(Mo)으로 이루어진 접속 부재(420)의 열팽창 계수 차이로 인한 응력을 줄이는 역할을 한다. 이러한 완충 부재(430)는 지지 블럭(210) 내에 위치하는 로드(410) 내부에 삽입되고, 적어도 일측면이 로드(410)의 외측으로 노출되어, 접속 부재(420)와 접촉되도록 설치된다. 그리고, 완충 부재(430)는 접속 부재(420)와 유사한 또는 동일한 열팽창 계수를 가지는 재료를 이용하여 제작되는 것이 바람직하다. 이에, 실시예에서는 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co)로 이루어진 합금인 코바(kovar) 및 몰리브덴(Mo) 중 어느 하나로 이루어진 벌크(bulk)를 완충 부재(430)로 이용한다. 그리고 코바(kovar) 및 몰리브덴(Mo) 중 어느 하나로 이루어진 벌크(bulk) 형태의 완충 부재(430)를 로드(410) 내에 삽입 장착시킨다. 이후, 브레이징(brazing) 방법으로 상기 완충 부재(430)가 삽입된 로드(410)와 접속 부재(420) 간을 접합시킨다. 이에, 로드(410)의 상부로 노출된 완충 부재(430)의 상부면이 접속 부재(420) 하부의 중심 영역과 접속되고, 상기 완충 부재(430) 상부면 주위에 해당하는 영역인 로드(410) 상부면의 가장자리 영역은 접속 부재(420) 하부의 가장 자리 영역과 접속된다. 이때, 접속 부재(420)의 하부면과 완충 부재(430)의 상부면이 접속되는 영역이 상기 접속 부재(420)의 하부면과 로드(410)의 상부면과 접속되는 영역에 비해 크다. 또한, 완충 부재(430)는 로드(410) 내에 삽입되는 것으로, 상기 로드(410) 내에 기계적으로 결합되어 있다.The buffer member 430 serves to reduce stress due to a difference in thermal expansion coefficient between the rod 410 made of nickel (Ni) and the connection member 420 made of molybdenum (Mo). The shock absorbing member 430 is inserted into the rod 410 located in the support block 210, and at least one side thereof is exposed to the outside of the rod 410 and is installed to be in contact with the connection member 420. In addition, the buffer member 430 is preferably manufactured using a material having a coefficient of thermal expansion similar to or the same as that of the connection member 420. Thus, in the embodiment, a bulk made of any one of an alloy made of iron (Fe), nickel (Ni), cobalt (Co), kovar (kovar), and molybdenum (Mo) is used as the buffer member 430. In addition, a bulk shock absorbing member 430 made of any one of a kovar and a molybdenum Mo is inserted into the rod 410. Thereafter, the rod 410 into which the buffer member 430 is inserted is connected to the connection member 420 by a brazing method. Accordingly, the upper surface of the buffer member 430 exposed to the upper portion of the rod 410 is connected to the central region of the lower portion of the connecting member 420, the rod 410 is an area corresponding to the upper surface around the buffer member 430 The edge region of the upper surface is connected to the edge region under the connection member 420. At this time, the area where the lower surface of the connecting member 420 and the upper surface of the buffer member 430 are connected is larger than the area where the lower surface of the connecting member 420 is connected to the upper surface of the rod 410. In addition, the shock absorbing member 430 is inserted into the rod 410 and is mechanically coupled to the rod 410.

따라서, 완충 부재(430)와 접속 부재(420) 간에는 열팽창 계수 차이가 거이 없기 때문에, 상기 완충 부재(430)와 접속 부재(420) 사이에서 응력이 최소화 된다. 또한, 접속 부재(420) 하부면의 대부분의 영역이 완충 부재(430)와 접속되고, 상기 접속 부재(420)의 가장자리 영역인 국소 영역이 로드(410)의 상부면과 접속되기 때문에, 상기 접속 부재(420)와 로드(410) 사이에서 발생되는 응력은 작다. 즉, 로드(410)와 접속 부재(420)의 접합을 분리시킬 만큼의 응력은 발생되지 않는다. 그리고 완충 부재(430)가 로드(410) 내에 삽입되어 기계적으로 결합되어 있기 때문에, 상기 로드(410)로부터 완충 부재(430)가 이탈되지 않는다. 이로 인해, 다수번의 공정 이후에도 온도 변화에 의한 전원 공급 유닛(400)과 삽입 부재(220) 간의 접합이 떨어지는 문제를 최소화할 수 있다. Therefore, since there is almost no difference in coefficient of thermal expansion between the buffer member 430 and the connection member 420, the stress between the buffer member 430 and the connection member 420 is minimized. In addition, since most of the region of the lower surface of the connecting member 420 is connected to the buffer member 430, and the local region, which is an edge region of the connecting member 420, is connected to the upper surface of the rod 410, the connection is made. The stress generated between the member 420 and the rod 410 is small. In other words, stress enough to separate the bond between the rod 410 and the connection member 420 is not generated. In addition, since the shock absorbing member 430 is inserted into the rod 410 and mechanically coupled, the shock absorbing member 430 is not separated from the rod 410. As a result, even after a plurality of processes, the problem of a drop in bonding between the power supply unit 400 and the insertion member 220 due to temperature changes may be minimized.

도 3은 실시예의 변형예에 따른 전원 공급 유닛과 삽입 부재가 연결된 모습을 도시한 단면도이다.3 is a cross-sectional view illustrating a state in which a power supply unit and an insertion member are connected according to a modification of the embodiment.

상기 실시예에서는 완충 부재(430)가 접속 부재(420)에 비해 작게 제작되어, 상기 접속 부재(420) 하부면 중심이 완충 부재(430) 상부면과 접속되고, 상기 접속 부재(420) 하부면의 가장자리 영역이 로드(410)의 상부면과 접속되는 것을 설명하였다. In this embodiment, the buffer member 430 is made smaller than the connection member 420, the center of the lower surface of the connection member 420 is connected to the upper surface of the buffer member 430, the lower surface of the connection member 420 It has been described that the edge region of is connected to the top surface of the rod 410.

하지만, 도 3에 도시된 변형예에 서와 같이, 완충 부재(430)가 접속 부재(420)에 비해 크게 제작되어, 상기 접속 부재(420) 하부면 전체가 완충 부재(430)의 상부면과 접속될 수 있다.However, as in the modification illustrated in FIG. 3, the shock absorbing member 430 is made larger than the contact member 420, so that the entire lower surface of the contact member 420 may be aligned with the upper surface of the shock absorbing member 430. Can be connected.

상기에서는 접지 전극으로서의 역할을 수행하는 삽입 부재(220) 및 상기 삽입 부재(200)와 접합되는 전원 공급 유닛(400)에 대해 설명하였다. 하지만, 실시예에 따른 삽입 부재(220)는 공급되는 전원에 의해 저항 가열되는 발열체로 이루어진 히터일 수 있으며, 상기 발열체는 몰리브덴(Mo) 및 텅스텐(W) 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. 이와 같이 삽입 부재(220)가 히터로서의 역할을 할 때, 로드(410)의 타단은 샤프트(300) 외부로 돌출되어 예컨데, AC 전원을 공급하는 전원 공급부(미도시)와 연결될 수도 있다. 또한 전술한 바와 같이 기판 지지 모듈(200)이 정전기력을 이용하여 기판(s)을 지지하는 정전척일 수 있다. 이때, 로드(410)의 타단은 DC 전원을 제공하는 전원 공급부(미도시)와 연결될 수 도 있다.
In the above, the insertion member 220 serving as the ground electrode and the power supply unit 400 bonded to the insertion member 200 have been described. However, the insertion member 220 according to the embodiment may be a heater made of a heating element that is resistance-heated by the power supplied, the heating element may be made of any one of molybdenum (Mo) and tungsten (W). As such, when the insertion member 220 serves as a heater, the other end of the rod 410 may protrude out of the shaft 300 and may be connected to, for example, a power supply unit (not shown) for supplying AC power. In addition, as described above, the substrate support module 200 may be an electrostatic chuck supporting the substrate s by using electrostatic force. In this case, the other end of the rod 410 may be connected to a power supply unit (not shown) that provides DC power.

하기에서는 도 1 내지 도 3을 참조하여, 실시예에 따른 기판 처리 장치의 동작을 설명한다.Hereinafter, an operation of the substrate processing apparatus according to the embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 3.

먼저, 기판(s)을 챔버(100) 내에 인입시켜, 지지 블럭(210) 상에 안착시킨다. 실시예에서는 기판(s)으로 실리콘 웨이퍼(si wafer)를 사용하나, 이에 한정되지 않고 다양한 재료 예컨데 유리(glass)를 기판으로 사용할 수 있다. 기판(s)이 지지 블럭(210) 상에 안착되면, 전원 공급원(600)을 이용하여 원료 분사부(500)에 RF 전원을 인가한다. 이때 삽입 부재(220)는 로드(410)에 의해 접지(ground)된 상태이다. 또한 이때 원료 분사부(500)를 이용하여 기판(s)을 향해 원료를 분사하면, 상기 원료 분사부(500)와 지지 블럭(210) 사이에 플라즈마가 발생되며, 기판(s) 상에 박막이 증착된다.First, the substrate s is introduced into the chamber 100 and seated on the support block 210. In the embodiment, a silicon wafer (si wafer) is used as the substrate s, but various materials, for example, glass, may be used as the substrate. When the substrate s is seated on the support block 210, RF power is applied to the raw material injection unit 500 using the power supply 600. In this case, the insertion member 220 is grounded by the rod 410. In this case, when the raw material is sprayed toward the substrate s using the raw material spraying unit 500, a plasma is generated between the raw material spraying unit 500 and the support block 210, and a thin film is formed on the substrate s. Is deposited.

상기에서는 기판(s) 상에 박막을 증착하는 공정을 설명하였으나, 챔버(100) 내에서 다양한 공정 예컨데, 식각 공정이 실행될 수도 있다.In the above, a process of depositing a thin film on the substrate s has been described, but various processes, for example, an etching process, may be performed in the chamber 100.

한편, 상기와 같은 기판(s) 처리 공정 동안 로드(410)를 통해 삽입 부재(220)로 전력 공급되면, 로드(410), 완충 부재(430) 및 접속 부재(420)가 소정의 온도로 가열되며, 이로 인해 상기 로드(410), 완충 부재(430) 및 접속 부재(420)가 팽창될 수 있다. 또한, 기판(s) 처리 공정이 종료되어 전원 공급이 중단되면, 로드(410), 완충 부재(430) 및 접속 부재(420)가 냉각되는데, 이때 상기 로드(410), 완충 부재(430) 및 접속 부재(420)가 다시 수축될 수 있다. 로드(410), 완충 부재(430) 및 접속 부재(420)가 팽창 또는 수축되는 정도는 상기 각각의 로드(410), 완충 부재(430) 및 접속 부재(420)의 재료에 따라 달라진다. 그러나 본 발명의 실시예 및 변형예에 따른 로드(410) 내에는 코바(kovar) 또는 몰리브덴(Mo)으로 이루어진 완충 부재(430)가 삽입된다. 따라서, 완충 부재(430)와 접속 부재(420) 간에는 열팽창 계수 차이가 거이 없기 때문에, 상기 완충 부재(430)와 접속 부재(420) 사이에서 응력이 최소화 된다. 또한, 접속 부재(420) 하부면의 대부분의 영역이 완충 부재(430)와 접속되고, 상기 접속 부재(420)의 가장자리 영역인 국소 영역이 로드(410)의 상부면과 접속되기 때문에, 상기 접속 부재(420)와 로드(410) 사이에서 발생되는 응력은 작다. 즉, 로드(410)와 접속 부재(420)의 접합을 분리시킬 만큼의 응력은 발생되지 않는다. 그리고 완충 부재(430)가 로드(410) 내에 삽입되어 기계적으로 결합되어 있기 때문에, 상기 로드(410)로부터 완충 부재(430)가 이탈되지 않는다. 따라서, 다수번의 공정 이후에도 열팽창 계수 차이로 인해 삽입 부재(220)와 전원 공급 유닛(400) 간의 접합이 분리되는 문제를 최소화할 수 있다. 이로 인해 삽입 부재와 전원 공급 유닛(400) 간의 전기적 접속 수명이 종래에 비해 연장되며, 장비를 보수하는 작업 횟수 및 시간을 줄일 수 있다.On the other hand, when the power is supplied to the insertion member 220 through the rod 410 during the substrate s processing process as described above, the rod 410, the buffer member 430 and the connection member 420 is heated to a predetermined temperature As a result, the rod 410, the buffer member 430, and the connection member 420 may be expanded. In addition, when the substrate s processing process is terminated and the power supply is stopped, the rod 410, the buffer member 430, and the connection member 420 are cooled, wherein the rod 410, the buffer member 430, and The connection member 420 may be retracted again. The extent to which the rod 410, the cushioning member 430, and the connecting member 420 expand or contract depends on the materials of the respective rods 410, the buffering member 430, and the connecting member 420. However, the shock absorbing member 430 made of a kovar or molybdenum Mo is inserted into the rod 410 according to the embodiment and the modification of the present invention. Therefore, since there is almost no difference in coefficient of thermal expansion between the buffer member 430 and the connection member 420, the stress between the buffer member 430 and the connection member 420 is minimized. In addition, since most of the region of the lower surface of the connecting member 420 is connected to the buffer member 430, and the local region, which is an edge region of the connecting member 420, is connected to the upper surface of the rod 410, the connection is made. The stress generated between the member 420 and the rod 410 is small. In other words, stress enough to separate the bond between the rod 410 and the connection member 420 is not generated. In addition, since the shock absorbing member 430 is inserted into the rod 410 and mechanically coupled, the shock absorbing member 430 is not separated from the rod 410. Therefore, the problem that the bonding between the insertion member 220 and the power supply unit 400 is separated due to the difference in thermal expansion coefficient even after a plurality of processes can be minimized. This extends the life of the electrical connection between the insertion member and the power supply unit 400 as compared to the conventional, it is possible to reduce the number of times and time to repair the equipment.

본 실시예에 따른 기판 처리 장치에 마련된 기판 지지 모듈(200)은 플라즈마 발생을 위한 접지(ground) 전극으로서의 역할을 수행하기 위해, 삽입 부재(220)에 접지(ground)된 전원 공급 유닛(400)이 접합되는 구조를 설명하였다. 하지만 이에 한정되지 않고 기판 지지 모듈(200)은 정전기력으로 기판(s)을 지지하는 정전척일 수 있으며, 이때 전원 공급 유닛(400)은 DC 전원을 제공하는 전원 공급부(미도시)와 연결될 수 있다. 또한 다른 예로, 기판 지지 모듈(200)은 기판(s)을 가열하는 히터의 역할을 수행할 수 있으며, 이때 전원 공급 유닛(400)은 AC 전원을 제공하는 전원 공급부(미도시)와 연결될 수 있다.The substrate support module 200 provided in the substrate processing apparatus according to the present exemplary embodiment may serve as a ground electrode for generating plasma, and the power supply unit 400 grounded to the insertion member 220 may be used. This bonded structure has been described. However, the present invention is not limited thereto, and the substrate support module 200 may be an electrostatic chuck supporting the substrate s by electrostatic force. In this case, the power supply unit 400 may be connected to a power supply unit (not shown) that provides DC power. In another example, the substrate support module 200 may serve as a heater that heats the substrate s. In this case, the power supply unit 400 may be connected to a power supply unit (not shown) that provides AC power. .

200: 지지 블럭 220: 삽입 부재
410: 로드 420: 접속 부재
430: 완충 부재 200: support block 220: insertion member
410: rod 420: connection member
430: buffer member

Claims (12)

기판이 안착되는 지지 블럭;
상기 지지 블럭 내에 삽입 장착된 삽입 부재;
일부가 상기 지지 블럭 내로 삽입되어, 상기 삽입 부재와 전기적으로 접속된 로드;
상기 지지 블럭 내에서 상기 삽입 부재와 로드 사이에 배치되어, 브레이징 방법으로 상기 로드와 접합되어, 일단이 상기 삽입 부재와 접속되는 접속 부재; 및
일측면이 상기 접속 부재가 위치한 로드의 외측으로 노출되도록 상기 로드 내에 삽입 장착되어, 상기 로드와 기계적으로 결합되어 있으며, 상기 노출된 일측면이 상기 접속 부재의 타단과 접속되는 완충 부재를 포함하고,
상기 지지 블럭의 내측에는 상기 로드가 삽입되는 삽입홈이 마련되며,
상기 삽입홈을 둘러싸는 지지 블럭의 내벽에 나사홈이 형성되고,
상기 지지 블럭의 삽입홈으로 삽입되는 로드에 나사산이 형성되며, 상기 로드의 나사산이 상기 지지 블럭의 나사홈과 체결되며,
상기 완충 부재가 상기 접속 부재에 비해 작게 제작되어, 상기 접속 부재 하부면 중심이 상기 완충 부재의 상부면과 접속되고, 상기 접속 부재의 하부면의 가장자리 영역이 상기 로드의 상부면과 접속되는 기판 지지 모듈.A support block on which the substrate is seated;
An insertion member inserted into the support block;
A rod, a portion of which is inserted into the support block and electrically connected to the insertion member;
A connection member disposed between the insertion member and the rod in the support block and joined to the rod by a brazing method, one end of which is connected to the insertion member; And
One side is inserted into and mounted in the rod so as to be exposed to the outside of the rod on which the connection member is located, mechanically coupled to the rod, and the exposed one side includes a buffer member connected to the other end of the connection member,
An insertion groove into which the rod is inserted is provided inside the support block.
A screw groove is formed in the inner wall of the support block surrounding the insertion groove,
A thread is formed in the rod inserted into the insertion groove of the support block, The thread of the rod is engaged with the screw groove of the support block,
The buffer member is made smaller than the connecting member so that the center of the lower surface of the connecting member is connected to the upper surface of the buffer member, and the edge region of the lower surface of the connecting member is connected to the upper surface of the rod. module. 청구항 1에 있어서,
상기 삽입 부재는 플라즈마 발생을 위한 전극, 정전척용 전극 및 히터 중 어느 하나인 기판 지지 모듈.The method according to claim 1,
The insertion member may be any one of an electrode for generating plasma, an electrode for electrostatic chuck, and a heater. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 삽입 부재는 몰리브덴(Mo) 및 텅스텐(W) 중 어느 하나로 이루어진 기판 지지 모듈.The method according to claim 1 or 2,
The insertion member is a substrate support module made of any one of molybdenum (Mo) and tungsten (W). 청구항 1에 있어서,
상기 접속 부재는 몰리브덴(Mo)으로 이루어진 기판 지지 모듈.The method according to claim 1,
The connection member is a substrate support module made of molybdenum (Mo). 청구항 1에 있어서,
상기 로드는 니켈(Ni)로 이루어진 기판 지지 모듈.The method according to claim 1,
The rod is a substrate support module made of nickel (Ni). 청구항 1 또는 청구항 4에 있어서,
상기 완충 부재는 코바(kovar) 및 몰리브덴(Mo) 중 어느 하나로 이루어진 기판 지지 모듈.The method according to claim 1 or 4,
The buffer member is made of any one of a kovar (kovar) and molybdenum (Mo). 삭제delete 삭제delete 삭제delete 청구항 1에 있어서,
상기 로드의 외주면에 산화막으로 이루어진 코팅막이 형성된 기판 지지 모듈.The method according to claim 1,
Substrate support module formed with a coating film made of an oxide film on the outer peripheral surface of the rod. 청구항 10에 있어서,
상기 코팅막은 산화니켈(NiO)인 기판 지지 모듈.The method of claim 10,
The coating film is a nickel oxide (NiO) substrate support module. 청구항 1에 있어서,
상기 로드의 타단은 접지(ground) 되거나, AC 전원 공급원 및 DC 전원 공급원 중 어느 하나와 연결되는 기판 지지 모듈.The method according to claim 1,
And the other end of the rod is grounded or connected to one of an AC power source and a DC power source.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990006874A (en) * 1997-06-20 1999-01-25 시바타 마사하루 Bonding structure of ceramics and manufacturing method thereof
US6098568A (en) 1997-12-01 2000-08-08 Applied Materials, Inc. Mixed frequency CVD apparatus
JP2008130609A (en) * 2006-11-16 2008-06-05 Ngk Insulators Ltd Heating apparatus
JP2008198975A (en) * 2007-01-17 2008-08-28 Tokyo Electron Ltd Mounting table structure and processing apparatus

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990006874A (en) * 1997-06-20 1999-01-25 시바타 마사하루 Bonding structure of ceramics and manufacturing method thereof
US6098568A (en) 1997-12-01 2000-08-08 Applied Materials, Inc. Mixed frequency CVD apparatus
JP2008130609A (en) * 2006-11-16 2008-06-05 Ngk Insulators Ltd Heating apparatus
JP2008198975A (en) * 2007-01-17 2008-08-28 Tokyo Electron Ltd Mounting table structure and processing apparatus

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