KR101338932B1 - Method of fabricating transition metal nano-wires - Google Patents

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Abstract

본 발명은 전이금속 나노 와이어의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 전이금속 나노 와이어의 제조 방법은, 반응 챔버 내에 피처리체를 제공하는 단계; 상기 반응 챔버 내에 화학식 MA2Bx -2 (상기 M은 전이금속이고, 상기 x는 상기 전이금속의 배위수이고, 상기 A 및 B는 서로 다른 작용기임)인 헤테로랩틱 구조를 갖고 상기 작용기 A가 상기 작용기 B보다 반응성이 큰 전이금속 전구체를 공급하는 단계; 상기 반응 챔버 내에 산소 함유 가스를 공급하는 단계; 및 상기 전구체의 상기 작용기 A와 상기 산소 함유 가스의 우선적 반응에 의한 중간체가 상기 피처리체의 표면 상에서 성장하는 단계를 포함할 수 있다.The present invention relates to a method for producing a transition metal nanowire. Method for producing a transition metal nanowire according to an embodiment of the present invention, providing a workpiece in the reaction chamber; Wherein the functional group A has a heterolabic structure in the reaction chamber of formula MA 2 B x -2 (wherein M is a transition metal, x is a coordination number of the transition metal, and A and B are different functional groups) Supplying a transition metal precursor that is more reactive than the functional group B; Supplying an oxygen containing gas into the reaction chamber; And growing an intermediate by the preferential reaction of the functional group A of the precursor with the oxygen-containing gas on the surface of the target object.

Description

전이금속 나노 와이어의 제조 방법{Method of fabricating transition metal nano-wires}Method of fabricating transition metal nano-wires

본 발명은 나노 구조의 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 전이금속 나노 와이어의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for producing a nanostructure, and more particularly, to a method for producing a transition metal nanowire.

탄소 나노 튜브 구조가 1991년에 발표된 이후로, 100 nm 이하의 크기를 갖는 나노 구조를 합성 및 이용하는 방법에 대한 연구가 활발히 보고되고 있다. 나노 구조들은 단일 성분의 반도체들 (예를 들면, M, Ge 및 B), Ⅲ-Ⅴ 족 화합물 반도체들 (예를 들면, GaN, GaAs, GnP, InP 및 InAs), Ⅱ-Ⅶ 족 화합물 반도체들(예를 들면, ZnS, ZnSe, CdS 및 CdSe) 또는 산화물(예를 들면, ZnO, MgO, MO2)로 제조된다.Since the carbon nanotube structure was published in 1991, research on the synthesis and use of nanostructures having a size of 100 nm or less has been actively reported. Nanostructures include single component semiconductors (eg, M, Ge, and B), group III-V compound semiconductors (eg, GaN, GaAs, GnP, InP, and InAs), group II-VII compound semiconductors. (Eg, ZnS, ZnSe, CdS, and CdSe) or oxides (eg, ZnO, MgO, MO 2 ).

도전성을 갖는 전이 금속 산화물을 이용하여 나노 와이어를 형성하는 경우, 전극 표면적의 증가로 인하여, 전지의 고밀도 전극이 제공될 수 있다. 상기 나노 와이어의 제조 방법의 예로서, 레이저 융발법(laser ablation), 고온 증발법(high temperature evaporation) 및 탄소열 환원 반응법(carbothermal reduction)이 있다. 다른 방법으로는, MCl4와 같은 전이 금속 함유 가스와 금(Au)와 같은 촉매를 이용하여 기판 상에 성장시키는 방법이 있다. 그러나, 이들 방법들은 모두 기상-액상-고상(vapor-liquid-solid; VLS) 메커니즘을 이용하여 나노 와이어 구조를 제조하는 것이어서, 공통적으로 그 제조를 위하여 높은 온도와 장시간의 반응을 필요로 한다. 그에 따라, 전이금속 나노 와이어를 다른 부재들과의 집적시 한계를 가질 수 있다.When forming nanowires using a transition metal oxide having conductivity, a high density electrode of a battery can be provided due to an increase in electrode surface area. Examples of the production method of the nanowires include laser ablation, high temperature evaporation, and carbothermal reduction. Another method is to grow on a substrate using a transition metal containing gas such as MCl 4 and a catalyst such as gold (Au). However, these methods are all for producing nanowire structures using vapor-liquid-solid (VLS) mechanisms, which commonly require high temperatures and long time reactions for their manufacture. Accordingly, the transition metal nanowires may have limitations when integrating with other members.

따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 저온에서도 촉매가 없이 빠르게 나노 와이어 구조를 제조할 수 있으며, 생성된 나노 와이어의 크기 및 형상을 용이하게 제어할 수 있는 전이금속 나노 와이어의 제조 방법을 제공하는 것이다.Accordingly, the technical problem to be achieved by the present invention is to provide a method for producing a transition metal nanowires that can quickly produce a nanowire structure without a catalyst even at low temperatures, and can easily control the size and shape of the resulting nanowires It is.

또한, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 전술한 이점을 갖는 나노 와이어 전극 구조 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
In addition, the technical problem to be achieved by the present invention is to provide a nanowire electrode structure having the above-described advantages and a method of manufacturing the same.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 전이금속 나노 와이어의 제조 방법은, 반응 챔버 내에 피처리체를 제공하는 단계; 상기 반응 챔버 내에 화학식 MA2Bx -2 (상기 M은 전이금속이고, 상기 x는 상기 전이금속의 배위수이고, 상기 A 및 B는 서로 다른 작용기임)인 헤테로랩틱 구조를 갖고 상기 작용기 A가 상기 작용기 B보다 반응성이 큰 전이금속 전구체를 공급하는 단계; 상기 반응 챔버 내에 산소 함유 가스를 공급하는 단계; 및 상기 전구체의 상기 작용기 A와 상기 산소 함유 가스의 우선적 반응에 의한 중간체가 상기 피처리체의 표면 상에서 성장하는 단계를 포함할 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a transition metal nanowire, the method comprising: providing a workpiece in a reaction chamber; Wherein the functional group A has a heterolabic structure in the reaction chamber of formula MA 2 B x -2 (wherein M is a transition metal, x is a coordination number of the transition metal, and A and B are different functional groups) Supplying a transition metal precursor that is more reactive than the functional group B; Supplying an oxygen containing gas into the reaction chamber; And growing an intermediate by the preferential reaction of the functional group A of the precursor with the oxygen-containing gas on the surface of the target object.

일부 실시예에서, 상기 중간체는 상기 전구체 및 상기 산소 함유 가스와 축합 반응을 겪을 수 있다. 또한, 상기 작용기 A는 수소보다 입체적으로 큰 반응성 라디컬이며, 상기 B는 수소기일 수 있다. 상기 작용기 A는 아민기일 수 있다. 상기 아민기는 -NR1R2이고, 상기 R1 및 R2는 각각 탄화 수소 화합물일 수 있다. 상기 탄화 수소는 알킬기일 수 있다. 일부 실시예에서, 상기 전구체는 bis(ethyl-methyl-amino) 전이금속 화합물일 수 있다. 상기 산소 함유 가스는 히드록실기를 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 상기 산소 함유 가스는 H2O 일 수 있다.In some embodiments, the intermediate may undergo a condensation reaction with the precursor and the oxygen containing gas. In addition, the functional group A is three-dimensionally larger reactive radicals than hydrogen, and B may be a hydrogen group. The functional group A may be an amine group. The amine group is —NR 1 R 2, and R 1 and R 2 may each be a hydrocarbon compound. The hydrocarbon may be an alkyl group. In some embodiments, the precursor may be a bis (ethyl-methyl-amino) transition metal compound. The oxygen-containing gas may include a hydroxyl group. In some embodiments, the oxygen containing gas may be H 2 O.

일부 실시예에서, 상기 전구체를 공급하는 단계 이전에, 상기 피처리체의 표면을 세정하는 단계를 더 수행할 수도 있다. 상기 세정하는 단계는 알코올을 사용하여 수행될 수 있다. 일부 실시예에서는, 상기 전구체를 공급하는 단계 이전에, 상기 피처리체의 표면을 수산화하여, 핵생성 자리를 증가시킬 수도 있다.In some embodiments, the cleaning of the surface of the object may be further performed before the supply of the precursor. The cleaning step may be performed using alcohol. In some embodiments, prior to the step of supplying the precursor, the surface of the workpiece may be hydroxide to increase the nucleation site.

상기 반응 챔버의 압력은 상기 전이금속 나노 와이어의 길이 방향의 성장 및 폭 방향의 성장을 제어하기 위해 적합하게 선택될 수 있다.The pressure of the reaction chamber may be suitably selected to control the growth in the longitudinal direction and the width direction of the transition metal nanowires.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 전이금속 나노 와이어의 제조 방법은, 반응 챔버 내에 표면 상에 히드록시기를 갖는 피처리체를 제공한다. 이후, 상기 반응 챔버 내에 화학식 MA2Bx -2 (상기 M은 전이금속이고, 상기 x는 상기 전이금속의 배위수이고, 상기 A 및 B는 서로 다른 작용기임)인 헤테로랩틱 구조를 갖는 전이금속 전구체를 공급하는 단계를 공급한다. 또한, 상기 전구체의 상기 작용기 A에 대하여, 상기 작용기 B 보다도 선택적으로 히드록실기로 치환할 수 있는 작용기를 갖는 산소 함유 가스를 공급한다. 상기 전이금속 나노 와이어의 제조 방법은, 상기 전구체와 상기 산소 함유 가스의 반응에 의한 중간체가 상기 피처리체의 표면 상에서 축합 반응에 의해 성장하는 단계를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a transition metal nanowire, which has a hydroxyl group on a surface thereof in a reaction chamber. Subsequently, in the reaction chamber, a transition metal having a heterolabic structure of Formula MA 2 B x -2 (wherein M is a transition metal, x is a coordination number of the transition metal, and A and B are different functional groups) Feeding the precursor is supplied. Moreover, the oxygen containing gas which has a functional group which can be substituted by the hydroxyl group more selectively than the said functional group B is supplied with respect to the said functional group A of the said precursor. The method for producing a transition metal nanowire includes growing an intermediate by a reaction of the precursor and the oxygen-containing gas by a condensation reaction on a surface of the object to be processed.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전이금속 나노 와이어의 제조 방법은 원자층 증착법에 의해 수행된다. 먼저, 반응 챔버 내에 피처리체가 제공된다. 상기 반응 챔버 내에 화학식 MA2Bx -2 (상기 M은 전이금속이고, 상기 x는 상기 전이금속의 배위수이고, 상기 A 및 B는 서로 다른 작용기임)인 헤테로랩틱 구조를 갖고 상기 작용기 A가 상기 작용기 B보다 반응성이 큰 전이금속 전구체가 된다. 상기 반응 챔버 내에 잔류하는 상기 전구체, 및 상기 전구체와 상기 피처리체 표면의 반응에 의한 제 1 중간체를 제거하기 위하여, 상기 반응 챔버 내에 퍼지 가스를 펄스 공급한다. 이후, 상기 반응 챔버 내에 산소 함유 가스를 펄스 공급하고, 상기 전구체의 상기 작용기 A와 상기 산소 함유 가스의 우선적 반응을 일어날 수 있다. 상기 반응 챔버 내에 잔류하는 상기 산소 함유 가스, 및 상기 산소 함유 가스와 상기 피처리체 표면의 반응에 의한 제 2 중간체를 제거하기 위하여, 상기 반응 챔버 내에 퍼지 가스가 펄스 공급될 수 있다. 상기 제 2 단계 내지 제 5 단계를 적어도 1회 이상 반복될 수 있다.The method for manufacturing a transition metal nanowire according to another embodiment of the present invention for achieving the above technical problem is performed by atomic layer deposition. First, a workpiece is provided in the reaction chamber. Wherein the functional group A has a heterolabic structure in the reaction chamber of formula MA 2 B x -2 (wherein M is a transition metal, x is a coordination number of the transition metal, and A and B are different functional groups) It becomes a transition metal precursor that is more reactive than the functional group B. A purge gas is pulsed into the reaction chamber to remove the precursor remaining in the reaction chamber and the first intermediate by the reaction between the precursor and the surface of the workpiece. Thereafter, the oxygen-containing gas may be pulsed into the reaction chamber, and a preferential reaction between the functional group A of the precursor and the oxygen-containing gas may occur. A purge gas may be pulsed into the reaction chamber to remove the oxygen-containing gas remaining in the reaction chamber and the second intermediate by reaction of the oxygen-containing gas and the surface of the workpiece. The second to fifth steps may be repeated at least once.

일부 실시예에서, 상기 중간체는 상기 전구체 및 상기 산소 함유 가스와 축합 반응을 겪을 수 있다. 또한, 상기 작용기 A는 아민기이고, 상기 B는 수소기일 수 있다. 상기 아민기는 -NR1R2이고, 상기 R1 및 R2는 각각 탄화 수소 화합물일 수 있다. 상기 탄화 수소는 알킬기일 수 있다. 일부 실시예에서, 상기 전구체는 bis(ethyl-methyl-amino) 전이금속 화합물일 수 있다.In some embodiments, the intermediate may undergo a condensation reaction with the precursor and the oxygen containing gas. In addition, the functional group A may be an amine group, and B may be a hydrogen group. The amine group is —NR 1 R 2, and R 1 and R 2 may each be a hydrocarbon compound. The hydrocarbon may be an alkyl group. In some embodiments, the precursor may be a bis (ethyl-methyl-amino) transition metal compound.

상기 산소 함유 가스는 히드록실기를 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 상기 산소 함유 가스는 H2O 일 수 있다. 일부 실시예에서, 상기 전구체를 펄스 공급하는 단계 이전에, 상기 피처리체의 표면을 세정하는 단계를 더 수행할 수도 있다. 상기 세정하는 단계는 알코올을 사용하여 수행될 수 있다. 일부 실시예에서는, 상기 전구체를 펄스 공급하는 단계 이전에, 상기 피처리체의 표면을 수산화하여, 핵생성 자리를 증가시킬 수도 있다.The oxygen-containing gas may include a hydroxyl group. In some embodiments, the oxygen containing gas may be H 2 O. In some embodiments, before the pulse supply of the precursor, the step of cleaning the surface of the object may be further performed. The cleaning step may be performed using alcohol. In some embodiments, prior to the pulsed supply of the precursor, the surface of the workpiece may be hydroxide to increase nucleation sites.

일부 실시예에서, 상기 반응 챔버의 압력은 상기 전이금속 나노 와이어의 길이 방향의 성장 및 폭 방향의 성장을 제어하기 위해 적합하게 선택될 수 있다.In some embodiments, the pressure of the reaction chamber may be suitably selected to control the growth in the longitudinal direction and the width direction of the transition metal nanowires.

또한, 상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 전이금속 나노 와이어 어레이 구조의 제조 방법은, 전술한 전이금속 나노 와이어 제조 방법에 의해 전이금속 나노 와이어를 형성한 후, 탬플릿으로서 상기 전이금속 나노 와이어를 사용하여, 상기 전이금속 나노 와이어의 바깥 표면에 금속, 금속 산화물, 폴리머 또는 이들의 조합을 코팅하는 단계를 포함한다.
In addition, the method for manufacturing a transition metal nanowire array structure according to an embodiment of the present invention for achieving the above another technical problem, after forming the transition metal nanowires by the transition metal nanowire manufacturing method described above, as a template Coating the outer surface of the transition metal nanowire with a metal, a metal oxide, a polymer, or a combination thereof using the transition metal nanowire.

본 발명의 일 실시예에 따른 전이금속 나노 와이어의 제조 방법은, 화학식 MA2Bx-2 (상기 M은 전이금속이고, 상기 x는 상기 전이금속의 배위수이고, 상기 A 및 B는 서로 다른 작용기임)인 헤테로랩틱 구조와 산소 함유 가스를 사용하여, 산소 함유 가스와 작용기 A의 입체적 요인에 의한 기질 선택적인 화학 반응에 의해 1 차원의 직선 방향으로 성장하는 전이금속 나노 와이어를 제공한다. 또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 촉매 없이도 빠르게 전이금속 나노 와이어를 제조할 수 있으며, 공정 조건들, 특히 압력을 제어함으로써 전이금속 나노 와이어의 크기 및 형상을 용이하게 제어할 수 있다.Method for producing a transition metal nanowire according to an embodiment of the present invention, the formula MA 2 B x-2 (The M is a transition metal, the x is the number of coordination of the transition metal, A and B are different from each other Heterocyclic structure and an oxygen-containing gas to provide a transition metal nanowire that grows in a linear direction in one dimension by a substrate-selective chemical reaction caused by a three-dimensional factor of the oxygen-containing gas and functional group A. In addition, according to an embodiment of the present invention, it is possible to quickly produce a transition metal nanowire without a catalyst, it is possible to easily control the size and shape of the transition metal nanowire by controlling the process conditions, in particular the pressure.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 나노 튜브 어레이 구조의 제조 방법은 전술한 이점을 갖는 전이금속 나노 와이어를 탬플릿으로 사용하여, 상기 전이금속 나노 와이어의 바깥 표면에 전기적 활물질, 금속, 금속 산화물, 반도체, 폴리머 또는 이들의 조합을 코팅함으로써 전극 구조 또는 나노 튜브 어레이 구조를 제공할 수 있다.
In addition, the method of manufacturing a nanotube array structure according to an embodiment of the present invention, using a transition metal nanowire having the above-described advantages as a template, the electrical active material, metal, metal oxide, Coating of semiconductors, polymers or combinations thereof can provide electrode structures or nanotube array structures.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 헤테로랩틱 구조를 갖는 bis(ethyl-methyl-amino) 전이금속 전구체를 도시한다.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 일 실시예에 따른 bis(ethyl-methyl-amino) 전이금속 전구체가 갖는 다양한 중간체들과 이의 반응 메커니즘을 개략적으로 도시한다.
도 3은 bis(ethyl-methyl-amino) 전이금속 화합물의 1 차원적 성장을 도시한다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 화학기상증착법에 의한 전이금속 나노 와이어의 제조 방법을 도시한다.
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 실시예들에 따른 화학기상증착에 의한 전이금속 나노 와이어의 생성 과정을 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 6은 실리콘 기판 상에 1 차원의 직선 방향으로 성장된 전이금속 나노 와이어의 생성 과정을 개략적으로 도시한다.
도 7a 내지 도 7d는 화학기상증착법에 의해 서로 다른 공정 압력에서 실리콘 기판 상에 형성된 전이금속 나노 와이어의 주사전자현미경(Scanning Electron Miscroscope; SEM) 이미지들이다.
도 8은 전이금속 나노 와이어를 제조하기 위한 원자층 증착 시스템을 도시한다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 원자층 증착법에 의한 전이금속 나노 와이어의 제조 방법을 나타내는 순서도이다.
도 10은 단계들 S200 내지 S500의 펄스 스위칭을 도시한 그래프이다.
도 11a 및 도 11b는 화학식 MA2B2를 갖는 헤테로랩틱 구조의 전구체를 이용하여 실리콘 기판 표면 상에 형성된 중간체들 사이의 가교 반응(cross-linking)을 개념적으로 도시한다.
도 12는 전이금속 나노 와이어의 성장 동안의 중간체들 사이의 가교 반응에 의한 전이금속 나노 와이어의 형상 변화를 개념적으로 도시한다.
도 13은 본 발명의 실시예들로부터 얻어진 전이금속 나노 와이어의 투과전자현미경(Transmission Electron Microscope; TEM) 이미지이다.
도 14a는 비교예로서 호모렙틱(homoleptic) 구조를 갖는 terakis(ethylmethylamino) 타이타늄 화합물의 구조도이다.
도 14b는 전구체로서 도 14a의 화합물을 이용하여 증착된 결과물의 주사현미경 이미지이다.1 illustrates a bis (ethyl-methyl-amino) transition metal precursor having a heterolabic structure according to an embodiment of the present invention.
2A to 2C schematically illustrate various intermediates and reaction mechanisms of bis (ethyl-methyl-amino) transition metal precursors according to an embodiment of the present invention.
3 shows the one-dimensional growth of a bis (ethyl-methyl-amino) transition metal compound.
Figure 4 shows a method for producing a transition metal nanowires by chemical vapor deposition method according to an embodiment of the present invention.
5A and 5B schematically illustrate a process of generating transition metal nanowires by chemical vapor deposition according to embodiments of the present invention.
FIG. 6 schematically illustrates a process of generating transition metal nanowires grown in a linear direction in one dimension on a silicon substrate.
7A to 7D are scanning electron microscope (SEM) images of transition metal nanowires formed on silicon substrates at different process pressures by chemical vapor deposition.
8 illustrates an atomic layer deposition system for fabricating transition metal nanowires.
9 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a transition metal nanowire by an atomic layer deposition method according to an embodiment of the present invention.
10 is a graph illustrating pulse switching of steps S200 to S500.
11A and 11B conceptually illustrate cross-linking between intermediates formed on a silicon substrate surface using a precursor of a heterolabic structure having the formula MA 2 B 2 .
12 conceptually illustrates the shape change of transition metal nanowires by crosslinking reaction between intermediates during growth of the transition metal nanowires.
13 is a Transmission Electron Microscope (TEM) image of transition metal nanowires obtained from the embodiments of the present invention.
14A is a structural diagram of a terakis (ethylmethylamino) titanium compound having a homomoltic structure as a comparative example.
FIG. 14B is a scanning microscope image of the results deposited using the compound of FIG. 14A as a precursor.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려, 이들 실시예는 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다.The embodiments of the present invention are described in order to more fully explain the present invention to those skilled in the art, and the following embodiments may be modified into various other forms, It is not limited to the embodiment. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be more faithful and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art.

이하의 설명에서 어떤 층이 다른 층의 위에 존재한다고 기술될 때, 이는 다른 층의 바로 위에 존재할 수도 있고, 그 사이에 제3의 층이 개재될 수도 있다. 또한, 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이며, 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 용어 "및/또는"은 해당 열거된 항목 중 어느 하나 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.In the following description, when a layer is described as being on top of another layer, it may be directly on top of the other layer, with a third layer intervening therebetween. In the drawings, the thickness and size of each layer are exaggerated for convenience and clarity of description, and the same reference numerals refer to the same elements in the drawings. As used herein, the term "and / or" includes any and all combinations of one or more of the listed items.

본 명세서에서 사용된 용어는 특정 실시예를 설명하기 위하여 사용되며, 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 단수 형태는 문맥상 다른 경우를 분명히 지적하는 것이 아니라면, 복수의 형태를 포함할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 경우 "포함한다(comprise)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급한 형상들, 숫자, 단계, 동작, 부재, 요소 및/또는 이들 그룹의 존재를 특정하는 것이며, 하나 이상의 다른 형상, 숫자, 동작, 부재, 요소 및/또는 그룹들의 존재 또는 부가를 배제하는 것이 아니다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. As used herein, the singular forms "a," "an," and "the" include singular forms unless the context clearly dictates otherwise. Also, " comprise "and / or" comprising "when used herein should be interpreted as specifying the presence of stated shapes, numbers, steps, operations, elements, elements, and / And does not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, operations, elements, elements, and / or groups.

본 명세서에서 제 1, 제 2 등의 용어가 다양한 부재, 부품, 영역, 층들 및/또는 부분들을 설명하기 위하여 사용되지만, 이들 부재, 부품, 영역, 층들 및/또는 부분들은 이들 용어에 의해 한정되어서는 안됨은 자명하다. 이들 용어는 하나의 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분을 다른 영역, 층 또는 부분과 구별하기 위하여만 사용된다. 따라서, 이하 상술할 제 1 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분은 본 발명의 가르침으로부터 벗어나지 않고서도 제 2 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분을 지칭할 수 있다.Although the terms first, second, etc. are used herein to describe various elements, components, regions, layers and / or portions, these members, components, regions, layers and / It is obvious that no. These terms are only used to distinguish one member, component, region, layer or section from another region, layer or section. Thus, the first member, part, region, layer or portion, which will be discussed below, may refer to the second member, component, region, layer or portion without departing from the teachings of the present invention.

이하, 본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들을 개략적으로 도시하는 도면들을 참조하여 설명한다. 도면들에 있어서, 예를 들면, 제조 기술 및/또는 공차(tolerance)에 따라, 도시된 형상의 변형들이 예상될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예는 본 명세서에 도시된 영역의 특정 형상에 제한된 것으로 해석되어서는 아니 되며, 예를 들면 제조상 초래되는 형상의 변화를 포함하여야 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings schematically showing ideal embodiments of the present invention. In the figures, for example, variations in the shape shown may be expected, depending on manufacturing techniques and / or tolerances. Accordingly, embodiments of the present invention should not be construed as limited to any particular shape of the regions illustrated herein, including, for example, variations in shape resulting from manufacturing.

본 발명의 일 실시예에서, 전이금속 나노 와이어의 제조를 위한 전구체는 화학식 MA2Bㅌ-2로 나타낼 수 있는 헤테로랩틱(heteroleptic) 구조를 갖는다. 상기 A 와 B는 서로 다른 작용기(functional group)를 나타내며, 상기 작용기 A는 2 개이며, 다른 작용기 B의 개수는 M의 배위수 x에 의해 결정될 수 있다. 예를 들면, 전이금속 M의 배위수 x가 6인 경우, 작용기 A는 2개이고, 작용기 B는 4개이다. 또 다른 예로서, 전이 금속 M의 배위수 x가 4인 경우, 작용기 A는 2개이고, 작용기 B는 2개이다.In one embodiment of the present invention, the precursor for the preparation of the transition metal nanowire has a heterolapetic structure (heteroleptic) structure can be represented by the formula MA 2 B ㅌ -2 . A and B represent different functional groups, the functional groups A are two, and the number of different functional groups B can be determined by the coordination number of M. For example, when the coordination number x of the transition metal M is 6, the functional group A is two and the functional group B is four. As another example, when the coordination number x of the transition metal M is 4, there are two functional groups A and two functional groups B.

상기 전구체의 작용기 A 와 B는 입체적으로(stericly) 또는 전기적으로(electronically) 구별되는 반응성을 갖는다. 예를 들면, 상기 작용기 A는 아민기이고, 상기 작용기 B가 수소기인 경우, 상기 아민기는 상기 수소기에 비하여 부피가 더 크기 때문에 입체적으로 더 큰 반응성을 가질 수 있으며, 상기 아민기는 질소의 높은 전기 음성도로 인하여 상기 수소에 비하여 전기적으로 더 큰 반응성을 가질 수 있다. The functional groups A and B of the precursor have reactivity that is distinctively or electronically distinguished. For example, when the functional group A is an amine group and the functional group B is a hydrogen group, the amine group may have a steric reactivity since the volume is larger than that of the hydrogen group, and the amine group has a high electronegativity of nitrogen. The degree of electrical reactivity can be greater than that of hydrogen.

상기 아민기는 -NHR1, -NR1R2 와 같은 1 차 및 2 차 아민기 중 어느 하나일 수 있다. 일부 실시예에서, 상기 R1 및 R2는 탄화 수소 화합물일 수 있으며, 상기 탄화 수소 화합물은 전이금속에 결합된 수소기에 비하여 입체적으로 더 큰 반응성을 가질 수 있다. 그 결과, 상기 작용기 A가 후술하는 바와 같이 반응 가스와 기판 표면에 대하여 우선적으로(또는 선택적으로) 반응할 수 있으며, 특정 작용기 A가 결합된 방향으로만 후속 반응이 연속적으로 이루어짐으로써 와이어와 같은 직선 방향으로 성장하는 1 차원적 구조를 갖는 실리카 생성물을 제공할 수 있게 된다. The amine group may be any one of primary and secondary amine groups such as -NHR1 and -NR1R2. In some embodiments, the R1 and R2 may be a hydrocarbon compound, the hydrocarbon compound may have a steric reactivity more than the hydrogen group bonded to the transition metal. As a result, the functional group A can react preferentially (or selectively) with the reactant gas and the surface of the substrate as described below, and subsequent reactions are continuously performed only in the direction in which the specific functional group A is bonded, thereby providing a straight line like a wire. It is possible to provide a silica product having a one-dimensional structure growing in the direction.

본 명세서에서 사용되는 '나노 와이어'란 용어는 좁은 직경(또는 굵기)을 갖지만 상기 직경에 비하여 더 큰 길이를 갖는 고상의 구조체를 지칭하며, 직경에 대한 길이의 비(종횡비)는 적어도 3 이상이다. 때로는 나노 와이어는 나노 로드(rod) 또는 나노 휘스커(whisker)라고도 지칭될 수 있으며, 이들 용어에 의해 본 발명이 제한되는 것은 아니다.As used herein, the term 'nanowire' refers to a solid structure having a narrow diameter (or thickness) but having a greater length than the diameter, wherein the ratio of the length to the diameter (aspect ratio) is at least three or more. . Sometimes nanowires may also be referred to as nanorods or nanowhiskers, and the invention is not limited by these terms.

본 명세서에서 사용되는 '피처리체'란 용어는 전이금속 나노 와이어가 성장하는 표면을 제공할 수 있는 일차 전지, 이차 전지, 태양 전지, 디스플레이 소자, 광학 소자, 광전 소자, 슈퍼 컨턱티비티 소자, 메모리 소자 등에 응용될 수 있는 광학적, 전기적, 자기적, 기계적 또는 화학적 기능을 갖는 임의의 부품 또는 지지체일 수 있다. 본 명세서에서, 피처리체의 예로서 사용된 '웨이퍼' 및 '기판'이란 용어는, 벌크 실리콘, 실리콘-온-절연체(SOI) 및 실리콘-온-사파이어(SOS)와 같은 기저 구조체 상의 실리콘 반도체 층, 도핑되거나 도핑되지 않은 반도체 층 및 변형된 반도체 층을 지칭할 수도 있다. 또한, 웨이퍼 및 기판이란 용어는 실리콘계 재료에 한정되지 않으며, 실리콘-게르마늄, 게르마늄 또는 갈륨-비소계 화합물 재료와 같은 Ⅲ-Ⅴ족 반도체 재료를 지칭할 수도 있다. As used herein, the term 'process object' refers to a primary cell, a secondary cell, a solar cell, a display device, an optical device, an optoelectronic device, a super-activity device, and a memory that can provide a surface on which transition metal nanowires are grown. It can be any component or support having optical, electrical, magnetic, mechanical or chemical functions that can be applied to devices and the like. As used herein as an example of a workpiece, the terms 'wafer' and 'substrate' refer to a silicon semiconductor layer on a base structure, such as bulk silicon, silicon-on-insulator (SOI) and silicon-on-sapphire (SOS). Doped or undoped semiconductor layers and modified semiconductor layers may also be referred to. In addition, the terms wafer and substrate are not limited to silicon-based materials, and may refer to group III-V semiconductor materials such as silicon-germanium, germanium, or gallium-arsenic compound materials.

또한, 기판이란 용어는 전술한 반도체 재료뿐만 아니라 폴리머 계열의 비도전성의 유기 재료 기판, 바람직하게는 가요성 기판을 지칭할 수도 있으며, 이들 피처리체의 표면은 평탄하거나 적합한 요철을 가질 수도 있다.
In addition, the term substrate may refer not only to the above-described semiconductor materials but also to polymer-based non-conductive organic material substrates, preferably flexible substrates, and the surfaces of these workpieces may have flat or suitable irregularities.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 헤테로랩틱 구조를 갖는 bis(ethyl-methyl-amino) 전이금속 전구체를 도시한다.1 illustrates a bis (ethyl-methyl-amino) transition metal precursor having a heterolabic structure according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 상기 전구체는 화학식 M[N(CH3)(C2H5)]2H2를 갖는다. 전술한 바와 같이, 전이금속에 결합된 기능기인 아민기 -N(CH3)(C2H5)는 다른 결합기인 수소기에 비하여, 더 큰 반응성을 갖는다. 예를 들어, 상기 전구체와 물 분자의 충돌시, 전이금속에 결합된 수소기보다 아민기가 쉽게 반응할 것으로 예측된다. 이러한 특징은 후술하는 상세한 설명으로부터 더욱 분명해질 것이다. Referring to FIG. 1, the precursor has the formula M [N (CH 3 ) (C 2 H 5 )] 2 H 2 . As described above, the amine group —N (CH 3 ) (C 2 H 5 ), which is a functional group bonded to the transition metal, has greater reactivity than the hydrogen group, which is another bonding group. For example, when the precursor and water molecules collide, it is expected that the amine group will react more easily than the hydrogen group bonded to the transition metal. These features will become more apparent from the detailed description below.

도 1에 도시된 전구체는 예시적이며, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들면, 상기 아민기에서, 질소 원자에는 알케인(alkane), 알켄(alkene), 알카인(alkyne)과 같은 탄화수소 화합물로부터 유도된 작용기들, 예를 들면, 메틸기 및 에틸기 이외에 다른 n-프로필, n-뷰틸, 아이소프로필이 결합될 수 있다. 또한, 이들 작용기는 직쇄형, 분지쇄형 또는 고리형일 수도 있으며, 탄소수는 1 내지 6 일 수 있지만 이에 제한되는 것은 아니다.The precursor shown in FIG. 1 is exemplary and the invention is not limited thereto. For example, in the amine group, the nitrogen atom contains, for example, n-propyl other than functional groups derived from hydrocarbon compounds such as alkane, alkene, and alkyne, for example, methyl and ethyl groups. , n-butyl, isopropyl can be combined. In addition, these functional groups may be linear, branched or cyclic, carbon number may be 1 to 6, but is not limited thereto.

상기 전구체는 상온에서 액상으로 존재하는 것이 취급 측면에서 유리하다. 따라서, 바람직하게는, 실온에서 액상으로 존재할 수 있도록 낮은 증기압을 갖는 헤테로렙틱 구조를 갖는 화합물이 전구체로서 선택될 수 있다.
It is advantageous in terms of handling that the precursor be in a liquid phase at room temperature. Thus, preferably, a compound having a heteroleptic structure having a low vapor pressure so that it can exist in the liquid phase at room temperature can be selected as a precursor.

도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 일 실시예에 따른 bis(ethyl-methyl-amino) 전이금속 전구체가 갖는 다양한 중간체들과 이의 반응 메커니즘을 개략적으로 도시한다.2A to 2C schematically illustrate various intermediates and reaction mechanisms of bis (ethyl-methyl-amino) transition metal precursors according to an embodiment of the present invention.

도 2a를 참조하면, bis(ethyl-methyl-amino) 전이금속 전구체의 가수 분해(hydrolysis) 반응이 도시된다. 반응 챔버 내에서, 상기 bis(ethyl-methyl-amino) 전이금속 전구체는 H2O 가스와 공존한다(단계 1). 상기 전구체가 H2O 가스와 충돌시(단계 2), 상기 아미노기는 물 분자의 수소와 결합하여 화합물(HNCH3C2H5) 형태로 전이금속 M으로부터 분리되며, 전이금속 M에는 히드록실기(-OH)가 결합된다(단계 3). 결과적으로, 전이금속 M에 결합된 아미노기는 히드록실기로 치환된다.Referring to FIG. 2A, a hydrolysis reaction of bis (ethyl-methyl-amino) transition metal precursor is shown. In the reaction chamber, the bis (ethyl-methyl-amino) transition metal precursor coexists with H 2 O gas (step 1). When the precursor collides with H 2 O gas (step 2), the amino group is combined with hydrogen of the water molecule to separate from the transition metal M in the form of a compound (HNCH 3 C 2 H 5 ), and the hydroxyl group is present in the transition metal M (-OH) is combined (step 3). As a result, the amino group bonded to the transition metal M is substituted with a hydroxyl group.

도 2a에 도시하지는 않았지만, 상기 전구체의 전이금속 M에 결합된 다른 아미노기도 H2O 분자와 반응하여 히드록실기로 치환될 수 있다. 즉, 상기 전구체가 가수 분해 반응에 의해 2 개의 아미노기가 모두 히드록실기로 치환됨으로써, 중간체인 MH2(OH)2 (도 2b의 단계 1 참조)을 얻을 수도 있다.Although not shown in FIG. 2A, other amino groups bonded to the transition metal M of the precursor may react with H 2 O molecules to be substituted with hydroxyl groups. That is, the precursor may be substituted with both hydroxyl groups by a hydrolysis reaction, thereby obtaining an intermediate MH 2 (OH) 2 (see step 1 of FIG. 2B).

도 2b를 참조하면, 도 2a를 참조하여 전술한 중간체인 MH2(OH)2의 축합(condensation) 반응이 도시된다. 단계 1에 도시된 2 개의 중간체 MH2(OH)2 가, 단계 2에 도시된 바와 같이 각각의 히드록실기에 의해 서로 결합하여 하나의 물 분자가 제거되는 축합 반응을 겪으면서 산화된다(단계 3).Referring to FIG. 2B, a condensation reaction of the intermediate MH 2 (OH) 2 described above with reference to FIG. 2A is shown. The two intermediates MH 2 (OH) 2 shown in step 1 are oxidized while undergoing a condensation reaction in which one water molecule is removed by binding to each other by each hydroxyl group as shown in step 2 (step 3 ).

도 2c를 참조하면, 상기 전구체 bis(ethyl-methyl-amino) 전이금속 화합물의 또 다른 축합 반응이 도시된다. 단계 1에 도시된 전구체 bis(ethyl-methyl-amino) 전이금속 화합물의 아민기와 전술한 히드록실기를 갖는 중간체인 MH2(OH)2도 서로 반응할 수 있다(단계 2). 상기 아민기와 중간체의 반응시 화합물 HN(CH3)(C2H5) 형태로 중간체의 아민기가 전이금속 M로부터 분리되면서, 2 개의 전이금속 M가 산소 원자에 의해 서로 결합된다(단계 3). Referring to FIG. 2C, another condensation reaction of the precursor bis (ethyl-methyl-amino) transition metal compound is shown. MH 2 (OH) 2 , which is an intermediate having an amine group and a hydroxyl group of the precursor bis (ethyl-methyl-amino) transition metal compound shown in step 1, may also react with each other (step 2). When the amine group reacts with the intermediate, the intermediate amine group in the form of compound HN (CH 3 ) (C 2 H 5 ) is separated from the transition metal M, and two transition metals M are bonded to each other by an oxygen atom (step 3).

도 2a 내지 도 2c에 도시된 바와 같이, 전구체 bis(ethyl-methyl-amino) 전이금속 화합물은 2 개의 아민기가 결합한 위치에서만 선택적으로 가수 분해 및 축합 반응을 겪으면서, 전이금속 M의 산화 반응을 통하여, 이웃하는 2 개의 전이금속 M이 산소에 의해 결합된다. 전술한 가수 분해 및 축합 반응이 복수회 일어나는 경우, 도 3에 도시된 바와 같이, 전이금속 M은 특정 작용기, 즉 아민기가 결합된 방향으로만 가수 분해 및/또는 축합 반응이 연속적으로 이루어짐으로써 와이어와 같은 직선 방향의 1 차원적 구조로 성장될 수 있다.
As shown in FIGS. 2A to 2C, the precursor bis (ethyl-methyl-amino) transition metal compound undergoes the hydrolysis and condensation reaction selectively only at the position where two amine groups are bonded, through the oxidation reaction of the transition metal M. , Two neighboring transition metals M are bonded by oxygen. When the above-described hydrolysis and condensation reactions occur a plurality of times, as shown in FIG. 3, the transition metal M is formed by continuously hydrolyzing and / or condensing reactions only in a direction in which a specific functional group, ie, an amine group, is bonded. It can be grown in one-dimensional structure in the same straight direction.

이하에서는, 전술한 전구체를 이용한 전이금속 나노 와이어의 제조 방법을 설명한다.Hereinafter, a method for producing a transition metal nanowire using the precursor described above will be described.

화학기상증착(Chemical vapor deposition chemicalchemical vaporvapor depositiondeposition ))

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 화학기상증착법에 의한 전이금속 나노 와이어의 제조 방법을 도시한다.
Figure 4 shows a method for producing a transition metal nanowires by chemical vapor deposition method according to an embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 전이금속 나노 와이어(NW)를 제조하기 위한 증착 시스템(100)은 반응 가스들을 반응 공간 내로 인입시키는 가스 공급부(101), 기판과 같은 피처리체(WP)를 지지하기 위한 지지부(102) 및 반응 챔버(104)의 배기를 위한 펌프(103)를 포함하는 반응 챔버(104)를 갖는다.Referring to FIG. 4, the deposition system 100 for manufacturing the transition metal nanowires NW includes a gas supply 101 for introducing reaction gases into a reaction space, and a support for supporting an object WP such as a substrate. And a reaction chamber 104 comprising a pump 103 for evacuation of the reaction chamber 104.

가스 공급부(101)는 반응 공간(RV) 내로 반응 가스들을 균일하게 혼합하기 위한 적합한 구성, 예를 들면, 인렛 매니폴드 또는 샤워 헤드일 수 있으며, 이는 예시적일 뿐 본 발명이 제한되는 것은 아니다. 지지부(102)는, 선택적으로는, 피처리체(WP)의 가열 또는 냉각을 위하여 내부에 히팅 부재 또는 냉매 유로를 가질 수 있다. 다른 실시예에서는, 피처리체(WP)의 가열을 위하여, 예를 들면, 고강도 복사 램프(high-intensity radiation lamp), 유도 가열 또는 레이저 조사 시스템을 포함할 수도 있다. The gas supply 101 may be a suitable configuration for uniformly mixing the reaction gases into the reaction space RV, for example, an inlet manifold or a shower head, which is illustrative only and the present invention is not limited. The support unit 102 may optionally have a heating member or a coolant flow path therein for heating or cooling the object WP. In another embodiment, for heating the workpiece WP, for example, a high-intensity radiation lamp, induction heating or laser irradiation system may be included.

사용되는 전구체가 실온에서 액상인 경우, 반응 챔버(104)로 전달되기 전에 이를 기화시킬 수 있다. 이를 위하여, 상기 전구체는 버블러(105)를 이용하여 전달될 수 있다. 전구체의 운반 가스(CG)로서 N2, Ar, He 및 H2 가스가 사용될 수 있다. 도시하지는 않았으나, 상기 전구체의 인입 량을 조절하기 위하여 버블러 전단계에 운반 가스의 양을 제어하기 위한 유량 제어기(mass flow meter)가 배치될 수도 있다. If the precursor used is liquid at room temperature, it can be vaporized before delivery to the reaction chamber 104. To this end, the precursor may be delivered using the bubbler 105. N 2 , Ar, He and H 2 gases can be used as the carrier gas (CG) of the precursor. Although not shown, a mass flow meter may be disposed to control the amount of carrier gas in the pre-bubble stage in order to adjust the amount of inlet of the precursor.

다른 실시예에서는, 반응 챔버(104)로 인입되는 전구체의 양을 직접 제어하기 위하여, 상기 버블러를 대신하여, 직접 기상 압력 시스템(direct vapor pressure system) 또는 직접 액상 주입 시스템(direct liquid injection; DLI)을 이용할 수 있으며, 이는 예시적일 뿐, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. In another embodiment, a direct vapor pressure system or direct liquid injection (DLI) can be used in place of the bubbler to directly control the amount of precursor entering the reaction chamber 104. ) May be used, which is exemplary only, and the present invention is not limited thereto.

전이금속 나노 와이어(NW)의 제조를 위하여, 우선, 피처리체(WP), 예를 들면, 기판이 지지부(102) 상에 탑재된다. 상기 기판은, 당해 기술 분야에 잘 알려진 바와 같이, 매엽식 또는 배치식으로 탑재될 수 있으며, 적합한 로봇에 의해 로드락 챔버(미도시)로부터 반응 챔버(104)로 전달될 수도 있다. 피처리체(WP)는 가열 또는 냉각되어 약 0 ℃ 내지 60 ℃, 바람직하게는, 약 15 ℃ 내지 약 45 ℃, 더욱 바람직하게는, 실온인 약 20 ℃ 내지 약 30 ℃로 유지될 수 있다.In order to manufacture the transition metal nanowires NW, first, a workpiece WP, for example, a substrate is mounted on the support 102. The substrate, as is well known in the art, may be mounted on a sheet or batch, and may be transferred from the load lock chamber (not shown) to the reaction chamber 104 by a suitable robot. The workpiece WP may be heated or cooled to be maintained at about 20 ° C. to about 30 ° C., which is about 0 ° C. to 60 ° C., preferably about 15 ° C. to about 45 ° C., and more preferably room temperature.

일부 실시예에서는, 반응 챔버(104) 내에 피처리체(WP)를 재치하기 전에, 피처리체(WP)의 표면을 세정할 수 있다. 피처리체(WP)의 세정은, 에탄올 및 이소프로필알콜과 같은 알코올 내에, 예를 들면, 약 5분간 피처리체(WP)를 침지함으로써 달성될 수 있다. 이들 용액 내에 피처리체(WP)를 침지함으로써, 피처리체(WP)의 표면에 부착된 유기 화합물 또는 금속 불순물들이 제거될 수 있다. 일부 실시예에서는, 상기 피처리체(WP)의 세정을 위하여 초음파 에너지를 인가할 수도 있다. 또한, 일부 실시예에서는, 상기 세정 공정 이후에, 탈이온수(DI water)로 피처리체(WP)를 린스할 수 있다. In some embodiments, the surface of the workpiece WP may be cleaned before placing the workpiece WP in the reaction chamber 104. The cleaning of the workpiece WP can be accomplished by immersing the workpiece WP in an alcohol such as ethanol and isopropyl alcohol, for example, for about 5 minutes. By immersing the object WP in these solutions, organic compounds or metal impurities adhering to the surface of the object WP can be removed. In some embodiments, ultrasonic energy may be applied to clean the object WP. In addition, in some embodiments, after the cleaning process, the workpiece WP may be rinsed with DI water.

위 세정 공정을 통하여, 피처리체(WP)의 표면, 예를 들면, 실리콘 기판의 표면 상에 히드록실기가 형성될 수 있다. 상기 히드록실기는, 후술하는 바와 같이, 전이금속 나노 와이어가 형성될 핵생성 자리를 제공할 수 있다. 따라서, 실라카 나노 와이어의 증착 전에, 피처리체(WP)의 표면 상의 히드록실기의 피복률(coverage)을 조절하는 것은 바람직하다.Through the above cleaning process, hydroxyl groups may be formed on the surface of the workpiece WP, for example, the surface of the silicon substrate. The hydroxyl group, as described below, may provide a nucleation site where the transition metal nanowires are to be formed. Therefore, it is preferable to adjust the coverage of the hydroxyl group on the surface of the workpiece WP before the deposition of the silica gel wire.

일부 실시예에서는, 피처리체(WP)의 표면의 히드록실기를 증가시키기 위하여, 수산화(hydroxylation) 전처리를 수행할 수도 있다. 예를 들면, 피처리체(WP)의 표면을 H2O 가스에 노출시킬 수도 있다. 상기 수산화 전처리는 반응 챔버가 아닌 다른 챔버 내에서 수행되거나, 동일한 반응 챔버 내에서, 예를 들면, 2 분 동안 이루어질 수 있다. 상기 수산화 전처리를 통하여 피처리체 표면 상의 히드록실기의 피복률을 제어할 수 있으며, 그에 따라 전이금속 나노 와이어의 핵생성 밀도를 제어할 수 있다.In some embodiments, a hydroxylation pretreatment may be performed to increase the hydroxyl group of the surface of the workpiece WP. For example, the surface of the workpiece WP may be exposed to the H 2 O gas. The hydroxyl pretreatment may be carried out in a chamber other than the reaction chamber or in the same reaction chamber, for example for 2 minutes. Through the hydroxyl pretreatment it is possible to control the coverage of the hydroxyl group on the surface of the workpiece, thereby controlling the nucleation density of the transition metal nanowires.

본 발명의 실시예에서는, 전이금속 나노 와이어의 핵생성을 위하여 피처리체 상에 금속 촉매를 형성하는 것이 요구되지 않는다. 또한, 본 발명자는 실리콘 기판의 자연 산화막을 제거하기 위한 HF를 이용한 경우, 나노 와이어의 핵생성이 감소되는 것을 확인하였다. In the embodiment of the present invention, it is not required to form a metal catalyst on the workpiece for nucleation of the transition metal nanowires. In addition, the present inventors confirmed that nucleation of nanowires is reduced when HF is used to remove the native oxide film of the silicon substrate.

피처리체, 또는 수산화 전처리를 한 피처리체가 지지부 위에 재치된 후, 전구체와 산소 함유 가스의 혼합 가스(MG)가 반응 챔버(104) 내에 인입된다. 상기 전구체로서 bis(ethyl-methyl-amino) 전이금속 화합물을 사용하는 경우, 상기 전구체는 버블러(105)를 사용하여 기화될 수 있다. 버블러(105)의 온도는, 예를 들면, 약 15 ℃ 내지 약 45 ℃, 바람직하게는, 실온인 약 20 ℃ 내지 약 30 ℃으로 유지될 수 있다. 운반 가스는 Ar일 수 있으며, 약 10 SCCM 내지 약 40 SCCM의 유량으로 공급될 수 있다. After the workpiece or the workpiece subjected to the hydroxide pretreatment is placed on the support, a mixed gas MG of the precursor and the oxygen-containing gas is introduced into the reaction chamber 104. When using a bis (ethyl-methyl-amino) transition metal compound as the precursor, the precursor may be vaporized using the bubbler 105. The temperature of the bubbler 105 may be maintained at about 20 ° C. to about 30 ° C., for example, at about 15 ° C. to about 45 ° C., preferably at room temperature. The carrier gas may be Ar and may be supplied at a flow rate of about 10 SCCM to about 40 SCCM.

반응 가스(RG)인 산소 함유 가스로서 히드록실기를 갖는 H2O 가스가 사용될 수 있다. 상기 H2O 가스는 탈이온수를 100 ℃로 가열하여 기화시킴으로써 얻어질 수 있다. 기화 속도는, 예를 들면, 200 mg/분일 수 있다. 상기 H2O 가스도 반응 챔버(104)로의 전달을 위해, Ar과 같은 운반 가스가 사용될 수 있으며, 상기 운반 가스는 약 50 SCCM 내지 200 SCCM의 유량으로 공급될 수 있다. H 2 O gas having a hydroxyl group can be used as the oxygen containing gas that is the reaction gas RG. The H 2 O gas may be obtained by heating the deionized water to 100 ° C. to vaporize it. The vaporization rate can be, for example, 200 mg / minute. For delivery of the H 2 O gas to the reaction chamber 104, a carrier gas such as Ar may be used, and the carrier gas may be supplied at a flow rate of about 50 SCCM to 200 SCCM.

이와 같이, 원료 가스로서 헤테로랩틱 전이금속 화합물과 H2O 가스를 사용하는 경우, 혼합 가스(MG)는 도 2a 내지 도 2c를 참조하여 상술한 바와 같이, 상기 전구체 자체는 물론 반응성이큰 작용기, 예를 들면, 아민기 중 적어도 하나가 히드록실기로 치환된 형태를 포함하는 다양한 중간체들을 가질 수 있다. As such, in the case of using the hetero labytic transition metal compound and the H 2 O gas as the source gas, the mixed gas MG may have a reactive functional group as well as the precursor itself, as described above with reference to FIGS. 2A to 2C. For example, at least one of the amine groups may have a variety of intermediates, including forms substituted with hydroxyl groups.

도 5a 및 도 5b는 본 발명의 실시예들에 따른 화학기상증착에 의한 전이금속 나노 와이어의 생성 과정을 개략적으로 도시한다.5A and 5B schematically illustrate a process of producing transition metal nanowires by chemical vapor deposition according to embodiments of the present invention.

도 5a를 참조하면, 피처리체(WP)로서, 그 표면이, 예를 들면, 50 % 밀도로 히드록실기(S1)에 의해 피복된 실리콘 기판이 반응 챔버의 지지부 상에 재치된다. 도 2a 및 도 2b를 참조하여 상술한 바와 같이, 전구체인 bis(ethyl-methyl-amino) 전이금속 화합물과 산화제인 H2O 가스의 가수 분해 반응에 의해, 상기 전구체의 아민기가 히드록실기(S2)로 치환된 중간체(IM)가 실리콘 기판 상에 도달할 수 있다(단계 1). 단계 1에서, 중간체(IM)는 상기 전이금속 전구체의 아민기가 모두 히드록실기(S2)로 치환된 형태를 갖지만, 하나의 아민기만이 히드록실기로 치환될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Referring to FIG. 5A, as the workpiece WP, a silicon substrate whose surface is covered by the hydroxyl group S1 at a density of 50%, for example, is placed on the support of the reaction chamber. As described above with reference to FIGS. 2A and 2B, by the hydrolysis reaction of a bis (ethyl-methyl-amino) transition metal compound as a precursor and H 2 O gas as an oxidizing agent, an amine group of the precursor is a hydroxyl group (S2). Substituted intermediate (IM) can reach on the silicon substrate (step 1). In step 1, the intermediate (IM) has a form in which all of the amine groups of the transition metal precursor are substituted with a hydroxyl group (S2), but it will be understood that only one amine group may be substituted with a hydroxyl group.

중간체(IM)의 히드록실기(S2)와 실리콘 기판 상의 히드록실기(S1) 사이의 축합 반응에 의해 H2O가 제거되면서, 중간체(IM)의 전이금속 M과 기판의 Si가 산소 원자에 의해 결합한다(단계 2). 이후, 도 2b를 참조하여 상술한 바와 같이, 기판의 실리콘 원자와 결합한 중간체(IM)가 갖는 타 단부의 히드록실기(S3)와 상기 기판 상으로 공급되는 다른 중간체들(IM), 즉, MH2(OH)2 및/또는 MH2NR1(OH)의 각각의 히드록실기(S4) 사이에서 축합 반응이 일어나, 하나의 H2O 분자가 제거되면서 이웃하는 전이금속 원자 사이의 결합이 이루어질 수 있다(단계 3).The H 2 O is removed by the condensation reaction between the hydroxyl group S 2 of the intermediate IM and the hydroxyl group S 1 on the silicon substrate, so that the transition metal M of the intermediate IM and Si of the substrate (Step 2). Thereafter, as described above with reference to FIG. 2B, the hydroxyl group S3 at the other end of the intermediate IM bonded to the silicon atom of the substrate and the other intermediate IM supplied onto the substrate, that is, MH. A condensation reaction can take place between each hydroxyl group (S4) of 2 (OH) 2 and / or MH 2 NR 1 (OH) so that one H 2 O molecule can be removed to form a bond between neighboring transition metal atoms. (Step 3).

또는, 도 2c를 참조하여 상술한 바와 같이, 기판 표면과 결합한 중간체(IM)가 갖는 타 단부의 히드록실기(S3)와, 전구체 또는 중간체의 아민기(S5) 사이에서 축합 반응이 일어나, 하나의 HN(CH3)(C2H5) 분자가 제거되면서 이웃하는 전이금속 원자 사이의 결합이 이루어질 수 있다.Alternatively, as described above with reference to FIG. 2C, a condensation reaction occurs between the hydroxyl group (S3) at the other end of the intermediate (IM) bonded to the substrate surface and the amine group (S5) of the precursor or intermediate. As the HN (CH 3 ) (C 2 H 5 ) molecule is removed, a bond between neighboring transition metal atoms may be formed.

이와 같이, 기판의 M과 결합된 중간체는 연속적으로 공급되는 다른 중간체들 및/또는 전구체 가스에 노출되면서, 이들 사이에 일어나는 축합 반응이 히드록실기를 통하여 선택적으로 그리고 연속적으로 일어나게 된다.As such, the intermediate bound to M of the substrate is exposed to other intermediates and / or precursor gases that are fed continuously, while condensation reactions occurring between them occur selectively and continuously through hydroxyl groups.

유사하지만, 도 5a를 참조하여 설명한 것과 달리, 도 5b에서는, 실리콘 기판 상의 히드록실기(S1)가 기판에 도달하는 중간체(IM)의 아민기(S5)와 축합 반응을 일으킬 수도 있다(단계 1). 그에 따라, 중간체(IM)의 전이금속 M와 실리콘 기판의 M가 산소 원자에 의해 결합한다(단계 2). 또한, 기판의 실리콘 원자와 결합한 중간체(IM)가 갖는 타 단부의 히드록실기(S3)와 상기 기판 상으로 공급되는 다른 중간체들(IM)의 히드록실기(S4) 사이에서 축합 반응이 일어나, H2O 분자가 제거되면서 이웃하는 전이금속 원자 사이의 결합이 이루어질 수 있다(단계 3).Similarly, but as described with reference to FIG. 5A, in FIG. 5B, the hydroxyl group S1 on the silicon substrate may cause a condensation reaction with the amine group S5 of the intermediate IM reaching the substrate (step 1). ). Thus, the transition metal M of the intermediate IM and M of the silicon substrate are bonded by oxygen atoms (step 2). In addition, a condensation reaction takes place between the hydroxyl group S3 at the other end of the intermediate IM bonded to the silicon atom of the substrate and the hydroxyl group S4 of the other intermediates IM supplied onto the substrate. As H 2 O molecules are removed, bonds between neighboring transition metal atoms can be made (step 3).

도 3을 참조하여 전술한 바와 같이, 실리콘 기판 상에 결합된 중간체와 지속적으로 공급되는 혼합 가스의 전구체, 중간체 그리고 H2O 가스 사이의 가수 분해 반응 및/또는 축합 반응을 통하여 이들의 전이금속 원자들 사이의 결합이 지속적으로 일어남으로써, 도 6에 도시된 기판 상에 1 차원의 직선 방향으로 성장된 전이금속 나노 와이어가 얻어진다.As described above with reference to FIG. 3, their transition metal atoms through hydrolysis and / or condensation reactions between the intermediates bound on the silicon substrate and the precursors, intermediates and H 2 O gas of the continuously supplied mixed gas. As the bonding between them occurs continuously, transition metal nanowires grown in a linear direction in one dimension on the substrate shown in FIG. 6 are obtained.

도 7a 내지 도 7d는 화학기상증착법에 의해 서로 다른 공정 압력에서 실리콘 기판 상에 형성된 전이금속 나노 와이어의 주사전자현미경(Scanning Electron Miscroscope; SEM) 이미지들이다. 도 7a 내지 도 7d는 각각 반응 챔버 내의 압력이 약 1 Torr, 약 2 Torr, 약 7 Torr 및 약 50 Torr에서, 실온에서 약 10 분간 증착 공정을 수행한 경우이며, 스케일 바들(SB)는 모두 500 nm를 나타낸다.7A to 7D are scanning electron microscope (SEM) images of transition metal nanowires formed on silicon substrates at different process pressures by chemical vapor deposition. 7A to 7D show a case where the deposition process is performed at a room temperature of about 1 Torr, about 2 Torr, about 7 Torr and about 50 Torr for about 10 minutes at room temperature, and the scale bars SB are all 500 nm is indicated.

도 7a 내지 도 7d를 참조하면, 전이금속 나노 와이어(NW)의 형상과 성장 속도는 챔버 압력으로부터 크게 영향을 받는 것을 알 수 있다. 약 1 Torr의 압력에서는, 제한된 핵 생성 자리를 가질 뿐만 아니라 나노 와이어의 초기적 성장만이 관찰되었다(도 7a). 이것은 1 Torr의 공정 압력에서는 혼합 반응 가스가 실리콘 기판 표면으로 충분히 전달되지 못하기 때문인 것으로 추측된다. 약 2 Torr의 압력에서는, 성장 속도가 약 0.03 ㎛/분으로 약간 증가하였다(도 7b). 약 1 Torr 및 2 Torr의 압력에서 성장된 나노 와이어는 기판(S) 쪽으로부터 길이 방향으로 멀어질수록 폭이 증가하는 테이퍼 형상 또는 원뿔 형상을 갖는 것을 확인할 수 있다.7A to 7D, it can be seen that the shape and growth rate of the transition metal nanowires NW are greatly affected by the chamber pressure. At a pressure of about 1 Torr, not only have limited nucleation sites but only initial growth of the nanowires was observed (FIG. 7A). This is presumably because the mixed reaction gas is not sufficiently delivered to the silicon substrate surface at a process pressure of 1 Torr. At a pressure of about 2 Torr, the growth rate slightly increased to about 0.03 μm / minute (FIG. 7B). It can be seen that the nanowires grown at pressures of about 1 Torr and 2 Torr have a tapered or conical shape in which the width increases with distance from the substrate S side in the longitudinal direction.

약 7 Torr의 압력에서는, 약 1.9 ㎛의 길이를 갖고 전체 길이에 걸쳐 약 60 내지 80 nm 의 균일한 두께를 갖는 전이금속 나노 와이어가 얻어졌다(도 7c). 이 경우, 증착 속도는 약 0.19 ㎛/분으로 실제 적용 가능한 우수한 수준에 도달하였다. 본 발명자들은 약 7 Torr를 포함하는 약 4 Torr 내지 15 Torr 범위의 압력에서, 균일한 두께를 가지면서도 합리적인 증착 속도를 얻을 수 있음을 확인하였다.At a pressure of about 7 Torr, transition metal nanowires having a length of about 1.9 μm and a uniform thickness of about 60 to 80 nm over the entire length were obtained (FIG. 7C). In this case, the deposition rate reached about 0.19 μm / min to a practically applicable superior level. The inventors have found that at a pressure ranging from about 4 Torr to 15 Torr, including about 7 Torr, a reasonable deposition rate can be obtained while having a uniform thickness.

압력이 약 50 Torr로 증가되면, 전이금속 나노 와이어는 매우 길지만 구부러져 서로 엉키는 구조를 갖는다. 증착 속도는 급격히 증가하였다. 이것은 기판 표면으로 전달되는 반응 가스의 유량이 증가하기 때문인 것으로 추측된다. 상기 전이금속 나노 와이어의 두께는 20 내지 50 nm로서, 4 Torr 내지 15 Torr의 압력에서 성장된 전이금속 나노 와이어의 두께보다 다소 감소됨을 확인하였다.
When the pressure is increased to about 50 Torr, the transition metal nanowires are very long but have a structure that is bent and entangled with each other. The deposition rate increased dramatically. This is presumably because the flow rate of the reaction gas delivered to the substrate surface increases. The thickness of the transition metal nanowires was 20 to 50 nm, which was slightly reduced than the thickness of the transition metal nanowires grown at a pressure of 4 Torr to 15 Torr.

원자층Atomic layer 증착법( Vapor deposition atomicatomic layerlayer depositiondeposition ))

본 발명의 일 실시예에 따르면, 전이금속 나노 와이어는 분자 레벨에서의 증착 제어가 용이한 원자층 증착법에 의해 제조될 수 있다. 상기 원자층 증착법은 전술한 화학기상증착법의 변형으로서 펄스형 화학기상증착(alternatively pulsed-CVD) 또는 원자층 에피택시법(atomic layer epitaxy)라고도 한다. According to one embodiment of the present invention, the transition metal nanowires may be manufactured by atomic layer deposition which facilitates deposition control at the molecular level. The atomic layer deposition method is a variation of the above-described chemical vapor deposition method, also called pulsed chemical vapor deposition (alternatively pulsed-CVD) or atomic layer epitaxy (atomic layer epitaxy).

도 8은 전이금속 나노 와이어를 제조하기 위한 원자층 증착 시스템(200)을 도시한다. 도 8을 참조하면, 원자층 증착 시스템(200)은 펄스된 가스(PG)를 반응 공간(RV) 내로 인입시키는 가스 제어부(201), 기판과 같은 피처리체(WP)를 지지하기 위한 지지부(202) 및 가스의 배출을 위한 펌프(203)를 포함할 수 있다. 반응 챔버(204)의 압력은 펌프(203)에 연결된 스로틀 밸브(205)를 통하여 조절될 수 있다.8 shows an atomic layer deposition system 200 for fabricating transition metal nanowires. Referring to FIG. 8, the atomic layer deposition system 200 includes a gas controller 201 for introducing a pulsed gas PG into a reaction space RV, and a support 202 for supporting a target object WP such as a substrate. And a pump 203 for discharging the gas. The pressure in the reaction chamber 204 can be regulated via a throttle valve 205 connected to the pump 203.

전구체 가스, 산소 함유 가스 및 퍼지 가스의 각각의 소스들(206, 207, 208)이 가스 제어부(201)를 통하여 반응 챔버(204) 내로 인입된다. 원자층 증착 시스템(200)의 가스 제어부(201)는 샤워 헤드(209)를 통하여 원료 가스들과 퍼지 가스를 교번하여 공급한다. 전구체가 실온에서 액상인 경우, 반응 챔버(204)로 전달되기 전에 이를 도 4에 도시된 버블러를 이용하여 기화시킬 수 있다. 전구체의 운반 가스로서 N2, Ar, He 및 H2 가스가 사용될 수 있다. 상기 전구체로서 bis(ethyl-methyl-amino) 전이금속 화합물을 사용하는 경우, 버블러의 온도는, 예를 들면, 약 15 ℃ 내지 약 45 ℃, 바람직하게는, 실온인 약 20 ℃ 내지 약 30 ℃으로 유지될 수 있으며, 운반 가스는 Ar일 수 있다. Respective sources 206, 207, and 208 of precursor gas, oxygen containing gas, and purge gas are introduced into the reaction chamber 204 through the gas control 201. The gas control unit 201 of the atomic layer deposition system 200 alternately supplies the source gases and the purge gas through the shower head 209. If the precursor is liquid at room temperature, it can be vaporized using the bubbler shown in FIG. 4 before being delivered to the reaction chamber 204. N 2 , Ar, He and H 2 gases can be used as the carrier gas of the precursor. When using a bis (ethyl-methyl-amino) transition metal compound as the precursor, the temperature of the bubbler is, for example, about 15 ° C to about 45 ° C, preferably about 20 ° C to about 30 ° C, which is room temperature. And the carrier gas may be Ar.

다른 실시예에서는, 반응 챔버로 인입되는 전구체의 양을 직접 제어하기 위하여, 상기 버블러를 대신하여, 직접 기상 압력 시스템(direct vapor pressure system) 또는 직접 액상 주입 시스템(direct liquid injection; DLI)에 의해 전구체가 공급될 수도 있다. 그러나, 전술한 개시 사항은 예시적일 뿐, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. In another embodiment, a direct vapor pressure system or direct liquid injection (DLI) can be used in place of the bubbler to directly control the amount of precursor entering the reaction chamber. Precursors may be supplied. However, the foregoing disclosure is exemplary only, and the present invention is not limited thereto.

도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 원자층 증착법에 의한 전이금속 나노 와이어의 제조 방법을 나타내는 순서도이다.9 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a transition metal nanowire by an atomic layer deposition method according to an embodiment of the present invention.

도 9를 참조하면, 나노 와이어의 제조를 위하여, 우선, 반응 챔버 내의 지지부 상에 피처리체, 예를 들면, 기판이 제공된다(S100). 상기 기판은, 당해 기술 분야에 잘 알려진 바와 같이, 매엽식 또는 배치식으로 재치될 수 있으며, 적합한 로봇에 의해 로드락 챔버로부터 상기 반응 챔버로 전달될 수도 있다. Referring to FIG. 9, in order to manufacture nanowires, an object to be processed, for example, a substrate is first provided on a support in a reaction chamber (S100). The substrate, as is well known in the art, may be placed on a sheet or batch basis and may be transferred from the load lock chamber to the reaction chamber by a suitable robot.

일부 실시예에서는, 반응 챔버 내에 피처리체를 제공하기 전에, 피처리체의 표면을 세정할 수 있다(S50). 피처리체의 세정은, 전술한 바와 같이, 에탄올 및 이소프로필알콜과 같은 알코올 내에, 예를 들면, 약 5분간 피처리체를 침지함으로써 달성될 수 있다. 일부 실시예에서는, 상기 피처리체의 세정은 초음파 세정을 수반할 수 있다. 또한, 상기 세정 공정 이후에, 탈이온수(DI water)로 피처리체를 린스할 수 있다. 위 세정 공정을 통하여, 피처리체의 표면, 예를 들면, 실리콘 기판 표면 상에 히드록실기가 형성될 수 있다. In some embodiments, the surface of the target object may be cleaned (S50) before the target object is provided in the reaction chamber. The cleaning of the object can be accomplished by immersing the object in, for example, about 5 minutes in an alcohol such as ethanol and isopropyl alcohol, as described above. In some embodiments, cleaning of the workpiece may involve ultrasonic cleaning. In addition, after the cleaning process, the object to be treated may be rinsed with DI water. Through the above cleaning process, hydroxyl groups may be formed on the surface of the workpiece, for example, the surface of the silicon substrate.

이후, 반응 챔버 내에 전구체 가스를 펄스 공급한다(S200). 상기 전구체 가스는 화학식 MA2Bx - 2 로 나타낼 수 있는 헤테로랩틱 구조를 갖는 전이금속 화합물일 수 있다. 예를 들면, 전이금속 화합물은 bis(ethyl-methyl-amino)일 수 있다. 그러나, 이는 예시적이며, 전술한 다른 헤테로랩틱 화합물이 사용될 수도 있다. 상기 전이금속 화합물의 아민기(S5)는 수소기에 비하여 우선적으로 반응하는 작용기로서, 도 5b의 단계 1을 참조하여 상술한 바와 유사하게, 실리콘 기판 표면 상의 히드록실기(S1)와 축합 반응을 겪으면서, 실리콘 기판 상에 단일 층 이하로 화학적으로 흡착(chemisorption)될 수 있다. 이러한 반응은 한 펄스 내에서 하나의 층을 형성하도록 일어나며, 남는 전구체는 더 이상 반응에 참여하지 못하는 자기 제한적 특징을 갖는다. Thereafter, the precursor gas is pulsed into the reaction chamber (S200). The precursor gases of the formula MA x B 2 - may be a transition metal compound having a hetero raeptik structure which may be represented by 2. For example, the transition metal compound may be bis (ethyl-methyl-amino). However, this is exemplary and other heterolabic compounds described above may be used. The amine group (S5) of the transition metal compound is a functional group that preferentially reacts with respect to the hydrogen group, and similarly as described above with reference to step 1 of FIG. 5B, undergoes a condensation reaction with the hydroxyl group (S1) on the silicon substrate surface. While being chemically adsorbed up to a single layer on a silicon substrate. This reaction occurs to form one layer in one pulse, and the remaining precursors have self-limiting characteristics that no longer participate in the reaction.

이후, 반응 챔버 내에 잔류하는 여분의 전구체 가스 및 반응 생성물인 H2O 가스를 제거하기 위하여 반응 챔버 내에 퍼지 가스를 펄스 공급한다(S300). 상기 퍼지 가스는 불활성 가스, 예를 들면, Ar 또는 He일 수 있다.Thereafter, a purge gas is pulsed in the reaction chamber to remove excess precursor gas remaining in the reaction chamber and H 2 O gas which is a reaction product (S300). The purge gas may be an inert gas such as Ar or He.

후속하여, 상기 실리콘 기판에 흡착된 중간체의 다른 측 작용기, 즉, 상기 전이금속 화합물의 다른 측 아민기와 반응하는 산소 함유 가스를 펄스 공급한다(S400). 상기 산소 함유 가스는 상기 아민기를 히드록시기로 치환할 수 있는, 예를 들면, H2O 가스일 수 있다. 상기 H2O 가스는 흡착된 전이금속 화합물의 아민기와 HN(CH3)(C2H5)가 제거되는 축합 반응을 일으키면서, 상기 흡착된 중간체에 히드록시기를 제공한다. 이에 따라, 상기 실리콘 기판의 실리콘 원자와 결합한 중간체는 도 5b의 단계 2에 도시된 바와 같이 모두 히드록시기를 가질 수 있다.Subsequently, an oxygen-containing gas reacting with the other side functional group of the intermediate adsorbed to the silicon substrate, that is, the other side amine group of the transition metal compound is pulsed (S400). The oxygen-containing gas may be, for example, H 2 O gas capable of replacing the amine group with a hydroxyl group. The H 2 O gas provides a hydroxyl group to the adsorbed intermediate while causing a condensation reaction in which the amine groups of the adsorbed transition metal compound and HN (CH 3 ) (C 2 H 5 ) are removed. Accordingly, the intermediate bonded to the silicon atoms of the silicon substrate may have a hydroxyl group as shown in step 2 of FIG. 5B.

이러한 산소 함유 가스의 반응도 흡착된 전이금속 화합물의 아민기가 모두 소비되면, 더 이상 산소 함유 가스가 반응에 참여하지 못하는 자기 제한적 특징을 갖는다. 마찬가지로, 상기 반응 챔버 내에 퍼지 가스를 펄스 공급함으로써, 반응 챔버 내의 잔류하는 여분의 산소 함유 가스 및 반응 생성물인 HN(CH3)(C2H5)를 제거한다(S500). 상기 퍼지 가스는, 예를 들면, Ar 또는 He 일 수 있다.When all of the amine groups of the adsorbed transition metal compound are consumed, the oxygen-containing gas has a self-limiting characteristic that the oxygen-containing gas no longer participates in the reaction. Similarly, by supplying the purge gas into the reaction chamber, the excess oxygen-containing gas remaining in the reaction chamber and the reaction product HN (CH 3 ) (C 2 H 5 ) are removed (S500). The purge gas may be, for example, Ar or He.

도 10은 전술한 단계들(S200 내지 S500)의 펄스 스위칭을 도시한 그래프이다.10 is a graph showing pulse switching of the above-described steps (S200 to S500).

도 10을 참조하면, 전구체의 펄스와 산소 함유 가스의 펄스가 교번하며, 이들 펄스 사이에 퍼지 가스의 제 1 및 제 2 펄스 공급이 수행된다. 도시된 실시예에서는, 전구체의 펄스와 산소 함유 가스의 펄스가 서로 겹쳐지지 않지만, 변형된 실시예에서 전이금속 나노 와이어의 형상 또는 성장 속도를 제어하기 위해 이들 펄스는 서로 중첩될 수도 있다.Referring to FIG. 10, pulses of a precursor and pulses of an oxygen containing gas are alternated, and a first and a second pulse supply of purge gas is performed between these pulses. In the illustrated embodiment, the pulses of the precursor and the pulses of the oxygen-containing gas do not overlap each other, but in modified embodiments these pulses may overlap each other to control the shape or growth rate of the transition metal nanowires.

도 10과 함께 다시 도 9를 참조하면, 이들 펄스들을 포함하는 하나의 사이클, 즉, 단계 S200 내지 S500은 목표 길이를 갖는 전이금속 나노 와이어가 제조될 때까지 복수회 반복될 수 있다(S600). 상기 단계들 S200 내지 S500의 빠른 스위칭, 예를 들면, 3 초 이하의 펄스에 의해 합리적인 수준의 증착 속도를 얻을 수 있다. 본 발명자들은 실온에서 약 2 Å/cycle 의 증착 속도를 얻었다.
Referring back to FIG. 9 together with FIG. 10, one cycle including these pulses, that is, steps S200 to S500 may be repeated a plurality of times until a transition metal nanowire having a target length is manufactured (S600). Rapid switching of the steps S200 to S500, for example a pulse of 3 seconds or less, can achieve a reasonable level of deposition rate. The inventors obtained a deposition rate of about 2 dl / cycle at room temperature.

전이금속 나노 Transition Metal Nano 와이어의Of wire 형상 shape

지금까지, 피처리체의 표면에 대하여 주로 수직 방향으로 1차원적으로 성장하는 것에 관하여 상술하였다. 그러나, 반응 챔버 내의 공정 압력 등을 변화시킴으로써 수평 방향으로의 성장을 유도하여 전이금속 나노 와이어의 형상을 제어할 수도 있다.So far, the above has been described in terms of growing one-dimensionally mainly in the direction perpendicular to the surface of the workpiece. However, the shape of the transition metal nanowire can be controlled by inducing growth in the horizontal direction by changing the process pressure in the reaction chamber.

도 11a 및 도 11b는 화학식 MA2Bx - 2 를 갖는 헤테로랩틱(heteroleptic) 구조의 전이금속 전구체를 이용하여 실리콘 기판 표면 상에 형성된 중간체들 사이의 가교 반응(cross-linking)을 개념적으로 도시한다. 도 12는 전이금속 나노 와이어의 성장 동안의 중간체들 사이의 가교 반응에 의한 전이금속 나노 와이어의 형상 변화를 개념적으로 도시한다.Shows the cross-linking reaction (cross-linking) between the intermediate formed on the silicon substrate surface by using the transition metal precursor of the hetero raeptik (heteroleptic) structure having 2 conceptually - Figure 11a and 11b of the formula MA 2 B x . 12 conceptually illustrates the shape change of transition metal nanowires by crosslinking reaction between intermediates during growth of the transition metal nanowires.

도 11a를 참조하면, 실리콘 기판 표면에 결합된 중간체들(IM)은 수소기에 비하여 입체적으로 우선적으로 반응하는 아민기가 제거되면서, 전이금속 M에 결합된 수소기(P1)도 반응에 참여할 수 있게 된다. 그에 따라, 전이금속 M에 결합된 수소기(P1)는 실리콘 기판 표면으로 공급되는 산소 함유 기체, 예를 들면, H2O와 반응할 수 있다. 그에 따라, 상기 수소기(P1)는 히드록시기로 치환될 수 있다(단계 1). 중간체들(IM)의 히드록시기(P2)는 인접하는 다른 전이금속 중간체의 수소기(P1)에 결합될 수 있다(단계 2). 이후, H2가 제거되면서 인접하는 중간체들 사이에서 산소에 의해 전이금속이 결합하는 가교 반응이 일어나게 된다(단계 3). 이러한 수평 방향의 가교 반응이 지배적이면, 전이금속 나노 와이어는 실리콘 기판 표면에 수직한 방향(또는, 전이금속 나노 와이어의 길이 방향)으로 1 차원적으로 성장하면서 동시에 수평 방향(또는, 전이금속 나노 와이어의 폭 방향)으로도 성장하여, 도 12에 나타낸 바와 같이, 테이퍼 형상(또는 원뿔 형상)을 갖게 된다. Referring to FIG. 11A, the intermediates IM bonded to the surface of the silicon substrate are removed amine groups which react in three dimensions preferentially with respect to the hydrogen groups, so that the hydrogen groups P1 bonded to the transition metal M can also participate in the reaction. . Accordingly, the hydrogen group P1 bonded to the transition metal M may react with an oxygen-containing gas, such as H 2 O, supplied to the silicon substrate surface. Accordingly, the hydrogen group P1 may be substituted with a hydroxy group (step 1). The hydroxyl group P2 of the intermediates IM can be bonded to the hydrogen group P1 of another adjacent transition metal intermediate (step 2). Thereafter, while H 2 is removed, a crosslinking reaction occurs in which the transition metal is bonded by oxygen between adjacent intermediates (step 3). When the horizontal crosslinking reaction is dominant, the transition metal nanowires grow one-dimensionally in the direction perpendicular to the surface of the silicon substrate (or the length direction of the transition metal nanowires) and at the same time, in the horizontal direction (or transition metal nanowires). It also grows in the width direction), and as shown in FIG. 12, it has a taper shape (or cone shape).

도 11b를 참조하면, 유사하게, 실리콘 기판 표면에 결합된 중간체들(IM)은 반응 챔버 내로 공급되는 H2O 가스에 의해 M에 결합된 수소기(P1)가 모두 히드록시기(P2)로 치환될 수 있다(단계 1). 중간체(IM)의 히드록시기(P2)는 인접하는 다른 전이금속 중간체(IM)의 히드록시기(P2)와 커플링될 수 있다(단계 2). 이후, 상기 커플링된 히드록시기들(P2)로부터 H2O 가 제거되면서 인접하는 중간체들 사이에서 산소에 의해 전이금속들이 결합하는 가교 반응이 일어나게 된다(단계 3). 마찬가지로, 이러한 가교 반응에 의해서도 전이금속 나노 와이어의 수평 방향으로의 성장이 유도될 수 있으며, 그에 따라, 전이금속 나노 와이어는 도 12에 나타낸 바와 같은 테이퍼 형상을 가질 수 있다.Referring to FIG. 11B, similarly, the intermediates IM bonded to the silicon substrate surface may be replaced with the hydroxyl group P2 by the hydrogen group P1 bonded to M by the H 2 O gas supplied into the reaction chamber. (Step 1). The hydroxyl group P2 of the intermediate IM may be coupled with the hydroxyl group P2 of another adjacent transition metal intermediate IM (step 2). Thereafter, as H 2 O is removed from the coupled hydroxy groups P2, a crosslinking reaction occurs in which transition metals are bonded by oxygen between adjacent intermediates (step 3). Similarly, such a crosslinking reaction may also induce the growth of the transition metal nanowires in the horizontal direction, whereby the transition metal nanowires may have a tapered shape as shown in FIG. 12.

이와 같이, 기판 상에 형성된 중간체들 사이의 가교 반응에 의해 전이금속 나노 와이어의 폭 방향의 성장이 일어날 수 있다. 도 7a 및 도 7b를 참조하여 전술한 바와 같이, 압력이 낮아질수록, 예를 들면, 1 Torr 내지 2 Torr 에서는 폭 방향의 성장이 촉진되어, 테이퍼 형상을 갖는 전이금속 나노 와이어를 얻을 수 있다. 또한, 도 7c 및 도 7d를 참조하여 전술한 바와 같이, 실리콘 기판으로 전달되는 반응 가스의 유량을 적절히 조절하여 폭 방향의 성장과 길이 방향의 성장 정도를 제어할 수 있다. 이 경우, 균일한 폭을 갖는 나노 와이어 형상이 얻어질 수도 있다.As such, growth in the width direction of the transition metal nanowire may occur due to the crosslinking reaction between intermediates formed on the substrate. As described above with reference to FIGS. 7A and 7B, as the pressure decreases, for example, growth in the width direction is accelerated at 1 Torr to 2 Torr, thereby obtaining a transition metal nanowire having a tapered shape. In addition, as described above with reference to FIGS. 7C and 7D, the flow rate of the reaction gas delivered to the silicon substrate may be appropriately adjusted to control the growth in the width direction and the growth in the longitudinal direction. In this case, a nanowire shape having a uniform width may be obtained.

도 13은 본 발명의 실시예들로부터 얻어진 전이금속 나노 와이어(NW)의 투과전자현미경(Transmission Electron Microscope; TEM) 이미지이다. 삽입된 작은 이미지(13P)는 제한시야 전자회절(Selected Area Electron Diffraction; SAED) 이미지이며, 스케일바는 50 nm이다.FIG. 13 is a Transmission Electron Microscope (TEM) image of a transition metal nanowire (NW) obtained from embodiments of the present invention. The inserted small image 13P is a Selected Area Electron Diffraction (SAED) image with a scale bar of 50 nm.

도 13을 참조하면, 전체 전이금속 나노 와이어(NW)에 걸쳐 TEM 이미지가 균일한 콘트라스트를 갖는다. 이것은 전이금속 나노 와이어가 나노 튜브가 아니라 나노 와이어임을 나타낸다. 금속 촉매를 이용하는 종래의 VLS 성장 방법에서는, 금속 촉매 하부의 성장 영역이 완전히 전이금속으로 채워져 균일한 콘트라스트를 갖지만, 도 13에 도시된 전이금속 나노 와이어의 단부는 벌크 영역과 다른 콘트라스트를 갖는 점에서 독특하다. 또한, 제한시야 전자회절 이미지가 고도로 분산된(diffusive 또는 dispersive) 회절 패턴을 갖는 것으로부터, 본 발명의 일 실시예에 따른 전이금속 나노 와이어는 비정질임을 확인할 수 있다.
Referring to FIG. 13, the TEM image has uniform contrast over the entire transition metal nanowire (NW). This indicates that the transition metal nanowires are nanowires, not nanotubes. In the conventional VLS growth method using a metal catalyst, the growth region under the metal catalyst is completely filled with transition metal to have a uniform contrast, but the end of the transition metal nanowire shown in FIG. 13 has a contrast different from that of the bulk region. special. In addition, it can be seen that the transition metal nanowires according to the exemplary embodiment of the present invention are amorphous from the limited diffraction electron diffraction image having a highly diffusive or dispersive diffraction pattern.

비교예Comparative Example

도 14a는 비교예로서 호모렙틱(homoleptic) 구조를 갖는 terakis(ethylmethylamino) 전이금속 화합물의 구조도이며, 도 14b는 전구체로서 도 14a의 화합물을 이용하여 증착된 결과물의 주사현미경 이미지이다.FIG. 14A is a structural diagram of a terakis (ethylmethylamino) transition metal compound having a homomoltic structure as a comparative example, and FIG. 14B is a scanning microscope image of a result deposited using the compound of FIG. 14A as a precursor.

도 14a에 도시된 terakis(ethylmethylamino) 전이금속 화합물은 전이금속 M에 결합된 작용기가 모두 동일하여, 이들 작용기는 모두 동등한 반응성을 갖는다. 따라서, 특정 위치의 작용기가 H2O 가스와 선택적으로 가수 분해 반응을 하거나 히드록시기로 치환되지 않는다.
The terakis (ethylmethylamino) transition metal compound shown in FIG. 14A has all the same functional groups bonded to the transition metal M, and all of these functional groups have equivalent reactivity. Thus, the functional groups at specific positions are not selectively hydrolyzed or substituted with hydroxy groups with the H 2 O gas.

실리콘 기판 상에, 전구체로서 상기 terakis(ethylmethylamino) 전이금속 화합물을 이용하여, 7 Torr의 압력과 실온에서 10 분간 화학기상증착 공정을 수행하였다. 도 14b에 도시된 바와 같이, 호모렙틱 구조를 갖는 전이금속 화합물 전구체를 사용시 실리콘 기판 표면에 대하여 길이 방향은 물론 폭 방향으로 균일하게 성장한 2 차원적 막 구조(PF)를 얻을 수 있을 뿐, 어떠한 나노 와이어 구조도 형성되지 않음을 주목하여야 한다.
On the silicon substrate, using the terakis (ethylmethylamino) transition metal compound as a precursor, a chemical vapor deposition process was performed for 10 minutes at a pressure of 7 Torr and room temperature. As shown in FIG. 14B, when using a transition metal compound precursor having a homoleptic structure, a two-dimensional film structure (PF) uniformly grown in the longitudinal direction as well as the width direction with respect to the silicon substrate surface can be obtained. It should be noted that no wire structure is formed.

본 발명의 실시예에 따라 형성된 전이금속 나노 와이어는 촉매를 사용하지 않고서도 실온에서 높은 성장 속도를 가질 수 있을 뿐만 아니라, 1차원적으로 균일하게 성장하는 이점이 있다. The transition metal nanowires formed according to the embodiment of the present invention may not only have a high growth rate at room temperature without using a catalyst, but also have the advantage of uniformly growing in one dimension.

실온에서 전이금속 나노 와이어를 형성할 수 있기 때문에, 피처리체의 제한이 완화된다. 예를 들면, 본 발명의 실시예에 따르면, 열에 취약한 폴리머 계열의 기판 상에도 전이금속 나노 와이어를 형성할 수 있는 이점이 있다.Since the transition metal nanowires can be formed at room temperature, the restriction of the workpiece is relaxed. For example, according to an embodiment of the present invention, there is an advantage in that the transition metal nanowires can be formed even on a polymer substrate that is susceptible to heat.

또한, 헤테로랩틱 전구체를 이용하여 얻어진 전이금속 나노 와이어는 피처리체의 표면에 대하여 수직 방향으로 매우 높은 정렬도를 갖고, 자체로 또는 다른 재료와 함께, 예를 들면, 도전 효과, 자성 효과, 광전 효과, 화학적 센싱, 포논 전달 또는 이온 전달 효과를 얻을 수 있으며, 광학 소자, 광전 소자, 슈퍼 콘덕팅 소자, 메모리 소자 등에 응용될 수 있는 광학적, 전기적, 자기적, 기계적 또는 화학적 기능을 향상시킬 수 있는 이점이 있다. 그에 따라, 전지의 전극, 디스플레이, 자기 기록, 자기센싱, MEMS와 같은 다양한 소자에 응용이 가능하다.In addition, the transition metal nanowires obtained by using the heterolaptic precursor have a very high degree of alignment in the vertical direction with respect to the surface of the workpiece, and, by themselves or in combination with other materials, for example, conductive effects, magnetic effects, and photoelectric effects. , Chemical sensing, phonon transfer or ion transfer effects, and can improve optical, electrical, magnetic, mechanical or chemical functions applicable to optical devices, photoelectric devices, superconducting devices, memory devices, etc. There is this. Accordingly, the present invention can be applied to various devices such as battery electrodes, displays, magnetic recording, magnetic sensing, and MEMS.

또한, 전이금속 나노 와이어를 탬플릿으로 사용하여 바깥 표면에, 예를 들면, M, Ge, Cu, Ni, Cr, Fe, Ag, Ti, Co, Zn, Mg, Pt, Pd, Os, Au, Pb, Ir, Mo, V, Al과 같은 금속, 이들의 합금, SnO2, Cr2O3, Fe2O3, Fe3O4, FeO, NiO, AgO, TiO2, Co2O3, Co3O4, CoO, ZnO, PtO, PdO, VO2, MoO2 및 PbO 과 같은 금속 산화물, 폴리이미드와 같은 폴리머, 또는, 예를 들면, Ti/TiO2와 같은 적층 구조를 갖는 이들 재료의 조합으로 이루어진 적어도 하나 이상의 재료층을 코팅함으로써, 소정의 광학적, 전기적, 자기적, 기계적 또는 화학적 기능을 제공할 수 있는 나노 튜브 어레이 구조를 제공할 수도 있다. 전이금속 나노 와이어에 코팅되는 상기 재료들은 화학기상증착, 원자층 증착, 스퍼터링 등 공지의 박막 증착 방법에 의해 형성될 수 있다.
In addition, using a transition metal nanowire as a template, on the outer surface, for example, M, Ge, Cu, Ni, Cr, Fe, Ag, Ti, Co, Zn, Mg, Pt, Pd, Os, Au, Pb , Metals such as Ir, Mo, V, Al, alloys thereof, SnO 2 , Cr 2 O 3 , Fe 2 O 3 , Fe 3 O 4 , FeO, NiO, AgO, TiO 2 , Co 2 O 3 , Co 3 Metal oxides such as O 4 , CoO, ZnO, PtO, PdO, VO 2 , MoO 2 and PbO, polymers such as polyimide, or a combination of these materials having a lamination structure such as, for example, Ti / TiO 2 By coating at least one layer of material, the nanotube array structure may be provided that can provide certain optical, electrical, magnetic, mechanical or chemical functions. The materials coated on the transition metal nanowires may be formed by known thin film deposition methods such as chemical vapor deposition, atomic layer deposition, and sputtering.

이상에서 설명한 본 발명이 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention as defined in the appended claims. It will be clear to those who have knowledge.

Claims (16)

반응 챔버 내에 전이금속 나노 와이어가 성장하는 표면을 제공하는 피처리체를 제공하는 단계;
상기 반응 챔버 내에 화학식 MA2Bx-2 (상기 M은 전이금속이고, 상기 x는 상기 전이금속의 배위수이고, 상기 A 및 B는 서로 다른 작용기임)인 헤테로랩틱 구조를 갖고 상기 작용기 A가 상기 작용기 B보다 입체적으로 반응성이 큰 전이금속 전구체를 공급하는 단계;
상기 반응 챔버 내에 산소 함유 가스를 공급하는 단계; 및
상기 전구체의 상기 작용기 A와 상기 산소 함유 가스의 우선적 반응에 의한 상기 M의 산화물 및 상기 M의 산화물들이 결합된 화합물 중 어느 하나 이상을 포함하는 중간체가 상기 피처리체의 표면 상에서 성장하는 단계를 포함하는 전이금속 나노 와이어의 제조 방법.Providing a workpiece to provide a surface on which the transition metal nanowires grow in the reaction chamber;
Wherein the functional group A has a heterolabic structure in the reaction chamber of formula MA 2 B x-2 (wherein M is a transition metal, x is a coordination number of the transition metal, and A and B are different functional groups) Supplying a transition metal precursor that is more stericly reactive than the functional group B;
Supplying an oxygen containing gas into the reaction chamber; And
Growing an intermediate comprising at least one of the oxide of M and a compound in which the oxides of M are bound by preferential reaction of the functional group A of the precursor with the oxygen-containing gas; Method for producing transition metal nanowires. 제 1 항에 있어서,
상기 중간체는 상기 전구체 및 상기 산소 함유 가스와 축합 반응을 겪는 것을 특징으로 하는 전이금속 나노 와이어의 제조 방법.The method of claim 1,
And said intermediate undergoes a condensation reaction with said precursor and said oxygen containing gas. 제 1 항에 있어서,
상기 작용기 A는 수소기보다 입체적으로 큰 반응성 작용기이고, 상기 B는 수소기인 것을 특징으로 하는 전이금속 나노 와이어의 제조 방법. The method of claim 1,
The functional group A is a three-dimensionally larger reactive functional group than the hydrogen group, B is a method for producing a transition metal nanowire, characterized in that the hydrogen group. 제 3 항에 있어서,
상기 작용기 A는 -NR1R2 (상기 R1 및 R2는 각각 탄화 수소 화합물임)인 것을 특징으로 하는 전이금속 나노 와이어의 제조 방법.The method of claim 3, wherein
The functional group A is -NR1R2 (wherein R1 and R2 are each a hydrocarbon compound) method for producing a transition metal nanowires. 제 4 항에 있어서,
상기 탄화 수소는 알킬기인 것을 특징으로 하는 전이금속 나노 와이어의 제조 방법.5. The method of claim 4,
The hydrocarbon is a method for producing a transition metal nanowire, characterized in that the alkyl group. 제 1 항에 있어서,
상기 산소 함유 가스는 히드록실기를 포함하는 것을 특징으로 하는 전이금속 나노 와이어의 제조 방법.The method of claim 1,
The oxygen-containing gas is a method for producing a transition metal nanowire, characterized in that it comprises a hydroxyl group. 제 1 항에 있어서,
상기 산소 함유 가스는 H2O 인 것을 특징으로 하는 전이금속 나노 와이어의 제조 방법.The method of claim 1,
The oxygen-containing gas is H 2 O characterized in that the manufacturing method of transition metal nanowires. 제 1 항에 있어서, 상기 전구체를 공급하는 단계 이전에,
상기 피처리체의 표면을 세정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전이금속 나노 와이어의 제조 방법.The method of claim 1, wherein prior to the step of supplying the precursor,
The method of manufacturing a transition metal nanowire, further comprising the step of cleaning the surface of the workpiece. 제 8 항에 있어서,
상기 세정하는 단계는 알코올을 사용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 전이금속 나노 와이어의 제조 방법.The method of claim 8,
The cleaning step is a method for producing a transition metal nanowires, characterized in that carried out using alcohol. 제 1 항에 있어서, 상기 전구체를 공급하는 단계 이전에,
상기 피처리체의 표면을 수산화하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전이금속 나노 와이어의 제조 방법. The method of claim 1, wherein prior to the step of supplying the precursor,
The method of manufacturing a transition metal nanowires further comprising the step of hydroxylating the surface of the workpiece. 제 1 항에 있어서,
상기 전이금속은, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Y, Zr, Nb, Mo, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, Hf, Ta, W, Ir, Pt, Os, 및 Au로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전이금속 나노 와이어의 제조 방법.The method of claim 1,
The transition metal is Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Y, Zr, Nb, Mo, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, Hf, Ta, W, Ir Method for producing a transition metal nanowires, characterized in that any one selected from the group consisting of, Pt, Os, and Au. 반응 챔버 내에 전이금속 나노 와이어가 성장하는 표면을 제공하는 피처리체를 제공하는 제 1 단계;
상기 반응 챔버 내에 화학식 MA2Bx-2 (상기 M은 전이금속이고, 상기 x는 상기 전이금속의 배위수이고, 상기 A 및 B는 서로 다른 작용기임)인 헤테로랩틱 구조를 갖고 상기 작용기 A가 상기 작용기 B보다 입체적으로 반응성이 큰 전이금속 전구체를 펄스 공급하여 상기 전이금속 전구체의 중간체를 상기 피처리체에 흡착시키는 제 2 단계;
상기 반응 챔버 내에 잔류하는 상기 전구체, 및 상기 전구체와 상기 피처리체 표면의 반응에 의한 제 1 반응생성물을 제거하기 위하여, 상기 반응 챔버 내에 퍼지 가스를 펄스 공급하는 제 3 단계;
상기 반응 챔버 내에 산소 함유 가스를 펄스 공급하고, 상기 전구체의 상기 작용기 A와 상기 산소 함유 가스의 우선적 반응이 일어나 상기 작용기 A가 치환되는 제 4 단계;
상기 반응 챔버 내에 잔류하는 상기 산소 함유 가스, 및 상기 산소 함유 가스와 상기 전구체의 작용기 A의 반응에 의한 제 2 반응생성물을 제거하기 위하여, 상기 반응 챔버 내에 퍼지 가스를 펄스 공급하는 제 5 단계; 및
상기 제 2 단계 내지 제 5 단계를 적어도 1회 이상 반복하고,
상기 중간체는 상기 M의 산화물 및 상기 M의 산화물들이 결합된 화합물 중 어느 하나 이상을 포함하고,
상기 제 1 반응생성물은 상기 흡착된 중간체 이외의 화합물이고, 상기 제 2 반응생성물은 상기 작용기 A가 치환된 중간체 이외의 화합물인 것을 특징으로 하는 원자층 증착법에 의한 전이금속 나노 와이어의 제조 방법.Providing a workpiece to provide a surface on which the transition metal nanowires are grown in the reaction chamber;
Wherein the functional group A has a heterolabic structure in the reaction chamber of formula MA 2 B x-2 (wherein M is a transition metal, x is a coordination number of the transition metal, and A and B are different functional groups) A second step of pulse-feeding a transition metal precursor that is more stericly reactive than the functional group B to adsorb the intermediate of the transition metal precursor to the target object;
A third step of pulse supplying a purge gas into the reaction chamber to remove the precursor remaining in the reaction chamber and the first reaction product by the reaction between the precursor and the surface of the workpiece;
A fourth step of pulse-feeding an oxygen-containing gas into the reaction chamber and preferential reaction between the functional group A of the precursor and the oxygen-containing gas to replace the functional group A;
A fifth step of pulse-feeding a purge gas into the reaction chamber to remove the oxygen-containing gas remaining in the reaction chamber and the second reaction product by the reaction of the oxygen-containing gas with the functional group A of the precursor; And
Repeating the second to fifth steps at least once,
The intermediate comprises at least one of an oxide of M and a compound to which oxides of M are bonded,
Wherein the first reaction product is a compound other than the adsorbed intermediate, and the second reaction product is a compound other than the intermediate in which functional group A is substituted. 제 12 항에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 중간체들은 상기 전구체 및 상기 산소 함유 가스와 축합 반응을 겪는 것을 특징으로 하는 전이금속 나노 와이어의 제조 방법.13. The method of claim 12,
And the first and second intermediates undergo a condensation reaction with the precursor and the oxygen containing gas. 제 12 항에 있어서,
상기 작용기 A는 수소기보다 입체적으로 큰 반응성 작용기이고, 상기 B는 수소기인 것을 특징으로 하는 전이금속 나노 와이어의 제조 방법13. The method of claim 12,
The functional group A is a three-dimensionally larger reactive functional group than a hydrogen group, the B is a method for producing a transition metal nanowire, characterized in that the hydrogen group 제 12 항에 있어서, 상기 전구체를 펄스 공급하는 제 2 단계 이전에,
상기 피처리체의 표면을 수산화하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전이금속 나노 와이어의 제조 방법.13. The method of claim 12, prior to the second step of pulse feeding the precursor,
The method of manufacturing a transition metal nanowires further comprising the step of hydroxylating the surface of the workpiece. 화학식 MA2Bx-2 (상기 M은 전이금속이고, 상기 x는 상기 전이금속의 배위수이고, 상기 A 및 B는 서로 다른 작용기임)인 헤테로랩틱 구조를 갖고 상기 작용기 A가 상기 작용기 B보다 입체적으로 반응성이 큰 전이금속 전구체와 산소 함유 가스의 축합에 의해 형성된 -(M-O-M)- 체인으로 일방향으로 연장된 전이금속 나노 와이어.And a functional group A is less than the functional group B, wherein MA 2 B x-2 (wherein M is a transition metal, x is a coordination number of the transition metal, and A and B are different functional groups). A transition metal nanowire extending in one direction to a-(MOM)-chain formed by condensation of a three-dimensionally reactive transition metal precursor and an oxygen-containing gas.
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