KR101323661B1 - Subtrate processing appartus and method using same - Google Patents

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KR101323661B1
KR101323661B1 KR1020130058740A KR20130058740A KR101323661B1 KR 101323661 B1 KR101323661 B1 KR 101323661B1 KR 1020130058740 A KR1020130058740 A KR 1020130058740A KR 20130058740 A KR20130058740 A KR 20130058740A KR 101323661 B1 KR101323661 B1 KR 101323661B1
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조병진
이상훈
최해선
이병선
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주식회사 고려반도체시스템
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Abstract

The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method comprising: a stage where multiple settlement protrusions are protruding from the upper side thereof; a first support plate; a laser beam irradiator; and a first mobile unit. Penetration holes, which the settlement protrusions are penetrated through, are arranged in the first support plate. Multiple settlement pins are protruding between the penetration holes, and installed to be movable up and down. The first support plate is positioned in a first location of a state where the penetration hole passes through the settlement protrusion before a substrate is mounted on the settlement protrusion. The laser beam irradiator cuts the substrate to multiple split substrates by irradiating, with a laser beam, the substrate which is mounted on the settlement protrusion of the stage. The first mobile unit moves the support plate toward a second position outside the stage by moving the support plate up and down and back and forth. The processing of the split substrates and the removal process of scrap are performed after the first support plate moves to a position, which is far from the stage, by the first mobile unit while a laser cutting process of a new substrate is performed by using a second support plate. Are provided a substrate processing apparatus and a method, which improve efficiency of a process by performing the processing of substrates continuously without a rest.

Description

기판 처리 장치 및 방법 {SUBTRATE PROCESSING APPARTUS AND METHOD USING SAME}Substrate Processing Apparatus and Method {SUBTRATE PROCESSING APPARTUS AND METHOD USING SAME}

본 발명은 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판의 레이저 커팅 공정에 발생되는 스크랩에 커팅된 분할 기판이 손상되거나 오염되는 것을 방지하면서, 스테이지 상에 떨어지는 스크랩을 제거하는 데 소요되는 시간 만큼 처리 공정이 지연되는 문제를 해결한 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a substrate processing apparatus and method, and more particularly, to remove scrap falling on a stage while preventing the divided substrate cut into the scrap generated in the laser cutting process of the substrate from being damaged or contaminated. The present invention relates to a substrate processing apparatus and method that solve the problem of delayed processing by time.

최근 스마트폰의 보급에 따라 휴대용 전화기, 패블릿 PC, 테블릿 PC 등 다양한 모바일 기기가 출시되어 사용되고 있다. 모바일 기기의 디스플레이 장치는 유리 등의 투명 기판에 의하여 덮힌 상태로 설치되는데, 모바일 기기의 디스플레이 장치는 대략 3인치 내지 10.1인치로 작게 형성되므로, 대형 투명 기판을 다수로 분할 커팅하여 모바일 기기에 사용될 수 있게 제작한다. Recently, various mobile devices such as a portable telephone, a tablet PC, and a tablet PC have been introduced and used in accordance with the spread of smart phones. The display device of the mobile device is installed in a state covered by a transparent substrate such as glass. Since the display device of the mobile device is formed to be about 3 inches to 10.1 inches small, the display device of the mobile device can be cut and cut into a large number of large transparent substrates and used for the mobile device. I make it.

이를 위하여, 도1a 및 도1b에 도시된 바와 같이 종래의 기판 처리 장치(1)는 스테이지(10)의 상면에 돌출된 거치 돌기(11) 상에 대형 기판(G)을 거치시키고, 제어부(30)의 지령에 따라 레이저빔 조사기(20)로부터 조사되는 레이저 빔(B)이 대형 기판(G)의 절단 라인(L)을 따라 이동하도록 스테이지(10)를 이동(10x, 10y)시켜, 대형 기판(G)으로부터 미리 정해진 크기의 분할 기판(Gx)을 제작하였다. To this end, as shown in FIGS. 1A and 1B, the conventional substrate processing apparatus 1 mounts the large substrate G on the mounting protrusion 11 protruding from the upper surface of the stage 10, and controls the controller 30. The stage 10 is moved (10x, 10y) so that the laser beam B irradiated from the laser beam irradiator 20 moves along the cutting line L of the large substrate G according to the command of From (G), the division board | substrate Gx of a predetermined magnitude | size was produced.

또는, 도3에 도시된 바와 같이, 평탄한 스테이지(10) 상에 레이저 빔(B)이 조사되는 경로를 따라 홈(51)이 요입 형성된 블록(50)을 거치시키고, 블록(50) 상에 대형 기판(G)을 거치시킨 상태에서, 레이저빔 조사기(20)로부터 조사되는 레이저 빔(B)이 예정된 홈(51)의 경로를 따라 이동하면서, 기판(G)을 예정된 크기의 분할 기판(Gx)으로 커팅하도록 구성된다. Alternatively, as shown in FIG. 3, a block 50 in which the groove 51 is recessed is mounted along the path where the laser beam B is irradiated on the flat stage 10, and the block 50 is formed on the block 50. In the state where the substrate G is mounted, the laser beam B irradiated from the laser beam irradiator 20 moves along the path of the predetermined groove 51 while moving the substrate G into the divided substrate Gx having a predetermined size. It is configured to cut into.

그러나, 상기와 같이 구성된 종래의 기판 처리 장치(1)는 도2a에 도시된 바와 같이 스테이지(10)의 거치 돌기(11) 상에 대형 기판(G)을 거치시킨 상태에서 미리 정해진 절단 라인(L)을 따라 레이저 빔(B)을 조사하여 분할 기판(Gx)으로 절단하면, 도2b에 도시된 바와 같이 대형 기판(G) 중 분할 기판(Gx)이 되지 않는 영역으로 이루어진 스크랩(S)이 스테이지(10) 상에 남게 된다. 일반적으로 스테이지(10)는 안정적인 기판(G)의 거치를 위하여 석(石) 정반 형태로 형성되므로, 스테이지(10)를 이동시키는 것은 대단히 어렵다. However, the conventional substrate processing apparatus 1 configured as described above has a predetermined cutting line L in a state in which a large substrate G is mounted on the mounting protrusion 11 of the stage 10 as shown in FIG. 2A. When the laser beam B is irradiated and cut into the divided substrates Gx, a scrap S made of a region in which the large substrates G do not become the divided substrates Gx as shown in FIG. 2B is staged. It remains on (10). In general, since the stage 10 is formed in the shape of a stone plate for mounting a stable substrate G, it is very difficult to move the stage 10.

따라서, 도2b에 도시된 바와 같이 스테이지(10) 상의 대형 기판(G) 상에 버려질 스트랩(S)이 산재한 상태에서, 이송 아암(미도시)이 스테이지(10)의 거치 돌기(11) 상에 거치된 분할 기판(Gx)을 파지하여 그 다음 공정으로 이송시키고, 스테이지(11) 상에 산재된 스크랩(S)을 제거하는 공정을 행하게 된다. 대략 스테이지(11) 상에 잔류하는 스크랩(S)을 제거하고 완전히 깨끗한 상태로 만드는 데에는 기판(G)의 크기에 따라 6분 내지 12분 정도 소요된다. 한편, 스테이지(11) 상에 잔류하는 스크랩(S)을 브러쉬만으로 쓸어 제거하는 경우에는 1분 내지 10분정도로 짧은 시간이 소요되지만, 이 경우에는 스테이지(10) 상에 스크랩(S)이 잔류하여 기판(G)을 손상시킬 가능성이 존재하는 문제가 있다.Therefore, as shown in FIG. 2B, in the state in which the strap S to be discarded is disposed on the large substrate G on the stage 10, the transfer arm (not shown) is placed on the mounting protrusion 11 of the stage 10. The divided substrate Gx mounted on the substrate is gripped and transferred to the next process, and the process of removing the scrap S scattered on the stage 11 is performed. It takes about 6 to 12 minutes to remove the scrap S remaining on the stage 11 and bring it to a completely clean state, depending on the size of the substrate G. On the other hand, when the scrap S remaining on the stage 11 is removed by sweeping only with a brush, a short time takes about 1 to 10 minutes. In this case, the scrap S remains on the stage 10. There is a problem that the possibility of damaging the substrate G exists.

이와 같이 종래의 기판 처리 장치(1)는 대형 투명 기판(G)을 레이저 빔(B)으로 절단하고, 그 다음에 절단할 투명 기판(G)을 스테이지(10) 상에 다시 공급하는 데에는, 스테이지(10) 상에 잔재하는 버려질 스크랩(S)을 깨끗하게 제거하는 시간 만큼 공정이 지연되므로, 전체적인 기판 처리 공정의 효율이 낮아지는 문제가 야기되었다. 또한, 스테이지(10) 상에 잔재하는 스크랩(S)을 충분히 깨끗하게 제거하지 않는 경우에는, 그 다음에 공급되어 레이저 빔(B)에 의하여 커팅되는 기판(G)을 손상시키는 문제도 야기되었다.
Thus, the conventional substrate processing apparatus 1 cut | disconnects the large transparent substrate G with the laser beam B, and supplies the transparent substrate G to be cut | disconnected on the stage 10 again, a stage, Since the process is delayed by a time for cleanly removing the scrap S to be left on (10), the problem of lowering the efficiency of the overall substrate processing process is caused. In addition, when the scrap S remaining on the stage 10 is not removed sufficiently cleanly, a problem arises that damages the substrate G which is then supplied and cut by the laser beam B. FIG.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은, 기판의 레이저 커팅 공정에서 발생되는 스크랩에 커팅된 분할 기판이 손상되거나 오염되는 것을 방지하면서도, 스테이지 상에 잔재하는 스크랩을 제거하는 데 소요되는 시간 만큼 처리 공정이 지연되는 문제를 동시에 해결한 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
In order to solve the above problems, the present invention, while preventing the damage or contamination of the divided substrate cut in the scrap generated in the laser cutting process of the substrate, as long as it takes to remove the scrap remaining on the stage It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus and method which simultaneously solves the problem of delayed processing.

본 발명은 상술한 바의 목적을 달성하기 위하여, 다수의 거치 돌기가 상면으로부터 돌출 형성된 스테이지와; 상기 거치 돌기가 관통하는 관통공이 배열 형성되고, 상기 관통공의 사이에 다수의 거치 핀이 돌출 형성되고, 상하로 이동 가능하게 설치되어, 상기 거치 돌기에 기판이 거치되기 이전에 상기 관통공이 상기 거치 돌기를 관통한 상태의 제1위치에 위치하는 제1서포트 플레이트와; 상기 스테이지의 상기 거치 돌기 상에 거치된 기판에 레이저 빔이 조사하여 상기 기판을 다수의 분할 기판으로 절단하는 레이저빔 조사기와; 상기 서포트 플레이트를 상하 전후 방향으로 이동시켜, 상기 스테이지의 바깥의 제2위치로 이동시키는 제1이동 유닛을; 포함하여 구성된 기판 처리 장치를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a light emitting device comprising: a stage in which a plurality of mounting protrusions protrude from an upper surface thereof; Through holes through which the mounting protrusions are arranged are formed, and a plurality of mounting pins are formed to protrude between the through holes, and are installed to be movable up and down, and the through holes are mounted before the substrate is mounted on the mounting protrusions. A first support plate positioned at a first position in a state of penetrating the protrusion; A laser beam irradiator for irradiating a substrate mounted on the mounting protrusion of the stage to cut the substrate into a plurality of divided substrates; A first moving unit which moves the support plate in a vertical direction, and moves to a second position outside of the stage; It provides a substrate processing apparatus configured to include.

이는, 대형 기판이 종래에 스테이지 상에 곧바로 얹혀져 레이저 커팅됨에 따라 대형 기판으로부터 버려질 기판의 일부분인 스크랩이 스테이지 상에 잔류함에 따라, 스테이지로부터 스크랩을 제거하는 시간 만큼 공정이 지연되던 것과 달리, 스테이지의 거치 돌기를 관통시키는 관통공이 형성되어 스테이지의 거치 돌기에 끼워진 상태로 제1서포트 플레이트를 스테이지 상에 위치시킨 상태에서, 기판을 스테이지의 거치 돌기 상에 거치시킨 상태로 레이저 커팅 공정을 행함에 따라, 기판으로부터 잘려진 스크랩을 제1서포트 플레이트 상에 잔류시키도록 유도하여, 분할 기판의 처리 및 스크랩의 제거 공정은 제1서포트 플레이트가 제1이동 유닛에 의하여 스테이지로부터 벗어난 위치로 이동한 이후에 행해지고, 그 동안 새로운 기판의 레이저 커팅 공정이 행해질 수 있도록 함으로써, 기판의 처리 공정이 쉼없이 연속적으로 행해질 수 있도록 하여 공정의 효율을 보다 향상시킬 수 있도록 하기 위함이다. This is because the stage is delayed by the time to remove the scrap from the stage, as scrap, which is part of the substrate to be discarded from the large substrate, remains on the stage as the large substrate is conventionally placed directly on the stage and laser cut. Through-holes are formed to penetrate the mounting protrusions of the stage, and the first support plate is placed on the stage while being fitted to the mounting protrusions of the stage. To induce the scrap cut from the substrate to remain on the first support plate, so that the processing of the divided substrate and the scrap removing process are performed after the first support plate is moved out of the stage by the first moving unit, In the meantime, the laser cutting process In order to be carried out, the processing of the substrate can be carried out continuously without a break so that the efficiency of the process can be further improved.

이 때, 상기 거치 핀은 상기 분할 기판을 지지하는 위치에 배열되어, 레이저 빔에 의하여 대형 기판이 커팅된 이후에, 제1서포트 플레이트가 스테이지의 상측으로 이동할 때에, 거치 돌기에 지지되어 있던 분할 기판이 거치 핀에 의해 지지되도록 한다. 이를 통해, 제1서포트 플레이트가 스테이지 상에 위치하는 제1위치로부터 스테이지로부터 벗어나는 제2위치로 이동하더라도, 제1서포트 플레이트의 거치 핀에 의하여 분할 기판이 균형을 잃지 않고 제 위치에서 정확하게 지지될 수 있게 된다.At this time, the mounting pin is arranged at a position supporting the divided substrate, and after the large substrate is cut by the laser beam, when the first support plate moves to the upper side of the stage, the divided substrate was supported by the mounting protrusion. It is supported by this mounting pin. In this way, even if the first support plate moves from the first position on the stage to the second position away from the stage, the splitting substrate of the first support plate can be accurately supported in position without losing balance. Will be.

한편, 상기 제1서포트 플레이트는 상기 관통공의 위치는 동일하고, 상기 거치 핀의 위치가 상이하게 배열된 것으로 교체 가능하게 형성될 수 있다. 이를 통해, 일반적으로 무거운 석(石) 재질 또는 알루미늄 등의 재질로 이루어진 스테이지를 교체하지 않고서도, 거치 핀의 배열 형태가 다른 제1서포트 플레이트로 교체하는 것에 의하여, 다양한 크기의 분할 기판으로 커팅하여 처리할 수 있는 공정을 행할 수 있게 된다.On the other hand, the first support plate is the position of the through hole is the same, the position of the mounting pin may be formed to be replaced with a different arrangement. In this way, by replacing with a first support plate of a different arrangement of the mounting pins, without replacing the stage made of a material such as heavy stone or aluminum in general, by cutting into a divided substrate of various sizes The process which can be processed can be performed.

본 발명은 상기 스테이지로부터 상기 제1서포트 플레이트가 이송되면, 상기 제1서포트 플레이트에 거치된 상기 분할 기판을 후속 공정으로 이송하는 이송 아암을; 더 포함하여 구성될 수 있다. The present invention provides a transfer arm for transferring the split substrate mounted on the first support plate to a subsequent process when the first support plate is transferred from the stage; And the like.

그리고, 상기 제1서포트 플레이트에 거치되어 있던 상기 분할 기판이 후속 공정으로 이송되면, 상기 제1서포트 플레이트 상에 남아 있는 스크랩을 제거하는 스크랩 제거 유닛을 더 포함하여 구성될 수 있다. 이 때, 상기 스크랩 제거 유닛은 상기 제1서포트 플레이트를 경사지게 기울여, 상기 제1서포트 플레이트 상에 거치되어 있던 스크랩을 하측에 위치한 트래이로 붓는 것에 의하여, 제1서포트 플레이트 상의 스크랩을 제거하도록 구성될 수 있다. In addition, when the divided substrate mounted on the first support plate is transferred to a subsequent process, the scrap removal unit may further include a scrap removal unit for removing scrap remaining on the first support plate. At this time, the scrap removal unit may be configured to remove the scrap on the first support plate by tilting the first support plate inclined, and pouring the scraps mounted on the first support plate to a tray located below. have.

한편, 상기 스테이지의 거치 돌기 중 일부 이상에는 흡입공이 형성되어, 레이저 빔에 의하여 커팅 공정이 행해지는 동안에 상기 기판이 상기 거치 돌기에 흡입 고정될 수 있다. 이를 통해, 커팅되는 대형 기판이 커팅 공정 중에 그리고 커팅이 종료된 이후에도 요동없이 제 위치에 위치할 수 있다. Meanwhile, a suction hole is formed in at least a part of the mounting protrusions of the stage, and the substrate may be suction-fixed to the mounting protrusions while the cutting process is performed by the laser beam. This allows the large substrate to be cut to be in place without shaking during the cutting process and even after the cutting is finished.

이 때, 레이저 빔에 의하여 상기 기판이 커팅되는 동안에, 상기 거치 핀은 상기 기판의 저면에 접촉한 상태로 위치할 수도 있다. 이에 의하여, 분할 기판이 거치 핀에 의하여 보다 많은 지점에서 지지될 수 있고, 커팅 공정이 종료된 이후에 운반할 때에도 보다 안정되게 분할 기판을 지지할 수 있다.At this time, while the substrate is being cut by the laser beam, the mounting pin may be positioned in contact with the bottom surface of the substrate. Thereby, the split substrate can be supported at more points by the mounting pins, and the split substrate can be supported more stably even when transporting after the cutting process is finished.

본 발명에 따른 기판 처리 장치는 상기 레이저 빔이 상기 기판의 정해진 위치를 따라 조사되도록 상기 레이저 빔을 전후 좌우로 이동시키는 레이저빔 이송부를; 더 포함하여 구성될 수 있다. 즉, 레이저빔 조사기의 위치가 고정되고 스테이지가 이동하면서 기판의 커팅 공정이 이루어질 수도 있지만, 기판을 안정되게 지지하기 위하여 스테이지의 중량이 큰 경우에는, 레이저빔 조사기를 이동시키면서 기판을 커팅하는 것이 바람직하다.According to an aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus including a laser beam transfer unit configured to move the laser beam back, forth, and left and right so that the laser beam is irradiated along a predetermined position of the substrate; And the like. That is, although the position of the laser beam irradiator is fixed and the stage may be cut while the stage moves, in order to stably support the substrate, it is preferable to cut the substrate while moving the laser beam irradiator when the weight of the stage is large. Do.

그리고, 상기 제1서포트 플레이트가 상기 스테이지로부터 멀어지면, 또 다른 제2서포트 플레이트가 상기 스테이지의 상측에 위치하도록 이송되어, 그 다음의 기판에 대하여 레이저 커팅 공정이 곧바로 행해지도록 구성된다. 이를 통해, 하나의 스테이지에 대하여 기판의 커팅 공정이 쉼 없이 연속적으로 행해질 수 있다. When the first support plate is moved away from the stage, another second support plate is transferred so as to be positioned above the stage, and the laser cutting process is immediately performed on the next substrate. Through this, the cutting process of the substrate may be continuously performed for one stage without a break.

한편, 본 발명은, 제1서포트 플레이트가 스테이지로부터 멀어지게 이송되도록 구성될 수 있지만, 이와 반대로 스테이지가 제1서포트 플레이트로부터 멀어지도록 이송될 수도 있다.
Meanwhile, the present invention may be configured such that the first support plate is transported away from the stage, but on the contrary, the stage may be transported away from the first support plate.

한편, 발명의 다른 분야에 따르면, 본 발명은, 다수의 거치 돌기가 상면으로부터 돌출 형성된 스테이지를 준비하는 스테이지 준비단계와; 다수의 거치 핀이 상면에 형성된 제1서포트 플레이트의 관통공이 상기 거치 돌기를 관통시킨 위치로, 상기 제1서포트 플레이트를 상기 스테이지 상에 위치시키는 서포트 플레이트 위치단계와; 상기 거치 돌기 상에 커팅될 기판을 거치시키는 기판 거치 단계와; 레이저 빔을 조사하여 상기 기판을 다수의 분할 기판으로 커팅하는 기판 커팅 단계와; 상기 분할 기판이 상기 제1서포트 플레이트의 상기 거치 핀에 지지된 상태가 되도록 상기 제1서포트 플레이트의 저면이 상기 거치 돌기의 선단보다 높은 위치가 되도록 상기 제1서포트 플레이트를 상방 이동시키는 제1이동 단계와; 상기 제1서포트 플레이트가 상기 스테이지의 상측에 위치하지 않는 위치로, 상기 제1서포트 플레이트와 상기 스테이지 중 어느 하나 이상을 이동시키는 제2이동단계를; 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법을 제공한다.On the other hand, according to another field of the invention, the present invention, a stage preparation step of preparing a stage formed with a plurality of mounting projections protruding from the upper surface; A support plate positioning step of positioning the first support plate on the stage in a position where the through holes of the first support plate having a plurality of mounting pins formed thereon pass through the mounting protrusions; A substrate mounting step of mounting a substrate to be cut on the mounting protrusion; A substrate cutting step of cutting the substrate into a plurality of divided substrates by irradiating a laser beam; A first moving step of moving the first support plate upward so that the bottom surface of the first support plate is higher than the tip of the mounting protrusion so that the divided substrate is supported by the mounting pin of the first support plate; Wow; A second moving step of moving at least one of the first support plate and the stage to a position where the first support plate is not located above the stage; It provides a substrate processing method comprising a.

이 때, 상기 제2이동단계 이후에, 상기 제1서포트 플레이트 상에 거치된 상기 분할 기판을 후속 공정으로 이송시키는 분할기판 이송단계와; 상기 제1서포트 플레이트 상에 잔류하는 스크랩을 제거하는 스크랩 제거단계를; 추가적으로 포함하여 구성된다. At this time, after the second moving step, the divided substrate transfer step of transferring the divided substrate mounted on the first support plate in a subsequent process; A scrap removing step of removing scrap remaining on the first support plate; It is configured to include additionally.

그리고, 상기 분할기판 이송단계와, 상기 스크랩 제거단계가 진행되는 동안에, 새로운 제2서포트 플레이트에 대하여 상기 서포트 플레이트 위치단계가 행해진다. 이에 의하여, 기판의 커팅 공정이 쉼 없이 연속적으로 행해질 수 있게 되므로, 기판 처리 공정의 효율이 보다 향상되는 유리한 효과를 얻을 수 있다.The support plate positioning step is performed with respect to the new second support plate while the divider substrate transfer step and the scrap removing step are in progress. Thereby, since the cutting process of a board | substrate can be performed continuously without a break, the advantageous effect that the efficiency of a board | substrate processing process can be improved more can be acquired.

또한, 상기 기판 거치 단계와 상기 기판 커팅 단계의 사이에, 상기 기판을 미리 정해진 자세로 정렬시키는 기판 정렬 단계를 더 포함할 수 있다.The method may further include a substrate alignment step of aligning the substrate in a predetermined posture between the substrate mounting step and the substrate cutting step.

그리고, 상기 기판 정렬 단계가 행해진 이후에, 상기 거치 돌기 중 일부 이상에 형성된 흡입구에 흡입압을 인가하여 상기 기판을 상기 거치 돌기 상에서 위치 고정시키는 기판 위치 고정 단계를; 더 포함하여 구성될 수 있다.And a substrate position fixing step of applying a suction pressure to a suction hole formed in at least part of the mounting protrusions to fix the substrate on the mounting protrusions after the substrate alignment step is performed; And the like.

이 때, 상기 서포트 플레이트는 상기 분할 기판의 치수에 따라 교체될 수 있다. 이를 통해, 다양한 치수의 분할 기판을 하나의 스테이지 상에서 처리 할 수 있는 잇점이 얻어진다.At this time, the support plate may be replaced according to the dimensions of the divided substrate. This yields the advantage of processing divided substrates of various dimensions on one stage.

그리고, 상기 기판 커팅 단계가 행해지는 동안에 상기 거치 핀은 상기 기판의 저면에 접촉한 상태로 위치할 수 있다.The mounting pin may be in contact with a bottom surface of the substrate while the substrate cutting step is performed.

또한, 상기 기판 커팅 단계는 상기 레이저 빔이 상기 기판의 정해진 위치를 따라 조사되도록 상기 레이저 빔이 전후 좌우로 이동하면서 상기 기판을 다수의 분할 기판으로 커팅하도록 구성될 수 있다.The cutting of the substrate may be configured to cut the substrate into a plurality of divided substrates while the laser beam moves back and forth and left and right so that the laser beam is irradiated along a predetermined position of the substrate.

본 명세서 및 특허청구범위에 기재된 '거치 핀'이라는 용어는 서포트 플레이트의 판면으로부터 돌출되어 기판 또는 분할 기판을 거치하기 위한 구성 요소를 지칭하는 것으로, 그 단면이 원형이거나 사각형, 육각형 등 다양한 형상을 포함하는 것으로 정의한다. 또한, 본 명세서 및 특허청구범위에 기재된 '거치 핀'이라는 용어는 기판 또는 분할 기판을 지지하는 면이 곡면, 평탄면 또는 뾰족한 면으로 형성되는 모든 구성을 포함하는 것의로 정의한다.
The term 'curing pin' described in the present specification and claims refers to a component for protruding from the plate surface of the support plate to mount the substrate or the divided substrate, and the cross section includes various shapes such as a circle, a square, a hexagon, and the like. To be defined. In addition, the term "coating pin" described in the present specification and claims is defined as including all configurations in which the surface supporting the substrate or the divided substrate is formed into a curved surface, a flat surface or a pointed surface.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명은, 스테이지의 거치 돌기를 관통시키는 관통공이 형성되어 스테이지의 거치 돌기에 끼워진 상태로 제1서포트 플레이트를 스테이지 상에 위치시킨 상태에서, 기판을 스테이지의 거치 돌기 상에 거치시킨 상태로 레이저 커팅 공정을 행함에 따라, 기판으로부터 잘려진 스크랩을 제1서포트 플레이트 상에 잔류시키도록 유도하여, 분할 기판의 처리 및 스크랩의 제거 공정은 제1서포트 플레이트가 제1이동 유닛에 의하여 스테이지로부터 벗어난 위치로 이동한 이후에 행해지고, 그 동안 새로운 기판의 레이저 커팅 공정이 또 다른 제2서포트 플레이트를 이용하여 행해질 수 있도록 함으로써, 기판의 처리 공정이 쉼없이 연속적으로 행해질 수 있도록 하여 공정의 효율을 보다 향상시키는 유리한 효과를 얻는다. As described above, in the present invention, the substrate is placed on the mounting protrusion of the stage in a state in which a through hole for penetrating the mounting protrusion of the stage is formed and the first support plate is positioned on the stage while being fitted into the mounting protrusion of the stage. As the laser cutting process is carried out in a stationary state, the scrap cut from the substrate is induced to remain on the first support plate, so that the process of processing the divided substrate and removing the scrap is performed by the first moving unit by the first moving unit. It is carried out after moving to a position off the stage, and during this time, the laser cutting process of the new substrate can be performed using another second support plate, so that the substrate processing process can be carried out continuously without stopping. It is possible to obtain an advantageous effect of further improving.

또한, 본 발명은 스테이지 상에서 커팅 공정이 이루어진 상태에서, 커팅 공정에 의해 발생되는 부산물인 스크랩 및 생성물인 분할 기판을 스테이지에 비하여 상대적으로 가벼운 서포트 플레이트에 의하여 스테이지의 바깥으로 이동하도록 구성함에 따라, 제1서포트 플레이트를 뒤집는 등에 의하여 스크랩을 처리하는 공정이 보다 용이해지는 잇점도 얻어진다. In addition, the present invention is configured to move to the outside of the stage by a support plate, which is relatively lighter than the stage in the state of the cutting process on the stage, the scrap and by-product split substrate generated by the cutting process relative to the stage, The advantage that the process of processing a scrap becomes easier by turning over a support plate etc. is also acquired.

그리고, 본 발명은 기판의 커팅 공정 중에 기판을 거치 돌기의 흡입구를 통해 흡입 고정함에 따라 커팅 공정 중에 제자리에 보다 확실하게 위치시킬 수 있는 잇점이 얻어진다. In addition, the present invention obtains the advantage of more securely positioning in place during the cutting process by suction-fixing the substrate through the suction port of the mounting projection during the cutting process of the substrate.

또한, 본 발명은 스테이지의 거치 돌기의 배열을 종래에 비하여 보다 성하게 하고, 서포트 플레이트의 거치 핀으로 기판을 지지하도록 구성함에 따라, 무겁고 고가인 스테이지를 교체하지 않고, 그 대신 저렴하고 가벼운 서포트 플레이트를 교체하는 것에 의하여, 하나의 기판 처리 장치로 다양한 기판의 분할 형태로 레이저 커팅 공정을 행할 수 있는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In addition, the present invention is to make the arrangement of the mounting projections of the stage more than conventional, and to support the substrate with the mounting pins of the support plate, without replacing the heavy and expensive stage, instead of cheap and light support plate By replacing the, it is possible to obtain an advantageous effect of performing the laser cutting process in the divided form of the various substrates in one substrate processing apparatus.

그리고, 본 발명은 기판 커팅 공정에서 부산물로 발생되는 스크랩의 제거 공정이 레이저 커팅 공정이 행해지는 스테이지로부터 격리된 제2위치에서 행해짐에 따라, 스크랩 제거 공정에서 나오는 미세한 파티클 등이 레이저 커팅 공정을 행하는 레이저 빔 조사기와 스테이지 등의 구성 요소에 영향을 주는 것을 최소화할 수 있다. 이에 의하여, 레이저 커팅 공정이 신뢰성있게 행해질 수 있게 된다.
In the present invention, since the scrap removal process generated as a by-product in the substrate cutting process is performed at a second position isolated from the stage where the laser cutting process is performed, the fine particles or the like from the scrap removing process perform the laser cutting process. Influence on components such as the laser beam irradiator and the stage can be minimized. Thereby, the laser cutting process can be performed reliably.

도1a은 종래의 레이저빔을 이용한 기판 커팅 공정을 위한 기판 처리 장치의 구성을 도시한 사시도,
도1b는 도1a의 정면도,
도2a는 도1b의 'A'부분의 확대도,
도2b는 기판이 커팅되어 분할된 상태를 도시한 확대도,
도3은 종래의 레이저빔을 이용한 기판 커팅 공정을 위한 다른 형태의 기판 처리 장치의 구성을 도시한 도면,
도4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 구성을 도시한 평면도,
도5는 도4의 측면도,
도6은 도4의 'B'부분의 확대도,
도7은 도5의 'C'부분의 확대도,
도8a 내지 도8h는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 순차적으로 도시한 도면,
도9는 도8e의 'D'부분의 확대도,
도10은 서포트 플레이트에 쌓인 스크랩을 제거하는 다른 실시 형태의 구성을 도시한 도면,
도11a는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 서포트 플레이트의 구성을 도8e의 'E'부분으로 도시한 도면,
도11b는 도11a의 서포트 플레이트에 스테이지의 거치 돌기가 삽입된 상태를 도시한 도면이다.
Figure 1a is a perspective view showing the configuration of a substrate processing apparatus for a substrate cutting process using a conventional laser beam,
1B is a front view of FIG. 1A;
2A is an enlarged view of a portion 'A' of FIG. 1B;
2B is an enlarged view illustrating a state in which a substrate is cut and divided;
3 is a view showing the configuration of another type of substrate processing apparatus for a substrate cutting process using a conventional laser beam;
4 is a plan view showing the configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention;
5 is a side view of FIG. 4;
6 is an enlarged view of a portion 'B' of FIG. 4;
7 is an enlarged view of a portion 'C' of FIG. 5;
8A to 8H are views sequentially showing a substrate processing method according to an embodiment of the present invention;
9 is an enlarged view of a portion 'D' of FIG. 8E;
10 is a view showing the configuration of another embodiment for removing the scrap accumulated on the support plate;
FIG. 11A is a view showing the structure of a support plate according to another embodiment of the present invention as part 'E' of FIG. 8E;
FIG. 11B is a view showing a state where the mounting protrusion of the stage is inserted into the support plate of FIG. 11A.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예를 상술한다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

다만, 본 발명을 설명함에 있어서, 공지된 기능 혹은 구성에 대해서는 본 발명의 요지를 명료하게 하기 위하여 생략하며, 동일하거나 유사한 기능 혹은 구성에 대해서는 동일하거나 유사한 도면 부호를 부여하기로 한다.In describing the present invention, well-known functions or constructions will be omitted for the sake of clarity of the present invention, and the same or similar function or configuration will be given the same or similar reference numerals.

도면에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는, 다수의 거치 돌기(111)가 상면에 돌출 형성된 스테이지(110)와, 거치 돌기(111) 상에 커팅하고자 하는 대형 기판(G)을 거치시키는 기판 거치 유닛(미도시)과, 기판(G)이 거치 돌기(111) 상에 거치된 상태에서 원하는 자세로 기판(G)이 위치하였는지를 검사하고 정렬시키는 정렬 유닛(미도시)과, 거치 돌기(111)가 관통하는 관통공(120a)이 형성되고 그 사이에 다수의 거치 핀(121)이 형성된 제1서포트 플레이트(120)와, 스테이지(110) 상의 기판(G)의 커팅 라인(L)을 따라 레이저빔(B)을 조사하여 기판(G)을 다수의 분할 기판(Gx)으로 커팅하는 레이저빔 조사기(130)와, 제1서포트 플레이트(120)를 상하 전후 방향으로 이동시키는 제1이동유닛(125)과, 제1서포트 플레이트(120)와 동일한 배열로 관통공(140a)과 거치 핀(141)이 형성된 제2서포트 플레이트(140)와, 제2서포트 플레이트(140)를 상하 전후로 이동시키는 제2이동 유닛(145)과, 기판(G)으로부터 분할된 다수의 분할 기판(Gx)을 거치하고 있는 서포트 플레이트(120,..)로부터 분할 기판(Gx)을 그 다음 공정으로 이송하는 이송 아암(160)과, 서포트 플레이트(120,...)에 거치되어 있던 분할 기판(Gx)이 홀(hole) 가공 등의 후속 공정으로 이송되면 서포트 플레이트(120,...)에 남아 있는 스크랩(S)을 제거하는 스크랩 제거 유닛(170)으로 구성된다. As shown in the figure, the substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention, a plurality of mounting projections 111 protrudes on the upper surface 110, and to cut on the mounting projections 111 A substrate mounting unit (not shown) for mounting a large substrate (G), and an alignment unit for inspecting and aligning whether or not the substrate (G) is positioned in a desired posture while the substrate (G) is mounted on the mounting protrusion (111). (Not shown), a first support plate 120 having a through hole 120a through which the mounting protrusion 111 penetrates and a plurality of mounting pins 121 formed therebetween, and a substrate on the stage 110. The laser beam irradiator 130 for irradiating the laser beam B along the cutting line L of G) and cutting the substrate G into the plurality of divided substrates Gx, and the first support plate 120 up and down The first moving unit 125 to move in the front and rear direction, and the through hole 140a in the same arrangement as the first support plate 120. The second support plate 140 having the mounting pin 141, the second moving unit 145 for moving the second support plate 140 up and down, and the plurality of divided substrates Gx divided from the substrate G. A transfer arm 160 for transferring the divided substrate Gx to the next step from the support plates 120,... Mounted on the support plate, and the divided substrate Gx mounted on the support plates 120,. ) Is composed of a scrap removal unit 170 for removing the scrap (S) remaining in the support plate (120, ...) when transferred to a subsequent process, such as hole (hole) processing.

상기 스테이지(110)는 휨 강성이 높은 석 재질로 형성된 장방형 부재로서 중량이 크게 형성되어 커팅하고자 하는 기판(G)을 안정적으로 거치한다. 스테이지(110)의 상면에는 다수의 거치 돌기(111)가 돌출 형성된다. 도6에 도시된 바와 같이 거치 돌기(111)의 일부 이상에는 흡입압 인가부(119)로부터 연통 형성된 흡입공(111a)이 형성되어, 거치 돌기(111) 상에 기판(G)이 거치되면, 흡입압 인가부(119)로부터 흡입압(Ps')이 흡입압 공급관(119p)을 통해 거치 돌기(111)로 인가되어, 기판(G)에 흡입압(Ps)을 작용시켜 기판(G)을 확실하게 파지한다. The stage 110 is a rectangular member formed of a high bending rigidity stone material is formed with a large weight to stably mount the substrate (G) to be cut. A plurality of mounting protrusions 111 protrude from the top surface of the stage 110. As shown in FIG. 6, when at least a portion of the mounting protrusion 111 is formed, a suction hole 111a communicating with the suction pressure applying unit 119 is formed, and the substrate G is mounted on the mounting protrusion 111. The suction pressure Ps' is applied from the suction pressure applying unit 119 to the mounting protrusion 111 through the suction pressure supply pipe 119p, and the suction pressure Ps is applied to the substrate G to thereby apply the substrate G. Hold firmly.

이와 관련하여, 도1b에 도시된 종래에는 스테이지(10)는 거치 돌기(11)에 의해서만 기판(G)을 지지하므로 거치 돌기(11)를 조밀하게 배열해야 했지만, 본 발명의 일 실시예에 따른 스테이지(110)는 거치 돌기(111) 이외에 서포트 플레이트(120, 140)의 거치 핀(121, 141)에 의해서도 지지될 수 있으므로, 거치 돌기(111)의 개수를 종래에 비해 줄일 수 있는 잇점이 얻어진다. 이에 따라, 종래에는 기판(G)의 커팅 라인(L)의 변동에 따라 스테이지(10) 자체를 교체해야 했지만, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 거치 돌기(111)의 개수 및 배열은 종래에 비하여 성하게 분포시키고, 거치 핀(121, 141)의 배열이 상이한 서포트 플레이트(120, 140)를 활용하여, 무겁고 취급이 어려우며 고가의 스테이지(110)를 교체하지 않고 서포트 플레이트(120, 140)를 교체하는 것에 의하여, 하나의 기판 처리 장치(100)를 이용하여 기판(G)의 분할 형태를 보다 다양하게 처리할 수 있는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In this regard, in the related art, since the stage 10 supports the substrate G only by the mounting protrusion 11, the mounting protrusion 11 has to be densely arranged, but according to an embodiment of the present invention, Since the stage 110 may be supported by the mounting pins 121 and 141 of the support plates 120 and 140 in addition to the mounting protrusion 111, an advantage of reducing the number of the mounting protrusions 111 may be obtained. Lose. Accordingly, although the stage 10 itself has to be replaced according to the variation of the cutting line L of the substrate G in the related art, the substrate processing apparatus 100 according to the exemplary embodiment of the present invention may include the mounting protrusion 111. The number and arrangement are distributed in a more satisfactory manner than in the related art, and by utilizing the support plates 120 and 140 having different arrangements of the mounting pins 121 and 141, the support plate is heavy and difficult to handle and replaces the expensive stage 110. By replacing the (120, 140), it is possible to obtain an advantageous effect that can be processed in a variety of divided forms of the substrate (G) using one substrate processing apparatus 100.

상기 정렬 유닛은 스테이지(110) 상에 기판(G)이 거치되면, 기판(G)이 삐뚤게 거치되었는지 여부를 검사하여, 기판(G)의 자세를 바로잡는다. 상기 정렬 유닛의 검사 방법은 비젼으로 기판을 촬영하여 자세가 삐뚤어진 것을 감지할 수도 있고, 광센서 등 공지된 다른 방법에 의하여 스테이지(110) 상에 거치된 기판(G)의 자세가 삐뚤어진 것을 감지할 수 있다. 스테이지(110) 상의 기판(G)의 자세가 삐뚤어진 것으로 감지되면, 레이저빔 조사기(130)로부터 조사되는 레이저빔(B)의 경로가 기판(G)의 커팅 라인(L)과 편차가 발생될 수 있으므로, 스테이지(110)의 저면에 위치하여 스테이지(110)를 회전시키는 회전 구동부(110r)로 스테이지(110)를 삐뚤어진 각도만큼 회전시킨다. 여기서 회전 구동부(110r)는 직접 구동 방식의 DD(Direct Drive)모터 또는 회전 모터에 의하여 구동되는 'R-가이드'라고 알려진 공지된 구성이다. 이에 따라, 스테이지(110) 자체는 전후 좌우 방향에 정확히 일치하는 자세는 아니더라도, 스테이지(110) 상에 거치된 기판(G)은 정확하게 정렬된 상태가 된다. When the substrate G is mounted on the stage 110, the alignment unit determines whether the substrate G is mounted at an angle, thereby correcting the posture of the substrate G. The inspection method of the alignment unit may detect that the posture is skewed by photographing the substrate with a vision, and detect the skewed posture of the substrate G mounted on the stage 110 by another known method such as an optical sensor. Can be. When the posture of the substrate G on the stage 110 is detected to be crooked, a path of the laser beam B irradiated from the laser beam irradiator 130 may be different from the cutting line L of the substrate G. Therefore, the stage 110 is rotated by a crooked angle by the rotation driving unit 110r positioned at the bottom of the stage 110 to rotate the stage 110. The rotation driver 110r is a known configuration known as an 'R-guide' driven by a direct drive DD (Direct Drive) motor or a rotation motor. Accordingly, even if the stage 110 itself is not a posture that exactly matches the front, rear, left, and right directions, the substrate G mounted on the stage 110 is in a precisely aligned state.

상기 제1서포트 플레이트(120)에는 스테이지(110)의 거치 돌기(111)를 관통시키는 다수의 관통공(120a)이 형성되고, 그 사이에 거치 핀(121)이 동일한 높이로 돌출 형성된다. 이에 따라, 스테이지(110)의 거치 돌기(111) 상에 기판(G)이 거치된 상태에서, 기판(G)과 스테이지(110)의 상면 사이에 위치할 수 있게 된다. 즉, 도6에 도시된 바와 같이, 제1서포트 플레이트(120)가 스테이지(110) 상에 위치한 경우에는, 스테이지(110)의 거치 돌기(111)가 제1서포트 플레이트(120)의 관통공(120a)을 관통한 상태가 되며, 거치 돌기(111)의 사잇 공간에 다수의 거치 핀(121)이 배열된 상태가 된다. 여기서, 거치 핀(121)은 기판(G)을 커팅하여 분할 기판(Gx)이 다수 생성된 상태에서, 생성된 분할 기판(Gx)을 지지할 수 있는 곳으로 그 위치가 정해진다. The first support plate 120 is formed with a plurality of through-holes (120a) for penetrating the mounting protrusion 111 of the stage 110, between the mounting pin 121 is formed to protrude to the same height. Accordingly, in a state where the substrate G is mounted on the mounting protrusion 111 of the stage 110, the substrate G may be positioned between the substrate G and the top surface of the stage 110. That is, as shown in Figure 6, when the first support plate 120 is located on the stage 110, the mounting projection 111 of the stage 110 is a through hole of the first support plate 120 ( The state penetrates through 120a, and a plurality of mounting pins 121 are arranged in the space between the mounting protrusions 111. Here, the mounting pin 121 is positioned to support the generated divided substrate Gx in a state where a plurality of divided substrates Gx are generated by cutting the substrate G.

제1서포트 플레이트(120)는 정확한 크기로 절단된 분할 기판(Gx)을 파지하여 이송하므로, 스테이지(110)에 비하여 휨 강성이 낮게 형성될 수 있으며, 예를 들어 가벼운 알루미늄 등의 소재로 형성될 수 있다. 제1서포트 플레이트(120)의 거치 핀(121)의 일부 이상에도 흡입압 인가부(129)로부터 연통되는 흡입공이 형성되어, 분할 기판(Gx)을 이송시키는 동안에 흡입압이 인가된다. 또한, 경우에 따라 레이저빔(B)에 의하여 기판(G)을 커팅하는 공정에도 흡입압이 인가되어 기판(G)을 고정시키는 데 사용될 수 있다. Since the first support plate 120 grips and transfers the divided substrate Gx cut to an accurate size, the first support plate 120 may have a lower bending rigidity than the stage 110, and may be formed of a material such as light aluminum. Can be. A suction hole communicating with the suction pressure applying unit 129 is also formed in at least a portion of the mounting pin 121 of the first support plate 120, and the suction pressure is applied while transferring the divided substrate Gx. In addition, in some cases, a suction pressure may be applied to the process of cutting the substrate G by the laser beam B, and thus may be used to fix the substrate G.

제1서포트 플레이트(120)는 양단 지지되므로 중량이 가벼우면서 휨 강성이 높아 처짐량을 최소화할 수 있는 재질로 형성되어, 제1이동유닛(125)에 의하여 양단 지지된 상태로도 적은 동력으로도 원활하게 이동될 수 있으면서 제1서포트 플레이트(120)의 처짐량을 최소화한다. 예를 들어, 제1서포트 플레이트(120)는 몸체가 베이크라이트(bakelite),엔지니어링 플라스틱, MC 나일론, 알루미늄 합금 등의 재질 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다.Since the first support plate 120 is supported at both ends, it is formed of a material capable of minimizing the amount of deflection due to light weight and high bending stiffness, so that both ends are smoothly supported by the first mobile unit 125 even with little power. It can be moved while minimizing the amount of deflection of the first support plate 120. For example, the first support plate 120 may be formed of any one or more materials of a body, such as bakelite, engineering plastics, MC nylon, aluminum alloy.

본 발명의 다른 실시 형태에 따르면, 도11a 및 도11b에 도시된 바와 같이, 제1서포트 플레이트(120)의 상면에 경도가 높고 내구성 및 내충격성이 우수한 재질로 형성되면서 대략 0.5mm 내지 1.5mm 두께의 얇은 커버 플레이트(128)가 적층될 수 있다. 예를 들어, 커버 플레이트(128)는 스텐레스 계열의 재질로 형성된다. 커버 플레이트(128)는 제1서포트 플레이트(120)의 몸체에 형성된 거치 핀(121)이 관통하는 구멍이 형성되고, 동시에 스테이지(110)의 거치 돌기(111)가 관통하는 관통공이 제1서포트 플레이트(120)의 몸체에 형성된 관통공(120a)에 정렬되도록 형성된다. 여기서, 관통공(120a)과 거치 돌기(111) 사이의 간극은 제1서포트 플레이트(120)의 자중에 의한 처짐에 의하여 거치 돌기(111)와 간섭이 발생되어 거치 돌기(111)를 수용하지 못할정도가 되지 않는 간격으로 유지된다.According to another embodiment of the present invention, as shown in FIGS. 11A and 11B, the upper surface of the first support plate 120 is formed of a material having high hardness and excellent durability and impact resistance, and has a thickness of about 0.5 mm to 1.5 mm. Thin cover plates 128 may be laminated. For example, the cover plate 128 is formed of a stainless steel material. The cover plate 128 has a hole through which the mounting pin 121 formed in the body of the first support plate 120 penetrates, and at the same time, a through hole through which the mounting protrusion 111 of the stage 110 penetrates the first support plate. It is formed to be aligned with the through hole (120a) formed in the body of (120). Here, the gap between the through hole 120a and the mounting protrusion 111 may interfere with the mounting protrusion 111 due to the sag caused by the weight of the first support plate 120 and thus may not accommodate the mounting protrusion 111. It is maintained at intervals that are not accurate.

그리고, 제1서포트 플레이트(120)의 상면 둘레에는 상방으로 돌출된 스크랩 이탈방지용 단턱(126)이 형성되어, 제1서포트 플레이트(120)가 분할 기판(Gx)과 스크랩(S)을 스테이지(110)로부터 제2위치(II)로 이동하는 동안에 스크랩(S)이 주변으로 떨어져 오염시키는 것을 방지할 수 있다. 제1서포트 플레이트(12)의 테두리에 형성되는 스크랩 이탈방지용 단턱(126)의 높이는 스크랩(S)의 크기를 고려하여 결정되며, 대략 5mm 내지 20mm의 범위 내에서 결정된다. The upper surface of the first support plate 120 is provided with a stepping portion 126 for preventing scrap removal from the upper surface, and the first support plate 120 divides the divided substrate Gx and the scrap S into the stage 110. It is possible to prevent the scrap S from falling to the surroundings and being contaminated while moving to the second position II. The height of the scrap departure prevention step 126 formed on the edge of the first support plate 12 is determined in consideration of the size of the scrap (S), it is determined within the range of approximately 5mm to 20mm.

커버 플레이트(128)에는 관통공(120a)을 둘러싸는 링형 단턱(128y)이 도면부호 h1으로 표시된 높이로 돌출 형성된다. 링형 단턱(128y)의 높이는 커버 플레이트(128)상의 스크랩으로부터 분리될 수 있는 정도의 높이로 정해지며, 예를 들어, 5mm 내지 20mm로 정해질 수 있다. 전술한 스크랩 이탈 방지용 단턱(126)은 커버 플레이트(128)에 일체로 형성될 수 있다. 이에 따라, 커버 플레이트(128)가 없는 경우에는 스테이지(110)의 거치 돌기(111)와 제1서포트 플레이트(120) 사이의 틈새 길이(R)는 제1서포트 플레이트(120)의 몸체의 두께(h2)에 불과하지만, 단턱(128y)이 형성되어 있는 커버 플레이트(128)가 제1서포트 플레이트(120)의 몸체 상에 적층 형성된 경우에는 스테이지(110)의 거치 돌기(111)와 제1서포트 플레이트(120) 사이의 틈새 길이(R)는 제1서포트 플레이트(120)의 몸체의 두께(h1)와 단턱(128y) 높이(h1)의 합(ho)으로 보다 길어지므로, 미세한 스크랩(S)이라도 제1서포트 플레이트(120)의 관통공(120a)과 스테이지(110)의 거치 돌기(111) 사이의 틈새를 통하는 경로(ay)로 스테이지(110)의 상면에 떨어지는 것을 최소화할 수 있다. In the cover plate 128, a ring-shaped step 128y surrounding the through hole 120a is formed to protrude to a height indicated by the reference numeral h1. The height of the ring-shaped step 128y is determined to be such that it can be separated from the scrap on the cover plate 128, for example, 5mm to 20mm. The scrap departure prevention step 126 described above may be integrally formed on the cover plate 128. Accordingly, when the cover plate 128 is not present, the gap length R between the mounting protrusion 111 of the stage 110 and the first support plate 120 is determined by the thickness of the body of the first support plate 120. h2), but when the cover plate 128 having the stepped 128y is formed on the body of the first support plate 120, the mounting protrusion 111 and the first support plate of the stage 110 are formed. Since the clearance length R between 120 becomes longer by the sum (ho) of the thickness h1 of the body of the 1st support plate 120, and the step h of 128y, the height h1, even if it is a minute scrap S Falling on the upper surface of the stage 110 may be minimized by a path through the gap between the through hole 120a of the first support plate 120 and the mounting protrusion 111 of the stage 110.

커버 플레이트(128)는 제1서포트 플레이트(120)에 볼트 체결이나 접착제에 의한 부착으로 일체로 결합될 수 있으며, 제1서포트 플레이트(120)의 상면에 단순히 거치될 수도 있다. 이를 통해, 기판(G)이 절단되어 버려질 스크랩(S)에 의하여 제1서포트 플레이트(120)의 몸체가 긁혀 손상되는 것을 장시간 동안 효과적으로 방지할 수 있다. The cover plate 128 may be integrally coupled to the first support plate 120 by bolt fastening or adhesive attachment, or may be simply mounted on an upper surface of the first support plate 120. Through this, it is possible to effectively prevent the body of the first support plate 120 from being scratched and damaged by the scrap S to be cut off the substrate (G) for a long time.

제1서포트 플레이트(120)는 도4에 도시된 바와 같이 정해진 경로를 따라 전후 방향으로 연장된 경로(122)를 따라 제1이동유닛(125)에 의하여 전후 방향으로 이동된다. 이 때, 제1서포트 플레이트(120)를 전후 방향으로 이동시키는 제1이동유닛(125)은 컨베이어로 형성될 수 있으며, 리니어 모터나 서보 모터 등의 형태로 형성될 수 있다. As illustrated in FIG. 4, the first support plate 120 is moved in the front-rear direction by the first moving unit 125 along the path 122 extending in the front-rear direction along a predetermined path. In this case, the first moving unit 125 for moving the first support plate 120 in the front-rear direction may be formed as a conveyor, and may be formed in the form of a linear motor or a servo motor.

또한, 제1서포트 플레이트(120)가 거치 돌기(111)를 관통한 상태로 스테이지(110) 상에 위치할 수 있도록, 상기 제1이동 유닛(125)은 제1서포트 플레이트(120)를 상하 방향으로 이동시킨다. 즉, 도7에 도시된 바와 같이, 제1서포트 플레이트(120)를 지지하는 지지대(125a)가 프레임(125b)에 대하여 상하 돌출되도록 구성됨에 따라, 제1서포트 플레이트(120)는 상하 방향으로 이동된다. 본 발명의 다른 실시 형태에 따르면, 제1이동유닛(125)은 리니어 모터, 리드 스크류 등의 형태로 구성되어 제1서포트 플레이트(120)를 상하로 이동시키도록 구성될 수 있다.
In addition, the first moving unit 125 moves the first support plate 120 in the vertical direction so that the first support plate 120 may be positioned on the stage 110 while passing through the mounting protrusion 111. Move to. That is, as shown in Figure 7, as the support 125a for supporting the first support plate 120 is configured to protrude up and down with respect to the frame 125b, the first support plate 120 moves in the vertical direction do. According to another embodiment of the present invention, the first moving unit 125 may be configured in the form of a linear motor, a lead screw, or the like to move the first support plate 120 up and down.

상기 레이저빔 조사기(130)는 스테이지(110)의 거치 돌기(111) 상에 거치된 기판(G)의 커팅 라인(L)을 따라 이동하면서, 대형 기판(G)을 다수의 분할 기판(Gx)으로 분할 커팅한다. 레이저빔 조사기(130)는 고정대(138)에 위치 고정되고, 고정대(138)는 지지 부재(131)에 고정된다. 그리고, 고정대(138)는 지지 부재(131)의 좌우 방향(130y)으로 이동하고, 지지 부재(131)는 전후 방향으로 길게 배열된 레일 부재(132)의 레일(132a)을 따라 전후 방향(130x)으로 이동하여, 레이저빔 조사기(130)로부터 조사되는 레이저빔(B)은 스테이지(110)에 거치된 기판(G) 전체에 도달할 수 있게 된다. The laser beam irradiator 130 moves along the cutting line L of the substrate G mounted on the mounting protrusion 111 of the stage 110, and moves the large substrate G to the plurality of divided substrates Gx. Cut into pieces. The laser beam irradiator 130 is fixed to the fixing stand 138, and the fixing stand 138 is fixed to the supporting member 131. Then, the fixing table 138 moves in the horizontal direction 130y of the supporting member 131, and the supporting member 131 is moved forward and backward 130x along the rail 132a of the rail member 132 arranged long in the front-rear direction. 2), the laser beam B irradiated from the laser beam irradiator 130 may reach the entirety of the substrate G mounted on the stage 110.

이와 같이, 스테이지(110)가 위치 고정되고 레이저빔 조사기(130)가 전후 좌우 방향으로 이동하면서 기판(G)의 커팅 라인(L)을 따라 레이저 빔(B)을 조사하도록 구성되므로, 스테이지(110)의 위치가 고정되더도 무방해지므로, 스테이지(110)의 재질을 무거운 석 재질로 제작할 수 있게 되어, 보다 안정되게 기판(G)을 거치할 수 있게 된다. As such, the stage 110 is fixed in position and the laser beam irradiator 130 is configured to irradiate the laser beam B along the cutting line L of the substrate G while moving in the front, rear, left and right directions, and thus, the stage 110. Since the position of) is fixed, it is possible to manufacture the material of the stage 110 with a heavy stone material, it is possible to mount the substrate (G) more stably.

상기 제2서포트 플레이트(140)는 제1서포트 플레이트(120)와 동일한 배열로 관통공(140a)과 거치 핀(141)이 형성된다. 그리고, 제2이동유닛(145)은 제1이동유닛(125)과 마찬가지로 제2서포트 플레이트(140)를 상하 방향(145d) 및 전후 방향(140x)으로 이동하도록 구성된다. 전술한 제1서포트 플레이트(120)와 마찬가지로 제2서포트 플레이트(140)에도 커버 플레이트가 적층 형성되어, 스크랩에 의한 손상 가능성을 최소화하면서, 스테이지(110)의 거치 돌기(111)를 관통하는 관통공(140a)을 감싸는 단턱이 형성되어, 스크랩(S)이 제2서포트 플레이트(140)와 거치 돌기(111) 사이의 틈새를 통해 스테이지(110)의 상면으로 유입되는 것을 방지한다. The second support plate 140 has a through hole 140a and a mounting pin 141 in the same arrangement as the first support plate 120. The second moving unit 145 is configured to move the second support plate 140 in the vertical direction 145d and the front-rear direction 140x similarly to the first moving unit 125. Like the first support plate 120 described above, the cover plate is formed on the second support plate 140 so as to penetrate the mounting protrusion 111 of the stage 110 while minimizing the possibility of damage due to scrap. A stepped portion surrounding the 140a is formed to prevent the scrap S from flowing into the upper surface of the stage 110 through a gap between the second support plate 140 and the mounting protrusion 111.

또한, 제1서포트 플레이트(120)와 마찬가지로, 제2서포트 플레이트(140)의 거치 핀(141)에 흡입압을 인가하는 흡입압 인가부(149)가 구비되어, 제2서포트 플레이트(140) 상에 거치되는 기판(G) 또는 분할 기판(Gx)을 흡입하여 위치 고정할 수 있다. 또한, 제1서포트 플레이트(120)에서와 마찬가지로, 제2서포트 플레이트(140)의 상면 둘레에는 상방으로 돌출된 스크랩 이탈방지용 단턱이 형성되어, 제2서포트 플레이트(140)가 분할 기판(Gx)과 스크랩(S)을 스테이지(110) 상의 제1위치(I)로부터 제2위치(II)로 이동하는 동안에 스크랩(S)이 주변으로 떨어지는 것을 방지한다.
In addition, similar to the first support plate 120, a suction pressure applying unit 149 for applying a suction pressure to the mounting pin 141 of the second support plate 140 is provided, and the second support plate 140 is disposed on the second support plate 140. The position G may be fixed by sucking the substrate G or the divided substrate Gx mounted on the substrate. In addition, as in the first support plate 120, a step for preventing the separation of scraps protruded upward is formed around the upper surface of the second support plate 140, so that the second support plate 140 may be divided with the divided substrate Gx. The scrap S is prevented from falling to the surroundings while the scrap S is moved from the first position I on the stage 110 to the second position II.

다만, 본 발명의 다른 실시 형태에 따르면 제1서포트 플레이트(120)와 제2서포트 플레이트(140)가 서로 동일하게 중복되는 크기로 형성될 수 있지만, 본 발명의 바람직한 실시예에서는 도5 및 도7에 도시된 바와 같이 제2서포트 플레이트(140)의 좌우 방향으로의 폭이 더 길게 형성되고, 제2이동 유닛(145)의 경로(142)가 제1이동 유닛(125)의 경로(122)의 바깥쪽에 배열되어, 제1서포트 플레이트(120)의 높이를 제2서포트 플레이트(140)의 높이에 비하여 더 낮게 조작한 상태에서, 제1이동 유닛(125)과 제2이동 유닛(145)이 서로 교차하여 이동할 수 있도록 한다. 이를 통해, 기판 처리 장치(100)의 전후 방향으로의 길이(LL)를 보다 짧게 한 콤팩트한 구성으로 제1서포트 플레이트(120)와 제2서포트 플레이트(140)를 이용하여 교대로 기판(G)의 레이저 커팅 공정에 사용할 수 있다.However, according to another embodiment of the present invention, the first support plate 120 and the second support plate 140 may be formed to have the same overlapping size with each other, but in the preferred embodiment of the present invention, FIGS. 5 and 7. As shown in FIG. 2, the width of the second support plate 140 in the left and right directions is longer, and the path 142 of the second moving unit 145 is formed in the path 122 of the first moving unit 125. The first moving unit 125 and the second moving unit 145 are arranged on the outside to operate the height of the first support plate 120 lower than the height of the second support plate 140. Allow them to move across. Through this, the substrate G is alternately used by using the first support plate 120 and the second support plate 140 in a compact configuration in which the length LL in the front-rear direction of the substrate processing apparatus 100 is shorter. Can be used for the laser cutting process.

한편, 제1이동유닛(125) 및 제2이동유닛(145)에 의하여 이동되는 서포트 플레이트(120, 140)는 서로 다른 형태로 교체 가능하다. 따라서, 다양한 배열의 거치 핀(121, 141)을 구비한 서포트 플레이트로 적용 가능하다. 이 때, 서포트 플레이트(120, 140)는 반영구적으로 사용될 수 있지만, 스테이지(110)에 비하여 훨씬 저렴하고 쉽게 제작되므로, 대략 1000회 내지 10000회 등 일정한 횟수만큼 사용한 이후에 새로운 서포트 플레이트로 교체하더라도, 스테이지(110)의 손상에 따른 비용 부담에 비하여 훨씬 저렴해진다. 따라서, 유지 보수 측면에서도 종래에 비하여 잇점이 있다.Meanwhile, the support plates 120 and 140 moved by the first moving unit 125 and the second moving unit 145 may be replaced in different forms. Therefore, it is applicable to the support plate having the mounting pins 121 and 141 in various arrangements. At this time, the support plates 120 and 140 may be used semi-permanently, but since it is much cheaper and easier than the stage 110, even if a new support plate is replaced after a certain number of times, such as about 1000 to 10000 times, It is much cheaper than the cost of damage to the stage 110. Therefore, there is an advantage in the maintenance aspect compared with the conventional.

상기 이송 아암(160)은 링크 메커니즘(미도시)에 의하여 이동하는 몸체(161)와, 몸체(161)의 저면에 형성된 다수의 흡입면에 흡입압을 인가하는 흡입부(162)로 구성된다. 이에 따라, 이송 아암(160)은 제1서포트 플레이트(120)에 거치된 분할 기판(Gx)을 하나씩 파지하여 그 다음에 행해질 공정으로 분할 기판(Gx)을 이송한다. 여기서, 이송 아암(160)의 몸체 저면은 분할 기판(Gx)의 면적과 유사한 크기로 형성되거나 분할 기판(Gx)보다 더 작은 크기로 형성되는 것이 좋다. 이에 의하여, 제1서포트 플레이트(120) 상에서 커팅된 상태로 서로의 간격이 조밀하게 배열된 분할 기판(Gx)을 원활하게 파지하여 이송할 수 있다. The transfer arm 160 includes a body 161 that is moved by a link mechanism (not shown), and a suction part 162 that applies suction pressure to a plurality of suction surfaces formed on the bottom of the body 161. Accordingly, the transfer arm 160 grips the divided substrate Gx mounted on the first support plate 120 one by one, and transfers the divided substrate Gx to a process to be performed next. Here, the bottom surface of the body of the transfer arm 160 may be formed to have a size similar to the area of the divided substrate Gx or smaller than the divided substrate Gx. As a result, the divided substrates Gx, which are closely spaced from each other in the state of being cut on the first support plate 120, may be smoothly gripped and transferred.

한편, 본 발명의 다른 실시 형태에 따르면, 이송 아암(160)은 몸체에 고정 그립이 형성되고, 몸체에 대하여 이동 그립이 슬라이딩 이동하여 분할 기판(Gx)을 고정 그립과의 사이에 파지하는 형태로 구성될 수도 있다.
On the other hand, according to another embodiment of the present invention, the transfer arm 160 has a fixed grip is formed on the body, the movement grip is sliding with respect to the body in the form of holding the divided substrate (Gx) between the fixed grip and the It may be configured.

상기 스크랩 제거유닛(170)은, 제1서포트 플레이트(120)가 스테이지(110) 상의 제1위치(I)에 위치한 상태로, 기판(G)의 레이저 커팅 공정이 행해지면, 분할 기판(Gx)과 스크랩(S)을 거치시킨 상태로 제1서포트 플레이트(120)가 제2위치(II)에 도달한 상태에서, 제1서포트 플레이트(120) 상에 잔재하는 스크랩(S)을 제거한다. 이를 위하여, 도8h에 도시된 바와 같이 제2위치(II)의 하측에는 트래이(175)가 설치되어, 스크랩 제거 유닛(170)이 제1서포트 플레이트(120)를 경사지게 기울이는 것에 의하여 제1서포트 플레이트(120) 상에 잔재하는 스크랩(S)을 트래이(175)로 떨어뜨린다. 이 동안에, 제2서포트 플레이트(140)는 제2이동유닛(145)에 의하여 제2위치(II)로부터 제1위치(I)로 이동하여, 그 다음의 기판 커팅 공정에 사용된다.The scrap removing unit 170 is divided substrate Gx when the laser cutting process of the substrate G is performed with the first support plate 120 located at the first position I on the stage 110. In the state where the first support plate 120 reaches the second position (II) while the scrap S is placed thereon, the scrap S remaining on the first support plate 120 is removed. To this end, as illustrated in FIG. 8H, a tray 175 is disposed below the second position II, and the scrap removing unit 170 is inclined to tilt the first support plate 120 so that the first support plate is inclined. The scrap S remaining on the 120 is dropped onto the tray 175. In the meantime, the second support plate 140 is moved from the second position II to the first position I by the second moving unit 145 and used for the next substrate cutting process.

제1서포트 플레이트(120)의 거치 핀(121)에 걸려 제1서포트 플레이트(120) 상에 잔존하는 작은 크기의 스크랩(S)은 도면에 도시되지 않은 흡입기로 제1서포트 플레이트(120)의 표면을 스캔하거나, 고압의 에어 스프레이를 스캔하면서 분사하여 완전히 제거된다. 이와 선택적으로 또는 이와 병행하여, 도면에 도시되지 않았지만, 브러쉬로 제1서포트 플레이트(120)의 상면을 쓸어내리는 것에 의하여, 제1서포트 플레이트(120)의 상면에 잔존하는 스크랩(S)을 완전히 제거할 수 있다.The small scrap S remaining on the first support plate 120 by being caught by the mounting pin 121 of the first support plate 120 is a surface of the first support plate 120 with an inhaler not shown in the drawing. It can be removed by scanning it or by spraying it while scanning high pressure air spray. Optionally or in parallel with this, although not shown in the drawings, the scrap S remaining on the upper surface of the first support plate 120 is completely removed by sweeping the upper surface of the first support plate 120 with a brush. can do.

본 발명의 다른 실시 형태에 따르면, 도10에 도시된 바와 같이, 제1서포트 플레이트(220) 및 제2서포트 플레이트가 2개 이상으로 분할될 수 있게 형성되어, 분할 기판(Gx)을 이송 아암(160)에 의하여 그 다음 공정으로 이송한 이후에, 스크랩 제거 유닛(170, 170')이 서포트 플레이트(220,...)를 분할된 형태로 180도 회전(220r)시켜 뒤집어, 서포트 플레이트(220,...) 상의 스크랩(S)을 그 아래에 위치한 트래이(175)로 떨어뜨려 제거한다. 그리고 나서, 정전기력에 의하여 제1서포트 플레이트(220)의 상면(뒤집은 상태에서의 저면) 상에 잔존하는 작은 크기의 스크랩(S)은 도면에 도시되지 않은 흡입기로 제2서포트 플레이트(220)의 표면을 스캔하거나, 고압의 에어 스프레이를 이동(179d)하여 스캔하면서 분사하여 완전히 제거할 수 있다. 마찬가지로, 에어 스프레이나 흡입기와 함께 또는 별개로, 도면에 도시되지 않았지만, 브러쉬로 서포트 플레이트(220,...)의 상면을 쓸어 내는 것에 의하여, 서포트 플레이트(220,...)의 상면에 잔존하는 스크랩(S)을 완전히 제거할 수 있다.
According to another embodiment of the present invention, as shown in Fig. 10, the first support plate 220 and the second support plate are formed to be divided into two or more, so that the divided arm Gx is transferred to the transfer arm ( After transferring to the next process by 160, the scrap removal unit 170, 170 'turns the support plates 220,... In a divided form by rotating them 180 degrees 220 r, and turns the support plates 220. The scrap (S) on the ... drop into the tray 175 located below it is removed. Then, the small-sized scrap S remaining on the top surface (bottom surface in the inverted state) of the first support plate 220 by the electrostatic force is the surface of the second support plate 220 with the inhaler not shown in the figure. Can be removed by spraying or scanning while moving (179d) the high pressure air spray. Similarly, although not shown in the figure, together with or separately from an air spray or inhaler, the brush remains on the upper surface of the support plates 220, ... by sweeping the upper surface of the support plates 220, ... with a brush. The scrap S can be completely removed.

상기 기판(G)은 유리 기판, 강화유리 기판, 플라스틱 기판 등 다양한 형태의 투명 기판이 될 수 있으며, 불투명한 기판이 될 수도 있다.
The substrate G may be a transparent substrate in various forms such as a glass substrate, a tempered glass substrate, a plastic substrate, or may be an opaque substrate.

이하, 상기와 같이 구성된 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)를 이용한 기판 처리 방법을 상술한다.
Hereinafter, a substrate processing method using the substrate processing apparatus 100 according to the embodiment of the present invention configured as described above will be described in detail.

단계 1: 먼저, 도8a에 도시된 바와 같이, 제1이동유닛(125)에 의하여, 제1서포트 플레이트(120)를 스테이지(110) 상의 제1위치(I, 도4)로 이동시킨 후, 제1서포트 플레이트(120)를 하방(120d1)으로 이동시킨다. 이에 따라, 도6에 도시된 바와 같이, 제1서포트 플레이트(120)의 관통공(120a)이 거치 돌기(111)를 관통시킨 상태로 제1서포트 플레이트(120)를 스테이지(110) 상에 위치시키게 된다. Step 1 : First, as shown in FIG. 8A, by moving the first support plate 120 to the first position (I, FIG. 4) on the stage 110 by the first moving unit 125, The first support plate 120 is moved downward 120d1. Accordingly, as shown in FIG. 6, the first support plate 120 is positioned on the stage 110 with the through hole 120a of the first support plate 120 penetrating the mounting protrusion 111. Let's go.

이 때, 거치 핀(121)의 선단은 거치 돌기(111)의 선단보다 하측에 위치한다.
At this time, the tip of the mounting pin 121 is located below the tip of the mounting protrusion 111.

단계 2: 그리고 나서, 도8b에 도시된 바와 같이, 기판 거치 유닛(미도시)에 의하여 다수의 분할 기판(Gx)을 생성할 대형 투명 기판(G)을 스테이지(110)의 거치 돌기(111) 상에 거치(d1)시킨다. 그리고, 흡입압 인가부(119)로부터 흡입압(Ps')을 인가하여, 스테이지(110)의 거치 돌기(111)에 형성된 흡입공(111a)에 흡입압(Ps)이 인가되도록 함으로써, 스테이지(110)에 거치된 기판(G)을 확실하게 파지시킨다. Step 2 : Then, as shown in FIG. 8B, the mounting projection 111 of the stage 110 is mounted on the large transparent substrate G to generate the plurality of divided substrates Gx by the substrate mounting unit (not shown). Mount on the phase (d1). Then, the suction pressure Ps' is applied from the suction pressure applying unit 119 to apply the suction pressure Ps to the suction hole 111a formed in the mounting protrusion 111 of the stage 110. The substrate G mounted on the 110 is reliably gripped.

기판(G)에 도입되는 흡입압(Ps)은 기판(G)의 레이저 커팅 공정이 완료될 때까지 도입된다.
The suction pressure Ps introduced into the substrate G is introduced until the laser cutting process of the substrate G is completed.

단계 3: 그리고 나서, 정렬 유닛(미도시)은 스테이지(110) 상에 거치된 기판(G)이 제 위치에 위치한 것인지를 검사하고, 기판(G)의 삐뚤어진 각도만큼 스테이지(110)의 저면에 위치한 회전 구동부(110r)로 스테이지(110)를 회전시켜, 기판(G)이 정해진 자세와 위치로 정렬시킨다. 이 때, 회전 구동부(110r)로 회전시키는 각도는 통상적으로 5도 이하의 범위이므로, 제1서포트 플레이트(120)의 관통공(120a)과 거치 돌기(111) 사이의 틈새 범위 내에서 스테이지(110)가 미세하게 회전하여 정렬 공정이 이루어진다.
Step 3 : Then, the alignment unit (not shown) checks whether the substrate G mounted on the stage 110 is in position, and checks the bottom surface of the stage 110 by the crooked angle of the substrate G. The stage 110 is rotated by the rotation driving unit 110r positioned so that the substrate G is aligned in a predetermined posture and position. At this time, since the angle rotated by the rotary drive unit 110r is typically in the range of 5 degrees or less, the stage 110 within the clearance range between the through hole 120a of the first support plate 120 and the mounting protrusion 111. ) Is finely rotated to achieve the alignment process.

단계 4: 단계 2 또는 단계 3이 행해진 이후에, 도8c에 도시된 바와 같이 제1이동 유닛(125)에 의하여 제1서포트 플레이트(120)를 상측(125d2)으로 이동시켜, 거치 핀(121)이 기판(G)의 저면에 살짝 닿도록 한다. Step 4 : After step 2 or step 3 is performed, the mounting pin 121 is moved by moving the first support plate 120 to the upper side 125d2 by the first moving unit 125 as shown in Fig. 8C. Lightly touch the bottom of the substrate (G).

그리고, 거치 돌기(111)의 흡입구(111a)를 통해 기판(G)을 흡입 고정시키는 것이 부족한 경우에는, 거치 핀(121)의 선단면에 형성된 흡입구를 통해 흡입압 인가부(129)로부터 흡입압을 도입하여, 기판(G)을 보다 확실하게 위치 고정시킬 수도 있다. In addition, when it is insufficient to suck and fix the substrate G through the suction port 111a of the mounting protrusion 111, the suction pressure from the suction pressure applying unit 129 through the suction port formed at the front end surface of the mounting pin 121. It is also possible to introduce and to fix the substrate G more securely.

또한, 경우에 따라서는 단계 4는 생략될 수 있다.
In some cases, step 4 may be omitted.

단계 5: 그리고 나서, 도8d에 도시된 바와 같이 고정대(138)가 지지 부재(131)를 따라 좌우 방향(130y)으로 이동하고, 지지 부재(131)가 레일 부재(132)를 따라 전후 방향(130x)으로 이동하면서, 레이저빔 조사기(130)로부터 조사되는 레이저 빔(B)이 미리 정해진 커팅 라인(L)을 따라 이동하면서, 기판(G)을 미리 정해진 크기의 다수의 분할 기판(Gx)으로 절단한다. Step 5 : Then, as shown in FIG. 8D, the holder 138 moves along the support member 131 in the horizontal direction 130y, and the support member 131 moves forward and backward along the rail member 132 ( While moving to 130x, the laser beam B irradiated from the laser beam irradiator 130 moves along a predetermined cutting line L, thereby moving the substrate G into a plurality of divided substrates Gx of a predetermined size. Cut.

절단되어 생성되는 분할 기판(Gx)은 스테이지(110)의 거치 돌기(111) 상에 흡입 고정되어 있지만, 분할 기판(Gx)에 작용하는 흡입압(Ps) 공급이 중단되더라도, 제1서포트 플레이트(120)의 거치 핀(121)에 의하여 지지된다. 기판 커팅 공정 이후에는 제1서포트 플레이트(120) 상의 분할 기판(Gx)이 정확한 위치에서 고정 거치될 필요는 없지만, 제1서포트 플레이트(120)의 이동 시에 분할 기판(Gx)이 추락하는 것을 방지하기 위하여 제1서포트 플레이트(120)의 거치 핀(121)에 흡입압을 도입한다. The split substrate Gx generated by cutting is sucked and fixed on the mounting protrusion 111 of the stage 110, but even if the suction pressure Ps supplied to the split substrate Gx is stopped, the first support plate ( It is supported by the mounting pin 121 of 120. After the substrate cutting process, the split substrate Gx on the first support plate 120 does not need to be fixedly mounted at the correct position, but the split substrate Gx is prevented from falling during the movement of the first support plate 120. In order to introduce the suction pressure to the mounting pin 121 of the first support plate 120.

이 때, 분할 기판(Gx)의 둘레면이 매끄러운 면으로 형성되도록, 기판(G)의 커팅 라인(L)은 도1a에 도시된 바와 같이 기판(G)의 둘레 내측에 형성된다. 이에 따라, 분할 기판(Gx)을 생성하고 남은 스크랩(S)이 기판(G)의 둘레를 따르는 변과 각 분할 기판(Gx)의 사이에서 생성되어, 제1서포트 플레이트(120)의 상면에 쌓이게 된다.
At this time, the cutting line L of the substrate G is formed inside the circumference of the substrate G so that the peripheral surface of the divided substrate Gx is formed into a smooth surface. Accordingly, the scrap S remaining after the division substrate Gx is generated is generated between the sides along the circumference of the substrate G and the respective division substrates Gx, and are stacked on the upper surface of the first support plate 120. do.

단계 6: 그리고 나서, 도8e에 도시된 바와 같이, 흡입압 인가 유닛(119)으로부터 도입되는 흡입압(Ps)의 공급이 중단되고, 제1이동 유닛(125)에 의하여 제1서포트 플레이트(120)를 상방(125d2)으로 이동시킨다. Step 6 : Then, as shown in FIG. 8E, the supply of the suction pressure Ps introduced from the suction pressure applying unit 119 is stopped, and the first support plate 120 is moved by the first moving unit 125. ) Is moved upward (125d2).

제1서포트 플레이트(120)가 상방(125d2)으로 이동함에 따라, 도9에 도시된 바와 같이 스테이지(110)의 거치 돌기(111) 상에 거치되어 있던 분할 기판(Gx)은 제1서포트 플레이트(120)에 의해 지지된다. 그리고, 제1서포트 플레이트(120)의 상면(120s)에는 기판(G)으로부터 잘려나간 크고 작은 스크랩(S)이 잔류하게 되며, 거치 핀(121)에 의해 스크랩(S)에 접촉하지 않는 상태로 분할 기판(Gx)을 거치시킨다. 이를 통해, 분할 기판(Gx)은 스크랩(S)과 분리된 상태를 유지한다.As the first support plate 120 moves upward 125d2, as shown in FIG. 9, the divided substrate Gx mounted on the mounting protrusion 111 of the stage 110 is moved to the first support plate ( 120). In addition, large and small scraps S cut from the substrate G remain on the upper surface 120s of the first support plate 120, and do not come into contact with the scraps S by the mounting pin 121. The division substrate Gx is mounted. Through this, the divided substrate Gx is kept separated from the scrap S.

한편, 분할 기판(Gx)은 단계 5에서 기판(G)이 거치 돌기(111)에 흡입 고정된 상태로 정확한 치수로 커팅되어 생성된 상태이므로, 제1서포트 플레이트(120)가 다소 휜 상태로 거치 핀(121)으로 분할 기판(Gx)을 지지하더라도 무방하다. 즉, 제1서포트 플레이트(120)의 휨이 수mm에 이르지는 않더라도, 스테이지(110)의 휨 변형량보다 큰 휨 변형이 있더라도 기판 처리 공정에 영향을 미치지 않는다.
On the other hand, since the divided substrate (Gx) is a state in which the substrate (G) is cut and produced in the correct dimensions in a state fixed by suction to the mounting protrusion 111 in step 5, the first support plate (120) is placed in a somewhat narrow state The divided substrate Gx may be supported by the pin 121. That is, even if the deflection of the first support plate 120 does not reach several mm, even if there is a deflection greater than the deflection amount of the stage 110, the substrate processing process is not affected.

단계 7: 그리고 나서, 도8f에 도시된 바와 같이, 제1서포트 플레이트(120)는 그 상면에 분할 기판(Gx)을 흡입 고정시키고, 동시에 스크랩(S)을 거치시킨 상태로 제1이동 유닛(125)에 의하여 경로(122)를 따라 제1위치(I)로부터 전후 방향(120v')으로 제2위치(II)까지 이동된다. Step 7 : Then, as shown in FIG. 8F, the first support plate 120 sucks and fixes the divided substrate Gx on the upper surface thereof, and at the same time, the first moving unit ( 125 is moved along the path 122 from the first position I to the second position II in the front-rear direction 120v '.

이와 동시에, 제2위치(II)에 대기하고 있던 제2서포트 플레이트(140)는 깨끗한 상태로 도면부호 140v로 표시된 전후 방향으로 제2위치(II)로부터 제1위치(I)로 이동한다. At the same time, the second support plate 140 waiting at the second position II moves from the second position II to the first position I in the front-rear direction indicated by the reference numeral 140v in a clean state.

여기서, 제2서포트 플레이트(140)는 그 다음에 스테이지(110) 상에서 커팅 공정이 행해질 기판의 커팅 라인(L)에 부합하는 거치 핀(141)의 배열을 갖는다. 즉, 방금 전에 커팅 공정이 행해졌던 기판(G)과 동일한 크기의 분할 기판(Gx)을 생성하고자 하는 경우에는 방금 전 스테이지(110) 상에서 사용되었던 제1서포트 플레이트(120)와 동일한 배열의 거치 핀(141)이 형성된 제2서포트 플레이트(140)가 공급되며, 방금 전 스테이지(110) 상에서 커팅 공정이 행해졌던 것과 다른 크기와 배열의 분할 기판(Gx)을 생성하고자 하는 경우에는 제1서포트 플레이트(120)와 다른 배열의 거치핀(141)이 형성된 제2서포트 플레이트(140)가 공급될 수 있다. 다만, 기판(G)으로부터 절단되어 생성되는 분할 기판(Gx)의 크기 및 배열이 다르더라도, 제1서포트 플레이트(120)의 거치 핀(121)과 동일한 배열의 거치 핀(141)으로 분할 기판(Gx)을 지지할 수 있는 경우라면 제2서포트 플레이트(140)의 거치 핀(141)의 배열은 방금전 사용된 제1서포트 플레이트(120)의 거치 핀(121)의 배열과 동일할 수도 있다.
Here, the second support plate 140 has an arrangement of mounting pins 141 corresponding to the cutting line L of the substrate on which the cutting process is to be performed on the stage 110. That is, when the split substrate Gx having the same size as the substrate G which has just been cut, is to be produced, the mounting pins of the same arrangement as the first support plate 120 that was used on the stage 110 before. When the second support plate 140 having the 141 formed thereon is supplied, and it is desired to generate a divided substrate Gx having a different size and arrangement than that of the cutting process previously performed on the stage 110, the first support plate ( The second support plate 140 on which the mounting pin 141 of the arrangement different from 120 may be supplied. However, even if the size and arrangement of the divided substrate Gx cut and formed from the substrate G are different, the divided substrates may be formed using the mounting pins 141 having the same arrangement as the mounting pins 121 of the first support plate 120. If it is possible to support Gx), the arrangement of the mounting pins 141 of the second support plate 140 may be the same as the arrangement of the mounting pins 121 of the first support plate 120 just used.

단계 8: 그리고 나서, 도8g에 도시된 바와 같이, 제2위치(II)에 위치한 제1서포트 플레이트(120)의 거치 핀(121) 상에 거치된 분할 기판(Gx)은 이송 아암(160)에 의하여 픽업되어 도면부호 160v로 표시된 방향을 따라 후속 공정으로 이송된다. 이와 같이, 이송 아암(160)에 의하여 제1서포트 플레이트(120)의 거치 핀(121)에 거치된 분할 기판(Gx)이 모두 후속 공정으로 이송되면, 제1서포트 플레이트(120) 상에는 스크랩(S)이 잔존한 상태가 된다.
Step 8 : Then, as shown in FIG. 8G, the divided substrate Gx mounted on the mounting pin 121 of the first support plate 120 located at the second position II is transferred to the transfer arm 160. Is picked up and transported to a subsequent process along the direction indicated by 160v. As such, when all of the divided substrates Gx mounted on the mounting pin 121 of the first support plate 120 are transferred to the subsequent process by the transfer arm 160, the scrap S is formed on the first support plate 120. ) Will remain.

단계 9: 그리고 나서, 도8h에 도시된 바와 같이, 스크랩 제거 유닛(170)에 의하여 제1서포트 플레이트(120)를 도면부호 120r로 표시된 방향으로 기울여, 제2위치(II)의 하측에 위치한 트래이(175)에 스크랩(S)을 쏟아버린다. 이를 통해, 제1서포트 플레이트(120) 상에 잔존하던 스크랩(S)은 대부분 트래이(175) 내부로 버려진다. 경우에 따라, 제1서포트 플레이트(120)를 기울인 경우에, 그 표면에 잔존하는 작은 스크랩(S)이 정전기력에 의하여 부착되거나 거치 핀(121)에 걸려 위치하고 있는 경우에는, 에어 분사기(179)로부터 고압의 에어(AIR)를 불어내면서 제1서포트 플레이트(120)의 표면을 스캔(179d)하거나, 브러쉬로 쓸어내려 제1서포트 플레이트(120)의 표면에 잔존하는 미세 스크랩(S)을 완전히 제거한다. Step 9 : Then, as shown in FIG. 8H, the scrap removing unit 170 tilts the first support plate 120 in the direction indicated by reference numeral 120r, so that the tray located below the second position II is disposed. Scrap (S) is poured into (175). Through this, the scrap S remaining on the first support plate 120 is mostly discarded into the tray 175. In some cases, when the first support plate 120 is inclined, when the small scrap S remaining on the surface is attached by the electrostatic force or is caught by the mounting pin 121, the air injector 179 is removed from the air injector 179. The surface of the first support plate 120 is scanned (179d) or blown off with a brush while blowing high-pressure air (AIR) to completely remove the fine scraps S remaining on the surface of the first support plate 120. .

한편, 제1서포트 플레이트(120)가 2개 이상으로 분할될 수 있도록 구성된 경우에는, 스크랩 제거 유닛(170, 170')은 도10에 도시된 바와 같이 (도10의 서포트 플레이트는 알아보기 쉽도록 관통공이 형성되지 않은 위치의 단면도임) 제1서포트 플레이트(120)를 분할된 형태로 각각 180도 뒤집어, 보다 확실하게 스크랩(S)을 트래이(175)에 쏟아버리고, 에어 분사기(179)로부터 고압의 에어(AIR)를 불어내면서 제1서포트 플레이트(120)의 표면을 스캔(179d)하거나, 브러쉬로 쓸어내려 제1서포트 플레이트(120)의 표면에 잔존하는 미세 스크랩(S)을 완전히 제거할 수도 있다.On the other hand, when the first support plate 120 is configured to be divided into two or more, the scrap removal unit (170, 170 ') is shown in Figure 10 (the support plate of Figure 10 is easy to see It is a cross-sectional view of the position where the through hole is not formed.) The first support plate 120 is flipped 180 degrees in a divided form, so that the scrap S is poured into the tray 175 more reliably, and the high pressure is released from the air injector 179. The surface of the first support plate 120 may be scanned (179d) or blown off with a brush to completely remove the fine scraps S remaining on the surface of the first support plate 120 while blowing air. have.

이를 통해, 제2위치에 위치한 제1서포트 플레이트(120)에 잔존하는 스크랩(S)은 모두 깨끗하게 제거된다.
Through this, all of the scraps S remaining in the first support plate 120 positioned in the second position are removed cleanly.

대체로, 기판(G)의 레이저빔에 의한 커팅 공정(단계 5)은 기판(G)의 크기에 따라 대략 5분 내지 13분 정도 소요되므로, 단계 7 내지 단계 9의 분할 기판(Gx)의 이송 공정(단계 8) 및 제1서포트 플레이트(120) 상의 스크랩 제거 공정(단계 9)은 단계 5가 행해지는 동안에 충분히 완료된다. In general, the cutting process (step 5) by the laser beam of the substrate (G) takes about 5 to 13 minutes depending on the size of the substrate (G), the transfer process of the divided substrate (Gx) of steps 7 to 9 (Step 8) and the scrap removal process (step 9) on the first support plate 120 are sufficiently completed while Step 5 is performed.

따라서, 본 발명은 기판(G)을 다수의 분할 기판(Gx)으로 커팅하는 공정에, 분할 기판(Gx)과 스크랩(S)을 지지할 수 있는 서포트 플레이트(120, 140)를 교대로 스테이지(110) 상에 위치시키고 레이저 커팅 공정을 연속적으로 행할 수 있으므로, 보다 짧은 시간에 보다 많은 기판(G)의 레이저 커팅 공정을 행할 수 있는 유리한 효과를 얻을 수 있다. Therefore, in the process of cutting the substrate G into the plurality of divided substrates Gx, the present invention alternately supports the support plates 120 and 140 that can support the divided substrates Gx and the scraps S. Since the laser cutting process can be performed continuously on the substrate 110, the advantageous effect of performing the laser cutting process of more substrates G in a shorter time can be obtained.

이 뿐만 아니라, 본 발명은, 기판(G)을 레이저 커팅하는 제1위치(I)와, 커팅된 분할 기판(Gx)을 이송시키고 스크랩(S)을 제거하는 제2위치(II)를 구분함으로써, 하나의 위치에서 하나의 공정을 담당하는 형태로 변경되므로, 공정의 관리가 보다 편리해지는 잇점도 얻을 수 있다.In addition, the present invention distinguishes the first position I for laser cutting the substrate G from the second position II for transferring the cut divided substrate Gx and removing the scrap S. Since the process is changed from one location to one in charge of a process, the management of the process can be obtained more conveniently.

또한, 본 발명은 스테이지(110) 상에서 커팅 공정이 행해진 이후에, 레이저 커팅 공정에 의해 발생되는 스크랩(S)과 분할 기판(Gx)을 스테이지(110)로부터 분리하여 서포트 플레이트(120, 140) 상에서 분할 기판(Gx)을 이송시키고 스크랩(S)을 제거하는 공정이 행해지므로, 고가의 스테이지(110)가 손상될 가능성을 보다 최소화할 수 있다.
In addition, according to the present invention, after the cutting process is performed on the stage 110, the scrap S and the divided substrate Gx generated by the laser cutting process are separated from the stage 110 on the support plates 120 and 140. Since the process of transferring the divided substrate Gx and removing the scrap S is performed, the possibility of damaging the expensive stage 110 can be further minimized.

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시적으로 설명하였으나, 본 발명의 범위는 이와 같은 특정 실시예에만 한정되는 것은 아니며, 특허청구 범위에 기재된 범주 내에서 적절하게 변경 가능한 것이다. 즉, 본 발명의 실시예는 기판이 모바일 기기의 디스플레이에 사용되는 투명 기판을 예로 들었지만, 다양한 형상 및 용도의 기판에 대해서도 적용 가능하다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the invention. That is, in the embodiment of the present invention, although the substrate is a transparent substrate used for the display of the mobile device as an example, it is applicable to substrates of various shapes and applications.

G: 기판 Gx: 분할 기판
S: 스크랩 100: 기판 처리 장치
110: 스테이지 110r: 회전 구동부
111: 거치 돌기 119: 흡입압 인가 유닛
120, 220: 제1서포트 플레이트 120a: 관통공
121: 거치 핀 130: 레이저빔 조사기
140: 제2서포트 플레이트 140a: 관통공
141: 거치 핀 160: 이송 아암
170: 스크랩 제거 유닛 175: 트래이
179: 고압 기체 분사기
G: Substrate Gx: Split Substrate
S: scrap 100: substrate processing apparatus
110: stage 110r: rotation drive unit
111: mounting projection 119: suction pressure applying unit
120, 220: 1st support plate 120a: through-hole
121: mounting pin 130: laser beam irradiator
140: second support plate 140a: through hole
141: mounting pin 160: transfer arm
170: scrap removal unit 175: tray
179: high pressure gas injector

Claims (39)

다수의 거치 돌기가 상면으로부터 돌출 형성된 스테이지와;
상기 거치 돌기 상에 기판을 거치시키는 기판 거치 유닛과;
상기 거치 돌기가 관통하는 관통공이 배열 형성되고, 상하로 이동 가능하게 설치되어, 상기 거치 돌기에 기판이 거치되기 이전에 상기 관통공이 상기 거치 돌기를 관통한 상태의 제1위치에 위치하는 제1서포트 플레이트와;
상기 스테이지의 상기 거치 돌기 상에 거치된 기판에 레이저 빔이 조사하여 상기 기판을 다수의 분할 기판으로 절단하는 레이저빔 조사기와;
상기 제1서포트 플레이트를 상하 전후 방향으로 이동시켜, 상기 스테이지의 바깥의 제2위치로 이동시키는 제1이동 유닛을;
포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
A stage in which a plurality of mounting protrusions protrude from the upper surface;
A substrate mounting unit for mounting a substrate on the mounting protrusion;
Through holes through which the mounting protrusions are arranged are formed, and are installed to be movable up and down, the first support is located in the first position of the through hole penetrates the mounting protrusions before the substrate is mounted on the mounting protrusions A plate;
A laser beam irradiator for irradiating a substrate mounted on the mounting protrusion of the stage to cut the substrate into a plurality of divided substrates;
A first moving unit which moves the first support plate in a vertical direction to move to a second position outside of the stage;
Substrate processing apparatus comprising a.
제 1항에 있어서,
상기 제1서포트 플레이트에는 상기 관통공의 사이에 다수의 거치 핀이 돌출 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 1,
The first processing plate, characterized in that a plurality of mounting pins protruded between the through hole.
제 2항에 있어서,
상기 거치 핀은 상기 분할 기판을 지지하는 위치에 배열된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
3. The method of claim 2,
And the mounting pin is arranged at a position supporting the divided substrate.
제 2항에 있어서,
상기 제1서포트 플레이트는 상기 관통공의 위치는 동일하고, 상기 거치 핀의 위치가 상이하게 배열된 것으로 교체 가능한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
3. The method of claim 2,
The first support plate is a substrate processing apparatus, characterized in that the position of the through hole is the same, and the mounting pins are arranged differently.
제 2항에 있어서,
상기 스테이지로부터 상기 제1서포트 플레이트가 이송되면, 상기 제1서포트 플레이트에 거치된 상기 분할 기판을 흡입 파지하여 후속 공정으로 이송하는 이송 아암을;
더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
3. The method of claim 2,
A transfer arm for suction-holding the divided substrate mounted on the first support plate and transferring it to a subsequent process when the first support plate is transferred from the stage;
Substrate processing apparatus further comprising.
제 5항에 있어서,
상기 제1서포트 플레이트에 거치되어 있던 상기 분할 기판이 후속 공정으로 이송되면, 상기 제1서포트 플레이트 상에 남아 있는 스크랩을 제거하는 스크랩 제거 유닛을;
더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
6. The method of claim 5,
A scrap removal unit for removing scrap remaining on the first support plate when the divided substrate mounted on the first support plate is transferred to a subsequent process;
Substrate processing apparatus further comprising.
제 6항에 있어서,
상기 스크랩 제거 유닛은 상기 제1서포트 플레이트를 경사지게 기울여, 상기 제1서포트 플레이트 상에 거치되어 있던 스크랩을 하측에 위치한 트래이로 붓는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method according to claim 6,
And said scrap removal unit tilts said first support plate at an inclined angle and pours the scrap placed on said first support plate into a tray located at a lower side thereof.
제 7항에 있어서, 상기 스크랩 제거 유닛은,
경사지게 기울어진 상기 제1서포트 플레이트의 표면에 고압 기체를 분사하거나 흡입하는 것에 의하여 상기 제1서포트 표면에 잔류하는 스크랩을 제거하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 7, wherein the scrap removal unit,
The substrate processing apparatus of claim 1, wherein the scrap remaining on the surface of the first support is removed by injecting or sucking high pressure gas onto the surface of the first support plate inclined inclinedly.
제 7항에 있어서, 상기 스크랩 제거 유닛은,
경사지게 기울어진 상기 제1서포트 플레이트의 표면에 브러쉬로 쓸어 내는 것에 의하여 상기 제1서포트 표면에 잔류하는 스크랩을 제거하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 7, wherein the scrap removal unit,
And scraping off the surface of the first support plate, which is inclined, with a brush, to remove scraps remaining on the surface of the first support plate.
제 6항에 있어서,
상기 제1서포트 플레이트는 2개 이상으로 분할 가능하게 형성되고,
상기 스크랩 제거 유닛은 상기 제1서포트 플레이트를 분할된 형태를 기준으로 뒤집어, 상기 제1서포트 플레이트 상에 거치되어 있던 스크랩을 하측에 위치한 트래이로 붓는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method according to claim 6,
The first support plate is formed to be divided into two or more,
And the scrap removing unit flips the first support plate on the basis of the divided form, and pours the scrap placed on the first support plate into a tray located at a lower side thereof.
제 10항에 있어서, 상기 스크랩 제거 유닛은,
경사지게 기울어진 상기 제1서포트 플레이트의 표면에 고압 기체를 분사하거나 흡입하는 것에 의하여 상기 제1서포트 표면에 잔류하는 스크랩을 제거하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 10, wherein the scrap removal unit,
The substrate processing apparatus of claim 1, wherein the scrap remaining on the surface of the first support is removed by injecting or sucking high pressure gas onto the surface of the first support plate inclined inclinedly.
제 10항에 있어서, 상기 스크랩 제거 유닛은,
경사지게 기울어진 상기 제1서포트 플레이트의 표면에 브러쉬로 쓸어 내는 것에 의하여 상기 제1서포트 표면에 잔류하는 스크랩을 제거하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 10, wherein the scrap removal unit,
And scraping off the surface of the first support plate, which is inclined, with a brush, to remove scraps remaining on the surface of the first support plate.
제 2항에 있어서,
상기 거치 돌기 중 일부 이상에는 흡입공이 형성되어, 레이저 빔에 의하여 커팅 공정이 행해지는 동안에 상기 기판이 상기 거치 돌기에 흡입 고정되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
3. The method of claim 2,
And a suction hole is formed in at least part of the mounting protrusions, and the substrate is suction-fixed to the mounting protrusions while the cutting process is performed by a laser beam.
제 1항에 있어서,
레이저 빔에 의하여 상기 기판이 커팅되는 동안에, 상기 거치 핀은 상기 기판의 저면에 접촉한 상태로 위치하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 1,
While the substrate is being cut by the laser beam, the mounting pin is positioned in contact with the bottom surface of the substrate.
제 14항에 있어서,
상기 거치 핀 중 일부 이상에는 흡입공이 형성되어, 레이저 빔에 의하여 커팅 공정이 행해지는 동안에 상기 기판이 상기 거치 핀에 흡입 고정되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 14,
And a suction hole is formed in at least a portion of the mounting pins so that the substrate is suction-fixed to the mounting pins while the cutting process is performed by a laser beam.
제 2항에 있어서,
상기 거치 핀 중 일부 이상에는 흡입공이 형성되어, 상기 제1서포트 플레이트가 상기 분할 기판을 이송하는 동안에 상기 분할 기판을 흡입 고정하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
3. The method of claim 2,
And a suction hole is formed in at least a portion of the mounting pins to suck and fix the divided substrate while the first support plate transports the divided substrate.
제 1항에 있어서,
상기 레이저 빔이 상기 기판의 정해진 위치를 따라 조사되도록 상기 레이저 빔을 전후 좌우로 이동시키는 레이저빔 이송부를; 더 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 1,
A laser beam transfer unit configured to move the laser beam back, forth, left and right so that the laser beam is irradiated along a predetermined position of the substrate; The substrate processing apparatus further comprised.
제 1항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1서포트 플레이트가 상기 스테이지로부터 멀어지면, 또 다른 제2서포트 플레이트가 상기 스테이지의 상측에 위치하도록 이송되어, 그 다음의 기판에 대하여 레이저 커팅 공정이 곧바로 행해지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method according to any one of claims 1 to 17,
And the second support plate is moved away from the stage so that another second support plate is positioned above the stage, and the laser cutting process is immediately performed on the next substrate.
제 18항에 있어서,
상기 제2서포트 플레이트를 상하 전후 방향으로 이동시키는 제2이동 유닛을;
더 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
19. The method of claim 18,
A second moving unit for moving the second support plate in a vertical direction;
The substrate processing apparatus further comprised.
제 19항에 있어서,
상기 제1이동 유닛이 전후 방향으로 이동하는 경로와 상기 제2이동 유닛이 전후 방향으로 이동하는 경로는 어느 하나가 다른 하나의 내측에 위치하여, 상기 제1서포트 플레이트와 상기 제2서포트 플레이트가 서로 교차하여 이동하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
20. The method of claim 19,
The first moving unit moves in the front-rear direction and the second moving unit moves in the front-rear direction, one of which is located inside the other, so that the first support plate and the second support plate mutually A substrate processing apparatus characterized by moving in cross.
제 2항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1서포트 플레이트는 몸체의 상면에 커버 플레이트가 적층된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method according to any one of claims 2 to 17,
The first support plate is a substrate processing apparatus, characterized in that the cover plate is laminated on the upper surface of the body.
제 21항에 있어서,
상기 몸체에는 상기 거치 핀이 상방으로 돌출 형성되고, 상기 관통공이 형성되며;
상기 커버 플레이트에는 상기 거치 핀을 수용하는 통과공과 상기 관통공이 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
22. The method of claim 21,
The mounting pin protrudes upward from the body, and the through hole is formed;
And a through hole for receiving the mounting pin and the through hole in the cover plate.
제 21항에 있어서,
상기 몸체는 베이크라이트(bakelite),엔지니어링 플라스틱, MC 나일론, 알루미늄 합금 중 어느 하나 이상의 재질로 형성되고;
상기 커버 플레이트는 스텐레스 계열의 재질로 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
22. The method of claim 21,
The body is formed of any one or more of bakelite, engineering plastics, MC nylon, aluminum alloy;
The cover plate is a substrate processing apparatus, characterized in that formed of a stainless-based material.
제 21항에 있어서,
상기 커버 플레이트는 상기 제1서포트 플레이트 몸체의 상면에 0.5mm 내지 1.5mm 두께로 적층된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
22. The method of claim 21,
The cover plate is substrate processing apparatus, characterized in that laminated on the upper surface of the first support plate body having a thickness of 0.5mm to 1.5mm.
다수의 거치 돌기가 상면으로부터 돌출 형성된 스테이지를 준비하는 스테이지 준비단계와;
다수의 거치 핀이 상면에 형성된 제1서포트 플레이트의 관통공이 상기 거치 돌기를 관통시킨 위치로, 상기 제1서포트 플레이트를 상기 스테이지 상에 위치시키는 서포트 플레이트 위치단계와;
상기 거치 돌기 상에 커팅될 기판을 거치시키는 기판 거치 단계와;
레이저 빔을 조사하여 상기 기판을 다수의 분할 기판으로 커팅하는 기판 커팅 단계와;
상기 분할 기판이 상기 제1서포트 플레이트의 상기 거치 핀에 지지된 상태가 되도록 상기 제1서포트 플레이트의 저면이 상기 거치 돌기의 선단보다 높은 위치가 되도록 상기 제1서포트 플레이트를 상방 이동시키는 제1이동 단계와;
상기 제1서포트 플레이트가 상기 스테이지의 상측에 위치하지 않는 위치로, 상기 제1서포트 플레이트와 상기 스테이지 중 어느 하나 이상을 이동시키는 제2이동단계를;
포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
A stage preparation step of preparing a stage in which a plurality of mounting protrusions protrude from the upper surface;
A support plate positioning step of positioning the first support plate on the stage in a position where the through holes of the first support plate having a plurality of mounting pins formed thereon pass through the mounting protrusions;
A substrate mounting step of mounting a substrate to be cut on the mounting protrusion;
A substrate cutting step of cutting the substrate into a plurality of divided substrates by irradiating a laser beam;
A first moving step of moving the first support plate upward so that the bottom surface of the first support plate is higher than the tip of the mounting protrusion so that the divided substrate is supported by the mounting pin of the first support plate; Wow;
A second moving step of moving at least one of the first support plate and the stage to a position where the first support plate is not located above the stage;
Substrate processing method comprising a.
제 25항에 있어서, 상기 제2이동단계 이후에,
상기 제1서포트 플레이트 상에 거치된 상기 분할 기판을 후속 공정으로 이송시키는 분할기판 이송단계와;
상기 제1서포트 플레이트 상에 잔류하는 스크랩을 제거하는 스크랩 제거단계를;
더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
The method of claim 25, wherein after the second moving step,
A division substrate transfer step of transferring the division substrate mounted on the first support plate to a subsequent process;
A scrap removing step of removing scrap remaining on the first support plate;
Substrate processing method further comprising.
제 26항에 있어서,
상기 분할기판 이송단계와, 상기 스크랩 제거단계가 진행되는 동안에, 새로운 제2서포트 플레이트에 대하여 상기 서포트 플레이트 위치단계가 행해지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
27. The method of claim 26,
Wherein the support plate positioning step is performed with respect to the new second support plate while the divider substrate transfer step and the scrap removing step are in progress.
제 26항에 있어서, 상기 스크랩 제거 단계는,
상기 제1서포트 플레이트를 기울이는 것에 의하여 상기 제1서포트 플레이트 상의 스크랩을 그 아래에 위치하고 있는 트래이로 쏟아내는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
The method of claim 26, wherein the scrap removal step,
And tilting said first support plate to pour the scrap on said first support plate into a tray located beneath it.
제 28항에 있어서, 상기 스크랩 제거 단계는,
상기 제1서포트 플레이트가 기울어진 상태에서 상기 제1서포트 플레이트의 표면에 잔류하는 스크랩을 고압 기체를 분사하거나 흡입하여 제거하는 단계를; 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
The method of claim 28, wherein the scrap removal step,
Spraying or sucking high pressure gas to remove scrap remaining on the surface of the first support plate while the first support plate is inclined; Substrate processing method further comprising.
제 28항에 있어서, 상기 스크랩 제거 단계는,
상기 제1서포트 플레이트가 기울어진 상태에서 브러쉬로 쓸어내리는 것에 의하여 상기 제1서포트 플레이트의 표면에 잔류하는 스크랩을 제거하는 단계를; 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
The method of claim 28, wherein the scrap removal step,
Removing scrap remaining on the surface of the first support plate by sweeping it down with a brush in an inclined state of the first support plate; Substrate processing method further comprising.
제 26항에 있어서,
상기 제1서포트 플레이트는 2개 이상으로 분할 가능하고;
상기 스크랩 제거 단계는, 상기 제1서포트 플레이트를 2개 이상으로 분할된 상태에서 뒤집어 상기 제1서포트 플레이트 상의 스크랩을 그 아래에 위치하고 있는 트래이로 쏟아내는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
27. The method of claim 26,
The first support plate is divided into two or more;
The scrap removing step includes the step of flipping the first support plate in two or more divided states, and pouring the scrap on the first support plate into a tray located below the substrate processing method. .
제 31항에 있어서, 상기 스크랩 제거 단계는,
상기 제1서포트 플레이트가 뒤집힌 상태에서 상기 제1서포트 플레이트의 표면에 잔류하는 스크랩을 고압 기체를 분사하거나 흡입하여 제거하는 단계를; 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
The method of claim 31, wherein said scrap removing step,
Spraying or sucking high pressure gas to remove scrap remaining on the surface of the first support plate while the first support plate is turned upside down; Substrate processing method further comprising.
제 31항에 있어서, 상기 스크랩 제거 단계는,
상기 제1서포트 플레이트가 뒤집힌 상태에서 브러쉬로 쓸어 내는 것에 의하여 상기 제1서포트 플레이트의 표면에 잔류하는 스크랩을 제거하는 단계를; 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
The method of claim 31, wherein said scrap removing step,
Removing scrap remaining on the surface of the first support plate by sweeping it with a brush while the first support plate is turned upside down; Substrate processing method further comprising.
제 25항에 있어서, 상기 기판 거치 단계와 상기 기판 커팅 단계의 사이에,
상기 기판을 미리 정해진 자세로 정렬시키는 기판 정렬 단계를;
더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
The method of claim 25, wherein between the substrate mounting step and the substrate cutting step,
A substrate alignment step of aligning the substrate in a predetermined posture;
Substrate processing method further comprising.
제 34항에 있어서, 상기 기판 정렬 단계가 행해진 이후에,
상기 거치 돌기 중 일부 이상에 형성된 흡입구에 흡입압을 인가하여 상기 기판을 상기 거치 돌기 상에서 위치 고정시키는 기판 위치 고정 단계를;
더 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
35. The method of claim 34, wherein after the substrate aligning step is performed,
A substrate position fixing step of applying a suction pressure to a suction port formed in at least part of the mounting protrusions to fix the substrate on the mounting protrusions;
The substrate processing method characterized in that it further comprises.
제 25항 내지 제35항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1서포트 플레이트는 상기 분할 기판의 치수에 따라 교체되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
The method according to any one of claims 25 to 35,
And the first support plate is replaced according to the dimensions of the divided substrate.
제 25항 내지 제35항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판 커팅 단계가 행해지는 동안에 상기 거치 핀은 상기 기판의 저면에 접촉한 상태로 위치하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
The method according to any one of claims 25 to 35,
And the mounting pin is in contact with a bottom surface of the substrate while the substrate cutting step is performed.
제 37항에 있어서,
상기 기판 커팅 단계가 행해지는 동안에 상기 거치 핀의 일부 이상에 흡입압이 인가되어 상기 기판의 위치를 고정하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
39. The method of claim 37,
And a suction pressure is applied to at least a portion of the mounting pins while the substrate cutting step is performed to fix the position of the substrate.
제 25항 내지 제35항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판 커팅 단계는 상기 레이저 빔이 상기 기판의 정해진 위치를 따라 조사되도록 상기 레이저 빔이 전후 좌우로 이동하면서 상기 기판을 다수의 분할 기판으로 커팅하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
The method according to any one of claims 25 to 35,
In the substrate cutting step, the substrate is cut into a plurality of divided substrates while the laser beam is moved back and forth and left and right so that the laser beam is irradiated along a predetermined position of the substrate.
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