KR101335195B1 - Back contact solar cell and method for fabricating the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 소수캐리어가 재결합되는 것을 억제하여 태양전지의 광전변환효율을 향상시킬 수 있는 후면전극형 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 후면전극형 태양전지는 n형 결정질 실리콘 기판과, 상기 기판의 후면 내부에 이웃하여 배치되는 p형 도핑층 및 n형 도핑층을 포함하여 이루어지며, p형 도핑층 또는 n형 도핑층과 기판 내부의 경계면은 제 1 계면이고, 상기 기판 후면의 표면은 제 2 계면이며, 상기 제 1 계면에서 상기 n형 도핑층은 점 패턴의 형태로 노출되며, 상기 제 2 계면에서 상기 p형 도핑층은 점 패턴의 형태로 노출되는 것을 특징으로 한다. The present invention relates to a back-electrode solar cell and a method of manufacturing the same, which can suppress photoreduction of a small number of carriers and improve the photoelectric conversion efficiency of the solar cell. The back-electrode solar cell according to the present invention is an n-type crystalline silicon substrate. And a p-type doping layer and an n-type doping layer disposed adjacent to a rear surface of the substrate, wherein an interface between the p-type doping layer or the n-type doping layer and the inside of the substrate is a first interface, The surface of is a second interface, the n-type doped layer is exposed in the form of a dot pattern at the first interface, the p-type doped layer is characterized in that the exposed in the form of a dot pattern.

Description

후면전극형 태양전지 및 그 제조방법{Back contact solar cell and method for fabricating the same}Back contact solar cell and method of manufacturing the same {Back contact solar cell and method for fabricating the same}

본 발명은 후면전극형 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 소수캐리어가 재결합되는 것을 억제하여 태양전지의 광전변환효율을 향상시킬 수 있는 후면전극형 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a back-electrode solar cell and a method for manufacturing the same, and more particularly, to a back-electrode solar cell and a method of manufacturing the same to suppress the recombination of minority carriers to improve the photoelectric conversion efficiency of the solar cell. will be.

태양전지는 태양광을 직접 전기로 광전변환시키는 태양광 발전의 핵심소자로서, 기본적으로 p-n 접합으로 이루어진 다이오드(diode)라 할 수 있다. 태양광이 태양전지에 의해 전기로 변환되는 과정을 살펴보면, 태양전지의 실리콘 기판 내부에 태양광이 입사되면 전자-정공 쌍이 생성되고, 전기장에 의해 전자는 n층으로, 정공은 p층으로 이동하게 되어 p-n 접합부 사이에 광기전력이 발생되며, 이 때 태양전지의 양단에 부하나 시스템을 연결하면 전류가 흐르게 되어 전력을 생산할 수 있게 된다. A solar cell is a core element of photovoltaic generation that converts photovoltaic power directly to electricity. It is basically a diode made of p-n junction. In the process of converting sunlight into electricity by solar cells, when solar light enters into the silicon substrate of the solar cell, electron-hole pairs are generated, and electrons move to n layers and holes move to p layers by the electric field. Thus, photovoltaic power is generated between the pn junctions, and when a load or a system is connected to both ends of the solar cell, current flows to generate power.

한편, 일반적인 태양전지는 전면과 후면에 각각 전면전극과 후면전극이 구비되는 구조를 갖는데, 수광면인 전면에 전면전극이 구비됨에 따라, 전면전극의 면적만큼 수광면적이 줄어들게 된다. 이와 같이 수광면적이 축소되는 문제를 해결하기 위해 후면전극형 태양전지가 제안되었다. 후면전극형 태양전지는 태양전지의 후면 상에 (+)전극과 (-)전극을 구비시켜 태양전지 전면의 수광면적을 극대화하는 것을 특징으로 한다. On the other hand, a general solar cell has a structure in which a front electrode and a rear electrode are provided on the front and the rear, respectively, and as the front electrode is provided on the front surface, the light receiving area is reduced by the area of the front electrode. In order to solve the problem of reducing the light receiving area, a rear electrode type solar cell has been proposed. The back electrode type solar cell is provided with a (+) electrode and a (-) electrode on the rear surface of the solar cell, thereby maximizing the light receiving area of the solar cell front surface.

후면전극형 태양전지는 도 1에 도시한 바와 같이, 기판(101) 후면 내부에 p형 도핑층(102)과 n형 도핑층(103)이 반복, 배치되는 구조를 이루며, p형 도핑층(102)은 p 전극(105)과 연결되고 n형 도핑층(103)은 n 전극(106)과 연결된다. 이 때, p 전극(105)과 n 전극(106)이 단락되는 것을 방지하기 위해 기판(101) 후면 상에는 유전층(104)이 형성되며, 선택적으로 패터닝되어 개구부를 통해 도핑층과 전극이 연결된다. As shown in FIG. 1, the back electrode solar cell has a structure in which the p-type doping layer 102 and the n-type doping layer 103 are repeatedly arranged and disposed inside the back of the substrate 101, and the p-type doping layer ( 102 is connected to the p electrode 105 and the n-type doping layer 103 is connected to the n electrode 106. In this case, in order to prevent the p electrode 105 and the n electrode 106 from being short-circuited, a dielectric layer 104 is formed on the back surface of the substrate 101 and is selectively patterned to connect the doping layer and the electrode through the opening.

이와 같은 후면전극형 태양전지에 있어서, 기판(101) 내부에서 광전변환에 의해 생성된 전자(-)는 n형 도핑층(103)을 거쳐 n 전극(106)으로 이동되고, 정공(+)은 p형 도핑층(102)을 거쳐 p 전극(105)으로 이동된다. 한편, 기판(101)이 n형 실리콘 기판(101)인 경우, 전자가 다수캐리어(major carrier)가 되고 정공이 소수캐리어(minor carrier)가 되는데, 다수캐리어인 전자는 n형 도핑층(103)을 거쳐 n 전극(106)에 안정적으로 수집됨에 반해, 소수캐리어인 정공은 p형 도핑층(102)을 거쳐 p 전극(105)에 수집되는 경로 중에 재결합되어(recombination) 소멸될 가능성이 크다. In such a back electrode solar cell, electrons (-) generated by photoelectric conversion inside the substrate 101 are moved to the n electrode 106 via the n-type doping layer 103, and the holes (+) It is moved to the p electrode 105 via the p-type doping layer 102. On the other hand, when the substrate 101 is an n-type silicon substrate 101, electrons are the major carriers and holes are the minor carriers, and electrons with the multiple carriers are the n-type doping layer 103. While stably collected through the n electrode 106, holes that are a minority carrier are likely to be recombined and disappear in the path collected through the p-type doping layer 102 and to the p electrode 105.

구체적으로, 기판(101) 내부에서 생성된 소수캐리어인 정공(+)은 이동 중에 n형 도핑층(103)의 표면과 접하여 재결합되거나(도 2의 ⓐ 참조), p형 도핑층(102)으로 이동이 성공한 경우에도 기판(101) 후면에 존재하는 표면 결함과 결합(도 2의 ⓑ 참조)하여 소멸된다. 이와 같은 소수캐리어의 재결합은 태양전지의 광전변환 특성을 저하시키는 요인으로 작용한다.
Specifically, holes (+), which are minority carriers generated inside the substrate 101, are recombined to contact the surface of the n-type doped layer 103 during movement (see ⓐ in FIG. 2), or the p-type doped layer 102. Even if the movement is successful, it disappears by combining with the surface defects existing on the back surface of the substrate 101 (see ⓑ of FIG. 2). The recombination of the minority carriers acts as a factor to lower the photoelectric conversion characteristics of the solar cell.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 소수캐리어가 재결합되는 것을 억제하여 태양전지의 광전변환효율을 향상시킬 수 있는 후면전극형 태양전지 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and an object thereof is to provide a back electrode solar cell and a method of manufacturing the same, which can improve photoelectric conversion efficiency of a solar cell by suppressing recombination of minority carriers. .

상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 후면전극형 태양전지는 n형 결정질 실리콘 기판과, 상기 기판의 후면 내부에 이웃하여 배치되는 p형 도핑층 및 n형 도핑층을 포함하여 이루어지며, p형 도핑층 또는 n형 도핑층과 기판 내부의 경계면은 제 1 계면이고, 상기 기판 후면의 표면은 제 2 계면이며, 상기 제 1 계면에서 상기 n형 도핑층은 점 패턴의 형태로 노출되며, 상기 제 2 계면에서 상기 p형 도핑층은 점 패턴의 형태로 노출되는 것을 특징으로 한다. The back electrode solar cell according to the present invention for achieving the above object comprises an n-type crystalline silicon substrate, a p-type doping layer and an n-type doping layer disposed adjacent to the inside of the back of the substrate, p The interface between the doping layer or the n-type doping layer and the inside of the substrate is a first interface, the surface of the back surface of the substrate is a second interface, the n-type doping layer is exposed in the form of a dot pattern at the first interface, The p-type doped layer is exposed in the form of a dot pattern at the second interface.

상기 제 1 계면에서 상기 p형 도핑층의 표면적은 n형 도핑층의 표면적보다 크며, 상기 제 2 계면에서 상기 n형 도핑층의 표면적은 p형 도핑층의 표면적보다 크다. The surface area of the p-type doped layer at the first interface is larger than the surface area of the n-type doped layer, and the surface area of the n-type doped layer at the second interface is larger than the surface area of the p-type doped layer.

상기 p형 도핑층과 n형 도핑층의 일부 영역은 중첩되는 구조를 이루며, 상기 일부 영역에서 상부에는 p형 도핑층이 구비되고, 하부에는 n형 도핑층이 구비되며, 상기 제 1 계면에서는 p형 도핑층이 수평적으로 확장된 형태를 이루고, 제 2 계면에서는 n형 도핑층이 수평적으로 확장된 형태를 이룬다. Some regions of the p-type doping layer and the n-type doping layer overlap each other, in which the p-type doping layer is provided on the upper portion, the n-type doping layer is provided on the lower portion, and the p-type doping layer is formed at the first interface. The type doping layer forms a horizontally expanded form, and the n-type doping layer forms a form of horizontally expanded at the second interface.

상기 p형 도핑층 및 n형 도핑층을 포함한 기판 후면 상에 구비되는 유전층을 더 포함하며, 상기 유전층은 상기 p형 도핑층과 n형 도핑층을 각각 점 패턴의 형태로 노출되며, 상기 노출된 p형 도핑층과 n형 도핑층 상에 각각 p형 핑거전극과 n형 핑거전극이 구비되며, 상기 p형 핑거전극과 n형 핑거전극 상에는 각각 p형 버스바 전극과 n형 버스바 전극이 더 구비될 수 있다. And a dielectric layer provided on a back surface of the substrate including the p-type doping layer and the n-type doping layer, wherein the dielectric layer exposes the p-type doping layer and the n-type doping layer in the form of a dot pattern, respectively, A p-type finger electrode and an n-type finger electrode are respectively provided on the p-type doping layer and the n-type doping layer, and the p-type busbar electrode and the n-type busbar electrode are further formed on the p-type finger electrode and the n-type finger electrode, respectively. It may be provided.

본 발명에 따른 후면전극형 태양전지의 제조방법은 n형 결정질 실리콘 기판을 준비하는 단계와, 상기 기판의 후면 상에 점 패턴의 마스크 패턴을 일정 간격을 두고 형성하는 단계와, 상기 기판의 후면 상에 p형 도핑소스를 도포하는 단계와, 상기 기판을 열처리하여, 기판 후면 내부에 p형 도핑층을 형성함과 함께 p형 도핑층 상에 확산부산물층을 형성하는 단계와, 상기 마스크 패턴을 제거하여 p형 도핑층이 형성되지 않은 기판을 노출시킴과 함께 상기 확산부산물층을 점 패턴의 형태로 패터닝하여 p형 도핑층의 일부를 노출시키는 단계와, 상기 점 패턴의 확산부산물층을 포함한 기판 후면 상에 n형 도핑소스를 도포하는 단계 및 상기 기판을 열처리하여 마스크 패턴이 제거된 부위에 n형 도핑층을 형성함과 함께, 상기 노출된 p형 도핑층의 일부 두께를 n형 도핑층으로 전환시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다. A method of manufacturing a back-electrode solar cell according to the present invention includes the steps of preparing an n-type crystalline silicon substrate, forming a mask pattern of a dot pattern on the rear surface of the substrate at regular intervals, and on the rear surface of the substrate. Applying a p-type doping source to the substrate, heat-treating the substrate to form a p-type doping layer inside the back of the substrate, and forming a diffusion byproduct layer on the p-type doping layer, and removing the mask pattern. Exposing the substrate on which the p-type doping layer is not formed, and patterning the diffusion byproduct layer in the form of a dot pattern to expose a portion of the p-type doping layer, and a rear surface of the substrate including the diffusion byproduct layer of the dot pattern. Applying an n-type doping source onto the substrate and heat-treating the substrate to form an n-type doping layer in a portion where the mask pattern is removed, and partially exposing the thickness of the exposed p-type doping layer to n And converting it into a type doped layer.

p형 도핑층 또는 n형 도핑층과 기판 내부의 경계면은 제 1 계면이고, 상기 기판 후면의 표면은 제 2 계면이며, 상기 제 1 계면에서 상기 n형 도핑층은 점 패턴의 형태로 노출되며, 상기 제 2 계면에서 상기 p형 도핑층은 점 패턴의 형태로 노출된다. The interface between the p-type doping layer or the n-type doping layer and the inside of the substrate is a first interface, the surface of the back surface of the substrate is a second interface, the n-type doping layer is exposed in the form of a dot pattern at the first interface, At the second interface, the p-type doped layer is exposed in the form of a dot pattern.

또한, 상기 p형 도핑층 및 n형 도핑층 상에 유전층을 형성하는 단계와, 상기 유전층을 선택적으로 패터닝하여 상기 p형 도핑층과 n형 도핑층을 국부적으로 노출시키는 단계와, 상기 노출된 p형 도핑층과 n형 도핑층 상에 각각 p형 핑거전극, n형 핑거전극을 형성하는 단계와, 상기 p형 핑거전극과 n형 핑거전극 상에 각각 p형 버스바 전극, n형 버스바 전극을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. And forming a dielectric layer on the p-type and n-type doped layers, selectively patterning the dielectric layer to locally expose the p-type and n-type doped layers, and the exposed p Forming a p-type finger electrode and an n-type finger electrode on the doping layer and the n-type doping layer, respectively, and forming the p-type busbar electrode and the n-type busbar electrode on the p-type finger electrode and the n-type finger electrode, respectively. It may further comprise forming a.

이와 함께, 상기 p형 도핑층이 노출되는 부위는 상기 점 패턴의 확산부산물층이 구비된 위치에 상응하며, 상기 n형 도핑층이 노출되는 부위는 상기 마스크 패턴이 구비된 위치에 상응할 수 있다.
In addition, a portion where the p-type doping layer is exposed may correspond to a position where the diffusion byproduct layer of the dot pattern is provided, and a portion where the n-type doping layer is exposed may correspond to a position where the mask pattern is provided. .

본 발명에 따른 후면전극형 태양전지 및 그 제조방법은 다음과 같은 효과가 있다. The back electrode solar cell and a method of manufacturing the same according to the present invention have the following effects.

n형 기판 내부에서 p형 도핑층의 면적을 최대화함과 함께 n형 도핑층의 면적을 최소화함으로써 소수캐리어인 정공이 p형 도핑층으로 수집될 확률을 높일 수 있다. 또한, 기판 후면의 표면에 노출되는 p형 도핑층을 최소화시킴으로써 정공이 표면 결함에 의해 재결합되는 것을 억제할 수 있다.
Maximizing the area of the p-type doped layer and minimizing the area of the n-type doped layer in the n-type substrate may increase the probability that holes, which are minority carriers, are collected into the p-type doped layer. In addition, by minimizing the p-type doped layer exposed on the surface of the back surface of the substrate, it is possible to suppress the recombination of the holes by the surface defects.

도 1은 종래 기술에 따른 후면전극형 태양전지의 단면도.
도 2는 종래 기술에 따른 후면전극형 태양전지에 있어서 소수캐리어가 재결합되는 요인을 설명하기 위한 참고도.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 후면전극형 태양전지의 사시도.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 후면전극형 태양전지에 있어서 소수캐리어의 이동 경로를 설명하기 위한 참고도.
도 5a 내지 도 5j는 본 발명의 일 실시예에 따른 후면전극형 태양전지의 제조방법을 설명하기 위한 공정 단면도. 1 is a cross-sectional view of a back electrode solar cell according to the prior art.
2 is a reference diagram for explaining a factor of the minority carrier recombination in the back-electrode solar cell according to the prior art.
3A and 3B are perspective views of a back electrode solar cell according to an embodiment of the present invention.
Figure 4 is a reference diagram for explaining the movement path of the minority carrier in the back-electrode solar cell according to an embodiment of the present invention.
5A to 5J are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a back electrode solar cell according to an exemplary embodiment of the present invention.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 후면전극형 태양전지 및 그 제조방법을 상세히 설명하기로 한다. 도 3a 및 도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 후면전극형 태양전지의 사시도이고, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 후면전극형 태양전지에서 소수캐리어의 수집 경로를 설명하기 위한 참고도이다. Hereinafter, a back electrode solar cell and a method of manufacturing the same according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. 3A and 3B are perspective views of a back electrode solar cell according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a reference for explaining a collecting path of minority carriers in a back electrode solar cell according to an embodiment of the present invention. It is also.

도 3a 및 도 3b를 참고하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 후면전극형 태양전지는 먼저, 제 1 도전형의 결정질 실리콘 기판(301)을 구비한다. 이 때, 상기 제 1 도전형은 제 2 도전형의 반대 도전형이며, 이하에서는 제 1 도전형은 n형, 제 2 도전형이 p형인 것을 기준으로 설명하기로 한다. 3A and 3B, a back electrode solar cell according to an embodiment of the present invention first includes a crystalline silicon substrate 301 of a first conductivity type. In this case, the first conductivity type is the opposite conductivity type to the second conductivity type, hereinafter, the first conductivity type will be described based on the n type and the second conductivity type p.

상기 n형 실리콘 기판(301)의 후면 내부에는 p형 도핑층(304)과 n형 도핑층(307)이 이웃하여 배치되며, 상기 p형 도핑층(304)과 n형 도핑층(307) 각각은 기판(301) 후면의 표면으로부터 기판(301) 내부로 일정 깊이만큼 형성된다. 이하에서, 설명의 편의상 기판(301) 내부와 접하는 p형 도핑층(304), n형 도핑층(307)의 표면을 제 1 계면이라 하고, 기판(301) 후면의 표면에 노출되는 p형 도핑층(304)(또는 n형 도핑층(307))의 표면을 제 2 계면이라 칭하기로 한다. The p-type doping layer 304 and the n-type doping layer 307 are disposed adjacent to the inside of the back surface of the n-type silicon substrate 301, and the p-type doping layer 304 and the n-type doping layer 307, respectively The silver is formed to a predetermined depth into the substrate 301 from the surface of the back surface of the substrate 301. Hereinafter, for convenience of description, the surfaces of the p-type doping layer 304 and the n-type doping layer 307 in contact with the inside of the substrate 301 are referred to as a first interface, and the p-type doping exposed on the surface of the back surface of the substrate 301 is described. The surface of layer 304 (or n-type doped layer 307) will be referred to as a second interface.

본 발명의 핵심 특징 중 하나는, 소수캐리어가 이동 경로 중에 재결합되어 소멸되는 것을 억제하는 것이다. 이를 구현하기 위해, 제 1 계면에서 p형 도핑층(304)의 표면적을 최대화하고, 제 2 계면에서는 p형 도핑층(304)의 표면적을 최소화할 필요가 있다. 본 발명에서는, 제 1 계면에서는 n형 도핑층(307)을 국부적으로 노출시키고, 제 2 계면에서는 p형 도핑층(304)을 국부적으로 노출시키는 구성을 제시한다. One of the key features of the present invention is to suppress the minority carriers from recombining and disappearing in the travel path. To realize this, it is necessary to maximize the surface area of the p-type doped layer 304 at the first interface and minimize the surface area of the p-type doped layer 304 at the second interface. In the present invention, a configuration is disclosed in which the n-type doped layer 307 is locally exposed at the first interface and the p-type doped layer 304 is locally exposed at the second interface.

구체적으로, 제 1 계면에서 n형 도핑층(307)은 점 패턴(일정 면적의)으로 노출되며, 제 2 계면에서 p형 도핑층(304)은 점 패턴(일정 면적의)으로 노출된다. 상기 점 패턴들은 기판(301)의 길이 방향을 따라 일정 간격을 두고 반복, 배치되는 형태를 이루며, 각각의 점 패턴이 구비된 영역에는 n형 및 p형 핑거전극(310)이 구비된다. Specifically, the n-type doped layer 307 is exposed in a dot pattern (of a predetermined area) at the first interface, and the p-type doped layer 304 is exposed in a dot pattern (of a predetermined area) at the second interface. The dot patterns are repeated and arranged at regular intervals along the length direction of the substrate 301, and the n-type and p-type finger electrodes 310 are provided in regions where the dot patterns are provided.

달리 표현하여, 기판(301) 평면을 기준으로 점 패턴들이 복수의 열로 배치된다고 할 수 있으며, 홀수 열들은 n형 도핑층(307)의 점 패턴, 짝수 열들은 p형 도핑층(304)의 점 패턴이라 할 수 있다. 또한, n형 도핑층(307)의 점 패턴은 n형 핑거전극(311)과 연결되고, n형 도핑층(307)의 점 패턴은 p형 핑거전극(310)과 연결된다. 이 때, 상기 p형 핑거전극(310), n형 핑거전극(311) 역시 점 형태로 상기 p형 도핑층(304), n형 도핑층(307)의 점 패턴과 연결된다. In other words, it can be said that the dot patterns are arranged in a plurality of columns based on the plane of the substrate 301, the odd columns are the dot patterns of the n-type doped layer 307, and the even columns are the dots of the p-type doped layer 304. It can be called a pattern. In addition, the dot pattern of the n-type doped layer 307 is connected to the n-type finger electrode 311, and the dot pattern of the n-type doped layer 307 is connected to the p-type finger electrode 310. In this case, the p-type finger electrode 310 and the n-type finger electrode 311 are also connected to the dot pattern of the p-type doping layer 304 and the n-type doping layer 307 in the form of a dot.

이와 함께, p형 도핑층(304)과 n형 도핑층(307)의 일부 영역은 중첩되는 구조를 갖는다. 즉, p형 도핑층(304)과 n형 도핑층(307)이 배치됨에 있어서, 일부 영역의 경우 상부에는 p형 도핑층(304)이 구비되고, 하부에는 n형 도핑층(307)이 구비되는 구조를 갖는다.In addition, some regions of the p-type doped layer 304 and the n-type doped layer 307 have an overlapping structure. That is, in the case where the p-type doping layer 304 and the n-type doping layer 307 are disposed, the p-type doping layer 304 is provided in the upper part and the n-type doping layer 307 is provided in the lower part. It has a structure.

이상과 같은 구조를 통해, 제 1 계면에서 p형 도핑층(304)의 표면적을 상대적으로 크게 하고 n형 도핑층(307)의 표면적을 상대적으로 작게 함으로써, 기판(301) 내부의 소수캐리어 즉, 정공(+)이 제 1 계면의 n형 도핑층(307) 표면에서 재결합되는 것을 억제함과 함께 정공이 p형 도핑층(304)으로 수집될 수 있는 확률을 향상시킬 수 있게 된다. 또한, 제 2 계면에서 p형 도핑층(304)이 기판(301) 후면의 표면과 접하는 면적이 최소화됨에 따라, 소수캐리어인 정공(+)이 기판(301) 후면의 표면 결함과 재결합되는 것을 억제할 수 있다. 참고로, 기판(301)이 n형이 아닌 p형 기판(301)이면 소수캐리어는 전자가 되며, 이 경우 제 1 계면에서 n형 도핑층(307)의 면적이 최대화되고 제 2 계면에서 p형 도핑층(304)의 면적이 최대화되는 구조를 갖는다. Through the structure as described above, by increasing the surface area of the p-type doping layer 304 and the surface area of the n-type doping layer 307 relatively small at the first interface, It is possible to suppress the recombination of the holes (+) at the surface of the n-type doped layer 307 at the first interface and to improve the probability that holes can be collected into the p-type doped layer 304. In addition, since the area where the p-type doping layer 304 is in contact with the surface of the rear surface of the substrate 301 at the second interface is minimized, the minority holes (+) are suppressed from recombining with the surface defects of the rear surface of the substrate 301. can do. For reference, if the substrate 301 is a p-type substrate 301 rather than an n-type, the minority carrier becomes an electron, in which case the area of the n-type doped layer 307 is maximized at the first interface and the p-type at the second interface. The area of the doped layer 304 is maximized.

한편, 상기 p형 도핑층(304) 및 n형 도핑층(307)을 포함한 기판(301) 후면 상에는 유전층(309)이 구비되며, 상기 유전층(309)에는 개구부가 구비되어 상기 p형 도핑층(304)과 n형 도핑층(307)을 점 패턴 형태로 노출시킨다. 또한, 점 패턴 형태로 노출된 p형 도핑층(304)과 n형 도핑층(307) 각각에는 p형 핑거전극(310), n형 핑거전극(311)이 구비된다. 이와 함께, 복수의 p형 핑거전극(310) 상에는 p형 버스바 전극(312)이 구비되고, 복수의 n형 핑거전극(311) 상에는 n형 버스바 전극(313)이 구비된다. 여기서, 상기 버스바 전극들과 유전층(309) 사이에 핀홀(pinhole)에 의한 단락을 방지하기 위한 절연막(도시하지 않음)이 더 구비될 수 있다.
Meanwhile, a dielectric layer 309 is provided on the back surface of the substrate 301 including the p-type doping layer 304 and the n-type doping layer 307, and an opening is provided in the dielectric layer 309 so that the p-type doping layer ( 304 and the n-type doped layer 307 are exposed in the form of a dot pattern. In addition, a p-type finger electrode 310 and an n-type finger electrode 311 are provided in each of the p-type doped layer 304 and the n-type doped layer 307 exposed in a dot pattern form. In addition, a p-type busbar electrode 312 is provided on the plurality of p-type finger electrodes 310, and an n-type busbar electrode 313 is provided on the plurality of n-type finger electrodes 311. An insulating film (not shown) may be further provided between the busbar electrodes and the dielectric layer 309 to prevent a short circuit caused by a pinhole.

이상, 본 발명의 일 실시예에 따른 후면전극형 태양전지를 설명하였다. 다음으로 본 발명의 일 실시예에 따른 후면전극형 태양전지의 제조방법을 설명하기로 한다. The back electrode solar cell according to the exemplary embodiment of the present invention has been described above. Next, a method of manufacturing a back electrode solar cell according to an embodiment of the present invention will be described.

먼저, 도 5a에 도시한 바와 같이 n형 결정질 실리콘 기판(301)을 준비한다. 그런 다음, 상기 기판(301)의 후면 상에 마스크 패턴(302)을 형성한다. 상기 마스크 패턴(302)은 일정 면적을 갖는 점 패턴 형태를 가지며, 상기 기판(301)의 후면 상에 일정 간격을 두고 형성된다. 또한, 상기 마스크 패턴(302)이 구비되는 위치는 후술하는 n형 핑거전극(311)이 구비되는 위치에 상응한다. 이와 함께, 상기 마스크 패턴(302)은 복수의 열의 형태로 배치되는데, 각 열은 후술하는 n형 버스바 전극(313)이 구비되는 영역에 상응한다. First, as shown in FIG. 5A, an n-type crystalline silicon substrate 301 is prepared. Thereafter, a mask pattern 302 is formed on the rear surface of the substrate 301. The mask pattern 302 has a dot pattern shape having a predetermined area and is formed on the rear surface of the substrate 301 at a predetermined interval. In addition, the position where the mask pattern 302 is provided corresponds to the position where the n-type finger electrode 311 to be described later is provided. In addition, the mask pattern 302 is disposed in the form of a plurality of columns, each of which corresponds to an area in which the n-type busbar electrode 313 to be described later is provided.

상기 마스크 패턴(302)이 구비된 상태에서, 상기 기판(301)의 후면 상에 p형 불순물(예를 들어, 붕소(B))을 포함하는 도핑소스 즉, p형 도핑소스(303)를 도포한다(도 5b 참조). 상기 p형 도핑소스(303)는 페이스트(paste) 또는 스프레이 형태로 도포하거나 화학기상증착법(PECVD), 상압기상증착법 (APCVD) 등의 증착방법으로 증착할 수 있다. 또한, 상기 p형 도핑소스(303)를 도포하지 않고 p형 도핑소스(303)가 도포될 영역의 기판 내부에 이온주입방법(ion implantation)을 이용하여 p형 이온주입층을 형성할 수도 있다. In the state where the mask pattern 302 is provided, a doping source including a p-type impurity (for example, boron (B)), that is, a p-type doping source 303 is coated on the back surface of the substrate 301. (See FIG. 5B). The p-type doping source 303 may be applied in the form of a paste or spray, or may be deposited by a deposition method such as chemical vapor deposition (PECVD) or atmospheric vapor deposition (APCVD). In addition, the p-type ion implantation layer may be formed using an ion implantation method inside the substrate in the region where the p-type doping source 303 is to be applied without applying the p-type doping source 303.

상기 p형 도핑소스(303)가 도포된 상태에서, 열처리를 진행하면 도 5c에 도시한 바와 같이 상기 마스크 패턴(302)이 구비된 영역을 제외한 기판(301) 후면의 내부에 p형 도핑층(304)이 형성된다. 또한, 상기 p형 도핑층(304) 상에는 확산부산물인 BSG(boro-silicate glass)막이 형성된다. 상기 BSG막(305)은 p형 도핑소스(303) 내의 p형 불순물(B)이 기판(301)의 실리콘(Si)과 반응하여 형성된 것이다. 한편, p형 도핑소스 대신에 p형 이온주입층이 형성된 경우에는, 산화분위기 하에서 열처리를 하여 상기 p형 이온주입층 상에 BSG막을 형성할 수 있다. In the state where the p-type doping source 303 is applied, as shown in FIG. 5C, as shown in FIG. 5C, the p-type doping layer is formed inside the back surface of the substrate 301 except for the region where the mask pattern 302 is provided. 304 is formed. In addition, a BSG (boro-silicate glass) film is formed on the p-type doped layer 304 by diffusion. The BSG film 305 is formed by reacting p-type impurities B in the p-type doping source 303 with silicon (Si) of the substrate 301. On the other hand, when the p-type ion implantation layer is formed in place of the p-type doping source, the BSG film may be formed on the p-type ion implantation layer by heat treatment under an oxidizing atmosphere.

이와 같은 상태에서, 상기 마스크 패턴(302)을 제거함과 함께 상기 BSG막(305)을 선택적으로 패터닝하여 점 패턴의 형태로 가공한다(도 5d 참조). 상기 점 패턴의 형태로 가공된 BSG막(305)은 상기 마스크 패턴(302)과 동일한 형상을 가질 수 있으며, 상기 마스크 패턴(302)과 마찬가지로 기판(301) 후면 상에 복수의 열의 형태로 기판(301) 후면 상에 배치된다. In this state, the mask pattern 302 is removed and the BSG film 305 is selectively patterned to form a dot pattern (see FIG. 5D). The BSG film 305 processed in the form of a dot pattern may have the same shape as the mask pattern 302, and similarly to the mask pattern 302, the BSG film 305 may be formed in a plurality of rows on the back surface of the substrate 301. 301 is disposed on the rear surface.

그런 다음, 상기 점 패턴 형태로 가공된 BSG막(305)을 포함한 기판(301) 후면의 전면 상에 n형 불순물(예를 들어, 인(P))을 포함하는 도핑 소스 즉, n형 도핑소스(306)를 도포하고, 열처리를 진행한다(도 5e 참조). Then, a doping source containing n-type impurities (for example, phosphorus (P)) on the entire surface of the rear surface of the substrate 301 including the BSG film 305 processed in the dot pattern form, that is, n-type doping source 306 is apply | coated and heat processing is progressed (refer FIG. 5E).

상기 n형 도핑소스(306)는 상기 p형 도핑소스(303)와 마찬가지로 페이스트(paste) 또는 스프레이 형태로 도포하거나 화학기상증착법(PECVD), 상압기상증착법 (APCVD) 등의 증착방법으로 증착할 수 있으며, 상기 n형 도핑소스(306)를 도포하지 않고 n형 도핑소스(306)가 도포될 영역의 기판 내부에 이온주입방법(ion implantation)을 이용하여 n형 이온주입층을 형성할 수도 있다. Like the p-type doping source 303, the n-type doping source 306 may be applied in the form of a paste or spray, or may be deposited by a deposition method such as chemical vapor deposition (PECVD) or atmospheric pressure vapor deposition (APCVD). The n-type ion implantation layer may be formed using an ion implantation method inside the substrate in the region where the n-type doping source 306 is to be applied without applying the n-type doping source 306.

이에 따라, 도 5f 및 도 5g에 도시한 바와 같이 상기 마스크 패턴(302)이 제거된 영역의 기판(301) 후면 내부에는 n형 불순물이 확산되어 n형 도핑층(307)이 형성된다. 이와 함께, 상기 점 패턴의 BSG막(305)에 의해 노출된 p형 도핑층(304)에도 n형 불순물이 확산되어 p형 도핑층(304)의 일부 두께가 n형 도핑층(307)으로 전환되며, 상대적으로 기판(301) 후면의 표면으로부터 먼 곳에 위치한 p형 도핑층(304)은 그대로 유지된다. 이 때, 상기 BSG막은 n형 불순물이 기판 내부로 확산되는 것을 방지하는 확산방지막 역할을 한다. Accordingly, as shown in FIGS. 5F and 5G, n-type impurities are diffused into the back surface of the substrate 301 in the region where the mask pattern 302 is removed to form an n-type doping layer 307. In addition, n-type impurities are also diffused in the p-type doping layer 304 exposed by the BSG film 305 of the dot pattern, so that a part of the thickness of the p-type doping layer 304 is converted into the n-type doping layer 307. The p-type doped layer 304 located relatively far from the surface of the back surface of the substrate 301 is maintained as it is. At this time, the BSG film serves as a diffusion barrier to prevent n-type impurities from being diffused into the substrate.

결과적으로, 상기 마스크 패턴(302)이 제거된 부위에서는 n형 도핑층(307)만이 형성된다. 또한, 상기 BSG막(305)이 선택적으로 제거되어 p형 도핑층(304)이 노출된 부위에서는 기판(301) 후면의 표면 근처에는 n형 도핑층(307)이 형성되고, 그 하부에는 p형 도핑층(304)이 형성되어, 수직 구조상으로 n형 도핑층(307)과 p형 도핑층(304)이 중첩된 구조를 이루게 된다. 한편, n형 도핑층(307) 상에는 확산부산물층인 PSG막(308)이 형성되는데, 상기 PSG막(308) 및 잔존하는 BSG막(305)을 제거하면 본 발명의 일 실시예에 따른 p형 도핑층(304), n형 도핑층(307) 구조가 완성된다(도 5g 참조). As a result, only the n-type doped layer 307 is formed at the portion where the mask pattern 302 is removed. In addition, an n-type doping layer 307 is formed near the surface of the back surface of the substrate 301 at a portion where the BSG film 305 is selectively removed to expose the p-type doping layer 304, and a lower portion of the BSG film 305 is formed thereon. The doping layer 304 is formed to form a structure in which the n-type doping layer 307 and the p-type doping layer 304 overlap each other in a vertical structure. On the other hand, a PSG film 308, which is a diffusion byproduct layer, is formed on the n-type doping layer 307. When the PSG film 308 and the remaining BSG film 305 are removed, the p-type according to an embodiment of the present invention is removed. The structures of the doped layer 304 and the n-type doped layer 307 are completed (see FIG. 5G).

완성된 p형 도핑층(304)과 n형 도핑층(307)의 구조를 살펴보면, 제 1 계면에서는 n형 도핑층(307)이 점 패턴의 형태로 노출되고, 제 2 계면에서는 p형 도핑층(304)이 점 패턴의 형태로 노출되는 구조를 이루며, 이에 따라 제 1 계면에서는 p형 도핑층(304)의 표면적이 최대화되어 소수캐리어(정공)의 수집효율이 극대화되고 제 2 계면에서는 p형 도핑층(304)의 표면적이 최소화되어 소수캐리어인 정공이 기판(301) 표면의 결함과 재결합되는 것을 억제할 수 있게 된다. Looking at the structures of the completed p-type doping layer 304 and n-type doping layer 307, the n-type doping layer 307 is exposed in the form of a dot pattern at the first interface, the p-type doping layer at the second interface The structure 304 is exposed in the form of a dot pattern. Accordingly, the surface area of the p-type doping layer 304 is maximized at the first interface to maximize the collection efficiency of minority carriers (holes), and the p-type at the second interface. The surface area of the doped layer 304 can be minimized to suppress the recombination of holes with minority carriers with defects on the surface of the substrate 301.

상기 p형 도핑층(304)과 n형 도핑층(307)이 형성된 상태에서, 기판(301) 후면 상에 유전층(309)을 적층한다. 그런 다음, 상기 유전층(309)을 선택적으로 패터닝하여 상기 p형 도핑층(304) 및 n형 도핑층(307)을 국부적으로 예를 들어, 점 패턴의 형태로 노출시킨다(도 5h 참조). 이 때, 상기 p형 도핑층(304)이 노출되는 부위는 상기 점 패턴의 BSG막(305)이 구비된 위치에 상응하며, 상기 n형 도핑층(307)이 노출되는 부위는 상기 마스크 패턴(302)이 구비된 위치에 상응할 수 있다. In the state where the p-type doping layer 304 and the n-type doping layer 307 are formed, the dielectric layer 309 is stacked on the back surface of the substrate 301. The dielectric layer 309 is then selectively patterned to expose the p-type doped layer 304 and n-type doped layer 307 locally, for example in the form of a dot pattern (see FIG. 5H). In this case, a portion where the p-type doping layer 304 is exposed corresponds to a position where the BSG film 305 of the dot pattern is provided, and a portion where the n-type doping layer 307 is exposed is the mask pattern ( 302 may correspond to the location provided.

이와 같은 상태에서, 상기 노출된 p형 도핑층(304) 및 n형 도핑층(307) 상에 각각 p형 핑거전극(310), n형 핑거전극(311)을 형성한다(도 5i 참조). 이에 따라, 상기 기판(301) 후면 상에 p형 핑거전극(310)들과 n형 핑거전극(311)들이 열을 지어 형성되며, 상기 p형 핑거전극(310)의 열과 n형 핑거전극(311)의 열 상에 각각 p형 버스바 전극(312), n형 버스바 전극(313)을 형성하면(도 5j 참조) 본 발명의 일 실시예에 따른 후면전극형 태양전지의 제조방법은 완료된다.
In this state, p-type finger electrodes 310 and n-type finger electrodes 311 are formed on the exposed p-type doping layer 304 and n-type doping layer 307, respectively (see FIG. 5I). Accordingly, the p-type finger electrodes 310 and the n-type finger electrodes 311 are formed in a row on the back surface of the substrate 301, the rows of the p-type finger electrodes 310 and the n-type finger electrodes 311. When the p-type busbar electrode 312 and the n-type busbar electrode 313 are formed on the columns of (see FIG. 5J), the manufacturing method of the back-electrode solar cell according to the exemplary embodiment of the present invention is completed. .

301 : n형 기판 302 : 마스크 패턴
303 : p형 도핑소스 304 : p형 도핑층
305 : BSG막 306 : n형 도핑소스
307 : n형 도핑층 308 : PSG막
309 : 유전층 310 : p형 핑거전극
311 : n형 핑거전극 312 : p형 버스바 전극
313 : n형 버스바 전극301: n-type substrate 302: mask pattern
303: p-type doping source 304: p-type doping layer
305: BSG film 306: n-type doping source
307: n-type doped layer 308: PSG film
309 dielectric layer 310 p-type finger electrode
311 n-type finger electrode 312 p-type busbar electrode
313 n-type busbar electrode

Claims (10)

n형 결정질 실리콘 기판;
상기 기판의 후면 내부에 이웃하여 배치되는 p형 도핑층 및 n형 도핑층을 포함하여 이루어지며,
p형 도핑층 또는 n형 도핑층과 기판 내부의 경계면은 제 1 계면이고,
상기 기판 후면의 표면은 제 2 계면이며,
상기 제 1 계면에서 상기 n형 도핑층은 점 패턴의 형태로 노출되며,
상기 제 2 계면에서 상기 p형 도핑층은 점 패턴의 형태로 노출되며,
상기 제 1 계면에서 상기 p형 도핑층의 표면적은 n형 도핑층의 표면적보다 크며, 상기 제 2 계면에서 상기 n형 도핑층의 표면적은 p형 도핑층의 표면적보다 큰 것을 특징으로 하는 후면전극형 태양전지.
n-type crystalline silicon substrate;
It comprises a p-type doping layer and an n-type doping layer disposed adjacent to the inside of the back of the substrate,
The interface between the p-type doping layer or the n-type doping layer and the inside of the substrate is the first interface,
The surface of the back of the substrate is a second interface,
The n-type doped layer is exposed in the form of a dot pattern at the first interface,
At the second interface, the p-type doped layer is exposed in the form of a dot pattern,
The surface area of the p-type doped layer at the first interface is larger than the surface area of the n-type doped layer, and the surface area of the n-type doped layer at the second interface is larger than the surface area of the p-type doped layer. Solar cells.
삭제delete 제 1 항에 있어서, 상기 p형 도핑층과 n형 도핑층의 일부 영역은 중첩되는 구조를 이루며, 상기 일부 영역에서 상부에는 p형 도핑층이 구비되고, 하부에는 n형 도핑층이 구비되며,
상기 제 1 계면에서는 p형 도핑층이 수평적으로 확장된 형태를 이루고, 제 2 계면에서는 n형 도핑층이 수평적으로 확장된 형태를 이루는 것을 특징으로 하는 후면전극형 태양전지.
The method of claim 1, wherein a portion of the p-type doping layer and the n-type doping layer has an overlapping structure, the p-type doping layer is provided on the upper portion, the n-type doping layer is provided on the lower portion,
The p-type doped layer forms a horizontally extended form at the first interface, and the n-type doped layer forms a horizontally expanded form at the second interface.
제 1 항에 있어서, 상기 p형 도핑층 및 n형 도핑층을 포함한 기판 후면 상에 구비되는 유전층을 더 포함하며, 상기 유전층은 상기 p형 도핑층과 n형 도핑층을 각각 점 패턴의 형태로 노출되며, 상기 노출된 p형 도핑층과 n형 도핑층 상에 각각 p형 핑거전극과 n형 핑거전극이 구비되며, 상기 p형 핑거전극과 n형 핑거전극 상에는 각각 p형 버스바 전극과 n형 버스바 전극이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 후면전극형 태양전지.
The semiconductor device of claim 1, further comprising a dielectric layer provided on a rear surface of the substrate including the p-type doping layer and the n-type doping layer, wherein the dielectric layer comprises the p-type doping layer and the n-type doping layer in the form of a dot pattern, respectively. P-type finger electrodes and n-type finger electrodes are provided on the exposed p-type and n-type doped layers, respectively, and p-type busbar electrodes and n-type finger electrodes on the p-type and n-type finger electrodes, respectively. Back electrode type solar cell, characterized in that the bus bar electrode is further provided.
n형 결정질 실리콘 기판을 준비하는 단계;
상기 기판의 후면 상에 점 패턴의 마스크 패턴을 일정 간격을 두고 형성하는 단계;
상기 기판의 후면 상에 p형 도핑소스를 도포하는 단계;
상기 기판을 열처리하여, 기판 후면 내부에 p형 도핑층을 형성함과 함께 p형 도핑층 상에 확산부산물층을 형성하는 단계;
상기 마스크 패턴을 제거하여 p형 도핑층이 형성되지 않은 기판을 노출시킴과 함께 상기 확산부산물층을 점 패턴의 형태로 패터닝하여 p형 도핑층의 일부를 노출시키는 단계;
상기 점 패턴의 확산부산물층을 포함한 기판 후면 상에 n형 도핑소스를 도포하는 단계; 및
상기 기판을 열처리하여 마스크 패턴이 제거된 부위에 n형 도핑층을 형성함과 함께, 상기 노출된 p형 도핑층의 일부 두께를 n형 도핑층으로 전환시키는 단계를 포함하여 이루어지며,
상기 확산부산물층은 n형 도핑소스가 기판 내부로 확산되는 것을 방지하는 역할을 하는 것을 특징으로 하는 후면전극형 태양전지의 제조방법.
preparing an n-type crystalline silicon substrate;
Forming a mask pattern of a dot pattern at a predetermined interval on a rear surface of the substrate;
Applying a p-type doping source on the back side of the substrate;
Heat-treating the substrate to form a p-type doping layer inside the substrate backside and to form a diffusion byproduct layer on the p-type doping layer;
Removing the mask pattern to expose the substrate on which the p-type doping layer is not formed, and patterning the diffusion byproduct layer in the form of a dot pattern to expose a portion of the p-type doping layer;
Applying an n-type doping source on the back surface of the substrate including the dot pattern diffusion byproduct layer; And
And heat-treating the substrate to form an n-type doped layer in a portion where the mask pattern is removed, and converting a part of the exposed p-type doped layer into an n-type doped layer,
The diffusion byproduct layer is a manufacturing method of a back-electrode solar cell, characterized in that the role of preventing the n-type doping source is diffused into the substrate.
제 5 항에 있어서, p형 도핑층 또는 n형 도핑층과 기판 내부의 경계면은 제 1 계면이고, 상기 기판 후면의 표면은 제 2 계면이며,
상기 제 1 계면에서 상기 n형 도핑층은 점 패턴의 형태로 노출되며, 상기 제 2 계면에서 상기 p형 도핑층은 점 패턴의 형태로 노출되는 것을 특징으로 하는 후면전극형 태양전지의 제조방법.
The method of claim 5, wherein the interface between the p-type doping layer or the n-type doping layer and the inside of the substrate is a first interface, the surface of the back surface of the substrate is a second interface,
The n-type doped layer is exposed in the form of a dot pattern at the first interface, the p-type doped layer is exposed in the form of a dot pattern at the second interface.
제 5 항에 있어서, 상기 p형 도핑층과 n형 도핑층의 일부 영역은 중첩되는 구조를 이루며, 상기 일부 영역에서 상부에는 p형 도핑층이 구비되고, 하부에는 n형 도핑층이 구비되며,
상기 제 1 계면에서는 p형 도핑층이 수평적으로 확장된 형태를 이루고, 제 2 계면에서는 n형 도핑층이 수평적으로 확장된 형태를 이루는 것을 특징으로 하는 후면전극형 태양전지의 제조방법.
The method of claim 5, wherein a portion of the p-type doped layer and the n-type doped layer has an overlapping structure, the p-type doped layer is provided on the upper portion, the n-type doping layer is provided on the lower portion,
The p-type doped layer forms a horizontally extended form at the first interface, the n-type doped layer forms a horizontally expanded form at the second interface.
제 5 항에 있어서,
상기 p형 도핑층 및 n형 도핑층 상에 유전층을 형성하는 단계와,
상기 유전층을 선택적으로 패터닝하여 상기 p형 도핑층과 n형 도핑층을 국부적으로 노출시키는 단계와,
상기 노출된 p형 도핑층과 n형 도핑층 상에 각각 p형 핑거전극, n형 핑거전극을 형성하는 단계와,
상기 p형 핑거전극과 n형 핑거전극 상에 각각 p형 버스바 전극, n형 버스바 전극을 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 후면전극형 태양전지의 제조방법.
The method of claim 5, wherein
Forming a dielectric layer on the p-type and n-type doped layers,
Selectively patterning the dielectric layer to locally expose the p-type and n-type doped layers;
Forming p-type finger electrodes and n-type finger electrodes on the exposed p-type and n-type doped layers, respectively;
And forming a p-type busbar electrode and an n-type busbar electrode on the p-type finger electrode and the n-type finger electrode, respectively.
제 8 항에 있어서, 상기 p형 도핑층이 노출되는 부위는 상기 점 패턴의 확산부산물층이 구비된 위치에 상응하며, 상기 n형 도핑층이 노출되는 부위는 상기 마스크 패턴이 구비된 위치에 상응한 것을 특징으로 하는 후면전극형 태양전지의 제조방법.
The method of claim 8, wherein the portion of the p-type doped layer is exposed to correspond to the position where the diffusion byproduct layer of the dot pattern is provided, and the portion of the n-type doped layer is exposed to correspond to the position of the mask pattern. Method for producing a back-electrode solar cell, characterized in that.
제 5 항에 있어서, 상기 p형 도핑소스 또는 n형 도핑소스는 페이스트(paste) 또는 스프레이 형태로 도포하거나 화학기상증착법을 통해 증착하는 것을 특징으로 하는 후면전극형 태양전지의 제조방법.
The method of claim 5, wherein the p-type doping source or the n-type doping source is applied in the form of a paste or spray or deposited by chemical vapor deposition.
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